KR101931844B1 - 개선된 스퀴브 제어 회로 - Google Patents

개선된 스퀴브 제어 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR101931844B1
KR101931844B1 KR1020147008856A KR20147008856A KR101931844B1 KR 101931844 B1 KR101931844 B1 KR 101931844B1 KR 1020147008856 A KR1020147008856 A KR 1020147008856A KR 20147008856 A KR20147008856 A KR 20147008856A KR 101931844 B1 KR101931844 B1 KR 101931844B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge
transistor
circuit
capacitor
discharge
Prior art date
Application number
KR1020147008856A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140068145A (ko
Inventor
브루스 엠. 쿡
Original Assignee
웨스팅하우스 일렉트릭 컴퍼니 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 웨스팅하우스 일렉트릭 컴퍼니 엘엘씨 filed Critical 웨스팅하우스 일렉트릭 컴퍼니 엘엘씨
Publication of KR20140068145A publication Critical patent/KR20140068145A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101931844B1 publication Critical patent/KR101931844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42B—EXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B3/00—Blasting cartridges, i.e. case and explosive
    • F42B3/10—Initiators therefor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42B—EXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B3/00—Blasting cartridges, i.e. case and explosive
    • F42B3/10—Initiators therefor
    • F42B3/12—Bridge initiators
    • F42B3/121—Initiators with incorporated integrated circuit
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42D—BLASTING
    • F42D1/00—Blasting methods or apparatus, e.g. loading or tamping
    • F42D1/04—Arrangements for ignition
    • F42D1/045—Arrangements for electric ignition
    • F42D1/05—Electric circuits for blasting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42D—BLASTING
    • F42D5/00—Safety arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/34—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering
    • H02J7/345—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering using capacitors as storage or buffering devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Air Bags (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 스퀴브와 같은 또 다른 디바이스에 동력을 공급하도록 구조화된 개선된 제어 회로에 관한 것이다. 회로의 제 1 부분은 제 1 트랜지스터를 포함하고 커패시터에 의해 저장된 전하의 제 1 부분을 제 1 속도에서 방전하도록 구조화된다. 회로의 또 다른 부분은 제 2 트랜지스터를 포함하고 전하의 제 1 부분의 방전에 이어서 제 1 속도보다 더 빠른 제 2 속도에서 전하의 제 2 부분을 방전하도록 구조화된다.

Description

개선된 스퀴브 제어 회로{IMPROVED SQUIB CONTROL CIRCUIT}
개시되고 청구된 개념은 일반적으로 제어 회로, 그리고 더 구체적으로 스퀴브와 같이 또 다른 디바이스에 동력을 공급하기 위한 개선된 제어 회로에 관한 것이다.
일반적으로 알려진 바와 같이, 스퀴브는 다양한 어플리케이션에서 사용되는 작은 폭발성 디바이스이다. 예를 들어, 그것은 영화제작에서, 군사적 목적을 위해, 그리고 안전 장치를 폭발적으로 파괴하는 것이 필요할 수 있는 다른 어플리케이션 또는 비상사태 설정에서의 다른 구조에서 특수 효과를 만드는데 사용될 수 있다. 스퀴브를 위한 다른 용도는 일반적으로 잘 알려져 있다.
스퀴브의 비상사태-관련된 어플리케이션의 특정 실시예는 핵원자로에서 폭발적으로 활성화되는 밸브 또는 다른 구성요소를 위한 것이다. 다른 어플리케이션에서는 물론, 그러한 어플리케이션에서, 필요할 때 신뢰할만한 작동을 보장하는 한편 다른 시간에서 의도하지 않은 작동을 방지하는 것 사이의 맞교환은 항상 존재한다. 스퀴브의 동력공급을 제어하는 공지된 회로는 일단 충전되면, 그런 후에 스퀴브에 동력을 공급하도록 방전되는 커패시터를 일반적으로 사용한다.
위에 언급된 비상사태-관련된 어플리케이션 및 다른 어플리케이션과 같은 어플리케이션에서, 커패시터는 ARM(조준) 명령어의 발생 시에 일반적으로 충전되고 그런 후에 적절하다면, 스퀴브에 동력을 공급하도록 충전된 커패시터를 사용하여 FIRE(발사) 명령어의 발생을 통해 방전된다. 그러한 어플리케이션에서 FIRE 명령어가 발생되지 않는다면 커패시터 내에 저장된 전하를 일정 시간의 기간 내에 소모시키는 것이 바람직하다. 그러한 일정 시간의 기간의 일 실시예는 5분 미만의 지속기간일 수 있다. 그러나, 그러한 전하의 소모는 적어도 30초의 지속기간과 같은, 전하가 스퀴브에 동력을 공급하기에 충분할 동안의 일정 시간의 기간 후에만 시작하는 것 역시 바람직하다.
즉, 그러한 어플리케이션에서 ARM 명령어의 발생 후에 FIRE 명령어가 제 1 일정 시간의 기간 동안 이용가능하지만, FIRE 명령어가 발생되지 않는다면 ARM 명령어의 발생 후에 제 2 일정 시간의 기간 내에 커패시터가 전하의 안전 상태로 방전되는 것이 바람직하다. 이것은 스퀴브에 의도하지 않게 동력이 공급되는 것을 피하기 위해 필요하다. 따라서, 적어도 제 1 일정 시간의 기간 동안, 커패시터가 스퀴브에 동력을 공급하도록 충분히 동력공급된 채로 남아 있지만, 일정 시간의 기간 후에 커패시터를 안전 상태에 위치시키도록 조준 후에 커패시터가 또 다른 일정 시간의 기간 내에 즉각적으로 동력공급이 해제되는 것이 요구된다.
공지된 회로는 의도된 목적에 일반적으로 효과적인 반면에, 그들은 제한 없이 있지 않는다. 더 구체적으로, 앞서언급된 일정 시간의 기간 동안 전하를 유지하지만 이어지는 일정 시간의 기간 내에 전하를 방전하는 것 사이의 트레이드오프는 신뢰할만하게 달성하기가 어렵다. 따라서 일정 시간의 기간 동안 전하의 유지 그리고 또한 또 다른 일정 시간의 기간 내의 전하의 방전을 가능하게 하는 개선된 회로를 제공하는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 목적은 일정 시간의 기간 동안 전하의 유지 그리고 또한 또 다른 일정 시간의 기간 내의 전하의 방전을 가능하게 하는 개선된 회로를 제공하는 것이다.
