TWI527281B - 密封電子封裝體 - Google Patents

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TWI527281B
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唐諾 西頓 法奎哈爾
麥可 史考特 荷薩葛
史帝芬 瑞卡夫
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奇異電器公司
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Description

密封電子封裝體
光電子裝置大體上包含發光裝置及光伏打裝置。此等裝置大體上包含夾在二個電極之間的一活化層,其有時被稱為前後電極及其中至少一個通常係透明的。該活化層通常包含一個或更多個半導體材料。在諸如一有機發光二極體(OLED)的發光裝置中,施加在該二個電極之間的電壓引發電流流過該活化層。該電流引發該活化層發光。在諸如太陽能電池之光伏打裝置中,該活化層從光中吸收能量及將此能量轉換為電能,在該二個電極之間以一電壓及/或電流呈現。光電子裝置可藉由各種方式製造。一方式係使用半導體材料之真空沈積,及第二方式係使用溶液處理材料。包含玻璃及塑膠薄膜的各種基板可被用作用於沈積該等層於其上的一底材。替代地,該光電子裝置可利用不透明層(金屬或聚合物或陶瓷)作為該基板而建立及利用一替代的建立順序。不管該裝置構造,必須提供一囊封密封封裝以保護該裝置免於曝露於濕氣及氧氣之劣化效應。該封裝亦必須提供成一饋通組態的電互連以連接在該封裝外部的一電源。
OLED係以一扁平薄較形式被產生以用作顯示器或用於一般照明。使用塑膠基板可提供該最薄且最柔性的組態,且亦有供低成本卷軸式式生產之潛力。據此,封裝技術亦必須係薄的及柔性的,及較佳順應於與該OLED製造一致的卷軸式生產。該封裝應適用於特定應用的大面積(達到約一或更多平方米)顯示器或發光體。
被稱為極高障壁(UHB)膜或UHB之障壁膜被用於直接製造OLED及其他光電子裝置。此等膜通常由在一透明塑膠膜上的一薄透明氧化物層組成,舉例而言,如讓渡於通用電氣公司之US 7,015,640、US 7,154,220、及US 7,397,183中所描述。然而,該障壁膜在操縱中可能受損,因此直接在該障壁膜上製造裝置會降低其性能及產生一濕氣進入路徑。此外,溼氣及氧氣可橫向滲透通過在該裝置之邊緣的黏膠層及亦通過密封該等電線饋通的黏膠。此外,在該黏膠及基板材料中的固有濕氣可損壞該裝置。該封裝設計必須與低成本材料及連續卷軸式生產相一致,及該材料設置必須係低成本且適合於高速處理。由此,需要一種改良的薄撓性封裝技術以擴展應用於OLED及其他光電子裝置之低成本生產。
簡言之,在一態樣中,本發明係關於一種密封電子封裝,其包含一第一透明障壁層;一第二障壁層,其與該第一障壁層結合及界定複數個饋通孔;一光電子裝置,其被夾在該第一與第二障壁層之間,該光電子裝置包括一陽極、一光電活化層、及一陰極;及一導電貼片,其被電耦合於該陰極或該陽極及被設置為與至少一個饋通孔交叉。在某些實施例中,該第二障壁層包括一多層結構,其可包含至少一層導電金屬層、及/或至少一層黏膠層。在某些實施例中,該導電貼片通過一黏膠層與該第二障壁層結合。該密封電子封裝可包含:複數個導電陽極貼片、或複數個導電陰極貼片、或複數個導電陽極貼片及複數個導電陰極貼片。在某些實施例中,該導電貼片被夾在該光電子裝置與該第二障壁層之間;在其他實施例中,該導電貼片被設置在與該光電子裝置相對的該第二障壁層之一表面上,又其他實施例中,該密封電子封裝另外包含被設置在該第二障壁層上的一第三障壁層,及該導電貼片被夾在該第二與第三障壁層之間。該密封電子封裝可另外包含一外部匯流排,其被電耦合於該導電貼片。
在另一態樣中,本發明係關於用於製造一密封電子封裝之卷軸式方法。該方法包含提供一光電子裝置,該裝置包括一陰極、一陽極及一光電子活化層;將該光電子裝置夾在一第一透明障壁層與一第二障壁層之間;將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上;在該第二障壁層中形成複數個饋通孔;及將該導電貼片電耦合於該陰極或該陽極。在某些實施例中,將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上之步驟係在將該光電子裝置夾在一第一透明障壁層與一第二障壁層之間之步驟之前被執行。在其他實施例中,將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上之步驟係在將該光電子裝置夾在一第一透明障壁層與一第二障壁層之間之步驟之後被執行。該方法可另外包含將一第三障壁層設置在該第二障壁層上,及將該導電貼片夾在該第二障壁層與該第三障壁層之間。
在另一個態樣中,本發明係關於一種大面積密封封裝光電子裝置,該裝置包含一第一透明障壁層;一第二障壁層,其與該第一障壁層結合及界定複數個饋通孔;一光電子裝置,其被夾在該第一與第二障壁層之間,該光電子裝置包括一陽極、一光電活化層、及一陰極;至少一片導電貼片,其被電耦合於該陽極或陰極及被設置為與至少一個饋通孔交叉;及一外部匯流排,其被電耦合於各導電貼片;在某些實施例中,包含複數個被電耦合於該陽極之導電貼片,及被電耦合於各複數片導電貼片之一外部匯流排。
在又另一態樣中,本發明係關於一物件,其包括:一障壁層,其界定至少一個饋通孔;及至少一片導電貼片,其被設置為與該至少一個饋通孔交叉及經架構於該至少一個饋通孔進行通電。
當參照附圖閱讀下列詳細描述時,本發明之此等及其他特徵、態樣、及優點將變得更易被理解,其中在該等整個圖式中相同的編號代表相同的部分。
圖1A說明組合光電子裝置10,其可係一光-發射裝置(特別係一OLED)、或諸如一光伏打(PV)電池之一光-吸收裝置,及包含塑膠或玻璃基板102、透明障壁層104、形成一第一電極(通常一陽極)之透明導電層106、光電子活化層108、及第二電極(陰極)110。在某些實施例中,該透明障壁層存在於一不同位置中,及在其他實施例中,該透明障壁層係不存在。諸如電洞注入、電洞傳輸、電子注入及電子傳輸層之額外層經常被包含在一OLED中,及可存在於本發明之密封封裝裝置中但並非係決定性的。層118係一視需要之絕緣層,其可被用於在製造期間為該陰極提供機械保護及/或在隨後步驟之期間防止其他封裝之電子短路。層112係保護該裝置之一視需要障壁層。陰極觸件114及陽極觸件116被用於形成一電連接以供能給該裝置。光電子裝置10概略地顯示為一單一像素裝置,但是在本技術中已知,獨立像素可被單片集成於一串聯組態中,及觸件114及116之該精確位置可基於各種設計要素而改變。圖1A繪示視需要之第二障壁層112以為該陰極提供額外保護,及在某些實施例中可被省略如圖1B所繪示。在組合10中,表面120係該光發射或光吸收側,及表面130係該非發射背側。在本技術中已知,OLED可以各種組態及藉由各種方法製造。舉例而言,讓渡於美國通用電器公司之US 6,661,029、US 6,700,322、US 6,800,999及US 6,777,871描述可包含在本發明之密封封裝中的OLED裝置、及用於製造其等之方法。
圖1B繪示光電子裝置11,其在鄰接的像素之間具有一串聯互連組態。US 7,049,757描述OLED裝置之串聯互連。在裝置11中,層102、104、106、108、112、118、及表面120與130與在裝置10中相同。在裝置11中,二個或更多個像素被單片串聯,及該裝置隨後藉電觸件114及116而被連接至一電源。該單片互連99藉由鄰接像素之電隔離陽極106、鄰接像素之電隔離陰極110所形成,及隨後將一個像素之該陰極連接至該鄰接像素之該陽極。在光伏打裝置中,互連區99由被稱為繪線方法形成,及該裝置藉電觸件114及116而連接至該外部荷載。如圖1B所示被組態之裝置在單一像素之該電流程度及由該等獨立電池之總和所決定的電壓程度操作。在其中電流之該橫向流動將導致電阻損失之大型裝置中減小電流具重要性。圖1A及1B適於將該觸件114及116設置於非常接近該基板102之該周界之處,由此適於提供通過該封裝邊緣之饋通連接之封裝技術。
圖1A及1B之設計元件之組合可被用於組態裝置或裝置組,從而修正電壓-電流特性、在一鑲嵌組態中組合獨立的裝置及/或提供獨立裝置之亮度程度之調整。
圖2A顯示密封電子封裝20之一分解圖,其由組合光電子裝置/透明障壁層薄板200及第二障壁層(背層)201組成。組合薄板200包含基板202及透明障壁層204、以及電極206、光電子活化層208、及第二電極210。組合200包含透明基板202、透明障壁層204、形成一第一電極(通常一陽極)之透明導電層206、光電子活化層208、及第二電極(陰極)210、視需要之絕緣層218、觸件214與216及視需要之第二障壁層212。適用於透明基板202之適宜材料包含諸如聚酯及聚碳酸酯之透明軟質塑膠、特別係光學等級之該等塑膠。用於障壁層204之適宜材料包含:一濕氣滲透率小於約10-4 cc/m2/天、較佳地小於10-5 cc/m2/天、及更較佳地小於約10-6 cc/m2/天(於23℃)之材料、特別係諸如在US 7,015,640、US 6,413,645、US 6,492026、US 6,537,688、及US 6,624,568中被描述的UHB材料;軟質或硬質玻璃、諸如ITO之具有足夠的濕氣及/或氧氣障壁性能的透明金屬及氧化物、及此等之組合。在某些實施例中,可使用UHB材料或玻璃,及在特殊實施例中,係使用UHB材料。
背層201係一多層箔,其由薄的界面層242、障壁層244、及視需要之絕緣層246組成。用作背層201之適宜材料包含:市售多層封裝或裝蓋材料,其具有呈薄膜或薄板形式的濕氣-及視需要之氧氣-障壁性能,尤其係熱封材料。裝蓋材料通常由多個薄聚合物層組成;裝蓋箔亦包含被夾在聚合物層之間的一金屬箔,其通常係鋁。用於背層201之適宜材料之一實例係Tolas TPC-0814B裝蓋箔,其由Tolas保健封裝公司、Feasterville、PA製造(該公司係Oliver-Tolas、Grand Rapids、MI之分部)。饋通孔248及249利用任一合適方法(包括沖孔、沖切、及雷射加工)形成於背層201中。依據該裝置之佈置及其他設計因素,該孔可係具變化直徑之圓形、或其他形狀及縱橫比。
導電陰極貼片250及導電陽極貼片251由諸如鋁之導電金屬之一薄板或箔組成。在本發明之該內容中,該術語「貼片」表示用於覆蓋該等饋通孔之一塊或片導電材料。貼片250及251具有不使會損及該裝置之濕氣、氧氣及/或其他蒸氣滲透之足夠厚度及均一性;金屬箔適用於許多實施例。貼片250及251以一尺寸(其實質上大於饋通孔248及249)提供及藉由界面層242而被密封至障壁層244以形成一密封區255。貼片250及251對於組合光電子裝置/透明障壁層200之尺寸相對較小且可係圓形,但其他形狀及尺寸亦可接受。雖然僅顯示二個饋通孔248及249,但在某些實施例中,背層201可包含多個(亦即,超過二個)饋通孔;若需要,貼片250及251可經組態以覆蓋多個饋通孔及由此提供該電流之橫向輸送。適合用作電線之材料為本技術中已知,且可被用於貼片250與250,該等材料包含鋁、不銹鋼、鎳及黃銅。在一實例中,貼片250與251由0.001英寸厚的鋁箔製造。在另一個實例中,該等貼片由0.001英吋不銹鋼製造。該等貼片可被沖切自一箔薄板,但是只要該方法可避免在該等貼片之切割邊緣形成毛邊,則可使用其他方式。導電陰極貼片250通過電傳導元件260而被電耦合於陰極觸件214及導電陽極貼片251通過電傳導元件261而被電耦合於陽極觸件216。
導電元件260與261可藉由在觸件214與貼片250及觸件216與貼片251之間施加的導電黏膠而合宜地形成。導電元件260與261可利用藉由各種方式(包括手動或自動方式)設置的一導電黏膠而形成。用於該等導電元件之適宜材料之一實例係得自Cookson電子公司,Alpharetta,GA之Staystik 571。該背層201及組合光電子裝置/透明障壁層200、貼片250與251、及導電元件214與216隨後被對準及鋪置以準備用於積層製程,該積層製程之溫度係在90℃與130℃之間、較佳地於120℃,及壓力係1 psi至30 psi、及較佳地15 psi歷時1秒與10分鐘之間、及較佳地30秒。在所得密封電子封裝中,該等貼片250與251通過導電元件260與261與觸件214及216電連接。饋通孔248與249、貼片250與251及觸件260與261可放置在中央及被對準,但是在一般情況中此係非必需。一般來說,在此等組件之間的一偏置定向在許多實施例中證明有利於該裝置佈置及該封裝設計之最佳化。
該等例示性材料經選擇以致使用單一積層步驟在相同條件下將導電元件260與261兩者與界面層242結合。然而,此對該封裝製程非為必要。此外,理想的係在最終積層之前產生元件之組合件。舉例而言,在一第一步驟中貼片250與251係附接於背層201,及在一隨後步驟中組合光電子裝置/透明障壁層200係層壓至背層201。
各種積層方式均可行,其包含袋狀積層、輥積層及熱壓積層,且製程參數依據所用設備而定。顯然離型薄膜、壓墊、及工具板對執行此等積層來說係必須的。此外,從所有封裝材料中清除及移除濕氣之步驟可在加工期間執行。舉例而言,背層201可在真空中於80℃烘烤12小時以消除濕氣;然而,可使用其他條件,包括在一惰性氣氛中於更高溫度之較短時間。該等條件將依據該等材料之前的曝露環境而定。
貼片250與251及背層201以使密封區255對濕氣及氧氣提供一幾何學上不利進入路徑之方式相連。該密封區255之幾何形狀可描述為密封區路徑長度與界面層242厚度之比率R1。對一既定材料設定,高比率提供更難以進入路徑。依據孔248與249及貼片250與251之形狀、尺寸及對準,比率R1可依據被選擇用於分析之該特定路徑而變化。在一實施例中,孔248與249具有0.25英寸之直徑及貼片250與251具有1.25英寸之直徑,從而密封區路徑長度255係0.5英寸,及比率R1係約500:1。在圖2中,該等尺寸並非按比例繪示。可以預料,界面層242(在障壁244與貼片250或貼片251之間的透過路徑)厚度之進一步減少可允許實質上提高的比率R1及改良之饋通密封。此外,理想的係最小化孔248及249之直徑,舉例而言,利用精度製造及調整過程將其減少至約0.025英寸之直徑。依據裝置200之該佈置而定,較小孔248及249可能較好達到諸如最大化該裝置之發光面積之其他設計目的。孔248與249之最小尺寸依據該電互連之直徑而定,該電互連在其中延伸以形成與一外部匯流排之連接。
圖2B顯示一替代實施例,其中該多層箔201包含一導電金屬層244。於201中設有一孔249,及貼片251通過導電元件261電接觸至裝置電極216。此外,界面層242及絕緣層246已從多層箔201中被選擇性地移除及藉由導電元件260而於導電層244與裝置電極214之間產生電連接。在此實施例中,孔及貼片之數目減少,及使用該障壁薄膜金屬層244作為導體。
圖3顯示密封電子封裝30之一分解圖,其由組合光電子裝置/透明障壁層300及第二障壁層(背層)301組成。組合300包含透明基板302、透明障壁層304、形成一第一電極(通常一陽極)之透明導電層306、光電子活化層308、及第二電極(陰極)310、視需要之絕緣層318、觸件314與316及視需要之第二障壁層312。貼片350與351位於與組合層300相對的背層301之表面上及藉界面層363之方式(通常係黏膠)而被連接至背層301。適用於界面層363之材料對濕氣及氧氣具有低滲透性。此外,該材料在相對較低的溫度中(亦即,小於150℃,較佳地小於120℃)可加工。在一實例中,可使用得自Dow化學、Midland、Michigan之PRIMACOR 3460熱塑黏著劑以製備0.001英寸厚的層。貼片350與351(具有視需要界面層363)藉由在溫度95℃與125℃之間、較佳地係115℃,及壓力係5 psi至20 psi、較佳地係10 psi積層1分鐘與10分鐘間,較佳地約2分鐘之時間而連接至背層301。可使用上述積層法,且可使用離型薄膜、壓墊、及工具板以執行此等積層。許多替代材料適用於界面層363,包含熱固性材料及其他熱塑性黏膠,尤其係針對封裝應用而調配成具有低的濕氣及氧氣滲透性者。由於貼片350與351之尺寸未被該組合光電子裝置/透明障壁層300及觸件314與316之尺寸及定位所限制,因此與背層401比較,背層301允許大體上更大的比率R1。貼片350與351可延伸至或超過所示之該封裝之邊緣。在一實施例中,該路徑長度係1.0英寸,及界面層363之厚度係0.001英寸,因此比率R1係1000:1,導致更有利於限制進入的幾何形狀。
下一步驟係對準及佈置裝置300、背層301、及導電元件360與361及貼片350與351。此等材料可在先前對結合背層301所描述的條件下積層。作為一替代積層順序,在一積層步驟中將背層301連接至裝置300。此導致一半密封封裝,其中裝置300被稍微保護以免受機械損傷及濕氣進入。提供具有界面層342之導電元件360與361及貼片350與351之該隨後的步驟可在在隨後積層製程一段時間之後被執行以形成一完全密封封裝。或者,所有組件可在一單一積層步驟中被裝配。
圖4係密封電子封裝40之一局部分解圖,其包括組合光電子裝置/透明障壁層薄板400、第二障壁層(背層)401及電傳導元件460與461。組合400包含透明基板402、透明障壁層404、形成第一電極(通常係陽極)之透明導電層406、光電子活化層408、及第二電極(陰極)410、視需要絕緣層418、觸件414與416及視需要第二障壁層412。貼片450與451具有界面層445與447,且被密封在多層箔401與470之間的一嵌入組態中。或者,可省略界面層446與447,從而貼片450與451被嵌入在401與407之間及隨後由472密封。此組態提供如對背層301所描述之高比率R1。用於多層箔401之適宜材料係Tolas TPC-0814B裝蓋箔,該多層箔401包括絕緣層442、障壁層444、及界面層446與470,包括絕緣層472、障壁層474、及界面層476。所有該等層可在一單一步驟中積層在一起,或組合薄板400可積層至背層401及接著於隨後的積層步驟中可加入多層箔470。該積層步驟通常在90℃與130℃之間、尤其係約120℃的溫度,及1 psi至30 psi、及特別係約15 psi之壓力下執行10秒與10分鐘之間、及特別係約30秒之時間。可使用如上所述的積層方式,且可依據該設備而定。如所提及,各種子組件可在連續的積層步驟中製造。
圖5顯示密封電子封裝50之一局部分解橫截面視圖,其由光電子裝置/薄板500、第二障壁層(背層)501及前薄板507組成。組合500包含透明基板502、形成第一電極(通常係陽極)之透明導電層506、光電子活化層508、及第二電極(陰極)410、視需要絕緣層418、觸件514與516及視需要第二障壁層512。薄板500不包含一障壁層。代之,可包含一障壁層作為前薄板507的一部分,其係由透明基板503、障壁膜511、及視需要界面層513組成。前薄板507可用於一密封封裝中以提供提高的多功能性及性能改善。尤其,前薄板507消除一超高障壁層作為組合光電子裝置/透明障壁層500之部分之需要,因此限制在裝置製造期間損及該障壁之機會。適宜黏膠應係光學上透明,對500及507提供黏著性,及具有適用於低成本高速生產之加工條件。在一實例中,如US 7,015,640所描述,前薄板507係藉由將一黏膠塗覆到一障壁層而製造,使用獲自Rohm & Haas公司,費城,PA之AD-COTE 37T77黏膠劑而被設置在一UHB基板上隨後乾燥。各種塗覆方式均可行,其包含金屬條、刮片及旋塗。於700 rpm旋塗及隨後於120℃乾燥15分鐘獲得約1至5 μm範圍厚度的塗覆,惟表面上有些許變動。可使用1 μm-30 μm之最後塗層厚度,而較佳的均勻厚度係在2-10 μm之範圍內。該界面層可在一卷軸式製程中施加於基板502與障壁504之組合及在操作及捲取期間對該障壁層提供些許保護。此外,層513可在黏膠劑542與障壁層502之間提供改良黏著性,由此在507與500之間提供光耦合及改良封裝密封性及產生裝置可靠性。
圖5亦繪示外部匯流排元件,其包括導電元件571、導電線572、及絕緣層573。用於在一封裝上構造電線的方法及材料為本技術已知。在一實例中,導電元件571由TRA-DUCT 2902導電黏合劑,Emerson & Cuming,Billerica,MA製造及電線902係0.001英寸厚乘0.125英寸寬的銅。導電元件572由0.001英寸厚乘0.125英寸寬的銅線形成。絕緣層573由普通的0.003英寸厚的絕緣帶製造,其包括0.001英寸聚醯亞胺胺薄膜及0.002英寸厚的矽氧樹脂壓敏黏膠。作為對導電元件571及導電線572之一替代,引線結合可用於直接將金屬線連接至貼片550與551。具體言之,與鋁線之楔形結合可藉由加熱及壓力及超聲波能之某些組合而完成以在該貼片550與551與該鋁線之間形成焊接。金屬線直徑將根據該裝置之電性要求而定尺寸,且可從小於25微米至數百微米的直徑範圍。該金屬線之另一端將終止於該電源、或某種中間導體。
圖6係密封電子封裝50之背面之一平面視圖。組合光電子裝置/透明障壁層600以虛線顯示於第二障壁層(背層)601下方。多個饋通孔647、648與649及導電陰極貼片650、652與653連接於陰極觸件614與外部陰極匯流排680之間。多個饋通孔647、648與649及導電陽極貼片651、655與657連接於陽極觸件616與外部陽極匯流排681之間。在替代實施例中,多個裝置可在一單一封裝內經由外部陽極及陰極匯流排而連接。各種組態可能利用此封裝方法。圖1A與1B所示的裝置設計特點可用於架構裝置或裝置組以達到各種目的,包含修整總電壓電流特性、在一鑲嵌組態中組合獨立的裝置及提供獨立裝置之亮度程度之調整。某些設計可需要許多連接點之共通匯接,及其他設計可能需要對各個連接點之獨立連接。然而該等圖及實例描述在連續分批製程中的製造,該封裝設計與連續流動製造相容。圖7示意性地繪示根據本發明用於製造密封電子封裝之卷軸式製程之示意圖。薄板700由設在一基板上的多個獨立裝置組成,而無透明障壁層。在OLED薄板700上的該等OLED元件之數目及組態並非係決定性,及在某些實施例中,該薄板可由單一較大元件組成。如所示,薄板700可被預製及可以輥形式提供,或可在相同的卷軸線上製造。背層701由先前所描述的多層薄膜組成,及以輥形式提供。前薄板707之形成藉由將具有障壁層704之組合基板702輸送通過塗層站715,於該處施加界面層713至該障壁層704。或者,前薄板707可被預塗及以輥形式提供。在某些實施例中,薄板700可包含一透明障壁層;及障壁層704係視需要的,在其他的實施例中,如果OLED薄板700具有一障壁層,前薄板707可被省略,及僅薄板700及背層701被積層在一起。背層701包含饋通孔750且可包含貼片(未顯示),其係置於面向薄板700或與薄板700相對的表面上,或該等貼片可於隨後操作放置。於薄板700之該等裝置元件之該等陰極及陽極施加導電黏膠(未圖示)以提供一構件用於將該等導電陽極貼片電耦合於該等陽極及將該等導電陰極貼片電耦合於該等陰極。該三個組件被聚集在積層站719中,其中薄板700被夾在障壁層(背層)701與前薄板707之間,其等在加熱及壓力條件下被積層及隨後若需要在分割站721被分割。在其中略去前薄板707之實施例中,僅OLED薄板700及背層701被積層。若需要,可將第三障壁層(未顯示)連接至背層701,尤其如果貼片被置於與薄板700相對的該表面上,及因此該等貼片被夾在該背層701與該第三障壁層之間。於隨後操作中提供外部匯流排組件,及如果需要將額外導電黏膠施加於貼片以完成該密封電子封裝。在一替代實施例中,背層701可設有饋通孔750,但不具有貼片(其可於後-積層操作中施加),及又其他實施例中,在薄板700、701及707相連後形成饋通孔,及隨後施加貼片。
雖然本發明之僅某些特徵已經在本文中被繪示及描述,但許多修改及改變將為熟習此項技術者所知。因此,應瞭解該附屬申請專利範圍係意欲涵蓋屬於本發明之該真實精神範圍之所有此等修改及改變。
10...組合光電子裝置
11...光電子裝置
20...密封電子封裝
30...密封電子封裝
40...密封電子封裝
50...密封電子封裝
60...密封電子封裝
99...單片互連
102...塑膠或玻璃基層
104...透明障壁層
106...透明導電層
108...光電子活化層
110...第二電極
112...視需要障壁層
114...陰極觸件/電觸件
116...陽極觸件/電觸件
118...視需要絕緣層
120...光發射或光吸收側
130...非發射背側
200...組合光電子裝置/透明障壁層薄板
201...第二障壁層(背層)
202...透明基板
204...透明障壁層
206...電極\透明導電層
208...光電子活化層
210...第二電極(陰極)
212...視需要第二障壁層
214...觸件
216...電觸件
218...視需要絕緣層
242...薄界面層
244...障壁層
246...視需要絕緣層
248...饋通孔
249...饋通孔
250...導電陰極貼片
251...導電陽極貼片
255...密封區
260...電傳導元件
261...電傳導元件
300...組合光電子裝置/透明障壁層
301...第二障壁層(背層)
302...透明基板
304...透明障壁層
306...透明導電層
308...光電子活化層
310...第二電極(陰極)
312...視需要第二障壁層
314...觸件
316...觸件
318...視需要絕緣層
363...界面層
400...組合光電子裝置/透明障壁層薄板
401...第二障壁層(背層)/多層箔
402...透明基板
404...透明障壁層
406...透明導電層
408...光電子活化層
410...第二電極(陰極)
412...視需要第二障壁層
414...觸件
416...觸件
418...視需要絕緣層
442...絕緣層
444...障壁層
445...界面層
446...界面層
447...界面層
450...貼片
451...貼片
460...電傳導元件
461...電傳導元件
470...多層箔
472...絕緣層
474...障壁層
476...界面層
500...光電子裝置/薄板
501...第二障壁層(背層)
502...透明基板
503...透明基板
506...透明導電層
507...端壁板
508...光電子活化層
510...第二電極(陰極)
511...障壁膜
512...視需要第二障壁層
513...視需要界面層
514...觸件
516...觸件
518...絕緣層
571...導電元件
572...導電線
573...絕緣層
600...組合光電子裝置/透明障壁層
601...第二障壁層(背層)
614...陰極觸件
616...陽極觸件
647...饋通孔
648...饋通孔
649...饋通孔
650...導電陰極貼片
652...導電陰極貼片
653...導電陰極貼片
680...外部陰極匯流排
681...外部陽極匯流排
700...薄板
701...背層
702...組合基板
704...障壁層
704...障壁層
707...前薄板
713...界面層
715...塗層站
719...分層站
721...分割站
750...饋通孔
圖1A及1B係包含一透明障壁層之光電子裝置之橫截面圖。
圖2A及2B係包含內部導電貼片之密封電子封裝之橫截面圖。
圖3係包含外部導電貼片之一密封電子封裝之一橫截面圖。
圖4係包含一多層背層之一密封電子封裝一橫截面圖,在該等層中存在導電貼片。
圖5係顯示外部電連接器之一密封電子封裝之一橫截面圖。
圖6係一密封電子封裝之一平面視圖。
圖7係用於製造一密封電子封裝之一卷軸式方法之一示意圖。
11...光電子裝置
99...單片互連
102...塑膠或玻璃基層
104...透明障壁層
106...透明導電層
108...光電子活化層
110...第二電極
114...陰極觸件/電觸件
116...陽極觸件/電觸件
120...光發射或光吸收側

Claims (21)

  1. 一種密封電子封裝體,其包括:第一透明障壁層;第二障壁層,其與該第一透明障壁層結合及界定複數個饋通孔;光電子裝置,其被夾在該第一透明障壁層與該第二障壁層之間,該光電子裝置包括陽極、光電活化層及陰極;及至少一片導電貼片,其被電耦合於該陰極或該陽極及被設置為橫越至少一個饋通孔,其中該至少一導電貼片係設置於相對於該光電子裝置之該第二障壁層之表面上,其中該第二障壁層包括多層結構,該多層結構包括至少一層金屬層及至少一層黏膠層。
  2. 如請求項1之密封電子封裝體,其中該至少一層金屬層包括鋁、不銹鋼或黃銅。
  3. 如請求項1之密封電子封裝體,其中該至少一片導電貼片係通過黏膠層與該第二障壁層結合。
  4. 如請求項1之密封電子封裝體,其中至少一片導電貼片被電耦合於該陽極。
  5. 如請求項1之密封電子封裝體,其中至少一片導電貼片被電耦合於該陰極。
  6. 如請求項1之密封電子封裝體,其包括複數片導電貼片,其中至少一片第一導電貼片被電耦合於該陰極及至 少一片第二導電貼片被電耦合於該陽極。
  7. 如請求項1之密封電子封裝體,其中該饋通孔與該導電貼片之邊緣之間的距離與該黏膠層之厚度之比率係大於10。
  8. 如請求項7之密封電子封裝體,其中該比率係大於100。
  9. 如請求項7之密封電子封裝體,其中該比率係大於1000。
  10. 如請求項1之密封電子封裝體,其包括複數片導電陽極貼片。
  11. 如請求項1之密封電子封裝體,其包括複數片導電陰極貼片。
  12. 如請求項1之密封電子封裝體,其中該至少一片導電貼片被夾在該光電子裝置與該第二障壁層之間。
  13. 如請求項1之密封電子封裝體,其另外包括被設置在該第二障壁層上的第三障壁層。
  14. 如請求項13之密封電子封裝體,其中該至少一片導電貼片被夾在該第二與第三障壁層之間。
  15. 如請求項1之密封電子封裝體,其另外包括外部匯流排,其被電耦合於該至少一片導電貼片。
  16. 一種用於製造密封電子封裝體之方法,該方法包括:提供光電子裝置,該光電子裝置包括陰極、陽極及光電子活化層;將該光電子裝置夾在第一透明障壁層與第二障壁層之間,其中該第二障壁層包括多層結構,該多層結構包括 至少一層金屬層及至少一層黏膠層;將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上,其中該至少一導電貼片係設置於相對於該光電子裝置之該第二障壁層之表面上;在該第二障壁層中形成複數個饋通孔;將該至少一片導電貼片電耦合於該陰極或該陽極及橫越該複數個饋通孔。
  17. 如請求項16之方法,其中將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上之步驟係在將該光電子裝置夾在第一透明障壁層與第二障壁層之間之步驟之前被執行。
  18. 如請求項16之卷軸式方法,其中將至少一片導電貼片設置在該第二障壁層上之步驟係在將該光電子裝置夾在第一透明障壁層與第二障壁層之間之步驟之後被執行。
  19. 如請求項16之方法,其另外包括將第三障壁層設置在該第二障壁層上,及將該至少一片導電貼片夾在該第二障壁層與該第三障壁層之間。
  20. 一密封封裝光電子裝置,其包括:第一透明障壁層;第二障壁層,其與該第一透明障壁層結合及界定複數個饋通孔;光電子裝置,其被夾在該第一透明障壁層與該第二障壁層之間,該光電子裝置包括陽極、光電活化層及陰極;至少一片導電貼片,其被電耦合於該陽極或陰極及被 設置為橫越至少一個饋通孔,其中該至少一導電貼片係設置於相對於該光電子裝置之該第二障壁層之表面上;及外部匯流排,其被電耦合於各導電貼片,其中該第二障壁層包括多層結構,該多層結構包括至少一層金屬層及至少一層黏膠層。
  21. 如請求項20之密封封裝光電子裝置,其包含複數片被電耦合於該陽極之導電貼片,及被電耦合於各複數片導電貼片之外部匯流排。
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