KR101877090B1 - 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 제조 방법 및 2개 이상의 유기 발광 다이오드를 포함하는 모듈 - Google Patents
유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 제조 방법 및 2개 이상의 유기 발광 다이오드를 포함하는 모듈Info
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Abstract
본 발명은 하기의 요소들, 즉 기판(2), 유기 층 시퀀스(5)가 기판(2)의 중앙 영역(4)에 배치되어 동작 동안 전자기 방사선을 발생하는 유기 층 시퀀스(5), 기판(2)의 가장자리 영역(8)에 배치되어 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물(9) 및 초음파 기술에 기반한 접합 공정을 통해 상기 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있는, 별도로 제조된 금속 콘택 구조체(12)를 포함하는 유기 발광 다이오드(1)에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 유기 발광 다이오드의 제조 방법 및 2개 이상의 발광 다이오드를 포함하는 모듈에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드의 제조 방법, 유기 발광 다이오드 및 2개 이상의 유기 발광 다이오드들을 포함하는 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 과제는 용이하게 전기적으로 접촉될 수 있는 유기 발광 다이오드를 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 과제는 그와 같은 발광 다이오드의 제조 방법을 제공하는 데 있다. 그 외에도, 본 발명의 과제는 2개 이상의 유기 발광 다이오드를 포함하는 모듈을 제공하는 데 있으며, 이때 이 모듈은 상기 유기 발광 다이오드의 용이한 전기 접촉을 특징으로 한다.
상기 과제들은 제1항의 특징들을 포함하는 유기 발광 다이오드를 통해, 제6항의 단계들을 포함하는 방법을 통해 및 제11항의 특징들을 포함하는 모듈을 통해 해결된다. 유기 발광 다이오드, 제조 방법 및 모듈의 유리한 실시예들 및 개선점들이 각각 종속항들에 제안되어 있다.
유기 발광 다이오드는 특히
- 기판,
- 동작 동안 전자기 방사선을 발생하는 유기 층 시퀀스, 이때 유기 층 시퀀스는 기판의 중앙 영역에 배치되어 있으며,
- 기판의 가장자리 영역 안에 배치되어 있으며 유기 층 시퀀스의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물 및
- 이 금속화물과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있는, 독립적으로 제조된 금속 콘택 구조체를 포함한다.
상기 유기 층 시퀀스는 일반적으로 다수의 유기 층들, 예컨대 전하 캐리어 이송 층들, 전하 캐리어 주입 층들 및 하나 이상의 에미터층을 포함한다. 이 에미터층은 일반적으로 동작 동안 전자기 방사선, 주로 가시광을 발생한다.
상기 유기 층 시퀀스는 일반적으로 기판 위에 배치되어 있다. 이 기판은 예컨대 유리 패널이 될 수 있다. 상기 유기 층 시퀀스의 전기 접촉을 위해 제1의 전극층이 기판 위에 도포되어 있으며 제2의 전극층이 기판을 배향하는 층 시퀀스의 측면에 도포되어 있다. 이 경우, 전송을 위해 양 전극층들 중 하나 이상의 전극층은 에미터층 안에서 발생된 전자기 방사선을 위해 형성되어 있다. 가시광에 대해 투광성을 가지는 전극층이 예컨대 하나 이상의 투명 전도성 산화막("transparent conductive oxide", TCO 재료)으로 형성될 수 있다.
투명 전도성 산화막들은 일반적으로 금속 산화물, 예컨대 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 2원 금속-산소 화합물들, 예컨대 ZnO, SnO2 또는 In2O3외에도, 3원 금속-산소 화합물들, 예컨대 Zn2SnO4, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 다른 투명 전도성 산화물의 혼합물이 TCO의 그룹에 속한다. 또한, 상기 TCO가 반드시 화학양론적 조성에 일치하는 것은 아니며 또한 p 도핑 및 n 도핑될 수 있다.
상기 유기 층 시퀀스의 유기 물질들이 - 예컨대 무기 반도체 물질과 비교할 때 - 외적 영향들, 예컨대 액체들 또는 기체들에 민감하기 때문에, 유기 발광 다이오드는 일반적으로 유기 물질의 봉지 구조를 갖는다. 봉지 구조는 예컨대 캡을 통해 형성될 수 있으며, 이 캡은 가능한 한 기밀하게 그리고 수밀하게 기판과 연결되어 있다.
또한, 유기 발광 다이오드가 박막 봉지 구조를 가질 수도 있다. 박막 봉지 구조는 일반적으로 하나 이상의 층으로 구성되고, 이 층은 예컨대 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법과 같은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용해 도포될 수 있다. 이 박막 봉지 구조는 바람직하게는 전체 소자 위에 도포되고 일반적으로 전기적으로 절연되게 형성되어 있다.
박막 봉지 구조들은 예컨대 하기의 공보들, DE 10 2010 044738호, WO 2009/095005호 WO 2009/094997호, WO 2009/095006호에 기술되어 있으며, 이때 그와 관련하여 이 공보들의 공개 내용은 역으로 추론될 수 있다. 또한, 바람직하게는 박막 봉지 구조 위에 커버 유리가 배치되어 있다.
상기 금속화물은 하나의 층이 될 수 있으며, 이 층은 예컨대 금속을 포함하거나 또는 금속으로 형성되어 있다. 또한, 이 금속화물은 다수의 개별 층들로 구성될 수 있다. 이 경우, 각 개별 층 역시 마찬가지로 특히 바람직하게는 금속으로 형성되어 있거나 또는 금속을 포함한다. 상기 금속화물은 예컨대 알루미늄을 가지고 있다. 이 금속화물은 알루미늄 층으로 형성될 수 있으며, 이 알루미늄 층은 비교적 얇은 2개의 크롬 함유 층들 사이에 배치되어 있다. 이 금속화물은 예컨대 스퍼터링을 통해 증착되어 있다.
유기 발광 다이오드의 일 실시예에 따라 상기 금속화물은 제1 전극층 및/또는 제2 전극층 위에 도포되어 있다. 이 경우, 상기 금속화물은 제1 전극층 및/또는 제2 전극층에 전류를 인가하도록 제공되어 있다. 그러므로 이 금속화물은 특히 바람직하게는 제1 전극층 및/또는 제2 전극층과 직접 접촉하도록 배치되어 있다.
또한, 일반적으로 이러한 금속화물을 통해 유기 층 시퀀스가 전기적으로 접촉한다. 이러한 목적을 위해, 상기 금속 콘택 구조체는 이 경우 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 금속산화물과 연결되어 있다. 이 경우, 상기 금속 콘택 구조체는 유기 발광 다이오드의 나머지 엘리먼트들과 독립하여 제조되고 - 예컨대 펀칭 가공을 통해 - 및 그 후 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 금속화물과 연결된다.
여기에 설명한 콘택 구조체에 의한 접촉은 이것이 예컨대 압력/스프링 접촉에 비해 매우 안정적이고 비교적 적은 공간을 차지한다는 장점을 제공한다. 또한, 상기 콘택 구조체에 의한 여기에 설명되는 이러한 금속화물의 접촉은 가요성 도체 트랙에 의한 금속화물의 접촉에 비해 상당히 용이해지며, 이때 도체 트랙은 추가적인 전기 전도성 접착 필름으로 금속화물에 고정된다.
콘택 구조체는 예컨대 하기의 물질들, 즉 알루미늄, 구리, 황동, 아연, 청동, 주석, 은, 금 중 어느 하나의 물질을 가지거나 또는 이러한 물질들 중 어느 하나의 물질로 이루어진다.
상기 유기 발광 다이오드의 일 실시예에 따라 콘택 구조체는 하나 이상의 연결점에서 상기 금속화물과 전기 전도적으로 그리고 재료 결합 방식으로 연결되어 있다. 이 연결점은 예컨대 자신을 포함하는 0.5mm x 0.5mm와 자신을 포함하는 5mm x 5mm 사이에서 크기를 갖는다.
유기 발광 다이오드의 일 실시예에 따라 상기 콘택 구조체는 하나 이상의 연결점에서 상기 금속화물과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 이때 이 연결점은 콘택 구조체의 나머지 물질과 다른 물질을 갖는다.
바람직하게는 상기 콘택 구조체는 기본 구조체를 가지며, 이 기본 구조체 안에 연결점이 매입되어 있으며, 이때 연결점은 바람직하게는 기본 구조체의 물질과 다른 물질을 갖는다. 이는, 금속화물과의 연결에 특히 우수하게 적합한 하나의 물질이 상기 연결점을 위해 선택될 수 있는 반면 나머지 물질은 예컨대 전체 콘택 구조체의 특히 우수한 기계적 안정성을 보장하거나 또는 다른 특성, 예컨대 전기 전도성과 관련하여 특히 탁월하다는 장점을 제공한다.
상기 금속화물과 콘택 구조체 사이에서 특히 우수한, 재료 결합 방식의 그리고 전기 전도적 연결을 형성하기 위해, 상기 연결점들은 특히 바람직하게는 비교적 연성 물질을 갖는다. 특히 연성 어닐링된 고순도 형태의 알루미늄이 이러한 연결점을 위한 물질로서 특히 적합하다. 특히 바람직하게는 이 연결점의 물질은 비교적 높은 탄성 계수를 갖는다. 연화 어닐링된 고순도의 알루미늄은 예컨대 약 70GPa의 탄성 계수를 갖는다. 그러나 그보다 더 낮은 탄성 계수, 약 50GPa의 또는 약 60GPa의 탄성 계수를 갖는 물질들이 연결점들을 위해 사용될 수도 있다.
그러나 비교적 연성인 그와 같은 물질은 일반적으로 작은 기계적 안정성을 갖는다. 그러므로 연결점이 매입되어 있는 콘택 구조체의 기본 구조체는 바람직하게는 다른 물질로 형성되어 있다. 이 기본 구조체는 바람직하게는 하기의 물질들, 즉 구리, 황동, 아연, 주석, 청동, 은, 금 중 어느 하나의 물질을 포함하거나 또는 바람직하게는 이들 물질들 중 어느 하나로 형성되어 있다. 이들 물질은 일반적으로 특히 연속적인 접촉에 적합하다.
이 콘택 구조체의 안정화를 위해 특히 바람직하게는, 구리를 포함하거나 또는 구리로 형성되어 있는 기본 구조체가 적합하다.
또한, 상기 콘택 구조체가 다른 개별 층들로 구성될 수도 있다. 예컨대 이 콘택 구조체는 2개의 층들을 가질 수 있으며, 이때 이 층들의 재료는 서로 다르다. 그러므로 콘택층은 제1 층을 가질 수 있으며, 이 층의 물질은 특히 금속화물과의 연결에 적합한 반면, 제2 층은 콘택 구조체의 기계적 안정을 위해 제공되어 있는 물질을 포함한다. 바람직하게는 콘택 구조체는 알루미늄을 포함하거나 또는 알루미늄으로 형성되어 있는 제1 층을 갖는다. 이 제1 층은 일반적으로 금속화물과의 연결을 위해 제공되어 있다. 제2 층은 예컨대 다음의 물질들, 즉 구리, 황동, 아연, 주석, 청동, 은, 금 중 어느 하나의 물질을 가지거나 이러한 물질들 중 어느 하나의 물질로 형성되어 있다.
일 실시예에 따라, 부식으로부터 콘택 구조체를 보호하기 위해 상기 콘택 구조체는 부식 보호 층을 갖는다. 이와 같은 부식 방지층은 예컨대 주석을 가지거나 또는 주석으로 형성되어 있다. 특히 바람직하게는 콘택 구조체의 재료가 다르면, 이 부식 방지층이 제공된다.
이 콘택 구조체의 일 실시예에 따라 상기 콘택 구조체는 연결점에서 부식 방지층을 가지지 않는다. 이러한 부식 방지층은 재료 결합 방식 연결부의 제조 전이나 또는 후에 콘택 구조체 위에 도포될 수 있다.
특히 바람직하게는 콘택 구조체는 자신을 포함하는 50㎛와 자신을 포함하는 400㎛ 사이에서 두께를 갖는다. 이 콘택 구조체의 폭은 예컨대 자신을 포함하는 0.5mm와 자신을 포함하는 5mm 사이에 있다. 콘택 구조체의 폭은 기판의 가장자리 영역의 폭보다 더 작을수도 있고 또는 더 클 수도 있다.
이 콘택 구조체의 두께는 일반적으로 기판에 맞춰져 있다. 만약 기판을 위한 재료로서 유리가 사용되면, 비교적 두꺼운 콘택 구조체의 경우에 기판 유리 안으로 에너지 유입이 크므로, 기판 유리가 쉽게 손상될 수 있다. 만약 예컨대 약 0.7mm의 두께를 가지는 기판 유리가 사용되면, 일반적으로 최고 0.4mm의 두께를 가지는 콘택 구조체들이 도포될 수 있다. 만약 그보다 더 큰 두께, 예컨대 약 1.6mm의 두께를 가지는 기판 유리가 사용되면, 자신을 포함하는 1mm까지의 두께를 가지는 더 두꺼운 콘택 구조체가 도포될 수 있다.
또한, 콘택 구조체는 특히 바람직하게는 콘택 영역을 가지며, 이 콘택 영역은 또 다른 외부 전기 접촉을 위해 형성되어 있다. 예컨대 상기 콘택 영역은 그외 유기 발광 다이오드의 콘택 영역과 전기 전도적 연결을 위해 제공되어 있다. 특히 바람직하게는 상기 콘택 영역은 연결점을 가지지 않는다.
상기 콘택 영역은 예컨대 탭으로서 형성되거나 또는 개구를 가지는, 소위 아이릿을 가지는 탭으로서 형성될 수 있다. 또한, 상기 콘택 영역은 와이어 형상으로 형성될 수 있다.
특히 바람직하게는 콘택 구조체는 주 연장 평면을 가지며, 이 주 연장 평면은 기판의 주 표면에 대해 평행하게 배치되어 있다. 이 콘택 영역은 콘택 구조체의 주 연장 평면에 대해 예컨대 수직 방향으로, 바람직하게는 약 90°로 꺽일 수 있다.
예컨대 콘택 구조체는 자신의 주 연장 평면을 따라서 금속화물 위에 도포되어 있으며 콘택 영역이 꺽여 있으며, 이것은 기판의 주 표면에 대해 수직 방향으로 연장해 있는 유기 발광다이오드 에지를 따라서 연장해 있다. 이 에지는 예컨대 유기 층 시퀀스의 측면에 대해 평행하게 연장할 수 있다. 이 에지는 캡의 측면을 따라 유기 층 시퀀스의 봉지 구조를 위해 형성될 수 있다. 또한, 이것은 콘택 영역이 바람직하게는 또 90°의 추가적 꺽임을 가질 수 있으므로, 이 콘택 영역은 유기 발광 다이오드의 주 표면에 연장해 있다. 대안으로서 또는 추가로 상기 콘택 영역이 꺽일 수도 있으므로, 이것은 콘택 구조체의 주 연장 평면에 대해 수직 방향으로 기판의 한 측면을 따라서 연장해 있다.
그외 일 실시예에 따라서 유기 발광 다이오드는 콘택 영역을 포함하는 콘택 구조체를 가지며, 이것은 상기 기판의 주 연장 평면에 대해 수직 방향으로 꺽여 있고 또한 콘택 구조체의 외측에 배치되어 있다.
또한, 이 콘택 영역이 콘택 구조체의 주 연장 평면에서 시작하여 기판의 에지를 따라 연장하고 추가로 그외 꺽임을 가지도록 콘택 영역이 꺽여 있으므로, 이 콘택 영역은 이 콘택 구조체의 주 연장 평면에 대해 평행하게 그 위에 연장해 있다. 이와 같은 콘택 구조체는 L 형상 구조를 형성하며, 이것은 콘택 구조체의 주 연장 평면에서 나와 이것을 넘어 수직 방향으로 돌출한다.
유기 발광 다이오드의 그외 일 실시예에 따라 콘택 구조체는 막대 형상으로 형성되어 있다. 막대 형상 콘택 구조체의 주 연장 평면은 바람직하게는 기판의 주 표면에 대해 평행하게 연장해 있다. 이 경우, 상기 콘택 구조체는 이 콘택 구조체의 주 연장 표면을 따라서 유기 발광 다이오드의 기판 위로 돌출하도록, 콘택 구조체가 형성되고 배치될 수 있다. 이 콘택 구조체의 돌출 단부는 예컨대 유리하게는 그외 유기 발광 다이오드와의 전기 전도적 연결에 사용될 수 있다.
또한, 이 콘택 구조체는 바람직하게는 실리콘 재료 안에 매입되어 있다. 이는 유리하게는 금속 콘택 구조체의 부식 방지를 위해 사용된다.
유기 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법은 특히 하기의 단계들, 즉
- 기판을 제공하는 단계로서, 이 단계에서 동작 동안 전자기 방사선을 발생하는 유기 층 시퀀스가 중앙 영역에 배치되어 있으며 그리고 상기 유기 층 시퀀스의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물이 가장자리 영역에서 배치되어 있고,
- 금속 콘택 구조체를 제조하는 단계 및
- 콘택 구조체와 금속화물 사이에 전기 전도성 연결이 생기도록, 금속화물과 콘택 구조체의 재료 결합 방식 연결 단계를 포함한다.
상기 콘택 구조체는 바람직하게는 실질적으로 금속 스트립으로 형성된다. 이 경우, "실질적으로" 용어는 콘택 구조체가 주로 금속 스트립으로 형성되는 것을 말한다. 그러나 예컨대 금속 스트립으로 형성되는 콘택 구조체가 그외 층들을 가지는, 예컨대 부식 방지를 위한 층을 가지는 것도 가능하다.
이 콘택 구조체는 예컨대 금속 스트립에서 펀칭된다. 콘택 구조체를 펀칭할 수 있기 때문에, 유리하게는 콘택 구조체의 설계 조건이 다르더라도 용이한 방식에 의해 충족될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 금속 스트립은 단일 재료로 형성되어 있다. 대안으로서, 금속 스트립의 본체는 제1 재료로 형성되어 있으며, 그 안에 제1 재료와 다른 제2 재료가 매입되어 있다. 예컨대 다른 재료의 띠들은 금속 스트립의 본체 안에 삽입될 수 있다. 특히 바람직하게는 제1 재료와 제2 재료는 금속이다.
만약 콘택 구조체가 다른 재료가 매입되어 있는 본체를 포함하는 금속 스트립으로 형성되면, 바람직하게는 위에서 이미 설명한 연결점들이 이 본체 안에 매입되어 있는 재료로 형성된다.
그러므로 이 금속 스트립은 바람직하게는 하기의 물질들, 즉 알루미늄, 구리, 황동, 아연, 청동, 주석, 은, 금 중 어느 하나의 물질을 가지거나 또는 이러한 물질들 중 어느 하나의 물질로 형성되어 있다.
바람직하게는 금속 스트립의 본체가 다음의 물질들, 즉 구리, 황동, 아연, 주석, 청동, 은, 금 중 어느 하나의 물질로 이루어지거나 또는 이러한 물질들 중 어느 하나의 물질을 갖는다. 본체 안에 제공된 물질은 바람직하게는 알루미늄이고, 특히 바람직하게는 연화 어닐링된 고순도 형태의 알루미늄이다.
예컨대 상기 콘택 구조체는 금속 스트립으로 형성될 수 있으며, 이의 본체는 구리로 형성되어 있으며 연결점들을 형성하기 위해 알루미늄 스트립들 안에 매입되어 있다. 이 경우, 바람직하게는 자신을 포함하는 하나의 알루미늄 스트립과 자신을 포함하는 8개의 알루미늄 스트립 사이의 알루미늄 스트립이 본체 안에 매입된다.
복수의 층들을 포함하는 콘택 구조체를 제조하기 위해 바람직하게는 롤 본딩된 금속 스트립이 사용된다. 이와 같이 롤 본딩된 금속 스트립은 일반적으로 제1 층과 제2 층을 포함하는 층 구조체를 가지며, 이들의 재료는 서로 다르다. 예컨대 제1 층은 구리를 포함할 수 있으며 자신을 포함하는 50㎛과 자신을 포함하는 100㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다. 제2 층은 예컨대 알루미늄을 가질 수 있으며 자신을 포함하는 150㎛과 자신을 포함하는 300㎛ 사이의 두께를 가질 수 있다.
바람직하게는 상기 콘택 구조체는 초음파 기술에 기반한 접합 공정을 통해, 예컨대 초음파 용접, 초음파 접합 및 초음파 솔더링을 통해 금속화물과 재료 결합 방식으로 연결된다. 초음파 용접과 초음파 접합은, 일반적으로 초음파의 사용 주파수 범위가 서로 다른 초음파를 이용하는 접합 수단 없는 연결 기술들이다. 또한, 초음파 솔더링은 초음파 접합 및 초음파 용접과 다르게 일반적으로 접합 수단으로서 솔더가 사용된다.
그러므로 연결점은 초음파 용접 가능하게, 초음파 접합 가능하게 및/또는 초음파 솔더링 가능하게 형성되어 있다. 초음파 기술에 기반하는 접합 공정을 통해 연결된 지점들에서 바람직하게는 적어도 부분적으로 금속화물의 물질과 콘택 구조체의 물질의 혼합이 달성된다. 초음파 기술에 기반한 접합 공정에 의해 달성되었던 콘택 구조체와 금속화물 사이의 연결이 완성된 유기 발광 다이오드에서 검출될 수 있다. 초음파 기술에 기반하는 접합 공정을 이용하여, 특히 재료 결합 방식의 연결이 콘택 구조체와 금속화물 사이에 생기고, 이것은 우수한 전기 전도성을 갖는다. 특히 바람직하게는 재료 결합 방식의 연결이 금속화물과 콘택 구조체 사이에서 추가적인 연결 수단, 예컨대 접착제 또는 솔더의 사용 없이 달성된다. 그러므로 금속화물과 콘택 구조체 사이에서 이와 같은 연결은 바람직하게는 추가적인 연결 수단, 예컨대 접착제 또는 솔더를 가지지 않는다.
또한, 초음파 기술에 기반한 접합 공정이 제공하는 장점으로서, 이 경우 경우에 따라 금속화물 위에 도포되는 박막 봉지 구조가 관통될 수 있다는 점이다. 그러므로 초음파 기술에 기반한 접합 공정을 이용한 콘택 구조체와 금속화물 사이의 연결 시에, 전기 전도성 연결이 달성될 수 있지만, 일반적으로 전기적으로 절연되게 형성된 박막 봉지 구조가 미리 별도의 단계에서 금속화물로부터 제거될 필요가 없다.
상기 방법의 일 실시예에 따라, 금속 스트립은 콘택 구조체로서 금속화물 위에 배치되고, 이것은 금속화물보다 더 길며 경우에 따라서는 기판을 넘어 돌출한다. 그외 단계에서, 금속 스트립은 초음파 기술에 기반한 접합 공정을 통해 상기 금속화물과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되며, 이때 바람직하게는 동시에 금속 스트립이 절단된다.
금속화물 위 콘택 구조체를 가지는, 여기에서 설명하는 유기 발광 다이오드는 특히 하나의 모듈을 이루기 위해 하나 이상의 그외 유기 발광 다이오드와 연결하는 데 적합하다.
그와 같은 모듈은 특히 2개 이상의 유기 발광 다이오드를 포함하며, 각 유기 발광 다이오드는 유기 층 시퀀스의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물을 기판의 가장자리 영역에서 가지며, 양 유기 발광 다이오드는 금속화물들 중 하나 이상의 금속화물과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있는, 독립적으로 제조된 하나 이상의 콘택 구조체에 의해 서로 전기 전도적으로 연결되어 있다.
바람직하게는 여기에서 설명하는 전기 접촉이 하나의 모듈의 2개의 유기 발광 다이오드들 사이에서 동시에 기계적인 홀더로서 이용되지 않는다. 그 때문에 유리하게는 전기 접촉에 참여한 요소들, 예컨대 금속화물과 콘택 구조체의 기계적 스트레스가 제거될 수 있다.
바람직하게는 이 모듈은 추가적인 기계적인 홀더를 포함한다. 이 홀더는 예컨대 프레임이며, 이 프레임은 유기 발광 다이오드 및 특히 이들의 방사선 출사 표면을 위한 리세스들을 갖는다. 특히 바람직하게는 기본 프레임과 커버 프레임을 포함하는 프레임이 사용된다. 이 경우, 기본 프레임은 바람직하게는 유기 발광 다이오드를 위에 놓고 위치 선정하는데 이용된다. 커버 프레임은 바람직하게는 콘택 구조체를 커버하고 경우에 따라서는 스프링 연결 부재를 커버하는 데 이용된다.
또한, 추가적인 기계적 홀더로서 유리판이 사용될 수 있고, 그 위에 유기 발광 다이오드가 예컨대 접착된다.
예컨대 양 유기 발광 다이오드는 막대 형상의 콘택 구조체와 전기 전도적으로 연결될 수 있으며, 막대 형상 콘택 구조체는 한쪽 단부를 이용해 한 유기 발광 다이오드의 금속화물과 그리고 다른쪽 단부를 이용해 다른 유기 발광 다이오드의 금속화물과 전기 전도적으로 그리고 재료 결합 방식으로 연결되어 있다. 막대 형상의 공동의 콘택 구조체에 의한 2개의 유기 발광 다이오드의 이와 같은 전기 접촉은 특히 비교적 공간을 절약한다. 또한, 이와 같은 전기 접촉은 특히 스위칭오프 상태에서 가시광에 대해 투광성을 가지는 투명 유기 발광 다이오드에 적합하다.
이러한 모듈의 일 실시예에 따라, 각 유기 발광 다이오드는 탭을 포함하는 콘택 구조체를 가지며, 양 유기 발광 다이오드들은 이 탭에 의해 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 경우, 탭들은 예컨대 각각 개구를 가진 아이릿으로서 형성될 수 있다. 이 아이릿은 예컨대 측면에서 유기 발광 다이오드의 기판을 넘어 돌출한다. 인접한 양 유기 발광 다이오드들의 아이릿들은 나사를 이용해 전기 전도적으로 연결될 수 있다. 또한, 이 모듈은 캐리어를 가질 수도 있으며, 각 아이릿이 예컨대 나사 체결 부재를 통해 상기 캐리어와 전기 전도적으로 연결되어 있다.
상기 모듈의 그외 일 실시예에 따라 콘택 구조체들 및 바람직하게는 이들의 콘택 영역들이 클램프들 또는 접촉 스프링들에 의해 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다. 이는 그와 같은 연결이 다시 용이하게 분리될 수 있는 장점을 제공한다. 그 결과, 예컨대 모듈에서 고장 발광 다이오드들이 용이한 방식에 의해 교체될 수 있다.
만약 콘택 영역들이 스프링에 의해 전기 전도적으로 연결되면, 이는, 양 금속화물과 직접 접촉하는 스프링을 이용해 2개의 금속화물을 직접 연결할 때에 비해, 스프링 접촉이 금속화물과 유기 층 시퀀스의 작은 기계적 상호 작용만을 가지며 그 결과 양 요소들의 손상이 단지 미미할 수 있는 장점을 제공한다.
이러한 모듈의 그외 일 실시예에 따라 스프링 접촉들은 홀더를 통해 또는 레일을 통해 커버된다. 이는 스프링 접촉의 보호에 이용되고 모듈의 시각적 인상을 개선한다.
콘택 구조체의 일 실시예에 따라 상기 콘택 영역은 콘택 구조체의 외측에서 콘택 구조체들의 주 연장 평면에 대해 수직 방향으로 연장해 있다. 이러한 콘택 구조체를 각각 가지는 모듈의 2개의 인접 유기 발광 다이오드가 예컨대 전기 전도적으로 서로 연결될 수 있으며, 거기에서 콘택 영역들은 서로 직접 접촉하도록 배치되고 클램프를 통해 서로 고정된다.
이러한 콘택 구조체의 그외 일 실시예에 따라 상기 콘택 영역들은 콘택 구조체의 주 연장 평면으로부터 L 형상으로 굽혀져 있다. 모듈의 2개의 인접 유기 발광 다이오드들은 서로 전기 전도적으로 연결될 수 있으며, 모듈 내에서 L 형상 콘택 영역들의 서로 나란하게 뻗어 있는 영역들이 직접 접촉하여 상하로 슬라이딩되고 클램프에 의해 연결된다.
상기 유기 발광 다이오드의 일 실시예에 따라 콘택 구조체는 단순한 띠로서 형성되어 있다. 이와 같은 띠는 예컨대 한쪽 단부를 이용해 금속화물을 넘어 그리고 유기 발광 다이오드의 기판을 넘어 돌출할 수 있다. 만약 한 모듈의 그와 같은 2개의 발광 다이오드들은 나란히 배치되어 이들의 돌출 단부들이 나란히 위치하면, 이 콘택 구조체의 단부들이 클램프에 의해 전기 전도적으로 서로 연결될 수 있다.
금속화물에 인접해 배치되어 있는 에지를 따라서 콘택 구조체의 주 연장 평면에 대해 수직 방향으로 뻗어 있는 각 콘택 영역을 가지는, 모듈의 2개의 유기 발광 다이오드들이 예컨대 에지들 사이에 고정된 접촉 스프링을 이용해 전기적으로 접촉될 수 있다. 이 경우, 접촉 스프링은 양 콘택 영역들 위에 놓이도록, 접촉 스프링이 적절하게 배치되어 있다.
상기 모듈의 그외 일 실시예에 따라 이 모듈은 각각 유기 발광 다이오드를 수용하도록 제공되어 있는 서랍들을 구비한 프레임을 포함한다. 일반적으로 모듈의 각 유기 발광 다이오드는 프레임의 서랍 내에 제공되고 거기에 로킹되어 있다. 이 경우, 각 서랍에 접촉 스프링이 배치되어 있으며, 이 접촉 스프링은 서랍 안에 유기 발광 다이오드를 로킹할 때 콘택 구조체 위에 놓이므로, 전기 전도성 연결이 콘택 구조체와 접촉 스프링 사이에 생긴다.
또한, 유기 발광 다이오드들은 프레임의 리세스들 안에 배치되어 있으며 거기에서 커버로 고정될 수 있다.
특히 스위칭오프 상태에서 투광성을 가지지 않는 불투명 유기 발광 다이오드의 경우에, 유기 발광 다이오드들이 자신의 후면을 통해 서로 전기적으로 접촉될 수 있다. 이 경우, 특히 바람직하게는 각 유기 발광 다이오드의 후면 위에 콘택 구조체가 배치되어 있다.
이런 점에서, 여기에서 유기 발광 다이오드와 관련하여 실시한 특징들 역시 유기 발광 다이오드를 위한 제조 방법에서도, 유기 발광 다이오드의 모듈을 위한 제조 방법에서도 그리고 유기 발광 다이오드의 모듈에서도 형성될 수 있음을 지적한다.
또한, 여기에서 유기 발광 다이오드를 위한 제조 방법과 관련하여 실시된 특징들이 유기 발광 다이오드 자체의 경우에도, 유기 발광 다이오드들의 모듈을 위한 제조 방법의 경우에도 그리고 유기 발광 다이오드들의 모듈의 경우에도 형성될 수 있다.
마찬가지로 당업자에게 명료한 점으로서, 여기에서 단지 유기 발광 다이오드들의 모듈을 위한 제조 방법과 관련하여 실시된 특징들이 유기 발광 다이오드 자체의 경우에도, 유기 발광 다이오드에 대한 제조 방법의 경우에도 그리고 유기 발광 다이오드의 모듈의 경우에도 형성될 수 있다는 것이다.
끝으로, 역시 분명한 점은 여기에서 단지 유기 발광 다이오드의 모듈과 관련하여 실시된 특징들이 유기 발광 다이오드 자체의 경우에도, 유기 발광 다이오드를 위한 제조 방법의 경우에도 그리고 유기 발광 다이오드들의 모듈을 위한 제조 방법의 경우에도 형성될 수 있다는 것이다.
본 발명의 그외 유리한 실시예들 및 개선점들이 하기에서 도면들과 연관하여 설명한 실시예들로부터 도출된다.
도 1 및 도 2는 각각 일 실시예에 따른 무기 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 평면도이다.
도 4는 콘택 구조체와 금속화물 사이 초음파 용접된 연결부의 주사 전자 현미경 사진에 관한 예시적인 도이다.
도 5는 도 4의 주사 전자 현미경 사진에 표시된 영역을 다르게 확대한 도이다.
도 6은 금속화물과 콘택 구조체 사이의 초음파 용접된, 4가지 다른 연결부의 박리력(F)(N/cm)의 측정값들에 관한 예시적인 도이다.
도 7 내지 도 9를 이용해 콘택 구조체를 제조하기 위한 방법의 일 실시예가 상술된다.
도 10은 그외 일 실시예에 따른 콘택 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 11 내지 도 13을 이용해 유기 발광 다이오드를 제조하기 위한 일 실시예가 설명된다.
도 14 내지 도 18은 각각 유기 발광 다이오드의 한 영역을 예시적으로 도시하는 사시도이다.
도 19 내지 도 25는 다양한 실시예로서 각각 발광 다이오드 모듈을 부분적으로 개략적으로 표현하는 사시도이다.
도 26은 도 25의 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 27 내지 도 29를 이용하여 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈을 제조하기 위한 하나의 방법이 예시적으로 설명된다.
도 30 내지 도 32를 이용하여 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈을 제조하기 위한 다른 하나의 방법이 예시적으로 설명된다.
도 33은 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈에 대한 개략적인 평면도이다.
도 34 내지 도 38은 다른 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드들의 모듈들에 대한 다른 평면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 개략적인 평면도이다.
도 4는 콘택 구조체와 금속화물 사이 초음파 용접된 연결부의 주사 전자 현미경 사진에 관한 예시적인 도이다.
도 5는 도 4의 주사 전자 현미경 사진에 표시된 영역을 다르게 확대한 도이다.
도 6은 금속화물과 콘택 구조체 사이의 초음파 용접된, 4가지 다른 연결부의 박리력(F)(N/cm)의 측정값들에 관한 예시적인 도이다.
도 7 내지 도 9를 이용해 콘택 구조체를 제조하기 위한 방법의 일 실시예가 상술된다.
도 10은 그외 일 실시예에 따른 콘택 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 11 내지 도 13을 이용해 유기 발광 다이오드를 제조하기 위한 일 실시예가 설명된다.
도 14 내지 도 18은 각각 유기 발광 다이오드의 한 영역을 예시적으로 도시하는 사시도이다.
도 19 내지 도 25는 다양한 실시예로서 각각 발광 다이오드 모듈을 부분적으로 개략적으로 표현하는 사시도이다.
도 26은 도 25의 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 27 내지 도 29를 이용하여 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈을 제조하기 위한 하나의 방법이 예시적으로 설명된다.
도 30 내지 도 32를 이용하여 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈을 제조하기 위한 다른 하나의 방법이 예시적으로 설명된다.
도 33은 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드들의 하나의 모듈에 대한 개략적인 평면도이다.
도 34 내지 도 38은 다른 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드들의 모듈들에 대한 다른 평면도들이다.
동일한, 동종의 또는 같은 효과의 요소들이 도면들에서 동일한 도면 부호를 갖는다. 도면들 및 이 도면들에 도시되어 있는 요소들 간의 크기 비율은 스케일이 맞다고 볼 수는 없다. 오히려 개별 요소들, 특히 층 두께들은 더 나은 설명을 위해 및/또는 더 나은 이해를 위해 과장적으로 크게 도시되어 있다.
도 1의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 기판(2)을 가지고 있으며, 제1 전극층(3)이 상기 기판 위에 도포되어 있다. 제1 전극층(3)은 예컨대 TCO 물질을 가지며 특히 바람직하게는 가시광에 대하여 투광성을 갖는다.
기판(2)의 중앙 영역(4)에서 유기 층 시퀀스(5)가 제1 전극층(3) 위에 도포되어 있다. 유기 층 시퀀스(5)는 복수의 유기 개별 층들을, 특히 에미터층(6)을 포함하며, 상기 에미터층은 유기 발광 다이오드(1)의 동작 동안 전자기 방사선, 바람직하게는 가시광을 방출한다. 유기 층 시퀀스(5) 위에 제2 전극층(7)이 도포되어 있으며, 이 제2 전극층 역시 바람직하게는 가시광에 대해 우수한 투광성을 갖는다.
유기 층 시퀀스(5)의 측면에 있는 기판(1)의 가장자리 영역(8)에서 제1 전극층(3) 위에 금속화물(9)이 도포되어 있다. 이 금속화물(9)은 이 경우 제1 전극층(3) 위에 직접 접촉하도록 도포되어 있으며 제1 전극층(3)에 전류를 인가하도록 제공되어 있다.
제1 전극층(3)은 이 경우 기판(1)의 중앙 영역(4)에도 형성되어 있고 기판(1)의 가장자리 영역(8)에도 형성되어 있다.
금속화물(9)은 이 실시예의 유기 발광 다이오드(1)에서 금속 층(10)을 통해 형성되어 있으며, 이와 같은 금속 층은 3개의 다른 개별 층들(10a, 10b, 10c)로 구성되어 있다. 이 경우, 중앙의 개별 층(10b)은 알루미늄을 포함하는 반면, 양 바깥 개별 층들(10a, 10c)은 크롬을 가지고 있으며, 이때 양 바깥 개별 층들 사이에 알루미늄 함유 개별 층(10b)이 배치되어 있다. 크롬 함유 양 개별 층들(10a, 10c)은 예컨대 약 50nm의 두께를 가지는 반면, 알루미늄 함유 개별 층(10b)은 예컨대 약 400nm의 두께를 갖는다. 그러므로 전체 금속화물(9)은 예컨대 약 0.5㎛의 두께를 갖는다.
또한, 유기 층 시퀀스(5) 위에 및 기판(1)의 가장자리 영역(8) 위에 박막 봉지 구조(11)가 배치되므로, 특히 유기 층 시퀀스(5)의 유기 물질들이 환경 영향들, 예컨대 기체들 및 액체들로부터 보호될 수 있다.
또한, 이 금속화물(9) 위에 독립적으로 제조된 금속 콘택 구조체(12)가 도포되어 있으며, 이 콘택 구조체는 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 경우, 금속 콘택 구조체(9)는 박막 봉지 구조(11)를 완전히 관통해 있다.
또한, 금속화물(9)은 실리콘 재료(13) 안에 매입되어 있다. 이 실리콘 재료(13)는 금속 콘택트 구조체(12)의 부식 방지에 이용된다.
도 2의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 경우에 박막 봉지 구조(11) 대신에 캡(14)이 유기 층 시퀀스(5) 위에 배치되어 있다. 이 캡(14)은 예컨대 유리로 제조되어 기판(2)에 접착될 수 있다.
예컨대 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 것처럼, 유기 발광 다이오드(1)의 방사선 출사 표면(15)은 기판(2)의 외면(16)을 통해 형성되어 있는, 유기 발광 다이오드(1)의 전면에 배치될 수 있다. 또한, 추가적으로 또는 대안으로서 방사선 출사 표면(15)이 유기 발광 다이오드의 후면(16')에 배치될 수도 있으며, 이때 후면은 상기 전면의 반대편에 있다. 이 경우, 바람직하게는 방사선 출사 표면(15)이 적어도 중앙 영역(4) 위에 형성되어 있는 반면, 유기 발광 다이오드(1)의 가장자리 영역(8)은 방사선 방출을 위해 제공된 것은 아니다.
또한, 상기 유기 발광 다이오드(1)는 적어도 자신의 방사선 출사 표면(15)의 영역에서 스위칭오프 상태에서 실질적으로 가시광에 대해 투광성을 갖도록 형성될 수도 있다.
도 3a의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 직사각형 기판(2) 및 역시 직사각형인 방사선 출사 표면(15)을 포함하는 직사각형의 기본 형상을 갖는다. 상기 방사선 출사 표면(15)은 발광 다이오드(1)의 중앙 영역(4)에 배치되어 있다. 방사선 출사 표면(15)의 측면에 있는 각 가장자리 영역(8)에 금속화물(9)이 기판(2) 위에 배치되어 있다. 또한, 각 금속화물(9) 위에 콘택 구조체(12)가 도포되어 있으며, 이 콘택 구조체는 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 경우, 각각 서로 마주하는 금속화물들(9)이 각각 동일 극성을 갖는다.
도 3a의 실시예와 달리, 도 3b의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 8각형의 기판(2)을 포함하는 8각형의 기본 형상을 가지는 반면, 방사선 출사 표면(15)은 둥글게, 바람직하게는 원형으로 형성되어 있다. 8각형의 기본 형상의 4개 측면 각각에 있는 기판(2)의 가장자리 영역들(8)에 금속화물들(9)이 배치되어 있으며, 이 금속화물들은 기판(2)의 중앙 영역(4)에서 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 제공되어 있다. 이 경우, 각각 서로 마주하는 금속화물들(9)은 또 각각 같은 극성을 갖는다.
도 4 및 도 5의 주사 전자 현미경 사진에 독립적으로 제조된 콘택 구조체(12)가 예시적으로 그리고 부분적으로 도시되어 있으며, 이런 콘택 구조체는 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 금속화물(9)은 기판(2)의 가장자리 영역(8)에 배치되어 있다.
도 4 및 도 5에 부분적으로 도시되어 있는 유기 발광 다이오드는 이 경우 유리로 형성되어 있는 기판(2)을 포함한다. 유리 기판(2) 위에 제1 전극층(3)이 배치되어 있으며, 이 제1 전극층은 ITO로 형성되어 있다. 제1 전극층(3) 위에 금속화물(9)이 도포되어 있으며, 이 금속화물은 3개의 개별 층들(10a, 10b, 10c)로 구성되어 있다. 이 경우, 금속화물(9)은 알루미늄 함유 개별 층(10b)을 포함하며, 알루미늄 함유 개별 층은 2개의 비교적 얇은 크롬 함유 개별 층들(10a, 10c) 사이에 배치되어 있다. 끝으로, 독립적으로 제조된 알루미늄 함유 콘택 구조체(12)가 금속화물(9) 위에 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 도포되어 있으며, 예컨대 초음파 용접, 초음파 접합 또는 초음파 솔더링을 통해 도포되어 있다. 특히 도 5에 도시된 것처럼, 금속화물(9)과 콘택 구조체(12) 사이 연결부가 누출 방지되게 형성되어 있다.
도 6에는 금속화물(9) 위 콘택 구조체(12)의 다양한 샘플들(A, B, C 및 D)에 대해 박리력(F)의 평균적인 측정값들이 도시되어 있다. 이 경우, 측정된 힘이 콘택 구조체(12)의 폭마다 제시되어 있다. 이 콘택 구조체(12)의 샘플들(A, B 및 C)은 이 경우 알루미늄 스트립으로, 예컨대 펀칭을 통해 형성되어 있다. 그에 반해, 콘택 구조체(12)의 샘플(D)은 알루미늄과 구리로 이루어지는 복합재인 금속 스트립으로 제조되어 있다. 예컨대 콘택 구조체(D) 역시 알루미늄 스트립이 구리 스트립과 함께 롤 본딩되어 있는 하나의 금속 스트립일 수 있다. 이와 같은 콘택 구조체(12)를 예컨대 도 10을 참고하여 하기에서 설명한다.
실질적으로 알루미늄으로 형성되어 있는 콘택 구조체(12)에 대한 측정된 박리력들은 도 6의 샘플들(A, B, C)의 경우에 약 자신을 포함하는 40N/cm과 약 자신을 포함하는 60N/cm 사이에 있는 반면, 복합재로 이루어지는 콘택 구조체(12)에 대한 박리력은 120N/cm을 넘는다. 그러므로 예컨대 구리로 이루어지는 요소와 알루미늄으로 이루어지는 요소들을 포함하는 복합재의 사용을 통해, 유리하게는 금속화물(9)과 콘택 구조체(12) 사이 연결부의 강도가 현저하게 개선될 수 있다.
특히, 여기에서 설명하는 콘택 구조체(12)의 박리력(F)은 독립적인 접착 필름으로 금속화물(9)에 고정되어 있는 도체 트랙에 의한 금속화물(9)의 접촉에 비해 현저히 상승된다. 접착 필름으로 고정되는 그와 같은 도체 트랙에 의한 접촉의 박리력은 약 15N/cm이다.
도 7에는 일 실시예에 따른 금속 스트립에 대한 개략적인 평면도가 도시되어 있다. 이 금속 스트립은 본체(17)를 포함하는 복합재이고, 이 본체는 이 경우 구리로 제조되어 있다. 본체(17) 안에 띠 형상의 다른 금속 스트립들(18)이 도입되어 있으며, 이 금속 스트립들은 이 경우 알루미늄으로 제조되어 있다. 이러한 금속 스트립의 개략적인 횡단면도는 도 9에 도시되어 있다. 이 경우, 알루미늄 스트립(18)은 구리 함유 본체(17) 안에 매입되어 있으며 본체(17)를 완전히 관통하지는 않는다.
이러한 금속 스트립으로부터 금속 콘택 구조체(12)가 펀칭을 통해 독립적으로 제조된다. 이때, 펀칭 가공된 콘택 구조체(12)는 콘택 영역(19)을 가지며, 이 콘택 영역은 나중의 외부 전기 접촉을 위해 제공되어 있다(도 8). 상기 콘택 영역(19)의 측면에 막대 형상의 영역들이 배치되어 있으며, 이들 영역은 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면을 따라 뻗어 있다.
막대 형상의 영역들 내에 연결점들(20)이 배치되어 있으며, 이들은 알루미늄으로 형성되어 있다. 이때, 연결점들(20)은 매입된 알루미늄 함유 스트립(18)의 펀칭된 영역을 통해 형성되는 반면, 콘택 구조체(12)의 본체(21)는 금속 스트립의 구리 함유 본체(17)로부터 형성된다. 이 경우, 콘택 영역(19)은 연결점들(20)을 가지지 않는다.
도 10의 실시예에 따른 콘택 구조체(12)는 도 8의 콘택 구조체(12)와 달리 층 구조체를 가지고 있다. 이 콘택 구조체(12)는 이 경우 알루미늄을 함유하는 제1 층(22) 및 이 경우 구리를 함유하는 제2 층(23)을 포함한다. 바람직하게는 알루미늄 함유 층(22)의 두께는 구리 함유 층(23)의 두께보다 3배 두껍다. 예컨대 구리 함유 층(23)은 약 50㎛의 두께를 가지며 알루미늄 함유 층(22)은 약 150㎛의 두께를 갖는다. 그와 같은 콘택 구조체(12)는 예컨대 금속 스트립으로 제조될 수 있으며, 이때 금속 스트립의 경우 알루미늄 스트립과 구리 스트립이 롤 본딩되어 있다.
도 11 내지 도 13의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 제조 방법의 경우에, 기판(2)을 가지는 유기 발광 다이오드(1)가 제1 단계에서 제공되며, 이 기판에서 중앙 영역(4)에 유기 층 시퀀스(5)가 배치되어 있고, 이 층 시퀀스는 동작 동안 전자기 방사선을 발생한다. 기판(2)의 가장자리 영역(8)에 금속화물(9)이 배치되어 있으며, 이 금속화물은 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 형성되어 있다(도 11).
다음 단계에서, 도 7 내지 도 9를 참고하여 이미 자세히 설명한 것처럼, 금속 콘택 구조체(12)가 제조된다.
콘택 구조체(12)는 유기 발광 다이오드(1)의 금속화물(9) 위에 배치되어 있다(도 12). 이 경우, 콘택 구조체(12)의 콘택 영역(19)은, 콘택 영역(19)이 유기 발광 다이오드(1)의 유리 캡(14)의 측면을 따라서 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면에 대해 수직 방향으로 형성되도록, 꺽여 있다.
다음 단계에서 콘택 구조체(12)는 연결점들(20)에 초음파 용접되므로, 연결점들(20)에 재료 결합 방식의 전기 전도성 연결이 금속화물(9)과 콘택 구조체(12) 사이에 생긴다(도 13).
도 14의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 8각형의 기본 형상을 갖는다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(1)를 예컨대 도 3b를 참고하여 이미 설명하였다. 이때, 도 14의 영역에는 기판(2)의 가장자리 영역(8)이 도시되어 있으며, 이 위에 독립적으로 제조된 금속 콘택 구조체(12)가 (이 도면에 도시되어 있지 않은) 금속화물(9)과의 재료 결합 방식 연결을 통해 도포되어 있다. 이 콘택 구조체(12)는 콘택 영역(19)을 가지며, 이 콘택 영역은 기판(2)에서 시작하여 유기 발광 다이오드(1)의 에지(24)를 따라서 금속 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면에 수직 방향으로 꺽여 있다. 이 콘택 영역(19)의 추가적 연장부에서 이것이 다시 꺽여 있으므로, 콘택 영역(19)의 그외 영역이 유기 발광 다이오드(1)의 후면(16') 위에 있다.
도 15의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 경우에, 콘택 구조체(12)의 콘택 영역(19)이 도 15의 발광 다이오드(1)와 달리 한 번만 꺽여 있으므로, 이것은 유기 발광 다이오드(1)의 에지(24)를 따라 연장해 있다. 이 경우, 유기 발광 다이오드의 에지(24)가 일반적으로 유기 층 시퀀스(5)를 따른다. 이 콘택 영역(19)의 평면은 이 경우 유기 발광 다이오드(1)의 후면(16')의 평면과 높이가 같다.
도 14 및 도 15의 실시예들과 달리, 도 16에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 경우에 상기 콘택 영역(19)은 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면에 수직 방향으로 꺽여 있으므로, 이것은 기판(2)의 측면을 따라 뻗어 있다. 이 경우 콘택 영역(19)의 평면은 유기 발광 다이오드(1)의 후면의 평면과 같은 높이를 갖는다.
도 17에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 도 14 내지 도 16에 따른 유기 발광 다이오드와 다르게 아이릿으로서 형성되어 있는 콘택 영역(19)을 갖는다. 이 아이릿은 개구(25)를 가지며, 이 개구로 유기 발광 다이오드(1)는 다른 요소에, 예컨대 그외 유기 발광 다이오드(1)에 고정될 수 있거나 또는 캐리어에 고정될 수도 있다. 도 17에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 경우에 콘택 영역(19)은 유기 발광 다이오드(1)의 측면에 그 중앙에 배치되어 있다. 또한, 이 콘택 영역(19)은 기판(2)의 가장자리 영역(8)을 넘어 측면으로 튀어나와 있다.
도 18의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 금속 콘택트 구조체(12)를 가지며, 이 콘택 구조체는 막대 형상으로 형성되어 있다. 이 경우, 콘택 구조체(12)는 유기 발광 다이오드(1)의 가장자리 영역(8)보다 더 길므로, 콘택 구조체(12)가 기판(2)의 가장자리 영역(8)을 넘어 튀어나와 있다. 이와 같은 돌출 단부(26)는 유리하게는 그외 유기 발광 다이오드(1)와의 연결에 사용될 수 있다. 이는 도 24를 참고하여 하기에서 예시적으로 설명된다.
도 19의 실시예에 따른 모듈은 이 경우 8각형의 기본 형상을 갖는 2개 이상의 유기 발광 다이오드(1)를 포함한다. 각 유기 발광 다이오드(1)는 콘택 구조체(12)를 가지며, 이것은 자신의 주 연장 평면을 따라 각 발광 다이오드(1)의 금속화물(9) 위에 도포되어 있다. 또한, 각 콘택 구조체(12)는 아이릿을 가지며, 이 아이릿은 측면에서 유기 발광 다이오드(1)의 기판(2)을 넘어가며 콘택 영역(19)으로서 제공되어 있다. 양 유기 발광 다이오드(1)에서 이들의 가장자리 영역(8)은 서로 나란하게 배치되어 있으며, 콘택 구조체(12)가 상기 가장자리 영역에 각각 도포되어 있고, 콘택 영역들(12)은 서로 오프셋되어 있다. 양 아이릿은 각각, 바람직하게는 전기 전도적으로 형성되어 있는 막대 형상 연결 부재(27) 위에 배치되므로, 전기 전도성 연결이 이 연결 부재(27)에 의해 그리고 아이릿들에 의해 이루어진다. 상기 아이릿들은 예컨대 연결 부재(27)와 체결되는 나사 체결 부재와 전기 전도적으로 연결될 수 있다. 이 나사 체결 부재는 이해의 편의를 이유로 도 19에는 도시되어 있지 않다.
도 20의 실시예에 따른 모듈의 경우에, 도 19의 실시예와 다르게 연결 부재(27)가 제공되어 있지 않다. 그 대신에, 상기 아이릿들은 예컨대 캐리어에 고정될 수 있는 그외 아이릿들에 의해 나사 체결 부재와 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 경우, 나사들은 이해의 편의를 이유로 도면에 도시되어 있지 않다.
인접한 콘택 구조체(12)의 상기 아이릿들은 도 19 및 도 20의 실시예들에 따른 모듈들에서 오프셋되게 배치되어 있다.
도 21의 실시예에 따른 모듈은 2개의 발광 다이오드(1)를 가지며, 양 발광 다이오드의 경우에 각각 콘택 구조체(12)가 주 연장 평면을 따라서 금속화물(9)에 도포되어 있다. 각 콘택 구조체(12)는 중앙에 배치되어 있는 아이릿을 콘택 영역(19)으로서 갖는다. 이 경우, 유기 발광 다이오드(1)는, 아이릿들의 개구들(25)이 오버랩되도록, 배치되어 있다. 이들은 나사 체결 부재로 전기 전도적으로 서로 접촉될 수 있다. 이 나사 체결 부재는 또 이해의 편의를 이유로 도 21에 도시되어 있지 않다.
도 22의 실시예에 따른 모듈의 유기 발광 다이오드(1)는 또 동종으로 형성되어 있는 2개의 콘택 영역들(19)을 포함하는 콘택 구조체(12)를 갖는다. 이 경우, 콘택 영역들(19)은 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면으로부터 90°만큼 굽혀져 있다. 이 콘택 영역들(19)은 유기 발광 다이오드(1)의 외측에 배치되어 있다. 또한, 유기 발광 다이오드(1)는, 양 금속화물들(9)이 서로 나란하게 뻗어 있으며 양 콘택 영역들(19)이 서로 직접 접촉하도록, 배치되어 있다. 양 콘택트 영역들(19)은 전기 전도성 클램프(28)로 서로 연결되어 있다. 이와 같은 방식에 의해 양 유기 발광 다이오드(1) 사이의 전기 전도성 연결이 이루어진다.
도 23의 실시예에 따른 모듈의 유기 발광 다이오드(1)는 각각 L 형상 콘택 영역(19)을 가지며, 이것은 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면으로부터 굽혀져 있다. 이 경우, L 형상 콘택 영역들(19)은 유기 발광 다이오드(1)의 측면에서 그 중앙에 배치되어 있다. 이 경우, L 형상 콘택 영역들(19)은 이들이 적어도 상측 영역에서 오버랩되도록 슬라이딩되어 있다. 이 경우, 콘택 영역들(19)은 서로 직접 접촉한다. 콘택 영역들(19)은 클램프(28)로 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다.
도 24의 실시예에 따른 모듈은 막대 형상의 콘택 구조체(12)를 포함하는 2개의 유기 발광 다이오드(1)를 가지며, 각각 콘택 구조체(12)의 단부(26)는 각 기판(2)을 넘어 돌출한다. 양 유기 발광 다이오드(1)는, 콘택 구조체들(12)의 돌출 단부들(26)이 서로 나란하게 연장하도록, 배치되어 있다. 양 돌출 단부들(26)은 클램프(28)로 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다.
도 25의 실시예에 따른 모듈에서 유기 발광 다이오드(1)는 각각 콘택 영역(19)을 포함하는 콘택 구조체(12)를 가지며, 콘택 영역은 유기 발광 다이오드(1)의 에지(24)를 따라서 콘택 구조체(12)의 주 연장 평면에 대해 직각 방향으로 연장해 있으며 유기 발광 다이오드(1)의 후면(16')의 평면과 같은 높이를 갖는다. 이 경우, 양 유기 발광 다이오드들(1)은, 자신의 양 콘택 구조체들(12)이 주 연장 평면을 따라서 서로 나란하게 연장하도록, 배치되어 있다. 상기 양 유기 발광 다이오드들(1)의 에지들(24) 사이에 전기 전도성 스프링(29)이 클램핑되어 있으며, 또한 이것은 콘택 영역들(19) 위에 놓인다. 이 스프링(29)에 의해 유기 발광 다이오드들(1)의 양 콘택 영역들(19)이 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다.
도 26에는 도 25에 따른 모듈의 횡단면도가 도시되어 있다. 각 발광 다이오드(1)는 기판(2)을 가지며, 이 기판 위에 제1 전극층(3)이 배치되어 있다. 기판(2)의 중앙 영역(4)에 있는 각 에미터층(6)을 포함하는 유기 층 시퀀스(5)가 제1 전극층(3) 위에 도포되어 있다. 또한, 상기 유기 층 시퀀스(5) 위에 제2 전극층(7)이 배치되어 있으며, 이 제2 전극층은 그외 전기 전도층(30)에 의해 기판(2)의 가장자리 영역(4)에 있는 금속화물(9)과 연결되어 있다. 도 1 및 도 2의 유기 발광 다이오드(1)와 다르게, 제1 전극층(3)이 기판(2)의 가장자리 영역(8)에 제공되지 않아 그 결과 금속화물(9)과 전기 전도성 접촉을 하지 않는다. 오히려 제2 전극층(7)은 금속화물(9)과 전기 전도적으로 연결되어 있다. 또한, 도 26에 따른 모듈의 유기 발광 다이오드들(1)이 봉지 구조로서 그외 유리판(31)을 갖는다.
또한, 도 26에 따른 횡단면에는 상기 콘택 구조체들(12)의 주 연장 평면으로부터 굽혀진 양 콘택 영역들(19)이 도시되어 있으며, 이들은 각각 유기 발광 다이오드(1)의 한 에지(24)를 따라 연장해 있다. 양 콘택 영역들(19)은 스프링(29)과 전기 전도적으로 연결되어 있다.
도 27 내지 도 29의 실시예에 따른 방법의 경우에 기본 프레임(32)은 4개의 리세스(33)를 포함하는 추가적인 기계적 홀더로서 제공되어 있으며, 이때 각 리세스(33) 안에 유기 발광 다이오드(1)가 삽입되어 있다. 각 유기 발광 다이오드(1)는 2개의 콘택 구조체(12)를 가지며, 이 콘택 구조체는 서로 마주하는 유기 발광 다이오드(1)의 가장자리 영역들(8)에서 거기에 배치되어 있는 금속화물(9) 위에 도포된다. 다른 유기 발광 다이오드들(1)의 직접 인접해 있는 콘택 구조체들(12)은 각각, 도 25 및 도 26을 참고로 이미 자세히 설명한 것처럼, 스프링(29)으로 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다. 프레임(32)에 직접 인접하게 배치되어 있는 가장자리 영역들(8) 내 콘택 구조체들(12) 역시 스프링들(29)을 이용해 프레임(32)과 전기 전도적으로 연결되어 있다.
또한, 커버 프레임(34)이 제공되어 있으며, 이 커버 프레임 역시 유기 발광 다이오드(1)의 방사선 출사 표면(15)을 위한 리세스들(33)을 포함하고 있다(도 28).
다음 단계에서 커버 프레임(34)은 기본 프레임(32) 위에 배치되며 이것과 기계적으로 고정 연결된다(도 29).
이에 대한 대안으로서 각 발광 다이오드(1)를 위한 리세스들(33)을 포함하는 커버 프레임(34) 대신에 커버(34')가 제공될 수도 있으며, 이때 커버는 직접 인접한 2개의 유기 발광 다이오드(1)을 위한 2개의 리세스들(33)만을 가지며, 막대 형상의 독립된 엘리먼트(35)가 중앙축으로서 사용되어 있다(도 31).
도 32에 도시되어 있는 완성 모듈은 실실적으로 도 29에 따른 모듈과 동일하다.
도 33의 실시예에 따른 모듈 역시 마찬가지로 프레임(32')을 가지며, 이 프레임은 각각 유기 발광 다이오드(1)를 위한 리세스(33)를 제공한다. 이 리세스들(33)은 서랍으로서 형성되어 있으며, 이 서랍 안에 유기 발광 다이오드들(1)이 삽입되어 로킹될 수 있다. 서로 마주하는 접촉 스프링들(36)이 각각 각 서랍에 배치되어 있으며, 이 접촉 스프링들은 유기 발광 다이오드(1)의 가장자리 영역(8) 안에 배치되어 있는 콘택 구조체(12) 위에 놓여 이것과 전기적으로 접촉하도록 제공되어 있다. 서랍들을 포함하는 하나의 프레임을 가지는 모듈에서 유기 발광 다이오드들은 유리하게는 특히 용이하게 교환될 수 있다.
도 34의 실시예에 따른 모듈은 나란하게 배치되어 있는 3개의 유기 발광 다이오드들(1)을 가지며, 이들은 자신의 후면에 의해 전기 전도적으로 직렬로 연결되어 있다. 이 경우, 각각 인접한 유기 발광 다이오드들(1)의 다른 극성들이 서로 전기적으로 접촉되어 있다. 이 경우, 도 34의 실시예에 따른 모듈의 발광 다이오드들(1)은 방사선 출사 표면(15)으로부터 광을 내보내기 위해 제공되어 있으며, 이때 방사선 출사 표면은 전면의 반대편에 있는 후면에 배치되어 있다.
도 35의 실시예에 따른 모듈의 유기 발광 다이오드(1)는 도 34에 따른 모듈의 발광 다이오드(1)와 다르게 스위칭오프 상태에서 가시광에 대해 투광성을 갖는다. 특히 그와 같은 모듈들의 경우에, 후면에 의한 인접 발광 다이오드들(1)의 접촉은 예컨대 도 34에서 예시적으로 도시되어 있는 것처럼 바람직하지 않은데, 그런 경우 후면의 콘택 구조체들은 스위칭오프 상태에서 가시적일 수 있고 유기 발광 다이오드의 시각적 전체 인상을 손상시킬 수도 있기 때문이다.
도 35의 실시예에 따른 모듈에서 각 유기 발광 다이오드(1)는 금속화물(9)에 대해 중앙에 배치되어 있는 콘택 영역(19)을 포함하는 콘택 구조체(12)를 갖는다. 이 콘택 영역(19)은 이 경우 와이어 형상으로 형성되어 있으며 측면에서 기판(2)을 넘어 돌출해 있다. 와이어 형상 콘택 영역들(19)은 각각 인접한 유기 발광 다이오드(1)의 상반된 극성들을 서로 연결한다.
도 36에 따른 모듈은 도 35의 실시예에 따른 모듈과 다르게 더 많은 수의 유기 발광 다이오드(1)를 가지고 있다. 이 경우, 발광 다이오드들(1)은 복수의 열로 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 이 경우, 일렬의 유기 발광 다이오드들(1)은, 도 35를 참고로 이미 설명한 것처럼, 와이어 형상 콘택 영역들(19)에 의해 전기 전도적으로 서로 연결되어 있다.
도 37의 실시예에 따른 모듈 역시 발광 다이오드들(1)을 가지며, 이의 방사선 출사 표면들(15)은 스위칭오프 상태에서 가시광에 대해 투광성을 갖는다. 직접 인접해 있는 유기 발광 다이오드들(1)의 금속화물(9)은 각각 막대 형상으로 형성되어 있는, 독립적으로 제조된 공동의 금속 콘택 구조체(12)와 전기 전도적으로 연결되어 있다. 이 경우, 전기적 접촉은, 직접 인접하는 발광 다이오드들(1)의 같은 극성들이 서로 전기 전도적으로 연결되도록, 이루어진다. 그러므로 유기 발광 다이오드들(1)이 병렬로 접속되어 있다.
도 37의 실시예에 따른 모듈과 다르게, 도 38에 따른 모듈의 유기 발광 다이오드들(1)이 직렬로 접속되어 있다. 즉, 직접 인접해 있는 유기 발광 다이오드들(1)은 독립적으로 제조된, 막대 형상의 공동 금속 콘택 구조체(12)와 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 상반된 극성들이 서로 연결되어 있다.
상기 실시예들을 참고하여 본 발명을 설명하였지만 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 모두 및 특징들의 각 조합 모두를 포함하고 있으며, 이는, 이 특징 또는 이 조합 자체가 청구항들이나 실시예들에서 명시적으로 제안되어 있지 않았을지라도, 특히 청구항들의 특징들의 각 조합 모두를 담고 있다.
Claims (15)
- 유기 발광 다이오드(1)로서,
- 기판(2),
- 동작 동안 전자기 방사선을 발생시키는 유기 층 시퀀스(5)로서, 상기 유기 층 시퀀스(5)는 상기 기판(2)의 중앙 영역(4)에 배치되어 있는 것인, 상기 유기 층 시퀀스(5),
- 상기 기판(2)의 가장자리 영역(8)에 배치되어 있으며 상기 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물(9) 및
- 초음파 기술에 기반한 접합(joining) 공정을 통해 상기 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있는, 독립적으로 제조된 금속 콘택 구조체(12)를 포함하며,
- 상기 콘택 구조체(12)는 주 연장 평면을 가지며, 이 주 연장 평면은 상기 기판(2)의 주 표면에 대해 평행하게 배치되어 있고,
- 상기 콘택 구조체(12)는 하나 이상의 연결점(20)에서 상기 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 상기 연결점(20)은 상기 콘택 구조체(12)의 나머지 재료와 다른 재료를 가지는 것인, 유기 발광 다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 콘택 구조체(12)는 알루미늄, 구리, 황동, 아연, 청동, 주석, 은, 금 중 어느 하나의 물질을 포함하는 것인, 유기 발광 다이오드. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 콘택 구조체(12)는 외부 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 콘택 영역(19)을 가지는 것인, 유기 발광 다이오드. - 제3항에 있어서,
상기 콘택 영역(19)은 탭으로서, 아이릿(eyelet)으로서 또는 와이어로서 형성되어 있는 것인, 유기 발광 다이오드. - 유기 발광 다이오드(1)를 제조하기 위한 방법으로서,
- 기판(2)을 제공하는 단계로서,
- 동작 동안 전자기 방사선을 발생시키는 유기 층 시퀀스(5)가 중앙 영역(4)에 배치되어 있고,
- 상기 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 형성되어 있는 금속화물(9)이 가장자리 영역(8)에 배치되어 있는, 상기 기판(2)을 제공하는 단계,
- 금속 콘택 구조체(12)를 제조하는 단계, 및
- 상기 콘택 구조체(12)와 상기 금속화물(9) 간에 전기 전도성 연결이 생기도록, 상기 금속화물(9)을 콘택 구조체(12)와 재료 결합 방식으로 연결시키는 단계
를 포함하며,
- 상기 콘택 구조체(12)는 주 연장 평면을 가지며, 이 주 연장 평면은 상기 기판(2)의 주 표면에 대해 평행하게 배치되어 있고,
- 상기 콘택 구조체(12)가 하나 이상의 연결점(20)에서 상기 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 상기 연결점(20)은 상기 콘택 구조체(12)의 나머지 재료와 다른 재료를 가지는 것인, 유기 발광 다이오드의 제조 방법. - 제5항에 있어서,
상기 콘택 구조체(12)는 금속 스트립으로 제조되는 것인, 유기 발광 다이오드의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
콘택 구조체(12)는 금속 스트립으로부터 펀칭되는 것인, 유기 발광 다이오드의 제조 방법. - 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 콘택 구조체(12)는 본체(17)를 가지는 금속 스트립으로부터 제조되고, 상기 본체(17)의 재료와 다른 재료가 상기 금속 스트립 안에 매입되어 있는 것인, 유기 발광 다이오드의 제조 방법. - 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 콘택 구조체(12)는 초음파 기술에 기반한 접합 공정을 통해 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 연결되는 것인, 유기 발광 다이오드의 제조 방법. - 2개 이상의 유기 발광 다이오드(1)를 포함하는 모듈로서,
- 각 유기 발광 다이오드(1)는 기판(2)의 가장자리 영역(8)에서 금속화물(9)을 가지며, 상기 금속화물(9)은 유기 층 시퀀스(5)의 전기 접촉을 위해 형성되어 있으며,
- 상기 2개의 유기 발광 다이오드(1)는 독립적으로 제조된 하나 이상의 금속 콘택 구조체(12)에 의해 서로 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 상기 금속 콘택 구조체는 금속화물(9)들 중 하나 이상의 금속화물과 재료 결합 방식으로 연결되어 있고,
- 상기 콘택 구조체(12)는 주 연장 평면을 가지며, 이 주 연장 평면은 상기 기판(2)의 주 표면에 대해 평행하게 배치되어 있고,
- 상기 콘택 구조체(12)는 하나 이상의 연결점(20)에서 상기 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있으며, 상기 연결점(20)은 상기 콘택 구조체(12)의 나머지 재료와 다른 재료를 가지는 것인, 모듈. - 제10항에 있어서,
- 각 유기 발광 다이오드(1)는 콘택 구조체(12) 및 금속화물(9)을 가지며, 상기 콘택 구조체(12)는 금속화물(9)과 재료 결합 방식으로 그리고 전기 전도적으로 연결되어 있으며,
- 각 콘택 구조체(12)는 탭(tab)을 가지며, 이 탭에 의해 유기 발광 다이오드들(1)이 전기 전도적으로 연결되어 있는 것인, 모듈. - 제11항에 있어서,
상기 탭들이 클램프(28) 또는 접촉 스프링(29)에 의해 서로 전기 전도적으로 연결되어 있는 것인, 모듈. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 탭들이 아이릿(eyelet)으로서 형성되어 있으며, 아이릿의 개구들(25)이 전기 접촉을 위해 전기 전도적으로 연결되어 있는 것인, 모듈. - 제10항에 있어서,
각 유기 발광 다이오드(1)는 프레임(32')의 서랍(insert) 안에 제공되고, 유기 발광 다이오드(1)가 로킹될 때 상기 콘택 구조체(12) 위에 놓이게 되는 접촉 스프링(36)이 각 서랍에 배치되어 있어, 콘택 구조체(12)와 접촉 스프링(36) 간에 전기 전도성 연결이 생기는 것인, 모듈. - 삭제
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