KR101854937B1 - 플라즈마 처리 챔버들에서 기생 플라즈마 방지 - Google Patents

플라즈마 처리 챔버들에서 기생 플라즈마 방지 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리 챔버의 부품에서 공극 공간들 내 기생 플라즈마는 슬리브와 함께 공극 공간들의 내부에 전기 전도성의 표면을 덮는 것에 의하여 제거될 수 있다. 공극 공간들은 상부 전극 및 기판 지지체와 같은 챔버 부품 내의 가스 홀들, 리프트 핀 홀들, 헬륨 통로들, 도관들 및/또는 플리넘일 수 있다.

Description

플라즈마 처리 챔버들에서 기생 플라즈마 방지 {PARASITIC PLASMA PREVENTION IN PLASMA PROCESSING CHAMBERS}
각각의 연속적인 반도체 기술 세대와 함께, 웨이퍼 직경들은 증가하는 추세이며 트랜지스터 크기들은 감소하는 추세이고, 기판 처리에 있어 그 어느 때보다도 높은 정확도와 재현성의 필요를 야기했다. 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 재료들은 일상적으로 진공 챔버에 있는 플라즈마를 사용하여 처리된다. 플라즈마 처리 기술들은 스퍼터 디포지션 (sputter deposition), 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD), 레지스트 박리 (resist strip), 그리고 플라즈마 에칭 (plasma etch) 을 포함한다.
플라즈마 처리 챔버에서, 처리 가스는 처리되고 있는 기판에 근접하여 플라즈마로 여기된다. 그러나, 플라즈마 처리 챔버에서 (가스 홀, 도관형들, 리프트 핀 홀 (list pin hole), 플리넘 (plenum) 등과 같은) 다른 위치에 있는 가스는 특정 조건들 아래서 원치 않는 플라즈마로 또한 여기 될 수 있다. 이러한 원치 않던 플라즈마를 기생 플라즈마라고 한다. 기생 플라즈마는 플라즈마 처리 챔버에서, 챔버 부품들의 기하학적 구조, 기체 압력 및 플라즈마 처리법에서 쓰이는 기체 화학, 무선 주파수 (RF) 전력의 공급 등과 같은 여러 이유로 생길 수 있다. 기생 플라즈마는 입자 오염, 처리 중 시공간적 불균일성 및/또는 챔버 부품의 조기 실패와 같은 플라즈마 처리에 있어 여러 문제들을 일으킬 수 있다. 따라서 플라즈마 처리 챔버에서 기생 플라즈마를 제거하는 것이 요구된다.
여기에서 설명되는 플라즈마 처리 챔버의 부품은,
비금속 물질의 제 1 층으로서, 제 1 층은 반대되는 제 1 면 및 제 2 면 을 갖고, 제 1 면은 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마에 노출되어 있으며 제 2 면은 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마에 노출되어 있지 않은, 제 1 층;
전기전도성 물질의 제 2 층으로서, 제 2 층은 제 1 층의 제 2 면과 본딩되어 있는, 제 2 층;
전체 제 1 및 제 2 층을 통하여 연장되는 공극 공간 (void space);
공극 공간에서 제 2 층이 노출되지 않고 공극 공간에서 기생 플라즈마가 방지될 수 있도록 제 2 층에서 공극 공간의 내부 면을 라이닝 (lining) 하는 관형 슬리브를 포함하고,
관형 슬리브의 일 단부가 제 1 층과 제 2 층의 마주보고 있는 면들과 동일 평면 상에 있고 관형 슬리브의 다른 단부는 제 2 층의 하부 면과 동일 평면 상에 있다.
도 1은 플라즈마 처리 챔버의 개략을 도시한 도면이다.
도 2는 공극 공간을 가지는 플라즈마 처리 챔버의 부품의 단면도이다.
도 3은 제 1 실시 형태에 따라서, 내부 면을 라이닝하는 슬리브와 함께 공극 공간을 가지는, 플라즈마 처리 챔버의 부품의 단면도이다.
도 4는 제 2 실시 형태에 따라서, 내부 면을 라이닝하는 슬리브와 함께 공극 공간을 가지는, 플라즈마 처리 챔버의 부품의 단면도이다.
도 5는 제 3 실시 형태에 따라서, 내부 면을 라이닝하는 슬리브와 함께 공극 공간을 가지는, 플라즈마 처리 챔버의 부품의 단면도이다.
기생 플라즈마를 제거하기 위한 플라즈마 처리 챔버의 방법과 부품들이 여기에서 설명된다. 방법과 부품들은 특정의 플라즈마 처리 챔버 형식 혹은 특정의 플라즈마 처리 기술에 제한되지 않는다. 플라즈마 처리 챔버는, 유도 커플링 (변압기 커플링), 헬리콘 (helicon), 전자 사이클로트론 공명, 정전용량 커플링 (평행 판) 과 같은 플라즈마 생성을 위한 여러 메커니즘들에 의존할 수 있다. 예를 들어, 고밀도 플라즈마는 트랜스 결합 플라즈마 (TCPTM) 처리 챔버에서 혹은 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 처리 챔버에서 생산될 수 있다. RF 에너지가 챔버 내로 유도적으로 결합 되는 트랜스 결합 플라즈마 처리 챔버는, Lam Research Corporation의 Fremont, Calif 로부터 입수 가능하다. 고밀도 플라즈마를 제공할 수 있는 고류 (high-flow) 플라즈마 처리 챔버의 한 예는 공유의 개시내용이 참조에 의해 본원에 원용되는 미국 특허 제 5,948,704 호에서 개시되어 있다. 평행판 플라즈마 처리 챔버들인, 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 플라즈마 처리 챔버들, 그리고 트랜스 결합 플라즈마 (TCPTM) 처리 챔버들은 공유의 미국 특허 제 4,340,462 호, 제 4,948,458 호, 제 5,200,232 호, 제 5,820,723 호에 개시되어 있고, 그들의 개시내용은 참조에 의해 본원에 원용된다.
예로서, 플라즈마는 개시내용이 참조에 의해 본원에 원용된 미국 특허 제 6,090,304 호에 기재된 이중 주파수 플라즈마 에칭 챔버와 같은, 평행판 처리 챔버 에서 생산될 수 있다. 바람직한 평행판 플라즈마 처리 챔버는 상부 샤워헤드 전극 및 기판 지지체를 포함하는 이중 주파수 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버이다. 예시를 위하여, 여기의 실시형태는 평행판 종류의 플라즈마 처리 챔버를 참조하여 설명된다.
플라즈마 에칭을 위한 평행판 플라즈마 처리 챔버는 도 1에서 예시된다. 플라즈마 처리 챔버 (100) 는 챔버 (110), 입구 로드 록 (112), 그리고 선택적 출구 로드 록 (114), 또한 참조에 의해 본원에 전부 원용되는 공유의 미국 특허 제 6,824,627 호에 명시되는 세부사항을 전부 포함한다.
로드 록 (112 및 114) (제공되는 경우) 는 웨이퍼 공급부 (162) 로부터, 챔버를 통하여 (110), 웨이퍼 리셉터클 (164) 로 나가는 것과 같은 기판들을 이송하기 위한 이송 디바이스를 포함한다. 로드 록 펌프 (176) 는 로드 록 (112 및 114) 에서 원하는 진공 압력을 제공할 수 있다.
터보 펌프와 같은 진공 펌프 (172) 는 챔버 (110) 에서 원하는 압력을 유지하도록 구성된다. 플라즈마 에칭 도중에, 챔버 압력은 제어되며, 바람직하게는 플라즈마를 유지하기 위해 충분한 레벨에서 유지된다. 너무 높은 챔버 압력은 불리하게도 에칭 정지에 기여할 수 있는 반면, 너무 낮은 챔버 압력은 플라즈마 소멸을 야기할 수 있다. 평행판 플라즈마 처리 챔버와 같은 중간 밀도 플라즈마 처리 챔버에서, 바람직하게는 챔버 압력이 약 (여기에서 "약" 이라 함은 ±10% 를 의미함) 200 mTorr 아래의 압력 (예컨대, 100 mTorr 미만, 이를테면 20 mTorr 내지 50 mTorr) 에서 유지된다.
진공 펌프 (172) 는 챔버 (110) 의 벽에서 출구에 연결될 수 있으며 챔버에서 압력을 제어하기 위하여 밸브 (173) 에 의해 스로틀링될 수 있다. 바람직하게는, 진공 펌프가, 에칭 가스가 챔버 (110) 안으로 흘러들어가는 동안 챔버 (110) 내부의 압력을 200 mTorr 미만으로 유지할 수 있다.
챔버 (110) 는 상부 전극 (125) (예컨대, 샤워헤드 전극), 그리고 기판 지지체 (150) 를 포함하는 상부 전극 어셈블리 (120) 를 포함한다. 상부 전극 어셈블리 (120) 는 상부 하우징 (130) 에 장착된다. 상부 하우징 (130) 은, 상부 전극 (125) 과 기판 지지체 (150) 사이의 간격을 조정하기 위한 메커니즘 (132) 에 의하여 수직적으로 이동될 수 있다.
처리 가스 소스 (170) 는 상부 전극 어셈블리 (120) 로, 하나 이상의 가스를 포함하고 있는 처리 가스를 전달하기 위하여, 하우징 (130) 에 연결될 수 있다. 바람직한 플라즈마 처리 챔버에서, 상부 전극 어셈블리는 기판의 표면에 근접한 영역으로 처리 가스를 전달하기 위하여 사용될 수 있는 가스 분배 시스템을 포함한다. 하나 이상의 가스 링들, 인젝터들 및/또는 샤워헤드들 (예컨대, 샤워헤드 전극들) 을 포함할 수 있는 가스 분사 시스템은 공유의 미국 특허 제 6,333,272 호; 제 6,230,651 호; 제 6,013,155 호, 제 5,824,605 호에 개시되어 있고, 그들의 개시내용은 참조에 의해 본원에 원용된다.
상부 전극 (125) 은 바람직하게는, 처리 가스를 샤워헤드 전극을 통하여 분배하기 위하여 가스 홀들 (미도시) 을 포함하는 샤워헤드 전극을 포함한다. 가스 홀들은 0.02 인치 내지 0.2 인치의 직경을 가질 수 있다. 샤워헤드 전극은 원하는 처리 가스 분배를 촉진할 수 있는 하나 이상의 수직으로 이격된 배플 플레이트들을 포함할 수 있다. 상부 전극과 기판 지지체는 흑연, 실리콘, 실리콘 카바이드, 알루미늄 (예컨대, 양극산화 알루미늄), 또는 그들의 조합과 같은 임의의 적합한 재료로 형성될 수 있다. 열 전달 액체 소스 (174) 는 상부 전극 어셈블리 (120) 와 연결될 수 있고 다른 열 전송 액체 소스는 기판 지지체 (150) 와 연결될 수 있다.
기판 지지체 (150) 는, 기판 지지체 (150) 의 상부 표면 (155) (지지 표면) 상의 정전기적으로 클램핑하는 기판을 위하여, 하나 이상의 내장된 클램핑 전극들을 가질 수 있다. 기반 지지체 (150) 는, RF 소스와 RF 매칭 회로와 같은 수반되는 회로 (미도시) 에 의하여 전력을 공급받을 수 있다. 기판 지지체 (150) 는, 바람직하게는 온도 제어되고 선택적으로는 가열장치 (미도시) 를 포함할 수 있다. 가열장치의 예시들은 공유의 미국 특허 제 6,847,014 호, 제 7,161,121 호에 개시되고, 이들은 참조에 의해 본원에 원용된다. 기판 지지체 (150) 는 지지 표면 (155) 상의 반도체 기판, 이를 테면 평판 또는 200 ㎜ 혹은 300 ㎜ 웨이퍼를 지지할 수 있다.
기판 지지체 (150) 는 바람직하게는, 플라즈마 처리 도중에 기판 온도를 제어하기 위하여 지지 표면 (155) 상에 지지 되는 기판 아래의 헬륨과 같은 열 전달 기체를 공급하기 위한 내부 통로들을 포함한다. 예를 들어, 헬륨 후면 냉각은 기판 상의 포토 레지스트가 타는 것을 방지하기에 충분히 낮은 웨이퍼 온도를 유지할 수 있다. 기판과 기판 지지체 표면 사이의 공간으로 가압 된 기체를 유입하는 것에 의해 기판의 온도를 제어하는 방법은, 공유의 미국 특허 제 6,140,612 호에서 개시되어 있고, 그의 개시 내용은 참조에 의해 본원에 원용된다.
기판 지지체 (150) 는 리프트 핀 홀 (미도시) 을 포함할 수 있고, 그를 통하여 리프트 핀들이 적당한 메커니즘들에 의하여 수직적으로 작동될 수 있고 챔버 (110) 안밖으로의 이송을 위한 지지체 표면 (155) 에서 기판을 들어올릴 수 있다. 리프트 핀 홀들은 약 0.08 인치의 직경을 가질 수 있다. 리프트 핀 홀들의 상세는 공유의 미국 특허 제 5,885,423 호와 제 5,796,066 호에 개시되어 있고, 그들의 개시 내용은 참조에 의해 본원에 원용된다.
가스 홀들, 헬륨 통로들, 상부 전극 (125) 과 기판 지지체 (150) 내부의 리프트 핀 홀들과 같은 공극 공간들은 기생 플라즈마를 생성하기 쉽다. 예를 들어, 공극 공간이 RF 주파수들에서 상이한 상대 유전율을 가지는 재료들의 층들을 가로질러 연장되는 경우, 초과 RF 전압은 층들 사이에서 특정한 조건 하 (예컨대, 기체 압력, RF 부하, RF 주파수 등) 에 발생할 수 있다. 이러한 초과 RF 전압 (예컨대, 20 V 혹은 그 이상) 은 공극 공간에서 기생 플라즈마를 야기하기에 충분할 수 있다. 상부 전극 (125) 및 기판 지지체 (150) 에서 공통으로 사용되는 전기전도성 물질들은 알루미늄, 강, 흑연 및 도핑된 실리콘을 포함할 수 있다. (예컨대, 가스 홀들의) 공극 공간의 노출된 전도성 내면은, RF 전력이 플라즈마를 처리 챔버 (100) 에서 생성하기 위해 처리 챔버 (100) 에 공급될 때, 전기장들을 집중시켜 그들에게 근접하게 기생 플라즈마를 강화할 수 있다. 평행판들 내에 기체의 DC 파괴 전압 VB 은, Paschen 방정식
Figure 112013007162318-pct00001
Figure 112013007162318-pct00002
에 의하여, 압력 p 그리고 간격 거리 d 의 함수로서 주어지고, 여기서 A 와 B 가 기체의 특정들 (예컨대, 온도, 기체 조성 및 이온화 포텐셜) 에 의하여 결정되는 상수들이고 γ 는 평행판들의 물질과 관련된 파라미터이다. 특히나 기체 및 집중된 전기장들에 노출된 전도성 표면들의 부근에서, AC 파괴 전압은 VB 의 십분의 일만큼 작을 수 있다.
도 2는 플라즈마 처리 챔버의 부품 (200) (예컨대, 상부 전극 또는 기판 지지체) 에서 공극 공간 (210) 의 단면도이다. 부품 (200) 은 비 금속 물질 (예컨대, 세라믹 혹은 도핑 되지 않은 실리콘) 층 (220), 전기 전도성 물질 (예컨대, 알루미늄) 층 (230) 을 포함한다. 층 (220) 은 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마 (260) 에 노출된 표면 (220a) 과 플라즈마 (260) 에 노출되지 않은 표면 (220b) 을 갖는다. 층 (230) 은 접착제 (예컨대, 실리콘 고무) 사용과 같은 적합한 기술을 사용하여 표면 (220b) 에 본딩될 수 있다. 각 공극 공간 (210) 은 전체 층 (220) 과 전체 층 (230) 을 통하여 연장되며 플라즈마 처리 챔버의 내부로 개방되어 있다. 층 (220) 의 두께와 층 (230) 의 두께는 바람직하게는 각각 0.5 ㎜ 내지 5 ㎜ 이다. 공극 공간 (210) 은 직경이 약 0.02 인치 내지 약 0.08 인치일 수 있다. 예를 들어, 층 (220) 은 알루미나, 질화알루미늄, 도핑 되지 않은 실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 질산화 실리콘 및/또는 이트리아로 만들어질 수 있다. 층 (230) 은 예를 들어, 금속, 흑연, 및/또는 도핑 되지 않은 실리콘으로 만들어질 수 있다. 층 (230) 은 공극 공간 (210) 의 내부에서 노출된 전도성 표면 (235) 을 갖는다. 기생 플라즈마 (250) 는 공극 공간 (210) 의 내부에서 발생할 수 있으며, 거기에서 침식 (erosion) 및/또는 부식 (corrosion) 을 야기할 수 있다. 부품 (200) 은 기재 (290) 에 부착될 (이를 테면, 본딩, 지지, 패스닝 및/또는 접착) 수 있다. 기재는 예를 들어, 거기에 임베딩된 유체 채널 (290a) 을 통하여 액체를 흐르게 하여 온도 제어될 수 있다. 기재는 또한 공극 (210) 과 함께 유체로 연통하는 적어도 하나의 플리넘 (290b) 을 가질 수 있다. RF 전력은 플라즈마 (260) 을 발생시키기 위하여 기재 (290) 로 공급될 수 있다. 층 (220) 은 그 층 (220) 에 임베딩된 적어도 하나의 정전 척 (ESC) 전극 (220c) 을 가질 수 있다. 적어도 하나의 히터 (240) (예컨대, 박막 히터) 는 층 (230) 과 바람직하게는 열 접촉을 이룬다 (예컨대, 바닥 면에 부착되거나, 또는 임베딩된다). 바람직하게는, 플라즈마 처리 챔버에서 존재하는, 무선 주파수의 층 (230) 의 전기전도성 물질의 상대 유전율은, 무선 주파수에서 층 (220) 의 비금속 물질의 상대 유전율에 비해 적어도 20배이다. 한 예에서, 공극 공간 (210) 이 30 Torr 에서 헬륨으로 채워져있고, 층 (220) 은 대략 0.1 인치 두께이며; 층 (230) 은 대략 0.03 인치 두께의 접착층으로 층 (220) 과 본딩되며; 부품은 27 MHz 에서 2500 W 의 RF 전력을 받고; 플라즈마 (260) 는 대략 60 Ω 의 임피던스를 가지며, 층 (230) 과 표면 (220a) 사이에 대략 15.5 V 의 RF 포텐셜이 생기고, 이는 공극 공간 (210) 내의 헬륨 가스의 파괴 전압을 초과하고, 거기에서 기생 플라즈마 (250) 를 야기 할 수 있다.
