KR101525520B1 - Testing socket including conductive particles having combinable shape - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 검사용 소켓에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 테스트를 받는 반도체 소자의 단자와 테스트 보드(test board)를 전기적으로 연결 시켜주는 검사용 소켓에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체소자의 제조공정이 끝나면 반도체소자에 대한 테스트가 필요하다. 반도체소자의 테스트를 수행할 때에는 테스트장비와 반도체소자 간을 전기적으로 연결시키는 검사용 소켓이 필요하다. 검사용 소켓은 테스트 공정에서 테스터에서 나온 신호가 테스트보드를 거쳐 피검사 대상물인 반도체 소자로 전달될 수 있도록 하는 매개 부품이다. 검사용 소켓은 개별 반도체 소자가 정확한 위치로 이동하여 테스트보드와 정확하게 접촉하는 기계적 접촉 능력과 신호 전달시 접촉점에서의 신호 왜곡이 최소가 될 수 있도록 안정적인 전기적 접촉능력이 요구된다.When the manufacturing process of the semiconductor device is finished, a test for the semiconductor device is required. When testing a semiconductor device, a test socket for electrically connecting the test equipment and the semiconductor device is required. The test socket is a mediator component that allows the signal from the tester to pass through the test board to the semiconductor device to be inspected during the test process. The test socket requires a stable electrical contact capability so that the discrete semiconductor device moves to the correct position and has the mechanical contact ability to make accurate contact with the test board and the signal distortion at the contact point at the time of signal transmission to be minimized.
종래의 검사용 소켓의 도전부는 실리콘 고무와 이에 배치되는 구형 즉, 울퉁불퉁한 형상을 가지는 도전성 입자로 구성되어 있다. 이 도전성 입자는 실리콘 고무에 의해 고정되어 있는 구조이다.The conductive portion of the conventional inspection socket is composed of a silicone rubber and a spherical shape disposed thereon, that is, conductive particles having a rugged shape. These conductive particles are fixed by silicone rubber.
이러한 울퉁불퉁한 형상의 입자는 피검사 반도체 소자의 단자와 접촉되는 부분이 점 접점으로 한정되어 있기 때문에 집중 하중이 발생되며, 도전성 입자의 도금이 쉽게 손상되고 형상이 쉽게 변형되고 마모된다. 그에 따라 검사용 소켓의 수명이 급격하게 떨어진다.Such ruggedly shaped particles are liable to cause concentrated loads because the portion of the rugged semiconductor element which is in contact with the terminals of the semiconductor device to be inspected is limited to the point contact, so that the plating of the conductive particles is easily damaged and the shape is easily deformed and worn. As a result, the life of the test socket drops sharply.
또한, 피검사 반도체 소자의 단자에 접촉되는 부분뿐만 아니라 도전부 내의 도전성 입자들 간에도 이와 동일한 현상이 발생되는데 이는 피검사 반도체 소자의 상하운동에 따른 도전성 입자의 움직임에 의해 도전성 입자가 실리콘 내부에서 위치 변화가 일어나고 도전성 입자 간에 마찰이 발생하게 되기 때문에 도전성 입자의 도금이 쉽게 벗겨지고 형상이 쉽게 변형 되고 마모 된다. 그러므로 점에 의한 접점에 의지하는 울퉁불퉁한 형상의 도전성 입자를 가진 도전부는 검사 하고자 하는 반도체소자의 단자에 의해서 눌림이 크고, 횟수가 많아지면 전기적 특성이 급격하게 나빠지는 문제점을 가지고 있다. This phenomenon occurs not only in the portion of the semiconductor element to be inspected but also in the conductive portion in the conductive portion. This is because the conductive particles move in the silicon due to the movement of the conductive particles in accordance with the upward / A change occurs and friction occurs between the conductive particles, so that the plating of the conductive particles easily peels off and the shape is easily deformed and worn. Therefore, the conductive part having the rugged conductive particles depending on the contact by the point has a problem in that the electrical property is drastically deteriorated when the number of times of the pressing is large due to the terminal of the semiconductor element to be inspected.
도 1은 종래 기술에 따른 검사용 소켓을 나타내는 도면이고, 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 단자와 도전부가 접촉하는 것을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing a socket for inspection according to the prior art, and FIG. 2 is a view showing that a terminal of a semiconductor device and a conductive part are in contact with each other according to the related art.
종래 기술에 따른 검사용 소켓(10)은 반도체 소자(16)의 단자(ball lead ; 15)와 접촉하는 도전부(12)와 도전부(12) 사이에서 절연층 역할을 하는 절연부(13)로 이루어진다.The inspecting
도전부(12)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(16)의 단자(14)와 테스트장비와 연결된 테스트 보드(14)의 도전 패드(15)와 접촉하여, 단자(17)와 도전 패드(15)를 전기적으로 연결해준다.The upper end portion and the lower end portion of the
도전부(12)는 실리콘에 도전성 입자(도전성 금속 파우더, 12a) 및 실리콘 고무(13a)를 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용하며, 상기 도전성 입자(12a)는 구형 도전성 입자(12a)가 이용된다.The
도 2를 참조하면, 검사용 소켓(10)의 도전부(12)는 반도체 소자(16)의 테스트를 위한 접촉 시 접촉특성을 높이기 위해 상하로 압력을 받는다. 도전부(12)가 가압되어 상층부의 구형 도전성 입자(12a)는 아래로 밀려나고 중층부의 구형 도전성 입자(12a)는 옆으로 조금씩 밀려난다.2, the
이러한 종래의 검사용 소켓(10)의 도전부(12)에 이용되는 구형 즉, 울퉁불퉁 형상의 도전성 입자(12a)는 작은 크기의 입자가 실리콘 고무(13a)에 의해 고정된 구조이다. 따라서 수많은 반도체 테스트를 수행한 후에는 구형 도전성 입자(12a)가 도전부(12)에서 이탈하거나 함몰되어, 검사용 소켓(10)의 전기적, 기계적인 특성이 저하되는 문제점이 있었다.The spherical or rugged
또한, 단자(17)와 구형 도전성 입자(12a)는 접촉 시 서로 점 접촉되어 집중 하중을 받게 됨에 따라 접촉부위의 손상으로 인한 전기적, 기계적 특성이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, since the
본 발명은 상기와 같은 종래 문제를 해결하고자 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 점, 선, 면 접촉이 용이하게 결합된 도전성 입자를 가진 도전부를 제공하여 반도체 소자를 검사할 경우, 도전부와 단자간의 접촉 시 낮고 일정한 초기저항 값을 가지며 장시간 사용에도 도전성 입자들이 도전부로부터 이탈되거나 함몰되는 것을 방지할 수 있도록 한 것에 의해 저항 값이 크게 증가하지 않도록 하기 위한 검사용 소켓을 제공하고자 한 것이다.It is an object of the present invention to provide a conductive part having conductive particles to which point, line, and surface contact are easily combined, so that when inspecting a semiconductor device, The present invention provides a test socket for preventing the resistance value from being greatly increased by preventing the conductive particles from being detached from or recessed from the conductive portion even when used for a long period of time.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실리콘 고무로 이루어진 절연부와, 복수의 도전성 입자 및 실리콘 고무가 융합되어 상기 절연부를 관통하도록 형성된 적어도 하나의 도전부를 포함하여 이루어지되, 상기 도전성 입자는, 다양한 기둥 모양으로 형성되되, 상기 도전부에 인가되는 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력 중 적어도 하나에 의해 2개 이상의 도전성 입자가 적어도 한 방향에 있어 걸림 결합되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓을 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a semiconductor device comprising: an insulating part made of silicone rubber; and at least one conductive part fused with the plurality of conductive particles and the silicone rubber to penetrate the insulating part, And at least two conductive particles are formed to be engaged with each other in at least one direction by at least one of mechanical mixing, mechanical impact, and magnetic force applied to the conductive parts. to provide.
이때 상기 도전부는 외관을 이루는 몸체부와, 상기 몸체부의 일측에 제공되어 테스트를 받을 반도체 소자의 단자와 접촉되는 제1 접촉부, 그리고 상기 몸체부의 타측에 제공되어 테스트 보드의 도전 패드와 접촉되는 제2 접촉부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The conductive part is provided on one side of the body part and has a first contact part to be in contact with a terminal of the semiconductor device to be tested, and a second contact part provided on the other side of the body part to be in contact with the conductive pad of the test board. And a contact portion.
한편 상기 절연부 상단에는 상기 단자와 제1 접촉부 간의 접촉 위치를 안내함과 더불어 도전성 입자가 외부로 이탈 및 함몰되는 것을 방지하기 위해 가이드홀이 마련된 가이드 플레이트가 더 포함된 것을 특징으로 한다.The upper end of the insulating portion may further include a guide plate having a guide hole for guiding a contact position between the terminal and the first contact portion and for preventing the conductive particles from being separated from the outside.
이때 상기 도전성 입자는 제1 접촉부 및 제2 접촉부 중 적어도 어느 한 곳에 포함된 것을 특징으로 한다.Wherein the conductive particles are contained in at least one of the first contact portion and the second contact portion.
한편 상기 도전성 입자는 외관을 이루는 입자 몸통부와, 상기 입자 몸통부 일측이 개구되도록 형성되어 다른 도전성 입자가 결합될 수 있도록 공간이 마련된 적어도 하나의 개구부, 그리고 상기 개구부를 중심으로 돌출 형성되어 상기 다른 도전성 입자의 개구부로 삽입시켜 상호간에 결합될 수 있도록 제공된 결합부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The conductive particles may include an outer particle body, at least one opening formed to open at one side of the particle body and having a space for coupling the other conductive particles, And an engaging portion provided to be inserted into the opening of the conductive particles and to be coupled to each other.
이때 상기 각 도전성 입자의 결합은 하나의 도전성 입자의 결합부가 다른 도전성 입자의 개구부에 점, 선, 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합되는 것을 특징으로 한다.At this time, the bonding of each conductive particle is characterized in that the bonding part of one conductive particle is bonded to the opening part of the other conductive particle by any one of point, line, and surface contact.
이때 상기 각 도전성 입자는 하나의 도전성 입자의 상부면에 대해 다른 도전성 입자의 상부면이 높이 차를 가지도록 결합되는 것을 특징으로 한다.Wherein each of the conductive particles is coupled to the upper surface of one conductive particle such that the upper surface of the other conductive particle has a height difference.
이때 상기 도전성 입자는 MEMS 공정에 의해 제조된 것을 특징으로 한다.Wherein the conductive particles are manufactured by a MEMS process.
한편 상기 도전성 입자(120)의 개구부(122)는 "U" 형상, "V" 형상 또는 "ㄷ" 형상 중 적어도 어느 하나의 형상으로 제조된 것을 특징으로 한다.The
또한 상기 도전성 입자(120)의 개구부(122)는 "너울" 형상, "W" 형상 또는 "ㄹ" 형상 중 적어도 하나의 형상으로 제조된 것을 특징으로 한다.The
이때 상기 도전성 입자는 개구부의 폭이 결합부의 폭 보다 1um ~ 30um 크게 형성된 것을 특징으로 한다.In this case, the width of the opening of the conductive particle is formed to be 1 μm to 30 μm larger than the width of the coupling portion.
또한 상기 도전부는 상기 실리콘 고무의 중량 대비 상기 도전성 입자의 중량이 0.5~10배 비율로 구성되는 것을 특징으로 한다.The conductive part may be formed to have a weight ratio of 0.5 to 10 times the weight of the conductive particles to the weight of the silicone rubber.
또한 상기 도전성 입자는 철, 구리, 아연, 주석, 크롬, 니켈, 코발트, 알루미늄, 로듐 중 어느 하나의 단일 소재로 형성되거나, 상기 소재 중 두 가지 이상 소재의 이중 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.The conductive particles may be formed of a single material selected from the group consisting of iron, copper, zinc, tin, chromium, nickel, cobalt, aluminum and rhodium, or a double alloy of two or more of the materials.
한편 상기 도전성 입자는 제1 도전성 입자와, 제2 도전성 입자를 포함하여 이루어지되, 상기 제1 도전성 입자는 외관을 이루는 제1 입자 몸통부와, 상기 제1 입자 몸통부 일측이 개구되도록 형성되어 상기 제2 도전성 입자가 결합될 수 있도록 공간이 마련된 적어도 하나의 개구부를 포함하며, 상기 제2 도전성 입자는 외관을 이루는 제2 입자 몸통부와, 상기 제2 입자 몸통부로터 돌출 형성되어 상기 제1 도전성 입자의 각 개구부로 삽입시켜 상호 간에 결합될 수 있도록 제공된 결합부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.Meanwhile, the conductive particles may include a first particle body portion having a first conductive particle and a second conductive particle, the first conductive particle having an outer appearance; Wherein the second conductive particle comprises a second particle body portion having an outer appearance and a second particle body portion protruding from the second particle body portion to form the first conductive particle, And an engaging portion which is inserted into each of the openings of the particle so as to be coupled to each other.
이때 상기 도전성 입자의 결합은 상기 제2 도전성 입자의 결합부가 상기 제1 도전성 입자의 개구부에 선 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합되는 것을 특징으로 한다.Here, the bonding of the conductive particles may be performed by any one of contact of linear or planar contact with the opening of the first conductive particle.
이때 상기 각 도전성 입자는 상기 제1 도전성 입자의 상부면에 대해 제2 도전성 입자의 상부면이 높이 차를 가지도록 결합되는 것을 으로 한다.Here, each of the conductive particles is coupled such that the upper surface of the second conductive particles has a height difference with respect to the upper surface of the first conductive particles.
이때 상기 제1 도전성 입자의 개구부 폭이 상기 제2 도전성 입자의 결합부 폭 보다 1um ~ 30um 크게 형성된 것을 특징으로 한다.Wherein the width of the opening of the first conductive particle is larger than the width of the connection portion of the second conductive particle by 1 um to 30 um.
본 발명에 따른 검사용 소켓은 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력에 의해 서로 용이하게 결합된 도전성 입자를 제공함에 따라 반도체 소자의 단자와 접촉 시 점, 선, 면 접촉으로 인한 접촉 면적이 증대되어 일정하고 낮은 초기저항 값을 얻을 수 있는 효과를 제공할 수 있다.Since the inspection socket according to the present invention provides conductive particles easily coupled to each other by mechanical mixing, mechanical impact and magnetic force, the contact area due to point, line, and surface contact upon contact with the terminals of the semiconductor element is increased It is possible to provide an effect of obtaining a low initial resistance value.
이에 따라, 도전성 입자와 반도체 소자간의 접촉 안정성이 증대되어, 기술발전에 따른 반도체 소자에 전송되는 고주파 전기신호에 대응할 수 있으며, 반도체 소자의 조밀한 피치(Pitch)에 대응할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.Accordingly, the contact stability between the conductive particles and the semiconductor element is increased, and it is possible to cope with a high-frequency electrical signal transmitted to the semiconductor element due to technological development, and to provide an effect of coping with a dense pitch of the semiconductor element have.
또한 본 발명에 의하면 도전부에 결합상태의 도전성 입자가 적용됨에 따라 반도체 소자의 단자와 접촉 시 점, 선, 면 접촉이 이루어져 종래 구형 즉, 불규칙한 형상의 도전성 입자에서 발생된 집중 하중을 분산 시킬 수 있는 효과를 제공하여 도전성 입자의 도금 및 형상을 더 오래 유지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.According to the present invention, as the conductive particles in the coupled state are applied to the conductive parts, point, line, and surface contact are made when the conductive particles contact the terminals of the semiconductor device, so that concentrated loads generated in the conventional spherical, It is possible to provide an effect that the plating and shape of the conductive particles can be maintained longer.
이에 따라 접점이 빈번하게 발생되더라도 도전부가 접촉되는 부분의 손상 및 위치가 변형되는 것을 최대한 지연할 수 있으며, 일부 변형이 발생하여도 도전성 입자간의 결합 구조는 유지되어 종래의 도전성 입자에 비해 안정적으로 접점을 유지할 수 있는 효과를 제고할 수 있다. Accordingly, even if a contact is frequently generated, it is possible to delay the damage and position of the contact portion of the conductive portion as much as possible, and even if some deformation occurs, the bonding structure between the conductive particles is maintained, Can be maintained.
또한 본 발명에 의하면 결합형 도전성 입자를 MEMS 공정에 의해 제조함에 따라 다양한 소재로 결합형 도전성 입자를 제조할 수 있으며, 이중 도금 공정을 통한 도전성 입자의 내구성을 향상시키는 효과를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, the combined conductive particles can be manufactured by using the MEMS process, so that the combined conductive particles can be manufactured from various materials and the durability of the conductive particles can be improved through the double plating process.
도 1은 종래 기술에 따른 검사용 소켓을 나타내는 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 단자와 도전부가 접촉하는 것을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사용 소켓을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자가 도전부에 포함된 상태를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자가 접촉된 예를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자 형상의 예를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자의 다른 설치 예를 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단자와 도전부가 접촉하는 것을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단자와 상부면이 동일하지 않게 결합된 도전성 입자가 접촉될 경우 변화되는 상태를 예시한 도면.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전성 입자를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자와 종래 도전성 입자의 저항 테스트 결과를 나타낸 도면.1 shows a socket for inspection according to the prior art;
Fig. 2 is a view showing that a conductive portion is in contact with a terminal of a semiconductor device according to the prior art; Fig.
3 is a view showing a test socket according to an embodiment of the present invention;
4 shows conductive particles according to an embodiment of the invention.
5 is a view showing a state where conductive particles according to an embodiment of the present invention are contained in a conductive portion.
6 is a view showing an example in which conductive particles are contacted according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing an example of a conductive particle shape according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing another example of setting conductive particles according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing that a conductive portion contacts a terminal of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view illustrating a state where a terminal of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention is changed when conductive particles, which are not uniformly bonded to the upper surface, are contacted. FIG.
11 shows conductive particles according to another embodiment of the present invention.
12 is a graph showing resistance test results of conductive particles and conventional conductive particles according to an embodiment of the present invention.
이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention in which the above objects can be specifically realized will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and additional description thereof will be omitted in the following.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사용 소켓을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자를 나타내는 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자가 도전부에 포함된 상태를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a view showing a test socket according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a view showing conductive particles according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross- Is included in the conductive portion.
다음, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자가 접촉된 예를 나타낸 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자 형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자의 다른 설치 예를 나타낸 도면이다.6 is a view illustrating an example in which conductive particles are contacted according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a view showing an example of conductive particle shapes according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view showing another example of the installation of conductive particles according to one embodiment of the present invention.
다음 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단자와 도전부가 접촉하는 것을 나타내는 도면이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 단자와 상부면이 동일하지 않게 결합된 도전성 입자가 접촉될 경우 변화되는 상태를 예시한 도면이며, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전성 입자를 나타낸 도면이다.9 is a view showing that a terminal of a semiconductor device and a conductive part are in contact with each other according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 11 is a view illustrating a conductive particle according to another embodiment of the present invention. FIG.
다음 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자와 종래 도전성 입자의 저항 테스트 결과를 나타낸 도면이다.12 is a graph showing resistance test results of conductive particles and conventional conductive particles according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 검사용 소켓(100)은 절연부(130)와 도전부(110)를 포함하여 이루어질 수 있다.3, the inspecting
절연부(130)는 실리콘 고무(131)로 형성되어 검사용 소켓(100)의 몸체를 이루며, 후술하는 각 도전부(110)가 접촉 하중을 받을 때 지지하는 역할을 한다. The insulating
더욱 구체적으로 실리콘 고무(131)로 형성된 절연부(130)는 단자(170) 또는 도전 패드(150)가 접촉될 경우, 접촉력을 흡수하여 각 단자(150, 170) 및 도전부(110)를 보호하는 역할을 한다. More specifically, when the terminal 170 or the
절연부(130)에 사용되는 실리콘 고무(131)는 폴리부타디엔, 자연산 고무, 폴리이소프렌, SBR, NBR등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무와, 스티렌 부타디엔 블럭, 코폴리머, 스티렌 이소프렌 블럭 코폴리머등, 및 그들의 수소 화합물과 같은, 블럭 코폴리머와, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌 프로필렌 디엔 코폴리머 중 어느 하나가 사용될 수 있다.The
도전부(110)는 복수의 도전성 입자(120) 및 실리콘 고무(131)가 융합되어 이루어지며 절연부(130)를 관통하도록 설치된다. 이때 본 발명의 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 다양한 기둥 모양으로 형성되되, 도전부에 인가되는 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력 중 적어도 하나에 의해 2개 이상의 도전성 입자(120)가 적어도 한 방향에 있어 걸림 결합되도록 형성된 것을 특징으로 한다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)가 포함된 도전부(110)는 절연부(130)에 3개 설치된 것이 제시되었지만, 반도체 테스트 소자의 크기에 적합하도록 적어도 하나 이상 복수개가 형성되는 것도 가능하여 이에 한정하지는 않는다.Although three
이때 도전부(110)는 외관을 이루는 몸체부(111)와, 몸체부(111)의 일측에 제공되어 반도체 소자(160)의 단자(170)와 접촉되는 제1 접촉부(112), 그리고 몸체부(111)의 타측에 제공되어 테스트 보드(140)의 도전 패드(150)와 접촉되는 제2 접촉부(113)를 포함하여 이루어질 수 있다. 즉 제1 접촉부(112)는 단자(170)와 접촉시키기 위해 제공된 것이고, 제2 접촉부(113)는 도전 패드(150)와 접촉시키기 위해 제공된 것이며, 몸체부(111)는 제1 접촉부(112)와 제2 접촉부(113)를 연결시키기 위해 제공된 것이다.The
한편 절연부(130) 상단에는 가이드 홀(181)이 마련된 가이드 플레이트(180)가 더 포함될 수 있다. 이는 가이드 플레이트(180)의 가이드 홀(181)에 제1 접촉부(112)가 삽입 설치되어, 테스트를 받을 반도체 소자의 단자(170)와 제1 접촉부(112) 간의 접촉 위치를 안내는 것과 더불어 상호간 접촉 시, 단자(170)의 충격에 의해 제1 접촉부(112)의 도전성 입자(120)가 외부로 이탈되거나 함몰되는 것을 방지하기 위해 제공된 것이다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 외관을 이루는 입자 몸통부(121)와, 개구부(122), 그리고 결합부(123)를 포함하여 이루어질 수 있다. As shown in FIGS. 4 and 5, the
이때 개구부(122)는 입자 몸통부(121) 일측이 개구되도록 형성되어 다른 도전성 입자(120)가 결합될 수 있도록 공간 상태로 형성되며, 결합부(123)는 개구부(122)를 중심으로 돌출 형성되어 다른 도전성 입자(120)의 개구부(122)로 삽입시켜 상호간에 결합될 수 있도록 제공된 것이다.At this time, the
한편 각 도전성 입자(120)의 결합은 하나의 도전성 입자(120)의 결합부(123)가 다른 도전성 입자(120)의 개구부(122)에 점, 선 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합될 수 있다.On the other hand, the bonding of each of the
이때 도전성 입자(120)의 개구부(122)는 공간을 중심으로 결합부(123)의 일측이 접촉되도록 제공된 제1 접촉면(122a)과, 결합부(123)의 타측이 접촉되도록 제공된 제2 접촉면(122b)이 마련되는 것이 바람직하다.The
더욱 구체적으로 도 6에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(120)의 결합부(123)가 다른 도전성 입자(120)의 개구부(122)에 결합될 경우, 결합부(123)가 개구부(122)의 제1 접촉면(122a)에 점, 선 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합되거나, 제1 접촉면(122a) 및 제2 접촉면(122b)에 점, 선 또는 면 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합될 수 있다. 이에 따라 결합되는 도전성 입자(120)간의 접촉 면적이 증가하여 상호간의 결속력이 증대되는 것이다.6, when the engaging
한편 도전부(110)를 제조하는 과정에서 도전부(110)에 포함된 각 도전성 입자(120)는 기둥이 세워진 상태 즉, 결합된 도전성 입자(120)의 평평한 면 부분이 반도체 소자의 단자(170)와 접촉될 수 있도록 배치되는 것이 바람직하다. 물론 제조과정에서 기둥이 누워진 상태 즉, 결합된 도전성 입자(120)의 기둥면 부분이 반도체 소자의 단자(170)와 접촉되는 상태로 배치될 수도 있으나, 각 도전성 입자(120)가 결합되는 과정에서 자연적으로 더 많은 도전성 입자(120)들이 수직 상태로 배치되는 바람직한 현상이 도출 되었다.In the process of manufacturing the
이에 따라 반도체 소자의 단자(170)와 결합된 도전성 입자(120)간에도 점, 선 또는 면 접촉 중 어느 한 접촉으로 접촉되는 바, 접촉 하중이 분산되어 도전성 입자(120)로 전달되는 충격이 완화된다. 따라서 저항 값이 일정하면서 낮은 저항 값을 가지게 되어 제품의 수명이 향상시킬 수 있으며 더 나아가 접촉 면적의 증가로 각 도전성 입자(120)의 이탈 및 함몰되는 현상을 방지할 수 있게 된다.As a result, contact between the terminal 170 of the semiconductor device and the
또한 도 10에 도시된 바와 같이, 각 도전성 입자(120)는 하나의 도전성 입자(120)의 상부면(120a)에 대해 다른 도전성 입자(120)의 상부면(120a)이 높이 차를 가지도록 결합될 수 있다. 이때 설명의 편의를 위해 도전성 입자(120)의 양면 중 어느 한 면을 상부면(120a)이라고 칭한다. 따라서 결합된 도전성 입자(120)가 거꾸로 배치될 경우에는 하부에 있는 면을 상부면이라 칭할 수 있는 것이다.10, each of the
이러한 상태로 결합된 도전성 입자(120)는 반도체 소자의 단자(170)와 접촉 시 상부에서 누르는 단자(170)의 접촉 하중과 결합된 도전성 입자(120)와 결속된 실리콘 고무(131)의 탄성력 의해 높이 차가 없이 각 상부면(120a)이 동일한 평면 상태로 이동될 수 있다.The
이러한 도전성 입자(120)는 MEMS 공정을 통해 제조될 수 있으며, MEMS(micro electro mechanical system) 공정은 주로 반도체 집적회로 제작기술의 포토 마스크(photomask) 공정 및 임프린트(imprint) 기술을 이용한다.The
도전성 입자(120)를 MEMS 공정에 의해 제조됨에 따라 균일한 크기 및 모양의 도전성 입자(120)를 제조할 수 있어 도전성 입자(120)의 전기적 안정성을 얻을 수 있다.As the
또한 종래의 구형 즉, 울퉁불퉁한 형상의 도전성 입자와는 다른 다양한 형상의 도전성 입자(120)를 제조할 수 있으며, 특히 상호 결합된 상태이기 때문에 접촉 면적이 증가하여 실리콘 고무(131)와 도전성 입자(120) 간의 결속력을 증대시킬 수 있다.In addition, since
또한 종래의 구형 도전성 입자보다 실리콘 고무(131)와의 접촉 범위를 넓게 형성할 수 있어, 반도체 소자의 단자(170)와 접촉 범위가 넓어 낮은 초기 저항 값을 도출할 수 있는 것과 더불어 단자의 접촉 충격에 의해 실리콘 고무(131)로부터 도전성 입자(120)의 이탈 및 함몰을 방지할 수 있다.In addition, the contact area with the
또한 다양한 소재로 도전성 입자(120)를 제조할 수 있으며, 이중 도금 공정을 통한 도전성 입자(120)의 내구성 확보할 수 있다.In addition, the
본 발명의 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 하나의 개구부(122)를 가지는 형상으로 제조된 것과 두 개의 개구부(122)를 가지는 형상으로 제조된 것을 제시한다. The
더욱 구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(120)는 양면을 가진 기둥 모양으로 하나의 개구부(122)를 가지도록 형성되되, 개구부(122)는 "U" 형상, "V" 형상 또는 "ㄷ" 형상 중 어느 하나의 형상으로 제조될 수 있다.7, the
또한 도전성 입자(120)는 두 개의 개구부(122)를 가지도록 형성되되, "너울" 형상, "W" 형상 또는 "ㄹ" 형상 중 적어도 하나의 형상으로 제조될 수 있다. Also, the
물론 도전성 입자(120)의 형상은 도시되지는 않았지만, 적어도 하나의 개구부(122) 및 결합부(123)가 마련된 십자 형상, 슬롯 형상, 레고 형상, 스프링 형상, 파이프 형상 및 불규칙한 모양 등 상호 결합이 가능한 구조라면 어떠한 형태로도 제조할 수도 있으나, 제조 편의상 위에서 전술한 형성으로 제조하는 것이 바람직한 것이다.Of course, although the shape of the
전술한 바와 같은 도전성 입자(120)는 종래의 기계적 제조방법으로 제조하는 것이 불가능하다. 즉 수십 um 크기의 도전성 입자(120)는 MEMS 공정에 의해 가능한 것이다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)의 크기 공차가 -10um ~ +10um 범위 내에서 균일한 형상으로 형성되는 것이 바람직하며, 도전부(110)는 실리콘 고무(131)의 중량 대비 결합형 도전성 입자(120)의 중량은 0.5~10배 비율로 구성하는 것이 바람직하다. 즉 도전성 입자(120)를 실리콘 고무 중량 대비 10배 이상의 비율로 구성할 경우 실리콘 고무(131)의 양 부족으로 도전성 입자(120)가 이탈되는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.It is preferable that the
또한 도전성 입자(120)는 개구부(122)의 폭(a)이 결합부(123)의 폭(b) 보다 1um ~ 30um 크게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력에 의한 외력에 의해 각 도전성 입자(120)간의 결합 시 점, 선 및 면에 대한 안정적인 접촉이 이루어질 수 있는 범위이며, 반도체 소자의 단자(170)에 대해 접촉 하중을 받을 시 결합된 도전성 입자(120) 간에 이동될 수 있도록 유격을 발생시키기 위한 범위이다. The
도전성 입자(120)는 철, 구리, 아연, 주석, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 로듐 중 어느 하나의 단일 소재로 형성되거나 이들 소재의 2개 또는 그 이상 소재의 이중 합금으로 형성될 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 로듐 도금을 통해 강도 및 내구성을 향상시킬 수 있다. 한편 도전성 입자(120)에 로듐을 도금하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 화학도금 또는 전해 도금법에 의해 도금시킬 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 제1 접촉부(112) 및 제2 접촉부(113) 중 적어도 어느 한 곳에 포함될 수 있다.The
다시 도 3 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 도전성 입자(120)가 제1 접촉부(112)에 포함된 것과 제1 접촉(112)부 및 제2 접촉부(113)의 포함된 것이 제시된다. 도시되지는 않았지만 도전성 입자(120)는 제2 접촉부(113)만 형성할 수도 있고, 도전부(110) 전체에 형성할 수도 있다. 3 and 8, in the embodiment of the present invention, the
본 발명의 일 실시예에서는 각 도전성 입자가 동일한 형상의 구조가 상호 결합된 도전성 입자를 제시하였으나, 본 발명의 다른 실시예에서는 상호 결합되는 도전성 입자가 다른 형상으로 형성된 것을 제시한다.In one embodiment of the present invention, conductive particles each having the same shape are bonded to each other. However, in another embodiment of the present invention, conductive particles to be coupled to each other are formed in different shapes.
이때 본 발명의 일 실시예에서 제시된 동일한 특징 예를 들면, 각 도전성 입자의 제조 방법, 크기, 중량비, 소재 등에 대한 구체적인 설명은 생략 한다At this time, detailed descriptions of the same features shown in the embodiment of the present invention, for example, the manufacturing method, size, weight ratio, material, etc. of each conductive particle are omitted
즉, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전성 입자는 제1 도전성 입자(210)와, 제2 도전성 입자(220)를 포함하여 이루어질 수 있다.That is, as shown in FIG. 11, the conductive particles according to another embodiment of the present invention may include the first
이때 제1 도전성 입자(210)는 외관을 이루는 제1 입자 몸통부(211)와, 제1 입자 몸통부(211) 일측이 개구되도록 형성되어 제2 도전성 입자(220)가 결합될 수 있도록 공간이 마련된 적어도 하나의 개구부(212)를 포함할 수 있다.At this time, the first
제2 도전성 입자(220)는 외관을 이루는 제2 입자 몸통부(221)와, 제2 입자 몸통부(221)로터 돌출 형성되어 제1 도전성 입자(220)의 각 개구부(212)로 삽입시켜 상호 간에 결합될 수 있도록 제공된 결합부(222)를 포함할 수 있다.The second
즉 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 도전성 입자(210)는 오목한 형상의 개구부(212)를 가지도록 형성된 것이고, 제2 도전성 입자(220)는 볼록한 형상의 결합부(222)를 가지도록 형성되어 상호 간의 결합이 이루어질 수 있도록 제공된 것이다.That is, the first
이때 각 도전성 입자(210,220)의 결합은 제2 도전성 입자(220)의 결합부(22)가 제1 도전성 입자(210)의 개구부(212)에 점, 선 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합될 수 있다.At this time, the bonding of the
또한 제1 도전성 입자(210)의 상부면(210a)에 대해 제2 도전성 입자(220)의 상부면(220a)이 높이 차를 가지도록 결합될 수 있다.The
또한 제1 도전성 입자(210)의 개구부(220) 폭이 상기 제2 도전성 입자의 결합부(123) 폭 보다 1um ~ 30um 크게 형성되는 것이 바람직하다.The width of the
한편 본 발명의 다른 실시예에서는 다시 도 11에 도시된 바와 같이, 개구부가 "U" 형상 및 "ㄷ"형상으로 제조된 것을 제시하였으나, 제1 도전성 입자(210) 또는, 제2 도전성 입자(220) 중 어느 한 도전성 입자가 개구부(212)를 가지고 있고 다른 도전성 입가가 결합부(222)를 가지고 있는 형상이라면 모든 형상으로 제조가 가능함은 물론이다.In another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 11, the openings are formed in the U-shape and the C-shape, but the first
이상 전술한 바와 같은 본 발명의 다른 실시예에서도 본 발명의 일 실시예와 동일한 작용 및 효과를 도출할 수 있어 자세한 설명은 생략한다.As described above, in the other embodiments of the present invention, the same operations and effects as those of the embodiment of the present invention can be obtained, and a detailed description thereof will be omitted.
도 9 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 결합된 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓의 작용을 설명하면 이하와 같다. Referring to Figs. 9 and 10, the operation of the inspection socket having the combined conductive particles according to the embodiment of the present invention will be described below.
먼저 검사용 소켓(100)이 설치된 테스트 보드(140)가 준비된다. 이때 검사용 소켓(100)의 도전부(110)에는 도전성 입자(120)의 상부면(120a)이 동일한 평면을 가지도록 결합된 도전성 입자와, 동일하지 않게 결합된 도전성 입자를 포함한다.First, a
다음 도전부(110)의 제2 접촉부(113)는 테스트 보드(140)의 도전 패드(141)에 접촉하여 전기적으로 연결된다. 이때 도전부(110)에 포함된 도전성 입자(120)는 기계적 혼합, 기계적 충동 및 전기적으로 연결된 자기력에 의해 결합이 이루어진다.The
다음 도 9에 도시된 바와 같이, 검사용 소켓(100)의 상부로 이송된 반도체 소자(160)의 단자(170)는 도전부(110)의 제1 접촉부(112)를 소정의 압력으로 가압하여 탄성적으로 접촉됨으로써 전기적으로 연결된다. 이때 도 10a 내지 10c에 도시된 바와 같이, 상부면(120a)이 동일하지 않게 결합된 도전성 입자는 단자(170)의 접촉 하중과 실리콘 고무의 탄성력에 의해 서로 동일한 평면을 가진 상태로 충격을 받으며 변형이 이루어진다. 여기서 도 10a는 상부면이 동일하지 않게 결합된 도전성 입자를 나타내는 도면이고, 도 10b는 도 10a의 단면도 이며, 도 10c는 단자와 접촉 시 도전성 입자가 변형되는 상태를 나타낸 도면이다.9, the
이와 같은 상태에서 테스트 보드(140)를 통하여 테스트 신호가 검사용 소켓(100)을 매개로 반도체 소자(160)로 전달되어 테스트 공정이 이루어진다. In this state, the test signal is transmitted to the
한편 도 12는 종래의 그립부 즉, 관통공이 형성된 도전성 입자와 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120) 간의 저항 테스트를 한 결과를 나타내내는 그래프로서, 세로축은 저항 값을 나타낸 것이고 가로축은 각 도전성 입자의 테스트 포인트를 나타낸 것이다.12 is a graph showing a resistance test between a conventional gripping part, that is, a conductive particle having a through hole formed therein and a
그래프에서 나타난 바와 같이, 종래의 도전성 입자는 저항 값이 일정하지 않고 튀는 값이 반복적으로 나타나는 반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 입자(120)는 저항 값이 일정하게 나타나는 것과 동시에 종래 도전성 입자에 비해 낮은 저항 값이 나타나는 결과를 얻을 수 있었다.
As shown in the graph, the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정한 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형의 실시가 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention as claimed in the claims. And such variations are within the scope of the present invention.
100: 검사용 소켓 110: 도전부
111: 몸체부 112: 제1 접촉부
113: 제2 접촉부 120: 도전성 입자
121: 입자 몸통부 122: 개구부
123: 결합부 130: 절연부
131: 실리콘 고무 140: 테스트 보드
150:도전 패드 160: 반도체 소자
170: 단자 180: 가이드 플레이트
181: 가이드 홀 210: 제1 도전성 입자
211: 제1 입자 몸통부 212: 개구부
220: 제2 도전성 입자 221: 재2 입자 몸통부
222: 결합부
a: 개구부 폭 b: 결합부 폭100: Test socket 110: Conductive part
111: body portion 112: first contact portion
113: second contact portion 120: conductive particle
121: particle body portion 122: opening
123: coupling part 130: insulating part
131: Silicone rubber 140: Test board
150: conductive pad 160: semiconductor element
170: Terminal 180: Guide plate
181: guide hole 210: first conductive particle
211: first particle body 212: opening
220: Second conductive particle 221:
222:
a: opening width b: coupling width
Claims (17)
복수의 도전성 입자(120) 및 실리콘 고무(131)가 융합되어 상기 절연부(130)를 관통하도록 형성된 적어도 하나의 도전부(110)를 포함하여 이루어지되,
상기 도전성 입자(120)는, 다양한 기둥 모양으로 형성되되, 상기 도전부에 인가되는 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력 중 적어도 하나에 의해 2개 이상의 도전성 입자(120)가 적어도 한 방향으로 결합되도록 형성되되,
상기 도전성 입자(120)는
외관을 이루는 입자 몸통부(121);
상기 입자 몸통부(121) 일측이 개구되도록 형성되어 다른 도전성 입자(120)가 결합될 수 있도록 공간이 마련된 적어도 하나의 개구부(122); 그리고,
상기 개구부(122)를 중심으로 돌출 형성되어 상기 다른 도전성 입자(120)의 개구부(122)로 삽입시켜 상호간에 결합될 수 있도록 제공된 결합부(123);를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.An insulating portion 130 made of a silicone rubber 131,
And at least one conductive part (110) formed to penetrate the insulating part (130) by fusing a plurality of conductive particles (120) and a silicone rubber (131)
The conductive particles 120 are formed in a variety of pillar shapes, and at least two conductive particles 120 are formed in at least one direction by at least one of mechanical mixing, mechanical impact, and magnetic force applied to the conductive parts ,
The conductive particles (120)
A particle body 121 forming an outer appearance;
At least one opening 122 formed to open at one side of the particle body 121 and provided with a space for coupling the other conductive particles 120; And,
And an engaging portion 123 protruding from the opening 122 to be inserted into the opening 122 of the other conductive particles 120 so as to be coupled with each other. .
상기 도전부(110)는
외관을 이루는 몸체부(111);
상기 몸체부의 일측에 제공되어 테스트를 받을 반도체 소자(160)의 단자(170)와 접촉되는 제1 접촉부(112); 그리고,
상기 몸체부(111)의 타측에 제공되어 테스트 보드(140)의 도전 패드(150)와 접촉되는 제2 접촉부(113);를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
The conductive part 110
A body portion 111 forming an outer appearance;
A first contact portion 112 provided on one side of the body portion and in contact with a terminal 170 of the semiconductor device 160 to be tested; And,
And a second contact part (113) provided on the other side of the body part (111) and contacting the conductive pad (150) of the test board (140).
상기 절연부(130) 상단에는
상기 단자(170)와 제1 접촉부(111) 간의 접촉 위치를 안내함과 더불어 도전성 입자(120)가 외부로 이탈 및 함몰되는 것을 방지하기 위해 가이드홀(181)이 마련된 가이드 플레이트(180)가 더 포함된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.3. The method of claim 2,
At the upper end of the insulation part 130
A guide plate 180 provided with a guide hole 181 is provided to guide the contact position between the terminal 170 and the first contact portion 111 and to prevent the conductive particles 120 from being deviated and depressed to the outside Wherein the socket is provided with a socket.
상기 도전성 입자(120)는 제1 접촉부(112) 및 제2 접촉부(113) 중 적어도 어느 한 곳에 포함된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method of claim 3,
Wherein the conductive particles (120) are contained in at least one of the first contact portion (112) and the second contact portion (113).
상기 각 도전성 입자(120)의 결합은
하나의 도전성 입자(120)의 결합부(123)가 다른 도전성 입자(120)의 개구부(122)에 점, 선, 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
The bonding of each of the conductive particles 120
Wherein the coupling portion 123 of one conductive particle 120 is coupled to the opening 122 of the other conductive particle 120 by any one of point, line, and surface contact.
상기 각 도전성 입자(120)는
하나의 도전성 입자(120)의 상부면(120a)에 대해 다른 도전성 입자(120)의 상부면(120a)이 높이 차를 가지도록 결합되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 6,
Each of the conductive particles (120)
Characterized in that the upper surface (120a) of the other conductive particles (120) is coupled to the upper surface (120a) of one conductive particle (120) so as to have a height difference.
상기 도전성 입자(120)는 MEMS 공정에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.8. The method of claim 7,
Wherein the conductive particles (120) are manufactured by a MEMS process.
상기 도전성 입자(120)의 개구부(122)는 "U" 형상, "V" 형상 또는 "ㄷ" 형상 중 적어도 어느 하나의 형상으로 제조된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
Wherein the opening 122 of the conductive particle 120 is formed in at least one of a U shape, a V shape, and a C shape.
상기 도전성 입자(120)의 개구부(122)는 "너울" 형상, "W" 형상 또는 "ㄹ" 형상 중 적어도 하나의 형상으로 제조된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
Wherein the openings (122) of the conductive particles (120) are formed in at least one of a "worm" shape, a "W" shape, or a "d" shape.
상기 도전성 입자(120)는 개구부(122)의 폭이 결합부(123)의 폭 보다 1um ~ 30um 크게 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓. The method according to claim 1,
Wherein the width of the opening part (122) of the conductive particle (120) is 1 um to 30 um larger than the width of the coupling part (123).
상기 도전부(110)는
상기 실리콘 고무의 중량 대비 상기 도전성 입자(120)의 중량이 0.5~10배 비율로 구성되는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
The conductive part 110
Wherein the weight of the conductive particles (120) is 0.5 to 10 times the weight of the silicone rubber.
상기 도전성 입자(120)는 철, 구리, 아연, 주석, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄, 로듐 중 어느 하나의 단일 소재로 형성되거나, 상기 소재 중 두 가지 이상 소재의 이중 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
The conductive particles 120 may be formed of a single material selected from the group consisting of iron, copper, zinc, tin, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum and rhodium, For inspection.
복수의 도전성 입자(120) 및 실리콘 고무(131)가 융합되어 상기 절연부(130)를 관통하도록 형성된 적어도 하나의 도전부(110)를 포함하여 이루어지되,
상기 도전성 입자(120)는, 다양한 기둥 모양으로 형성되되, 상기 도전부에 인가되는 기계적 혼합, 기계적 충격 및 자기력 중 적어도 하나에 의해 2개 이상의 도전성 입자(120)가 적어도 한 방향으로 결합되도록 형성되되,
상기 도전성 입자(120)는
제1 도전성 입자(210)와, 제2 도전성 입자(220)를 포함하여 이루어지되,
상기 제1 도전성 입자(210)는 외관을 이루는 제1 입자 몸통부(211)와, 상기 제1 입자 몸통부(211) 일측이 개구되도록 형성되어 상기 제2 도전성 입자(220)가 결합될 수 있도록 공간이 마련된 적어도 하나의 개구부(212)를 포함하며,
상기 제2 도전성 입자(220)는 외관을 이루는 제2 입자 몸통부(221)와, 상기 제2 입자 몸통부(221)로터 돌출 형성되어 상기 제1 도전성 입자(210)의 각 개구부(212)로 삽입시켜 상호 간에 결합될 수 있도록 제공된 결합부(222)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.An insulating portion 130 made of a silicone rubber 131,
And at least one conductive part (110) formed to penetrate the insulating part (130) by fusing a plurality of conductive particles (120) and a silicone rubber (131)
The conductive particles 120 are formed in a variety of pillar shapes, and at least two conductive particles 120 are formed in at least one direction by at least one of mechanical mixing, mechanical impact, and magnetic force applied to the conductive parts ,
The conductive particles (120)
The first conductive particles 210 and the second conductive particles 220,
The first conductive particles 210 may include a first particle body 211 having an outer appearance and at least one side of the first particle body 211 may be opened to allow the second conductive particles 220 to be coupled with each other. And at least one opening (212) spaced therefrom,
The second conductive particles 220 are formed by protruding a second particle body 221 having an outer appearance and protruding from the second particle body 221 to form openings 212 of the first conductive particles 210 And an engaging portion (222) provided so as to be inserted and coupled with each other.
상기 각 도전성 입자(210,220)의 결합은
상기 제2 도전성 입자(220)의 결합부(222)가 상기 제1 도전성 입자(210)의 개구부(212)에 점, 선 또는 면 접촉 중 어느 하나의 접촉에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.15. The method of claim 14,
The bonding of each of the conductive particles 210,
Wherein the bonding portion 222 of the second conductive particles 220 is bonded to the opening 212 of the first conductive particles 210 by any one of point, line, and surface contact. socket.
상기 각 도전성 입자(210,220)는
상기 제1 도전성 입자(210)의 상부면(210a)에 대해 제2 도전성 입자(220)의 상부면(220a)이 높이 차를 가지도록 결합되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 검사용 소켓.16. The method of claim 15,
Each of the conductive particles 210,
Wherein the upper surface (220a) of the second conductive particles (220) is coupled to the upper surface (210a) of the first conductive particles (210) so as to have a height difference.
상기 제1 도전성 입자(210)의 개구부(212) 폭이 상기 제2 도전성 입자(220)의 결합부(222) 폭 보다 1um ~ 30um 크게 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.
17. The method of claim 16,
Wherein the opening 212 of the first conductive particle 210 has a width greater than the width of the coupling portion 222 of the second conductive particle 220 by 1 um to 30 um.
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