KR101871503B1 - Light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 위에 전극; 상기 제2도전형 반도체층 아래에 윈도우층; 상기 윈도우층 아래에 투광성 전극층; 상기 투광성 전극층의 아래에 미러층; 및 상기 윈도우층 하면으로부터 상기 미러층의 방향으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함한다. A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode on the light emitting structure layer; A window layer below the second conductive semiconductor layer; A transparent electrode layer below the window layer; A mirror layer below the light-transmitting electrode layer; And a plurality of convex portions protruding in the direction of the mirror layer from the bottom surface of the window layer.
Description
실시 예는 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiments relate to a light emitting device and a manufacturing method thereof.
일반적으로, 반도체 발광 다이오드(light emitting diode: LED)는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광통신기기에 광원으로 널리 사용되고 있다. 이러한 LED는 전자와 정공의 재결합원리를 이용하는 활성층에서 빛을 생성하여 방출시킨다. BACKGROUND ART In general, semiconductor light emitting diodes (LEDs) are widely used as light sources in full color displays, image scanners, various signal systems, and optical communication devices. These LEDs generate and emit light in the active layer, which utilizes the recombination principle of electrons and holes.
AlGaInP 계열의 발광소자는 레이저 다이오드로 구성된 경우 약 670nm의 파장대를 가진 레이저 광을 출사할 수 있으며, LED로 구성된 경우에는 활성층 내에서의 Al 및 Ga성분비를 조절하여 옐로(Yellow)나 그린(Green) 계열의 560nm 부터 레드(Red)계열인 680nm까지의 고휘도 빛을 발광할 수 있는데, Al성분이 증가할수록 발광되는 빛의 파장은 점점 짧아진다.The light emitting device of the AlGaInP series can emit laser light having a wavelength of about 670 nm in the case of a laser diode. In the case of an LED, it is possible to control the ratio of Al and Ga in the active layer, It is possible to emit high brightness light of 560 nm to 680 nm which is a red series, and as the Al component increases, the wavelength of light emitted becomes shorter and shorter.
실시 예는 새로운 반도체 구조물을 갖는 발광 소자를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device having a novel semiconductor structure.
실시 예는 윈도우층과 투광성 전극층 사이에 복수의 볼록부를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a plurality of convex portions between a window layer and a light transmitting electrode layer.
실시 예는 복수의 볼록부와 윈도우층의 도펀트 농도를 다르게 하여, 전류를 확산시켜 줄 수 있도록 한 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device capable of diffusing a current by making a dopant concentration of a plurality of convex portions and a window layer different from each other and a method of manufacturing the same.
실시 예는 윈도우층 아래에 요철 구조의 미러층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device including a mirror layer having a concave-convex structure below a window layer and a method of manufacturing the same.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 위에 전극; 상기 제2도전형 반도체층 아래에 윈도우층; 상기 윈도우층 아래에 투광성 전극층; 상기 투광성 전극층의 아래에 미러층; 및 상기 윈도우층 하면으로부터 상기 미러층의 방향으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함한다. A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode on the light emitting structure layer; A window layer below the second conductive semiconductor layer; A transparent electrode layer below the window layer; A mirror layer below the light-transmitting electrode layer; And a plurality of convex portions protruding in the direction of the mirror layer from the bottom surface of the window layer.
실시 예에 따른 발광 소자 제조 방법은, 기판 위에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1도전형 반도체층 위에 윈도우층을 형성하는 단계; 상기 윈도우층 위에 복수의 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 복수의 마스크 패턴 사이의 상기 윈도우층 위에 복수의 볼록부를 형성하는 단계; 상기 복수의 볼록부 및 상기 윈도우층 위에 투광성 전극층을 형성하는 단계; 상기 투광성 전극층 위에 미러층을 형성하는 단계; 상기 미러층 위에 전도성 기판을 형성하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 기판이 제거된 제1도전형 반도체층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 윈도우층과 상기 복수의 볼록부는 GaP 계열의 반도체층을 포함한다. A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: forming a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on a substrate; Forming a window layer on the first conductive semiconductor layer; Forming a plurality of mask patterns on the window layer; Forming a plurality of convex portions on the window layer between the plurality of mask patterns; Forming a transparent electrode layer on the plurality of convex portions and the window layer; Forming a mirror layer on the transparent electrode layer; Forming a conductive substrate on the mirror layer; Removing the substrate; And forming an electrode on the first conductive semiconductor layer from which the substrate is removed, wherein the window layer and the plurality of convex portions include a GaP-based semiconductor layer.
실시 예는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the light extraction efficiency.
실시 예는 전류 블록킹을 통해 전류 확산 효과를 줄 수 있다.The embodiment can provide a current diffusion effect through current blocking.
실시 예는 AlGaInP계 발광 소자와, 이를 구비한 발광 소자 패키지 및 조명 시스템의 신뢰성도 개선될 수 있다.Embodiments can improve the reliability of an AlGaInP light emitting device, a light emitting device package including the same, and an illumination system.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 도 1의 발광 소자의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 9는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 10은 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 11은 도 1의 발광 소자를 갖는 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 13은 도 11의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 11의 발광 소자 패키지를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 is a side sectional view showing a light emitting device according to a first embodiment.
2 to 8 are views showing a manufacturing process of the light emitting device of FIG.
9 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
10 is a side sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment.
11 is a view showing a light emitting device package having the light emitting element of FIG.
12 is a perspective view showing a display device having the light emitting device package of FIG.
13 is a view showing another example of a display device having the light emitting device package of Fig.
14 is a view showing a lighting device having the light emitting device package of Fig.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 우선, 실시 예에 따른 반도체 발광소자에 대해 다양한 실시형태를 통해 구체적으로 설명하고, 이러한 반도체 발광소자를 사용한 발광소자 패키지와 백라이트 장치에 대해 설명한다.
However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. First, a semiconductor light emitting device according to an embodiment will be described in detail through various embodiments, and a light emitting device package and a backlight device using such a semiconductor light emitting device will be described.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a light emitting device according to a first embodiment.
도 1을 참조하면, 발광 소자(41)는 제1도전형 반도체층(12), 활성층(13), 제2도전형 반도체층(14), 윈도우층(15), 복수의 볼록부(16), 투광성 전극층(21), 미러층(23), 전도성 기판(25), 전극층(33) 및 전극(31)을 포함한다.1, the
상기 제1도전형 반도체층(12)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(12)이 n형 AlGaInP 계열의 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, 및 Te 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(12)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first
상기 제1도전형 반도체층(12)과 상기 활성층(13) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaP계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용하여 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A first cladding layer (not shown) may be formed between the first
상기 제1도전형 반도체층(12) 아래에는 활성층(13)이 형성된다. 상기 활성층(13)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(13)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층(133)은 상기 우물층(131)의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. An
상기 활성층(13)은 자외선 대역의 광을 발광하거나, Al 및 Ga 성분비를 조절하여 560nm부터 680nm까지의 파장 범위 내에서 선택적인 피크 파장을 발광할 수 있다.
The
상기 활성층(13) 아래에는 제2도전형 반도체층(14)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(14)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(14)은 예컨대, AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(14)이 p형 AlGaInP 계열의 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, C 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
A second
발광 구조층(11)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(12)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(14) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. The conductive type of the layers of the light
상기 발광소자는 상기 제1도전형 반도체층(12), 활성층(13) 및 상기 제2도전형 반도체층(14)을 발광 구조층(11)으로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조층(11)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층(13)이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층(13)을 포함하게 된다.
The light emitting device may be defined as a light
상기 제2도전형 반도체층(14) 아래에는 윈도우층(15)이 형성되며, 상기 윈도우층(15)은 AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있으며, 제2도전형 도펀트가 첨가될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 예컨대, p형 GaP 반도체층으로 형성될 수 있으며, p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, C 및 Ba 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 윈도우층(15)의 두께는 1㎛ 이상 예컨대,1~8㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 에너지 밴드 갭이 넓기 때문에, 활성층(13)에서 발광된 빛을 흡수하지 않고 통과시켜 주며, 또한 두께가 상대적으로 두꺼워 전류 확산층의 기능을 수행하게 된다.
The second conductive
상기 윈도우층(15) 아래에는 복수의 볼록부(16)가 형성되며, 상기 복수의 볼록부(16)는 상기 윈도우층(15)으로부터 미러층(23) 방향으로 돌출되며, AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있으며, 제2도전형 도펀트가 첨가될 수 있다. 상기 복수의 볼록부(16)는 상기 윈도우층(15)과 동일한 반도체이거나, GaP 계열의 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 볼록부(16)에는 Mg, Zn, Ca, Sr, C 및 Ba 중 적어도 하나의 p형 도펀트가 첨가될 수 있다. 상기 각 볼록부(16)의 두께는 3㎛ 이하 예컨대, 1~3㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 각 볼록부(16)는 상면 너비보다 하면 너비가 더 좁게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A plurality of
상기 윈도우층(15)과 상기 복수의 볼록부(16)의 도펀트 농도는 동일하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The dopant concentration of the
상기 복수의 볼록부(16) 및 상기 윈도우층(15)의 아래에는 투광성 전극층(21)이 형성될 수 있으며, 상기 투광성 전극층(21)은 상기 복수의 볼록부(16)에 의해 굴곡을 갖는 층으로 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층(21)은 상기 윈도우층(15)의 하면 및 및 상기 볼록부(16)의 표면에 오믹 접촉되며, 인가되는 전류를 확산시켜 주게 된다. 상기 투광성 전극층(21)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A
상기 투광성 전극층(21)의 아래에는 미러층(23)이 형성되며, 상기 미러층(23)은 금속을 포함하며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 미러층(23)은 상면이 요철 구조로 형성됨으로써, 상기 투광성 전극층(21)을 통해 입사된 빛을 반사시켜 주어, 광의 임계각을 변화시켜 줄 수 있다. 상기 미러층(23)은 본딩층을 포함할 수 있으며, 상기 본딩층은 전도성 기판(25)과의 접합된다.A
상기 미러층(23) 아래에는 전도성 기판(25)이 배치되며, 상기 전도성 기판(25)은 실리콘계 재질을 포함하며, 예컨대 p형 실리콘 기판을 포함한다. 상기 전도성 기판(25)은 GaN과 같은 반도체 기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 전도성 기판(25)의 아래에는 전극층(33)이 배치되며, 상기 전극층(33)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.An
상기 제1도전형 반도체층(12) 위에는 전극(31)이 배치되며, 상기 전극(31)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.An
상기 발광 소자(41)의 표면에는 표면 보호를 위해 절연층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
An insulating layer may be further formed on the surface of the
도 2 내지 도 8은 도 1의 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 도면이다.2 to 8 are views showing a manufacturing process of the light emitting device of FIG.
도 2를 참조하면, 기판(1)은 성장 장비에 로딩된다. 상기 기판(1)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(1)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(1)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(1)의 두께는 30㎛~400㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 2, the
상기 기판(1) 위에는 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. A compound semiconductor layer may be grown on the
상기 기판(1) 위에는 제1도전형 반도체층(12), 활성층(13), 제2도전형 반도체층(14) 및 윈도우층(15)이 순차적으로 형성된다. 상기 제1도전형 반도체층(12), 활성층(13) 및 제2도전형 반도체층(14)은 AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(12)은 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2도전형 반도체층(14)은 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 윈도우층(15)은 p형 GaP 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2도전형 반도체층(14)의 두께보다 더 두껍게 형성될 수 있다.A first
상기 기판(1)과 제1도전형 반도체층(12) 사이에는 버퍼층 또는/및 저 전도층이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층 및/또는 저 전도층은 Al, Ga, In 중 적어도 하나와 인(P)를 선택적으로 조합하여 형성될 수 있으며, 예컨대 AlxGayIn1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다.
A buffer layer and / or a low conduction layer may be formed between the
도 3을 참조하면, 상기 윈도우층(15) 위에는 마스크 패턴(16-1)이 형성된다. 상기 마스크 패턴(16-1)은 서로 이격되어 배치될 수 있으며, 그 물질은 SiO2, Si3N4, Al2O3 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 도 4와 같이, 상기 마스크 패턴(16-1)은 원형 형상을 포함하며 그 너비는 7㎛±3㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 상기 마스크 패턴(16-1) 간의 간격은 3㎛±1㎛로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 마스크 패턴(16-1)은 다각형 형상으로 포함하며, 그 너비 및 마스크 패턴 간의 간격은 상기의 범위 내에서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, a mask pattern 16-1 is formed on the
상기 마스크 패턴(16-1)이 형성되지 않는 상기 윈도우층(15)의 상면에는 복수의 볼록부(16)가 성장된다. 상기 복수의 볼록부(16)는 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하며, AlxGayIn1 -x- yP(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 볼록부(16)는 상기 윈도우층(15)과 동일한 반도체로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A plurality of
상기 복수의 볼록부(16)는 상면 너비가 하면 너비(D2)보다 더 좁게 형성될 수 있으며, 그 측면의 경사 각도(θ1)는 30~80°의 범위로 형성될 수 있다.The width of the upper surface of the plurality of
도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 마스크 패턴을 제거하게 되며, 상기 마스크 패턴이 제거된 영역(16-2)에는 상기 윈도우층(15)의 상면에 노출된다. Referring to FIGS. 3 and 5, the mask pattern is removed, and the mask pattern-removed region 16-2 is exposed on the upper surface of the
도 6을 참조하면, 상기 윈도우층(15)의 상면과 상기 볼록부(16)의 표면에는 투광성 전극층(21)이 형성되며, 상기 투광성 전극층(21)은 스퍼터링 또는 증착 방식으로 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층(21)은 굴곡진 층으로 형성되며, 상기 윈도우층(15)의 상면 및 상기 볼록부(16)의 표면에 오믹 접촉될 수 있다. 상기 투광성 전극층(21)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
6, a
도 7을 참조하면, 상기 윈도우층(15) 위에는 미러층(23)이 형성되며, 상기 미러층(23)은 금속 물질을 이용하여 증착, 도금, 스퍼터링 방식으로 형성될 수 있다. 상기 미러층(23)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7, a
상기 미러층(23) 위에 전도성 기판(25)을 형성하게 된다. 상기 전도성 기판(25)은 상기 미러층(23)에 접합되어 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 전도성 기판(25)은 실리콘 계열이거나 GaN과 같은 반도체 기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A
상기 전도성 기판(25) 상에 전극층(33)을 형성하며, 상기 전극층(33)은 패드로 기능하게 된다. An
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 기판(1)을 제거하게 된다. 상기 기판 제거 방식은 레이저 리프트 오프 방식으로 이용하거나, 화학적 방식을 이용하여 제거할 수 있다. 상기 기판(1)이 제거되면, 제1도전형 반도체층(12)이 노출될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the
또한 상기 기판이 제거된 제1도전형 반도체층(12)의 표면에 전극(31)을 형성하게 되며, 상기 전극(31)은 패드를 포함한다.
In addition, an
도 9는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.9 is a view showing a light emitting device according to the second embodiment.
도 9를 참조하면, 발광 소자는 윈도우층(15)과 볼록부(17)에 첨가된 도펀트 농도를 상이하게 한다. 상기 볼록부(17)는 상기 윈도우층(15)의 도펀트 농도보다 더 높은 도펀트 농도를 갖는 GaP 계열의 층으로 형성되며, 상기 윈도우층(15)은 상기 볼록부(17)보다 더 낮은 도펀트 농도를 갖는 GaP 계열의 층으로 형성될 수 있다. 상기 윈도우층(15)의 p형 도펀트 농도는 1×1018cm-3 이하로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 볼록부(17)의 p형 도펀트 농도는 5×1018cm-3 이상으로 형성될 수 있다. 상기 윈도우층(15)와 상기 볼록부(17)에 첨가된 도펀트의 종류는 동일한 도펀트로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9, the light emitting element makes the dopant concentration added to the
다른 예로서, 상기 윈도우층(15)와 상기 볼록부(17)에 첨가된 도펀트 종류는 다른 도펀트로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 윈도우층(15)에 첨가된 도펀트는 마그네슘(Mg)일 수 있으며, 상기 볼록부(17)에 첨가된 도펀트는 카본(C)일 수 있다. 상기 윈도우층(15)에 첨가된 도펀트 농도는 5×1018cm-3 이하이고, 상기 볼록부(17)에 첨가된 도펀트 농도는 1×1019cm-3 이상으로 형성될 수 있다.
As another example, the dopant species added to the
상기 볼록부(17)는 상기 투광성 전극층(21)으로 공급되는 전류를 확산시켜 주는 층으로 역할을 하게 되고, 상기 볼록부(17) 사이인 윈도우층(15)의 영역은 전류를 블록킹하는 역할을 한다. 이에 따라 상기 윈도우층(15)의 두께를 8㎛ 이하로 형성할 수 있다.The
상기 윈도우층(15)의 하면에 접척된 투명 전극층(21)의 영역 중 상기 전극(31)에 대응되는 영역(21-1)은 블록부(17)이 형성되지 않는 플랫한 영역으로 형성되며, 상기 전극(31)의 너비와 다르게 예컨대, 상기 전극(31)의 너비보다 적어도 큰 너비(D3)로 형성될 수 있다. 이러한 영역(21-1)은 전극(31)과 발광 구조층(11)의 두께 방향으로 대응되게 배치되어, 상기 전극(31)으로 이동하려는 전류를 블록킹시켜 준다. A region 21-1 corresponding to the
또한 상기 투광성 전극층(21)의 상면 둘레에는 채널층(22)이 형성되며, 상기 채널층(22)은 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 채널층(22)은 링(ring), 프레임(frame), 밴드(band)와 같은 연속적인 구조로 형성될 수 있으며, 그 물질은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. Also, a
상기 채널층(22)의 내측부는 상기 윈도우층(15)의 하면에 접촉될 수 있으며, 외측부는 상기 반도체 구조물의 측면(S1)으로부터 이격될 수 있다. 상기 채널층(22)은 미러층(23)과 반도체 구조물의 측면(S1)을 이격시켜 주어, 반도체 구조물의 측면에서의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.
The inner side of the
도 10은 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.10 is a view illustrating a light emitting device according to the third embodiment.
도 10을 참조하면, 발광 소자는 윈도우층(15)과 투광성 전극층(21) 사이에 복수의 볼록부(18)가 형성되며, 상기 각 볼록부(18)는 제1층(18-1)과 제2층(18-2)을 포함한다. 상기 제1층(18-1)은 상기 윈도우층(15) 아래에 접촉되며, 상기 제2층(18-2)은 상기 제1층(18-1) 아래에 배치된다. 상기 제1층(18-1)과 제2층(18-2)은 GaP 계열의 반도체 재료로 형성될 수 있다. 10, a plurality of convex portions 18 are formed between the
상기 제1층(18-1)과 제2층(18-2)은 서로 다른 반도체 재료로 적층되거나, 서로 다른 두께로 적층되거나, 서로 다른 도펀트 농도를 갖고 적층될 수 있다. 또한 상기 제1층(18-1)과 제2층(18-2)의 페어는 2~30주기로 반복적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first layer 18-1 and the second layer 18-2 may be stacked with different semiconductor materials, stacked with different thicknesses, or stacked with different dopant concentrations. Also, the pair of the first layer 18-1 and the second layer 18-2 may be repeatedly formed in 2 to 30 cycles, but the present invention is not limited thereto.
도 11는 도 1의 발광 소자를 갖는 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다. 11 is a view showing a light emitting device package having the light emitting element of FIG.
도 11을 참조하면, 발광소자 패키지(50)는 몸체(51)와, 상기 몸체(51)에 적어도 일부가 배치된 제1 리드전극(52) 및 제2 리드전극(53)과, 상기 몸체(51) 상에 상기 제1 리드전극(52) 및 제2 리드전극(53)과 전기적으로 연결되는 상기 발광 소자(41)와, 상기 몸체(51) 상에 상기 발광 소자(41)를 포위하는 몰딩부재(57)를 포함한다.11, the light emitting
상기 몸체(51)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(51)는 위에서 볼 때 내부에 캐비티(cavity)(35) 및 그 둘레에 경사면을 갖는 반사부를 포함한다. The
상기 제1 리드전극(52) 및 상기 제2 리드전극(53)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 몸체(51) 내부를 관통하도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 리드전극(52) 및 상기 제2 리드전극(53)은 일부는 상기 캐비티(35) 내부에 배치되고, 다른 부분은 상기 몸체(51)의 외부에 배치될 수 있다. The
상기 제1 리드전극(52) 및 제2 리드전극(53)은 상기 발광 소자(41)에 전원을 공급하고, 상기 발광 소자(41)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(41)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.The
상기 발광 소자(41)는 상기 몸체(51) 상에 설치되거나 상기 제1 리드전극(52) 또는/및 제2 리드전극(53) 상에 설치될 수 있다.The
상기 발광 소자(41)의 와이어(56)는 상기 제1 리드전극(52) 또는 제2 리드전극(53) 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. The
상기 몰딩부재(57)는 상기 발광 소자(41)를 포위하여 상기 발광 소자(41)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(57)에는 형광체가 포함되고, 이러한 형광체에 의해 상기 발광 소자(41)에서 방출된 광의 파장이 변화될 수 있다.
The
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 12 및 도 13에 도시된 표시 장치, 도 14에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arrayed, and includes the display device shown in Figs. 12 and 13 and the illuminating device shown in Fig. 14, and includes a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, And the like.
도 12는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 12 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.
도 12를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.12, a
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 보드(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(50)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(50)는 상기 보드(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 보드는 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 보드(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(50)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 보드(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(50)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The
상기 복수의 발광 소자 패키지(50)는 상기 보드(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(50)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 50 may be mounted on the board 1033 such that the light emitting surface of the light emitting
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical path of the
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 13 is a view illustrating a display device having a light emitting device package according to an embodiment.
도 13을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(50)가 어레이된 보드(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 13, the
상기 보드(1120)과 상기 발광 소자 패키지(50)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. The
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
도 14는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.14 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
도 14를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.14, the
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광 모듈(1530)은 보드(1532)와, 상기 보드(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(50)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(50)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The
상기 보드(1532)는 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 보드(1532)는 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the
상기 보드(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(50)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(50) 각각은 적어도 하나의 발광 칩(LED: Light Emitting Diode) 을 포함할 수 있다. At least one light emitting
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(50)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
The
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
11: 발광 소자 12: 제1도전형 반도체층
13: 활성층 14: 제2도전형 반도체층
15: 윈도우층 16,17,18: 볼록부
18-1,18-2: 채널층 21: 투광성 전극층
22: 채널층 23: 미러층
25: 전도성 기판 31: 전극
33: 전극층11: light emitting element 12: first conductivity type semiconductor layer
13: active layer 14: second conductivity type semiconductor layer
15:
18-1, 18-2: channel layer 21: light-transmitting electrode layer
22: channel layer 23: mirror layer
25: conductive substrate 31: electrode
33: electrode layer
Claims (19)
상기 발광 구조층 위에 전극;
상기 제2도전형 반도체층 아래에 윈도우층;
상기 윈도우층 아래에 투광성 전극층;
상기 투광성 전극층의 아래에 미러층; 및
상기 윈도우층 하면으로부터 상기 미러층의 방향으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함하고,
상기 윈도우층 및 상기 복수의 볼록부는 GaP 계열의 반도체층을 포함하고,
상기 윈도우층 및 상기 복수의 볼록부는 p형 도펀트를 포함하며,
상기 복수의 볼록부는 상기 윈도우층의 도펀트 농도보다 높은 도펀트 농도를 가지며,
상기 볼록부는 서로 다른 도펀트 농도를 갖는 복수의 층을 포함하는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode on the light emitting structure layer;
A window layer below the second conductive semiconductor layer;
A transparent electrode layer below the window layer;
A mirror layer below the light-transmitting electrode layer; And
And a plurality of convex portions protruding from the bottom surface of the window layer in the direction of the mirror layer,
Wherein the window layer and the plurality of convex portions comprise GaP series semiconductor layers,
Wherein the window layer and the plurality of convex portions comprise a p-type dopant,
Wherein the plurality of convex portions have a dopant concentration higher than the dopant concentration of the window layer,
Wherein the convex portion includes a plurality of layers having different dopant concentrations.
상기 발광 구조층 위에 전극;
상기 제2도전형 반도체층 아래에 윈도우층;
상기 윈도우층 아래에 투광성 전극층;
상기 투광성 전극층의 아래에 미러층; 및
상기 윈도우층 하면으로부터 상기 미러층의 방향으로 돌출된 복수의 볼록부를 포함하고,
상기 윈도우층 및 상기 복수의 볼록부는 GaP 계열의 반도체층을 포함하고,
상기 윈도우층 및 상기 복수의 볼록부는 p형 도펀트를 포함하며,
상기 복수의 볼록부는 상기 윈도우층의 도펀트 농도보다 높은 도펀트 농도를 가지며,
상기 투광성 전극층의 영역 중 상기 전극과 대응되는 영역은 상기 전극의 너비보다 적어도 넓은 영역을 갖고 플랫하게 형성되는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode on the light emitting structure layer;
A window layer below the second conductive semiconductor layer;
A transparent electrode layer below the window layer;
A mirror layer below the light-transmitting electrode layer; And
And a plurality of convex portions protruding from the bottom surface of the window layer in the direction of the mirror layer,
Wherein the window layer and the plurality of convex portions comprise GaP series semiconductor layers,
Wherein the window layer and the plurality of convex portions comprise a p-type dopant,
Wherein the plurality of convex portions have a dopant concentration higher than the dopant concentration of the window layer,
Wherein a region of the light transmitting electrode layer corresponding to the electrode is formed to be flat with a region at least wider than the width of the electrode.
상기 볼록부는 상기 윈도우층 하면과 접촉하는 제1층과 상기 제1층 아래에 배치되는 제2층을 포함하고,
상기 제1층 및 상기 제2층은 서로 다른 반도체 재료로 적층되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the convex portion includes a first layer in contact with the bottom surface of the window layer and a second layer disposed under the first layer,
Wherein the first layer and the second layer are laminated with different semiconductor materials.
상기 제1층 및 상기 제2층은 하나의 페어로 20주기 내지 30주기 형성되는 발광 소자.The method of claim 3,
Wherein the first layer and the second layer are formed in one pair for 20 to 30 cycles.
상기 투광성 전극층 상면 둘레에 배치되는 채널층을 포함하고,
상기 채널층은 절연 재질로 형성되는 발광 소자.3. The method of claim 2,
And a channel layer disposed around the upper surface of the transmissive electrode layer,
Wherein the channel layer is formed of an insulating material.
상기 채널층의 일부는 상기 윈도우층의 하면과 접촉하는 발광 소자.6. The method of claim 5,
And a part of the channel layer contacts the lower surface of the window layer.
상기 복수의 볼록부는 상면 너비가 하면 너비보다 더 넓은 발광 소자.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plurality of convex portions have a top width larger than a bottom width.
상기 윈도우층은 상기 볼록부의 두께보다 두꺼운 두께를 갖는 발광 소자.
8. The method of claim 7,
Wherein the window layer has a thickness greater than the thickness of the convex portion.
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