KR101930140B1 - Electronic device manufacturing method and laminated body - Google Patents

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Abstract

(과제) 전자 디바이스의 제조에 있어서 적층체 중의 기층과 전자 디바이스를 양호하게 박리 가능한 기술을 제공한다.
(해결수단) 챔버 내에 수소를 포함하는 가스를 공급하면서 그 챔버 내에서 DLC 층을 형성할 때에, 기층의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이 조정된다. DLC 층은, 그 층 중의 수소 성분이 기화됨으로써 기층으로부터 전자 디바이스를 박리하는 박리층으로서 기능한다. 따라서, 미리 DLC 층 중의 수소 함유율을 조정해 둠으로써, 그 후에 기층으로부터 전자 디바이스를 양호하게 박리할 수 있다.Disclosed is a technique capable of satisfactorily peeling a base layer and an electronic device in a laminate in the production of an electronic device.
(Solution) When a DLC layer is formed in the chamber while supplying a gas containing hydrogen into the chamber, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-side of the base layer is adjusted. The DLC layer functions as a release layer for peeling the electronic device from the base layer by vaporization of the hydrogen component in the layer. Therefore, by adjusting the hydrogen content in advance in the DLC layer, the electronic device can be satisfactorily peeled off from the base layer thereafter.

Description

전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체{ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATED BODY}ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATED BODY BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은, 전자 디바이스의 제조에 있어서, 적층체 중의 기층으로부터 전자 디바이스를 박리하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for peeling an electronic device from a base layer in a laminate in the manufacture of an electronic device.

가요성을 갖는 전자 디바이스의 제조 기술이 휴대 기기 등에 대한 이용의 관점에서 주목받고 있다. 예를 들어, 가요성을 갖는 플라스틱 필름 상에 발광 소자를 형성하여, 일렉트로 루미네선스 (electro-luminescence) 표시 장치 (이하, EL 표시 장치라고 한다) 를 제조하는 기술이 알려져 있다.BACKGROUND ART [0002] A manufacturing technique of an electronic device having flexibility is attracting attention from the viewpoint of use for a portable device or the like. For example, there is known a technique of forming an electroluminescent display device (hereinafter referred to as an EL display device) by forming a light emitting element on a flexible plastic film.

그러나, 가요성을 갖는 플라스틱 필름 상에 발광 소자를 형성하여 EL 표시 장치를 제조하는 경우에는, EL 표시 장치를 제조하기 위한 각 처리를 불안정한 형상의 대상물에 대해 실행하게 되고, 양호한 전기 특성을 갖는 EL 표시 장치를 제조하는 것이 곤란해진다.However, in the case of manufacturing an EL display device by forming a light emitting element on a plastic film having flexibility, each process for manufacturing an EL display device is performed on an object having an unstable shape, and an EL It becomes difficult to manufacture a display device.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 기층 상에 박리층을 형성하고, 박리층 상에 전자 디바이스를 형성하여, 기층과 박리층과 전자 디바이스를 포함하는 적층체를 얻은 후, 박리층을 경계로 기층으로부터 전자 디바이스를 박리함으로써 전자 디바이스를 제조하는 기술이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a method in which a release layer is formed on a base layer, an electronic device is formed on the release layer to obtain a laminate including a base layer, a release layer and an electronic device, Discloses a technique for manufacturing an electronic device by peeling an electronic device from the substrate.

이 기술에서는, 유리 기판 등의 강성 재료를 기층으로서 사용함으로써, 전자 디바이스가 가요성을 갖는 경우라도, 적층체를 생성하는 과정의 중간체는 전체로서 강성을 갖는다. 따라서, 전자 디바이스를 형성하기 위한 각 처리를 안정적인 형상의 중간체에 대해 실행 가능하게 되고, 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스를 제조할 수 있다.In this technique, by using a rigid material such as a glass substrate as a base layer, even when the electronic device has flexibility, the intermediate in the process of producing a laminate has rigidity as a whole. Therefore, each process for forming an electronic device can be performed on an intermediate of a stable shape, and an electronic device having good electrical characteristics can be manufactured.

또, 특허문헌 1 에는, 아모르퍼스 실리콘층이나 다이아몬드 라이크 카본 (Diamond-Like Carbon) 층 (이하, DLC 층이라고 한다) 등의 수소를 포함하는 층을 박리층으로서 사용하고, 그 박리층에 레이저광을 조사함으로써 박리층 중의 수소를 기화시켜, 박리층을 경계로 기층으로부터 전자 디바이스를 박리하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에서는, 박리층 중에서 발생한 수소 가스에 의해 기층과 전자 디바이스의 박리가 촉진되기 때문에, 박리시에 기층이나 전자 디바이스에 부여되는 데미지가 저감된다.In Patent Document 1, a layer containing hydrogen such as an amorphous silicon layer or a diamond-like carbon layer (hereinafter referred to as a DLC layer) is used as a release layer, and a laser beam To vaporize hydrogen in the peeling layer to peel the electronic device from the base layer with the peeling layer as a boundary. In this technique, since the peeling of the base layer and the electronic device is promoted by the hydrogen gas generated in the peeling layer, the damage given to the base layer or the electronic device upon peeling is reduced.

일본 공개특허공보 2009-260387호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-260387

그러나, 특허문헌 1 에는, 기층으로부터 전자 디바이스를 양호하게 박리하기 위해서 요구되는 박리층의 성질에 대해, 박리층 중에 수소가 포함된다는 것을 제외하고, 조금도 개시되어 있지 않다. 그래서, 상기 성질에 대한 새로운 지견이 요구되고 있다.However, Patent Document 1 does not disclose any property of the release layer required for satisfactorily peeling the electronic device from the base layer, except that the release layer contains hydrogen. Thus, new knowledge of the above properties is required.

이 지견에 대해서는, 가요성을 갖는 전자 디바이스를 제조하는 경우나 강성 재료를 기층으로서 사용하는 경우에 한정되지 않고, 박리층을 경계로 기층으로부터 전자 디바이스를 박리하는 기술의 전반에서 요구되고 있다.This knowledge is not limited to the case of manufacturing an electronic device having flexibility or the case of using a rigid material as a base layer, and it is required in the first half of the technology for peeling an electronic device from a base layer with a peeling layer as a boundary.

본 발명은, 이와 같은 과제를 감안하여, 전자 디바이스의 제조에 있어서 적층체 중의 기층과 전자 디바이스를 양호하게 박리 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a technique capable of satisfactorily separating a base layer and an electronic device in a laminate in the manufacture of an electronic device.

본 발명의 제 1 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 챔버 내에 수소를 포함하는 가스를 공급하면서, 상기 챔버 내에서 기층의 일방향측에 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정과, 상기 다이아몬드 라이크 카본층의 상기 일방향측에 전자 디바이스를 형성하여, 상기 기층과 상기 다이아몬드 라이크 카본층과 상기 전자 디바이스를 갖는 적층체를 얻는 전자 디바이스 형성 공정과, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 수소 성분을 기화시켜 상기 기층으로부터 상기 전자 디바이스를 박리하는 박리 공정을 구비하며, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 기층의 상기 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 상기 수소의 공급량의 비율이 조정되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an electronic device according to a first aspect of the present invention includes a diamond-like carbon layer forming step of forming a diamond like carbon layer on one side of a base layer in a chamber while supplying a gas containing hydrogen into the chamber, An electronic device forming step of forming an electronic device on the one side of the diamond like carbon layer to obtain a laminate having the base layer, the diamond like carbon layer and the electronic device; And a peeling step of peeling off the electronic device from the base layer. In the diamond-like carbon layer forming step, the ratio of the amount of supply of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-sided side of the base layer is adjusted .

본 발명의 제 2 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 1 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 시간 경과적으로 변화하도록 조정되는 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of an electronic device according to a second aspect of the present invention is a manufacturing method of an electronic device according to the first aspect of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, the ratio is adjusted so as to change over time .

본 발명의 제 3 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 2 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정은, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 두께 방향에 있어서의 상기 기층측에 위치하는 제 1 영역을 형성하는 전기 공정과, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 상기 두께 방향에 있어서의 중앙측에 위치하는 제 2 영역을 형성하는 중기 공정과, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 상기 두께 방향에 있어서의 상기 전자 디바이스측에 위치하는 제 3 영역을 형성하는 후기 공정을 가지며, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정 및 상기 후기 공정 중 적어도 일방의 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic device according to the second aspect of the present invention, wherein the step of forming the diamond like carbon layer comprises: An intermediate step of forming a second region located on the center side in the thickness direction of the diamond like carbon layer; and a second step of forming a first region located on the base layer side, Wherein said diamond-like carbon layer forming step has a step of forming a third region located on the side of said electronic device in a thickness direction, wherein said diamond-like carbon layer forming step has a step of forming at least one of said electrical process and said later process And is adjusted so as to be higher in the process.

본 발명의 제 4 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 3 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an electronic device according to the fourth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, And is adjusted to be higher.

본 발명의 제 5 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 3 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an electronic device according to the fifth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, the ratio is higher than the middle- And is adjusted to be higher.

본 발명의 제 6 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 3 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정 및 상기 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an electronic device according to a sixth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic device according to the third aspect of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, Is adjusted to be higher in the later step.

본 발명의 제 7 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 1 양태 내지 제 6 양태 중 어느 하나에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 챔버 내에서 스퍼터 처리를 실시함으로써 상기 기층의 상기 일방향측에 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of an electronic device according to a seventh aspect of the present invention is the manufacturing method of an electronic device according to any one of the first to sixth aspects of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, And the diamond like carbon layer is formed on the one side of the base layer by sputtering.

본 발명의 제 8 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 1 양태 내지 제 6 양태 중 어느 하나에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 챔버 내에서 화학 증착 처리를 실시함으로써 상기 기층의 상기 일방향측에 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 것을 특징으로 한다.An electronic device manufacturing method according to an eighth aspect of the present invention is a manufacturing method of an electronic device according to any one of the first to sixth aspects of the present invention, wherein in the diamond-like carbon layer forming step, And the diamond like carbon layer is formed on the one side of the base layer by chemical vapor deposition.

본 발명의 제 9 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명의 제 1 양태에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 박리 공정에서는 상기 다이아몬드 라이크 카본층에 대해 상기 기층측으로부터 플래시 램프 어닐을 실행하는 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of an electronic device according to a ninth aspect of the present invention is a manufacturing method of an electronic device according to the first aspect of the present invention, wherein in the peeling step, flash lamp annealing is performed on the diamond like carbon layer from the base layer side .

본 발명의 제 10 양태에 관련된 적층체는, 기층과, 상기 기층의 일방향측에 형성되는 다이아몬드 라이크 카본층과, 상기 다이아몬드 라이크 카본층의 상기 일방향측에 형성되는 전자 디바이스를 구비하고, 챔버 내에 수소를 포함하는 가스를 공급하면서 상기 챔버 내에서 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성할 때에, 상기 기층의 상기 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 상기 수소의 공급량의 비율이 조정되는 것을 특징으로 한다.The laminate related to the tenth aspect of the present invention comprises a base layer, a diamond like carbon layer formed on one side of the base layer, and an electronic device formed on the one side of the diamond like carbon layer, The ratio of the amount of supply of hydrogen to the supply amount of carbon to be supplied to the one-side of the base layer is adjusted when the diamond-like carbon layer is formed in the chamber while supplying a gas containing hydrogen.

본 발명의 제 11 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 10 양태에 관련된 적층체로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층에 있어서의 수소 함유율이 그 두께 방향을 따라 변화되는 것을 특징으로 한다.The laminate related to the eleventh aspect of the present invention is the laminate related to the tenth aspect of the present invention, characterized in that the hydrogen content in the diamond like carbon layer changes along its thickness direction.

본 발명의 제 12 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 11 양태에 관련된 적층체로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층은, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 기층측에 위치하는 제 1 영역과, 상기 두께 방향에 있어서의 중앙측에 위치하는 제 2 영역과, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 전자 디바이스측에 위치하는 제 3 영역을 갖고, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다, 상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역 중 적어도 일방의 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 한다.The laminate related to the twelfth aspect of the present invention is the laminate related to the eleventh aspect of the present invention, wherein the diamond like carbon layer has a first region located on the base layer side in the thickness direction, And a third region located on the side of the electronic device in the thickness direction, wherein the ratio of the hydrogen content in the first region to the second region is larger than the hydrogen content in the second region, And the hydrogen content in at least one of the third regions is high.

본 발명의 제 13 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 12 양태에 관련된 적층체로서, 상기 두께 방향에 대해, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 1 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 한다.The laminate related to the thirteenth aspect of the present invention is the laminate related to the twelfth aspect of the present invention wherein the hydrogen content in the first region is lower than the hydrogen content in the second region in the thickness direction .

본 발명의 제 14 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 12 양태에 관련된 적층체로서, 상기 두께 방향에 대해, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 3 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 한다.The laminate related to the fourteenth aspect of the present invention is the laminate related to the twelfth aspect of the present invention, wherein the hydrogen content in the third region is smaller than the hydrogen content in the second region in the thickness direction .

본 발명의 제 15 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 12 양태에 관련된 적층체로서, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 한다.The laminate related to the fifteenth aspect of the present invention is the laminate related to the twelfth aspect of the present invention, wherein the hydrogen content in the first region and the third region is higher than the content of hydrogen in the second region .

본 발명의 제 16 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 10 양태 내지 제 15 양태 중 어느 하나에 관련된 적층체로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층은, 상기 챔버 내에서 스퍼터 처리를 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.The laminate related to the sixteenth aspect of the present invention is a laminate related to any one of the tenth to fifteenth aspects of the present invention wherein the diamond like carbon layer is formed by sputtering in the chamber .

본 발명의 제 17 양태에 관련된 적층체는, 본 발명의 제 10 양태 내지 제 15 양태 중 어느 하나에 관련된 적층체로서, 상기 다이아몬드 라이크 카본층은, 상기 챔버 내에서 화학 증착 처리를 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.The laminate related to the seventeenth aspect of the present invention is the laminate related to any one of the tenth to fifteenth aspects of the present invention, wherein the diamond like carbon layer is formed by performing chemical vapor deposition treatment in the chamber .

본 발명의 제 1 내지 제 17 중 어느 양태에 있어서도, DLC 층은, 그 층 중의 수소 성분이 기화됨으로써 기층으로부터 전자 디바이스를 박리하는 박리층으로서 기능한다. 따라서, 미리 DLC 층 중의 수소 함유율을 조정해 둠으로써, 그 후에 기층으로부터 전자 디바이스를 양호하게 박리할 수 있다.In any of the first to seventeenth aspects of the present invention, the DLC layer functions as a release layer for peeling the electronic device from the base layer by vaporization of the hydrogen component in the layer. Therefore, by adjusting the hydrogen content in advance in the DLC layer, the electronic device can be satisfactorily peeled off from the base layer thereafter.

도 1 은 전자 디바이스를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 전자 디바이스를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 3 은 전자 디바이스를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 4 는 전자 디바이스를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5 는 DLC 층을 모식적으로 나타내는 확대 측면도이다.
도 6 은 제 1 처리예에 관련된 DLC 층의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7 은 제 2 처리예에 관련된 DLC 층의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8 은 제 3 처리예에 관련된 DLC 층의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9 는 제 4 처리예에 관련된 DLC 층의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10 은 제 5 처리예에 관련된 DLC 층의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.1 is a side view schematically showing a process of manufacturing an electronic device.
2 is a side view schematically showing a process of manufacturing an electronic device.
3 is a side view schematically showing a process of manufacturing an electronic device.
4 is a side view schematically showing a process of manufacturing an electronic device.
5 is an enlarged side view schematically showing the DLC layer.
6 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer and the hydrogen content in the first processing example.
7 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer and the hydrogen content in the second processing example.
8 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer and the hydrogen content in the third processing example.
9 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer and the hydrogen content in the fourth processing example.
10 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer and the hydrogen content in the fifth process example.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도면에서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 동일한 부호가 붙여지고, 중복 설명이 생략된다. 또한, 이하의 실시형태는, 본 발명을 구체화한 일례이며, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 또, 도면에 있어서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, portions having the same configuration and function are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The following embodiments are illustrative of the present invention and do not limit the technical scope of the present invention. In the drawings, for the sake of easy understanding, the dimensions and the numbers of the respective portions may be exaggerated or simplified.

＜1 실시형태＞<Embodiment 1>

＜1.1 전자 디바이스 제조 처리의 전체의 흐름＞<1.1 Overall flow of electronic device manufacturing process>

도 1 ∼ 도 4 는, 전자 디바이스 (130) 를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 이하에서는, 각 도면을 참조하면서, 전자 디바이스 (130) 를 제조할 때의 전체의 흐름에 대해 설명한다.Figs. 1 to 4 are side views schematically showing a process of manufacturing the electronic device 130. Fig. Hereinafter, the entire flow when manufacturing the electronic device 130 will be described with reference to the drawings.

먼저, 기층 (110) 으로서, 예를 들어 두께 0.5 ∼ 1.1 ㎜ 의 유리 기판 등 강성 재료가 준비된다. 그리고, 도시되지 않은 챔버 내에 수소를 포함하는 가스가 공급되면서, 이 챔버 내에서 기층 (110) 의 일방향측에 DLC 층 (120) 이 형성된다 (DLC 층 형성 공정 : 도 2). DLC 층 형성 공정에서는, 예를 들어, 아세틸렌 가스를 공급하면서 플라즈마를 사용한 화학 증착 처리 (이하, 플라즈마 CVD 처리라고 한다) 를 실시함으로써, 1 ∼ 500 ㎚ 의 막두께를 갖는 DLC 층 (120) 이 형성된다. 여기서, DLC 층 (120) 이란, 비정질의 카본층을 의미한다.First, as the base layer 110, a rigid material such as a glass substrate having a thickness of, for example, 0.5 to 1.1 mm is prepared. Then, a gas containing hydrogen is supplied into a chamber (not shown), and a DLC layer 120 is formed on one side of the base layer 110 in the chamber (DLC layer forming step: FIG. 2). In the DLC layer forming step, for example, a DLC layer 120 having a film thickness of 1 to 500 nm is formed by performing chemical vapor deposition (hereinafter referred to as plasma CVD processing) using plasma while supplying acetylene gas do. Here, the DLC layer 120 means an amorphous carbon layer.

또, DLC 층 형성 공정에서는, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이 조정된다. 이것에 의해, DLC 층 (120) 중의 수소 함유율도 조정된다. DLC 층 (120) 은 다른 소재로 이루어지는 층 (예를 들어, 아모르퍼스 실리콘층) 과 비교하여 수소 함유율의 조정 가능 범위가 넓고, 예를 들어 0 ∼ 50 ％ 의 범위에서 DLC 층 (120) 중의 수소 함유율이 조정된다.In the DLC layer forming step, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to one direction side of the base layer 110 is adjusted. Thereby, the hydrogen content in the DLC layer 120 is also adjusted. The DLC layer 120 has a larger adjustable range of the hydrogen content than the layer made of another material (for example, an amorphous silicon layer). For example, in the range of 0 to 50%, hydrogen in the DLC layer 120 The content ratio is adjusted.

본 실시형태와 같이, DLC 층 (120) 을 형성하는 단계에서 층 중에 수소를 함유시키는 양태에서는, 형성 후의 층에 수소 이온을 주입하는 양태 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-335968호에 기재되는 양태) 에 비해, 처리 시간이 단축된다. 또, 본 실시형태의 양태에서는, ＜1.2 DLC 층 형성 공정의 처리예＞ 에서 후술하는 바와 같이, DLC 층 (120) 중의 수소 함유율을 정밀하게 조정하는 것이 가능해진다.In the embodiment in which hydrogen is contained in the layer in the step of forming the DLC layer 120 as in this embodiment mode, hydrogen ions are implanted into the layer after formation (for example, in JP-A 2004-335968 , The processing time is shortened. Further, in the embodiment of the present embodiment, as will be described later in &lt; Example of processing of the 1.2 DLC layer forming step &gt;, the hydrogen content in the DLC layer 120 can be precisely adjusted.

다음으로, DLC 층 (120) 의 상기 일방향측에 전자 디바이스 (130) 가 형성된다 (전자 디바이스 형성 공정 : 도 3). 이하에서는, 일례로서, 전자 디바이스 (130) 가 지지층 (131), 배리어층 (132), 및 TFT 회로층 (133) 을 순서대로 적층한 TFT 디바이스인 경우에 대해 설명한다.Next, an electronic device 130 is formed on the one-direction side of the DLC layer 120 (electronic device forming step: FIG. 3). Hereinafter, the case where the electronic device 130 is a TFT device in which the supporting layer 131, the barrier layer 132, and the TFT circuit layer 133 are laminated in order will be described as an example.

이 경우, 먼저, 슬릿 도포법 등의 수법에 의해 DLC 층 (120) 상에 폴리아미드산의 용액이 도포되고, 이 용액이 350 ℃ 이상의 온도에서 소성된다. 이것에 의해 폴리아미드산의 용액이 이미드화되어, DLC 층 (120) 상에 폴리이미드의 지지층 (131) 이 형성된다. 그리고, 이 지지층 (131) 상에, 예를 들어 플라즈마 CVD 처리에 의해 실리콘 질화막 등의 배리어층 (132) 이 성막된다. 또한, 이 배리어층 (132) 상에 어레이 프로세스를 거쳐 TFT 회로층 (133) 이 형성된다. 이것에 의해, 기층 (110) 과 DLC 층 (120) 과 전자 디바이스 (130) 를 갖는 적층체 (200) 가 얻어진다.In this case, first, a polyamic acid solution is coated on the DLC layer 120 by a slit coating method or the like, and the solution is baked at a temperature of 350 DEG C or higher. As a result, the solution of the polyamic acid is imidized, and the support layer 131 of polyimide is formed on the DLC layer 120. A barrier layer 132 such as a silicon nitride film is formed on the support layer 131 by, for example, a plasma CVD process. The TFT circuit layer 133 is formed on the barrier layer 132 through an array process. Thereby, the laminate 200 having the base layer 110, the DLC layer 120, and the electronic device 130 is obtained.

본 실시형태와 같이 기층 (110) 이 강성을 갖고 있으면, 전자 디바이스 (130) 가 가요성을 갖는 경우라도, 적층체 (200) 를 생성하는 과정의 중간체는 전체로서 강성을 갖는다. 따라서, 전자 디바이스 (130) 를 형성하기 위한 각 처리를 안정적인 형상의 중간체에 대해 실행 가능하게 되고, 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스 (130) 가 형성된다.If the base layer 110 has rigidity as in the present embodiment, the intermediate in the process of producing the layered product 200 has rigidity as a whole, even when the electronic device 130 has flexibility. Thus, each process for forming the electronic device 130 can be performed on an intermediate product having a stable shape, and the electronic device 130 having good electrical characteristics is formed.

그리고, DLC 층 (120) 중의 수소 성분을 기화시킴으로써, 기층 (110) 으로부터 전자 디바이스 (130) 가 박리된다 (박리 공정 : 도 4). 구체적으로는, 예를 들어, 적층체 (200) 에 대해 기층 (110) 측으로부터 Xe 플래시 램프 어닐이 실행된다. 기층 (110) 은, 상기 서술한 바와 같이 유리로 구성되어 있고, Xe 플래시 램프가 발하는 광선을 투과한다. 이 때문에, DLC 층 (120) 이 수 밀리초 가열되어 DLC 층 (120) 중의 수소 성분이 기화되고, 기층 (110) 으로부터 전자 디바이스 (130) 가 박리된다.Then, the hydrogen component in the DLC layer 120 is vaporized, whereby the electronic device 130 is peeled from the base layer 110 (peeling step: Fig. 4). Concretely, for example, Xe flash lamp annealing is performed on the laminate 200 from the base layer 110 side. The base layer 110 is made of glass as described above, and transmits the light rays emitted by the Xe flash lamp. Therefore, the DLC layer 120 is heated for several milliseconds to vaporize the hydrogen component in the DLC layer 120, and the electronic device 130 is peeled off from the base layer 110.

박리 후의 전자 디바이스 (130) 는 그 후의 처리를 거쳐 제품화된다. 본 실시형태에서는, 전자 디바이스 (130) 의 지지층 (131) 이 폴리이미드로 구성됨으로써, 가요성의 전자 디바이스 (130) 가 얻어진다. 또, 박리 후의 기층 (110) 은 후속되는 전자 디바이스 (130) 를 제조하기 위한 기층으로서 재이용된다.After the peeling, the electronic device 130 is commercialized through the subsequent processes. In the present embodiment, the supporting layer 131 of the electronic device 130 is made of polyimide, so that a flexible electronic device 130 is obtained. In addition, the base layer 110 after the peeling is reused as a base layer for manufacturing the succeeding electronic device 130.

또한, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 박리 공정 후에도, 기층 (110) 의 일방향측 (도시 상측) 및 전자 디바이스 (130) 의 타방향측 (도시 하측) 에 DLC 의 고형물 (129) 이 부착된 채로 남는 경우가 있다. 이 경우, 필요에 따라 고형물 (129) 을 제거하는 제거 처리가 실행된다. 기층 (110) 에 부착된 고형물 (129) 에 대해 제거 처리를 실시하는 경우, 예를 들어, 고형물 (129) 에 산소 플라즈마를 작용시켜 DLC 중의 탄소 성분을 이산화탄소로 기화시키는 플라즈마 세정 처리가 실시된다.As shown in Fig. 4, even after the peeling process, the solid matter 129 of the DLC remains adhered to the one side of the base layer 110 (upper side in the drawing) and the other side of the electronic device 130 There is a case. In this case, a removal treatment for removing the solid material 129 is performed as necessary. In the case of removing the solid material 129 attached to the base layer 110, for example, a plasma cleaning treatment is performed in which an oxygen plasma is applied to the solid material 129 to vaporize the carbon component in the DLC into carbon dioxide.

＜1.2 DLC 층 형성 공정의 처리예＞&Lt; 1.2 DLC layer formation process example &

상기 서술한 바와 같이, DLC 층은, 그 층 중의 수소 성분이 기화됨으로써 기층 (110) 으로부터 전자 디바이스 (130) 를 박리하는 박리층으로서 기능한다.As described above, the DLC layer functions as a release layer for peeling the electronic device 130 from the base layer 110 by vaporization of the hydrogen component in the layer.

본 실시형태에서는, DLC 층 형성 공정에 있어서, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이 시간 경과적으로 변화하도록 조정된다. 구체적으로는, 예를 들어, 플라즈마 CVD 처리를 실시하는 챔버 내에 공급 가능한 복수 종류의 가스를 준비하고, 이들 복수 종류의 가스의 공급량을 적절히 조정함으로써, 상기 비율이 조정된다. 그 결과, DLC 층 형성 공정에서 형성되는 DLC 층 (120) 중의 수소 함유율이 조정되어, 그 후의 박리 공정에서 기층 (110) 으로부터 전자 디바이스 (130) 를 양호하게 박리하는 것이 가능해진다.In the present embodiment, in the DLC layer forming step, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one side of the base layer 110 is adjusted so as to change over time. Specifically, for example, the ratio is adjusted by preparing a plurality of types of gas that can be supplied into the chamber to be subjected to the plasma CVD process, and appropriately adjusting the supply amounts of the plural kinds of gases. As a result, the hydrogen content in the DLC layer 120 formed in the DLC layer forming step is adjusted, and the electronic device 130 can be satisfactorily peeled from the base layer 110 in the subsequent peeling step.

도 5 는, DLC 층 (120) 을 모식적으로 나타내는 확대 측면도이다.5 is an enlarged side view schematically showing the DLC layer 120. As shown in FIG.

DLC 층 형성 공정에서는, 먼저, DLC 층 (120) 중의 두께 방향에 있어서의 기층 (110) 측에 위치하는 제 1 영역 (121) 이 형성된다 (전기 공정). 다음으로, DLC 층 (120) 중의 두께 방향에 있어서의 중앙측에 위치하는 제 2 영역 (122) 이 형성된다 (중기 공정). 마지막으로, DLC 층 (120) 중의 두께 방향에 있어서의 전자 디바이스 (130) 측에 위치하는 제 3 영역 (123) 이 형성된다 (후기 공정).In the DLC layer forming step, first, a first region 121 located on the base layer 110 side in the thickness direction of the DLC layer 120 is formed (electric step). Next, a second region 122 located on the center side in the thickness direction of the DLC layer 120 is formed (medium-term process). Finally, a third region 123 located on the electronic device 130 side in the thickness direction of the DLC layer 120 is formed (later process).

이하에서는, 도 5 및 후술하는 도 6 ∼ 도 10 을 참조하면서, DLC 층 형성 공정에 대한 5 개의 처리예를 설명한다.Hereinafter, five processing examples for the DLC layer forming step will be described with reference to Fig. 5 and later-described Figs. 6 to 10. Fig.

＜1.2.1 제 1 처리예＞&Lt; 1.2.1 Example of first treatment &gt;

도 6 은, 제 1 처리예에 관련된 DLC 층 (120) 의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.6 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer 120 and the hydrogen content in the first processing example.

제 1 처리예에서는, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이, 중기 공정보다 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정된다. 보다 구체적으로는, 상기 비율이, 전기 공정, 중기 공정, 후기 공정의 순서에 따라 단계적으로 증가하도록 조정된다. 그 결과, 제 1 처리예에서 형성되는 DLC 층 (120) 에서는, 제 1 영역 (121) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율이 높고, 또한 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율이 높아진다.In the first treatment example, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-direction side of the base layer 110 is adjusted to be higher in the later process than in the middle process. More specifically, the ratio is adjusted to increase step by step in the order of the electrical process, the middle process, and the late process. As a result, in the DLC layer 120 formed in the first processing example, the hydrogen content in the second region 122 is higher than the hydrogen content in the first region 121, The hydrogen content in the third region 123 is higher than the hydrogen content in the third region 123.

따라서, 박리 공정에 있어서 DLC 층 (120) 에 대해 플래시 램프 어닐이 실행되면, DLC 층 (120) 중 상대적으로 수소 함유율이 높은 제 3 영역 (123) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되게 된다. 그 결과, 전자 디바이스 (130) 측에서의 박리가 보다 촉진되고, 박리 후의 전자 디바이스 (130) 에 대해 DLC 의 고형물 (129) 이 잘 부착되지 않는다.Therefore, when the flash lamp annealing is performed on the DLC layer 120 in the peeling step, a relatively large amount of hydrogen is vaporized in the third region 123 having a relatively high hydrogen content among the DLC layers 120. As a result, the peeling at the electronic device 130 side is further promoted, and the solid matter 129 of the DLC does not adhere well to the electronic device 130 after peeling.

＜1.2.2 제 2 처리예＞&Lt; 1.2.2 Example of second processing &gt;

도 7 은, 제 2 처리예에 관련된 DLC 층 (120) 의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.7 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer 120 and the hydrogen content in the second processing example.

제 2 처리예에서는, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이, 중기 공정보다 전기 공정에 있어서 높아지도록 조정된다. 보다 구체적으로는, 상기 비율이, 전기 공정, 중기 공정, 후기 공정의 순서에 따라 단계적으로 감소하도록 조정된다. 그 결과, 제 2 처리예에서 형성되는 DLC 층 (120) 에서는, 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율이 높고, 또한 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 1 영역 (121) 에 있어서의 수소 함유율이 높아진다.In the second treatment example, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to one direction side of the base layer 110 is adjusted to be higher in the electric step than in the middle step. More specifically, the ratio is adjusted to decrease step by step in the order of the electrical process, the middle process, and the late process. As a result, in the DLC layer 120 formed in the second process example, the hydrogen content in the second region 122 is higher than the hydrogen content in the third region 123, The hydrogen content in the first region 121 is higher than the hydrogen content in the first region 121.

따라서, 박리 공정에 있어서 DLC 층 (120) 에 대해 플래시 램프 어닐이 실행되면, DLC 층 (120) 중 상대적으로 수소 함유율이 높은 제 1 영역 (121) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되게 된다. 그 결과, 기층 (110) 측에서의 박리가 보다 촉진되고, 박리 후의 기층 (110) 에 대해 DLC 의 고형물 (129) 이 잘 부착되지 않는다.Therefore, when the flash lamp annealing is performed on the DLC layer 120 in the peeling process, a relatively large amount of hydrogen is vaporized in the first region 121 having a relatively high hydrogen content ratio among the DLC layers 120. As a result, the peeling at the base layer 110 side is further promoted, and the solid matter 129 of the DLC is not adhered to the base layer 110 after peeling.

＜1.2.3 제 3 처리예＞<1.2.3 Example of Third Processing>

도 8 은, 제 3 처리예에 관련된 DLC 층 (120) 의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.8 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer 120 and the hydrogen content in the third processing example.

제 3 처리예에서는, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이, 중기 공정보다 전기 공정 및 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정된다. 보다 구체적으로는, 상기 비율이, 전기 공정에서 중기 공정으로 이행될 때에 감소하고, 중기 공정에서 후기 공정으로 이행될 때에 다시 증가하도록 조정된다. 그 결과, 제 3 처리예에서 형성되는 DLC 층 (120) 에서는, 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 1 영역 (121) 및 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율이 높아진다.In the third process example, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one side of the base layer 110 is adjusted to be higher in the electric process and the later process than in the middle process. More specifically, the ratio decreases when shifting from the electrical process to the mid-process, and is adjusted to increase again when the process shifts from the middle process to the late process. As a result, in the DLC layer 120 formed in the third processing example, the hydrogen content in the first region 121 and the third region 123 is higher than the hydrogen content in the second region 122.

따라서, 박리 공정에 있어서 DLC 층 (120) 에 대해 플래시 램프 어닐이 실행되면, DLC 층 (120) 중 상대적으로 수소 함유율이 높은 제 1 영역 (121) 및 제 3 영역 (123) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되게 된다. 그 결과, 기층 (110) 측 및 전자 디바이스 (130) 측에서의 박리가 보다 촉진되고, 박리 후의 기층 (110) 및 전자 디바이스 (130) 에 대해 DLC 의 고형물 (129) 이 잘 부착되지 않는다.Therefore, when the flash lamp annealing is performed on the DLC layer 120 in the peeling step, relatively large amounts of hydrogen in the first region 121 and the third region 123 having relatively high hydrogen content among the DLC layer 120 Is vaporized. As a result, the peeling at the base layer 110 side and the electronic device 130 side is further promoted and the DLC solid material 129 is not adhered to the base layer 110 and the electronic device 130 after peeling.

＜1.2.4 제 4 처리예＞&Lt; 1.2.4 Example of fourth process &gt;

도 9 는, 제 4 처리예에 관련된 DLC 층 (120) 의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.9 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer 120 and the hydrogen content in the fourth processing example.

제 4 처리예에서는, 제 1 처리예와 동일하게, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이, 중기 공정보다 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정된다. 또한, 제 4 처리예에서는, 제 1 처리예와는 달리, 상기 비율이, 전기 공정, 중기 공정, 후기 공정의 순서에 따라 각 공정 내에 있어서도 증가하도록 조정된다. 그 결과, 제 4 처리예에서 형성되는 DLC 층 (120) 에서는, 제 1 영역 (121) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율이 높고, 또한 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율이 높아진다. 특히 제 3 영역 (123) 내에 있어서도 전자 디바이스 (130) 측에 가까울수록 수소 함유율이 높아진다.In the fourth treatment example, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one side of the base layer 110 is adjusted to be higher in the latter step than in the middle step, as in the first treatment example. Further, in the fourth processing example, unlike the first processing example, the ratio is adjusted so as to increase in each of the steps in accordance with the order of the electric step, the middle step, and the late step. As a result, in the DLC layer 120 formed in the fourth process example, the hydrogen content in the second region 122 is higher than the hydrogen content in the first region 121, The hydrogen content in the third region 123 is higher than the hydrogen content in the third region 123. Particularly in the third region 123, the closer to the electronic device 130 side, the higher the hydrogen content.

따라서, 박리 공정에 있어서 DLC 층 (120) 에 대해 플래시 램프 어닐이 실행되면, DLC 층 (120) 중 상대적으로 수소 함유율이 높은 제 3 영역 (123) (특히, 제 3 영역 (123) 내에서도 전자 디바이스 (130) 에 가까운 부분) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되게 된다. 그 결과, 전자 디바이스 (130) 측에서의 박리가 보다 촉진되고, 박리 후의 전자 디바이스 (130) 에 대해 DLC 의 고형물 (129) 이 잘 부착되지 않는다.Therefore, when the flash lamp annealing is performed on the DLC layer 120 in the peeling step, the third region 123 (particularly, in the third region 123) of the DLC layer 120, which has a relatively high hydrogen content, (I.e., a portion close to the hydrogen storage portion 130). As a result, the peeling at the electronic device 130 side is further promoted, and the solid matter 129 of the DLC does not adhere well to the electronic device 130 after peeling.

＜1.2.5 제 5 처리예＞&Lt; 1.2.5 Example of fifth treatment &gt;

도 10 은, 제 5 처리예에 관련된 DLC 층 (120) 의 막두께와 수소 함유율의 관계를 나타내는 그래프이다.10 is a graph showing the relationship between the film thickness of the DLC layer 120 and the hydrogen content in the fifth processing example.

제 5 처리예에서는, 제 1 처리예와 동일하게, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이, 중기 공정보다 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정된다. 또한, 제 5 처리예에서는, 제 1 처리예와는 달리, 상기 비율이, 후기 공정의 일부를 제외하고 각 공정에서 일정해지도록 조정되어, 후기 공정의 일부에 있어서만 증가하도록 조정된다. 그 결과, 제 5 처리예에서 형성되는 DLC 층 (120) 에서는, 제 1 영역 (121) 및 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율이 높아진다. 특히, 제 3 영역 (123) 내의 부분 영역 (123A) (상기 서술한 후기 공정의 일부에 대응하는 영역) 에 있어서 수소 함유율이 높아진다.In the fifth process example, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-direction side of the base layer 110 is adjusted to be higher in the later process than in the middle process, as in the first process example. In the fifth process example, unlike the first process example, the ratio is adjusted so as to be constant in each process except for a part of the latter process, and is adjusted so as to increase only in a part of the latter process. As a result, in the DLC layer 120 formed in the fifth process example, the hydrogen content in the third region 123 is higher than the hydrogen content in the first region 121 and the second region 122. Particularly, the hydrogen content is increased in the partial region 123A (the region corresponding to a part of the above-described later process) in the third region 123. [

따라서, 박리 공정에 있어서 DLC 층 (120) 에 대해 플래시 램프 어닐이 실행되면, DLC 층 (120) 중 상대적으로 수소 함유율이 높은 제 3 영역 (123) (특히, 부분 영역 (123A)) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되게 된다. 그 결과, 전자 디바이스 (130) 측에서의 박리가 보다 촉진되고, 박리 후의 전자 디바이스 (130) 에 대해 DLC 의 고형물 (129) 이 잘 부착되지 않는다.Therefore, when the flash lamp annealing is performed on the DLC layer 120 in the peeling step, the third region 123 (particularly, the partial region 123A), which has a relatively high hydrogen content in the DLC layer 120, A large amount of hydrogen is vaporized. As a result, the peeling at the electronic device 130 side is further promoted, and the solid matter 129 of the DLC does not adhere well to the electronic device 130 after peeling.

또, 제 5 처리예에서는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 부분 영역 (123A) 이 전자 디바이스 (130) 로부터 간격을 두고 형성된다. 이 때문에, 부분 영역 (123A) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되었다고 해도, 그 영향이 직접적으로 전자 디바이스 (130) 의 바닥면 (도 4 에서 나타내는 하측의 면) 에 미치는 경우는 없다. 따라서, 부분 영역 (123A) 에서 상대적으로 많은 수소가 기화되는 것에서 기인하여 전자 디바이스 (130) 의 바닥면이 데미지를 받는 것이 억제된다.In the fifth processing example, as shown in Fig. 10, a partial area 123A is formed at an interval from the electronic device 130. Fig. Therefore, even if a relatively large amount of hydrogen is vaporized in the partial region 123A, the influence does not directly affect the bottom surface (the lower surface shown in Fig. 4) of the electronic device 130. [ Therefore, the bottom surface of the electronic device 130 is prevented from being damaged due to the vaporization of a relatively large amount of hydrogen in the partial region 123A.

＜2 변형예＞&Lt; 2 Modified Example &

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한 상기 서술한 것 이외에 여러 가지 변경을 실시하는 것이 가능하다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be modified in various ways other than the above-described ones without departing from the spirit of the present invention.

상기 실시형태에서는, 전자 디바이스 (130) 가 TFT 디바이스인 경우에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 전자 디바이스 (130) 는, TFT 디바이스 외에도, EL 표시 장치 등 여러 가지 디바이스로 구성될 수 있다.In the above embodiment, the electronic device 130 is a TFT device, but the present invention is not limited to this. The electronic device 130 may be composed of various devices such as an EL display device in addition to a TFT device.

또, 상기 실시형태에서는, 전자 디바이스 (130) 의 지지층 (131) 이 폴리이미드층으로 구성되는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 지지층 (131) 은, 폴리이미드 이외의 유기 수지층으로 구성되어도 되고, 또 다른 예로서 기층 (110) 보다 얇은 유리 기판 (예를 들어, 0.1 ∼ 0.2 ㎜) 으로 구성되어도 된다.In the above embodiment, the support layer 131 of the electronic device 130 is formed of a polyimide layer. However, the present invention is not limited to this. The support layer 131 may be composed of an organic resin layer other than polyimide and may be composed of a glass substrate (for example, 0.1 to 0.2 mm) thinner than the base layer 110 as another example.

또, 상기 실시형태에서는, DLC 층 형성 공정에 있어서 플라즈마 CVD 처리를 실시하는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. DLC 층 형성 공정에서는, 플라즈마 CVD 처리 이외의 처리, 예를 들어, 화학 증착 처리, 이온 빔 증착 처리, 음극 아크 증착 처리, 또는 스퍼터 처리 등이 실행되어도 된다.In the above embodiment, the plasma CVD process is performed in the DLC layer forming process, but the present invention is not limited to this. In the DLC layer formation step, a process other than the plasma CVD process, for example, a chemical vapor deposition process, an ion beam deposition process, a cathode arc vapor deposition process, or a sputter process may be performed.

예를 들어, 스퍼터 처리로 DLC 층 형성 공정을 실시하는 경우에는, 타깃의 카본에 대해 아르곤 이온을 충돌시킴으로써, 타깃의 입자가 기층 (110) 상에 퇴적되어 DLC 층 (120) 이 형성된다. 따라서, 스퍼터 처리에서는 수소 함유율이 낮은 DLC 층 (120) 을 형성할 수 있다.For example, when performing the DLC layer formation process by the sputtering process, target particles are deposited on the base layer 110 by causing argon ions to collide with the target carbon to form the DLC layer 120. Therefore, in the sputtering process, the DLC layer 120 having a low hydrogen content can be formed.

한편, 플라즈마 CVD 처리로 DLC 층 형성 공정을 실시하는 경우에는, 탄소 성분과 수소 성분을 포함하는 처리 가스 (예를 들어, 아세틸렌) 를 사용하여 화학적 작용에 의해 가스 중의 입자를 기층 (110) 상에 퇴적하여 DLC 층 (120) 이 형성된다. 따라서, 플라즈마 CVD 처리에서는 플라즈마 강도나 처리 가스의 성분비를 조정하면 선택적으로 광범위한 수소 함유율로 DLC 층 (120) 을 형성할 수 있다.On the other hand, in the case of performing the DLC layer formation process by the plasma CVD process, the process gas (for example, acetylene) containing a carbon component and a hydrogen component is used to cause the particles in the gas to react on the base layer 110 The DLC layer 120 is formed. Therefore, in the plasma CVD process, the DLC layer 120 can be selectively formed with a wide range of hydrogen content by adjusting the plasma intensity and the composition ratio of the process gas.

또, 상기 실시형태에서는, 제 1 처리예 내지 제 5 처리예에 대해 설명했지만, 이것들은 본 발명을 적용 가능한 처리의 예시에 불과하며, 다른 처리를 실시해도 된다. 예를 들어, 도 10 에 나타내는 제 5 처리예에서는, 부분적으로 수소 함유율이 높은 영역 (부분 영역 (123A)) 이 제 3 영역 (123) 에 형성되어 있지만, 부분적으로 수소 함유율이 높은 영역 (부분 영역 (123A) 과 동일한 영역) 이 제 1 영역 (121) 에 형성되어도 된다.In the above-described embodiment, the first to fifth processing examples have been described. However, these are merely examples of the processing to which the present invention is applicable, and other processing may be performed. For example, in the fifth process example shown in Fig. 10, a region (partial region 123A) having a high hydrogen content ratio partially is formed in the third region 123, but a region having a high hydrogen content ratio partially (The same region as the first region 123A) may be formed in the first region 121. [

또, 제 1 처리예 내지 제 5 처리예 중 어느 것에 있어서도, 기층 (110) 의 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 수소의 공급량의 비율이 중기 공정보다 전기 공정 및 후기 공정 중 적어도 일방의 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 경우에 대해 설명하였다. 즉, 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 1 영역 (121) 및 제 3 영역 (123) 중 적어도 일방의 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 DLC 층 (120) 에 대해 설명하였다. 이것에 한정되지 않고, 상기 비율이 전기 공정이나 후기 공정보다 중기 공정에 있어서 높아지도록 조정되어도 된다. 이 경우, 제 1 영역 (121) 이나 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율보다 제 2 영역 (122) 에 있어서의 수소 함유율이 높은 DLC 층 (120) 이 얻어진다. 또 다른 예로서, 상기 비율이 전기 공정, 중기 공정 및 후기 공정에 있어서 일정해지도록 조정되어도 된다. 이 경우, 제 1 영역 (121), 제 2 영역 (122) 및 제 3 영역 (123) 에 있어서의 수소 함유율이 일정한 DLC 층 (120) 이 얻어진다.In any of the first through fifth processes, the ratio of the amount of supply of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-side of the base layer 110 is at least one of the electrical process and the late process Is adjusted so as to be higher in the first embodiment. That is, the DLC layer 120 having a higher hydrogen content in at least one of the first region 121 and the third region 123 than the hydrogen content in the second region 122 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the ratio may be adjusted to be higher in the medium-term process than in the electrical process or the later process. In this case, the DLC layer 120 having a higher hydrogen content in the second region 122 than the hydrogen content in the first region 121 and the third region 123 is obtained. As another example, the ratio may be adjusted to be constant in the electrical process, the middle process, and the late process. In this case, the DLC layer 120 having a constant hydrogen content in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 is obtained.

또, 상기 실시형태에서는, 박리 공정에 있어서 적층체 (200) 에 대해 기층 (110) 측으로부터 Xe 플래시 램프 어닐이 실행되는 양태에 대해 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 박리 공정에 있어서 적층체 (200) 에 대해 기층 (110) 측으로부터 레이저광이 조사되는 양태여도 된다. 이 경우, 레이저광에 의한 조사 영역은 DLC 층 (120) 의 전체면의 일부이지만, 레이저광을 상기 전체면에 대해 주사함으로써, DLC 층 (120) 의 전체면에서 층 중의 수소 성분이 기화되고, 기층 (110) 으로부터 전자 디바이스 (130) 가 박리된다.In the above embodiment, the description has been given of a mode in which the Xe flash lamp annealing is performed on the laminated body 200 from the base layer 110 side in the peeling step, but the present invention is not limited thereto. For example, the laminated body 200 may be irradiated with laser light from the base layer 110 side in the peeling step. In this case, although the irradiation area by the laser light is a part of the entire surface of the DLC layer 120, the hydrogen component in the layer is vaporized on the entire surface of the DLC layer 120 by scanning the laser light on the entire surface, The electronic device 130 is peeled off from the base layer 110.

또한, 플래시 램프 어닐을 실행하는 양태에서는 DLC 층 (120) 의 기층 (110) 측의 전체면을 가열할 수 있고, 레이저광을 조사하는 양태와는 달리 상기 주사가 불필요하기 때문에, 박리 공정에 필요로 하는 시간을 단축 가능하다. 또, 플래시 램프 어닐을 실행하는 양태에서는, 레이저광을 조사하는 양태와는 달리, 출력의 높이에서 기인하여 지지층 (131) (나아가서는, 전자 디바이스 (130)) 에 데미지를 줄 우려가 작다.Further, in the embodiment in which the flash lamp annealing is performed, the entire surface of the DLC layer 120 on the base layer 110 side can be heated, and unlike the mode of irradiating the laser light, the above scanning is unnecessary. Can be shortened. Also, in the mode of performing the flash lamp annealing, unlike the mode of irradiating the laser beam, it is less likely to damage the supporting layer 131 (and hence the electronic device 130) due to the height of the output.

이상, 실시형태 및 그 변형예에 관련된 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체에 대해 설명했지만, 이것들은 본 발명에 바람직한 실시형태의 예로서, 본 발명의 실시의 범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시형태의 자유로운 조합, 혹은 각 실시형태의 임의의 구성 요소의 변형, 혹은 각 실시형태에 있어서 임의의 구성 요소의 증감이 가능하다.Although the electronic device manufacturing method and the multilayer body according to the embodiment and its modified examples have been described above, they are examples of preferred embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. The present invention can be freely combined with each embodiment, or a modification of any component of each embodiment within the scope of the invention, or an arbitrary component in the embodiment can be increased or decreased.

110 : 기층
120 : DLC 층
121 : 제 1 영역
122 : 제 2 영역
123 : 제 3 영역
123A : 부분 영역
129 : 고형물
130 : 전자 디바이스
131 : 지지층
132 : 배리어층
133 : TFT 회로층
200 : 적층체110: Base layer
120: DLC layer
121: first region
122: second region
123: third region
123A: partial area
129: solids
130: electronic device
131: Support layer
132: barrier layer
133: TFT circuit layer
200: laminate

Claims (17)

챔버 내에 수소를 포함하는 가스를 공급하면서, 상기 챔버 내에서 기층의 일방향측에 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정과,
상기 다이아몬드 라이크 카본층의 상기 일방향측에 전자 디바이스를 형성하여, 상기 기층과 상기 다이아몬드 라이크 카본층과 상기 전자 디바이스를 갖는 적층체를 얻는 전자 디바이스 형성 공정과,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 수소 성분을 기화시켜 상기 기층으로부터 상기 전자 디바이스를 박리하는 박리 공정을 구비하며,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 기층의 상기 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 상기 수소의 공급량의 비율이 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A diamond-like carbon layer forming step of forming a diamond-like carbon layer on one side of the base layer in the chamber while supplying a gas containing hydrogen into the chamber,
An electronic device forming step of forming an electronic device on the one side of the diamond like carbon layer to obtain a laminate having the base layer, the diamond like carbon layer and the electronic device;
And a peeling step of vaporizing the hydrogen component in the diamond like carbon layer to peel off the electronic device from the base layer,
Wherein the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-direction side of the base layer is adjusted in the step of forming the diamond like carbon layer. 제 1 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 시간 경과적으로 변화하도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the ratio is adjusted so as to change over time in the step of forming the diamond like carbon layer. 제 2 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정은,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 두께 방향에 있어서의 상기 기층측에 위치하는 제 1 영역을 형성하는 전기 공정과,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 상기 두께 방향에 있어서의 중앙측에 위치하는 제 2 영역을 형성하는 중기 공정과,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 중의 상기 두께 방향에 있어서의 상기 전자 디바이스측에 위치하는 제 3 영역을 형성하는 후기 공정을 가지며,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정 및 상기 후기 공정 중 적어도 일방의 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.3. The method of claim 2,
The diamond-like carbon layer forming step includes:
An electric step of forming a first region located on the base layer side in the thickness direction of the diamond like carbon layer;
A second step of forming a second region of the diamond like carbon layer located on the center side in the thickness direction;
And a later step of forming a third region located on the electronic device side in the thickness direction of the diamond like carbon layer,
Wherein the diamond-like carbon layer forming step is adjusted so that the ratio is higher in at least one of the electrical process and the later process than the middle-process process. 제 3 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the diamond-like carbon layer forming step is adjusted so that the ratio is higher in the electric step than in the intermediate step. 제 3 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the diamond-like carbon layer forming step is adjusted so that the ratio is higher in the later step than in the intermediate step. 제 3 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 비율이 상기 중기 공정보다 상기 전기 공정 및 상기 후기 공정에 있어서 높아지도록 조정되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the step of forming the diamond like carbon layer is adjusted such that the ratio is higher in the electric step and the later step than in the intermediate step. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 챔버 내에서 스퍼터 처리를 실시함으로써 상기 기층의 상기 일방향측에 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the diamond like carbon layer is formed on the one side of the base layer by performing a sputtering process in the chamber in the step of forming the diamond like carbon layer. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층 형성 공정에서는, 상기 챔버 내에서 화학 증착 처리를 실시함으로써 상기 기층의 상기 일방향측에 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the diamond like carbon layer is formed on the one side of the base layer by performing a chemical vapor deposition treatment in the chamber in the step of forming the diamond like carbon layer. 제 1 항에 있어서,
상기 박리 공정에서는 상기 다이아몬드 라이크 카본층에 대해 상기 기층측으로부터 플래시 램프 어닐을 실행하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the flash-lamp annealing is performed on the diamond-like carbon layer from the base layer side in the peeling step. 기층과,
상기 기층의 일방향측에 형성되는 다이아몬드 라이크 카본층과,
상기 다이아몬드 라이크 카본층의 상기 일방향측에 형성되는 전자 디바이스를 구비하고,
챔버 내에 수소를 포함하는 가스를 공급하면서 상기 챔버 내에서 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 형성할 때에, 상기 기층의 상기 일방향측에 공급하는 탄소의 공급량에 대한 상기 수소의 공급량의 비율이 조정되고,
상기 다이아몬드 라이크 카본층의 수소 함유율이 그 두께 방향을 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 적층체.The base layer,
A diamond-like carbon layer formed on one side of the base layer,
And an electronic device formed on the one side of the diamond like carbon layer,
When the diamond-like carbon layer is formed in the chamber while supplying a gas containing hydrogen into the chamber, the ratio of the supply amount of hydrogen to the supply amount of carbon supplied to the one-side side of the base layer is adjusted,
And the hydrogen content of the diamond like carbon layer changes along the thickness direction thereof. 제 10 항에 있어서,
상기 전자 디바이스의 형성 후, 상기 다이아몬드 라이크 카본층을 경계로 상기 기층으로부터 상기 전자 디바이스가 박리되는 것을 특징으로 하는 적층체.11. The method of claim 10,
And after the formation of the electronic device, the electronic device is peeled from the base layer with the diamond-like carbon layer as a boundary. 제 11 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층은,
상기 두께 방향에 있어서의 상기 기층측에 위치하는 제 1 영역과,
상기 두께 방향에 있어서의 중앙측에 위치하는 제 2 영역과,
상기 두께 방향에 있어서의 상기 전자 디바이스측에 위치하는 제 3 영역을 갖고,
상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다, 상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역 중 적어도 일방의 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 하는 적층체.12. The method of claim 11,
The diamond-like carbon layer may have a thickness
A first region located on the base layer side in the thickness direction,
A second region located on the center side in the thickness direction,
And a third region located on the electronic device side in the thickness direction,
And the hydrogen content in the at least one region of the first region and the third region is higher than the hydrogen content in the second region. 제 12 항에 있어서,
상기 두께 방향에 대해, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 1 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 하는 적층체.13. The method of claim 12,
And the hydrogen content in the first region is higher than the hydrogen content in the second region with respect to the thickness direction. 제 12 항에 있어서,
상기 두께 방향에 대해, 상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 3 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 하는 적층체.13. The method of claim 12,
And the hydrogen content in the third region is higher than the hydrogen content in the second region with respect to the thickness direction. 제 12 항에 있어서,
상기 제 2 영역에 있어서의 수소 함유율보다 상기 제 1 영역 및 상기 제 3 영역에 있어서의 수소 함유율이 높은 것을 특징으로 하는 적층체.13. The method of claim 12,
And the hydrogen content in the first region and the third region is higher than the hydrogen content in the second region. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층은, 상기 챔버 내에서 스퍼터 처리를 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층체.16. The method according to any one of claims 10 to 15,
Wherein the diamond like carbon layer is formed by sputtering in the chamber. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다이아몬드 라이크 카본층은, 상기 챔버 내에서 화학 증착 처리를 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층체.16. The method according to any one of claims 10 to 15,
Wherein the diamond like carbon layer is formed by chemical vapor deposition in the chamber.
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