KR101896148B1 - Ssd 메모리로 동작하는 nand 플래시 메모리를 레이드 방식으로 제어하여 입출력 속도를 향상시킨 usb 3.1 메모리장치 - Google Patents

Ssd 메모리로 동작하는 nand 플래시 메모리를 레이드 방식으로 제어하여 입출력 속도를 향상시킨 usb 3.1 메모리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이드 기능이 시스템-온-칩된 USB 3.1 컨트롤러와 SSD컨트롤러를 시스템-온-칩한 메모리를 병렬로 연결한 USB 3.1 메모리장치에 관한 것이다.
본 발명은 휴대 가능한 USB 3.1 메모리장치로서, 외부 디바이스와 연결되어 데이터를 주고받기 위한 USB 3.1 입출력인터페이스, SSD 컨트롤러와 NAND 플래시 메모리가 시스템 온 칩된 메모리칩, 및 상기 USB 3.1 입출력인터페이스 및 적어도 하나 이상의 상기 메모리칩과 병렬로 연결되고 레이드(RAID) 기능이 시스템 온 칩(SoC)된 USB 3.1 컨트롤러를 포함한다.

Description

SSD 메모리로 동작하는 NAND 플래시 메모리를 레이드 방식으로 제어하여 입출력 속도를 향상시킨 USB 3.1 메모리장치 {USB 3.1 MEMORY DEVICE FOR IMPROVING READ/WRITE SPEED BY CONTROLLING NAND FLASH MEMORY AS SSD MEMORY WITH RAID FUNCTION}
본 발명은 휴대용 메모리 장치에 관한 것이다.
USB 메모리장치는 오늘날 우리 생활 곳곳에서 널리 사용되고 있다. USB 관련 표준이 꾸준하게 업그레이드되고 있으며, 이에 따라 USB 표준기술이 지원할 수 있는 데이터의 입출력 속도도 비약적으로 발전하고 있다.
그러나, USB 표준기술이 지원할 수 있는 이론적 대역폭과 실제 상용화된 메모리장치가 제공하는 대역폭에는 차이가 있다. 이론적 대역폭을 실제로 구현하기 위해서는 다양한 어플리케이션에 맞는 상용화 기술의 뒷받침이 필수적이기 때문이다.
휴대용 USB 메모리장치의 상용화를 위해서는 고속의 성능을 비롯하여 안정성과 휴대성이 고려되어야 한다. 그러나, 종래의 USB 메모리장치는 USB 3.1 표준에 걸맞는 상용화 기술이 충분히 구현되지 못했다.
본 발명의 발명가는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 오랫동안 연구노력한 끝에 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 목적은 고속의 데이터 입출력 성능을 비롯하여 안정성과 휴대성을 두루 갖춘 USB 3.1 메모리장치를 제안하는 것에 있다. USB 3.1 표준규격에 따르면 USB 3.1 메모리장치는 10Gbps의 속도를 구현할 수 있다. 그런데 대중적으로 사용하는 NAND FLASH 메모리의 입출력 속도는 200MB/s 를 넘지 못하는 한계를 갖는다. 즉, NAND Flash의 한계로 인해 USB 3.1 메모리장치가 허용하는 스펙을 충분히 구현할 수 없는 것이다. 이에 본 발명은 NAND Flash를 SSD로 기능하도록 하여 데이터 읽기/쓰기 속도를 향상시켰다. 또한, NAND Flash를 SSD 제어칩과 함께 SoC하여 집적도를 향상시키는 동시에 데이터 처리의 속도와 안정성을 향상시켰다.
또한, 본 발명은 RAID 기능을 구현할 수 있는 USB 3.1 메모리장치를 제안한다. 본 발명은 RAID 1에 따라 데이터 백업을 구현하는 장치 또는 RAID 0에 따라 입출력속도가 개선된 장치를 제공할 수 있다.
한편, 본 발명의 명시되지 않은 또 다른 목적들은 하기의 상세한 설명 및 그 효과로부터 용이하게 추론할 수 있는 범위 내에서 추가적으로 고려될 것이다.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 휴대 가능한 USB 3.1 메모리장치는:
외부 디바이스와 연결되어 데이터를 주고받기 위한 USB 3.1 입출력인터페이스;
상기 USB 3.1 입출력인터페이스에 연결되는 USB 3.1 컨트롤러 및 복수의 메모리칩과 병렬로 연결되는 레이드(RAID) 컨트롤러가 시스템 온 칩(System On Chip: SoC) 방식으로 집적된 컨트롤러; 및
NAND 플래시 메모리 및 상기 NAND 플래시 메모리를 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive: SSD) 메모리로 기능하도록 하는 SSD 제어칩이 시스템 온 칩 방식으로 집적된 적어도 둘 이상의 메모리칩을 포함하고,
상기 컨트롤러는 NAND 플래시 메모리를 포함하는 상기 메모리칩에 대해 SSD 제어방식으로 데이터 읽기 및 쓰기신호를 전송하는 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예에서 상기 레이드 컨트롤러는 RAID 0 방식(stripping)으로 상기 메모리칩에 데이터를 저장하는 것이 좋다.
바람직한 실시예에서 상기 레이드 컨트롤러는 RAID 1 방식으로 상기 메모리칩에 데이터를 저장하여 데이터 백업 기능을 실행하는 것이 좋다.
바람직한 실시예에서 인쇄회로기판을 더 포함하고,
상기 인쇄회로기판의 일단에는 상기 USB 3.1 입출력인터페이스가 외부로 돌출되어 형성되고,
상기 인쇄회로기판의 상면에는 상기 USD 3.1 입출력인터페이스에 인접하여 상기 컨트롤러가 형성되고,
상기 인쇄회로기판의 상면과 하면에는 각각 제1메모리칩 및 제2메모리칩이 형성되는 것이 좋다.
위와 같은 본 발명에 따르면, 고속의 데이터 전송이 가능한 USB 3.1 메모리장치를 제공할 수 있다. 본 발명은 NAND Flash를 SSD로 기능하도록 하고, NAND Flash를 SSD 제어칩과 함께 SoC하여 집적도를 향상시키는 동시에 데이터 처리의 속도와 안정성을 향상시켰다. 바람직한 실시예에서 본 발명은 800MB/s의 READ 속도와 380MB/s의 WRITE 속도를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 RAID 1에 따라 데이터 백업을 구현하거나 또는 RAID 0에 따라 입출력속도를 개선할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 USB 포트를 이용하여 전력을 공급받기 때문에 자체적으로 배터리를 포함하지 않아도 되며, 별도의 전원선을 포함할 필요가 없어 장치 구성이 간편하다.
한편, 여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급됨을 첨언한다.
도 1은 본 발명의 USB 3.1 메모리장치 구성의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 USB 3.1 메모리장치 레이아웃의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 USB 3.1 메모리장치의 데이터 흐름의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4는 종래 기술에 따른 USB 2.0 메모리장치의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는 종래 기술에 따른 USB 3.0 메모리장치의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 USB 3.1 메모리장치가 RAID 0 방식으로 동작할 때의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 USB 3.1 메모리장치가 RAID 1 방식으로 동작할 때의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
첨부된 도면은 본 발명의 기술사상에 대한 이해를 위하여 참조로서 예시된 것임을 밝히며, 그것에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되지는 아니한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기능에 대하여 이 분야의 기술자에게 자명한 사항으로서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 USB 3.1 메모리장치 구성의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명은 휴대 가능한 USB 3.1 메모리장치(100)로서, USB 3.1 입출력인터페이스(110), 컨트롤러(120), 메모리칩(130)을 포함한다.
USB 3.1 입출력인터페이스(110)는 외부 디바이스와 연결되어 데이터를 주고받기 위한 입출력인터페이스를 제공한다. 바람직한 실시예에서 USB 3.1 입출력인터페이스(110)는 USB type-C 단자일 수 있다.
컨트롤러(120)는 USB 3.1 입출력인터페이스(110)에 연결되는 USB 3.1 컨트롤러 및 복수의 메모리칩(130)과 병렬로 연결되는 레이드(RAID) 컨트롤러를 포함한다. 바람직한 실시예에서 컨트롤러(120)는 시스템 온 칩(System On Chip: SoC) 방식으로 집적되어, 크기와 부피를 줄일 수 있으며, 데이터 처리 속도와 안정성을 향상시킬 수 있다.
USB 3.1 컨트롤러는 USB 3.1 표준에 따라서 외부디바이스가 USB 3.1 메모리장치(100)에 데이터를 읽고 쓸 수 있도록 제어한다.
레이드(RAID) 컨트롤러는 USB 3.1 컨트롤러의 데이터 입출력 신호를 수신하고, RAID 방식으로 메모리칩에 데이터를 읽고 쓴다. 바람직한 실시예에서 레이드(RAID) 컨트롤러는 적어도 둘 이상의 메모리칩(130)에 SSD 제어방식으로 데이터 읽기신호 및 쓰기신호를 전송한다.
바람직한 실시예에서 레이드 컨트롤러(120)는 RAID 0 방식(stripping)으로 메모리칩(130)에 데이터를 저장할 수 있다. 레이드 컨트롤러(120)는 데이터를 블록 단위로 분할하여 복수의 메모리에 읽거나 쓸 수 있다. 이 실시예를 이용하면 메모리칩(130)에 읽고 쓰는 속도를 대폭 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 다른 실시예에서 레이드 컨트롤러(120)는 RAID 1 방식으로 메모리칩(130)에 데이터를 저장한다. 레이드 컨트롤러(120)는 동일한 데이터를 복수의 메모리에 저장하여 데이터 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이 실시예를 이용하면 데이터 백업 기능을 실행할 수 있는 효과가 있다.
메모리칩(130)은 NAND 플래시 메모리 및 SSD 칩을 포함한다. 메모리칩(130)은 시스템 온 칩 방식으로 집적되어, 크기와 부피를 줄일 수 있으며, 데이터 처리 속도와 안정성을 향상시킬 수 있다.
바람직한 실시예에서 메모리칩(130)은 NAND 플래시 메모리를 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive: SSD) 메모리로 기능하도록 하는 SSD 제어칩이 시스템 온 칩 방식으로 집적되어 있다. SSD 제어칩이 NAND 플래시 메모리를 SSD 메모리로 동작하도록 제어한다. 따라서, 메모리칩(130) 외부에 있는 컨트롤러(120)는 NAND 플래시 메모리를 포함하는 메모리칩(130)에 대해 SSD 제어방식으로 데이터 읽기 및 쓰기신호를 전송할 수 있다.
도 2는 본 발명의 USB 3.1 메모리장치 레이아웃의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 2에서 알 수 있듯이, USB 3.1 메모리장치(100)는 USB 3.1 입출력인터페이스(110), 컨트롤러(120), 제1메모리칩(131), 제2메모리칩(132), 및 인쇄회로기판(140)을 포함한다.
USB 3.1 입출력인터페이스(110)는 인쇄회로기판(140)의 일단에서 외부로 돌출되어 형성된다. 인쇄회로기판(140)의 상면에는 USD 3.1 입출력인터페이스(110)에 인접하여 컨트롤러(120)가 형성된다. 인쇄회로기판(140)의 상면과 하면에는 각각 제1메모리칩(131) 및 제2메모리칩(132)이 형성된다. 컨트롤러(120)는 복수의 메모리칩(131, 132)에 병렬로 연결된다.
컨트롤러(120), 제1메모리칩(131), 제2메모리칩(132)은 각각 시스템온칩 방식으로 접적되어 형성된다. 따라서, USB 3.1 메모리장치(100)는 전체적으로 매우 가볍고 소형으로 제작된다. 예를 들어, USB 3.1 메모리장치(100)는 가로 35mm(L), 세로 16mm(W), 높이 4.2mm, 무게 6.5g으로 제작될 수 있다.
도 3은 본 발명의 USB 3.1 메모리장치의 데이터 흐름의 바람직한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 3에서 알 수 있듯이, USB 3.1 컨트롤러가 USB 3.1 입출력인터페이스를 통해서 외부 디바이스로부터 데이터의 읽기/쓰기 명령을 수신한다(S1100). USB 3.1 컨트롤러가 수신한 읽기/쓰기 명령을 레이드 컨트롤러로 전송한다(S1200).
레이드 컨트롤러는 읽기/쓰기 명령에 따라 메모리칩에 데이터를 쓰거나, 메모리칩으로부터 데이터를 읽는다(S1300). 바람직한 실시예에서 레이드 컨트롤러는 SSD 제어방식으로 데이터를 읽거나 쓴다. 레이드 컨트롤러는 RAID 0 방식 또는 RAID 1 방식을 이용하거나 이를 혼용하는 방식으로 데이터를 읽고 쓸 수 있다.
SSD 제어칩은 데이터 읽기/쓰기 명령을 수신하고, 이를 이용하여 NAND Flash 메모리에 데이터를 읽고 쓴다(S1400). SSD 제어칩과 NAND Flash 메모리는 SoC 방식으로 집적되어 있기 때문에, 데이터 처리의 속도와 안정성을 향상시킬 수 있음은 물론 디바이스의 크기와 무게를 감소시킬 수 있다.
도 4 내지 도 7은 종래기술 대비 본 발명의 데이터 입출력속도를 비교설명하기 위한 도면이다. 아래 설명에서 알 수 있듯이, 본 발명은 종래기술의 한계를 극복하고 현저하게 향상된 입출력속도를 구현하였다. 속도측정을 위해 Crystaldiskmark 프로그램을 사용하였으며 비교실험의 객관성을 확보하기 위해 다양한 항목에 대해 실험을 실시하였다. 테스트 항목의 의미는 다음과 같다. 순차(Seq) 읽기/쓰기: 단일 쓰레드에서 순차적으로 읽고/쓰기 테스트(Sequential (Block Size 1MiB) Read/Write with single Thread), 4K 읽고/쓰기: 단일 큐와 쓰레드에서 4KiB 파일을 읽고/쓰기 테스트(Random 4KiB Read/Write with single Queue and Thread), 512K: Random 512KiB Read/Write with single Queue and Thread, 순차 Q32T1 읽고/쓰기(Seq Q32T1): 복수의 큐와 쓰레드에서 순차적으로 읽고/쓰기 테스트(Sequential (Block Size 128KiB) Read/Write with multi Queues and Threads), 4K Q32T1: Random 4KiB Read/Write with multi Queues and Threads, 4K QD32: Random 4KiB Read/Write with Queue Depth of 32.
도 4는 종래 기술에 따른 USB 2.0 메모리장치의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다. USB 2.0 메모리장치의 순차 읽기/쓰기(Seq) 속도가 15.18MB/s 및 6.786MB/s 임을 알 수 있다. 4K 읽기/쓰기 속도는 9.287MB/s 및 0.020MB/s로 특히 쓰기속도가 현저하게 낮음을 알 수 있다.
도 5는 종래 기술에 따른 USB 3.0 메모리장치의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다. USB 3.0 메모리장치의 순차 읽기/쓰기(Seq) 속도가 82.58MB/s 및 27.06MB/s 임을 알 수 있다. USB 2.0 메모리장치에 비해서는 대략 5배 가량 속도가 향상되었음을 알 수 있다. 하지만, 4K 읽기/쓰기 속도는 4.410MB/s 및 0.052MB/s로 여전히 낮음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 USB 3.1 메모리장치가 RAID 0 방식으로 동작할 때의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다. 본 발명의 USB 3.1 메모리장치의 순차 읽기/쓰기(Seq) 속도가 633.2MB/s 및 228.4MB/s 임을 알 수 있다. 이는 도 5의 결과와 비교했을 때 대략 8배 가량 향상된 속도이다. 또한 4K 읽기/쓰기 속도는 38.45MB/s 및 77.21MB/s 임을 알 수 있다. 이는 도 5의 결과와 비교했을 때 읽기는 8배, 쓰기는 비교하기 힘들 정도로 큰 속도향상이 있음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 USB 3.1 메모리장치가 RAID 1 방식으로 동작할 때의 입출력속도를 측정한 결과를 나타내는 도면이다. 본 발명의 USB 3.1 메모리장치의 순차 읽기/쓰기(Seq) 속도가 539.6MB/s 및 195.1MB/s 임을 알 수 있다. 이는 도 5의 결과와 비교했을 때 대략 7배 가량 향상된 속도이다. 도 6의 속도 보다 속도향상이 다소 적게 나타났지만, RAID 1 기능을 수행하여 백업을 진행하고 있음을 고려하면 상당히 개선된 효과임을 알 수 있다. 또한 4K 읽기/쓰기 속도는 42.97MB/s 및 86.52MB/s 임을 알 수 있다. 이는 도 5의 결과와 비교했을 때 읽기는 8배, 쓰기는 비교하기 힘들 정도로 큰 속도향상이 있음을 알 수 있다.
[캐시메모리에 관한 실시예]
본 발명의 메모리칩은 SSD 제어칩과 NANA Flahs 메모리를 SoC하는 구성임을 설명한 바 있다. 일부 실시예에서는 여기에 캐시 메모리를 더 포함할 수도 있다. 그러나, 예를들어 DRAM과 같은 메모리를 캐시 메모리로 추가하는 경우 메모리칩의 부피와 단가가 증가하는 문제가 있다. 특히, 캐시 메모리를 버퍼로 사용하는 경우 발열문제가 발생할 수 있다. 발열이 지속되면 컨트롤러는 쓰로틀링(대역폭 강제 다운)과 같은 기능을 통해 대역폭을 줄이게 되는데, 이로 인해 데이터 읽기/쓰기 성능이 일정해지지 않는다는 문제가 새롭게 대두될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예는 캐시 메모리를 제외할 수 있다. 이로서 소형화와 저비용을 유지할 수 있다. 캐시 메모리를 사용하지 않는 본 발명의 실시예가 종래에 비해 비약적인 성능을 발휘한다는 점은 앞서 도 6 및 도 7에서 설명한 바와 같다.
본 발명의 보호범위가 이상에서 명시적으로 설명한 실시예의 기재와 표현에 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 자명한 변경이나 치환으로 말미암아 본 발명이 보호범위가 제한될 수도 없음을 다시 한 번 첨언한다.

Claims (4)

  1. 휴대 가능한 USB 3.1 메모리장치로서,
    외부 디바이스와 연결되어 데이터를 주고받기 위한 USB 3.1 입출력인터페이스;
    상기 USB 3.1 입출력인터페이스에 연결되는 USB 3.1 컨트롤러 및 복수의 메모리칩과 병렬로 연결되는 레이드(RAID) 컨트롤러가 시스템 온 칩(System On Chip: SoC) 방식으로 집적된 컨트롤러; 및
    NAND 플래시 메모리 및 상기 NAND 플래시 메모리를 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive: SSD) 메모리로 기능하도록 하는 SSD 제어칩이 시스템 온 칩 방식으로 집적된 적어도 둘 이상의 메모리칩을 포함하고,
    상기 컨트롤러는 NAND 플래시 메모리를 포함하는 상기 메모리칩에 대해 SSD 제어방식으로 데이터 읽기 및 쓰기신호를 전송하며,
    상기 레이드 컨트롤러는 RAID 0 방식(stripping)으로 상기 메모리칩에 데이터를 저장하고,
    인쇄회로기판을 더 포함하고,
    상기 인쇄회로기판의 일단에는 상기 USB 3.1 입출력인터페이스가 외부로 돌출되어 형성되고,
    상기 인쇄회로기판의 상면에는 상기 USB 3.1 입출력인터페이스에 인접하여 상기 컨트롤러가 형성되고,
    상기 인쇄회로기판의 상면과 하면에는 각각 제1메모리칩 및 제2메모리칩이 형성되고,
    상기 USB 3.1 메모리장치는 가로 35mm 이하, 세로 16mm이하, 높이 4.2mm 이하, 무게 6.5g 이하의 크기로 제작되는 것을 특징으로 하는,
    SSD 메모리로 동작하는 NAND 플래시 메모리를 레이드 방식으로 제어하여 입출력 속도를 향상시킨 USB 3.1 메모리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레이드 컨트롤러는 RAID 1 방식으로 상기 메모리칩에 데이터를 저장하여 데이터 백업 기능을 실행하는 것인,
    SSD 메모리로 동작하는 NAND 플래시 메모리를 레이드 방식으로 제어하여 입출력 속도를 향상시킨 USB 3.1 메모리장치.
  4. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109324756A (zh) * 2018-08-22 2019-02-12 华中科技大学 一种基于固态盘阵列的数据安全删除方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101099859B1 (ko) * 2008-09-24 2011-12-28 가부시끼가이샤 도시바 Ｓｓｄ장치
KR101445025B1 (ko) * 2012-02-09 2014-09-26 서울시립대학교 산학협력단 신뢰성 있는 ssd를 위한 효율적인 raid 기법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090029934A (ko) * 2007-09-19 2009-03-24 주식회사 엠트론스토리지테크놀로지 에스에스디 디스크 컨트롤러를 내장한 메인보드
US8583992B2 (en) * 2011-01-20 2013-11-12 Taejin Info Tech Co., Ltd. SAS-based semiconductor storage device memory disk unit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101099859B1 (ko) * 2008-09-24 2011-12-28 가부시끼가이샤 도시바 Ｓｓｄ장치
KR101445025B1 (ko) * 2012-02-09 2014-09-26 서울시립대학교 산학협력단 신뢰성 있는 ssd를 위한 효율적인 raid 기법

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