KR20100084316A - Electical connection device and test socket having the electrical connection device - Google Patents

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KR20100084316A
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Abstract

PURPOSE: An electrical connection device and a test socket having the electrical connection device are provided to implement stable electric connection even in case of terminals have different height. CONSTITUTION: A plurality conductive units(51) are arranged to be connectable with a terminal(141) of a semiconductor device. A support member(20) is respectively combined with the plural conductive units. A supporting member supports the conductive unit. The conductive unit includes a conductive elastic area having plural conductive particles.

Description

전기적 접속체 및 그 전기적 접속체를 포함한 테스트 소켓{Electical connection device and test socket having the electrical connection device}Electrical connection device and test socket having the electrical connection device

본 발명은 전기적 접속체에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스의 단자와 접촉하는 도전부가 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성입자가 포함되어 있는 전기적 접속체 및 그 전기적 접속체를 포함한 테스트 소켓에 대한 것이다.The present invention relates to an electrical connector, and more particularly, to a test socket including an electrical connector including a plurality of conductive particles in an elastic material of high hardness and a conductive part contacting a terminal of a semiconductor device. It is about.

복잡한 공정을 거쳐 제조된 반도체 디바이스는 각종 전기적인 시험을 통하여 특성 및 불량 상태를 검사하게 된다. 구체적으로는 패키지 IC, MCM 등의 반도체 집적 회로 장치, 집적 회로가 형성된 웨이퍼 등의 반도체 디바이스의 전기적 검사에 서, 검사대상인 반도체 디바이스의 한쪽면에 형성된 단자와 테스트 장치의 패드를 서로 전기적으로 접속하기 위하여, 반도체 디바이스와 테스트 장치 사이에는 테스트 소켓이 배치된다. Semiconductor devices manufactured through a complex process are inspected for characteristics and defective states through various electrical tests. Specifically, in the electrical inspection of semiconductor devices such as semiconductor integrated circuit devices such as package ICs and MCMs, and wafers on which integrated circuits are formed, electrically connecting terminals formed on one side of the semiconductor device to be inspected and pads of the test apparatus to each other. For this purpose, a test socket is arranged between the semiconductor device and the test apparatus.

종래기술에 따른 테스트 소켓은 도 1에 도시한 바와 같이, 테스트 장치의 위에 탑재되는 것으로서, 도전패드(130)가 부착된 시트(110)와, 상기 시트(110)의 하측에 배치되는 탄성시트(120)로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the test socket according to the related art is mounted on a test apparatus, and includes a sheet 110 to which a conductive pad 130 is attached, and an elastic sheet disposed below the sheet 110. 120).

상기 시트(110)는 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 대응되는 위치에 관통구멍(111)이 형성되어 있으며, 그 관통구멍(111)에 도전패드(130)가 삽입되어 그 도전패드(130)를 지지하는 구조이다. 이러한 도전패드(130)는 동박 위에 니켈 및 금을 도금한 것이다. The sheet 110 has a through hole 111 formed at a position corresponding to the terminal 141 of the semiconductor device 140, and a conductive pad 130 is inserted into the through hole 111 to form the conductive pad ( 130). The conductive pad 130 is plated with nickel and gold on the copper foil.

상기 탄성시트(120)는 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 대응되는 위치에 배치된 다수개의 도전부(121)와, 상기 도전부(121)를 절연 및 지지하는 절연지지부(122)로 이루어진다. 상기 도전부(121)는 실리콘 고무와 같은 탄성물질(121b) 내에 다수의 도전입자(121a)가 함유된 형태를 가지게 된다.The elastic sheet 120 may include a plurality of conductive parts 121 disposed at positions corresponding to the terminals 141 of the semiconductor device 140, and an insulating support part 122 for insulating and supporting the conductive parts 121. Is done. The conductive portion 121 has a form in which a plurality of conductive particles 121a are contained in an elastic material 121b such as silicone rubber.

이러한 종래기술에 따른 테스트 소켓에 의하여 테스트를 수행하기 위해서는 상기 테스트 소켓을 테스트 장치의 위에 탑재한 상태에서, 검사대상물인 반도체 디바이스를 하강시켜 그 반도체 디바이스의 단자가 상기 테스트 소켓에 접촉되도록 한다. 이때, 상기 각 단자가 도전패드와 접촉하면서 도전패드를 하측으로 밀게 되며, 이에 따라 상기 도전패드는 탄성시트의 도전부를 가압하여 도전부 내에서 탄성물질에 의하여 서로 이격되어 있던 도전입자들을 서로 접촉시킨다. 이와 같이 도전입자들이 서로 접촉되면 전기적으로 연결가능 상태가 형성된다. 이때 테스트 장치로부터 검사신호가 인가되면, 그 검사신호는 탄성시트의 도전부, 도전패드를 거쳐 반도체 디바이스의 단자로 흐르게 되고, 그 반도체 디바이스로부터 되돌아 나오는 신호는 다시 도전패드, 도전부를 거쳐 테스트 장치로 유입되게 되어 소정의 검사를 수행하게 된다.In order to perform the test by the test socket according to the related art, the test device is mounted on the test apparatus, and the semiconductor device as the test object is lowered so that the terminals of the semiconductor device contact the test socket. At this time, each terminal is in contact with the conductive pad to push the conductive pad to the lower side, and thus the conductive pad presses the conductive portion of the elastic sheet to contact the conductive particles spaced apart from each other by the elastic material in the conductive portion. . As such, when the conductive particles contact each other, an electrically connectable state is formed. At this time, when the test signal is applied from the test apparatus, the test signal flows to the terminal of the semiconductor device through the conductive portion and the conductive pad of the elastic sheet, and the signal returned from the semiconductor device is returned to the test apparatus through the conductive pad and the conductive portion. Inflow is performed to perform a predetermined inspection.

이러한 종래기술에 따른 테스트 소켓은 다음과 같은 문제점이 있다.The test socket according to the prior art has the following problems.

첫째, 반도체 디바이스의 단자와 테스트 소켓과의 전기적 연결이 용이하게 되기 위해서는 도전패드의 높이가 전체적으로 높아지는 것이 바람직하다. 반도체 디바이스의 단자가 양각형태로 돌출되어 있는 형태이외에 음각형태로 형성되어 있는 경우에는 도전패드의 높이가 높아 상측으로 돌출된 경우, 그 도전패드가 반도체 디바이스의 단자에 용이하게 접촉할 수 있게 되는 것이다. First, in order to facilitate the electrical connection between the terminal of the semiconductor device and the test socket, it is preferable that the height of the conductive pad be increased as a whole. When the terminals of the semiconductor device are formed in an intaglio form in addition to the protrusions in the embossed form, when the height of the conductive pads protrudes upward, the conductive pads can easily contact the terminals of the semiconductor device. .

그러나, 이와 같이 도전패드의 높이를 증가시키는 데는 한계가 있다. 즉, 일반적으로 도전패드를 제작하기 위해서 동박 위에 니켈 및 금을 도금하게 되는데, 높이를 증가시키기 위해서 니켈 및 금 도금층을 두껍게 하여야 한다. 그러나 이와 같이 도금층의 두께를 두껍게 하게 되면, 도금 공정에 지나치게 많은 시간이 걸릴 염려가 있으며 이에 따라 테스트 소켓을 제작하는 데 많은 시간이 소요된다.However, there is a limit to increasing the height of the conductive pad in this way. That is, in general, nickel and gold are plated on the copper foil in order to fabricate the conductive pad, and the nickel and gold plating layers should be thickened to increase the height. However, when the thickness of the plating layer is increased in this way, the plating process may take too much time, and thus a lot of time is required to manufacture the test socket.

또한, 도금층의 두께가 지나치게 두꺼워지는 경우에는 전체적인 강도가 약화될 염려도 있다. 즉, 도금을 위한 소재로 사용되는 금, 은은 전기전도성은 우수하나 그 강도가 낮아 지나치게 두껍게 도금하는 경우에는 반복된 테스트를 견디지 못하고 동박으로부터 이탈 또는 파손될 위험이 있게 된다.In addition, when the thickness of the plating layer becomes too thick, the overall strength may be weakened. That is, gold and silver used as a material for plating is excellent in electrical conductivity, but if the strength is low, plating too thick may not endure the repeated test and may be separated or damaged from the copper foil.

둘째, 도전패드는 그 상면이 평탄한 평면의 형태로 되어 있어 반도체 디바이스의 단자와의 접촉이 확실하게 이루어지지 않는다. 즉, 표면이 평탄한 도전패드와 반도체 디바이스의 단자는 단일점접으로 서로 접촉을 하게 되어 확실한 전기적 접속이 어려운 단점이 있다.Second, the conductive pad has a flat top surface, so that contact with the terminals of the semiconductor device is not ensured. That is, the surface of the conductive pad and the terminal of the semiconductor device having a flat surface are in contact with each other by a single point of contact, which makes it difficult to secure electrical connection.

셋째, 반도체 디바이스의 단자는 일반적으로 solder로 구성되어 있기 때문에 단자 개개의 높이 편차가 있게 된다. 이때, 모든 단자의 높이가 일정범위 내로 유 지되는 경우에는 별 문제가 없겠으나, 제작공차로 인하여 각 단자들의 두께가 서로 다르게 제작되어 높이편차가 심하게 되는 경우에는 일부 도전패드에는 반도체 디바이스의 단자가 접촉되지 못하여 검사의 신뢰성에 문제가 발생할 염려가 있다. 또한, 단자의 정밀도를 높이는 것은 비교적 고가의 장비가 소요되고 제작시 비용이 증가하는 문제점이 있어서 바람직하지 못하다. 특히, 이러한 문제는 도 2에 도시한 바와 같이 도전패드가 시트에 결합되어 있어서 상하위치이동이 용이하지 않은 경우에 쉽게 발생할 수 있게 된다.Third, since the terminals of the semiconductor device are generally composed of solder, there is a height deviation of each terminal. In this case, if the heights of all terminals are maintained within a certain range, there is no problem. However, when the thickness of each terminal is made different due to manufacturing tolerances and the height deviation is severe, some conductive pads have terminals of the semiconductor device. There is a risk of failure in contact with the reliability of the inspection. In addition, it is not preferable to increase the precision of the terminal because it requires relatively expensive equipment and increases the cost in manufacturing. In particular, this problem can easily occur when the conductive pad is coupled to the seat as shown in FIG.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 반도체 디바이스와의 전기적인 접속이 용이하고, 테스트 시에 불필요하게 접촉압을 높게 할 필요가 없으며, 반도체 디바이스의 단자들의 높이가 서로 다른 경우에도 안정적으로 전기적 접속을 할 수 있게 하는 전기적 접속체를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is easy to make an electrical connection with a semiconductor device, does not need to increase the contact pressure unnecessarily during a test, and even when the heights of terminals of the semiconductor device are different from each other. It is an object of the present invention to provide an electrical connection that enables stable electrical connection.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전기적 접속체는, 반도체 디바이스의 단자와 전기적으로 접속되는 전기적 접속체에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능한 위치에 배치되는 다수의 도전부; 및 상기 다수의 도전부와 각각 결합하여 그 도전부를 지지하기 위한 지지부재;로 구성되고,An electrical connector according to the present invention for achieving the above object, comprising: a plurality of conductive parts disposed at positions connectable with terminals of the semiconductor device, the electrical connectors being electrically connected to terminals of the semiconductor device; And a support member coupled to each of the plurality of conductive parts to support the conductive parts.

상기 도전부에는, 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성입자가 포함되어 있는 도전성 탄성영역을 포함하되, 그 탄성물질은 쇼어 A 경도 (shore A hardness)가 60 이상 또는 쇼어 D 경도가 30이상이다.The conductive portion includes a conductive elastic region in which a plurality of conductive particles are contained in the high hardness elastic material, and the elastic material has a Shore A hardness of 60 or more or a Shore D hardness of 30 or more.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 도전부는, 상기 도전성 탄성영역으로 이루어지고 그 상면이 상기 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 상측부분과,The conductive portion includes an upper portion of the conductive elastic region, the upper surface of which is in contact with a terminal of the semiconductor device;

상기 상측부분의 하측을 이루고 상기 상측부분과 전기적으로 접속되며 금속소재의 도전패드로 이루어진 하측부분으로 구성된 것이 바람직하다.It is preferable that the lower part of the upper part is electrically connected to the upper part and is formed of a lower part made of a conductive pad of a metal material.

상기 전기적 접속체에서, In the electrical connection body,

상기 지지부재는 다공성의 절연성 메쉬로 이루어진 것이 바람직하다.The support member is preferably made of a porous insulating mesh.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 도전성 탄성영역은 지지부재를 사이에 두고 상하관통하여 그 지지부재에 결합되어 있는 것이 바람직하다.Preferably, the conductive elastic region is coupled to the support member by penetrating vertically with the support member interposed therebetween.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 지지부재는 합성수지소재의 시트로 이루어진 것이 바람직하다.The support member is preferably made of a sheet of synthetic resin material.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 지지부재에는 상기 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통되는 관통구멍이 형성되어 있되, 상기 도전부는 상기 관통구멍에 삽입되어 상기 지지부재에 고정결합되어 있는 것이 바람직하다.The support member is provided with a through hole penetrating in a vertical direction at a position corresponding to the terminal of the semiconductor device, wherein the conductive portion is inserted into the through hole and fixedly coupled to the support member.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 도전부에서 상기 관통구멍에 삽입되는 것은 도전성 탄성영역인 것이 바람직하다.It is preferable that the conductive portion is inserted into the through hole in the conductive portion.

상기 전기적 접속체에서, 상기 도전부에서 상기 관통구멍에 삽입되는 것은 도전패드인 것이 바람직하다.In the electrical connector, it is preferable that the conductive pad is inserted into the through hole in the conductive portion.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 탄성물질은 우레탄 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 중 어느 하나로 이루어진 것이 바람직하다.The elastic material is preferably made of any one of a urethane resin, an epoxy resin and an acrylic resin.

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 전도성입자 중 적어도 일부는 상기 탄성물질로부터 돌출되어 있어, 상 기 반도체 디바이스의 단자와 다접점으로 접촉할 수 있는 것이 바람직하다.At least some of the conductive particles may protrude from the elastic material, and may be in multi-contact contact with the terminals of the semiconductor device.

상기 전기적 접속체에서, 상기 전도성입자는 구형, 판형, 침상형 및 부정형 중 어느 하나인 것이 바람직하다.In the electrical connector, the conductive particles are preferably any one of spherical, plate, needle and irregular.

상기 전기적 접속체에서, 상기 전도성입자는 금속입자, 고분자 입자 및 세라믹 입자의 표면에 전도성이 우수한 금, 은, 구리 등이 도금되어 있는 것이 바람직하다.In the electrical connector, it is preferable that the conductive particles are plated with gold, silver, copper, etc. having excellent conductivity on the surfaces of the metal particles, the polymer particles, and the ceramic particles.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전기적 접속체는, 반도체 디바이스의 단자와 전기적으로 접속되는 전기적 접속체에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능한 위치에 배치되는 다수의 도전부; 및 상기 다수의 도전부와 각각 결합하여 그 도전부를 지지하기 위한 지지부재;로 구성되고,An electrical connector according to the present invention for achieving the above object, comprising: a plurality of conductive parts disposed at positions connectable with terminals of the semiconductor device, the electrical connectors being electrically connected to terminals of the semiconductor device; And a support member coupled to each of the plurality of conductive parts to support the conductive parts.

상기 도전부에는, 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성입자가 포함되어 있는 도전성 탄성영역을 포함하되, 상기 도전성 탄성영역에서 전도성입자는 탄성물질보다 돌출되어 그 반도체 디바이스의 단자와 접속되는 것이 바람직하다.The conductive portion may include a conductive elastic region in which a plurality of conductive particles are contained in a high hardness elastic material, wherein the conductive particles in the conductive elastic region protrude more than the elastic material and are connected to terminals of the semiconductor device. .

상기 전기적 접속체에서,In the electrical connection body,

상기 도전성 탄성영역은 그 상면이 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능하고, 그 탄성물질은 쇼어 A 경도 (shore A hardness)가 60 또는 쇼어 D 경도가 30이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the upper surface of the conductive elastic region is connectable with the terminal of the semiconductor device, and the elastic material has a Shore A hardness of 60 or a Shore D hardness of 30 or more.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 테스트 소켓은, 상술한 전기적 접속체가 포함된 테스트 소켓으로서, 상기 전기적 접속체의 하측에 배치되며, 상기 도전부와 대응되는 위치에, 그 도전부의 탄성물질보다 낮은 경도를 가지는 탄성물질 내에 다수의 도전입자가 함유된 도전부 및 그 도전부를 각각 지지 및 절연시키는 절연성 지지부로 구성된 탄성시트가 배치되는 것이 바람직하다.The test socket of the present invention for achieving the above object is a test socket including the above-described electrical connection body, is disposed below the electrical connection body, in a position corresponding to the conductive portion, than the elastic material of the conductive portion It is preferable that an elastic sheet composed of a conductive part containing a plurality of conductive particles and an insulating support part for supporting and insulating the conductive part, respectively, is disposed in the elastic material having a low hardness.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 테스트 소켓은, 상술한 전기적 접속체가 포함된 테스트 소켓으로서, The test socket of the present invention for achieving the above object is a test socket containing the above-described electrical connection,

상기 전기적 접속체의 하측에 배치되며 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통구멍이 형성된 하우징과,A housing disposed under the electrical connection body and having a through hole formed in a vertical direction at a position corresponding to a terminal of the semiconductor device;

상기 관통구멍의 내부에 삽입되어 상하방향으로 압축 및 신장되며 전도성을 가지는 전도성 탄성수단이 마련되는 것이 바람직하다.It is preferable that a conductive elastic means inserted into the through hole and compressed and extended in the vertical direction and having conductivity is provided.

상기 테스트 소켓에서,In the test socket,

상기 탄성수단은 압축코일스프링인 것이 바람직하다.The elastic means is preferably a compression coil spring.

본 발명에 다른 전기적 접속체에 의하면, 두께의 제약이 비교적 없도록 고경도의 탄성물질 내에 다수의 도전성 입자가 포함된 도전부를 이용하여 반도체 디바이스의 단자와 접촉되도록 함에 따라, 도금층을 두껍게 하지 않고도 상기 반도체 디바이스의 단자와 용이하게 접촉할 수 있는 효과가 있다.According to the electrical connector according to the present invention, the semiconductor is contacted with the terminals of the semiconductor device by using a conductive part including a plurality of conductive particles in a high hardness elastic material so that the thickness is not restricted, so that the semiconductor layer is not thickened. There is an effect that can easily contact the terminal of the device.

또한, 반도체 디바이스의 단자는 다수의 도전성입자들과 접촉하게 됨에 따라 단일 점점이 아닌 복수의 접점을 가지게 되어 보다 확실한 전기적 접속을 가능하게 하는 효과가 있다.In addition, as the terminals of the semiconductor device come into contact with a plurality of conductive particles, the terminals have a plurality of contacts instead of a single point, thereby enabling more reliable electrical connection.

또한, 단자의 높낮이가 서로 다르더라도 도전부가 각 단자의 높이에 맞춰서 압축됨에 따라 모든 단자들과 접촉할 수 있으므로 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있 는 효과가 있게 된다.In addition, even if the height of the terminals are different from each other, as the conductive portion is compressed in accordance with the height of each terminal can be in contact with all the terminals, thereby improving the reliability of the inspection.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세하게 설명하겠다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전기적 접속체를 포함한 테스트 소켓의 도면이며, 도 5는 도 4의 일부확대도이다.4 is a diagram of a test socket including an electrical connector according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an enlarged view of a portion of FIG. 4.

본 발명에 따른 전기접속체는 지지부재 및 도전부로 이루어진다.The electrical connection body according to the present invention consists of a supporting member and a conductive portion.

상기 지지부재는, 상기 도전부와 결합하여 그 도전부를 지지하기 위한 것이다. 이러한 지지부재로는 합성수지소재의 시트(20)가 사용되는 것이 바람직하다. 이러한 시트는 탄력성이 우수한 것으로서, 그 시트(20)에는 상기 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 대응되는 위치에 소정 크기의 관통구멍(21)이 형성된다. 이러한 관통구멍(21)은 단자(141)의 크기보다는 작은 직경을 가지는 것이 바람직하다.The support member is coupled to the conductive portion to support the conductive portion. As the support member, the sheet 20 made of synthetic resin is preferably used. The sheet is excellent in elasticity, and the sheet 20 has a through hole 21 having a predetermined size at a position corresponding to the terminal 141 of the semiconductor device 140. The through hole 21 preferably has a smaller diameter than the size of the terminal 141.

상기 도전부는 반도체 디바이스의 단자와 접속가능한 위치에 배치되는 것으로서, 하측부분과 상측부분으로 이루어진다. The conductive portion is disposed at a position connectable with a terminal of the semiconductor device, and includes a lower portion and an upper portion.

상기 하측부분은 상측부분의 하측을 이루는 것으로서, 그 상측부분과 전기적으로 접속되며, 금속소재의 도전패드(30)로 이루어진다. 이러한 하측부분을 이루는 도전패드(30)는 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 대응되는 위치에 형성된 상기 관통구멍(21)에 삽입되어 상기 관통구멍(21)에 의하여 지지되는 것이다. 이러한 도전패드(30)는 구체적으로는 관통구멍(21)에 삽입되는 연결부(31)와, 상기 연결 부(31)의 상하단에 각각 일체로 형성되며 상기 관통구멍(21)보다는 큰 직경을 가지는 접촉부(32)로 이루어진다. 도전패드(30)는 동박에 니켈 및 금도금층이 형성되어 있는 구조로 이루어지는 것이 바람직하나, 동박 이외에 다양한 금속소재로 이루어지는 것도 가능하며, 니켈 및 금도금층 이외에 전도성이 우수한 다양한 금속소재가 도금되는 것도 가능하다.The lower portion forms a lower side of the upper portion, is electrically connected to the upper portion, and is made of a conductive pad 30 made of metal. The conductive pad 30 forming the lower portion is inserted into the through hole 21 formed at a position corresponding to the terminal 141 of the semiconductor device 140 and supported by the through hole 21. Specifically, the conductive pad 30 is formed in the connecting portion 31 inserted into the through-hole 21 and the contact portion having a larger diameter than the through-hole 21, respectively integrally formed in the upper and lower ends of the connecting portion (31) It consists of 32. The conductive pad 30 preferably has a structure in which a nickel and gold plated layer is formed on the copper foil. However, the conductive pad 30 may be made of various metal materials in addition to the copper foil, and various metal materials having excellent conductivity may be plated in addition to the nickel and gold plated layers. Do.

상기 도전패드(30)의 접촉부(32) 중에서 시트(20)의 상측에 배치된 접촉부(32)는 후술하는 도전성 탄성영역(40)이 그 상면에 배치되는 것으로서, 접촉부(32) 중에서 시트(20)의 하측에 배치되는 접촉부(32)는 후술하는 도전성 연결부(51)와 접촉된다. The contact portion 32 disposed above the sheet 20 of the contact portion 32 of the conductive pad 30 has a conductive elastic region 40 to be described later disposed on the upper surface thereof. The contact portion 32 disposed underneath the bottom portion) contacts the conductive connecting portion 51 described later.

상기 상측부분은 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성 입자가 포함되어 있는 도전성 탄성영역(40)으로 이루어진다. The upper portion includes a conductive elastic region 40 in which a plurality of conductive particles are included in the high hardness elastic material.

구체적으로는 도전패드(30)에서 시트(20)의 상측에 배치되는 접촉부(32)의 상면에 형성되는 것이다. 상기 도전성 탄성영역(40)은 상기 도전패드(30)의 접촉부(32)와 대략 동일한 직경을 가진다. 그 도전성 탄성영역(40)의 높이는 필요에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 도전성 탄성영역(40)은 탄성물질(41)와 전도성입자(42)로 이루어진다. 구체적으로는 탄성물질(41) 내에 다수의 전도성입자(42)가 함유되어 있는 형태를 가진다. 이와 같이 탄성물질(41) 내에 전도성입자(42)가 함유됨에 따라 반도체 디바이스(140)의 단자(141)들이 상기 도전성 탄성영역(40)을 가압할 때에는 전도성입자(42)들이 서로 접촉되면서 전기적인 접촉상태를 가지게 되며, 단자(141)가 제거되었을 때에는 탄성물질(41)의 탄성복원력에 의하여 전도성 입자(42)들이 원래의 위치로 복귀하게 된다.Specifically, the conductive pad 30 is formed on the upper surface of the contact portion 32 disposed above the sheet 20. The conductive elastic region 40 has a diameter substantially the same as that of the contact portion 32 of the conductive pad 30. The height of the conductive elastic region 40 may be variously formed as necessary. The conductive elastic region 40 is composed of the elastic material 41 and the conductive particles 42. Specifically, the elastic material 41 has a shape in which a plurality of conductive particles 42 are contained. As the conductive particles 42 are contained in the elastic material 41 as described above, when the terminals 141 of the semiconductor device 140 press the conductive elastic regions 40, the conductive particles 42 are in contact with each other and electrically connected. When the terminal 141 is removed, the conductive particles 42 are returned to their original positions by the elastic restoring force of the elastic material 41.

상기 탄성물질(41)은 고경도의 우레탄수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며 실리콘 및 고접착력을 가지는 세라믹 접착제 등도 사용가능하다.The elastic material 41 is preferably one of a high hardness urethane resin, an epoxy resin, and an acrylic resin, but is not limited thereto, and a silicone adhesive and a ceramic adhesive having a high adhesive strength may also be used.

한편, 탄성물질(41)의 경도는 쇼어 A 경도(shore A hardness)가 60 이상 또는 쇼어 D 경도가 30이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 쇼어 A 경도가 60 이상 또는 쇼어 D 경도가 30이상인 것을 요구하는 이유는 외부로 노출되어 있는 도전성 탄성영역(40)이 반복되는 테스트과정에서 쉽게 파손되지 않도록 하기 위함이다. 즉 탄력성 면에서는 경도가 낮은 것이 유리하겠으나, 다수회의 테스트 과정에서 쉽게 파손되지 않기 위해서는 적어도 경도가 일정이상인 것이 필요하다. On the other hand, the hardness of the elastic material 41 is preferably used Shore A hardness (shore A hardness) of 60 or more or Shore D hardness of 30 or more. The reason why the Shore A hardness is 60 or more or the Shore D hardness is 30 or more is to prevent the conductive elastic region 40 exposed to the outside from being easily damaged during the repeated test process. In other words, it is advantageous to have a low hardness in terms of elasticity, but at least the hardness needs to be at least a certain level so as not to be easily broken in a plurality of test procedures.

이러한 도전성 탄성영역(40)은 고분자 또는 고접착력을 가지는 세라믹 접착제 등에 의하여 도전패드(30)에 접착할 수 있으며, 이와 같이 고분자, 세라믹 계열 이외에 solder 크림을 이용하여 전도성입자(42)와 혼합한 후 가열경화시키는 방법을 이용하는 것도 가능하다.The conductive elastic region 40 may be adhered to the conductive pad 30 by a polymer or a ceramic adhesive having a high adhesive strength, and then mixed with the conductive particles 42 by using a solder cream in addition to the polymer and ceramics. It is also possible to use a method of heat curing.

상기 전도성입자(42)는 금속입자, 고분자 입자 및 세라믹 입자 중의 어느 하나의 표면에 전도성이 우수한 금, 은 및 구리 중 적어도 어느 하나가 도금되어 있는 형태를 가지는 것이 바람직하다. 한편, 전도성입자(42) 및 그 도금소재를 이외에도 다양한 소재가 사용될 수 있음은 물론이다.The conductive particles 42 preferably have a form in which at least one of gold, silver, and copper having excellent conductivity is plated on any one surface of the metal particles, the polymer particles, and the ceramic particles. On the other hand, various materials can be used in addition to the conductive particles 42 and the plating material thereof.

이러한 상술한 전기적 접속체는 탄성시트를 더 구비하여 테스트소켓을 이루게 된다. Such electrical connection is further provided with an elastic sheet to form a test socket.

상기 탄성시트(50)는 상기 지지부재의 하측에 배치되는 것으로서, 구체적으로는 도전성 연결부(51)와 절연지지부(52)로 이루어진다. The elastic sheet 50 is disposed on the lower side of the support member. Specifically, the elastic sheet 50 includes a conductive connection part 51 and an insulating support part 52.

상기 도전성 연결부(51)는 탄성물질(51b) 내에 다수의 도전입자(51a)가 함유된 형태로 이루어지는 것으로서, 상하방향으로 연장된 형태를 이룬다. 이러한 도전성 연결부(51)는 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 대응되는 수만큼 형성되며, 그 상면이 상기 도전패드(30)의 하면과 접촉한다. 한편, 상기 도전입자(51a)의 평균입경은 10 ~ 150 ㎛ 인 것이 바람직하다. 도전입자(51a)의 평균입경이 10㎛ 보다 작은 경우에는 동일면적 내에 지나치게 많은 도전입자(51a)가 분포하게 되어 전기적인 간섭 등으로 인한 전기적 저항이 증가될 염려가 있다. 또한, 평균입경이 150㎛ 큰 경우에는 도전입자(51a)의 입자가 지나치게 커서 탄성력이 감소될 염려가 있어 바람직하지 못하다. 상기 탄성물질(51b)은 상술한 도전성 탄성영역(40)의 탄성물질보다는 낮은 경도를 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The conductive connecting portion 51 is formed of a plurality of conductive particles 51a contained in the elastic material 51b, and forms a form extending in the vertical direction. The conductive connectors 51 are formed in the number corresponding to the terminals 141 of the semiconductor device 140, and the upper surfaces of the conductive connectors 51 contact the lower surfaces of the conductive pads 30. On the other hand, it is preferable that the average particle diameter of the said conductive particle 51a is 10-150 micrometers. When the average particle diameter of the conductive particles 51a is smaller than 10 μm, too many conductive particles 51a are distributed in the same area, which may increase the electrical resistance due to electrical interference. In addition, when the average particle diameter is 150 µm, the particles of the conductive particles 51a are too large, which is not preferable because the elastic force may be reduced. It is preferable to use the elastic material 51b having a lower hardness than the elastic material of the conductive elastic region 40 described above.

상기 절연지지부(52)는 각각의 도전성 연결부(51)를 지지 및 절연시키는 것으로서, 탄력성 및 성형성이 우수한 실리콘 고무 및 기타 합성수지소재로 이루어지는 것이 바람직하다.The insulating support portion 52 supports and insulates each of the conductive connecting portions 51, and is preferably made of silicone rubber and other synthetic resin materials having excellent elasticity and formability.

이러한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기적 접속체가 포함된 테스트 소켓은 다음과 같은 작용효과를 가진다.The test socket including the electrical connection according to the preferred embodiment of the present invention has the following effects.

이러한 구성을 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 소켓은 다음과 같은 작용효과를 갖는다.Test socket according to an embodiment of the present invention having such a configuration has the following effects.

먼저, 테스트를 수행하기 위해서, 테스트 소켓을 테스트 장치에 탑재한 후 에, 반도체 디바이스를 하강시켜 그 반도체 디바이스의 단자가 도전성 탄성영역에 접촉하도록 한다. 이 상태에서 반도체 디바이스를 하측으로 누르면, 도전성 탄성영역가 눌리면서 전도성입자들은 서로 접촉하여 전기적인 연결상태를 형성하게 된다. 이와 함께 도전패드와 반도체 디바이스의 단자는 서로 전기적인 연결상태를 이룬다.First, in order to perform the test, after mounting the test socket in the test apparatus, the semiconductor device is lowered so that the terminals of the semiconductor device are in contact with the conductive elastic region. When the semiconductor device is pressed downward in this state, the conductive elastic regions are pressed and the conductive particles are in contact with each other to form an electrical connection state. In addition, the conductive pad and the terminals of the semiconductor device are electrically connected to each other.

한편, 도전패드도 상기 단자에 의하여 하강하면서 탄성시트를 가압하게 되며, 이에 따라 도전부에서는 그 도전입자들이 서로 접촉하면서 전기적인 연결상태를 이루게 된다. 결구, 전체적으로 반도체 디바이스의 단자와 테스트 장치의 패드가 전기적으로 연결된다.On the other hand, the conductive pad is also pushed down by the terminal to press the elastic sheet, so that the conductive portion in contact with each other in the conductive portion to form an electrical connection state. As a result, the terminals of the semiconductor device and the pad of the test apparatus are electrically connected as a whole.

이러한 상태에서 테스트 장치로부터 검사신호가 인가됨으로서, 테스트가 수행될 수 있다.In this state, the test signal may be performed by applying the test signal from the test apparatus.

이러한 본 실시예에서의 전기적 접속체를 포함한 테스트 장치는 도전성 탄성영역이 도전패드의 상측에 형성되어 있으므로, 금도금 또는 니켈도금된 돌출 높이 이상으로 상측으로 돌출될 수 있다. 이에 따라 단자의 형상 또는 구조에 관계없이 어느 경우에도 안정적인 전기적인 접속이 가능하다.In the test apparatus including the electrical connector according to the present embodiment, since the conductive elastic region is formed on the upper side of the conductive pad, the test apparatus may protrude upward beyond the protruding height of gold plating or nickel plating. This enables stable electrical connection in any case regardless of the shape or structure of the terminal.

또한, 본 실시예에서는 도전성 탄성영역 내 포함된 다수의 전도성입자가 반도체 디바이스의 단자에 접속함으로서 전기적인 접속되므로, 종래기술에 비하여 전기적으로 연결되는 부분이 증가된다. 즉 종래기술에서는 단일접점을 이루고 있어 전기적 접속에 필요한 접촉압이 과도하게 요구되는 경우가 있었으나, 본 실시예에서는 다수의 접점을 가지도록 구성되어 있기 때문에 약간의 접촉압을 가하는 경우 에도 양호하게 전기적인 접속상태를 이룰 수 있는 효과가 있다.In addition, in the present embodiment, since the plurality of conductive particles included in the conductive elastic region are electrically connected by connecting to the terminals of the semiconductor device, the electrically connected portions are increased as compared with the prior art. That is, in the prior art, the contact point required for electrical connection has been excessively required because of a single contact point. However, in the present embodiment, since the contact point has a large number of contact points, even when a slight contact pressure is applied, the electrical contact point is satisfactory. There is an effect that can achieve a connection state.

또한, 본 실시예에서는 반도체 디바이스의 단자들 간의 높낮이가 서로 달라 평탄도가 유지되지 않는 경우에도, 도전성 탄성영역이 서로 다른 높낮이를 충분히 흡수할 수 있어 모든 단자가 용이하게 전기적으로 접속될 수 있다. 즉, 다수의 반도체 디바이스에서 어느 한 단자가 다른 단자에 비하여 돌출되어 있는 경우에도 그 돌출된 단자와 접촉하는 도전성 탄성영역이 다른 도전성 탄성영역에 비하여 깊게 압축됨으로서 높이차이를 감안하여 전기적 접속을 가능하게 한다. 이에 반하여, 종래기술과 같이 단단한 도전패드와 직접 접촉되는 경우에는 어느 하나의 단자의 높이가 높거나 지나치게 낮은 경우에는 쉽게 전기적으로 접속하지 못하게 되는 것이다. 이러한 문제는 도전패드들이 시트에 구속되어 있는 경우에 더 쉽게 발생하게 되는 것이다. In addition, in this embodiment, even when the heights of the terminals of the semiconductor device are different from each other and flatness is not maintained, the conductive elastic regions can sufficiently absorb different heights, so that all terminals can be easily electrically connected. That is, even when one terminal protrudes from the other terminal in the plurality of semiconductor devices, the conductive elastic region in contact with the protruding terminal is compressed more deeply than the other conductive elastic region, thereby enabling electrical connection in consideration of the height difference. do. On the contrary, in the case of direct contact with a rigid conductive pad as in the prior art, when the height of either terminal is too high or too low, it is difficult to easily connect electrically. This problem is more likely to occur when the conductive pads are constrained to the sheet.

상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기적 접속체 및 그 전기적 접속체를 포함한 테스트 소켓은 다음과 같은 변형되는 것도 가능하다.The electrical connector according to the preferred embodiment of the present invention and the test socket including the electrical connector may be modified as follows.

첫째, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이 전도성입자(42) 중 일부가 탄성물질로부터 돌출되어, 상기 반도체 디바이스의 단자와 다접점으로 접촉할 수 있다. 이와 같이 전도성입자(42)가 돌출되는 경우에는 보다 쉽게 그 전도성입자(42)가 반도체 디바이스(140)의 단자(141)와 접촉할 수 있어 확실한 전기적 접속이 가능하다는 장점이 있게 된다.First, as shown in FIGS. 6 and 7, some of the conductive particles 42 may protrude from the elastic material to contact the terminals of the semiconductor device in a multi-contact manner. As such, when the conductive particles 42 protrude, the conductive particles 42 may easily contact the terminals 141 of the semiconductor device 140, thereby providing a reliable electrical connection.

둘째, 도 8에 도시한 바와 같이, 전도성입자(42)가 판형으로 이루어지는 것도 가능하다. 이와 같이 판형으로 이루어진 전도성입자(42)는 상하방향으로의 전기 적 접속을 더욱 용이하게 한다. 구형에 비하여 판형으로 이루어지는 전도성입자(42)는 동일체적 내에 포함될 수 있는 전도성입자(42)의 수가 많아지게 되어 보다 확실한 전기적 접속을 가능하게 한다. 이와 함께, 상기 전도성입자(42)는 도 6의 실시예와 유사하게 절연물질(41)보다 상측으로 돌출되는 경우에는 반도체 디바이스의 단자와 직접 접촉이 가능하여 전기적 연결이 보다 용이하게 될 수 있다.Second, as shown in FIG. 8, the conductive particles 42 may have a plate shape. Thus, the conductive particles 42 made of a plate shape further facilitates electrical connection in the vertical direction. Compared to the spherical shape, the plate-shaped conductive particles 42 increase the number of conductive particles 42 that can be included in the same volume, thereby enabling more reliable electrical connection. In addition, similar to the embodiment of FIG. 6, when the conductive particles 42 protrude upward from the insulating material 41, the conductive particles 42 may directly contact the terminals of the semiconductor device, thereby making electrical connection easier.

셋째, 도 9에 도시한 와 같이, 도전부가 도전성 탄성영역(50)으로만 이루어지는 것도 가능하다. 이때에는 도 4 및 도 5에 언급된 실시예와는 다르게 도전성 탄성영역(50)이 관통구멍(21)에 삽입되어 지지부재인 시트(20)에 결합되는 것이다. 한편, 도전성 탄성영역(40)의 하측에는 탄성시트(50)가 마련되어 있게 된다. 이와 같이 도전부가 도전성 탄성영역(40)만으로 이루어지게 되는 경우에는 보다 도전패드가 마련되어 있는 경우보다 탄력성면에서 우수하고 제조도 용이하게 된다. Third, as shown in FIG. 9, it is also possible that a conductive part consists only of the conductive elastic region 50. As shown in FIG. In this case, unlike the embodiment of FIGS. 4 and 5, the conductive elastic region 50 is inserted into the through hole 21 to be coupled to the sheet 20 serving as the support member. On the other hand, the elastic sheet 50 is provided below the conductive elastic region 40. As such, when the conductive portion is made of only the conductive elastic region 40, the conductive portion is more excellent in elasticity and easier to manufacture than the conductive pad is provided.

넷째, 도 10에 도시한 바와 같이, 도 9의 실시예에서 전도성입자(42)가 탄성물질(41)로부터 돌출되는 것도 가능하다. 이와 같이 전도성입자(42)가 돌출되는 경우에는 반도체 디바이스의 단자와 직접적으로 접촉하게 되어 확실한 전기적 접속이 가능하게 된다.Fourth, as shown in FIG. 10, in the embodiment of FIG. 9, the conductive particles 42 may protrude from the elastic material 41. When the conductive particles 42 protrude in this manner, the conductive particles 42 come into direct contact with the terminals of the semiconductor device, thereby enabling reliable electrical connection.

다섯째, 도 11에 도시한 바와 같이, 지지부재로서 시트대신에 다공성의 메쉬(20a)가 사용되는 것도 가능하다. 이러한 다공성의 메쉬(20a)로는, 다양한 소재의 섬유로 이루어진 부직포 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌 섬유, 폴리 에스테르 섬유등이 사용될수 있다. 또한, 얇은 시트에 레이져 천공이나 에칭등에 의하여 격자형의 다수의 구멍을 형성한 것일 수 있다. 이와 같이 메쉬(20a)를 이용하는 경우에는 상하몰드에 고경도 실리콘과 전도성 파우더를 채운다음 그 사이에 절연성 메쉬를 넣고 경화시켜 제조하게 된다. Fifth, as shown in Fig. 11, it is also possible to use a porous mesh 20a instead of a sheet as a supporting member. As the porous mesh 20a, a nonwoven fabric made of fibers of various materials may be used. For example, polyethylene fibers, polyester fibers and the like can be used. Further, the lattice-shaped hole may be formed in the thin sheet by laser drilling or etching. When the mesh 20a is used as described above, high hardness silicon and conductive powder are filled in the upper and lower molds, and an insulating mesh is inserted therebetween to harden them.

이러한 메쉬를 사용하게 되는 경우에는 상술한 도 4 및 도 5에 언급한 관통구멍(21)이 형성된 시트(20)에 비하여 촘촘한 구멍이 형성되어 있으므로 도전부 사이의 피치가 작은 경우에 보다 효과적으로 사용할 수 있게 된다.In the case of using such a mesh, since the denser holes are formed as compared to the sheet 20 in which the through holes 21 described above with reference to FIGS. 4 and 5 are used, they can be used more effectively when the pitch between the conductive parts is small. Will be.

여섯째, 도 4에 도시한 실시예에서는 시트(20)의 하측에 탄성시트(50)가 배치된 구성을 개시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 하우징(60)과 스프링(62)으로 이루어진 형태가 배치되는 것도 고려할 수 있다. 이때, 하우징(60)은 시트(20)의 하측에 배치되는 것으로서, 반도체 디바이스(140)의 단자와 대응되는 위치에 상하방향으로 삽입공(61)이 형성되어 있게 된다. 이러한 하우징(60)은 엔지니어링 플라스틱과 같은 합성수지소재로 이루어지는 것이 바람직하다.Sixth, the embodiment shown in FIG. 4 discloses a configuration in which the elastic sheet 50 is disposed below the sheet 20, but is not limited thereto. That is, it may be considered that the form consisting of the housing 60 and the spring 62 is arranged. In this case, the housing 60 is disposed below the sheet 20, and the insertion hole 61 is formed in the vertical direction at a position corresponding to the terminal of the semiconductor device 140. The housing 60 is preferably made of a synthetic resin material such as engineering plastics.

또한, 스프링(62)은 상기 관통구멍의 내부에 삽입되어 상하방향으로 압축 및 신장되는 것으로서, 그 스프링(62)의 상단은 도전패드(30)와 접촉하게 되며 그 스프링(62)의 하단은 테스트 장치(150)의 패드(151)와 접촉하게 된다. 한편, 스프링(62)은 압축코일스프링이 사용되는 것이 바람직하며, 스프링 대신 탄성력이 좋은 것이라면 무엇이나 사용될 수 있음은 물론이다.In addition, the spring 62 is inserted into the through hole to be compressed and extended in the vertical direction. The upper end of the spring 62 is in contact with the conductive pad 30 and the lower end of the spring 62 is tested. In contact with the pad 151 of the device 150. On the other hand, it is preferable that the spring 62 is a compression coil spring is used, and any spring can be used as long as the elastic force is good.

일곱째, 도시되지는 않았으나, 상기 전도성입자는 침상형 또는 부정형등이 사용되는 것도 가능하다. 이와 같이 침상형의 전도성입자가 사용되는 경우에는 반도체 디바이스의 단자와 접촉시 그 단자의 표면에 파고들어 확실한 접촉이 이루어지게 되므로 전기적으로 안정적인 접속이 가능한 장점이 있다.Seventh, although not shown, the conductive particles may be needle-like or indefinite. When the needle-shaped conductive particles are used as described above, when a contact is made with a terminal of the semiconductor device, the contact surface of the terminal penetrates into the surface of the terminal so that a reliable contact is made.

이상에서 실시예 및 변형예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.Although the present invention has been described in detail with reference to Examples and Modifications, the present invention is not necessarily limited to these Examples and Modifications, and may be variously modified and implemented within the scope without departing from the spirit of the present invention. .

도 1은 종래기술에 따른 테스트소켓을 나타내는 도면.1 shows a test socket according to the prior art;

도 2는 도 1의 테스트소켓의 작동모습을 나타내는 도면.2 is a view showing the operation of the test socket of FIG.

도 3은 도 2의 주요부분의 확대도.3 is an enlarged view of the main part of FIG. 2;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓을 나타내는 도면.4 is a view showing a test socket including an electrical connection according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 주요부분의 확대도.5 is an enlarged view of the main part of FIG. 4;

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓의 주요부분의 도면.6 is an illustration of the main portion of a test socket including an electrical contact in accordance with another embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 작동도면.7 is an operational view of FIG.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 다른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓의 주요부분의 도면.FIG. 8 is an illustration of the main portion of a test socket including electrical connections according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 다른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓의 주요부분의 도면.9 is an illustration of the main portion of a test socket including electrical connections according to another embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 다른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓의 주요부분의 도면.FIG. 10 is an illustration of an essential part of a test socket including electrical connections according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 다른 전기적 접속체를 포함하는 테스트소켓의 주요부분의 도면.FIG. 11 is an illustration of an essential part of a test socket including electrical connections according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 테스트소켓의 도면.12 is a view of a test socket according to another embodiment of the present invention.

<도면부호의 상세한 설명><Detailed Description of Drawings>

10... 테스트 소켓 20...시트10 ... test socket 20 ... seat

21... 관통구멍 30...도전패드21 ... Through hole 30 ... Conductive pad

40... 도전성 탄성영역 41...탄성부40 ... conductive elastic area 41 ... elastic part

42...전도성입자 50...탄성시트42.conductive particles 50 ... elastic sheet

51...도전부 51a...도전입자51 ... conductor 51a ... conductor

51b...탄성물질 60...하우징51b ... elastic material 60 ... housing

61...삽입공 62...스프링61 Insert hole 62 Spring

140...반도체 디바이스 141...단자140 ... semiconductor device 141 ... terminal

150...테스트장치 151...패드150 TESTING DEVICE 151 PAD

Claims (17)

반도체 디바이스의 단자와 전기적으로 접속되는 전기적 접속체에 있어서,In the electrical connection body electrically connected with the terminal of a semiconductor device, 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능한 위치에 배치되는 다수의 도전부; 및 상기 다수의 도전부와 각각 결합하여 그 도전부를 지지하기 위한 지지부재;로 구성되고,A plurality of conductive portions disposed at positions connectable with the terminals of the semiconductor device; And a support member coupled to each of the plurality of conductive parts to support the conductive parts. 상기 도전부에는, 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성입자가 포함되어 있는 도전성 탄성영역을 포함하되, 그 탄성물질은 쇼어 A 경도 (shore A hardness)가 60 이상 또는 쇼어 D 경도가 30이상인 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The conductive part may include a conductive elastic region including a plurality of conductive particles in an elastic material having high hardness, wherein the elastic material has a Shore A hardness of 60 or more and a Shore D hardness of 30 or more. Electrical connection. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전부는, 상기 도전성 탄성영역으로 이루어지고 그 상면이 상기 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 상측부분과,The conductive portion includes an upper portion of the conductive elastic region, the upper surface of which is in contact with a terminal of the semiconductor device; 상기 상측부분의 하측을 이루고 상기 상측부분과 전기적으로 접속되며 금속소재의 도전패드로 이루어진 하측부분으로 구성된 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And a lower portion formed of a conductive pad made of a metal material, the lower portion of the upper portion being electrically connected to the upper portion. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 지지부재는 다공성의 절연성 메쉬로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And the support member is made of a porous insulating mesh. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 도전성 탄성영역은 지지부재를 사이에 두고 상하관통하여 그 지지부재에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And the conductive elastic region is connected to the support member by penetrating up and down with the support member interposed therebetween. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 지지부재는 합성수지소재의 시트로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The support member is an electrical connector, characterized in that made of a sheet of synthetic resin material. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 지지부재에는 상기 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통되는 관통구멍이 형성되어 있되, 상기 도전부는 상기 관통구멍에 삽입되어 상기 지지부재에 고정결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The support member is provided with a through hole penetrating in the vertical direction at a position corresponding to the terminal of the semiconductor device, wherein the conductive portion is inserted into the through hole and is fixedly coupled to the support member. . 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 도전부에서 상기 관통구멍에 삽입되는 것은 도전성 탄성영역인 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And a conductive elastic region inserted into the through hole in the conductive portion. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 도전부에서 상기 관통구멍에 삽입되는 것은 도전패드인 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And a conductive pad inserted into the through hole at the conductive portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄성물질은 우레탄 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The elastic material is an electrical connector, characterized in that made of any one of a urethane resin, epoxy resin and acrylic resin. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성입자 중 적어도 일부는 상기 탄성물질로부터 돌출되어 있어, 상기 반도체 디바이스의 단자와 다접점으로 접촉할 수 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And at least some of the conductive particles protrude from the elastic material so as to be in contact with the terminals of the semiconductor device in multiple contact points. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성입자는 구형, 판형, 침상형 및 부정형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The conductive particle is an electrical connector, characterized in that any one of spherical, plate, needle-like and irregular. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성입자는 금속입자, 고분자 입자 및 세라믹 입자의 표면에 전도성이 우수한 금, 은, 구리 등이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The conductive particles are an electrical connector, characterized in that the surface of the metal particles, polymer particles and ceramic particles are plated with excellent conductivity gold, silver, copper and the like. 반도체 디바이스의 단자와 전기적으로 접속되는 전기적 접속체에 있어서,In the electrical connection body electrically connected with the terminal of a semiconductor device, 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능한 위치에 배치되는 다수의 도전부; 및 상기 다수의 도전부와 각각 결합하여 그 도전부를 지지하기 위한 지지부재;로 구성되고,A plurality of conductive portions disposed at positions connectable with the terminals of the semiconductor device; And a support member coupled to each of the plurality of conductive parts to support the conductive parts. 상기 도전부에는, 고경도의 탄성물질 내에 다수의 전도성입자가 포함되어 있는 도전성 탄성영역을 포함하되, 상기 도전성 탄성영역에서 전도성입자는 탄성물질보다 돌출되어 그 반도체 디바이스의 단자와 접속되는 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.The conductive part may include a conductive elastic region including a plurality of conductive particles in an elastic material having high hardness, wherein the conductive particles protrude from the elastic material and are connected to terminals of the semiconductor device. Electrical connections. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 도전성 탄성영역은 그 상면이 상기 반도체 디바이스의 단자와 접속가능하고, 그 탄성물질은 쇼어 A 경도 (shore A hardness)가 60 이상 또는 쇼어 D 경도가 30이상인 것을 특징으로 하는 전기적 접속체.And the upper surface of the conductive elastic region is connectable to a terminal of the semiconductor device, and the elastic material has a shore A hardness of 60 or more or a Shore D hardness of 30 or more. 제1항 또는 제14항에 따른 전기적 접속체가 포함된 테스트 소켓으로서, A test socket comprising the electrical connector according to claim 1 or 14, 상기 전기적 접속체의 하측에 배치되며, 상기 도전부와 대응되는 위치에, 그 도전부의 탄성물질보다 낮은 경도를 가지는 탄성물질 내에 다수의 도전입자가 함유된 도전부 및 그 도전부를 각각 지지 및 절연시키는 절연성 지지부로 구성된 탄성시트가 배치되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.A conductive part including a plurality of conductive particles in an elastic material having a lower hardness than the elastic material of the conductive part and disposed at a position corresponding to the conductive part, and supporting and insulating the conductive part, Test socket, characterized in that the elastic sheet consisting of an insulating support is arranged. 제1항 또는 제14항에 따른 전기적 접속체가 포함된 테스트 소켓으로서, A test socket comprising the electrical connector according to claim 1 or 14, 상기 전기적 접속체의 하측에 배치되며 반도체 디바이스의 단자와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통구멍이 형성된 하우징과,A housing disposed under the electrical connection body and having a through hole formed in a vertical direction at a position corresponding to a terminal of the semiconductor device; 상기 관통구멍의 내부에 삽입되어 상하방향으로 압축 및 신장되며 전도성을 가지는 전도성 탄성수단이 마련되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.Test socket, characterized in that the conductive elastic means is inserted into the through hole is compressed and stretched in the vertical direction and has a conductivity. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 탄성수단은 압축코일스프링인 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.The resilient means is a test socket, characterized in that the compression coil spring.
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