KR101936193B1 - 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 - Google Patents
수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101936193B1 KR101936193B1 KR1020170125541A KR20170125541A KR101936193B1 KR 101936193 B1 KR101936193 B1 KR 101936193B1 KR 1020170125541 A KR1020170125541 A KR 1020170125541A KR 20170125541 A KR20170125541 A KR 20170125541A KR 101936193 B1 KR101936193 B1 KR 101936193B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- well
- cathode
- anode
- silicon substrate
- heat treatment
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 103
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 103
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000123069 Ocyurus chrysurus Species 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012921 fluorescence analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052611 pyroxene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
- H01L31/1032—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIBVI compounds, e.g. HgCdTe IR photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘 기판 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 캐소드 전극 및 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판 내부까지 신장하는 콘택 패턴; 실리콘 기판 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴을 둘러싸도록 형성된, 캐소드 웰 및 애노드 웰; 및 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰 사이의 상기 실리콘 기판 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 디텍션 영역; 을 포함하며, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자를 제공한다.
Description
본 발명은 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 광전자증배소자(Silicon Photomultiplier)는 감마선 검출기에 사용되는 광센서로서, 섬광체로부터 입사되는 가시광선에 의해 생성된 전자가 이동하는 과정에서 주변 물질과의 반응을 통해 다수의 2차 전자를 발생시키는 효과를 이용하여 광전류를 증폭하는 소자로 사용된다.
관련 선행기술로는 한국공개특허 제10-2016-0060795호(공개일: 2016년5월31일, 발명의 명칭: 개선된 포토 레지스트에 의한 실리콘 광증배 소자의 제조 방법)가 있다.
본 발명은 제조비용이 낮으며 노이즈가 저감되며 타 소자와의 융합 및 패키징이 용이한 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 실리콘 기판 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 적어도 하나 이상의 캐소드 전극 및 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판 내부까지 신장하는 적어도 하나 이상의 콘택 패턴; 실리콘 기판 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴을 둘러싸도록 형성된, 적어도 하나 이상의 캐소드 웰 및 애노드 웰; 및 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰 사이의 상기 실리콘 기판 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역; 을 포함하며, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자가 제공된다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자에서, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰의 도핑 농도는 상기 콘택 패턴을 형성하기 전에 상기 콘택 패턴이 위치할 영역을 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전(filling)한 후 열처리를 수행함으로써 구현한 불순물의 확산 농도를 포함할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자에서, 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 전극 및 애노드 전극은 복수의 캐소드 전극 및 애노드 전극을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 패턴은 복수의 콘택 패턴을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 웰 및 애노드 웰은 복수의 캐소드 웰 및 애노드 웰을 포함하되, 어느 하나의 캐소드 웰 및 애노드 웰 사이의 제 1 거리는 다른 어느 하나의 캐소드 웰 및 애노도 웰 사이의 제 2 거리와 상이하도록 구성함으로써 하나의 상기 실리콘 기판 내에 브레이크다운 전압(breakdown voltage)이 서로 상이한 소자들을 구비할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자는 상기 캐소드 전극과 연결되어 아발란치 브레이크다운(avalanche breakdown)을 제어할 수 있는 퀀칭 저항(quenching resistor);을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 실리콘 기판의 제 1 영역에 제 1 트렌치를 형성한 후 상기 