이들 그리고 다른 혜택이 스퀴브와 같은 또 다른 디바이스에 동력을 공급하도록 구조화되는 개선된 제어 회로에 의해 제공된다. 회로의 제 1 부분은 제 1 트랜지스터를 포함하고 커패시터에 의해 저장된 전하의 제 1 부분을 제 1 속도에서 방전하도록 구조화된다. 회로의 또 다른 부분은 제 2 트랜지스터를 포함하고 전하의 제 1 부분의 방전에 이어서 제 1 속도보다 더 빠른 제 2 속도에서 전하의 제 2 부분을 방전하도록 구조화된다.
따라서, 개시되고 주장된 개념의 일 측면은 적절한 바와 같이, 스퀴브가 동력공급되는 것이 가능하도록 ARM 명령어에 응답해서 커패시터를 충전하도록 구조화되지만, FIRE 명령어가 일정 시간의 기간 내에 발생되지 않으면 커패시터에 의해 저장된 전하를 즉각적으로 소모하도록 역시 구성되는 개선된 제어 회로를 제공하는 것이다.
개시되고 주장된 개념의 또 다른 측면은 FIRE 명령어가 발생되면 스퀴브에 동력을 공급하기에 충분한 전하를 ARM 명령어의 발생으로부터 제 1 일정 시간의 기간 동안 유지하지만, FIRE 명령어가 발생되지 않으면 ARM 명령어의 발생으로부터 제 2 일정 시간의 기간 내에 안전 상태로 전하를 소모시키는 그러한 개선된 회로를 제공하는 것이다.
개시되고 주장된 개념의 또 다른 측면은 스퀴브에 동력이 공급되는 것을 가능하게 하도록 구조화되고 2개의 트랜지스터 및 2개의 다른 시간에서 2개의 다른 방전 속도로 커패시터 상에 전하의 방전을 가능하게 하는 다른 구성요소를 사용하는 개선된 회로를 제공하는 것이다.
개시되고 주장된 개념의 이러한 그리고 다른 측면이 또 다른 디바이스에 동력을 공급하도록 구조화된 개선된 회로에 의해 제공된다. 회로는 전하를 적어도 일시적으로 저장하도록 구조화된 커패시터를 포함하는 것으로 일반적으로 언급될 수 있다. 그 회로의 일부는 제 1 고체 상태 스위치를 포함하고 제 1 속도에서 전하의 제 1 부분을 방전하도록 구조화되는 바와 같이 일반적으로 언급될 수 있다. 회로의 또 다른 부분은 제 2 고체 상태 스위치를 포함하고 전하의 제 1 부분의 방전에 이어서 제 1 속도보다 더 빠른 제 2 속도에서 전하의 제 2 부분을 방전하도록 구조화되는 것으로 일반적으로 언급될 수 있다. 커패시터는 전하의 제 2 부분의 방전의 시작 전에 다른 디바이스에 동력을 공급하기에 충분한 전하의 일부를 그 안에 저장한다.
본 발명의 개선된 스퀴브 제어 회로에 의해 제공된 방전 곡선은 바람직하게, 스퀴브가 동력 공급될 수 있는 충분한 시간의 기간 동안 커패시터에서 전하를 유지하는 것을 유리하게 제공하고, 또한 FIRE 명령어가 발생되지 않는다면 커패시터를 즉각적으로 방전시킨다. 따라서 본 발명의 스퀴브 제어 회로는 신뢰할만하면서도 안전한 작동을 유리하게 제공한다.
개시되고 주장된 개념의 또 다른 이해는 첨부된 도면에 관련해서 읽혀질 때 다음의 설명으로부터 얻어질 수 있고, 여기서:
도 1은 개시되고 주장된 개념에 따라 개선된 회로의 회로도이고;
도 2는 도 1의 회로의 사용으로 시간의 함수로서 커패시터 전압을 나타내는 예시적인 도표이며; 그리고
도 3은 도 1의 회로의 충전 사이클 동안 시간의 함수로서 커패시터 전압을 나타내는 예시적인 도표이다.
유사한 도면부호는 명세서에 걸쳐 유사한 부분을 지칭한다.
개시되고 주장된 개념에 일치하는 개선된 스퀴브 제어 회로(4)가 일반적으로 도 1에 나타난다. 스퀴브 제어 회로(4)는 스퀴브 제어 회로(4)가 적절한 명령어에 따라서, 동력을 공급하도록 구조화되는 폭발성 스퀴브(6)와 연결되는 것으로서 나타난다.
스퀴브 제어 회로(4)는 아래에 제시된 방식으로 협력하는 조준 구성요소(8) 및 발사 구성요소(12)를 포함하는 것으로서 일반적으로 언급될 수 있다. 조준 구성요소(8)는 제 1 전기 에너지원(14)과 연결되는 것으로 나타나고, 발사 구성요소(12)는 제 2 전기 에너지원(16)과 연결되는 것으로 나타난다. 제 1 및 제 2 전기 에너지원(14, 16)은 여기에 나타난 실시예에서, 24 볼트 DC로 전력을 제공하는 배터리이다. 그러나, AC DC 변환기(즉, 파워 서플라이), 연료 전지, 및 그와 유사한 것과 같은 다른 에너지원이 사용될 수 있고, 그들은 본 발명의 개념에서 벗어나지 않고 여기에 명확히 설명된 이들과 다른 전압에 있을 수 있다는 것이 이해된다.
조준 구성요소(8)는 ARM 스위치(18)를 포함하고, 조준 구성요소(8)와 발사 구성요소(12) 사이의 협력을 가능하게 하는 인터로크(22)를 더 포함한다. 더 구체적으로, 인터로크(22)는 조준 구성요소(8) 상의 인터로크 지연부(26)를 포함하고 발사 구성요소(12) 상의 한 쌍의 인터로크 스위치(28)를 더 포함한다. 발사 구성요소(12)가 FIRE 스위치(30) 및 발사 지연부(32)를 포함하고, 발사 지연부(32)가 조준 구성요소(8) 상의 한 쌍의 동력공급 스위치(36)와 작동적으로 연결된다.
