KR101928318B1 - 압력 검출 방법 및 압력 검출 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 압력 검출 방법을 제공하였으며, 이는 제1 전자장치의 미리 설정된 압력 및, 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력이 상기 제1 전자장치의 입력 매체에 작용하여 발생되는 변형 신호의 검출을 통해 획득되는 특징 데이터를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계; 상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 근거로, 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내고, 제2 전자장치가 상기 제2 전자장치의 입력매체가 작용력을 받을 때 검출되는 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하기 위한 적합함수를 결정하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예는 전자장치의 복수 그룹의 샘플 데이터를 근거로, 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 결정할 수 있다.

Description

압력 검출 방법 및 압력 검출 장치
본 발명은 단말장치 분야에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 압력 검출 방법 및 장치에 관한 것이다.
이동전자장치는 사람들의 일상생활과 업무에 적지 않은 편리함을 가져왔으며, 이미 사람들의 필수불가결한 도구가 되었다. 이동전자장치용 입력장치는 키보드, 마우스, 조이스틱, 레이저 펜 및 터치 스크린 등과 같이 여러 종류가 있다. 터치 기술은 양호한 상호작용성으로 인해 각종 전자장치에 급속하게 응용되고 있으며, 상기 기술은 이미 성숙 단계에 이르러 상기 기술을 기반으로 하는 각종 가능한 어플리케이션 역시 충분히 발굴되고 있다.
기술이 발전함에 따라, 휴대폰, 태블릿 등과 같은 전자장치의 작동 체험에 대한 사용자들의 요구 역시 갈수록 높아지고 있으며, 더욱 편리한 인간- 기계 상호작용 체험을 기대한다. 압력("Force", 약칭 "F") 검출기술은 터치제어 기술이 제공하는 위치정보를 토대로 또 다른 위도 정보를 추가한 것으로, 입력되는 압력 정보에 따라 각종 애플리케이션을 개발할 수 있어, 사람들의 전자장치 사용에 완전히 새로운 조작 체험을 가져왔다. 예를 들어 스크린을 눌러 드롭다운 메뉴 또는 "어시스티브 터치"를 띄운 후 다시 누르면, 페이지 넘기기, 좌우로 움직이는 속도, 촉각 피드백 등 효과를 가속화할 수 있다.
현재, 압력검출기술의 주요 방식에는 인덕턴스형, 저항형, 정전용량형, 압전형 및 미세전자기계시스템 등이 있다. 휴대용 전자장치는 메인보드 공간 및 구조의 제약을 받으므로, 압력 검출은 주로 어레이형 스트레인게이지와 어레이형 정전용량의 두 방식을 이용한다. 현재 대다수 휴대용 전자장치에 응용되는 터치 검출기술에 이용되는 방식은 정전용량형 센싱 어레이이며, 따라서 압력검출 기술은 어레이형 정전용량 방식을 압력 검출에 사용하는 것이 비교적 우세하다.
터치 검출과 달리, 압력 검출은 압력의 유무를 검출해야 할 뿐만 아니라, 압력의 크기도 검출해야 하는 것으로, 즉 정확한 압력 측정도 필요하다. 종래 기술의 전자장치는 검출된 특징 데이터("Rawdata", 약칭 "R")를 근거로 압력을 정확하게 계산할 수 없다.
본 발명의 실시예는 획득된 다수 그룹의 샘플 데이터를 근거로 전자장치에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 결정할 수 있는 압력 검출방법 및 장치를 제공하고자 한다.
첫 번째 방면으로, 압력을 검출하기 위한 방법을 제공하며, 상기 방법은,
제1 전자장치의 미리 설정된 압력 및, 상기 제1 전자장치의 센싱 전극에 의해 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력을 상기 제1 전자장치의 입력 매체에 작용하여 생성되는 변형신호를 변환하여 형성된 전기신호를 통해 획득되는 상기 제1 전자장치의 특징 데이터를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계; 상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 근거로, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터인 것으로, 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 R-F함수를 결정하는 단계;를 포함한다.
제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계에서, 각 샘플 데이터는 미리 설정된 압력과 특징 데이터를 포함하며, 제1 전자장치는 센싱 전극을 포함하고, 센싱 전극은 미리 설정된 압력을 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하여 생성되는 변형신호를 전기신호로 변환시키며, 검출회로는 전기신호를 검출하여 특징 데이터를 획득하며, 이와 같은 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 전자장치에 작용한 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 R-F함수를 결정하며, 상기 R-F함수는 제1 전자장치가 작용력을 받을 때 검출된 특정 데이터에 대응하는 압력을 결정하는데 사용하는 것으로써, 압력 정보를 기반으로 하는 각종 어플리케이션을 촉진시키고, 사용자의 체험을 높일 수 있다.
첫 번째 방면과 결합하여, 첫 번째 방면의 제1 구현 가능한 방식에서, 상기 제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역을 포함하고, 상기 복수의 영역에서의 각각의 영역은 적어도 하나의 센싱 전극에 대응되며; 그 중, 상기 제1 전자장의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계는, 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 포함하고, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에서의 각각의 샘플 데이터는 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력 및 상기 제1 영역의 특징 데이터를 포함하며, 상기 제1 영역의 특징 데이터는 상기 제1 영역의 전기신호를 검출하면서 획득하는 것이며, 상기 제1 영역의 전기신호는 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극이 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력을 상기 제1 영역에 작용하여 생성된 변형신호를 변환시켜 형성한 것이며; 그 중, 상기의 상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터에 근거하여 상기 제1 전자장치의 R-F함수를 결정하는 것은, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여 상기 제1 영역의 제1 R-F함수를 결정하는 것을 포함하며, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 상기 제1 영역의 특징 데이터의 대응관계를 나타낸다.
제1 전자장치의 입력매체가 비교적 클 경우, 입력매체의 서로 다른 위치에서 샘플 데이터를 획득할 때, 간격의 영향을 받기 때문에, 샘플 데이터는 차이가 존재할 수 있다. 예를 들어, 동일한 압력으로 전자장치의 서로 다른 위치를 누를 때, 검출회로에서 검출한 특징 데이터는 상이할 수 있다. 따라서, 샘플 데이터의 오차를 줄이기 위하여, 본 발명 실시예는 입력매체를 복수의 영역으로 구분함으로써, 각각의 영역을 하나의 논리채널로 간주하며, 각각의 논리채널은 소정의 규칙에 따라 어느 하나의 또는 복수의 센싱 전극에 대응될 수 있다. 서로 다른 영역에서 샘플 데이터를 각각 획득함으로써, 입력매체에 작용하는 각 영역의 압력과 각 영역의 특징 데이터의 대응관계를 결정하고, 특정 데이터는 센싱 전극을 통해 변형신호를 전기신호로 변환하며, 검출회로가 전기신호를 검출함으로써 획득된다. 이로써 동일한 압력을 제1 전자장치의 서로 다른 영역에 작용하는 경우, 서로 다른 영역에서 검출한 특징 데이터가 계산한 압력이 동일한 것에 근거하여, 풀 스크린 압력출력의 일치성을 이룰 수 있다.
첫 번째 방면의 제1 구현 가능한 방식과 결합하여, 첫 번째 방면의 제2 구현 가능한 방식에서, 상기 방법은, 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 단계를 더 포함하는 것으로, 상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은, 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선이 좌우 평행이동, 상하 평행이동 및/또는 상하 신축하여 획득되는 것이고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 상기 제2 영역에서 작용력을 받을 때 검출된 상기 제2 영역의 특징 데이터에 대응하는 압력을 결정하는데 사용되는 것으로, 상기 제2 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제1 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응된다.
실제 대량 생산에서는 조립 공차는 서로 다른 전자장치의 센싱 전극의 초기 간격의 상이함을 초래할 수 있고, 칩의 차이는 서로 다른 전자장치의 검출회로에서의 증폭회로 이득(G)에 편차가 생기는 것을 초래할 수 있으며, 덮개판의 두께의 차이는 서로 다른 전자장치의 입력매체에서의 탄성계수(K)에 차이가 생기는 것 등을 초래할 수 있다. 따라서, 서로 다른 전자장치의 동일 영역에서의 R-F함수역시 동일하지 않을 수 있다. 만약 압력을 검출하는 장치가 어느 한 전자장치(샘플기기로 볼 수 있음)의 기지(旣知)의 압력과 특징 데이터의 대응관계에 근거하여 계산한 파라미터 a, b, c, d를 모든 기타 전자장치에 사용하여 압력을 계산한다면, 기타 전자장치에서 계산한 압력은 아마도 비교적 큰 편차를 가질 수 있다. 만약 각각의 전자장치에 대하여 모두 미리 누르는 방식을 이용하여 파라미터 a, b, c, d를 획득한다면, 풀 스크린은 복수의 영역으로 구분하였기 때문에, 방대한 시간을 소모하게 된다.
따라서, 동일한 로트(lot)의 서로 다른 전자장치의 변형 하중에 존재하는 대응관계를 이용하여, 샘플기기의 제1 R-F함수에 근거하여, 대량 생산한 기타 전자장치가 검출한 특징 데이터와 압력의 함수관계를 결정 가능한 것으로, 이로써 압력 계산의 정확도를 향상시키고 조립효율 또한 높일 수 있다.
첫 번째 방면의 제2 구현 가능한 방식과 결합하여, 첫 번째 방면의 제3 구현 가능한 방식에서, 상기의 상기 제1 R-F함수에 근거하여 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 방법에서, 상기 방법은, 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 단계를 포함하는 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 나타내고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측으로 향하는 평행이동량을 나타내며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측으로 향하는 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 미리 설정된 제로 압력이 아닌 압력이고, 상기 제1 특징 데이터는 제로압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제1 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것으로; 상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
제2 전자장치 역시 자신의 입력매체를 제1 전자장치와 동일한 영역으로 구분하여, 대응되는 영역에 근거하여 자신의 제2 R-F함수를 각각 결정한다. 이와 같이, 제2 전자장치는 제1 전자장치의 각각의 영역에 근거하여, 제2 R-F함수를 각각 결정함으로써, 제2 전자장치의 각각의 영역에서 정확한 제2 R-F함수를 획득할 수 있도록 하였으며, 이로써 풀 스크린 출력의 일치성을 실현한다.
첫 번째 방면의 제2 구현 가능한 방식과 결합하여, 첫 번째 방면의 제4 구현 가능한 방식에서, 상기 제1 R-F함수에 근거하여 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 방식은, 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 단계를 포함하는 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 나타내고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측으로 향하는 평행이동량을 나타내며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측으로 향하는 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입하여 획득한 것이고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제1 특징 데이터는 제로압력을 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력을 상기 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응되는 것으로; 상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
제1 전자장치 및 제2 전자장치에 있어서, 칩, 센싱 전극 초기 간격, 덮개판 두께 등에 차이점이 존재하기 때문에, 동일 영역에 대응되는 R-F곡선은 상이할 수 있다. 하지만, 동등한 힘으로 제1 전자장치 및 제2 전자장치의 동일 위치를 누르는 경우, 제1 전자장치 및 제2 전자장치의 서로 대응되는 다른 하나의 동일 위치의 변형상태는 동일한 것으로, 즉, 상기 위치에 등가(等價)되는 힘은 동일한다. 만약 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역을 F'1로 누르는 것과 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역을 F'1로 눌러서 제1 영역에서 검출한 특징 데이터가 동일한 것이라면, 이로써, 만약 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역을 F'1로 눌러서 검출된 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역의 특징 데이터가 R이면, 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역을 F'1로 누르면, 검출되는 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역의 특징 데이터 역시 R일 것이다. 따라서, N번보다 적은 M번의 누름을 통해 N개의 논리채널의 교정을 실현하면, 교정 누름 횟수를 줄이고, 배치효율을 향상시킬 수 있다.
첫 번째 방면의 제3 구현 가능한 방식 또는 첫 번째 방명의 제4 구현 가능한 방식과 결합하여, 첫 번째 방면의 제5 구현 가능한 방식에서, 상기의 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 방법은, R1, R2, F1 및 R=
Figure 112017082999403-pct00001
1(F)에 근거하여,
Figure 112017082999403-pct00002
로 하여금 최소값인
Figure 112017082999403-pct00003
Figure 112017082999403-pct00004
및
Figure 112017082999403-pct00005
획득하도록 결정하는 단계를 포함하는 것으로, 그 중, 상기 R=
Figure 112017082999403-pct00006
1(F) 는 상기 제1 R-F함수를 표시하고, 상기 R1은 상기 제1 특징 데이터를 표시하며, 상기 R2는 상기 제2 특징 데이터를 표시하며, 상기 F1는 상기 제1 압력을 표시하는 것으로; 상기
Figure 112017082999403-pct00007
, 상기
Figure 112017082999403-pct00008
및 상기
Figure 112017082999403-pct00009
을 각각 K2 ,
Figure 112017082999403-pct00010
Raw 및
Figure 112017082999403-pct00011
F1으로 결정하는 단계, 그 중 상기 K2 는 상기 제1 파리미터를 표시하고, 상기
Figure 112017082999403-pct00012
Raw는 상기 제2 파라미터를 표시하며, 상기
Figure 112017082999403-pct00013
F1 상기 제3 파라미터를 표시한다.
제로 압력이 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 형성된 전기신호를 검출하여 획득한 제1 특징 데이터, 및 미리 설정된 제1 압력(즉, 기지의 압력)이 상기 제2 영역에 형성된 전기신호를 검출하여 획득한 제2 특징 데이터 및 상기 제1 압력에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 추정한다. 다시 말해서, 제2 R-F함수의 표현식을 추정하여, 추정한 제2 R-F함수의 표현식에 근거하여 제2 특징 데이터에 대응되는 압력값을 계산하여 상기 제2 영역에 실질적으로 작용한 제1 압력과의 편차가 비교적 작도록 한다.
첫 번째 방면, 및 첫 번째 방면의 제1 구현 가능한 방식 내지 첫 번째 방면의 제5 구현 가능한 방식 중의 어느 하나의 구현 가능한 방식을 결합하면, 첫 번째 방면의 제6 구현 가능한 방식에서, 상기 R-F함수는
Figure 112017082999403-pct00014
이며, 그 중, a, b, c 및 d는 기지(旣知)의 함수이고, 또한 a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0이며, A는 진폭을 나타내고, G는 증폭회로 이득을 나타내며, C1과 C20은 평판 커패시터를 나타내고, d0는 C20의 초기 간격을 나타내며, k는 탄성계수를 나타내고, R0는 저항을 나타낸다.
두 번째 방면으로, 압력을 검출하기 위한 장치를 제공하며, 상기 장치는 상기 첫 번째 방면 중의 방법 또는 첫 번째 방면의 어느 하나의 구현 가능한 방식을 수행하는 각종 모듈을 포함한다.
세 번째 방면으로, 압력을 검출하기 위한 장치를 제공하며, 이는 프로세서와 메모리를 포함한다.
상기 메모리에 프로그램이 저장되고, 상기 프로세서는 상기 프로그램을 실행하며, 상기 첫 번째 방면 또는 첫 번째 방면의 어느 하나의 구현 가능한 방식의 상기 압력 검출 방법을 실행한다.
상기 기술방안에 따르면, 본 발명의 실시예에서, 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 통해, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하며, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역이 작용력을 받았을 때 검출되는 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하는데 사용되는 것으로, 획득된 다수 그룹의 샘플 데이터에 근거하여 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 함수관계를 결정할 수 있으며, 따라서 압력 정보를 기반으로 하는 각종 어플리케이션을 촉진시키고 사용자의 체험을 높일 수 있다.
본 발명의 실시예의 기술방안을 더욱 명확하게 설명하기 위하여, 이하 실시예 또는 종래 기술에 대한 묘사에 필요한 첨부도면을 간단히 소개하며, 자명하게, 이하 묘사 중의 첨부도면은 단지 본 발명의 일부의 실시예일 뿐으로, 본 분야의 보통 기술자라면 창조적인 노력이 요구되지 않는다는 전제하에 이러한 도면을 근거로 기타 도면을 획득할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예의 압력 검출 시스템의 설명도이다.
도 2a와 도 2b는 각각 본 발명의 실시예의 센싱 전극 구조도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 실시예의 센싱 전극의 위치 구조도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 각각 본 발명의 실시예의 검출회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예의 압력변화 설명도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예의 압력검출 방법의 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 실시예의 제1 R-F함수의 곡선도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 압력검출 방법의 흐름도이다.
도 9는 본 발명 실시예의 제1 R-F함수와 제2 R-F함수의 교정 설명도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 다른 일 실시예의 제1 R-F함수의 변형도 곡선이다.
도 11은 본 발명 실시예의 입력매체의 설명도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력검출 장치에 대한 도식적인 블록도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력검출 장치의 구조 설명도이다.
이하 본 발명의 실시예 중의 첨부도면을 결합하여, 본 발명의 실시예 중의 기술방안에 대해 명확하고 완전하게 설명한다. 물론, 묘사되는 실시예는 본 발명의 전체 실시예가 아닌 일부 실시예이다. 본 발명 중의 실시예에 따라, 본 분야의 본통 기술자가 창조적인 노력이 요구되지 않는 전제하에 획득한 모든 기타 실시예는 모두 본 발명의 보호 범위에 속한다.
도 1은 본 발명의 실시예의 압력 검출 시스템의 설명도이다. 압력 검출 시스템은 센싱 전극(110), 검출회로(120)와 연산시스템(130)의 세 부분을 포함한다. 압력이 입력매체(예를 들어 핸드폰 스크린)에 작용 시, 입력매체에 변형 신호가 발생하며, 센싱 전극은 변형신호를 일정 형식의 전기신호로 변환하고, 검출회로는 전기신호를 포착하여 양자화(quantization)한 후, 마지막으로 양자화 후의 신호를 계산 시스템에 입력하여 처리하고 필요한 압력 정보를 추출한다.
도 2a와 도 2b는 본 발명의 실시예의 센싱 전극(110)의 구조도이다. 현재 광범위하게 사용되는 터치제어 검출 기술은 대부분 정전용량형 어레이를 채택하고 있으며, 압력 검출 시스템의 센싱 전극 역시 정전용량형 어레이를 채택할 경우, 기존의 터치제어 칩을 이용하여 압력 검출을 실시하거나, 또는 이를 터치제어 시스템에 집적할 수 있다. 이밖에, 정전용량형 어레이를 채택하면 센싱 전극을 액정 디스플레이 모듈에 감입할 수 있으며, 구조적으로 두께가 크게 증가하지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시예의 압력 검출 기술의 센싱 전극은 정전용량형 어레이를 채택한다.
도 2a는 센싱 전극(110)의 구조를 나타낸 것이다. 센싱 전극은 액정 디스플레이("Liquid Crystal Display", 약칭 "LCD")의 하방에 부착되며, 센싱 전극과 LCD 모듈을 지지하는 중간 프레임 사이에는 소정 간격이 존재한다. 간격은 압축성이 비교적 양호한 스폰지로 충진된다. 시스템이 통전되어 작동한 후, LCD 모듈의 공통전극(Vcom)층과 중간 프레임이 시스템에 곧 접촉되도록, 센싱 전극과 LCD 모듈의 Vcom층에 커패시터(C1)가 존재하고, 센싱 전극과 중간 프레임에 커패시터(C2)가 존재하며, C1과 C2는 병렬로 연결된다. 압력이 덮개판에 작용 시, 덮개판에 변형이 발생하면서 센싱 전극과 중간 프레임의 간격이 감소되고, 커패시터(C2)가 증가하게 되는데, 이때 C1의 변화는 대체적으로 무시해도 좋으며, C2의 변화 검출을 통해 현재의 압력을 결정할 수 있다.
도 2b는 또 다른 센싱 전극(110)의 구조를 나타낸 것이다. 상기 구조 중 센싱 전극은 광학 접착제("Optically Clear Adhesive", 약칭 "OCA")를 통해 LCD 모듈을 지지하는 중간 프레임에 부착되며, 센싱 전극과 LCD 모듈에는 소정 간격이 존재한다. 시스템이 통전되어 작동한 후, LCD 모듈의 공공의 전극(Vcom)층과 중간 프레임이 곧 시스템에 연결되도록, 센싱 전극과 LCD 모듈의 Vcom층에 커패시터(C1)가 존재하고, 센싱 전극과 중간 프레임에 커패시터(C2)가 존재하며, C1과 C2는 병렬로 연결된다. 압력이 덮개판에 작용 시, 덮개판에 변형이 발생하면서 센싱 전극과 중간 프레임의 간격이 감소되고, 커패시턴스(C2)가 증가하게 되는데, 이때 C1의 변화는 대체로 무시해도 좋으며, C2의 변화 검출을 통해 덮개판이 현재 받는 압력을 결정할 수 있다.
설명해두어야 할 점으로, 상기 LCD 모듈의 구조는 단지 센싱 전극의 구조 위치를 설명하기 위한 것일 뿐이며, 구체적인 실시방식에서, 센싱 전극의 갯수 및 구체적인 위치 배치는 실제 응용에 따라 설정할 수 있다. 예를 들어, 도 3a, 도 3b 및 도 3c에 도시된 3종의 가능한 배치 방식이 있으며, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 각각 검출회로(120)를 도시한 설명도이다. 정전용량의 검출회로에는 다양한 방식이 있으며, 도 4a와 도 4b는 셀프 정전용량 검출회로이고, 도 4c는 상호 정전용량 검출회로이나, 단 본 발명의 실시는 이에 한정되지 않는다.
도 4a는 RC 분압구조로서, Tx는 구동신호이고, 사인파 또는 사각파 등 각종 형식의 신호일 수 있다. 회로의 기본 검출 원리는 다음과 같다: 구동신호를 저항(R)을 거쳐 검출할 커패시터(Ctp)에 커플링시키고; 검출할 커패시터(Ctp)상의 신호를 증폭회를 통해 증폭 처리하며; 증폭회로를 거쳐 증폭된 후의 신호에 여파회로를 입력하여 여파 처리를 한 다음, 여파회로의 출력신호를 복조회로에 입력하여 복조함으로써 특정 형식의 특징 데이터, 즉 최초 신호의 어느 특정한 특징(특징 데이터)을 획득하며; 마지막으로 특징 데이터를 후속되는 연산 시스템으로 전송한다. 이렇게 하면 연산 시스템은 현재의 특징 데이터의 변화를 근거로 현재의 압력 정보를 계산할 수 있다.
도 4b는 전하이동 방법으로 정전용량 검출을 실시하는 것으로, Tx는 구동신호이고, 사인파 또는 사각파 등 각종 형식의 신호일 수 있으며, 회로의 기본 검출 원리는 다음과 같다: 제어 스위치(Φ1)를 폐쇄하는 동시에 Φ2를 차단하여, 검출할 커패시터(Ctp)를 충전하고, 동시에 커패시터(C1)에 대해 방전 처리를 수행하며; 제어 스위치(Φ2)를 폐쇄함과 동시에 제어 스위치(Φ1)를 개방하고, 검출할 커패시터(Ctp)를 이용하여 커패시터(C1)에 대해 분압 충전을 실시하며, C2에 대해 적분 충전을 실시한다. 적분회로의 출력신호를 여파회로에 입력하여 여파 처리를 실시한 후; 여파회로의 출력신호를 복조회로에 입력하여 복조를 실시하고, 특정 형식의 특징 데이터, 즉 최초 신호의 어느 특정한 특징을 획득하며; 마지막으로, 특징 데이터를 후속되는 연산 시스템에 입력하면, 연산 시스템은 현재 특징 데이터의 변화를 근거로 현재의 압력 정보를 계산할 수 있다.
도 4c는 본 발명의 실시예의 또 다른 정전용량 검출 방법으로서, Tx는 구동신호이고, 사인파 또는 사각파 등 각종 형식의 신호일 수 있으며, 그 기본 원리는 다음과 같다:
구동신호를 검출할 커패시터(Ctp)를 거쳐 후단의 적분 증폭회로에 커플링시키고; 적분 증폭 회로의 출력신호를 여파회로에 입력하여 여파 처리를 실시하며; 여파회로의 출력신호를 복조회로에 입력하고 복조를 실시하여 특정 형식의 특징 데이터인 최초 신호의 어느 특정 특징을 획득한 다음; 특징 데이터를 후속되는 연산 시스템에 입력하면, 연산 시스템은 현재 특징 데이터의 변화를 근거로 현재의 압력 정보를 계산할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예의 압력 변화를 나타낸 설명도이다. 이하 도 2a에 도시된 센싱 전극과 도 4a에 도시된 검출회로를 예로 들어 본 발명의 압력 계산 방법을 설명한다. 단 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
검출할 커패시터는 Ctp=C1+C2이며, 압력을 받는 과정에서, C1은 대체적으로 변하지 않는 것이고, C2는 압력이 커짐에 따라 증가하는 것으로 인식되며, 또한 압력을 받는 국부 영역의 C2는 평판 커패시터와 등가일 수 있다.
도 4a에 도시된 검출회로 중, 구동신호는 Asin(ωt+Φ)이고, 증폭 회로 이득은 G라고 가정하면, 복조회로는 폭변조 방식을 취하므로, 출력되는 특징 데이터는 다음과 같다.
Figure 112017082999403-pct00015
(1)
식 (1) 중 Δd는 소정 압력(F)이 발생시키는 변형량으로서, 본 발명에서 다루는 실시예 중 압력이 발생시키는 변형은 미소 변형이며, F와 Δd는 훅의 법칙을 거의 만족시킨다. 즉 F=kΔd,이며, 상이한 위치에 대응하는 k는 상이하다. 식 (1)은 아래와 같이 작성될 수 있다.
Figure 112017082999403-pct00016
(2)
그 중, a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0이며, 식 (2)는 아래와 같이 작성될 수 있다.
Figure 112017082999403-pct00017
(3)
사전에 증폭회로 이득(G), 평판 커패시터(C1), (C20), 평판 커패시터(C20)의 초기 간격(d0), 탄성계수(k)의 값을 비교적 정확하게 획득하기 어렵기 때문에, 종래 기술은 식 (3)을 직접 이용하여 압력을 계산할 수 없다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 검출 방법의 흐름도(100)이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 방법(100)은 이하 단계를 포함한다.
압력 검출 시스템은 센싱 전극, 검출회로 및 연산 시스템을 포함한다. 압력이 입력매체(예를 들어 핸드폰 스크린)에 작용 시, 입력매체에 변형신호가 발생하며, 센싱 전극이 변형신호를 소정 형식의 전기신호로 전환하고, 검출회로가 전기신호를 포착 및 양자화한 후, 마지막으로 양자화된 후의 특징 데이터를 연산 시스템에 입력하여 처리함으로써 압력 정보를 추출한다.
110: 제1 전자장치의 입력매체를 복수의 영역으로 구분하는 것으로, 상기 복수의 영역의 각각의 영역은 적어도 하나의 센싱 전극에 대응된다.
제1 전자장치의 입력매체가 비교적 클 경우, 입력매체의 서로 다른 위치에서 샘플 데이터를 획득할 때, 간격의 영향을 받기 때문에, 샘플 데이터는 차이가 존재할 수 있다. 예를 들어, 동일한 압력으로 전자장치의 서로 다른 위치를 누를 때, 검출회로에서 검출한 특징 데이터는 상이할 수 있다. 따라서, 샘플 데이터의 오차를 줄이기 위하여, 본 발명 실시예는 입력매체를 복수의 영역으로 구분함으로써, 각각의 영역을 하나의 논리채널로 간주하며, 각각의 논리채널은 소정의 규칙에 따라 어느 하나의 또는 복수의 센싱 전극에 대응될 수 있다. 서로 다른 영역에서 샘플 데이터를 각각 획득함으로써, 입력매체에 작용하는 각 영역의 압력과 각 영역의 특징 데이터의 대응관계를 결정하고, 특정 데이터는 센싱 전극을 통해 변형신호를 전기신호로 변환하며, 검출회로가 전기신호를 검출함으로써 획득된다. 이로써, 동일한 압력을 제1 전자장치의 서로 다른 영역에 작용하는 경우, 서로 다른 영역에서 검출한 특징 데이터가 계산한 압력이 동일한 것에 근거하여, 풀 스크린 압력출력의 일치성을 이룰 수 있다.
이해해야 할 점으로, 만약 전자장치의 어느 하나의 구획된 영역에 복수의 센싱 전극이 대응되는 경우, 압력에 대응되는 특징 데이터를 검출 시, 내부에서 복수의 센싱 전극이 검출한 특징 데이터의 평균값을 취하거나 또는 하나의 최적의 특징 데이터를 선택하여, 최종적으로 하나의 결과값 만을 출력할 수 있다. 본 발명은 상기 특징 데이터의 구체적인 결정방법에 대하여 한정하지 않는다.
120: 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것으로, 상기 복수의 샘플 데이터의 각각의 샘플 데이터는 제1 영역의 미리 설정된 압력과 제1 영역이 상기 미리 설정된 압력을 받은 경우, 검출회로를 통해 검출한 제1 영역의 특징 데이터를 포함한다.
제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역으로 구분되어, 각각의 영역에 대하여 샘플 데이터를 획득하는 작업을 각각 수행함으로써, 입력매체에 작용한 각각의 영역의 압력과 각각의 영역의 검출회로를 통해 검출한 특징 데이터의 대응관계를 결정한다. 이하 입력매체를 구분한 후의 제1 영역을 예로 들어 설명한다.
제1 영역의 n개의 서로 다른 기지의 압력(Fi, i=1, 2, ...n) 및 Fi이 상기 제1 영역에 작용 시 검출되는 특정 데이터를 사전 획득한다. 상기 특정 데이터는 Fi이 제1 영역에 작용함으로써 제1 영역에 생성되는 변형신호인 것으로, 제1 영역의 센싱 전극을 통해 상기 변형신호를 전기신호로 변형시키고, 검출회로가 상기 전기신호를 양자화시켜 획득된다. 즉, Fi에 대응되는 특징 데이터(ri, i=1, 2, ...n)를 검출하면 바로 n그룹의 샘플 데이터(Fi,ri )를 획득한다.
이해하여야 할 점으로, 상기 샘플 데이터를 수집 시, Fi는 측정 범위 내의 임의의 힘일 수 있으며, 바람직하게는, 샘플 데이터의 갯수는 공식 (3) 중의 미지의 파라미터 갯수보다 크도록 하되(즉 본 발명의 실시예 중 샘플 데이터의 갯수는 4 이상이다), 단 본 발명은 이를 한정하지 않는다.
설명해두어야 할 점으로, 상기 방법의 실행 주체는 압력을 검출하기 위한 장치일 수 있으며, 상기 압력을 검출하기 위한 장치는 로봇팔 또는 로봇, 컴퓨터 플랫폼(예를 들어 전자장치에 관련 애플리케이션 소프트웨어(app)를 설치한다) 등을 포함할 수 있다. 로봇팔 또는 로봇은 샘플 데이터를 획득하기 위한 것이고, 컴퓨터 플랫폼은 샘플 데이터를 근거로 곡선적합을 실시하기 위한 것이다. 즉 상기 압력을 검출하기 위한 장치는 독립적인 장치일 수도 있고, 전자장치에 설치되는 것이거나, 또는 기타 장치에 설치되는 것이거나, 또는 개선 후의 전자장치에 상기 기능을 갖추도록 한 것일 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 이하 실시예는 압력을 검출하기 위한 장치가 독립 장치인 것을 예로 들어 설명하나, 단 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
130: 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정한다.
측정 데이터에 오차가 존재할 수 있으므로, 오차의 영향을 감소시키기 위하여, 근사함수를 구성함으로써, 전반적인 추세에서 피근사함수의 특성을 반영할 수 있도록 한다. 즉 하나의 함수(차수가 비교적 낮은 Pn(x))를 찾아 전체 범위 내에 적용시킬 수 있으나, 단 모든 (xi, yi)를 통과하도록 엄격하게 요구하지는 않으며, 단지 가능한 한 (xi, yi) 점에 가깝도록 함으로써 데이터의 대체적인 추세를 반영할 수 있다. 여기서의 Pn(x)와 기지의 함수는 총제적으로 말하면 그 편차가 모종 방식의 측정에 따라 최소값에 이를 수 있으며, 즉 Pn(x)-yi는 극소이며, 이러한 근사함수를 구하는 방법을 곡선적합법이라 칭한다.
예를 들어, 주어진 n그룹의 데이터(Fi, ri), i=1, 2, ...n에 대하여, 함수
Figure 112017082999403-pct00018
에서, R(F)를 구하여 오차 Pi=R（Fi）-ri（i=1,2, ...n)의 제곱합이 최소가 되도록 하며, 즉
Figure 112017082999403-pct00019
이다.
기하학적 의미에서 논하면, 주어진 점(Fi, ri), i=1,2, ...n과의 거리의 제곱합이 최소가 되는 곡선 r=R(Fi)을 구하는 것이며, 함수 R(Fi)은 제1 R-F함수또는 최소제곱해이다.
이해해야 할 점으로, 편차의 크기를 고려하는 방법에는 주로 오차 절대값의 최대값, 오차 절대값의 합, 오차 제곱합의 산술제곱근 등이 있으며, 본 발명은 이에 대해 한정하지 않는다.
이미 획득된 이러한 n그룹의 데이터 (Fi, ri), i=1,2, ...n를 근거로, 최소제곱의 방법을 취하여 곡선적합을 실시함으로써, 압력과 특징 데이터에 대응하는 제1 R-F함수를 결정할 수 있으며, 다시 말해, 상기 공식 (3) 중의 각 미지의 파라미터 a, b, c와 d를 알 수 있다.
140: 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 검출된 특징 데이터에 대응되는 작용을, 상기 제1 영역의 작용력으로 결정한다.
제1 영역에 작용하는 작용력이 존재하는 경우, 검출회로가 검출한 특징 데이터를 제1 R-F함수에 대입시켜서, 획득된 압력값이 바로 제1 영역에 작용한 작용력의 크기이다. 마찬가지로, 제1 전자장치의 기타 영역은 각자 영역에 대응되는 R-F함수에 근거하여 역시 각각의 영역에 작용하는 작용력의 크기와 검출회로에서 검출한 특징데이터의 대응관계를 확인한 수 있다.
예를 들어, 제1 영역에 작용하는 압력이 각각 0g, 100g, 200g, 300g, 400g, 500g 및 600g인 샘플 데이터를 사전에 수집하고, 각각의 압력에 대응하는 Rawdata를 기록한다. 즉 압력을 검출하기 위한 장치는 7그룹의 데이터 (Fi, ri), i=1,2, ...7를 획득한다. 이 7그룹의 데이터를 통해 곡선적합을 실시하여 계산 공식 (3) 중의 파라미터 a, b, c, d를 결정한다. 도 7을 통해 알 수 있듯이, 샘플 데이터는 모두 적합곡선에 양호하게 위치한다. 따라서, 센싱 전극이 검출된 변형신호를 전기신호로 전환하고, 검출회로가 전기신호를 포착 및 양자화 처리하여 특징 데이터를 획득한 후, 마지막으로 특징 데이터를 연산 시스템에 입력하여 처리하고, 출력된 특징 데이터를 식 (3)에 대입하기만 하면 정확한 압력 정보를 산출할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 압력검출 방법은, 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 통해, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하는 것으로, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역이 작용력을 받을 때 검출된 특정 데이테에 대응하는 압력을 결정하는데 사용하는 것으로써, 압력 정보를 기반으로 하는 각종 어플리케이션을 촉진시키고, 사용자의 체험을 높일 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예의 압력검출 방법(300)의 흐름도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 방법(300)은 이하 내용을 포함한다.
310, 제1 전자장치의 입력매체를 복수의 영역으로 구분하는 것으로, 상기 복수의 영역의 각각의 영역은 적어도 하나의 센싱 전극에 대응된다.
제1 전자장치의 입력매체가 비교적 클 경우, 입력매체의 서로 다른 위치에서 샘플 데이터를 획득할 때, 간격의 영향을 받기 때문에, 샘플 데이터는 차이가 존재할 수 있다. 예를 들어, 동일한 압력으로 전자장치의 서로 다른 위치를 누를 때, 검출회로에서 검출한 특징 데이터는 상이할 수 있다. 따라서, 샘플 데이터의 오차를 줄이기 위하여, 본 발명 실시예는 입력매체를 복수의 영역으로 구분함으로써, 각각의 영역을 하나의 논리채널로 간주하며, 각각의 논리채널은 소정의 규칙에 따라 어느 하나의 또는 복수의 센싱 전극에 대응될 수 있다. 서로 다른 영역에서 샘플 데이터를 각각 획득함으로써, 입력매체에 작용하는 각 영역의 압력과 각 영역의 특징 데이터의 대응관계를 결정하고, 특정 데이터는 센싱 전극을 통해 변형신호를 전기신호로 변환하며, 검출회로가 전기신호를 검출함으로써 획득된다. 이로써 동일한 압력을 제1 전자장치의 서로 다른 영역에 작용하는 경우, 서로 다른 영역에서 검출한 특징 데이터가 계산한 압력이 동일한 것에 근거하여, 풀 스크린 압력출력의 일치성을 이룰 수 있다.
이해해야 할 점으로, 만약 전자장치의 어느 하나의 구획된 영역에 복수의 센싱 전극이 대응되는 경우, 압력에 대응되는 특징 데이터를 검출 시, 내부에서 복수의 센싱 전극이 검출한 특징 데이터의 평균값을 취하거나 또는 하나의 최적의 특징 데이터를 선택하여, 최종적으로 하나의 결과값 만을 출력할 수 있다. 본 발명은 상기 특징 데이터의 구체적인 결정방법에 대하여 한정하지 않는다.
320, 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것으로, 상기 복수의 샘플 데이터의 각각의 샘플 데이터는 제1 영역의 미리 설정된 압력과 제1 영역이 상기 미리 설정된 압력을 받은 경우, 검출회로를 통해 검출한 제1 영역의 특징 데이터를 포함한다.
제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역으로 구분되어, 각각의 영역에 대하여 샘플 데이터를 획득하는 작업을 각각 수행함으로써, 입력매체에 작용한 각각의 영역의 압력과 각각의 영역의 검출회로를 통해 검출한 특징 데이터의 대응관계를 결정한다. 이하 입력매체를 구분한 후의 제1 영역을 예로 들어 설명한다.
제1 영역의 n개의 서로 다른 기지의 압력(Fi, i=1, 2, ...n) 및 Fi이 상기 제1 영역에 작용 시 검출되는 특정 데이터를 사전에 획득한다. 상기 특정 데이터는 Fi이 제1 영역에 작용함으로써 제1 영역에 생성되는 변형신호인 것으로, 제1 영역의 센싱 전극을 통해 상기 변형신호를 전기신호로 변형시키고, 검출회로가 상기 전기신호를 양자화시켜 획득된다. 즉, Fi에 대응되는 특징 데이터(ri, i=1, 2, ...n)를 검출하면 바로 n그룹의 샘플 데이터(Fi,ri )를 획득한다.
이해하여야 할 점으로, 상기 샘플 데이터를 수집 시, Fi는 측정 범위 내의 임의의 힘일 수 있으며, 바람직하게는, 샘플 데이터의 갯수는 공식 (3) 중의 미지의 파라미터 갯수보다 크도록 하되(즉 본 발명의 실시예 중 샘플 데이터의 갯수는 4 이상이다), 단 본 발명은 이를 한정하지 않는다.
설명해두어야 할 점으로, 상기 방법의 실행 주체는 압력을 검출하기 위한 장치일 수 있으며, 상기 압력을 검출하기 위한 장치는 로봇팔 또는 로봇, 컴퓨터 플랫폼(예를 들어 전자장치에 관련 어플리케이션 소프트웨어(app)를 설치한다) 등을 포함할 수 있다. 로봇팔 또는 로봇은 샘플 데이터를 획득하기 위한 것이고, 컴퓨터 플랫폼은 샘플 데이터를 근거로 곡선적합을 실시하기 위한 것이다. 즉 상기 압력을 검출하기 위한 장치는 독립적인 장치일 수도 있고, 전자장치에 설치되는 것이거나, 또는 기타 장치에 설치되는 것이거나, 또는 개선 후의 전자장치에 상기 기능을 갖추도록 한 것일 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 이하 실시예는 압력을 검출하기 위한 장치가 독립 장치인 것을 예로 들어 설명하나, 단 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
330, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정한다.
측정 데이터에 오차가 존재할 수 있으므로, 오차의 영향을 감소시키기 위하여, 근사함수를 구성함으로써, 전반적인 추세에서 피근사함수의 특성을 반영할 수 있도록 한다. 즉 하나의 함수(차수가 비교적 낮은 Pn(x))를 찾아 전체 범위 내에 적용시킬 수 있으나, 단 모든 (xi, yi)를 통과하도록 엄격하게 요구하지는 않으며, 단지 가능한 한 (xi, yi) 점에 가깝도록 함으로써 데이터의 대체적인 추세를 반영할 수 있다. 여기서의 Pn(x)와 기지의 함수는 총제적으로 말하면 그 편차가 모종 방식의 측정에 따라 최소값에 이를 수 있으며, 즉 Pn(x)-yi는 극소이며, 이러한 근사함수를 구하는 방법을 곡선적합법이라 칭한다.
예를 들어, 주어진 n그룹의 데이터(Fi, ri), i=1, 2, ...n에 대하여, 함수
Figure 112017082999403-pct00020
에서, R(F)를 구하여 오차 Pi=R（Fi）-ri（i=1,2, ...n)의 제곱합이 최소가 되도록 하며, 즉
Figure 112017082999403-pct00021
이다.
기하학적 의미에서 논하면, 주어진 점(Fi, ri), i=1,2, ...n과의 거리의 제곱합이 최소가 되는 곡선 r=R(Fi)을 구하는 것이며, 함수 R(Fi)은 제1 R-F함수또는 최소제곱해이다.
이해해야 할 점으로, 편차의 크기를 고려하는 방법에는 주로 오차 절대값의 최대값, 오차 절대값의 합, 오차 제곱합의 산술제곱근 등이 있으며, 본 발명은 이에 대해 한정하지 않는다.
이미 획득된 이러한 n그룹의 데이터 (Fi, ri), i=1,2, ...n를 근거로, 최소제곱의 방법을 취하여 곡선적합을 실시함으로써, 제1 영역의 압력과 특징 데이터에 대응하는 제1 R-F함수를 결정할 수 있으며, 다시 말해, 상기 공식 (3) 중의 각 미지의 파라미터 a, b, c와 d를 알 수 있다.
340, 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제2 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제2 R-F함수의 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 것으로, 제2 R-F함수는 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선이 좌우 평행이동, 상하 평행이동 및/또는 상하 신축하여 획득되는 것이고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 검출한 특징 데이터와 제2 영역이 받은 압력의 대응관계를 나타낸다.
실제 대량 생산에서는 조립 공차는 서로 다른 전자장치의 센싱 전극의 초기 간격의 상이함을 초래할 수 있고, 칩의 차이는 서로 다른 전자장치의 검출회로에서의 증폭회로 이득(G)에 편차가 생기는 것을 초래할 수 있으며, 덮개판의 두께의 차이는 서로 다른 전자장치의 입력매체에서의 탄성계수(K)에 차이가 생기는 것 등을 초래할 수 있다. 따라서, 서로 다른 전자장치의 동일 영역에서의 R-F함수역시 동일하지 않을 수 있다. 따라서 식(3)에서 결정한 곡선은 서로 다른 전자장치 사이에서 역시 차이가 존재한다. 만약 압력을 검출하는 장치가 어느 한 전자장치(샘플기기로 볼 수 있음)의 기지(旣知)의 압력과 특징 데이터의 대응관계에 근거하여 계산한 파라미터 a, b, c, d를 모든 기타 전자장치에 사용하여 압력을 계산한다면, 기타 전자장치에서 계산한 압력은 아마도 비교적 큰 편차를 가질 수 있다. 만약 각각의 전자장치에 대하여 모두 미리 누르는 방식을 이용하여 파라미터 a, b, c, d를 획득한다면, 풀 스크린은 복수의 영역으로 구분하였기 때문에, 방대한 시간을 소모하게 된다.
어느 두 대의 전자장치가 동일 영역에 대응하여, 단지 센싱 전극의 초기 간격의 차이만 존재한다면, 예를 들어, 동일 영역의 센싱 전극의 초기 간격이 각각 d1, d2인 경우, 식 (2)에 따르면:
Figure 112017082999403-pct00022
(4)이며,
그 중, 식(4) 중의
Figure 112017082999403-pct00023
는 센싱 전극의 면적과만 관련이 있는 정량(constant quantity)이다.
결론적으로,
Figure 112017082999403-pct00024
임을 알 수 있다. (5)
상기 식(5)는, 상이한 전자장치의 센싱 전극의 초기 거리가 비록 상이하더라도, 이들의 함수곡선은 여전히 모종의 결정 관계가 존재한다는 것을 나타내며, 즉 f 2（F）는 f 1（F）로부터 우측으로 k（d 2 -d 1 ）만큼 평행이동하여 획득된다. 만약 d 2<d 1 인 경우, 즉
Figure 112017082999403-pct00025
는 f 2（F）가 f 1（F）로부터 좌측으로 k（d 2 -d 1 ）만큼 평행이동한 것을 나타낸다.
만약, 제1 전자장치의 R-F함수를 f 1（F）로 설정하고, 제2 전자장치의 R-F함수를 f 2（F）로 설정하면,
(1) 만약 제1 전자장치와 제2 전자장치가 동일 구역에 대응하여 단지 센싱 전극의 초기 간격의 차이점만 존재한다면,
f 1（F）= f 1(F-
Figure 112017082999403-pct00026
F2),
Figure 112017082999403-pct00027
F2 = k（d 2 -d 1 ）임을 알 수 있다. (6)
(2) 만약 제1 전자장치와 제2 전자장치가 동일 영역에 대응하여 단지 칩 이득(G)의 차이점만 존재한다면,
f 2（F）= K2 f 1（F）, K2 = G2/G1 임을 알 수 있다. (7)
(3) 만약 제1 전자장치와 제2 전자장치가 동일 영역에 대응하여 센싱 전극의 초기 간격과 침 이득(G)의 차이점이 동시에 존재한다면,
f 2（F）=K2 f 1（F-
Figure 112017082999403-pct00028
F2）,
Figure 112017082999403-pct00029
F2=k（d 2 -d 1 ）,K2=G2/G1 임을 알 수 있다. (8)
(4) 만약 제1 전자장치와 제2 전자장치가 동일 영역에 대응하여 센싱 전극의 초기 간극, 칩 이득(G) 및 탄성계수(k)의 차이점이 동시에 존재한다면,
f 2（F）= K2 f 1（F-
Figure 112017082999403-pct00030
F2）+
Figure 112017082999403-pct00031
Raw 임을 알 수 있다. (9)
식 (9)는, 상술한 각 요소가 서로 다른 제2 전자장치의 R-F함수에 대응하는 R-F곡선을, 제1 전자장치의 R-F함수에 대응되는 R-F곡선의 수평 방향으로의 평형이동과, 수직방향으로의 평형이동 및 수직방향으로의 인장(압축)에 등가시켰다.
도 9에서 도시하는 바와 같이, 식 (6)이 나타내는 R-F함수에 대응되는 R-F곡선은 제1 전자장치의 R-F곡선이 수평방향으로의 평형이동과 등가되고; 식 (7)이 나타내는 R-F함수에 대응되는 R-F곡선은 제1 전자장치의 R-F곡선이 수직방향으로의 인장(압축)과 등가될 수 있으며; 식 (8)이 나타내는 R-F함수에 대응되는 R-F곡선은 제1 전자장치의 R-F곡선의 수평방향으로의 평형이동과 수직방향으로의 인장(수축)의 공동의 역할과 등가될 수 있으며; 식 (9)에서 나타내는 R-F함수에 대응되는 R-F곡선은 제1 전자장치의 R-F곡선의 수평방향으로의 평형이동과 수직방향으로의 인장(압축) 및 수직방향으로의 평형이동의 공동의 역할과 등가될 수 있다.
상술한 바를 종합하면 알 수 있듯이, 제2 전자장치의 함수모형은 식(9)에서 도시하는 바와 같이, K2를 제1 파라미터로 간주하여, 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 나타내고;
Figure 112017082999403-pct00032
Raw를 제2 파라미터로 간주하여, 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측으로 향하는 평행이동량을 나타내며;
Figure 112017082999403-pct00033
F1를 제3 파라미터로 간주하여, 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측으로 향하는 평행이동량을 나타낸다. 제로 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 형성된 전기신호를 검출하여 제1 특징 데이터를 획득하고, 및 미리 설정된 제1 압력(즉 기지의 압력)이 상기 제2 영역에 작용하여 형성된 전기신호를 검출하여 제2 특징 데이터를 획득한다. 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터 및 제1 압력에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 추정한다(제2 함수에 대하여 교정을 수행한다라고도 칭할 수 있음). 다시 말해서, 제2 R-F함수의 표현식을 추정함으로써, 추정한 제2 R-F함수의 표현식에 근거하여 제2 특징 데이터에 대응하는 압력값을 계산하여 제2 영역에 실질적으로 작용하는 제1 압력과의 편차가 비교적 작게끔 한다.
구체적으로, K2,
Figure 112017082999403-pct00034
F1 및
Figure 112017082999403-pct00035
Raw을 계산하는 방법은 다음과 같다.
(1) 제2 전자장치의 누르지 않을 경우(즉, 압력이 제로라고 판정)의 특징 데이터를 기록하고, 이를 R0로 기재한다;
(2) 기지의 압력 F1로 제2 전자장치를 눌러서, 이때 검출되는 특징 데이터를 기록하고, 이를 R1로 기재한다;
(3)
Figure 112017082999403-pct00036
,
Figure 112017082999403-pct00037
을 제1 전자장치의 R-F함수인 y=f 1(F)에 대입하여, y=f 0(F)의 역함수인
Figure 112017082999403-pct00038
을 계산한다;
설명해두어야 할 점으로, 식 (9)로부터 알 수 있듯이, y=f 1(F)의 역함수인
Figure 112017082999403-pct00039
및
Figure 112017082999403-pct00040
은 제1 전자장치의 R-F함수이다. 이때, 제2 전자장치의 R-F함수에 대응되는 R-F곡선은 상기 제1 전자장치의 R-F함수에 대응되는 R-F곡선을 좌측 또는 우측으로 향하여 평행이동시켜 획득한 것이다. 따라서,
Figure 112017082999403-pct00041
이 바로 제2 전자장치의 특징 데이터(R1)에 대응되는 압력이고, 특징 데이터(R1)은 F1이 제2 전자장치에 작용하여 검출하여 획득한 것이다.
(4) 끊임없이 K2와
Figure 112017082999403-pct00042
Raw의 값을 개변하여,
Figure 112017082999403-pct00043
과
Figure 112017082999403-pct00044
을 결정함으로써,
Figure 112017082999403-pct00045
이 최소값을 갖도록 한다. 즉, 검출한 특징 데이터에 근거하여 계산한 압력과, 전자장치에 실질적으로 작용한 압력의 차이가 작을수록, 정확도는 더 높다.
Figure 112017082999403-pct00046
,
Figure 112017082999403-pct00047
및
Figure 112017082999403-pct00048
(
Figure 112017082999403-pct00049
로 결정)을 각각 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터로 결정한다.
따라서, 제1 전자장치를 샘플기기로 하여, 제1 전자장치의 입력매체를 구분한 후 각자 영역의 R-F함수를 각각 획득하고, 제2 전자장치(즉, 대량 생산한 기타 전자장치)는 제1 R-F함수에 근거하여, 제2 전자장치의 입력매체 상의 제2 영역의 제2 R-F함수를 결정한다. 다시 말해서, 제2 전자장치 역시 자신의 입력매체를 제1 전자장치와 동일한 영역으로 구분하여, 그 대응되는 영역에 근거하여 자신의 제2 R-F함수를 각각 결정한다. 이로써, 제2 전자장치는 제1 전자장치의 각각의 영역에 근거하여, 제2 R-F함수를 각각 결정(자신의 R-F함수를 교정한다라고 칭할 수도 있음)함으로써, 제2 전자장치가 정확한 제2 R-F함수를 획득 가능하도록 하여, 풀 스크린 압력 출력의 일치성을 실현한다.
선택적으로, 각종 영향 요인의 서로 다른 샘플 기기 간에서의 차이점을 일정 범위 내에서 컨트롤 가능한 것을 고려하여, 식 (9)에서 도시하는 모형을 간략화 할 수 있는 것으로, 한 가지는 수직 방향 상의 평형이동(
Figure 112017082999403-pct00050
Raw)을 수직 방향 상의 인장(압축)과 수평 방향 상의 평형이동에 등가시키는 것으로, 즉, f 2(F)=K2 f 1(F-
Figure 112017082999403-pct00051
F1)(즉,
Figure 112017082999403-pct00052
Raw=0), 도 10a에서 도시; 다른 한 가지는 수직 방향 상의 인장(압축)(Ki)를 수직 방향 상의 평형 이동과 수평 방향 상의 평형 이동에 등가시키는 것으로, 즉, f 2(F)=f 1(F-
Figure 112017082999403-pct00053
F1)+
Figure 112017082999403-pct00054
Raw(즉, K2=1), 도 10b에 도시.
선택적으로, 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제2 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제2 R-F함수의 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 것으로, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입시켜 계산하여 획득한 것이고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제1 특징 데이터는 제로 압력을 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력이 상기 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응된다.
이해해야 할 점으로, 제1 영역과 제2 영역은 각각 제1 전자장치와 제2 전자장치의 입력매체에서 대응되는 임의의 위치 또는 영역이고, 제3 영역과 제4 영역은 각각 제1 전자장치와 제2 전자장치의 입력매체에서 대응되는 임의의 위치 또는 영역이며, 제1 영역과 제3 영역은 제1 전자장치의 거리가 비교적 가까운 서로 다른 영역일 수 있고, 제2 영역과 제4 영역은 거리가 비교적 가까운 서로 다른 영역일 수 있으며, 본 발명은 이를 한정하지 않는다.
제1 전자장치의 R-F함수의 R-F곡선을 형성할 때, 제1 전자장치의 입력매체를 N개의 논리채널로 구분하여 N개 영역의 R-F곡선을 각각 획득한다면, 제2 전자장치가 제1 전자장치에 근거하여 교정을 수행할 때, 여전히 각각의 영역에서 누름 검출을 한 번 수행해야 한다. 특히, N이 비교적 큰 경우, 제2 전자장치는 N번을 눌러야 하는 것으로, 다시 말해서, 대량 생산한 모든 전자장치에 대하여 각각 모두 N번을 교정하여야 하는데, 이는 배치 효율에 영향을 준다.
제1 전자장치와 제2 전자장치에 있어서, 칩, 센싱 전극 초기 간격, 덮개판 두께 등의 차이점으로 인해, 동일 영역에 대응하는 R-F곡선은 상이할 수 있다. 하지만, 제1 전자장치와 제2 전자장치의 동일 위치를 누르는 경우, 제1 전자장치와 제2 전자장치의 서로 대응되는 다른 하나의 동일 위치에서의 변형상태는 동일한 것으로, 즉, 상기 위치에 등가되는 힘은 동등한 것이다. 예를 들어, 도 11에서 도시하는 바와 같이, 동일한 압력으로 제1 전자장치의 P0(즉, 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역)와 제2 전자장치의 PO(즉, 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역)를 누르는 경우, 제1 전자장치의 C0(즉, 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역)의 변형량과 제2 전자장치의 C0(즉, 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역)의 변형량은 동일하다.
만약 누르기 전의 제1 전자장치와 제2 전자장치에서 검출된 C0에 대응되는 센싱 전극의 특징 데이터가 각각 R10과 R20 이라고 가정하고, 기지의 압력인 F'1로 제1 전자장치와 제2 전자장치의 P0를 누를 때, 제1 전자장치와 제2 전자장치에서 검출되는 C0에 대응되는 센싱 전극의 특징 데이터는 각각 R11과 R21이다. R11을 제1 전자장치의 C0의 제1 R-F함수인 f 01(F)에 대입하여 대응되는 압력(F1)을 계산한다. 다시 말해서, 제1 전자장치 P0에 F'1로 눌러서 초래되는 논리채널 C0가 검출하는 특징 데이터(즉, R11)와, 제1 전자장치의 C0에 F1로 눌러서 초래되는 논리채널 C0가 검출하는 특징 데이터(즉, R11)는 동일하다. 따라서, 만약 제2 전자장치의 P0에 F'1로 눌러서 검출되는 C0의 특징 데이터가 R21인 경우, 제2 전자장치의 C0에 F1로 눌러서 검출되는 C0의 특징 데이터 역시 R21이다.
따라서, 제2 전자장치의 논리채널 C0에 있어서, 누르기 전, C0에 대응되는 특징 데이터가 R20이고, F1로 눌러서 C0 에 대응되는 특징 데이터가 R21에 해당되는 것으로, f 01(F), R20, R21에 근거하면, F1은 제2 전자장치의 C0의 R-F함수의 제1 전자장치 C0의 R-F함수에 대응되는 교정 파라미터(K2,
Figure 112017082999403-pct00055
Raw,
Figure 112017082999403-pct00056
F1)를 계산할 수 있으며, 구체적인 계산 방법은 상술한 바와 동일하므로, 중복 설명을 방지하기 위하여, 여기에서는 그 설명을 생략한다.
실제 응용에서, 도 11에서 도시하는 바와 같이, P0에서 압력(F)으로 제1 전자장치와 제2 전자장치를 각각 누르는 경우, 제1 전자장치의 C18에 등가되는 압력과 제2 전자장치의 C18에 등가되는 압력의 차이는 비교적 클 수 있다. 따라서, 실제응용에서는, 스크린의 사이즈의 크기 및 구획된 논리채널의 채널수에 근거하여, 교정 누름 포인트수(M)를 결정하며, 각각의 교정 누름 포인트는 복수의 논리채널의 교정에 대응된다. 예를 들어, 도 11에서, P0를 누르는 경우, 논리채널(C0, C1, C4, C5, C8, C9)에 대해 교정을 수행할 수 있고; P1을 누르는 경우, 논리채널(C2, C3, C6, C7, C10, C11)에 대해 교정을 수행할 수 있으며; P2를 누르는 경우, 논리채널(C14, C15, C18, C19, C22, C23)에 대해 교정을 수행할 수 있다. 따라서, N보다 작은 M번의 누름으로 N개 논리채널에 대한 교정을 실현하면, 교전 누름 횟수를 줄이고, 배치효율을 향상시킬 수 있다.
350, 상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정하는 것으로, 상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은 제1 R-F함수에 대응되는 곡선이 좌우 평행이동, 상하 평형이동 및/또는 상하 신축하여 획득된 것이고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 제2 영역이 작용력을 받을 때 검출되는 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하는데 사용된다.
식 (9)는 제2 전자장치의 R-F함수인 f 2(F)과 제1 전자장치의 R-F함수인 f 1(F)간의 대응관계를 제시하였다. 파라미터(K2,
Figure 112017082999403-pct00057
F2,
Figure 112017082999403-pct00058
Raw,)만 결정되면, 기지의 각각의 파라미터의 제2 R-F함수를 결정한다. 이로써 제2 전자장치는 검출된 특징 데이터에 근거하여 인가된 압력을 계산한다.
360, 상기 제2 R-F함수에 근거하여, 작용력이 제2 영역에 작용하여 검출된 특징 데이터로, 상기 제2 영역에 작용하는 작용력의 크기를 결정한다.
제2 영역에 작용하는 작용력이 존재하는 경우, 검출회로가 검출한 특징 데이터를 제2 R-F함수에 대입하여 획득한 압력값이 바로 제2 영역에 작용하는 작용력의 크기이다. 마찬가지로, 제2 전자장치의 기타 영역은 각자 영역에 대응되는 R-F함수에 근거하여 역시 각각의 영역에 작용하는 작용력의 크기와 검출회로에서 검출한 특징 데이터의 대응관계를 결정할 수 있다.
선택적으로, 제2 전자장치가 제2 영역에 작용력이 작용하여 검출된 특징 데이터와, 상기 제2 영역에 대응되게 작용한 작용력의 크기를 계산할 때,
Figure 112017082999403-pct00059
,
Figure 112017082999403-pct00060
의 값을 저장하는 것을 통해 계산할 수 있다. 계산 공식은 다음과 같다.
Figure 112017082999403-pct00061
(10)
따라서, 본 발명 실시예의 압력검출 방법은, 제1 전자장치의 입력매체 상의 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 미리 설정된 압력으로 획득한 특징 데이터를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 통해, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하고, 상기 제1 R-F함수에 근거하여 제2 전자장치의 입력매체 상의 제2 영역이 받는 작용력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제2 R-F함수를 결정한다. 이로써, 대량 생산한 복수의 전자장치가 제1 R-F함수에 근거하여 각자의 압력과 검출된 특징 데이터를 나타내는 함수관계를 정확하게 계산할 수 있다. 이로써, 검출된 특징 데이터의 대응되는 압력을 정확하게 검출할 수 있음으로써, 압력 정보에 기반한 각종 애플리케이션을 촉진하고, 사용자 체험을 높일 수 있다.
이해해야 할 점으로는, 본 발명의 여러 가지 실시예에서, 상술한 각각의 과정의 시리얼 넘버의 순번은 실행순서의 선후관계를 의미하는 것은 아닌 것으로, 각 과정에서 실행하는 순서는 그 기능과 내적의 논리채널에 근거하여 결정되어야 하는 것으로, 본 발명의 실시예의 실시 과정에 대해 어떠한 한정을 구성해서는 안 된다.
상기 문장에서 본 발명의 실시예에 따른 압력검출 방법에 대해 상세히 설명하였다. 이하 본 발명의 실시예에 따른 압력검출 장치에 대하여 서술하고자 한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력검출 장치(700)에 대한 도식적인 블록도이다. 도 12에서 도시한 바와 같이, 상기 장치는,
제1 전자장치의 미리 설정된 압력; 및 상기 제1 전자장치의 센싱 전극에 의해 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하여 발생되는 변형신호를 변환하여 형성되는 전기 신호의 검출을 통해 획득되는 특징 데이터;를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하기 위한 획득모듈(710);
상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터인 압력 R-F함수를 결정하는 제1 결정모듈(720);을 포함하는 것으로,
상기 R-F함수는 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타낸다.
따라서, 본 발명의 실시예의 압력 검출 장치는, 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터의 획득을 통하여, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하는 것으로, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역이 작용력을 받을 때 검출된 특징 데이터와 대응되는 압력을 결정하기 위한 것으로서, 획득된 다수 그룹의 샘플 데이터에 근거하여, 제1 영역에 작용한 압력과 검출된 특징 데이터의 함수관계를 결정할 수 있으며, 이로써, 압력 정보를 기반으로 하는 각종 어플리케이션을 촉진시키고, 사용자 체험을 높일 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역을 포함하는 것으로, 상기 복수의 영역은 각각 적어도 하나의 센싱 전극에 대응되는 것으로;
그 중, 상기 획득모듈(710)은, 구체적으로,
상기 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하기 위한 것으로, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터는 각각 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 제1 영역의 특징 데이터를 포함하며, 상기 제1 영역의 특징 데이터는 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득한 것이며, 상기 제1 영역의 전기신호는 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극이 상기 제1 영역이 미리 설정된 압력을 상기 제1 영역에 작용하여 생성된 변형신호를 변환하여 형성되는 것이고;
그 중, 상기 제1 결정모듈(720)은, 구체적으로,
상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 제1 R-F함수를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역에 작용한 압력과 상기 제1 영역의 특징 데이터의 대응관계를 나타낸다.
본 발명의 실시예에서, 선택적으로, 상기 장치(700)는,
상기 제1 R-F함수에 근거하여, 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 제2 결정모듈을 더 포함하는 것으로, 상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선을 좌우 평형이동, 상하 평형이동 및/또는 상하 신축하여 획득하는 것이고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 상기 제2 영역에 작용력이 인가되었을 때 검출되는 상기 제2 영역의 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하기 위한 것이며, 상기 제2 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체 상의 위치와 상기 제1 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체 상의 위치는 서로 대응된다.
선택적으로, 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 결정모듈은 구체적으로,
제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 미리 설정된 압력이 제로가 아닌 압력이고, 상기 제1 특징 데이터는 제로 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제1 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득하는 것으로;
상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
본 발명의 실시예에서, 선택적으로, 상기 제2 결정모듈은 구체적으로,
제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입시켜 획득하는 것이고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이며, 상기 제1 특징 데이터는 상기 제로 압력이 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력이 상지 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이며, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체 상에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체 상에서의 위치는 서로 대응되는 것으로;
상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
선택적으로, 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 결정모듈은 구체적으로,
R1, R2, F1 및 R=
Figure 112017082999403-pct00062
1(F)에 근거하여,
Figure 112017082999403-pct00063
로 하여금 최소값인
Figure 112017082999403-pct00064
Figure 112017082999403-pct00065
및
Figure 112017082999403-pct00066
획득하도록 결정하고;
상기
Figure 112017082999403-pct00067
, 상기
Figure 112017082999403-pct00068
및 상기
Figure 112017082999403-pct00069
을 각각 K2 ,
Figure 112017082999403-pct00070
Raw 및
Figure 112017082999403-pct00071
F1으로 결정하기 위한 것으로;
그 중, 상기 R=
Figure 112017082999403-pct00072
1(F) 는 상기 제1 R-F함수를 표시하고, 상기 R1은 상기 제1 특징 데이터를 표시하며, 상기 R2는 상기 제2 특징 데이터를 표시하며, 상기 F1는 상기 제1 압력을 표시하고,
그 중, 상기 K2 는 상기 제1 파리미터를 표시하고, 상기
Figure 112017082999403-pct00073
Raw는 상기 제2 파라미터를 표시하며, 상기
Figure 112017082999403-pct00074
F1 상기 제3 파라미터를 표시한다.
선택적으로, 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 R-F함수는,
Figure 112017082999403-pct00075
이며, 그 중, a, b, c와 d는 기지(旣知)의 파라미터이고, a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0 이며, A는 진폭을 나타내고, G는 증폭회로 이득을 나타내며, C1과 C20은 평판 커패시터를 나타내고, d0는 C20의 초기 간격을 나타내고, k는 탄성계수를 나타내며, R0는 저항을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따른 압력을 검출하기 위한 장치(700)는 본 발명의 실시예에 따른 압력 검출 방법 중 압력을 검출하기 위한 장치(700)에 대응될 수 있으며, 또한 압력 검출 장치(700) 중의 각 모듈의 상기 및 기타 조작 및/또는 기능은 각각 전술한 각종 방법의 상응하는 플로우를 구현하기 위한 것이다. 간결함을 위해 여기서는 중복 설명을 생략한다.
따라서, 본 발명 실시예의 압력검출 장치는, 제1 전자장치의 입력매체 상의 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 미리 설정된 압력으로 획득한 특징 데이터를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 통해, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하고, 상기 제1 R-F함수에 근거하여 제2 전자장치의 입력매체 상의 제2 영역이 받는 작용력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제2 R-F함수를 결정한다. 이로써, 대량 생산한 복수의 전자장치가 제1 R-F함수에 근거하여 각자의 압력과 검출된 특징 데이터를 나타내는 함수관계를 정확하게 계산할 수 있다. 이로써, 검출된 특징 데이터의 대응되는 압력을 정확하게 검출할 수 있음으로써, 압력 정보에 기반한 각종 어플리케이션을 촉진하고, 사용자 체험을 높일 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예가 제공하는 압력 검출 장치를 도시한 것으로서, 적어도 하나의 프로세서(902)(예를 들어 마이크로프로세서(MCU)), 적어도 하나의 네트워크 인터페이스(905) 또는 기타 통신 인터페이스, 메모리(906), 및 이러한 장치들 간의 연결 통신을 구현하기 위한 적어도 하나의 통신 버스(903)를 포함한다. 프로세서(902)는 메모리(906)에 저장된 실행가능 모듈, 예를 들어 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 것이다. 메모리(906)는 고속 랜덤 액세스 메모리(RAM: Random Access Memory)를 포함할 수도 있고, 적어도 하나의 자기디스크 메모리와 같은 비휘발성 메모리(non-volatile memory)를 포함할 수도 있다. 적어도 하나의 네트워크 인터페이스(905)(유선 또는 무선일 수 있다)를 통해 적어도 하나의 기타 네트워크 유닛과의 사이의 통신 연결을 구현한다.
일부의 실시방식에서, 메모리(906)에는 프로그램(9061)이 저장되고, 프로세서(902) 프로그램(9061)을 실행하여, 이하 조작을 실행한다.
네트워크 인터페이스(905)를 통해 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 조작을 실행하는 것으로, 상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터는 모두 각각 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력과 상기 제1 전자장치의 특징 데이터를 포함하고, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터는 상기 제1 전자장치의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제1 전자장치의 전기신호는 상기 제1 전자장치의 센싱 전극이 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력을 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하여 형성된 변형신호를 변환시켜 형성되고;
상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 근거로, 상기 제1 전자장치의 R-F함수를 결정하는 조작을 실행하는 것으로, 상기 R-F함수는 상기 제1 전자장치의 입력매체 상에 작용한 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타낸다.
선택적으로, 상기 제1 전기장치의 입력매체는 복수의 영역을 포함하는 것으로, 상기 복수의 영역의 각각의 영역은 적어도 하나의 센싱 전극에 대응되고;
프로세서(902)는 구체적으로,
네트워크 인터페이스(905)를 통해 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하기 위한 것으로, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터는 각각 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 제1 영역의 특징 데이터를 포함하고, 상기 제1 영역의 특징 데이터는 제1 영역의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제1 영역의 전기신호는 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극이 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력을 상기 제1 영역에 작용하여 형성된 변형신호를 변환시켜 형성되고;
프로세서(902)는 구체적으로,
상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 제1 R-F함수를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역에 작용한 압력과 검출된 상기 제1 영역의 특징 데이터의 대응관계를 나타낸다.
선택적으로, 상기 프로세서(902)는 또한,
상기 제1 R-F함수에 근거하여, 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하기 위한 것으로, 상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선을 좌우 평형이동, 상하 평형이동 및/또는 상하 신축하여 획득하는 것이고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 상기 제2 영역에 작용력이 인가되었을 때 검출되는 상기 제2 영역의 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하기 위한 것이며, 상기 제2 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체 상의 위치와 상기 제1 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체 상의 위치는 서로 대응된다.
선택적으로, 상기 프로세서(902)는 구체적으로,
제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 미리 설정된 압력이 제로가 아닌 압력이고, 상기 제1 특징 데이터는 제로 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제1 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득하는 것으로;
상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
선택적으로, 상기 프로세서(902)는 구체적으로,
제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입시켜 획득하는 것이고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이며, 상기 제1 특징 데이터는 상기 제로 압력이 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이고, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력이 상지 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득하는 것이며, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체 상에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체 상에서의 위치는 서로 대응되는 것으로;
상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정한다.
상기 프로세서(902)는 구체적으로,
R1, R2, F1 및 R=
Figure 112017082999403-pct00076
1(F)에 근거하여,
Figure 112017082999403-pct00077
로 하여금 최소값인
Figure 112017082999403-pct00078
Figure 112017082999403-pct00079
및
Figure 112017082999403-pct00080
획득하도록 하기 위한 것으로, 그 중, 상기 R=
Figure 112017082999403-pct00081
1(F) 는 상기 제1 R-F함수를 표시하고, 상기 R1은 상기 제1 특징 데이터를 표시하며, 상기 R2는 상기 제2 특징 데이터를 표시하며, 상기 F1는 상기 제1 압력을 표시하는 것으로; 상기
Figure 112017082999403-pct00082
, 상기
Figure 112017082999403-pct00083
및 상기
Figure 112017082999403-pct00084
을 각각 K2 ,
Figure 112017082999403-pct00085
Raw 및
Figure 112017082999403-pct00086
F1으로 결정하는 단계, 그 중 상기 K2 는 상기 제1 파리미터를 표시하고, 상기
Figure 112017082999403-pct00087
Raw는 상기 제2 파라미터를 표시하며, 상기
Figure 112017082999403-pct00088
F1 상기 제3 파라미터를 표시한다.
선택적으로, 상기 제1 R-F함수는,
Figure 112017082999403-pct00089
이며, 그 중, a, b, c와 d는 기지(旣知)의 파라미터이고, a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0 이며, A는 진폭을 나타내고, G는 증폭회로 이득을 나타내며, C1과 C20은 평판 커패시터를 나타내고, d0는 C20의 초기 간격을 나타내고, k는 탄성계수를 나타내며, R0는 저항을 나타낸다.
본 발명 실시예에서 제공하는 상기 기술방안을 보면 알 수 있듯이, 제1 전자장치의 입력매체 상의 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 미리 설정된 압력으로 획득한 특징 데이터를 포함하는 복수의 샘플 데이터를 획득하는 것을 통해, 상기 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제1 R-F함수를 결정하고, 상기 제1 R-F함수에 근거하여 제2 전자장치의 입력매체 상의 제2 영역이 받는 작용력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내는 제2 R-F함수를 결정한다. 이로써, 대량 생산한 복수의 전자장치가 제1 R-F함수에 근거하여 각자의 압력과 검출된 특징 데이터를 나타내는 함수관계를 정확하게 계산할 수 있다. 이로써, 검출된 특징 데이터의 대응되는 압력을 정확하게 검출할 수 있음으로써, 압력 정보에 기반한 각종 어플리케이션을 촉진하고, 사용자 체험을 높일 수 있다.
이해해야 할 점으로, 본문 중의 용어 "및/또는"은 단지 일종의 관련 대상의 관련 관계를 설명하는 것으로서, 3종 관계, 예를 들어 A 및/또는 B가 존재할 수 있음을 나타내며, A가 단독으로 존재하거나, A와 B가 동시에 존재하거나, B가
단독으로 존재하는 3가지 상황을 표시할 수 있다. 또한 본문 중 부호 "/"는 일반적으로 전후 관련대상이 일종의 "또는"의 관계라는 것을 나타낸다.
이해해야 할 점으로, 본 발명의 각종 실시예에서, 상기 각 과정의 시리얼 넘버의 순번은 결코 실행 순서의 선후 관계를 의미하는 것이 아니며, 각 과정의 실행 순서는 그 기능과 내재적인 로직으로 결정되어야 하고, 본 발명의 실시예의 실시 과정에 대해 어떠한 한정을 구성해서는 안 된다.
본 분야의 보통 기술자라면, 본문에 공개된 실시예에서 설명하는 각종 실시예의 유닛 및 알고리즘 단계의 결합은 전자 하드웨어, 또는 컴퓨터 소프트웨어 및 전자 하드웨어의 결합을 통해 구현될 수 있음을 인식할 수 있을 것이다. 이러한 기능이 하드웨어 방식으로 실행될 것인지 아니면 소프트웨어 방식으로 실행될 것인지는 기술방안의 특정 애플리케이션과 설계의 약속 조건에 의해 결정된다. 전문 기술자라면 각 특정 애플리케이션에 대해 상이한 방법을 사용하여 상기 기능을 구현할 수 있으나, 단 이러한 구현은 본 발명의 범위를 벗어난 것으로 간주해서는 안 된다.
소속 분야의 기술자라면, 설명의 편의와 간결함을 위해, 상기 묘사된 시스템, 장치 및 유닛의 구체적인 작동 과정이 전술한 방법의 실시예 중의 해당 과정을 참고할 수 있음을 분명히 이해할 수 있을 것이므로, 여기서는 중복 설명을 생략한다.
본 출원이 제공하는 몇 실시예에서, 이해해두어야 할 점으로, 공개된 시스템, 장치 및 방법은 기타 방식을 통해 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 묘사된 장치의 실시예는 단지 도식적인 것으로서, 예를 들어 상기 유닛의 구분은 단지 일종의 로직 기능의 구분이며, 실제 구현 시 별도의 구분 방식이 있을 수 있다. 예를 들어 복수의 유닛 또는 어셈블리를 결합하거나 또는 다른 시스템에 집적되거나, 또는 약간의 특징은 무시하거나 또는 실행하지 않을 수 있다. 또한, 표시하거나 또는 토론한 상호 간의 결합 또는 직접 결합 또는 통신 연결은 약간의 인터페이스를 통할 수 있으며, 장치 또는 유닛의 간접 결합 또는 통신 연결은 전기적, 기계적 또는 기타 형식일 수 있다.
상기 분리 부재로써 설명한 유닛은 물리적으로 분리된 것일 수도 또는 아닐 수도 있고, 유닛으로써 표시한 부재는 물리적인 유닛일 수도 있고 아닐 수도 있다. 즉 한 곳에 위치하거나, 또는 복수의 네트워크 유닛에 분포될 수도 있다. 실제 필요에 따라 그 중의 일부 또는 전체 유닛을 선택하여 본 실시예의 방안의 목적을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 각 실시예 중의 각 기능 유닛은 하나의 처리유닛에 집적될 수도 있고, 각 유닛이 단독으로 물리적으로 존재할 수도 있으며, 두 개 또는 두 개 이상의 유닛이 하나의 유닛에 집적될 수도 있다. 상기 집적된 유닛은 하드웨어의 형식으로 구현될 수도 있고, 소프트웨어 기능 유닛의 형식으로 구현될 수도 있다.
상기 집적된 유닛이 소프트웨어 기능 유닛의 형식으로 구현되고 독립적인 제품으로 판매 또는 사용되는 경우, 하나의 컴퓨터 판독가능한 저장매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해를 바탕으로, 본 발명의 기술방안이 본질적으로 또는 종래 기술에 기여하는 부분 또는 상기 기술방안의 일부는 소프트웨어 제품의 형식으로 구현될 수 있으며, 상기 컴퓨터 소프트웨어 제품은 컴퓨터 장치(개인용 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 장치 등일 수 있다)가 본 발명의 각 실시예의 상기 방법의 전부 또는 일부 단계를 실행하도록 하기 위한 약간의 명령을 포함하는 저장매체에 저장된다. 전술한 저장매체는 U 디스크, 이동식 하드디스크, 리드 온리 메모리(ROM, Read-Only Memory), 랜덤 액세스 메모리(RAM, Random Accesss Memory), 자기디스크 또는 광디스크 등 프로그램 코드를 저장할 수 있는 각종 매체를 포함한다.
이상의 내용은 단지 본 발명의 구체적인 실시방식일 뿐이며, 본 발명의 보호범위는 이에 국한되지 않는다. 본 기술분야를 숙지하는 기술자가 본 발명이 공개한 기술 범위 내에서 용이하게 생각해낼 수 있는 임의의 변화 또는 교체는 모두 본 발명의 보호 범위 내에 포함되어야 한다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 상기 청구항의 보호범위를 기준으로 한다.

Claims (14)

  1. 압력 검출 방법에 있어서,
    상기 압력 검출 방법은,
    제1 전자장치의 센싱 전극을 통해 전기신호를 검출하여 상기 제1 전자 장치에서 검측된 특징 데이터를 획득하고, 상기 센싱 전극은 상기 제1 전자장치의 입력매체(input medium)에 압력을 작용시켜 생성된 변형신호를 전기신호로 변환하는 단계; 및
    상기 검측된 특징 데이터와 상기 제1 전자 장치의 R-F함수에 따라 상기 압력을 계산하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 제1 전자 장치의 R-F함수는 아래 방법으로 확정되고,
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계; 및
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 전자장치의 R-F함수를 결정하는 단계;
    를 포함하는 것으로,
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터는 각각 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력과 상기 제1 전자장치의 특징 데이터를 포함하고, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터는 상기 제1 전자장치의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제1 전자장치의 전기신호는 상기 제1 전기장치의 상기 센싱 전극이 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력을 상기 제1 전자장치의 상기 입력매체에 작용시켜 생성된 변형신호를 변환하여 형성되며,
    상기 R-F함수는 상기 제1 전자장치의 상기 입력매체에 작용한 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내고,
    상기 제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역을 포함하고, 상기 복수의 영역은 각각 적어도 하나의 센싱 전극에 대응되며;
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계는,
    상기 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터는 각각, 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력 및 상기 제1 영역의 특징 데이터를 포함하고, 상기 제1 영역의 특징 데이터는 상기 제1 영역의 전기신호를 검출하여 획득하며, 상기 제1 영역의 전기신호는 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극이 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력을 상기 제1 영역에 작용시켜 생성된 변형신호를 변환시켜 형성되며,
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터에 근거하여 상기 제1 전자장치의 R-F함수를 결정하는 단계는,
    상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여 상기 제1 영역의 제1 R-F함수를 결정하는 단계를 포함하고, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역에 작용하는 압력과 검출된 상기 제1 영역의 특징 데이터의 대응관계를 나타내고,
    상기 방법은,
    상기 제1 R-F함수에 근거하여 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 단계를 포함하고, 상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은, 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선을 좌우 평행이동, 상하 평행이동 및/또는 상하 신축하여 획득되고, 상기 제2 R-F함수는, 상기 제2 전자장치가 상기 제2 영역에서 작용력을 받을 때 검출된 상기 제2 영역의 특징 데이터에 대응하는 압력을 결정하기 위한 것으로, 상기 제2 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제1 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응되는,
    압력 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 R-F함수에 근거하여 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 단계는,
    제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 나타내고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측으로 향하는 평행이동량을 나타내며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측으로 향하는 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 미리 설정된 제로압력이 아닌 압력이고, 상기 제1 특징 데이터는 제로압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제1 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며,
    상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정하는, 압력 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 R-F함수에 근거하여 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 단계는,
    제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 나타내고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측으로 향하는 평행이동량을 나타내며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측으로 향하는 평행이동량을 나타내는 것으로, 그 중, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입하여 획득되고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제1 특징 데이터는 제로압력을 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력이 상기 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응되며,
    상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정하는, 압력 검출 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 상기 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하는 방법은,
    R1, R2, F1 및 R=
    Figure 112018073941973-pct00137
    1(F)에 근거하여,
    Figure 112018073941973-pct00138
    로 하여금 최소값인
    Figure 112018073941973-pct00139
    Figure 112018073941973-pct00140
    및
    Figure 112018073941973-pct00141
    을 획득하도록 결정하는 단계;
    상기
    Figure 112018073941973-pct00142
    , 상기
    Figure 112018073941973-pct00143
    및 상기
    Figure 112018073941973-pct00144
    을 각각 K2 ,
    Figure 112018073941973-pct00145
    Raw 및
    Figure 112018073941973-pct00146
    F1으로 결정하는 단계;를 포함하고,
    상기 R=
    Figure 112018073941973-pct00147
    1(F) 는 상기 제1 R-F함수를 표시하고, 상기 R1은 상기 제1 특징 데이터를 표시하며, 상기 R2는 상기 제2 특징 데이터를 표시하며, 상기 F1는 상기 제1 압력을 표시하고,
    상기 K2 는 상기 제1 파리미터를 표시하고, 상기
    Figure 112018073941973-pct00148
    Raw는 상기 제2 파라미터를 표시하며, 상기
    Figure 112018073941973-pct00149
    F1 은 상기 제3 파라미터를 표시하는, 압력 검출 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 R-F함수는,
    Figure 112018073941973-pct00150
    이고,
    상기 a, b, c와 d는 기지(旣知)의 파라미터이고, a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0 이며, A는 진폭을 나타내고, G는 증폭회로 이득을 나타내며, C1과 C20은 평판 커패시터를 나타내고, d0는 C20의 초기 간격을 나타내고, k는 탄성계수를 나타내며, R0는 저항을 나타내는, 압력 검출 방법.
  6. 압력 검출 장치에 있어서,
    상기 압력 검출 장치는,
    제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터를 획득하는 획득모듈; 및
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터인 압력 R-F함수를 결정하는 제1 결정모듈;
    을 포함하고,
    상기 제1 전자장치의 복수의 샘플 데이터는 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력과 상기 제1 전자장치의 특징 데이터를 포함하며, 상기 제1 전자장치의 특징 데이터는 상기 제1 전자 장치의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제1 전자장치의 전기신호는 상기 제1 전자장치의 센싱 전극이 상기 제1 전자장치의 미리 설정된 압력을 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용시켜 생성되는 변형신호를 변환시켜 형성되며,
    상기 R-F함수는 상기 제1 전자장치의 입력매체에 작용하는 압력과 검출된 특징 데이터의 대응관계를 나타내고,
    상기 제1 전자장치의 입력매체는 복수의 영역을 포함하고, 상기 복수의 영역은 각각 적어도 하나의 센싱 전극에 대응되며,
    상기 획득모듈은,
    상기 제1 전자장치의 입력매체의 제1 영역의 복수의 샘플 데이터를 획득하기 위한 것으로, 상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터는 각각 상기 제1 영역의 미리 설정된 압력과 상기 제1 영역의 특징 데이터를 포함하며, 상기 제1 영역의 특징 데이터는 제1 영역의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제1 영역의 전기신호는 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극이 상기 제1 영역이 미리 설정된 압력을 상기 제1 영역에 작용시켜 생성된 변형신호를 변환하여 형성되고,
    상기 제1 결정모듈은,
    상기 제1 영역의 복수의 샘플 데이터에 근거하여, 상기 제1 영역의 제1 R-F함수를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 R-F함수는 상기 제1 영역에 작용한 압력과 상기 제1 영역의 특징 데이터의 대응관계를 나타내며,
    상기 장치는,
    상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제2 전자장치의 입력매체의 제2 영역에 대응되는 제2 R-F함수를 결정하는 제2 결정모듈을 더 포함하고,
    상기 제2 R-F함수에 대응되는 곡선은 상기 제1 R-F함수에 대응되는 제1 R-F곡선을 좌우 평형이동, 상하 평형이동 및/또는 상하 신축하여 획득되고, 상기 제2 R-F함수는 상기 제2 전자장치가 상기 제2 영역이 작용력을 받을 때 검출되는 상기 제2 영역의 특징 데이터에 대응되는 압력을 결정하기 위한 것이며, 상기 제2 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제1 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응되는,
    압력 검출 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 결정모듈은,
    제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하기 위한 것으로, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내며, 상기 제1 압력은 미리 설정된 압력이 제로 압력이 아니고, 상기 제1 특징 데이터는 제로 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득되고, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제1 압력이 상기 제2 영역에 작용하여 상기 제2 영역의 전기신호를 검출하여 획득되며,
    상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정하는, 압력 검출 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제2 결정모듈은,
    제1 특징 데이터, 제2 특징 데이터, 제1 압력 및 상기 제1 R-F함수에 근거하여, 제1 파라미터, 제2 파라미터 및 제3 파라미터를 결정하고, 상기 제1 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 인장 또는 수축량을 표시하고, 상기 제2 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 상측 또는 하측 방향으로의 평행이동량을 표시하며, 상기 제3 파라미터는 상기 제1 R-F곡선의 좌측 또는 우측 방향으로의 평행이동량을 나타내며, 상기 제1 압력은 제3 특징 데이터를 상기 제1 R-F함수에 대입시켜 획득되고, 상기 제3 특징 데이터는 미리 설정된 제2 압력이 상기 제1 전자장치의 입력매체의 제3 영역에 작용하여 상기 제1 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제1 특징 데이터는 상기 제로 압력이 상기 제2 전자장치의 입력매체의 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되며, 상기 제2 특징 데이터는 상기 제2 압력이 상지 제4 영역에 작용하여 상기 제2 영역에 대응되는 센싱 전극의 전기신호를 검출하여 획득되는 것으로, 상기 제3 영역의 상기 제1 전자장치의 입력매체에서의 위치와 상기 제4 영역의 상기 제2 전자장치의 입력매체에서의 위치는 서로 대응되며,
    상기 제1 파라미터, 제2 파라미터, 제3 파라미터에 근거하여, 상기 제2 R-F함수를 결정하는, 압력 검출 장치.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제2 결정모듈은,
    R1, R2, F1 및 R=
    Figure 112018073941973-pct00151
    1(F)에 근거하여,
    Figure 112018073941973-pct00152
    로 하여금 최소값인
    Figure 112018073941973-pct00153
    Figure 112018073941973-pct00154
    및
    Figure 112018073941973-pct00155
    을 획득하도록 결정하고,
    상기
    Figure 112018073941973-pct00156
    , 상기
    Figure 112018073941973-pct00157
    및 상기
    Figure 112018073941973-pct00158
    을 각각 K2,
    Figure 112018073941973-pct00159
    Raw 및
    Figure 112018073941973-pct00160
    F1으로 결정하며,
    상기 R=
    Figure 112018073941973-pct00161
    1(F) 는 상기 제1 R-F함수를 표시하고, 상기 R1은 상기 제1 특징 데이터를 표시하며, 상기 R2는 상기 제2 특징 데이터를 표시하며, 상기 F1는 상기 제1 압력을 표시하고,
    상기 K2 는 상기 제1 파리미터를 표시하고, 상기
    Figure 112018073941973-pct00162
    Raw는 상기 제2 파라미터를 표시하며, 상기
    Figure 112018073941973-pct00163
    F1 상기 제3 파라미터를 표시하는, 압력 검출 장치.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 R-F함수는,
    Figure 112018073941973-pct00164
    이며,
    상기 a, b, c와 d는 기지(旣知)의 파라미터이고, a=AG, b=ωR0C1, c=ωR0C20kd0, d=kd0 이며, A는 진폭을 나타내고, G는 증폭회로 이득을 나타내며, C1과 C20은 평판 커패시터를 나타내고, d0는 C20의 초기 간격을 나타내고, k는 탄성계수를 나타내며, R0는 저항을 나타내는, 압력 검출 장치.
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