도 3에 보이는 바와 같이 하나의 실시형태에서, 관형 슬리브 (300) 는 공극 공간 (210) 의 내부 면을 라이닝한다. 슬리브 (300) 는, 플라스틱 (예컨대, 폴리에테르 에테르 케톤), 또는 세라믹 (예컨대, 알루미나) 과 같이, 바람직하게는 층 (230) 의 유전 상수보다 낮은 유전 상수를 갖는 물질로 만들어져 있다. 바람직하게는, 층 (220) 내의 공극 공간 (210) 의 부분은, 슬리브 (300) 를 통한 통로와 같은 단면 모양 (예컨대, 원, 다각형 혹은 다른 형태의 적합한 모양) 을 갖는다. 공극 공간 (210) 은 실린더 혹은 프리즘 모양일 수 있다. 특히나, 공극 공간 (210) 이 실린더 모양이라면, 관형 슬리브 (300) 은 층 (220) 에서 공극 공간 (210) 의 내경과 같은 내경을 갖는다. 슬리브 (300) 의 반지름 방향 두께는 공극 공간 (210) 내의 기생 플라즈마를 억제하기에 충분하여야 하며, 바람직하게는 적어도 0.01 인치여야 한다. 바람직하게는, 슬리브 (300) 는 층 (220) 과 같은 물질로 만들어지며 플라즈마 (260) 에 직접적으로 노출되지 않는다. 슬리브 (300) 는 바람직하게는 층 (230) 의 상부 표면과 동일 평면 상에 있는 일 단부를 가지며 슬리브 (300) 의 다른 단부는 층 (230) 의 전도성 표면 (235) 이 슬리브 (300) 에 의하여 전체로 덮이도록, 즉 공극 공간 (210) 내에서 어떠한 전도성 표면도 노출되지 않도록, 층 (230) 의 하부 표면과 동일 평면 상에 있다. 바람직하게는, 슬리브 (300) 가 기재 (290) 안으로 연장되지 않는다.
슬리브 (300) 는, 접착제, 압입 혹은 그와 비슷한 것과 같이 임의의 적절한 수단에 의하여 부품 (200) 에 부착된 자가 지지 슬리브일 수 있다. 그러나, 슬리브 (300) 는 라미네이트 (200) 내의 스레드들과 짝을 이루는 (mate) 그것의 외부 표면 상에 스레드들을 가질 수 있다. 슬리브 (300) 는 임의의 적합한 코팅 수단에 의하여 공극 공간 (210) 의 내면 상에 도포된 코팅의 형태일 수 있다. 예를 들어, CVD, 플라즈마 스프레잉이 있다.
도 4에 보이는 바와 같이 다른 실시형태에서, 관형 슬리브 (400) 는 슬리브 (400) 가 상부 플랜지 (410) 를 갖는다는 것을 제외하고는 관형 슬리브 (300) 와 동일하다. 플랜지 (410) 는 바람직하게는 층 (230) 의 상부 표면과 동일 평면 상의 상부 표면을 갖는다. 슬리브 (400) 는, 층 (230) 에 층 (220) 을 본딩하기 전에, 공극 공간 (210) 내에 장착될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시형태를 보인다. 관형 슬리브 (500) 는 슬리브 (500) 가 하부 플랜지 (510) 를 갖는다는 것을 제외하고는 관형 슬리브 (300) 와 동일하다. 이 경우, 플랜지는 층 (230) 의 하부 표면과 동일 평면 상의 하부 표면을 갖는다. 슬리브 (500) 는, 층 (230) 에 기재 (290) 를 부착하기 전에, 공극 공간 (210) 내에 장착될 수 있다.
여기에서 설명되는 슬리브는 캐비티들, 홀들, 도관들, 공극들, 플리넘 및/또는 플라즈마 처리 챔버에서 기생 플라즈마를 만드는 경향이 있는 다른 공간들에서 역시 사용될 수 있다. 슬리브는 이 공간들의 내부 전도성 표면들과 맞는 모양으로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 기판 지지체 (150) 는 리프트 핀 홀 및/또는 헬륨 통로들에서 슬리브들을 가질 수 있다.
기생 플라즈마를 제거하는 것을 위한 슬리브, 그리고 그 안에 슬리브를 갖는 플라즈마에 노출된 라미네이트가 구체적인 실시형태를 참조하여 상세하게 설명되었지만, 첨부된 청구항의 범위로부터 벗어나지 않고서 다양한 변화나 수정이 만들어질 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 처리 챔버의 부품에 있어서,
    비금속 물질의 제 1 층으로서, 반대되는 제 1 면 및 제 2 면들을 가지며, 상기 제 1 면은 상기 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마에 노출되고 상기 제 2 면은 상기 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마에 노출되지 않은, 상기 제 1 층;
    전기 전도성 물질의 제 2 층으로서, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층의 상기 제 2 면에 본딩되는, 상기 제 2 층;
    전체 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층에 걸쳐 연장되고, 상기 플라즈마 처리 챔버의 내부에 개방되어 있는 공극 공간; 및
    상기 제 2 층이 상기 공극 공간에서 노출되지 않도록 상기 제 2 층에서 상기 공극 공간에 맞는 (fitted) 관형 슬리브를 포함하고,
    상기 관형 슬리브의 일 단부가 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 마주보는 면들과 동일 평면 상에 있고, 상기 관형 슬리브의 다른 단부는 상기 제 2 층의 하부 면과 동일 평면 상에 있고 상기 관형 슬리브는 상기 제 1 층에서 상기 공극 공간의 내경과 같은 내경의 노출된 내면을 가지는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 관형 슬리브는 상기 제 1 층과 같은 물질로 만들어지거나;
    상기 관형 슬리브는 상기 제 2 층의 유전 상수보다 낮은 유전 상수를 갖는 물질로 만들어지거나;
    상기 관형 슬리브는 플라스틱 혹은 세라믹으로 만들어지거나;
    상기 관형 슬리브는 코팅인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 관형 슬리브는 상기 관형 슬리브의 외면 상에 접착제, 앵커들 및 스레드들 중 적어도 하나로 상기 공극 공간의 내면 상에 부착된, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 알루미나, 질화알루미늄, 도핑되지 않은 실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 질산화 실리콘 및 이트리아 중 적어도 하나로 만들어지고;
    상기 제 2 층은 금속, 흑연 및 도핑된 실리콘 중 적어도 하나로 만들어진, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 관형 슬리브는, 상기 제 2 층에서 짝을 이루는 오목부 (recess) 에 수용되는 외부로 연장되는 상부 플랜지 혹은 외부로 연장되는 하부 플랜지를 갖는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 관형 슬리브는 적어도 0.01 인치 두께의 벽을 갖는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 챔버에 존재하는 무선 주파수들에서의 상기 전기 전도성 물질의 상대 유전율은, 상기 무선 주파수들에서 비금속 물질의 상대 유전율에 비해 적어도 20배인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 두께가 0.5 ㎜ 내지 5 ㎜ 인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층과 열 접촉되는 적어도 하나의 히터를 더 포함하는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 히터는 상기 제 2 층에서 임베딩되거나, 또는 상기 제 2 층의 바닥면에 부착되는 박막 히터인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 부품은 상부 전극 또는 기판 지지체이거나;
    상기 공극이 가스 홀, 리프트 핀 홀, 헬륨 통로, 도관 및 플리넘 중 적어도 하나인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 접착제에 의해 상기 제 2 면에 본딩된, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  14. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 임베딩된 ESC 전극을 더 포함하는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 공극 공간의 내경이 0.02 인치 내지 0.08 인치인, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층에 부착된 기재를 더 포함하고, 상기 기재에 무선 주파수 전력이 공급되거나;
    상기 기재는 임베딩된 유체 채널들을 갖거나;
    상기 기재가 상기 공극 공간과 유체로 연통하는 적어도 하나의 플리넘을 갖는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 기재는 상기 제 2 층과 결합되거나, 지지되거나, 패스닝되거나 접착되는, 플라즈마 처리 챔버의 부품.
  18. 제 1 항에 기재된 플라즈마 처리 챔버의 부품을 포함하는, 플라즈마 처리 챔버.
  19. 제 1 항에 기재된 플라즈마 처리 챔버의 부품을 제조하는 방법에 있어서,
    제 2 층이 공극 공간에서 노출되지 않고 기생 플라즈마가 상기 공극 공간에서 방지될 수 있도록, 관형 슬리브로 상기 제 2 층에서 상기 공극 공간의 내면을 라이닝하는 단계; 및
    제 1 층의 제 2 면과 상기 제 2 층을 본딩하는 단계를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버의 부품을 제조하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 층에 기재를 부착하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 처리 챔버의 부품을 제조하는 방법.
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