조준 및 발사 작동 동안, 조준 구성요소(8)는 첫째로, 명령어가 수동으로 발생할 수 있음에도, 컴퓨터화된 제어기로부터와 같이, ARM 명령어를 수신한다. 그러한 ARM 명령어는 ARM 스위치(18)를 닫을 수 있고 또한 인터로크 스위치(28)의 쌍이 OPEN(열린) 조건으로 유지되게 할 수 있는 제 1 상태로 인터로크 지연부(26)를 위치시키는 명령어를 포함할 수 있다. 일단 조준 구성요소(8)가 충분히 충전되면, ARM 스위치(18)는 조준 구성요소(8)의 또 다른 충전을 정지시킬 수 있고 인터로크 스위치(28)의 쌍을 OPEN 조건에서 CLOSED(닫힌) 조건으로 이동시킬 수 있는 제 2 상태로 인터로크 지연부(26)를 전환하게 할 수 있는 또 다른 명령어에 의해 열릴 수 있다. 다시, 이것은 수동으로 이루어질 수 있다.
이 시점에서 FIRE 명령어가 발생되면, FIRE 스위치(30)는 CLOSED 위치로 이동될 수 있고 발사 지연부(32)는 동력공급 스위치(36)의 쌍을 OPEN 조건에서 CLOSED 조건으로 전환할 수 있는 상태로 변경하게 될 수 있어, 스퀴브(6)가 동력공급되고 폭발하는 것을 초래할 수 있다. 그러나, 아래에 더 구체적으로 제시될 바와 같이, FIRE 명령어가 제 1 일정 시간의 기간 내에 발생되지 않으면, 조준 구성요소(8)는 스퀴브(6)에 의도하지 않게 동력이 공급되는 것을 피하도록 제 2 일정 시간의 기간 내에 즉각적으로 방전될 것이다.
더 구체적으로, 도 1에 지시되는 계속되는 관심으로, 조준 구성요소(8)가 제 1 전기 에너지원(14)과 그리고 스퀴브(6)와 연결되는 포지티브 레그(38) 및 그라운드 레그(40)를 포함한다는 것이 보여질 수 있다. 포지티브 레그(38)는 그것과 직렬인 충전 레지스터(44)를 포함한다. 조준 구성요소(8)는 동력공급 스위치(36)의 쌍에 의해 그로부터 분리됨에도, 스퀴브(6)와 병렬로 포지티브 레그(38)와 그라운드 레그(40) 사이에 연결되는 커패시터(46)를 추가적으로 포함한다. 도 1은 또한 스퀴브(6) 자체가 조준 구성요소(8)로부터 의미있는 거리로 이격될 수 있고 따라서 공칭 레벨을 넘는 저항을 가지는 경향이 있기 때문에 스퀴브 제어 회로(4)를 구성할 때 고려되어야만 하는 케이블 저항(48)을 나타낸다.
도 1로부터 이해될 수 있는 바와 같이, ARM 명령어가 발생되고 ARM 스위치(18)가 닫힐 때, 제 1 전기 에너지원(14)은 충전 레지스터(44)를 통해 커패시터(46)에 전류를 공급하고, 커패시터(46)는 그로써 충전된다. 커패시터(46)와 같은 커패시터가 고체 탄탈룸 커패시터라면 충전 레지스터(44)는 볼트 당 3옴 만큼의 저항을 가지는 것을 커패시터 벤더가 일반적으로 제안한다는 것이 언급된다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 충전 레지스터(44)는 다른 저항값이 어플리케이션의 요구사항 및 제어 회로의 다른 구성요소의 사양에 따라 사용될 수 있음에도 75Ω의 저항을 가진다.
커패시터(46)는 한 쌍의 단자(52A, 52B)를 갖고, 단자(52a)는 포지티브 레그(38)와 연결되고, 단자(52B)는 그라운드 레그(40)와 연결된다. 여기 설명된 예시적인 실시예에서, 커패시터(46)는 다른 커패시턴스 값이 어플리케이션의 요구사항 및 제어 회로의 다른 구성요소의 사양에 따라 사용될 수 있음에도, 6800 ㎌의 커패시턴스를 가진다.
조준 구성요소(8)는 고체 상태 스위치를 구성하는 것으로 언급될 수 있는 제 1 트랜지스터(56)를 더 포함한다. 여기에 제시된 실시예에서, 제 1 트랜지스터(56)는 n-채널 MOSFET 트랜지스터이다. 일반적으로 다른 트랜지스터 및 다른 스위치가 본 발명의 개념에서 벗어나지 않고 사용될 수 있음에도, 제 1 트랜지스터(56)는 예를 들어 그리고 한정 없이, IRLZ14S n-채널 MOSFET일 수 있다.
제 2 트랜지스터(56)는 게이트(58), 소스 전극(60), 및 드레인 전극(62)을 포함한다. 제 1 레지스터(64)는 소스 전극(60)과 포지티브 레그(38) 사이에 연결된다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 제 1 레지스터(64)는 다른 저항값이 특정 어플리케이션의 요구사항에 따라 사용될 수 있음에도, 500ΚΩ의 저항값을 가진다. 드레인 전극(62)은 설명된 예시적인 실시예에서, 그라운드 레그(40)와 직접 연결된다.
조준 구성요소(8)는 포지티브 레그(38)와 제 1 트랜지스터(56)의 게이트(58) 사이에 설명된 방식으로 연결된 제너 다이오드(68)를 추가적으로 포함한다. 회로의 요구사항 및 다른 구성요소의 사양에 따라 다른 항복 전압을 갖는 다른 제너 다이오드가 사용될 수 있음에도, 본 발명의 예시적인 실시예에서 제너 다이오드(68)는 20볼트의 항복 전압을 가진다. 포지티브 레그(38)와 제너 다이오드(68)의 연결 반대편에, 조준 구성요소(8)는 제너 다이오드(68)와 그라운드 레그(40) 사이에 연결된 소모 레지스터(70)를 추가로 포함한다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 소모 레지스터(70)는 다른 저항값이 특정 어플리케이션의 요구사항에 따라 사용될 수 있음에도, 100ΚΩ의 저항값을 가진다. 소모 레지스터(70)에 대한 큰 저항값은 제너 다이오드(68)의 전력소모를 감소시킬 것이고, 지나치게 큰 저항값은 제 1 트랜지스터(56)가 제너 다이오드(68)를 통한 누설로 인해 턴 오프하는 것을 방지할 것이다. 아래에 더 구체적으로 제시될 바와 같이, 제 1 트랜지스터(56)는 조준 구성요소(8)가 커패시터(46)에 의해 저장된 전하의 제 1 부분을 제 1 속도에서 방전하는 것을 가능하게 한다.
조준 구성요소(8)는 반드시 특정 어플리케이션의 요구사항 및 회로의 다른 구성요소의 사양에 따른 경우일 필요가 없음에도, 여기에 설명된 실시예에서, 제 1 트랜지스터(56)와 유사한 사양을 갖는, 제 2 트랜지스터(74)를 더 포함한다. 제 2 트랜지스터(74)는 게이트(76), 소스 전극(80), 및 드레인 전극(82)을 포함한다. 제 2 트랜지스터(74)의 게이트(76)는 도 1에 지시되는 바와 같이, 제 1 레지스터(64)는 물론 제 1 트랜지스터(56)의 소스 전극(60)과 연결된다. 제 2 트랜지스터(74)의 소스 전극(80)은 포지티브 레그(38)와 직접 연결된다.
도 1에서 더 보여질 수 있는 바와 같이, 조준 구성요소(8)는 포지티브 레그(38)와 제 2 트랜지스터(74)의 드레인 전극(82) 사이에 연결된 제 2 레지스터(84)를 추가로 포함한다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 제 2 레지스터(84)는 다른 저항값이 특정 어플리케이션의 요구사항에 따라 잠재적으로 사용될 수 있음에도, 500ΚΩ의 저항값을 가진다. 드레인 전극(82) 및 제 2 레지스터(84)는 그라운드 레그(40)와 역시 연결되는 조준 구성요소(8)의 제 3 레지스터(88)와 더 연결된다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 제 3 레지스터(88)는 다른 저항값이 특정 어플리케이션의 요구사항에 따라 잠재적으로 사용될 수 있음에도, 2ΚΩ의 저항값을 가진다. 아래에 더 자세히 제시될 바와 같이, 제 2 트랜지스터(74)는 커패시터(46)에 저장된 전하의 제 2 부분이 제 1 속도보다 더 빠른 제 2 속도에서 방전되는 것을 가능하게 한다.
위에 제안된 바와 같이, 커패시터(46)가 완전히 충전된 후 곧바로 FIRE 명령어가 발생된다면(ARM 스위치(18)가 열리고, 인터로크 지연부(26)가 제 2 상태로 변경하게 하고 인터로크 스위치(28)의 쌍을 OPEN 조건으로 이동하게 한다는 것을 가정할 때), 커패시터(46)에 저장된 전하가 스퀴브(6)에 전기적으로 전달될 것이고, 예시를 통해 스퀴브(6)에 동력이 공급되게 하고 폭발하게 할 것이다. 그러나, 커패시터(46)의 완전한 변경, ARM 스위치(18)의 열림, 및 제 2 상태로의 인터로크 지연부(26)의 스위칭 후에 어떠한 FIRE 명령어도 발생되지 않는다면, 커패시터(46)는 적어도 최초에 완전히 충전될 것이고 본 발명의 실시예에서 24 볼트의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압을 가질 것이다. 설명된 예시적인 실시예에서, 제 1 레지스터(64)에 대한 임계 전압, 즉, 게이트(58)에 인가된 전압은 대략적으로 1 또는 2 볼트인, 소스 전극(60)과 드레인 전극(62) 사이의 도전성 채널을 발생시킬 것이다. 제너 다이오드(68)의 항복 전압이 설명된 예시적인 실시예에서 20볼트이기 때문에, 제너 다이오드(68)의 24볼트의 전압 마이너스 20볼트 항복 전압을 갖는 완전히 충전된 커패시터(46)는 적어도 처음에 게이트(58)에 적어도 대략 4볼트를 제공할 것이다. 이것은 제 1 트랜지스터(56)를 ON 상태로 변경할 것이다. 제 1 트랜지스터(56)가 ON 상태일 때, 제 2 트랜지스터(74)의 게이트(76)에서 전압이 낮게 유지될 것이고, 따라서 제 2 트랜지스터(74)를 OFF 상태에서 유지할 것임이 언급된다.
그러한 상황에서, 커패시터(46)에 저장된 전하의 제 1 부분은 2개의 병렬 전기 채널을 통해, 즉, 제 1 레지스터(64) 및 소스 전극(60)과 드레인 전극(62) 사이의 채널을 포함하는 제 1 채널, 및 제 3 레지스터(88)와 직렬인 제 2 레지스터(84)를 통한 제 2 채널을 통해 제 1 속도에서 방전될 것이다. 커패시터(46)에 저장된 전하의 방전의 제 1 속도는 도 2에서 제 1 세그먼트(90)에 나타난다. 제 1 레지스터(64) 및 제 2 레지스터(84) 모두가 대략적으로 500ΚΩ의 저항을 갖고, 제 3 레지스터(88)가 대략 2ΚΩ의 저항을 갖는, 본 발명의 예시적인 실시예에서, 제 1 속도에서 커패시터(46)에서 전하의 제 1 부분의 방전은 대략 150초, 즉, 2분 30초 지속될 것이다. 그러나 이러한 전체 기간 동안, 커패시터(46)에서의 전하는 스퀴브(6)에 동력을 공급하기에 충분한 레벨에 있고, 그래서 커패시터(46)는 설명된 예시적인 실시예에서 ARM 명령어의 완료 후에, 충전되고 150초, 즉, 2분 30초 동안 FIRE 명령어를 실행할 수 있는 상태가 된다.
커패시터(46)에 저장된 전하의 제 1 부분이 제 1 속도에서 방전되기 때문에, 커패시터(46)의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 도 2의 제 1 세그먼트(90)에 나타난 바와 같이 강하한다. 결국, 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 제 1 트랜지스터(56)를 ON 상태에서 유지하기에 더 이상 충분하지 않은 지점에 도달할 것이다. 위에 제안된 바와 같이, 이것은 ARM 명령어의 완료 후 대략적으로 150초 발생할 것이다. 커패시터(46)에서의 전하가 충분히 강하해서 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 게이트(58)에서 제 1 트랜지스터(56)의 임계 전압을 더 이상 충족시킬 수 없다면, 제 1 트랜지스터(56)는 OFF 상태로 전환할 것이다.
그러한 상황에서, 제 2 트랜지스터(74)의 게이트(76)에서 전압은 더 이상 낮게 유지되지 않는다. 그보다는, 제 2 트랜지스터(74)의 게이트(76)에서 전압은 제 2 트래지스터(74)를 ON 상태로 전환하기에 충분하다.
더 구체적으로, 소스 전극(60)과 드레인 전극(62) 사이의 제 1 트랜지스터(56)의 OFF 저항이 제 2 트랜지스터(74)가 ON 상태로 전환되게 하는 게이트(76)에 수신되는 전압을 평가할 때 고려되어야만 한다. 그러한 OFF 저항은 약 2000ΚΩ일 수 있고, 위에 제안된 바와 같이, 약 500ΚΩ의 저항을 가질 수 있는 제 1 레지스터(64)와 직렬로 연결된다. 커패시터(46)의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 충분히 강하해서 그것이 제너 다이오드(68)의 항복 전압을 더 이상 극복할 수 없고 제 1 트랜지스터의 게이트(58)에서 임계 전압 역시 충족시킬 수 없을 때, 커패시터(46)의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 예시적인 그로 인한 전압은 대략적으로 21볼트일 것이다. 그러한 전압이 제 1 레지스터(64) 및 소스 전극(60)과 드레인 전극(62) 사이의 제 1 트랜지스터(56)의 OFF 저항(2000 ΚΩ)에 인가된다면, 따라서 게이트(76)에서 전압은 대략 16.8 볼트가 될 것이고, 제 2 트랜지스터(74)를 ON 상태로 전환할 것이다.
이것은 커패시터(46)에 남아있는 전하가 단일 채널, 즉, 소스 전극(80)과 드레인 전극(82) 사이에 있고 제 3 레지스터(88)를 더 포함하는 채널을 통해 방전되기 시작하게 한다. 그러한 상황에서 커패시터(46)에서 전하는 위에 제안된 바와 같이, 2ΚΩ의 저항을 가질 수 있는, 제 3 레지스터(88)를 통해 주로 방전하기 때문에, 커패시터(46)에 저장된 저항의 제 2 부분의 방전은 제 1 세그먼트(90)에 나타난 바와 같은 제 1 속도보다 더 빠른 속도인, 도 2에 제 2 세그먼트(92)에 나타난 제 2 속도에서 발생한다.
도 2로부터 이해될 수 있는 바와 같이, 제 2 세그먼트(92)는 커패시터(46)의 방전의 제 2 속도가 제 1 세그먼트(90)에 나타난 바와 같은 방전의 제 1 속도보다 훨씬 더 빠른 방전의 속도임을 나타낸다. 즉, 제 2 세그먼트(92)는 제 1 세그먼트(90)보다 더 큰 기울기, 즉, 시간의 함수로서 커패시터 전압에서의 강하를 가진다. 특히, 전하의 제 1 부분의 방전은 약 251ΚΩ인 바와 같은 제 1, 제 2, 및 제 3 레지스터(64, 84, 88)를 가로지르는 총 저항에 대해 제 2 및 제 3 레지스터(84, 88)(503ΚΩ의 결합된 저항을 제공하도록 그 자체로 직렬로 배열됨)와 병렬로 배열된 제 1 레지스터(64)(500ΚΩ의 예시적인 저항을 갖음)를 통해 발생한다는 것이 도 1로부터 보여질 수 있다. 설명된 예시적인 실시예에서, 제 1, 제 2, 및 제 3 레지스터(64, 84, 88)에 의해 제공된 251ΚΩ 저항은 제 3 레지스터(88)에 의해 제공된 2ΚΩ의 예시적인 저항보다 더 큰 전체 자릿수(order of magnitude)이고, 실제로 두 자리수에 더 가깝다. 저항값에서 그러한 차이는 커패시터(46)에서 변경의 제 1 및 제 2 부분이 그러한 현저하게 다른 속도에서 방전되는 것을 허용하고, 다른 저항값 및 관계가 본 발명의 개념에서 벗어나지 않고 사용될 수 있다는 것이 반복된다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 커패시터 전하의 제 2 부분의 방전은 대략 3초 걸린다. 따라서, 커패시터(46)는 ARM 명령어의 완료로부터, 단지 약 180초, 즉, 3분 내에 안전 레벨로 방전할 것이다.
제 1 트랜지스터(56)의 OFF 저항은 게이트(76)에서의 전압이 제 3 레지스터(88)를 가로지르는 전압 강하에 충분히 가깝도록 선택될 것이고 그래서 제 2 트랜지스터(74)는 커패시터(46)가 안전한 레벨에 있도록 방전시킬 충분한 시간의 기간 동안 ON 상태에 머문다는 것이 언급된다. 제 2 트랜지스터(74)가 포화상태를 벗어날 수 있는 동안, 그것은 바람직하게 커패시터(46)가 안전 조건에 도달하도록 충분히 방전할 때까지 OFF 상태로 전환하지 않을 것이다.
일단 커패시터(46)의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 충분히 강하해서 제 2 트랜지스터(74)가 OFF 상태에 있으면, 커패시터(46)에 남아 있는 전하의 무엇이든 직렬로 제 2 레지스터(84)와 제 3 레지스터(88)를 포함하는 분리 채널을 통해 방전할 것이다. 그러한 방전이 도 2에 제 3 세그먼트(94)에 나타나고, 제 1 및 제 2 세그먼트(90, 92)에 의해 나타난 제 1 및 제 2 방전 속도보다 더 느린 속도이다. 그러한 방식으로 방전된 커패시터(46)로, 스퀴브 제어 회로(4)는 스퀴브(6)의 의도하지 않은 동력 공급에 유리하게 저항하고, 그것은 바람직하다.
또한 도 2에 제 3 세그먼트(94)에 대해서, ON 상태로 제 1 트랜지스터(56)를 전환할 수 있는 게이트(58)에서 임계 전압이 제 2 트랜지스터(74)의 임계 전압과 유사한, 1.0 내지 2.0 볼트의 범위에 있다는 것이 언급된다. 이러한 전압은 스퀴브(6)에 대해 "안전" 상태 레벨 하에 있어야만 한다. 예시적인 케이블 저항(48)은 도전체 크기, 케이블 길이, 및 주변 온도에 따라 1.0 내지 3.0Ω의 범위에 있다. 1.0Ω의 케이블 저항(48) 및 스퀴브(6)에 대한 1.0 암페어의 특정 "안전한 비발사(safe no-fire)" 전류로, 2.0 볼트는 제 1 트랜지스터(56)의 게이트(58)에서 임계 전압에 대해 허용된 최대값이어야만 한다.
ARM 명령어의 발생 후에 커패시터(46)의 최초 충전에 대해서, 충전 사이클이 완전한 전압을 커패시터(46) 상에 도달되도록 허용할 것임을 보장하도록 충전 동안 제 1 트랜지스터(56)는 ON 상태로 전환될 것이고 제 2 트랜지스터(74)는 OFF 상태로 전환될 것임을 보장하도록, 충전 레지스터(44) 및 제 1 레지스터(64)에 의해 제공된 전압 분배기 곱하기 최소 입력 전압은 제너 다이오드(68)의 항복 전압 더하기 게이트(58)에서 제 1 트랜지스터(56)의 임계 전압의 합계보다 더 높아야만 한다는 것이 언급된다. 게다가, 제너 다이오드(68)의 항복 전압, 제 1 트랜지스터(56)의 임계 전압, 및 제 1, 제 2, 및 제 3 레지스터(64, 84, 88)를 포함하는 채널을 통해 방전하는 커패시터(46)의 시간 상수 RC의 조합은 커패시터(46)의 급속한 방전이 시작하는 지점을 결정할 것이다. 이것은 완전한 충전이 커패시터(46) 상에 도달된 후에 시간의 일정 기간에 충분히 앞서야만 한다. 설명된 예시적인 실시예에서 급속한 방전이 단지 2분 30초 후에 발생한다는 것이 언급됨에도 그러한 예시적인 일정 시간의 기간은 5분이다. 제너 다이오드(68)의 항복 전압을 낮추는 것은 커패시터(46)의 완전한 충전을 허용하는 충전 사이클 동안 제 1 트랜지스터(56)가 ON 상태에서 유지되고 제 2 트랜지스터(74)가 OFF 상태에서 유지되는 능력을 개선할 수 있다.
충전 사이클 동안 시간의 함수로서 커패시터 전압을 설명하는, 도 3에 대해서, 제 2 트랜지스터(74)는 충전 사이클의 적어도 일부 동안 ON 상태로 있을 것이고, 따라서 이용가능한 충전 전류의 일부가 제 3 레지스터(88)를 통해 분지될 것임이 언급된다. 충전 레지스터(44) 및 제 3 레지스터(88)에 의해 확립된 전압 분배기는 제 1 트랜지스터(56)의 게이트(58)에서의 전압, 즉, 커패시터(46)의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압 마이너스 제너 다이오드(68)의 항복 전압이 제 1 트랜지스터(56)에 대한 임계 전압에 도달하는 지점까지 커패시터 충전 곡선의 점근선 전압을 결정한다. 일단 제 1 트랜지스터(56)의 임계 전압이 도달되면, 제 1 트랜지스터(56)는 ON 상태로 전환하고 제 2 트랜지스터(74)는 OFF 상태로 전환되어, 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 제 1 전기 에너지원(14)의 것에 도달하도록 커패시터(46)가 완전히 충전되는 것을 허용한다. 제 1 트랜지스터(56)의 전압 임계는 도 3에 도면부호(96)를 갖는 파선으로 나타난다.
그러므로, 유리하게, ARM 명령어의 발생 및 커패시터(46)의 완전한 충전 후에, 커패시터(46)에서의 전하가 스퀴브(6)에 동력을 공급할 수 있는 충분한 레벨 동안의 연장된 시간의 기간이 제공된다. 30초가 최소로 허용되는 값인 것으로 간주되는 한편, 예시적인 개시된 실시예는 실제로 FIRE 명령어가 발생될 수 있는 내의 150초를 제공한다. FIRE 명령어는 이러한 시간의 기간 내에서 발생되거나 수동으로 용이하게 수행될 수 있다.
더 유리하게, 커패시터(46)는 최소로 5분이도록 제안되는 제 2 일정 시간의 기간 내에서 "안전" 상태로 충분히 방전된다. 여기에 설명된 예시적인 실시예에서, 도 3의 제 1 및 제 2 세그먼트(90, 92)에 따른 방전은 180초, 즉, 3분 내에 발생한다.
종래의 비-고체-상태 구성요소로 발생할 수 있는 예시적인 방전의 속도가 도 2에 파선으로 나타난다. 따라서 개선된 스퀴브 제어 회로(4)에 의해 제공된 방전 곡선은 바람직하게, 스퀴브(6)가 동력 공급될 수 있는 충분한 시간의 기간 동안 커패시터(46)에서 전하를 유지하는 것을 유리하게 제공하고, 또한 FIRE 명령어가 발생되지 않는다면 커패시터(46)를 즉각적으로 방전시킨다. 따라서 스퀴브 제어 회로(4)는 신뢰할만하면서도 안전한 작동을 유리하게 제공한다.
본 개시는 본 발명의 사상 및 핵심적인 특징에서 벗어나지 않고 다른 특정 형태로 구현될 수 있다. 설명된 실시예는 모든 측면에서 제한하는 것이 아닌 설명하는 것으로서만 간주되어야만 한다. 그러므로, 본 개시의 범위는 앞서 언급된 설명에 의해서라기 보다는 첨부된 청구항에 의해 나타난다. 청구항의 균등물의 의미 및 범위 내에 있는 모든 변경은 본 발명의 범위 내에 포함되어야만 한다.

Claims (14)

  1. 다른 디바이스에 동력을 공급하도록 구조화되는 회로(4)로서,
    상기 회로는:
    전하를 적어도 하나의 일시적으로 저장하도록 구조화되는 커패시터;
    FIRE 스위치;
    제 1 고체 상태 스위치(56)를 포함하고 제 1 속도(90)에서 상기 전하의 제 1 부분을 방전하도록 구조화되는 상기 회로의 일부;
    제 2 고체 상태 스위치(74)를 포함하고 상기 전하의 상기 제 1 부분의 방전에 이어서 상기 제 1 속도보다 더 빠른 제 2 속도(92)에서 상기 전하의 제 2 부분을 방전하도록 구조화되는 상기 회로의 또 다른 부분; 및
    상기 전하의 상기 제 2 부분의 방전의 시작 전에 저장된 전하를 갖는 상기 커패시터로서, 상기 다른 디바이스에 동력을 공급하기에 충분한 전하의 활성화 부분을 갖는 상기 커패시터를 포함하고,
    상기 FIRE 스위치는 상기 전하의 제 2 부분의 방전 시작 이전에 상기 다른 디바이스에 동력을 공급하도록 하기 위해 전하의 상기 활성화 부분을 방전시키도록 동작가능한 것을 특징으로 하는 회로.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 고체 상태 스위치는 제 1 트랜지스터이고, 상기 제 2 고체 상태 스위치는 제 2 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 회로.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 회로의 일부는 상기 커패시터의 단자(52A)와 상기 제 1 트랜지스터의 게이트(58) 사이에 연결된 제너 다이오드(68)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 회로의 일부는 상기 제 1 트랜지스터의 전극(60)과 연결되고 상기 커패시터의 단자와 더 연결되도록 구조화되는 적어도 하나의 제 1 레지스터(64)를 더 포함하고, 적어도 하나의 상기 제 1 레지스터의 저항과 상기 제너 다이오드의 항복 전압 중 적어도 하나는 일정 시간의 기간에 대해 상기 전하의 상기 제 1 부분의 방전 동안 상기 커패시터가 상기 다른 디바이스에 동력을 공급하기에 충분한 전하의 부분을 부분적으로 유지하게 하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 회로.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 회로의 또 다른 부분의 적어도 하나의 일부는 상기 커패시터의 단자(52A, 52B)를 가로지르는 전압이 상기 전하의 상기 제 1 부분의 방전의 시작 후에 또 다른 일정 시간의 기간 내에 일정 전압에 도달되게 하도록 부분적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 회로.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 회로의 또 다른 부분은 상기 전하의 상기 제 2 부분의 방전에 이어서 상기 제 1 속도보다 느린 제 3 속도(94)에서 상기 전하의 나머지 부분을 방전하도록 구조화되는 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 회로의 일부는 상기 커패시터의 단자와 상기 제 1 트랜지스터의 전극(60) 사이에 연결된 적어도 하나의 제 1 레지스터(64)를 더 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터의 전극은 상기 제 2 트랜지스터의 게이트(76)와 더 연결되는 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2 트랜지스터의 전극(80)은 상기 커패시터의 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 회로의 일부는 상기 제 2 트랜지스터의 전극과 그리고 상기 제 2 트랜지스터의 또 다른 전극(82)과 연결된 제 2 레지스터(84)를 더 포함하고, 상기 제 2 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터의 게이트에 대한 전압이 임계 전압 이상에 있을 때 전극과 상기 또 다른 전극 사이의 도전성 채널을 형성하도록 구조화되는 것을 특징으로 하는 회로.
  10. 제 9항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제 1 레지스터 및 상기 제 2 레지스터는 동일한 저항인 것을 특징으로 하는 회로.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 회로의 일부는 상기 제 2 트랜지스터의 또 다른 전극과 상기 회로의 그라운드(40) 사이에 연결된 제 3 레지스터(88)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  12. 제 3항에 있어서,
    상기 회로의 일부와 상기 회로의 또 다른 부분 중 적어도 하나는 상기 전하의 상기 제 1 부분이 제 1 수의 레지스터(64,84,88)를 통해 흐르게 하도록 구조화되고;
    상기 회로의 일부와 상기 회로의 또 다른 부분 중 적어도 하나는 상기 전하의 상기 제 2 부분이 제 2 수의 레지스터(88)를 통해 흐르게 하도록 구조화되며; 그리고
    상기 제 1 수의 레지스터의 저항값은 상기 제 2 수의 레지스터의 저항 값보다 적어도 한 자릿수 더 큰 값을 갖는 것을 특징으로 하는 회로.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 회로의 또 다른 부분은 상기 전하의 상기 제 2 부분의 방전에 이어서 그리고 상기 제 1 속도보다 더 느린 제 3 속도(94)에서 상기 전하의 나머지 부분을 방전하도록 구조화되는 것을 특징으로 하는 회로.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 회로는 ARM 스위치를 더 포함하고, 상기 ARM 스위치 및 상기 FIRE 스위치 각각은 OPEN 상태와 CLOSED 상태 사이에서 독립적으로 이동 가능하며, 상기 ARM 및 FIRE 스위치는 OPEN 상태일 때, 상기 회로는 외부 전원으로부터 연결해제되는 것을 특징으로 하는 회로.
