KR101892921B1 - Light emitting module and backlight unit having the same - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1방열부 및 상기 제1방열부 아래에 배치된 제2방열부를 포함하는 금속층; 상기 제1방열부의 상면에 배치된 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성된 배선층을 포함하는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판의 배선층에 배치된 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 두께보다 더 두꺼운 두께를 포함하며, 상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 너비보다 더 좁은 너비를 포함한다. A light emitting module according to an embodiment includes: a metal layer including a first heat dissipation unit and a second heat dissipation unit disposed below the first heat dissipation unit; An insulating layer disposed on an upper surface of the first heat-radiating portion; And a wiring layer formed on the insulating layer; And a plurality of light emitting diodes disposed in a wiring layer of the module substrate, wherein the first heat radiation portion includes a thickness greater than the thickness of the second heat radiation portion, and the first heat radiation portion is narrower than the width of the second heat radiation portion Width.

Description

발광 모듈 및 백라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting module and a backlight unit,

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting module and a backlight unit having the same.

정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 액정표시장치(LCD)는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.As information processing technology has developed, display devices such as LCD, PDP, and AMOLED have been widely used. Among these display devices, a liquid crystal display (LCD) requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

이러한 액정표시장치용 백라이트는 광원의 위치에 따라 에지형(edge type) 방식과 직하형(direct type) 방식의 두 종류가 있다.에지형 방식은 액정표시패널의 가장자리에 광원을 설치하여, 광원으로부터 발생된 광이 액정표시패널의 하부에 위치한 투명한 도광판을 통해 액정표시패널에 조사되는 방식이다. 이는 광의 균일성이 좋고, 수명이 길며, 액정표시장치의 박형화에 유리하고, 일반적으로, 중형 및 소형의 액정표시패널에 광을 조사하는데 통상 사용된다. 한편, 직하형 방식은 액정표시패널의 하부에 다수의 광원을 두어 액정표시패널의 전면을 직접 조사하는 방식이다. 이는 높은 휘도를 확보할 수 있고, 일반적으로 대형 및 중형의 액정표시패널에 광을 조사하는데 통상적으로 사용된다.There are two types of backlight for a liquid crystal display device, that is, an edge type and a direct type, depending on the position of a light source. In the edge type, a light source is provided at the edge of a liquid crystal display panel, And the generated light is irradiated to the liquid crystal display panel through a transparent light guide plate positioned below the liquid crystal display panel. This is advantageous in that the uniformity of light is good, the life is long, the thickness of the liquid crystal display device is thin, and it is generally used to irradiate light to medium and small liquid crystal display panels. On the other hand, in the direct type, a plurality of light sources are disposed under the liquid crystal display panel to directly irradiate the entire surface of the liquid crystal display panel. This can ensure a high luminance and is generally used for irradiating light to large and medium-sized liquid crystal display panels in general.

종래의 액정 표시 패널의 광원으로는 냉음극 형광 램프를 사용하였고, 점차로 고수명, 저전력소모, 경량 및 박형화의 장점을 갖는 LED를 광원으로 사용하고자 하는 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만, LED는 기존의 형광램프에 비하여 발열량이 많은 단점이 있다. 이러한 LED의 열로 인해 백라이트 어셈블리 내부의 온도를 상승시켜 전자 회로의 신뢰성을 저하시킬 수 있고, 내부 온도차에 의해 부품이나 케이스에 열 응력이 발생하여 변형을 초래하게 되는 문제가 있다.As a light source of a conventional liquid crystal display panel, a cold cathode fluorescent lamp has been used, and studies have been actively made to use an LED as a light source, which gradually has advantages of high power consumption, low power consumption, light weight and thinness. However, LEDs have a drawback in that they generate more heat than conventional fluorescent lamps. The heat of the LEDs may increase the temperature inside the backlight assembly, thereby lowering the reliability of the electronic circuit. In addition, there is a problem that thermal stress is generated in the component or the case due to the internal temperature difference.

기존의 LED는 기판 상에 배열되고 상기 기판에 배치된 회로 패턴을 따라 연결되어, 직하형 방식의 광원 또는 에지형 방식의 광원으로 사용하고 있다. 또한 기판 내에 상기 LED로부터 발생된 열을 방열하기 위한 금속층을 더 포함하고 있다.Conventional LEDs are arranged on a substrate and are connected along a circuit pattern arranged on the substrate, and are used as a light source of a direct lower type or a light source of an edge type. And further includes a metal layer for dissipating heat generated from the LED in the substrate.

실시 예는 새로운 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공한다.Embodiments provide a novel light emitting module and a backlight unit having the same.

실시 예는 발광 다이오드가 탑재된 영역에 다른 영역보다 더 두꺼운 금속층을 배치한 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공한다. Embodiments provide a light emitting module in which a metal layer thicker than another region is disposed in a region where a light emitting diode is mounted, and a backlight unit having the same.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1방열부 및 상기 제1방열부 아래에 배치된 제2방열부를 포함하는 금속층; 상기 제1방열부의 상면에 배치된 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치된 배선층을 포함하는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판의 배선층에 배치된 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 두께보다 더 두꺼운 두께를 포함하며, 상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 너비보다 더 좁은 너비를 포함한다. A light emitting module according to an embodiment includes: a metal layer including a first heat dissipation unit and a second heat dissipation unit disposed below the first heat dissipation unit; An insulating layer disposed on an upper surface of the first heat-radiating portion; And a wiring layer disposed on the insulating layer; And a plurality of light emitting diodes disposed in a wiring layer of the module substrate, wherein the first heat radiation portion includes a thickness greater than the thickness of the second heat radiation portion, and the first heat radiation portion is narrower than the width of the second heat radiation portion Width.

실시 예에 따른 백라이트 유닛은, 바닥부 및 상기 바닥부로부터 절곡된 제1측면부를 포함하는 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 도광판; 및 상기 바텀 커버의 제1측면부의 내측에 배치된 제1방열부, 및 상기 제1방열부로부터 절곡되어 상기 바텀 커버의 바닥부에 배치된 제2방열부를 갖는 금속층을 포함하는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판의 제1방열부 상에 배치되며 상기 도광판의 적어도 한 측면에 대응되는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈을 포함하며, 상기 제1방열부와 상기 제2방열부는 서로 다른 두께를 포함한다.
A backlight unit according to an embodiment includes a bottom cover including a bottom portion and a first side portion bent from the bottom portion; A light guide plate on the bottom cover; And a metal layer having a first heat radiation portion disposed inside the first side portion of the bottom cover and a second heat radiation portion bent from the first heat radiation portion and disposed at a bottom portion of the bottom cover; And a light emitting module disposed on the first heat dissipation part of the module substrate and including a plurality of light emitting diodes corresponding to at least one side of the light guide plate, wherein the first heat dissipation part and the second heat dissipation part have different thicknesses .

실시 예는 발광 다이오드의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting diode.

실시 예는 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting module.

실시 예는 발광 다이오드를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a light emitting module having a light emitting diode and an illumination system including the light emitting module.

도 1은 제1실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 백라이트 유닛의 결합 측 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 제2실시 예에 따른 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8은 제3실시 예에 따른 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 9는 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 10은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 11은 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 12는 제7실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 13은 제8실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 14는 도 1의 발광 모듈의 발광 다이오드의 예를 나타낸 단면도이다.
1 is an exploded perspective view of a display device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional side view of the backlight unit of Fig.
FIGS. 3 and 4 are views showing the light emitting module of FIG. 2 and a manufacturing process thereof.
5 and 6 are views illustrating a light emitting module according to a second embodiment and a manufacturing process thereof.
7 and 8 are views illustrating a light emitting module according to a third embodiment and a manufacturing process thereof.
9 is a view illustrating a light emitting module according to a fourth embodiment.
10 is a view illustrating a light emitting module according to a fifth embodiment.
11 is a view illustrating a light emitting module according to a sixth embodiment.
12 is a view illustrating a light emitting module according to a seventh embodiment.
13 is a view illustrating a light emitting module according to an eighth embodiment.
14 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting diode of the light emitting module of FIG.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both what is meant to be" directly "or" indirectly & . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제1실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a display device according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 디스플레이되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(20)을 포함한다. 1, a display device 100 includes a display panel 10 on which an image is displayed, and a backlight unit 20 that provides light to the display panel 10. [

상기 백라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 부재(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 발광 모듈(30), 및 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. The backlight unit 20 includes a light guide plate 70 for providing a surface light source to the display panel 10, a reflective member 45 for reflecting the leaked light, A light emitting module 30, and a bottom cover 40 which forms a lower outer appearance of the display device 100. [

도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.Although not shown, the display device 100 includes a panel supporter that supports the display panel 10 from the lower side, a tower that forms a rim of the display device 100 and supports the periphery of the display panel 10 Cover.

상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다.Although not shown in detail, the display panel 10 may include a lower substrate and an upper substrate coupled to each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates . A plurality of gate lines and a plurality of data lines intersecting the plurality of gate lines may be formed on the lower substrate, and a thin film transistor (TFT) may be formed on the intersections of the gate lines and the data lines. Color filters may be formed on the upper substrate. The structure of the display panel 10 is not limited thereto, and the display panel 10 may have various structures. As another example, the lower substrate may include a color filter as well as a thin film transistor. In addition, the display panel 10 may have various structures according to a method of driving the liquid crystal layer.

도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate driving printed circuit board (PCB) for supplying a scan signal to a gate line is formed at an edge of the display panel 10, a data driving printed circuit board (PCB) May be provided.

상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 백라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A polarizing film (not shown) may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of the display panel 10. An optical sheet 60 is disposed under the display panel 10 and the optical sheet 60 may be included in the backlight unit 20 and may include at least one prism sheet and / have. The optical sheet 60 may be removed, but is not limited thereto.

상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The diffusing sheet diffuses the incident light evenly, and the diffused light can be converged on the display panel by the prism sheet. Here, the prism sheet may be selectively formed using a horizontal or vertical prism sheet, one or more roughness enhancing sheets, or the like. The types and the number of the optical sheets 60 may be added or deleted within the technical scope of the embodiments, but the invention is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 바텀 커버(40)의 측면 중 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. The light emitting module 30 may be disposed inside the first side portion 42 of the side surface of the bottom cover 40. The light emitting module 30 may be disposed on different sides of the bottom cover 40, for example, on both sides or on all sides, but is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 모듈 기판(32)과, 상기 모듈 기판(32)의 일면에 배열된 복수의 발광 다이오드(34)를 포함한다.The light emitting module 30 includes a module substrate 32 and a plurality of light emitting diodes 34 arranged on one side of the module substrate 32.

상기 모듈 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 모듈 기판(32)은 바닥에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.The module substrate 32 may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The module substrate 32 may include a printed circuit board having a metal layer on the bottom.

상기 복수의 발광 다이오드(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입광부 방향(X)를 따라 배열되며, 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 다이오드를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 다이오드들을 조합하여 이용할 수 있다. The plurality of light emitting diodes 34 are arranged along the light incoming direction X of the light guide plate 70 at a predetermined pitch and at least one of the light emitting diodes 34 is formed of at least one color such as at least one of white, One is emitted. The embodiment may use a light emitting diode that emits light of at least one color or a combination of light emitting diodes that emit a plurality of colors.

상기 발광 다이오드(34)는 Ⅲ족-V족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩과 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 LED 칩은 가시 광선 대역의 파장을 발광하거나, 자외선 대역의 광을 발광할 수 있다.The light emitting diode 34 may include an LED chip using a Group III-V compound semiconductor and a molding member for protecting the LED chip. At least one type of fluorescent material may be added to the molding member, but the present invention is not limited thereto. The LED chip may emit a wavelength in a visible light band or emit light in an ultraviolet band.

상기 발광 다이오드(34)는 적어도 한 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. The light emitting diodes 34 may be arranged in at least one row and may be arranged at regular intervals or irregular intervals.

상기 모듈 기판(32)은 제1방열부(32-1)와 제2방열부(32-2)를 포함하며, 상기 제1방열부(32-1)의 일면에는 상기 발광 다이오드(34)가 탑재되며, 상기 제2방열부(32-2)는 상기 제1방열부(32-1)로부터 절곡되어 상기 제1방열부(32-1)에 대해 거의 수직한 각도(예: 85°~95°)로 배치될 수 있다. 상기 제2방열부(32-2)에는 상기 발광 다이오드(34)가 탑재되지 않을 수 있다. 상기 제2방열부(32-2)는 상기 제1방열부(32-1)의 일 방향에 대해 절곡된 구조로 도시하였으나, 상기 제1방열부(32-1)의 양 방향에서 서로 대향되게 절곡될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The module substrate 32 includes a first heat dissipation unit 32-1 and a second heat dissipation unit 32-2 and the light emitting diode 34 is mounted on one surface of the first heat dissipation unit 32-1 And the second heat dissipating portion 32-2 is bent from the first heat dissipating portion 32-1 and is substantially perpendicular to the first heat dissipating portion 32-1 °). The light emitting diode 34 may not be mounted on the second heat dissipating unit 32-2. Although the second heat dissipating unit 32-2 is shown as being bent in one direction of the first heat dissipating unit 32-1, the second heat dissipating unit 32-2 may be configured to face the first heat dissipating unit 32-1 in both directions It is not limited thereto.

상기 제2방열부(32-2)의 너비는 상기 제1방열부(32-1)의 너비보다 더 넓을 수 있으며, 예컨대 0.8mm 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제2방열부(32-2)의 너비는 방열 효율을 고려하여 조절될 수 있다. 상기 제1방열부(32-1)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께보다 더 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. The width of the second heat dissipation unit 32-2 may be wider than the width of the first heat dissipation unit 32-1, for example, 0.8 mm or more. The width of the second heat-radiating portion 32-2 can be adjusted in consideration of heat radiation efficiency. The first heat radiating part 32-1 may be formed to have a thickness greater than the thickness of the second heat radiating part 32-2.

상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1)는 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에 접착 부재(50)로 접착될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1)는 접착 부재가 아닌 체결 부재를 사용할 수 있다. The first heat dissipating portion 32-1 of the module substrate 32 may be bonded to the first side surface portion 42 of the bottom cover 40 with an adhesive member 50. [ The first heat dissipation unit 32-1 of the module substrate 32 may use a coupling member rather than an adhesive member.

상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1)에는 커넥터가 설치될 수 있다 상기 커넥터는 상기 모듈 기판(32)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A connector may be installed on the first heat radiating portion 32-1 of the module substrate 32. The connector may be disposed on at least one of the upper surface and the lower surface of the module substrate 32. However, .

상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입사면)에는 상기 복수의 발광 다이오드(34)의 광 출사 영역이 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 대해 한정하지는 않는다.Light emitting regions of the plurality of light emitting diodes 34 correspond to at least one side surface (that is, an incident surface) of the light guide plate 70, and light generated from the plurality of light emitting diodes 34 is incident. The light guide plate 70 may be formed in a polygonal shape including at least four side surfaces as viewed from the upper surface where the surface light source is generated and the upper surface. The light guide plate 70 is made of a transparent material and includes one of acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate . The light guide plate 70 may be formed by an extrusion molding method, but the invention is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflection pattern (not shown) may be formed on the upper surface and / or the lower surface of the light guide plate 70. The reflection pattern may be uniformly irradiated through the entire surface of the light guide plate 70 by reflecting / / diffusing the incident light, which is made up of a predetermined pattern, for example, a reflection pattern or / and a prism pattern. The lower surface of the light guide plate 70 may be formed in a reflective pattern, and the upper surface may be formed in a prism pattern. A scattering agent may be added to the inside of the light guide plate 70, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 하부에는 반사 부재(45)가 구비될 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 백 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 부재(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective member 45 may be provided under the light guide plate 70. The reflective member 45 reflects light traveling toward the lower portion of the light guide plate 70 toward the display panel. The backlight unit 20 causes the light that leaks to the lower portion of the light guide plate 70 to enter the light guide plate 70 again by the reflective member 45 so that the light efficiency is lowered, And the like can be prevented. The reflective member 45 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 45 may be a reflective layer formed on the top surface of the bottom cover 40, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 부재(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The bottom cover 40 includes a receiving part 41 having an opened upper part and a light emitting module 30, an optical sheet 60, a light guide plate 70 and a reflecting member 45 Can be accommodated. The bottom cover 40 is made of a metal having high heat dissipation efficiency such as aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium May be selectively formed from these optional alloys.

상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 부재(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 입사면과 대응되게 배치된다.The light emitting module 30 may include a reflection member 45, a light guide plate 70 and an optical sheet 60 stacked in this order on the bottom cover 40 of the bottom cover 40. The bottom cover 40, The first side surface 42 of the light guide plate 70 is disposed to correspond to the incident surface of the light guide plate 70.

상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에는 오목부(41B)가 형성되며, 상기 오목부(41B)는 상기 바닥부(41A)보다 더 낮은 깊이로 형성될 수 있다. 상기 오목부(41B)에는 상기 모듈 기판(32)의 제2방열부(32-2)가 나사와 같은 체결 부재 또는 접착 부재로 결합될 수 있다. 상기 오목부(41B)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께 정도의 깊이와 상기 제2방열부(32-2)의 너비 정도의 너비를 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The bottom portion 41A of the bottom cover 40 may be formed with a recess 41B and the recess 41B may be formed to have a lower depth than the bottom portion 41A. The second heat radiating portion 32-2 of the module substrate 32 may be coupled to the recess 41B with a fastening member or an adhesive member such as a screw. The recess 41B may have a width corresponding to a depth of the second heat dissipating unit 32-2 and a width of the second heat dissipating unit 32-2, but the present invention is not limited thereto .

실시 예는 바텀 커버(40)의 바닥부(41A) 중 제1측면부(42)로부터 절곡된 부분에 오목부(41B)를 배치한 예를 설명하였으나, 상기 오목부(41B)는 형성하지 않을 수 있다.
Although the example in which the concave portion 41B is disposed at the portion bent from the first side portion 42 of the bottom portion 41A of the bottom cover 40 has been described in the embodiment, the concave portion 41B may not be formed have.

도 2를 참조하면, 모듈 기판(32)은 제1방열부(32-1) 및 제2방열부(32-2)를 갖는 금속층(131), 상기 금속층(131)의 제1방열부(32-1) 상에 형성된 절연층(132), 상기 절연층(132) 상에 형성된 배선층(133), 상기 배선층(133) 상에 형성된 보호층(134)을 포함한다. 2, the module substrate 32 includes a metal layer 131 having a first heat dissipation unit 32-1 and a second heat dissipation unit 32-2, a first heat dissipation unit 32 An insulating layer 132 formed on the insulating layer 132, a wiring layer 133 formed on the insulating layer 132, and a protective layer 134 formed on the wiring layer 133.

상기 금속층(131)은 Al, Cu, Fe 및 이들 중 적어도 하나를 갖는 합금 재료 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 모듈 기판(32)의 바닥 전체에 형성되어, 방열 플레이트로 사용된다. 상기 금속층(131)은 예컨대, 절곡과 방열 효율을 위해 Al 또는 Al 합금 재질을 갖는 플레이트를 사용할 수 있다. 상기 금속층(131)은 0.8mm 이상 예컨대, 0.8mm~1.5mm의 두께로 형성될 수 있다. 상기 금속층(131)의 너비는 상기 모듈 기판(32)의 너비와 동일한 너비로 형성될 수 있다. 상기 금속층(131)의 하면 면적은 상기 모듈 기판(32)의 하면 면적과 동일한 면적으로 형성될 수 있다.The metal layer 131 includes at least one of Al, Cu, Fe, and an alloy material having at least one of Al, Cu, and Fe, and is formed on the entire bottom surface of the module substrate 32 and used as a heat dissipation plate. For example, the metal layer 131 may be a plate having Al or Al alloy material for bending and heat radiation efficiency. The metal layer 131 may have a thickness of 0.8 mm or more, for example, 0.8 mm to 1.5 mm. The width of the metal layer 131 may be the same as the width of the module substrate 32. The lower surface area of the metal layer 131 may be the same as the lower surface area of the module substrate 32.

상기 금속층(131)은 제1방열부(32-1)과 상기 제1방열부(32-1)로부터 절곡된 제2방열부(32-2)로 구분될 수 있으며, 상기 제1방열부(32-1)의 두께(T1)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)보다 더 두껍게 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1방열부(32-1)의 두께(T1)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)보다 적어도 0.1mm 이상 더 두꺼운 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 적어도 50% 이상 더 두껍게 형성될 수 있다. 상기 제1방열부(32-1)의 두께(T1)는 0.6mm 초과 1.5mm이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)는 0.6mm~1mm 범위로 형성될 수 있다.The metal layer 131 may be divided into a first heat dissipating unit 32-1 and a second heat dissipating unit 32-2 bent from the first heat dissipating unit 32-1, 32-1 may be thicker than the thickness T2 of the second heat dissipating unit 32-2. For example, the thickness T1 of the first heat-radiating portion 32-1 may be greater than the thickness T2 of the second heat-radiating portion 32-2 by at least 0.1 mm, for example, at least 50 % ≪ / RTI > thick. The thickness T1 of the first heat-radiating portion 32-1 may be greater than 0.6 mm but less than 1.5 mm. The thickness T2 of the second heat radiation portion 32-2 may be in the range of 0.6 mm to 1 mm.

상기 제2방열부(32-2)의 일면의 너비(또는 면적)는 상기 제1방열부(32-1)의 일면의 너비(또는 면적)보다 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 제2방열부(32-2)의 일면의 너비는 상기 제1방열부(32-1)의 일면의 너비에 비해 적어도 50% 이상 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 제2방열부(32-2)의 일면의 너비는 상기 모듈 기판(32)의 하면의 너비로서, 1cm 이상 예컨대 1cm~3cm으로 형성될 수 있으며, 상기 제1방열부(32-1)의 일면의 너비는 상기 모듈 기판(32)의 높이(D2)로서, 5mm~8mm로 형성될 수 있다.The width (or area) of one surface of the second heat dissipating unit 32-2 may be wider than the width (or area) of one surface of the first heat dissipating unit 32-1. The width of one surface of the second heat dissipating unit 32-2 may be at least 50% greater than the width of one surface of the first heat dissipating unit 32-1. The width of one surface of the second heat dissipating unit 32-2 may be a width of the lower surface of the module substrate 32 and may be 1 cm or more, for example, 1 cm to 3 cm. The width of one surface may be a height D2 of the module substrate 32, and may be 5 mm to 8 mm.

상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 사이 즉, 경계 부분에는 홈(32-4)이 배치되며, 상기 홈(32-4)은 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 내부 면이 서로 접촉되는 접이 구조로 형성된다. 상기 홈(32-4)은 상기 제1방열부(32-1) 또는/및 상기 제2방열부(32-2)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있다. 상기 홈(32-4)의 길이는 상기 금속층(131)의 길이와 동일한 길이이거나 더 짧은 길이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 홈(32-4)의 표면은 상기 제2방열부(32-2)의 상면으로부터 100°~170°의 범위로 형성될 수 있다. A groove 32-4 is disposed between the first heat-radiating portion 32-1 and the second heat-radiating portion 32-2, and the groove 32-4 is formed between the first heat- And the inner surfaces of the first heat dissipation unit 32-1 and the second heat dissipation unit 32-2 are in contact with each other. The groove 32-4 may be formed at a predetermined depth from the upper surface of the first heat dissipating unit 32-1 and / or the second heat dissipating unit 32-2. The length of the groove 32-4 may be equal to or shorter than the length of the metal layer 131, but is not limited thereto. The surface of the groove 32-4 may be formed in a range of 100 ° to 170 ° from the upper surface of the second heat dissipating unit 32-2.

상기 모듈 기판(32)의 높이(D2)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)보다 더 두꺼운 높이로서, 적어도 5배 이상의 두께로 형성될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 높이(D2)는 5.5mm~10mm로 형성될 수 있으며, 예컨대 5.5mm~8mm로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 모듈 기판(32)의 높이(D2)는 상기 제1방열부(32-1)의 너비이거나, 상기 제1방열부(32-1)의 너비와 상기 제2방열부(32-2)의 두께의 합과 같을 수 있다. The height D2 of the module substrate 32 is greater than the thickness T2 of the second heat dissipating unit 32-2 and may be at least five times greater than the thickness T2 of the second heat dissipating unit 32-2. The height D2 of the module substrate 32 may be 5.5 to 10 mm and may be, for example, 5.5 to 8 mm. The height D2 of the module substrate 32 may be the width of the first heat dissipating unit 32-1 or the width of the first heat dissipating unit 32-1 and the width of the second heat dissipating unit 32-2 ) Of the thickness of the film.

상기 금속층(131)의 제1방열부(32-1) 상에는 절연층(132)이 형성되며, 상기 절연층(132)은 프리 프레그(Preimpregnated Materials)를 포함하며, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 절연층(132)은 80㎛~100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 금속층(131)의 제1방열부(32-1)의 너비(또는 면적)보다 더 작은 너비(또는 면적)로 형성될 수 있다.An insulating layer 132 is formed on the first heat dissipating portion 32-1 of the metal layer 131. The insulating layer 132 includes pre-impregnated materials such as epoxy resin, phenol resin, And a polyester resin. The insulating layer 132 may have a thickness of 80 to 100 탆 and may have a width (or area) smaller than the width (or area) of the first heat-radiating portion 32 - 1 of the metal layer 131 .

상기 배선층(133)은 회로 패턴을 포함하며, Cu, Au, Al, Ag 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 Cu를 이용할 수 있다. 상기 배선층(133)은 25㎛~70㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 절연층(132)의 두께보다 더 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The wiring layer 133 includes a circuit pattern and includes at least one of Cu, Au, Al, and Ag. For example, Cu may be used. The wiring layer 133 may be formed to a thickness of 25 to 70 탆 and may be formed to be thinner than the insulating layer 132, but the present invention is not limited thereto.

상기 배선층(133) 상에는 보호층(134)이 형성되며, 상기 보호층(134)은 솔더 레지스트를 포함하며, 상기 솔더 레지스터는 상기 모듈 기판(32)의 상면에 패드 이외의 영역을 보호하게 된다. 상기 보호층(134)은 15㎛~30㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 모듈 기판(32) 내에는 비아 홀이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A protection layer 134 is formed on the wiring layer 133. The protection layer 134 includes a solder resist and the solder resist protects the upper surface of the module substrate 32 except the pads. The protective layer 134 may be formed to a thickness of 15 탆 to 30 탆. A via hole may be formed in the module substrate 32, but the present invention is not limited thereto.

또한 상기 모듈 기판(32) 내에는 복수의 배선층이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 배선층 사이에 절연층이 더 배치될 수 있다.In addition, a plurality of wiring layers may be disposed in the module substrate 32, and an insulating layer may be further disposed between the plurality of wiring layers.

상기 모듈 기판(32)의 배선층(133) 상에 발광 다이오드(34)를 탑재하게 되며, 상기 발광 다이오드(34)는 상기 배선층(133)의 회로 패턴에 의해 직렬, 병렬, 직병렬 혼합 구조로 배치될 수 있다.A light emitting diode 34 is mounted on the wiring layer 133 of the module substrate 32 and the light emitting diodes 34 are arranged in a serial, parallel, serial / parallel combination structure by a circuit pattern of the wiring layer 133 .

상기 제1방열부(32-1)와 그 위에 배치된 절연층/배선층/보호층(132/133/134)의 적층 구조는 기판부로 정의될 수 있으며, 상기의 기판부는 바닥에 금속층(131)을 갖는 기판이 될 수 있다. The laminated structure of the first heat dissipating unit 32-1 and the insulating layer / wiring layer / protective layer 132/133/134 disposed thereon can be defined as a substrate unit. The substrate unit includes a metal layer 131 on the bottom, As shown in FIG.

상기 제2방열부(32-2)는 금속층(131)으로 형성되어, 상기 절연층(132), 배선층(133) 및 보호층(134)로부터 소정 간격(D1)으로 이격될 수 있다.The second heat dissipating unit 32-2 may be formed of a metal layer 131 and may be spaced apart from the insulating layer 132, the wiring layer 133, and the protective layer 134 by a predetermined distance D1.

상기 제2방열부(32-2)의 상면과 상기 절연층(132) 사이의 갭(D1)은 0.8mm~1mm로 형성될 수 있으며, 이러한 갭(D1)에 의해 상기 절연층(132)을 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2) 사이의 절곡 부분으로부터 이격시켜 줌으로써, 절연층(132)에 의한 분진 발생이나 방열 효과가 저하되는 문제를 개선시켜 줄 수 있다. 또한 상기 금속층(131) 상의 영역 중 절연층(132)이 차지하는 영역을 줄여줄 수 있어, 상기 절연층(132)이 상기 금속층(131)을 덮어 방열 효과가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 절연층(132)이 절곡 부분에 배치된 경우, 그 부분에서의 크랙이 발생되거나, 회로 패턴에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 사이의 절곡은 상기 홈(32-4)의 접이 구조에 의해 형성된다. The gap D1 between the upper surface of the second heat dissipating unit 32-2 and the insulating layer 132 may be 0.8 mm to 1 mm and the insulating layer 132 may be formed by the gap D1. The first heat dissipation unit 32-1 and the second heat dissipation unit 32-2 are spaced apart from the bent portion between the first heat dissipation unit 32-1 and the second heat dissipation unit 32-2, . The area occupied by the insulating layer 132 in the area on the metal layer 131 can be reduced so that the insulating layer 132 covers the metal layer 131 to prevent the heat radiation effect from being degraded. Also, when the insulating layer 132 is disposed at the bent portion, it is possible to prevent a crack from occurring in the portion or affecting the circuit pattern. Here, the folding between the first heat-radiating portion 32-1 and the second heat-radiating portion 32-2 is formed by the folding structure of the groove 32-4.

또한 상기 절연층(132)을 제2방열부(32-2)와 제1방열부(32-1)의 절곡 부분으로부터 이격시켜 줌으로써, 상기 배선층(133)과 상기 절곡 부분 사이의 갭이 더 줄어들 수 있다. The gap between the wiring layer 133 and the bent portion is further reduced by separating the insulating layer 132 from the bent portion of the second heat dissipating portion 32-2 and the first heat dissipating portion 32-1 .

상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)와 상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1) 사이에는 접착 부재(50)가 배치되어, 상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1)를 상기 바텀 커버의 제2측면부(42)에 접착시켜 준다. 상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에 형성된 오목부(41B)에는 상기 모듈 기판(32)의 제2방열부(32-2)가 접착 부재(51)에 의해 접착될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 제2방열부(32-2)가 상기 제1방열부(32-1)에 비해 더 얇기 때문에, 상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에 오목부(41B)를 형성하지 않을 수 있다.An adhesive member 50 is disposed between the first side surface portion 42 of the bottom cover 40 and the first heat dissipating portion 32-1 of the module substrate 32, And adheres the heat dissipating portion 32-1 to the second side surface portion 42 of the bottom cover. The second heat radiation portion 32-2 of the module substrate 32 may be adhered to the concave portion 41B formed in the bottom portion 41A of the bottom cover 40 by the adhesive member 51. [ Since the second heat radiation portion 32-2 of the module substrate 32 is thinner than the first heat radiation portion 32-1, the bottom portion 41A of the bottom cover 40 is provided with the concave portion 41B ) May not be formed.

실시 예는 발광 다이오드(34)로부터 열이 발생되면, 일부 열은 상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(32-1)를 통해 전도되어 바텀 커버의 제1측면부(42)를 통한 경로(F0)로 방열이 이루지고, 나머지 열의 일부는 상기 모듈 기판(32)의 제2방열부(32-2)로 전도되어 바텀 커버의 바닥부(41A)를 통한 경로(F1,F2)로 방열이 이루어진다.In the embodiment, when heat is generated from the light emitting diode 34, some heat is conducted through the first heat radiation portion 32-1 of the module substrate 32 to pass through the first side portion 42 of the bottom cover F0 and a part of the remaining heat is conducted to the second heat dissipating unit 32-2 of the module substrate 32 and the heat radiation is conducted to the paths F1 and F2 through the bottom portion 41A of the bottom cover .

여기서, 상기 제1방열부(32-1)는 상기 발광 다이오드(34)로부터 전도된 열을 전 영역으로 분산시켜 줄 수 있으며, 상기 제2방열부(32-2)는 두께가 얇아 열 전도율이 높기 때문에 상기 제1방열부(32-1)로부터 전도된 열을 전 표면을 통해 효과적으로 방열할 수 있다.
Here, the first heat dissipation unit 32-1 may disperse the heat conducted from the light emitting diode 34 to the entire area, and the second heat dissipation unit 32-2 may have a thin thickness, It is possible to effectively dissipate the heat conducted from the first heat-radiating portion 32-1 through the entire surface.

도 3 및 도 4는 도 2의 발광 모듈의 제조 과정을 나타낸 도면이다.FIGS. 3 and 4 are views showing a manufacturing process of the light emitting module of FIG. 2. FIG.

도 3을 참조하면, 모듈 기판(32)의 금속층(131)은 플랫한 플레이트로 제공되며, 제1방열부(32-1)와 제2방열부(32-2) 사이에 홈(32-4)을 구비하게 된다. 상기 홈(32-4)은 제1방열부(32-1)와 제2방열부(32-2)의 경계 부분에, 상기 제1방열부(32-1) 또는/및 상기 제2방열부(32-2)의 상면보다 낮은 깊이(T3)로 형성된다. 상기 홈(32-4)의 깊이(T3)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)의 40%~60% 예컨대, 50% 정도의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 홈(32-4)은 삼각형 형상으로 형성되며, 그 양 측면이 경사진 면으로 형성될 수 있다. 상기 홈(32-4)의 내각은 45°~60° 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.3, the metal layer 131 of the module substrate 32 is provided as a flat plate, and a groove 32-4 (see FIG. 3) is provided between the first heat radiation portion 32-1 and the second heat radiation portion 32-2. . The groove 32-4 is formed at a boundary portion between the first heat dissipating unit 32-1 and the second heat dissipating unit 32-2 so that the first heat dissipating unit 32-1 and / (T3) which is lower than the upper surface of the second substrate 32-2. The depth T3 of the groove 32-4 may be about 40% to 60% of the thickness T2 of the second heat dissipating portion 32-2, for example, about 50%. The groove 32-4 is formed in a triangular shape, and both side surfaces thereof may be formed as inclined surfaces. The internal angle of the groove 32-4 may be in the range of 45 ° to 60 °, but is not limited thereto.

상기 홈(32-4)의 중심을 기준으로 제2방열부(32-2)의 너비(L1)는 상기 제1방열부(32-1)의 너비(L2)보다 더 길게 형성될 수 있다. The width L1 of the second heat dissipating unit 32-2 may be longer than the width L2 of the first heat dissipating unit 32-1 with respect to the center of the groove 32-4.

상기 금속층(131)의 상면(S3,S4)은 플랫하고, 하면(S1,S2)은 단차지게 배치될 수 있다. 상기 제1방열부(32-1)의 하면(S1)과 상기 제2방열부(32-2)의 하면(S2)은 단차진 구조로 형성되며, 상기 제1방열부(32-1)의 하면(S1)과 상기 제2방열부(32-2)의 하면(S2) 사이의 차이(ΔT1=T1-T2)는 0.1mm 이상의 차이 예컨대, 0.5mm 이상의 차이로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2방열부(32-3)의 하면(S2)은 밀링과 같은 선반 공정을 통해 제거되어, 상기 제1방열부(32-1)의 하면(S1)에 대해 단차진 구조로 형성될 수 있다.The upper surfaces S3 and S4 of the metal layer 131 may be flat and the lower surfaces S1 and S2 may be stepped. The lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 and the lower surface S2 of the second heat dissipating unit 32-2 are formed in a stepped structure and the lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 The difference (? T1 = T1-T2) between the lower surface S1 and the lower surface S2 of the second heat dissipating portion 32-2 may be different by at least 0.1 mm, for example, 0.5 mm or more. The lower surface S2 of the second heat dissipating unit 32-3 is removed through a lathe process such as milling to form a stepped structure with respect to the lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 .

도 3의 제1방열부(32-1)를 상기 제2방열부(32-2)로부터 도 4와 같이 절곡시켜 주게 된다. 이때 상기 홈(32-4)의 양 측면은 접이 구조에 의해 접혀지고 서로 접촉될 수 있으며, 상기 제1방열부(32-1)는 상기 제2방열부(32-2)로부터 거의 직각(85°~95 °)의 각도로 절곡될 수 있다. 상기 제1방열부(32-1)의 상면(S3)은 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4)과 거의 직각(85°~95°)의 각도를 이루게 된다. 여기서, 상기 제1방열부(32-1)의 상면(S3)은 상기 발광 다이오드(34)와 대응되는 면이거나, 상기 도광판의 입사면과 대응되는 면일 수 있다.
The first heat radiating portion 32-1 of FIG. 3 is bent from the second heat radiating portion 32-2 as shown in FIG. At this time, both side surfaces of the groove 32-4 may be folded and brought into contact with each other by the folding structure, and the first heat dissipating portion 32-1 may be substantially perpendicular to the second heat dissipating portion 32-2 Lt; RTI ID = 0.0 > to 95). ≪ / RTI > The upper surface S3 of the first heat dissipating unit 32-1 forms an angle of substantially 85 ° to 95 ° with the upper surface S4 of the second heat dissipating unit 32-2. Here, the upper surface S3 of the first heat dissipating unit 32-1 may be a surface corresponding to the light emitting diode 34, or may be a surface corresponding to the incident surface of the light guide plate.

도 5 및 도 6은 제2실시 예에 따른 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.5 and 6 are views illustrating a light emitting module according to a second embodiment and a manufacturing process thereof.

도 5를 참조하면, 금속층(131)의 하면(S2)은 플랫하며, 제1방열부(32-1)의 상면(S3)과 제2방열부(32-2)의 상면(S4)은 두께 차이(ΔT2=T1-T2)에 의해 단차지게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 ΔT2는 0.1mm 이상이 될 수 있으며, 예컨대 0.5mm 이상일 수 있다.5, the lower surface S2 of the metal layer 131 is flat and the upper surface S3 of the first heat radiation portion 32-1 and the upper surface S4 of the second heat radiation portion 32-2 are thick Can be formed to be stepped by a difference (? T2 = T1-T2). Here, the? T2 may be 0.1 mm or more, for example, 0.5 mm or more.

상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2) 사이의 홈(32-5)은 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4)으로부터 소정 깊이(T3)로 형성되며, 상기 깊이(T3)는 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)의 40%~60% 정도로 형성될 수 있다.The groove 32-5 between the first heat dissipating unit 32-1 and the second heat dissipating unit 32-2 is formed at a predetermined depth T3 from the upper surface S4 of the second heat dissipating unit 32-2, And the depth T3 may be about 40% to about 60% of the thickness T2 of the second heat dissipating unit 32-2.

상기 제1방열부(32-1)는 홈(32-5)을 이용하여 상기 제2방열부(32-2)로부터 절곡시키게 되면, 도 6과 같이 절곡된다.When the first heat dissipating unit 32-1 is bent from the second heat dissipating unit 32-2 using the groove 32-5, the first heat dissipating unit 32-1 is bent as shown in FIG.

도 6을 참조하면, 모듈 기판(32A)은 제1방열부(32-1)의 일부가 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4)에 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)는 두께 차이만큼 오버랩될 수 있으며, 상기 홈(32-5)은 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 상면 사이의 경계 부분(또는 절곡 부분)보다 더 안쪽에 배치될 수 있다. 상기 홈(32-5)은 접이 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the module substrate 32A may have a portion of the first heat dissipation unit 32-1 overlapping the upper surface S4 of the second heat dissipation unit 32-2. The first heat dissipation unit 32-1 and the second heat dissipation unit 32-2 may overlap each other by a thickness difference and the groove 32-5 may be formed in the first heat dissipation unit 32-1, (Or bent portion) between the upper surfaces of the second heat radiation portions 32-2. The groove 32-5 may have a folded structure.

상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 하면 사이의 경계 부분(32-3)은 곡면이거나 각진 구조로 형성될 수 있다.
The boundary portion 32-3 between the lower surface of the first heat dissipating unit 32-1 and the lower surface of the second heat dissipating unit 32-2 may have a curved surface or an angular structure.

도 7 및 도 8은 제3실시 예에 따른 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.7 and 8 are views illustrating a light emitting module according to a third embodiment and a manufacturing process thereof.

도 7을 참조하면, 금속층(131)의 하면(S2)은 플랫한 면으로 형성되며, 상기 금속층(131)의 상면은 제1방열부(32-1)의 상면(S3)과 제2방열부(32-2)의 상면(S4)이 단차진 구조로 형성된다. 상기 제1방열부(32-1)의 두께(T1)가 상기 제2방열부(32-2)의 두께(T2)보다 더 두껍게 배치되기 때문에, 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2) 사이의 상면(S3,S4) 간에는 두께 차이(ΔT3) 만큼 단차가 발생될 수 있다.7, the lower surface S2 of the metal layer 131 is formed as a flat surface, and the upper surface of the metal layer 131 is connected to the upper surface S3 of the first heat radiation portion 32-1 and the upper surface S3 of the second heat radiation portion 32-1. And the upper surface S4 of the lower electrode 32-2 is formed in a stepped structure. Since the thickness T1 of the first heat dissipating unit 32-1 is greater than the thickness T2 of the second heat dissipating unit 32-2, A step difference may be generated between the upper surfaces S3 and S4 between the second heat radiating portions 32-2 by a thickness difference? T3.

상기 금속층(131)의 하면(S2) 중에서 제1방열부(32-1)와 제2방열부(32-2) 사이의 경계 부분에는 소정 깊이의 홈(32-6)이 형성되며, 상기 홈(32-6)은 제2방열부(32-2)의 두께(T2)의 40%~60% 사이로 형성될 수 있다.A groove 32-6 having a predetermined depth is formed at a boundary portion between the first heat dissipating portion 32-1 and the second heat dissipating portion 32-2 in the lower surface S2 of the metal layer 131, (32-6) may be formed between 40% and 60% of the thickness T2 of the second heat dissipating portion 32-2.

도 7의 제1방열부(32-1)를 홈(32-6)을 이용하여 제2방열부(32-2)로부터 절곡시켜 접혀 줌으로써, 도 8의 모듈 기판(32B)이 제공될 수 있다. 도 8의 모듈 기판(32B)은 제1방열부(32-1)의 일부가 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4) 상에 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 홈(32-6)은 상기 제1방열부(32-1)의 하면(S1)과 상기 제2방열부(32-2)의 하면(S2) 사이의 절곡 부분에 형성될 수 있다.
The module substrate 32B of FIG. 8 can be provided by bending the first heat radiation portion 32-1 of FIG. 7 from the second heat radiation portion 32-2 by using the groove 32-6 and folding it . The module substrate 32B of FIG. 8 may be partially overlapped with the upper surface S4 of the second heat dissipation unit 32-2. The groove 32-6 may be formed in a bent portion between a lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 and a lower surface S2 of the second heat dissipating unit 32-2.

도 9는 제4실시 예에 따른 발광 모듈 및 그 제조 과정을 나타낸 도면이다.9 is a view illustrating a light emitting module according to a fourth embodiment and a manufacturing process thereof.

도 9를 참조하면, 모듈 기판(32C)은 서로 다른 너비를 갖는 복수의 금속층을 포함한다. 제1방열부(33-1)는 발광 다이오드(34)가 배치된 금속층(131)으로 형성되며, 제2방열부(33-2)는 상기 제1방열부(33-1)의 금속층(131)과 다른 금속층으로 형성된다. 상기 제1방열부(33-1)의 두께와 상기 제2방열부(33-2)의 두께는 도 2를 참조하기로 한다. Referring to Fig. 9, the module substrate 32C includes a plurality of metal layers having different widths. The first heat dissipation unit 33-1 is formed of a metal layer 131 on which the light emitting diodes 34 are disposed and the second heat dissipation unit 33-2 is formed of a metal layer 131 of the first heat dissipation unit 33-1 ) And a different metal layer. The thickness of the first heat dissipation unit 33-1 and the thickness of the second heat dissipation unit 33-2 will be described with reference to FIG.

상기 제1방열부(33-1)의 측면(또는 하면)은 상기 제2방열부(33-2)의 상면(S4)에 접합 부재(33-3)로 본딩된다. 상기 제1방열부(33-1)의 측면(또는 하면) 전체는 상기 제2방열부(33-2)의 상면(S4)에 오버랩되게 배치된다. 상기 접합 부재(33-3)는 솔더 본딩, 용접 또는 유테틱 본딩 물질로 형성될 수 있으며, 제1방열부(33-1)를 상기 제2방열부(33-2) 상에 접합시켜 줄 수 있다. The side surface (or the lower surface) of the first heat dissipation unit 33-1 is bonded to the upper surface S4 of the second heat dissipation unit 33-2 with a bonding member 33-3. The entire side surface (or lower surface) of the first heat dissipation unit 33-1 overlaps the upper surface S4 of the second heat dissipation unit 33-2. The bonding member 33-3 may be formed of solder bonding, welding, or an eutectic bonding material. The first heat dissipation unit 33-1 may be bonded to the second heat dissipation unit 33-2, have.

상기 모듈 기판(32C)은 제1너비를 갖는 금속층(131)의 아래에 상기 제1너비와 다른 제2너비를 갖는 금속층인 제2방열부(33-2)를 배치하여, 두 금속층을 서로 접합시켜 주게 된다. 상기 제1방열부(33-1)와 상기 제2방열부(33-2)는 물리적으로 분리되며, 접합 부재(33-3)에 의해 연결될 수 있다. The module substrate 32C includes a second heat dissipation unit 33-2, which is a metal layer having a second width different from the first width, under the metal layer 131 having the first width, . The first heat dissipation unit 33-1 and the second heat dissipation unit 33-2 are physically separated and may be connected by a bonding member 33-3.

상기 제1방열부(33-1)의 배면(S41) 즉, 발광 다이오드가 배치된 면의 반대측 면은 상기 제2방열부(33-2)의 일 측면(S42)과 동일 평면 상에 배치되거나, 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 또한 상기 제2방열부(33-2)의 일 측면(S42)은 상기 제1방열부(33-1)의 배면(S41)보다 더 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The rear surface S41 of the first heat radiation portion 33-1 or the surface opposite to the surface on which the light emitting diode is disposed is disposed on the same plane as one side surface S42 of the second heat radiation portion 33-2 , And may be disposed on another plane. One side surface S42 of the second heat radiation portion 33-2 may protrude further than the rear surface S41 of the first heat radiation portion 33-1, but the present invention is not limited thereto.

도 10은 제5실시 예로서, 발광 모듈의 금속층의 다른 예를 나타낸 도면이다.10 is a view showing another example of a metal layer of a light emitting module as a fifth embodiment.

도 10을 참조하면, 모듈 기판의 금속층(131)은 상면과 하면에서 단차진 구조로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10, the metal layer 131 of the module substrate may be formed in a stepped structure on the upper surface and the lower surface.

상기 금속층(131)의 제1방열부(32-1)의 두께(T1)는 제2방열부(32-2)의 두께(T2)보다 더 두껍게 형성된다. 상기 제1방열부(32-1)의 하면(S1)은 상기 제2방열부(32-2)의 하면(S2)으로부터 단차지게 배치되며, 상기 제1방열부(32-1)의 상면(S3)은 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4)으로부터 단차지게 배치된다. 상기 제1방열부(32-1)의 상면(S3) 및 하면(S1)은 상기 제2방열부(32-2)의 상면(S4) 및 하면(S2)의 연장 선상보다 더 돌출되게 단차진다. 여기서, 상기 제1방열부(32-1)와 상기 제2방열부(32-2)의 경계 영역 중 하부에는 홈(32-7)이 형성될 수 있으며, 상기 홈(32-7)은 상기 경계 영역의 하부가 아닌 상부 또는 상부/하부에 각각 형성될 수 있다.The thickness T1 of the first heat radiation portion 32-1 of the metal layer 131 is formed to be thicker than the thickness T2 of the second heat radiation portion 32-2. The lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 is disposed stepwise from the lower surface S2 of the second heat dissipating unit 32-2 and the upper surface of the first heat dissipating unit 32-1 S3 are stepped from the upper surface S4 of the second heat dissipating unit 32-2. The upper surface S3 and the lower surface S1 of the first heat dissipating unit 32-1 are stepped more than the upper surface S4 and the lower surface S2 of the second heat dissipating unit 32-2 . A groove 32-7 may be formed in the lower part of the boundary region between the first heat dissipating unit 32-1 and the second heat dissipating unit 32-2, And may be formed on the upper portion or the upper portion / lower portion of the boundary region, respectively.

상기 제2방열부(32-2)를 상기 홈(32-7)을 이용하여 상기 제1방열부(32-1)로부터 미리 설정된 각도(85°~95°)로 절곡하여, 발광 모듈의 모듈 기판이 제공될 수 있다.
The second heat radiation portion 32-2 is bent at a predetermined angle (85 ° to 95 °) from the first heat radiation portion 32-1 using the groove 32-7, A substrate may be provided.

도 11은 제6실시 예로서, 발광 모듈의 금속층의 일 예를 나타낸 도면이다.11 is a view showing an example of a metal layer of a light emitting module as a sixth embodiment.

도 11을 참조하면, 모듈 기판(32D)은 금속층(131)의 선반 작업을 통해 소정 두께(T6) 정도로 깎아 제2방열부(52-2)의 두께를 얇게 제공할 수 있다.Referring to FIG. 11, the module substrate 32D may be thinned to a predetermined thickness T6 through the operation of the metal layer 131 to thin the second heat radiation portion 52-2.

상기 제1방열부(52-1)의 상면(S5)과 상기 제2방열부(52-2)의 상면(S6) 사이의 두께 차이(T6)는 선반과 같은 공정에 의해 제거할 수 있다.
The thickness difference T6 between the upper surface S5 of the first heat radiation portion 52-1 and the upper surface S6 of the second heat radiation portion 52-2 can be removed by a process similar to a lathe.

도 12은 제7실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.12 is a view illustrating a light emitting module according to a seventh embodiment.

도 12를 참조하면, 모듈 기판(32E)은 제1방열부 내지 제3방열부(62-1, 62-2, 62-3)을 갖는 금속층(131)과, 제1방열부(62-1) 상에 절연층(132), 배선층(133) 및 보호층(134)이 적층된다. 12, the module substrate 32E includes a metal layer 131 having first to third heat dissipating units 62-1, 62-2 and 62-3, a first heat dissipating unit 62-1 An insulating layer 132, a wiring layer 133, and a protective layer 134 are laminated on the insulating layer 132.

상기 제3방열부(62-3)은 상기 제2방열부(62-2)의 일부에 대향되며, 상기 제3방열부(62-3)와 상기 제2방열부(62-2) 사이의 간격(T7)은 도광판의 두께와 동일하거나 더 넓을 수 있다. 상기 제3방열부(62-3)와 상기 제2방열부(62-2) 사이에 도광판의 일부가 삽입되고, 상기 도광판의 입사면은 상기 발광 다이오드(34)에 대향되게 배치될 수 있다. 이러한 모듈 기판(32E)의 금속층(131)은 도광판과 발광 다이오드(34) 사이의 위로 누설되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.The third heat dissipation part 62-3 is opposed to a part of the second heat dissipation part 62-2 and the third heat dissipation part 62-3 is disposed between the third heat dissipation part 62-3 and the second heat dissipation part 62-2 The interval T7 may be equal to or wider than the thickness of the light guide plate. A part of the light guide plate may be inserted between the third heat dissipation unit 62-3 and the second heat dissipation unit 62-2 and the incident surface of the light guide plate may be arranged to face the light emitting diode 34. [ The metal layer 131 of the module substrate 32E can prevent leakage of light leaking between the light guide plate and the light emitting diode 34.

또한 발광 모듈은 금속층(131)의 제1 내지 제3방열부(62-1~62-3)에 의해 방열 효과가 개선될 수 있다.In addition, the heat dissipation effect of the light emitting module can be improved by the first to third heat dissipation parts 62-1 to 62-3 of the metal layer 131. [

상기 제1방열부(62-1)과 상기 제2방열부(62-2)의 사이에는 제1홈(32-8)이 배치되며, 상기 제1방열부(62-1)과 상기 제3방열부(62-3) 사이에는 제2홈(32-9)가 배치된다. 상기 제1홈(32-8)과 상기 제2홈(32-9)은 접이 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1방열부(62-1)의 상면(S7)은 제2방열부(62-2)의 상면(S8)과 거의 직각으로 절곡되며, 상기 제3방열부(62-3)의 상면(S9)과 거의 직각으로 절곡된다. 여기서 직각은 85°~95 ° 범위를 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A first groove 32-8 is disposed between the first heat dissipating unit 62-1 and the second heat dissipating unit 62-2 and the first heat dissipating unit 62-1 and the third heat dissipating unit 62-2 are disposed. A second groove 32-9 is disposed between the heat dissipating portions 62-3. The first groove 32-8 and the second groove 32-9 may have a folded structure. The upper surface S7 of the first heat radiation portion 62-1 is bent at a right angle to the upper surface S8 of the second heat radiation portion 62-2 and the upper surface S7 of the third heat radiation portion 62-3 S9). Where the right angle includes the range of 85 ° to 95 °, but is not limited thereto.

도 13은 제8실시 예를 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.13 is a view illustrating a light emitting module according to an eighth embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 모듈은 모듈 기판(32G)과 발광 다이오드(34)를 포함하며, 상기 모듈 기판(32G)은 제1방열부(72-1)와 제2방열부(72-2)를 포함한다.13, the light emitting module includes a module substrate 32G and a light emitting diode 34. The module substrate 32G includes a first heat dissipation unit 72-1 and a second heat dissipation unit 72-2. .

상기 제1방열부(72-1)와 제2방열부(72-2)는 도 2와 같이 금속층으로 형성될 수 있다. The first heat dissipation part 72-1 and the second heat dissipation part 72-2 may be formed of a metal layer as shown in FIG.

상기 제2방열부(72-2)에는 다수의 결합 구멍(72-4)이 형성되며, 상기 결합 구멍(72-4)을 통해 나사와 같은 결합 부재로 바텀 커버에 결합시켜 줄 수 있다.A plurality of engagement holes 72-4 are formed in the second heat dissipation portion 72-2 and can be coupled to the bottom cover with a coupling member such as a screw through the engagement hole 72-4.

또한 상기 제1방열부(72-1)와 상기 제2방열부(72-2) 사이의 경계 부분에는 다수의 구멍(72-3)이 형성될 수 있으며, 제1방열부(72-1)는 상기 제2방열부(72-2)로부터 절곡시 상기 구멍(72-3)에 의해 보다 적은 힘으로 절곡될 수 있다. 또한 상기 제1방열부(72-1)와 상기 제2방열부(72-2) 사이의 경계 부분에는 접이 구조와 같은 홈이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A plurality of holes 72-3 may be formed in a boundary portion between the first heat dissipation unit 72-1 and the second heat dissipation unit 72-2, Can be bent with less force by the hole 72-3 when bent from the second heat dissipating portion 72-2. In addition, grooves such as a folding structure may be disposed at a boundary between the first heat-radiating portion 72-1 and the second heat-radiating portion 72-2, but the present invention is not limited thereto.

도 14는 실시 예에 따른 발광 다이오드의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.14 is a side cross-sectional view showing an example of a light emitting diode according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 발광 다이오드(34)는 제1캐비티(260)를 갖는 몸체(210), 제2캐비티(225)를 갖는 제1리드 프레임(221), 제3 캐비티(235)를 갖는 제2리드 프레임(231), 발광 칩들(271,272), 및 와이어들(201)을 포함한다.14, the light emitting diode 34 includes a body 210 having a first cavity 260, a first lead frame 221 having a second cavity 225, a second cavity 235 having a third cavity 235, Two lead frames 231, light emitting chips 271, 272, and wires 201. [

몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 플라스틱 수지 재질로 이루어질 수 있다.Body 210 includes a polyphthalamide comprising: at least one of (PPA Polyphthalamide) resin material, silicon (Si), metallic material, PSG, such as a (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3), a printed circuit board (PCB) . Preferably, the body 210 may be made of a plastic resin material such as polyphthalamide (PPA).

몸체(210)의 상면 형상은 발광 다이오드(34)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)은 몸체(210)의 바닥에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(210)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The shape of the top surface of the body 210 may have various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle depending on the use and design of the LED 34. The first lead frame 221 and the second lead frame 231 may be disposed on the bottom of the body 210 and may be mounted on the board in a direct lower type. But it is not limited thereto.

몸체(210)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 제1캐비티(cavity)(260)를 갖는다. 상기 제1캐비티(260)는 상기 몸체(210)의 상면(215)으로부터 오목한 컵(cup) 구조 또는 리세스(recess) 구조를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제1캐비티(260)의 측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The body 210 is open at the top and has a first cavity 260 made of side and bottom. The first cavity 260 may include a concave cup structure or a recessed structure from the upper surface 215 of the body 210. However, the first cavity 260 is not limited thereto. The side surface of the first cavity 260 may be perpendicular or inclined to the bottom.

제1캐비티(260)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 제1캐비티(260)의 모서리는 곡면이거나, 평면일 수 있다. The top view of the first cavity 260 may be circular, elliptical, polygonal (e.g., square). The edge of the first cavity 260 may be curved or planar.

상기 제1리드 프레임(221)은 상기 제1캐비티(260)의 제1영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 제1캐비티(260)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(225)가 배치된다. 상기 제2캐비티(225)는 상기 제1리드 프레임(221)의 상면으로부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(225)의 측면은 상기 제2캐비티(225)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(225)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The first lead frame 221 is disposed in a first region of the first cavity 260 and a part of the first lead frame 221 is disposed at the bottom of the first cavity 260, A concave second cavity 225 is disposed to have a lower depth. The second cavity 225 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the upper surface of the first lead frame 221 in the bottom direction of the body 210. The side surface of the second cavity 225 may be inclined or bent perpendicularly from the bottom of the second cavity 225. Two opposite sides of the side surface of the second cavity 225 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제2리드 프레임(231)은 상기 제1캐비티(260)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 제1캐비티(260)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제3캐비티(235)가 형성된다. 상기 제3캐비티(235)는 상기 제2리드 프레임(231)의 상면으로부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제3캐비티(235)의 측면은 상기 제3캐비티(235)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제3캐비티(235)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The second lead frame 231 is disposed in a second region spaced apart from the first region of the first cavity 260. The second lead frame 231 is partially disposed on the bottom of the first cavity 260, A concave third cavity 235 is formed to have a lower depth than the bottom of the first cavity 260. The third cavity 235 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the upper surface of the second lead frame 231 in the bottom direction of the body 210. The side surface of the third cavity 235 may be inclined or vertically bent from the bottom of the third cavity 235. The opposite sides of the side surface of the third cavity 235 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제1리드 프레임(221)의 하면 및 상기 제2리드 프레임(231)의 하면은 상기 몸체(210)의 하면으로 노출되거나, 상기 몸체(210)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(221)과 상기 제2리드 프레임(231)의 사이에는 몸체(210)의 분리부(219)가 배치되며, 상기 분리부(219)는 상기 제1리드 프레임(221)과 상기 제2리드 프레임(2231)의 사이의 간격을 이격시켜 준다.The lower surface of the first lead frame 221 and the lower surface of the second lead frame 231 may be exposed to the lower surface of the body 210 or may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 210. A separator 219 of the body 210 is disposed between the first lead frame 221 and the second lead frame 231. The separator 219 separates the first lead frame 221 and the second lead frame 231, And spacing the second lead frames 2231 apart.

상기 제1리드 프레임(221)의 제1리드부(223)는 상기 몸체(210)의 하면에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면(213)으로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(231)의 제2리드부(233)는 상기 몸체(210)의 하면에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면의 반대측 제2측면(214)으로 돌출될 수 있다. The first lead portion 223 of the first lead frame 221 may be disposed on the lower surface of the body 210 and protrude from the first side 213 of the body 210. The second lead portion 233 of the second lead frame 231 may be disposed on the lower surface of the body 210 and protrude from the second side 214 opposite the first side of the body 210.

상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(221,231)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 221 and the second lead frame 231 may be formed of a metal material such as Ti, Cu, Ni, Au, Cr, And may include at least one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P) and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. The first and second lead frames 221 and 231 may have the same thickness, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2캐비티(225) 및 상기 제3캐비티(235)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.The bottom shapes of the second cavity 225 and the third cavity 235 may be circular or elliptical shapes having a rectangular shape, a regular square shape, or a curved shape.

상기 몸체(210) 내에는 상기 제1 및 제2리드 프레임(221,231)를 제외한 다른 금속 프레임이 더 배치되어, 방열 프레임이나 중간 연결 단자로 사용된다.Other metal frames other than the first and second lead frames 221 and 231 are further disposed in the body 210 and used as a heat radiating frame or an intermediate connection terminal.

상기 제1리드 프레임(221)의 제2캐비티(225) 내에는 제1발광 칩(271)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(231)의 제3캐비티(235) 내에는 제2발광 칩(272)이 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(271,272)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(271,272)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The first light emitting chip 271 is disposed in the second cavity 225 of the first lead frame 221 and the second light emitting chip 271 is disposed in the third cavity 235 of the second lead frame 231. [ 272 may be disposed. The light emitting chips 271 and 272 can selectively emit light in the range of the visible light band to the ultraviolet light band. For example, the light emitting chips 271 and 272 can be selected from a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, and a yellow green LED chip. The light emitting chips 271 and 272 include compound semiconductor light emitting devices of Group III to V elements.

상기 몸체(210)의 제1캐비티(260), 상기 제2캐비티(225) 및 제3캐비티(235) 중 적어도 한 영역에는 몰딩 부재(290)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(290)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(290) 또는 상기 발광 칩(271,272) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(271,272)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(290)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A molding member 290 is disposed in at least one of the first cavity 260, the second cavity 225 and the third cavity 235 of the body 210, And a light transmitting resin layer such as epoxy, and may be formed as a single layer or a multilayer. The phosphor may include a phosphor for changing the wavelength of light emitted from the molding member 290 or the light emitting chips 271 and 272. The phosphor may excite a part of the light emitted from the light emitting chips 271 and 272, And is emitted as light. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 290 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like, but is not limited thereto.

상기 몸체(210)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드(34)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
A lens may be further formed on the body 210. The lens may include a concave or convex lens structure to control the light distribution of the light emitted by the light emitting diode 34 .

상기 제1발광 칩(271)은 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(221)과 제2리드 프레임(231)에 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(201)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다. 상기 제2발광 칩(272)은 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(221)과 제2리드 프레임(231)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(201)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다.The first light emitting chip 271 may be connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 231 disposed at the bottom of the first cavity 260. The connection method may be a method of connecting the wire 201 Or a die bonding or a flip bonding method may be used. The second light emitting chip 272 may be electrically connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 231 disposed at the bottom of the first cavity 260. The connection method may be a wire 201 ), Die bonding or flip bonding method can be used.

상기 제1캐비티(260) 내에는 보호 소자가 배치될 수 있으며 상기 보호소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.A protection element may be disposed in the first cavity 260 and the protection element may be implemented as a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression) discharge.

실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module according to the embodiment can be applied not only to a backlight unit such as a portable terminal and a computer, but also to an illumination device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, and the like. Further, the light guide plate may not be disposed in the direct-type light emitting module, but the present invention is not limited thereto. Further, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light emitting module, but the present invention is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100: 표시장치, 10: 표시 패널, 20:백라이트 유닛, 30:발광 모듈, 32,32A,32B,32C,32D,32E,32F,32G: 모듈 기판, 32-1,33-1,52-1,62-1,72-1: 제1방열부, 32-2,33-2,52-1,72-1: 제2방열부, 34: 발광 다이오드, 45: 반사 부재, 60:광학 시트, 62-3: 제3방열부, 70:도광판, 131: 금속층, 132: 절연층, 133: 배선층, 134: 보호층 The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device having a display panel, a backlight unit, a light emitting module, a light emitting module, a light emitting module, Emitting diode, 45: reflective member, 60: optical sheet, 62-1, 62-1: first heat-radiating portion, 32-2, 33-2, 52-1, 72-1: second heat- The light emitting device according to claim 1, wherein the first heat dissipation unit comprises:

Claims (19)

바닥부 및 상기 바닥부로부터 절곡된 제1측면부를 포함하는 바텀커버;
상기 바텀커버 상에 도광판; 및
상기 바텀커버의 제1측면부의 내측면에 배치되는 제1방열부 및 상기 제1방열부로부터 연장되어 절곡되는 제2방열부를 포함하는 금속층과 상기 제1방열부 상에 배치되는 절연층과 상기 절연층 상에 배치되는 배선층을 포함하는 모듈기판과 상기 모듈기판의 제1방열부 상에 배치되며 상기 도광판의 적어도 한측면에 대응되는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 두께보다 더 두꺼운 두께를 포함하며,
상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 너비보다 더 좁은 너비를 포함하고
상기 제1방열부의 하면과 상기 제2방열부의 하면 사이의 절곡부분에 상기 제2방열부의 상면 방향을 향하여 형성된 홈을 포함하는 백라이트 유닛.
A bottom cover including a bottom portion and a first side portion bent from the bottom portion;
A light guide plate on the bottom cover; And
A metal layer including a first heat-radiating portion disposed on an inner surface of the first side surface portion of the bottom cover and a second heat-radiating portion extending from the first heat-radiating portion and bent, and an insulating layer disposed on the first heat- And a light emitting module including a module substrate including a wiring layer disposed on the layer and a plurality of light emitting diodes disposed on the first heat dissipating portion of the module substrate and corresponding to at least one side surface of the light guide plate,
Wherein the first heat-radiating portion includes a thickness greater than the thickness of the second heat-radiating portion,
The first heat radiating portion includes a width that is narrower than the width of the second heat radiating portion
And a groove formed in the bent portion between the lower surface of the first heat-radiating portion and the lower surface of the second heat-radiating portion toward the upper surface of the second heat-radiating portion.
바닥부 및 상기 바닥부로부터 절곡된 제1측면부를 포함하는 바텀커버;
상기 바텀커버 상에 도광판; 및
상기 바텀커버의 제1측면부의 내측면에 배치되는 제1방열부 및 상기 제1방열부로부터 연장되어 절곡되는 제2방열부를 포함하는 금속층과 상기 제1방열부의 상에 배치된 절연층과 상기 절연층 상에 배치된 배선층을 포함하는 모듈 기판과 상기 모듈기판의 제1방열부 상에 배치되며 상기 도광판의 적어도 한측면에 대응되는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광모듈을 포함하고,
상기 모듈 기판의 배선층에 배치된 복수의 발광 다이오드를 포함하며,
상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 두께보다 더 두꺼운 두께를 포함하며,
상기 제1방열부는 상기 제2방열부의 너비보다 더 좁은 너비를 포함하고,
상기 제1방열부와 상기 제2방열부 사이의 경계 부분에 다수의 구멍을 포함하는 백라이트 유닛.
A bottom cover including a bottom portion and a first side portion bent from the bottom portion;
A light guide plate on the bottom cover; And
A metal layer including a first heat dissipation portion disposed on an inner side surface of the first side surface portion of the bottom cover and a second heat dissipation portion extending and bent from the first heat dissipation portion, an insulating layer disposed on the first heat dissipation portion, And a light emitting module including a module substrate including a wiring layer disposed on the first substrate and a plurality of light emitting diodes disposed on the first heat dissipating portion of the module substrate and corresponding to at least one side of the light guide plate,
And a plurality of light emitting diodes disposed in a wiring layer of the module substrate,
Wherein the first heat-radiating portion includes a thickness greater than the thickness of the second heat-radiating portion,
Wherein the first heat-radiating portion includes a width that is narrower than the width of the second heat-
And a plurality of holes at a boundary portion between the first heat-radiating portion and the second heat-radiating portion.
제1항에 있어서,
상기 제1방열부의 적어도 일부는 상기 제2방열부의 상면에 오버랩되게 배치되는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein at least a part of the first heat-radiating portion overlaps the upper surface of the second heat-radiating portion.
제3항 있어서,
상기 금속층의 상면은 상기 제1방열부의 상면과 상기 제2방열부의 상면이 단차진 구조로 형성되는 백라이트 유닛.
4. The method of claim 3,
Wherein a top surface of the metal layer is formed with a top surface of the first heat-radiating portion and a top surface of the second heat-radiating portion.
제1항에 있어서, 상기 홈의 깊이는 상기 제2방열부의 두께의 40%~60% 정도의 깊이로 형성되는 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 1, wherein a depth of the groove is about 40% to 60% of a thickness of the second heat-radiating portion. 제2항에 있어서,
상기 제2방열부는 다수의 결합구멍을 포함하고,
상기 결합구멍은 결합부재에 의해 상기 바텀커버와 결합되는 백라이트 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the second heat dissipation portion includes a plurality of engagement holes,
And the engaging hole is engaged with the bottom cover by an engaging member.
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KR102289200B1 (en) * 2014-12-04 2021-08-12 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097924A (en) * 2008-09-18 2010-04-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display unit
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097924A (en) * 2008-09-18 2010-04-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display unit
WO2011010492A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 シャープ株式会社 Illuminating device and display device
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