KR101909520B1 - 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법 - Google Patents

광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101909520B1
KR101909520B1 KR1020170050956A KR20170050956A KR101909520B1 KR 101909520 B1 KR101909520 B1 KR 101909520B1 KR 1020170050956 A KR1020170050956 A KR 1020170050956A KR 20170050956 A KR20170050956 A KR 20170050956A KR 101909520 B1 KR101909520 B1 KR 101909520B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fingerprint sensor
circuit board
spacer
sensor wafer
height
Prior art date
Application number
KR1020170050956A
Other languages
English (en)
Inventor
김영호
이진상
최종묵
홍용표
Original Assignee
(주)드림텍
엑센도 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)드림텍, 엑센도 주식회사 filed Critical (주)드림텍
Priority to KR1020170050956A priority Critical patent/KR101909520B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101909520B1 publication Critical patent/KR101909520B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • G06K9/0004—
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

본 발명은 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 회로 기판, 광학 지문 인식을 위해, 상기 회로 기판 상부에 적층되는 내부부품 및 상기 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 상기 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 상기 회로 기판으로부터 동일 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지에 관한 것이다.

Description

광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법{OPTICAL FINGERPRINT SENSOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 회로 기판, 광학 지문 인식을 위해, 상기 회로 기판 상부에 적층되는 내부부품 및 상기 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 상기 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 상기 회로 기판으로부터 동일 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지에 관한 것이다.
최근 스마트폰이나 태블릿 PC와 같은 휴대용 전자기기가 다양한 기능을 수행함에 따라 휴대용 전자기기의 높은 보안성이 요구되고 있다. 기존의 보안방식은 비밀번호를 입력하거나 사용자가 설정한 패턴(pattern) 형식을 이용하였지만, 보다 높은 보안 수준을 요구하는 현황에 따라 사용자만의 생체정보를 활용할 수 있는 새로운 보안방식을 적용하는데 이 중 지문 인식 센서를 활용한 보안방식이 각광받고 있다.
이러한 지문센서에는 정전용량방식과 광학식이 널리 사용되고 있다. 일반적으로 정전용량방식의 지문센서는 전압 및 전류에 민감한 반도체소자를 이용하여 인체의 지문이 픽셀에 위치한 전극에 닿을 때 형성되는 정전용량을 감지하여 지문의 영상을 획득한다.
이에 반해, 광학식 지문센서는 광원과 이미지센서를 포함하는 구조로 구성되어 상기 이미지센서가 지문으로부터 반사된 영상을 감지함으로써 사용자의 지문 이미지를 인식할 수 있다. 이러한 광학식 지문센서로 등록특허 제10-1376227호 등과 같은 다양한 기술들이 있다.
구체적으로, 종래의 광학식 지문센서는 광원과 이미지센서가 일정한 거리와 각도를 두고 배치되며, 상기 광원으로부터의 광이 사용자의 지문에 반사되면 이미지센서가 상기 지문에 반사되는 반사광의 영상을 획득하여 지문을 판단할 수 있다. 따라서, 광학식 지문센서에서 광이 이미지센서에 정확하게 입사되어야 지문을 정확하게 판단할 수 있다.
이에, 광학식 지문센서의 패키징시, 적층되는 부품의 틸트가 발생되면 지문에 의해 반사된 반사광이 난반사됨으로써, 정확한 지문인식이 어렵다는 문제가 있다.
1. 한국등록특허 제10-1376227호(2014.03.25.공고)
본 발명의 목적은, 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면을 평탄하게 형성함으로써 지문에 의해 반사된 광을 지문센서웨이퍼에 정확하게 입사시켜 지문인식성능을 향상시킬 수 있는 광학식 지문센서패키지 및 그의 패키지 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지는 회로 기판, 광학 지문 인식을 위해, 상기 회로 기판 상부에 적층되는 내부부품 및 상기 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 상기 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 상기 회로 기판으로부터 동일 높이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 스페이서는, 상기 광학식 지문센서 패키지의 기설정된 높이에 따라 계산된 높이로 연마될 수 있다.
또한, 상기 내부부품은, 상기 회로 기판의 상부에 적층되어 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되는 지문센서웨이퍼, 상기 지문센서웨이퍼의 상부에 코팅 또는 필름형태로 부착되는 IR차단필터 및 상기 IR차단필터의 상부에 적층되어 지문구조에 의해 반사되는 광을 상기 지문센서웨이퍼로 집광시키는 렌즈를 포함하고, 상기 렌즈의 상면과 상기 스페이서의 상면은 동일 높이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 회로기판 및 상기 지문센서웨이퍼 사이에 부착되어 상기 회로기판에 상기 지문센서웨이퍼를 고정시키는 다이접착필름, 상기 IR차단필터의 상부에 상기 렌즈를 고정시키는 광학접착필름 및 상기 회로 기판의 상면에 형성되어 상기 지문센서웨이퍼 및 IR차단필터의 주변을 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 지문센서웨이퍼는, 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이 및 상기 스페이서의 높이에 따라 계산된 높이로 연마될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지 제조방법은 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 상기 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩 성형하는 단계, 상기 몰딩 성형된 스페이서의 상면이 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이가 되도록 연마하는 단계 및 상기 회로 기판의 상부에 지문인식을 위한 내부부품을 안착하는 단계를 포함하며, 상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 동일 높이로 평편하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 내부부품을 안착하는 단계는, 상기 회로 기판의 상부에, 지문센서웨이퍼를 적층한 후 상기 회로기판과 전기적으로 연결하는 단계, 상기 지문센서웨이퍼의 상부에 코팅 또는 필름형태로 IR차단필터를 부착하는 단계, 상기 IR차단필터의 상부에, 지문구조에 의해 반사되는 광을 상기 지문센서웨이퍼로 집광시키는 렌즈를 적층하는 단계 및 상기 안착홀에 에폭시를 주입하여 상기 지문센서웨이퍼 및 IR차단필터의 주변을 밀봉하는 단계를 포함하고, 상기 렌즈의 상면과 상기 스페이서의 상면은 동일 높이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 지문센서웨이퍼는 다이접착필름에 의해 상기 회로기판에 고정되고, 상기 렌즈는 광학접착필름에 의해 상기 IR차단필터에 고정될 수 있다.
또한, 상기 지문센서웨이퍼는, 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이 및 상기 스페이서의 높이에 따라 계산된 높이로 연마될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 광학식 지문센서 패키지는 스페이서의 상면과 내부부품 중 상단부품의 상면을 나란히 평탄하게 형성함으로써 지문에 의해 반사된 광을 지문센서웨이퍼에 정확하게 입사시켜 지문인식성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 기설정된 광학식 지문센서패키지의 높이에 따라 스페이서 및 지문센서웨이퍼를 계산된 높이로 연마하여 높이를 조절하고 평탄화할 수 있다.
또한, IR차단필터를 적용하여 적외선을 차단시키며 가시광대역의 반사광을 투과시킴으로써, 지문센서웨이퍼에서 정확한 지문 영상을 인식할 수 있다.
또한, 렌즈를 적용하여 지문에 의해 반사된 반사광을 지문센서웨이퍼에 집광시킬 수 있다.
또한, 광차단 기능을 가진 밀봉부에 의해, 지문센서웨이퍼 및 IR차단필터를 고정 및 보호하며, 반사광이 지문센서웨이퍼로 입사하도록 광경로를 형성할 수 있다.
또한, 레이어간 접착에 필름형태의 접착제(다이접착필름 및 광학접착필름)를 이용함으로써, 접착두께가 일정하여 평탄도를 유지되고, 조립정밀도를 향상시켜 지문인식성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지의 상면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 도면을 참조하여 설명하기에 앞서, 본 발명의 요지를 드러내기 위해서 필요하지 않은 사항 즉 통상의 지식을 가진 당업자가 자명하게 부가할 수 있는 공지 구성에 대해서는 도시하지 않거나, 구체적으로 기술하지 않았음을 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지의 상면도이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지는 회로 기판(100), 스페이서(200), 다이접착필름(300), 지문센서웨이퍼(400), IR차단필터(500), 광학접착필름(600), 렌즈(700) 및 밀봉부(800)를 포함할 수 있다. 여기서, h1은 기설정된 광학식 지문센서패키지의 높이가 될 수 있다.
한편, 본 발명의 광학식 지문센서 패키지는 열과 행의 어레이 형태로 형성되고, 절단(sawing)을 통해 단일화될 수 있다. 도 1 및 도 2는 단일화된 광학식 지문센서 패키지를 나타낸다.
회로 기판(100)은 내부부품(400 내지 700)이 실장되고 외부 형태를 형성하는 지지대 역할을 하며, 지문센서웨이퍼(400)와 와이퍼 본딩을 통해 전기적으로 연결되는 회로 패턴을 형성한 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board), 리드프레임, 세라믹기판 등이 될 수 있다.
스페이서(200)는 회로 기판(100)의 상부 외측에 형성되어 내부부품을 보호하고, 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비할 수 있다. 스페이서(200)는 광학식 지문센서 패키지의 기설정된 높이(h1)에 따라 스페이서의 높이가 계산될 수 있고, 스페이서(200) 상단면을 연마하여 계산된 스페이서 높이를 가질 수 있다.
결과적으로, 최종 광학식 지문세서 패키지의 높이(h1)는 회로기판(100)의 두께에 스페이서(200)의 두께가 될 수 있다. 이때, 스페이서(200)는 광 손실이 발생하지 않도록 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드로 형성될 수 있다.
여기서, 내부부품은 스페이서(200)의 내측에서 상기 회로기판(100) 상부로 적층될 수 있는 지문센서웨이퍼(400), IR차단필터(500) 및 렌즈(700)가 될 수 있다.
다이접착필름(300:DAF(Die Adhesive Film))은 회로기판(100) 상부에 적층되며, 지문센서웨이퍼(400)를 회로기판(100)에 고정시킬 수 있다.
지문센서웨이퍼(400)는 지문으로부터 반사된 영상을 감지하는 이미지센서를 포함하는 구조로 구성된 광학식 지문센서모듈로, 다이접착필름(300) 상부에 적층되어 회로기판(100)에 실장될 수 있다. 본 발명의 광학식 지문센서패키지는 스마트 폰 등과 같은 액정디스플레기기에 적용될 수 있으며, 지문인식시 액정모듈의 백라이트유닛을 광원으로 이용할 수 있다. 이때, 광원은 380~820nm의 가시광대역을 광을 조사할 수 있다.
이에, 본 발명의 지문센서웨이퍼(400)는 광원에 의해 발생된 광이 지문에 반사된 반사광을 수신하여 지문을 인식할 수 있다. 이때, 본 발명의 광학식 지문센서패키지는 액정모듈의 수직 하부에 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른, 광학식 지문센서 패키지는 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이(h1)로 패키지를 형성하기 위해 스페이서(200) 높이를 연마 조절하며, 스페이서(200) 내부로 내부부품을 실장하기 위해 지문센서웨이퍼(400)의 형성시 높이를 조절하여 적용할 수 있다.
즉, 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이(h1)에 따라, 스페이서(200) 두께(높이) 및 지문센서웨이퍼(400) 두께(높이)를 서로 고려하여 각각의 높이를 계산하고, 연마를 통해 계산된 높이의 스페이서(200) 및 지문센서웨이퍼(400)를 패키지에 적용할 수 있다.
IR차단필터(500)는 IR대역의 광이 지문센서웨이퍼(400)로 투과되는 것을 차단하고, 지문에 의해 반사된 가시광대역의 반사광을 투과시켜 지문센서웨이퍼(400)에서 정확한 지문 영상을 인식할 수 있게 한다. 이때, IR차단필터(500)는 지문센서웨이퍼(400)의 상부에 코팅되거나 필름형태로 부착될 수 있다.
광학접착필름(600:OCA(Optical Clear Adhesive))은 IR차단필터(500)의 상부에 접착되어 렌즈(700)를 IR차단필터(500)에 고정시킬 수 있다. 광학접착필름(600)은 지문에 반사되는 반사광이 투과될 수 있는 양면테이프 타입의 투명한 접착필름이 될 수 있다. 이에, 지문에 의해 반사광을 손실없이 지문센서웨이퍼(400)로 투과시킬 수 있다.
렌즈(700)는 지문에 의해 반사되는 반사광을 지문센서웨이퍼(400)에 집광시키는 마이크로 집광렌즈가 될 수 있다. 이에, 지문센서웨이퍼(400)의 지문인식 성능이 향상될 수 있다.
밀봉부(800)는 회로 기판(100)의 상면에 형성되어 지문센서웨이퍼(400) 및 IR차단필터(500)의 주변을 밀봉함으로써, 지문센서웨이퍼(400) 및 IR차단필터(500)를 고정시키면서 보호할 수 있다. 또한, 밀봉부(800) 광차단 특성을 가진 에폭시 수지에 의해 형성됨으로써, 지문에 의해 반사된 반사광이 지문센서웨이퍼(400)로 입사할 수 있는 광경로를 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지는 레이어간 접착시 필름형태의 접착제(다이접착필름(200) 및 광학접착필름(600))를 이용함으로써, 접착 두께는 일정하게 유지되고, 조립정밀도를 향상시킬 수 있다. 이에, 내부부품 적층시 틸트 발생을 방지하여 광학식 지문센서 패키지의 상단을 평편하게 형성할 수 있다.
또한, 스페이서(200)의 상면과 렌즈(700)의 상면을 동일 높이로 형성함으로써, 지문에 의해 반사되는 반사광이 지문센서웨이퍼(200)에 정확하게 입사되어 지문인식성능을 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 한편, 본 발명의 광학식 지문센서 패키지는 열과 행의 어레이 형태로 도 3a 내지 도 3g를 통해 형성되고, 절단(sawing)을 통해 단일화될 수 있다. 또한, 도 1 및 도 2를 참고하여 설명할 수 있다.
도 3a을 참고하면, 준비된 회로 기판(100)의 상부에 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서(200)를 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩 성형할 수 있다. 스페이서 몰딩 성형단계는, 스페이서(200) 반전 형상의 트랜스퍼 몰드 금형에 액상의 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드를 주입한 후 기설정시간 경과시 고상이 되면, 금형을 분리하여 경화시킴으로써 스페이서(200)를 형성할 수 있다. 여기서, h1은 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이가 될 수 있다. 이에, 회로기판(100)의 두께에 따라 스페이서(200)의 높이를 계산할 수 있다.
다음으로, 몰딩성형된 스페이서(200)의 높이가 계산된 스페이서(200)의 높이가 되도록 연마를 수행하여, 도 3b와 같이 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이(h1)에 맞게 형성할 수 있다.
또한, 도 3b와 같이, 회로기판(100)의 상면에 다이접착필름(300)을 접착시킬 수 있다. 이때, 접착되는 위치는 지문센서웨이퍼(400)가 실장될 위치에 따라 결정될 수 있다.
다음으로, 도 3c와 같이, 다이접착필름(300)의 상면에 지문센서웨이퍼(400)를 적층시켜 회로기판(100)에 지문센서웨이퍼(400)를 고정시키며, 와이어 본딩을 통해 지문센서웨이퍼(400)를 회로기판(100)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
다음으로, 도 3d와 같이, 지문센서웨이퍼(400)의 상부에 적외선을 차단하는 IR차단필터(500)를 코팅 또는 필름형태로 부착할 수 있다.
다음으로, 도 3e와 같이 IR차단필터(500)의 상부에 렌즈(700) 접합을 위한 광학접착필름(600)을 접착하고, 도 3f와 같이 광학접착필름(600)의 상부에 렌즈(700)를 적층시켜 고정할 수 있다. 이때, 스페이서(200)의 상면과 렌즈(700)의 상면은 회로기판(100)으로부터 동일 높이에 위치하여 평편하게 형성됨으로써, 상부에 틸트발생없이 액정모듈(미도시) 등을 적층할 수 있다.
다음으로, 도 3g과 같이, 스페이서(200)에 의해 형성된 안착홀에 에폭시 수지를 주입하여 지문센서웨이퍼(400) 및 IR차단필터(500)의 주변을 밀봉함으로써 지문센서웨이퍼(400)를 고정시키며 보호할 수 있다. 또한, 광차단 기능을 있는 에폭시 수지를 주입함으로써, 지문에 의해 반사되는 반사광이 지문센서웨이퍼(400)로 입사되도록 광경로를 형성할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광학식 지문센서 패키지는 지문에 의해 반사된 반사광이 렌즈(700)에 의해 집광되고, IR차단센서(600)에 의해 적외선을 차단되며 가시광이 투과되어 지문센서웨이퍼(400)로 광 손실없이 입사될 수 있다. 이에, 지문인식성능이 향상될 수 있다.
한편, 상기에서 도 1 내지 3g를 이용하여 서술한 것은, 본 발명의 주요 사항만을 서술한 것으로, 그 기술적 범위 내에서 다양한 설계가 가능한 만큼, 본 발명이 도 1 내지 3g의 구성에 한정되는 것이 아님은 자명하다.
100 : 회로 기판 200 : 스페이서
300 : 다이접착필름 400 : 지문센서웨이퍼
500 : IR차단필터 600 : 광학접착필름
700 : 렌즈 800 : 밀봉부
h1 : 지문센서패키지의 높이

Claims (9)

  1. 회로 기판;
    광학 지문 인식을 위해, 상기 회로 기판 상부에 적층되는 내부부품; 및
    상기 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 상기 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 포함하고,
    상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 상기 회로 기판으로부터 동일 높이에 이격되어 위치하며,
    상기 내부부품은,
    상기 회로 기판의 상부에 적층되어 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되는 지문센서웨이퍼;
    상기 지문센서웨이퍼의 상부에 코팅 또는 필름형태로 부착되는 IR차단필터; 및
    상기 IR차단필터의 상부에 적층되어 지문구조에 의해 반사되는 광을 상기 지문센서웨이퍼로 집광시키는 렌즈를 포함하고,
    상기 렌즈의 상면과 상기 스페이서의 상면은 동일 높이에 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는, 상기 광학식 지문센서 패키지의 기설정된 높이에 따라 계산된 높이로 연마된 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 회로기판 및 상기 지문센서웨이퍼 사이에 부착되어 상기 회로기판에 상기 지문센서웨이퍼를 고정시키는 다이접착필름;
    상기 IR차단필터의 상부에 상기 렌즈를 고정시키는 광학접착필름; 및
    상기 회로 기판의 상면에 형성되어 상기 지문센서웨이퍼 및 IR차단필터의 주변을 밀봉하는 밀봉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지문센서웨이퍼는,
    기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이 및 상기 스페이서의 높이에 따라 계산된 높이로 연마된 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지.
  6. 회로 기판의 상부 외측에 형성되되, 내부부품을 안착하기 위한 안착홀을 구비한 스페이서를 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩 성형하는 단계;
    상기 몰딩 성형된 스페이서의 상면이 기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이가 되도록 연마하는 단계; 및
    상기 회로 기판의 상부에 상기 스페이서의 내측으로 지문인식을 위한 내부부품을 안착하는 단계를 포함하며,
    상기 스페이서의 상면과 상기 내부부품 중 상단부품의 상면은 동일 높이로 평편하게 상호 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 내부부품을 안착하는 단계는,
    상기 회로 기판의 상부에, 지문센서웨이퍼를 적층한 후 상기 회로기판과 전기적으로 연결하는 단계;
    상기 지문센서웨이퍼의 상부에 코팅 또는 필름형태로 IR차단필터를 부착하는 단계;
    상기 IR차단필터의 상부에, 지문구조에 의해 반사되는 광을 상기 지문센서웨이퍼로 집광시키는 렌즈를 적층하는 단계; 및
    상기 안착홀에 에폭시를 주입하여 상기 지문센서웨이퍼 및 IR차단필터의 주변을 밀봉하는 단계를 포함하고,
    상기 렌즈의 상면과 상기 스페이서의 상면은 동일 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지문센서웨이퍼는 다이접착필름에 의해 상기 회로기판에 고정되고, 상기 렌즈는 광학접착필름에 의해 상기 IR차단필터에 고정되는 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 지문센서웨이퍼는,
    기설정된 광학식 지문센서 패키지의 높이 및 상기 스페이서의 높이에 따라 계산된 높이로 연마된 것을 특징으로 하는 광학식 지문센서 패키지 제조방법.
KR1020170050956A 2017-04-20 2017-04-20 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법 KR101909520B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170050956A KR101909520B1 (ko) 2017-04-20 2017-04-20 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170050956A KR101909520B1 (ko) 2017-04-20 2017-04-20 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101909520B1 true KR101909520B1 (ko) 2018-10-18

Family

ID=64133118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170050956A KR101909520B1 (ko) 2017-04-20 2017-04-20 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101909520B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040075416A (ko) * 2003-02-21 2004-08-30 (주)선양디지털이미지 칩 온 보드 타입 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법
KR20070117026A (ko) * 2006-06-07 2007-12-12 엘지전자 주식회사 적층형 카메라 장치 및 제조방법
KR20110097644A (ko) * 2010-02-24 2011-08-31 소니 주식회사 광학 소자 및 광학 기기
KR101376227B1 (ko) 2013-09-17 2014-03-25 실리콘 디스플레이 (주) 광학식 지문센서

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040075416A (ko) * 2003-02-21 2004-08-30 (주)선양디지털이미지 칩 온 보드 타입 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법
KR20070117026A (ko) * 2006-06-07 2007-12-12 엘지전자 주식회사 적층형 카메라 장치 및 제조방법
KR20110097644A (ko) * 2010-02-24 2011-08-31 소니 주식회사 광학 소자 및 광학 기기
KR101376227B1 (ko) 2013-09-17 2014-03-25 실리콘 디스플레이 (주) 광학식 지문센서

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101924899B1 (ko) 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법
US11829565B2 (en) Fingerprint sensor and button combinations and methods of making same
EP2558978B1 (en) Finger sensor including capacitive lens and associated methods
TW201802723A (zh) 指紋感測器裝置及其方法
CN104247020A (zh) 可回流光电模块
US20040256687A1 (en) Optical module, method of manufacturing the same, and electronic instrument
KR102248312B1 (ko) 감광성 부품과 카메라 모듈 및 그 제조방법
US20120038803A1 (en) Image sensor module and camera module
US9349903B2 (en) Image sensing module and method of manufacturing the same
KR101909520B1 (ko) 광학식 지문센서 패키지 및 그의 패키지 제조방법
EP3762970B1 (en) Wafer-level method for manufacturing optoelectronic modules
US10396111B2 (en) Package for an optical sensor, optical sensor arrangement and method of producing a package for an optical sensor
KR101872755B1 (ko) 광학센서 패키지
KR102066657B1 (ko) 지문 센서 패키지 및 그 제조 방법
KR20200014017A (ko) 유연기판이 적용된 언더글래스 지문 센서 패키지 및 이의 제조방법
KR101833991B1 (ko) 지문센서 모듈 및 이의 제조방법
KR102180122B1 (ko) 광학식 지문인식 센서 패키지
TWI670802B (zh) 晶片封裝結構及相機裝置
US20150116589A1 (en) Image capturing module for reducing assembly tilt angle
KR20200014016A (ko) 언더글래스 광학 방식 지문 센서 패키지 및 이의 제조방법
KR20200014020A (ko) 언더글래스 정전용량 방식 지문 센서 패키지 및 이의 제조방법
KR20210152747A (ko) 지문센서모듈 및 이의 제조방법
KR20200014022A (ko) 언더글래스 초음파 방식 지문 센서 패키지 및 이의 제조방법
CN117461148A (zh) 半导体传感器装置及用于制造半导体传感器装置的方法
US20170192542A1 (en) Track pad semiconductor package using compression molding and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant