KR101868316B1 - 반도체 제조용 가스 공급장치 - Google Patents

반도체 제조용 가스 공급장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101868316B1
KR101868316B1 KR1020180048452A KR20180048452A KR101868316B1 KR 101868316 B1 KR101868316 B1 KR 101868316B1 KR 1020180048452 A KR1020180048452 A KR 1020180048452A KR 20180048452 A KR20180048452 A KR 20180048452A KR 101868316 B1 KR101868316 B1 KR 101868316B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
connection pipe
corrosive gas
gas
pipe
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020180048452A
Other languages
English (en)
Inventor
임덕준
Original Assignee
임덕준
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 임덕준 filed Critical 임덕준
Priority to KR1020180048452A priority Critical patent/KR101868316B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101868316B1 publication Critical patent/KR101868316B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조장비로 공급되는 부식성 가스의 누출이 발생될 경우, 이를 신속하게 확인하여 처리함으로써, 부식성 가스의 누출이 확대되어 작업자에게 악영향을 주는 것을 방지할 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 가스 공급장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치는 상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성되며, 상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와, 연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과, 상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와, 상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와, 상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와, 상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과, 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)이 더 구비되어, 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스가 유출된 것이 감지되면, 상기 경보수단(50)이 작동되어 작업자에게 경보를 함과 동시에, 동시에 상기 개폐밸브(12)가 작동되어 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동되어 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 한 후, 상기 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면 상기 흡기제어밸브(11)가 개방되어, 외부의 공기가 연결배관(2)의 내부로 유입된 후 연결배관(2)의 내부에 남은 부식성 가스와 함께 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 하고, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 흡기제어밸브(11)가 밀폐되고 상기 배기펌프(14)의 작동이 정지된다.
따라서, 작업자가 연결배관(2)에서 부식성 가스가 유출될 경우, 자동으로 연결배관(2)의 내부에 남아있는 부식성 가스를 자동적으로 제거함으로써, 작업자가 부식성 가스가 더 이상 유출되지 않는 안전한 상황에서, 연결배관(2)의 점검 및 보수를 할 수 있는 장점이 있다.

Description

반도체 제조용 가스 공급장치 {gas supply apparatus for manufacturing semiconductor}
본 발명은 반도체 제조장비로 공급되는 부식성 가스의 누출이 발생될 경우, 이를 신속하게 확인하여 처리함으로써, 부식성 가스의 누출이 확대되어 작업자에게 악영향을 주는 것을 방지할 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 가스 공급장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체를 제조할 때는 다양한 종류의 부식성 가스가 사용된다.
따라서, 반도체를 제조하는 반도체 제조장비에는 다양한 종류의 부식성 가스를 공급하는 가스 공급장치가 연결되어, 반도체 제조장비에 용도에 따른 적절한 종류의 부식성가스를 공급할 수 있도록 구성된다.
도 1은 이와 같이, 반도체 제조장비에 부식성 가스를 공급하는 반도체 제조용 가스공급장치의 일예를 도시한 것으로, 부식성 가스가 저장된 붐베(1)와, 상기 붐베(1)와 반도체 제조장비(A)를 연결하는 연결배관(2)과, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2)을 통해 반도체 제조장비(A)로 공급되는 부식성 가스의 흐름을 제어하는 제어밸브(3)로 구성된다.
따라서, 상기 제어밸브(3)를 개폐함으로써, 상기 붐베(1)에 저장된 부식성가스가 반도체 제조장비(A)로 공급되도록 조절할 수 있다.
한편, 이러한 가스 공급장치는 연결배관(2)을 통해 부식성 가스를 공급함으로, 시간이 경과되면 각 부분에 부식이 발생되고, 이와 같이 발생된 부식부위를 통해 유독한 부식성 가스가 외부로 유출되어, 작업환경을 오염시킬 수 있으며, 심할 경우, 작업자의 건강을 해칠 수 있는 문제점이 있었다.
이때, 상기 연결배관(2)은 직선관과 L자 또는 T자형의 연결관을 연결하여 구성되는데, 직선관과 연결관의 연결부에서 주로 부식성 가스의 유출이 발생된다.
