RU2427942C1 - Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой - Google Patents

Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой Download PDF

Info

Publication number
RU2427942C1
RU2427942C1 RU2010113592/28A RU2010113592A RU2427942C1 RU 2427942 C1 RU2427942 C1 RU 2427942C1 RU 2010113592/28 A RU2010113592/28 A RU 2010113592/28A RU 2010113592 A RU2010113592 A RU 2010113592A RU 2427942 C1 RU2427942 C1 RU 2427942C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
base
region
collector
cellular base
type conductivity
Prior art date
Application number
RU2010113592/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Сергей Иванович Диденко (RU)
Сергей Иванович Диденко
Сергей Александрович Леготин (RU)
Сергей Александрович Леготин
Светлана Петровна Кобелева (RU)
Светлана Петровна Кобелева
Алексей Сергеевич Корольченко (RU)
Алексей Сергеевич Корольченко
Олег Михайлович Орлов (RU)
Олег Михайлович Орлов
Михаил Павлович Коновалов (RU)
Михаил Павлович Коновалов
Дмитрий Леонидович Волков (RU)
Дмитрий Леонидович Волков
Original Assignee
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" filed Critical Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Priority to RU2010113592/28A priority Critical patent/RU2427942C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2427942C1 publication Critical patent/RU2427942C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Пиксельная биполярная структура с сетчатой базой, согласно изобретению, содержит полупроводниковую подложку, в которой расположена область коллектора 1-го типа проводимости, на которой имеется электрод коллектора, в области коллектора расположена область базы, 2-го типа проводимости, в области базы расположена область эмиттера 1-го типа проводимости, на которой расположен электрод эмиттера. Область базы 2-го типа проводимости выполнена в виде сетки, при этом величина областей пространственного заряда, образованных р-n переходами коллектор-база, превышает расстояние между соседними линиями сетчатой базы. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности координатных детекторов и увеличение соотношения сигнал/шум. Конструкция с сетчатой базой позволяет улучшить собирание заряда, при этом сохранив высокий коэффициент усиления ионизационного тока, вызываемого радиационными частицами. 2 ил.

Description

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам, применяемым в области приборостроения и, в частности, может быть использовано при создании приемников изображений оптического, рентгеновского или нейтронного излучений.
Известны ячейки детекторов релятивистских частиц, выполненных в виде диодных матриц (W.Lange at of Contribution to International Conference on Instrumentation for Colliding Beam Physics, J5-21 March 1990, Novosibirsk), либо биполярных структур (патент на изобретение №2197036 от 20.01.2003, заявка №2002118855, приоритет 7.07.2002). Недостатком таких ячеек является недостаточная чувствительность, т.к. ячейки не обеспечивают максимальный уровень собираемого ионизационного заряда и соответственно наилучшее соотношение сигнал-шум, из-за повышенной скорости рекомбинации в сильнолегированной области базы.
Наиболее близким по технической сущности решением (прототипом) является структура ячейки, представленная в (патент на изобретение №2197036 от 20.01.2003). Основными недостатками такой ячейки является также повышенная скорость рекомбинации ионизационного заряда в сильнолегированной области базы, образуемого излучениями в ультрафиолетовом оптическом или «мягком» рентгеновском спектре (с энергией квантов от 3 эВ до 10 кэВ), а также значительная паразитная емкость р-n перехода коллектор-база, приводящая к снижению коэффициента усиления ионизационного тока биполярной структурой.
Техническим результатом настоящего изобретения является повышение чувствительности детекторов излучения и улучшение соотношение сигнал-шум.
Данная цель достигается за счет выполнения области базы биполярной структуры в виде сетки (см. фиг.1а, б). Такая конструкция ячейки очевидно имеет меньшую емкость база-коллектор, по сравнению с емкостью база-коллектор обычного транзистора, при этом объем р+ базы, где возможна рекомбинация, минимален. Вокруг р+ областей сетчатой базы образуется область пространственного заряда (ОПЗ), которая перекрывает весь объем полупроводникового материала между р+ областями, препятствуя рекомбинации электронно-дырочных пар, образованных излучением. Это обстоятельство позволяет более эффективно усиливать первичный ионизационный ток, созданный радиационным излучением. И улучшить соотношение сигнал/шум.
Двухкоординатная реализация ячейки показана на фиг.2а, б.
Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой работает следующим образом. При прохождении через подложку 1 радиационной частицы (см. фиг.1а) вдоль ее трека образуются электронно-дырочные пары, которые собираются полем в ОПЗ образованного в области р-n перехода коллектор-база при подаче на коллектор относительно эмиттера положительного напряжения +Vc. Образованные радиационным излучением электронно-дырочные пары в области ОПЗ не рекомбинируют, а разделяются полем и образуют первичный ионизационный ток коллекторного р-n перехода. Он усиливается биполярной структурой транзистора (в десятки-сотни раз) и образует токи коллектора и эмиттера.
Изобретение поясняется приведенными чертежами. На фиг.1а приведен схематический разрез ячейки (пикселы) детектора излучений по ортогональной оси А-А, а на фиг.1б представлен ее топологический чертеж, т.е. вид сверху. Ячейка детектора излучений с сетчатой базой содержит полупроводниковую подложку 1 первого (n) типа проводимости, которая образует область коллектора детектора. Нижняя часть подложки 1 сильно легирована и образует слой 2 для создания омического контакта к коллекторному электроду 3. В области коллектора-подложки 1 расположена область базы 4 второго (р) типа проводимости. В области базы 4 расположена область эмиттера 5 первого (n) типа проводимости, на которой расположен электрод эмиттера 6. На поверхности области коллектора-подложки 1 расположен диэлектрический слой 7.
Ниже приведены конкретные примеры реализации изобретения.
Пример 1
Двумерная матрица пиксел детектора может быть выполнена по стандартной технологии, используемой при изготовлении интегральных схем. Пример технологической реализации показан на фиг.1, который заключается в выполнении нижеперечисленных технологических операций:
а) формировании n+ - контактной области к коллектору, например диффузией фосфора в обратную сторону пластины кремния с омическим сопротивлением R~5 кОм/см;
б) окислении поверхности кремния и формировании в оксиде окон для базовых областей 4 с помощью процесса фотолитографии и формировании областей базы путем имплантации атомов бора и последующем режиме отжига и разгонки базовой примеси в глубину подложки;
в) осаждении поликристаллического слоя кремния на поверхность пластины с последующей имплантация в него, например, атомов мышьяка, термическом отжиге и разгонке мышьяка из поликремния в подложку, т.е. формировании области эмиттера и проведении фотолитографии по поликремнию для формирования областей эмиттера 5;
г) осаждении 2-го слоя диэлектрика, формировании в нем контактных окон, осаждении алюминия - 6.

Claims (1)

  1. Пиксельная биполярная структура с сетчатой базой, содержащая полупроводниковую подложку, в которой расположена область коллектора 1-го типа проводимости, на которой имеется электрод коллектора, в области коллектора расположена область базы 2-го типа проводимости, в области базы расположена область эмиттера 1-го типа проводимости, на которой расположен электрод эмиттера, отличающаяся тем, что область базы 2-го типа проводимости выполнена в виде сетки, при этом величина областей пространственного заряда образованных р-n переходами коллектор - база превышает расстояние между соседними линиями сетчатой базы.
RU2010113592/28A 2010-04-08 2010-04-08 Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой RU2427942C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010113592/28A RU2427942C1 (ru) 2010-04-08 2010-04-08 Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010113592/28A RU2427942C1 (ru) 2010-04-08 2010-04-08 Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2427942C1 true RU2427942C1 (ru) 2011-08-27

Family

ID=44756913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010113592/28A RU2427942C1 (ru) 2010-04-08 2010-04-08 Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2427942C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8895995B2 (en) 2012-09-24 2014-11-25 International Business Machines Corporation Lateral silicon-on-insulator bipolar junction transistor radiation dosimeter
RU2583857C1 (ru) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Биполярная ячейка координатного фотоприемника - детектора излучений

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8895995B2 (en) 2012-09-24 2014-11-25 International Business Machines Corporation Lateral silicon-on-insulator bipolar junction transistor radiation dosimeter
US8912030B2 (en) 2012-09-24 2014-12-16 International Business Machines Corporation Method for radiation monitoring
RU2583857C1 (ru) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Биполярная ячейка координатного фотоприемника - детектора излучений

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7968959B2 (en) Methods and systems of thick semiconductor drift detector fabrication
US20120313196A1 (en) 3-d trench electrode detectors
US20100148040A1 (en) Geiger-mode photodiode with integrated and adjustable quenching resistor, photodiode array, and manufacturing method thereof
CN101356654B (zh) 为检测可见光而优化的半导体辐射探测器
US10411051B2 (en) Coplanar electrode photodiode array and manufacturing method thereof
US9087936B2 (en) Semiconductor photomultiplier device
US8183655B2 (en) Radiation detector of the ΔE-E type with insulation trenches
US7928533B2 (en) Nano-multiplication region avalanche photodiodes and arrays
WO2006005803A1 (en) Semiconductor radiation detector
US10290760B2 (en) Process of manufacturing an avalanche diode
RU2427942C1 (ru) Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой
RU2383968C2 (ru) Интегральная би-моп ячейка детектора излучений
CN213093204U (zh) 一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片
JP2662061B2 (ja) 光電変換装置
JP6500413B2 (ja) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
JP4116123B2 (ja) 半導体放射線検出器
RU2583857C1 (ru) Биполярная ячейка координатного фотоприемника - детектора излучений
KR101301897B1 (ko) 마이크로채널 애벌란시 포토다이오드
KR101283534B1 (ko) 실리콘 광전자 증배 소자의 제조방법
CN117995893B (zh) 一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法
CN216749923U (zh) 单光子雪崩二极管
CN108417662A (zh) 一种自带信号放大功能氮化镓基射线探测器及其制备方法
US20240120412A1 (en) Semiconductor device
Doblas et al. Proton Low Gain Avalanche Detector (pLGAD) for Low Energy Particles Detection
US10644114B1 (en) Reticulated shallow etch mesa isolation

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160409