KR101871207B1 - Component mounting device, surface mounting machine, and method for detecting adsorption height position - Google Patents
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Abstract
부압에 의해 부품을 그 상방으로부터 흡인함으로써 부품을 흡착하는 흡착부(54)를 구비하고, 흡착부(54)에서 흡착한 부품(E1)을 기판(P1)에 실장하는 부품 실장 장치(30)로서, 흡착부(54)에 있어서의 부압의 크기를 측정하는 측정부(60)와, 흡착부(54)와 측정부(60)를 제어하는 제어부(70)를 구비하고, 제어부(70)는 흡착부(54)에서 부품(E1)을 흡인함과 아울러 부품(E1)의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 측정부(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측하는 관측 처리를 실행하는 관측 처리부(76)와, 관측 처리에서 관측한 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 부품(E1)을 흡착부(54)에서 흡착할 때의 흡착 높이 위치를 결정하는 결정 처리부(77)를 갖고, 관측 처리는 부품(E1)의 흡인을 개시할 때의 부품(E1)과 흡착부(54) 사이의 거리를 변경해서 복수회 실행한다.As the component mounting apparatus 30 for mounting the component E1 adsorbed by the adsorption section 54 on the substrate P1 and a suction section 54 for suctioning the component by suctioning the component from the upper side by the negative pressure A measuring section 60 for measuring the magnitude of the negative pressure in the adsorbing section 54 and a control section 70 for controlling the adsorbing section 54 and the measuring section 60. The control section 70 is configured to adsorb Observation observing the time variation of the magnitude of the negative pressure measured by the measuring section 60 during the time from when the component E1 is sucked from the component 54 to when the suction of the component E1 is started after the component E1 starts to be suctioned And a determination processing unit 77 for determining an adsorption height position when the component E1 is adsorbed by the adsorption unit 54 based on a temporal change in the magnitude of the negative pressure observed in the observation processing, , And the observation process changes the distance between the part E1 and the suction part 54 at the time of starting the suction of the part E1 Execute a number of times.
Description
본 명세서에서 개시되는 기술은 부품의 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치, 그 부품 실장 장치를 구비하는 표면 실장기, 및 흡착 높이 위치의 검출 방법에 관한 것이다.The technique disclosed in this specification relates to a component mounting apparatus for determining a position of a suction height of a component, a surface body having the component mounting apparatus, and a method for detecting a suction height position.
종래, 부압에 의해 여러가지 종류의 전자부품 등을 흡인함으로써 상기 전자부품을 흡착하는 복수의 흡착 노즐을 구비하고, 이 흡착 노즐로 흡착한 전자부품을 프린트 기판 상에 실장하는 부품 실장 장치가 알려져 있다. 이러한 흡착 노즐을 구비하는 부품 실장 장치에서는 전자부품을 프린트 기판에 실장할 때, 흡착 높이 위치가 전자부품에 지나치게 가까워지면 흡착 노즐의 선단부가 전자부품에 과도하게 간섭하여 흡착 노즐이나 전자부품이 손상되는 일이 있다. 그 때문에 전자부품을 프린트 기판 상에 실장하는 실장 작업 전에 전자부품의 종류마다 최적의 흡착 높이 위치를 검출하는 것이 요구된다.BACKGROUND ART [0002] Conventionally, there is known a component mounting apparatus which includes a plurality of suction nozzles for suctioning various electronic components or the like by negative pressure, and mounts the electronic components adsorbed by the suction nozzles onto a printed board. In the component mounting apparatus having such a suction nozzle, when the suction height position is excessively close to the electronic component when the electronic component is mounted on the printed board, the tip of the suction nozzle excessively interferes with the electronic component and the suction nozzle or the electronic component is damaged There is work. Therefore, it is required to detect the optimum position of the suction height for each type of electronic component before mounting the electronic component on the printed circuit board.
하기 특허문헌 1에는 상기와 같은 부품 실장 장치에 있어서, 전자부품의 실장 작업을 행하기 위한 흡착 노즐의 흡착 높이 위치를 검출하는 검출 방법이 개시되어 있다. 이 검출 방법에서는 미리 정해진 계측 기준면에 대해서 흡착 노즐을 하강시키면서, 흡착 노즐로부터 흡인되는 공기의 유량을 계측하고, 유량 계측 결과로부터 유량 계측값이 소정값이하로 저하한 타이밍을 산출하고, 그 산출 결과에 의거하여 흡착 노즐의 흡착 높이 위치를 검출한다.The following
그러나, 상기 특허문헌 1의 검출 방법은 흡착 대상이 되는 전자부품에 대해서 흡착 노즐을 하강시키면서 유량을 계측하는 것이 아니기 때문에, 흡착 부품마다의 불균일에 기인하는 흡착 높이 위치의 차이에 대응시키는 것이 어렵다. 또한 가령 상기 특허문헌 1의 검출 방법을 이용하여 전자부품에 대해서 흡착 노즐을 하강시키면서 유량을 계측했다고 해도 전자부품이 흡착 노즐에 의해 흡인되어서 전자부품이 적재면으로부터 부상해 버리므로 적절한 유량 계측값을 얻을 수 없어 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출하는 것이 어렵다.However, since the detection method of
본 명세서에서 개시되는 기술은 상기 과제를 감안하여 창작된 것으로서, 여러가지 부품의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출하는 것이 가능한 부품 실장 장치, 그러한 부품 실장 장치를 구비하는 표면 실장기, 및 여러가지 부품의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출하는 것이 가능한 흡착 높이 위치의 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The technique disclosed in the present specification was created in view of the above problems and is intended to provide a component mounting apparatus capable of detecting a suction height position of various parts with high precision, a surface seal member having such a component mounting apparatus, So that it is possible to detect the height position with high accuracy.
본 명세서에서 개시되는 기술은 부압에 의해 부품을 그 상방으로부터 흡인함으로써 그 부품을 흡착하는 흡착부를 구비하고, 상기 흡착부에서 흡착한 상기 부품을 기판에 실장하는 부품 실장 장치로서, 상기 흡착부에 있어서의 상기 부압의 크기를 측정하는 측정부와, 상기 흡착부와 상기 측정부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 흡착부로 상기 부품을 흡인함과 아울러 그 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 상기 측정부에서 측정되는 상기 부압의 크기의 시간변화를 관측하는 관측 처리를 실행하는 관측 처리부와, 상기 관측 처리에서 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 상기 부품을 상기 기판에 실장하기 위해서 그 부품을 상기 흡착부에서 흡착할 때의 흡착 높이 위치를 결정하는 결정 처리를 실행하는 결정 처리부를 갖고, 상기 관측 처리부는 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 그 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 변경해서 상기 관측 처리를 복수회 실행하는 부품 실장 장치에 관한 것이다. 또, 본 명세서에서 말하는 부압의 크기를 측정한다란 부압의 크기를 압력값으로 측정하는 것에 한정되지 않고, 예를 들면 부압의 크기를 전압값이나 유량으로서 측정하는 것도 포함된다.A component mounting apparatus for mounting the component adsorbed by the adsorption section on a substrate, the component mounting apparatus comprising a suction section for adsorbing the component by suctioning the component from above by a negative pressure, And a control unit for controlling the adsorption unit and the measurement unit, wherein the control unit sucks the component to the adsorption unit and starts sucking the component, An observation processing section that performs observation processing to observe a temporal change in the magnitude of the negative pressure measured by the measuring section during a period from the time when the pressure is applied to the workpiece to the workpiece, A crystal processing for determining the position of the adsorption height when the component is adsorbed by the adsorption section is mounted on the substrate And the observation processing section changes the distance between the component and the adsorption section at the time of starting the suction of the component and executes the observation process a plurality of times. The measurement of the magnitude of the negative pressure in this specification is not limited to the measurement of the magnitude of the negative pressure by the pressure value, but also includes, for example, measuring the magnitude of the negative pressure as the voltage value or the flow rate.
상기 부품 실장 장치에서는 제어부의 관측 처리부는 관측 처리에 있어서 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 측정부에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측한다. 여기에서, 측정부에서 측정되는 부압의 크기는 흡착부에 의한 흡인에 따라 전자부품이 그 적재면으로부터 부상함으로써 완만한 구배로 변화되고, 전자부품이 흡착부에 접촉하면 흡착부내의 진공도가 급속하게 높아져서 급구배로 변화된다. 그 때문에 부압의 크기의 시간변화를 관측함으로써 예를 들면 흡착부에 의한 흡인을 개시하고나서 전자부품이 흡착될 때까지의 경과 시간을 산출할 수 있고, 그 경과 시간이 짧을수록 전자부품과 흡착부 사이의 거리가 짧은 것으로 간주할 수 있다.In the component mounting apparatus, the observing processing section of the control section observes the temporal change in the magnitude of the negative pressure measured by the measuring section from the start of the suction of the component to the end of the suction in the observation process. Here, the size of the negative pressure measured by the measuring unit changes to a gentle gradient as the electronic component floats from the mounting surface in accordance with the suction by the suction unit. When the electronic component contacts the suction unit, the degree of vacuum in the suction unit rapidly It becomes higher and becomes a sudden power. Therefore, it is possible to calculate the elapsed time from the start of the suction by the suction unit to the suction of the electronic component by observing the time change of the size of the negative pressure. As the elapsed time becomes shorter, Can be regarded as being short.
또한, 상기 부품 실장 장치에서는 제어부의 결정 처리부는 측정 처리를 부품의 흡인을 개시할 때의 상기 부품과 흡착부 사이의 거리를 변경해서 복수회 실행하고, 결정 처리에서는 관측 처리에서 관측한 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 상기 부품에 관한 흡착 높이 위치를 결정한다. 따라서, 복수회 실행되는 측정 처리에서 각각 산출되는 상기 경과 시간을 비교함으로써 전자부품과 흡착부 사이가 매우 근접한 최적의 흡착부의 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다. 그리고, 상기 각 처리를 형상 등이 다른 복수 종류의 부품마다 실행함으로써 부품마다 최적의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출할 수 있다. 이상과 같이 상기 부품 실장 장치에서는 흡착부에 의한 흡인에 의해 부품이 부상해서 흡착부에 흡착될 때의 부압의 크기의 시간변화의 특성에 착안함으로써 여러가지 부품의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출할 수 있다.In the component mounting apparatus, the determination processing section of the control section executes the measurement processing a plurality of times by changing the distance between the component and the adsorption section at the time of starting the component suction, and in the crystal processing, The adsorption height position with respect to the part is determined based on the time variation of the adsorption height. Therefore, by comparing the elapsed time calculated in each of the measurement processes executed a plurality of times, it is possible to determine the optimum height of the adsorption portion of the adsorption unit, which is very close to between the electronic component and the adsorption unit. Then, by performing each of the above processes for each of a plurality of kinds of parts having different shapes and the like, it is possible to detect an optimum position of the suction height for each part with high accuracy. As described above, in the above-described component mounting apparatus, the attraction height position of various parts can be detected with high accuracy by focusing on the characteristic of the time change in the magnitude of the negative pressure when the component floats and is attracted to the attracting section by suction by the attracting section have.
상기 부품 실장 장치는 기억부를 구비하고, 상기 관측 처리부는 상기 관측 처리에서는 상기 흡착부에서 상기 부품의 흡인을 개시하고나서 소정 시간 경과후에 흡인을 종료함과 아울러, 상기 소정 시간 동안에 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화를 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 상기 기억부에 기억된 복수의 상기 파형 중 하나의 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다. 또, 본 명세서에서 말하는 소정 시간이란 부품의 상방에 배치된 흡착부가 흡인을 개시하고나서 부품이 흡착부에 흡착될 때까지의 시간에 미소 시간을 추가한 시간이며, 예를 들면 수밀리초 정도로 된다.Wherein the component mounting apparatus includes a storage unit and the observation processing unit terminates the suction after a lapse of a predetermined time from the start of suction of the component by the suction unit in the observation process, And the determination processing unit, in the determination processing, determines whether or not the waveform of the component corresponding to one of the plurality of waveforms stored in the storage unit is stored in the storage unit, based on a distance between the component and the adsorption unit, The adsorption height position may be determined. In the present specification, the predetermined time is a time obtained by adding a minute time to the time when the adsorption portion disposed above the component starts to be adsorbed and then the component is adsorbed on the adsorption portion, and is, for example, several milliseconds .
이 구성에 의하면, 복수회 실행되는 관측 처리에 대해서 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 시간이 같기 때문에 복수회의 관측 처리에서 관측된 상기 파형을 각각 겹침으로써 복수회의 관측 처리에 있어서의 상기 경과 시간을 효과적으로 비교할 수 있다. 이 때문에, 결정 처리에서는 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 결정할 수 있다.According to this configuration, since the time from the start of the suction of the component to the end of the suction is the same for the observation process to be performed a plurality of times, the waveforms observed in the plurality of observation processes are overlapped each other, It is possible to effectively compare the above-mentioned elapsed time. Therefore, the adsorption height position can be determined with high accuracy in the crystal processing.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 관측 처리부는 복수회 실행하는 상기 관측 처리 중 1회의 관측 처리에서는 상기 거리를 상기 소정 시간 동안에 상기 부품이 상기 흡착부에 흡착되지 않는 거리로 해서 실행함과 아울러 상기 파형을 기준 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고, 다른 회의 관측 처리에서는 상기 파형을 통상 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 상기 기준 파형과 상기 통상 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와, 상기 통상 파형에 대해서 상기 기준 파형과의 차분을 취한 파형을 차분 파형으로서 산출하는 차분 파형 산출 처리와, 상기 차분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기의 차분이 소정의 역치가 될 때까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리를 실행하고, 상기 경과 시간이 산출된 상기 차분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the component mounting apparatus, the observation processing section performs the distance measurement in a single observation process among the observation processes executed a plurality of times as a distance at which the component is not adsorbed to the adsorption section during the predetermined time, Is stored in the storage unit as a reference waveform, and in another observation observation process, the waveform is stored in the storage unit as a normal waveform, and in the determination process, the reference waveform and the normal waveform are read from the storage unit A differential waveform calculating process for calculating a waveform having a difference between the reference waveform and the normal waveform as a differential waveform and a differential waveform calculating process for calculating a difference between the magnitudes of the negative pressures The elapsed time to calculate the elapsed time until the threshold value is calculated And the suction height position may be determined based on the distance between the part corresponding to the differential waveform at which the elapsed time is calculated and the suction part.
상기 통상 파형 및 상기 차분 파형에서는 흡착부에 부품이 흡착되었을 때의 구배의 변화점에 있어서 파형이 완만하게 변화되므로 변화점을 정밀도 좋게 검출하는 것이 어렵다. 상기 구성에 의하면, 판독한 기준 파형 및 통상 파형으로부터 차분 파형을 산출하고, 차분 파형에 대해서 소정의 역치가 될 때까지의 경과 시간을 산출함으로써 경과 시간이 일의적으로 정해지므로 상기 변화점 근방의 파형의 영향을 배제할 수 있다. 그리고, 이렇게 변화점 근방의 파형의 영향이 배제된 경과 시간이 산출된 차분 파형에 대응하는 부품과 흡착부 사이의 거리에 의거하여 흡착 높이 위치를 결정함으로써 보다 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.In the normal waveform and the differential waveform, since the waveform changes gently at the change point of the gradient when the component is attracted to the adsorption section, it is difficult to detect the change point with high precision. According to the above configuration, since the elapsed time is uniquely determined by calculating the differential waveform from the read reference waveform and the normal waveform and calculating the elapsed time until the predetermined differential value is reached with respect to the differential waveform, Can be eliminated. The position of the suction height can be determined with higher precision by determining the position of the suction height based on the distance between the part corresponding to the differential waveform calculated elapsed time excluding the influence of the waveform near the change point and the suction part .
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 복수의 상기 차분 파형을 겹친 경우에 인접하는 2개의 상기 차분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출하는 시간차 산출 처리를 실행하고, 상기 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 되는 2개의 상기 차분 파형 중, 상기 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 차분 파형에 대응하는 상기 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the above-described component mounting apparatus, the determination processing section executes a time difference calculating process for calculating a difference between the elapsed times for two adjacent differential waveforms when a plurality of the differential waveforms are overlapped, The adsorption height position may be determined based on the distance corresponding to one of the differential waveforms in which the elapsed time is relatively large, out of the two differential waveforms in which the difference in time is equal to or less than the first predetermined value.
상기 변화점 근방의 파형의 영향이 배제된 상기 경과 시간의 차는 부품과 흡착부 사이의 거리가 작아질수록 작아지는 경향이 있다. 상기 구성에 의하면, 산출된 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 될 때의 한쪽의 차분 파형에 대응하는 부품과 흡착부 사이의 거리에 의거하여 흡착 높이 위치를 결정함으로써 보다 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.The difference between the elapsed times excluding the influence of the waveform near the change point tends to become smaller as the distance between the component and the adsorption section becomes smaller. According to the above arrangement, the suction height position is determined based on the distance between the part corresponding to one differential waveform and the suction part when the difference in the calculated elapsed time becomes equal to or less than the first predetermined value, Can be determined.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 복수의 상기 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와, 상기 파형을 미분 한 미분 파형을 산출하는 미분 파형 산출 처리와, 상기 미분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기에 관한 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리를 실행하고, 상기 경과 시간이 산출된 상기 차분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the above-described component mounting apparatus, the determination processing unit may be configured such that the determination processing includes: reading processing for reading a plurality of waveforms from the storage unit; differential waveform generating processing for calculating a differential waveform that differentiates the waveform; An elapsed time calculating process of calculating the elapsed time from the start of suction to the point of occurrence of the second peak relating to the magnitude of the negative pressure is performed and the elapsed time is calculated based on the elapsed time of the component corresponding to the calculated differential waveform And the adsorption height position may be determined based on the distance between the adsorption units.
이 구성에 의하면, 상기 파형으로부터 산출된 미분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출함으로써 상기 변화점 근방의 파형의 영향을 배제할 수 있다. 또한, 상기 기준 파형을 산출하지 않고 상기 미분 파형을 산출하고, 산출된 미분 파형의 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출한다. 여기에서, 2회째의 피크가 발생한 시점은 1점으로 정해지므로 2회째의 피크가 발생한 시점을 봄으로써 상기 경과 시간을 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 이렇게 정밀도 좋게 검출된 경과 시간이 산출된 차분 파형에 대응하는 부품과 흡착부 사이의 거리에 의거하여 흡착 높이 위치를 결정함으로써 보다 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.According to this configuration, the influence of the waveform near the change point can be excluded by calculating the difference between the elapsed times with respect to the differential waveform calculated from the waveform. Further, the differential waveform is calculated without calculating the reference waveform, and the elapsed time until the second peak of the calculated differential waveform is generated is calculated. Here, since the point at which the second peak occurs is set to one point, the elapsed time can be accurately detected by looking at the time when the second peak occurs. The position of the suction height can be determined with higher accuracy by determining the position of the suction height based on the distance between the part corresponding to the differential waveform calculated with the elapsed time so accurately and the suction part.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 복수의 상기 미분 파형을 겹친 경우에 상기 경과 시간이 근접하는 2개의 상기 미분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출하는 시간차 산출 처리를 실행하고, 상기 경과 시간의 차가 제 2 소정값이하가 되는 2개의 상기 미분 파형 중, 상기 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 미분 파형에 대응하는 상기 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the above-described component mounting apparatus, when the plurality of the differentiated waveforms are overlapped, the determination processing section executes a time difference calculating process for calculating a difference between the elapsed times for the two differentiated waveforms whose elapsed times are close to each other And the absorption height position may be determined on the basis of the distance corresponding to one of the differential waveforms whose elapsed time is relatively large among the two differentiated waveforms whose difference between the elapsed times is equal to or less than the second predetermined value.
이 구성에 의하면, 인접하는 2개의 미분 파형으로부터 경과 시간의 차를 산출함으로써 관측 처리에 대해서 적은 횟수로 흡착 높이 위치를 검출할 수 있다. 이렇게 상기 구성에서는 흡착 높이 위치의 검출을 개시하고나서 흡착 높이 위치가 검출될 때까지 요하는 시간을 단축할 수 있다.According to this configuration, the difference in elapsed time from the two adjacent differential waveforms is calculated, so that the suction height position can be detected a small number of times for the observation process. In this configuration, the time required until the suction height position is detected after the detection of the suction height position is started can be shortened.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 상기 한쪽의 차분 파형 또는 상기 한쪽의 미분 파형에 관한 상기 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에, 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the above component mounting apparatus, the crystal processing section may determine the absorption height position when the elapsed time with respect to the one differential waveform or the one differential waveform is equal to or less than a third predetermined value in the crystal processing.
결정 처리에 있어서 산출되는 인접하는 2개의 상기 차분 파형, 또는 인접하는 2개의 상기 미분 파형에서는 부품과 흡착부 사이의 거리의 변화폭에 따라서는 흡착부가 부품으로부터 떨어져 있는 경우이어도 상기 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하 또는 제 2 소정값이하가 되는 경우가 있다. 상기 구성에 의하면, 또한 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에 흡착 높이 위치를 결정하므로, 흡착부가 부품으로부터 떨어져 있음에도 불구하고 흡착 높이 위치가 결정되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 보다 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.Even if the two adjacent differential waveforms calculated in the crystal process or the two adjacent differential waveforms are different from each other depending on the variation width of the distance between the component and the suction portion, Or may be lower than a predetermined value or lower than a second predetermined value. According to the above configuration, since the position of the suction height is determined when the elapsed time is equal to or less than the third predetermined value, it is possible to prevent the suction height position from being determined even though the suction part is separated from the part. Therefore, the position of the adsorption height can be determined with higher precision.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 관측 처리부는 상기 관측 처리를 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 등간격으로 변경해서 복수회 실행해도 좋다.In the component mounting apparatus, the observation processing section may perform the observation processing a plurality of times by changing the distance between the component and the adsorption section at equal intervals.
상기 거리를 등간격으로 변경해서 관측 처리를 복수회 실행하면, 흡착부가 부품에 근접함에 따라 상기 경과 시간의 차가 작아진다. 상기 구성에 의하면, 상기 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하 또는 제 2 소정값이하가 될 경우에, 흡착 높이 위치를 결정하기 위해서 별도 조건을 설정하지 않아도 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다. 이 때문에, 보다 간단한 결정 방법으로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.If the observation process is performed a plurality of times by changing the distances to equal intervals, the difference between the elapsed times becomes smaller as the attracting portion approaches the component. According to the above arrangement, when the difference between the elapsed times is equal to or less than the first predetermined value or equal to or less than the second predetermined value, the position of the adsorption height can be determined without setting a separate condition for determining the adsorption height position. Therefore, the position of the adsorption height can be determined by a simpler determination method.
상기 부품 실장 장치에 있어서, 상기 결정 처리부는 상기 결정 처리에서는 복수의 상기 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와, 상기 파형을 미분 한 미분 파형을 산출하는 미분 파형 산출 처리와, 상기 미분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기에 관한 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리와, 상기 경과 시간과, 상기 경과 시간이 산출된 상기 미분 파형과 대응하는 상기 거리로부터 근사 함수를 산출하는 함수 산출 처리를 실행하고, 상기 근사 함수에 있어서 상기 경과 시간이 소정의 역치가 될 때의 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.In the above-described component mounting apparatus, the determination processing unit may be configured such that the determination processing includes: reading processing for reading a plurality of waveforms from the storage unit; differential waveform generating processing for calculating a differential waveform that differentiates the waveform; An elapsed time calculating step of calculating an elapsed time from the start of suction to a point of time when a second peak is generated with respect to the magnitude of the negative pressure; and an elapsed time calculating step of calculating elapsed time and elapsed time corresponding to the calculated differential waveform A function calculating process for calculating an approximate function from the distance may be executed and the position of the adsorption height may be determined based on the distance between the part and the adsorption unit when the elapsed time reaches a predetermined threshold value in the approximate function good.
상기 구성에서는 제어부는 상기 경과 시간과 상기 경과 시간이 산출된 미분 파형과 대응하는 거리로부터 근사 함수를 산출하고, 산출된 근사 함수로부터 흡착 높이 위치를 결정한다. 이 근사 함수는 적어도 관측 처리를 3회 행함으로써 산출할 수 있다. 이 때문에, 관측 처리에 대해서 보다 적은 횟수로 흡착 높이 위치를 검출할 수 있어 흡착 높이 위치의 검출을 개시하고나서 흡착 높이 위치가 검출될 때까지 요하는 시간을 한층 단축할 수 있다.In the above arrangement, the control unit calculates the approximate function from the distance corresponding to the differentiated waveform and the elapsed time and the elapsed time, and determines the adsorption height position from the calculated approximate function. This approximate function can be calculated by performing at least three observations. Therefore, the position of the suction height can be detected a smaller number of times for the observation process, and the time required until the suction height position is detected after the detection of the suction height position is started can be further shortened.
상기 부품 실장 장치는 외부로부터의 입력을 접수하는 입력부를 구비하고, 상기 관측 처리부 및 상기 결정 처리부는 상기 입력부가 입력을 접수함으로써 상기 관측 처리 및 상기 결정 처리를 실행해도 좋다.The component mounting apparatus may include an input unit for receiving an input from the outside, and the observation processing unit and the determination processing unit may execute the observation processing and the determination processing by receiving the input of the input unit.
이 구성에 의하면, 입력부가 작업자 등, 외부로부터의 입력을 접수함으로써 작업자 등의 의사에 의거하여 흡착 높이 위치를 검출하기 위한 처리를 개시할 수 있다.According to this configuration, the input section can start processing for detecting the suction height position based on the intention of the operator or the like by accepting an input from the outside such as an operator.
상기 부품 실장 장치는 상기 흡착부를 상하로 승강시키는 승강부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 승강부를 제어함으로써 상기 관측 처리를 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 상기 흡착부의 높이를 변경해서 복수회 실행해도 좋다.The component mounting apparatus may include an elevating section for elevating and lowering the adsorption section vertically and the control section may execute the observation processing a plurality of times by changing the height of the adsorption section when the suction of the component is started by controlling the elevation section .
이것에 의하면, 흡착부가 제어부에 의해 승강됨으로써 부품과 흡착부 사이의 거리를 변경하기 위한 구체적인 구성을 제공할 수 있다.According to this, a specific configuration for changing the distance between the component and the adsorption section can be provided by the lifting and lowering of the adsorption section by the control section.
본 명세서에서 개시되는 다른 기술은 상기 부품 실장 장치와, 상기 부품 실장 장치에 상기 부품을 공급하는 부품 공급 장치와, 상기 기판을 반송방향으로 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 표면 실장기에 관한 것이다.Another technique disclosed in this specification relates to a surface mounting machine including the component mounting apparatus, a component supplying apparatus for supplying the component to the component mounting apparatus, and a substrate transferring apparatus for transferring the substrate in the transferring direction.
본 명세서에서 개시되는 다른 기술은 부압에 의해 부품을 그 상방으로부터 흡인함으로써 그 부품을 흡착하는 흡착부와, 상기 흡착부에 있어서의 상기 부압의 크기를 측정하는 측정부를 구비하고, 상기 흡착부에서 흡착한 상기 부품을 기판에 실장하는 부품 실장 장치에 있어서, 상기 부품을 상기 기판에 실장하기 위해서 그 부품을 상기 흡착부에서 흡착할 때의 흡착 높이 위치를 검출하는 흡착 높이 위치의 검출 방법으로서, 상기 흡착부에서 상기 부품을 흡인함과 아울러 그 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 상기 측정부에서 측정되는 상기 부압의 크기의 시간변화를 관측하는 관측 공정과, 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 결정 공정을 구비하고, 상기 관측 공정에서는 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 그 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 변경해서 상기 부압의 크기의 시간변화의 관측을 복수회 실행하고, 상기 결정 공정에서는 상기 관측 공정에서 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 흡착 높이 위치의 검출 방법에 관한 것이다.Another technique disclosed in this specification includes a suction unit for suctioning a component by suction from its upper side by a negative pressure and a measurement unit for measuring the size of the negative pressure in the suction unit, A component mounting apparatus for mounting a component on a substrate, the component mounting apparatus comprising: a pickup height position detecting unit for detecting a position of a pickup height when the component is picked up by the pickup unit to mount the component on the substrate, And a time step of observing a change with time in the magnitude of the negative pressure measured by the measuring unit during the period from the start of the suction of the component to the end of the suction, And a determining step of determining whether or not the component is to be sucked, Wherein the step of determining the time of the change in the size of the negative pressure is performed a plurality of times by changing the distance between the adsorption height And a method for detecting a position.
(발명의 효과)(Effects of the Invention)
본 명세서에서 개시되는 기술에 의하면, 여러가지 부품의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출하는 것이 가능한 부품 실장 장치, 그러한 부품 실장 장치를 구비하는 표면 실장기, 및 여러가지 부품의 흡착 높이 위치를 높은 정밀도로 검출하는 것이 가능한 흡착 높이 위치의 검출 방법을 제공할 수 있다.According to the technique disclosed in this specification, a component mounting apparatus capable of detecting a suction height position of various parts with high accuracy, a surface seal member having such a component mounting apparatus, and a suction head It is possible to provide a method of detecting a position of a suction height that can be performed.
도 1은 표면 실장기의 평면도
도 2는 헤드 유닛을 정면으로부터 본 확대 정면도
도 3은 흡착 노즐에 부압을 발생시키기 위한 구성을 나타내는 모식도
도 4는 표면 실장기의 전기적 구성을 나타내는 블럭도
도 5는 흡착 높이 위치의 검출 개시부터 전자부품의 실장까지의 흐름을 나타내는 플로우챠트
도 6은 흡착 높이 위치 검출 처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트
도 7은 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서의 전자부품과 흡착 노즐 사이의 거리의 변화 형태를 나타내는 설명도
도 8은 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 9는 각 파형의 차분 파형을 나타내는 그래프
도 10은 실시형태 2의 흡착 높이 위치 검출 처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트
도 11은 실시형태 2의 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 12는 실시형태 2에 있어서 각 파형의 미분 파형을 나타내는 그래프
도 13은 실시형태 3의 흡착 높이 위치 검출 처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트
도 14는 실시형태 3의 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 15는 실시형태 3에 있어서 각 파형의 미분 파형을 나타내는 그래프
도 16은 실시형태 3에 있어서 근사 함수를 나타내는 그래프
도 17은 실시형태 4에 있어서의 흡착 노즐에 부압을 발생시키기 위한 구성을 나타내는 모식도
도 18은 실시형태 4의 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 19는 실시형태 4에 있어서 각 파형의 차분 파형을 나타내는 그래프
도 20은 실시형태 5의 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 21은 실시형태 5에 있어서 각 파형의 미분 파형을 나타내는 그래프
도 22는 실시형태 6의 관측 처리에서 관측된 각 파형을 나타내는 그래프
도 23은 실시형태 6에 있어서 각 파형의 미분 파형을 나타내는 그래프
도 24는 실시형태 6에 있어서 근사 함수를 나타내는 그래프
도 25는 실시형태 7의 흡착 높이 위치 검출 처리의 흐름을 나타내는 플로우챠트1 is a plan view
2 is an enlarged front view of the head unit viewed from the front;
3 is a schematic diagram showing a configuration for generating a negative pressure in the adsorption nozzle
4 is a block diagram showing an electrical configuration of a surface seal member
5 is a flowchart showing the flow from the start of detection of the suction height position to the mounting of the electronic component
6 is a flowchart showing the flow of the suction height position detecting process
Fig. 7 is an explanatory diagram showing a change in the distance between the electronic component and the suction nozzle in the suction height position detecting process
8 is a graph showing each waveform observed in the observation process
9 is a graph showing differential waveforms of the respective waveforms
10 is a flow chart showing the flow of the suction height position detecting process of the second embodiment
11 is a graph showing each waveform observed in the observation process of the second embodiment
12 is a graph showing a differential waveform of each waveform in the second embodiment
13 is a flow chart showing the flow of the suction height position detecting process of the third embodiment
14 is a graph showing each waveform observed in the observation process of the third embodiment
15 is a graph showing a differential waveform of each waveform in the third embodiment
16 is a graph showing an approximate function in the third embodiment
17 is a schematic diagram showing a configuration for generating a negative pressure in the suction nozzle in the fourth embodiment
18 is a graph showing each waveform observed in the observation process of the fourth embodiment
19 is a graph showing differential waveforms of the respective waveforms in the fourth embodiment
20 is a graph showing each waveform observed in the observation process of the fifth embodiment
21 is a graph showing a differential waveform of each waveform in the fifth embodiment
22 is a graph showing each waveform observed in the observation process of the sixth embodiment
23 is a graph showing a differential waveform of each waveform in the sixth embodiment
24 is a graph showing an approximate function in the sixth embodiment
25 is a flow chart showing the flow of the suction height position detecting process of the seventh embodiment
(표면 실장기의 전체구성)(Total composition of surface yarn)
도면을 참조해서 실시형태 1을 설명한다. 본 실시형태에서는 도 1에 나타내는 표면 실장기(1)에 대해서 예시한다. 또, 표면 실장기(1)는 이하에 나타내는 각 실시형태에 있어서 동일한 구성으로 된다. 표면 실장기(1)는 기대(10)와, 프린트 기판(기판의 일례)(P1)을 반송하기 위한 반송 컨베이어(기판 반송 장치의 일례)(20)와, 프린트 기판(P1) 상에 전자부품(부품의 일례)(E1)을 실장하기 위한 부품 실장 장치(30)와, 부품 실장 장치(30)에 전자부품(E1)을 공급하기 위한 피더형 공급 장치(부품 공급 장치의 일례)(40) 등을 구비하고 있다.The first embodiment will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, the
기대(10)는 평면으로 볼 때 직사각형상을 이룸과 아울러 상면이 평탄하게 된다. 또한 기대(10)에 있어서의 반송 컨베이어(20)의 하방에는 프린트 기판(P1) 상에 전자부품(E1)을 실장할 때에 그 프린트 기판(P)을 백업하기 위한 도면에 나타내지 않은 백업 플레이트 등이 설치되어 있다. 이하의 설명에서는 기대(10)의 장변방향(도 1의 좌우방향) 및 반송 컨베이어(20)의 반송방향을 X축방향으로 하고, 기대(10)의 단변방향(도 1의 상하방향)을 Y축방향으로 하고, 기대(10)의 상하방향(도 2의 상하방향)을 Z축방향으로 한다.The
반송 컨베이어(20)는 Y축방향에 있어서의 기대(10)의 대략 중앙위치에 배치되고, 프린트 기판(P1)을 반송방향(X축방향)을 따라 반송한다. 반송 컨베이어(20)는 반송방향으로 순환 구동하는 한쌍의 컨베이어 벨트(22)를 구비하고 있다. 프린트 기판(P1)은 양 컨베이어 벨트(22)에 가설하는 형태로 셋트되게 되어 있다. 본 실시형태에서는 프린트 기판(P1)은 반송방향의 일방측(도 1에서 나타내는 우측)으로부터 컨베이어 벨트(22)를 따라 기대(10) 상의 작업 위치(도 1의 2점쇄선으로 둘러싸여지는 위치)에 반입되고, 작업 위치에서 정지해서 전자부품(E1)의 실장 작업이 된 후, 컨베이어 벨트(22)를 따라 타방측(도 1에서 나타내는 좌측)으로 반출되게 되어 있다.The conveying
피더형 공급 장치(40)는 반송 컨베이어(20)의 양측(도 1의 상하 양측)에 있어서 X축방향으로 늘어서서 2개소씩, 총 4개소에 배치되어 있다. 이들 피더형 공급 장치(40)에는 복수의 피더(42)가 횡배열 형상으로 정렬해서 부착되어 있다. 각 피더(42)는 복수의 전자부품(E1)이 수용된 부품 공급 테이프(도시하지 않음)가 권회된 릴(도시하지 않음), 및 릴로부터 부품 공급 테이프를 인출하는 전동식의 송출 장치(도시하지 않음) 등을 구비하고 있고, 반송 컨베이어측에 위치하는 단부로부터 전자부품(E1)이 하나씩 공급되게 되어 있다.The feeder-
부품 실장 장치(30)는 기대(10) 및 피더형 공급 장치(40) 등의 상방에 설치되는 한쌍의 지지 프레임(31)과, 헤드 유닛(32)과, 헤드 유닛(32)을 구동하는 헤드 유닛 구동기구로 구성된다. 각 지지 프레임(31)은 각각 X축방향에 있어서의 기대(10)의 양측에 위치하고 있고, Y축방향으로 연장되어 있다. 지지 프레임(31)에는 헤드 유닛 구동기구를 구성하는 X축 서보기구 및 Y축 서보기구가 설치되어 있다. 헤드 유닛(32)은 X축 서보기구 및 Y축 서보기구에 의해, 일정 가동 영역내에서 X축방향 및 Y축방향으로 이동 가능하게 되어 있다.The
헤드 유닛 구동기구를 구성하는 Y축 서보기구는 Y축방향으로 연장되는 형태로 각 지지 프레임(31)에 설치된 Y축 가이드 레일(34Y)과, Y축방향으로 연장되는 형태로 각 Y축 가이드 레일(34Y)에 부착되고, 도시하지 않은 볼너트가 나사결합된 Y축 볼나사(36Y)와, Y축 볼나사(36Y)에 부설된 Y축 서보모터(38Y)를 갖고 있다.The Y-axis servo mechanism constituting the head unit drive mechanism includes a Y-
또한 각 Y축 가이드 레일(34Y)에는 X축방향으로 연장되는 형태로 볼너트에 고정된 헤드 지지체(39)가 부착되어 있다. Y축 서보모터(38Y)가 통전제어되면, Y축 볼나사(36Y)를 따라 볼너트가 진퇴하고, 그 결과, 볼너트에 고정된 헤드 지지체(39), 및 다음에 설명하는 헤드 유닛(32)이 Y축 가이드 레일(34Y)을 따라 Y축방향으로 이동한다.Further, a
헤드 유닛 구동기구를 구성하는 X축 서보기구는 X축방향으로 연장되는 형태로 헤드 지지체에 설치된 X축 가이드 레일(34X)(도 2 참조)과, X축방향으로 연장되는 형태로 헤드 지지체(39)에 부착되며, 도시하지 않은 볼너트가 나사결합된 X축 볼나사(36X)와, X축 볼나사(36X)에 부설된 Y축 서보모터(38X)를 갖고 있다.The X-axis servo mechanism constituting the head unit drive mechanism includes an
또한 X축 가이드 레일(34X)에는 그 축방향을 따라 헤드 유닛(32)이 이동 가능하게 부착되어 있다. X축 서보모터(38X)가 통전제어되면, X축 볼나사(36X)를 따라 볼너트가 진퇴하고, 그 결과, 볼너트에 고정된 헤드 유닛(32)이 X축 가이드 레일(34X)을 따라 X축방향으로 이동한다.A
헤드 유닛(32)은 피더형 공급 장치(40)로부터 기대(10) 상에 공급되는 전자부품(E1)을 인출해서 프린트 기판(P1) 상에 실장한다. 헤드 유닛(32)에는 도 2에 나타내듯이, 전자부품(E1)의 실장 동작을 행하는 실장 헤드(52)가 줄지어서 복수개 탑재되어 있다. 각 실장 헤드(52)는 헤드 유닛(32)의 하면으로부터 하향으로 돌출되어 있고, 그 선단에는 흡착 노즐(흡착부의 일례)(54)이 설치되어 있다.The
각 실장 헤드(52)는 R축 서보모터(38R)(도 4 참조) 등에 의해 축둘레의 회전 동작이 가능하게 되어 있다. 또한 각 실장 헤드(52)는 Z축 서보모터(38Z)(승강부의 일례, 도 4 참조) 등의 구동에 의해 헤드 유닛(32)의 프레임(32A)에 대해서 상하방향으로 승강가능한 구성으로 되어 있다. 따라서, Z축 서보모터(38Z)가 통전제어되면, 실장 헤드(52)와 함께 흡착 노즐(54)이 상하 방향으로 이동하여 흡착 노즐(54)의 하단부의 높이 위치가 변화된다.Each mounting
또, 헤드 유닛(32)에는 기판 인식 카메라(C1)(도 4 참조, 도 1 및 도 2에서는 도시하지 않음)가 설치되어 있다. 기판 인식 카메라(C1)는 촬상면을 아래로 향한 상태에서 헤드 유닛(32)에 고정되어 있고, 헤드 유닛(32)과 함께 일체적으로 이동하는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 상술한 X축 서보기구, Y축 서보기구를 구동시킴으로써 작업 위치에 정지한 프린트 기판(P) 상의 임의의 위치의 화상을 기판 인식 카메라(C1)에 의해 촬상할 수 있다.The
(흡착 노즐에 부압을 발생시키기 위한 구성)(Configuration for generating negative pressure on the suction nozzle)
다음에 흡착 노즐(54)에 부압을 발생시키기 위한 구성에 대해서 설명한다. 도 3에 나타내듯이, 흡착 노즐(54)의 내부에 형성된 흡인로(56)는 압력 센서(측정부의 일례)(60)를 개재해서 밸브(62)에 접속되어 있다. 밸브(62)는 또한 부압 발생부(64)에 접속되어 있다. 부압 발생부(64)는 예를 들면 진공펌프이며, 일정 압력값(예를 들면 -80㎪∼-90㎪)으로 부압을 발생시킨다. 이들 압력 센서(60), 밸브(62), 및 부압 발생부(64)는 각각 후술하는 제어부(70)에 접속되어 있다.Next, a configuration for generating a negative pressure in the
제어부(70)에 의해 부압 발생부(64)가 온된 상태에서 밸브(62)가 개방상태로 되면, 부압 발생부(64)로부터 흡착 노즐(54)에 부압이 공급되어 흡착 노즐(54)의 선단에 흡인력이 발생하게 되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 피더(F1)를 통해서 공급되는 전자부품(E1)을 부품 실장 장치(30)의 흡착 노즐(54)의 선단부(54A)에 흡착하고, 작업 위치에 정지한 프린트 기판(P1) 상에 실장하게 되어 있다. 각 실장 헤드(52)로부터 돌출하는 흡착 노즐(54)은 각각 지름이나 돌출하는 길이가 다르고, 흡인로(56) 내에 공급되는 부압의 크기도 다르다.When the
흡인로(56)에 접속된 압력 센서(60)는 흡착 노즐(54) 근방의 흡인로(56) 내에 있어서의 부압의 크기를 전압값으로 해서 제어부(70)에 출력한다. 또, 도 1에 나타내듯이, 기대(10) 상에 있어서, 헤드 유닛(32)에 의한 실장 위치의 근방에는 부품 인식 카메라(C2)가 각각 고정되어 있다. 부품 인식 카메라(C2)는 실장 헤드(52)에 의해 피더형 공급 장치(40)로부터 인출된 전자부품(E1)의 화상을 촬상함으로써 각 전자부품(E1)의 흡착 노즐(54)에 의한 흡착 자세 등을 인식한다.The
(표면 실장기의 전기적 구성)(Electrical construction of surface seal)
다음에 표면 실장기(1)의 전기적 구성에 대해서 도 4를 참조해서 설명한다. 표면 실장기(1)의 본체는 제어부(70)에 의해 그 전체가 제어 통괄되어 있다. 제어부(70)는 CPU 등에 의해 구성되는 연산 처리부(71)를 구비하고 있다. 연산 처리부(71)에는 모터 제어부(72)와, 기억부(73)와, 화상 처리부(74)와, 외부 입출력부(75)와, 관측 처리부(76)와, 결정 처리부(77)와, 표시부(78)와, 입력부(79)가 각각 접속되어 있다.Next, the electrical construction of the
모터 제어부(72)는 후술하는 실장 프로그램(73A)에 따라서 각 헤드 유닛(32)의 X축 서보모터(38X)와 Y축 서보모터(38Y)와 Z축 서보모터(38Z)와 R축 서보모터(38R)를 각각 구동시킨다. 또한 모터 제어부(72)는 실장 프로그램(73A)에 따라서 반송 컨베이어(20)를 구동시킨다.The
기억부(73)는 CPU를 제어하는 프로그램 등을 기억하는 ROM(Read Only Memory), 및 장치의 동작중에 여러가지 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM(Random Access Memory) 등으로 구성되어 있다. 기억부(73)에는 다음에 설명하는 실장 프로그램(73A)과 각종 데이터(73B)가 기억되어 있다.The
기억부(73)에 기억되는 실장 프로그램(73A)에는 구체적으로는 실장 대상이 되는 프린트 기판(P1)의 생산 대수에 관한 기판정보, 프린트 기판(P1)에 실장되는 전자부품(E1)의 개수나 종류 등을 포함하는 부품정보, 프린트 기판(P1) 상의 전자부품(E1)의 실장 위치에 관한 실장 정보 등이 포함되어 있다. 또한, 실장 프로그램(73A)에는 후술하는 흡착 높이 위치 검출 처리에서 검출되는 각종 전자부품(E1)에 관한 흡착 높이 위치에 관한 정보가 포함되어 있다.The mounting
또한 기억부(73)에 기억되는 각종 데이터(73B)에는 피더형 공급 장치(40)의 각 피더(42)에 유지된 전자부품(E1)의 수나 종류에 관한 데이터, 후술하는 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서 관측된 각종 파형에 관한 데이터, 후술하는 흡착 높이 위치 검출 처리에서 사용되는 각종 소정값, 역치, 허용 시간에 관한 데이터 등이 포함되어 있다.The
화상 처리부(74)에는 기판 인식 카메라(C1) 및 부품 인식 카메라(C2)로부터 출력되는 촬상신호가 각각 도입되도록 되어 있다. 화상 처리부(74)에서는 도입된 각 카메라(C1,C2)로부터의 촬상신호에 의거하여 부품화상의 해석 및 기판화상의 해석이 각각 행해지게 되어 있다.The imaging signal output from the board recognition camera C1 and the component recognition camera C2 are respectively introduced into the
외부 입출력부(75)는 소위 인터페이스로서, 표면 실장기(1)의 본체에 설치되는 상술한 압력 센서(60) 등의 각종 센서류(75A)로부터 출력되는 검출 신호가 도입되도록 구성되어 있다. 또한 외부 입출력부(75)는 연산 처리부(71)로부터 출력되는 제어신호에 의거하여 상술한 밸브(62)의 개폐 제어 등, 각종 액츄에이터류(75B)에 대한 동작 제어를 행하도록 구성되어 있다.The external input /
관측 처리부(76)는 압력 센서(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간을 관측한다. 결정 처리부(77)는 관측 처리부(76)에서 관측한 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 전자부품(E1)을 프린트 기판(P1)에 실장하기 위해서 상기 전자부품(E1)을 흡착 노즐(54)로 흡착할 때의 흡착 높이 위치를 결정한다.The observation processing unit (76) observes the time of the magnitude of the negative pressure measured by the pressure sensor (60). The
표시부(78)는 표시 화면을 갖는 액정 표시 장치 등으로 구성되고, 표면 실장기(1)의 상태 등을 표시 화면 상에 표시한다. 입력부(79)는 키보드 등으로 구성되고, 수동에 의한 조작에 의해 외부로부터의 입력을 접수하게 되어 있다.The
(표면 실장기의 동작 형태)(Operation mode of surface treatment)
본 실시형태의 표면 실장기(1)에서는 자동운전중에 있어서 반송 컨베이어(20)에 의한 프린트 기판(P1)의 반송 작업을 행하는 반송 상태와, 전자부품(E1)의 프린트 기판(P1) 상으로의 실장 작업을 행하는 실장 상태로 교대로 실행된다. 또한 피더형 공급 장치(40)에는 1개 또는 복수의 피더(42)마다 형상이 다른 복수 종류의 전자부품(E1)이 수용되어 있다. 전자부품(E1)은 종류마다 형상이나 사이즈가 다르며, 전자부품(E1)의 종류가 다르면, 전자부품(E1)을 프린트 기판(P1)에 실장하기 위해서 상기 전자부품(E1)을 흡착 노즐(54)로 흡착할 때의 최적의 흡착 높이 위치도 다른 것으로 된다.The
그래서, 표면 실장기(1)에서는 제어부(70)는 프린트 기판(P1) 상에 각종 전자부품(E1)을 실장하기 전에 실장 대상으로 되는 전자부품(E1)의 종류마다 상기 흡착 높이 위치를 검출하는 처리를 실행한다. 이 흡착 높이 위치의 검출은 예를 들면 자동운전중의 상기 반송 상태에 있어서 실행되어도 좋고, 예를 들면 자동운전의 정지중에 입력부(79)가 흡착 높이 위치의 검출을 개시시키기 위한 입력을 외부로부터 접수함으로써 실행되어도 좋다. 그리고 상기 실장 상태에서는 각종 전자부품(E1)에 대해서 검출된 흡착 높이 위치에 의거하여 전자부품(E1)의 실장 작업이 행해진다.Therefore, in the
(제어부가 실행하는 처리)(Processing executed by the control unit)
본 실시형태에 따른 표면 실장기(1)는 이상과 같은 구성으로서, 다음에, 전자부품(E1)의 흡착 높이 위치의 검출을 개시하고나서 상기 전자부품(E1)의 실장에 이르기까지 제어부(70)가 실행하는 처리에 대해서 도 5에 나타내는 플로우챠트를 참조해서 설명한다. 이하에 나타내는 일련의 처리는 상술한 실장 프로그램(73A)에 따라서 제어부(70)가 실행하는 처리이다.The
흡착 높이 위치의 검출은 각 흡착 노즐(54)에 대해서 종류가 다른 전자부품(E1)마다 실행된다. 제어부(70)는 우선, 각 흡착 노즐(54) 중 흡착 높이 위치의 검출을 실행하는 흡착 노즐(54)이 검출 대상이 되는 전자부품(E1)의 상방에 위치하도록, X축 서보기구 및 Y축 서보기구를 구동시켜서 헤드 유닛(32)을 이동시킨다(S2).The detection of the adsorption height position is performed for each electronic component E1 of different kinds with respect to each
다음에 제어부(70)의 관측 처리부(76) 및 결정 처리부(77)는 검출 대상이 되는 전자부품(E1)에 대해서 흡착 높이 위치를 검출하는 흡착 높이 위치 검출 처리를 실행한다(S4). 흡착 높이 위치 검출 처리에 관해서는 나중에 상세하게 설명한다. 제어부(70)는 흡착 높이 위치 검출 처리가 종료되면, 그 검출 결과, 즉 흡착 높이 위치 검출 처리에서 검출된 흡착 높이 위치를 기억부(73)의 실장 프로그램(73A)에 기억시키고, S8로 이행한다.Next, the
제어부(70)는 S8에서는 실장 상태로 이행해서 각종 전자부품(E1)의 실장 작업을 실행한다. 이 실장 작업에서는 제어부(70)는 흡착이 행해지는 흡착 노즐(54)에 대해서 실장 대상이 되는 전자부품(E1)의 흡착 높이 위치를 실장 프로그램(73A)으로부터 판독하고, 각종 전자부품(E1)에 대해서 최적의 흡착 높이 위치에서 전자부품(E1)의 실장 작업을 행한다.The
(흡착 높이 위치 검출 처리)(Suction height position detection processing)
다음에 제어부(70)의 관측 처리부(76) 및 결정 처리부(77)가 S4에서 실행하는 흡착 높이 위치 검출 처리에 관한 각 실시형태를 설명한다. 또, 실시형태 1, 실시형태 2, 실시형태 3에서는 표면 실장기(1)의 구성 및 제어부(70)가 실행하는 상술한 S2, S6, S8의 처리에 대해서는 각 실시형태에서 공통되어 있기 때문에, 이하의 설명에서는 생략한다.Next, the embodiments of the adsorption height position detection process executed by the
(실시형태 1)(Embodiment 1)
실시형태 1의 흡착 높이 위치 결정 처리에 대해서 도 6에 나타내는 플로우챠트를 참조해서 설명한다. 여기에서 본 실시형태에서는 흡착 높이 위치의 검출 대상이 되는 전자부품(E1)의 일례로서 도 7에 나타내는 대략 블록형상의 전자부품(E1)을 예시한다. 이 전자부품(E1)에서는 그 상면이 흡착 노즐(54)에 의해 흡착되는 흡착 부위가 된다.The suction height position determination process of the first embodiment will be described with reference to the flow chart shown in Fig. Here, as an example of the electronic component E1 to be the detection target of the suction height position, the electronic component E1 of the substantially block shape shown in Fig. 7 is exemplified. In the electronic component (E1), the upper surface thereof is an adsorption site to be adsorbed by the adsorption nozzle (54).
흡착 높이 위치 검출 처리에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 우선, 도 7(A)에 나타내듯이, Z축 서보모터(38Z)를 구동시켜서 검출 대상이 되는 전자부품(E1)으로부터 충분히 떨어진 위치까지 흡착 노즐(54)을 이동시킨다(S10). 여기에서 말하는 전자부품(E1)으로부터 충분히 떨어진 위치란, 예를 들면 흡착 노즐(54)이 최상단에 있을 때의 위치이며, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 흡착 노즐(54)의 흡인력에 의해 전자부품(E1)이 적재면으로부터 부상하지 않는 위치를 말한다. 또, 도 7의 부호 DS1∼DS5는 흡착 노즐(54)이 각각 도 7(A)∼도 7(E)에 나타내는 위치에 있을 때의 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리를 나타낸다.7 (A), the
다음에 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인을 개시하고, 소정 시간(예를 들면 수밀리초 정도) 경과후에 흡인을 종료한다. 또한 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 상기 소정 시간 동안에 압력 센서(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측하고(S12), 관측된 상기 시간변화를 기준 파형으로서 기억부(73)에 기억시킨다(S14).Next, the
여기에서, S14의 처리에 있어서 기억부(73)에 기억되는 시간변화의 기준 파형의 일례를 도 8의 그래프에 있어서 파형(W0)으로 나타낸다. 도 8의 가로축은 시간축이며, 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인이 개시된 시점, 즉 제어부(70)에 의해 밸브(62)가 개방상태로 된 시점을 0으로 하고 있다. 도 8의 세로축은 압력, 즉 압력 센서(60)로부터 전압값으로서 출력되는 부압의 크기를 나타내고 있고, 그래프의 상측으로 갈수록 부압이 큰(흡인로(56) 내의 진공도가 높은) 것으로 된다.Here, an example of the reference waveform of the time change stored in the
S12의 처리에서는 상술한 바와 같이 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)으로부터 충분히 떨어진 위치에 있으므로 흡착 노즐(54)에 의한 흡인을 개시하고나서 종료할 때까지의 동안에 상기 전자부품(E1)에 의해 흡인이 방해되는 일이 없다. 이 때문에, 도 8의 기준 파형(W0)으로 나타내듯이, S12의 처리에서 측정되는 부압은 흡착 노즐(54)에 의한 흡인이 개시되어서 흡기가 압력 센서(60)에 도달한 시점으로부터 크게 상승한 후, 부압 발생부(64)에서 발생되는 부압의 압력값(P0)과 같아질 때까지 상승해서 일정하게 된다. In the process of S12, since the
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S14의 처리가 종료되면, 도 7(B)에 나타내듯이, 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 의한 흡인에 의해 적재면으로부터 부상하는 높이 위치까지 흡착 노즐(54)을 하강시킨다(S16). 다음에 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인을 개시하고, 상기 소정 시간 경과후에 흡인을 종료한다. 또한 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 상기 소정 시간 동안에 압력 센서(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측하고(S18), 관측된 상기 시간변화를 통상 파형으로서 기억부(73)에 기억시킨다(S20).7B, when the process of S14 is completed, the
여기에서, 흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(B)에 나타내는 위치인 경우, S20의 처리에 있어서 기억부(73)에 기억되는 시간변화의 통상 파형의 일례를 도 8의 그래프에 있어서 파형(W1)으로 나타낸다. 흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(B)에 나타내는 위치인 경우, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인을 개시한 후, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인에 의해 전자부품(E1)이 적재면으로부터 부상하고, 도 7(B)의 2점쇄선으로 나타내듯이, 전자부품(E1)의 상면이 흡착 노즐(54)의 하단부에 흡착된다. 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착되면, 흡착 노즐(54)의 하단부의 흡인구가 전자부품(E1)에 의해 막히므로, 압력 센서(60)에서 측정되는 부압이 더 상승하고, 흡인로(56) 내의 진공도가 높아진다.Here, when the height position of the
이 때문에, 도 8에 나타내는 통상 파형(W1)은 최초로 크게 상승하고나서 부압 발생부(64)에서 발생되는 부압의 압력값(P0)과 같아질 때까지 상승한 후, 적재면으로부터 부상한 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착될 때까지의 동안, 일정값을 나타낸다. 그리고, 도 8에 나타내는 통상 파형(W1)은 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착된 시점(TA1)(구배의 변화점, 두번째의 상승점)에서 다시 크게 상승하고, 상기 소정 시간이 경과할 때까지의 동안, 도 8의 그래프 상에서 곡선을 그리면서 진공상태의 압력값에 수속되는 형태로 상승한다.Therefore, the normal waveform W1 shown in Fig. 8 rises largely for the first time and then rises until it becomes equal to the negative pressure value P0 generated in the negative
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S20의 처리가 종료되면, 미산출의 경과 시간의 차를 산출 가능한지의 여부를 판단한다(S22). 여기에서 말하는 경과 시간의 차는 후술하는 처리에 있어서 산출되는 것이며, 기준 파형과 2개의 통상 파형에 의거하여 산출되는 것이다. 따라서, 경과 시간의 차가 산출되어 있지 않은 적어도 2개의 통상 파형이 기억부(73)에 기억되어 있는 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 미산출의 경과 시간의 차를 산출가능하다고 판단하여(S22:YES), S24로 이행한다. 한편, 경과 시간의 차가 산출되어 있지 않은 적어도 2개의 통상 파형이 기억부(73)에 기억되어 있지 않은 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 미산출의 경과 시간의 차를 산출가능하지 않다고 판단하여(S22:NO), S16으로 되돌아간다.The
먼저, S22의 처리로부터 S16의 처리로 되돌아온 경우를 설명한다. S22로부터 S16으로 되돌아가면, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 흡착 노즐(54)을 도 7(B)에 나타내는 위치로부터 도 7(C)에 나타내는 위치로 더 하강시킨다(S16). 그 후에 제어부(70)는 상술한 S18, S20의 처리를 순차 실행하고, 다시 S22로 이행한다. 이렇게 S16으로부터 S22의 처리는 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리를 변경해서 복수회 실행된다. 또, 제어부(70)의 관측 처리부(76)가 S10부터 S14에서 실행하는 처리, 및 S16부터 S22에서 실행하는 처리는 관측 처리의 일례이다.First, the case where the process returns from the process of S22 to the process of S16 will be described. When returning from S22 to S16, the
흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(C)에 나타내는 위치인 경우에 기억부(73)에 기억되는 시간변화의 통상 파형의 일례는 도 8의 파형(W2)으로 나타내어진다. 흡착 노즐(54)이 도 7(B)에 나타내는 위치로부터 도 7(C)에 나타내는 위치로 하강됨으로써 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리가 작아지고, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인을 개시하고나서 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착될 때까지의 경과 시간이 짧아진다. 이 때문에, 도 8에 나타내듯이, 통상 파형(W2)은 통상 파형(W1)과 비교해서 흡인을 개시하고나서 상기 두번째의 상승점(TA2)에 이르기까지의 경과 시간이 짧은 것이 된다.An example of the normal waveform of the temporal change stored in the
상기와 같이, S22의 처리로부터 S16의 처리로 되돌아올 때마다 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S16에 있어서 흡착 노즐(54)을 도 7(C)에 나타내는 위치로부터 도 7(D)에 나타내는 위치로, 도 7(D)에 나타내는 위치로부터 도 7(E)에 나타내는 위치로, 도 7(E)에 나타내는 위치로부터 도 7(F)에 나타내는 위치로 순차 하강시켜서 S18부터 S22의 처리를 실행한다. 도 7(F)에 나타내는 위치에서는 흡착 노즐(54)의 하단부가 전자부품(E1)의 상면에 접촉하고 있다. 또 본 실시형태에서는 흡착 노즐(54)의 하강폭은 일정하지 않고 가변이며, 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 근접함에 따라서 흡착 노즐(54)의 하강폭이 작아지도록 제어된다.7 (D) from the position shown in Fig. 7 (C) to the
흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(C)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(D)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(E)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(F)에 나타내는 위치인 경우에 기억부(73)에 기억되는 통상 파형의 일례는 도 8에 있어서 각각 파형(W2,W3,W4,W5)으로 나타내어진다. 통상 파형(W2), 통상 파형(W3), 통상 파형(W4)으로 나타내듯이, 흡착 노즐(54)이 하강함에 따라서(전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리가 짧아짐에 따라서), 흡인을 개시하고나서 상기 두번째의 상승점에 이르기까지의 경과 시간이 점차 짧아진다. 또한 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 접촉한 상태(도 7(F)에 나타내는 상태)에서는 흡인을 개시한 시점에서 이미 흡착 노즐(54)의 하단부의 흡인구가 전자부품(E1)에 의해 막혀져 있으므로, 도 8의 통상 파형(W5)으로 나타내듯이, S12의 처리에서 측정되는 부압은 최초의 상승점으로부터 도 8의 그래프 상에서 곡선을 그리면서 진공상태의 압력값에 수속되는 형태로 상승한다.When the height position of the
도 6에 나타내는 플로우챠트의 계속을 설명한다. S24에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 기억부(73)에 기억되어 있는 기준 파형 및 복수의 통상 파형의 데이터를 기억부(73)로부터 판독한다(판독 처리의 일례). 다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 복수의 통상 파형에 대해서 기준 파형과의 차분을 취한 차분 파형을 산출한다(S26, 차분 파형 산출 처리의 일례). 여기에서, 도 8에 나타내는 통상 파형(W1,W2,W3,W4,W5)에 관한 차분 파형은 각각 도 9의 D1, D2, D3, D4, D5로 나타내어진다. 도 9의 가로축은 도 8의 가로축과 동일하다. 도 9의 세로축은 압력의 차분을 나타내고 있고, 그래프의 상측으로 갈수록 기준 파형(W0)과의 압력의 차분이 큰 것으로 된다.Continuation of the flow chart shown in Fig. 6 will be described. In S24, the
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S26에서 산출한 차분 파형에 대해서 흡인을 개시하고나서 부압의 크기의 차분이 소정의 역치가 될 때까지의 경과 시간을 산출한다(S28, 경과 시간 산출 처리의 일례). 도 9에 나타내는 예에서는 상기 역치를 TH1로 나타낸다. 이 역치(TH1)는 각 차분 파형(D1,D2,D3,D4,D5)의 상승점 근방의 파형의 영향을 배제하기 위한 것이고, 평가시험에 의거하여 미리 설정된다. 또, 도 9에 있어서의 T1, T2, T3, T4, T5는 각각 각 차분 파형(D1,D2,D3,D4,D5)에 관한 상기 경과 시간을 나타낸다.Next, the
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 복수의 차분 파형을 겹친 경우에 인접하는 2개의 차분 파형(도 9에 나타내는 인접하는 2개의 차분 파형)에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출한다(S30, 시간차 산출 처리의 일례). 도 9의 그래프에서는 차분 파형(D1)과 차분 파형(D2)의 경과 시간의 차는 T1-T2로 나타내어지고, 차분 파형(D2)과 차분 파형(D3)의 경과 시간의 차는 T2-T3으로 나타내어지고, 차분 파형(D3)과 차분 파형(D4)의 경과 시간의 차는 T3-T4로 나타내어지고, 차분 파형(D4)과 차분 파형(D5)의 경과 시간의 차는 T4-T5로 나타내어진다.Next, the
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S30에서 산출한 경과 시간의 차가 제 1 소정값인지의 여부를 판단한다(S32). 이 제 1 소정값은 경과 시간의 차가 충분히 작은 것이라고 간주할 수 있는 값이며, 평가시험에 의거하여 미리 설정되며, 예를 들면 5밀리초이다. 따라서, S30에서 산출된 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라는 것은 그 경과 시간의 차가 산출된 2개의 경과 시간이 거의 같은 것을 의미한다. 제어부(70)는 S32에서 경과 시간의 차가 제 1 소정값이라고 판단하면(S32:YES), S34로 이행한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S32에서 경과 시간의 차가 제 1 소정값이 아니라고 판단하면(S32:NO), S16으로 되돌아간다.Next, the
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S34에서는 S32에서 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라고 판단한 2개의 차분 파형 중, 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 차분 파형에 대해서 그 차분 파형에 관한 상기 경과 시간이 제 3 소정값이하인지의 여부를 판단한다. 이 제 3 소정값은 정수이며, 표면 실장기(1)마다 평가시험에 의거하여 미리 설정된다.The
제 3 소정값은 예를 들면 도 8에 있어서, 기준 파형(W0)과 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 접촉한 상태에 있을 때에 관측된 통상 파형(W5)의 분기점(J1)에 흡착 높이 위치를 결정하기 위해서 필요한 허용 시간을 추가한 것이다. 또, 기준 파형(W0)과 통상 파형(W5)은 모두 전자부품(E1)의 유무에 관계 없이 관측할 수 있다. 즉 통상 파형(W5)은 예를 들면 작업자가 흡착 노즐(54)의 선단부(54A)의 흡인구를 막은 상태에서, 압력 센서(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측함으로써 얻을 수 있다.8, for example, the third predetermined value is set to a value obtained by multiplying the branch point J1 of the normal waveform W5 observed when the reference waveform W0 and the
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S34에서 경과 시간이 제 3 소정값이하라고 판단하면(S34:YES), 제 3 소정값이하로 된 경과 시간이 산출된 차분 파형과 대응하는 통상 파형에 대해서 그 통상 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정하고(S36), 흡착 높이 위치 검출 처리를 종료한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S34에서 경과 시간이 제 3 소정값이하가 아니라고 판단하면(S34:NO), S16으로 되돌아간다. 또, 제어부(70)가 S24부터 S36에서 실행하는 처리는 결정 처리의 일례이다.When the elapsed time is judged to be equal to the third predetermined value in S34 (S34: YES), the
여기에서 본 실시형태에서는 상술한 각 경과 시간의 차 중, T3-T4 및 T4-T5만이 제 1 소정값이하인 것으로 하고, 도 9의 부호 TS3으로 나타내는 시점을 제 3 소정값으로 한다. 따라서, 본 실시형태에서는 S30의 처리에서 산출한 경과 시간의 차가 T1-T2, T2-T3 중 어느 하나인 경우, S32에서는 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 아니라고 판단한다(S32:NO).Here, in the present embodiment, only T3-T4 and T4-T5 among the differences between the elapsed times described above are assumed to be equal to or less than the first predetermined value, and the time indicated by the symbol TS3 in Fig. 9 is set as the third predetermined value. Therefore, in the present embodiment, when the difference between elapsed times calculated in S30 is any one of T1-T2 and T2-T3, it is determined in S32 that the difference in elapsed time is not equal to or less than the first predetermined value (S32: NO).
또 본 실시형태에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S30의 처리에서 산출한 경과 시간의 차가 T3-T4인 경우, S32에서는 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라고 판단하고(S32:YES), S34에서는 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 차분 파형, 즉 차분 파형(D3)에 관한 상기 경과 시간(T3)이 제 3 소정값(TS3)이하가 아니라고 판단한다(S34:NO).In the present embodiment, when the difference between the elapsed times calculated in S30 is T3-T4, the
또 본 실시형태에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S30의 처리에서 산출한 경과 시간의 차가 T4-T5인 경우, S32에서는 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라고 판단하고(S32:YES), S34에서는 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 차분 파형, 즉 차분 파형(D4)에 관한 상기 경과 시간(T4)이 제 3 소정값(TS3)이하라고 판단한다(S34:YES). 그리고, 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S36에서는 제 3 소정값(TS3)이하로 된 경과 시간(T4)이 산출된 차분 파형(D4)과 대응하는 통상 파형(W4)에 대해서 그 통상 파형(W4)이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치, 즉 도 7(E)에서 나타내는 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정한다.In the present embodiment, when the difference between the elapsed times calculated in S30 is T4-T5, the
이상과 같이 해서 여러개의 흡착 노즐(54)마다 각종 전자부품(E1)에 관한 최적의 흡착 높이 위치가 검출된다. 또, 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 접촉한 상태에 있을 때의 높이 위치(통상 파형(W5)이 관측되는 높이 위치)를 최적의 흡착 높이 위치로 하지 않는 것은 흡착 노즐(54)을 하강시켜 감으로써 흡착 노즐(54)을 전자부품(E1)에 접촉시키면, 흡착 노즐(54)의 선단부(54A)가 전자부품(E1)에 과도하게 간섭하는 일이 있을 수 있기 때문이며, 이 경우, 전자부품(E1) 또는 흡착 노즐(54)이 손상될 우려가 있으므로 최적의 흡착 높이 위치라고는 할 수 없기 때문이다.As described above, the optimum adsorption height position for each of the various electronic components E1 is detected for each of the plurality of
(실시형태 1의 효과)(Effect of Embodiment 1)
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 부압의 크기의 시간변화를 기준 파형 및 통상 파형으로서 관측하고, 기준 파형 및 통상 파형으로부터 차분 파형을 산출한다. 여기에서, 통상 파형 및 차분 파형은 흡착 노즐(54)에 전자부품(E1)이 흡착되었을 때의 구배의 변화점(두번째의 상승점)에 있어서 파형이 완만하게 변화되므로 변화점을 정밀도 좋게 검출하는 것이 어렵다. 이에 대해서 본 실시형태에서는 판독한 기준 파형 및 통상 파형으로부터 차분 파형을 산출하고, 차분 파형에 대해서 소정의 역치(TH1)가 될 때까지의 경과 시간의 차를 산출함으로써 상기 변화점 근방의 파형의 영향을 배제할 수 있다. 또한 상기 경과 시간의 차는 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리가 작아질수록 작아지는 경향이 있다. 이 때문에, 산출된 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 될 때의 한쪽의 차분 파형에 대응하는 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리에 의거하여 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the temporal change of the magnitude of the negative pressure is observed as the reference waveform and the normal waveform, and the differential waveform is calculated from the reference waveform and the normal waveform. Here, the normal waveform and the differential waveform gradually change in waveform at the change point (second rising point) of the gradient when the electronic component E1 is adsorbed to the
이와 같이 본 실시형태에서는 흡착 노즐(54)에 의한 흡인에 의해 전자부품(E1)이 부상해서 흡착 노즐(54)에 흡착될 때의 부압의 크기의 시간변화의 특성에 착안함으로써 여러가지 전자부품(E1)에 대해서 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.As described above, in this embodiment, attention is paid to the characteristic of the time variation of the negative pressure when the electronic component E1 floats and is sucked to the
또 본 실시형태에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 상기 한쪽의 차분 파형에 관한 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에, 흡착 높이 위치를 결정한다. 여기에서, S26의 처리에서 산출되는 인접하는 2개의 상기 차분 파형에서는 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리의 변화폭에 따라서는 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)으로부터 떨어져 있는 경우이어도, 또한 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에 흡착 높이 위치를 결정하므로, 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)으로부터 떨어져 있음에도 불구하고 흡착 높이 위치가 결정되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 보다 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.In the present embodiment, the
또 본 실시형태에서는 제어부(70)에 외부로부터의 입력을 접수하는 입력부(79)가 접속되어 있다. 그리고, 제어부(70)는 입력부(79)가 입력을 접수함으로써 흡착 높이 위치 검출 처리를 실행한다. 이 때문에, 입력부(79)가 작업자로부터의 입력을 접수함으로써 작업자의 의사에 의거하여 흡착 높이 위치 검출 처리를 개시할 수 있다.In the present embodiment, an
(실시형태 1의 변형예)(Modification of Embodiment 1)
계속해서 실시형태 1의 변형예에 대해서 설명한다. 이 변형예에서는 실시형태 1에서 설명한 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서, 각 파형을 관측하는 처리를 흡착 노즐(54)을 하강시키는 거리를 등간격으로 변경해서 복수회 실행한다. 또한 본 변형예에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S34의 처리를 실행하지 않고, S32에서 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라고 판단하면(S32:YES), S36으로 이행한다. 즉 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S32에서 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하라고 판단하면(S32:YES), 상기 한쪽의 차분 파형과 대응하는 통상 파형에 대해서 그 통상 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정한다.Subsequently, a modification of the first embodiment will be described. In this modified example, in the suction height position detection process described in the first embodiment, the process of observing each waveform is executed a plurality of times by changing the distance by which the
본 변형예와 같이 거리를 등간격으로 변경해서 파형을 관측하는 처리를 복수회 실행하면, 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 근접함에 따라서 상기 경과 시간의 차가 작아진다. 이 때문에, 본 변형예에서는 상기 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 되는 경우에, 흡착 높이 위치를 결정하기 위해서 별도 조건(예를 들면 상기 제 3 소정값이하인지의 여부)을 설정하지 않아도, 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다. 이 때문에, 보다 간단한 결정 방법으로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.If the process of observing the waveform by changing the distance at equal intervals as in the present modification example is performed a plurality of times, the difference between the elapsed times becomes smaller as the
(실시형태 2)(Embodiment 2)
다음에 실시형태 2의 흡착 높이 위치 검출 처리에 대해서 도 10에 나타내는 플로우챠트를 참조해서 설명한다. 본 실시형태의 흡착 높이 위치 검출 처리에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 우선, 전자부품(E1)이 흡착되는 위치까지 흡착 노즐(54)을 하강시킨다(S110). 여기에서 말하는 전자부품(E1)이 흡착되는 위치란, 예를 들면 도 7(B)에서 나타내는 위치를 말한다.Next, the suction height position detecting process of the second embodiment will be described with reference to a flowchart shown in Fig. In the suction height position detection processing of the present embodiment, the
다음에 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인을 개시하고, 소정 시간(예를 들면 수초 정도) 경과후에 흡인을 종료한다. 또한 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 상기 소정 시간 동안에 압력 센서(60)에서 측정되는 부압의 크기의 시간변화를 관측하고(S112), 관측된 상기 시간변화를 파형으로서 기억부(73)에 기억시킨다(S114).Next, the
여기에서, S114의 처리에 있어서 기억부(73)에 기억되는 시간변화의 파형의 일례를, 도 11의 그래프에 있어서 파형(W11)으로 나타낸다. 도 11의 가로축은 시간축이며, 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인이 개시된 시점, 즉 제어부(70)에 의해 밸브(62)가 개방상태로 된 시점을 0으로 하고 있다. 도 11의 세로축은 압력, 즉 압력 센서(60)로부터 전압값으로서 출력되는 부압의 크기를 나타내고 있고, 그래프의 상측으로 갈수록 부압이 큰(흡인로(56) 내의 진공도가 높은) 것으로 된다.Here, an example of the waveform of the time change stored in the
전자부품(E1)이 흡착되는 위치에 흡착 노즐(54)이 있는 경우, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인을 개시한 후, 흡착 노즐(54)에 의한 흡인에 의해 전자부품(E1)이 적재면으로부터 부상하고, 전자부품(E1)의 상면이 흡착 노즐(54)의 하단부에 흡착된다. 이 때문에, 도 11에 나타내는 파형(W11)은 최초에 상승하고나서(최초의 상승점(TA0)) 부압 발생부(64)에서 발생되는 부압의 압력값(P0)과 같아질 때까지 상승한 후, 적재면으로부터 부상한 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착될 때까지의 동안은 일정값을 나타내고, 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착된 시점(TA11)에서 다시 상승하고(구배의 변화점, 두번째의 상승점), 상기 소정 시간이 경과할 때까지의 동안, 도 11의 그래프 상에서 곡선을 그리면서 진공상태의 압력값을 향해서 상승한다.When the
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S114의 처리가 종료되면, 미산출의 경과 시간의 차를 산출 가능한지의 여부를 판단한다(S116). 여기에서 말하는 경과 시간의 차는 후술하는 처리에 있어서 산출되는 것이며, 후술하는 2개의 미분 파형에 의거하여 산출되는 것이다. 따라서, 경과 시간의 차가 산출되어 있지 않은 적어도 2개의 미분 파형이 기억부(73)에 기억되어 있는 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 미산출의 경과 시간의 차를 산출가능하다고 판단하고(S116:YES), S120으로 이행한다. 한편, 경과 시간의 차가 산출되어 있지 않은 적어도 2개의 미분 파형이 기억부(73)에 기억되어 있지 않은 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 미산출의 경과 시간의 차를 산출가능하지 않라고 판단하고(S116:NO), S118로 이행한다.The
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S118에서는 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 더 하강시키고, S112로 되돌아간다. 예를 들면 흡착 노즐(54)이 도 7(B)에 나타내는 위치에 있는 경우, 제어부(70)는 S116에서는 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 도 7(B)에 나타내는 위치로부터 도 7(C)에 나타내는 위치로 더 하강시킨다. 그 후에 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 상술한 S112, S114의 처리를 순차 실행하고, 다시 S116으로 이행한다. 이렇게 S112부터 S116의 처리는 전자부품(E1)과 흡착 노즐(54) 사이의 거리를 변경해서 복수회 실행된다. 또, 제어부(70)의 관측 처리부(76)가 S110에서 실행하는 처리, 및 S112부터 S116에서 실행하는 처리는 관측 처리의 일례이다.The
흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(C)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(D)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(E)에 나타내는 위치인 경우, 도 7(F)에 나타내는 위치인 경우에 기억부(73)에 기억되는 파형의 일례는 도 11에 있어서, 각각 파형(W12,W13,W14,W15)으로 나타내어진다. 각 파형(W12,W13,W14,W15)의 변화의 형태는 실시형태 1에서 설명한 통상 파형(W2,W3,W4,W5)의 변화의 형태와 동일하다. 또, 도 11에 있어서의 부호 TA12, TA13, TA14, TA15는 각 파형(W12,W13,W14,W15)의 두번째의 상승점을 나타낸다.When the height position of the
도 10에 나타내는 플로우챠트의 계속을 설명한다. S120에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 기억부(73)에 기억되어 있는 각 파형의 데이터를 기억부(73)로부터 판독한다(판독 처리의 일례). 다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 복수의 파형을 각각 미분한 미분 파형을 산출한다(S122, 미분 파형 산출 처리의 일례). 여기에서, 도 12의 그래프에서는 상기 각 파형(W12,W13,W14,W15)에 관한 각 미분 파형을 겹친 것을 나타내고 있다. 도 12의 가로축은 도 11의 가로축과 동일하다. 도 12의 세로축은 압력의 변화, 즉 도 11에 있어서의 각 파형(W12,W13,W14,W15)의 경사의 크기를 나타내고 있고, 그래프의 상측으로 갈수록 압력의 변화가 큰 것으로 된다.Continuation of the flow chart shown in Fig. 10 will be described. In S120, the
따라서, 도 12에 있어서의 최초의 피크(PK10)는 도 11에 있어서의 각 파형(W11,W12,W13,W14,W15)의 최초의 상승점(TA10)과 대응하고 있고, 도 12에 있어서의 각 피크(PK11,PK12,PK13,PK14,PK15)는 2회째의 피크이며, 도 11에 있어서의 각 파형(W11,W12,W13,W14,W15)의 두번째의 상승점(TA11,TA12,TA13,TA14,TA15)과 대응하고 있다.Therefore, the first peak PK10 in Fig. 12 corresponds to the first rising point TA10 of each of the waveforms W11, W12, W13, W14 and W15 in Fig. 11, The peaks PK11, PK12, PK13, PK14 and PK15 are the second peaks and the second rising points TA11, TA12, TA13, and TA13 of the waveforms W11, W12, W13, W14, TA14, TA15).
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S122에서 산출한 미분 파형에 대해서 흡인을 개시하고나서 부압의 크기에 관한 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출한다(S124, 경과 시간 산출 처리의 일례). S124의 처리에서 산출되는 경과 시간은 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인을 개시하고나서 흡착 노즐(54)에 전자부품(E1)이 흡착될 때까지의 시간과 같다.Next, the
또, 도 12에 있어서의 T11, T12, T13, T14, T15는 각각 각 미분 파형에 관한 상기 경과 시간을 나타내고 있고, 각 미분 파형에 대해서 2회째의 피크(PK11,PK12,PK13,PK14,PK15)가 발생한 시점과 대응하고 있다. 이렇게 미분 파형으로부터 상기 경과 시간을 산출하는 것은 미분을 행하기 전의 상기 파형에서는 두번째의 상승점이 완만하게 상승하므로 두번째의 상승점을 정밀도 좋게 검출하는 것이 어려운 것에 대해, 미분 파형에서는 두번째의 상승점이 피크로서 나타나므로 두번째의 상승점을 정밀도 좋게 검출할 수 있기 때문이다.12 shows the elapsed time of each differential waveform and T11, T12, T13, T14 and T15 represent the elapsed time of each differential waveform. The second peak (PK11, PK12, PK13, PK14, PK15) And the like. In calculating the elapsed time from the differential waveform, it is difficult to accurately detect the second rising point because the second rising point gently rises in the waveform before differential operation. On the other hand, in the differential waveform, the second rising point is a peak This is because the second rising point can be detected with high precision.
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 복수의 미분 파형을 겹친 경우에 상기 경과 시간이 근접하는 2개의 미분 파형(도 12에 있어서 2회째의 피크가 근접하는 2개의 미분 파형)에 대해서 경과 시간의 차를 산출한다(S126, 시간차 산출 처리의 일례). 도 12의 그래프에서는 각 미분 파형에 관한 경과 시간의 차는 각각 T11-T12, T12-T13, T13-T14, T14-T15로 나타내어진다.Next, when a plurality of differentiated waveforms are overlapped, the
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S126에서 산출한 경과 시간의 차가 제 2 소정값인지의 여부를 판단한다(S128). 이 제 2 소정값은 경과 시간의 차가 충분히 작은 것이라고 간주할 수 있는 값이며, 평가시험에 의거하여 미리 설정되고, 예를 들면 5밀리초이다. 따라서, S126에서 산출된 경과 시간의 차가 제 2 소정값이하다라는 것은 그 경과 시간의 차가 산출된 2개의 경과 시간이 거의 같은 것을 의미한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S128에서 경과 시간의 차가 제 2 소정값이라고 판단하면(S128:YES), S130으로 이행한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S128에서 경과 시간의 차가 제 2 소정값이 아니라고 판단하면(S128:NO), S118로 되돌아간다.Next, the
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S130에서는 S128에서 경과 시간의 차가 제 2 소정값이하라고 판단한 2개의 미분 파형 중, 경과 시간이 상대적으로 큰 한쪽의 미분 파형에 대해서 그 미분 파형에 관한 상기 경과 시간이 제 3 소정값이하인지의 여부를 판단한다. 이 제 3 소정값은 실시형태 1에서 설명한 것과 동일하다.The
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S130에서 경과 시간이 제 3 소정값이하라고 판단하면(S130:YES), 제 3 소정값이하로 된 경과 시간이 산출된 미분 파형과 대응하는 파형에 대해서 그 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정하고(S132), 흡착 높이 위치 검출 처리를 종료한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S130에서 경과 시간이 제 3 소정값이하가 아니라고 판단하면(S130:NO), S118로 되돌아간다. 또, 제어부(70)의 결정 처리부(77)가 S120부터 S132에서 실행하는 처리는 결정 처리의 일례이다.If it is determined in step S130 that the elapsed time is equal to the third predetermined value (S130: YES), the
(실시형태 2의 효과)(Effect of Second Embodiment)
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 부압의 크기의 시간변화를 파형으로서 관측하고, 관측한 파형으로부터 미분 파형을 산출한다. 그리고, 산출된 미분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출한다. 이 때문에, 흡착 노즐(54)에 전자부품(E1)이 흡착되었을 때의 변화점 근방의 파형의 영향을 배제할 수 있다. 또한, 실시형태 1과 같이 기준 파형을 산출하지 않고 상기 미분 파형을 산출하고, 산출된 미분 파형의 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출한다. 여기에서, 도 12에 나타내듯이, 2회째의 피크가 발생한 시점은 1점으로 정해지므로 2회째의 피크가 발생한 시점을 보는 것에 의해 상기 경과 시간을 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 그리고, 인접하는 2개의 미분 파형으로부터 경과 시간의 차를 산출함으로써 파형의 관측에 대해서 적은 횟수로 흡착 높이 위치를 검출할 수 있다. 이렇게 본 실시형태에서는 흡착 높이 위치 검출 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.As described above, in the present embodiment, temporal change of the magnitude of the negative pressure is observed as a waveform, and the differential waveform is calculated from the observed waveform. Then, the difference between the elapsed times is calculated for the calculated differential waveform. Therefore, the influence of the waveform near the change point when the electronic component E1 is adsorbed to the
(실시형태 3)(Embodiment 3)
다음에 실시형태 3의 흡착 높이 위치 검출 처리에 대해서 도 13에 나타내는 플로우챠트를 참조해서 설명한다. 본 실시형태의 흡착 높이 위치 검출 처리에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 우선, 도 13에 나타내는 S210, S212, S214의 처리를 순차 실행한다. 이 S210, S212, S214의 처리는 실시형태 2에 있어서의 S110, S112, S114(도 10 참조)의 처리와 동일한 처리이기 때문에 설명을 생략한다.Next, the suction height position detecting process of the third embodiment will be described with reference to a flowchart shown in Fig. In the suction height position detection process of the present embodiment, the
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S214의 처리가 종료되면, 근사 함수를 산출할 수 있는지의 여부를 판단한다(S216). 여기에서 말하는 근사 함수는 후술하는 처리에 있어서 산출되는 것이며, 적어도 3개의 파형에 의거하여 산출되는 것이다. 따라서, 적어도 3개의 파형이 기억부(73)에 기억되어 있는 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 근사 함수를 산출가능하다고 판단하고(S216:YES), S220으로 이행한다. 한편, 적어도 3개의 파형이 기억부(73)에 기억되어 있지 않은 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 근사 함수를 산출가능하지 않다고 판단하고(S216:NO), S218로 이행한다.The
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S218에서는 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 더 하강시키고, S212로 되돌아간다. 예를 들면 흡착 노즐(54)이 도 7(B)에 나타내는 위치에 있는 경우, 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S218에서는 흡착 노즐의 높이 위치를 도 7(B)에 나타내는 위치로부터 도 7(C)에 나타내는 위치로 더 하강시킨다. 그 후에 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 상술한 S212, S214의 처리를 순차 실행하고, 다시 S216으로 이행한다. 또, 제어부(70)의 관측 처리부(76)가 S210에서 실행하는 처리, 및 S212부터 S216에서 실행하는 처리는 관측 처리의 일례이다.The
도 14에 나타내는 파형(W21,W22,W23)은 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 순차 하강시켜서 부압의 크기의 시간변화를 3회 관측했을 경우의 기억부(73)에 기억되는 각 파형의 일례를 나타낸 것이다. 각 파형의 변화의 형태는 실시형태 2에서 설명한 파형(W12,W13,W14,W15)의 변화의 형태와 같다. 또, 도 11에 있어서의 부호 TA21, TA22, TA23은 각 파형(W21,W22,W23)의 두번째의 상승점을 나타낸다.Waveforms W21, W22 and W23 shown in Fig. 14 are examples of the waveforms stored in the
도 13에 나타내는 플로우챠트의 계속을 설명한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 근사 함수를 산출가능하다고 판단하면, S220, S222, S224의 처리를 순차 실행하고, S226으로 이행한다. 이 S220, S222, S224의 처리는 실시형태 2에 있어서의 S120, S122, S124(도 10 참조)의 처리와 같은 처리이기 때문에 설명을 생략한다. 또, 제어부(70)의 결정 처리부(77)가 S220, S222, S224에서 실행하는 처리는 각각 판독 처리의 일례, 미분 파형 산출 처리의 일례, 경과 시간 산출 처리의 일례이다.Continuation of the flow chart shown in Fig. 13 will be described. When the
여기에서, 도 15의 그래프에서는 도 14에 나타내는 각 파형(W21,W22,W23)으로부터 산출된 각 미분 파형을 겹친 것을 나타내고 있다. 도 15의 가로축 및 세로축은 도 12의 가로축 및 세로축과 같다. 도 15에 있어서의 최초의 피크(PK20)는 도 14에 있어서의 각 파형(W21,W22,W23)의 최초의 상승점(TA20)과 대응하고 있고, 도 15에 있어서의 각 피크(PK21,PK22,PK23)는 2회째의 피크이며, 도 14에 있어서의 각 파형(W21,W22,W23)의 두번째의 상승점(TA21,TA22,TA23)과 대응하고 있다. 또한 도 15에 있어서의 T21, T22, T23은 S224의 처리에 있어서 상기 각 미분 파형으로부터 산출되는 경과 시간을 각각 나타내고 있고, 각 미분 파형에 대해서 2회째의 피크(PK21,PK22,PK23)가 발생한 시점과 대응하고 있다.Here, the graph of Fig. 15 shows that the differential waveforms calculated from the waveforms W21, W22 and W23 shown in Fig. 14 are superimposed. The horizontal and vertical axes in FIG. 15 are the same as the horizontal and vertical axes in FIG. The first peak PK20 in Fig. 15 corresponds to the first rising point TA20 of each of the waveforms W21, W22 and W23 in Fig. 14, and the peaks PK21 and PK22 And PK23 correspond to the second rising points TA21, TA22, and TA23 of the waveforms W21, W22, and W23 in FIG. 14, respectively. T21, T22 and T23 in Fig. 15 respectively show the elapsed time calculated from the differential waveforms in the process of S224. When the second peak (PK21, PK22, PK23) is generated for each differential waveform .
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S226에서는 S224의 처리에서 산출되는 각 경과 시간과, 각 경과 시간이 산출된 각 미분 파형과 대응하는 각 파형에 대해서 이들 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치로부터 근사 함수를 산출한다(함수 산출 처리의 일례). 여기에서, 도 16의 그래프는 가로축이 상기 높이 위치를 나타내고 있고, 그래프의 세로축이 상기 경과 시간, 즉 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인을 개시하고나서 흡착 노즐(54)에 전자부품(E1)이 흡착될 때까지의 시간을 나타내고 있다.Next, the
또한 도 16에 나타내는 곡선(W20)은 S226의 처리에 있어서 산출되는 근사 함수의 일례이며, 다음과 같이 산출된다. 즉 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 도 16에 나타내는 그래프 상에 있어서, 상기 3개의 경과 시간(T21,T22,T23)과, 이들 3개의 경과 시간(T21,T22,T23)이 산출된 3개의 미분 파형과 대응하는 3개의 흡착 노즐(54)의 높이 위치에 대응하는 3점 P21, P22, P23을 검출하고, 이들 3점 P21, P22, P23으로부터 산출되는 지수 근사식을 상기 근사 함수로 한다.The curve W20 shown in Fig. 16 is an example of an approximate function calculated in the process of S226, and is calculated as follows. The
다음에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S226에서 산출한 근사 함수에 대해서 상기 경과 시간이 소정의 역치가 될 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치에 의거하여 흡착 높이 위치를 결정하고(S228), 흡착 높이 위치 검출 처리를 종료한다. 도 16에 나타내는 예에서는 상기 역치를 TH2로 나타낸다. 이 역치(TH2)는 0근방의 값으로 미리 설정된다. 도 16에 나타내는 예에서는 곡선(W20) 상에 있어서 역치(TH2)와 대응하는 높이 위치(H1)가 흡착 노즐(54)의 흡착 높이 위치로서 결정된다. 또, 제어부(70)의 결정 처리부(77)가 S220부터 S228에서 실행하는 처리는 결정 처리의 일례이다.Next, the
(실시형태 3의 효과)(Effect of Third Embodiment)
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 상기 경과 시간과 상기 경과 시간이 산출된 미분 파형과 대응하는 거리로부터 근사 함수를 산출하고, 산출된 근사 함수로부터 흡착 높이 위치를 결정한다. 이 근사 함수는 도 16에 나타내듯이, 파형의 관측을 적어도 3회 행함으로써 산출할 수 있다. 이 때문에, 파형의 관측에 대해서 보다 적은 횟수로 흡착 높이 위치를 검출할 수 있고, 흡착 높이 위치 검출 처리에 요하는 시간을 한층 단축할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the
(실시형태 4)(Fourth Embodiment)
다음에 실시형태 4의 흡착 높이 위치 검출 처리를 설명한다. 실시형태 4, 실시형태 5, 실시형태 6에서는 도 17에 나타내듯이, 흡착 노즐(54)에 부압을 발생시키기 위한 구성에 있어서, 압력 센서(60)(도 3 참조) 대신에 유량 센서(측정부의 일례)(360)가 설치되어 있다. 표면 실장기(1)의 그 밖의 구성에 대해서는 실시형태 1과 동일하다. 유량 센서(360)는 흡착 노즐(54) 근방의 흡인로(56) 내를 흐르는 흡기의 유량을 유량값으로서 제어부(70)에 출력한다. 흡인로(56) 내의 부압이 커지면 흡인로(56) 내의 진공도가 높아지고, 흡인로(56) 내를 흐르는 흡기의 유량이 적어지므로, 이렇게 흡인로(56) 내의 유량을 측정함으로써 흡인로(56) 내의 부압의 크기를 간접적으로 측정할 수 있다.Next, the suction height position detecting process of the fourth embodiment will be described. 17, in the fourth embodiment, the fifth embodiment and the sixth embodiment, in the configuration for generating negative pressure in the
본 실시형태에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76) 및 결정 처리부(77)는 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용해서 실시형태 1에서 설명한 흡착 높이 위치 검출 처리와 동일한 처리를 실행한다. 여기에서, 도 18의 그래프는 실시형태 1에 있어서의 도 8의 그래프와 대응하는 그래프이다. 도 18의 가로축은 시간축이며, 흡착 노즐(54)에 의한 전자부품(E1)의 흡인이 개시된 시점, 즉 제어부(70)에 의해 밸브(62)가 개방상태로 된 시점을 0으로 하고 있다. 도 18의 세로축은 유량 센서(360)로부터 출력되는 유량값을 나타내고 있고, 그래프의 하측에 어느 정도 유량이 적은, 즉 부압이 큰(흡인로(56) 내의 진공도가 높은) 것으로 된다.The
도 18에 나타내는 파형(W30)은 도 8에 나타내는 기준 파형(W0)과 대응하는 기준 파형이며, 도 18에 나타내는 파형(W31,W32,W33,W35)은 각각 도 8에 나타내는 통상 파형(W1,W2,W3,W5)과 대응하는 통상 파형이다. 즉 기준 파형(W30)은 흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(A)의 위치에 있을 때에 S12의 처리(도 6 참조)에서 관측되는 파형이며, 통상 파형(W31,W32,W33,W35)은 각각 흡착 노즐(54)의 높이 위치가 도 7(B), 도 7(C), 도 7(D), 도 7(F)의 위치에 있을 때에 S18의 처리(도 6 참조)에서 관측되는 파형이다.Waveforms W31, W32, W33, and W35 shown in Fig. 18 correspond to the reference waveforms W1 and W2 shown in Fig. 8, respectively, W2, W3, W5). That is, the reference waveform W30 is a waveform observed in the process of S12 (see Fig. 6) when the height position of the
도 18의 기준 파형(W30)으로 나타내듯이, 본 실시형태에 있어서 S12의 처리에서 측정되는 유량은 흡착 노즐(54)에 의한 흡인이 개시되는 것과 동시에 크게 상승하고, 유량이 일단 최대 유량이 된 후, 유량이 부압 발생부(64)에서 발생되는 부압의 유량과 같아질 때까지 완만하게 하강하면서 안정되고, 유량이 일정하게 된다. 한편, 기준 파형(W31)은 흡인이 개시되어서 유량이 최대 유량이 된 후, 적재면으로부터 부상한 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착될 때까지의 동안, 완만하게 하강하면서 부압 발생부(64)에서 발생되는 부압의 유량에 가까워져 간다. 그리고, 기준 파형(W31)은 전자부품(E1)이 흡착 노즐(54)에 흡착된 시점(TA1)에서 다시 크게 하강하고(두번째의 하강점), 상기 소정 시간이 경과할 때까지의 동안, 도 8의 그래프 상에서 곡선을 그리면서 진공상태에 있어서의 유량값에 수속되는 형태로 하강한다.As shown by the reference waveform W30 in Fig. 18, the flow rate measured in the process of S12 in the present embodiment is greatly increased at the same time when suction by the
도 19의 그래프는 실시형태 1에 있어서의 도 9의 그래프와 대응하는 그래프이다. 도 19의 가로축은 도 18의 가로축과 동일하다. 도 19의 세로축은 유량의 차분을 나타내고 있고, 그래프의 하측으로 갈수록 기준 파형(W30)과의 유량의 차분이 큰 것으로 된다. 도 19에 나타내는 파형(D31,D32,D33,D35)은 각각 도 9에 나타내는 차분 파형(D1,D2,D3,D5)과 대응하는 통상 파형이다. 또한 도 19에 나타내는 TH3은 도 9에 나타내는 소정의 역치와 대응하는 역치이며, 도 19에 나타내는 시간(T31,T32,T33,T35)은 각각 도 9에 나타내는 경과 시간(T1,T2,T3,T5)과 대응하는 경과 시간이다.The graph of Fig. 19 corresponds to the graph of Fig. 9 in the first embodiment. The horizontal axis of FIG. 19 is the same as the horizontal axis of FIG. The vertical axis in Fig. 19 represents the difference in the flow rate, and the difference in flow rate from the reference waveform W30 becomes larger toward the lower side of the graph. Waveforms D31, D32, D33, and D35 shown in Fig. 19 are normal waveforms corresponding to the differential waveforms D1, D2, D3, and D5 shown in Fig. The time (T31, T32, T33, T35) shown in Fig. 19 corresponds to the elapsed time (T1, T2, T3, T5 ) ≪ / RTI >
따라서 본 실시형태에서는 다음과 같이 해서 흡착 높이 위치가 검출된다. 즉 경과 시간(T31,T32,T33,T35)의 차가 상기 제 1 소정값이하이며, 또한, 경과 시간(T31,T32,T33,T35)의 차가 제 1 소정값이하로 된 2개의 차분 파형 중 한쪽의 차분 파형에 관한 경과 시간이 상기 제 3 소정값이하인 경우, 그 경과 시간이 산출된 차분 파형과 대응하는 통상 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정한다.Therefore, in this embodiment, the suction height position is detected as follows. The difference between the elapsed times T31, T32, T33 and T35 is equal to or smaller than the first predetermined value and the difference between the elapsed times T31, T32, T33 and T35 is equal to or smaller than the first predetermined value, The height position of the
(실시형태 4의 효과)(Effect of Fourth Embodiment)
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 유량을 측정함으로써 부압의 크기를 간접적으로 측정하는 경우이어도 부압의 크기의 시간변화를 기준 파형 및 통상 파형으로서 관측할 수 있고, 기준 파형 및 통상 파형으로부터 차분 파형을 산출할 수 있다. 이 때문에, 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용하면서, 여러가지 전자부품(E1)에 대해서 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.As described above, in the present embodiment, even when the magnitude of the negative pressure is indirectly measured by measuring the flow rate, the time variation of the magnitude of the negative pressure can be observed as the reference waveform and the normal waveform, Can be calculated. Therefore, the suction height position can be determined with high precision for various electronic components E1 while using the
(실시형태 5)(Embodiment 5)
다음에 실시형태 5의 흡착 높이 위치 검출 처리를 설명한다. 본 실시형태에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76) 및 결정 처리부(77)는 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용해서 실시형태 2에서 설명한 흡착 높이 위치 검출 처리와 동일한 처리를 실행한다. 여기에서, 도 20, 도 21의 그래프는 실시형태 2에 있어서의 도 11, 도 12의 그래프와 대응하는 그래프이다.Next, the suction height position detecting process of the fifth embodiment will be described. The
도 20에 나타내는 파형(W41,W42,W43,W45)은 각각 도 11에 나타내는 파형(W11,W12,W13,W15)과 대응하는 파형이다. 또한 도 20에 있어서의 TA41, TA42, TA43, TA45는 각각 각 파형(W41,W42,W43,W45)의 두번째의 하강점을 나타내고 있다. 또한 도 21에 있어서의 각 피크(PK41,PK42,PK43,PK45)는 각 파형(W41,W42,W43,W45)으로부터 산출되는 각 미분 파형에 관한 2회째의 피크를 나타내고 있다. 또한 도 21에 있어서의 T41, T42, T43, T45는 각 미분 파형에 관한 상기 경과 시간을 나타내고 있고, 각 미분 파형에 관한 2회째의 피크(PK41,PK42,PK43,PK45)가 발생한 시점과 대응하고 있다.Waveforms W41, W42, W43 and W45 shown in Fig. 20 correspond to the waveforms W11, W12, W13 and W15 shown in Fig. 11, respectively. TA41, TA42, TA43, and TA45 in FIG. 20 represent the second falling points of the waveforms W41, W42, W43, and W45, respectively. Each of the peaks PK41, PK42, PK43 and PK45 in Fig. 21 represents the second peak relating to the differential waveforms calculated from the waveforms W41, W42, W43 and W45. In addition, T41, T42, T43 and T45 in Fig. 21 represent the elapsed time with respect to each differential waveform, and corresponds to the point in time at which the second peak (PK41, PK42, PK43, PK45) have.
따라서 본 실시형태에서는 다음과 같이 해서 흡착 높이 위치가 검출된다. 즉 경과 시간(T41,T42,T43,T45)의 차가 상기 제 2 소정값이하이며, 또한, 경과 시간(T41,T42,T43,T45)의 차가 제 2 소정값이하로 된 2개의 미분 파형 중 한쪽의 미분 파형에 관한 경과 시간이 상기 제 3 소정값이하인 경우, 그 경과 시간이 산출된 미분 파형과 대응하는 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정한다.Therefore, in this embodiment, the suction height position is detected as follows. The difference between the elapsed times T41, T42, T43 and T45 is less than or equal to the second predetermined value and the difference between the elapsed times T41, T42, T43 and T45 is equal to or less than the second predetermined value. When the elapsed time of the differential waveform of the differential waveform is less than or equal to the third predetermined value, the height position of the
(실시형태 5의 효과)(Effect of Embodiment 5)
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 유량을 측정함으로써 부압의 크기를 간접적으로 측정하는 경우이어도, 부압의 크기의 시간변화를 파형으로서 관측할 수 있고, 관측된 파형으로부터 미분 파형을 산출할 수 있다. 이 때문에, 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용하면서, 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있고, 또한, 흡착 높이 위치 검출 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다.As described above, in the present embodiment, even when the magnitude of the negative pressure is indirectly measured by measuring the flow rate, the temporal change in the magnitude of the negative pressure can be observed as a waveform, and the differential waveform can be calculated from the observed waveform. Therefore, the position of the suction height can be determined with high accuracy while using the
(실시형태 6)(Embodiment 6)
다음에 실시형태 6의 흡착 높이 위치 검출 처리를 설명한다. 본 실시형태에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76) 및 결정 처리부(77)는 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용해서 실시형태 3에서 설명한 흡착 높이 위치 검출 처리와 같은 처리를 실행한다. 여기에서, 도 22, 도 23, 도 24의 그래프는 실시형태 3에 있어서의 도 14, 도 15, 도 16의 그래프와 대응하는 그래프이다. 또, 도 24에서는 가로축과 세로축이 도 16의 것과 반대로 되어 있다.Next, the suction height position detecting process of the sixth embodiment will be described. The
도 22에 나타내는 파형(W51,W52,W53)은 각각 도 14에 나타내는 파형(W21,W22,W23)과 대응하는 파형이다. 또한 도 20에 있어서의 TA51, TA52, TA53은 각각 각 파형(W51,W52,W53)의 두번째의 하강점을 나타내고 있다. 또한 도 23에 있어서의 각 피크(PK51,PK52,PK53)는 각 파형(W51,W52,W53)으로부터 산출되는 각 미분 파형에 관한 2회째의 피크를 나타내고 있다. 또한 도 23에 있어서의 T51, T52, T53은 각 미분 파형에 관한 상기 경과 시간을 나타내고 있고, 각 미분 파형에 관한 2회째의 피크(PK51,PK52,PK53)가 발생한 시점과 대응하고 있다.Waveforms W51, W52 and W53 shown in Fig. 22 correspond to the waveforms W21, W22 and W23 shown in Fig. 14, respectively. TA51, TA52, and TA53 in Fig. 20 represent the second falling points of the waveforms W51, W52, and W53, respectively. Each of the peaks PK51, PK52, and PK53 in Fig. 23 represents the second peak related to each differential waveform that is calculated from each of the waveforms W51, W52, and W53. In addition, T51, T52, and T53 in FIG. 23 represent the elapsed time with respect to each differential waveform, and correspond to the point in time at which the second peak (PK51, PK52, and PK53) of the differential waveform is generated.
도 24에 나타내는 직선 L50은 S226의 처리에 있어서 산출되는 근사 함수의 일례이며, 다음과 같이 산출된다. 즉 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 도 24에 나타내는 그래프 상에 있어서 상기 3개의 경과 시간(T51,T52,T53)과, 이들 3개의 경과 시간(T51,T52,T53)이 산출된 3개의 미분 파형과 대응하는 3개의 흡착 노즐(54)의 높이 위치에 대응하는 3점 P51, P52, P53을 검출하고, 이들 3점 P21, P22, P23으로부터 최소 제곱법을 이용하여 산출되는 직선 근사식을 상기 근사 함수로 한다. 또한 도 24에서는 상기 경과 시간에 관한 소정의 역치를 TH4로 나타낸다. 따라서 본 실시형태에서는 다음과 같이 해서 흡착 높이 위치가 검출된다. 즉 도 24에서 나타내어지는 근사 함수(직선(L50)) 상에 있어서 역치(TH4)와 대응하는 높이 위치(H2)가 흡착 높이 위치로서 결정된다.A straight line L50 shown in Fig. 24 is an example of the approximate function calculated in the process of S226, and is calculated as follows. The
(실시형태 6의 효과)(Effect of Embodiment 6)
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는 유량을 측정함으로써 부압의 크기를 간접적으로 측정할 경우이어도, 부압의 크기의 시간변화를 파형으로서 관측할 수 있고, 관측된 파형으로부터 미분 파형을 산출하고, 또한 미분 파형에 의거하여 근사 함수를 산출할 수 있다. 이 때문에, 압력 센서(60) 대신에 유량 센서(360)를 사용하면서, 높은 정밀도로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있고, 또한, 흡착 높이 위치 검출 처리에 요하는 시간을 한층 단축할 수 있다.As described above, in the present embodiment, even when the magnitude of the negative pressure is indirectly measured by measuring the flow rate, the temporal change of the magnitude of the negative pressure can be observed as a waveform, the differential waveform is calculated from the observed waveform, The approximate function can be calculated based on the waveform. Therefore, the position of the suction height can be determined with high accuracy while using the
(실시형태 7)(Seventh Embodiment)
다음에 실시형태 7의 흡착 높이 위치 검출 처리에 대해서 도 25에 나타내는 플로우챠트를 참조해서 설명한다. 본 실시형태는 흡착 높이 위치 검출 처리의 일부가 실시형태 1의 것과 다르다. 본 실시형태의 흡착 높이 위치 검출 처리에서는 제어부(70)의 관측 처리부(76)는 우선, 도 25에 나타내는 S10, S12, S14, S16, S18, S20의 처리를 순차 실행한다. 이들 처리는 실시형태 1에 있어서의 S10, S12, S14, S16, S18, S20(도 6 참조)의 처리와 동일한 처리이기 때문에 설명을 생략한다.Next, the suction height position detecting process of the seventh embodiment will be described with reference to a flowchart shown in Fig. In the present embodiment, part of the suction height position detection processing is different from that of the first embodiment. In the suction height position detection processing of the present embodiment, the
제어부(70)의 관측 처리부(76)는 S214의 처리가 종료하면, 도 6에 나타내는 S22와 대응하는 처리를 실행하지 않고 S24로 이행한다. 그 후에 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 도 25에 나타내는 S24, S26, S28의 처리를 순차 실행한다. 이들 처리는 실시형태 1에 있어서의 S24, S26, S28(도 6 참조)의 처리와 같은 처리이기 때문에 설명을 생략한다.When the processing of S214 ends, the
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S28의 처리가 실행되면, 도 6에 나타내는 S30, S32와 대응하는 처리를 실행하지 않고 S334로 이행한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S334에서는 S28에서 산출한 경과 시간이 제 3 소정값이하인지의 여부를 판단한다. 이 제 3 소정값은 실시형태 1에서 설명한 것과 동일하며, 표면 실장기(1)마다 평가시험에 의거하여 미리 설정된다.When the processing of S28 is executed, the
제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S334에서 경과 시간이 제 3 소정값이하라고 판단하면(S334:YES), 제 3 소정값이하로 된 경과 시간이 산출된 차분 파형과 대응하는 통상 파형에 대해서 그 통상 파형이 관측되었을 때의 흡착 노즐(54)의 높이 위치를 흡착 높이 위치로서 결정하고(S36), 흡착 높이 위치 검출 처리를 종료한다. 제어부(70)의 결정 처리부(77)는 S334에서 경과 시간이 제 3 소정값이하가 아니라고 판단하면(S334:NO), S16으로 되돌아간다.If it is determined in S334 that the elapsed time is equal to the third predetermined value (S334: YES), the
(실시형태 7의 효과)(Effect of Embodiment 7)
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시형태는 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서 제 1 소정값을 사용한 판단을 실행하지 않고, 제 3 소정값을 사용한 판단만으로 흡착 높이 위치를 결정하는 점에서 실시형태 1과 다르다. 예를 들면 S28에서 산출된 경과 시간이 충분히 작은 경우에는 실시형태 1에 있어서의 「경과 시간의 차」를 산출하지 않더라도, 흡착 노즐(54)이 전자부품(E1)에 근접하고 있는 것으로 간주할 수 있고, 제 3 소정값을 사용한 판단만으로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다. 이렇게 본 실시형태에서는 실시형태 1과 비교해서 간단한 결정 방법으로 흡착 높이 위치를 결정할 수 있다.As described above, the present embodiment is different from the first embodiment in that the suction height position is determined only by the determination using the third predetermined value without performing the determination using the first predetermined value in the suction height position detection processing. For example, when the elapsed time calculated in S28 is sufficiently small, the
(다른 실시형태)(Other Embodiments)
본 명세서에서 개시되는 기술은 상기 기술(旣述) 및 도면에 의해 설명한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 다음과 같은 실시형태도 기술적 범위에 포함된다.The techniques disclosed in the present specification are not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings, and for example, the following embodiments are also included in the technical scope.
(1)상기 각 실시형태에서는 흡착 노즐이 상하로 승강하는 구성을 예시했지만, 흡착 노즐이 상하 방향으로 고정되어 있고, 전자부품이 적재된 적재면이 상하로 승강하는 구성이어도 좋다. 이 경우, 적재면의 높이 위치를 변경함으로써 전자부품과 흡착 노즐 사이의 거리를 바꿀 수 있고, 흡착 높이 위치 결정 처리에서는 각 전자부품에 대해서 최적의 적재면의 높이 위치를 검출할 수 있다.(1) In each of the above embodiments, the suction nozzle is vertically moved up and down. However, the suction nozzle may be fixed in the vertical direction, and the loading surface on which the electronic component is mounted may be moved up and down. In this case, by changing the height position of the mounting surface, the distance between the electronic component and the suction nozzle can be changed. In the suction height positioning process, the optimum height position of the mounting surface can be detected for each electronic component.
(2)상기 각 실시형태에서는 전자부품의 일례로서 블록형상의 전자부품을 예시했지만, 전자부품의 형상이나 사이즈 등은 한정되지 않는다. 전자부품이 오목부나 볼록부를 갖는 구성이어도 좋다. 또한 흡착 노즐에 의해 흡착되는 전자부품의 부위는 전자부품의 상면에 한정되지 않고, 흡착 노즐의 선단부가 밀폐되는 부위를 흡착 부위로 해도 좋다. 예를 들면 흡착 대상으로 되는 부품이 렌즈를 갖는 부품인 경우, 렌즈 부분을 회피한 부위를 흡착 부위로 해도 좋다. 또한 흡착 노즐이 흡착하는 부품은 전자부품에 한정되지 않는다.(2) In each of the above embodiments, a block-shaped electronic component is exemplified as an example of the electronic component, but the shape and size of the electronic component are not limited. The electronic component may have a concave portion or a convex portion. Further, the portion of the electronic component to be adsorbed by the adsorption nozzle is not limited to the upper surface of the electronic component, and a portion where the tip of the adsorption nozzle is hermetically sealed may be the adsorption portion. For example, when the component to be adsorbed is a component having a lens, a site avoiding the lens portion may be the adsorption site. The component to which the suction nozzle sucks is not limited to the electronic component.
(3)상기 각 실시형태에서는 흡착 높이 위치의 검출이 자동운전중의 반송 상태로 실행되는 예, 또는 자동운전의 정지중에 입력부가 흡착 높이 위치의 검출을 개시시키기 위한 입력을 외부로부터 접수함으로써 실행되는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 자동운전의 정지중에 피더형 공급 장치의 각 피더가 교환되었을 때에 흡착 높이 위치의 검출을 실행해도 좋다.(3) In each of the above-described embodiments, the detection of the suction height position is performed in the conveying state during the automatic operation, or the input is performed by accepting from outside the input for starting the detection of the suction height position during the stop of the automatic operation However, the present invention is not limited to this. For example, the suction height position may be detected when each feeder of the feeder-type feeder is replaced during the stop of the automatic operation.
(4)상기 각 실시형태에서는 부품 공급 장치의 일례로서 피더형 공급 장치를 예시했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 트레이 상에 복수의 전자부품이 적재된 트레이형의 부품 공급 장치이어도 좋다.(4) In each of the above-described embodiments, the feeder-type feeder is exemplified as an example of the component feeder, but the invention is not limited thereto. For example, a tray-type part feeding device in which a plurality of electronic parts are stacked on a tray.
(5)상기 각 실시형태에서는 측정부의 일례로서 압력 센서 및 유량 센서를 예시했지만, 흡착부에 있어서의 부압의 크기를 직접적 또는 간접적으로 측정할 수 있는 것이면 좋고, 압력 센서 및 유량 센서에 한정되지 않는다.(5) In each of the above-described embodiments, the pressure sensor and the flow rate sensor are exemplified as an example of the measurement section, but it is not limited to the pressure sensor and the flow rate sensor as long as it can directly or indirectly measure the magnitude of the negative pressure in the absorption section .
(6)상기 각 실시형태 이외에도 표면 실장기의 구성에 대해서는 적당하게 변경가능하다.(6) In addition to the above-described embodiments, the configuration of the surface seal member can be appropriately changed.
(7)상기 실시형태 7에서는 실시형태 1의 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서 제 1 소정값을 사용한 판단을 실행하지 않고, 제 3 소정값을 사용한 판단만으로 흡착 높이 위치를 결정하는 예를 나타냈지만, 실시형태 2의 흡착 높이 위치 검출 처리에 있어서 제 2 소정값을 사용한 판단을 실행하지 않고 제 3 소정값을 사용한 판단만으로 흡착 높이 위치를 결정해도 좋다.(7) In the seventh embodiment, the suction height position is determined only by the determination using the third predetermined value without performing the determination using the first predetermined value in the suction height position detection processing of the first embodiment. However, The suction height position may be determined only by the determination using the third predetermined value without performing the determination using the second predetermined value in the suction height position detection processing of the second embodiment.
이상, 각 실시형태에 대해서 상세하게 설명했지만, 이들은 예시에 지나지 않고, 청구범위를 한정하는 것은 아니다. 청구범위에 기재된 기술에는 이상에 예시한 구체예를 여러가지로 변형, 변경한 것이 포함된다.While the embodiments have been described in detail above, they are merely illustrative and do not limit the scope of the claims. The techniques described in the claims include various modifications and variations of the embodiments described above.
1…표면 실장기
10…기대
20…반송 컨베이어(기판 반송 장치)
30…부품 실장 장치
32…헤드 유닛
38X…X축 서보모터
38Y…Y축 서보모터
38Z…Z축 서보모터(승강부)
38R…R축 서보모터
40…피더형 공급 장치(부품 공급 장치)
42…피더
52…실장 헤드
54…흡착 노즐(흡착부)
56…흡인로
60…압력 센서(측정부)
62…밸브
64…부압 발생부
70…제어부
73…기억부
76…관측 처리부
77…결정 처리부
79…입력부
360…유량 센서(측정부)
C1…기판 인식 카메라
C2…부품 인식 카메라
D1∼D5, D31∼D35…차분 파형
DS1∼DS5…(전자부품과 흡착 노즐 사이의) 거리
E1…전자부품
P1…프린트 기판
PK21∼23, PK41∼43, PK51∼53…2회째의 피크
T1∼T5, T11∼T15, T21∼T23, T31∼T35, T41∼T45, T51∼T53…경과 시간
TH1, TH2, TH3, TH4…역치
W0, W30…기준 파형
W1∼W5, W31∼W35…통상 파형
W20, L50…근사 함수One… Surface seal
10 ... Expectation
20 ... Conveying conveyor (substrate conveying device)
30 ... Component mounting device
32 ... Head unit
38X ... X axis servo motor
38Y ... Y axis servo motor
38Z ... Z axis Servo motor (Up and down part)
38R ... R axis servo motor
40 ... Feeder type feeder (parts feeder)
42 ... Feeder
52 ... Mounting head
54 ... The adsorption nozzle (adsorption section)
56 ... By suction
60 ... Pressure sensor (measuring part)
62 ... valve
64 ... The negative-
70 ... The control unit
73 ... The storage unit
76 ... The observation processing section
77 ... The decision-
79 ... Input
360 ... Flow sensor (measuring part)
C1 ... Substrate recognition camera
C2 ... Part-recognition camera
D1 to D5, D31 to D35 ... Differential waveform
DS1 to DS5 ... (Between the electronic component and the suction nozzle)
E1 ... Electronic parts
P1 ... Printed board
PK 21 to 23, PK 41 to 43, PK 51 to 53 ... The second peak
T1 to T5, T11 to T15, T21 to T23, T31 to T35, T41 to T45, T51 to T53, Elapsed time
TH1, TH2, TH3, TH4 ... Threshold
W0, W30 ... Reference waveform
W1 to W5, W31 to W35 ... Typical waveform
W20, L50 ... Approximate function
Claims (20)
상기 흡착부에 있어서의 상기 부압의 크기를 측정하는 측정부와,
상기 흡착부와 상기 측정부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 흡착부에서 상기 부품을 흡인함과 아울러 그 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 상기 측정부에서 측정되는 상기 부압의 크기의 시간변화를 관측하는 관측 처리를 실행하는 관측 처리부와, 상기 관측 처리부에서 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 상기 부품을 상기 기판에 실장하기 위해서 그 부품을 상기 흡착부에서 흡착할 때의 흡착 높이 위치를 결정하는 결정 처리를 실행하는 결정 처리부를 갖고,
상기 관측 처리부는 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 그 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 변경해서 상기 관측 처리를 복수회 실행하는 부품 실장 장치.And a suction unit for sucking the component by suctioning the component from the upper side by a negative pressure, wherein the component sucked by the suction unit is mounted on a substrate,
A measurement unit for measuring a magnitude of the negative pressure in the adsorption unit;
And a control unit for controlling the adsorption unit and the measurement unit,
The control unit performs an observation process of observing a time change in the magnitude of the negative pressure measured by the measurement unit during the time from when the component is sucked by the adsorption unit to when the suction is terminated after the component starts to be sucked A determination process of determining an adsorption height position when the component is adsorbed by the adsorption section in order to mount the component on the substrate based on a temporal change in the magnitude of the negative pressure observed by the observation processing section; And a determination processing unit
Wherein the observation processing section changes the distance between the component and the adsorption section when the suction of the component starts, and executes the observation process a plurality of times.
기억부를 구비하고,
상기 관측 처리부는, 상기 관측 처리에서는 상기 흡착부에서 상기 부품의 흡인을 개시하고나서 소정 시간 경과후에 흡인을 종료함과 아울러, 상기 소정 시간 동안에 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화를 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고,
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는 상기 기억부에 기억된 복수의 상기 파형 중 하나의 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.The method according to claim 1,
And a storage unit,
Wherein the observation processing unit terminates the suction after a lapse of a predetermined time from the start of the suction of the component by the suction unit in the observation process and changes the time variation of the magnitude of the negative pressure observed during the predetermined period of time as a waveform Remember,
Wherein the determination processing unit determines the suction height position based on a distance between the component corresponding to one of the plurality of waveforms stored in the storage unit and the suction unit in the determination process.
상기 관측 처리부는, 복수회 실행하는 상기 관측 처리 중 1회의 관측 처리에서는 상기 거리를 상기 소정 시간 동안에 상기 부품이 상기 흡착부에 흡착되지 않는 거리로 해서 실행함과 아울러 상기 파형을 기준 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고, 다른 회의 관측 처리에서는 상기 파형을 통상 파형으로서 상기 기억부에 기억시키고,
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는,
상기 기준 파형과 상기 통상 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와,
상기 통상 파형에 대해서 상기 기준 파형과의 차분을 취한 파형을 차분 파형으로서 산출하는 차분 파형 산출 처리와,
상기 차분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기의 차분이 소정의 역치가 될 때까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리를 실행하고,
상기 경과 시간이 산출된 상기 차분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the observation processing unit executes the observation process in a single observation process performed a plurality of times as a distance such that the component is not adsorbed to the adsorption unit during the predetermined time, And in the other observation observation process, the waveform is stored in the storage section as a normal waveform,
The determination processing unit, in the determination processing,
Read processing for reading the reference waveform and the normal waveform from the storage section,
A differential waveform calculating process for calculating a waveform having a difference from the reference waveform with respect to the normal waveform as a differential waveform;
An elapsed time calculating process for calculating the elapsed time from the start of the suction for the differential waveform until the difference in magnitude of the negative pressure becomes a predetermined threshold value,
And the suction height position is determined based on a distance between the part corresponding to the differential waveform calculated by the elapsed time and the suction part.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는,
복수의 상기 차분 파형을 겹친 경우에 인접하는 2개의 상기 차분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출하는 시간차 산출 처리를 실행하고,
상기 경과 시간의 차가 제 1 소정값이하가 되는 2개의 상기 차분 파형 중, 상기 경과 시간이 큰 한쪽의 차분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.The method of claim 3,
The determination processing unit, in the determination processing,
Calculating a difference between the elapsed times of two adjacent differential waveforms when a plurality of the differential waveforms are overlapped,
The absorption height position is determined on the basis of the distance between the part corresponding to one of the differential waveforms having the elapsed time and the suction part, out of the two differential waveforms in which the difference between the elapsed times is equal to or less than the first predetermined value Component mounting device.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는,
복수의 상기 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와,
상기 파형을 미분한 미분 파형을 산출하는 미분 파형 산출 처리와,
상기 미분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기에 관한 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리를 실행하고,
상기 경과 시간이 산출된 상기 미분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.3. The method of claim 2,
The determination processing unit, in the determination processing,
A reading process of reading a plurality of the waveforms from the storage unit,
A differential waveform calculating process for calculating a differential waveform that is differentiated from the waveform,
An elapsed time calculating process for calculating the elapsed time from the start of the suction to the point of occurrence of the second peak of the negative pressure with respect to the differential waveform,
And the suction height position is determined based on a distance between the part corresponding to the differential waveform calculated in the elapsed time and the suction part.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는,
복수의 상기 미분 파형을 겹친 경우에 상기 경과 시간이 근접하는 2개의 상기 미분 파형에 대해서 상기 경과 시간의 차를 산출하는 시간차 산출 처리를 실행하고,
상기 경과 시간의 차가 제 2 소정값이하가 되는 2개의 상기 미분 파형 중, 상기 경과 시간이 큰 한쪽의 미분 파형에 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.6. The method of claim 5,
The determination processing unit, in the determination processing,
Calculating a difference between the elapsed times of the two differentiated waveforms whose elapsed times are close to each other when a plurality of the differentiated waveforms are overlapped,
The adsorption height position is determined on the basis of the distance between the part corresponding to one differential waveform having the elapsed time of the two differentiated waveforms whose difference in elapsed time is equal to or less than the second predetermined value and the adsorption section Component mounting device.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는 상기 한쪽의 차분 파형에 관한 상기 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에, 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the determination processing unit determines the attraction height position when the elapsed time with respect to the one differential waveform is equal to or less than a third predetermined value in the determination processing.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는 상기 한쪽의 미분 파형에 관한 상기 경과 시간이 제 3 소정값이하인 경우에, 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.The method according to claim 6,
Wherein the determination processing unit determines the attraction height position when the elapsed time with respect to the one differentiated waveform is equal to or less than a third predetermined value in the determination process.
상기 관측 처리부는, 상기 관측 처리를 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 등간격으로 변경해서 복수회 실행하는 부품 실장 장치.The method according to claim 4 or 6,
Wherein the observation processing section executes the observation processing a plurality of times by changing the distance between the component and the adsorption section at equal intervals.
상기 결정 처리부는, 상기 결정 처리에서는,
복수의 상기 파형을 상기 기억부로부터 판독하는 판독 처리와,
상기 파형을 미분한 미분 파형을 산출하는 미분 파형 산출 처리와,
상기 미분 파형에 대해서 상기 흡인을 개시하고나서 상기 부압의 크기에 관한 2회째의 피크가 발생한 시점까지의 경과 시간을 산출하는 경과 시간 산출 처리와,
상기 경과 시간과, 그 경과 시간이 산출된 상기 미분 파형과 대응하는 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리로부터 근사 함수를 산출하는 함수 산출 처리를 실행하고,
상기 근사 함수에 있어서 상기 경과 시간이 소정의 역치가 될 때의 상기 부품과 상기 흡착부 사이의 거리에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 부품 실장 장치.3. The method of claim 2,
The determination processing unit, in the determination processing,
A reading process of reading a plurality of the waveforms from the storage unit,
A differential waveform calculating process for calculating a differential waveform that is differentiated from the waveform,
An elapsed time calculating process of calculating an elapsed time from the start of the suction to the point of time when a second peak occurs with respect to the magnitude of the negative pressure with respect to the differential waveform,
A function calculating process for calculating an approximate function from the elapsed time and a distance between the part and the adsorption unit corresponding to the differential waveform that has been calculated,
Wherein the attraction height position is determined based on a distance between the part and the suction part when the elapsed time becomes a predetermined threshold value in the approximate function.
외부로부터의 입력을 접수하는 입력부를 구비하고,
상기 관측 처리부 및 상기 결정 처리부는 상기 입력부가 입력을 접수함으로써 상기 관측 처리 및 상기 결정 처리를 실행하는 부품 실장 장치.11. The method according to any one of claims 1 to 6 and 10,
And an input unit for receiving input from the outside,
Wherein the observation processing unit and the determination processing unit execute the observation processing and the determination processing by accepting the input of the input unit.
상기 흡착부를 상하로 승강시키는 승강부를 구비하고,
상기 관측 처리부는, 상기 승강부를 제어함으로써 상기 관측 처리를 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 상기 흡착부의 높이를 변경해서 복수회 실행하는 부품 실장 장치.11. The method according to any one of claims 1 to 6 and 10,
And a lifting portion for lifting the adsorption portion up and down,
Wherein the observation processing section executes the observation processing a plurality of times by changing the height of the adsorption section when the suction of the component is started by controlling the elevation section.
상기 부품 실장 장치에 상기 부품을 공급하는 부품 공급 장치와,
상기 기판을 반송방향으로 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 표면 실장기.A component mounting apparatus according to any one of claims 1 to 6 and 10,
A component supply device for supplying the component to the component mounting apparatus,
And a substrate transfer device for transferring the substrate in a transfer direction.
상기 흡착부에서 상기 부품을 흡인함과 아울러 그 부품의 흡인을 개시하고나서 흡인을 종료할 때까지의 동안에 상기 측정부에서 측정되는 상기 부압의 크기의 시간변화를 관측하는 관측 공정과,
상기 흡착 높이 위치를 결정하는 결정 공정을 구비하고,
상기 관측 공정에서는, 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 그 부품과 상기 흡착부 사이의 거리를 변경해서 상기 부압의 크기의 시간변화의 관측을 복수회 실행하고,
상기 결정 공정에서는, 상기 관측 공정에서 관측한 상기 부압의 크기의 시간변화에 의거하여 상기 흡착 높이 위치를 결정하는 흡착 높이 위치의 결정 방법.And a measuring unit for measuring the magnitude of the negative pressure in the adsorption unit, wherein the component adsorbed by the adsorption unit is mounted on a substrate A method for determining an attraction height position for determining a position of an attraction height when the component is attracted by the attraction section to mount the component on the substrate,
An observing step of observing a time change in the magnitude of the negative pressure measured by the measuring unit during a period from sucking the component from the adsorption unit to starting suction of the component from the start of the suction,
And a determining step of determining the position of the adsorption height,
In the observation step, the observation of the time variation of the magnitude of the negative pressure is performed a plurality of times by changing the distance between the component and the adsorption unit when the suction of the component is started,
Wherein the adsorption height position is determined based on a temporal change in the magnitude of the negative pressure observed in the observing step.
외부로부터의 입력을 접수하는 입력부를 구비하고,
상기 관측 처리부 및 상기 결정 처리부는 상기 입력부가 입력을 접수함으로써 상기 관측 처리 및 상기 결정 처리를 실행하는 부품 실장 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
And an input unit for receiving input from the outside,
Wherein the observation processing unit and the determination processing unit execute the observation processing and the determination processing by accepting the input of the input unit.
외부로부터의 입력을 접수하는 입력부를 구비하고,
상기 관측 처리부 및 상기 결정 처리부는 상기 입력부가 입력을 접수함으로써 상기 관측 처리 및 상기 결정 처리를 실행하는 부품 실장 장치.10. The method of claim 9,
And an input unit for receiving input from the outside,
Wherein the observation processing unit and the determination processing unit execute the observation processing and the determination processing by accepting the input of the input unit.
상기 흡착부를 상하로 승강시키는 승강부를 구비하고,
상기 관측 처리부는, 상기 승강부를 제어함으로써 상기 관측 처리를 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 상기 흡착부의 높이를 변경해서 복수회 실행하는 부품 실장 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
And a lifting portion for lifting the adsorption portion up and down,
Wherein the observation processing section executes the observation processing a plurality of times by changing the height of the adsorption section when the suction of the component is started by controlling the elevation section.
상기 흡착부를 상하로 승강시키는 승강부를 구비하고,
상기 관측 처리부는, 상기 승강부를 제어함으로써 상기 관측 처리를 상기 부품의 흡인을 개시할 때의 상기 흡착부의 높이를 변경해서 복수회 실행하는 부품 실장 장치.10. The method of claim 9,
And a lifting portion for lifting the adsorption portion up and down,
Wherein the observation processing section executes the observation processing a plurality of times by changing the height of the adsorption section when the suction of the component is started by controlling the elevation section.
상기 부품 실장 장치에 상기 부품을 공급하는 부품 공급 장치와,
상기 기판을 반송방향으로 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 표면 실장기.A component mounting apparatus according to claim 7 or 8,
A component supply device for supplying the component to the component mounting apparatus,
And a substrate transfer device for transferring the substrate in a transfer direction.
상기 부품 실장 장치에 상기 부품을 공급하는 부품 공급 장치와,
상기 기판을 반송방향으로 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 표면 실장기.A component mounting apparatus according to claim 9,
A component supply device for supplying the component to the component mounting apparatus,
And a substrate transfer device for transferring the substrate in a transfer direction.
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