KR1020147008856A 2011-09-19 2012-08-27 개선된 스퀴브 제어 회로 KR101931844B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/235,538 2011-09-19
US13/235,538 US8710805B2 (en) 2011-09-19 2011-09-19 Squib control circuit
PCT/US2012/052432 WO2013043312A1 (en) 2011-09-19 2012-08-27 Improved squib control circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140068145A KR20140068145A (ko) 2014-06-05
KR101931844B1 true KR101931844B1 (ko) 2019-03-13

Family

ID=47880064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147008856A KR101931844B1 (ko) 2011-09-19 2012-08-27 개선된 스퀴브 제어 회로

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8710805B2 (ko)
EP (1) EP2759059B1 (ko)
JP (1) JP6069326B2 (ko)
KR (1) KR101931844B1 (ko)
CN (1) CN103814522B (ko)
BR (1) BR112014006090B1 (ko)
CA (1) CA2845154C (ko)
WO (1) WO2013043312A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111277029B (zh) * 2020-01-14 2021-07-20 杭州晋旗电子科技有限公司 一种组网状态下的电子雷管分段充电方法及电子雷管组网

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3439616A (en) 1964-12-21 1969-04-22 Tillie W Pollock Solid state detonator firing circuit
US3417306A (en) * 1965-02-09 1968-12-17 Bendix Corp Regulated voltage capacitor discharge circuit
US3665860A (en) * 1970-12-24 1972-05-30 Us Navy Detector
JPS5336720B2 (ko) * 1973-11-12 1978-10-04
JPS5883200A (ja) * 1981-11-11 1983-05-18 旭化成株式会社 電子式遅延電気雷管
US4536693A (en) * 1982-09-02 1985-08-20 Ltv Aerospace And Defense Company High-speed capacitor discharge circuit suitable for the protection of detonation devices
US4586437A (en) * 1984-04-18 1986-05-06 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Electronic delay detonator
JP2572797B2 (ja) * 1988-02-16 1997-01-16 日本油脂株式会社 電気発破用遅延回路
US4909320A (en) * 1988-10-14 1990-03-20 Drilex Systems, Inc. Detonation assembly for explosive wellhead severing system
SE507621C2 (sv) * 1991-02-18 1998-06-29 Nitro Nobel Ab Kopplingsblock för tändanordningar
JPH05288499A (ja) * 1992-04-03 1993-11-02 Asahi Chem Ind Co Ltd 電子式雷管
US5363765A (en) * 1993-03-12 1994-11-15 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Electronic delay circuit for firing ignition element
JP3095569B2 (ja) 1993-03-16 2000-10-03 富士通テン株式会社 車両のエアバッグシステムのスクイブ点火回路
KR950002369U (ko) * 1993-06-30 1995-01-04 리세트 회로
US5433184A (en) 1993-08-10 1995-07-18 Kinoshita; Atsufumi Capacitor discharge type ignition system for internal combustion engine
WO1995013656A1 (en) * 1993-11-09 1995-05-18 Motorola Inc. Circuit and method for generating a delayed output signal
US5657194A (en) * 1995-07-28 1997-08-12 Allen-Bradley Company, Inc. Circuit and method for automatically resetting a solid state relay
US6168197B1 (en) 1999-04-09 2001-01-02 Daimlerchrysler Corporation Airbag deployment device and control
EP1164680B1 (en) * 2000-04-28 2016-08-10 Panasonic Corporation Method for charging a battery pack including a plurality of battery units
US7154732B2 (en) 2003-04-01 2006-12-26 The Boeing Company Apparatus and system for controlling a squib firing device
US7055435B2 (en) * 2003-05-20 2006-06-06 The Boeing Company Spacecraft ordnance system and method for self-test
US20070125256A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Battelle Energy Alliance, Llc Electronic firing systems and methods for firing a device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013043312A1 (en) 2013-03-28
EP2759059B1 (en) 2017-04-05
CN103814522B (zh) 2016-05-25
EP2759059A1 (en) 2014-07-30
JP2014533447A (ja) 2014-12-11
CN103814522A (zh) 2014-05-21
CA2845154C (en) 2018-07-10
BR112014006090A2 (pt) 2017-04-04
US8710805B2 (en) 2014-04-29
JP6069326B2 (ja) 2017-02-01
BR112014006090B1 (pt) 2021-06-15
CA2845154A1 (en) 2013-03-28
EP2759059A4 (en) 2015-06-10
US20130069602A1 (en) 2013-03-21
KR20140068145A (ko) 2014-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4999839B2 (ja) 太陽電池モジュール用の保護回路装置
WO2015198704A1 (ja) 無停電電源装置
MX2019009240A (es) Circuito de encendido electronico y metodo de uso.
JP2008546183A5 (ko)
US3808975A (en) Ignition circuit for projectile fuses
US20180030945A1 (en) Device and method for managing the charging and discharging of ultracapacitors without control wiring
SE0100280D0 (sv) A discharge protection apparatus for a battery powered device and a method of preventing overcharge of a battery F/K/A deep discharge protection circuit
KR101931844B1 (ko) 개선된 스퀴브 제어 회로
US6634298B1 (en) Fireset for a low energy exploding foil initiator: SCR driven MOSFET switch
KR102186488B1 (ko) 자동차 배터리 비상 충전 장치 및 방법
NO339395B1 (no) Pyroelektronisk detonator utstyrt med en krets for shunting av en elektrotermisk bro
KR101885658B1 (ko) 스퀴브 도화 장치및 그 진단방법
CN112840565B (zh) 直流到直流电压转换器的控制方法
US8161877B1 (en) Electronic firing systems and methods for firing a device
RU2610610C1 (ru) Прибор для подрыва пиросредств
US8665573B2 (en) Device for protecting an electrical consumer against voltage spikes in a motor vehicle
US9013154B2 (en) Technique for fully discharging a storage capacitor in a firing circuit for an electro-explosive device
US9500459B1 (en) Safing logic and fire set system with dual-mode pulse gate driver apparatus and method of use
EP2893780B1 (en) Generator for a flash device and a method of operating a generator for a flash device
RU2280304C1 (ru) Зарядное устройство
JP2011097767A (ja) パック電池
GB2572024A (en) Charge initiator
RU2289879C1 (ru) Инвертор с защитой входа от перегрузок по току
RU2284056C2 (ru) Устройство контроля и подрыва нити пиропатрона
US11791601B1 (en) Pulsed source for driving non-linear current dependent loads

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant