KR101913148B1 - 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법 - Google Patents

반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 챔버용 내화학성 판재 제조방법으로서, 반도체 제조공정중에 발생되는 반도체 유해가스에 견디는 내화학성 및 내열성의 챔버 판재를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 챔버의 판재는 쇼트볼분사장치에 의하여 쇼트볼을 분사시켜서, 판재의 표면에 다수개의 엠보싱 형태로 형성시켜서, 접촉면적을 증가시키고; 반도체 챔버의 판재를 수평으로 위치시키고, 상부로부터 비젼카메라에 의하여 판재의 크기를 측정하고, 판재의 모서리 한점을 영점위치로 설정시키고, 측정된 판재의 코팅영역 크기에 의하여 세라믹 용융액의 코팅분사의 경로가 설정되고, 설정된 코팅두께에 의하여 코팅경로를 설정시키는 제어ㅂn를 마련하고; 환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부 및 상기 노즐형 양극부 전극부 의 내부에 대응되도록 안착되어, 플라즈마 가스공급구에 의하여 플라즈마 플럭스를 발생시키고자 형성된 원추형 음극부 전극부를 마련하고; 상기 플라즈마 플럭스 영역에 30μm 의 세라믹 구형을 공급하는 세라믹 공급구와 상기 양극부 전극부내부에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구를 마련하고; 상기 음극부 전극부는 2개의 구성으로 형성시키고, 텅스텐 합금의 원추형으로 형성시킨 전극부와, 상기 전극부가 삽입 안착되도록 동 재질의 전극몸체가 마련되며, 상기 전극부와 전극몸체가 상호 결합시에 전극부의 일단은 돌출부를 형성시켜서, 전극부와 전극몸체의 외경이 동일하도록 형성시켜서, 높은 온도가 전극부로 전달되지 못하도록 형성시키고; 상기 양극부 전극부의 하단 중앙에는 플라즈마 가스에 의해 용융된 세라믹 용융액이 분사되는 분사부가 형성되어, 반도체 챔버 판재의 표면에 세라믹 용액이 설정된 설정두께 이상으로 도포되도록 마련되어, 다수개의 엠보싱 형태의 판재에 세라믹 용액이 접촉되어 도포되도록 형성시키고; 상기 분사부에 이격되어 공기를 분사하는 공랭부를 형성하여, 상기 판재의 표면에 분사하여, 판재의 표면을 설정온도 이하로 유지하도록 형성시키도록 ;이루어진 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 제공하는 것이다.
이는 반도체 공정에 필요한 공정가스의 화학성 및 높은 온도에 견디는 반도체 챔버의 판재를 제조하는 제조방법을 제공하여, 반도체 설비의 수명을 연장시키고, 생산성을 향상하고자 하는 것이다.

Description

반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법{Method for making plate of semiconductor chamber for anti-chemical and -high temperature}
본 발명은 반도체 챔버용 내화학성 판재 제조방법으로서, 반도체 제조공정중에 발생되는 반도체 유해가스에 견디는 내화학성 및 내열성의 챔버 판재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제조공정에서 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD)공정이나 식각(etching)공정을 수행할 때는 공정챔버(Processing chamber) 내부를 진공상태로 유지시킨다.
또한, 이러한 공정들을 수행할 때는 공정챔버 내부에 반응성 공정가스를 주입하고 이 공정가스를 플라즈마 상태로 만들어 줌으로써 반도체기판의 표면에 박막이 형성되거나,기판 표면의 막이 패턴에 따라 식각될 수 있도록 한다. 따라서 이러한 공정들을 수행하기 위한 공정챔버는 내부가 진공으로 유지되거나 공정가스의 누설이 방지될 수 있도록 공정챔버의 조립부분이나 개폐부분의 기밀이 유지되어야 한다.
반도체 공정에서는 다양한 공정가스가 사용된다. 공정가스는 기체상태의 가스 및 케미컬(chmical, 화학물)을 포함하며, 제조챔버내에서 사용되기도 하고 다른 배관사이에서 사용되기도 한다. 이러한 공정가스는 이전공정에서 다음 공정을 위해 배관을 통해서 인입 및 배출된다.
반도체 제조용 챔버를 형성하는 구조체 내벽은 당연히 공정가스의 화학적 반응성에 취약하다. 장시간 사용시 공정가스의 화학적 반응성에 의해 부식되어 결국 밀폐성이 감소된다. 특히 공정가스에 사용되는 대부분의 케미컬은 강한 산성성분이고, 이러한 공정가스에 노출되는 챔버 내벽은 산성에 부식되기 쉬우므로 문제점이 심각하다.
또한, 높은 온도에 취약하다. 반도체 공정가스의 온도는 매우 높기 때문에, 화학적인 반응이 아니더라도 열에 의해 구조적으로 변형이 발생되기 쉽다. 구조적 변형은 밀폐성을 감소시키기 때문에 제품 수명이 짧아진다.
또한, 상기 두가지 문제점을 해결하기 위해 화학적으로 안정하고 열에 강한 금속성 혹은 금속 합금을 이용하고, 또한 둘 이상의 부품을 조합한 구조를 이용하여 밀폐성을 증가시킨 제품이 시중에 출시되었으나, 이들 제품은 제조단가가 높아서 소모품으로 사용하기는 경제성이 떨어지는 문제점이 있는 것이다.
대한민국 특허공보 10-0600584 대한민국 특허공보 10-1007640
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 공정가스의 화학적으로 안정하고, 열에 강한 반도체 챔버의 판재를제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서,반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 있어서, 반도체 챔버의 판재는 쇼트볼분사장치에 의하여 쇼트볼을 분사시켜서, 판재의 표면에 다수개의 엠보싱 형태로 형성시켜서, 접촉면적을 증가시키고; 반도체 챔버의 판재를 수평으로 위치시키고, 상부로부터 비젼카메라에 의하여 판재의 크기를 측정하고, 판재의 모서리 한점을 영점위치로 설정시키고, 측정된 판재의 코팅영역 크기에 의하여 세라믹 용융액의 코팅분사의 경로가 설정되고, 설정된 코팅두께에 의하여 코팅경로를 설정시키는 제어부를 마련하고; 환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부 및 상기 노즐형 양극부 전극부 의 내부에 대응되도록 안착되어, 플라즈마 가스공급구에 의하여 플라즈마 플럭스를 발생시키고자 형성된 원추형 음극부 전극부를 마련하고; 상기 플라즈마 플럭스 영역에 30μm 의 세라믹 구형을 공급하는 세라믹 공급구와 상기 양극부 전극부내부에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구를 마련하고; 상기 음극부 전극부는 2개의 구성으로 형성시키고, 텅스텐 합금의 원추형으로 형성시킨 전극부와, 상기 전극부가 삽입 안착되도록 동 재질의 전극몸체가 마련되며, 상기 전극부와 전극몸체가 상호 결합시에 전극부의 일단은 돌출부를 형성시켜서, 전극부와 전극몸체의 외경이 동일하도록 형성시켜서, 높은 온도가 전극부로 전달되지 못하도록 형성시키고;
상기 양극부 전극부의 하단 중앙에는 플라즈마 가스에 의해 용융된 세라믹 용융액이 분사되는 분사부가 형성되어, 반도체 챔버 판재의 표면에 세라믹 용액이 설정된 설정두께로 도포되도록 마련되어, 다수개의 엠보싱 형태의 판재에 세라믹 용액이 접촉되어 도포되도록 형성시키고; 상기 분사부에 이격되어 공기를 분사하는 공랭부를 형성하여, 상기 판재의 표면에 분사하여, 판재의 표면을 설정온도 이하로 유지하도록 형성시키도록 ;이루어진 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 제공하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 반도체 공정에 필요한 공정가스의 화학성 및 높은 온도에 견디는 반도체 챔버의 판재를 제조하는 제조방법을 제공하여, 반도체 설비의 수명을 연장시키고, 생산성을 향상하고자 한다.
도 1은 본 발명의 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 형성하는 전체장치를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 형성하는 판재 엠보싱 장치를 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명의 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 형성하는 코팅경로를 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 형성하는 세라믹 용융전극을 나타낸 개략도.
본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 아래의 특징을 갖는다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 실시예를 살펴보면,
반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 있어서,
반도체 챔버의 판재(100)는 쇼트볼분사장치(310)에 의하여 쇼트볼을 분사시켜서, 판재(100)의 표면에 다수개의 엠보싱 형태로 형성시켜서, 접촉면적을 증가시키고;
반도체 챔버의 판재(100)를 수평으로 위치시키고, 상부로부터 비젼카메라(120)에 의하여 판재(100)의 크기를 측정하고, 판재(100)의 모서리 한점을 영점위치로 설정시키고, 측정된 판재(100)의 코팅영역 크기에 의하여 세라믹 용융액의 코팅분사의 경로가 설정되고, 설정된 코팅두께에 의하여 코팅경로를 설정시키는 제어부(200)를 마련하고;
환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부(10) 및 상기 노즐형 양극부 전극부(10)의 내부에 대응되도록 안착되어, 플라즈마 가스공급구(35)에 의하여 플라즈마 플럭스를 발생시키고자 형성된 원추형 음극부 전극부(20)를 마련하고;
상기 플라즈마 플럭스 영역에 30μm 의 세라믹 구형을 공급하는 세라믹 공급구(30)와 상기 양극부 전극부(10)내부에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구(50)를 마련하고;
상기 음극부 전극부(20)은 2개의 구성으로 형성시키고, 텅스텐 합금의 원추형으로 형성시킨 전극부(22)와, 상기 전극부(22)가 삽입 안착되도록 동 재질의 전극몸체(21)가 마련되며, 상기 전극부(22)와 전극몸체(21)가 상호 결합시에 전극부(22)의 일단은 돌출부(23)를 형성시켜서, 전극부(22)와 전극몸체(21)의 외경이 동일하도록 형성시켜서, 높은 온도가 전극부(22)로 전달되지 못하도록 형성시키고;
상기 양극부 전극부(10)의 하단 중앙에는 플라즈마 가스에 의해 용융된 세라믹 용융액이 분사되는 분사부(70)가 형성되어, 반도체 챔버 판재(100)의 표면에 세라믹 용액이 설정된 설정두께(110) 이상으로 도포되도록 마련되어, 다수개의 엠보싱 형태의 판재(100)에 세라믹 용액이 접촉되어 도포되도록 형성시키고,
상기 분사부(70)에 이격되어 공기를 분사하는 공랭부(11)를 형성하여, 상기 판재(100)의 표면에 분사하여, 판재(100)의 표면을 설정온도 이하로 유지하도록 형성시키도록 ;이루어진 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 관한 것이다.
또한,상기 설정된 도포설정두께(110) 이상이 되도록 측면에서 적외선 투사장비(150)에 의하여 적외선을 투과하여, 설정두께(110)의 미만인 경우에는 적외선이 판재(100)의 상부로 투과되고, 설정두께(110)의 이상인 경우에는 적외선이 판재(100)의 상부로 투과되지 않으므로, 적외선이 투과된 영역을 관측하여, 투과된 영역 만을 다시 중첩으로 세라믹 용액을 분사하도록 형성시키는 제어부(200);로 이루어진 것이다. 또한, 외부의 냉각쿨링부(300)에 상기 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)를 상호 결합시키고, 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)의 입구부의 온도를 측정하여, 설정온도 이하가 되도록 상기 냉각쿨링부(300)를 구동시키도록;이루어진 것이다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법을 상세히 설명하도록 한다.
도 2에 나타난 바와 같이,
반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 있어서,
첫번째 단계로서,
반도체 챔버의 판재(100)는 쇼트볼분사장치(310)에 의하여 쇼트볼을 분사시켜서, 판재(100)의 표면에 다수개의 엠보싱 형태로 형성시켜서, 접촉면적을 증가시키는 것이다.
이는 다음 단계의 세라믹 코팅 도포시에, 판재의 표면에 코팅효과를 증가시키기 위하여, 판재 표면에 엠보싱 형태로 제조시키는 것을 의미한다.
다음 단계에서는,
도 1에 나타난 바와 같이,
코팅하고자 하는 반도체 챔버용 판재의 크기를 측정하고, 입력하여, 코팅시키는 것을 나타낸다.
이를 위하여, 반도체 챔버의 판재(100)를 수평으로 위치시키고, 상부로부터 비젼카메라(120)에 의하여 판재(100)의 크기를 측정하고, 판재(100)의 모서리 한점을 영점위치로 설정시키는 것이다.
이로 인하여, 판재(100)의 2차원적인 크기가 제어부(200)에 입력되며, 제어부(200)에서는 2차원적인 코팅분사경로가 계산되며, 측정된 판재(100)의 코팅영역 크기에 의하여 세라믹 용융액의 코팅분사의 경로가 설정되고, 설정된 코팅두께에 의하여 코팅경로를 설정시키는 것이다.
다음 단계에서는 세라믹 코팅을 위한 장치를 설명하기로 한다.
반도체 챔버용 판재(100)의 표면에 세라믹 용액을 코팅하고자 하기 위하여,
환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부(10) 및 상기 노즐형 양극부 전극부(10)의 내부에 대응되도록 안착되어, 플라즈마 가스공급구(35)에 의하여 플라즈마 가스가 내부로 공급되어, 플라즈마 플럭스를 발생시키고자 형성된 원추형 음극부 전극부(20)를 마련하는 것이다.
상기 음극부 전극부(20)은 크게 2개의 구성으로 이루어지며, 선단은 텅스텐 합금의 원추형으로 형성시킨 전극부(22)가 마련되며, 상기 전극부(22)가 삽입 안착되도록 동 재질의 전극몸체(21)가 마련되는 것이다.
상기 전극몸체(21)는 동 재질로 매우 높은 온도로 형성되기 때문에, 이러한 온도가 선단의 전극부(22)로 전달되는 것을 방지하기 위하여, 상기 전극부(22)와 전극몸체(21)가 상호 결합하는 결합면에 전극부(22)의 일단은 돌출부(23)를 형성시키고, 전극부(22)와 전극몸체(21)의 외경이 동일하도록 형성시켜서, 높은 온도가 전극부(22)로 전달되지 못하도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 상기 양극부 전극부(10)의 하단 중앙에는 플라즈마 가스에 의해 용융된 세라믹 용융액이 분사되는 분사부(70)가 형성되어, 용융된 세라믹이 반도체 챔버 판재(100)의 표면에 코팅도포되는 것이므로, 세라믹 용액이 설정된 설정두께(110) 이상으로 도포되도록 마련되어, 다수개의 엠보싱 형태의 판재(100)에 세라믹 용액이 접촉되어 도포되도록 형성시키는 것이다.
상기 플라즈마 플럭스 영역에는 세라믹 공급구(30)로부터 30μm 의 세라믹 구형이 공급되며, 플라즈마 플럭스에 의하여 세라믹이 용융되어, 상기 분사부(70)를 통해 반도체 챔버용 판재(100)의 표면에 코팅되는 것이다.
또한, 상기 양극부 전극부(10)내부를 냉각시키기 위하여, 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구(50)를 마련하고; 상기 분사부(70)에 이격되어 공기를 분사하는 공랭부(11)를 형성하여, 상기 판재(100)의 표면에 분사하여, 판재(100)의 표면을 설정온도 이하로 유지하도록 형성시키도록 ;이루어진 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 관한 것이다.
또한, 상기 분사부(70)로부터 코팅된 세라믹 코팅된 설정두께는 2차원적인 평면상에서 평면상을 이루지 못하는 경우가 있으므로, 균일한 설정두께(110)를 형성시키기 위하여, 상기 설정된 설정두께(110) 이상이 되도록 측면에서 적외선 투사장비(150)에 의하여 적외선을 투과하여, 설정두께(110)의 미만인 경우에는 적외선이 판재(100)의 상부로 투과되고, 타측방향에 위치한 적외선 수광부(151)에 수광되며, 설정두께 이상인 경우에는 수광되지 못하게 되므로, 적외선이 투과된 영역을 관측하여, 투과된 영역 만을 다시 중첩으로 세라믹 용액을 분사하도록 제어부(200)에서 제어되도록 이루어진 것이다.
또한, 환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부(10)의 내부는 매우 높은 온도가 형성되기 때문에, 이를 적정하게 냉각시키지 못하면, 설정된 용량이 되지 못하므로, 이를 냉각시키기 위하여, 외부의 냉각쿨링부(300)에 상기 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)를 상호 결합시키고, 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)의 입구부의 온도를 측정하여, 설정온도 이하가 되도록 상기 냉각쿨링부(300)를 구동시키며, 냉각수는 냉각수 공급구(50)를 통해, 양극부 전극부(10)의 내부를 순환하여, 일정온도를 유지하도록 하며, 냉각수 출구(51)를 통해 유출되며, 다시 냉각쿨링부(300)로 거쳐 냉각되는 것이다.
상기 공랭부(11)는 분사부(70)와 이격된 원주방향으로부터 외부공기가 분사되므로, 용융된 세라믹 용액이 공랭부(11)의 외측으로 튀지 않도록 하며, 세라믹 용액이 코팅되는 실시간에서 뜨거운 코팅액에 의하여 반도체용 판재(100)가 열변형을 일으켜서, 뒤틀림되는 것을 방지하기 위하여,상대적으로 매우 낮은 공기를 판재(100)에 분사시켜서, 판재(100)의 표면온도를 적절하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.
10: 양극부 전극부 11: 공랭부
20: 음극부 전극부 21: 전극몸체
22: 전극부 23: 돌출부
35: 플라즈마 가스공급구 50: 냉각수 공급구
70: 분사부 100: 판재
110: 설정두께 120: 비젼카메라
150:적외선 투사장비 200: 제어부
300: 냉각쿨링부 310: 쇼트볼분사장치

Claims (3)

  1. 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법에 있어서,
    반도체 챔버의 판재(100)는 쇼트볼분사장치(310)에 의하여 쇼트볼을 분사시켜서, 판재(100)의 표면에 다수개의 엠보싱 형태로 형성시켜서, 접촉면적을 증가시키고;
    반도체 챔버의 판재(100)를 수평으로 위치시키고, 상부로부터 비젼카메라(120)에 의하여 판재(100)의 크기를 측정하고, 판재(100)의 모서리 한점을 영점위치로 설정시키고, 측정된 판재(100)의 코팅영역 크기에 의하여 세라믹 용융액의 코팅분사의 경로가 설정되고, 설정된 코팅두께에 의하여 코팅경로를 설정시키는 제어부(200)를 마련하고;
    환형 통 형태의 노즐형 양극부 전극부(10) 및 상기 노즐형 양극부 전극부(10)의 내부에 대응되도록 안착되어, 플라즈마 가스공급구(35)에 의하여 플라즈마 플럭스를 발생시키고자 형성된 원추형 음극부 전극부(20)를 마련하고;
    상기 플라즈마 플럭스 영역에 30μm 의 세라믹 구형을 공급하는 세라믹 공급구(30)와 상기 양극부 전극부(10)내부에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구(50)를 마련하고;
    상기 음극부 전극부(20)은 2개의 구성으로 형성시키고, 텅스텐 합금의 원추형으로 형성시킨 전극부(22)와, 상기 전극부(22)가 삽입 안착되도록 동 재질의 전극몸체(21)가 마련되며, 상기 전극부(22)와 전극몸체(21)가 상호 결합시에 전극부(22)의 일단은 돌출부(23)를 형성시켜서, 전극부(22)와 전극몸체(21)의 외경이 동일하도록 형성시켜서, 높은 온도가 전극부(22)로 전달되지 못하도록 형성시키고;
    상기 양극부 전극부(10)의 하단 중앙에는 플라즈마 가스에 의해 용융된 세라믹 용융액이 분사되는 분사부(70)가 형성되어, 반도체 챔버 판재(100)의 표면에 세라믹 용액이 설정된 설정두께(110) 이상으로 도포되도록 마련되어, 다수개의 엠보싱 형태의 판재(100)에 세라믹 용액이 접촉되어 도포되도록 형성시키고,
    상기 분사부(70)에 이격되어 공기를 분사하는 공랭부(11)를 형성하여, 상기 판재(100)의 표면에 분사하여, 판재(100)의 표면을 설정온도 이하로 유지하도록 형성시키도록 ;이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 설정된 도포설정두께(110) 이상이 되도록 측면에서 적외선 투사장비(150)에 의하여 적외선을 투과하여, 설정두께(110)의 미만인 경우에는 적외선이 판재(100)의 상부로 투과되고, 설정두께(110)의 이상인 경우에는 적외선이 판재(100)의 상부로 투과되지 않으므로, 적외선이 투과된 영역을 관측하여, 투과된 영역 만을 다시 중첩으로 세라믹 용액을 분사하도록 형성시키는 제어부(200);가 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    외부의 냉각쿨링부(300)에 상기 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)를 상호 결합시키고, 냉각수 공급구(50) 및 공랭부(11)의 입구부의 온도를 측정하여, 설정온도 이하가 되도록 상기 냉각쿨링부(300)를 구동시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 챔버용 내화학성 및 내열성 판재 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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