KR101886647B1 - Method of forming electrode pattern using transcription - Google Patents

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Abstract

본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법은, 이형필름 위에 전극 보호층을 형성하는 단계와, 상기 전극 보호층 위에 전극 시드층을 형성하는 단계와, 상기 전극 시드층에 소정의 형상의 포토리지스트 패턴을 형성하는 단계와, 전기도금법을 이용하여 상기 포토리지스트 패턴 사이의 전극 시드층 위에 전극을 형성하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 시드층을 제거하여 전극 시드층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 보호층을 제거하여 전극 보호층을 패터닝하는 단계와, 상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층을 레진 기판에 전사하는 단계와, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 포함한다.A method of forming a transfer-type electrode pattern according to the present invention includes the steps of forming an electrode protection layer on a release film, forming an electrode seed layer on the electrode protection layer, and forming a photoresist pattern having a predetermined shape on the electrode seed layer Forming an electrode on the electrode seed layer between the photoresist patterns by using an electroplating method; removing the photoresist pattern; forming an electrode seed layer Patterning the electrode seed layer by removing the electrode seed layer, patterning the electrode protective layer by removing the electrode protective layer in the lower region of the photoresist pattern, and forming the patterned electrode seed layer and the patterned electrode protective layer To a resin substrate, and removing the release film.

Description

전사형 전극 패턴 형성방법 {Method of forming electrode pattern using transcription}[0001] The present invention relates to a method for forming a transfer electrode pattern,

본 발명은 전사형 전극 패턴 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 전기 도금법을 이용하여 형성한 전극 패턴을 레진 기판에 전사시켜 미세 피치의 전극 패턴을 형성하는 전사형 전극 패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer electrode pattern forming method, and more particularly to a transfer electrode pattern forming method for transferring an electrode pattern formed by an electroplating method to a resin substrate to form a fine pitch electrode pattern.

인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)은 다양한 전자부품이 전기적으로 연결되어 회로를 구성하도록 고정하는 수단으로서, 절연성 기재 위에 전도성 패턴이 형성되고, 부품들을 고정하고 전기적으로 연결하기 위한 다수의 관통홀이 형성된 것이 일반적이다.BACKGROUND ART [0002] A printed circuit board (PCB) is a means for fixing various electronic components electrically connected to constitute a circuit. A conductive pattern is formed on an insulating substrate, and a plurality of through holes Is formed.

인쇄회로기판은 에폭시 수지에 유리 섬유 등의 보강재를 첨가한 코어 재료에 동박을 접착시킨 경성인쇄회로기판(Rigid Printed Circuit Board, Rigid PCB), 폴리이미드 상에 동박을 접착시킨 연성인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board, FPCB) 및 경성인쇄회로기판과 연성인쇄회로기판의 장점을 결합시킨 경성-연성인쇄회로기판(Rigid- Flexible Printed Circuit Board, R-F PCB)으로 나누어질 수 있으며, 각 인쇄회로기판은 그 특성에 맞게 사용되고 있다. 또한, 최근 전자기기의 경박단소화 추세에 따라 인쇄회로기판이 차지하는 공간도 함께 축소될 것이 요구되고 있으며, 고밀도 반도체 기판을 제조하기 위해서는 회로패턴을 다층화하거나 회로의 배선 간격이 좁아져야 한다.A printed circuit board is a rigid printed circuit board (Rigid Printed Circuit Board) in which a copper foil is adhered to a core material to which a reinforcing material such as glass fiber is added to an epoxy resin, a flexible printed circuit board Printed circuit board (FPCB), and a rigid-flexible printed circuit board (RF PCB) that combines the merits of a rigid printed circuit board and a flexible printed circuit board. Each printed circuit board It is used according to the characteristics. In recent years, the space occupied by the printed circuit board has also been required to be reduced in accordance with the tendency of the electronic devices to become thinner and thinner. In order to manufacture a high-density semiconductor substrate, the circuit pattern must be multilayered or the wiring interval of the circuit must be narrowed.

인쇄회로기판에서 회로 패턴을 형성하는 전통적인 방법은 동박 위에 드라이 필름 등으로 마스킹 패턴을 형성하고, 동박을 에칭하여 회로를 형성하는 방법인데, 이러한 방식에 의해서는 회로의 배선 간격을 60㎛ 이하로 제어하는데 한계를 가지고 있다. 상기의 방식에 의한 미세 회로패턴 형성의 한계를 극복하기 위한 방법으로 최근에는 전통적인 에칭 방법과 반대되는 개념으로 회로 형성 부위를 제외한 영역을 드라이 필름 등으로 마스킹하고, 회로 형성이 필요한 영역에 직접 도금을 이용하여 전도성 패턴을 형성시키는 방식이 개발되었다.A conventional method of forming a circuit pattern on a printed circuit board is to form a circuit by forming a masking pattern on a copper foil with a dry film or the like and etching the copper foil. By this method, . In order to overcome the limitations of the fine circuit pattern formation by the above-described method, recently, a region opposite to the circuit forming region is masked with a dry film or the like by a concept opposite to the conventional etching method, A method of forming a conductive pattern by using the above method has been developed.

드라이 필름과 도금법을 이용하여 전극 패턴을 형성하는 것에 관한 선행기술로는 한국공개특허 제2013-0016487호가 있다. 상기 선행기술은 제1 동박과 지지층으로 형성된 캐리어 포일을 사용해서 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서, (a) 상기 제1 동박 표면에 드라이필름을 도포하고 사진, 노광, 현상 공정을 진행하여 상기 드라이필름을 선택적으로 제거함으로써, 상기 드라이필름에 회로패턴을 전사하는 단계와, (b) 상기 회로패턴이 전사된 드라이필름을 도금마스크로 하여 동도금을 진행해서, 노출된 제1 동박의 표면 위에 제2 동박을 형성하는 단계와, (c) 상기 드라이필름을 박리 제거하는 단계와, (d) 제1 동박과 제2 동박 표면 위에 반경화성 절연층을 적층하고 가열 가압하여 라미네이트 함으로써 경화된 절연층 속으로 상기 제2 동박이 삽입되도록 성형하는 단계와, (e) 상기 지지층을 박리 제거하고, 노출된 제1 동박을 플래시 에칭으로 제거함으로써 제2 동박으로 구성된 동박회로를 형성하는 단계를 포함하는 기술이다. 상기 선행기술은 제2동박 표면에 배리어층 역할을 하는 이종금속을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 이 경우에 도금된 이종금속 일반적으로 두꺼운 막으로 이루어지므로 패터닝된 제2 동박의 상부 뿐 아니라 측면으로도 이종금속이 성장하므로 이종금속 패턴 사이의 간격이 좁아지게 된다. 또한, 배리어층 역할을 하는 종래의 이종금속으로는 니켈/금 등의 마감층이 이용되었는데, 이는 제조비용의 증가로 이어지는 문제점을 가지고 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2013-0016487 discloses a prior art for forming an electrode pattern using a dry film and a plating method. The prior art discloses a method of manufacturing a printed circuit board using a carrier foil formed of a first copper foil and a support layer, the method comprising the steps of: (a) applying a dry film to the surface of the first copper foil, (B) transferring the circuit pattern to the dry film by selectively removing the film; and (b) performing a copper plating using the dry film transferred with the circuit pattern as a plating mask, (C) peeling off the dry film; (d) laminating a semi-hardenable insulating layer on the surfaces of the first copper and the second copper foil and laminating them by heating and pressing them into the hardened insulating layer (E) peeling off the support layer and removing the exposed first copper by flash etching to form the second copper foil; And forming a copper foil circuit. The prior art may further include the step of plating a dissimilar metal serving as a barrier layer on the surface of the second copper, wherein the plated dissimilar metal is generally made of a thick film so that not only the top of the patterned second copper As the dissimilar metal grows on the side surface, the distance between the dissimilar metal patterns becomes narrow. In addition, as a conventional dissimilar metal serving as a barrier layer, a finish layer such as nickel / gold is used, which leads to an increase in manufacturing cost.

따라서, 전사방법으로 전극 패턴을 형성하는 방법으로서 마감층 형성에 의하여 전극간 피치가 변화되지 않도록 하여 미세 피치의 전극 패턴 형성이 가능한 기술에 대한 개발 필요성이 크다.Therefore, as a method of forming an electrode pattern by a transfer method, there is a great need to develop a technique capable of forming a fine pitch electrode pattern by preventing the pitch between electrodes from being changed by formation of a finish layer.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 포토리지스트인 드라이 필름 패턴 사이에 구리를 도금하여 고밀도 전극 패턴의 형성이 가능하면서도, 전극 보호층 패턴 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있는 전사형 전극 패턴 형성방법을 제공하는 것이다.Accordingly, a problem to be solved by the present invention is to provide a transfer electrode pattern forming method capable of forming a high density electrode pattern by plating copper between dry film patterns, which are photoresists, while maintaining a constant gap between electrode protective layer patterns .

본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여, 이형필름 위에 전극 보호층을 형성하는 단계와, 상기 전극 보호층 위에 전극 시드층을 형성하는 단계와, 상기 전극 시드층에 소정의 형상의 포토리지스트 패턴을 형성하는 단계와, 전기도금법을 이용하여 상기 포토리지스트 패턴 사이의 전극 시드층 위에 전극을 형성하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 시드층을 제거하여 전극 시드층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 보호층을 제거하여 전극 보호층을 패터닝하는 단계와, 상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층을 레진 기판에 전사하는 단계와, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 포함하는 전사형 전극 패턴 형성방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: forming an electrode protection layer on a release film; forming an electrode seed layer on the electrode protection layer; Forming an electrode on the electrode seed layer between the photoresist patterns by using an electroplating method; removing the photoresist pattern; forming an electrode seed layer Patterning the electrode seed layer by removing the electrode seed layer, patterning the electrode protective layer by removing the electrode protective layer in the lower region of the photoresist pattern, and forming the patterned electrode seed layer and the patterned electrode protective layer Transferring the transferred film to a resin substrate, and removing the release film.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층은 레진 기판에 소정의 깊이를 가지고 침투하여 전사되되, 위에서부터 차례로 패터닝된 전극 보호층, 패터닝된 전극 시드층 및 전극의 순서로 구성되고, 상기 패터닝된 전극 보호층의 상부가 상기 레진 기판의 상부 표면과 같은 면에 형성된 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the electrode, the patterned electrode seed layer, and the patterned electrode protection layer penetrate the resin substrate with a predetermined depth and are transferred. The electrode protection layer, the patterned electrode seed layer And an electrode, and the upper portion of the patterned electrode protection layer may be formed on the same surface as the upper surface of the resin substrate.

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 전극 보호층은 알루미늄으로 이루어지고, 상기 전극 시드층 및 전극은 구리로 이루어진 것으로, 상기 전극 보호층의 두께는 1~4㎛이고, 상기 전극 시드층의 두께는 0.01~1㎛인 것일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the electrode protection layer is made of aluminum, the electrode seed layer and the electrode are made of copper, the thickness of the electrode protection layer is 1 to 4 mu m, It may be 0.01 to 1 占 퐉.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 이형필름은 이형층이 도포된 고분자수지 필름으로 이루어진 것으로, 상기 이형필름의 두께는 23~100㎛이고, 상기 이형층은 접착강도가 0.1~10gf/cm2인 것일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the release film comprises a polymer resin film coated with a release layer, wherein the release film has a thickness of 23 to 100 탆, and the release layer has an adhesive strength of 0.1 to 10 gf / cm 2 Lt; / RTI >

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 전극 보호층은 주석, 주석-은의 합금, 주석-은-구리의 합금 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 전극 시드층 및 전극은 구리로 이루어진 것으로, 상기 전극 보호층의 두께는 1~4㎛이고, 상기 전극 시드층의 두께는 0.01~1㎛인 것일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the electrode protection layer is made of any one of tin, tin-silver alloy and tin-silver-copper alloy, and the electrode seed layer and the electrode are made of copper, The thickness of the electrode seed layer may be in the range of 1 to 4 占 퐉, and the thickness of the electrode seed layer may be in the range of 0.01 to 1 占 퐉.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 이형필름은 고분자수지 필름, 알루미늄 포일 및 이형층이 순차적으로 적층되어 이루어진 것으로, 상기 고분자 수지의 두께는 23~100㎛이고, 알루미늄 포일의 두께는 1~30㎛이고, 이형층은 접착 강도가 0.1~10gf/cm2인 것일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the release film is formed by sequentially laminating a polymer resin film, an aluminum foil and a release layer, wherein the thickness of the polymer resin is 23 to 100 탆, and the thickness of the aluminum foil is 1 to 30 Mu m, and the release layer may have an adhesive strength of 0.1 to 10 gf / cm < 2 >.

본 발명의 또다른 구현예에 따르면, 포토리지스트 패턴을 제거하는데 사용되는 현상액은 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 3~5중량%, 트리에탄올아민(triethanolamine, TEA) 2~3중량%, 소듐 벤조에이트(sodium benzoate) 1~2중량% 및 계면활성제 1~2중량%를 포함하는 수용액일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the developing solution used for removing the photoresist pattern may include 3-5 wt% of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), 2-3 wt% of triethanolamine (TEA) 1 to 2% by weight of sodium benzoate, and 1 to 2% by weight of a surfactant.

본 발명의 또다른 구현예에 따르면, 전극 보호층으로서 알루미늄으로 이루어진 전극 보호층을 제거하는데 사용되는 에칭액은 하이드로클로릭 에시드(hydrochloric Acid) 20~30중량%, 포스포릭 에시드(Phosphoric Acid) 15~20중량%, 톨리트리아졸(Tolyltriazole) 1~2중량% 및 계면활성제 0.5~1중량%를 포함하는 수용액일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the etching solution used for removing the electrode protection layer made of aluminum as the electrode protecting layer is 20 to 30% by weight of hydrochloric acid, 15 to 30% by weight of phosphoric acid, 20 wt%, 1 to 2 wt% of tolyltriazole, and 0.5 to 1 wt% of a surfactant.

본 발명의 또다른 구현예에 따르면, 전극 시드층으로서 구리전극 시드층을 형성하는데 사용되는 무전해 도금 용액은 구리염, 착화제 및 pH 조절제를 포함하며, 여기서 상기 구리염은 20 내지 50g/L 농도의 황산구리, 염화구리, 시안화구리 및 피로인산 구리 중에서 선택된 1종 이상이고, 상기 착화제는 상기 구리염 농도의 1 내지 2배의 KCN, EDTA, EDA, 개미산, 및 피로인산 중에서 선택된 1종 이상이고, pH 조절제는 pH를 10 내지 12의 범위로 조절하는 성분일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the electroless plating solution used to form the copper electrode seed layer as the electrode seed layer comprises a copper salt, a complexing agent and a pH adjusting agent, wherein the copper salt has a concentration of 20 to 50 g / L Concentration of copper sulfate, copper chloride, copper cyanide and copper pyrophosphate, and the complexing agent is at least one selected from KCN, EDTA, EDA, formic acid, and pyrophosphoric acid having a concentration of 1 to 2 times the copper salt concentration And the pH adjusting agent may be a component that adjusts the pH to a range of 10 to 12. [

본 발명의 또다른 구현예에 따르면, 전극 시드층으로서 구리전극 시드층을 제거하는데 사용되는 에칭액은 하이드로젠 페록사이드(Hydrogen peroxide) 3~5중량%, 설퓨릭 에시드(Sulfuric Acid) 2~3중량%, 벤조트리아졸(Benzotriazole) 0.5~1중량% 및 계면활성제 0.1~0.3중량%를 포함하는 수용액일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the etching solution used to remove the copper electrode seed layer as the electrode seed layer may contain 3 to 5% by weight of hydrogen peroxide, 2 to 3% by weight of sulfuric acid 0.5 to 1% by weight of benzotriazole, and 0.1 to 0.3% by weight of a surfactant.

본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법은 아래의 효과를 가진다.The transfer-type electrode pattern forming method of the present invention has the following effects.

1. 전사형 애디티브법에 의하여 전극 패턴을 형성하므로 종래의 에칭방식의 전극 패턴 형성방법에 비하여 미세 피치의 전극 패턴 형성이 가능하다.1. Since the electrode pattern is formed by the transfer-type additive method, it is possible to form a fine pitch electrode pattern as compared with the conventional method of forming the electrode pattern of the etching method.

2. 전극 보호층의 형성이 전사 후의 단계가 아닌 전사 전에 이루어지므로, 전극 보호층의 측면 성장에 의한 패턴 간격 변화를 막을 수 있다.2. Since the formation of the electrode protection layer is carried out before the transfer step, not the transfer step, it is possible to prevent the pattern interval change due to lateral growth of the electrode protection layer.

3. 전극 보호층의 형성을 전사필름 자체에 형성하므로 레진 기판 상에서의 전극 보호층 형성공정을 생략하여 공정비용을 감소시킬 수 있다.3. Since the formation of the electrode protection layer is formed on the transfer film itself, the step of forming the electrode protection layer on the resin substrate can be omitted and the process cost can be reduced.

4. 종래에 전극 보호층으로 이용되던 귀금속 대신에 알루미늄, 주석 또는 주석 합금을 이용하므로 공정 비용을 감소시킬 수 있다.4. Aluminum, tin or tin alloy is used instead of the noble metal which has conventionally been used as the electrode protection layer, which can reduce the process cost.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따라 전사형 전극 패턴 형성방법에 이용되는 원소재의 층 구성을 나타낸 것이다.
도 2a는 도 1에 도시된 원소재의 구리 시드층 위에 전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 2b는 도 2a에 이어서 전극 하부의 전극 시드층 및 전극 보호층을 식각하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 2c는 도 2b에 이어서 전극 패턴을 레진 기판에 전사하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 구현예에 따라 전사형 전극 패턴 형성방법에 이용되는 원소재의 층 구성을 나타낸 것이다.
도 4a는 도 3에 도시된 원소재의 구리 시드층 위에 전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 4b는 도 4a에 이어서 전극 하부의 전극 시드층 및 전극 보호층을 식각하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 4c는 도 4b에 이어서 전극 패턴을 레진 기판에 전사하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다.
도 5와 도 6은 각각 종래의 전극 보호층과 본 발명의 전극 보호층 구조를 나타낸 것이다.
도 7은 평가예 2에 관한 실험 결과를 나타낸 것이다.FIG. 1 shows a layer structure of a raw material used in a transfer electrode pattern forming method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A shows a process of forming electrodes on the copper seed layer of FIG. 1 sequentially.
FIG. 2B is a sequential process of etching the electrode seed layer and the electrode protection layer under the electrode sequentially from FIG. 2A.
FIG. 2C shows a process of sequentially transferring the electrode pattern onto the resin substrate, which is shown in FIG. 2B.
3 illustrates a layer structure of a raw material used in a transfer electrode pattern forming method according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4A shows a process of forming electrodes on the copper seed layer of FIG. 3 sequentially.
FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a process of etching the electrode seed layer and the electrode protection layer under the electrode sequentially from FIG. 4A.
4C shows a process of sequentially transferring the electrode pattern onto the resin substrate, which is shown in FIG. 4B.
5 and 6 show the conventional electrode protection layer and the electrode protection layer structure of the present invention, respectively.
Fig. 7 shows the results of the experiment on Evaluation Example 2. Fig.

본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법은, 이형필름 위에 전극 보호층을 형성하는 단계와, 상기 전극 보호층 위에 전극 시드층을 형성하는 단계와, 상기 전극 시드층에 소정의 형상의 포토리지스트 패턴을 형성하는 단계와, 전기도금법을 이용하여 상기 포토리지스트 패턴 사이의 전극 시드층 위에 전극을 형성하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 시드층을 제거하여 전극 시드층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 보호층을 제거하여 전극 보호층을 패터닝하는 단계와, 상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층을 레진 기판에 전사하는 단계와, 상기 이형필름을 제거하는 단계를 포함한다.A method of forming a transfer-type electrode pattern according to the present invention includes the steps of forming an electrode protection layer on a release film, forming an electrode seed layer on the electrode protection layer, and forming a photoresist pattern having a predetermined shape on the electrode seed layer Forming an electrode on the electrode seed layer between the photoresist patterns by using an electroplating method; removing the photoresist pattern; forming an electrode seed layer Patterning the electrode seed layer by removing the electrode seed layer, patterning the electrode protective layer by removing the electrode protective layer in the lower region of the photoresist pattern, and forming the patterned electrode seed layer and the patterned electrode protective layer To a resin substrate, and removing the release film.

본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법은 전극 패턴의 전사 전단계인 전극 패턴 형성 단계에서 전극 보호층을 형성하는 것을 특징으로 한다. The transfer electrode pattern forming method of the present invention is characterized in that an electrode protective layer is formed in an electrode pattern forming step which is a pre-transfer step of the electrode pattern.

기존의 전극 패턴 형성방법에서는 구리로 이루어진 전극 패턴을 형성하고 이를 레진 기판에 전사한 후에 도금법에 의하여 노출된 구리 전극 위에 전극 보호층을 형성하였다. 그러나, 본 발명에서는 이형층, 전극 보호층 및 전극 시드층으로 이루어진 원소재에서, 포토리지스트로 덮이지 않은 전극 시드층 위에 구리 전극을 형성한 후에 포토리지스트를 제거하고, 플래시 에칭에 의하여 노출된 전극 시드층과 전극 보호층을 차례대로 제거한다. 전극 하부에서 패터닝된 전극 보호층은 레진 기판에 전극 패턴이 전사 후에 전극의 상부가 외부로 노출되는 것을 방지한다. 이와 같은 본 발명의 특징은 기존의 전극 보호층 형성방법에서 패턴 간 간격이 좁아지는 문제점을 해결하고, 전극 패턴 간의 간격을 정밀하고 좁게 패터닝할 수 있도록 하여 미세 피치의 패턴 구현이 가능하게 하는 장점을 가진다. In the conventional electrode pattern forming method, an electrode pattern made of copper is formed and transferred to a resin substrate, and then an electrode protecting layer is formed on the exposed copper electrode by a plating method. However, in the present invention, a copper electrode is formed on an electrode seed layer that is not covered with a photoresist in a raw material composed of a release layer, an electrode protection layer, and an electrode seed layer, then the photoresist is removed, The electrode seed layer and the electrode protecting layer are sequentially removed. The electrode protection layer patterned at the lower portion of the electrode prevents the upper portion of the electrode from being exposed to the outside after the electrode pattern is transferred to the resin substrate. It is an object of the present invention to solve the problem of narrowing the spacing between patterns in the conventional method of forming an electrode protection layer, and to precisely and narrowly pattern the interval between electrode patterns, thereby enabling patterning of fine pitches I have.

상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층은 레진 기판에 소정의 깊이를 가지고 침투하여 전사되되, 위에서부터 차례로 패터닝된 전극 보호층, 패터닝된 전극 시드층 및 전극의 순서로 구성되는 것으로, 상기 레진 기판의 상부 표면과 상기 전극 보호층의 상부 표면이 동일 표면 상에 위치하는 것을 특징으로 한다. The electrode, the patterned electrode seed layer, and the patterned electrode protection layer are sequentially deposited on the resin substrate with a predetermined depth, and are sequentially transferred from the top to the top. The electrode protection layer, the patterned electrode seed layer, , The upper surface of the resin substrate and the upper surface of the electrode protection layer are located on the same surface.

아래에서 명세서에 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 구현예들에 대하여 구체적으로 설명한다. 설명된 본 발명의 구현예들은 이 기술분야의 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어 지는 것이다. 따라서 본 발명은 아래에서 설명된 구현예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 첨부된 도면들에 표시된 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있고, 일 구성요소가 다른 구성요소 “위에”또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 “바로 위에”있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 구성요소가 개재되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 단계를 나열하여 설명된 방법의 경우에도 연속되어 설명된 단계의 중간에 다른 단계가 개재되는 경우가 있을 수 있고, 경우에 따라 각 단계는 나열된 순서에 한정되지 않을 수 있다.Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings attached to the specification. The described embodiments of the present invention are provided by way of example for the purpose of enabling those skilled in the art to fully understand the technical idea of the present invention. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. The width, length, thickness, etc. of the components shown in the accompanying drawings may be exaggerated for convenience of explanation, and when a component is referred to as being "on" or "on" another component, Quot; directly above " an element, as well as the case where another element is interposed in between. Also, in the case of the method described in the order of the steps, there may be cases where another step is interposed in the middle of the successively described steps, and in some cases, each step may not be limited to the listed order.

아래에서 도면을 이용하여 본 발명을 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따라 전사형 전극 패턴 형성방법에 이용되는 원소재의 층 구성을 나타낸 것이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법에 이용되는 원소재는 이형필름(101), 전극 보호층(102) 및 전극 시드층(103)으로 이루어진다. 이형필름은(101)은 전극 보호층(102)과의 접합면이 쉽게 분리될 수 있는 구성을 가지며, 도면에는 나타내지 않았지만 별도의 이형층을 포함할 수 있다. 이형필름(101)은 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET)로 이루어질 수 있고, 두께는 롤-투-롤 핸들링이 가능하도록 23 내지 100㎛인 것이 바람직하며, 이형층의 접착강도는 공정 안정성과 이형의 용이성을 고려하여 0.1 내지 10gf/cm2 이하인 것이 바람직하다. 전극 보호층(102)은 알루미늄, 주석 또는 주석-은, 주석-은-구리와 같은 합금으로 이루어질 수 있고, 레진 기판에 전사된 구리의 노출된 표면을 산화나 스트레치로부터 보호하는 기능을 한다. 전극 보호층(102)은 압연 금속 포일을 이형필름(101)에 접합하거나 스퍼터링으로 이형필름(101) 표면에 코팅하는 방법으로 형성할 수 있고, 두께는 1 내지 4㎛인 것이 바람직하다. 전극 시드층(103)은 이후 공정에서 구리 전극을 도금하는 시드층 역할을 하며, 무전해 동도금이나 구리 스터터링에 의하여 형성할 수 있다. 전극 시드층(103)의 두께는 0.01 내지 1㎛인 것이 바람직한데, 이는 구리전극 형성 후 플래시 에칭 과정에서 측면으로의 에칭되는 폭을 감소시키기 위함이다. 전극 시드층을 형성하기 위한 무전해 도금 용액은 금속염으로 20 내지 50g/L 농도의 황산구리, 염화구리, 시안화구리, 피로인산 구리 등을 이용할 수 있고, 착화제로서 구리염 농도의 1 내지 2배의 KCN, EDTA, EDA, 및 개미산, 피로인산 등의 유기산을 이용할 수 있고, pH 조절제로는 KOH, NaOH, KCO3, NaCO3 등을 이용하여 pH를 10 내지 12의 범위로 조절할 수 있으며, 기능성 첨가제로서 계면활성제나 다가 알코올의 침전방지제를 이용할 수 있다.FIG. 1 shows a layer structure of a raw material used in a transfer electrode pattern forming method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the source material used in the transfer-type electrode pattern forming method of the present invention comprises a release film 101, an electrode protection layer 102, and an electrode seed layer 103. The release film 101 has a structure in which the bonding surface with the electrode protection layer 102 can be easily separated, and may include a separate release layer not shown in the figure. The release film 101 may be made of poly ethylene terephthalate (PET), and preferably has a thickness of 23 to 100 μm so as to enable roll-to-roll handling, And from 0.1 to 10 gf / cm 2 or less in consideration of easiness of mold release. The electrode protection layer 102 may be made of an alloy such as aluminum, tin or tin-silver or tin-silver-copper, and functions to protect the exposed surface of the copper transferred to the resin substrate from oxidation or stretching. The electrode protective layer 102 can be formed by bonding the rolled metal foil to the release film 101 or by coating the surface of the release film 101 by sputtering. The thickness is preferably 1 to 4 탆. The electrode seed layer 103 serves as a seed layer for plating a copper electrode in a subsequent step, and can be formed by electroless copper plating or copper stuttering. The thickness of the electrode seed layer 103 is preferably 0.01 to 1 占 퐉 in order to reduce the side etching width after the formation of the copper electrode in the flash etching process. The electroless plating solution for forming the electrode seed layer can be copper sulfate, copper cyanide, copper pyrophosphate, etc. in a concentration of 20 to 50 g / L as a metal salt, and can be used as a complexing agent in an amount of 1 to 2 times KCN, EDTA, EDA, and organic acids such as formic acid and pyrophosphoric acid can be used. The pH can be adjusted to a range of 10 to 12 by using KOH, NaOH, KCO3, NaCO3, An active agent or a polyhydric alcohol precipitation inhibitor can be used.

도 2a는 도 1에 도시된 원소재의 구리 시드층 위에 전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 2a의 (가)를 참조하면, 이형필름(101), 전극 보호층(102) 및 전극 시드층(103)로 이루어진 원소재를 준비한다. 이어서 도 2a의 (나)를 참조하면, 전극 시드층(103) 위에 포토리지스트 패턴(104)을 형성한다. 포토리지스트 패턴(104)은 광경화성 수지를 코팅하거나 광경화성 필름을 라미네이팅하고, 소정의 패턴을 가지는 마스크로 일부 영역에만 광을 조사하고, 현상액을 이용하여 경화되거나 경화되지 않은 포토리지스트를 선택적으로 제거함으로써 형성할 수 있다. 이어서 도 2a의 (다)를 참조하면, 전기도금법을 이용하여 전극 시드층(103) 위에 전극(105)을 형성한다. 전극(105)은 포토리지스트 패턴이 형성되지 않은 영역에서만 형성되고, 전기도금 조건을 조절하여 포토리지스트 패턴의 높이 일부까지만 형성한다. 이어서 도 2a의 (라)를 참조하면, 특정 용매나 용액을 이용하여 포토리지스트 패턴(105)을 제거한다. 포토리지스트 패턴을 제거하는데 이용되는 용액은 노출된 알루미늄층에 데미지를 주지 않는 조성을 가지는 것이 바람직하다. 상기 조건이 가능한 용액으로 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 3~5중량%, 트리에탄올아민(triethanolamine, TEA) 2~3중량%, 소듐 벤조에이트(sodium benzoate) 1~2중량%, 계면활성제 1~2중량%를 포함하는 수용액이 이용될 수 있다.FIG. 2A shows a process of forming electrodes on the copper seed layer of FIG. 1 sequentially. 2A, a raw material composed of a release film 101, an electrode protection layer 102, and an electrode seed layer 103 is prepared. Next, referring to FIG. 2A (B), a photoresist pattern 104 is formed on the electrode seed layer 103. The photoresist pattern 104 may be formed by coating a photocurable resin or laminating a photocurable film, irradiating light to only a part of the mask with a predetermined pattern, and selectively curing or not curing the photoresist using a developer As shown in FIG. Next, referring to FIG. 2A, an electrode 105 is formed on the electrode seed layer 103 using an electroplating method. The electrode 105 is formed only in a region where the photoresist pattern is not formed, and only the height of the photoresist pattern is formed by adjusting the electroplating conditions. Next, referring to FIG. 2A, a photoresist pattern 105 is removed using a specific solvent or a solution. The solution used to remove the photoresist pattern preferably has a composition that does not damage the exposed aluminum layer. 3 to 5% by weight of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), 2 to 3% by weight of triethanolamine (TEA), 1 to 2% by weight of sodium benzoate, , And 1 to 2% by weight of a surfactant may be used.

도 2b는 도 2a에 이어서 전극 하부의 전극 시드층 및 전극 보호층을 식각하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 2b의 (나)를 참조하면, 외부로 노출된 전극 시드층(103)을 에칭한다. 전극 시드층(103)의 에칭은 전극 보호층(102)이 노출되도록 플래시 에칭에 의하여 진행된다. 이때, 전극 시드층(103)의 두께가 얇으므로 전극(105) 하부에 있는 전극 시드층(103)의 측면방향 에칭은 미미하다. 구리전극 시드층의 에칭에 이용되는 용액으로는 하이드로젠 페록사이드(Hydrogen peroxide) 3~5중량%, 설퓨릭 에시드(Sulfuric Acid) 2~3중량%, 벤조트리아졸(Benzotriazole) 0.5~1중량%, 계면활성제 0.1~0.3중량%를 포함하는 수용액이 이용될 수 있다.FIG. 2B is a sequential process of etching the electrode seed layer and the electrode protection layer under the electrode sequentially from FIG. 2A. Referring to FIG. 2B (b), the electrode seed layer 103 exposed to the outside is etched. Etching of the electrode seed layer 103 proceeds by flash etching so that the electrode protecting layer 102 is exposed. At this time, since the thickness of the electrode seed layer 103 is thin, etching in the side direction of the electrode seed layer 103 under the electrode 105 is insignificant. The solution used for etching the copper electrode seed layer may contain 3 to 5% by weight of hydrogen peroxide, 2 to 3% by weight of sulfuric acid, 0.5 to 1% by weight of benzotriazole, , And 0.1 to 0.3% by weight of a surfactant may be used.

이어서 도 2b의 (다)를 참조하면, 외부로 노출된 전극 보호층(102)을 에칭한다. 전극 보호층(102)의 두께도 얇으므로 측면 방향의 에칭은 미미하며, 하부의 이형필름(101) 상부가 노출되면서 전극들은 전기적으로 분리된 상태가 된다. 알루미늄으로 이루어진 전극 보호층을 에칭하는 용액으로는 하이드로클로릭 에시드(hydrochloric Acid) 20~30중량%, 포스포릭 에시드(Phosphoric Acid) 15~20중량%, 톨리트리아졸(Tolyltriazole) 1~2중량%, 계면활성제 0.5~1중량%를 포함하는 수용액이 이용될 수 있다.Next, referring to FIG. 2B, the electrode protective layer 102 exposed to the outside is etched. Since the thickness of the electrode protection layer 102 is thin, the etching in the lateral direction is insignificant, and the upper portions of the lower release film 101 are exposed, and the electrodes are electrically separated. As the solution for etching the electrode protective layer made of aluminum, 20 to 30% by weight of hydrochloric acid, 15 to 20% by weight of phosphoric acid, and 1 to 2 by weight of tolithriazole %, And 0.5 to 1 wt% of a surfactant may be used.

도 2c는 도 2b에 이어서 전극 패턴을 레진 기판에 전사하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 2c의 (나)를 참조하면, 전극이 형성된 원소재를 레진 기판(110)에 결합시킨다. 이때 전극(105), 전극 시드층(103) 및 전극 보호층(102)은 레진 기판에 침투되어 측면은 레진 기판에 파묻히게 된다. 상기 공정에는 열압착에 의하여 전극 등이 일부 용융된 레진에 삽입되도록 가열된 롤 프레스 공정 등이 이용될 수 있다. 이어서 도 2c의 (다)를 참조하면, 이형필름(101)을 제거한다. 이형필름이 제거되면 전극 보호층(102)의 상부를 제외한 부분은 레진 기판에 묻혀 외부로 노출되지 않고, 전극 보호층(102)은 하부의 전극 시드층(103) 및 전극(105)이 외부로 노출되지 않도록 보호한다.FIG. 2C shows a process of sequentially transferring the electrode pattern onto the resin substrate, which is shown in FIG. 2B. Referring to (B) of FIG. 2C, the raw material on which the electrode is formed is bonded to the resin substrate 110. At this time, the electrode 105, the electrode seed layer 103, and the electrode protection layer 102 are infiltrated into the resin substrate, and the side surface is buried in the resin substrate. In the above step, a roll pressing process in which the electrodes are heated to be inserted into a partially molten resin by thermocompression bonding may be used. Next, referring to (C) in FIG. 2C, the release film 101 is removed. When the release film is removed, the portion of the electrode protective layer 102 excluding the upper portion thereof is buried in the resin substrate and is not exposed to the outside, and the electrode protective layer 102 is formed such that the electrode seed layer 103 and the electrode 105, Protect from exposure.

본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법은 다양한 구조를 가지는 원소재에 따라 변형이 가능하다. 도 3 내지 도 4에서는 다른 형태의 원소재를 적용한 경우에 관하여 설명한다.The transfer electrode pattern forming method of the present invention can be modified according to a raw material having various structures. Figs. 3 to 4 illustrate the case where different types of raw materials are applied. Fig.

도 3은 본 발명의 다른 구현예에 따라 전사형 전극 패턴 형성방법에 이용되는 원소재의 층 구성을 나타낸 것이다. 도 3을 참조하면, 원소재는 고분자 필름(201), 알루미늄 포일(202), 이형층(203), 전극 보호층(204) 및 전극 시드층(205)으로 이루어진다. 고분자 필름(201)은 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET)로 이루어질 수 있고, 두께는 롤-투-롤 핸들링이 가능하도록 23 내지 100㎛인 것이 바람직하다. 알루미늄 포일(202)은 고분자 필름과 결합되어 있고, 그 결합력은 이형층(203)과 전극 보호층(204)간의 결합력보다 높은 것이 바람직하며, 알루미늄 포일의 두께는 1 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 이형층(203)의 접착강도는 공정 안정성과 이형의 용이성을 고려하여 0.1 내지 10gf/cm2 이하인 것이 바람직하다. 전극 보호층(204)은 알루미늄, 주석 또는 주석-은, 주석-은-구리와 같은 합금으로 이루어질 수 있고, 레진기판에 전사된 구리의 노출된 표면을 산화나 스트레치로부터 보호하는 기능을 한다. 전극 보호층(102)은 압연 금속 포일을 이형층(203)에 접합하거나 스퍼터링으로 이형층(203) 표면에 코팅하는 방법으로 형성할 수 있고, 두께는 1 내지 4㎛인 것이 바람직하다. 전극 시드층(205)은 이후 공정에서 구리 전극을 도금하는 시드층 역할을 하며, 무전해 동도금이나 구리 스터터링에 의하여 형성할 수 있다. 전극 시드층(205)의 두께는 0.01 내지 1㎛인 것이 바람직한데, 이는 구리전극 형성 후 플래시 에칭 과정에서 측면으로의 에칭되는 폭을 감소시키기 위함이다.3 illustrates a layer structure of a raw material used in a transfer electrode pattern forming method according to another embodiment of the present invention. 3, the raw material is composed of a polymer film 201, an aluminum foil 202, a release layer 203, an electrode protection layer 204, and an electrode seed layer 205. The polymer film 201 may be made of poly ethylene terephthalate (PET), and the thickness of the polymer film 201 is preferably 23 to 100 mu m so as to enable roll-to-roll handling. The aluminum foil 202 is bonded to the polymer film and the bonding force thereof is preferably higher than the bonding force between the release layer 203 and the electrode protection layer 204. The thickness of the aluminum foil is preferably 1 to 30 占 퐉. The adhesion strength of the release layer 203 is preferably 0.1 to 10 gf / cm 2 or less in consideration of process stability and easiness of mold release. The electrode protection layer 204 may be made of an alloy such as aluminum, tin or tin-silver or tin-silver-copper, and functions to protect the exposed surface of the copper transferred to the resin substrate from oxidation or stretching. The electrode protective layer 102 can be formed by bonding the rolled metal foil to the release layer 203 or by coating the surface of the release layer 203 by sputtering, and the thickness is preferably 1 to 4 μm. The electrode seed layer 205 serves as a seed layer for plating a copper electrode in a subsequent step, and can be formed by electroless copper plating or copper stuttering. The thickness of the electrode seed layer 205 is preferably 0.01 to 1 占 퐉 in order to reduce the width to be laterally etched during the flash etching process after the formation of the copper electrode.

도 4a는 도 3에 도시된 원소재의 구리 시드층 위에 전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 4a의 (가)를 참조하면, 고분자 필름(201), 알루미늄 포일(202), 이형층(203), 전극 보호층(204) 및 전극 시드층(205)으로 이루어진 원소재를 준비한다. 이어서 도 4a의 (나)를 참조하면, 전극 시드층(205) 위에 포토리지스트 패턴(206)을 형성한다. 포토리지스트 패턴(206)은 광경화성 수지를 코팅하거나 광경화성 필름을 라미네이팅하고, 소정의 패턴을 가지는 마스크로 일부 영역에만 광을 조사하고, 현상액을 이용하여 경화되거나 경화되지 않은 포토리지스트를 선택적으로 제거함으로써 형성할 수 있다. 이어서 도 4a의 (다)를 참조하면, 전기도금법을 이용하여 전극 시드층(205) 위에 전극(207)을 형성한다. 전극(207)은 포토리지스트 패턴이 형성되지 않은 영역에서만 형성되고, 전기도금 조건을 조절하여 포토리지스트 패턴의 높이 일부까지만 형성한다. 이어서 도 4a의 (라)를 참조하면, 특정 용매나 용액(현상액)을 이용하여 포토리지스트 패턴(206)을 제거한다. FIG. 4A shows a process of forming electrodes on the copper seed layer of FIG. 3 sequentially. 4A, a raw material composed of the polymer film 201, the aluminum foil 202, the release layer 203, the electrode protection layer 204, and the electrode seed layer 205 is prepared. Next, referring to FIG. 4A (B), a photoresist pattern 206 is formed on the electrode seed layer 205. The photoresist pattern 206 may be formed by coating a photocurable resin or laminating a photocurable film, irradiating light to only a part of the mask with a predetermined pattern, and selectively curing or not curing the photoresist using a developer. As shown in FIG. Next, referring to (C) of FIG. 4A, an electrode 207 is formed on the electrode seed layer 205 using an electroplating method. The electrode 207 is formed only in a region where the photoresist pattern is not formed, and only the height of the photoresist pattern is formed by adjusting the electroplating conditions. Next, referring to FIG. 4 (D), the photoresist pattern 206 is removed using a specific solvent or a solution (developing solution).

도 4b는 도 4a에 이어서 전극 하부의 전극 시드층 및 전극 보호층을 식각하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 4b의 (나)를 참조하면, 외부로 노출된 전극 시드층(205)을 에칭한다. 전극 시드층(205)의 에칭은 하부의 전극 보호층(204)이 노출되도록 플래시 에칭에 의하여 진행된다. 이때, 전극 시드층(205)의 두께가 얇으므로 전극(105) 하부에 있는 전극 시드층(103)의 측면 방향 에칭은 미미하다. 이어서 도 4b의 (다)를 참조하면, 외부로 노출된 전극 보호층(204)을 에칭한다. 전극 보호층(204)의 두께도 얇으므로 측면 방향의 에칭은 미미하며, 하부의 이형층(203) 상부가 노출되면서 전극들은 전기적으로 분리된 상태가 된다. FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a process of etching the electrode seed layer and the electrode protection layer under the electrode sequentially from FIG. 4A. Referring to FIG. 4B (B), the electrode seed layer 205 exposed to the outside is etched. Etching of the electrode seed layer 205 proceeds by flash etching so that the lower electrode protecting layer 204 is exposed. At this time, since the thickness of the electrode seed layer 205 is thin, etching in the side direction of the electrode seed layer 103 under the electrode 105 is insignificant. Referring to FIG. 4B, the exposed electrode protection layer 204 is etched. Since the thickness of the electrode protection layer 204 is thin, the etching in the lateral direction is negligible and the upper portions of the lower release layer 203 are exposed and the electrodes are electrically separated.

도 4c는 도 4b에 이어서 전극 패턴을 레진 기판에 전사하는 과정을 순차적으로 나타낸 것이다. 도 4c의 (나)를 참조하면, 전극이 형성된 원소재를 레진 기판(210)에 결합시킨다. 이때 전극(207), 전극 시드층(205) 및 전극 보호층(204)은 레진 기판에 침투되어 측면은 레진 기판에 파묻히게 된다. 상기 공정에는 열압착에 의하여 전극 등이 일부 용융된 레진에 삽입되도록 가열된 롤 프레스 공정 등이 이용될 수 있다. 이어서 도 4c의 (다)를 참조하면, 이형층(203)을 전극 보호층(204)으로부터 분리하여 고분자 필름(201), 알루미늄 포일(202) 및 이형층(203)이 결합된 필름을 제거한다. 상기 필름이 제거되면 전극 보호층(204)의 상부를 제외한 부분은 레진 기판에 묻혀 외부로 노출되지 않고, 전극 보호층(204)은 하부의 전극 시드층(205) 및 전극(207)이 외부로 노출되지 않도록 보호한다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층은 레진 기판에 소정의 깊이를 가지고 침투하여 전사되되, 위에서부터 차례로 패터닝된 전극 보호층, 패터닝된 전극 시드층 및 전극의 순서로 구성되는 것으로, 상기 레진 기판의 상부 표면과 상기 전극 보호층의 상부 표면이 동일 표면 상에 위치하는 것일 수 있다. 4C shows a process of sequentially transferring the electrode pattern onto the resin substrate, which is shown in FIG. 4B. Referring to (B) of FIG. 4C, the raw material on which the electrodes are formed is bonded to the resin substrate 210. At this time, the electrode 207, the electrode seed layer 205, and the electrode protection layer 204 are infiltrated into the resin substrate, and the side surface is buried in the resin substrate. In the above step, a roll pressing process in which the electrodes are heated to be inserted into a partially molten resin by thermocompression bonding may be used. 4C, the release layer 203 is separated from the electrode protection layer 204 to remove the film having the polymer film 201, the aluminum foil 202, and the release layer 203 bonded to each other . When the film is removed, a portion of the electrode protection layer 204 except the upper portion thereof is buried in the resin substrate and is not exposed to the outside. The electrode protection layer 204 is formed such that the lower electrode seed layer 205 and the electrode 207 are exposed to the outside Protect from exposure. According to an embodiment of the present invention, the electrode, the patterned electrode seed layer, and the patterned electrode protection layer are transferred to the resin substrate with a predetermined depth, and the electrode protection layer, the patterned electrode seed layer, The upper surface of the resin substrate and the upper surface of the electrode protection layer may be located on the same surface.

종래의 전사형 전극 패턴 형성방법은 레진 기판에 전극을 형성한 후에 전기 도금에 의하여 전극 보호층을 형성한다. 이와 같은 종래의 기술에서는 전기 도금과정에서 전극 보호층이 전극의 상부뿐 아니라 측부 방향으로도 성장하므로 전극 패턴간의 간격이 좁아지게 되고, 이는 전극 간 단락 문제를 일으킬 수 있다. 이러한 전극간 단락의 문제가 발생하는 것을 방지하기 위해서는 전극 패턴간의 간격을 일정 수준 이하로 설계하는 것이 어려워지게 된다. 그러나 본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법에 의하여 제조된 회로기판은 원소재에서 전극 보호층을 형성한 후에 이를 레진 기판에 전사시키는 방식을 적용하므로 전극 패턴간의 간격을 미세하게 조절하는 것이 가능하다.In the conventional transfer type electrode pattern forming method, an electrode is formed on a resin substrate, and then an electrode protecting layer is formed by electroplating. In such a conventional technique, since the electrode protection layer grows not only in the upper portion but also in the side direction of the electrode during the electroplating process, the interval between the electrode patterns becomes narrow, which may cause a short circuit between the electrodes. In order to prevent such a problem of short-circuiting between electrodes, it is difficult to design the gap between the electrode patterns to a certain level or less. However, since the circuit substrate manufactured by the transfer electrode pattern forming method of the present invention forms a protective electrode layer on a raw material and transfers the electrode protective layer onto the resin substrate, it is possible to finely control the interval between the electrode patterns.

도 5는 종래의 전극 보호층 구조를 나타낸 것이다. 도 5를 참조하면, 종래의 회로기판은 레진 기판(310)의 내부에 일정 깊이로 전극(301) 및 전극 시드층(302)이 결합되고, 전극 시드층(302) 및 레진 기판(310) 상부의 일부 영역에 전극 보호층(303, 304)이 형성되어 있다. 이러한 구조는 전사 방식에 의하여 전극 및 전극 시드층을 레진 기판에 형성한 후에 전기도금에 의하여 전극 보호층을 형성하기 때문에 피할 수 없는 구조이다. 즉, 전기 도금법을 이용하여 전극 보호층(303, 304)을 형성하는 과정에서 전극 보호층(303, 304)이 전극의 상부 방향으로도 성장하지만, 일부는 측면 방향으로도 성장하게 된다. 따라서, 전사된 전극 사이의 간격인 X가 전극 보호층 사이의 간격인 Y로 짧아지게 되므로 단락 방지를 위하여 패턴간 거리를 일정 수준 이상으로 유지하여야 하는 문제점을 가지고 있다.5 shows a conventional electrode protection layer structure. 5, an electrode 301 and an electrode seed layer 302 are coupled to a predetermined depth in a resin substrate 310, and the electrode seed layer 302 and the upper surface of the resin substrate 310 Electrode protection layers 303 and 304 are formed in a part of the region. Such a structure is an inevitable structure because an electrode and an electrode seed layer are formed on a resin substrate by a transfer method and then an electrode protective layer is formed by electroplating. That is, in the process of forming the electrode protecting layers 303 and 304 using the electroplating method, the electrode protecting layers 303 and 304 are grown also in the upper direction of the electrodes, but some of them are also grown in the side direction. Therefore, since the distance X between the transferred electrodes is shortened to Y, which is an interval between the electrode protecting layers, there is a problem that the distance between the patterns must be maintained at a certain level or more for preventing the short circuit.

도 6는 본 발명의 전극 보호층 구조를 나타낸 것이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 전사형 전극 패턴 형성방법에 의하여 제조된 회로기판은 레진 기판(210)에 전극(207), 전극 시드층(205) 및 전극 보호층(204)가 순차적으로 박혀서 배열된다. 이때, 구리로 이루어진 전극(207)과 전극 시드층(205)은 레진 기판(210)의 내부에 존재하여 외부에 노출되지 않고, 전극 보호층(204)만이 외부로 노출된다. 전극 보호층은 전극이 산화되거나 물리적 충격에 의하여 파손되는 것을 방지하는 기능을 한다. 전극 패턴 사이의 간격은 상부의 전극 보호층(204) 사이의 거리인 X가 된다. 전극 패턴 사이의 간격은 원소재에 형성된 포토리지스트 패턴에 의하여 결정되므로, 포토리지스트의 패터닝 정밀도가 그대로 회로기판에서도 구현될 수 있다.6 shows the electrode protection layer structure of the present invention. 6, an electrode 207, an electrode seed layer 205, and an electrode protection layer 204 are sequentially deposited on a resin substrate 210, do. At this time, the electrode 207 made of copper and the electrode seed layer 205 exist inside the resin substrate 210 and are not exposed to the outside, and only the electrode protection layer 204 is exposed to the outside. The electrode protection layer functions to prevent the electrode from being oxidized or damaged by physical impact. The distance between the electrode patterns becomes X, which is the distance between the electrode protection layers 204 on the upper side. Since the interval between the electrode patterns is determined by the photoresist pattern formed on the raw material, the patterning accuracy of the photoresist can be realized as it is on the circuit board as it is.

이하에서 실시예를 이용하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

실시예 1(이형필름/전극 보호층/전극 시드층의 구조를 가지는 원소재 이용) Example 1 (using a raw material having a structure of a release film / electrode protection layer / electrode seed layer)

(1) 원소재의 제조(1) Manufacture of raw materials

두께 50㎛의 이형 PET 필름 위에 두께 4㎛의 알루미늄 포일을 롤 투 롤 드라이라미네이션 방법을 이용하여 결합하였다. 이때 PET 필름의 이형력은 30gf/cm로서 패턴 전사 공정 전까지 롤 투 롤 작업성을 높이고 패턴들이 안정적으로 PET 필름 상에 고정시키는 역할을 한다. 이어서 무전해 도금법에 의하여 알루미늄 포일 위에 구리막을 형성하였다. 무전해 도금용액은 20g/L 농도의 황산구리, 25g/L 농도의 개미산, pH 조절제인 KOH(pH 11.5로 조절), 계면활성제, 침전방지제 등을 포함하고, 도금 조건은 40℃의 온도에서 10분간 도금하여 약 1.0㎛의 무전해 시드층을 형성하였다.An aluminum foil having a thickness of 4 占 퐉 was bonded to a release PET film having a thickness of 50 占 퐉 using a roll-to-roll dry lamination method. At this time, the releasing force of the PET film is 30 gf / cm, which enhances the roll-to-roll workability until the pattern transferring process and fixes the patterns on the PET film stably. Subsequently, a copper film was formed on the aluminum foil by electroless plating. The electroless plating solution contained copper sulfate at a concentration of 20 g / L, formic acid at a concentration of 25 g / L, KOH (pH adjusted at 11.5), surfactant, and an anti-settling agent. And an electroless seed layer of about 1.0 탆 was formed by plating.

(2) 구리 전극의 형성(2) Formation of copper electrode

원소재 위에 드라이 필름을 결합하고, 마스크를 이용한 광경화 및 현상과정을 통하여 15㎛ 선폭과 선 간격을 가지는 포토리지스트 패턴을 형성하였다. 이어서, 전기 동도금법을 이용하여 높이 10㎛의 전극을 형성하였다. 전기동도금은 80g/L의 황산구리, 150g/L 황산, 50ppm 염산, 기타 기능성 첨가제가 혼합된 조성이며, 이 용액을 이용하여 초기 0.2ASD의 전류밀도로 10분간 도금하고 이어서 2.5ASD의 전류밀도로 20분간 도금하여 패턴높이 10㎛의 패턴을 형성하였다. 이어서, TMAH 5g/L, TEA 5g/L, 소듐밴조트레이트 2g/L와 계면활성제가 조합된 용액을 이용하여 50℃의 온도에서 1분간 침적하여 포토리지스트를 제거하였다. 이어서 과산화수소 5g/L, 황산 3g/L, 벤조트리아졸 0.3g/L와 계면활성제로 구성된 구리 시드 에칭용액으로 상온에서 30초 동안 에칭을 수행하여 구리 시드층을 플래시 에칭하였다. 이어서, 황산 20g/L, 인산 15g/L, 톨리트리아졸 1g/L로 조성된 알루미늄 시드 에칭용액으로 30℃의 온도에서 4분 동안 에칭을 수행하여 알루미늄 보호층을 제거하였다. A dry film was bonded onto the raw material, and a photoresist pattern having a line width of 15 μm and line spacing was formed through photocuring and development using a mask. Subsequently, an electrode having a height of 10 mu m was formed by electroplating. The copper electroplating was a mixture of 80 g / L of copper sulfate, 150 g / L of sulfuric acid, 50 ppm of hydrochloric acid and other functional additives. The solution was plated for 10 minutes at an initial current density of 0.2 ASD using this solution and then plated for 20 minutes at a current density of 2.5 ASD Minute to form a pattern having a pattern height of 10 mu m. Subsequently, the photoresist was removed by immersing in a solution of 5 g / L of TMAH, 5 g / L of TEA, 2 g / L of sodium banjoctate and a surfactant for 1 minute at a temperature of 50 ° C. Then, the copper seed layer was subjected to flash etching by etching with a copper seed etching solution composed of 5 g / L of hydrogen peroxide, 3 g / L of sulfuric acid, 0.3 g / L of benzotriazole and a surfactant at room temperature for 30 seconds. Subsequently, the aluminum protective layer was removed by etching with an aluminum seed etching solution composed of 20 g / L of sulfuric acid, 15 g / L of phosphoric acid and 1 g / L of tolithriazole for 4 minutes at a temperature of 30 ° C.

(3) 전극 패턴의 전사(3) Transfer of electrode pattern

상기와 같이 이형 PET 필름상에 형성된 패턴들은 두께 100㎛의 프리플레그에 전사하였다. 전사 조건은 190℃의 온도와 30kgf의 압력으로 약 90분간 진행되었으며, 이어서 이형 PET 필름을 이형하여 최종 제품을 제작하였다.As described above, the patterns formed on the release PET film were transferred to a prepreg having a thickness of 100 mu m. The transferring conditions were a temperature of 190 DEG C and a pressure of 30 kgf for about 90 minutes. Then, the release PET film was released to produce a final product.

실시예 2(고분자 필름/알루미늄층/이형층/전극 보호층/전극 시드층의 구조를 가지는 원소재 이용) Example 2 (using a raw material having a structure of polymer film / aluminum layer / release layer / electrode protective layer / electrode seed layer)

(1) 원소재의 제조(1) Manufacture of raw materials

두께 50㎛의 PET 필름 위에 두께 12㎛의 알루미늄 포일을 롤 투 롤 드라이라미네이션 방법을 이용하여 접착 결합하였다. 알루미늄 상에 코발드-니켈 화합물로 구성된 이형층을 두께 약 10nm로 형성한 후 무전해 도금법을 이용하여 Sn 보호층을 형성하였다. 무전해주석도금액은 제이주석염 100g/L와 착화제로 KCN 100g/L, pH 조정제로 NaOH 5g/L를 혼합한 pH 12의 도금액으로 40℃의 온도에서 10분간 도금하여 두께 0.5㎛의 주석 보호층을 형성하였다. 이어서, 주석보호층 상에 스퍼터링을 이용하여 두께 0.1㎛의 구리 시드층을 형성하였다.An aluminum foil having a thickness of 12 占 퐉 was adhesively bonded to a PET film having a thickness of 50 占 퐉 using a roll-to-roll dry lamination method. After forming a release layer composed of a nickel-nickel compound on the aluminum to a thickness of about 10 nm, an Sn protective layer was formed by electroless plating. The electroless tin plating solution was plated at a temperature of 40 캜 for 10 minutes with a plating solution of 100 g / L of tin salt, 100 g / L of KCN as a complexing agent and 5 g / L of NaOH as a pH adjusting agent, Layer. Then, a copper seed layer having a thickness of 0.1 mu m was formed on the tin protective layer by sputtering.

(2) 구리 전극의 형성(2) Formation of copper electrode

원소재 위에 드라이 필름을 결합하고, 마스크를 이용한 광경화 및 현상과정을 통하여 15㎛ 선폭과 선 간격을 가지는 포토리지스트 패턴을 형성하였다. 이어서, 전기 동도금법을 이용하여 높이 10㎛의 전극을 형성하였다. 전기동도금은 80g/L의 황산구리, 150g/L 황산, 50ppm 염산, 기타 기능성 첨가제가 혼합된 조성이며, 이 용액을 이용하여 초기 0.2ASD의 전류밀도로 10분간 도금하고 이어서 2.5ASD의 전류밀도로 20분간 도금하여 패턴높이 10㎛의 패턴을 형성하였다. 이어서, TMAH 5g/L, TEA 5g/L, 소듐밴조트레이트 2g/L와 계면활성제가 조합된 용액을 이용하여 50℃의 온도에서 1분간 침적하여 포토리지스트를 제거하였다. 이어서 과산화수소 5g/L, 황산 3g/L, 벤조트리아졸 0.3g/L와 계면활성제로 구성된 구리 시드 에칭용액으로 상온에서 30초 동안 에칭을 수행하여 구리 시드층을 플래시 에칭하였다. 이어서, 황산 20g/L, 인산 15g/L, 톨리트리아졸 1g/L로 조성된 주석 시드 에칭용액으로 30℃의 온도에서 30초 동안 에칭을 수행하여 주석 보호층을 제거하였다.A dry film was bonded onto the raw material, and a photoresist pattern having a line width of 15 μm and line spacing was formed through photocuring and development using a mask. Subsequently, an electrode having a height of 10 mu m was formed by electroplating. The copper electroplating was a mixture of 80 g / L of copper sulfate, 150 g / L of sulfuric acid, 50 ppm of hydrochloric acid and other functional additives. The solution was plated for 10 minutes at an initial current density of 0.2 ASD using this solution and then plated for 20 minutes at a current density of 2.5 ASD Minute to form a pattern having a pattern height of 10 mu m. Subsequently, the photoresist was removed by immersing in a solution of 5 g / L of TMAH, 5 g / L of TEA, 2 g / L of sodium banjoctate and a surfactant for 1 minute at a temperature of 50 ° C. Then, the copper seed layer was subjected to flash etching by etching with a copper seed etching solution composed of 5 g / L of hydrogen peroxide, 3 g / L of sulfuric acid, 0.3 g / L of benzotriazole and a surfactant at room temperature for 30 seconds. Subsequently, the tin protection layer was removed by etching with a tin seed etching solution composed of 20 g / L of sulfuric acid, 15 g / L of phosphoric acid and 1 g / L of tolithriazole for 30 seconds at a temperature of 30 ° C.

(3) 전극 패턴의 전사(3) Transfer of electrode pattern

상기와 같이 이형층 상에 형성된 패턴들은 두께 100㎛의 프리플레그에 전사하였다. 전사 조건은 190℃의 온도와 30kgf의 압력으로 약 90분간 진행되었으며, 이어서 PET 필름과 알루미늄으로 구성된 케리어를 이형하여 최종 제품을 제작하였다.The patterns formed on the release layer as described above were transferred to a prepreg having a thickness of 100 mu m. The transferring condition was a temperature of 190 ° C. and a pressure of 30 kgf for about 90 minutes. Subsequently, a carrier composed of a PET film and aluminum was released to produce a final product.

평가예 1Evaluation example 1

실시예 1에 따라 제조된 제품에 대하여 와이어 본딩 테스트를 수행하였다. 최종 보호층이 알루미늄으로 구성된 제품은 와이어본딩 전용으로 사용하며 아래와 같이 패턴 패드와 칩 본딩 패드간에 두께 1mil의 금 와이어를 이용한 와이어 본딩 결과를 아래의 표 1에 나타내었다. 이때 알루미늄 보호층의 두께는 4㎛, 이하 동 패턴의 두께는 10㎛ 이었으며 이들 패턴들은 100㎛ 두께의 프리프레그에 전사되어졌다. 와이어 본딩 파워는 145w로 고정하였고 본딩 포스만 변경하여 시험을 실시하였다. 표 1을 참조하면, 실시예 1에 따라 제조된 제품은 우수한 와이어 본딩 특성을 보이는 것을 알 수 있다(표 1에서 "0"으로 표시된 부분은 와이어 본딩이 이루어지지 않은 결과를 나타낸 것이다). A wire bonding test was carried out on the product prepared according to Example 1. The product having the final protective layer made of aluminum is used for wire bonding only, and the wire bonding results using a gold wire having a thickness of 1 mil between the pattern pad and the chip bonding pad as shown below are shown in Table 1 below. At this time, the thickness of the aluminum protective layer was 4 mu m, and the thickness of the copper pattern was 10 mu m, and these patterns were transferred to a prepreg having a thickness of 100 mu m. The wire bonding power was fixed at 145w and the bonding force was changed. Referring to Table 1, it can be seen that the product manufactured according to Example 1 exhibits excellent wire bonding characteristics (the portion indicated by "0" in Table 1 shows the result that wire bonding is not performed).

본딩포스Bonding force
(g)(g) 1010 2020 3030 4040 5050 6060 1차Primary 00 6.3246.324 6.9486.948 4.0014.001 7.7927.792 2.6002.600 2차Secondary 00 3.3273.327 00 4.4084.408 5.2005.200 1.6211.621 3차Third 00 00 00 3.1983.198 3.1133.113 00 4차Fourth 00 00 00 4.1104.110 4.0964.096 00 5차5th 00 00 00 4.2154.215 4.6514.651 00 평균Average 00 1.9301.930 1.38961.3896 3.9863.986 4.9704.970 0.8440.844

평가예 2Evaluation example 2

실시예 1에 따라 제조된 제품에 대하여 항온항습 테스트를 수행하였다. The product manufactured according to Example 1 was subjected to a constant temperature and humidity test.

최종 보호층이 주석으로 구성된 제품은 솔더링 전용으로 사용하며 아래와 같이 패턴 패드와 칩 본딩 패드간에 Sn-Ag-Cu로 구성된 무연솔더를 사용하여 솔더 젓음성을 평가하였다. 이때 주석 보호층의 두께는 0.5㎛, 이하 동 패턴의 두께는 10㎛이었으며 이들 패턴들은 100㎛ 두께의 프리프레그에 전사되어졌다. 무연솔더의 온도는 240℃로 고정하였으며 5초간 침적 후 공기 중에 응고시켜서 전체 주석보호층 면적 대비 무연솔더가 묻어있는 면적을 관찰하여 솔더 젓음성을 평가하였으며, 이후 솔더링된 제품들은 항온항습 시험을 통하여 솔더가 벗겨진 부분이 있는지 여부를 x200 배율의 실시간 현미경을 사용하여 관찰하였다. 구체적인 항온항습 시험 조건은 스팀 에이징(steam aging)은 5℃에서 8시간이고, 플럭스(flux)는 ROL 1- 타입이며, 솔더(solder)는 Sn 96.5%/Ag 3.0%/Cu 0.5%이고, 테스트 온도는 245ㅁ5℃, 이멀전 깊이(immersion depth)는 0.5~0.7mm, 드웰 시간(dwell time)은 5초, 테스트 M/C는 무연 솔더링 테스터였다.The final protective layer made of tin was used for soldering only and the solder paste was evaluated using lead-free solder composed of Sn-Ag-Cu between the pattern pad and the chip bonding pad as shown below. At this time, the thickness of the tin protective layer was 0.5 mu m, and the thickness of the copper pattern was 10 mu m, and these patterns were transferred to a prepreg having a thickness of 100 mu m. The temperature of the lead-free solder was fixed at 240 ℃, and after immersion for 5 seconds, it was solidified in the air to evaluate the area of lead-free solder compared to the total tin protection layer area. Whether the solder is peeled off was observed using a real time microscope at x200 magnification. The specific conditions of the constant temperature and humidity test were steam aging at 5 ° C for 8 hours, flux of ROL 1-type, solder of Sn 96.5% / Ag 3.0% / Cu 0.5% The temperature was 245 ° C and 5 ° C, the immersion depth was 0.5-0.7 mm, the dwell time was 5 seconds, and the test M / C was a lead-free soldering tester.

도 7은 평가예 2에 관한 실험 결과를 나타낸 것이다. 도 7을 참고하면, 시험결과 무연솔더를 사용한 솔더 젓음성은 모든 부분에 있어서 95% 이상을 만족시켰으며, 항온항습 시험 후 솔더 벗겨짐 부분은 관찰되지 않았다.Fig. 7 shows the results of the experiment on Evaluation Example 2. Fig. Referring to FIG. 7, as a result of the test, the solder paste using the lead-free solder satisfies 95% or more in all portions, and the solder peeling portion was not observed after the constant temperature and humidity test.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 일 구현예를 이용하여 설명한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에서 설명된 구현 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이런 구현예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

101: 이형필름 102: 전극 보호층
103: 전극 시드층 104: 포토리지스트 패턴
105: 전극 110: 레진 기판
201: 고분자 필름 202: 알루미늄 포일
203: 이형층 204: 전극 보호층
205: 전극 시드층 206: 포토리지스트 패턴
207: 전극 210: 레진 기판
301: 전극 302: 전극 시드층
303: 제1전극보호층 304: 제2전극보호층
310: 레진 기판101: release film 102: electrode protection layer
103: electrode seed layer 104: photoresist pattern
105: electrode 110: resin substrate
201: polymer film 202: aluminum foil
203: release layer 204: electrode protection layer
205: electrode seed layer 206: photoresist pattern
207: electrode 210: resin substrate
301: electrode 302: electrode seed layer
303: first electrode protection layer 304: second electrode protection layer
310: Resin substrate

Claims (10)

이형필름 위에 전극 보호층을 형성하는 단계;
상기 전극 보호층 위에 전극 시드층을 형성하는 단계;
상기 전극 시드층에 소정의 형상의 포토리지스트 패턴을 형성하는 단계;
전기도금법을 이용하여 상기 포토리지스트 패턴 사이의 전극 시드층 위에 전극을 형성하는 단계;
상기 포토리지스트 패턴을 현상액을 사용하여 제거하되, 상기 포토리지스트 패턴을 제거하기 위한 현상액은 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 3~5중량%, 트리에탄올아민(triethanolamine, TEA) 2~3중량%, 소듐 벤조에이트(sodium benzoate) 1~2중량% 및 계면활성제 1~2중량%를 포함하는 수용액인 단계;
상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 시드층을 에칭액을 사용하여 제거하여 전극 시드층을 패터닝하되, 상기 전극 시드층을 제거하기 위한 에칭액은 하이드로젠 페록사이드(Hydrogen peroxide) 3~5중량%, 설퓨릭 에시드(Sulfuric Acid) 2~3중량%, 벤조트리아졸(Benzotriazole) 0.5~1중량% 및 계면활성제 0.1~0.3중량%를 포함하는 수용액인 단계;
상기 포토리지스트 패턴 하부 영역의 전극 보호층을 제거하여 전극 보호층을 패터닝하는 단계;
상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층을 레진 기판에 전사하는 단계; 및
상기 이형필름을 제거하는 단계;를 포함하는 전사형 전극 패턴 형성방법.Forming an electrode protective layer on the release film;
Forming an electrode seed layer on the electrode protection layer;
Forming a photoresist pattern of a predetermined shape on the electrode seed layer;
Forming an electrode on the electrode seed layer between the photoresist patterns using an electroplating method;
The photoresist pattern is removed using a developing solution, and the developing solution for removing the photoresist pattern may include 3 to 5 wt% of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), triethanolamine (TEA) 2 to 3% by weight, 1 to 2% by weight of sodium benzoate and 1 to 2% by weight of a surfactant;
The electrode seed layer of the lower region of the photoresist pattern is removed by using an etching solution to pattern the electrode seed layer. The etching solution for removing the electrode seed layer may include 3 to 5% by weight of hydrogen peroxide, An aqueous solution comprising 2 to 3% by weight of a sulfuric acid, 0.5 to 1% by weight of benzotriazole, and 0.1 to 0.3% by weight of a surfactant;
Removing the electrode protection layer in the lower region of the photoresist pattern to pattern the electrode protection layer;
Transferring the electrode, the patterned electrode seed layer and the patterned electrode protection layer to a resin substrate; And
And removing the release film. 제1항에 있어서,
상기 전극, 패터닝된 전극 시드층 및 패터닝된 전극 보호층은 레진 기판에 소정의 깊이를 가지고 침투하여 전사되되, 위에서부터 차례로 패터닝된 전극 보호층, 패터닝된 전극 시드층 및 전극의 순서로 구성되고, 상기 패터닝된 전극 보호층의 상부가 상기 레진 기판의 상부 표면과 같은 면에 형성된 것을 특징으로 하는 전사형 전극 패턴 형성방법.The method according to claim 1,
The electrode, the patterned electrode seed layer, and the patterned electrode protection layer are sequentially deposited on the resin substrate with a predetermined depth, and are sequentially transferred from the top to the top. The electrode protection layer, the patterned electrode seed layer, Wherein the upper portion of the patterned electrode protection layer is formed on the same surface as the upper surface of the resin substrate. 제1항에 있어서,
상기 이형필름 위에 형성된 전극 보호층은 알루미늄으로 이루어지고, 상기 전극 시드층 및 전극은 구리로 이루어진 것으로, 상기 전극 보호층의 두께는 1~4㎛이고, 상기 전극 시드층의 두께는 0.01~1㎛인 것을 특징으로 하는 전사형 전극 패턴 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the electrode protective layer formed on the release film is made of aluminum, the electrode seed layer and the electrode are made of copper, the thickness of the electrode protective layer is 1 to 4 占 퐉, the thickness of the electrode seed layer is 0.01 to 1 占 퐉 And the second electrode pattern is formed on the second electrode pattern. 제3항에 있어서,
상기 이형필름은 이형층이 도포된 고분자수지 필름으로 이루어진 것으로, 상기 이형필름의 두께는 23~100㎛이고, 상기 이형층은 접착강도가 0.1~10gf/cm2인 것을 특징으로 하는 전사형 전극 패턴 형성방법.The method of claim 3,
Wherein the release film is made of a polymer resin film coated with a release layer, the thickness of the release film is 23 to 100 탆, and the release layer has an adhesive strength of 0.1 to 10 gf / cm 2 . Way. 제1항에 있어서,
상기 이형필름 위에 형성된 전극 보호층은 주석, 주석-은의 합금, 주석-은-구리의 합금 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 전극 시드층 및 전극은 구리로 이루어진 것으로, 상기 전극 보호층의 두께는 1~4㎛이고, 상기 전극 시드층의 두께는 0.01~1㎛인 것을 특징으로 하는 전사형 전극 패턴 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the electrode protective layer formed on the release film is made of tin, a tin-silver alloy, or a tin-silver-copper alloy, and the electrode seed layer and the electrode are made of copper, And the thickness of the electrode seed layer is 0.01 to 1 占 퐉. 제5항에 있어서,
상기 이형필름은 고분자수지 필름, 알루미늄 포일 및 이형층이 순차적으로 적층되어 이루어진 것으로, 상기 고분자 수지의 두께는 23~100㎛이고, 알루미늄 포일의 두께는 1~30㎛이고, 이형층은 접착 강도가 0.1~10gf/cm2인 것을 특징으로 하는 전사형 전극 패턴 형성방법.6. The method of claim 5,
Wherein the release film comprises a polymer resin film, an aluminum foil and a release layer sequentially laminated, wherein the polymer resin has a thickness of 23 to 100 mu m, the aluminum foil has a thickness of 1 to 30 mu m, 0.1 to 10 gf / cm < 2 >. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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