KR101918810B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

(과제) 기판의 탑재대로부터의 박리를 정확하게 검지할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치(11)는, 기판 G를 수용하여 그 기판 G에 플라즈마에 의해 플라즈마 에칭을 실시하는 챔버(20)와, 그 챔버(20)의 내부에 설치되어 기판 G를 탑재하는 탑재대(21)와, 그 탑재대(21)에 내장되어 기판 G를 탑재대(21)에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극(27)과, 그 정전 흡착 전극(27)에 직류 전압을 인가하는 직류 전원(28)과, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)과, 정전 흡착 전극(27)에 인가되는 직류 전압을 감시하는 직류 전압 모니터(46)를 구비하고, 직류 전압 모니터(46)에 의해 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)은 고주파 전력의 공급을 정지한다.(PROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION) A substrate processing method capable of precisely detecting peeling from a mounting surface of a substrate is provided.
A substrate processing apparatus (11) includes a chamber (20) for receiving a substrate (G) and subjecting the substrate (G) to plasma etching by plasma, and a chamber (20) provided inside the chamber An electrostatic attraction electrode 27 embedded in the mount table 21 for electrostatically attracting the substrate G to the mount table 21 and a direct current applying unit 26 for applying a direct current voltage to the electrostatic attraction electrode 27 A high frequency power supply for plasma generation 41 for supplying a high frequency power for generating a plasma and a DC voltage monitor 46 for monitoring a DC voltage applied to the electrostatic adsorption electrode 27, When the DC voltage monitored by the DC voltage monitor 46 exceeds a predetermined threshold value, the plasma generating high frequency power supply 41 stops the supply of the high frequency power.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은, 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 기판 등의 대형 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for performing plasma processing on a large substrate such as a substrate for a flat panel display (FPD).

FPD용의 패널 제조에서는, 유리 등의 절연체로 이루어지는 기판상에 화소의 디바이스 또는 전극이나 배선 등이 형성된다. 이와 같은 패널 제조의 여러 가지의 공정 중, 에칭, CVD, 애싱, 스퍼터링 등의 미세 가공 공정은, 많은 경우, 플라즈마를 이용하는 기판 처리 장치에 의해 행해진다. 기판 처리 장치는, 예컨대, 감압 가능한 처리실의 내부에 있어서 기판을 하부 전극으로서의 서셉터를 갖는 탑재대의 위에 탑재하고, 서셉터에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해 기판상에 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하고, 그 플라즈마를 이용하여 기판에, 예컨대, 에칭을 실시한다.In panel fabrication for FPD, pixel devices, electrodes, wirings, and the like are formed on a substrate made of an insulator such as glass. Among various processes of manufacturing such a panel, the microfabrication process such as etching, CVD, ashing, and sputtering is often performed by a substrate processing apparatus using plasma. The substrate processing apparatus is, for example, capable of generating plasma from a process gas on a substrate by mounting a substrate on a stage having a susceptor as a lower electrode in a process chamber capable of reducing pressure and supplying a high frequency power to the susceptor, The substrate is subjected to, for example, etching using the plasma.

일반적으로, 플라즈마를 이용하는 에칭(이하, 「플라즈마 에칭」이라고 한다.)은 기판의 온도에 따라 진전 속도가 변화하기 때문에, 에칭 중에는 기판의 온도를 제어할 필요가 있다. 이것에 대응하여, 온도 조절된 냉매를 탑재대 내의 냉매 유로에 순환 공급함과 아울러, He 가스 등의 전열성이 좋은 가스(이하, 「전열 가스」라고 한다.)를 탑재대의 기판 탑재면에 개구하는 가스 구멍으로부터 기판의 이면에 공급하고, 전열 가스의 전열에 의해 기판을 탑재대에 의해 간접적으로 냉각한다. 이때, 전열 가스의 압력에 의해 기판이 탑재대로부터 떠오르는 것을 방지하기 위해, 기판은 탑재대에 정전 흡착력 등에 의해 흡착 유지된다.Generally, the etching rate using plasma (hereinafter referred to as " plasma etching ") varies in accordance with the temperature of the substrate, and therefore, it is necessary to control the temperature of the substrate during etching. In response to this, the temperature-controlled refrigerant is circulated and supplied to the refrigerant passage in the mounting table, and a gas having a good heat transfer property such as He gas (hereinafter referred to as "heat transfer gas" Is supplied from the gas hole to the back surface of the substrate, and the substrate is indirectly cooled by the mounting table by the heat of the heat transfer gas. At this time, in order to prevent the substrate from rising from the mounting table due to the pressure of the heat transfer gas, the substrate is attracted and held on the mounting table by the electrostatic attraction force or the like.

그런데, 플라즈마 에칭 중, 기판이 탑재대로부터 박리되면, 탑재대의 기판 탑재면이 노출되고, 내압이 낮은 가스 구멍의 가장자리와 플라즈마의 사이에 있어서 이상 방전이 생길 우려가 있다. 이상 방전은 종종, 그 발생 부위 및 그 근방을 파괴하고, 이 파괴에 수반하여 파티클을 발생시킬 뿐만 아니라 기판상의 디바이스 등을 손상시키기 때문에, 기판의 탑재대로부터의 박리를 검지하고, 박리를 검지하면 고주파 전력의 공급을 즉시 정지하여 플라즈마를 소멸시킬 필요가 있다.However, when the substrate is peeled off from the mounting substrate during the plasma etching, the substrate mounting surface of the mounting table is exposed, and an abnormal discharge may occur between the edge of the gas hole with low internal pressure and the plasma. The abnormal discharge often breaks the generation site and its vicinity, and not only generates particles along with the destruction but also damages the device on the substrate. Therefore, the separation of the substrate from the substrate is detected, and when the separation is detected It is necessary to immediately stop the supply of the high-frequency electric power and extinguish the plasma.

기판의 탑재대로부터 박리를 검지하는 방법으로서는, 기판의 탑재대로부터 박리되면 전열 가스의 유량이 흐트러지는 것으로부터, 전열 가스의 유량을 감시하고, 전열 가스의 유량이 흐트러져 임계치를 복수 회 넘었을 때에 기판이 탑재대로부터 박리되었다고 판정하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조.).As a method of detecting the peeling from the substrate on which the substrate is mounted, the flow rate of the heat transfer gas is monitored when the flow rate of the heat transfer gas is disturbed when the substrate is peeled off from the substrate, and when the flow rate of the heat transfer gas is disturbed, A method of determining that the substrate is peeled off from the mount is known (see, for example, Patent Document 1).

(선행 기술 문헌)(Prior art document)

(특허 문헌)(Patent Literature)

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2012-99634호 공보(Patent Document 1) Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1996-99634

그렇지만, 최근, FPD용의 패널의 대형화에 수반하여 기판 처리 장치도 대형화하고, 전열 가스의 공급 경로가 길어지고 있기 때문에, 해당 공급 경로의 컨덕턴스가 저하하고 있다. 따라서, 기판이 탑재대로부터 박리되더라도 전열 가스의 유량이 즉시 변화하지는 않아, 전열 가스의 유량이 임계치를 넘었을 때에는, 기판이 탑재대로부터 박리되고 나서 몇 초나 경과하여 있는 일이 있다.However, in recent years, along with the enlargement of the FPD panel, the substrate processing apparatus has also become larger and the supply path of the heat transfer gas has become longer, so that the conductance of the supply path is lowered. Therefore, even if the substrate is peeled off from the mount, the flow rate of the heat-transfer gas does not change immediately, and when the flow rate of the heat-transfer gas exceeds the threshold value, a few seconds may elapse after the substrate is peeled off from the mount.

또한, 플라즈마 에칭에서는 플라즈마가 생성되면 정전 흡착력이 커지는 것으로부터 기판의 냉각 능력을 향상시키기 위해 전열 가스의 유량이나 압력을 도중에 증가시키는 것, 즉, 에칭을 행하기 위한 프로그램인 레시피에 있어서 전열 가스의 유량을 의도적으로 증가시키는 일이 있다. 이때도, 전열 가스의 유량은 공급 경로의 컨덕턴스의 저하에 기인하여 시간이 걸려서 변화하기 때문에, 레시피에 기인하는 전열 가스의 유량의 변화와 기판의 탑재대로부터의 박리에 기인하는 전열 가스의 유량의 변화가 겹치는 일이 있다. 따라서, 전열 가스의 유량의 변화를 검지하더라도, 그 변화의 요인이 레시피에 기인하는 것인지 기판의 탑재대로부터의 박리에 기인하는 것인지가 불명하게 되는 일이 있다.In plasma etching, since the electrostatic attraction force is increased when plasma is generated, it is necessary to increase the flow rate or pressure of the heat transfer gas in order to improve the cooling ability of the substrate, that is, to increase the flow rate or pressure of the heat transfer gas in the recipe The flow rate may intentionally be increased. Even at this time, since the flow rate of the heat transfer gas varies with time due to the decrease in the conductance of the supply path, the flow rate of the heat transfer gas caused by the recipe and the flow rate of the heat transfer gas There may be overlapping changes. Therefore, even if a change in the flow rate of the heat transfer gas is detected, it may become unclear whether the factor of the change is attributable to the recipe or the peeling off of the substrate from the mount.

이상으로부터, 전열 가스의 유량을 감시하더라도 기판의 탑재대로부터의 박리를 정확하게 검지하는 것은 곤란하다.From the above, even if the flow rate of the heat transfer gas is monitored, it is difficult to accurately detect the peeling from the substrate.

본 발명의 목적은, 기판의 탑재대로부터의 박리를 정확하게 검지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of precisely detecting peeling from a mounting table of a substrate.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판 처리 방법은, 기판을 수용하여 상기 기판에 플라즈마에 의해 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실의 내부에 설치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 내장되어 상기 기판을 상기 탑재대에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극과, 상기 정전 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 전압 감시 장치를 더 구비하고, 상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 고주파 전원은 상기 고주파 전력의 공급을 정지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing method of the present invention comprises: a processing chamber for containing a substrate and performing a process on the substrate by plasma; a mount table installed inside the process chamber for mounting the substrate; And a high frequency power supply for supplying the high frequency power for generating the plasma, wherein the electrostatic attraction electrode includes: an electrostatic attraction electrode which is embedded in the table and electrostatically adsorbs the substrate to the table, a direct current power source for applying a direct current voltage to the electrostatic attraction electrode, A substrate processing method in a processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus further includes a voltage monitoring device for monitoring a DC voltage applied to the electrostatically attracting electrode, and when the monitored DC voltage exceeds a predetermined threshold value, And the high-frequency power supply stops the supply of the high-frequency power.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 상기 기판에 플라즈마에 의해 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실의 내부에 설치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 내장되어 상기 기판을 상기 탑재대에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극과, 상기 정전 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 전압 감시 장치를 구비하고, 상기 전압 감시 장치에 의해 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 고주파 전원은 상기 고주파 전력의 공급을 정지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention comprises: a processing chamber for containing a substrate and subjecting the substrate to plasma treatment; a mounting table mounted inside the processing chamber for mounting the substrate; And a high frequency power supply for supplying the high frequency power for generating the plasma, wherein the electrostatic attraction electrode includes: an electrostatic attraction electrode which is embedded in the table and electrostatically adsorbs the substrate to the table, a direct current power source for applying a direct current voltage to the electrostatic attraction electrode, And a voltage monitoring device for monitoring a DC voltage applied to the electrostatic adsorption electrode, wherein when the DC voltage monitored by the voltage monitoring device exceeds a predetermined threshold value, the high frequency power source supplies the high frequency power Is stopped.

본 발명에 의하면, 탑재대에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압이 감시되고, 그 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 고주파 전원은 고주파 전력의 공급을 정지한다. 탑재대에 탑재된 기판과 정전 흡착 전극은 콘덴서를 형성하지만, 기판이 탑재대로부터 박리되면, 그 콘덴서의 정전 용량이 변화하기 때문에 기판 및 정전 흡착 전극의 전위차가 변화하여 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압이 변동한다. 따라서, 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 것에 의해, 기판의 탑재대로부터의 박리를 검지할 수 있다. 또한, 기판과 정전 흡착 전극이 형성하는 콘덴서의 전하량은 일정하고, 기판이 탑재대로부터 박리되어 콘덴서의 정전 용량이 변화하면, 즉시 기판 및 정전 흡착 전극의 전위차도 변화하기 때문에, 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 것에 의해, 기판의 탑재대로부터의 박리를 신속히 검지할 수 있다. 또한, 통상, 레시피에 따라 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 변화시키는 경우, 그 직류 전압은 단시간에 변화하는 한편, 기판이 탑재대로부터 박리되었을 때도 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압은 단시간에 변화한다. 따라서, 레시피에 기인하는 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압의 변화와 기판의 탑재대로부터의 박리에 기인하는 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압의 변화가 겹치는 일이 없고, 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압의 변화를 검지했을 때, 그 변화의 요인이 레시피에 기인하는 것인지 기판의 탑재대로부터의 박리에 기인하는 것인지가 불명하게 되는 일이 없다. 이상에 의해, 기판의 탑재대로부터의 박리를 정확하게 검지할 수 있다.According to the present invention, the DC voltage applied to the electrostatic adsorption electrode electrostatically attracted to the mounting table is monitored, and when the monitored DC voltage exceeds the predetermined threshold value, the RF power supply stops the supply of the RF power. The substrate mounted on the mount table and the electrostatic attraction electrode form a capacitor. When the substrate is peeled off from the mount, the capacitance of the capacitor changes, so that the potential difference between the substrate and the electrostatic attraction electrode changes, Voltage fluctuates. Therefore, by monitoring the DC voltage applied to the electrostatically adsorbing electrode, it is possible to detect the peeling off the substrate from the mounting table. In addition, since the amount of charge of the capacitor formed by the substrate and the electrostatic adsorption electrode is constant and the potential difference between the substrate and the electrostatic adsorption electrode changes immediately as the substrate is peeled off from the mounting table and the capacitance of the capacitor changes, By monitoring the DC voltage applied to the substrate, it is possible to quickly detect the peeling from the substrate. In addition, when the DC voltage applied to the electrostatically attracting electrode is changed in accordance with the recipe, the DC voltage changes in a short time. On the other hand, even when the substrate is peeled from the mount, the DC voltage applied to the electrostatically attracting electrode is changed do. Therefore, the DC voltage applied to the electrostatically attracted electrode due to the recipe is not overlapped with the DC voltage applied to the electrostatically attracted electrode due to the peeling from the substrate on the substrate, When detecting a change in voltage, it is not known whether the factor of the change is caused by the recipe or by the peeling off from the mount of the substrate. Thus, the peeling from the substrate can be accurately detected.

도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 복수 구비하는 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 플라즈마 에칭 중에 이상 방전이 발생하지 않은 경우의 DC, 소스 및 바이어스의 로그를 나타내는 그래프이다.
도 4는 플라즈마 에칭 중에 이상 방전이 발생한 경우의 DC, 소스 및 바이어스의 로그를 나타내는 그래프이다.
도 5는 정전 흡착 전극에 있어서의 전위의 변화를 설명하기 위한 도면이고, 도 5(a)는 기판이 탑재대로부터 박리되고 있지 않은 경우를 나타내고, 도 5(b)는 기판이 탑재대로부터 박리된 경우를 나타낸다.
도 6은 종래의 기판 처리 장치의 기판 박리 판정 시스템의 블록도이다.
도 7은 본 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치의 기판 박리 판정 시스템의 블록도이다.
도 8은 본 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 방법으로서의 플라즈마 에칭 정지 처리를 나타내는 플로차트이다.1 is a perspective view schematically showing a configuration of a substrate processing system having a plurality of substrate processing apparatuses according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the substrate processing apparatus in Fig. 1. Fig.
3 is a graph showing the logarithm of DC, source, and bias in the case where an abnormal discharge does not occur during plasma etching.
4 is a graph showing the logarithm of DC, source, and bias when an abnormal discharge occurs during plasma etching.
5 (a) and 5 (b) illustrate a case where the substrate is not peeled off from the mounting table, FIG. 5 (b) .
6 is a block diagram of a substrate peeling determination system of a conventional substrate processing apparatus.
7 is a block diagram of a substrate peeling determination system of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
8 is a flow chart showing a plasma etching stop process as a substrate processing method according to the present embodiment.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 복수 구비하는 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a configuration of a substrate processing system having a plurality of substrate processing apparatuses according to the present embodiment.

도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(10)은, 유리 기판 등의 FPD용의 기판 G에 플라즈마 처리, 예컨대, 플라즈마 에칭을 실시하는 3개의 기판 처리 장치(11)를 구비한다.1, the substrate processing system 10 includes three substrate processing apparatuses 11 for performing plasma processing, for example, plasma etching, on a substrate G for FPD such as a glass substrate.

각 기판 처리 장치(11)는 각각, 수평 단면이 다각 형상(예컨대, 수평 단면이 직사각형 형상)인 반송실(12)의 측면에 게이트 밸브(13)를 사이에 두고 연결된다. 반송실(12)에는, 또한, 로드록실(14)이 게이트 밸브(15)를 사이에 두고 연결된다. 로드록실(14)에는, 기판 반출입 기구(16)가 게이트 밸브(17)를 통해서 인접하여 마련된다. 기판 반출입 기구(16)에는 2개의 인덱서(18)가 인접하여 마련된다. 인덱서(18)에는 기판 G를 수납하는 카세트(19)가 탑재된다. 카세트(19)는 복수 매(예컨대, 25매)의 기판 G를 수납한다.Each of the substrate processing apparatuses 11 is connected to the side surface of the transport chamber 12 having a horizontal cross section in a polygonal shape (for example, a horizontal cross section is rectangular) with the gate valve 13 interposed therebetween. In the transfer chamber 12, a load lock chamber 14 is also connected via the gate valve 15. The substrate loading / unloading mechanism 16 is provided adjacently to the load lock chamber 14 through the gate valve 17. Two indexers 18 are provided adjacent to the substrate loading / unloading mechanism 16. The indexer 18 is provided with a cassette 19 for storing the substrate G therein. The cassette 19 accommodates a plurality of (e.g., 25) substrates G.

기판 처리 시스템(10)에 있어서, 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시할 때, 우선, 기판 반출입 기구(16)에 의해 카세트(19)에 수납된 기판 G를 로드록실(14)의 내부에 반입한다. 이때, 로드록실(14)의 내부에 플라즈마 에칭이 끝난 기판 G가 존재하면, 해당 플라즈마 에칭이 끝난 기판 G를 로드록실(14) 내로부터 반출하고, 에칭되지 않은 기판 G와 바꿔 놓는다. 로드록실(14)의 내부에 기판 G가 반입되면, 게이트 밸브(17)를 닫는다.In the substrate processing system 10, when plasma etching is performed on the substrate G, first, the substrate G housed in the cassette 19 is carried into the load lock chamber 14 by the substrate loading / unloading mechanism 16. At this time, if the plasma-etched substrate G exists in the load lock chamber 14, the substrate G subjected to the plasma etching is taken out from the load lock chamber 14 and replaced with the substrate G which is not etched. When the substrate G is carried into the load lock chamber 14, the gate valve 17 is closed.

그 다음에, 로드록실(14)의 내부를 소정의 진공도까지 감압한 후, 반송실(12)과 로드록실(14)의 사이의 게이트 밸브(15)를 열어서, 로드록실(14)의 내부의 기판 G를 반송실(12)의 내부의 반송 기구(도시하지 않는다)에 의해 반송실(12)의 내부에 반입하고, 그 후, 게이트 밸브(15)를 닫는다.The inside of the load lock chamber 14 is decompressed to a predetermined degree of vacuum and then the gate valve 15 between the transfer chamber 12 and the load lock chamber 14 is opened to open the inside of the load lock chamber 14 The substrate G is carried into the transfer chamber 12 by a transfer mechanism (not shown) inside the transfer chamber 12, and then the gate valve 15 is closed.

그 다음에, 반송실(12)과 기판 처리 장치(11)의 사이의 게이트 밸브(13)를 열어서, 상기 반송 기구에 의해 기판 처리 장치(11)의 내부에 에칭되지 않은 기판 G를 반입한다. 이때, 기판 처리 장치(11)의 내부에 플라즈마 에칭이 끝난 기판 G가 있으면, 해당 플라즈마 에칭이 끝난 기판 G를 반출하고, 에칭되지 않은 기판 G와 바꿔 놓는다. 그 후, 기판 처리 장치(11)는 반입된 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시한다.Next, the gate valve 13 between the transport chamber 12 and the substrate processing apparatus 11 is opened, and the unprocessed substrate G is carried into the substrate processing apparatus 11 by the transport mechanism. At this time, if there is a plasma-etched substrate G in the substrate processing apparatus 11, the plasma-etched substrate G is taken out and replaced with a substrate G which is not etched. Thereafter, the substrate processing apparatus 11 performs plasma etching on the loaded substrate G.

도 2는 도 1에 있어서의 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of the substrate processing apparatus in Fig. 1. Fig.

도 2에 있어서, 기판 처리 장치(11)는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치로 이루어지고, 대략 직사각형 형상의 챔버(20)(처리실)와, 그 챔버(20)내의 아래쪽에 배치되어 기판 G를 꼭대기 부분에 탑재하는 대(臺) 형상의 탑재대(21)와, 탑재대(21)와 대향하도록 챔버(20) 내의 위쪽에 유전체, 또는 금속으로 이루어지는 창(窓) 부재(도시하지 않는다)를 사이에 두고 배치되는 소용돌이 형상의 도체로 이루어지는 유도 결합 안테나(50)와, 창 부재의 아래쪽에 있어서 챔버(20) 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(22)를 구비하고, 탑재대(21) 및 가스 공급부(22)의 사이에는 처리 공간 S가 형성된다.2, the substrate processing apparatus 11 is an inductively coupled plasma processing apparatus, and includes a substantially rectangular chamber 20 (processing chamber), and a lower substrate 20 disposed below the chamber 20, And a window member (not shown) made of a dielectric material or metal on the upper side in the chamber 20 so as to face the mount table 21 is provided between the mounting table 21 and the mounting table 21, And a gas supply section 22 for supplying a process gas into the chamber 20 under the window member and is provided with a mount table 21 and gas A processing space S is formed between the supply portions 22.

탑재대(21)는, 도체로 이루어지는 서셉터(23)를 내장하고, 그 서셉터(23)에는 바이어스용 고주파 전원(24)(다른 고주파 전원)이 정합기(25)를 통해서 접속된다. 또한, 탑재대(21)의 상부에는 층(層) 형상의 유전체로 형성되는 정전 흡착부(ESC)(26)가 배치되고, 그 정전 흡착부(26)는, 상층의 유전체층과 하층의 유전체층에 의해 사이에 두도록 하여 정전 흡착 전극(27)을 내장한다. 정전 흡착 전극(27)에는 직류 전원(28)이 접속되고, 직류 전원(28)이 정전 흡착 전극(27)에 직류 전압을 인가하면, 정전 흡착부(26)는 정전기력에 의해 탑재대(21)에 탑재된 기판 G를 정전 흡착한다. 탑재대(21)에 있어서, 바이어스용 고주파 전원(24)은 비교적 낮은 주파수의 고주파 전력을 서셉터(23)에 공급하여 정전 흡착부(26)에 정전 흡착된 기판 G에 직류 바이어스 전위를 발생시킨다. 또, 정전 흡착부(26)는, 판 부재로서 형성되더라도 좋고, 또한, 탑재대(21)상에 용사막으로서 형성되더라도 좋다.The mounting table 21 houses a susceptor 23 made of a conductor and a bias high frequency power supply 24 (another high frequency power supply) is connected to the susceptor 23 through a matching device 25. An electrostatic adsorption unit (ESC) 26 formed of a layer-like dielectric material is disposed on the mounting table 21, and the electrostatic adsorption unit 26 is provided on the upper dielectric layer and the lower dielectric layer So that the electrostatic adsorption electrode 27 is built in. The electrostatic adsorption unit 26 is connected to the mount table 21 by electrostatic force when the direct current power source 28 is connected to the electrostatic attraction electrode 27 and the direct current power supply 28 applies the direct current voltage to the electrostatic attraction electrode 27. [ The substrate G mounted on the substrate W is electrostatically adsorbed. In the mounting table 21, the bias high-frequency power supply 24 supplies a relatively low-frequency high-frequency power to the susceptor 23 to generate a DC bias potential on the electrostatically attracted substrate G on the electrostatic adsorption unit 26 . The electrostatic attraction portion 26 may be formed as a plate member, or may be formed as a thermal sprayed film on the stage 21.

또한, 탑재대(21)는 탑재된 기판 G를 냉각하는 냉매 유로(29)를 내장하고, 전열 가스, 예컨대, 헬륨 가스를 공급하는 전열 가스 공급 기구(30)에 접속된다. 전열 가스 공급 기구(30)는 전열 가스 공급원(31)과 가스 유량 제어기(32)를 갖고, 전열 가스를 탑재대(21)에 공급한다. 탑재대(21)는, 상부에 있어서 개구하는 복수의 전열 가스 구멍(33)과, 각 전열 가스 구멍(33) 및 전열 가스 공급 기구(30)를 연통시키는 전열 가스 공급 경로(34)를 갖는다. 탑재대(21)에서는, 정전 흡착부(26)에 정전 흡착된 기판 G의 이면과 탑재대(21)의 상부의 사이에 미소한 극간이 생기지만, 각 전열 가스 구멍(33)으로부터 공급되는 전열 가스는 해당 극간을 충전하여, 기판 G와 탑재대(21)의 열전달 효율을 향상시킨다. 이것에 의해, 탑재대(21)에 의한 기판 G의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.The mounting table 21 incorporates a refrigerant passage 29 for cooling the mounted substrate G and is connected to a heat transfer gas supply mechanism 30 for supplying a heat transfer gas, for example, helium gas. The heat transfer gas supply mechanism 30 has a heat transfer gas supply source 31 and a gas flow rate controller 32 and supplies the heat transfer gas to the mount table 21. The mount table 21 has a plurality of heat transfer gas holes 33 opened at the upper portion and a heat transfer gas supply path 34 for communicating the heat transfer gas holes 33 and the heat transfer gas supply mechanism 30 with each other. In the mount table 21, minute gaps are formed between the back surface of the substrate G electrostatically attracted to the electrostatic attraction portion 26 and the upper portion of the mount table 21, but the heat transfer from the heat transfer gas holes 33 The gas charges the corresponding gaps to improve the heat transfer efficiency between the substrate G and the mount table 21. [ Thus, the cooling efficiency of the substrate G by the mount table 21 can be improved.

가스 공급부(22)는 처리 가스 공급 기구(35)에 접속된다. 처리 가스 공급 기구(35)는 처리 가스 공급원(36), 가스 유량 제어기(37) 및 압력 제어 밸브(38)를 갖는다. 가스 공급부(22)는 처리 가스 공급 기구(35)와 연통하는 버퍼(39)를 내장하고, 탑재대(21)에 탑재되는 기판 G의 전면에 걸쳐 배치된다. 버퍼(39)는 처리 가스 공급 기구(35)와 연통하고, 버퍼(39)에는 처리 가스 공급 기구(35)로부터 처리 가스가 공급된다. 또한, 가스 공급부(22)는 버퍼(39) 및 처리 공간 S를 연통시키는 다수의 가스 공급 구멍(40)을 갖고, 버퍼(39)에 공급된 처리 가스를 처리 공간 S에 도입한다. 가스 공급부(22)에 있어서 다수의 가스 공급 구멍(40)은 탑재대(21)에 탑재되는 기판 G의 전면에 걸쳐 분산하여 배치되기 때문에, 처리 가스는 처리 공간 S에 있어서 기판 G의 전면에 널리 퍼진다.The gas supply unit 22 is connected to the process gas supply mechanism 35. The process gas supply mechanism 35 has a process gas supply source 36, a gas flow rate controller 37, and a pressure control valve 38. The gas supply unit 22 includes a buffer 39 that communicates with the process gas supply mechanism 35 and is disposed over the entire surface of the substrate G mounted on the mount table 21. [ The buffer 39 is in communication with the processing gas supply mechanism 35 and the processing gas is supplied from the processing gas supply mechanism 35 to the buffer 39. The gas supply section 22 has a buffer 39 and a plurality of gas supply holes 40 communicating with the processing space S and introduces the processing gas supplied to the buffer 39 into the processing space S. [ The plurality of gas supply holes 40 in the gas supply part 22 are dispersedly disposed over the entire surface of the substrate G mounted on the mount table 21 so that the process gas is widely distributed over the entire surface of the substrate G It spreads.

유도 결합 안테나(50)에는 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)이 정합기(42)를 통해서 접속되고, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)은 비교적 높은 주파수의 플라즈마 생성용 고주파 전력을 유도 결합 안테나(50)에 공급한다. 플라즈마 생성용 고주파 전력이 공급되는 유도 결합 안테나(50)는 처리 공간 S에 전계를 발생시킨다.The plasma generating high frequency power source 41 is connected to the inductively coupled antenna 50 through a matching unit 42 and the plasma generating high frequency power source 41 is connected to the inductively coupled antenna 50 . The inductively coupled antenna 50 to which high-frequency power for plasma generation is supplied generates an electric field in the processing space S.

또한, 기판 처리 장치(11)는 챔버(20)의 내부와 연통하는 배기관(43)을 구비하고, 그 배기관(43)은 챔버(20)의 내부를 감압하거나, 또는 챔버(20)의 내부에 잔류하는 가스를 배기한다.The substrate processing apparatus 11 is provided with an exhaust pipe 43 communicating with the inside of the chamber 20 and the exhaust pipe 43 is provided to decompress the inside of the chamber 20 or to discharge the inside of the chamber 20 The remaining gas is exhausted.

이 기판 처리 장치(11)에서는, 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시할 때, 처리 공간 S를 감압하고, 처리 가스를 처리 공간 S에 도입함과 아울러 유도 결합 안테나(50)에 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하여 처리 공간 S에 전계를 발생시킨다. 처리 공간 S에 도입된 처리 가스는 전계에 의해 여기되어 플라즈마를 생성하지만, 그 플라즈마 중의 양이온은 탑재대(21)를 거쳐서 기판 G에 생기는 직류 바이어스 전위에 의해 기판 G에 끌어들여져 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시한다. 또한, 플라즈마 중의 라디칼은 기판 G에 도달하여 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시한다.In this substrate processing apparatus 11, when the plasma etching is performed on the substrate G, the processing space S is depressurized, the processing gas is introduced into the processing space S, and the high frequency electric power for generating plasma is supplied to the inductively coupled antenna 50 Thereby generating an electric field in the processing space S. The processing gas introduced into the processing space S is excited by an electric field to generate a plasma. Cations in the plasma are attracted to the substrate G by a DC bias potential generated on the substrate G via the stage 21, . In addition, the radicals in the plasma reach the substrate G and perform plasma etching on the substrate G. [

기판 처리 장치(11)에서는, 유도 결합 안테나(50)가 기판 G의 전면을 덮도록 배치되기 때문에, 기판 G의 전면을 덮도록 플라즈마가 생성되고, 그 플라즈마에 의해 기판 G의 전면에 균일하게 플라즈마 에칭이 실시된다.In the substrate processing apparatus 11, since the inductively coupled antenna 50 is disposed so as to cover the entire surface of the substrate G, plasma is generated so as to cover the entire surface of the substrate G, and plasma is uniformly applied to the entire surface of the substrate G Etching is performed.

기판 처리 장치(11)가 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시할 때, 기판 처리 장치(11)의 각 구성 요소의 동작은 장치 컨트롤러(44)(제어 장치)에 의해, 소정의 프로그램에 따라 제어된다.When the substrate processing apparatus 11 performs plasma etching on the substrate G, the operation of each component of the substrate processing apparatus 11 is controlled by a device controller 44 (control apparatus) according to a predetermined program.

그런데, 본 발명자는, 본 발명에 앞서, 기판 처리 장치(11)에 있어서 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시할 때의 정전 흡착 전극(27)에 인가되는 직류 전압, 바이어스용 고주파 전원(24)이 공급하는 고주파 전력, 및 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)이 공급하는 고주파 전력의 변천 기록(이하, 「로그」라고 한다)을, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되지 않아 이상 방전이 발생하지 않은 경우, 및 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되어 이상 방전이 발생한 경우의 각각에 대하여 확인했다. 또, 이하, 정전 흡착 전극(27)에 인가되는 직류 전압은 「DC」로서 나타내고, 바이어스용 고주파 전원(24)이 공급하는 고주파 전력은 「바이어스」로서 나타내고, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)이 공급하는 고주파 전력은 「소스」로서 나타낸다.The inventor of the present invention has found that the DC voltage applied to the electrostatic chucking electrode 27 when the plasma etching is performed on the substrate G in the substrate processing apparatus 11 and the bias high frequency power supply 24 are supplied (Hereinafter referred to as " log ") of the high-frequency power supplied from the high-frequency power source 41 for plasma generation and the high-frequency power And when the substrate G was peeled from the mounting table 21 and an abnormal discharge occurred. Hereinafter, the DC voltage applied to the electrostatic adsorption electrode 27 is denoted as " DC ", the high frequency power supplied by the bias high frequency power supply 24 is represented as " bias ", and the plasma generating high frequency power supply 41 The supplied high-frequency power is represented as " source ".

도 3은 플라즈마 에칭 중에 이상 방전이 발생하지 않은 경우의 DC, 소스 및 바이어스의 로그를 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the logarithm of DC, source, and bias in the case where an abnormal discharge does not occur during plasma etching.

도 3에 있어서, 우선, 소스가 먼저 상승하고, 소스가 일정치로 안정된 후, 바이어스가 상승하고, 그 후, 바이어스도 일정치로 안정되었지만, 플라즈마 에칭 중, DC는 일정치인 채로 안정되어 있었다. 즉, 이상 방전이 발생하지 않는 경우, DC는 일정치로 안정되고, 소스 및 바이어스도 일정치에 도달한 후는 안정되는 것이 확인되었다.In Fig. 3, first, the source rises first, the source is stabilized at a constant value, the bias rises, and then the bias is also stabilized at a constant value, but during the plasma etching, DC is stable with a constant value. That is, in the case where anomalous discharge did not occur, it was confirmed that DC was stable at a constant value, and the source and the bias were stable after reaching a constant value.

도 4는 플라즈마 에칭 중에 이상 방전이 발생한 경우의 DC, 소스 및 바이어스의 로그를 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing the logarithm of DC, source, and bias when an abnormal discharge occurs during plasma etching.

도 4에 있어서, 우선, 소스가 먼저 상승하고, 소스가 일정치로 안정된 후, 바이어스가 상승하고, 그 후, 바이어스도 일정치로 안정되었지만, 시간 t2에 있어서 이상 방전이 발생하면, 소스 및 바이어스가 모두 변동하여, 소스는 약간 상승하고, 바이어스는 급격하게 저하했다. 또한, 일정치로 안정되어 있던 DC도 급격하게 저하했다.4, when the source first rises, the source stabilizes at a constant value, the bias rises, and thereafter the bias is also stabilized at a constant value. However, when an anomalous discharge occurs at time t 2 , The bias slightly fluctuated, and the bias dropped sharply. In addition, the DC that was stable at a constant value also dropped sharply.

여기서, 이상 방전에 앞서, 시간 t1에 있어서 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리된 것이 확인되었지만, 본 발명자는 시간 t1에 있어서 DC가 한 번 상승하고 있는 것에 주목하고, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되면 DC가 상승하는 이유에 대하여 이하와 같이 추측했다.Here, it is confirmed that the substrate G is peeled from the mounting table 21 at time t 1 prior to the abnormal discharge. However, the present inventor noticed that the DC rises once at time t 1 , The reason why the DC increases when peeled from the base 21 is assumed as follows.

기판 처리 장치(11)에 있어서, 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)은, 정전 흡착부(26)의 상층의 유전체층을 사이에 두는 것에 의해 서로 이간하고 있기 때문에, 콘덴서(45)를 구성한다(도 5(a)). 이때, 기판 G는 플라즈마를 통해서 접지하고, 정전 흡착 전극(27)에는 직류 전원(28)으로부터 직류 전압이 인가되기 때문에, 기판 G에는 음의 전하가 대전하고, 정전 흡착 전극(27)에는 양의 전하가 대전한다. 또, 이 경우에 있어서의 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 간격(갭) g1은 정전 흡착 전극(27)의 위쪽에 존재하는 정전 흡착부(26)의 상층의 유전체층의 두께와 동일하다.In the substrate processing apparatus 11, the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 constitute the condenser 45 because they are separated from each other by interposing the dielectric layer in the upper layer of the electrostatic attraction portion 26 therebetween 5 (a)). At this time, since the substrate G is grounded through the plasma and the DC voltage is applied from the DC power supply 28 to the electrostatic adsorption electrode 27, negative charges are charged on the substrate G, The charge is charged. The gap (gap) g 1 between the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 in this case is equal to the thickness of the dielectric layer in the upper layer of the electrostatic adsorption portion 26 existing above the electrostatic adsorption electrode 27 .

기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되면, 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 간격이 g1로부터 g2로 확대된다(도 5(b)). 이때, 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 간격의 확대에 따라 콘덴서(45)의 정전 용량 C가 감소하지만, 콘덴서(45)의 전하량 Q는 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되기 전후에 변하지 않기 때문에, 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 전위차가 확대된다. 그리고, 기판 G는 플라즈마를 통해서 접지한 채이므로, 정전 흡착 전극(27)의 전위만이 변화한다. 즉, 정전 흡착 전극(27)의 전위(DC)가 상승한다.When the substrate G is peeled from the mounting table 21, the gap between the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 is increased from g 1 to g 2 (Fig. 5 (b)). At this time, the electrostatic capacitance C of the capacitor 45 decreases as the gap between the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 increases. However, the amount of charge Q of the capacitor 45 decreases before and after the substrate G is peeled from the mounting table 21 The potential difference between the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 is increased. Since the substrate G is grounded through the plasma, only the potential of the electrostatic adsorption electrode 27 changes. That is, the potential DC of the electrostatic adsorption electrode 27 rises.

본 발명은 상술한 지견에 근거하는 것이고, 본 실시의 형태에서는, 정전 흡착 전극(27)의 전위가 상승하면 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리됐다고 판정하여 이상 방전의 발생을 예상한다.The present invention is based on the above-described findings. In this embodiment, when the potential of the electrostatic attraction electrode 27 rises, it is judged that the substrate G is peeled off from the mounting table 21, and an abnormal discharge is expected to occur.

도 6은 종래의 기판 처리 장치의 기판 박리 판정 시스템의 블록도이다.6 is a block diagram of a substrate peeling determination system of a conventional substrate processing apparatus.

도 6에 나타내는 바와 같이, 종래의 기판 처리 장치에서는, 전열 가스의 공급 경로에 마련된 압력 제어 밸브(PCV)와, 장치 컨트롤러와, 플라즈마 생성용 고주파 전원에 의해 기판 박리 판정 시스템이 구성되고, 그 기판 박리 판정 시스템에서는, 압력 제어 밸브와 장치 컨트롤러가 접속됨과 아울러, 장치 컨트롤러와 플라즈마 생성용 고주파 전원이 접속되기 때문에, 압력 제어 밸브와 플라즈마 생성용 고주파 전원은 장치 컨트롤러를 통해서 접속된다. 즉, 압력 제어 밸브와 플라즈마 생성용 고주파 전원은 간접적으로 접속된다.6, in a conventional substrate processing apparatus, a substrate separation determination system is constituted by a pressure control valve (PCV) provided in a supply path of a heat transfer gas, an apparatus controller, and a plasma generating high frequency power source, In the peeling determination system, since the pressure control valve and the device controller are connected and the device controller and the plasma generating high frequency power source are connected, the pressure control valve and the plasma generating high frequency power source are connected through the device controller. That is, the pressure control valve and the plasma generating high frequency power source are indirectly connected.

이 기판 박리 판정 시스템에서는, 장치 컨트롤러가 압력 제어 밸브의 전열 가스의 유량 모니터로부터 유량 검지 결과의 신호를 받고, 장치 컨트롤러가 유량 검지 결과의 신호에 근거하여, 기판이 탑재대로부터 박리되어 전열 가스 유량이 흐트러졌다고 판정했을 때, 장치 컨트롤러는 플라즈마 생성용 고주파 전원에 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 정지 신호를 송신한다. 정지 신호를 수신한 플라즈마 생성용 고주파 전원은, 그 후, 고주파 전력의 공급을 정지한다.In this substrate peeling determination system, the apparatus controller receives a signal of the flow rate detection result from the flow rate monitor of the heat transfer gas of the pressure control valve, and based on the signal of the flow rate detection result, the substrate controller separates the substrate from the substrate, The device controller transmits a stop signal for stopping the supply of the high frequency electric power to the plasma generating high frequency electric power source. The plasma generating high frequency power supply, which has received the stop signal, then stops the supply of the high frequency power.

여기서, 장치 컨트롤러는 유량 모니터로부터 유량 검지 결과의 신호를 소정의 간격, 예컨대, 100msec마다 수신하기 때문에, 최악의 경우, 기판이 탑재대로부터 박리되고 나서 100msec 경과한 후에 전열 가스 유량이 흐트러졌다고 판정하는 일이 있다. 한편, 이상 방전은 기판이 탑재대로부터 박리되고 나서 수 10msec 후에 발생하는 일이 있다. 따라서, 장치 컨트롤러가, 기판이 탑재대로부터 박리되어 전열 가스 유량이 흐트러졌다고 판정했을 때에는 이미 이상 방전이 발생하고 있을 우려가 있다. 특히, 기판 박리 판정 시스템이, 유량 검지 결과의 신호에 있어서의 노이즈의 영향을 피하기 위해 복수 회 정도 전열 가스 유량이 흐트러진 후, 비로소 기판이 탑재대로부터 박리됐다고 판정하는 경우, 기판이 탑재대로부터 실제로 박리되고 나서 약 1sec 경과한 후에 전열 가스 유량이 흐트러졌다고 판정하게 되기 때문에, 이상 방전의 발생을 방지할 수 없다.Here, since the device controller receives the signal of the flow rate detection result from the flow rate monitor every predetermined interval, for example, every 100 msec, in the worst case, it is judged that the flow rate of the heat transfer gas is disturbed after the elapse of 100 msec There is work. On the other hand, the abnormal discharge may occur several tens of milliseconds after the substrate is peeled from the mount. Therefore, when the apparatus controller judges that the substrate has been peeled off from the mounting table and the flow rate of the heat transfer gas has been disturbed, there is a possibility that an abnormal discharge has already occurred. Particularly, when the substrate peeling determination system determines that the substrate has been peeled off from the mounting table after the flow of the heat transfer gas has been disturbed a plurality of times to avoid the influence of noise in the signal of the flow rate detection result, It is judged that the flow rate of the heat transfer gas is disturbed after lapse of about 1 sec after peeling off, so that the occurrence of the abnormal discharge can not be prevented.

이것에 대응하여, 본 실시의 형태에서는, 정전 흡착 전극(27)의 전위를 감시하는 직류 전압 모니터(46)를 마련하고, 그 직류 전압 모니터(46)는 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 장치 컨트롤러(44)를 거치지 않고서 접속된다. 직류 전압 모니터(46)는, 직류 전원(28)으로부터 정전 흡착 전극(27)에 직류 전압을 공급하는 공급 라인(51)상의 특정한 부위와 접지 전위의 전위차를 감시하더라도 좋고, 또한, 공급 라인(51)상의 특정한 저항 요소, 예컨대, 저항(52)에 있어서의 전압 강하를 감시하더라도 좋고, 그 외, 정전 흡착 전극(27)에 있어서의 전위의 변화를 직접적 혹은 간접적으로 감시할 수 있는 수법이 직류 전압 모니터(46)에 있어서 이용될 수 있다. 도 2에 있어서, 편의상, 공급 라인(51)과 직류 전압 모니터(46)가 한 개의 배선으로 접속되어 있지만, 공급 라인(51)과 직류 전압 모니터(46)의 접속 방법은, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 감시 수법에 따라 적절한 접속 방법이 선택된다.Correspondingly, in the present embodiment, a DC voltage monitor 46 for monitoring the potential of the electrostatic adsorption electrode 27 is provided, and the DC voltage monitor 46 is connected to the plasma generating high frequency power source 41 Is connected without going through the controller (44). The DC voltage monitor 46 may monitor the potential difference between the ground potential and a specific portion on the supply line 51 for supplying the DC voltage from the DC power supply 28 to the electrostatic adsorption electrode 27, The voltage drop in the resistor 52 may be monitored and the method of directly or indirectly monitoring the change of the potential at the electrostatic attraction electrode 27 may be applied to the DC voltage And can be used in the monitor 46. 2, for convenience, the supply line 51 and the DC voltage monitor 46 are connected by a single wire, but the connection method of the supply line 51 and the DC voltage monitor 46 is limited to this Instead, an appropriate connection method is selected according to the monitoring method.

도 7은 본 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치의 기판 박리 판정 시스템의 블록도이다.7 is a block diagram of a substrate peeling determination system of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

도 7에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(11)에서는, 직류 전원(28)이 정전 흡착 전극(27)에 인가하는 직류 전압(이하, 「정전 흡착용 직류 전압」이라고 한다.)을 감시하는 직류 전압 모니터(46)(전압 감시 장치)를 마련하고, 직류 전압 모니터(46)와, 장치 컨트롤러(44)와, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 의해 기판 박리 판정 시스템(47)이 구성된다. 그 기판 박리 판정 시스템(47)에서는, 직류 전압 모니터(46)와 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)이 장치 컨트롤러(44)를 거치지 않고서 신호선(48)에 의해 직접 접속됨과 아울러, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)과 장치 컨트롤러(44)가 접속된다. 또한, 직류 전압 모니터(46)와 장치 컨트롤러(44)도 신호선(49)에 의해 직접 접속된다. 직류 전압 모니터(46)는 정전 흡착용 직류 전압이 증가하여, 소정의 임계치를 넘었을 때, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리됐다고 판정하여 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 정지 신호(이하, 간단히 「정지 신호」라고 한다.)를 송신한다. 정지 신호를 수신한 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)은, 즉시 고주파 전력의 공급을 정지한다.7, in the substrate processing apparatus 11, a DC power source 28 monitors the DC voltage applied to the electrostatic attraction electrode 27 (hereinafter referred to as " DC voltage for electrostatic attraction "), A voltage monitor 46 is provided and a substrate peeling determination system 47 is constituted by the DC voltage monitor 46, the device controller 44 and the plasma generating high frequency power source 41. In the substrate peeling determination system 47, the DC voltage monitor 46 and the plasma generating high frequency power source 41 are directly connected by the signal line 48 without going through the device controller 44, (41) and the device controller (44) are connected. In addition, the DC voltage monitor 46 and the device controller 44 are also directly connected by the signal line 49. The DC voltage monitor 46 determines that the substrate G is peeled from the mounting table 21 when the DC voltage for electrostatic attraction increases and exceeds a predetermined threshold value and supplies the high frequency power to the plasma generating high frequency power supply 41 (Hereinafter, simply referred to as a " stop signal " The plasma generating high frequency power supply 41 that has received the stop signal immediately stops the supply of the high frequency power.

도 8은 본 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 방법으로서의 플라즈마 에칭 정지 처리를 나타내는 플로차트이다.8 is a flow chart showing a plasma etching stop process as a substrate processing method according to the present embodiment.

우선, 기판 처리 장치(11)에 있어서 기판 G에 플라즈마 에칭을 실시하기 위해, 직류 전원(28)으로부터 정전 흡착 전극(27)에 정전 흡착용 직류 전압이 인가되고(스텝 S81), 기판 G가 정전 흡착부(26)에 정전 흡착된다.First, in order to perform plasma etching on the substrate G in the substrate processing apparatus 11, a DC voltage for electrostatic adsorption is applied from the DC power supply 28 to the electrostatic adsorption electrode 27 (step S81) And is adsorbed electrostatically to the adsorption section (26).

그 다음에, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)이 유도 결합 안테나(50)에 플라즈마 생성용 고주파 전력의 공급을 개시하고(스텝 S82), 바이어스용 고주파 전원(24)이 서셉터(23)에 직류 바이어스 전위 생성용 고주파 전력의 공급을 개시한다(스텝 S83). 이때, 처리 공간 S에 있어서 처리 가스로부터 플라즈마가 생기고, 플라즈마 중의 양이온이 기판 G에 끌어들여져 그 기판 G에 플라즈마 에칭이 실시된다.Then, the plasma generating high frequency power supply 41 starts supplying the plasma generating high frequency power to the inductively coupled antenna 50 (step S82), and the bias high frequency power supply 24 supplies the high frequency power to the susceptor 23 Supply of the high-frequency electric power for generating the bias potential is started (step S83). At this time, a plasma is generated from the process gas in the processing space S, and the positive ions in the plasma are attracted to the substrate G, and the substrate G is subjected to plasma etching.

그 다음에, 스텝 S84에서는, 직류 전압 모니터(46)는, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치, 예컨대, 플라즈마 에칭 중에 유지되어야 할 일정치의 2% 내지 5% 증가의 값 중, 직류 전압 모니터(46)의 검출 정밀도에 따라 설정되는 임계치를 넘었는지 여부를 판정하고, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치 이하라고 판정한 경우, 스텝 S84로 돌아가고, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었다고 판정한 경우, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 정지 신호를 신호선(48)을 경유하여 즉시 송신한다(스텝 S85). 직류 전압 모니터(46)의 검출 정밀도는 노이즈에 따라서도 좌우되고, 다 제거할 수 없는 노이즈가 큰 경우에는 임계치도 크게 하지 않을 수 없지만, 그 경우에도 임계치는 상한을 일정치의 5% 증가의 값으로 한다. 직류 전압 모니터(46)는 수 10μsec 간격, 예컨대, 80μsec 간격으로 정전 흡착용 직류 전압을 감시하기 때문에, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리됐다고 하더라도 수 10μsec 후에는, 그 취지를 검지할 수 있어, 기판 G의 박리가 발생하고 나서 단시간에 정지 신호를 송신할 수 있다. 또, 직류 전압 모니터(46)는, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 정지 신호를 송신하는 경우, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘은 취지의 신호를 신호선(49)을 경유하여 장치 컨트롤러(44)에 송신한다.Then, in step S84, the DC voltage monitor 46 detects the DC voltage for the electrostatic attraction among the values of 2% to 5% increase of the predetermined value to be maintained during the plasma etching, for example, It is determined whether or not the DC voltage for electrostatic attraction has exceeded a threshold set in accordance with the detection accuracy of the electrostatic attraction 46. If the DC voltage for electrostatic attraction is judged to be equal to or less than the predetermined threshold value, the process returns to step S84, A stop signal is immediately transmitted to the plasma generating high frequency power source 41 via the signal line 48 (step S85). The detection accuracy of the DC voltage monitor 46 depends on the noise. If the noise that can not be eliminated is large, the threshold value must be increased. In this case, the threshold value is set to a value of 5% . The direct current voltage monitor 46 monitors the direct current voltage for electrostatic attraction at intervals of several tens of microseconds, for example, 80 microseconds, so that even if the substrate G is peeled from the mounting table 21, this can be detected after several tens of microseconds , The stop signal can be transmitted within a short time after the peeling of the substrate G occurs. When a stop signal is transmitted to the plasma generating high frequency power supply 41, the DC voltage monitor 46 outputs a signal indicating that the DC voltage for electrostatic adsorption has exceeded a predetermined threshold, (44).

그 다음에, 정지 신호를 수신한 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)은 즉시 플라즈마 생성용 고주파 전력의 공급을 정지하고(스텝 S86), 처리 공간 S로부터 플라즈마를 소멸시킨다. 그 후, 본 처리를 종료한다. 또, 처리 공간 S로부터 플라즈마가 소멸한 후, 기판 G에 제전 처리를 실시하는 것이 바람직하다.Then, the plasma generating high frequency power supply 41 that has received the stop signal immediately stops supplying the plasma generating high frequency power (step S86), and the plasma is extinguished from the processing space S. Thereafter, the present process is terminated. It is also preferable that the plasma treatment is performed on the substrate G after the plasma has disappeared from the processing space S.

도 8의 처리에 의하면, 정전 흡착용 직류 전압이 직류 전압 모니터(46)에 의해 감시되고, 그 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)은 플라즈마 생성용 고주파 전력의 공급을 정지한다. 탑재대(21)에 탑재된 기판 G와 정전 흡착부(26)의 정전 흡착 전극(27)은 콘덴서(45)를 형성하지만, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되면, 그 콘덴서(45)의 정전 용량 C가 변화하기 때문에 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 전위차가 확대되어 정전 흡착용 직류 전압이 상승한다.8, when the DC voltage for electrostatic attraction is monitored by the DC voltage monitor 46 and the DC voltage for electrostatic adsorption exceeds a predetermined threshold value, the plasma generating high frequency power source 41 generates plasma The supply of the high-frequency power for use is stopped. The substrate G mounted on the mount table 21 and the electrostatic attraction electrode 27 of the electrostatic attraction unit 26 form the condenser 45. When the substrate G is separated from the mount table 21, The potential difference between the substrate G and the electrostatic adsorption electrode 27 is increased to increase the DC voltage for electrostatic adsorption.

또한, 기판 G와 정전 흡착 전극(27)이 형성하는 콘덴서(45)의 전하량 Q는 일정하고, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되어 콘덴서(45)의 정전 용량 C가 변화하면, 즉시 기판 G 및 정전 흡착 전극(27)의 전위차도 변화한다. 또한, 직류 전압 모니터(46)는 수 10μsec 간격으로 정전 흡착용 직류 전압을 감시한다.When the capacitance Q of the condenser 45 formed by the substrate G and the electrostatic attraction electrode 27 is constant and the capacitance G of the condenser 45 is changed by peeling the substrate G from the mounting table 21, G and the electrostatic absorption electrode 27 also change. Further, the DC voltage monitor 46 monitors the DC voltage for electrostatic attraction at intervals of several tens of microseconds.

그 결과, 정전 흡착용 직류 전압을 직류 전압 모니터(46)로 감시하는 것에 의해, 기판 G의 탑재대(21)로부터의 박리를 신속히 검지할 수 있다.As a result, by monitoring the DC voltage for electrostatic attraction by the DC voltage monitor 46, the peeling of the substrate G from the mounting table 21 can be detected quickly.

도 8의 처리에서는, 기판 G의 탑재대(21)로부터의 박리를 검지했을 때에 플라즈마 생성용 고주파 전력의 공급을 정지한다. 즉, 기판 G의 탑재대(21)로부터의 박리를 이상 방전의 발생의 징조로 파악하고, 그 징조가 검지되었을 때에 플라즈마를 소멸시키기 때문에, 이상 방전을 검지한 후에 플라즈마를 소멸시키는 경우에 비하여, 기판 G상의 디바이스 등이 손상되는 리스크를 저감할 수 있다.In the process of Fig. 8, supply of the plasma generating high-frequency electric power is stopped when the separation of the substrate G from the mount table 21 is detected. In other words, as compared with the case where the separation of the substrate G from the mounting table 21 is regarded as a sign of occurrence of an abnormal discharge and the plasma is destroyed when the omission is detected, the plasma is extinguished after detecting the abnormal discharge, It is possible to reduce the risk that a device or the like on the substrate G is damaged.

또한, 도 8의 처리에서는, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 직류 전압 모니터(46)는, 장치 컨트롤러(44)를 거치지 않고서 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 정지 신호를 신호선(48)을 경유하여 직접 송신한다. 이것에 의해, 소정의 간격, 예컨대, 100msec마다밖에 행해지지 않는 장치 컨트롤러(44)에 있어서의 기판 G의 박리 판단을 기다리는 일 없이 플라즈마 생성용 고주파 전력의 공급이 정지되기 때문에, 해당 고주파 전력의 공급의 정지가 늦었기 때문에 이상 방전이 생기는 것을 방지할 수 있다. 특히, 정지 신호를 포함하는 전기 신호의 전달 시간은, 기판 처리 장치(11)가 다소 대형화하더라도 변화하지 않기 때문에, 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 의한 정지 신호의 수신이 늦는 일이 없고, 기판 처리 장치(11)가 대형화하더라도 신속히 플라즈마 생성용의 고주파 전력의 공급을 정지할 수 있다.8, when the electrostatic adsorption DC voltage exceeds a predetermined threshold value, the DC voltage monitor 46 outputs a stop signal to the plasma generating high frequency power supply 41 without going through the device controller 44 And directly transmits via the signal line 48. As a result, supply of the plasma generating high-frequency power is stopped without waiting for the detachment judgment of the substrate G in the device controller 44, which is performed only at a predetermined interval, for example, every 100 msec, It is possible to prevent the occurrence of an abnormal discharge. Particularly, since the transmission time of the electric signal including the stop signal does not change even if the substrate processing apparatus 11 is somewhat enlarged, the reception of the stop signal by the plasma generating high frequency power source 41 is not delayed, The supply of the high-frequency electric power for plasma generation can be stopped promptly even if the processing apparatus 11 is enlarged.

또한, 도 8의 처리에서는, 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 직류 전압 모니터(46)는 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘은 취지의 신호를 장치 컨트롤러(44)에 송신하므로, 직류 전압 모니터(46)뿐만이 아니라, 장치 컨트롤러(44)도 기판 G의 박리 판단을 행할 수 있고, 따라서, 정지 신호에 기인하는 고주파 전력의 공급의 정지가 타당한지 여부를 검증할 수 있다.8, when the DC voltage for electrostatic attraction exceeds a predetermined threshold value, the DC voltage monitor 46 outputs a signal indicating that the electrostatic adsorption DC voltage has exceeded a predetermined threshold to the device controller 44 Not only the DC voltage monitor 46 but also the device controller 44 can judge the detachment of the substrate G and therefore it can be verified whether or not the stoppage of the supply of the high frequency electric power caused by the stop signal is valid .

이상, 본 발명에 대하여, 상기 실시의 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시의 형태로 한정되는 것은 아니다.The present invention has been described using the above embodiment, but the present invention is not limited to the above embodiment.

예컨대, 상술한 도 8의 처리에서는, 정전 흡착용 직류 전압이 한 번이라도 소정의 임계치를 넘으면, 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리됐다고 판정하지만, 정전 흡착용 직류 전압에 있어서의 노이즈의 영향을 피하기 위해 복수 회 정도 정전 흡착용 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때에, 비로소 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리됐다고 판정하더라도 좋다. 단, 이 경우, 스텝 S84를 반복하게 되지만, 스텝 S84의 반복 횟수는, 정말로 기판 G가 탑재대(21)로부터 박리되어 이상 방전이 개시될 때까지의 시간 내에 스텝 S84의 반복이 들어가도록 설정되지 않으면 안 된다.For example, in the process of FIG. 8 described above, if the DC voltage for electrostatic adsorption exceeds the predetermined threshold even once, it is judged that the substrate G is peeled off from the mounting table 21, but the influence of the noise in the DC voltage for electrostatic attraction It may be determined that the substrate G has been peeled from the mounting table 21 when the DC voltage for electrostatic adsorption has exceeded the predetermined threshold value a plurality of times. In this case, the step S84 is repeated, but the repetition number of the step S84 is set so that the repetition of the step S84 is entered within the time until the substrate G is actually peeled from the mounting table 21 and the abnormal discharge is started It must be.

또한, 기판 처리 장치(11)는, 탑재대(21)와 대향하는 유도 결합 안테나(50)를 구비하고, 유도 결합에 의해 처리 공간 S에 있어서 플라즈마를 생성했지만, 기판 처리 장치가, 유도 결합 안테나(50) 대신에, 하부 전극으로서의 탑재대(21)와 대향하고, 또한 플라즈마 생성용 고주파 전원(41)에 접속된 상부 전극을 구비하고, 플라즈마 생성용 고주파 전력이 공급된 상부 전극과 하부 전극의 용량 결합에 의해 처리 공간 S에 있어서 플라즈마를 생성하더라도 좋고, 또한, 하부 전극으로서의 탑재대(21)에, 바이어스용 고주파 전원과 함께 플라즈마 생성용 고주파 전원을 접속함과 아울러, 상부 전극을 접지시켜 상부 전극과 하부 전극의 용량 결합에 의해, 처리 공간 S에 있어서 플라즈마를 생성하더라도 좋다. 이들 용량 결합의 경우, 상부 전극은 가스 공급부(22)를 겸하고, 기판 G의 전면을 덮어 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드를 구성하더라도 괜찮다.The substrate processing apparatus 11 includes the inductive coupling antenna 50 opposed to the mount table 21 and generates plasma in the processing space S by inductive coupling. And an upper electrode opposed to the mounting table 21 as a lower electrode and connected to the plasma generating high frequency power source 41 instead of the upper electrode 50 and the lower electrode 50, It is also possible to generate plasma in the processing space S by capacitive coupling and to connect a high frequency power source for plasma generation together with a bias high frequency power source to the stage 21 as a lower electrode and to ground the upper electrode, Plasma may be generated in the processing space S by capacitive coupling between the electrode and the lower electrode. In the case of capacitive coupling, the upper electrode may serve as the gas supply part 22, and may constitute a showerhead that covers the entire surface of the substrate G and supplies the process gas.

또한, 기판 처리 장치(11)의 기판 박리 판정 시스템(47)에서는, 직류 전압 모니터(46)와 장치 컨트롤러(44)가 별개로 마련되었지만, 직류 전압 모니터(46)와 장치 컨트롤러(44)를 일체화하더라도, 구체적으로는, 장치 컨트롤러(44)가 직류 전압 모니터의 기능을 갖고 있더라도 좋다. 이 경우, 장치 컨트롤러(44)의 신호 수신 간격과 독립적으로 정전 흡착 전극(27)의 전위를 감시하는 것에 의해, 플라즈마 생성용 고주파 전원으로의 신속한 정지 신호의 발신을 행할 수 있고, 이상 방전의 발생을 확실히 방지할 수 있다.The DC voltage monitor 46 and the device controller 44 are provided separately from each other in the substrate peeling determination system 47 of the substrate processing apparatus 11 but the DC voltage monitor 46 and the device controller 44 are integrated Specifically, the device controller 44 may have the function of a DC voltage monitor. In this case, by monitoring the potential of the electrostatic attraction electrode 27 independently of the signal reception interval of the device controller 44, it is possible to quickly transmit the stop signal to the plasma generation high frequency power source, Can be reliably prevented.

또한, 본 발명의 목적은, 상술한 실시의 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 장치 컨트롤러(44)에 공급하고, 장치 컨트롤러(44)의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 읽어내서 실행하는 것에 의해서도 달성된다.The object of the present invention can also be achieved by supplying a storage medium on which a program code of software for realizing the functions of the above-described embodiments is recorded, to a device controller 44, It is also accomplished by reading and executing the code.

이 경우, 기억 매체로부터 읽어내어진 프로그램 코드 자체가 상술한 실시의 형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.In this case, the program code itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiments, and the program code and the storage medium storing the program code constitute the present invention.

또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예컨대, RAM, NV-RAM, 플로피(등록상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광디스크, 자기 테이프, 비휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 된다. 혹은, 상기 프로그램 코드는, 인터넷, 상용 네트워크, 또는 근거리 통신망 등에 접속되는 도시하지 않는 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드하는 것에 의해 장치 컨트롤러(44)에 공급되더라도 좋다.(RAM), NV-RAM, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD- ROM, DVD-RAM, DVD-RW, or DVD + RW), a magnetic tape, a nonvolatile memory card, or another ROM. Alternatively, the program code may be supplied to the device controller 44 by downloading from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, or a local area network.

또한, 장치 컨트롤러(44)가 읽어낸 프로그램 코드를 실행하는 것에 의해, 상기 실시의 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, CPU상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시의 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.The functions of the above-described embodiments are realized not only by executing the program code read by the device controller 44, but also by the OS (operating system) etc. operating on the CPU A case where some or all of the actual processing is performed and the functions of the above-described embodiments are realized by the processing.

또한, 기억 매체로부터 읽어내어진 프로그램 코드가, 장치 컨트롤러(44)에 삽입된 기능 확장 보드나 장치 컨트롤러(44)에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시의 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.After the program code read from the storage medium is written into the memory provided in the function expansion board inserted into the device controller 44 or the function expansion unit connected to the device controller 44, A CPU or the like provided in the function expansion board or the function expansion unit performs a part or all of the actual processing and the functions of the above embodiments are realized by the processing.

상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어지더라도 좋다.The form of the program code may be in the form of object code, program code executed by the interpreter, script data supplied to the OS, and the like.

G : 기판
11 : 기판 처리 장치
20 : 챔버
22 : 가스 공급부
23 : 서셉터
24 : 바이어스용 고주파 전원
26 : 정전 흡착부
27 : 정전 흡착 전극
28 : 직류 전원
41 : 플라즈마 생성용 고주파 전원
44 : 장치 컨트롤러
45 : 콘덴서G: substrate
11: Substrate processing apparatus
20: chamber
22: gas supply part
23: susceptor
24: High frequency power for bias
26: electrostatic adsorption portion
27: electrostatic adsorption electrode
28: DC power source
41: High-frequency power source for generating plasma
44: Device controller
45: Condenser

Claims (8)

기판을 수용하여 상기 기판에 플라즈마에 의해 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실의 내부에 설치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 내장되어 상기 기판을 상기 탑재대에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극과, 상기 정전 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 플라즈마 처리 중에, 상기 직류 전원으로부터 상기 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 전압 감시 장치를 더 구비하고,
상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 기판이 상기 탑재대로부터 박리되었다고 판정하여, 상기 고주파 전원은 상기 고주파 전력의 공급을 정지하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
1. A plasma processing apparatus, comprising: a processing chamber accommodating a substrate and performing processing by plasma on the substrate; a mount table installed inside the process chamber for mounting the substrate thereon; A substrate processing method in a substrate processing apparatus in a substrate processing apparatus having a suction electrode, a DC power supply for applying a DC voltage to the electrostatically adsorbed electrode, and a high frequency power supply for supplying RF power for generating the plasma,
The substrate processing apparatus further includes a voltage monitoring device for monitoring a DC voltage applied from the DC power source to the electrostatic adsorption electrode during plasma processing of the substrate,
When the monitored DC voltage exceeds a predetermined threshold value, it is determined that the substrate is peeled off from the mount, and the high frequency power supply stops the supply of the high frequency power
≪ / RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 장치와, 상기 제어 장치를 거치지 않고서 상기 전압 감시 장치 및 상기 고주파 전원을 접속하는 신호선을 더 구비하고,
상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 전압 감시 장치는 상기 신호선을 경유하여 상기 고주파 전원에 상기 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 정지 신호를 송신하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprises a control device for controlling the operation of the substrate processing apparatus and a signal line for connecting the voltage monitoring device and the high frequency power source without going through the control device,
When the monitored DC voltage exceeds a predetermined threshold value, the voltage monitoring apparatus transmits a stop signal for stopping the supply of the high frequency power to the high frequency power supply via the signal line
≪ / RTI >
제 2 항에 있어서,
상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 전압 감시 장치는 상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘은 취지의 신호를 상기 제어 장치에 송신하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein when the monitored DC voltage exceeds a predetermined threshold value, the voltage monitoring device transmits a signal indicating that the monitored DC voltage has exceeded a predetermined threshold to the control device.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판에 직류 바이어스 전위를 발생시키는 다른 고주파 전원을 더 구비하고,
상기 다른 고주파 전원은 상기 탑재대에 접속되는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus further comprises another high frequency power source for generating a DC bias potential on the substrate,
And the other high frequency power source is connected to the stage
≪ / RTI >
제 4 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 유도 결합 안테나를 더 구비하고,
상기 고주파 전원은 상기 유도 결합 안테나에 접속되고,
상기 고주파 전력이 공급된 상기 유도 결합 안테나는, 유도 결합에 의해 상기 플라즈마를 생성하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
5. The method of claim 4,
The substrate processing apparatus may further include an inductively coupled antenna,
Wherein the high frequency power source is connected to the inductively coupled antenna,
Wherein the inductively coupled antenna to which the high-frequency power is supplied is configured to generate the plasma by inductive coupling
≪ / RTI >
제 4 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 탑재대를 하부 전극으로 함과 아울러 상기 하부 전극과 대향하는 상부 전극을 더 구비하고,
상기 고주파 전원은 상기 상부 전극에 접속되고,
상기 고주파 전력이 공급되는 것에 의해, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 용량 결합에 의해 상기 플라즈마를 생성하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
5. The method of claim 4,
The substrate processing apparatus may further include an upper electrode which serves as a lower electrode and which faces the lower electrode,
The high frequency power source is connected to the upper electrode,
By supplying the high-frequency power, the upper electrode and the lower electrode generate the plasma by capacitive coupling
≪ / RTI >
기판을 수용하여 상기 기판에 플라즈마에 의해 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실의 내부에 설치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 내장되어 상기 기판을 상기 탑재대에 정전 흡착하는 정전 흡착 전극과, 상기 정전 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판의 플라즈마 처리 중에, 상기 직류 전원으로부터 상기 정전 흡착 전극에 인가되는 직류 전압을 감시하는 전압 감시 장치를 구비하고,
상기 전압 감시 장치에 의해 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 기판이 상기 탑재대로부터 박리되었다고 판정하여, 상기 고주파 전원은 상기 고주파 전력의 공급을 정지하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
1. A plasma processing apparatus, comprising: a processing chamber accommodating a substrate and performing processing by plasma on the substrate; a mount table installed inside the process chamber for mounting the substrate thereon; A substrate processing apparatus comprising a suction electrode, a DC power source for applying a DC voltage to the electrostatically attracted electrode, and a high frequency power source for supplying RF power for generating the plasma,
And a voltage monitoring device for monitoring a DC voltage applied to the electrostatically attracting electrode from the DC power supply during plasma processing of the substrate,
Wherein when the DC voltage monitored by the voltage monitoring device exceeds a predetermined threshold value, it is determined that the substrate is peeled off from the mount, and the high frequency power supply stops the supply of the high frequency power
And the substrate processing apparatus.
제 7 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 장치와,
상기 제어 장치를 거치지 않고서 상기 전압 감시 장치 및 상기 고주파 전원을 접속하는 신호선을 더 구비하고,
상기 감시된 직류 전압이 소정의 임계치를 넘었을 때, 상기 전압 감시 장치는 상기 신호선을 경유하여 상기 고주파 전원에 상기 고주파 전력의 공급을 정지하기 위한 정지 신호를 송신하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
A control device for controlling the operation of the substrate processing apparatus,
Further comprising a signal line for connecting the voltage monitoring device and the high frequency power source without going through the control device,
When the monitored DC voltage exceeds a predetermined threshold value, the voltage monitoring apparatus transmits a stop signal for stopping the supply of the high frequency power to the high frequency power supply via the signal line
And the substrate processing apparatus.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6851270B2 (en) * 2017-06-16 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 Electrostatic adsorption method
CN111066135B (en) * 2017-08-28 2023-08-22 株式会社创意科技 Electrostatic workpiece holding method and electrostatic workpiece holding system
JP6852197B2 (en) * 2018-01-29 2021-03-31 株式会社アルバック Reactive ion etching equipment
JP7020311B2 (en) * 2018-06-14 2022-02-16 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment and board processing method
JP7052584B2 (en) * 2018-06-15 2022-04-12 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment and plasma processing method
JP7306083B2 (en) * 2019-06-11 2023-07-11 日新電機株式会社 Control device and control method
KR102073789B1 (en) * 2019-07-05 2020-02-05 김태화 Pump back stream preventing structure for semiconductor manufacturing device
KR20210006682A (en) 2019-07-09 2021-01-19 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
JP2022024265A (en) * 2020-07-13 2022-02-09 東京エレクトロン株式会社 Substrate detachment method and plasma processing device
CN111933565B (en) * 2020-09-27 2021-01-29 北京京仪自动化装备技术有限公司 Wafer adsorption force adjusting system and method for conveying manipulator and arm
CN114582763A (en) * 2022-05-06 2022-06-03 拓荆科技(北京)有限公司 Detection method and device for adsorption state of wafer and controller

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537259B1 (en) * 1998-03-12 2005-12-19 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Method for handling a substrate
KR100690136B1 (en) * 2006-05-29 2007-03-08 우범제 Apparatus for removing residual charge of electrostatic chuck and method thereof
KR100742487B1 (en) 1998-12-28 2007-07-24 동경 엘렉트론 주식회사 Plasma apparatus and lower electrode thereof
KR100892790B1 (en) * 2000-07-26 2009-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Workpiece holding mechanism, plasma processing apparatus and plasma processing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244146A (en) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd Plasma treating device
JP4282100B2 (en) * 1997-08-20 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 Method for removing object to be attracted in electrostatic chuck and electrostatic chuck
JP2005072521A (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Hitachi Ltd Plasma processing apparatus
JP5127147B2 (en) * 2006-03-08 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate adsorption / desorption method
JP5315942B2 (en) * 2008-05-21 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 Mounting table mechanism, plasma processing apparatus using the same, and method of applying voltage to electrostatic chuck
JP5401343B2 (en) * 2010-01-28 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ Power supply circuit for electrostatic chuck and electrostatic chuck device
JP5503503B2 (en) * 2010-11-09 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP2013033726A (en) * 2011-06-27 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd Abnormality detection device and abnormality detection method
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5971144B2 (en) * 2013-02-06 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and film forming method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537259B1 (en) * 1998-03-12 2005-12-19 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Method for handling a substrate
KR100742487B1 (en) 1998-12-28 2007-07-24 동경 엘렉트론 주식회사 Plasma apparatus and lower electrode thereof
KR100892790B1 (en) * 2000-07-26 2009-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Workpiece holding mechanism, plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100690136B1 (en) * 2006-05-29 2007-03-08 우범제 Apparatus for removing residual charge of electrostatic chuck and method thereof

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KR20160111848A (en) 2016-09-27

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