KR101882827B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 표시판 및 제1 표시판에 대향하는 대향 표시판을 포함하는 액정 표시 패널, 액정 표시 패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리, 백라이트 어셈블리를 고정 지지하는 수납 부재, 그리고 액정 표시 패널과 수납 부재를 부착하는 접착 부재를 포함하고, 제1 표시판은 화상을 표시하는 표시 영역, 표시 영역의 외곽에 위치하는 주변 영역 및 주변 영역에 위치하고, 표시 영역에 구동 신호를 인가하는 복수의 집적 회로 칩을 포함하고, 접착 부재는 주변 영역에 배치되어 있으며, 집적 회로 칩과 중첩하지 않게 배치되어 있다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL display}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 박형화가 용이한 장점을 지니고 있지만, 전면 시인성에 비해 측면 시인성이 떨어지는 단점이 있어 이를 극복하기 위한 다양한 방식의 액정 배열 및 구동 방법이 개발되고 있다. 이러한 광시야각을 구현하기 위한 방법으로서, 전기장 생성 전극을 모두 하나의 기판에 형성하는 액정 표시 장치가 주목 받고 있다.
이러한 액정 표시 장치는 액정 표시 패널, 액정 표시 패널에 빛을 공급하는 백라이트 어셈블리 및 백라이트 어셈블리를 안착 지지하는 섀시를 포함하는데, 액정 표시 패널은 섀시에 부착 고정된다. 액정 표시 패널은 화상을 표시하는 표시 영역 및 표시 영역의 외곽에 위치하는 주변 영역을 포함한다. 액정 표시 패널과 섀시의 고정은 접착 부재를 사용하여 고정하는데, 접착 부재의 응력이 집적 회로 칩에 영향을 미쳐 표시 영역과 주변 영역의 경계에서 빛샘 현상이 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액정 표시 장치에서, 표시 영역과 주변 영역의 경계에서의 빛샘을 방지하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 표시판 및 제1 표시판에 대향하는 대향 표시판을 포함하는 액정 표시 패널, 액정 표시 패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리, 백라이트 어셈블리를 고정 지지하는 수납 부재, 그리고 액정 표시 패널과 수납 부재를 부착하는 접착 부재를 포함하고, 제1 표시판은 화상을 표시하는 표시 영역, 표시 영역의 외곽에 위치하는 주변 영역 및 주변 영역에 위치하고, 표시 영역에 구동 신호를 인가하는 복수의 집적 회로 칩을 포함하고, 접착 부재는 주변 영역에 배치되어 있으며, 집적 회로 칩과 중첩하지 않게 배치되어 있다.
접착 부재는 집적 회로 칩이 위치한 면과 반대 면에 위치할 수 있다.
접착 부재는 몸체 및 몸체로부터 뻗어 나온 복수의 제1 가지부 및 복수의 제2 가지부를 포함할 수 있다.
몸체는 제1 표시판의 일측을 따라 배치되어 있을 수 있다.
제1 가지부는 몸체의 양 끝단으로부터 각각 뻗어 나와 있을 수 있다.
제2 가지부는 제1 가지부 사이에 배치되어 있을 수 있다.
제2 가지부는 접적 회로 칩 사이에 배치되어 있을 수 있다.
인접하는 제2 가지부 사이의 거리는 접적 회로 칩의 너비보다 더 클 수 있다.
접착 부재는 제1 가지부 및 제2 가지부를 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.
연결부는 몸체의 반대 편에 위치하며, 제1 표시판의 일측을 따라 배치되어 있을 수 있다.
제1 표시판은 기판 위에 배치되어 있는 게이트선 및 기준 전극, 게이트선 및 기준 전극 위에 배치되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 배치되어 있는 반도체, 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 데이터선 및 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막, 그리고 보호막 위에 배치되어 있으며, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함할 수 있다.
화소 전극은 복수의 가지 전극을 포함할 수 있다.
제1 표시판은 보호막 위에 배치되어 있으며, 기준 전극과 연결되어 있는 제1 접촉 보조 부재를 더 포함할 수 있다.
제1 표시판은 기판 위에 배치되어 있는 게이트선 및 화소 전극, 게이트선 및 화소 전극 위에 배치되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 배치되어 있는 반도체, 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선, 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 데이터선 및 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막, 그리고 보호막 위에 배치되어 있는 기준 전극을 더 포함할 수 있다.
기준 전극은 복수의 가지 전극을 포함할 수 있다.
제1 표시판은 보호막 위에 배치되어 있으며, 화소 전극과 드레인 전극을 연결하는 제2 접촉 보조 부재를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 접착 부재를 집적 회로 칩과 일정 간격만큼 떨어지게 배치하여 표시 영역과 주변 영역의 경계에서 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 따른 액정 표시 장치의 일부를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 절단선 III-III을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 절단선 IV-IV을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 한 화소를 도시한 배치도이다.
도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 한 화소를 도시한 배치도이다.
도 9는 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 따른 액정 표시 장치의 일부를 도시한 도면이고, 도 3은 도 2의 절단선 III-III을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 절단선 IV-IV을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화상을 표시하는 액정 표시 패널(300) 및 액정 표시 패널(300)에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리(800)를 포함한다. 또한, 액정 표시 패널(300)및 백라이트 어셈블리(800)을 고정 지지하는 탑 섀시(chassis)(710), 바텀 섀시(720) 및 몰드 프레임(730)을 포함한다. 여기서, 실시예에 따른 액정 표시 장치는 탑 섀시(710)를 구비할 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다.
액정 표시 패널(300)은 다수의 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 이루어진 박막 트랜지스터 표시판(100), 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대향하는 대향 표시판(200) 및 두 표시판(100, 200) 사이에 주입되는 액정(미도시)으로 이루어진다. 여기서, 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 대향 표시판(200)은 각각 제1 표시판 및 제2 표시판으로도 지칭할 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)에는 화상을 표시하는 표시 영역(D)과 표시 영역(D)의 외곽에 위치한 주변 영역(P)을 포함한다.
표시 영역(D)에는 이 후에 설명하는 화소 전극(190)과 기준 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 데이터 전압을 인가 받고, 기준 전극(270)은 기준 전압(reference voltage)을 인가 받아 두 전극(190, 270) 사이에 전기장이 생성되고, 두 전극(190, 270) 위에 위치하는 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자는 전기장의 방향과 평행한 방향으로 회전한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 회전 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다.
주변 영역(P)에는 표시 영역(D)에 게이트 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 인가하는 복수의 집적 회로 칩(500)이 형성되어 있다.
대향 표시판(200)은 투명한 유리와 같은 절연 기판 상에 광이 통과하면서 소정의 색이 발현되는 색 필터인 적색, 녹색 및 청색 필터가 박막 공정에 의해 형성되어 있다. 본 실시예에서는 색 필터가 대향 표시판(200)에 위치하지만, 이에 한정되지 않고, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 형성될 수 있다.
백라이트 어셈블리(800)는 광을 공급하는 광원(830), 광원(830)으로부터 출사되는 광을 액정 표시 패널(300)로 가이드하는 도광판(820), 그리고 광원으로부터의 광의 휘도 특성을 확보하여 액정 표시 패널(300)로 광을 제공하는 광학 시트(810)를 포함한다. 또한, 백라이트 어셈블리(800)는 광원(830)으로부터 출사된 빛을 반사시키는 반사 시트(840)를 포함한다. 반사 시트(840)는 바텀 섀시(720)의 바닥면에 배치될 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시 패널(300)의 외부로부터 영상 신호를 입력 받아 액정 표시 패널(300)에 구동 신호를 전송하는 인쇄 회로 기판(600)과 인쇄 회로 기판(600)과 액정 표시 패널(300)을 연결하는 연결 필름(550)을 포함한다.
인쇄 회로 기판(600)은 표시 장치를 구동하는 데이터 구동 신호, 게이트 구동 신호, 및 이들 신호들을 적절한 시기에 인가하기 위한 복수의 구동 신호들을 발생시켜서, 게이트 구동 신호와 데이터 구동 신호를 연결 필름(550)을 통해 집적 회로 칩(500)에 인가한다.
또한, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시 패널(300)의 외부로부터 영상 신호를 입력 받아 액정 표시 패널(300)에 구동 신호를 전송하는 인쇄 회로 기판(600)과 인쇄 회로 기판(600)과 액정 표시 패널(300)을 연결하는 연결 필름(550)을 포함한다.
인쇄 회로 기판(600)은 표시 장치를 구동하는 데이터 구동 신호, 게이트 구동 신호, 및 이들 신호들을 적절한 시기에 인가하기 위한 복수의 구동 신호들을 발생시켜서, 게이트 구동 신호와 데이터 구동 신호를 연결 필름(550)을 통해 집적 회로 칩(500)에 인가한다.
액정 표시 패널(300)은 접착 부재(400)에 의해 몰더 프레임(730)에 고정되어 있다. 접착 부재(400)는 양면 테이프를 사용한다. 박막 트랜지스터 표시판(100)의 뒷면 즉, 집적 회로 칩(500)이 형성된 부분의 반대 면과 몰더 프레임(730)에 접착 부재(400)를 부착하여 고정한다. 접착 부재(400)는 집적 회로 칩(500)이 형성된 부분에는 부착되지 않는다. 즉, 접착 부재(400)와 집적 회로 칩(500)은 중첩하지 않는다.
본 실시예에서는 몰더 프레임(730)과 바텀 섀시(720)가 백라이트 어셈블리를 수납하여 고정 지지하여 액정 표시 패널(300)이 몰더 프레임(730)에 고정되어 있지만, 몰더 프레임(730)이 없이 바텀 섀시(720)만으로도 백라이트 어셈블리를 수납하여 고정 지지할 수도 있다. 이 경우에는 액정 표시 패널(300)이 바텀 섀시(720)에 고정된다. 이와 같이, 몰더 프레임(730) 및 바텀 섀시(720) 또는 바텀 섀시(720) 단독으로 백라이트 어셈블리를 수납하여 고정 지지하는 수납 부재의 역할을 할 수 있다.
접착 부재(400)는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 주변 영역(P)에 배치되어 있고, 몸체(410)와 몸체(410)로부터 뻗어 나온 복수개의 제1 가지부(420)와 제2 가지부(430)를 포함한다. 몸체(410)는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 일측을 따라 배치되어 있으며, 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 제1 가지부(420)는 몸체(410)의 양 끝단으로부터 각각 뻗어 나오며, 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 제2 가지부(430)는 제1 가지부(420) 사이에 대응하는 몸체(410)로부터 뻗어 나오며, 집적 회로칩(500) 사이에 위치한다. 제2 가지부(430)는 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있어, 인접한 제2 가지부(430) 사이의 거리는 집적 회로 칩(500)의 너비보다 더 크다.
이와 같이, 접착 부재(400)를 집적 회로 칩(500)과 중첩하지 않게 배치하여 접착 부재(400)에 의한 응력이 집적 회로 칩(500)에 영향을 미치는 것을 방지하여 표시 영역(D)과 주변 영역(P)의 경계에서 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
그러면, 도 5을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 도시한 도면이다.
도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조는 도 1에 따른 액정 표시 장치와 비교하여 접착 부재(400)의 형상만 다를 뿐, 나머지 구조는 동일하다. 이에, 접착 부재(400)에 대해서만 설명한다.
접착 부재(400)는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 주변 영역(P)에 배치되어 있고, 몸체(410)와 몸체(410)로부터 뻗어 나온 복수개의 제1 가지부(420)와 제2 가지부(430)를 포함한다. 또한, 제1 가지부(430) 및 제2 가지부(430)를 연결하는 연결부(440)를 포함한다.
몸체(410)는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 일측을 따라 배치되어 있으며, 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 제1 가지부(420)는 몸체(410)의 양 끝단으로부터 각각 뻗어 나오며, 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 제2 가지부(430)는 제1 가지부(420) 사이에 대응하는 몸체(410)로부터 뻗어 나오며, 집적 회로칩(500) 사이에 위치한다. 제2 가지부(430)는 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있어, 인접한 제2 가지부(430) 사이의 거리는 집적 회로 칩(500)의 너비보다 더 크다. 연결부(440)는 몸체(410)에 대해 반대편에 위치하고, 집적 회로 칩(500)과 일정 간격만큼 떨어져 배치되어 있다.
그러면, 도 6 내지 도 9를 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대해 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 한 화소를 도시한 배치도이고, 도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(110) 위에 게이트선(121) 및 기준 전극(270)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다. 게이트선(121)은
기준 전극(270)은 화소 영역을 모두 덮고 있는 판 형태(plane shape)를 가지며, 이웃한 화소 영역과의 연결부(275)를 포함한다. 기준 전극(270)은 다결정, 단결정 또는 비정질의 ITO(indium tin oxide), 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 만들어진다.
게이트선(121) 및 기준 전극(270) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등으로 이루어지는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(140) 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(154)를 포함한다.
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.
각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다.
드레인 전극(175)은 막대형인 한 쪽 끝 부분과 면적이 넓은 확장부를 포함한다. 막대형 끝 부분은 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나, 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 화소 열 방향으로 인접해 있는 두 화소 영역에 형성되어 있는 기준 전극(270)의 일부를 각기 드러내는 복수의 제2 및 제3 접촉 구멍(186a, 186b)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 제1 접촉 보조 부재(contact assistant)(196)가 형성되어 있다. 이들은 다결정, 단결정 또는 비정질의 ITO(indium tin oxide), 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
제1 접촉 보조 부재(196)는 제2 접촉 구멍(186a) 및 제3 접촉 구멍(186b)을 통해 드러나 있는 인접한 화소의 기준 전극(270)을 서로 연결한다.
화소 전극(190)은 복수의 가지 전극(191)을 포함한다. 화소 전극(190)의 가지 전극(191)은 게이트선(121)과 거의 나란한 방향으로 뻗어 있으며, 게이트선(121)과 약 5도 내지 약 20도의 각도를 이루도록 기울어질 수 있다.
화소 전극(190)은 제1 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 기준 전압(reference voltage)을 인가 받는 기준 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써, 두 전극(190, 270) 위에 위치하는 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자는 전기장의 방향과 평행한 방향으로 회전한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 회전 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 한 화소를 도시한 배치도이고, 도 9는 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 층 구조는 도 6 및 도 7에 도시한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 층 구조와 유사하다.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판(110) 위에 게이트선(121)과 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 복수의 가지 전극(191)을 포함한다. 화소 전극(190)은 화소 영역을 모두 덮고 있는 판 형태(plane shape)를 가진다.
게이트선(121) 및 화소 전극(190) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등으로 이루어지는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다.
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다.
각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다.
드레인 전극(175)은 막대형인 한 쪽 끝 부분과 면적이 넓은 확장부를 포함한다. 막대형 끝 부분은 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185), 그리고 게이트 절연막(140) 및 보호막(180)에는 화소 전극(190)의 일부를 드러내는 제4 접촉 구멍(187)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 기준 전극(270) 및 제2 접촉 보조 부재(193)가 형성되어 있다. 기준 전극(270)은 복수의 가지 전극(271)을 포함한다. 가지 전극(271)은 게이트선(121)과 거의 나란한 방향으로 뻗어 있으며, 게이트선(121)과 약 5도 내지 약 20도의 각도를 이루도록 기울어질 수 있다.
제2 접촉 보조 부재(193)는 제1 접촉 구멍을 통해 드러나 있는 드레인 전극(175)과 제4 접촉 구멍(187)을 통해 드러나 있는 화소 전극(190)을 서로 연결한다.
이처럼, 본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 도 4 및 도 5에 도시한 박막 트랜지스터 표시판과는 달리, 화소 전극(190)이 게이트선(121)과 동일한 층에 위치하고, 보호막(180) 위에 복수의 가지 전극(271)을 가지는 기준 전극(270)이 형성된다. 그 외의 구조는 도 6 및 도 7에 도시한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판과 거의 같다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 박막 트랜지스터 표시판 200: 대향 표시판
400: 접착 부재 500: 집적 회로 칩
550: 연결 필름 720: 몰더 프레임
730: 바텀 섀시 800: 백라이트 어셈블리

Claims (16)

  1. 제1 표시판 및 상기 제1 표시판에 대향하는 대향 표시판을 포함하는 액정 표시 패널,
    상기 액정 표시 패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리,
    상기 백라이트 어셈블리를 고정 지지하는 수납 부재, 그리고
    상기 액정 표시 패널과 상기 수납 부재를 부착하는 접착 부재를 포함하고,
    상기 제1 표시판은 화상을 표시하는 표시 영역, 상기 표시 영역의 외곽에 위치하는 주변 영역 및 상기 주변 영역에 위치하고, 상기 표시 영역에 구동 신호를 인가하는 복수의 집적 회로 칩을 포함하고,
    상기 접착 부재는 상기 제1 표시판의 상기 복수의 집적 회로 칩이 위치하는 면의 반대 면에 부착되고,
    상기 접착 부재는 상기 주변 영역에 배치되어 있으며, 상기 집적 회로 칩과 중첩하지 않게 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 접착 부재는 몸체 및 상기 몸체로부터 뻗어 나온 복수의 제1 가지부 및 복수의 제2 가지부를 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 몸체는 상기 제1 표시판의 일측을 따라 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 가지부는 상기 몸체의 양 끝단으로부터 각각 뻗어 나와 있는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제2 가지부는 상기 제1 가지부 사이에 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 가지부는 상기 집적 회로 칩 사이에 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    인접하는 상기 제2 가지부 사이의 거리는 상기 집적 회로 칩의 너비보다 더 큰 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 접착 부재는 상기 제1 가지부 및 상기 제2 가지부를 연결하는 연결부를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 연결부는 상기 몸체의 반대 편에 위치하며, 상기 제1 표시판의 일측을 따라 배치되어 있는 액정 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제1 표시판은
    기판 위에 배치되어 있는 게이트선 및 기준 전극,
    상기 게이트선 및 상기 기준 전극 위에 배치되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 배치되어 있는 반도체,
    상기 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 반도체 위에 배치되어 있으며, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,
    상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막, 그리고
    상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 화소 전극은 복수의 가지 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 표시판은 상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 상기 기준 전극과 연결되어 있는 제1 접촉 보조 부재를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  14. 제1항에서,
    상기 제1 표시판은
    기판 위에 배치되어 있는 게이트선 및 화소 전극,
    상기 게이트선 및 상기 화소 전극 위에 배치되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 배치되어 있는 반도체,
    상기 반도체 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선,
    상기 반도체 위에 배치되어 있으며, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,
    상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막, 그리고
    상기 보호막 위에 배치되어 있는 기준 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 기준 전극은 복수의 가지 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 표시판은 상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 제2 접촉 보조 부재를 더 포함하는 액정 표시 장치.
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