제 1 트렌치를 제 1 불순물을 함유하는 제 1 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 캐소드 웰을 형성하는 단계; 실리콘 기판의 제 2 영역에 제 2 트렌치를 형성한 후 상기 제 2 트렌치를 제 2 불순물을 함유하는 제 2 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 애노드 웰을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 사이에 배치되는 실리콘 기판의 제 3 영역에 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역을 형성하는 단계; 상기 제 1 스핀-온-도펀트(SOD) 물질과 상기 제 2 스핀-온-도펀트(SOD) 물질을 제거한 후, 상기 제 1 트렌치 및 상기 제 2 트렌치를 충전하는 콘택 패턴을 형성하는 단계; 및 실리콘 기판 상에 상기 콘택 패턴을 통하여 상기 캐소드 웰 및 상기 애노드 웰과 전기적으로 각각 연결된 캐소드 전극 및 애노드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법을 제공한다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법에서, 상기 제 1 트렌치의 하부면, 상기 제 2 트렌치의 하부면 및 상기 디텍션 영역의 하부면은 동일한 수평면에 위치할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법에서, 상기 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 열처리를 포함할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법에서, 상기 확산 열처리는, 퍼니스(furnace) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 열처리를 포함할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법에서, 상기 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 1차 열처리 및 상기 1차 열처리 후에 퍼니스 드라이브 인(furnace drive-in) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 추가로 확산시키는 2차 열처리를 포함할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법에서, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제조비용이 낮으며 노이즈가 저감되며 타 소자와의 융합 및 패키징이 용이한 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법 중에서 캐소드 웰 및 애노드 웰을 형성하는 다양한 방법을 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자에서 제시하는 구조를 시뮬레이터를 이용하여 전산모사한 결과 화면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법 중에서 캐소드 웰 및 애노드 웰을 형성하는 다양한 방법을 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자에서 제시하는 구조를 시뮬레이터를 이용하여 전산모사한 결과 화면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자는 실리콘 기판(1) 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 적어도 하나 이상의 캐소드 전극(12) 및 애노드 전극(22); 상기 캐소드 전극(12) 및 상기 애노드 전극(22)에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판(1) 내부까지 신장하는 적어도 하나 이상의 콘택 패턴(13, 23); 실리콘 기판(1) 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴(13, 23)을 둘러싸도록 형성된, 적어도 하나 이상의 캐소드 웰(14) 및 애노드 웰(24); 및 상기 캐소드 웰(14)과 상기 애노드 웰(24) 사이의 상기 실리콘 기판(1) 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역(32); 을 포함한다. 나아가, 상기 캐소드 전극(12)과 연결되어 아발란치 브레이크다운(avalanche breakdown)을 제어할 수 있는 퀀칭 저항(quenching resistor);을 더 포함할 수 있다. 캐소드 구조체와 애노드 구조체의 전기적 절연을 확보하기 위하여 실리콘 기판(1)과 전극(12, 22) 사이에 산화막과 같은 절연막(34)을 배치할 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자에서, 상기 캐소드 웰(14)과 상기 애노드 웰(24)은 상기 콘택 패턴(13, 23)의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 한다. 여기에서, 상기 캐소드 웰(14)과 상기 애노드 웰(24)의 도핑 농도는 상기 콘택 패턴(13, 23)을 형성하기 전에 상기 콘택 패턴(13, 23)이 위치할 영역을 SOD 물질로 충전(filling)한 후 열처리를 수행함으로써 구현한 불순물의 확산 농도를 포함할 수 있다.
상기 수평형 실리콘 광증배소자에서, 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 전극(12) 및 애노드 전극(22)은 복수의 캐소드 전극(12) 및 애노드 전극(22)을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 패턴(13, 23)은 복수의 콘택 패턴(13, 23)을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 웰(14) 및 애노드 웰(24)은 복수의 캐소드 웰(14) 및 애노드 웰(24)을 포함하되, 어느 하나의 캐소드 웰(14) 및 애노드 웰(24) 사이의 제 1 거리(D1)는 다른 어느 하나의 캐소드 웰(14) 및 애노도 웰 사이의 제 2 거리(D2)와 상이하도록 구성함으로써 하나의 상기 실리콘 기판(1) 내에 브레이크다운 전압(breakdown voltage)이 서로 상이한 소자들을 구비할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법 중에서 캐소드 웰 및 애노드 웰을 형성하는 다양한 방법을 순차적으로 도해하는 도면들이다.
도 1 내지 도 5를 함께 참조하면, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법은 실리콘 기판(1)의 제 1 영역(Ⅰ)에 제 1 트렌치(5)를 형성한 후 상기 제 1 트렌치(5)를 제 1 불순물을 함유하는 제 1 SOD 물질(10)로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 캐소드 웰(14)을 형성하는 단계; 실리콘 기판(1)의 제 2 영역(Ⅱ)에 제 2 트렌치를 형성한 후 상기 제 2 트렌치를 제 2 불순물을 함유하는 제 2 SOD 물질(10)로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 애노드 웰(24)을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역(Ⅰ)과 상기 제 2 영역(Ⅱ)의 사이에 배치되는 실리콘 기판(1)의 제 3 영역(Ⅲ)에 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역(32)을 형성하는 단계; 상기 제 1 SOD 물질(10)과 상기 제 2 SOD 물질(10)을 제거한 후, 상기 제 1 트렌치(5) 및 상기 제 2 트렌치를 충전하는 콘택 패턴(13, 23)을 형성하는 단계; 및 실리콘 기판(1) 상에 상기 콘택 패턴(13, 23)을 통하여 상기 캐소드 웰(14) 및 상기 애노드 웰(24)과 전기적으로 각각 연결된 캐소드 전극(12) 및 애노드 전극(22)을 형성하는 단계;를 포함한다. 상기 제 1 트렌치(5)의 하부면, 상기 제 2 트렌치의 하부면 및 상기 디텍션 영역(32)의 하부면은 동일한 수평면에 위치할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상술한 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판(1) 내로 확산시키는 열처리를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상술한 확산 열처리는, 퍼니스(furnace) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판(1) 내로 확산시키는 열처리를 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상술한 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판(1) 내로 확산시키는 1차 열처리(도 5의 (c)) 및 상기 1차 열처리 후에 퍼니스 드라이브 인(furnace drive-in) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판(1) 내로 추가로 확산시키는 2차 열처리(도 5의 (e))를 포함할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여, SOD(Spin on Dopant)를 이용하여 웰을 형성하는 방법을 구체적으로 설명한다. 실리콘 기판(1) 상부에 스크린 산화물(34; Screen Oxide)을 증착한 후 실리콘과 산화물을 식각하여 트렌치 패턴(5, 6; Trench Pattern)을 형성한다. 식각 방법은 건식 식각과 습식 식각 둘 다 적용이 가능하다. 이때 식각되는 실리콘의 깊이는 추후 웰이 형성되는 영역으로 계측하고자 하는 광자의 파장에 실리콘 흡수 깊이를 맞추어 깊이를 설정하여 식각하게 된다.
도 3을 참조하면, 식각 이후 스핀(Spin) 공정을 이용하여 SOD 물질(10)을 도포한 후 얇은 웰(Well)을 형성하기 위해서는 RTP를 이용하여 실리콘 영역에 도펀트(Dopant)를 확산한 후 스크린 산화물과 SOD 물질을 제거하면 웰 형성이 완료되게 된다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 두꺼운(깊은) 웰을 형성하기 위해서는 그 용도에 따라 두가지 방법을 사용할 수 있다. 만들고자 하는 웰이 농도가 높고 그 때의 농도값이 정밀하게 컨트롤 되지 않아도 된다면 SOD 물질이 있는 상태에서 퍼니스 어닐(Furnace Anneal)을 진행하는 도 4의 방법이 적합하며, 웰의 농도가 높지 않고 정밀한 농도 컨트롤이 필요하다면 RTP로 1차 확산 후 SOD 물질을 제거한 후 Drive-in을 진행 하는 도 5의 방법이 적합하다. 이에 웰의 형태 및 용도에 맞추어 공정을 선택 적용이 가능하다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 단면도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자의 수직적 구조는 크게 광자가 입사되면 광자를 수집하여 아발란치 증폭(Avalanche Multiplication)을 일으키는 디텍션 영역(132; Detection Area)과 동작된 실리콘 광증배소자를 리셋(Reset)시키기 위한 억제저항(142; Quenching Resistor)을 포함한다. 캐소드 영역(106; Cathode Area)는 PN 접합(Junction) 구조로 효율적인 아발란치 증폭을 발생시키기 위하여 높은 전기장(E-Field)을 형성하게 되며, 애노드 영역(102; Anode Area)는 이렇게 증폭된 전하를 수집(Charge Collection)하게 된다. 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(122)은 웨이퍼(100)의 상면 및 하면에 각각 배치되며, 캐소드 전극(112)은 절연막(134)을 관통하는 콘택 패턴(113)을 통하여 캐소드 영역(106)과 전기적으로 연결된다.
여기서, 아발란치 광다이오드의 공핍영역으로 형성되는 디텍션 영역은 입사된 광자가 아발란치 현상에 의해 실제로 내부 증폭이 이루어지는 중요한 부분이다. 원활한 공핍영역 형성을 위해 낮은 도핑이 이루어진 에피성장 영역으로 만들어지며, 디텍션 영역이 크면 효율이 증가하지만 노이즈 또한 증가되는 문제점이 있어 적정한 면적 및 깊이를 설정하는 것이 중요하다. 이때 디텍션 영역은 수직으로 형성되는 구조로 양면 공정이 부득이하게 필요하게 된다.
상기 구조는 에피 성장 웨이퍼(100)를 사용하기 때문에 공정 상 시모스(CMOS) 및 타 소자를 동시에 제작하기 어렵고, 실리콘 단결정 내부에 존재하는 결함(Defect)을 제거하여 소자의 성능을 개선시키는 대표적인 기술인 인터널 게터링(Internal Gettering)을 에피 영역(104)의 손상(Out-Diffusion)으로 인하여 적용이 불가능하게 된다.
이에 반하여, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자는 구조적으로는 도 6에 도시된 수직형 실리콘 광증배소자를 돌려놓은 형태이다. 본 발명의 비교예에서 에피 성장 방법으로 형성되었던 저농도 도핑층(106)과 기판의 고농도 도핑층(102)을, 도 3 내지 도 5의 SOD 공정을 이용하여 도핑하여 본 발명의 실시예에서는 균일하고 안정적인 웰(Well)을 형성하여 제작하게 된다. 도 1에서 수평형 실리콘 광증배소자의 평면도 상 캐소드 웰(Cathode Well)과 애노드 웰(Anode Well) 사이의 이격거리는 완전히 공핍된 형태(Fully Depleted Type)의 공핍층이 형성될 부분이며 웰과 웨이퍼 농도와 함께 상기 이격거리에 따라 브레이크다운 전압(BV; Breakdown Voltage)이 결정되게 된다. 상기 이격거리를 조정함에 따라 동일 웨이퍼 내에서도 브레이크다운 전압이 다른 소자를 만들 수 있다는 점도 수직형 실리콘 광증배소자에 비해 유리한 장점으로 이해될 수 있다. 평면도 상 캐소드 웰과 애노드 웰과 같은 방향의 길이는 실제 검출 영역을 정의하는 부분이 되며 웰과 수직 방향 다시말해 실리콘 깊이 방향은 광자가 흡수되는 영역으로 정의되어 진다. 캐소드 웰과 애노드 웰로 구성되어진 하나의 아발란치 광다이오드는 리셋을 위한 퀀칭 저항(Quenching Resistor)이 형성되어 가이거모드 아발란치 광다이오드가 되며 이를 다양한 개수를 어레이 형태로 묶어서 하나의 실리콘 광증배소자가 구성되게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자는 비교예에 따른 수직형태의 실리콘 광증배소자와 다르게 구조적으로는 수직의 구조의 Well을 수평적으로 회전하여 놓은 것과 유사하며 에피 성장으로 구성되던 저농도 도핑층과 기판의 고농도 도핑층을 추가적인 도핑 공정을 이용하여 웰 형태로 형성하게 된다. 이때 웰 형성에 있어 이온주입 공정을 적용하는 경우 깊이 방향으로 이온주입에너지에 따라 농도가 다르게 형성될 수 밖에 없다. 수평형 구조에서는 웰의 깊이 방향이 수직형 구조에서 웰의 2차원적 면적을 뜻하며 이에 농도가 깊이별로 다르면 그에 따라 위치별 전기장(E-Field)값도 다르게 분포되고 이로 인하여 균일한 공핍 영역을 형성할 수 없어 결국 원하는 소자의 형태를 확보할 수 없게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법에서는 SOD(Spin on Dopant)를 이용한 도핑을 제시하였다. 계측을 원하는 광자의 파장에 맞추어 실리콘 깊이를 설정한 후 그 깊이만큼 식각된 영역에 스핀 공정을 이용하여 SOD 물질을 도포한 후 RTP와 Furnace를 이용하여 도펀트를 확산시키는 방법을 채용하였다. 이러한 방법은 실리콘과 접하는 모든 부분에는 균일한 깊이와 농도로 도핑 프로파일(Doping Profile)을 얻을 수 있는 장점이 있다. 이는 앞에서 설명한 것과 같이 이온주입 방법의 이온주입 에너지에 따른 영향성을 나타내지 않으므로 균일한 도핑영역과 균일한 전기장(E-Field)을 가져오며 이는 결국 깊이 방향으로 균일한 공핍영역 다시 말해 안정한 디텍션 영역(Detection Area)을 형성할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자에서 제시하는 구조를 시뮬레이터를 이용하여 전산모사한 결과 화면이다. 좌측(a)은 최종 제작된 수평형 실리콘 광증배소자의 구조이며 우측(b)은 이때의 전류-전압 전기적 특성을 나타내었다. 전산 모사 결과 일반적인 수직형태의 실리콘 광증배소자의 특성과 유사한 결과를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
지금까지 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법을 비교예와 대조하여 설명하였다. 수평형 실리콘 광증배소자는 P Type 및 N Type 도핑영역(Well) 형성에 있어 이온주입 공정을 적용하여 표면에서 깊이 방향으로 도핑 농도가 다른 문제가 발생할 수 있는데, 이러한 문제는 Well과 Well 사이의 수평영역 전체가 공핍영역으로 정의되어 광자의 계측영역으로 동작해야 하는 실리콘 광증배소자에서는 치명적 문제를 초래할 수 있다. 이에 본 발명은 SOD(Spin on Dopant)를 사용하여 웰 형성 부분에 있어 표면에서 깊이 방향으로 거의 일정한 도핑 농도를 유지하도록 제안한다.
본 발명은 웨이퍼 앞, 뒷면에 웰이 각각 형성되는 기존의 수직형 실리콘 광증배소자와 다르게 동일면에 웰이 형성되는 수평형 실리콘 광증배소자의 구조 및 그 제조 방법에 대한 것이다. 수평형 구조를 가지면 기존 수직형 구조의 필수 요소였던 에피 성장 웨이퍼를 사용하지 않을 수 있어 저렴한 공정뿐만 아니라 노이즈 저감, 타 소자와 융합 및 패키지 용이성 등 다양한 장점들을 기대할 수 있다.
일반적인 수직형 실리콘 광증배소자에 비해 수평형 실리콘 광증배소자 구조를 적용하여 소자를 제작하는 경우, i) 에피 성장 웨이퍼를 사용하지 않아 기존의 CMOS를 포함한 타 소자 공정과 융합이 용이하며, ii) 고가의 에피성장 웨이퍼를 사용하지 않아 제조비용이 절감되며, iii) 실제 구동 시 웨이퍼의 표면영역만 사용하여 웨이퍼의 벌크영역에서 열적 현상으로 발생되는 노이즈의 영향을 배제 가능하며, iv) 에피성장 웨이퍼를 사용하지 않기 때문에 에피영역의 손상(Out-Diffusion)으로 진행이 불가능 했던 고온의 Internal Gettering 공정 적용이 가능하며, 이는 실제 구동 영역인 표면영역에서 직접적으로 결함을 줄일 수 있어 노이즈 특성에 개선이 가능하며, v) 웨이퍼의 단면 공정 적용이 가능하여 양면 공정이 필요한 수직형에 비해 공정이 간단하며 패키지가 용이하며, vi) 동일 웨이퍼 내에 브레이크다운 전압이 다른 실리콘 광증배소자를 형성하는 것이 가능하다.
본 발명의 기술을 적용함으로써 의료 영상기기 분야, 원전 및 가속기 입자 검출 분야, 항공 우주분야, 광학 및 바이오 형광 분석 분야, 야시경 등의 군사 분야, 측정 분야 등의 기존 실리콘 광증배소자을 이용하는 전 분야에 기술 대체 및 시장 확장이 가능할 것으로 기대된다. 국내 불모지의 실리콘 광증배소자 관련 활용 분야에 새로운 시장 구축 및 해외 수출의 기반으로 활용이 가능할 것으로 예상되며, 특정 분야를 넘어 융합 기술 분야에 파급 및 응용이 가능할 것으로 기대된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (10)
- 실리콘 기판 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 적어도 하나 이상의 캐소드 전극 및 애노드 전극;
상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판 내부까지 신장하는 적어도 하나 이상의 콘택 패턴;
실리콘 기판 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴을 둘러싸도록 형성된, 적어도 하나 이상의 캐소드 웰 및 애노드 웰; 및
상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰 사이의 상기 실리콘 기판 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역; 을 포함하며,
상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일하며,
상기 적어도 하나 이상의 캐소드 전극 및 애노드 전극은 복수의 캐소드 전극 및 애노드 전극을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 패턴은 복수의 콘택 패턴을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 웰 및 애노드 웰은 복수의 캐소드 웰 및 애노드 웰을 포함하되,
어느 하나의 캐소드 웰 및 애노드 웰 사이의 제 1 거리는 다른 어느 하나의 캐소드 웰 및 애노도 웰 사이의 제 2 거리와 상이하도록 구성함으로써 하나의 상기 실리콘 기판 내에 브레이크다운 전압(breakdown voltage)이 서로 상이한 소자들을 구비하는 것을 특징으로 하는,
수평형 실리콘 광증배소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰의 도핑 농도는 상기 콘택 패턴을 형성하기 전에 상기 콘택 패턴이 위치할 영역을 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전(filling)한 후 열처리를 수행함으로써 구현한 불순물의 확산 농도를 포함하는 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 캐소드 전극과 연결되어 아발란치 브레이크다운(avalanche breakdown)을 제어할 수 있는 퀀칭 저항(quenching resistor);을 더 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자. - 실리콘 기판의 제 1 영역에 제 1 트렌치를 형성한 후 상기 제 1 트렌치를 제 1 불순물을 함유하는 제 1 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 캐소드 웰을 형성하는 단계;
실리콘 기판의 제 2 영역에 제 2 트렌치를 형성한 후 상기 제 2 트렌치를 제 2 불순물을 함유하는 제 2 스핀-온-도펀트(SOD) 물질로 충전한 후 확산 열처리를 수행함으로써 애노드 웰을 형성하는 단계;
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 사이에 배치되는 실리콘 기판의 제 3 영역에 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 적어도 하나 이상의 디텍션 영역을 형성하는 단계;
상기 제 1 스핀-온-도펀트(SOD) 물질과 상기 제 2 스핀-온-도펀트(SOD) 물질을 제거한 후, 상기 제 1 트렌치 및 상기 제 2 트렌치를 충전하는 콘택 패턴을 형성하는 단계; 및
실리콘 기판 상에 상기 콘택 패턴을 통하여 상기 캐소드 웰 및 상기 애노드 웰과 전기적으로 각각 연결된 캐소드 전극 및 애노드 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 트렌치의 하부면, 상기 제 2 트렌치의 하부면 및 상기 디텍션 영역의 하부면은 동일한 수평면에 위치하는 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 열처리를 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 확산 열처리는, 퍼니스(furnace) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 열처리를 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 확산 열처리는, 급속 열처리(RTP) 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 확산시키는 1차 열처리 및 상기 1차 열처리 후에 퍼니스 드라이브 인(furnace drive-in) 열처리 공정을 이용하여 상기 불순물을 상기 실리콘 기판 내로 추가로 확산시키는 2차 열처리를 포함하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170125541A KR101936193B1 (ko) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170125541A KR101936193B1 (ko) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101936193B1 true KR101936193B1 (ko) | 2019-01-08 |
Family
ID=65021088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170125541A KR101936193B1 (ko) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101936193B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11428791B1 (en) | 2021-10-14 | 2022-08-30 | Motional Ad Llc | Dual-mode silicon photomultiplier based LiDAR |
| US11435451B1 (en) | 2021-10-14 | 2022-09-06 | Motional Ad Llc | SiPM based sensor for low level fusion |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110291103A1 (en) | 2009-06-01 | 2011-12-01 | Stmicroelectronics S.R.L | Trench sidewall contact schottky photodiode and related method of fabrication |
-
2017
- 2017-09-27 KR KR1020170125541A patent/KR101936193B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110291103A1 (en) | 2009-06-01 | 2011-12-01 | Stmicroelectronics S.R.L | Trench sidewall contact schottky photodiode and related method of fabrication |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11428791B1 (en) | 2021-10-14 | 2022-08-30 | Motional Ad Llc | Dual-mode silicon photomultiplier based LiDAR |
| US11435451B1 (en) | 2021-10-14 | 2022-09-06 | Motional Ad Llc | SiPM based sensor for low level fusion |
| GB2612146A (en) * | 2021-10-14 | 2023-04-26 | Motional Ad Llc | Dual-mode silicon photomultiplier based LiDAR |
| US11782140B2 (en) | 2021-10-14 | 2023-10-10 | Motional Ad Llc | SiPM based sensor for low level fusion |
| US11796646B2 (en) | 2021-10-14 | 2023-10-24 | Motional Ad Llc | Dual-mode silicon photomultiplier based LiDAR |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9236519B2 (en) | Geiger-mode avalanche photodiode with high signal-to-noise ratio, and corresponding manufacturing process | |
| US8558188B2 (en) | Method for manufacturing solid-state thermal neutron detectors with simultaneous high thermal neutron detection efficiency (>50%) and neutron to gamma discrimination (>1.0E4) | |
| JP2007521657A (ja) | 超薄型裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法 | |
| JP2006324686A (ja) | 光子感知エレメント及びこれを用いたデバイス | |
| CN102760791A (zh) | 形成掺杂区的方法、太阳能电池及其制造方法 | |
| KR102148427B1 (ko) | 광전소자 및 그 제조방법 | |
| KR101936193B1 (ko) | 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 | |
| CN113937174A (zh) | 一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向pn结极紫外探测器及其制备方法 | |
| US7847360B2 (en) | Radiation detector of the deltaE-E type with insulation trenches | |
| US7642116B1 (en) | Method of forming a photodiode that reduces the effects of surface recombination sites | |
| CN110010591B (zh) | 三维双面硅微条探测器及其制备方法 | |
| WO2024045364A1 (zh) | 单光子探测器及其制作方法 | |
| KR20140140200A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| CN100349304C (zh) | 硅光接收器件 | |
| CN112289883B (zh) | 一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法 | |
| US20140352769A1 (en) | Edge Counter-Doped Solar Cell With Low Breakdown Voltage | |
| TWI496305B (zh) | 太陽能電池及其製作方法 | |
| JP6194524B2 (ja) | ノイズ電流を抑制したフォトダイオード及びそれを形成する方法 | |
| RU2427942C1 (ru) | Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой | |
| KR101680384B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 | |
| KR101301897B1 (ko) | 마이크로채널 애벌란시 포토다이오드 | |
| KR101283534B1 (ko) | 실리콘 광전자 증배 소자의 제조방법 | |
| CN218887199U (zh) | 一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器 | |
| CN109950333B (zh) | 球形盒状三维探测器及其制备方法 | |
| KR101246763B1 (ko) | 광전지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |