JP2005319678A - Laminate, light emitting element and its use - Google Patents

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泰美 山田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element more excellent in water vapor barrier properties and scratch resistance than a conventional one and excellent in emission takeout efficiency. <P>SOLUTION: This laminate is composed of a sealing film, which is formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film, and a transparent resin base material, wherein the organic film is a film formed using at least a metal or a semimetal elemental substance or a compound thereof and an alicyclic structure-containing polymer as a raw material. The light emitting element is constituted by successively laminating a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer and a sealing layer on a transparent substrate, wherein the sealing layer is the sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film and the organic film is the film formed using at least a metal or a semimetal alone or a compound thereof and an alicyclic structure-containing polymer as the raw material. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、酸素や水蒸気等を遮断する積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略称する。)などの発光素子およびその使用に関するものである。   The present invention relates to a light-emitting element such as a laminate that blocks oxygen, water vapor, and the like, an organic electroluminescence element (hereinafter, abbreviated as “organic EL element”), and use thereof.

透明樹脂フィルム基材上にガスバリア層を形成したガスバリアフィルムは食品や薬品の包装材料としてよく知られている。このガスバリアフィルムは、その薄さ・軽さ・フレキシブルさに優れているのでエレクトロニクスデバイスの基材としても注目されている。特に液晶や有機エレクトロルミネッセンスのディスプレイ用基材では、壁掛けTVや電子ペーパー用途として樹脂フィルム基材が期待されている。エレクトニクスデバイスの基材用途では、従来の包装材料に求められていたガスバリア性よりも、高いガスバリア性、特に水蒸気バリア性、が求められており、様々なガスバリア層の開発が報告されている。   A gas barrier film in which a gas barrier layer is formed on a transparent resin film substrate is well known as a packaging material for food and medicine. Since this gas barrier film is excellent in its thinness, lightness and flexibility, it attracts attention as a base material for electronic devices. Particularly for liquid crystal and organic electroluminescence display substrates, resin film substrates are expected for wall-mounted TV and electronic paper applications. In base materials for electronic devices, gas barrier properties, particularly water vapor barrier properties, which are higher than those required for conventional packaging materials are required, and the development of various gas barrier layers has been reported.

ガスバリア層として、SiO、Alなどの無機酸化物の単層膜が主に用いられてきた。単層の無機酸化物膜は、膜厚が薄いとガスバリア性を十分に発揮しない。しかしガスバリア性を十分発揮させるために膜厚を厚くすると、内部応力が大きくなりフィルムに反りが生じるため、膜にクラックが発生しガスバリア性が低下することがあった。 As the gas barrier layer, single layer films of inorganic oxides such as SiO 2 and Al 2 O 3 have been mainly used. When the single layer inorganic oxide film is thin, the gas barrier property is not sufficiently exhibited. However, when the film thickness is increased in order to sufficiently exhibit the gas barrier property, the internal stress increases and the film warps, so that the film may be cracked and the gas barrier property may be lowered.

特許文献1又は特許文献2には、無機膜と、ポリアリレート、ポリアクリレートなどの樹脂膜との積層体により高いガスバリア性を得たことが記載されている。この技術によれば、有機膜を無機膜との間に挿入することで内部応力を緩和できるため無機膜にクラックが発生しにくい利点があると報告している。しかし我々の検討の結果、樹脂膜と無機膜との密着性が低く、剥離しやすいことが確認された。この剥離のために無機膜に欠陥が生じやすく、その結果、ガスバリア性が低下してしまうことがあった。さらにポリアリレート、ポリアクリレートなどの樹脂膜は吸水率が高いために、無機膜を形成する際に水蒸気等が樹脂膜から放出され、無機膜の緻密さを低下させることがあった。また、無機膜と、ポリアリレート、ポリアクリレートなどの樹脂膜との積層数を8層以上の多層に重ねる必要があり、製作効率の点で不十分である。
特許文献3には、無機膜と有機膜のガスバリア積層体において、有機膜に脂環式構造を有する炭化水素重合体を用いたことが記載されている。この重合体は吸水率が低く、ガスの放出が非常に少ないため、前記積層体の有機膜として適していると思われる。しかし我々の検討の結果、特許文献3記載の解決手段では、脂環式構造を有する炭化水素重合体と無機膜との密着性が不十分となることがあった。
Patent Document 1 or Patent Document 2 describes that a high gas barrier property is obtained by a laminate of an inorganic film and a resin film such as polyarylate or polyacrylate. According to this technique, it is reported that there is an advantage that cracks are hardly generated in the inorganic film because the internal stress can be relieved by inserting the organic film between the inorganic film and the inorganic film. However, as a result of our study, it was confirmed that the adhesion between the resin film and the inorganic film was low and it was easy to peel off. Due to this peeling, defects are likely to occur in the inorganic film, and as a result, the gas barrier property may be lowered. Furthermore, since a resin film such as polyarylate or polyacrylate has a high water absorption rate, when forming an inorganic film, water vapor or the like is released from the resin film, which may reduce the density of the inorganic film. In addition, the number of laminated layers of the inorganic film and the resin film such as polyarylate or polyacrylate must be stacked in a multilayer of 8 or more, which is insufficient in terms of manufacturing efficiency.
Patent Document 3 describes that in a gas barrier laminate of an inorganic film and an organic film, a hydrocarbon polymer having an alicyclic structure is used for the organic film. Since this polymer has a low water absorption rate and very little gas emission, it seems to be suitable as an organic film of the laminate. However, as a result of our study, the solution described in Patent Document 3 sometimes has insufficient adhesion between the hydrocarbon polymer having an alicyclic structure and the inorganic film.

一方、有機EL素子は、高効率発光素子として電子ディスプレイや光源としての応用が期待されている。有機EL素子の例としては、陽極となるホール注入電極と陰極となる電子注入電極との間にホール輸送層と発光材料層とが形成された構造(SH−A構造)のもの、ホール注入電極と電子注入電極との間に発光材料層と電子輸送層とが形成された構造(SH−B構造)の2層構造のもの、又はホール注入電極と電子注入電極との間に、ホール輸送層と発光材料層と電子輸送層とが形成された構造(DH構造)の3層構造のものがある。
いずれの構造の場合でも、有機EL素子はホール注入電極(陽極)から注入されたホールと電子注入電極(陰極)から注入された電子が、発光材料層とホール(または電子)輸送層の界面、および発光材料層内で再結合して発光するという原理である。従って、発光機構が衝突勃起型発光である無機EL素子と比べて、有機EL素子は低電圧で発光が可能といった特長を持っており、これからの発光素子として非常に有望である。
On the other hand, organic EL elements are expected to be applied as electronic displays and light sources as high-efficiency light-emitting elements. Examples of organic EL elements include a structure in which a hole transport layer and a light emitting material layer are formed between a hole injection electrode serving as an anode and an electron injection electrode serving as a cathode (SH-A structure), and a hole injection electrode Having a two-layer structure (SH-B structure) in which a light emitting material layer and an electron transport layer are formed between an electron injection electrode and an electron injection electrode, or a hole transport layer between a hole injection electrode and an electron injection electrode And a three-layer structure having a structure (DH structure) in which a light emitting material layer and an electron transport layer are formed.
In any structure, the organic EL element has a hole injected from the hole injection electrode (anode) and an electron injected from the electron injection electrode (cathode), the interface between the light emitting material layer and the hole (or electron) transport layer, And it is the principle of recombination within the light emitting material layer to emit light. Therefore, compared with an inorganic EL element whose light emission mechanism is collision erection type light emission, the organic EL element has a feature that it can emit light at a low voltage, and is very promising as a light emitting element in the future.

図1に典型的なEL素子の構成例を示す。図1に示す有機EL素子は、透明基板16、下部電極層54、発光材料層62、上部電極層55とから構成されている。従来の有機EL素子は、発光材料層62で発光した光を透明基板16側から出光させる方式(ボトムエミッション方式)であったが、透明基板側には薄膜トランジスタが設置されるため、出光面積が小さくなる。そこで最近では、発光材料層62から見て透明基板16の反対側から出光させる方式(トップエミッション方式)が、十分な出光面積を得ることができるということで、注目されている。   FIG. 1 shows a configuration example of a typical EL element. The organic EL element shown in FIG. 1 includes a transparent substrate 16, a lower electrode layer 54, a light emitting material layer 62, and an upper electrode layer 55. The conventional organic EL element has a method of emitting light emitted from the light emitting material layer 62 from the transparent substrate 16 side (bottom emission method). However, since a thin film transistor is installed on the transparent substrate side, the light emission area is small. Become. Therefore, recently, a method of emitting light from the opposite side of the transparent substrate 16 as viewed from the light emitting material layer 62 (top emission method) has attracted attention because a sufficient light emission area can be obtained.

しかしながら、有機EL素子は特性向上のために陰極として仕事関数が低い材料を使用しているため、空気中の水分や酸素との反応による腐食や酸化を生じやすい。このような陰極の劣化は、発光材料層内に存在するダークスポットと呼ばれる未発光部を著しく成長させ、有機EL素子における経時的な特性劣化の原因となっている。
また、陰極に限らず、発光材料層や輸送層等に用いられている有機材料についても、一般に水分や酸素との反応によって構造の変化を生じるため、同様にダークスポットの成長を招く原因となる。
そのため、有機EL素子の耐久性や信頼性を高めるためには、陰極や発光材料層や輸送層等に用いられている有機材料と水分や酸素との反応を防止するために、有機EL素子全体が封止されている必要がある。
そこで、有機EL素子の封止について、これまで多くの検討が行われている。
However, since the organic EL element uses a material having a low work function as a cathode for improving characteristics, corrosion and oxidation are likely to occur due to reaction with moisture and oxygen in the air. Such deterioration of the cathode significantly grows a non-light emitting portion called a dark spot existing in the light emitting material layer, which causes deterioration of characteristics over time in the organic EL element.
Further, not only the cathode but also organic materials used for the light emitting material layer, the transport layer, and the like generally cause structural changes due to reaction with moisture and oxygen, which similarly causes the growth of dark spots. .
Therefore, in order to increase the durability and reliability of the organic EL element, the entire organic EL element is used in order to prevent the reaction between the organic material used in the cathode, the light emitting material layer, the transport layer, etc., moisture and oxygen. Must be sealed.
Therefore, many studies have been conducted on the sealing of organic EL elements.

例えば、特許文献4には、Siやダイアモンド様炭素膜等をECRプラズマCVD法により有機EL素子の外表面に形成する方法が開示されている。これによれば、電子注入電極(陰極)の酸化を防止することができ、有機EL素子の耐湿性を向上させることができると記載されている。しかしながら、上記材料では耐湿性を向上させるために膜厚を大きくする必要があり、その結果内部応力が大きくなり、膜にクラックが発生しやすく、耐湿性が逆に低下する場合がある。
また、特許文献5には、有機物とシリコン窒化酸化物との積層構造体により有機EL素子を封止する方法が開示されている。これによれば、有機EL素子の上部に、ダークスポットの成長を完全に抑制することが可能な膜厚まで形成でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の進入を防ぐことが可能な保護部を設けることにより信頼性の高い有機ELを提供することができると記載されている。しかしながら、化学構造や成膜法を限定しないと有機物とシリコン窒化酸化物との密着性が極めて低く、剥離による界面での欠陥が生じるため防湿性が低下することがある。
For example, Patent Document 4 discloses a method of forming Si 3 N 4 , a diamond-like carbon film, or the like on the outer surface of an organic EL element by an ECR plasma CVD method. According to this, it is described that the oxidation of the electron injection electrode (cathode) can be prevented and the moisture resistance of the organic EL element can be improved. However, in the above materials, it is necessary to increase the film thickness in order to improve the moisture resistance. As a result, the internal stress increases, the film is liable to crack, and the moisture resistance may decrease.
Patent Document 5 discloses a method of sealing an organic EL element with a laminated structure of an organic material and silicon nitride oxide. According to this, it is possible to form a film thickness that can completely suppress the growth of dark spots on top of the organic EL element, and it is dense and can prevent entry of moisture, oxygen, etc. from the outside. It is described that a highly reliable organic EL can be provided by providing the portion. However, if the chemical structure and the film formation method are not limited, the adhesion between the organic substance and silicon nitride oxide is extremely low, and defects at the interface due to peeling may occur, resulting in a reduction in moisture resistance.

また、当出願人は、特許文献6において、パーフルオロオレフィンの分解重合物からなる有機EL素子用封止膜を提案している。これによれば、周囲の酸素や水分により有機EL素子の劣化を抑制して、該素子の光取出効率を効果的に向上させ得るとともに、素子の小型化や薄型化にも対応することができると記載されている。しかしながら上記重合物のみで有機EL素子に適用するには封止性が不十分であり、さらなる改善が求められている。   Moreover, the present applicant has proposed a sealing film for an organic EL element made of a perfluoroolefin decomposition polymer in Patent Document 6. According to this, deterioration of the organic EL element can be suppressed by ambient oxygen and moisture, and the light extraction efficiency of the element can be effectively improved, and the element can be reduced in size and thickness. It is described. However, the sealing property is insufficient to apply to the organic EL device using only the polymer, and further improvement is required.

特開2003−206361号公報JP 2003-206361 A 特開2003−48271号公報JP 2003-48271 A 特開2002−234103号公報JP 2002-234103 A 特開平10−261487号公報JP-A-10-261487 特開2002−25765号公報JP 2002-25765 A 特開2002−056971号公報JP 2002-056771 A

本発明の課題は、水蒸気バリア性、耐擦傷性に優れる積層体を提供することであり、さらに、水蒸気バリア性、耐擦傷性に優れ、且つ発光寿命の長い有機EL素子などの発光素子及びそれを備えた装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a laminate having excellent water vapor barrier properties and scratch resistance, and further, a light emitting device such as an organic EL device having excellent water vapor barrier properties and scratch resistance and a long light emission lifetime, and the like. It is providing the apparatus provided with.

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、無機膜及び有機膜を積層してなる封止膜で、該有機膜が金属化合物と特定の重合体とを原料としてなる膜であるものを用いることによって、上記目的を達成しうることを見出し、この知見に基づき本発明を完成するに至った。   As a result of diligent research to solve the above-mentioned problems, the present inventors are a sealing film formed by laminating an inorganic film and an organic film, and the organic film is a film made of a metal compound and a specific polymer as raw materials. It was found that the above-mentioned object can be achieved by using a material, and the present invention has been completed based on this finding.

かくして、本発明によれば、
(1)少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜と、透明樹脂基材とからなる積層体であって、有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを原料としてなる膜である積層体。
(2)基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該封止層が前記積層体である発光素子。
(3)基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該基板が前記積層体である発光素子。
(4)基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、前記封止層が少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜であり、該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有炭化水素重合体とを原料としてなる膜である発光素子。
(5)基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該基板及び封止層が前記積層体である発光素子。
(6)基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該基板が前記積層体であり、前記封止層が少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜であり、該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有炭化水素重合体とを原料としてなる膜である発光素子。
(7)非発光時において、波長400nmから800nmの範囲の光線透過率が80%以上である発光素子。
(8)前記の発光素子を備えた面状光源。
(9)前記の発光素子を備えたドットマトリックス表示装置。
(10)前記の発光素子をバックライトとして備えた液晶表示装置。
がそれぞれ提供される。
Thus, according to the present invention,
(1) A laminate composed of a sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film, and a transparent resin base material, wherein the organic film is at least a metal or a semimetal simple substance or A laminate which is a film made of a compound and an alicyclic structure-containing polymer as raw materials.
(2) A light emitting device in which a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked, and the sealing layer is the stacked body.
(3) A light emitting device in which a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially laminated, and the substrate is the laminate.
(4) A sealing in which a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked, and the sealing layer is a stack of at least one inorganic film and at least one organic film. A light-emitting element, which is a film, and wherein the organic film is a film using at least a metal or semimetal simple substance or compound and an alicyclic structure-containing hydrocarbon polymer as raw materials.
(5) A light emitting device in which a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked, and the substrate and the sealing layer are the stacked body.
(6) A substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked, the substrate is the stacked body, and the sealing layer includes at least one inorganic film and at least one sealing layer. A light-emitting element, which is a sealing film formed by laminating organic films, wherein the organic film is a film using at least a metal or semimetal simple substance or compound and an alicyclic structure-containing hydrocarbon polymer as raw materials.
(7) A light-emitting element having a light transmittance of 80% or more in the wavelength range of 400 nm to 800 nm when not emitting light.
(8) A planar light source including the light emitting element.
(9) A dot matrix display device including the light emitting element.
(10) A liquid crystal display device comprising the light emitting element as a backlight.
Are provided respectively.

本発明の積層体は水蒸気バリア性に優れ、耐擦傷性にも優れるので、包装材料として好適であるだけでなく、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等に用いられる有機EL素子などの発光素子の封止層として有用である。
また、本発明の発光素子は、発光寿命が長く、水蒸気バリア性や表面の耐擦傷性に優れるので、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として有用である。
Since the laminate of the present invention is excellent in water vapor barrier properties and scratch resistance, it is not only suitable as a packaging material, but also a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a backlight of a liquid crystal display device, etc. It is useful as a sealing layer for light-emitting elements such as organic EL elements used in the above.
In addition, the light-emitting element of the present invention has a long light emission lifetime and is excellent in water vapor barrier properties and surface scratch resistance, and thus is useful as a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a backlight of a liquid crystal display device, and the like. is there.

本発明の積層体は、少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜と、透明樹脂基材とからなる積層体であって、有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを原料としてなる膜であることを特徴とするものである。   The laminate of the present invention is a laminate comprising a sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film, and a transparent resin base material, and the organic film is at least a metal or a semi-solid. It is a film made of a metal simple substance or compound and an alicyclic structure-containing polymer as raw materials.

本発明積層体を構成する有機膜の原料としての脂環構造含有重合体は、飽和脂環炭化水素(シクロアルカン)構造、不飽和脂環炭化水素(シクロアルケン)構造を有する重合体である。機械強度、耐熱性などの観点から、シクロアルカン構造を有する重合体が好ましい。脂環構造を構成する炭素原子数には、格別な制限はないが、通常4〜30個、好ましくは5〜20個、より好ましくは5〜15個の範囲であるときに、膜の機械強度、耐熱性等の特性が高度にバランスされ、好適である。本発明に使用される脂環構造含有重合体中の脂環構造を含有してなる繰り返し単位の割合は、適宜選択すればよいが、好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、もっとも好ましくは90重量%以上である。脂環式構造を有する重合体中の脂環式構造を有する繰り返し単位の割合がこの範囲にあると透明性および耐熱性の観点から好ましい。   The alicyclic structure-containing polymer as a raw material of the organic film constituting the laminate of the present invention is a polymer having a saturated alicyclic hydrocarbon (cycloalkane) structure and an unsaturated alicyclic hydrocarbon (cycloalkene) structure. From the viewpoint of mechanical strength and heat resistance, a polymer having a cycloalkane structure is preferred. The number of carbon atoms constituting the alicyclic structure is not particularly limited, but is usually 4 to 30, preferably 5 to 20, more preferably 5 to 15 in the mechanical strength of the film. The properties such as heat resistance are highly balanced and suitable. The proportion of the repeating unit containing the alicyclic structure in the alicyclic structure-containing polymer used in the present invention may be appropriately selected, but is preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, Especially preferably, it is 70 weight% or more, Most preferably, it is 90 weight% or more. It is preferable from a viewpoint of transparency and heat resistance that the ratio of the repeating unit which has an alicyclic structure in the polymer which has an alicyclic structure exists in this range.

脂環構造含有重合体の具体的態様としては、(1)ノルボルネン系重合体、(2)単環の環状オレフィン系重合体、(3)環状共役ジエン系重合体、(4)ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、透明性や成形性の観点から、ノルボルネン系重合体が好ましい。   Specific embodiments of the alicyclic structure-containing polymer include (1) a norbornene polymer, (2) a monocyclic olefin polymer, (3) a cyclic conjugated diene polymer, and (4) a vinyl alicyclic polymer. Examples thereof include hydrocarbon polymers and hydrogenated products thereof. Among these, norbornene-based polymers are preferable from the viewpoints of transparency and moldability.

本発明積層体を構成する有機膜の原料としての金属若しくは半金属の単体若しくは化合物は、本発明積層体を構成する無機膜の原料としての金属若しくは半金属の単体若しくは化合物である。特に膜を形成したときにガスバリア性を生じるものが好ましい。例えば、周期律表の第4族〜第16族の金属若しくは半金属の単体若しくは化合物が挙げられ、第4族、第13族、および第14族の化合物が好ましい。チタン原子、アルミニウム原子、ケイ素原子からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む有機化合物や無機化合物がさらに好ましく、チタン原子、アルミニウム原子、ケイ素原子からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む有機化合物が特に好ましい。チタン原子、アルミニウム原子、ケイ素原子からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む有機化合物は無機化合物に比べ、柔軟性に優れる膜を形成しやすいので内部応力が小さく、封止性(ガスバリア性)低下の原因となるクラックが形成しにくいという利点を有する。   The metal or semimetal simple substance or compound as the raw material of the organic film constituting the laminate of the present invention is a metal or semimetal simple substance or compound as the raw material of the inorganic film constituting the laminate of the present invention. In particular, those that produce gas barrier properties when a film is formed are preferred. For example, a simple substance or compound of metals or semimetals of Group 4 to Group 16 of the Periodic Table can be mentioned, and compounds of Group 4, 13 and 14 are preferred. More preferred are organic compounds and inorganic compounds containing at least one selected from the group consisting of titanium atoms, aluminum atoms and silicon atoms, and organic compounds containing at least one selected from the group consisting of titanium atoms, aluminum atoms and silicon atoms Particularly preferred. Organic compounds containing at least one selected from the group consisting of titanium atoms, aluminum atoms, and silicon atoms are less likely to form flexible films than inorganic compounds, so the internal stress is small and sealing properties (gas barrier properties) are reduced. This has the advantage that cracks that cause the above are difficult to form.

チタン原子を含む有機化合物としては、チタニウムテトラエトキシド、チタニウムテトラメトキシド、チタニウムイソプロポキシド、テトラキス(ジメチルアミノ)チタニウム、テトラキス(ジエチルアミノ)チタニウムなどが挙げられる。
アルミニウム原子を含む有機化合物としては、トリ(イソプロポキシド)アルミニウム、トリ(エトキシ)アルミニウム、アルミニウムブトキサイド、アルミニウムフェノキサイドなどが挙げられる。他にも、アルミニウムの有機錯体化合物、例えば、アルミニウムアセチルアセトネート、アルミニウムアセト酢酸エチル、アルミニウムメタクリレート、アルミニウムペンタンジオネート等が挙げられる。
ケイ素原子を含む有機化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシランなどの有機モノシラン化合物;ヘキサメチルジシラン、1,2−ジフェニルテトラメチルジシラン、ヘキサメトキシジシランなどの有機ポリシラン化合物;ヘキサメチルジシロキサン、テトラメチルジシロキサンなどの有機シロキサン化合物;テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンなどの有機シラザン化合物;などが挙げられる。
無機化合物としては、酸化物、窒化物、窒素酸化物などが挙げられ、好ましくは酸化物や窒化物である。具体的には酸化物としては、SiO、SiO、Al、TiO、TiO、Ti;窒化物としては、Si、AlN、TiN;が挙げられる。
Examples of the organic compound containing a titanium atom include titanium tetraethoxide, titanium tetramethoxide, titanium isopropoxide, tetrakis (dimethylamino) titanium, tetrakis (diethylamino) titanium, and the like.
Examples of the organic compound containing an aluminum atom include tri (isopropoxide) aluminum, tri (ethoxy) aluminum, aluminum butoxide, and aluminum phenoxide. In addition, an organic complex compound of aluminum, for example, aluminum acetylacetonate, aluminum aluminum acetoacetate, aluminum methacrylate, aluminum pentanedionate, and the like can be given.
Examples of organic compounds containing silicon atoms include organic monosilane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and methyltrimethoxysilane; organic polysilane compounds such as hexamethyldisilane, 1,2-diphenyltetramethyldisilane, and hexamethoxydisilane; And organic siloxane compounds such as methyldisiloxane and tetramethyldisiloxane; organic silazane compounds such as tetramethyldisilazane and hexamethyldisilazane;
Examples of the inorganic compound include oxides, nitrides, nitrogen oxides, and the like, and oxides and nitrides are preferable. Specifically, examples of the oxide include SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO, TiO 2 , and Ti 3 O 5 ; and examples of the nitride include Si 3 N 4 , AlN, and TiN.

有機膜は、その形成法によって特に制限されない。例えば、塗布法、蒸着法、スパッタリング法、CVD(化学気相析出)法等が挙げられる。
塗布法においては、微粒子状の金属若しくは半金属の単体若しくは化合物を脂環構造含有重合体溶液に添加し、混合分散させることによって得られた塗料を塗布して成膜する。該重合体溶液に混合分散させる微粒子の粒径は、光学特性を損なわない範囲であれば特に制限されず、好ましくは1μm以下、より好ましくは50nm以下である。
蒸着法、スパッタリング法、CVD法などの、いわゆるドライプロセスによる方法では、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを、蒸発させて、基材上に堆積して成膜する。
The organic film is not particularly limited by the formation method. Examples thereof include a coating method, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD (chemical vapor deposition) method, and the like.
In the coating method, a particulate metal or metalloid simple substance or compound is added to an alicyclic structure-containing polymer solution, and a coating obtained by mixing and dispersing is applied to form a film. The particle size of the fine particles to be mixed and dispersed in the polymer solution is not particularly limited as long as the optical properties are not impaired, and is preferably 1 μm or less, more preferably 50 nm or less.
In a method using a so-called dry process, such as a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method, a metal or metalloid simple substance or compound and an alicyclic structure-containing polymer are evaporated and deposited on a substrate. To do.

上記CVD法の中でプラズマCVD法が最も簡易的で良く知られた方法である。プラズマCVD法の手法は、従来から知られている、例えば特開平9−237783号公報に記載されている手法がある。プラズマCVD法に用いる装置としては、平行平板型CVD装置が一般的であるが、マイクロ波CVD装置、ECR−CVD装置、および高密度プラズマCVD装置(ヘリコン波プラズマ、誘導結合プラズマなどを用いることができる。
原料である金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とは、CVD装置のチャンバー内の圧力を0.1Pa以下まで排気した後にチャンバー内へ導入する。
Among the CVD methods, the plasma CVD method is the simplest and well-known method. The plasma CVD method is conventionally known, for example, as described in JP-A-9-237783. As an apparatus used for the plasma CVD method, a parallel plate type CVD apparatus is generally used, but a microwave CVD apparatus, an ECR-CVD apparatus, and a high-density plasma CVD apparatus (helicon wave plasma, inductively coupled plasma, etc. are used). it can.
The raw material metal or metalloid simple substance or compound and the alicyclic structure-containing polymer are introduced into the chamber after exhausting the pressure in the chamber of the CVD apparatus to 0.1 Pa or less.

原料が固体の場合は加熱、電子ビームを用いて蒸発させたり、高電圧を印加してスパッタリングさせたりしてチャンバー内へ導入する。原料が液体の場合は、蒸気圧差を利用して蒸発させるか、または原料を入れた容器をマントルヒータなどで加熱して蒸発させてチャンバー内へ導入する。原料が気体の場合は、そのままチャンバー内へ導入する。
原料をチャンバー内へ導入した後、直流または交流(10kHz〜100MHz)電圧を約10W〜約10kWの出力にて印加させ電極間にプラズマを発生させ、所定の基材上に封止膜を形成する。そのときの基材温度は500℃以下で、透明基材が耐熱性の低い樹脂である場合は加熱をしない方が好ましい。成膜時の系内の圧力は1×10−2〜1×10Paとするのが好ましい。
例えば、CVD法により、原料の脂環構造含有重合体としてノルボルネン系重合体を、原料の金属化合物としてシラザンをそれぞれ用いてこれらを蒸発させ、真空室でプラズマを発生して、透明樹脂基材に析出させて有機膜を形成する。
When the raw material is solid, it is introduced into the chamber by heating, evaporating using an electron beam, or applying high voltage to cause sputtering. When the raw material is a liquid, it is evaporated using a vapor pressure difference, or a container containing the raw material is heated and evaporated with a mantle heater or the like and introduced into the chamber. When the raw material is a gas, it is introduced into the chamber as it is.
After introducing the raw material into the chamber, a direct current or alternating current (10 kHz to 100 MHz) voltage is applied at an output of about 10 W to about 10 kW to generate plasma between the electrodes, thereby forming a sealing film on a predetermined substrate. . The substrate temperature at that time is 500 ° C. or less, and when the transparent substrate is a resin having low heat resistance, it is preferable not to heat. The pressure in the system during film formation is preferably 1 × 10 −2 to 1 × 10 4 Pa.
For example, a CVD method is used to evaporate a norbornene-based polymer as a raw material alicyclic structure-containing polymer and silazane as a raw material metal compound, and generate plasma in a vacuum chamber to form a transparent resin substrate. Precipitate to form an organic film.

有機膜の平均厚さは、好ましくは1nm〜5μm、より好ましくは5〜2μmである。有機膜が薄すぎると無機膜との密着性やガスバリア性が低下するおそれがあり、逆に、厚すぎると透明性が低下する可能性がある。   The average thickness of the organic film is preferably 1 nm to 5 μm, more preferably 5 to 2 μm. If the organic film is too thin, the adhesion to the inorganic film and the gas barrier property may be reduced. Conversely, if the organic film is too thick, the transparency may be reduced.

有機膜に含まれる金属原子若しくは半金属原子Mと炭素原子Cの体積組成比M/Cは、好ましくは0.01〜0.99の範囲である。このM/Cの値がこの範囲にあると無機膜との密着性に優れた積層体を得やすい。M/Cの測定法は、X線電子分光分析による。また、有機膜の吸水率は、好ましくは0.1%以下である。吸水率がこの範囲にある有機膜を用いることによって無機膜の緻密性が高くなり、積層体のガスバリア性が高くなる。
M/Cの値は、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体との供給量比を変えることにより調整できる。ここでいう供給量とは原料が固体の場合は蒸発速度、液体か気体の場合は蒸発流量のことである。
The volume composition ratio M / C of metal atoms or metalloid atoms M and carbon atoms C contained in the organic film is preferably in the range of 0.01 to 0.99. When the value of M / C is within this range, it is easy to obtain a laminate having excellent adhesion with the inorganic film. The measuring method of M / C is based on X-ray electron spectroscopic analysis. The water absorption rate of the organic film is preferably 0.1% or less. By using an organic film having a water absorption rate in this range, the denseness of the inorganic film is increased and the gas barrier property of the laminate is increased.
The value of M / C can be adjusted by changing the supply ratio of the metal or metalloid simple substance or compound and the alicyclic structure-containing polymer. The supply amount here means the evaporation rate when the raw material is solid, and the evaporation flow rate when it is liquid or gas.

本発明積層体を構成する無機膜は、ガスバリア性を有する無機化合物からなる。無機化合物としては、ガスバリア性を付与可能であれば特に制限されない。無機膜の原料としてはSi、Mg、Ti、Al、In、Sn、Zn、W、Ce、Zrのような金属若しくは半金属の単体若しくは化合物が好ましい。化合物としては酸化物、窒化物、窒化酸化物、硫化物が好ましく、酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。   The inorganic film constituting the laminate of the present invention is made of an inorganic compound having gas barrier properties. The inorganic compound is not particularly limited as long as gas barrier properties can be imparted. As a raw material of the inorganic film, a simple substance or compound of a metal or a semimetal such as Si, Mg, Ti, Al, In, Sn, Zn, W, Ce, and Zr is preferable. As the compound, oxide, nitride, nitride oxide, and sulfide are preferable, and oxide, nitride, and nitride oxide are particularly preferable.

酸化物の例としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、あるいはそれらの混合物、ITO(インジウムチンオキシド)、IZO(インジウム亜鉛オキシド)、AZO(アルミニウム亜鉛オキシド)、酸化亜鉛、硫化亜鉛、ICO(インジウムセリウムオキシド)、酸化チタン等が挙げられる。窒化物としては窒化ケイ素等が挙げられる。これらの中でも、二酸化ケイ素または酸化窒化ケイ素が好ましい。二酸化ケイ素または酸化窒化ケイ素を用いて形成される無機膜は、透明で、かつ、高いガスバリア性を有することが可能となる。   Examples of oxides include aluminum oxide, silicon dioxide, silicon oxynitride, or mixtures thereof, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), AZO (aluminum zinc oxide), zinc oxide, zinc sulfide, ICO (Indium cerium oxide), titanium oxide, etc. are mentioned. Examples of the nitride include silicon nitride. Among these, silicon dioxide or silicon oxynitride is preferable. An inorganic film formed using silicon dioxide or silicon oxynitride is transparent and can have a high gas barrier property.

前記無機膜の平均厚さは、好ましくは5〜500nm、より好ましくは10〜250nmである。無機膜の平均厚さが薄すぎるとガスバリア性が不十分になるおそれがあり、逆に、厚すぎると膜にフレキシビリティがなくなって亀裂が生じやすくなる。
無機膜の結晶状態は、柱状構造や粒状構造を含まない均一なアモルファス構造が好ましい。柱状構造や粒状構造を含むと、結晶粒界がガス分子の拡散経路となりガスバリア性が低下するおそれがある。
The average thickness of the inorganic film is preferably 5 to 500 nm, more preferably 10 to 250 nm. If the average thickness of the inorganic film is too thin, the gas barrier property may be insufficient. On the other hand, if the inorganic film is too thick, the film loses flexibility and is likely to crack.
The crystalline state of the inorganic film is preferably a uniform amorphous structure that does not include a columnar structure or a granular structure. When a columnar structure or a granular structure is included, the crystal grain boundary becomes a gas molecule diffusion path, and the gas barrier property may be lowered.

無機膜はその形成方法によって特に制限されない。膜密度の高い無機膜を効率よく形成させることができる点で、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法が好ましく、真空蒸着法やCVD法がさらに好ましく、さらに有機膜や透明樹脂基材へのダメージが無くかつ膜密度を高めることができるという点で、アーク放電プラズマを用いた真空蒸着法やCVD法が特に好ましい。アーク放電プラズマを用いると適度なエネルギーを有する蒸発粒子が生成され高密度の膜を形成することができる。   The inorganic film is not particularly limited by the formation method. In terms of efficiently forming an inorganic film having a high film density, vacuum deposition, sputtering, and CVD are preferred, vacuum deposition and CVD are more preferred, and damage to organic films and transparent resin substrates is further preferred. In particular, a vacuum vapor deposition method and a CVD method using arc discharge plasma are particularly preferable in that the film density can be increased. When arc discharge plasma is used, evaporated particles having appropriate energy are generated, and a high-density film can be formed.

真空蒸着法は、10−2〜10−5Pa程度の真空中で抵抗加熱、電子ビーム加熱、レーザ光加熱、アーク放電などの方法で蒸着原料を加熱蒸発させて蒸着膜を形成する方法である。また、スパッタリング法は、アルゴンなどの不活性ガスが存在する1〜10−1Pa程度の真空中で、グロー放電などにより加速されたArなどの陽イオンをターゲット(蒸着原料)に撃突させて蒸着原料をスパッタ蒸発させ、樹脂フィルム基材表面などに蒸着膜を形成させる方法である。蒸発の方法としては、DC(直流)スパッタリング、RF(高周波)スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、バイアススパッタリングなどがある。イオンプレーティング法は、上記の真空蒸着法とスパッタリング法とを組み合わせたような蒸着法である。この方法で、1〜10−1Pa程度の真空中において、加熱により放出された蒸発原子を、電界中でイオン化と加速を行い、高エネルギー状態で薄膜を形成させることができる。
CVD法は、前記有機膜の形成におけるCVD法において、蒸着原料として金属若しくは半金属の化合物を用いるか、又は金属若しくは半金属の単体と、酸素原子、窒素原子若しくは硫黄原子を含有する物質とを組み合わせて用い、それらを蒸発させ、必要に応じて反応させて基材上に析出させ成膜する方法である。
これらの無機膜形成法の中でも、幅の広い膜を形成する場合、幅方向の膜厚均一性、密着性、生産性、及び歩留まりを向上することができるという点でスパッタリング法が好ましい。
The vacuum deposition method is a method of forming a deposited film by heating and evaporating a deposition material by a method such as resistance heating, electron beam heating, laser beam heating, arc discharge, etc. in a vacuum of about 10 −2 to 10 −5 Pa. . Further, in the sputtering method, a cation such as Ar + accelerated by glow discharge or the like is bombarded on a target (vapor deposition material) in a vacuum of about 1 to 10 −1 Pa in which an inert gas such as argon exists. In this method, the vapor deposition material is sputter evaporated to form a vapor deposition film on the surface of the resin film substrate. Examples of the evaporation method include DC (direct current) sputtering, RF (radio frequency) sputtering, magnetron sputtering, and bias sputtering. The ion plating method is a vapor deposition method in which the above vacuum vapor deposition method and the sputtering method are combined. By this method, in a vacuum of about 1 to 10 −1 Pa, evaporated atoms released by heating can be ionized and accelerated in an electric field to form a thin film in a high energy state.
The CVD method uses a metal or metalloid compound as a vapor deposition material in the CVD method in the formation of the organic film, or a metal or metalloid simple substance and a substance containing an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom. It is a method of using them in combination, evaporating them, reacting them as necessary, and depositing them on a substrate to form a film.
Among these inorganic film forming methods, when a wide film is formed, the sputtering method is preferable in that the film thickness uniformity in the width direction, adhesion, productivity, and yield can be improved.

本発明積層体を構成する透明樹脂基材は、透明性及び可とう性を有する透明樹脂から形成されたフィルム状の基材である。透明樹脂としては、例えば、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素添加物などの脂環構造含有重合体;ポリエチレンやポリプロピレンなどの鎖状オレフィン系重合体;ポリカーボネート系重合体;ポリエステル系重合体;ポリスルホン系重合体;ポリエーテルスルホン系重合体;ポリスチレン系重合体;ポリビニルアルコール系重合体、酢酸セルロース系重合体、ポリ塩化ビニル系重合体、ポリメタクリレート系重合体などが挙げられる。中でも脂環構造含有重合体が、透明性、低吸湿性、寸法安定性、軽量性などの観点から、特に好ましい。   The transparent resin base material which comprises this invention laminated body is a film-form base material formed from the transparent resin which has transparency and flexibility. Examples of the transparent resin include norbornene-based polymers, monocyclic cyclic olefin-based polymers, cyclic conjugated diene-based polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrogenated products containing these alicyclic structures. Polymers: Chain olefin polymers such as polyethylene and polypropylene; Polycarbonate polymers; Polyester polymers; Polysulfone polymers; Polyethersulfone polymers; Polystyrene polymers; Polyvinyl alcohol polymers, Cellulose acetates Examples thereof include a polymer, a polyvinyl chloride polymer, and a polymethacrylate polymer. Among these, an alicyclic structure-containing polymer is particularly preferable from the viewpoints of transparency, low hygroscopicity, dimensional stability, lightness, and the like.

前記透明樹脂基材を構成する透明樹脂の分子量は、溶媒としてシクロヘキサン(樹脂が溶解しない場合はトルエンやテトラヒドロフラン)を用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで測定したポリイソプレン又はポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)で、通常5,000〜100,000、好ましくは8,000〜80,000、より好ましくは10,000〜50,000である。Mwがこのような範囲にあるときに、基材の機械的強度及び成形加工性が高度にバランスされ好適である。
また、前記透明樹脂のガラス転移温度は、好ましくは80〜280℃、より好ましくは100〜250℃である。ガラス転移温度がこのような範囲にある透明樹脂から形成されたフィルム状基材は、高温下での使用においても変形や応力が生じることがなく耐久性に優れる。
The molecular weight of the transparent resin constituting the transparent resin substrate is a polyisoprene or polystyrene equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography using cyclohexane (toluene or tetrahydrofuran when the resin is not dissolved) as a solvent. (Mw) is usually 5,000 to 100,000, preferably 8,000 to 80,000, more preferably 10,000 to 50,000. When Mw is in such a range, the mechanical strength and moldability of the substrate are highly balanced, which is preferable.
Moreover, the glass transition temperature of the said transparent resin becomes like this. Preferably it is 80-280 degreeC, More preferably, it is 100-250 degreeC. A film-like substrate formed of a transparent resin having a glass transition temperature in such a range is excellent in durability without being deformed or stressed even when used at a high temperature.

透明樹脂基材の平均厚さは、機械的強度などの観点から、好ましくは30〜300μm、より好ましくは40〜200μmである。
また、透明樹脂基材の厚さ変動は、基材全幅にわたって前記平均厚さの3%以内であることが好ましい。基材の厚さ変動が前記範囲にあることにより、封止層の密着性及び表面平滑性を向上させることができる。
The average thickness of the transparent resin substrate is preferably 30 to 300 μm, more preferably 40 to 200 μm, from the viewpoint of mechanical strength and the like.
Moreover, it is preferable that the thickness fluctuation | variation of a transparent resin base material is less than 3% of the said average thickness over the base material full width. When the thickness variation of the substrate is in the above range, the adhesion and surface smoothness of the sealing layer can be improved.

透明樹脂基材は、揮発性成分の含有量が0.1重量%以下のものであることが好ましく、0.05重量%以下のものであることがより好ましい。揮発性成分の含有量が前記範囲にあることにより、積層体の寸法安定性が向上し、積層された無機膜や有機膜の厚みむらを小さくできる。   The transparent resin substrate preferably has a volatile component content of 0.1% by weight or less, and more preferably 0.05% by weight or less. When the content of the volatile component is in the above range, the dimensional stability of the laminate is improved, and the thickness unevenness of the laminated inorganic film or organic film can be reduced.

透明樹脂基材は、飽和吸水率が0.01重量%以下のものであることが好ましく、0.007重量%以下のものであることがより好ましい。飽和吸水率が高いものであると、無機膜又は有機膜と、透明樹脂基材との密着性が低くなり、長期間の使用において層剥離が生じやすくなる。さらに、基材から放出される水分により真空排気に時間を要したり、無機膜や有機膜が変質したりして、生産性や歩留まりが低下するおそれがある。基材の飽和吸水率は、JIS K7209に準拠して、基材をオーブンで乾燥させたものを蒸留水中に浸漬し、取り出して水分を拭取ったものの重量を測定し、浸漬前の重量と比較して、重量増加より吸水率を算出する。   The transparent resin substrate preferably has a saturated water absorption of 0.01% by weight or less, and more preferably 0.007% by weight or less. When the saturated water absorption is high, the adhesion between the inorganic film or the organic film and the transparent resin substrate is lowered, and delamination is likely to occur during long-term use. Furthermore, the time required for evacuation due to moisture released from the base material may change, or the inorganic film or the organic film may be altered, resulting in a decrease in productivity and yield. Based on JIS K7209, the saturated water absorption rate of the base material was measured by measuring the weight of the base material that had been dried in an oven, immersing it in distilled water, wiping the moisture, and comparing it with the weight before immersion. Then, the water absorption is calculated from the weight increase.

透明樹脂基材は、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、分散剤、塩素捕捉剤、難燃剤、結晶化核剤、ブロッキング防止剤、防曇剤、離型剤、顔料、有機又は無機の充填材、中和剤、滑剤、分解剤、金属不活性化剤、汚染防止材、抗菌剤やその他の樹脂、熱可塑性エラストマーなどの公知の添加剤を発明の効果が損なわれない範囲で含有することができる。これらの添加剤は、透明樹脂100重量部に対して、それぞれ、通常0〜5重量部、好ましくは0〜3重量部の範囲で配合される。   The transparent resin base material is an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, an antistatic agent, a dispersant, a chlorine scavenger, a flame retardant, a crystallization nucleating agent, an antiblocking agent, if necessary. Known antifogging agents, release agents, pigments, organic or inorganic fillers, neutralizing agents, lubricants, decomposition agents, metal deactivators, antifouling agents, antibacterial agents and other resins, thermoplastic elastomers, etc. An additive can be contained in the range which does not impair the effect of invention. These additives are each usually blended in an amount of 0 to 5 parts by weight, preferably 0 to 3 parts by weight, per 100 parts by weight of the transparent resin.

透明樹脂基材はその製造方法によって制限されず、例えば、溶液流延法または溶融押出成形法などで得ることができる。中でも、透明樹脂基材中の揮発性成分の含有量や厚さムラを少なくできる点から、溶融押出成形法が好ましい。さらに溶融押出成形法としては、ダイスを用いる方法やインフレーション法などが挙げられるが、厚さ精度や生産性に優れる点でダイス、特にTダイを用いる方法が好ましい。   A transparent resin base material is not restrict | limited by the manufacturing method, For example, it can obtain by the solution casting method or the melt extrusion method. Among these, the melt extrusion molding method is preferable because the content of volatile components in the transparent resin substrate and the thickness unevenness can be reduced. Further, examples of the melt extrusion method include a method using a die and an inflation method, but a method using a die, particularly a T die, is preferable in terms of excellent thickness accuracy and productivity.

本発明で使用する透明樹脂基材は、その透明度が、厚さ3mmでの全光線透過率として、好ましくは85%以上、より好ましくは90%以上である。透明度が小さすぎると光学用途に使用しにくくなるおそれがある。   The transparency of the transparent resin substrate used in the present invention is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, as the total light transmittance at a thickness of 3 mm. If the transparency is too small, it may be difficult to use for optical purposes.

前記透明樹脂基材として、片面又は両面に表面改質処理を施したものを使用してもよい。表面改質処理を行うことにより、有機膜や無機膜との密着性を向上させることができる。表面改質処理としては、エネルギー線照射処理や薬品処理などが挙げられる。
エネルギー線照射処理としては、コロナ放電処理、プラズマ処理、電子線照射処理、紫外線照射処理などが挙げられ、処理効率の点等から、コロナ放電処理及びプラズマ処理、特にコロナ放電処理が好ましい。
薬品処理としては、重クロム酸カリウム溶液、濃硫酸などの酸化剤水溶液中に浸漬し、その後充分に水で洗浄すればよい。浸漬した状態で振盪すると効率的であるが、長期間処理すると表面が溶解したり、透明性が低下したりするので、用いる薬品の反応性、濃度などに応じて処理時間などを調整する必要がある。
As the transparent resin base material, one having one or both surfaces subjected to surface modification treatment may be used. By performing the surface modification treatment, the adhesion with an organic film or an inorganic film can be improved. Examples of the surface modification treatment include energy beam irradiation treatment and chemical treatment.
Examples of the energy beam irradiation treatment include corona discharge treatment, plasma treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet ray irradiation treatment, and the like. From the viewpoint of treatment efficiency, corona discharge treatment and plasma treatment, particularly corona discharge treatment is preferable.
As chemical treatment, it may be immersed in an aqueous oxidizing agent solution such as potassium dichromate solution or concentrated sulfuric acid and then thoroughly washed with water. Shaking in the immersed state is efficient, but the surface dissolves or transparency decreases when treated for a long period of time, so it is necessary to adjust the treatment time according to the reactivity and concentration of the chemical used. is there.

本発明の積層体は、上記透明樹脂基材の片面または両面に、有機膜および無機膜を各1層または2層以上交互に積層した構造を有する。有機膜または無機膜の層は同数でもよいし、どちらかが1層多くてもよい。図2は本発明積層体100の一例を示す断面図である。透明樹脂基材12の上に、無機膜33、有機膜23及び無機膜34からなる封止膜42が積層されている。
透明樹脂基材に接する膜は有機膜であっても無機膜であっても良いが、樹脂フィルム基材に有機膜が接する態様であると、樹脂フィルム基材の表面に凹凸が存在しても、その上に有機膜が形成されることにより有機膜の表面が平滑になるので、その上に形成される無機膜は緻密で欠陥のない平滑な膜になってガスバリア性が高くなるので好ましい。また、この態様であると、樹脂フィルム基材が外力を受けても、有機膜により緩和されるので無機膜に亀裂が生じにくく、高いガスバリア性が永く保たれる。
The laminate of the present invention has a structure in which one or two or more organic films and inorganic films are alternately laminated on one side or both sides of the transparent resin substrate. The number of organic or inorganic films may be the same, or one of them may be one more. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the laminate 100 of the present invention. On the transparent resin substrate 12, a sealing film 42 composed of an inorganic film 33, an organic film 23, and an inorganic film 34 is laminated.
The film in contact with the transparent resin substrate may be an organic film or an inorganic film, but if the organic film is in contact with the resin film substrate, the surface of the resin film substrate may be uneven. Since the surface of the organic film is smoothed by forming the organic film thereon, the inorganic film formed on the organic film is preferable because it becomes a dense and smooth film without defects and has high gas barrier properties. In this embodiment, even if the resin film substrate is subjected to external force, it is relaxed by the organic film, so that the inorganic film is not easily cracked, and high gas barrier properties are maintained for a long time.

次に本発明の発光素子を説明する。図3は本発明発光素子の第一実施態様の一例を示す断面図である。本発明第一実施態様の発光素子200は、基板16、下部電極層54、発光材料層62、上部電極層55及び封止層105を順次積層してなり、該封止層が前記の本発明積層体である。   Next, the light emitting device of the present invention will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the first embodiment of the light emitting device of the present invention. The light emitting device 200 according to the first embodiment of the present invention comprises a substrate 16, a lower electrode layer 54, a light emitting material layer 62, an upper electrode layer 55 and a sealing layer 105, which are sequentially laminated. It is a laminate.

本発明の発光素子に用いる基板16としては、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑であり、かつ電極や該素子の各層を形成する際に変化しないものであるのが好ましい。このような基板としては、ガラス板、高分子フィルム等が挙げられる。基板の平均厚さは、通常30μm〜3mmで好ましくは50〜300μmである。   The substrate 16 used in the light-emitting device of the present invention has a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more, is smooth, and does not change when an electrode or each layer of the device is formed. Is preferred. Examples of such a substrate include a glass plate and a polymer film. The average thickness of the substrate is usually 30 μm to 3 mm, preferably 50 to 300 μm.

本発明の発光素子に用いる上部電極層55を構成する材料としては、上部電極層から光を出光させるための材料が挙げられ、具体的には導電性の金属酸化物や半透明の金属またはその積層体が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラス(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、中でもITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また上部電極層として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェンなどの有機の透明導電膜を用いてもよい。
上部電極層の平均厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、通常10nm〜10μmであり、好ましくは100〜500nmである。
本発明の発光素子においては、上部電極層が透明又は半透明であることが、発光の取出し効率がよく好都合である。上部電極層の作成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法が挙げられる。
Examples of the material constituting the upper electrode layer 55 used in the light emitting element of the present invention include a material for emitting light from the upper electrode layer, and specifically, a conductive metal oxide, a translucent metal, or a material thereof. A laminated body is mentioned. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and their composite materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, etc., conductive glass (NESA etc.), gold, platinum Silver, copper, etc. are used, and among them, ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Further, as the upper electrode layer, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof or polythiophene may be used.
The average thickness of the upper electrode layer can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, but is usually 10 nm to 10 μm, preferably 100 to 500 nm.
In the light emitting device of the present invention, it is convenient that the upper electrode layer is transparent or translucent because the emission efficiency of light emission is good. Examples of the method for forming the upper electrode layer include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

本発明の発光素子に用いる発光材料層62を構成する材料としては、特に制限はなく、従来有機EL素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このような発光材料の具体例としては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤や、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリジン化合物などが挙げられる。
発光材料層の平均厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmである。
本発明の発光素子においては、発光材料層に2種類以上の発光材料を混合して使用してもよく、2層以上の発光材料層が積層されていてもよい。発光材料層の作成方法としては、真空蒸着法、キャスト法などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as a material which comprises the light emitting material layer 62 used for the light emitting element of this invention, The well-known thing can be used as a light emitting material in a conventional organic EL element. Specific examples of such light-emitting materials include fluorescent brighteners such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, metal chelated oxinoid compounds, styrylbenzene compounds, distyrylpyrazine derivatives, and aromatic dimethylidine compounds. Etc.
The average thickness of the light-emitting material layer varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. For example, the average thickness is 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm. .
In the light emitting device of the present invention, two or more kinds of light emitting materials may be mixed and used in the light emitting material layer, or two or more light emitting material layers may be laminated. Examples of the method for forming the light emitting material layer include a vacuum deposition method and a casting method.

本発明の発光素子に用いる下部電極層54を構成する材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、発光材料層から下部電極層側に向かう発光光を反射させ、封止層側に向かわせるため鏡面体であることがさらに好ましい。具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち2つ以上の合金、あるいはそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。下部電極層を2層以上の積層構造としてもよい。下部電極層の作成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。
下部電極層の平均厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、通常10nm〜10μm、好ましくは100〜500nmである。
The material constituting the lower electrode layer 54 used in the light emitting device of the present invention is preferably a material having a small work function, in order to reflect the emitted light from the light emitting material layer toward the lower electrode layer and to direct it toward the sealing layer. More preferably, it is a mirror body. Specifically, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, And two or more alloys thereof, or an alloy of one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite An intercalation compound or the like is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. The lower electrode layer may have a laminated structure of two or more layers. Examples of the method for forming the lower electrode layer include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
The average thickness of the lower electrode layer can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is usually 10 nm to 10 μm, preferably 100 to 500 nm.

本発明の発光素子においては、透明基板16と、下部電極層54、発光材料層62、上部電極層55、及び封止層105のほかに他の層を有していてもよい。
他の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。
正孔注入層とは、下部電極に隣接して設ける層であり、下部電極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層をいう。正孔注入層の平均厚さは、通常1nm〜100nm、好ましくは2nm〜50nmである。
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいう。正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。したがって、正孔輸送層の平均厚さは、通常1nm〜1μm、好ましくは2nm〜500nmである。
正孔注入層や正孔輸送層に用いる材料としては、従来有機EL素子における正孔伝達化合物として公知のものが挙げられる。
The light emitting device of the present invention may have other layers in addition to the transparent substrate 16, the lower electrode layer 54, the light emitting material layer 62, the upper electrode layer 55, and the sealing layer 105.
Examples of the other layers include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
The hole injection layer is a layer provided adjacent to the lower electrode and refers to a layer having a function of improving hole injection efficiency from the lower electrode. The average thickness of the hole injection layer is usually 1 nm to 100 nm, preferably 2 nm to 50 nm.
The hole transport layer refers to a layer having a function of transporting holes. The thickness of the hole transport layer differs depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate, but at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the average thickness of the hole transport layer is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm.
Examples of materials used for the hole injection layer and the hole transport layer include those conventionally known as hole transport compounds in organic EL devices.

電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。したがって、電子輸送層の平均厚さは、通常1nm〜1μm、好ましくは2nm〜500nmである。
電子注入層とは、上部電極層に隣接して設けた層であって、上部電極からの電子注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものをいう。
電子注入層の平均厚さは、通常1nm〜100nmであり、好ましくは2nm〜50nmである。
電子輸送層、電子注入層に用いる材料としては、従来有機EL素子における電子伝達化合物として公知のものが挙げられる。
これらその他の層の作成方法としては、スピンコート法、キャスト法、真空蒸着法などが挙げられる。
The electron transport layer refers to a layer having a function of transporting electrons.
The thickness of the electron transport layer varies depending on the material used and may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values, but at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the drive voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the average thickness of the electron transport layer is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm.
The electron injection layer is a layer provided adjacent to the upper electrode layer and has a function of improving the electron injection efficiency from the upper electrode and has an effect of reducing the driving voltage of the element.
The average thickness of the electron injection layer is usually 1 nm to 100 nm, preferably 2 nm to 50 nm.
Examples of materials used for the electron transport layer and the electron injection layer include those conventionally known as electron transport compounds in organic EL devices.
Examples of methods for forming these other layers include spin coating, casting, and vacuum deposition.

第一実施態様の封止層105は前記した本発明積層体である。すなわち、封止層105は透明樹脂基材12と、無機膜33、有機膜23及び無機膜34からなる封止膜42とから構成されている。本発明積層体によって発光素子を被い、密着させることによって、水蒸気や酸素などによる発光材料層の劣化を防止できる。
本発明の有機EL素子においては、下部電極層、発光材料層及び上部電極層の側面を覆うように封止層が設けられることが好ましく、さらに透明基板まで覆うことがさらに好ましい。封止層を前記のように設けることにより、側面から侵入する水分やガスを遮蔽できる。図2では透明基板16と封止層105とを接着剤300で封止している。
The sealing layer 105 of the first embodiment is the above-described laminate of the present invention. That is, the sealing layer 105 includes the transparent resin base material 12 and the sealing film 42 composed of the inorganic film 33, the organic film 23, and the inorganic film 34. By covering and closely adhering the light emitting element with the laminate of the present invention, deterioration of the light emitting material layer due to water vapor or oxygen can be prevented.
In the organic EL device of the present invention, it is preferable that a sealing layer is provided so as to cover the side surfaces of the lower electrode layer, the light emitting material layer, and the upper electrode layer, and it is more preferable to cover the transparent substrate. By providing the sealing layer as described above, moisture and gas entering from the side surface can be shielded. In FIG. 2, the transparent substrate 16 and the sealing layer 105 are sealed with an adhesive 300.

図4は本発明発光素子の第二実施態様の一例を示す断面図である。本発明第二実施態様の発光素子201は、基板100、下部電極層56、発光材料層63、上部電極層57及び封止層400を順次積層してなり、該基板100が前記の本発明積層体である。
下部電極層56、発光材料層63、及び上部電極層57は第一実施態様と同じである。封止層400は有機EL素子において通常に用いられているものが用いられる。
第二実施態様の基板100は前記した本発明積層体である。本発明積層体の上に、電極層、発光材料層等を積層することによって、基板側からの水蒸気や酸素などの透過を防ぎ、電極層及び発光材料層の劣化を防止できる。本発明の発光素子に用いる基板100としては、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑であり、かつ電極や該素子の各層を形成する際に変化しないものであるのが好ましい。基板の平均厚さは、通常30μm〜3mmで好ましくは50〜300μmである。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the second embodiment of the light emitting device of the present invention. The light emitting device 201 according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 100, a lower electrode layer 56, a light emitting material layer 63, an upper electrode layer 57, and a sealing layer 400, which are sequentially stacked. Is the body.
The lower electrode layer 56, the light emitting material layer 63, and the upper electrode layer 57 are the same as in the first embodiment. As the sealing layer 400, a layer normally used in an organic EL element is used.
The substrate 100 of the second embodiment is the above-described laminate of the present invention. By laminating an electrode layer, a light emitting material layer, and the like on the laminate of the present invention, permeation of water vapor, oxygen, and the like from the substrate side can be prevented, and deterioration of the electrode layer and the light emitting material layer can be prevented. The substrate 100 used in the light emitting device of the present invention has a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more, is smooth, and does not change when forming electrodes and each layer of the device. Is preferred. The average thickness of the substrate is usually 30 μm to 3 mm, preferably 50 to 300 μm.

本発明発光素子の第三実施態様は、基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、前記封止層が少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなり、該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを原料としてなる膜である。
第三実施態様としての有機EL素子(発光素子)の断面図を図5に示す。
図5は、本発明の有機EL素子202を構成する封止層44が複数層からなる場合の一例の断面図である。図5の有機EL素子は、透明基板14、下部電極層50、発光材料層60、上部電極層51、及び封止層44とから構成されており、透明基板14の上に下部電極層50、発光材料層60、上部電極層51順次積層され、下部電極層50、発光材料層60及び上部電極層51が、封止層44により封止されている。そして、この封止層44が、少なくとも一つの無機膜38、39及び少なくとも一つの有機膜26、27を積層してなり、該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有炭化水素重合体とを原料としてなる膜からなっている。
In a third embodiment of the light emitting device of the present invention, a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked, and the sealing layer includes at least one inorganic film and at least one organic layer. The organic film is a film obtained by using at least a metal or semimetal simple substance or compound and an alicyclic structure-containing polymer as raw materials.
FIG. 5 shows a sectional view of an organic EL element (light emitting element) as a third embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view of an example when the sealing layer 44 constituting the organic EL element 202 of the present invention is composed of a plurality of layers. The organic EL element of FIG. 5 includes a transparent substrate 14, a lower electrode layer 50, a light emitting material layer 60, an upper electrode layer 51, and a sealing layer 44. The lower electrode layer 50, The light emitting material layer 60 and the upper electrode layer 51 are sequentially laminated, and the lower electrode layer 50, the light emitting material layer 60, and the upper electrode layer 51 are sealed with a sealing layer 44. The sealing layer 44 is formed by laminating at least one inorganic film 38, 39 and at least one organic film 26, 27. The organic film includes at least a simple substance or compound of metal or metalloid, and a fat. It consists of a film made from a ring structure-containing hydrocarbon polymer.

第三実施態様の封止層44は、前記した本発明積層体100を構成する封止膜42と同様の構成をなすものである。封止層の形成方法及び好ましい態様は、透明樹脂基材12を、透明基板14、下部電極層50、発光材料層60及び上部電極層51を積層したものに置き換えた以外は、前記の本発明積層体の説明で述べたものと同じである。   The sealing layer 44 of the third embodiment has the same configuration as the sealing film 42 constituting the above-described laminate 100 of the present invention. The method for forming the sealing layer and the preferred embodiment are as described above, except that the transparent resin substrate 12 is replaced with a laminate of the transparent substrate 14, the lower electrode layer 50, the light emitting material layer 60, and the upper electrode layer 51. This is the same as described in the explanation of the laminate.

本発明の発光素子において、封止層の水蒸気透過速度が0.1g/m/24hr以下であることが好ましく、0.09g/m/24hr以下であることがさらに好ましい。これにより十分な封止が可能となり、発光材料の劣化が抑制される。水蒸気透過速度は、JIS−K7129のB法に準拠して、市販の水蒸気透過速度測定器を用いて測定できる。なお、封止層が積層体である場合は、積層体全体の水蒸気透過速度を意味する。
本発明の発光素子において、封止層の平均厚さは好ましくは10nm〜1μm、さらに好ましくは100nm〜500nmである。
In the light-emitting element of the present invention, it is preferable that the water vapor transmission rate of the sealing layer is less than 0.1g / m 2 / 24hr, more preferably not more than 0.09g / m 2 / 24hr. Thereby, sufficient sealing becomes possible and deterioration of the light emitting material is suppressed. The water vapor transmission rate can be measured using a commercially available water vapor transmission rate measuring device in accordance with the method B of JIS-K7129. In addition, when a sealing layer is a laminated body, the water vapor transmission rate of the whole laminated body is meant.
In the light emitting device of the present invention, the average thickness of the sealing layer is preferably 10 nm to 1 μm, more preferably 100 nm to 500 nm.

図6は本発明発光素子の第四実施態様の一例を示す断面図である。本発明第四実施態様の発光素子203は、第一実施態様と第二実施態様との組み合わせに相当するもので、具体的には基板100、下部電極層58、発光材料層64、上部電極層59及び封止層105を順次積層させてなり、該基板100及び封止層105がともに前記した本発明積層体である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the fourth embodiment of the light emitting device of the present invention. The light-emitting element 203 of the fourth embodiment of the present invention corresponds to a combination of the first embodiment and the second embodiment. Specifically, the substrate 100, the lower electrode layer 58, the light-emitting material layer 64, the upper electrode layer. 59 and the sealing layer 105 are sequentially laminated, and both the substrate 100 and the sealing layer 105 are the above-described laminate of the present invention.

図7は本発明発光素子の第五実施態様の一例を示す断面図である。本発明第五実施態様の発光素子204は、第二実施態様と第三実施態様との組み合わせに相当するもので、具体的には基板100、下部電極層50、発光材料層60、上部電極層51及び封止層44を順次積層させてなり、該基板が前記の本発明積層体であり、前記封止層が少なくとも一つの無機膜38、39及び少なくとも一つの有機膜26、27を積層してなり、該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有炭化水素重合体とを原料としてなる膜である。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the fifth embodiment of the light emitting device of the present invention. The light emitting element 204 of the fifth embodiment of the present invention corresponds to a combination of the second embodiment and the third embodiment. Specifically, the substrate 100, the lower electrode layer 50, the light emitting material layer 60, the upper electrode layer. 51 and a sealing layer 44 are sequentially laminated, the substrate is the above-described laminate of the present invention, and the sealing layer is formed by laminating at least one inorganic film 38, 39 and at least one organic film 26, 27. Thus, the organic film is a film made of at least a metal or metalloid simple substance or compound and an alicyclic structure-containing hydrocarbon polymer.

本発明発光素子は、非発光時において、波長400nm〜800nmの範囲の光線透過率が好ましくは80%以上、特に好ましくは90%以上である。自動車等のフロントガラス等に本発明発光素子を設けても、非発光時における光線透過率が高いことから、前方視認性が妨げられないという効果を奏するようになる。   The light emitting device of the present invention preferably has a light transmittance in the wavelength range of 400 nm to 800 nm when not emitting light, preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more. Even if the light emitting element of the present invention is provided on a windshield of an automobile or the like, the light transmittance at the time of non-light emission is high, so that the front visibility is not hindered.

本発明の発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。   The light emitting device of the present invention can be used as a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a backlight of a liquid crystal display device, and the like.

本発明の発光素子を備えた面状光源とするためには、面状の陽極(上部電極層)と陰極(下部電極層)を配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/Offできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる重合体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動でも、アモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタなどと組み合わせたアクティブ駆動でもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   In order to obtain a planar light source including the light emitting element of the present invention, a planar anode (upper electrode layer) and a cathode (lower electrode layer) may be disposed. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non-light-emitting. There are a method of emitting light and a method of forming either or both of the anode and the cathode in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols, and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymers having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element may be either passive drive or active drive combined with a thin film transistor using amorphous silicon or low-temperature polysilicon. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like. Furthermore, the planar light-emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

本発明を、実施例及び比較例を示しながら、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
なお部及び%は特に断りのない限り重量基準である。
実施例1
図2は、本発明の実施例1〜3における積層体の断面図である。
実施例1では、透明樹脂基材12として、脂環構造含有重合体(日本ゼオン社製、ゼオノア1620)を押出成形して得た平均厚さ100μmのフィルムを用い、該基材にSiOをターゲット材としたRFスパッタ法で平均厚さ200nmの無機膜33を形成した。次いで、脂環構造含有重合体(日本ゼオン社製、ゼオノア1620)を蒸発レート90nm/分、及びSiOを蒸発レート10nm/分で、原料供給し電子ビーム蒸着法で厚み1μmの有機膜23を前記無機膜上に形成した。さらに、SiOをターゲット材としたRFスパッタ法で平均厚さ200nmの無機膜34を前記有機膜上に形成し、封止層42を有する積層体100を得た。
The present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.
Parts and% are based on weight unless otherwise specified.
Example 1
FIG. 2 is a cross-sectional view of the laminated body in Examples 1 to 3 of the present invention.
In Example 1, a film having an average thickness of 100 μm obtained by extruding an alicyclic structure-containing polymer (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., ZEONOR 1620) was used as the transparent resin substrate 12, and SiO 2 was formed on the substrate. An inorganic film 33 having an average thickness of 200 nm was formed by RF sputtering as a target material. Subsequently, an alicyclic structure-containing polymer (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., ZEONOR 1620) is supplied with raw materials at an evaporation rate of 90 nm / min and SiO 2 at an evaporation rate of 10 nm / min. It formed on the said inorganic film. Furthermore, an inorganic film 34 having an average thickness of 200 nm was formed on the organic film by RF sputtering using SiO 2 as a target material, and a laminate 100 having a sealing layer 42 was obtained.

(有機膜の吸水率)
上記積層体の製造途中で得られる透明樹脂基材/無機膜/有機膜の層構成の積層中間体を60℃のオーブンに入れて30分間乾燥した後、60℃の水中に24時間浸し、水浸漬前後の重量差を測定し、積層中間体の乾燥重量に対する比率を算出し求めた。
(Water absorption rate of organic film)
The laminated intermediate having a layer structure of transparent resin substrate / inorganic film / organic film obtained during the production of the laminate is placed in an oven at 60 ° C. and dried for 30 minutes, then immersed in water at 60 ° C. for 24 hours, The weight difference before and after the immersion was measured, and the ratio of the laminated intermediate to the dry weight was calculated and determined.

(有機膜の組成)
X線電子分光装置にて測定し、SiとCの体積比を求めた。
(無機膜と有機膜とからなる封止膜の水蒸気透過速度)
JIS K7129のB法(赤外センサー法)に準拠して、水蒸気透過速度測定器(MOCON社製、「Permatran」)を用いて、40℃、90%RH環境下で測定した。なお、水蒸気透過速度を測定する際には、基材としてPETフィルム(平均厚さ100μm)を用い、この基材上に封止膜を形成させた積層体を測定対象に用いる。そして、下記の式により封止層の水蒸気透過速度を算出する。別途基材のみの水蒸気透過速度も測定しておく。
Po/do=(df/Pf+ds/Ps)−1
上記式において、Po、Pf、Psはそれぞれ積層体、封止層、基材フィルムの水蒸気透過速度を表し、do、df、dsはそれぞれ積層体、封止層、基材フィルムの平均厚さを表す。水蒸気透過速度が小さいほど、水蒸気バリア性に優れる。
(Composition of organic film)
The volume ratio of Si and C was determined by measurement with an X-ray electron spectrometer.
(Water vapor transmission rate of sealing film composed of inorganic and organic films)
In accordance with JIS K7129 method B (infrared sensor method), the measurement was performed using a water vapor transmission rate meter (manufactured by MOCON, “Permatran”) in an environment of 40 ° C. and 90% RH. When measuring the water vapor transmission rate, a PET film (average thickness: 100 μm) is used as a substrate, and a laminate in which a sealing film is formed on the substrate is used as a measurement target. And the water vapor transmission rate of a sealing layer is computed by the following formula. Separately, the water vapor transmission rate of only the substrate is also measured.
Po / do = (df / Pf + ds / Ps) -1
In the above formula, Po, Pf, and Ps represent the water vapor transmission rates of the laminate, the sealing layer, and the substrate film, respectively, and do, df, and ds represent the average thicknesses of the laminate, the sealing layer, and the substrate film, respectively. Represent. The smaller the water vapor transmission rate, the better the water vapor barrier property.

(密着性)
JIS D0202−1988に準拠してクロスカット粘着テープ試験により、封止膜の表面部分を100ピースにカットし、カットした各ピースに粘着テープを貼った後、剥がした際の剥離していないピース数を数える。ピース数が少ないほど、密着性に優れる。これらの評価結果を表1に示す。
(Adhesion)
The number of pieces that have not been peeled off when the surface portion of the sealing film is cut into 100 pieces by applying a cross-cut adhesive tape test in accordance with JIS D0202-1988, and the adhesive tape is applied to each cut piece and then peeled off. Count. The smaller the number of pieces, the better the adhesion. These evaluation results are shown in Table 1.

実施例2
有機膜23の形成において、脂環構造含有重合体(日本ゼオン社製、ゼオノア1620)の蒸発レート60nm/分、及びSiOを蒸発レート40nm/分に変更した以外は実施例1と同様にして積層体を得、評価した。評価結果を表1に示す。
実施例3
有機膜23の形成において、脂環構造含有重合体(日本ゼオン社製、ゼオノア1620)の蒸発レート10nm/分、及びSiOを蒸発レート90nm/分に変更した以外は実施例1と同様にして積層体を得、評価した。評価結果を表1に示す。
Example 2
In the formation of the organic film 23, the same procedure as in Example 1 was performed except that the evaporation rate of the alicyclic structure-containing polymer (Zeonor 1620, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and SiO 2 was changed to an evaporation rate of 40 nm / min. A laminate was obtained and evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
Example 3
In the formation of the organic film 23, the same procedure as in Example 1 was performed except that the evaporation rate of the alicyclic structure-containing polymer (Zeonor 1620, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and SiO 2 was changed to an evaporation rate of 90 nm / min. A laminate was obtained and evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

比較例1
有機膜の形成において、脂環構造含有重合体(日本ゼオン社製、ゼオノア1620)の蒸発レート100nm/分、及びSiOを蒸発レート0nm/分に変更した以外は実施例1と同様にして積層体を得、評価した。評価結果を表1に示す。
Comparative Example 1
In the formation of the organic film, lamination was carried out in the same manner as in Example 1 except that the evaporation rate of the alicyclic structure-containing polymer (Zeonor 1620, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) and SiO 2 was changed to an evaporation rate of 0 nm / min. A body was obtained and evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2005319678
表中COPはシクロオレフィンポリマーの略称であり、脂環構造含有重合体を表す。
Figure 2005319678
In the table, COP is an abbreviation for cycloolefin polymer and represents an alicyclic structure-containing polymer.

(発光寿命T)
有機EL素子を20℃、40%RH環境下において、初期発光輝度を100cd/mとなる条件で定電流連続駆動させ、発光輝度が初期発光輝度の半分に低下するまでに要する時間を測定する。時間が長いほど発光寿命に優れる。
(耐擦傷性)
封止層の表面を♯0000のスチールウールを用いて、0.5kg重の荷重をかけて3往復擦った後、封止層の剥離状態若しくは表面についた傷の本数を目視で数える。封止層が剥離せず且つ傷の本数が少ないほど耐擦傷性に優れる。
(Luminescence lifetime T)
The organic EL element is continuously driven at a constant current under the condition that the initial emission luminance is 100 cd / m 2 in an environment of 20 ° C. and 40% RH, and the time required until the emission luminance is reduced to half of the initial emission luminance is measured. . The longer the time, the better the light emission life.
(Abrasion resistance)
The surface of the sealing layer was rubbed 3 times with a load of 0.5 kg using # 0000 steel wool, and then the peeled state of the sealing layer or the number of scratches on the surface was visually counted. The more the sealing layer does not peel and the fewer the number of scratches, the better the scratch resistance.

実施例4
図3は、本発明の実施例4における発光素子の断面図である。
ガラス基板16上に、10−2Pa以下の真空度まで減圧したDCスパッタリング装置内にて、下部電極層54としてITOを200nmの膜厚で形成した。このとき成膜速度は30 nm/minであった。その次に発光材料層62として10−4Pa以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置にて、8−ハイドロキシキノリンアルミ(以下Alq3)を70nmの膜厚で形成した。このときの蒸着速度は0.5nm/minであった。次に同様の抵抗加熱蒸着装置内にて、上部電極層55としてAlを100nmの膜厚で形成した。
次に、前記ガラス基板16上に形成した下部電極54から上部電極55までを覆うように、実施例1で得られた積層体100の透明樹脂基材側をガラス基板16とエポキシ系接着剤300により貼り合わせ、封止層105を有する発光素子200を得た。得られた発光素子200の評価結果を表2に示す。
Example 4
FIG. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device in Example 4 of the present invention.
On the glass substrate 16, ITO was formed to a thickness of 200 nm as the lower electrode layer 54 in a DC sputtering apparatus whose pressure was reduced to 10 −2 Pa or less. At this time, the deposition rate was 30 nm / min. Next, 8-hydroxyquinoline aluminum (hereinafter referred to as Alq3) was formed as a light emitting material layer 62 with a film thickness of 70 nm by a resistance heating vapor deposition apparatus reduced in pressure to 10 −4 Pa or less. The vapor deposition rate at this time was 0.5 nm / min. Next, Al was formed with a film thickness of 100 nm as the upper electrode layer 55 in the same resistance heating vapor deposition apparatus.
Next, the transparent resin base material side of the laminate 100 obtained in Example 1 is placed on the glass substrate 16 and the epoxy adhesive 300 so as to cover the lower electrode 54 to the upper electrode 55 formed on the glass substrate 16. Thus, a light-emitting element 200 having the sealing layer 105 was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the light-emitting element 200 obtained.

実施例5
図4は、本発明の実施例5における発光素子の断面図である。
実施例1で得られた積層体100上に、下部電極層56としてITOを200nm、発光材料層63としてAlq3を70nm、上部電極層57としてAlを100nm、の膜厚で実施例4と同様にして順次形成した。次に、前記積層体100上に形成した下部電極56から上部電極57までを覆うように、積層体100とガラス蓋400とをエポキシ系接着剤301で貼り合わせ、発光素子201を得た。得られた発光素子201の評価結果を表2に示す。
Example 5
FIG. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device in Example 5 of the present invention.
On the laminated body 100 obtained in Example 1, ITO is 200 nm as the lower electrode layer 56, Alq3 is 70 nm as the light emitting material layer 63, and Al is 100 nm as the upper electrode layer 57, in the same manner as in Example 4. Were formed sequentially. Next, the laminate 100 and the glass lid 400 were bonded with an epoxy adhesive 301 so as to cover the lower electrode 56 to the upper electrode 57 formed on the laminate 100, whereby the light emitting element 201 was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the light-emitting element 201 obtained.

実施例6
図5は、本発明の実施例6における発光素子の断面図である。
ガラス基板14上に、下部電極50としてITOを200nm、発光材料層60としてAlq3を70nm、上部電極51としてAlを100nm、の膜厚で実施例4と同様にして順次形成した。
次に、前記ガラス基板14上の下部電極50から上部電極51までを覆うように、まず10−2Pa以下の真空度まで減圧した電子ビーム蒸着装置内にて、脂環構造含有重合体を蒸発速度90nm/minおよびSiOを蒸発速度10nm/minで同時に蒸発させ300nmの有機膜26を形成した。その次に10−2Pa以下の真空度まで減圧したDCスパッタリング装置内にて、200nmのSiOの無機膜38を形成した。さらに同様の方法で、材料により有機膜27、無機膜39を順次積層させ、封止層44を有する発光素子202を得た。得られた発光素子202の評価結果を表2に示す。
Example 6
FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device in Example 6 of the present invention.
On the glass substrate 14, ITO was formed in a thickness of 200 nm as the lower electrode 50, Alq3 was 70 nm as the light emitting material layer 60, and Al was 100 nm as the upper electrode 51 in the same manner as in Example 4.
Next, the alicyclic structure-containing polymer is evaporated in an electron beam vapor deposition apparatus first decompressed to a vacuum of 10 −2 Pa or less so as to cover the lower electrode 50 to the upper electrode 51 on the glass substrate 14. An organic film 26 of 300 nm was formed by simultaneously evaporating SiO 2 at a rate of 90 nm / min and an evaporation rate of 10 nm / min. Next, a 200 nm SiO 2 inorganic film 38 was formed in a DC sputtering apparatus whose pressure was reduced to 10 −2 Pa or less. Further, in the same manner, the organic film 27 and the inorganic film 39 were sequentially stacked according to the material, and the light emitting element 202 having the sealing layer 44 was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the light-emitting element 202 obtained.

実施例7
図6は、本発明の実施例7における発光素子の断面図である。実施例1で得られた積層体100上に、下部電極58としてITOを200nm、発光材料層64としてAlq3を70nm、上部電極59としてAlを100nm、の膜厚で実施例4と同様にして順次形成した。
次に、前記積層体100上の下部電極58から上部電極59までを覆うように、実施例1で得られた積層体100の透明樹脂基材側が積層体100とエポキシ系接着剤302により貼り合わせ、封止層105を有する発光素子203を得た。得られた発光素子203の評価結果を表2に示す。
Example 7
FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device in Example 7 of the present invention. On the laminate 100 obtained in Example 1, the ITO film as the lower electrode 58, the thickness of Alq3 as the light emitting material layer 64, 70 nm, and the upper electrode 59, Al as the film thickness of 100 nm, were sequentially formed in the same manner as in Example 4. Formed.
Next, the transparent resin substrate side of the laminate 100 obtained in Example 1 is bonded to the laminate 100 and the epoxy adhesive 302 so as to cover the lower electrode 58 to the upper electrode 59 on the laminate 100. Thus, a light-emitting element 203 having the sealing layer 105 was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the light-emitting element 203 obtained.

実施例8
図7は、本発明の実施例8における発光素子の断面図である。
実施例1で得られた積層体100上に、下部電極52としてITOを200nm、発光材料層61としてAlq3を70nm、上部電極53としてAlを100nm、の膜厚で実施例4と同様にして順次形成した。
次に、前記積層体100上の下部電極52から上部電極53までを覆うように、実施例6と同様の方法で封止層44を形成し、発光素子204を得た。得られた発光素子204の評価結果を表2に示す。
Example 8
FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device in Example 8 of the present invention.
On the laminate 100 obtained in Example 1, the ITO film as the lower electrode 52, the thickness of the light emitting material layer 61, Alq3 as 70 nm, and the upper electrode 53 as Al, the film thickness of 100 nm, were sequentially formed in the same manner as in Example 4. Formed.
Next, a sealing layer 44 was formed by the same method as in Example 6 so as to cover from the lower electrode 52 to the upper electrode 53 on the multilayer body 100, whereby a light emitting element 204 was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the light-emitting element 204 obtained.

比較例2
実施例6の有機膜26および27が、脂環構造含有重合体を蒸発速度90nm/minで電子ビームにより300nmの膜厚で形成した有機膜(SiO不含有)であること以外は実施例6と同様にして発光素子を得た。得られた発光素子の評価結果を表2に示す。
Comparative Example 2
Example 6 except that the organic films 26 and 27 of Example 6 are organic films (SiO 2 free) formed by forming an alicyclic structure-containing polymer with a film thickness of 300 nm by an electron beam at an evaporation rate of 90 nm / min. In the same manner as described above, a light emitting element was obtained. Table 2 shows the evaluation results of the obtained light-emitting element.

比較例3
実施例6の封止層44が、無機膜38、39を形成させずに、テトラフルオロエチレンを100sccm(=0.169Pa・m/s)の蒸発流量で真空チャンバー内に導入し、プラズマCVD法により有機膜の単層を形成したこと以外は実施例6と同様にして、発光素子を得た。なおこの時、成膜速度90nm/minで膜厚は300nmであった。得られた発光素子の評価結果を表2に示す。
Comparative Example 3
The sealing layer 44 of Example 6 introduces tetrafluoroethylene into the vacuum chamber at an evaporation flow rate of 100 sccm (= 0.169 Pa · m 3 / s) without forming the inorganic films 38 and 39, and performs plasma CVD. A light emitting device was obtained in the same manner as in Example 6 except that a single layer of an organic film was formed by the method. At this time, the film formation rate was 90 nm / min and the film thickness was 300 nm. Table 2 shows the evaluation results of the obtained light-emitting element.

比較例4
実施例6の封止層44が、無機膜38、39を形成させずに、ヘキサメチルジシロキサンを100sccm(=0.169Pa・m/s)の蒸発流量で真空チャンバー内に導入し、プラズマCVD法により有機膜の単層を形成したこと以外は実施例6に同様である発光素子を得た。なおこの時、成膜速度90nm/minで膜厚は300nmであった。得られた発光素子の評価結果を表2に示す。
Comparative Example 4
The sealing layer 44 of Example 6 introduces hexamethyldisiloxane into the vacuum chamber at an evaporation flow rate of 100 sccm (= 0.169 Pa · m 3 / s) without forming the inorganic films 38 and 39, and plasma A light emitting device similar to that in Example 6 was obtained except that a single layer of an organic film was formed by CVD. At this time, the film formation rate was 90 nm / min and the film thickness was 300 nm. Table 2 shows the evaluation results of the obtained light-emitting element.

Figure 2005319678
Figure 2005319678

表2の結果から以下のことがわかる。実施例に示すように、本発明の積層体を透明基板に用いたEL素子若しくは封止層に本発明の特徴である有機層を積層したEL素子は、発光強度、発光寿命、耐擦傷性、密着性及び水蒸気バリア性に優れている。
一方、比較例に示すように、本発明の積層体を透明基板として用いず、無機膜及び有機膜の積層からなる封止層の有機膜にSiOを含ませなかったEL素子(比較例2)は、発光寿命、密着性及び水蒸気バリア性に劣る。
The following can be seen from the results in Table 2. As shown in the examples, an EL element using the laminate of the present invention for a transparent substrate or an EL element in which an organic layer, which is a feature of the present invention, is laminated on a sealing layer has light emission intensity, light emission lifetime, scratch resistance, Excellent adhesion and water vapor barrier properties.
On the other hand, as shown in the comparative example, an EL device in which the laminate of the present invention was not used as a transparent substrate and SiO 2 was not included in the organic film of the sealing layer composed of a laminate of an inorganic film and an organic film (Comparative Example 2 ) Is inferior in light emission life, adhesion and water vapor barrier properties.

典型的な有機EL素子の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a typical organic EL element. 本発明の積層体の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the laminated body of this invention. 本発明の発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element of this invention. 本発明の発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element of this invention. 本発明の発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element of this invention. 本発明の発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element of this invention. 本発明の発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

12:透明樹脂基材、42:封止膜、33及び34:無機膜、23:有機膜   12: Transparent resin base material, 42: Sealing film, 33 and 34: Inorganic film, 23: Organic film

Claims (10)

少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜と、透明樹脂基材とからなる積層体であって、
有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを原料としてなる膜である積層体。
A laminate comprising a sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film, and a transparent resin base material,
A laminate in which the organic film is a film made from at least a metal or metalloid simple substance or compound and an alicyclic structure-containing polymer.
基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該封止層が請求項1記載の積層体である発光素子。 The light emitting element which is a laminated body according to claim 1, wherein a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially stacked. 基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、該基板が請求項1記載の積層体である発光素子。 The light emitting device according to claim 1, wherein a substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer, and a sealing layer are sequentially laminated, and the substrate is a laminate according to claim 1. 基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、
前記封止層が少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜であり、
該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有重合体とを原料としてなる膜である、発光素子。
A substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer and a sealing layer are sequentially laminated,
The sealing layer is a sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film;
A light-emitting element in which the organic film is a film using at least a metal or metalloid simple substance or compound and an alicyclic structure-containing polymer as raw materials.
基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、
該基板及び封止層が請求項1記載の積層体である、発光素子。
A substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer and a sealing layer are sequentially laminated,
The light emitting element whose said board | substrate and sealing layer are the laminated bodies of Claim 1.
基板、下部電極層、発光材料層、上部電極層及び封止層を順次積層してなり、
該基板が請求項1記載の積層体であり、
前記封止層が少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を積層してなる封止膜であり、
該有機膜が、少なくとも、金属若しくは半金属の単体若しくは化合物と、脂環構造含有炭化水素重合体とを原料としてなる膜である、発光素子。
A substrate, a lower electrode layer, a light emitting material layer, an upper electrode layer and a sealing layer are sequentially laminated,
The substrate is a laminate according to claim 1,
The sealing layer is a sealing film formed by laminating at least one inorganic film and at least one organic film;
A light-emitting element, wherein the organic film is a film using at least a metal or semimetal simple substance or compound and an alicyclic structure-containing hydrocarbon polymer as raw materials.
非発光時において、波長400nmから800nmの範囲の光線透過率が80%以上であることを特徴とする請求項2〜6のいずれか記載の発光素子。 The light emitting device according to any one of claims 2 to 6, wherein the light transmittance in the wavelength range of 400 nm to 800 nm is 80% or more when no light is emitted. 請求項2〜7のいずれか記載の発光素子を備えた面状光源。 A planar light source comprising the light emitting device according to claim 2. 請求項2〜7のいずれか記載の発光素子を備えたドットマトリックス表示装置。 A dot matrix display device comprising the light emitting device according to claim 2. 請求項2〜7のいずれか記載の発光素子をバックライトとして備えた液晶表示装置。 A liquid crystal display device comprising the light emitting device according to claim 2 as a backlight.
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