KR101877193B1 - 형광 광원 장치 - Google Patents

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우시오덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 장기간에 걸쳐 반사율의 저하가 발생하지 않는 높은 신뢰성을 갖는 형광 광원 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.　
본 발명의 형광 광원 장치는, 여기광에 의해 형광을 발하는, 표면이 여기광 입사면이 되는 형광판과, 당해 형광판의 이면측에 배치된 반사층과, 방열 기판을 구비한 형광 광원 장치에 있어서, 상기 반사층의 이면, 및, 둘레측면을 덮는 봉지층이, 접착층을 개재하여, 상기 형광판의 이면의 주연에 밀착하여 설치되어 있고, 상기 방열 기판 상에, 접합 부재층을 개재하여, 니켈 도금에 의해 형성된 확산 방지층이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

형광 광원 장치
본 발명은, 형광 광원 장치에 관한 것이다.
종래, 형광 광원 장치로서는, 레이저광을 여기광으로 하여 형광판에 조사하고, 당해 형광판으로부터 형광을 출사하는 구성의 것이 알려져 있다.
이러한 형광 광원 장치 중 어떤 종류는, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 반도체 레이저 등의 여기 광원(11)으로부터의 여기광에 의해 형광을 방사하는 형광체를 함유하고, 표면(도 4에 있어서의 상면)이 여기광 입사면이 되는 형광판(51)과, 당해 형광판(51)의 이면(도 4에 있어서의 하면) 측에 설치된 방열 기판(52)을 구비하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 이 형광 광원 장치에 있어서, 형광판(51)은, 반사층이 설치되는 것 등에 의해 이면이 반사 기능을 갖는 것으로 되어 있다. 이 반사층은, 높은 광반사 특성을 갖는 금속으로 이루어지는 것인 것이 바람직하고, 반사층을 구성하는 금속으로서는, 알루미늄(Al), 은(Ag) 등이 이용된다. 그리고, 형광판(51)에 설치된 반사층과 방열 기판(52)의 사이에는, 예를 들면 땜납 등의 금속으로 이루어지는 접합 부재층(53)이 개재되어 있고, 당해 접합 부재층(53)에 의해 형광판(51)이 방열 기판(52) 상에 접합되어 있다.
일본국 특허공개 2011-129354호 공보
그러나, 형광판에 반사층이 설치된 형광 광원 장치에 있어서는, 산화 및 황화 등에 의한 표면 열화에 의해 반사층의 반사율이 저하한다는 결함이 발생한다. 또, 형광 광원 장치의 제조 공정에 있어서의 형광판과 방열 기판의 접합시, 및 형광 광원 장치의 동작시에, 접합부가 고온이 되기 때문에, 접합 부재에 포함되는 반사율이 낮은 물질이 반사층에 확산되고 반사율이 저하한다는 문제가 있다.
이러한 표면 열화 및 접합 부재에 포함되는 금속의 확산에 기인하는 반사층의 반사율의 저하의 문제는, 반사층에 대해서, 내후성용의 보호층 및 접합 부재에 포함되는 물질의 확산 방지층의 양쪽이 설치되어 있지 않은 경우, 보호층 및 확산 방지층의 어느 한쪽만이 설치되어 있는 경우, 및 양쪽이 설치되고 있었다고 해도 보호층의 밀착성이 충분하지 않은 경우 중 어떤 경우에도 발생한다. 또, 이 반사층의 반사율의 저하의 문제는, 반사층으로서 은(Ag) 또는 은을 주체로 하는 은 합금을 이용하고, 접합 부재로서, 예를 들면 땜납 등의 주석(Sn)을 함유하는 금속을 이용한 경우에 현저하다.
본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 장기간에 걸쳐 반사율의 저하가 발생하지 않는 높은 신뢰성을 갖는 형광 광원 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 형광 광원 장치는, 여기광에 의해 형광을 발하는, 표면이 여기광 입사면이 되는 형광판과, 당해 형광판의 이면측에 배치된 반사층과, 방열 기판을 구비한 형광 광원 장치에 있어서,
상기 반사층의 이면, 및, 둘레측면을 덮는 봉지층이, 접착층을 개재하여, 상기 형광판의 이면의 주연에 밀착하여 설치되어 있고,
상기 방열 기판 상에, 접합 부재층을 개재하여, 니켈 도금에 의해 형성된 확산 방지층이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 형광 광원 장치에 있어서는, 상기 확산 방지층은, 두께가 1㎛ 이상 3㎛ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 형광 광원 장치에 있어서는, 상기 확산 방지층은, 술팜산 니켈 도금조를 이용하여 형성된 도금층인 것이 바람직하다.
본 발명의 형광 광원 장치에 있어서는, 상기 확산 방지층과 상기 봉지층의 사이에, 응력 완화층이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 형광 광원 장치에 있어서는, 방열 기판 상에, 접합 부재층을 개재하여, 니켈 도금에 의해 형성된 확산 방지층이 설치되어 있다. 그 때문에, 접합 부재층의 구성 재료(접합 부재)가 반사층에 확산되는 것에 기인하여 당해 반사층의 반사율이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접합 부재층의 구성 재료로서 주석을 함유하는 금속을 이용하고, 반사층으로서 은반사막 또는 은을 주체로 하는 은 합금 반사막을 이용한 경우라도, 주석의 확산에 기인하는 반사층의 반사율의 저하를 방지할 수 있다.
또, 형광판의 이면측에 있어서는, 반사층의 이면 및 둘레측면을 덮는 봉지층이, 접착층을 개재하여 당해 형광판의 이면의 주연에 밀착하여 설치됨으로써, 반사층의 봉지 구조가 형성되어 있다. 그 때문에, 반사층이 대기 등의 환경 분위기에 노출되지 않음으로써, 산화 및 황화 등에 의한 표면 열화에 기인하는 당해 반사층의 반사율의 저하를 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명의 형광 광원 장치에 의하면, 장기간에 걸쳐 반사율의 저하가 발생하지 않는 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
도 1은, 본 발명의 형광 광원 장치의 구성의 일례의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 2는, 도 1의 형광 광원 장치에 있어서의 형광 발광 부재 및 방열 기판의 구체적인 구성을 나타내는 설명용 분해도이다.
도 3은, 도 1의 형광 광원 장치에 있어서의 형광 발광 부재의 형성 과정을 나타내는 플로차트이다.
도 4는, 종래의 형광 광원 장치의 구성의 일례의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 5는, 도 4의 형광 광원 장치에 있어서의 형광판 및 방열 기판을 나타내는 설명용 평면도이다.
이하, 본 발명의 형광 광원 장치의 실시의 형태에 대해 설명한다.
도 1은, 본 발명의 형광 광원 장치의 구성의 일례의 개략을 나타내는 설명도이며, 도 2는, 도 1의 형광 광원 장치에 있어서의 형광 발광 부재 및 방열 기판의 구체적인 구성을 나타내는 설명용 분해도이다.
이 형광 광원 장치(10)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 반도체 레이저로 이루어지는 여기 광원(11)과, 여기 광원(11)으로부터의 여기광에 의해 형광을 출사하는 형광판(21)을 갖는 형광 발광 부재(20)를 구비하고, 이들이 서로 이격하여 설치된 것이다. 또, 형광 광원 장치(10)에는, 형광 발광 부재(20)의 이면측(도 1 및 도 2에 있어서의 하면측)에, 방열 기판(22)이 설치되어 있다.
이 도면의 예에 있어서, 형광 발광 부재(20)는, 여기 광원(11)에 대향하도록, 당해 여기 광원(11)의 광축에 대해서 경사진 자세로 배치되어 있다.
형광 발광 부재(20)는, 평판 형상의 형광판(21)의 표면(도 1 및 도 2에 있어서의 상면)이, 여기광 입사면이 됨과 더불어 형광 출사면이 되는 것이다.
이 형광 발광 부재(20)는, 평판 형상의 방열 기판(22)의 표면(도 1 및 도 2에 있어서의 상면)에, 형광판(21)의 이면(도 1 및 도 2에 있어서의 하면)이, 당해 방열 기판(22)의 표면에 대향한 상태로 배치되어 접합된 것이다. 그리고, 방열 기판(22)과 형광 발광 부재(20)의 사이에는, 평판 형상의 접합 부재층(26)이 형성되어 있다. 즉, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)은, 접합 부재층(26)에 의해 접합되어 있다.
또, 형광 발광 부재(20)는, 형광판(21)의 표면이, 여기 광원(11)에 대향하도록 배치되어 있다.
형광판(21)은, 여기광에 의해 여기되어 형광을 방사하는 형광체를 함유하는 판상체이다.
또, 형광판(21)은, 형광체와 금속 산화물로 이루어지는 판상체, 구체적으로는, 형광체와 금속 산화물의 혼합물의 소결체로서, 금속 산화물의 입자로 이루어지는 부분(이하, 「금속 산화물 부분」이라고도 한다.)과 형광체의 입자로 이루어지는 부분(이하, 「형광체 부분」이라고도 한다.)이 혼재하고, 표면에 금속 산화물 부분이 노출된 상태의 판상체인 것이 바람직하다.
형광판(21)이, 형광체와 금속 산화물로 이루어지는 것, 즉 금속 산화물 부분과 형광체 부분이 혼재하고, 표면에 금속 산화물 부분이 노출된 것임으로써, 당해 형광판(21)에 접촉한 상태로 적층되는 형광 발광 부재(20)의 구성 부재(이 도면의 예에 있어서는, 후술하는 반사 적층체(30) 및 접착층(38))와의 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다.
또, 형광판(21)이 형광체와 금속 산화물로 이루어지는 것임에 의하면, 형광판(21)의 내부에 입사한 여기광 및 형광의 도광이 제어되기 때문에, 형광 출사면에 있어서의 발광 영역이 작아지고 발광 휘도가 향상한다. 또, 형광판(21)의 내부에 있어서, 어떤 형광체 부분에 입사했지만 흡수되지 않은 여기광의 진행 방향이 당해 형광체 부분과 금속 산화물 부분의 계면에 있어서 변경된다. 그리고, 그 어떤 형광체 부분에 입사했지만 흡수되지 않은 여기광의 일부는, 다른 형광체 부분을 향해 진행한다. 그 때문에, 여기광을 형광으로 변환하기 위한 광로 길이가 길어지고, 여기광이 형광체 부분에 흡수되는 확률이 높아진다. 그 결과, 형광판(21)의 내부에 입사한 여기광을 유효하게 이용하여, 높은 효율로 형광으로 변환할 수 있다. 또, 어떤 형광체 부분으로부터 방사된 형광의 진행 방향이 다른 형광체 부분과 금속 산화물 부분의 계면에 있어서 변경되기 때문에, 형광이 형광판(21)의 내부에 갇히는 것이 억제된다. 그 결과, 형광 발광 부재(20)에 있어서는, 형광판(21)의 내부에 있어서 발생한 형광을 유효하게 이용하여, 높은 효율로 외부로 출사할 수 있다.
형광판(21)에 있어서, 형광체로서는, 다결정의 형광체가 이용된다.
형광판(21)을 구성하는 형광체가 다결정의 형광체임으로써, 형광판(21)이 높은 열전도성을 갖는 것이 된다. 그 때문에, 형광판(21)에 있어서는 여기광의 조사에 의해 발생한 열이 효율적으로 배열되기 때문에, 형광판(21)이 고온으로 되는 것이 억제된다. 그 결과, 형광판(21)에 있어서는, 형광체에 있어서 온도 소광이 발생하는 것에 기인하는 형광 광량의 저감을 억제할 수 있다.
여기에, 형광판(21)을 구성하는 다결정의 형광체는, 예를 들면 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 먼저, 모재, 부활재, 금속 산화물 및 소성 조제 등의 원재료를 볼 밀 등에 의해 분쇄 처리함으로써, 서브 미크론 이하의 원재료 미립자를 얻는다. 다음에, 이 원재료 미립자를 이용하여, 예를 들면 슬립 캐스트법에 의해 성형체를 형성하여 소결한다. 그 후, 얻어진 소결체에 대해서 열간 등방압 가압 가공을 행함으로써, 기공율이 예를 들면 0.5% 이하의 다결정의 형광체를 얻을 수 있다.
형광판(21)을 구성하는 형광체는, 무기 형광체, 구체적으로는 희토류 원소를 발광 이온(부활재)으로서 도프한 복합 산화물로 이루어지는 것임이 바람직하다.
형광판(21)에 있어서, 형광체의 함유 비율은, 예를 들면 20~80질량%이다.
또, 형광체의 입자의 입경(평균 입경)은, 예를 들면 1~10㎛이다.
형광판(21)에 있어서, 금속 산화물로서는, 배열성(열전도성) 및 형광체와의 밀착성 등의 관점으로부터, 산화 알루미늄(Al2O3) 등이 이용된다.
이러한 구성의 형광판(21)은, 예를 들면, 적당한 입경을 갖는 형광체의 입자와, 산화 알루미늄(Al2O3)의 입자를 혼합하고, 그 혼합물을 프레스한 후, 소성함으로써 제조할 수 있다.
형광판(21)의 재질의 구체예로서는, Al2O3/YAG:Ce, Al2O3/YAG:Pr, Al2O3/YAG:Sm, 및 Al2O3/LuAG:Ce 등을 들 수 있다. 이러한 형광판(21)의 형광체에 있어서, 희토류 원소(부활재)의 도프량은, 0.5mol% 정도이다.
형광판(21)의 두께는, 여기광의 형광에 대한 변환 효율(양자수율) 및 배열성의 관점으로부터, 0.05~2.0㎜인 것이 바람직하다.
또, 형광판(21)은, 적어도 여기광을 확산하는 광산란체를 함유하고, 여기광을 확산하는 광확산 기능을 갖는 것이어도 된다. 여기에, 형광판(21)은, 광산란체가 여기광과 형광을 확산하는 것인 경우에는, 여기광 및 형광을 확산하는 광확산 기능을 갖는 것이 된다.
형광판(21)이 광확산 기능을 갖는 것임으로써, 형광판(21)의 내부에 있어서, 여기광의 진행 방향이 광산란체에 의해 변경된다. 그 때문에, 여기광을 형광으로 변환하기 위한 광로 길이가 길어지고, 여기광이 형광체 부분에 흡수되는 확률이 높아진다. 그 결과, 형광판(21)의 내부에 입사한 여기광을 유효하게 이용하여, 높은 효율로 형광으로 변환할 수 있다.
또, 형광판(21)이 형광을 확산하는 기능을 갖는 것인 경우에는, 형광판(21)의 내부에 있어서, 형광의 진행 방향이 광산란체에 의해 변경되기 때문에, 형광이 형광판(21)의 내부에 갇히는 것이 억제된다. 그 결과, 형광 발광 부재(20)에 있어서는, 형광판(21)의 내부에 있어서 발생한 형광을 유효하게 이용하여, 높은 효율로 외부로 출사할 수 있다.
또한, 형광판(21)이 광확산 기능을 갖는 것임에 따르면, 여기광의 형광으로의 변환 효율(양자수율)이 작아진다는 폐해를 일으키지 않고, 형광판(21)의 두께를 작게 할 수 있다. 그리고, 형광판(21)의 두께를 작게 하는 것에 따르면, 당해 형광판(21)이 매우 높은 배열성을 갖는 것이 되고, 또 형광판(21)의 외주면으로부터 형광이 외부로 출사되는 것을 충분히 억제 또는 방지할 수 있다.
형광판(21)에 함유되는 광산란체는, 형광판(21)의 금속 산화물 부분을 구성하는 산화 알루미늄(Al2O3)이나 형광체와는 다른 굴절률을 갖는 미소 입자 또는 입계 석출상에 의해 구성되는 것이다. 여기에, 광산란체를 구성하는 미소 입자로서는, 예를 들면 이트리어, 질화 규소, 질화 알루미늄 및 불화 스트론튬 등의 무기 화합물로 이루어지는 것을 들 수 있다.
접합 부재층(26)을 구성하는 접합 부재로서는, 배열성 및 저응력성의 관점으로부터, 주석을 함유하는 땜납을 사용하는 것이 바람직하다.
접합 부재로서 이용되는 주석을 함유하는 땜납의 구체예로서는, 예를 들면 금 주석 합금(AuSn, 주석(Sn)의 함유 비율 20질량%, 열전도율 250W/mk) 및 주석-은-동 합금(Sn-3Ag-0.5Cu(은(Ag)의 함유 비율 3질량%, 동(Cu)의 함유 비율 0.5질량%, 주석(Sn)의 함유 비율 96.5질량%), 열전도율 55W/mk) 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 열전도율이 높고, 주석의 함유량이 적기 때문에, 금 주석 합금이 바람직하다. 구체적으로 설명하면, 접합 부재로서 금 주석 합금을 이용한 경우에는, 열전도율이 높기 때문에, 접합 부재로서 주석-은-동 합금을 이용한 경우에 비교하여, 여기광의 여기 파워가 동일해도, 형광판(21)의 온도를 20deg 정도 낮게 할 수 있다. 또, 주석의 함유 비율이 적기 때문에, 반사층(31)의 반사율의 저하를 억제할 수 있다.
또, 접합 부재층(26)의 두께는, 예를 들면 30㎛이다.
이 도면의 예에 있어서, 접합 부재에 의한 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 접합 방법으로서는, 예를 들면 리플로우로를 이용하고, 플럭스 프리 땜납 시트(접합 부재)를, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 사이에 끼우고, 포름산 가스 또는 수소 가스의 분위기중에 있어서 가열을 행하는 리플로우 방식이 이용되고 있다. 이와 같이, 포름산 또는 수소의 환원력을 이용하여 플럭스 프리 땜납 시트의 표면 산화막을 제거하여 리플로우를 행하는 접합 방법에 의하면, 형성되는 접합 부재층(26)에 보이드가 발생하지 않고, 양호한 열전도성을 얻을 수 있다.
방열 기판(22)은, 형광 발광 부재(20)(구체적으로는, 형광판(21))에 있어서 발생한 열을 배열하는 것이다.
이 방열 기판(22)은, 고열 전도성을 가짐과 더불어, 형광판(21)과의 열팽창 계수의 차가 작은 재료로 이루어지는 것임이 바람직하다.
구체적으로는, 방열 기판(22)의 구성 재료의 열팽창 계수는 형광판(21)의 구성 재료의 열팽창 계수 이상이며, 그 열팽창 계수의 차는 9×10- 6〔1/K〕이하인 것이 바람직하다.
방열 기판(22)의 구성 재료와 형광판(21)의 구성 재료의 열팽창 계수의 차가 9×10-6〔1/K〕이하인 것에 따르면, 형광판(21)의 동작시 온도를 150℃ 이하로 설정함으로써, 형광 광원 장치(10)의 제조 공정에 있어서, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 접합 부재(구체적으로는, 주석을 함유하는 땜납)에 의한 접합 온도가 100℃ 정도가 된다. 그 때문에, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서는, 형광판(21)에 압축 응력이 발생한 상태가 되기 때문에, 형광판(21)과 방열 기판(22)의 사이에, 열팽창에 기인하는 박리가 발생하지 않는다.
방열 기판(22)의 구성 재료로서는, 동(Cu) 및 몰리브덴과 동의 합금(Mo-Cu) 등의 금속이 이용된다.
여기에, 방열 기판(22)의 구성 재료로서 이용되는 동의 열팽창 계수는 16.5×10-6〔1/K〕이며, 몰리브덴과 동의 합금(동(Cu)의 함유 비율 30질량%)의 열팽창 계수는 8.6×10- 6〔1/K〕이다. 한편, 형광판(21)의 구성 재료로서 이용되는 YAG의 열팽창 계수는 8.6×10-6〔1/K〕이다.
도면의 예에 있어서, 방열 기판(22)은, 동으로 이루어지는 것이다.
방열 기판(22)에 있어서, 두께는, 방열 특성을 고려하여 적당히 정하면 되고, 예를 들면 0.5~5.0㎜이다.
또, 방열 기판(22)의 표면의 면적은, 도 1 및 도 2에 표시되어 있는 바와 같이, 배열성 등의 관점으로부터, 형광판(21)의 이면의 면적보다 큰 것이 바람직하다.
또, 방열 기판(22)은, 방열 핀의 기능을 겸비한 것이어도 된다.
이 도면의 예에 있어서, 방열 기판(22)의 두께는 2㎜이다.
또, 방열 기판(22)에는, 접합 부재층(26)과의 접합성의 관점으로부터, 도 2에 표시되어 있는 바와 같이, 당해 방열 기판(22)의 표면에, 보호막층(23) 및 땜남 젖음막층(24)이 이 순서로 적층된 금속막이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이 금속막에 있어서, 보호막층(23)은, 예를 들면 와트욕에 의한 도금법에 의해 형성된 니켈(Ni)막으로 이루어지고, 땜납 젖음막층(24)은, 예를 들면 와트욕에 의한 도금법에 의해 형성된 금(Au)막으로 이루어진다.
이 도면의 예에 있어서, 방열 기판(22)은, 외표면 전면(표면, 이면 및 둘레측면)이, 보호막층(23) 및 땜납 젖음막층(24)으로 이루어지는 금속막으로 덮여 이루어지는 것이다. 이 금속막을 구성하는 각층의 두께는, 보호막층(23)이 2.5㎛, 땜납 젖음막층(24)이 0.03㎛이다.
형광판(21)의 이면측, 구체적으로는 형광판(21)과 방열 기판(22)의 사이에는, 형광판(21)의 이면을 따라 연장되도록, 은반사막 또는 은을 주체로 하는 은 합금 반사막으로 이루어지는 평판 형상의 반사층(31)이 설치되어 있다. 즉, 형광판(21)의 이면에는, 반사층(31)이 대향 배치되어 있다. 이와 같이, 형광판(21)은, 이면측에 고반사 특성을 갖는 은 또는 은 합금으로 이루어지는 반사층(31)이 설치됨으로써, 이면에 고반사 기능을 갖는 것으로 되어 있다.
이 도면의 예에 있어서, 반사층(31)과 형광판(21)의 사이에는, 금속 산화물 다층막으로 이루어지는 증반사부(32)가, 형광판(21)의 이면에 밀착한 상태로 설치되어 있다. 즉, 형광판(21)의 이면에는, 증반사부(32)와 반사층(31)이 이 순서로 설치되어 있다. 이 증반사부(32)를 구성하는 금속 산화물 다층막은, 이산화 규소(SiO2)층(32A)과 산화 티탄(TiO2)층(32B)을 갖는 것이다. 여기에, 증반사부(32)를 구성하는 금속 산화물 다층막의 두께는, 350㎚이다. 이 금속 산화물 다층막을 구성하는 이산화 규소층(32A) 및 산화 티탄층(32B)을 포함하는 반사 적층체(30)는, 전자빔 증착법에 의해 제작된다. 구체적으로는, 노광에 의해 패터닝한 레지스트가 설치된 형광판(21)의 이면 상에, 전자빔 증착법에 의해 적층막(반사 적층체(30))을 성막한다. 그 후, 레지스트를 리프트 오프에 의해 제어하여 제작된 것이다. 또, 증반사부(32)의 표면(도 2에 있어서의 상면)은, 그 전면이 형광판(21)의 이면의 중앙부에 대향 접촉되어 있다.
반사층(31)은, 그 두께가 예를 들면 110~350㎚인 것이다.
또, 반사층(31)의 표면(도 1 및 도 2에 있어서의 상면)의 면적은, 여기광 및 형광의 유효 이용성의 관점으로부터, 형광판(21)의 이면의 면적 이하인 것이 바람직하다.
이 도면의 예에 있어서, 반사층(31)의 표면은, 형광판(21)의 이면의 치수보다 약간 작은 치수를 갖고 있고, 그 전면이 형광판(21)의 이면의 중앙부에 대향하고 있다.
또, 반사층(31)에 있어서, 당해 반사층(31)의 표면에는, 접착성 개선층(35A)이, 당해 표면에 밀착한 상태로 그 전면을 덮도록 설치되어 있다.
또, 반사층(31)의 이면(도 2에 있어서의 하면)에는, 접착성 개선층(35B)이, 당해 이면에 밀착한 상태로 그 전면을 덮도록 설치되어 있다.
반사층(31)의 표리면의 각각에 접착성 개선층(35A, 35B)이 설치되어 있음으로써, 반사층(31)과 당해 접착성 개선층(35A, 35B)을 개재하여 반사층(31)에 적층되는 형광 발광 부재(20)의 구성 부재의 사이에 높은 밀착성을 얻을 수 있다.
이 도면의 예에 있어서, 접착성 개선층(35A)의 상면(도 2에 있어서의 상면)에는, 증반사부(32)가 밀착한 상태로 설치되어 있다. 즉, 접착성 개선층(35A)과 형광판(21)의 사이에 있어서는, 증반사부(32)가, 접착성 개선층(35A) 및 형광판(21)의 각각에 밀착한 상태로 되어 있다. 그리고, 반사층(31)과 접착성 개선층(35A, 35B)과 증반사부(32)에 의해 반사 적층체(30)가 구성되어 있다.
접착성 개선층(35A, 35B)은, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어지는 것이다.
또, 접착성 개선층(35A, 35B)은, 그 두께가 1㎛ 이하인 것임이 바람직하다.
접착성 개선층(35A, 35B)의 두께가 1㎛를 넘는 경우에는, 접착성 개선층(35A, 35B)이 열전도성이 낮은 것이 되고, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서의 형광판(21)의 온도가 높아진다. 그 때문에, 형광체에 있어서 온도 소광이 발생하는 것에 기인하여 충분한 형광 광량을 얻을 수 없게 된다.
이 도면의 예에 있어서, 접착성 개선층(35A)의 두께는 50㎚이며, 접착성 개선층(35B)의 두께는 50㎚이다.
그리고, 반사 적층체(30)에는, 반사층(31)에 있어서의 이면 및 둘레측면을 덮도록 봉지층(37)이 설치되어 있다.
또, 반사 적층체(30)와 봉지층(37)의 사이, 및 형광판(21)의 이면의 주연과 봉지층(37)의 사이에는, 봉지층(37)을, 반사 적층체(30) 및 형광판(21)에 접착하기 위한 접착층(38)이 설치되어 있다. 즉, 접착층(38)은, 반사 적층체(30)에 있어서의 이면 및 둘레측면과, 형광판(21)의 이면의 주연과, 봉지층(37)에 밀착한 상태로 설치되어 있다.
이와 같이 하여, 형광판(21)의 이면에 있어서, 봉지층(37)이 접착층(38)을 개재하여 반사 적층체(30)에 밀착하여 설치되어 있고, 이 봉지층(37)과 접착층(38)과 형광판(21)에 의해, 반사 적층체(30)의 봉지 구조가 형성되어 있다.
반사 적층체(30)의 봉지 구조가 형성되어 있음으로써, 반사 적층체(30)에 있어서의 구성층의 벗겨짐이 방지되고, 또, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서, 반사 적층체(30)가 동작 환경 분위기에 노출되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 형광 발광 부재(20)가 뛰어난 내후성 및 내습성을 갖는 것이 된다. 그 결과, 반사층(31)의 형광판(21)으로부터의 박리, 및 반사층(31)의 산화 및 황화에 의한 표면 열화를 방지할 수 있다.
또, 반사 적층체(30)의 봉지 구조가 형성되어 있는 것에 따르면, 반사 적층체(30)가, 형광 발광 부재(20)의 형성 과정(구체적으로는, 반사 적층체(30)의 봉지 구조를 형성한 후에 있어서의 형광 발광 부재(20)의 구성층의 형성 과정), 및 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 접합 과정 등의 형광 광원 장치(10)의 제조 공정에 있어서의 제조 환경 분위기에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 형광 광원 장치(10)에 있어서, 반사 적층체(30)가 소기의 반사 기능을 갖는 것이 된다.
봉지층(37)은, 니켈 또는 인듐으로 이루어지는 것이며, 내후성의 관점으로부터는 니켈로 이루어지는 것임이 바람직하다.
또, 봉지층(37)은, 그 두께가, 예를 들면 0.5㎛ 이하로 된다.
이 봉지층(37)은, 스패터 증착법 등에 의해 형성된다.
이 도면의 예에 있어서, 봉지층(37)은, 니켈로 이루어지는 것이며, 당해 봉지층(37)의 두께는 110㎚이다.
접착층(38)은, 크롬, 크롬 합금 또는 티탄으로 이루어지는 것이며, 특히 봉지층(37)이 니켈로 이루어지는 것인 경우에는, 당해 봉지층(37)과의 밀착성의 관점으로부터, 크롬으로 이루어지는 것임이 바람직하다.
이 접착층(38)은, 반사 적층체(30)와 봉지층(37)의 사이 및 형광판(21)과 봉지층(37)의 사이의 각각에 있어서, 예를 들면 50㎚의 두께를 갖는 것이다.
또, 접착층(38)은, 스패터 증착법 등에 의해 형성된다.
이 도면의 예에 있어서, 접착층(38)은, 크롬으로 이루어지는 것이다. 또, 형광판(21)의 이면에 있어서의 접착층(38)이 밀착한 영역, 즉 형광판(21)의 이면의 주연은, 금속으로 이루어지는 접착층(38)이 밀착하여 설치됨으로써, 반사 기능을 갖는 것으로 되어 있다. 즉, 형광판(21)의 이면은, 중앙이 고반사 기능을 가지며, 주연이 반사 기능을 갖는 것으로 되어 있다. 이로 인해, 형광판(21)의 이면의 주연에 있어서의 형광의 흡수가 적어진다. 그 때문에, 형광 발광 부재(20)에 있어서는, 형광판(21)에서 발생한 형광을 효율적으로 취출할 수 있다.
형광 광원 장치(10)에 있어서, 방열 기판(22) 상에는, 접합 부재층(26)을 개재하여 확산 방지층(45)이 설치되어 있다. 즉, 형광 발광 부재(20)에는, 봉지층(37)의 이면측, 구체적으로는, 봉지층(37)과 접합 부재층(26)의 사이에, 확산 방지층(45)이 설치되어 있다.
확산 방지층(45)이 설치되어 있는 것에 따르면, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서, 접합 부재층(26)을 구성하는 금속(구체적으로는, 예를 들면 주석)이, 확산 방지층(45)의 표면(도 1 및 도 2에 있어서의 상면) 상에 적층된 형광 발광 부재(20)의 구성 부재에 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또, 형광 광원 장치(10)의 제조 공정에 있어서는, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 접합 과정에서, 접합 부재층(26)을 구성하는 금속이 형광 발광 부재(20)의 구성 부재에 확산되는 것을 방지할 수 있다.
확산 방지층(45)은, 니켈 도금에 의해 형성된 것이다.
확산 방지층(45)이 도금법에 의해 형성된 것임으로써, 당해 확산 방지층(45)은, 증착법에 의해 형성된 경우에 비교하여 치밀한 것이 되기 때문에, 뛰어난 확산 방지 기능을 얻을 수 있다.
또, 확산 방지층(45)이 니켈로 이루어지는 것임으로써, 당해 확산 방지층(45)을, 술팜산 니켈 도금조를 이용하여 형성된 도금층으로 하는, 즉 술팜산욕에 의한 도금법으로 형성할 수 있다. 그리고, 확산 방지층(45)을 술팜산욕에 의한 도금법으로 형성하는 것에 따르면, 당해 확산 방지층(45)으로부터 반사층(31)에 부하 되는 응력을 작게 할 수 있고, 따라서 반사층(31)의 박리를 방지할 수 있다.
여기에, 니켈로 이루어지는 확산 방지층(45)을, 술팜산욕에 의한 도금법으로 형성한 경우에 있어서, 반사층(31)에 부하되는 응력은 1~7kg/㎟ 이지만, 와트욕에 의한 도금법으로 형성한 경우에 반사층(31)에 부하되는 응력은 11~13kg/㎟가 된다. 그 때문에, 와트욕에 의한 도금법에 의해 확산 방지층(45)을 형성한 경우에는, 반사층(31)에 부하되는 응력이 높기 때문에, 반사층(31)의 계면에서 박리가 발생한다. 따라서, 확산 방지층(45)은, 와트욕에 의한 도금법에 비교하여 술팜산욕에 의한 도금법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
또, 확산 방지층(45)은, 확산 방지층(45)으로부터 반사층(31)에 부하되는 응력을 작게 하여 반사층(31)의 박리를 방지하는 관점으로부터, 용해도가 높은 도금욕에 의한 도금법으로 형성하는 것이 바람직하고, 상술의 술팜산욕에 의한 도금법으로 형성하는 것이 특히 바람직하다.
형광 발광 부재(20)의 형성 과정에 있어서, 도 3의 플로차트에 표시되어 있는 바와 같이, 반사 적층체(30), 접착층(38), 봉지층(37) 및 후술하는 응력 완화층(41)을 건식법에 의해 형성한 후, 확산 방지층(45)을 술팜산욕에 의한 도금법으로 형성하는 것에 따르면, 형광 광원 장치(10)가 장기간에 걸쳐 높은 발광 효율을 얻을 수 있는 것이 된다. 구체적으로는, 형광 광원 장치(10)를, 반사층(31)의 반사율이 높고, 또한 형광 발광 부재(20)(형광판(21))의 동작시 온도가 100℃ 이상이며 250℃ 이하인 온도 범위 내에 있는 경우에 있어서 당해 반사층(31)의 반사율이 저하하지 않는 것으로 할 수 있다.
또, 확산 방지층(45)은, 그 두께가 1㎛ 이상 3㎛ 이하인 것임이 바람직하다.
확산 방지층(45)이 상기의 범위의 두께를 갖는 것임으로써, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서, 형광 발광 부재(20)(형광판(21))의 동작시 온도가 200~250℃(접합부 온도가 150~200℃)가 된 경우라도, 접합 부재층(26)을 구성하는 금속이 확산 방지층(45)의 표면 상에 적층된 형광 발광 부재(20)의 구성 부재에 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또, 형광판(21)과 접착층(38)의 사이에 있어서 박리가 발생하고, 그에 기인하여 반사층(31)의 형광판(21)으로부터의 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 확산 방지층(45)의 두께가 과대한 경우에는, 형광판(21)과 접착층(38)의 사이에 있어서 박리가 발생할 우려가 있다.
또, 확산 방지층(45)의 두께가 과소인 경우에는, 당해 확산 방지층(45)에 충분한 확산 방지 기능을 얻을 수 없게 될 우려가 있다.
여기에, 확산 방지층(45)의 두께가 1㎛ 이상 3㎛ 이하임으로써 충분한 확산 방지 기능을 얻을 수 있는 이유에 대해 설명한다.
형광 발광 부재(20)의 형성 과정에 있어서는, 도 3의 플로차트에 표시되어 있는 바와 같이, 형광판(21)의 이면에 반사 적층체(30) 등을 개재하여 적층된 후술하는 금층(43)의 이면에, 예를 들면 술팜산욕에 의한 도금법에 의해 두께 2㎛의 니켈 도금층으로 이루어지는 확산 방지층(45)을 형성하고, 그 후, 금으로 이루어지는 두께 0.5㎛의 땜납 젖음막층(46)을 형성한다. 이와 같이, 형광판(21)의 이면에 반사 적층체(30), 접착층(38), 봉지층(37), 응력 완화층(41) 및 금층(43)을 적층한 후, 확산 방지층(45) 및 땜납 젖음막층(46)을 형성함으로써, 형광 발광 부재(20)가 제조된다. 그리고, 얻어진 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 사이에 접합 부재를 끼워 리플로우로에 의해 접합을 행한다. 이 접합 과정을 거침으로써, 확산 방지층(45)에 있어서는, 접합 부재를 구성하는 금속(구체적으로는, 예를 들면 주석)의 확산에 의해 이면측에 금속간 화합물(구체적으로는, Sn-Ag-Cu를 주체로 한 금속간 화합물)이 형성된다. 그러나, 상기 확산 방지층(45)의 표면측(구체적으로는, 두께 1㎛의 표층 부분)은 니켈인 채이며, 그 확산 방지층(45)의 표면측이, 형광 광원 장치(10)의 동작시에 있어서 접합 부재를 구성하는 금속의 확산 방지 기능을 발휘한다. 그 때문에, 형광 발광 부재(20)의 동작시 온도가 200~250℃가 되는 고온 동작시에 있어서도, 확산 방지층(45)이 접합 부재층(26)을 구성하는 금속의 확산을 방지하고, 따라서 반사층(31)이 높은 반사율을 유지할 수 있다.
여기에, 니켈 도금에 의해 형성된 확산 방지층(45)의 두께와 반사층(31)에 있어서의 반사율의 유지율의 관계를, 하기의 표 1에 나타낸다. 표 1에 있어서, 「반사율의 유지율」은, 형광 발광 부재(20)의 동작시의 온도(접합부 온도)가 150℃, 175℃ 및 200℃인 경우에 있어서의, 5000 시간 경과 후의 반사층(31)의 반사율의 유지율이며, 「확산 방지층의 두께」는, 술팜산욕에 의한 도금법에 의해 형성한 니켈 도금층의 두께이며, 「표층 부분의 두께」는, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)을 접합한 후에 있어서의, 당해 니켈 도금층의 금속간 화합물이 형성된 이면측 이외의 부분, 즉 니켈인 채의 표층 부분의 두께이다.
[표 1]
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또, 형광 발광 부재(20)에 있어서는, 도 2에 표시되어 있는 바와 같이, 확산 방지층(45)과 봉지층(37)의 사이에, 응력 완화층(41)이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
응력 완화층(41)이 설치되어 있음으로써, 봉지층(37)에 있어서 발생하는 내부 응력을 완화할 수 있다. 그 때문에, 형광판(21)과 봉지층(37)의 사이에 있어서 박리가 발생하고, 그에 기인하여 반사층(31)의 형광판(21)으로부터의 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이 도면의 예에 있어서, 확산 방지층(45)의 이면(도 2에 있어서의 하면)에는, 스패터 증착법에 의해 형성된, 두께 500㎚의 금층(43)이 설치되어 있다.
응력 완화층(41)은, 형광판(21)의 열팽창 계수에 근사하는 열팽창 계수를 갖는 재료로 이루어지는 것이며, 1종류의 재료로 이루어지는 단층막으로 이루어지는 것이어도 되고, 2종류 이상의 재료로 이루어지는 구성층을 갖는 다층막으로 이루어지는 것이어도 된다.
이 도면의 예에 있어서, 응력 완화층(41)은, 티탄(Ti)층(41A, 41B)과 백금(Pt)층(42A, 42B)을 갖는 다층막으로 이루어지고, 이들 층이, 각각, 스패터 증착법에 의해 제작된 것이다. 이 다층막에 있어서, 봉지층(37)에 접촉하고 있는 티탄층(41A)의 두께는 50㎚이며, 그 티탄층(41A)에 접촉하고 있는 백금층(42A)의 두께는 150㎚이다. 또, 백금층(42A)에 접촉하고 있는 티탄층(41B)의 두께는 100㎚이며, 그 티탄층(41B)에 접촉하고 있는 백금층(42B)의 두께는 200㎚이다. 이러한 다층막에 의하면, 티탄의 열팽창 계수(8.5×10-6〔1/K〕) 및 백금의 열팽창 계수(8.9×10-6〔1/K〕)가, 형광판(21)의 구성 재료로서 이용되는 YAG의 열팽창 계수(8.6×10-6〔1/K〕)에 근사하고 있기 때문에, 봉지층(37)에서 발생하는 내부 응력의 완화가 가능해진다. 또, 백금층(42A, 42B)은, 접합 부재층(26)을 구성하는 금속(구체적으로는, 예를 들면 주석)의 확산 방지 기능을 발휘한다. 즉, 백금층(42A, 42B)은, 확산 방지층(45)과 함께 확산 방지층으로서도 기능한다.
이러한 구성의 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 여기 광원(11)으로부터 출사 된 여기광은, 형광판(21)의 표면(여기광 입사면)에 조사되고, 당해 형광판(21)에 입사한다. 그리고, 형광판(21)에 있어서는, 당해 형광판(21)을 구성하는 형광체가 여기된다. 이로 인해, 형광판(21)에 있어서 형광체로부터 형광이 방사된다. 이 형광은, 형광체에 흡수되지 않고 형광판(21)의 이면에 있어서 반사층(31)에 의해 반사된 여기광과 함께 형광판(21)의 표면(형광 출사면)에서 외부로 출사되고, 형광 광원 장치(10)의 외부로 출사된다.
그러나, 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 봉지층(37)의 이면측에 있어서, 방열 기판(22) 상에, 접합 부재층(26)을 개재하여 확산 방지층(45)이 형성되어 있다. 그 때문에, 형광 광원 장치(10)의 동작시에, 접합 부재층(26)의 구성 재료(접합 부재)가 반사층(31)에 확산하는 것에 기인하여, 당해 반사층(31)의 반사율이 경시적으로 저하하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접합 부재층(26)의 구성 재료로서 주석을 함유하는 금속을 이용한 경우라도, 반사층(31)에 반사율이 낮은 주석이 확산하지 않는다. 또, 형광 광원 장치(10)의 제조 공정에 있어서의, 형광 발광 부재(20)와 방열 기판(22)의 접합 과정에 있어서도, 접합 부재층(26)의 구성 재료가 반사층(31)에 확산하는 것에 기인하여, 당해 반사층(31)의 반사율이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 형광 광원 장치(10)에 있어서, 반사 적층체(30)가 소기의 반사 기능을 갖는 것이 된다.
또한, 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 형광판(21)과 봉지층(37)과 접착층(38)에 의해 반사 적층체(30)의 봉지 구조가 형성되어 있다. 그 때문에, 반사층(31)은, 형광판(21)의 이면측에 있어서, 접착성 개선층(35A) 및 증반사부(32)를 개재하여 형광판(21)에 밀착한 상태가 된다. 또, 반사 적층체(30)가, 대기 등의 환경 분위기, 및 형광 광원 장치(10)의 제조 공정에 있어서의 반사 적층체(30)의 봉지 구조가 형성된 후의 제조 환경 분위기에 노출되는 일이 없기 때문에, 반사층(31)이 산화 및 황화 등에 의해 표면 열화되는 것에 기인하는 당해 반사층(31)의 반사율의 저하를 방지할 수 있다.
따라서, 형광 광원 장치(10)에 의하면, 장기간에 걸쳐 반사율의 저하가 발생하지 않는 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
또, 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 확산 방지층(45)의 두께가 1㎛ 이상 3㎛ 이하임으로써, 형광 광원 장치(10)가, 형광판(21)의 이면의 온도가 고온이 되는 구동 조건으로 구동된 경우라도, 접합 부재층(26)을 구성하는 금속이 확산 방지층(45)의 표면 상에 적층된 형광 발광 부재(20)의 구성 부재에 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또, 형광판(21)과 접착층(38)의 사이에 있어서 박리가 발생하고, 그에 기인하여 반사층(31)의 형광판(21)으로부터의 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또, 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 확산 방지층(45)이 술팜산 니켈 도금조를 이용하여 형성된 도금층임으로써, 확산 방지층(45)으로부터 반사층(31)에 부하되는 응력을 작게 할 수 있고, 따라서 반사층(31)의 박리를 방지할 수 있다.
또, 형광 광원 장치(10)에 있어서는, 형광 발광 부재(20)에 응력 완화층(41)이 설치되어 있음으로써, 봉지층(37)에 있어서 발생하는 내부 응력이 완화된다. 그 때문에, 형광판(21)과 봉지층(37)의 사이에 있어서 박리가 발생하고, 그에 기인하여 반사층(31)의 형광판(21)으로부터의 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상에 있어서, 본 발명의 형광 광원 장치를 구체적인 예를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 형광 광원 장치는 이것으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 형광판은, 당해 형광판의 표면에, 복수의 볼록부가 주기적으로 배열되어 이루어지는 주기 구조가 형성된 것이어도 된다. 여기에, 형광판의 표면의 주기 구조는, 예를 들면 대략 뿔형상(구체적으로는, 뿔형상 또는 뿔대형상)의 볼록부가 밀집한 상태로 이차원 주기적으로 배열되어 이루어지는 것이다. 또, 형광판이 표면에 주기 구조를 갖는 것인 경우에는, 그 형광판은, 제조 용이성의 관점으로부터, 형광 부재와, 여기광 및 형광에 대한 광투과성을 갖는 주기 구조체층으로 이루어지는 것이어도 된다.
또, 형광 광원 장치 전체의 구조는, 도 1에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 여러 가지의 구성을 채용할 수 있다. 예를 들면, 도 1에 따른 형광 광원 장치에서는, 1개의 여기 광원(예를 들면, 반도체 레이저)의 광을 이용하고 있지만, 여기 광원이 복수 있고, 형광 발광 부재 앞에 집광렌즈를 배치하여, 집광광을 형광 발광 부재에 조사하는 형태여도 된다. 또, 여기광은 반도체 레이저에 의한 광에 한정하는 것이 아니고, 형광판에 있어서의 형광체를 여기할 수 있는 것이면, LED에 의한 광을 집광한 것이어도 되고, 또한, 수은, 크세논 등이 봉입된 램프로부터의 광이어도 된다. 또한, 램프나 LED와 같이 방사 파장에 폭을 갖는 광원을 이용한 경우에는, 여기광의 파장은 주된 방사 파장의 영역이다. 단, 본 발명에 있어서는, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
10: 형광 광원 장치 11: 여기 광원
20: 형광 발광 부재 21: 형광판
22: 방열 기판 23: 보호막층
24: 땜납 젖음막층 26: 접합 부재층
30: 반사 적층체 31: 반사층
32: 증반사부 32A: 이산화 규소층
32B: 산화 티탄층 35A, 35B: 접착성 개선층
37: 봉지층 38: 접착층
41: 응력 완화층 41A, 41B: 티탄층
42A, 42B: 백금층 43: 금층
45: 확산 방지층 46: 땜납 젖음막층
51: 형광판 52: 방열 기판
53: 접합 부재층

Claims (4)

  1. 여기광에 의해 형광을 발하는, 표면이 여기광 입사면이 되는 형광판과, 당해 형광판의 이면측에 배치된 반사층과, 방열 기판을 구비한 형광 광원 장치에 있어서,
    상기 반사층의 이면, 및, 둘레측면을 덮는 봉지층이, 접착층을 개재하여, 상기 형광판의 이면의 주연에 밀착하여 설치되어 있고,
    상기 방열 기판 상에, 접합 부재층을 개재하여, 니켈 도금에 의해 형성된 확산 방지층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 광원 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 확산 방지층은, 두께가 1㎛ 이상 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광 광원 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 확산 방지층은, 술팜산 니켈 도금조를 이용하여 형성된 도금층인 것을 특징으로 하는 형광 광원 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 확산 방지층과 상기 봉지층의 사이에, 응력 완화층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 광원 장치.
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