KR101885220B1 - 프로브 및 프로브의 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 팁부의 마모 및 변형을 방지할 수 있는 프로브 및 이의 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 프로브는 도전성 금속으로 형성되는 사각기둥 형태의 본체; 본체의 양 측면에서 일정 간격을 두고 평행하게 신장되며, 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부; 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 연결되며, 서로 이격되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부; 제 1 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 제 1 수평 접촉부의 접촉면에서 돌출되는 한 쌍의 제 1 접촉 보호부; 및 한 쌍의 수직 접촉부와 제 2 수평 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 제 1 접촉 보호부와 대응되는 형태로 형성되는 한 쌍의 제 2 접촉 보호부;를 구비한다.

Description

프로브 및 프로브의 형성 방법{Probe and Probe Manufacturing Method}
본 발명은 반도체 제조공정 중 웨이퍼 검사공정을 위한 프로브 카드에 사용되는 프로브 및 그 프로브의 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 과정은 실리콘 웨이퍼(wafer) 상에 소자를 형성하기 위한 금속 또는 절연층을 형성하고 패터닝하는 과정을 반복하여 이루어진다. 그리고 실리콘 웨이퍼 상에 제작되는 다수 개의 소자들은 칩 단위로 패키징되고 절단된다. 이러한 과정에서 웨이퍼 상에 제작된 소자들을 패키징 및 절단하기 이전에는 칩들의 불량 여부를 판별하기 위한 웨이퍼 검사공정이 수행되어야 한다.
웨이퍼 검사공정은 웨이퍼 상에 제작된 칩에 구현된 전극패드(용접 볼)에 프로브 카드의 프로브를 직접 접촉시켜서 전기신호를 인가한 후에, 다시 전기신호를 피드백 받아서 칩의 정상 유무를 테스트한다.
프로브 카드에 장착되는 프로브는 프로브 카드와 수평방향에서 수직하부방향으로 굴곡지면서 신장되는 형태를 갖는 것이 일반적이지만, 근래에는 한정된 면적에 고밀도의 프로브를 형성하여 고집적화된 반도체 소자의 전극패드에 효율적으로 대응하기 위한 수직형 프로브가 대두되었다. 이러한 수직형 프로브는 프로브 카드에 고밀도의 프로브를 형성할 수 있는 장점이 있지만, 전극패드와 프로브의 접촉과정에서 접촉 영역인 팁부를 통해서 수직으로 외력이 가해지고, 이로 인해서 팁부의 마모 및 변형이 야기된다.
또한, 수직형 프로브는 전기적 검사 시에 반도체 기판의 상부에서 전극 패드와 대응되도록 정렬된 상태에서 수직으로 하강하여 접촉할 때에 정렬 오차로 인하여 접촉 불량이 발생하기도 한다. 이는 반도체 기판의 에이징 검사시에 온도를 달리하는 과정에서 반도체 기판과 프로브를 탑재하는 프로브 기판의 열 팽창에 의한 위치 이동(열 변형)으로 인한 것이다. 이와 같이 정렬 오차 및 열 팽창에 의한 위치 이동으로 인하여 접촉 불량이 발생할 경우에는 전기적 검사의 신뢰성이 저하된다.
본 발명의 목적은, 전극패드와 접촉 시에 팁부의 마모를 줄일 수 있는 프로브 및 그의 형성 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 외력에 의한 팁부의 변형을 방지할 수 있는 프로브 및 그의 형성 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 기판과 프로브 기판의 정렬 오차 및 열 팽창에 의한 위치 이동이 발생할 경우에도 전기적 검사의 신뢰성을 높일 수 있는 프로브 및 그의 형성 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 프로브는 도전성 금속으로 형성되는 사각기둥 형태의 본체; 본체의 양 측면에서 일정 간격을 두고 평행하게 신장되며, 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부; 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 연결되며, 서로 이격되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부; 제 1 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 제 1 수평 접촉부의 접촉면에서 돌출되는 한 쌍의 제 1 접촉 보호부; 및 한 쌍의 수직 접촉부와 제 2 수평 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 제 1 접촉 보호부와 대응되는 형태로 형성되는 한 쌍의 제 2 접촉 보호부;를 구비한다.
이때, 제 1 접촉 보호부 및 이와 이웃하는 제 1 접촉 보호부와 상기 제 2 접촉 보호부 및 이와 이웃하는 제 2 접촉 보호부는 상기 전극 패드 직경 이하의 간격을 두고 형성될 수 있다.
그리고 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 간격과 수직 접촉부들 간의 간격은 볼 타입의 전극 패드 직경 이하로 형성될 수 있다.
다른 실시예에 의한 프로브는 도전성 금속으로 형성되는 사각기둥 형태의 본체; 본체의 대면하는 양 측면에서 일정 간격을 두고 평행하게 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부; 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 연결되며, 서로 이격되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부; 및 한 쌍의 수직 접촉부들 중단부에서 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 평행하게 형성되며, 대면하는 양 끝단이 수직 접촉부의 내측면으로 돌출되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부;를 구비한다.
그리고 제 1 및 제 2 수평 접촉부들의 중단부에 각각 개재되며, 마주보는 내층 양 끝단이 볼 타입의 전극 패드 직경 이하의 간격을 갖도록 형성되는 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부;를 더 구비할 수 있다.
또한, 제 1 및 제 2 수평 접촉부에는 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성될 수 있다.
전술한 실시예들에서 수평 접촉 보호부와 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부는 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 수직 접촉부 보다 높은 경도를 갖도록 형성될 수 있다.
전술한 실시예들에 의한 프로브는 접촉부가 형성되지 않은 본체의 반대편은 프로브 기판에 접합을 위하여 바닥면이 평평하에 형성될 수 있다. 또는, 접촉부가 형성되지 않은 본체의 반대편은 스프링과의 결합을 위하여 본체의 단면보다 작은 면적을 갖도록 본체의 끝 단면에서 길이 방향으로 돌출되는 가이드부를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명에 의한 프로브를 형성하는 방법은 제 1 내지 제 3 본체부가 적층되어 형성되는 본체, 본체의 대면하는 양 측면에서 길이방향으로 신장되며 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부, 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 형성되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부 및 제 1 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부 사이에 각각 개재되는 한 쌍의 제 1 접촉 보호부, 및 한 쌍의 수직 접촉부와 상기 제 2 수평 접촉부 사이에 각각 개재되는 한 쌍의 제 2 접촉 보호부;를 포함하는 프로브의 형성 방법은 희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부 및 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계; 제 1 수평 접촉부와 이웃하는 제 1 수평 접촉부는 볼 타입의 전극 패드 직경 이하의 간격을 갖도록 형성되고, 전극 패드와 접촉하는 접촉면에서 돌출되도록 한 쌍의 제 1 접촉 보호부를 형성하는 제 2 단계; 제 1 접촉 보호부 및 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 제 1 접촉 보호부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 수직 접촉부와 제 1 본체부 상에 적층되는 제 2 본체부를 형성하는 제 3 단계; 수직 접촉부 위에 제 1 접촉 보호부와 대응되는 형태의 제 2 접촉 보호부를 형성하는 제 4 단계; 및 제 2 접촉 보호부 및 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 제 2 수평 접촉부 및 제 2 본체부 상에 적층되는 제 3 본체부를 형성하는 제 5 단계;를 포함한다.
다른 실시예에 의한 제 1 내지 제 4 본체부가 적층되어 형성되는 사각기둥 형태의 본체, 본체의 4면에서 길이방향으로 각각 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부, 한 쌍의 수직 접촉부 각각의 중단부에 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부를 포함하는 프로브의 형성 방법은 희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부 및 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계; 제 1 수평 접촉부 및 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 제 1 수직 접촉부와 제 1 본체부 상에 적층되는 제 2 본체부를 형성하는 제 2 단계; 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 상에 제 1 수평 접촉부와 평행하면서, 대면하는 양 끝단이 제 1 수직 접촉부의 내측면에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부를 형성하는 제 3 단계; 수평 접촉 보호부 및 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 제 1 수직 접촉부와 대응되는 제 2 수직 접촉부 및 제 2 본체부 상에 적층되는 제 3 본체부를 형성하는 제 4 단계; 및 제 2 수직 접촉부 및 제 3 본체부 상에 제 4 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 제 2 수평 접촉부 및 제 3 본체부 상에 적층되는 제 4 본체부를 형성하는 제 5 단계;를 포함한다.
이때, 제 1 및 제 2 수평 접촉부는 볼 타입의 전극 패드가 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부를 포함하도록 형성될 수 있다.
또 다른 실시예에 의한 제 1 내지 제 4 본체부가 적층되어 형성되는 사각기둥 형태의 본체, 본체의 4면에서 길이방향으로 각각 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부, 한 쌍의 수직 접촉부들 중단부에 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부, 및 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 가운데에 각각 개재되는 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부를 포함하는 프로브의 형성 방법은 희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 가운데에 제 1 개구 영역을 갖도록 형성되는 제 1 수평 접촉부 및 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계; 제 1 개구 영역을 도전성 금속으로 매립하면서 제 1 수평 접촉부에서 내측으로 돌출되도록 형성되는 제 1 수직 접촉 보호부를 형성하는 제 2 단계; 제 1 수평 접촉부, 제 1 수직 접촉부 및 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 및 제 1 본체부 상에 적층되는 제 2 본체부를 형성하는 제 3 단계; 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 상에 제 1 수평 접촉부와 평행하면서, 대면하는 양 끝단이 제 1 수직 접촉부의 내측면에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부를 형성하는 제 4 단계; 수평 접촉 보호부 및 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 제 1 수직 접촉부와 대응되는 제 2 수직 접촉부 및 제 2 본체부 상에 적층되는 제 3 본체부를 형성하는 제 5 단계; 제 1 수평 접촉부와 제 1 및 제 2 수직 접촉부로 규정되는 육면체 공간 내부를 희생층으로 매립하고 그 위에 포토레지스트 패턴을 형성한 다음에 희생층과 포토레지스트 패턴에, 희생층에 제 1 개구 영역과 대응되는 형태의 제 2 개구 영역을 형성하는 제 6 단계; 제 2 개구 영역을 매립하여, 제 2 수직 접촉 보호부를 형성하는 제 7 단계; 및 포토레지스트 패턴을 제거한 후 제 2 수직 접촉부 및 제 3 본체부 상에 제 4 레이어를 적층하여, 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 제 2 수평 접촉부 및 제 3 본체부에 적층되는 제 4 본체부를 형성하는 제 8 단계;를 포함한다.
이때, 희생층은 제 3 단계 이후에 제 1 수평 접촉부와 제 1 수직 접촉부로 규정되는 영역에 제 1 희생층을 적층하고, 제 5 단계 이후에 제 1 희생층 상에 제 2 수직 접촉부의 상단 높이까지 제 2 희생층을 적층함으로써 형성될 수 있다.
그리고 전술한 실시예들에 의한 프로브의 형성 방법에서 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부와 수평 접촉 보호부는 제 1 내지 제 4 레이어보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 프로브는 접촉부를 보호하기 위한 접촉 보호부로 인해서 접촉부의 마모를 개선하여 내구성을 높일 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 프로브는 전극 패드와 접촉하는 팁부를 개구부를 둘러싸는 폐쇄구조로 형성함으로써, 용접 볼 형태의 전극 패드와 접촉 개소를 증가시켜 확실한 접속이 가능하도록 하면서 폐쇄구조의 접촉부로 인하여 외력에 강한 구조를 갖는다.
또한 본 발명에 따른 프로브는 반도체 기판의 전극 패드와 프로브 기판 간의 정렬 오차 및 열 팽창에 의한 위치 이동(열 변형)이 발생할 경우에도 접촉면에서 돌출되거나 내측으로 돌출된 접촉 보호부에 의하여 접속이 이루어지므로 전기적 검사의 신뢰성을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브와 전극패드의 접촉을 나타내는 부분 단면도.
도 4, 도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 나타내는 도면들.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도.
도 7, 도 8a 내지 도 8ℓ은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 나타내는 도면들.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도.
도 11a 내지 도 11q는 본 발명의 제 4 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 나타내는 도면들.
도 12는 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 적용 가능한 변형예를 나타내는 부분 사시도.
이하 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예들을 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 부호가 사용되며, 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.
* 제 1 실시예
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도이고, 도 2는 본 발명에 의한 프로브와 용접 볼 형태의 전극패드의 접촉을 나타내는 부분 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브는 본체(200) 및 본체(200)의 끝단에 형성되어 반도체 다이에 직접 접촉하는 팁부(100)를 포함한다.
본체(200)는 프로브 기판에 결합되어 프로브를 지지하면서 팁부(100)와 인쇄회로기판의 신호 전송을 위한 수단이 되는 것으로, 경도와 전도성을 고려한 금속 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 일례로 본체(200)는 니켈-코발트(NiCo)를 이용하여 형성할 수 있다. 본체(200)의 형상은 기둥 형태로 구현되고, 직사각기둥이나 정사각기둥형태를 가질 수 있다.
팁부(100)는 전기적 검사를 위해서 피검사대상인 반도체 다이(Die,60)의 용접 볼 형태인 전극 패드(10)에 직접 접촉하는 영역을 포함하는 구성이다. 팁부(100)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 한 쌍의 수직 접촉부(120)가 관 형태를 이루어 용접 볼(10)과의 접촉 개소를 증가시켜 확실한 접속이 가능하다. 이와 같이, 팁부(100)는 측면이 폐쇄된 구조의 관 형태로 구현되어서 응력에 강할 수 있다. 그리고 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)에서 전극 패드(10)와 대면하는 접촉면은 오목하게 만곡부(150)가 형성된다. 한 쌍의 제 1 접촉 보호부(131)는 각각 제 1 수평 접촉부(111)와 수직 접촉부(120) 사이에 개재되고, 한 쌍의 제 2 접촉 보호부(132)는 각각 제 2 수평 접촉부(112)와 수직 접촉부(120) 사이에 개재되어 형성된다.
이와 같은 실시예에 의한 프로브에서 팁부에 대해서 좀 더 살펴보면 다음과 같다.
도 1에서와 같이, 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 한 쌍의 수직 접촉부(120)는 직사각기둥 형태인 본체(200)의 일단에서 길이방향으로 신장되도록 형성된다. 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 내측면은 서로 평행하고, 수직 접촉부(120)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 양 끝단에서 직각으로 연결된다. 즉, 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)들은 내측면이 서로 직각을 이루는 폐쇄구조로 형성되고, 이에 따라서 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)들의 내측면에는 개구부(140)가 형성될 수 있다.
개구부(140)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)들이 관 형태로 구현됨으로써 형성되는 구조로서, 도 2에서와 같이, 반도체 다이(60)를 검사할 때에 용접 볼 형태의 전극 패드(10)가 일부 내접하도록 하여 접촉 개소를 증가시켜 확실한 접속이 가능하도록 하면서 폐쇄구조의 접촉부로 인하여 외력에 강한 구조를 갖는다. 개구부(140)는 전극 패드(10)가 반구형인 것을 고려하여, 정사각형으로 형성되도록 할 수 있다. 즉, 개구부(140)의 간격(ℓ)을 규정하는 제 1 및 제 2 접촉 보호부(131,132)들의 내측면 간의 간격과 수직 접촉부(120)들의 내측면 간의 간격이 모두 같은 길이가 되도록 할 수 있다. 그리고 개구부(140)의 간격(ℓ)은 전극 패드(10)의 직경(r) 이하로 형성될 수 있다. 이때 개구부(140)의 간격(ℓ)이 전극 패드(10)의 직경(r)보다 지나치게 작으면 제 1 및 제 2 접촉 보호부(131,132) 외측 즉, 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)의 일 외측면에 접촉되거나 이를 벗어나 불완전하게 접촉될 수도 있고, 개구부(140)의 간격(ℓ)이 전극 패드(10)의 직경(r)보다 클 경우에는 팁부(100)와 전극 패드(10)의 접촉이 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여 개구부(140)의 간격(ℓ)은 설정될 수 있고, 예컨대 개구부(140)의 간격(ℓ)은 전극 패드(10) 직경(r)의 60~90% 길이에 해당 되도록 설정될 수 있다.
그리고 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)는 내측으로 오목하게 굴곡지도록 형성되어 만곡부(150)를 포함한다. 만곡부(150)는 전극 패드(10)의 크기 및 형태에 대응되도록 형성된다. 이러한 만곡부(150)는 전극 패드(10)와의 접촉면을 확보하여 전극 패드가 팁부(100)에 안정적으로 접촉하도록 하며, 팁부(100)가 전극 패드(10)에 접촉할 때 정렬 오차가 발생하여도 오차를 보정하여 얼라인을 용이하게 할 수 있다. 예컨대, 도 3에서 보는 것처럼, 전극 패드(10)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)나 수직 접촉부(120)로 구성되는 팁부(100)의 중심에서 어긋난 상태에서 접촉할 수 있다. 이러한 정렬 오차는 에이징 검사 시에 온도 변화를 가하면서 반도체 다이(60)에 제작된 소자를 검사하는 과정에서, 반도체 다이(60)와 프로브 기판의 열 팽창률이 다르기 때문에 나타날 수 있는 현상이다. 이와 같이 전극 패드(10)와 프로브 간의 정렬 오차가 발생할 경우에도 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 만곡부(150)는 전극 패드(10)가 팁부(100)의 개구부(140) 내측으로 내접할 수 있도록 하여서 전극 패드(10)와의 접촉면을 안정적으로 확보할 수 있다.
또한, 만곡부(150)는 개구부(140)의 내측으로 잔존할 수 있는 불순물을 외부로 배출할 수 있는 통로가 된다. 프로브를 이용한 전기적 검사는 물리적 접촉을 통해서 수행되기 때문에 전극 패드(10)와 팁부(100)의 반복 접촉시에 전극 패드(10)가 마모되어 파티클 즉, 불순물이 발생할 수 있고, 이러한 불순물은 전기적 검사 시에 검사의 신뢰성을 저하시킨다. 만곡부(150)는 개구부(140)에 잔존할 수 있는 불순물이 자연적으로 외부로 배출되도록 유도할 수 있고, 팁부(100)의 청결을 위한 블로잉(blowing) 공정을 통해서 불순물을 청소하기에도 유리한 구조를 갖는다.
이러한 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)는 금속 물질을 이용하여 형성되고, 실질적으로 본체(200)의 형성에 이용되는 물질과 동일한 니켈-코발트(NiCo)를 이용하여 형성할 수 있다.
제 1 및 제 2 접촉 보호부(131,132)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)들을 보호하기 위한 것이다.
제 1 접촉 보호부(131)는 제 1 수평 접촉부(111)와 한 쌍의 수직 접촉부(120)들 사이에서 각각 개재되는 한 쌍의 금속막으로 구성된다. 제 1 접촉 보호부(131)는 제 1 수평 접촉부(111)와 평행하게 형성되고, 서로 이웃하는 제 1 접촉 보호부(131)들 끝단 간의 간격은 전극 패드(10)가 내접할 수 있도록 전극 패드(10)의 직경 이하로 설정될 수 있다. 예컨대, 제 1 접촉 보호부(131)는 제 1 수평 접촉부(111) 상에서 제 1 수평 접촉부(111)의 끝단에서 만곡부(150)가 시작되는 경계선까지의 영역 상에 형성될 수 있다. 또한, 제 1 접촉 보호부(131)는 제 1 수평 접촉부(111)의 접촉면에서 돌출되도록 형성된다. 이때 제 1 수평 접촉부(111)의 접촉면이란 도 2에서 반도체 다이(60)와 평행한 끝 단면을 의미하고, 후술하는 실시예에서 언급하는 접촉면도 동일하다.
그리고 제 2 접촉 보호부(132)는 제 2 수평 접촉부(112)와 한 쌍의 수직 접촉부(120) 사이에서 각각 개재되는 한 쌍의 금속막으로 구성된다. 이러한 제 2 접촉 보호부(132)는 그 형태와 크기가 제 1 접촉 보호부(131)와 대응되도록 형성되고, 같은 기능을 갖는다.
이러한 제 1 및 제 2 접촉 보호부(131,132)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 수직 접촉부(120)들 보다 높은 경도를 갖는 도전성의 금속으로 형성된다. 예컨대, 제 1 및 제 2 접촉 보호부(131,132)는 로듐(Rh)을 이용하여 형성할 수 있다.
이와 같은 제 1 실시예에 의한 프로브는 프로브 기판에 고밀도로 형성하기 위해서 미세 패턴으로 제작될 수 있고, 이를 위해서 반도체 공정을 이용할 수 있다. 반도체 공정에서 동일 물질을 사용하는 구성에 대해서는 도 4에서 보는 것처럼 동일한 레이어를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 제 1 레이어(200a)의 적층으로 제 1 수평 접촉부(111) 및 제 1 본체부(201)를 형성할 수 있고, 제 2 레이어(200b)의 적층으로 수직 접촉부(120) 및 제 2 본체부(202)를 형성할 수 있다. 그리고 제 3 레이어(200c)의 적층으로 제 2 수평 접촉부(112) 및 제 3 본체부(203)를 형성할 수 있다. 이때, 제 1 레이어(200a) 내지 제 3 레이어(200c)를 통해서 각각 형성한 제 1 본체부(201) 내지 제 3 본체부(203)는 본체(200)를 구성한다.
이러한 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 도 1 및 도 4를 결부하여, 5a 내지 도 5i를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보면 다음과 같다. 도 5a 내지 도 5i에서 각각의 도면들은 공정상의 프로브의 평면도, 측면도 및 단면도를 나타낸다.
< 제 1 레이어의 형성 : 도 5a >
먼저, 도 5a에서와 같이 희생 기판(50)상에 도전성 금속 물질을 이용하여 제 1 레이어(200a)를 형성한다. 제 1 레이어(200a)는 제 1 본체부(201) 및 제 1 수평 접촉부(111)의 형성을 위한 것이다. 제 1 레이어(200a)의 형성을 위하여 먼저, 제 1 포토레지스트 패턴(501)을 형성한다. 제 1 포토레지스트 패턴(501)은 제 1 본체부(201) 및 제 1 수평 접촉부(111)의 평면 형상에 대응하도록 형성된다. 즉, 제 1 포토레지스트 패턴(501)은 제 1 본체부(201) 및 제 1 수평 접촉부(111)의 평면 형상을 개구하도록 형성되고, 만곡부(150)의 형성을 위해서 제 1 수평 접촉부(111)의 접촉면에서 원호 형상의 영역을 덮는 패턴으로 형성된다.
제 1 포토레지스트 패턴(501)은 질화물 등의 포토레지스트 물질을 도포한 이후에 사진 공정(Photo Lithography)을 통해서 형성할 수 있다. 즉, 희생 기판(50)상에 포토레지스트 물질을 도포하고, 제 1 레이어(200a)의 평면 형상에 대응하는 마스크(미도시됨)를 정렬한 이후에 노광 공정을 통해서 포토레지스트 물질의 물성을 변화시킨다. 그리고 식각 공정을 통해서 마스크 패턴에 대응하는 제 1 포토레지스트 패턴(501)만을 남길 수 있다. 이처럼 제 1 포토레지스트 패턴(501)을 형성한 다음에 도전성의 금속 물질에 의한, 예컨대 니켈-코발트(NiCo)를 도금 공정(Electro Plating) 또는 증착 공정(Sputtering)을 통해서 제 1 본체부(201) 및 제 1 수평 접촉부(111)로 이루어진 제 1 레이어(200a)를 형성할 수 있다.
제 1 레이어(200a)를 형성한 이후에는 식각 공정을 통해서 제 1 포토레지스트 패턴(501)을 제거한다.
< 제 1 접촉 보호부의 형성 : 도 5b, 도 5c >
제 1 포토레지스트 패턴(501)을 제거한 이후에는, 도 5b에서와 같이 제 1 희생층(310)을 형성한다. 제 1 희생층(310)은 형성하고자 하는 프로브를 인접하는 패턴들과 구조적으로 분리하면서, 각각의 레이어를 형성하는 과정에서 물리적인 안정감을 유지하는 지지기반이 된다. 제 1 희생층(310)은 제 1 레이어(200a)가 형성된 희생 기판(50) 상에 구리(Cu)를 도금이나 증착 방법을 이용하여 적층하고, 평탄화 공정을 수행하여 형성할 수 있다. 평탄화 공정은 화학 기계적 평탄화 공정(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(etchback) 또는 그라인딩(Grinding) 등을 이용하여 수행될 수 있고, 이때 평탄화되는 높이는 도 5b에서와 같이 제 1 레이어(200a)가 노출되는 높이까지로 설정된다.
제 1 희생층(310)을 형성한 이후에는 제 1 수평 접촉부(111)상에 제 1 접촉 보호부(131)를 형성한다. "ㄷ"자 형상의 제 1 접촉 보호부(131)를 형성하기 위해서, 도 5c에서와 같이 제 1 레이어(200a)의 제 1 본체부(201)를 모두 덮으며, 단면상에서 제 1 수평 접촉부(111)의 중앙부를 덮는 제 2 포토레지스트 패턴(502)을 형성한다. 또한 제 2 포토레지스트 패턴(502)은 제 1 수평 접촉부(111)와 맞닿는 영역의 제 1 희생층(310)의 일부를 노출시키도록 패턴화된다. 이렇게 제 1 희생층(310)의 일부가 노출된 상태로 제 1 접촉 보호부(131)가 형성되면, 결과적으로 제 1 접촉 보호부(131)의 끝단은 제 1 수평 접촉부(111)의 접촉면에서 돌출되게 형성된다.
제 2 포토레지스트 패턴(502)을 형성한 이후에는 도전성의 금속 물질을 이용하여 도금 공정 또는 증착 공정을 수행함으로써 제 1 접촉 보호부(131)를 형성한다. 제 1 접촉 보호부(131)는 제 1 레이어(200a)에 사용된 물질보다 경도와 내구성이 높은 도전성 금속 물질, 예컨대 로듐(Rh)을 이용하여 형성할 수 있다.
제 1 접촉 보호부(131)를 형성한 이후에는 식각 공정을 통해서 제 2 포토레지스트 패턴(502)을 제거한다.
< 제 2 레이어의 형성 : 도 5d >
제 1 접촉 보호부(131)를 형성한 이후에는 도 5d와 같이 제 1 레이어(200a) 상에 제 2 본체부(202) 및 한 쌍의 수직 접촉부(120)의 형성을 위한 제 2 레이어(200b)를 적층한다.
제 3 포토레지스트 패턴(503)은 제 2 레이어(200b)의 적층을 위한 것으로, 제 1 레이어(200a)를 둘러싸며, 제 1 접촉 보호부(131)의 일부를 덮는 형태로 패턴화된다. 이때 제 3 포토레지스트 패턴(503)에서 제 1 접촉 보호부(131)의 일부를 덮는 영역은 개구부(140)의 형성을 위한 것으로, 평면상 형태가 개구부(140)의 평면상 형태와 대응되도록 한다. 즉, 제 1 레이어(200a) 위에 형성되는 제 3 포토레지스트 패패턴(503)는 제 1 접촉 보호부(131)의 양 끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다.
이러한 제 3 포토레지스트 패턴(503)을 이용하여 제 2 레이어(200b)를 형성함으로써, 제 1 레이어(200a)를 이용하여 형성한 제 1 본체부(201)에 적층되는 제 2 본체부(202) 및 제 1 접촉 보호부(131)의 양 끝단에서 수직으로 연결되는 수직 접촉부(120)를 형성할 수 있다.
제 2 레이어(200b)를 형성한 이후 제 3 포토레지스트 패턴(503)을 제거한다.
< 제 2 접촉 보호부의 형성 : 도 5e 내지 도 5g >
제 2 레이어(200b)를 형성한 이후에는, 개구부(140)를 확보하기 위한 제 2 희생층(320)을 형성한다. 제 2 희생층(320)을 형성하기 위해서, 도 5e에서와 같은 제 4 포토레지스트 패턴(504)을 형성한다. 제 4 포토레지스트 패턴(504)은 제 2 본체부(202)와 한 쌍의 수직 접촉부(120) 상부면을 모두 덮으며, 측면상에서 제 1 수평 접촉부(111) 끝단에서 수직 상부 영역을 경계면으로 패턴화되어서 제 1 접촉 보호부(131)의 끝단을 덮도록 형성된다. 그리고 제 4 포토레지스트 패턴(504)에 의해 노출되는 영역(개구부 영역)을 도금 공정이나 증착 공정을 이용하여 구리(Cu) 등을 매립한다.
구리(Cu)를 매립한 이후에는 도 5f와 같이 평탄화 공정을 수행함으로써, 제 2 희생층(320)을 형성한다. 평탄화 공정 이후에는 제 4 포토레지스트 패턴(504)이 제거된다.
이어서 제 2 접촉 보호부(132)의 형성을 위한 제 5 포토레지스트 패턴(505)을 형성한다. 제 5 포토레지스트 패턴(505)은 사진 공정을 통해서 도 5g에서와 같이 제 2 접촉 보호부(132)의 평면상 형태와 대응하도록 "ㄷ"자 형상으로 패턴화된다. 제 2 접촉 보호부(132)는 제 1 접촉 보호부(131)와 동일한 형태로 형성되기 때문에, 제 5 포토레지스트 패턴(505)은 도 5c에 도시된 제 2 포토레지스트 패턴(502)과 동일한 마스크 패턴을 이용하여 형성될 수 있다.
제 2 접촉 보호부(132)는 제 5 포토레지스트 패턴(505)을 이용하여 로듐(Rh) 등의 경도가 큰 물질을 증착하거나 도금함으로써 형성할 수 있다.
그리고 제 2 접촉 보호부(132)를 형성한 이후에는 제 5 포토레지스트 패턴(505)을 제거한다.
< 제 3 레이어의 형성 : 도 5h 내지 도 5i >
제 5 포토레지스트 패턴(505)을 제거한 이후에는 제 3 레이어(200c)의 형성을 위해서 도 5h와 같은 제 6 포토레지스트 패턴(506)을 형성한다. 제 6 포토레지스트 패턴(560)은 제 1 레이어(200a)의 형성을 위한 제 1 포토레지스트 패턴(501)과 동일한 형태로 패턴화된다. 이와 같은 제 6 포토레지스트 패턴(506)을 이용하여 도전성의 금속 물질을 도금하거나 증착하여 제 3 레이어(200c)를 형성함으로써, 제 2 수평 접촉부(112) 및 제 3 본체부(203)를 형성한다. 이때 도전성의 금속 물질은 제 1 및 제 2 레이어(200a, 200b)의 형성 시에 이용한 물질, 예컨대 니켈-코발트(NiCo)를 이용할 수 있다.
이어서, 제 6 포토레지스트 패턴(506) 및 제 1 및 제 2 희생층(310,320)을 제거하고, 희생 기판(50)을 분리함으로써 도 1 및 도 5i와 같은 프로브를 완성할 수 있다.
* 제 2 실시예
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도이다. 제 2 실시예에서 전술한 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명을 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 의한 프로브는 본체(200) 및 본체(200)의 끝단에 형성되어 반도체 다이에 직접 접촉하는 팁부(100)를 포함한다.
팁부(100)에서 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 각각 제 1 및 제 2 수직 접촉부(120a,120b)의 중단부에 개재된다. 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 평행하게 형성되고, 양 끝단이 수직 접촉부(120)의 내측면에서 돌출되어 개구부(140)를 향해서 노출된다. 그리고 일측의 수평 접촉 보호부(133)와 이웃하는 타측의 수평 접촉 보호부(133) 간의 간격은 전극 패드(10)의 직경 이하로 형성된다.
이러한 수평 접촉 보호부(133)들은 한 쌍의 수직 접촉부(120)를 보호하기 위한 것으로, 경도가 높은 도전성 금속 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 예컨대, 수평 접촉 보호부(133)는 로듐(Rh)을 이용하여 형성할 수 있다.
제 2 실시예에 의한 프로브는 프로브 기판에 고밀도로 형성하기 위해서 미세 패턴으로 제작될 수 있고, 이를 위해서 반도체 공정을 이용할 수 있다. 이러한 과정에서 동일 물질을 사용하는 구성에 대해서는 도 7에서 보는 것처럼 동일한 레이어를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 제 1 레이어(200a)의 적층으로 제 1 수평 접촉부(111) 및 본체(200)의 일부인 제 1 본체부(201)를 형성할 수 있다. 제 2 레이어(200b) 및 제 3 레이어(200c)는 각각 제 1 및 제 2 수직 접촉부(120a,120b)와 제 2 및 제 3 본체부(202,203)를 구성할 수 있다. 그리고 제 4 레이어(200d)를 통해서 제 2 수평 접촉부(112) 및 제 4 본체부(204)를 형성할 수 있다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 도 6 및 도 7을 결부하여, 도 8a 내지 도 8ℓ을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 8a 내지 도 8ℓ에서 각각의 도면들은 공정상에서 프로브의 평면도, 측면도 및 단면도를 나타낸다.
< 제 1 레이어의 형성 : 도 8a >
제 1 포토레지스트 패턴(601)은 제 1 레이어(200a)를 형성하기 위한 것으로, 희생 기판(50) 상에 평면상으로 직사각형 형태를 개구하는 패턴으로 형성된다. 이러한 제 1 포토레지스트 패턴(601)을 이용하여, 금속 물질을 도금하거나 증착함으로써 제 1 본체부(201) 및 제 1 수평 접촉부(111)를 형성한다. 이때, 제 1 레이어(200a)를 형성하기 위한 물질은 니켈-코발트(NiCo) 등이 이용될 수 있다.
< 제 2 레이어의 형성 : 도 8b, 도 8c >
제 1 레이어(200a)를 형성한 이후에는 도 8b와 같이 제 1 희생층(311)을 형성한다. 제 1 희생층(311)은 형성하고자 하는 프로브를 인접하는 패턴들과 구조적으로 분리하면서, 각각의 레이어를 형성하는 과정에서 물리적인 안정감을 유지하는 지지기반이 된다.
제 1 희생층(311)을 형성한 이후에는 도 8c에서와 같이, 제 2 레이어(200b)의 형성을 위한 제 2 포토레지스트 패턴(602)을 형성한다. 제 2 포토레지스트 패턴(602)은 제 1 수평 접촉부(111)의 일부 및 제 1 본체부(201)를 노출시킨다. 이때 제 2 포토레지스트 패턴(602)에 의해서 가려지는 제 1 수평 접촉부(111)의 영역은 개구부(140)의 평면형상에 대응되는 것으로, 단면도에서의 폭이 전극 패드(10)의 직경 이하로 설정되도록 한다. 그리고 이러한 제 2 포토레지스트 패턴(602)을 바탕으로 제 2 레이어(200b)를 적층하여, 제 1 수직 접촉부(120a) 및 제 2 본체부(202)를 형성한다.
< 수평 접촉 보호부의 형성 : 도 8d 내지 8g >
제 1 수직 접촉부(120a)를 형성한 이후에는 개구부(140)의 확보를 위한 제 2 희생층(312)을 형성한다. 제 2 희생층(312)의 형성을 위해서는 먼저, 도 8d와 같은 제 3 포토레지스트 패턴(603)을 형성하고, 구리(Cu) 등을 도금하거나 증착한다. 그리고 도 8e에서와 같이 제 2 레이어(200b)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행함으로써, 제 2 희생층(312)을 형성한다.
이어서, 제 1 수직 접촉부(120a) 상에 "ㄷ"자 형상의 수평 접촉 보호부(133)를 형성하기 위해서, 도 8f와 같은 제 4 포토레지스트 패턴(604)을 형성한다. 제 4 포토레지스트 패턴(604)은 제 2 본체부(202)의 대부분을 덮으며, 제 2 희생층(312)의 중앙 일부를 가리도록 형성된다. 이러한 제 4 포토레지스트 패턴(604)은 대면하는 수평 접촉 보호부(133)의 양 끝단이 제 1 수직 접촉부(120a)의 내측면에서 돌출되도록 패턴이 형성된다. 제 4 포토레지스트 패턴(604)을 형성한 이후에는 도전성의 금속 물질을 이용하여 도금 공정 또는 증착 공정을 수행함으로써 수평 접촉 보호부(133)를 형성한다. 수평 접촉 보호부(133)는 제 1 및 제 2 레이어(200a,200b)에 사용되는 물질보다 경도와 내구성이 높은 도전성 금속 물질, 예컨대 로듐(Rh)을 이용하여 형성할 수 있다. 그리고 수평 접촉 보호부(133)를 형성한 이후에는 도 8g와 같이 제 4 포토레지스트 패턴(604)을 제거한다.
< 제 3 레이어의 형성 : 도 8h >
제 3 레이어(200c)는 제 3 본체부(203) 및 제 2 수직 접촉부(120b)를 구성하는 것으로, 제 2 본체부(203)와 수평 접촉 보호부(133) 상에 적층된다. 여기서, 제 2 수직 접촉부(120b)는 제 1 수직 접촉부(120a)와 대응되는 구성이다.
이러한 제 3 레이어(200c)는 도 8h에 도시된 제 5 포토레지스트 패턴(605)을 이용하여 형성된다.
< 제 4 레이어의 형성 : 도 8i 내지 도 8ℓ >
제 4 레이어(200d)는 제 1 내지 제 3 레이어(200a,200b,200c)의 적층을 통해서 형성한 제 1 내지 제 3 본체부(201,202,203)의 일부에 적층되어서 본체(200)를 완성하며, 제 2 수평 접촉부(112)를 형성하기 위한 것이다.
제 4 레이어(200d)를 형성하기 이전에는 먼저, 제 2 희생층(312)과 더불어 개구부(140)의 확보를 위한 제 3 희생층(313)을 형성한다. 이를 위해서 도 8i에 도시된 제 6 포토레지스트 패턴(606)을 형성하고 이를 바탕으로 제 2 희생층(312) 상에 구리(Cu)를 도금하거나 증착한다. 그리고 도 8j와 같이 제 3 레이어(200c)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행함으로써 제 3 희생층(313)을 형성한다.
이어서, 도 8k와 같이 제 1 포토레지스트 패턴(601)과 대응되는 제 7 포토레지스트 패턴(607)을 형성하고, 제 2 수직 접촉부(120b) 및 제 3 본체부(203) 상에 제 4 레이어(200d)를 형성함으로써, 제 1 수평 접촉부(111)와 대응하는 형태의 제 2 수평 접촉부(112)와 제 3 본체부(203) 상에 적층되는 제 4 본체부(204)를 형성한다.
그리고 제 7 포토레지스트 패턴(607) 및 제 1 내지 제 3 희생층(311,312,313)을 제거하고 희생기판(50)을 분리함으로써, 도 8ℓ과 같은 제 2 실시예에 의한 프로브를 완성할 수 있다.
* 제 3 실시예
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 의한 프로브는 본체(200) 및 본체(200)의 끝단에 형성되어 반도체 다이에 직접 접촉하는 팁부(100)를 포함한다. 제 3 실시예에서 전술한 실시예들과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명을 생략하기로 한다.
팁부(100)에서 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 각각 제 1 및 제 2 수직 접촉부(120a,120b)의 중단부에 개재된다. 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 평행하게 형성되고, 수직 접촉부(120)에서 내측면으로 돌출되어 개구부(140)를 향해서 노출된다. 그리고 수평 접촉 보호부(133)들 서로 간의 간격은 전극 패드(10)의 직경 이하로 형성된다.
제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 중단부는 볼 타입의 전극 패드가 대면하는 접촉면의 내측으로 오목하게 굴곡지도록 형성됨에 따라서 만곡부(160)가 형성된다. 이러한 만곡부(160)는 전극 패드(10)가 안정적으로 안착되도록 하면서 전극 패드(10)와 프로브의 접촉 마진을 넓게 하여서, 프로브가 전극 패드(10)와 정렬 오차가 발생할 경우에도 전기적 접촉이 원활하도록 할 수 있다.
이러한 제 3 실시예에 의한 프로브의 형성 방법은 전술한 제 2 실시예에 의한 프로브의 형성방법에서 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 형성을 위한 제 1 및 제 7 포토레지스트 패턴(601,607)의 만곡부에 대한 패턴을 부가하여 제 1 실시예의 제 1 및 제 6 포토레지스트 패턴(501,506)과 같이 변경함으로써 실시될 수 있다.
* 제 4 실시예
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 의한 프로브를 나타내는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 의한 프로브는 본체(200) 및 본체(200)의 끝단에 형성되어 반도체 다이에 직접 접촉하는 팁부(100)를 포함한다. 제 4 실시예에서 전술한 실시예들과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명을 생략하기로 한다.
팁부(100)에서 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 각각 제 1 및 제 2 수직 접촉부(120a,120b)의 중단부에 개재된다. 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)와 평행하게 형성되고, 대면하는 양 끝단이 수직 접촉부(120)에서 내측면으로 돌출되어 개구부(140)를 향해서 노출된다. 그리고 수평 접촉 보호부(133)들 서로 간의 간격은 전극 패드(10)의 직경 이하로 형성된다
제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부(134,135)는 각각 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)의 가운데에 개재되고, 제 1 및 제 2 수평 접촉부(111,112)에서 내측면으로 돌출되도록 형성된다. 그리고 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부(134,135)들의 끝단 간의 간격은 서로 전극 패드 직경 이하로 설정될 수 있다.
제 4 실시예에 의한 프로브는 전술한 실시예들과 마찬가지로 반도체 공정을 이용하여 제작될 수 있다. 즉, 전술한 실시예들과 마찬가지로, 동일 물질을 사용하는 구성에 대해서는 동일한 레이어를 이용하여 형성할 수 있다.
이러한 본 발명의 제 4 실시예에 의한 프로브의 형성 방법을 도 10을 결부하여, 도 11a 내지 도 11q를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 11a 내지 도 11q에서 각각의 도면들은 공정상에서 프로브의 평면도, 측면도 및 단면도를 나타낸다.
< 제 1 레이어의 형성 : 도 11a >
제 1 레이어(200a)는 제 1 수평 접촉부(111) 및 제 1 본체부(201)의 형성을 위한 것이다. 제 1 포토레지스트 패턴(701)은 평면상에서 직사각형의 형태를 개구하며, 제 1 수직 접촉 보호부(134)의 형성을 위하여 끝단의 가운데에서 내측으로 돌출되고 미세 폭을 갖는 직사각형 형태의 패턴을 이루도록 형성된다. 그리고 제 1 포토레지스트 패턴(701)을 이용하여 도전성의 금속 물질을 도금하거나 증착함으로써 형성함으로써, 끝단의 가운데에 제 1 개구 영역(101)을 갖도록 형성되는 제 1 수평 접촉부(111) 및 제 1 본체부(201)로 이루어진 제 1 레이어(200a)를 형성할 수 있다.
< 제 1 수직 접촉 보호부의 형성 : 도 11b 내지 도 11d >
제 1 레이어(200a)를 형성한 이후에는 제 1 희생층(321)을 형성한다. 제 1 희생층(321)을 형성하기 위해서는 먼저 제 1 포토레지스트 패턴(701)을 제거한 후, 도 11b에 도시된 바와 같은 제 2 포토레지스트 패턴(702)을 형성한다. 이때, 제 2 포토레지스트 패턴(702)은 제 1 수평 접촉부(111) 중심부에서 내측으로 돌출된 제 1 개구 영역(101)을 덮을 수 있으면 충분하다. 그리고 도 11c에서와 같이 제 1 레이어(200a)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행하여 제 1 레이어(200a)의 외곽을 둘러싸는 제 1 희생층(321)을 형성한다.
이어서, 도 11d에서와 같이 제 1 수직 접촉 보호부(134)의 형성을 위한 제 3 포토레지스트 패턴(703)을 형성한다. 제 3 포토레지스트 패턴(703)은 도 11c에 도시된 제 1 수평 접촉부(111) 가운데에 형성된 제 1 개구 영역(101)을 제외한 모든 영역을 덮도록 형성한다. 그리고 제 3 포토레지스트 패턴(703)의 높이는 제 1 수직 접촉 보호부(134)가 형성되는 높이 이상이 되도록 한다. 이는 제 1 수평 접촉부(111)의 제 1 개구 영역(101)과 제 3 포토레지스트 패턴(703)에 의하여 형성된 제 1 개구 영역(101)에 도금 공정을 통하여 제 1 수직 접촉 보호부(134)를 형성한 다음, 평탄화 공정을 통하여 제 1 수직 접촉 보호부(134)가 연마되었을 때 소정의 높이로 제 1 수평 접촉부(111)에 대하여 내측으로 돌출되도록 하기 위함이다. 이러한 제 3 포토레지스트 패턴(703)을 이용하여 경도가 큰 로듐(Rh) 등의 물질을 증착하거나 도금함으로써, 제 1 수직 접촉 보호부(134)를 형성한다.
< 제 2 레이어의 형성 : 도 11e >
제 2 레이어(200b)는 제 1 수직 접촉부(120a) 및 제 2 본체부(202)의 형성을 위한 것이다. 제 2 레이어(200b)의 형성을 위해서 도 11e에 도시된 바와 같이, 제 1 레이어(200a)의 외곽을 둘러싸며, 개구부(140)가 형성될 영역을 덮도록 패턴화되는 제 4 포토레지스트 패턴(704)을 형성한다. 그리고 제 4 포토레지스트 패턴(704)을 이용하여 제 1 수평 접촉부(111), 제 1 수직 접촉 보호부(134) 및 제 1 본체부(201)를 덮도록 제 2 레이어(200b)를 적층함으로써, 제 1 수평 접촉부(111)의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 제 1 수직 접촉부(120a) 및 제 1 본체부(201) 상에 적층되는 제 2 본체부(202)를 형성한다.
< 수평 접촉 보호부의 형성 : 도 11f 내지 도 11h >
제 2 레이어(200b)를 형성한 이후에는 개구부(140)의 확보를 위한 제 2 희생층(322)을 형성한다. 제 5 포토레지스트 패턴(705)은 제 2 희생층(322)의 형성을 위한 것으로, 도 11f에서 보는 것처럼 개구부(140)가 형성되는 평면상의 영역을 제외한 영역을 덮도록 형성된다. 그리고 제 5 포토레지스트 패턴(705)을 바탕으로 구리(Cu)를 도금하거나 증착한다. 이어서, 도 11g에서와 같이 제 2 레이어(200b)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행함으로써, 제 1 수평 접촉부(111)와 제 1 수직 접촉부(120a)로 규정되는 영역에 제 2 희생층(322)을 형성할 수 있다.
제 2 희생층(322)을 형성한 이후에는 제 5 포토레지스트 패턴(705)을 제거하고, 제 1 수직 접촉부(120a) 상에 "ㄷ"자 형상의 수평 접촉 보호부(133)를 형성하기 위해서, 도 11h와 같은 제 6 포토레지스트 패턴(706)을 형성한다. 제 6 포토레지스트 패턴(706)은 제 2 본체부(202)를 모두 덮으며, 제 2 희생층(322)의 일부를 가려서 양 끝단을 제외한 영역을 덮도록 형성된다. 또한 제 6 포토레지스트 패턴(706)은 수평 접촉 보호부(133)의 양 끝단이 제 1 수직 접촉부(120a)의 내측면에서 돌출되도록 패턴이 형성된다. 한 쌍의 수평 접촉 보호부(133)는 이러한 제 6 포토레지스트 패턴(706)을 이용하여 형성됨에 따라서, 서로 대면하는 양 끝단이 제 1 수직 접촉부(120a)의 내측면인 개구부(140)를 향해서 돌출되도록 형성된다. 수평 접촉 보호부(133)는 제 1 수직 접촉 보호부(134)와 같이 경도가 큰 로듐(Rh) 등의 물질을 증착하거나 도금하여 형성한다.
< 제 3 레이어의 형성 : 도 11i 내지 도 11k >
도 11i 및 도 11j는 제 3 희생층(323)을 형성하는 과정을 도시한 것이다. 제 3 희생층(323)은 제 2 희생층(322)과 더불어 개구부(140)를 확보하기 위한 것이다. 제 3 희생층(323)의 형성은 도 11i에서와 같이 수평 접촉 보호부(133) 사이의 영역을 제외한 모든 영역을 덮는 제 7 포토레지스트 패턴(707)을 이용하여 구리(Cu)를 도금하거나 증착하는 방법을 이용하여 형성한다. 그리고 제 3 희생층(323)은 도 11j와 같이 수평 접촉 보호부(133)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행함으로써, 제 2 희생층(322) 상에서 수평 접촉 보호부(133) 사이의 영역을 매립하는 형태로 형성된다.
제 3 희생층(323)을 형성한 다음에는 제 7 포토레지스트 패턴(707)을 제거하고, 도 11k에서와 같이 제 2 레이어(200b)의 외곽을 둘러싸며, 개구부(140)가 형성되는 영역을 덮도록 패턴화되는 제 8 포토레지스트 패턴(708)을 형성한다.
그리고 이러한 제 8 포토레지스트 패턴(708)을 이용하여 수평 접촉 보호부(133) 및 제 2 본체부(202)를 덮도록 금속 물질을 도금하거나 증착함으로써 제 3 레이어(200c)를 적층하여, 제 1 수직 접촉부(120a)와 대응하는 제 2 수직 접촉부(120b) 및 제 2 본체부(202) 상에 적층되는 제 3 본체부(203)를 형성한다.
< 제 2 수직 접촉 보호부의 형성 : 도 11ℓ 내지 도 11o >
제 2 수직 접촉 보호부(135)는 제 1 수직 접촉 보호부(134)에 대응되는 형태로서, 도 11ℓ 및 도 11n을 통해서 형성한 제 4 희생층(324)에 제 2 개구 영역(102)을 형성한 다음에 제 2 개구 영역(102)을 도전성 금속 물질로 매립함으로써 형성할 수 있다.
제 4 희생층(324)은 도 11ℓ에서 보듯이, 개구부(140)를 확보하기 위하여 제 2 수직 접촉부(120b)와 제 3 본체부(203)를 덮는 제 9 포토레지스트 패턴(709)을 이용하여 형성한다. 즉, 제 4 희생층(324)은 제 9 포토레지스트 패턴(709)을 바탕으로 구리(Cu)를 매립하고, 도 11m에서와 같이 제 3 레이어(200c)가 노출되도록 평탄화 공정을 수행하여 형성한다.
그리고 도 11n에 도시된 바와 같이, 제 3 레이어(200c) 상에 제 1 수직 접촉 보호부(134)와 대응하는 영역을 노출시키는 제 10 포토레지스트 패턴(710)을 형성한다. 이어서 제 10 포토레지스트 패턴(710)을 이용하여 제 4 희생층(324)을 식각하여 제 2 개구 영역(102)을 형성한다. 이때, 제 2 개구 영역(102)의 깊이는 제 1 수직 접촉 보호부(134)가 제 1 수평 접촉부(111)에서 내측으로 돌출되는 높이와 동일한 깊이를 갖도록 한다. 이후 제 4 희생층(324)의 식각 공정에 사용된 제 10 포토레지스트 패턴(710)을 제거한다.
도 11o에서와 같이, 제 2 개구 영역(102)에 대하여 제 2 수직 접촉 보호부(135)를 형성하기 위하여 제 10 포토레지스트 패턴(710)과 동일한 형태의 제 11 포토레지스트 패턴(711)을 제 2 수직 접촉부(120b), 제 4 희생층(324) 및 제 3 본체부(203)를 덮도록 하되 제 2 개구 영역(102)이 개방되도록 패턴을 형성한다. 제 2 수직 접촉 보호부(135)는 제 4 희생층(324)의 식각된 제 2 개구 영역(102)을 제 1 수직 접촉 보호부(134) 및 수평 접촉 보호부(133)와 동일하게 경도가 높은 도전성 금속 물질 예컨대, 로듐(Rh)을 이용하여 매립함으로써 형성할 수 있다.
그리고 제 10 포토레지스트 패턴(710)을 제거한다.
< 제 4 레이어의 형성 및 프로브 완성 : 도 11p 및 도 11q >
제 4 레이어(200d)는 제 2 수평 접촉부(112) 및 제 4 본체부(204)의 형성을 위한 것으로, 도 11p에 도시된 제 12 포토레지스트 패턴(712)을 이용하여 형성한다.
제 12 포토레지스트 패턴(712)은 제 2 수직 접촉부(120b) 및 제 3 본체부(203)의 외곽을 둘러싸도록 형성된다. 그리고 제 2 수직 접촉부(120b) 및 제 3 본체부(203) 상에 제 12 포토레지스트 패턴(712)을 바탕으로 금속 물질을 도금하거나 증착하여 제 4 레이어(200d)를 형성함으로써, 제 1 수평 접촉부(111)와 대응되는 형태의 제 2 수평 접촉 보호부(112)와 제 3 본체부(203) 상에 제 4 본체부(204)를 형성한다.
제 4 레이어(200d)를 형성한 다음에는 제 12 포토레지스트 패턴(712)과 제 1 내지 제 4 희생층(321,322,323,324)을 제거하고 희생 기판(50)을 분리함으로써, 도 11q와 같은 제 4 실시예에 의한 프로브를 완성할 수 있다.
* 제 1 내지 제 4 실시예에 적용 가능한 변형예
도 12는 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 적용 가능한 변형예를 나타내는 부분 사시도이다.
본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 의한 프로브는 수직형 프로브 카드에 적용시 프로브 기판(미도시됨)에 접합하기 위하여 접촉부가 형성되지 않은 본체(200)의 반대편은 바닥면이 평평하게 형성될 수 있다.
한편 제 1 내지 제 4 실시예에 의한 프로브가 스프링(미도시됨)에 의하여 탄성 지지되어 프로브 기판에 설치될 수 있도록 접촉부가 형성되지 않은 본체(200)의 반대편은 스프링과의 결합을 위하여 본체(200)의 단면보다 작은 면적을 갖도록 본체(200)의 끝 단면에서 길이방향으로 돌출되는 가이드부(220)를 형성하는 것도 가능하다. 또한, 이러한 가이드부(220)는 본체(200)의 끝 단면을 따라 점차 단면이 작아지는 각뿔 형태로 형성하는 것도 가능하다.
아울러, 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 의한 프로브를 프로브 기판에 삽입 설치하거나 범프(bump) 형태의 기단부(post)에 결합하기 위하여 본체(200)의 측면에 적어도 하나 이상의 본딩부(211)를 형성하는 것도 가능하다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
200 : 본체 100 : 팁부
111, 112 : 제 1 및 제 2 수평 접촉부
120 : 수직 접촉부 120a,120b : 제 1 및 제 2 수직 접촉부
131, 132 : 제 1 및 제 2 접촉 보호부
133 : 수평 접촉 보호부 134,135 : 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부

Claims (22)

  1. 도전성 금속으로 형성되는 사각기둥 형태의 본체;
    상기 본체의 양 측면에서 일정 간격을 두고 평행하게 신장되며, 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부;
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 연결되며, 서로 이격되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부;
    상기 제 1 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 수직 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 상기 제 1 수평 접촉부의 접촉면에서 돌출되는 한 쌍의 제 1 접촉 보호부; 및
    상기 한 쌍의 수직 접촉부와 상기 제 2 수평 접촉부 사이에서 각각 개재되며, 상기 제 1 접촉 보호부와 대응되는 형태로 형성되는 한 쌍의 제 2 접촉 보호부;를 구비하는 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 접촉 보호부 및 이와 이웃하는 제 1 접촉 보호부와 상기 제 2 접촉 보호부 및 이와 이웃하는 제 2 접촉 보호부는 상기 전극 패드의 직경 이하의 간격을 두고 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 간격과 수직 접촉부들 간의 간격은 상기 볼 타입의 전극 패드 직경 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 수직 접촉부는 상기 본체와 동일한 재질의 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접촉 보호부는 상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 수직 접촉부 보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  6. 도전성 금속으로 형성되는 사각기둥 형태의 본체;
    상기 본체의 대면하는 양 측면에서 일정 간격을 두고 평행하게 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부;
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 연결되며, 서로 이격되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부; 및
    상기 한 쌍의 수직 접촉부들 중단부에서 상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 평행하게 형성되며, 대면하는 양 끝단이 상기 수직 접촉부의 내측면으로 돌출되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부;를 구비하는 프로브.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부들의 중단부에 각각 개재되며, 마주보는 양 끝단이 볼 타입의 전극 패드 직경 이하의 간격을 갖도록 형성되는 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부;를 더 구비하는 프로브.
  8. 제 6 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 수평 접촉부는 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 수직 접촉부는 상기 본체와 동일한 재질의 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.

  10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 수평 접촉 보호부와 상기 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부는 상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 수직 접촉부 보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉부가 형성되지 않은 본체의 반대편은 프로브 기판에 접합을 위하여 바닥면이 평평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브.
  12. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉부가 형성되지 않은 본체의 반대편은 스프링과의 결합을 위하여 본체의 단면보다 작은 면적을 갖도록 본체의 끝 단면에서 길이 방향으로 돌출되는 가이드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
  13. 제 1 내지 제 3 본체부가 적층되어 형성되는 본체, 상기 본체의 대면하는 양측면에서 길이방향으로 신장되며 볼 타입의 전극패드와 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부, 상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 양 끝단에서 직각으로 형성되어 대면하는 한 쌍의 수직 접촉부 및 상기 제 1 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 수직 접촉부 사이에 각각 개재되는 한 쌍의 제 1 접촉 보호부, 및 상기 한 쌍의 수직 접촉부와 상기 제 2 수평 접촉부 사이에 각각 개재되는 한 쌍의 제 2 접촉 보호부를 포함하는 프로브의 형성 방법에 관한 것으로,
    희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부 및 상기 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 수평 접촉부와 이웃하는 제 1 수평 접촉부는 볼 타입의 전극 패드 직경 이하의 간격을 갖도록 형성되고, 상기 전극 패드와 접촉하는 접촉면에서 돌출되도록 한 쌍의 상기 제 1 접촉 보호부를 형성하는 제 2 단계;
    상기 제 1 접촉 보호부 및 상기 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 상기 제 1 접촉 보호부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 상기 수직 접촉부와 상기 제 1 본체부 상에 적층되는 상기 제 2 본체부를 형성하는 제 3 단계;
    상기 수직 접촉부 위에 상기 제 1 접촉 보호부와 대응되는 형태의 상기 제 2 접촉 보호부를 형성하는 제 4 단계; 및
    상기 제 2 접촉 보호부 및 상기 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 상기 제 2 수평 접촉부 및 상기 제 2 본체부 상에 적층되는 상기 제 3 본체부를 형성하는 제 5 단계;를 포함하는 프로브의 형성 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 수직 접촉부는 상기 본체와 동일한 재질의 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접촉 보호부는 상기 제 1 내지 제 3 레이어 보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  16. 제 1 내지 제 4 본체부가 적층되어 형성되는 사각기둥 형태의 본체, 상기 본체의 4면에서 길이방향으로 각각 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부, 상기 한 쌍의 수직 접촉부 각각의 중단부에 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부를 포함하는 프로브의 형성 방법에 관한 것으로,
    희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부 및 상기 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 수평 접촉부 및 상기 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 제 1 수직 접촉부와 상기 제 1 본체부 상에 적층되는 상기 제 2 본체부를 형성하는 제 2 단계;
    상기 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 상에 상기 제 1 수평 접촉부와 평행하면서, 대면하는 양 끝단이 상기 제 1 수직 접촉부의 내측면에서 돌출되도록 형성되는 수평 접촉 보호부를 형성하는 제 3 단계;
    상기 수평 접촉 보호부 및 상기 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수직 접촉부와 대응되는 제 2 수직 접촉부 및 상기 제 2 본체부 상에 적층되는 상기 제 3 본체부를 형성하는 제 4 단계; 및
    상기 제 2 수직 접촉부 및 상기 제 3 본체부 상에 제 4 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 상기 제 2 수평 접촉부 및 상기 제 3 본체부 상에 적층되는 제 4 본체부를 형성하는 제 5 단계;를 포함하는 프로브의 형성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부는 볼 타입의 전극 패드가 대면하는 접촉면에서 오목하게 굴곡진 만곡부가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 수평 접촉 보호부는 상기 제 1 내지 제 4 레이어 보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  19. 제 1 내지 제 4 본체부가 적층되어 형성되는 사각기둥 형태의 본체, 상기 본체의 4면에서 길이방향으로 각각 신장되는 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 한 쌍의 수직 접촉부, 상기 한 쌍의 수직 접촉부들 중단부에 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부, 및 상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부의 가운데에 각각 개재되는 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부를 포함하는 프로브의 형성 방법에 관한 것으로,
    희생 기판 위에 제 1 레이어를 적층하여, 가운데에 제 1 개구 영역을 갖도록 형성되는 상기 제 1 수평 접촉부 및 상기 제 1 본체부를 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 개구 영역을 도전성 금속으로 매립하면서 상기 제 1 수평 접촉부에서 내측으로 돌출되도록 형성되는 제 1 수직 접촉 보호부를 형성하는 제 2 단계;
    상기 제 1 수평 접촉부, 상기 제 1 수직 접촉 보호부 및 상기 제 1 본체부를 덮도록 제 2 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부의 양 끝단에서 수직으로 신장되는 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 및 상기 제 1 본체부 상에 적층되는 상기 제 2 본체부를 형성하는 제 3 단계;
    상기 한 쌍의 제 1 수직 접촉부 상에 상기 제 1 수평 접촉부와 평행하면서, 대면하는 양 끝단이 상기 제 1 수직 접촉부의 내측면에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 수평 접촉 보호부를 형성하는 제 4 단계;
    상기 수평 접촉 보호부 및 상기 제 2 본체부를 덮도록 제 3 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수직 접촉부와 대응되는 제 2 수직 접촉부 및 상기 제 2 본체부 상에 적층되는 상기 제 3 본체부를 형성하는 제 5 단계;
    상기 제 1 수평 접촉부와 상기 제 1 및 제 2 수직 접촉부로 규정되는 육면체 공간 내부를 희생층으로 매립하고 그 위에 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 상기 희생층과 상기 포토레지스트 패턴에 상기 제 1 개구 영역과 대응되는 형태의 제 2 개구 영역을 형성하는 제 6 단계;
    상기 제 2 개구 영역을 매립하여, 상기 제 2 수직 접촉 보호부를 형성하는 제 7 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 제 2 수직 접촉부 및 제 3 본체부 상에 제 4 레이어를 적층하여, 상기 제 1 수평 접촉부와 대응되는 형태의 제 2 수평 접촉부 및 상기 제 3 본체부에 적층되는 제 4 본체부를 형성하는 제 8 단계;를 포함하는 프로브의 형성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 희생층은
    상기 제 3 단계 이후에 상기 제 1 수평 접촉부와 상기 제 1 수직 접촉부로 규정되는 영역에 제 1 희생층을 적층하고,
    상기 제 5 단계 이후에 상기 제 1 희생층 상에 상기 제 2 수직 접촉부의 상단 높이까지 제 2 희생층을 적층함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  21. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수직 접촉 보호부와 상기 수평 접촉 보호부는 상기 제 1 내지 제 4 레이어보다 높은 경도를 갖는 도전성 금속 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
  22. 제 16 항, 제 17 항 또는 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 수평 접촉부와 상기 한 쌍의 제 1 및 제 2 수직 접촉부는 상기 본체와 동일한 재질의 도전성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브의 형성 방법.
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