KR101926140B1 - 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 제조 방법이 개시된다. 상기 제조 방법은, 고상의 산화구리와 고상의 수산화알루미늄을 포함하는 합성 원료를 준비하는 단계; 상기 산화구리와 상기 수산화알루미늄을 제1 밀링 공정을 통해 혼합하여 원료 분말을 제조하는 단계; 상기 원료 분말을 800도 내지 1100도의 온도로 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 원료 분말에 대해 제2 밀링 공정을 수행하여, 상기 복합 소재의 시드(seed)로서 구리 알루미늄 산화물(CuAl2O4) 분말을 제조하는 단계를 포함한다.

Description

전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재 및 이의 제조 방법{COMPOSITE MATERIAL FOR FORMING A CONDUCTOR PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE COMPOSITE MATERIAL}
본 발명은 전도체 패턴 형성이 용이한 복합 소재 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 레이저와 같은 전자기파를 활용하여 3차원 형상의 부품에 전도체 패턴을 구현하는 복합 소재에 관한 것이다.
종래의 3차원 형태의 부품에 전도체 패턴을 형성하는 방법은 이종 또는 이색의 소재를 금형 내에서 순차적으로 사출 성형하여 부품을 얻고 그 위에 전도체 패턴을 형성하는 방법으로서, 도금이 안되는 소재를 1차 사출 후 도금이 가능한 소재를 2차로 사출하여 그 위에 전도체 패턴을 형성하는 방법이다.
그러나 이러한 이중 사출 방법을 이용한 전도체 패턴 형성방법은 복잡한 형태의 부품을 제작함에 있어서 금형의 제작이 어려울 뿐 아니라 제작된 부품 간의 편차가 심하며, 종래 기술에 의하면 제조되는 부품의 두께가 1mm 이상이어야 하므로 슬림한 형태의 부품제작이 어렵다. 특히, 제작된 부품에 복잡한 형태의 전도체 패턴을 형성하기 어렵다.
근래에는 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 소재에 레이저 처리 및 도금 처리 과정을 가하여 전도체 패턴을 구성하는 레이저 직접 구조화(LSD, Laser Direct Structuring) 방법을 이용하지만, 레이저에 의해 패턴을 형성시키기 위해 소재에 포함되는 시드 형성제가 최종적으로 제작되는 부품의 성형성을 떨어트리는 문제점이 있다.
더불어, 레이저 직접 구조화를 이용한 부품 제작 과정에서는 베이스 소재에 레이저를 바로 조사하기 때문에 베이스 소재의 특성에 따라 패턴이 번지거나 도금 공정 후에 전도체 패턴이 박리되는 현상이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 슬림하거나 복잡한 형태의 부품에 3차원 전도체 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 복합 소재 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 고온에서 안정적인 복합 소재 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 대량 생산에 적합한 저가의 합성법으로 제조된 복합 소재 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 복합 소재의 제조 방법은, 고상의 산화구리와 고상의 수산화알루미늄을 포함하는 합성 원료를 준비하는 단계; 상기 산화구리와 상기 수산화알루미늄을 제1 밀링 공정을 통해 혼합하여 원료 분말을 제조하는 단계; 상기 원료 분말을 800도 내지 1100도의 온도로 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 원료 분말에 대해 제2 밀링 공정을 수행하여, 상기 복합 소재의 시드(seed)로서 구리 알루미늄 산화물(CuAl2O4) 분말을 제조하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 일면에 따른 복합 소재는, 고상의 산화구리(Cu2O)와 고상의 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 혼합하여 생성된 원료 분말에 대해 열처리 과정을 수행하여 제조된 구리 알루미늄 산화물(CuAl2O4) 분말을 포함한다.
본 발명에 따르면, 스피넬 구조(spinel-type)의 구리 산화물 소재로 이루어진 복합 소재를 제공함으로써, 슬림하거나 복잡한 형태의 부품에 3차원 전도체 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 스피넬 구조(spinel-type)의 구리 산화물 소재를 고상 합성법으로 제조방법을 제공함으로써, 공정을 단순화하고, 이에 따른 제조 비용 및 제조 시간을 줄일 수 있을 뿐 아니라 대량 생산이 가능하다.
도 1은 종래의 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재(seed material)와 본 발명의 실시 예에 따른 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재 간의 열특성을 비교한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액상 합성법으로 구리 알루미늄 산화물 소재(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 고상 합성법으로 구리 알루미늄 산화물 소재(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 열처리 온도 별 X-선 회절 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 도료형 복합 소재를 레이저를 이용하여 패터닝 한 후에 도금 공정에 따라 형성된 전도체 패턴을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것일 뿐이므로 본 발명의 권리범위는 청구항의 기재에 의해 정하여진다.
한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가함을 배제하지 않는다. 이하, 본 발명의 따른 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명에서는 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재(seed material)로서 스피넬 구조(spinel type)를 갖는 구리 알루미늄 산화물 소재를 제공함을 특징으로 한다. 상기 구리 알루미늄 산화물 소재는 CuAl2O4 소재(Copper aluminate)일 수 있다.
또한, 본 발명은 스피넬 구조의 구리 산화물 소재로 시드 소재로 하는 복합 소재를 사출 형태의 제품 또는 도료와 같은 형태로 복합화하여 레이저에 의해 패터닝 한 후에 도금 공정을 이용하여 최종적으로 전도체 패턴(도체 패턴, 금속 패턴, 전도성 패턴 또는 도전성 패턴)을 제공할 수 있다. 상기 도금 공정은, 무전해 도금 공정일 수 있다.
도 1은 종래의 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재(seed material)와 본 발명의 실시 예에 따른 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재 간의 열특성을 비교한 그래프이다.
종래의 시드 소재와 본 발명의 실시 예에 따른 시드 소재 간의 열 특성을 비교하기 위해, 종래의 시드 소재로 구리 질화물(copper nitride)이 예시되며, 구체적으로, 상기 구리 질화물은 Cu3N 소재일 수 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 구리 질화물(copper nitride, Cu3N)은 대략 300도부터 열분해 및 이에 따른 산화 작용을 시작하여 질량(Mass(%))이 증가하기 시작하고, 400도부터 급격히 반응하기 시작함을 알 수 있다.
이에 반해, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 구리 알루미늄 산화물 소재(Copper aluminate, CuAl2O4)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 구리 질화물(copper nitride)이 비해 대략 1000도까지도 안정적인 열물성(thermal property)을 나타냄으로써, 종래의 구리 질화물(copper nitride, Cu3N)에 비해 상대적으로 안정적인 열물성(thermal property)을 나타냄을 알 수 있다. 참고로, 상기 열물성은 물체 고유의 열적 성질을 총칭하는 용어로, 열전도율, 열확산율, 비열, 팽창률, 점성 계수 등을 예로 들 수 있다.
따라서, 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 시드 소재로서 상기 구리 알루미늄 산화물 소재(Copper aluminate, CuAl2O4)를 이용하면, 고온에서 안정적인 복합 소재를 제공할 수 있다.
이러한 고온에서 안정적인 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 소재는 화학적 합성법(Chemical synthesis)으로 제조할 수 있으며, 상기 화학적 합성법은 크게 액상 간의 화학반응을 이용하는 액상 합성법과 고상 간의 화학반응을 이용하는 고상 합성법을 예로 들 수 있다.
액상 합성법에 의한 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate , CuAl 2 O 4 ) 제조
먼저, 액상 합성법을 이용하여 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)를 제조하는 방법은 도 2와 같다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 액상 합성법에 따른 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법은 혼합 용액 준비 공정(S210, Dissolved), 숙성 공정(S220, Aging), 건조 공정(S230, Drying) 열처리 공정(S240, Burn out)을 포함할 수 있다.
먼저, 상기 혼합 용액 준비 공정(S210)에서는, 질산 구리 3수화물(copper nitrate trihydrate)와 질산 알루미늄 9수화물(aluminum nitrate nonahydrate)로 이루어진 출발 원료(또는 금속 수화물)을 시트르산(citric acid)과 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르(diethylene glycol monoethyl ether, DGME)로 이루어진 에테르계 용매에 분산시켜 혼합 용액을 준비하는 공정이 진행된다. 여기서, 상기 출발 원료인 질산 구리 3수화물(copper nitrate trihydrate)와 질산 알루미늄 9수화물(aluminum nitrate nonahydrate)의 비율은 구리(copper)와 알루미늄(aluminum)의 몰(mol) 비율이 1:2에서 1:3의 비율이 되도록 설정하는 것이 적정하며, 더 좋게는 1:2.1의 비율이 바람직하다.
이어, 상기 숙성 공정(S220)에서는, 상기 혼합 용액의 겔화(gelation)를 유도하도록 상기 혼합 용액을 5도에서 12시간 동안 숙성하는 공정이 진행된다.
이어, 상기 건조 공정(S230)에서는, 상기 숙성된 겔 물질을 110도에서 6시간 동안 건조하는 공정을 진행한다.
이어, 상기 열처리 공정(S240)에서, 상기 건조된 겔 분말을 600도에서 5시간 동안 1차 가열을 진행한 후, 다시 900도에서 5시간 동안 2차 가열을 진행하여 분말 형태의 미세한 결정성 구리 알루미늄 산화물을 획득할 수 있게 된다.
한편, 상기 출발 원료 비율, 숙성 조건, 건조 조건 및 열처리 조건에 따라서 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 외에 구리 산화물(copper oxide)과 같은 부산물이 합성이 될 수 있다. 따라서, 상기 조건들을 적절히 제어함에 따라 구리 산화물(copper oxide)과 같은 부산물의 생성을 최소화하여 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 합성 수율(yield)을 높일 수가 있다.
고상 합성법에 의한 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate , CuAl 2 O 4 ) 제조
전술한 액상 합성법에 의한 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법은 공정이 복잡하고, 합성 원료인 질산 구리 3수화물(copper nitrate trihydrate)와 질산 알루미늄 9수화물(aluminum nitrate nonahydrate)가 고가인 점이 단점이 있을 수 있다.
이러한 단점을 극복하기 위해, 본 발명의 다른 실시 예에서는 합성 원료부터 저가의 고상 합성법을 활용하여 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 합성하는 제조 방법을 이용할 수 있다.
액상법으로 합성되는 원료의 비용은 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 1톤(ton)을 합성하는 데 소요되는 비용은 약123,100,000원이다. 이에 반해, 고상 합성법의 경우, 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 1톤(ton) 합성하는 데 소요되는 비용은 약 10,270,000원이다. 즉, 고상 합성법에서는 액상 합성법에 비해 1/10이하로 원료 비용을 줄일 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 고상 합성법으로 구리 알루미늄 산화물 소재(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 고상 합성법으로 분말 형태의 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 제조 방법은 출발 원료 준비 공정(S310), 제1 밀링 공정(S320), 열처리 공정(S330) 및 제2 밀링 공정(S340)을 포함한다.
상기 출발원료 준비 공정(S310)에서는, 출발 원료가 준비된다. 상기 출발 원료는 고상의 산화구리(Cu2O)과 고상의 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 포함한다. 여기서, 출발 원료로서, CuO와 Al2O3와 같은 원료가 이용될 수 있지만, CuO와 AL2O3는 본 발명의 실시 예에 따른 고상 합성법에서 수행하는 아래의 열처리 온도 범위에서 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 합성할 수 없다.
CuO와 Al2O3와 같은 출발원료로 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 합성하기 위해서는, 본 발명에서 제안하는 열처리 온도 범위를 벗어나는 1100도 보다 더 높은 온도나 특수 촉매나 분위기 열처리 등이 필요하기 때문에, 제조 비용 측면에서 바람직하지 않다.
이어, 상기 제1 밀링 공정(S320)에서는, 상기 산화구리(Cu2O):상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)이 1:2 내지 1:3, 바람직하게는 1:2.1의 몰(mol) 비율을 갖도록 칭량한 후, 볼밀링을 통해 균질하게 혼합하여, 원료 분말을 제조하는 공정을 진행한다.
상기 몰(mol) 비율은 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)에 대한 최적의 합성 수율(yield)을 제공하며, 상기 몰(mol) 비율을 벗어나는 경우, 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)외에 다른 합성물이 합성될 수 있다. 예를 들면, 상기 산화구리(Cu2O)의 비율이 높아지면 합성 시에 고온에서 열처리를 실시하게 때문에 CuO와 같은 불순물이 생성될 수 있으며, 반대로, 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3) 비율이 높아지면, Al2O3와 같은 불순물이 생성될 있다. 이는 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 수율을 저하시키는 결과를 초래한다.
산화구리(Cu2O): 수산화알루미늄(Al(OH)3)이 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)의 비율이 살짝 높게 1:2.1의 몰(mol) 비율로 혼합될 때, CuO와 Al2O3같은 불순물의 생성을 최대로 억제하고, 최적을 수율을 제공할 수 있다.
이어, 상기 열처리 공정(S330)에서, 상기 균질하게 혼합된 원료 분말에 대해 800도 내지 1100에서 가열하는 공정을 진행한다. 예를 들면, 상기 균질하게 혼합된 원료 분말을 도가니에 투입하고, 연소 챔버 내 니켈-크롬 코일 하부에 상기 도가니가 위치하도록 도가니를 연소 챔버에 투입한 후, 상기 니켈-크롬 코일을 이용하여 800도 내지 1100도의 온도로 상기 도가니 표면을 가열한다.
이어, 상기 제2 밀링 공정(S340)에서, 상기 열처리된 원료 분말에 대해 제2 밀링 공정을 진행하여 미세한 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말을 제조하는 일련의 공정이 완료된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 열처리 온도 별 X-선 회절 결과를 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 고상 합성법의 경우, 1시간 동안 800도에서 수행되는 제1 열처리에 의해 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 합성이 시작되며 1시간동안 900도에서 수행되는 제2 열처리에 의해 합성이 완료됨을 알 수 있다.
또한, 1000도 내지 1100도의 고온에서도 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)의 합성이 가능함을 알 수 있다. 다만, 제조 공정의 비용 측면에서 더 낮은 온도인 900도에서 합성을 하면 제조 공정 비용을 줄일 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 고상 합성법으로 제조된(합성된) 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 활용하여 다양한 복합 소재의 제조가 가능하다.
예를 들면, 사출형 복합 소재의 경우, 열가소성 수지인 polycarbonate(PC), PC/ABS, PPA, PA66, TPA, LCP, PBT 등과 혼합하여 Compounding 공정으로 pellet 형태로 제조 후에 금형을 활용하여 다양한 형태의 제품으로 사출하고, 사출된 제품에 레이저를 활용하여 패터닝을 실시한 후에 무전해 동도금 공정으로 전도체 패턴(금속 패턴)을 완성할 수 있다. 이 경우, 활용되는 레이저의 파장대가 1064nm, 325nm 등으로 특별히 레이저의 파장대에 국한되지는 않는다. 또한 활용되는 수지도 특별히 국한되지는 않는다.
도료형 복합 소재의 경우, Polyester polyol, 우레탄, 에폭시, 페놀과 같은 수지에 각종 분산제, 레벨링제, 유기용제를 활용하고 여기에 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된(합성된) 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 혼합하여 도료형 복합 소재를 제조할 수 있다.
이와 같이, 제조된 도료형 복합 소재는 일반적인 스프레 코팅, 딥 코팅과 같은 코팅 공정을 활용하여 각종 기판에 도포되고, 도포된 복합 소재에 레이저로 패터닝 후에 무전해 도금 공정으로 전도체 패턴(금속 패턴)을 완성할 수 있다. 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 고상 합성법으로 제조된(합성된) 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4)을 시드 소재로 하는 도료형 복합 소재에 패터닝된 전도체 패턴(금속 패턴)의 확대 사진이 나타난다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 레이저를 이용하여 3차원 형상의 부품에 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 제조 방법에서,
    고상의 산화구리(Cu2O)와 고상의 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 포함하는 합성 원료를 준비하는 단계;
    상기 산화구리(Cu2O)와 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 제1 밀링 공정을 통해 혼합하여 원료 분말을 제조하는 단계;
    상기 원료 분말을 800도 내지 1100도의 온도로 열처리하는 단계; 및
    상기 열처리된 원료 분말에 대해 제2 밀링 공정을 수행하여, 상기 복합 소재의 시드(seed)로서 미세한 구리 알루미늄 산화물(CuAl2O4) 분말을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 원료 분말을 제조하는 단계는,
    CuO와 Al2O3를 포함하는 불순물 생성을 억제하고 동시에 최적의 합성 수율을 제공하기 위해 상기 산화구리(Cu2O)와 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 1:2.1의 몰(mol) 비율을 갖도록 칭량하는 단계 및 상기 몰 비율로 칭량한 상기 산화구리(Cu2O)와 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 볼 밀링을 통해 균질하게 혼합하여, 상기 원료 분말을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 열처리 하는 단계는,
    1시간 동안 800도에서 수행되는 제1 열처리에 의해 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 합성이 시작되고, 1시간동안 900도에서 수행되는 제2 열처리에 의해 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 합성이 완료되는 단계인 것인 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재의 제조 방법.
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  6. 고상의 산화구리(Cu2O)와 고상의 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 혼합하여 생성된 원료 분말에 대해 열처리 과정을 수행하여 제조된 구리 알루미늄 산화물(CuAl2O4) 분말을 포함하고,
    상기 원료 분말은,
    CuO와 Al2O3를 포함하는 불순물 생성을 억제하고 동시에 최적의 합성 수율을 제공하기 위해 상기 산화구리(Cu2O)와 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 1:2.1의 몰(mol) 비율을 갖도록 칭량하는 단계 및 상기 몰 비율로 칭량한 상기 산화구리(Cu2O)와 상기 수산화알루미늄(Al(OH)3)을 볼 밀링을 통해 균질하게 혼합하는 단계로부터 생성되고,
    상기 열처리 과정은,
    상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 합성이 시작되도록 1시간 동안 800도에서 수행되는 제1 열처리와 상기 구리 알루미늄 산화물(Copper aluminate, CuAl2O4) 분말의 합성이 완료되도록 1시간 동안 900도에서 수행되는 제2 열처리를 포함하는 전도체 패턴을 형성하기 위한 복합 소재.
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