KR101885714B1 - Test socket - Google Patents

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Abstract

본 발명은 테스트 소켓에 관한 것으로, 반도체 소자(10)의 단자(12)와 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)를 전기적으로 연결시키기 위해 실리콘 고무(32)로 이루어진 절연부(30)와; 상기 절연부(30)의 상,하부에 각각 배치된 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)과; 상기 절연부(30)와 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)를 관통하는 적어도 하나 이상의 도전부(70)를 일체로 구성하며, 상기 하나 이상의 도전부(70)는 도전성 탄성체(80)에 복수개의 도전성 탄성입자(90)를 혼합하여 구성된다.The present invention relates to a test socket and includes an insulating portion 30 made of a silicon rubber 32 for electrically connecting the terminal 12 of the semiconductor element 10 and the conductive pad 22 of the test board 20, ; Upper and lower polyimide films (40, 50) respectively disposed on upper and lower portions of the insulation part (30); The at least one conductive part 70 integrally includes at least one conductive part 70 passing through the insulating part 30 and the upper and lower polyimide films 40 and 50. The at least one conductive part 70 is electrically connected to the conductive elastic body 80 And a plurality of conductive elastic particles 90 are mixed.

Description

테스트 소켓{Test socket}Test socket {Test socket}

본 발명은 테스트 소켓에 관한 것으로, 특히 얼라인 공차를 줄이기 위하여 소켓 프레임과 바디를 일체화하고 도전성 탄성체에 나노 범프를 적용한 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket, and more particularly to a test socket in which a socket frame and a body are integrated and a nano bump is applied to a conductive elastic body in order to reduce an alignment tolerance.

종래, 실리콘 소켓은 메인 바디인 실리콘 소재에 홀을 형성하여, 이러한 홀에 은 분말과 폴리머를 적당한 비율로 섞어 도전체를 형성하였다. 그러나, 이러한 실리콘 소켓은 전기소자의 단자, 즉 디바이스 볼이 상기 도전체를 프레스(Press)하게 되면, 소프트한 실리콘 소재의 메인바디에 의해 도전성 폴의 도전성 분말들이 홀에서 빠져나가게 되고, 실리콘 소켓 상단부의 부드러운 실리콘 소재가 외부로 노출되어 있어, 쉽게 파손된다는 문제가 있었다.Conventionally, a silicon socket is formed with a hole in a silicon material as a main body, and silver is mixed with silver and a polymer in a suitable ratio to form a conductor. However, when the terminal of the electric device, that is, the device ball, presses the conductive material, the conductive sockets of the conductive pores are escaped from the holes by the main body of the soft silicone material, The soft silicone material of the first embodiment is exposed to the outside and is easily damaged.

한국등록특허공보 제10-1047430호(특허문헌 1)는 내부가 관통된 프레임부; 상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디; 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비도전성 커버; 및 상기 메인바디 및 상기 비도전성 커버를 관통하여 형성되어 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체로서, 상기 도전체는 상기 비도전성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되고 상기 도전체를 둘러싸고 형성되는 상기 메인바디에는 상기 도전체에 가해지는 포스(Force)에 대응하기 위한 절개부가 구비되는 것을 특징으로 한다.Korean Patent Registration No. 10-1047430 (Patent Document 1) discloses an ink jet recording head comprising: a frame portion passing through the inside; A main body inserted into the frame portion; A non-conductive cover laminated on an upper end of the main body; And at least one conductor formed to penetrate the main body and the non-conductive cover to relay the electrical connection, wherein the conductor is formed to a height lower than the top surface of the non-conductive cover, And the main body is provided with a cutout corresponding to a force applied to the conductor.

상기 특허문헌 1은 프레임부와 메인바디가 별도로 구성되므로 조립공차가 발생하게 되는 문제점이 있다(즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 프레임부(110)와 메인바디(120)가 별도로 구성되므로 조립공차가 발생하게 된다). 또한, 상기 특허문헌 1의 도전체는 실리콘 소재와 도전성 분말이 혼합된 도전 혼합물로 형성되므로 프레스 전에 도전성 분말들이 상호 떨어져 있고 일정량을 프레스해야만 전기적 신호가 연결되는 문제점을 내포하고 있다.Since the frame part 110 and the main body 120 are formed separately, as shown in FIG. 8, there is a problem that assembly tolerance occurs because the frame part and the main body are separately formed Tolerance occurs). In addition, since the conductor of Patent Document 1 is formed of a conductive mixture in which the silicon material and the conductive powder are mixed, the conductive powder is separated from each other before pressing, and electrical signals are connected only when a certain amount of the conductive powder is pressed.

: 한국등록특허공보 제10-1047430호: Korean Registered Patent No. 10-1047430

본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 프레임과 바디를 일체화하여 얼라인먼트 공차를 제거한 테스트 소켓을 제공한다.An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a test socket in which an alignment tolerance is eliminated by integrating a frame and a body.

본 발명의 다른 목적은 도전성 탄성체와 도전성 탄성입자를 혼합하여 도전부를 형성하여 낮은 압력으로도 용이하게 반도체 소자의 단자 및 테스트 보드의 도전패드에 탄성적으로 전기적 접촉을 수행할 수 있는 테스트 소켓을 제공한다.Another object of the present invention is to provide a test socket capable of easily conducting electrical contact to a terminal of a semiconductor element and a conductive pad of a test board even at a low pressure by mixing a conductive elastic body and conductive elastic particles to form a conductive portion do.

본 발명의 또 다른 목적은 도전성 탄성입자에 돌기(범프)를 형성하고 상기 돌기의 크기를 나노 사이즈로 형성함에 의해 반도체 소자의 손상을 줄이고 아울러 접촉성을 양호하게 하여 접촉 저항을 줄일 수 있는 테스트 소켓을 제공한다.It is still another object of the present invention to provide a test socket capable of reducing contact damage by reducing the damage of a semiconductor device by forming protrusions (bumps) on the conductive elastic particles and forming the protrusions in a nano size, .

본 발명의 테스트 소켓은 반도체 소자의 단자와 테스트 보드의 도전 패드를 전기적으로 연결시키기 위해 실리콘 고무로 이루어진 절연부와; 상기 절연부의 상,하부에 각각 배치된 상부 및 하부 폴리이미드 필름과; 상기 절연부와 상부 및 하부 폴리이미드 필름를 관통하는 적어도 하나 이상의 도전부를 일체로 구성하며, 상기 하나 이상의 도전부는 도전성 탄성체에 복수개의 도전성 탄성입자를 혼합하여 구성된다.The test socket of the present invention includes: an insulating part made of silicone rubber for electrically connecting a terminal of a semiconductor device and a conductive pad of a test board; Upper and lower polyimide films respectively disposed on upper and lower portions of the insulating portion; At least one conductive part passing through the insulating part and the upper and lower polyimide films is integrally formed, and the at least one conductive part is formed by mixing a plurality of conductive elastic particles with the conductive elastic body.

본 발명의 테스트 소켓은 프레임과 바디를 일체화하여 얼라인먼트 공차를 제거하고, 도전성 탄성체와 도전성 탄성입자를 혼합하여 도전부를 형성하여 낮은 압력으로도 용이하게 반도체 소자의 단자 및 테스트 보드의 도전패드에 탄성적으로 전기적 접촉을 수행할 수 있는 이점이 있다.The test socket according to the present invention can eliminate the alignment tolerance by integrating the frame and the body and form a conductive portion by mixing the conductive elastic body and the conductive elastic particles so that the conductive pads of the semiconductor device and the conductive pad of the test board can be easily There is an advantage that the electrical contact can be performed.

또한, 본 발명의 테스트 소켓은 도전성 탄성입자에 돌기(범프)를 형성하고 상기 돌기의 크기를 나노 사이즈로 형성함에 의해 반도체 소자의 손상을 줄이고 아울러 접촉성을 양호하게 하여 접촉 저항을 줄일 수 있는 이점이 있다.In addition, the test socket of the present invention has advantages in that the protrusion (bump) is formed in the conductive elastic particles and the protrusion is formed in the nano size, thereby reducing the damage of the semiconductor element and improving the contact property, .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓의 단면도,
도 2는 본 발명의 테스트 소켓을 테스트 보드에 배치하고 반도체 소자를 테스트하는 상태를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 테스트 소켓의 요부인 전도성 탄성체의 일예를 나타낸 사시도,
도 4는 본 발명의 테스트 소켓의 요부인 전도성 탄성체의 다른 예를 나타낸 사시도,
도 5는 본 발명의 테스트 소켓의 재생하는 상태를 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 테스트 소켓의 도전부와 반도체 소자의 단자가 접촉되는 상태를 나타낸 단면도,
도 7은 본 발명의 테스트 소켓의 외관을 나타낸 평면도,
도 8은 종래의 테스트 소켓을 나타낸 평면도이다.1 is a sectional view of a test socket according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where a test socket of the present invention is placed on a test board and a semiconductor device is tested;
3 is a perspective view showing an example of a conductive elastic body which is a main part of the test socket of the present invention,
4 is a perspective view showing another example of the conductive elastic body which is the main part of the test socket of the present invention,
FIG. 5 is a sectional view showing a reproducing state of the test socket of the present invention,
6 is a cross-sectional view showing a state in which a conductive portion of a test socket and a terminal of a semiconductor element are in contact with each other according to the present invention,
7 is a plan view showing an appearance of a test socket of the present invention,
8 is a plan view showing a conventional test socket.

이하, 본 발명의 테스트 소켓의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an embodiment of a test socket according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 테스트 소켓(100)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 절연부(30)와, 상부 및 하부 폴리이미드 필름(PI(Polyimide) film)(40,50) 및 하나 이상의 도전부(70)로 크게 구성된다.1 and 2, the test socket 100 of the present invention includes an insulating portion 30, upper and lower polyimide films (PI) 40 and 50, (70).

본 발명의 테스트 소켓(100)은 도 8에 도시된 종래의 테스트 소켓의 프레임부(110)와 메인바디(120)를 일체로 구성한 것으로, 종래의 테스트 소켓의 프레임부(110)를 제거하고 메인바디(120)를, 절연부(30)와, 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)과, 적어도 하나 이상의 도전부(70)로 일체로 구성한 것으로 이해하기 바란다.The test socket 100 of the present invention is constructed by integrating the frame 110 and the main body 120 of the conventional test socket shown in FIG. 8 and removing the frame 110 of the conventional test socket, It is understood that the body 120 is integrally formed of the insulating portion 30, the upper and lower polyimide films 40 and 50, and at least one conductive portion 70.

상기 절연부(30)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(10)의 단자(12)와 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)를 전기적으로 연결시키기 위해 실리콘 고무(32)로 이루어지게 된다. 상기 절연부(30)는 후술하는 도전부(70)가 접촉 하중을 받을 때 지지하는 역할을 수행하게 된다. 즉, 상기 실리콘 고무(32)로 형성된 절연부(30)는 반도체 소자(10)의 단자(12) 또는 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)가 접촉될 때 접촉력을 흡수하여 각 단자 및 도전부(70)를 보호하는 역할을 수행하게 된다. 1 and 2, the insulating portion 30 is formed of a silicone rubber 32 (not shown) for electrically connecting the terminal 12 of the semiconductor element 10 and the conductive pad 22 of the test board 20, ). The insulating part 30 plays a role of supporting the conductive part 70 to be described later upon receiving a contact load. That is, the insulating portion 30 formed of the silicone rubber 32 absorbs the contact force when the terminals 12 of the semiconductor element 10 or the conductive pads 22 of the test board 20 are in contact with each other, Thereby protecting the unit 70.

상기 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 절연부(30)의 상부 및 하부에 각각 간격을 두고 배치된다. 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40.50)은 우수한 열적 안정성, 기계적 강도, 내화학성, 내후성, 내열성, 절연특성, 낮은 유전율과 같은 뛰어난 전기적 특성을 갖는 고기능 고분자 재료를 사용하게 된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the upper and lower polyimide films 40 and 50 are disposed at upper and lower portions of the insulation portion 30, respectively. The upper and lower polyimide films (40.50) will use high performance polymeric materials having excellent electrical properties such as excellent thermal stability, mechanical strength, chemical resistance, weather resistance, heat resistance, insulation properties, and low dielectric constant.

상기 하나 이상의 도전부(70)는 도전성 탄성체(80)와 도전성 탄성입자(90)를 혼합하여 형성되며 절연부(30)와 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)를 관통하여 제공된다.The at least one conductive part 70 is formed by mixing the conductive elastic body 80 and the conductive elastic particles 90 and is provided through the insulating part 30 and the upper and lower polyimide films 40 and 50.

상기 도전성 탄성체(80)는 전도성 고분자로 폴리아닐린(Polyaniline)이나 폴리티오펜(Polythiophene)으로 형성하게 된다. 상기 폴리아닐린은 합성이 쉽고 가격이 싸면서, 우수한 전도도와 기계적 물성을 갖는 동시에 여러가지 가공성을 갖고 있다. 그리고, 상기 폴리티오펜은 전기화학적으로 합성되어 전극상에 직접 필름형태로 얻어질 뿐만 아니라 전기화학적 제어에 의해 물성의 조절이 가능하고 전도도가 비교적 높으면서 공기 중이나 수분에 대해 매우 안정적인 특성을 가지고 있다.The conductive elastic body 80 is formed of a conductive polymer such as polyaniline or polythiophene. The polyaniline is easy to synthesize and low in cost, has excellent conductivity and mechanical properties, and has various processability. The polythiophene is electrochemically synthesized and is directly obtained in the form of a film on the electrode, and its physical properties can be controlled by electrochemical control. The polythiophene has a relatively high conductivity and is very stable against air and water.

한편, 전도성 고분자는 가볍고, 저렴하며 가공성이 좋은 물성과 전도도를 쉽게 도핑물질에 의해 조절할 수 있는 장점이 있지만, 불용성이어서 가공이 어렵고 열이나 주위의 환경이 불안정하며 대부분 전도성 고분자 개질 후 전기 전도도가 떨어지는 단점이 있으므로 적정한 양의 가교제(cross-linker), 촉매제, 보강제 및 기타 첨가제를 추가하여 사용하게 된다.On the other hand, the conductive polymer is advantageous in that it can be easily controlled by the doping material because it is light, cheap, and processable. However, since it is insoluble, it is difficult to process and the environment of heat and environment is unstable. Because of the disadvantages, proper amounts of cross-linkers, catalysts, reinforcing agents and other additives are added.

상기 도전성 탄성체(80)는 폴리디메틸실록산(PDMS: Polydimethylsiloxane)에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 중 적어도 한 개 이상의 금속으로 구성되는 도전성 금속 합금재를 사용해도 된다.The conductive elastic body 80 may be formed of a material such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd) A conductive metal alloy material composed of at least one of the metals may be used.

한편, 상기 도전성 탄성체(80)의 일측에는 도 5에 도시된 바와 같이, 소켓(100)의 재생(수리)시, 도전성 페이스트(82)를 추가로 도포하고, 상기 도전성 페이스트(82)와 후술하는 도전성 탄성입자(90)를 결합시켜 다시 재생시킬 수 있다. 상기 도전성 페이스트(82)는 통상 사용되는 것으로, 은(Ag)을 비롯하여 구리(Cu), 니켈(Ni), 카본(Carbon) 등이 있으며, 이들을 고분자 용액에 분산시켜 사용하고 있다.5, a conductive paste 82 is further coated on one side of the conductive elastic body 80 at the time of reproducing (repairing) the socket 100, and the conductive paste 82, The conductive elastic particles 90 can be bonded and regenerated again. The conductive paste 82 is typically used and includes silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), and carbon (Carbon). These conductive pastes 82 are dispersed in a polymer solution.

상기 도전성 탄성입자(90)는 도 3에 도시된 바와 같이, 볼 형태로 구성되고, 상기 볼의 외주면에는 복수개의 돌기(92)가 형성된다. 그리고, 상기 도전성 탄성입자(90)의 복수개의 돌기(92)의 사이즈는 15 내지 160 nm로 형성하게 되고, 바람직하게는 20 내지 50 nm로 형성하게 된다.The conductive elastic particles 90 are formed in a ball shape as shown in FIG. 3, and a plurality of protrusions 92 are formed on the outer circumferential surface of the ball. The size of the plurality of protrusions 92 of the conductive elastic particles 90 is 15 to 160 nm, preferably 20 to 50 nm.

상기 도전성 탄성입자(90)는 수지 코어 입자를 변형한 것으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 수지 코어 입자(95)에 니켈 도금층(94)을 형성하고, 상기 니켈 도금층(94)에 복수개의 돌기(92)가 형성된다. 상기 니켈 도금층(94)은 무전해 니켈도금과 치환도금, 무전해 니켈도금과 팔라듐, 무전해 니켈과 보론 도금 중의 어느 하나를 수행하게 된다. 여기서, 상기 니켈 도금층(94)은 볼의 외주면에 형성되는 것으로 이해하기 바란다.3, a nickel plating layer 94 is formed on the resin core particles 95, and the nickel plating layer 94 is provided with a plurality of projections 94. The nickel plating layer 94 is formed on the resin core particles 95, (92) is formed. The nickel plating layer 94 may be one of electroless nickel plating, substitution plating, electroless nickel plating, palladium, electroless nickel plating and boron plating. Here, it is understood that the nickel plating layer 94 is formed on the outer peripheral surface of the ball.

또한, 상기 도전성 탄성입자(90)는 도 4에 도시된 바와 같이, 수지 코어 입자(95)에 니켈 도금층(94)을 형성하고, 상기 니켈 도금층(94)에 다시 금 도금층(96)을 형성하게 된다. 여기서, 상기 금 도금층(96)에는 복수개의 돌기를 형성하지 않았지만, 사용자의 요구에 따라 복수개의 돌기를 형성할 수도 있다.4, the conductive elastic particles 90 may be formed by forming a nickel plating layer 94 on the resin core particles 95 and forming a gold plating layer 96 on the nickel plating layer 94 do. Here, the gold plating layer 96 is not provided with a plurality of protrusions, but a plurality of protrusions may be formed according to a user's request.

이와 같이 구성된 본 발명의 테스트 소켓의 동작 관계에 대하여 설명하기로 한다.The operation of the test socket according to the present invention will be described below.

먼저, 본 발명의 테스트 소켓(100)을 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 테스트 보드(20)에 배치하게 된다. 그리고, 테스트 소켓(100)의 도전부(70)를 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)에 접촉하여 전기적으로 연결되게 한다. 상기 테스트 소켓(100)의 상부에 배치된 반도체 소자(10)의 단자(12)는 도 6에 도시된 바와 같이, 도전부(70)를 소정의 압력으로 가압하여 탄성적으로 접촉됨으로써 전기적으로 연결된다(도 6에 도시된 반도체 소자(10)를 테스트 소켓(100)측으로 가압 전,후의 상태를 참조 바람).First, the test socket 100 of the present invention is placed on the test board 20 as shown in FIGS. The conductive portions 70 of the test socket 100 are brought into contact with the conductive pads 22 of the test board 20 to be electrically connected. 6, the terminal 12 of the semiconductor element 10 disposed on the test socket 100 is elastically contacted by pressing the conductive portion 70 at a predetermined pressure, (See the state before and after pressing the semiconductor element 10 shown in FIG. 6 toward the test socket 100 side).

이와 같은 상태에서 테스트 보드(20)를 통하여 테스트 신호가 테스트 소켓(100)을 거쳐서 반도체 소자(10)로 전달되어 반도체 소자(10)의 테스트를 수행하게 된다.In this state, a test signal is transmitted to the semiconductor device 10 through the test socket 100 through the test board 20, and the semiconductor device 10 is tested.

상기 도전부(70)는 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 도전성 탄성체(80)와 도전성 탄성입자(90)를 혼합하여 형성되므로 종래 비도전성 실리콘과 도전재를 혼합하여 형성한 도전부에 비하여 낮은 압력으로 용이하게 탄성적으로 전기적 접촉을 수행하게 된다.1 and 6, since the conductive part 70 is formed by mixing the conductive elastic body 80 and the conductive elastic particles 90, a conductive part formed by mixing a non-conductive silicon and a conductive material So that it is easy to make elastic electrical contact at low pressure.

상기 도전부(70)는 절연부(30)에 홈(도시되지 않음)을 형성하고 도전성 탄성체(80)와 도전성 탄성입자(90)를 충진하여 복수개를 형성한다. 상기 홈은 공지된 레이저 가공이나 프레스, 금형 등의 방법으로 형성하게 된다.The conductive part 70 forms a plurality of grooves (not shown) in the insulating part 30, and the conductive elastic body 80 and the conductive elastic particles 90 are filled. The grooves are formed by known laser processing, press, or mold.

상기 도전부(70)의 도전성 탄성체(80)는 테스트 소켓(100)의 도전성 탄성입자(90)의 상단부가 반도체 소자(10)의 단자(12)에 의해 눌려지고 테스트 소켓(100)의 도전성 탄성입자(90)의 하단부가 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)에 의해 도전성 탄성입자(90)가 눌려지는 경우, 도전성 탄성입자(90)가 양 측부로 팽창하게 됨에 따라 도전성 탄성체(80)가 갖는 복원력 또는 탄성력으로 도전성 탄성입자(90)의 양 측부를 눌러서 반도체 소자(10)의 단자(12)와 도전성 탄성입자(90)의 접속을 견고하게 하는 역할을 수행하게 된다.The conductive elastic body 80 of the conductive part 70 is formed so that the upper end of the conductive elastic particles 90 of the test socket 100 is pressed by the terminal 12 of the semiconductor element 10 and the conductive elasticity When the conductive elastic particles 90 are pressed by the conductive pads 22 of the test board 20 as the lower end of the particles 90 are pressed against the conductive elastic body 80 as the conductive elastic particles 90 expand to both sides, The conductive elastic particles 90 are pressed against both sides of the conductive elastic particles 90 by the restoring force or elastic force of the conductive elastic particles 90 to secure the connection between the terminals 12 of the semiconductor element 10 and the conductive elastic particles 90.

상기 도전성 탄성체(80)는 전도성 고분자로 폴리아닐린(Polyaniline)이나 폴리티오펜(Polythiophene)으로 형성하거나, 폴리디메틸실록산(PDMS: Polydimethylsiloxane)에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 중 적어도 한 개 이상의 금속으로 구성되는 도전성 금속 합금재로 형성하게 된다.The conductive elastic body 80 may be formed of a conductive polymer such as polyaniline or polythiophene or may be formed of a conductive polymer such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), nickel And is formed of a conductive metal alloy material composed of at least one of Ni, Al, Pt, and Pd.

상기 도전성 탄성입자(90)는 도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 볼 형태로 구성되고, 상기 볼의 외주면에는 복수개의 돌기(92)가 형성되므로 반도체 소자(10)를 저압으로 눌러도 반도체 소자(10)의 단자(12)가 도전부(70)의 도전성 탄성입자(90)와 전기적 접촉을 용이하게 할 수 있게 된다.The conductive elastic particles 90 are formed in a ball shape as shown in FIGS. 3 and 6, and a plurality of protrusions 92 are formed on the outer circumferential surface of the ball. Therefore, even if the semiconductor element 10 is pressed at a low pressure, The terminal 12 of the conductive part 10 can easily make electrical contact with the conductive elastic particles 90 of the conductive part 70. [

상기 도전성 탄성입자(90)는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 볼 형태로 구성되고, 상기 볼의 외주면에 돌기가 형성되지 않더라도 도전부(70)의 도전성 탄성체(80)가 도전성을 갖게 되므로 저압으로 눌러도 반도체 소자(10)의 단자(12)가 도전부(70)의 도전성 탄성입자(90)와 전기적 접촉을 용이하게 할 수 있게 된다(반도체 소자(10)가 도 3에 도시된 도전성 탄성입자(90)에 비하여 도 4에 도시된 도전성 탄성입자(90)를 다소 높은 압력으로 눌러지게 된다고 이해하기 바란다).As shown in FIGS. 4 and 6, the conductive elastic particles 90 may be formed in a ball shape, and the conductive elastic body 80 of the conductive portion 70 may be made conductive even if no protrusion is formed on the outer circumferential surface of the ball. The terminal 12 of the semiconductor element 10 can easily make electrical contact with the conductive elastic particles 90 of the conductive portion 70 (the semiconductor element 10 has the conductive property shown in Fig. 3 It is understood that the conductive elastic particles 90 shown in Fig. 4 are pressed at a somewhat higher pressure than the elastic particles 90).

이와 같이 구성된 본 발명의 테스트 소켓은 소켓 프레임과 바디를 일체화시킴으로 인해 전체적인 제조공정이 간단해지고 아울러, 얼라인먼트(Alignment) 공차를 줄일 수 있다.The test socket of the present invention having the above-described structure integrates the socket frame and the body, thereby simplifying the overall manufacturing process and reducing the alignment tolerance.

본 발명의 테스트 소켓은 도전성 탄성체와 도전성 탄성입자를 혼합하여 도전부를 형성하게 되므로 낮은 압력으로도 용이하게 반도체 소자의 단자 및 테스트 보드의 도전패드에 탄성적으로 전기적 접촉을 수행할 수 있다.The test socket of the present invention can elastically contact the terminals of the semiconductor device and the conductive pads of the test board easily at a low pressure because the conductive elastomer and the conductive elastic particles are mixed to form the conductive part.

게다가, 본 발명의 테스트 소켓은 도전성 탄성입자에 돌기(범프)를 형성하고 상기 돌기의 크기를 나노 사이즈로 형성하게 되므로 접촉시 반도체 소자의 단자의 손상을 줄일 수 있고 아울러 접촉성을 양호하게 하여 접촉 저항이 줄어들게 된다.Further, since the test socket of the present invention forms protrusions (bumps) on the conductive elastic particles and the protrusions are formed in a nano-size, it is possible to reduce the damage of the terminals of the semiconductor element when contacted, The resistance is reduced.

본 발명의 테스트 소켓은 반도체 소자의 이상 유무를 테스트하는 반도체 테스트 장비 분야에 널리 적용될 수 있다.The test socket of the present invention can be widely applied in the field of semiconductor test equipment which tests for the abnormality of semiconductor devices.

10: 반도체 소자 12: 단자
20: 테스트 보드 22: 도전 패드
30: 절연부 40,50: 상부 및 하부 폴리이미드 필름
70: 도전부 80: 도전성 탄성체
90: 도전성 탄성입자 92: 돌기
100: 소켓 110: 프레임부
120: 메인바디10: semiconductor element 12: terminal
20: test board 22: conductive pad
30: insulation part 40,50: upper and lower polyimide film
70: conductive part 80: conductive elastomer
90: conductive elastic particles 92: projection
100: socket 110: frame part
120: Main Body

Claims (7)

반도체 소자(10)의 단자(12)와 테스트 보드(20)의 도전 패드(22)를 전기적으로 연결시키기 위해 실리콘 고무(32)로 이루어진 절연부(30)와;
상기 절연부(30)의 상,하부에 각각 배치된 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)과;
상기 절연부(30)와 상부 및 하부 폴리이미드 필름(40,50)를 관통하는 적어도 하나 이상의 도전부(70)를 일체로 구성하며,
상기 하나 이상의 도전부(70)는 도전성 탄성체(80)에 복수개의 도전성 탄성입자(90)를 혼합하여 구성되며, 상기 도전성 탄성입자(90)는 볼 형태로 구성되고, 상기 볼의 외주면에는 복수개의 돌기(92)가 형성되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
An insulating part 30 made of a silicon rubber 32 for electrically connecting the terminal 12 of the semiconductor element 10 and the conductive pad 22 of the test board 20;
Upper and lower polyimide films (40, 50) respectively disposed on upper and lower portions of the insulation part (30);
At least one conductive part (70) passing through the insulating part (30) and the upper and lower polyimide films (40, 50)
Wherein the at least one conductive part 70 is formed by mixing a plurality of conductive elastic particles 90 with the conductive elastic body 80 and the conductive elastic particles 90 are formed in a ball shape, And a protrusion (92) is formed.
제1항에 있어서,
상기 도전성 탄성체(80)는 전도성 고분자로 폴리아닐린(Polyaniline)이나 폴리티오펜(Polythiophene)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive elastic body (80) is a conductive polymer and is formed of polyaniline or polythiophene.
제1항에 있어서,
상기 도전성 탄성체(80)는 폴리디메틸실록산(PDMS: Polydimethylsiloxane)에 Ag,Au,Cu,Ni,Al,Pt,Pd 중 적어도 한 개 이상의 금속으로 구성되는 도전성 금속 합금재로 형성되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive elastic body 80 is formed of a conductive metal alloy material made of at least one metal selected from the group consisting of Ag, Au, Cu, Ni, Al, Pt, and Pd in polydimethylsiloxane (PDMS) socket.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도전성 탄성입자(90)의 복수개의 돌기(92)의 사이즈는 15 내지 160 nm인 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
The method according to claim 1,
Wherein a size of the plurality of projections (92) of the conductive elastic particles (90) is 15 to 160 nm.
제1항에 있어서,
상기 도전성 탄성입자(90)는 수지 코어 입자를 변형한 것으로, 수지 코어 입자에 니켈 도금층을 형성하거나 수지 코어 입자에 니켈 도금층을 형성하고 다시 금 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive elastic particles (90) are obtained by modifying the resin core particles, wherein a nickel plating layer is formed on the resin core particles, or a nickel plating layer is formed on the resin core particles and a gold plating layer is formed again.
삭제delete
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