또한, 이러한 가스 공급장치의 경우, 상기 연결배관(2)의 중간부에 압력센서나 온도센서 등을 구비하여, 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스의 온도나 압력을 측정하여, 간접적으로 가스 공급장치에 발생되는 부식정도를 간접적으로 감시하고 있으나, 이러한 방법으로는 정확한 부식정도를 측정할 수 없을 뿐 아니라, 부식성 가스의 유출이 발생될 경우, 부식성 가스의 유출을 효과적으로 정지시킬 수 있는 방법이 마련되지 않은 문제점이 발생되었다.
따라서, 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 방법이 필요하게 되었다.
등록번호 10-1485356호,
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 제조장비(A)로 공급되는 부식성 가스의 누출이 발생될 경우, 이를 신속하게 확인하여 처리함으로써, 부식성 가스의 누출이 확대되어 작업자에게 악영향을 주는 것을 방지할 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 가스 공급장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 부식성 가스가 저장된 붐베(1)와, 상기 붐베(1)와 반도체 제조장비(A)를 연결하는 연결배관(2)과, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2)을 통해 반도체 제조장비(A)로 공급되는 부식성 가스의 흐름을 제어하는 제어밸브(3)를 포함하는 반도체 제조용 가스 공급장치에 있어서, 상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성되며, 상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와, 연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과, 상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와, 상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와, 상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와, 상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과, 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)을 더 포함하며, 상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)의 신호를 수신하여 연결배관(2)에서 부식성 가스의 유출이 발생된 것이 감지되면, 상기 경보수단(50)을 작동시킴과 동시에 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동시켜 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 함과 동시에, 상기 기압센서(30)의 신호를 수신하여 상기 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면 상기 흡기제어밸브(11)를 개방하고, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 흡기제어밸브(11)를 밀폐하고 상기 배기펌프(14)의 작동을 정지시키도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치가 제공된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 기준기압은 대기압에 비해 낮게 설정된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 유출감지센서(20)는 일측에 개구부(21a)가 형성된 통형상으로 구성되어 상기 개구부(21a)가 상기 연결배관(2)의 둘레면을 향하도록 연결관의 둘레면에 고정된 하우징(21)과, 얇은 금속재의 박막형태로 구성되며 상기 하우징(21)의 내부에 구비되어 상기 하우징(21)의 내부에 공간부(21b)를 형성하는 다이아프램(22)과, 상기 공간부(21b)의 내부에 대기압에 비해 높은 압력으로 저장된 고압의 기체(23)와, 상기 공간부(21b)의 내부에 구비되어 상기 공간부(21b) 내부의 기압의 측정하는 압력측정센서(24)를 포함하며, 상기 다이아프램(22)은 상기 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스에 의해 용이하게 부식되는 재질로 구성되고, 상기 기체(23)는 상기 부식성 가스와 반응하여 부식성 가스를 중화시키는 성분으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 하우징(21)의 둘레면에는 상기 공간부(21b)로 연결되는 주입구(21c)가 형성되고, 상기 주입구(21c)에는 공간부(21b)쪽으로 개방되는 체크밸브(21d)가 구비되어, 상기 하우징(21)에 다이아프램(22)을 결합한 후, 상기 주입구(21c)를 통해 공간부(21b)의 내부로 기체(23)를 주입할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 반도체 제조장비(A)에 구비되며 내부에 부식성 가스가 저장된 보조붐베(60)를 더 포함하고, 상기 보조붐베(60)는 상기 제어수단(40)의 제어에 따라 상기 반도체 제조장비(A)에 부식성 가스를 공급할 수 있도록 구성되며, 상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스의 유출이 감지되면, 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 상기 연결배관(2)의 양단을 폐쇄함과 동시에 상기 보조붐베(60)를 제어하여, 반도체 제조장비(A)에 부식성 가스를 공급하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치가 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치는 상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성되며, 상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와, 연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과, 상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와, 상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와, 상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와, 상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과, 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)이 더 구비되어, 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스가 유출된 것이 감지되면, 상기 경보수단(50)이 작동되어 작업자에게 경보를 함과 동시에, 동시에 상기 개폐밸브(12)가 작동되어 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동되어 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 한 후, 상기 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면 상기 흡기제어밸브(11)가 개방되어, 외부의 공기가 연결배관(2)의 내부로 유입된 후 연결배관(2)의 내부에 남은 부식성 가스와 함께 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 하고, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 흡기제어밸브(11)가 밀폐되고 상기 배기펌프(14)의 작동이 정지된다.
따라서, 작업자가 연결배관(2)에서 부식성 가스가 유출될 경우, 자동으로 연결배관(2)의 내부에 남아있는 부식성 가스를 자동적으로 제거함으로써, 작업자가 부식성 가스가 더 이상 유출되지 않는 안전한 상황에서, 연결배관(2)의 점검 및 보수를 할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조용 가스 공급장치를 도시한 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치를 도시한 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 유출감지센서를 도시한 측단면도,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 유출감지센서의 작용을 도시한 측단면도,
도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 회로구성도,
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 작용을 도시한 참고도,
도 9는 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 제2 실시예를 도시한 구성도,
도 10은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 제2 실시예의 회로구성도,
도 11은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치의 제2 실시예의 작용을 도시한 참고도이다.
이하, 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 2 및 도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치를 도시한 것으로, 부식성 가스가 저장된 붐베(1)와, 상기 붐베(1)와 반도체 제조장비(A)를 연결하는 연결배관(2)과, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2)을 통해 반도체 제조장비(A)로 공급되는 부식성 가스의 흐름을 제어하는 제어밸브(3)가 구비된 것은 종래와 동일하다.
이때, 상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성된다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 제조용 가스 공급장치는, 상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와, 연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과, 상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와, 상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와, 상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와, 상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과, 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)이 더 구비된다.
이를 자세히 설명하면, 상기 흡기제어밸브(11)는 상기 흡기구(2a)에 결합되어 흡기구(2a)를 밀폐한 상태에서, 상기 제어수단(40)에서 작동신호가 입력되면 작동되어 상기 흡기구(2a)를 개방하는 솔레노이드밸브를 이용한다.
상기 개폐밸브(12)는 상기 흡기구(2a)의 외측에 위치되도록 상기 연결배관(2)의 양단부에 구비된 에어댐퍼를 이용하는 것으로, 상기 제어수단(40)에서 작동신호가 입력되면 작동되어 연결배관(2)의 양단부를 밀폐함으로써, 연결배관(2)과 상기 붐베(1) 및 반도체 제조장비(A)와의 연결을 차단하도록 구성된다.
상기 배기펌프(14)는 내부에 솔레노이드밸브가 구비되어, 평상시에는 상기 분기관(13)을 밀폐하고 작동시에만 분기관(13)을 개방할 수 있도록 구성된다.
상기 저장탱크(15)는 상기 배기펌프(14)에서 배출된 고압의 부식성 가스와 공기를 저장할 수 있도록 된 고강도 금속재질의 붐베를 이용한다.
상기 유출감지센서(20)는 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 연결배관(2)에서 부식성 가스의 누출이 발생되기 쉬운 부분의 외측 둘레면에 고정되는 것으로, 일측에 개구부(21a)가 형성된 통형상으로 구성되어 상기 개구부(21a)가 상기 연결배관(2)의 둘레면을 향하도록 연결관의 둘레면에 고정된 하우징(21)과, 얇은 금속재의 박막형태로 구성되며 상기 하우징(21)의 내부에 구비되어 상기 하우징(21)의 내부에 공간부(21b)를 형성하는 다이아프램(22)과, 상기 공간부(21b)의 내부에 저장된 고압의 기체(23)와, 상기 공간부(21b)의 내부에 구비되어 상기 공간부(21b) 내부의 기압의 측정하는 압력측정센서(24)로 구성된다.
상기 하우징(21)은 내부식성이 높은 금속 또는 합성수지재질로 구성되며, 상기 연결배관(2)의 둘레부에서 부식에 의한 가스누출의 가능성이 높은 부위를 덮도록 고정되어, 상기 연결배관(2)의 둘레부에서 부식성 가스의 누출이 발생될 경우, 누출된 부식성 가스가 내부로 유입되도록 구성된다.
이때, 상기 하우징(21)을 연결배관(2)의 둘레부에 고정하는 방법은 하우징(21)의 연결배관(2)의 둘레면에 접착고정하거나, 별도의 고정용 밴드를 이용하여 고정하는 방법 등 다양한 방법이 이용될 수 있다.
그리고, 상기 하우징(21)의 둘레면에는 상기 공간부(21b)로 연결되는 주입구(21c)가 형성되고, 상기 주입구(21c)에는 공간부(21b)쪽으로 개방되는 체크밸브(21d)가 구비되어, 상기 하우징(21)에 다이아프램(22)을 결합한 후, 상기 주입구(21c)를 통해 공간부(21b)의 내부로 기체(23)를 주입할 수 있도록 구성된다.
상기 다이아프램(22)은 상기 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스에 의해 용이하게 부식되는 재질, 예를 들어 알루미늄박판 등으로 구성된 것으로, 상기 연결배관(2)에서 누출된 부식성 가스가 내부로 유입될 경우, 도 4에 도시한 바와 같이, 부식되어 손상됨으로써, 상기 공간부(21b)에 저장된 기체가 연결배관(2)의 둘레면으로 배출되도록 한다.
상기 공간부(21b)에 저장되는 기체(23)는 상기 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스와 반응하여 부식성 가스를 중화시키는 성분의 기체(23)로 구성되어, 대기압에 비해 높으면서 상기 다이아프램(22)이 손상되지 않을 정도의 압력, 바람직하게는 2기압 정도의 압력으로 상기 공간부(21b)에 저장되어, 상기 다이아프램(22)이 부식되어 손상될 경우, 다이아프램(22)의 손상된 부위를 통해 상기 연결배관(2)의 둘레부로 배출되어, 연결배관(2)의 둘레부로 유출된 부식성 가스를 중화시키도록 구성된다.
이와 같이, 부식성 가스를 중화시키는 기체(23)는 부식성 가스의 종류에 따라 적절히 선택될 수 있다.
상기 압력측정센서(24)는 상기 공간부(21b)의 내부 일측에 구비되어 상기 공간부(21b)에 저장된 기체(23)의 압력을 측정하는 것으로, 상기 다이아프램(22)이 부식되어 공간부(21b)에 고압으로 저장된 기체(23)의 압력이 설정압력, 예를 들어, 1.5기압 이하로 저하되면, 이를 감지하여 신호를 출력하도록 구성된다.
따라서, 평상시에는 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 다이아프램(22)에 의해 상기 공간부(21b)의 내부에 기체가 저장되어, 상기 공간부(21b) 내부의 기압이 2기압을 유지하며, 상기 연결배관(2)에서 부식성 가스가 누출되고, 도 4에 도시한 바와 같이, 누출된 부식성 가스에 의해 상기 다이아프램(22)이 부식되어, 상기 공간부(21b) 내부의 기체가 상기 공간부(21b)로 배출되면, 공간부(21b) 내부의 압력이 1.5기압 이하로 저하되며 상기 압력측정센서(24)가 이를 측정하여 상기 제어수단(50)으로 전송함으로써, 연결배관(2)에서 부식성 가스가 유출된 것을 감지할 수 있다.
상기 기압센서(30)는 후술하는 바와 같이, 상기 배기펌프(14)가 작동되어 연결배관(2) 내부의 부식성가스가 배출될 때 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기능을 한다.
상기 제어수단(40)은 평상시에는 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 개폐밸브(12)를 개방하고 상기 흡기제어밸브(11)를 밀폐하여 상기 붐베(1)에 저장된 부식성가스가 상기 연결배관(2)을 통해 반도체 제조장비(A)로 공급되도록 함과 동시에, 상기 유출감지센서(20)의 신호를 감시한다.
그리고, 상기 유출감지센서(20)에 연결배관(2)에서 부식성 가스의 유출이 발생된 것이 감지되면, 상기 제어수단(40)은 상기 경보수단(50)을 작동시킴과 동시에, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동시켜 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 함과 동시에, 상기 기압센서(30)의 신호를 수신한다.
그리고, 상기 제어수단(40)은 상기 기압센서(30)에 의해 측정된 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면, 상기 배기펌프(14)를 작동시킨 상태에서 상기 흡기제어밸브(11)를 개방한다.
이와 같이, 상기 흡기제어밸브(11)를 개방하면, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 연결배관(2) 외측의 공기가 상기 흡기구(2a)를 통해 연결배관(2)의 내부로 유입된 후, 상기 연결배관(2)의 내부에 남은 부식성 가스와 함께 상기 분기관(13)을 통해 상기 저장탱크(15)로 저장됨으로써, 연결배관(2)의 내부에 남아있는 부식성 가스가 모두 상기 저장탱크(15)로 배출된다.
이때, 상기 기준기압은 대기압에 비해 낮은 압력, 바람직하게는 0.9기압 정도로 설정된다.
그리고, 상기 흡기제어밸브(11)를 개방한 후, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 제어수단(40)은 상기 흡기제어밸브(11)를 밀폐하고 상기 배기펌프(14)의 작동을 정지시킨다.
상기 경보수단(50)은 경광을 출력하는 램프와, 경보음을 출력하는 스피커가 구비된 것으로, 상기 제어수단(40)의 제어에 의해 작동되면, 경광과 경보음을 출력함으로써, 작업자에게 부식성 가스가 누출된 것을 알리도록 구성된다.
이와 같이 구성된 반도체 제조용 가스 공급장치는 상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성되며, 상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와, 연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과, 상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와, 상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와, 상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와, 상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와, 상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과, 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)이 더 구비되어, 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스가 유출된 것이 감지되면, 상기 경보수단(50)이 작동되어 작업자에게 경보를 함과 동시에, 동시에 상기 개폐밸브(12)가 작동되어 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동되어 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 한 후, 상기 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면 상기 흡기제어밸브(11)가 개방되어, 외부의 공기가 연결배관(2)의 내부로 유입된 후 연결배관(2)의 내부에 남은 부식성 가스와 함께 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 하고, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 흡기제어밸브(11)가 밀폐되고 상기 배기펌프(14)의 작동이 정지된다.
따라서, 작업자가 연결배관(2)에서 부식성 가스가 유출될 경우, 자동으로 연결배관(2)의 내부에 남아있는 부식성 가스를 자동적으로 제거함으로써, 작업자가 부식성 가스가 더 이상 유출되지 않는 안전한 상황에서, 연결배관(2)의 점검 및 보수를 할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 상기 유출감지센서(20)는 일측에 개구부(21a)가 형성된 통형상으로 구성되어 상기 개구부(21a)가 상기 연결배관(2)의 둘레면을 향하도록 연결관의 둘레면에 고정된 하우징(21)과, 얇은 금속재의 박막형태로 구성되며 상기 하우징(21)의 내부에 구비되어 상기 하우징(21)의 내부에 공간부(21b)를 형성하는 다이아프램(22)과, 상기 공간부(21b)의 내부에 대기압에 비해 높은 압력으로 저장된 고압의 기체(23)와, 상기 공간부(21b)의 내부에 구비되어 상기 공간부(21b) 내부의 기압의 측정하는 압력측정센서(24)로 구성되며, 상기 다이아프램(22)은 상기 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스에 의해 용이하게 부식되는 재질로 구성되고, 상기 기체(23)는 상기 부식성 가스와 반응하여 부식성 가스를 중화시키는 성분으로 구성된다.
따라서, 연결배관(2)에서 누출이 발생될 경우, 이를 신속하게 확인할 수 있을 뿐 아니라, 다이아프램(22)이 부식될 경우, 공간부(21b)에 저장된 기체(23)가 연결배관(2)의 둘레부로 배출되어 연결배관(2)에서 배출된 부식성 가스를 중화시킴으로, 배출된 부식성 가스가 공기중으로 비산되어, 주변의 환경을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 제2 실시예를 도시한 것으로, 상기 반도체 제조장비(A)에는 내부에 부식성 가스가 저장된 보조붐베(60)가 구비된다.
상기 보조붐베(60)는 반도제 제조장비(A)에서 반도체를 1회 제조할 때 소량의 부식성 가스가 저장된 것으로, 일측에는 상기 반도체 제조장비(A)에 연결되는 공급관(61)이 구비되고, 상기 공급관(61)에는 상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 보조제어밸브(62)가 구비된다.
그리고, 상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스의 유출이 감지되면, 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 상기 연결배관(2)의 양단을 폐쇄함과 동시에, 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 보조붐베(60)의 보조제어밸브(62)를 개방하여, 반도체 제조장비(A)에 부식성 가스가 공급되도록 한다.
즉, 전술한 제1 실시예의 경우, 상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스의 유출이 감지되면, 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 연결배관(2)의 양단을 폐쇄함으로, 부식성 가스가 더 이상 반도체 제조장비(A)로 공급되지 않게 된다.
그런데, 상기 반도체 제조장비(A)가 반도체를 제조하는 공정중에 있는 상태에서, 이와 같이 갑작스럽게 부식성 가스의 공급이 중단되면, 제조하고 있는 반도체에 불량이 발생될 수 있다.
이때, 상기 제어수단(40)은 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 연결배관(2)의 양단을 폐쇄함과 동시에, 상기 보조붐베(60)를 이용하여, 진행되고 있는 반도체 제조공정를 완료할 수 있을 정도의 부식성 가스를 공급함으로 반도체를 제조하는 중에, 갑작스럽게 부식성 가스의 공급이 중단되어 제조하고 있는 반도체에 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
1. 붐베 2. 연결배관
3. 제어밸브 11. 흡기제어밸브
12. 개폐밸브 13. 분기관
14. 배기펌프 15. 저장탱크
20. 유출감지센서 30. 기압센서
40. 제어수단 50. 경보수단
60. 보조붐베

Claims (2)

  1. 부식성 가스가 저장된 붐베(1)와,
    상기 붐베(1)와 반도체 제조장비(A)를 연결하는 연결배관(2)과,
    상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2)을 통해 반도체 제조장비(A)로 공급되는 부식성 가스의 흐름을 제어하는 제어밸브(3)를 포함하는 반도체 제조용 가스 공급장치에 있어서,
    상기 연결배관(2)의 양단에 근접되는 위치에는 흡기구(2a)가 형성되며,
    상기 흡기구(2a)에 구비되어 흡기구(2a)를 개폐하는 흡기제어밸브(11)와,
    연결배관(2)의 양단에 구비되어 작동시 연결배관(2)의 양단을 개폐하는 개폐밸브(12)와,
    상기 연결배관(2)의 중간부에서 분기된 분기관(13)과,
    상기 분기관(13)에 연결되어 작동시 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스와 공기를 흡입한 후 배출구로 배출하는 배기펌프(14)와,
    상기 배기펌프(14)의 배출구에 연결되어 배기펌프(14)로 배출된 가스와 공기를 저장하는 저장탱크(15)와,
    상기 연결배관(2)의 둘레부에 구비되어 연결배관(2)의 둘레부로 부식성 가스가 유출되면 이를 감지하여 신호를 출력하는 유출감지센서(20)와,
    상기 연결배관(2)의 중간부에 구비되어 연결배관(2) 내부의 기압을 측정하는 기압센서(30)와,
    상기 유출감지센서(20)와 기압센서(30)의 신호를 수신하며 상기 흡기제어밸브(11)와 개폐밸브(12) 및 배기펌프(14)의 작동을 제어하는 제어수단(40)과,
    상기 제어수단(40)에 의해 작동제어되는 경보수단(50)을 더 포함하며,
    상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)의 신호를 수신하여 연결배관(2)에서 부식성 가스의 유출이 발생된 것이 감지되면, 상기 경보수단(50)을 작동시킴과 동시에 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 연결배관(2)의 양단을 밀폐하고, 상기 배기펌프(14)를 작동시켜 상기 연결배관(2) 내부의 부식성 가스가 상기 저장탱크(15)로 저장되도록 함과 동시에, 상기 기압센서(30)의 신호를 수신하여 상기 연결배관(2) 내부의 기압이 미리 설정된 기준기압 이하로 저하되면 상기 흡기제어밸브(11)를 개방하고, 미리 설정된 시간이 경과되면 상기 흡기제어밸브(11)를 밀폐하고 상기 배기펌프(14)의 작동을 정지시키도록 된 것을 특징으로 하며,
    상기 기준기압은 대기압에 비해 낮게 설정된 것을 특징으로 하고,
    상기 유출감지센서(20)는
    일측에 개구부(21a)가 형성된 통형상으로 구성되어 상기 개구부(21a)가 상기 연결배관(2)의 둘레면을 향하도록 연결관의 둘레면에 고정된 하우징(21)과,
    얇은 금속재의 박막형태로 구성되며 상기 하우징(21)의 내부에 구비되어 상기 하우징(21)의 내부에 공간부(21b)를 형성하는 다이아프램(22)과,
    상기 공간부(21b)의 내부에 대기압에 비해 높은 압력으로 저장된 고압의 기체(23)와,
    상기 공간부(21b)의 내부에 구비되어 상기 공간부(21b) 내부의 기압의 측정하는 압력측정센서(24)를 포함하며,
    상기 다이아프램(22)은 상기 연결배관(2)을 통해 공급되는 부식성 가스에 의해 용이하게 부식되는 재질로 구성되고, 상기 기체(23)는 상기 부식성 가스와 반응하여 부식성 가스를 중화시키는 성분으로 구성된 것을 특징으로 하며,
    상기 하우징(21)의 둘레면에는 상기 공간부(21b)로 연결되는 주입구(21c)가 형성되고,
    상기 주입구(21c)에는 공간부(21b)쪽으로 개방되는 체크밸브(21d)가 구비되어,
    상기 하우징(21)에 다이아프램(22)을 결합한 후, 상기 주입구(21c)를 통해 공간부(21b)의 내부로 기체(23)를 주입할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 제조장비(A)에 구비되며 내부에 부식성 가스가 저장된 보조붐베(60)를 더 포함하고,
    상기 보조붐베(60)는 상기 제어수단(40)의 제어에 따라 상기 반도체 제조장비(A)에 부식성 가스를 공급할 수 있도록 구성되며,
    상기 제어수단(40)은 상기 유출감지센서(20)에 부식성 가스의 유출이 감지되면, 상기 개폐밸브(12)를 제어하여 상기 연결배관(2)의 양단을 폐쇄함과 동시에 상기 보조붐베(60)를 제어하여, 반도체 제조장비(A)에 부식성 가스를 공급하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 가스 공급장치.
KR1020180048452A 2018-04-26 2018-04-26 반도체 제조용 가스 공급장치 KR101868316B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048452A KR101868316B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 반도체 제조용 가스 공급장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048452A KR101868316B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 반도체 제조용 가스 공급장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101868316B1 true KR101868316B1 (ko) 2018-06-15

Family

ID=62628916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180048452A KR101868316B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 반도체 제조용 가스 공급장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101868316B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980052008U (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 박병재 차량용 선탠 장치
KR20070102257A (ko) * 2006-04-14 2007-10-18 비에스월드시스템 주식회사 반도체 제조용 가스관으로부터의 유독가스 누설감지장치
KR101485356B1 (ko) 2014-06-17 2015-01-27 주식회사 하이퓨리티 Led 및 반도체 웨이퍼 챔버 세정시에 사용되는 세정혼합가스 공급장치 및 이의 구동방법
KR101495784B1 (ko) * 2012-10-23 2015-02-25 (주) 소프트랩 가스 배관의 가스 누출감지 및 포집장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980052008U (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 박병재 차량용 선탠 장치
KR20070102257A (ko) * 2006-04-14 2007-10-18 비에스월드시스템 주식회사 반도체 제조용 가스관으로부터의 유독가스 누설감지장치
KR101495784B1 (ko) * 2012-10-23 2015-02-25 (주) 소프트랩 가스 배관의 가스 누출감지 및 포집장치
KR101485356B1 (ko) 2014-06-17 2015-01-27 주식회사 하이퓨리티 Led 및 반도체 웨이퍼 챔버 세정시에 사용되는 세정혼합가스 공급장치 및 이의 구동방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8851099B2 (en) Pipe monitoring system and method
US7624624B2 (en) Pump assembly and method for leak detection of fluid system
TWI565897B (zh) 真空閥之外部密封構造
JP5044494B2 (ja) 二重殻タンクの漏洩検査装置
JP2018179840A (ja) エアリークテスタ、エアリークテスト方法
US7165443B2 (en) Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system
KR100897410B1 (ko) 오일펌프 스틸 링에 부착되는 시일 링 검사장치
KR101377718B1 (ko) 가스 누출 검출장치
KR101868316B1 (ko) 반도체 제조용 가스 공급장치
KR20220081032A (ko) 유체 제어밸브용 성능 검사 시스템 및 검사방법
JP2021110594A (ja) ガスリーク検知器の検査方法、ガスリーク検査方法、ガスリーク検知器
JP5136299B2 (ja) 二重殻タンクの漏洩検知装置
JP2005315784A (ja) リーク検出方法及びその検出装置
US11326978B2 (en) Leak indicating clamp
KR20180000181U (ko) 볼 밸브의 차압식 누설 검사 장치
KR102368572B1 (ko) 가스 누설 검지 시스템 및 가스 누설 검지 방법
JP2015513633A (ja) 密閉機構、密閉機構を有する搬送装置、および密閉機構を操作する方法
KR100844006B1 (ko) 오일펌프의 누설 검사 장치
KR20180066016A (ko) 3방밸브의 누출감지 시스템
KR100234906B1 (ko) 가스공급시스템의 유독가스 누출 감지장치
KR20170123550A (ko) 3방밸브의 누출감지시스템
JPS61231426A (ja) 流体漏れ検査装置
KR100470264B1 (ko) 압력 및 진공의 리크를 감지하기 위한 테스터
US20210239276A1 (en) Method for detecting leaks in a pressurised gas tank head and tank head for use of such a method
KR20050065865A (ko) 부압 안전밸브의 압력시험장비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant