KR101850980B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101850980B1
KR101850980B1 KR1020110055333A KR20110055333A KR101850980B1 KR 101850980 B1 KR101850980 B1 KR 101850980B1 KR 1020110055333 A KR1020110055333 A KR 1020110055333A KR 20110055333 A KR20110055333 A KR 20110055333A KR 101850980 B1 KR101850980 B1 KR 101850980B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
light emitting
emitting diode
lead terminal
support surface
Prior art date
Application number
KR1020110055333A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120136241A (ko
Inventor
이재진
최성호
강덕인
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020110055333A priority Critical patent/KR101850980B1/ko
Priority to JP2014514782A priority patent/JP5993943B2/ja
Priority to PCT/KR2012/000800 priority patent/WO2012169717A1/en
Priority to US14/124,974 priority patent/US9287477B2/en
Priority to CN201280038958.9A priority patent/CN103988323B/zh
Publication of KR20120136241A publication Critical patent/KR20120136241A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101850980B1 publication Critical patent/KR101850980B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 리드, 상기 제1 리드와 이격된 제2 리드를 포함하는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 일부를 감싸고, 상기 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 포함하며, 상기 제1 리드 및 상기 제2 리드가 접하는 지지면에 대응하는 제1 측면과, 상기 제1측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 하우징부; 및 상기 제1 리드로부터 연장되어 상기 하우징부의 제1 측면에 일부 노출된 리드 방열부를 포함하고, 상기 하우징부의 제1 측면은 상기 제2 측면의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 기본적으로 P형 반도체와 N형 반도체의 접합인 PN 접합 다이오드이다.
상기 발광 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합한 뒤, 상기 P형 반도체와 N형 반도체에 전압을 인가하여 전류를 흘려주면, 상기 P형 반도체의 정공은 상기 N형 반도체 쪽으로 이동하고, 이와는 반대로 상기 N형 반도체의 전자는 상기 P형 반도체 쪽으로 이동하여 상기 전자 및 정공은 상기 PN 접합부로 이동하게 된다.
상기 PN 접합부로 이동된 전자는 전도대(conduction band)에서 가전대(valence band)로 떨어지면서 정공과 결합하게 된다. 이때, 상기 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 차이에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 상기 에너지가 빛의 형태로 방출된다.
이러한 발광 다이오드는 빛을 발하는 반도체 소자로서 친환경, 저 전압, 긴 수명 및 저 가격 등의 특징이 있으며, 종래에는 표시용 램프나 숫자와 같은 단순 정보표시에 많이 응용되어 왔으나, 최근에는 산업기술의 발전, 특히 정보표시 기술과 반도체 기술의 발전으로 디스플레이 분야, 특히 LCD 표시 장치의 백라이트의 광원으로 응용되고 있다.
백라이트의 광원에 응용되는 발광 다이오드는 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지로 적용되고 있다. 현재 발광 다이오드 패키지는 LCD 표시 장치의 슬림화 및 대화면화 등의 경향에 따라 그 두께가 점점 얇아지는 방향으로 제품 개발이 이루어지고 있는 실정이다. 이와 같이 발광 다이오드 패키지의 두께가 얇아지는 방향으로 개발이 진행됨으로써 인해 상기 발광 다이오드 패키지가 쉽게 넘어지거나 상기 발광 다이오드 패키지를 실장함에 있어 기울어지는 등의 문제가 발생하고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 실장할 때, 쉽게 넘어지거나 기울어지는 것이 방지되는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 공정 중에 이동 또는 취급할 때 케리어 테입 포켓에 안정되게 장착되도록 하는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 공정 중에 이동 또는 취급할 때 발광 다이오드 패키지의 틀어짐이 개선된 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 리드, 상기 제1 리드와 이격된 제2 리드를 포함하는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 일부를 감싸고, 상기 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 포함하며, 상기 제1 리드 및 상기 제2 리드가 접하는 지지면에 대응하는 제1 측면과, 상기 제1측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 하우징부; 및 상기 제1 리드로부터 연장되어 상기 하우징부의 제1 측면에 일부 노출된 리드 방열부를 포함하고, 상기 하우징부의 제1 측면은 상기 제2 측면의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.
상기 제1 리드는 상기 지지면 상에 연장되어 구비된 제1 리드 단자부 및 적어도 하나의 방열 접촉부를 포함하며, 상기 제2 리드는 상기 지지면 상에 연장되어 구비된 제2 리드 단자부를 포함하며, 상기 하우징부는 상기 지지면 상에 지지부를 포함할 수 있다.
상기 제1 리드는 적어도 일부가 상기 하우징부에 의해 감싸지는 제1 리드 몸체, 상기 제1 리드 몸체와 상기 제1 리드 단자부를 연결하는 제1 리드 연장부 및 상기 제1 리드 몸체와 상기 방열 접촉부를 연결하는 방열 연장부를 구비하며, 상기 제2 리드는 제2 리드 몸체 및 상기 제2 리드 몸체와 상기 제2 리드 단자부를 연결하는 제2 리드 연장부를 구비할 수 있다.
상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부의 너비는 각각 상기 제1 리드 연장부 및 제2 리드 연장부의 너비에 비해 넓을 수 있다.
상기 제1 리드 연장부, 방열 연장부 및 제2 리드 연장부는 각각 적어도 한 번 이상 절곡되어 상기 제1 리드 단자부, 방열 접촉부 및 제2 리드 단자부가 상기 지지면 상에 구비될 수 있다.
상기 제1 리드 단자부, 방열 접촉부 및 제2 리드 단자부의 표면들과 상기 지지부의 표면은 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
상기 제1 리드 몸체는 상기 개구부를 통해 노출된 안착부를 구비할 수 있다.
상기 안착부는 상기 제1 리드 몸체의 일부가 오목하게 형성된 부분일 수 있다.
상기 안착부는 바닥부 및 상기 바닥부로부터 연장되어 상기 제1 리드 몸체의 다른 부분과 상기 바닥부를 연결하되, 경사지도록 구비된 측면부를 구비하며, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 바닥부 상에 실장되되, 상기 바닥부의 중심부에서 상기 제2 리드 측으로 치우쳐 구비될 수 있다.
상기 개구부는 상기 안착부를 노출시키고, 상기 제1 리드 몸체의 일부 및 상기 제2 리드 몸체의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 하우징부는 상기 제1 리드의 타측 표면의 일부를 노출시키는 노출부를 구비할 수 있다.
상기 제1 리드는 상기 개구부에 의해 노출되는 안착부를 구비하며, 상기 안착부는 바닥부 및 상기 바닥부로부터 연장되어 상기 제1 리드 몸체의 다른 부분과 상기 바닥부를 연결하되, 경사지도록 구비된 측면부를 구비하며, 상기 노출부는 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 바닥부의 후면을 노출시킬 수 있다.
상기 하우징부는 네 개의 측면과 각각 접하는 네 개의 테두리 중, 상기 지지면의 테두리는 상기 지지면의 반대면인 상부 측면과 접하는 테두리에 비해 그 폭이 넓을 수 있다.
상기 방열 연장부는 상기 지지면을 관통하여 상기 제1 리드 몸체에 연결되며, 상기 제1 리드 연장부는 상기 지지면과 이웃하는 두 측면 중 어느 하나의 측면을 관통하여 상기 제1 리드 몸체에 연결되며, 상기 제2 리드 연장부는 상기 지지면과 이웃하는 두 측면 중 다른 하나의 측면을 관통하여 상기 제2 리드 몸체에 연결될 수 있다.
상기 방열 연장부는 1회 절곡되고, 상기 제1 리드 연장부 및 제2 리드 연장부는 각각 2회 절곡될 수 있다.
상기 방열 접촉부는 상기 지지면의 중앙에 위치하고, 상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부는 두 개를 구비하되, 각각 상기 방열 접촉부와 제1 리드 단자부 사이 및 상기 방열 접촉부와 제2 리드 단자부 사이에 구비될 수 있다.
상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부는 상기 지지면의 중앙에 위치하고, 상기 방열 접촉부는 두 개를 구비하되, 각각 상기 지지부와 제1 리드 단자부 사이 및 상기 지지부와 제2 리드 단자부 사이에 구비될 수 있다.
상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 제1 리드 단자부와 제2 리드 단자부 사이의 상기 지지면 상에 위치한 적어도 하나의 지지부를 구비하고, 상기 리드 방열부는 상기 지지부의 표면에 노출된 방열 연장부의 일부일 수 있다.
상기 개구부는 그 측면이 경사지도록 구비될 수 있다.
본 발명에 의하면, 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 취급 또는 실장할 때, 쉽게 넘어지거나 기울어지는 것이 방지되는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 공정 중에 이동 또는 취급할 때 케리어 테입 포켓에 안정되게 장착되도록 하는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 그 두께가 얇은 발광 다이오드 패키지를 공정 중에 이동 또는 취급할 때 발광 다이오드 패키지의 틀어짐이 개선된 발광 다이오드 패키지를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 정면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 배면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 저면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 정면 투영도이다.
도 6은 도 5의 A-A'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 7은 도 5의 B-B'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 분해도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 분해도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 백라이트의 광원으로 적용한 실시 예를 보여는 개념도이다.
도 14는 도 13의 C-C'선을 따라 절취한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도들이다.
이때, 도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 정면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 배면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 저면도이고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 정면 투영도이고, 도 6은 도 5의 A-A'선을 따라 절취한 단면도이고, 도 7은 도 5의 B-B'선을 따라 절취한 단면도이고, 도 8은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 분해도이다.
도 1 내지 도 8을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)는 발광 다이오드 칩(100), 리드 프레임(200, 300) 및 하우징부(400)를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(100)은 도에서 자세히 도시하고 있지 않지만, 성장 기판 또는 마운트 기판 상에 적어도 N형 반도체층(미도시), P형 반도체층(미도시) 및 상기 N형 반도체층과 P형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 구조체를 구비하며, 상기 반도체 구조체에서 적어도 하나 이상의 파장을 발광하는 구조를 구비할 수 있다. 한편, 상기 발광 다이오드 칩(100)은 하나의 성장 기판 또는 마운트 기판 상에 하나의 반도체 구조체 또는 복수 개의 반도체 구조체가 구비될 수도 있고, 적어도 하나의 반도체 구조체 또는 복수 개의 반도체 구조체가 구비된 성장 기판 또는 마운트 기판을 복수 개 구비하되 병렬 또는 직렬로 연결하여 구비될 수도 있다.
상기 리드 프레임(200, 300)은 제1 리드(200) 및 제2 리드(300)를 포함할 수 있다.
상기 제1 리드(200)는 안착부(212)를 구비한 제1 리드 몸체(210), 제1 리드 연장부(220), 제1 리드 단자부(230), 리드 방열부(240, 250)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 안착부(212)는 바닥부(212a) 및 측면부(212b)를 구비할 수 있다. 상기 리드 방열부(240, 250)는 방열 연장부(240) 및 방열 접촉부(250)를 포함할 수 있다.
상기 제2 리드(300)는 제2 리드 몸체(310), 제2 리드 연장부(320) 및 제2 리드 단자부(330)를 포함할 수 있다.
상기 하우징부(400)는 상부 하우징부(410), 하부 하우징부(420), 개구부(430), 노출부(440) 및 지지부(450)를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(100)은 상기 제1 리드(200)의 일측 표면 상에 구비될 수 있다. 바람직하게 상기 발광 다이오드 칩(100)은 상기 제1 리드(200)의 제1 리드 몸체(210)의 일정 영역 상에 구비될 수 있으며, 더욱 구체적으로 상기 발광 다이오드(100)는 상기 안착부(212)의 바닥부(212a) 상에 구비될 수 있다.
이때, 상기 안착부(212)는 상기 제1 리드(200)의 제1 리드 몸체(210)의 일부로써, 상기 제1 리드 몸체(210)의 일부가 오목하게 형성된 부분일 수 있다.
상기 안착부(212)는 상기 하우징부(400), 정확하게는 상기 상부 하우징부(410)에 구비된 개구부(430)에 의해 노출될 수 있다.
이때, 상기 안착부(212)는 바닥부(212a) 및 측면부(212b)를 구비할 수 있으며, 상기 바닥부(212a)는 상기에서 상술하는 바와 같이 그 일측 표면 상에 상기 발광 다이오드 칩(100)이 실장될 수 있고, 상기 바닥부(212a)의 타측 표면은 상기 하부 하우징부(420)에 구비된 노출부(440)를 통해 외부로 노출될 수 있다. 상기 노출부(440)를 통해 노출된 상기 바닥부(212a)는 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발생된 열을 방열하는 역할을 한다.
상기 안착부(212)의 측면부(212b)는 상기 바닥부(212a)로부터 연장되어 구비될 수 있으며, 상기 제1 리드 몸체(210)의 다른 부분, 즉, 상기 안착부(212)를 제외한 다른 제1 리드 몸체(210)와 상기 바닥부(212a)를 연결하는 역할을 하며, 상기 측면부(212b)는 상기 바닥부(212a)에 대해 경사지도록 구비되어 상기 바닥부(212a)에 실장된 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발광되는 광을 반사시키는 반사면의 역할을 할 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 칩(100)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 안착부(212)의 중심부, 즉, 상기 바닥부(212a)의 중심부 상에 실장되지 않고, 상기 제2 리드(300), 바람직하게는 상기 제2 리드 몸체(310) 측으로 치우쳐 실장될 수 있다. 이는 상기 발광 다이오드 칩(100)이 상기 리드 프레임(200, 300)에 다양한 형태로 실장될 수 있으나, 도에서 도시하고 있는 바와 같이 와이어(110)로 연결되는 구조로 실장되는 경우, 상기 중심부 상에 상기 발광 다이오드 칩(100)이 실장되면 상기 발광 다이오드 칩(100)과 제2 리드 몸체(310)와의 간격이 멀어 상기 발광 다이오드 칩(100)과 제2 리드 몸체(310)를 연결하는 와이어(110)가 단락되는 등의 불량이 발생될 가능성이 있기 때문에 상기 제2 리드 몸체(310) 측으로 치우쳐 실장되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 발광 다이오드 칩(100)은 도들에서 두 개의 와이어(110)로 연결되는 것으로 도시하고 있으나 상기 발광 다이오드 칩(100)의 형상 및 타입에 따라 두 개의 와이어(110)로 연결될 수도 있고, 하나의 와이어(110)로만 연결될 수도 있다.
상기 제1 리드(200)는, 상기에서 상술한 바와 같이, 안착부(212)를 구비한 제1 리드 몸체(210), 제1 리드 연장부(220), 제1 리드 단자부(230) 및 리드 방열부(240, 250)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 리드 방열부(240, 250)는 방열 연장부(240) 및 방열 접촉부(250)를 포함할 수 있다.
상기 제1 리드 몸체(210)는 상기 하우징부(400)에 의해 그 일부가 감싸진 형태로 구비될 수 있다. 상기 제1 리드 몸체(210)는 그 일부가 오목한 형태인 안착부(212)를 구비할 수 있다.
상기 제1 리드 연장부(220)는 상기 제1 리드 몸체(210)로부터 연장되며, 상기 제1 리드 단자부(230)와 연결되어 있다. 상기 제1 리드 연장부(220)는 그 일부가 상기 하우징부(400)에 의해 감싸여져 있고, 나머지 부분은 외부로 노출된 형태로 구비될 수 있다. 이때, 상기 제1 리드 연장부(220)는 상기 제1 리드 단자부(230)가 이후 설명되는 상기 하우징부(400)의 어느 한 측면인 지지면 상에 위치하도록 적어도 한 번 이상 절곡될 수 있다. 이때, 상기 지지면은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)가 기판 또는 기기에 실장할 때, 상기 기판 또는 기기와 접하는 측면을 의미한다.
상기 제1 리드 연장부(220)는 상기 제1 리드 몸체(210)에서 연장되되, 상기 하우징부(400)의 어느 한 측면인 지지면과 이웃하는 두 측면 중 어느 한 측면을 관통하여 노출되는 경우, 2회 절곡되어 상기 제1 리드 단자부(230)가 상기 지지면 상에 구비되도록 하는 역할을 한다.
상기 제1 리드 단자부(230)는 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 기판 또는 기기에 실장할 때, 상기 발광 다이오드 패키지(1000)의 전기 단자 역할을 할 뿐만 아니라 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 지지하는 지지 역할도 한다. 상기 제1 리드 단자부(230)는 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 기판 또는 기기에 실장할 때, 상기 기판 또는 기기 상에 구비된 단자와 솔더 또는 페이스트 등으로 접착하여 실장하는 역할을 하므로, 그 표면적은 넓게 구비되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 제1 리드 단자부(230)는 상기 제1 리드 연장부(220)에 비해 그 너비가 넓게 형성될 수 있다. 이는 상기 제1 리드 연장부(220)는 절곡되는 부분을 포함하고 있으므로 그 너비가 좁은 것이 바람직한 반면, 상기 제1 리드 단자부(230)는 그 표면적이 넓게 형성되는 것이 바람직하므로 그 너비가 넓은 것이 바람직하기 때문이다.
상기 방열 연장부(240)는 상기 제1 리드 몸체(210)로부터 연장되되, 상기 하우징부(400)의 지지면을 관통하여 연장되어 구비될 수 있다. 상기 방열 연장부(240)는 상기 방열 접촉부(250)와 연결되어 있으며, 상기 방열 접촉부(250)가 상기 하우징부(400)의 일 측면인 지지면 상에 구비될 수 있도록 적어도 1회 절곡되는 부분을 포함할 수 있다.
상기 방열 접촉부(250)는 상기 제1 리드 몸체부(210)의 안착부(212)에 실장된 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발생되는 열을 외부로 방출하는 역할을 할 수 있다. 또한 상기 방열 접촉부(250)는 상기 제1 리드 단자부(230)와 마찬가지로 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 지지하는 지지 역할과 상기 제1 리드 단자부(230)와 같이 전기 단자 역할을 할 수 있다.
한편, 상기 방열 접촉부(250)의 역할이 열 방출 보다 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 지지하는 역할이 더 큰 경우에는 상기 방열 연장부(240)의 폭을 상기 방열 접촉부(250)의 폭 보다 좁게 하여 절곡을 용이하게 할 수 있도록 구비할 수 있고, 상기 방열 접촉부(250)가 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발생되는 열을 방출하는 역할이 가장 큰 경우, 열 전도성을 높이기 위해 상기 방열 연장부(240)와 방열 접촉부(250)의 너비를 동일하게 구비되도록 할 수 있다.
상기 제2 리드(300)는, 상기에서 상술한 바와 같이, 제2 리드 몸체(310), 제2 리드 연장부(320) 및 제2 리드 단자부(330)를 포함할 수 있다.
상기 제2 리드 몸체(310)는 상기 제1 리드 몸체(210)와 일정 간격으로 이격되어 구비되며, 상기 하우징부(400)에 의해 그 일부는 감싸진 형태로 구비되며, 상기 하우징부(400)의 개구부(430)에 의해 일부는 노출된 형태로 구비되며, 상기 노출된 상기 제2 리드 몸체(310)는 상기 발광 다이오드 칩(100)과는 와이어(110)로 연결될 수 있다.
상기 제2 리드 연장부(320) 및 상기 제2 리드 단자부(330)는 상기 제1 리드 연장부(220) 및 제1 리드 단자부(230)와 대응되도록 구비될 수 있다. 즉, 상기 제2 리드 연장부(320)는 상기 제2 리드 몸체(310)로부터 연장되며, 상기 제2 리드 단자부(330)와 연결되며, 상기 제2 리드 연장부(320)는 그 일부가 상기 하우징부(400)에 의해 감싸져 있고, 나머지 부분은 외부로 노출된 형태로 구비될 수 있다. 이때, 상기 제2 리드 연장부(320)는 상기 제2 리드 단자부(330)가 이후 설명되는 상기 하우징부(400)의 어느 한 측면인 지지면 상에 위치하도록 적어도 한 번 이상 절곡될 수 있다.
상기 제2 리드 연장부(320)는 상기 제2 리드 몸체(310)에서 연장되되, 상기 하우징부(400)의 어느 한 측면인 지지면과 이웃하는 두 측면 중 다른 한 측면을 관통하여 노출되는 경우, 2회 절곡되어 상기 제2 리드 단자부(330)가 상기 지지면 상에 구비되도록 하는 역할할 수 있다.
상기 제2 리드 단자부(330)는 상기 제1 리드 단자부(230)와 마찬가지로, 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 기판 또는 기기에 실장할 때, 상기 발광 다이오드 패키지(1000)의 전기 단자 역할을 할 뿐만 아니라 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 지지하는 지지 역할도 한다. 상기 제2 리드 단자부(330)는 상기 발광 다이오드 패키지(1000)를 기판 또는 기기에 실장할 때, 상기 기판 또는 기기 상에 구비된 단자와 솔더 또는 페이스트 등으로 접착하여 실장하는 역할을 하므로, 그 표면적은 넓게 구비되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 제2 리드 단자부(330)는 상기 제2 리드 연장부(320)에 비해 그 너비가 넓게 형성될 수 있다. 이는 상기 제2 리드 연장부(320)는 절곡되는 부분을 포함하고 있으므로 그 너비가 좁은 것이 바람직한 반면, 상기 제2 리드 단자부(330)는 그 표면적이 넓게 형성되는 것이 바람직하므로 그 너비가 넓은 것이 바람직하기 때문이다.
상기 하우징부(400)는 상기에서 상술한 바와 같이 상부 하우징부(410), 하부 하우징부(420), 개구부(430), 노출부(440) 및 지지부(450)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 상부 하우징부(410)와 하부 하우징부(420)는 설명의 편의성을 위해 분리하여 도시하거나 구분하여 설명하고 있으나, 상기 하우징부(400)가 실제로 두 개 부품을 합쳐 형성되는 것이 아니라 하나의 구성품으로 이루어질 수 있음을 밝혀 둔다.
상기 하우징부(400)는 상기 제1 리드(200) 및 제2 리드(300)의 일부를 감싸는 역할을 한다. 상기 하우징부(400)는 상기 상부 하우징부(410)에 개구부(430)를 구비하여 상기 발광 다이오드 칩(100)이 실장된 상기 안착부(212)를 노출시키고, 상기 하부 하우징부(420)에 노출부(440)를 구비하여 상기 안착부(212)의 후면, 정확하게는 상기 안착부(212)의 바닥부(212a)의 후면을 노출시킬 수 있다.
이때, 상기 하우징부(400)의 개구부(430)는 상기 바닥부(212a)에 대해 경사진 형태로 구비될 수 있다. 상기 개구부(430)의 측면이 경사진 형태로 구비됨으로써 상기 개구부(430)의 측면은 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발광되는 광을 반사시키는 반사면으로 이용될 수 있다.
상기 하우징부(400)는 네 측면을 구비할 수 있는데, 그 네 측면 중 어느 한 측면은 상기에서 상술한 지지면으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 지지면에는 적어도 하나의 지지부(450)를 구비할 수 있다. 상기 지지부(450)는 상기 하우징부(400)의 지지면으로부터 일정 간격으로 돌출된 형태로 구비될 수 있다. 상기 지지부(450)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)가 기판 또는 기기에 실장될 때, 상기 제1 리드 단자부(230), 제2 리드 단자부(330) 및 방열 접촉부(250)와 더불어 상기 기판 또는 기기에 동시에 접촉함으로써 상기 발광 다이오드 패키지(1000)이 상기 기판 또는 기기에서 기울어지게 실장되거나, 실장된 후 넘어지는 것을 방지하는 역할을 한다.
이때, 상기 지지부(450)는 일정 두께를 가지면서 상기 지지면으로부터 이격될 수록 그 폭은 줄어드는 형태, 즉, 일정 두께를 갖는 사다리꼴의 형태로 구비될수 있다. 상기 지지부(450)의 두께는 상기 하우징부(400)의 두께와 동일하며, 상기 지지면으로부터의 이격 거리와 상관없이 그 두께는 일정하다.
상기 제1 리드 단자부(230), 제2 리드 단자부(330), 방열 접촉부(250) 및 지지부(450)의 표면은 동일 평면 상에 구비될 수 있다. 이는 상기에서 상술한 바와 같이 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 기판 또는 기기 상에 실장될 때, 상기 지지면 상의 상기 제1 리드 단자부(230), 제2 리드 단자부(330), 방열 접촉부(250) 및 지지부(450)의 표면이 상기 기판 또는 기기의 표면과 그 접촉 면적을 최대화하여 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 넘어지거나 기울어지는 것을 방지할 수 있기 때문이다.
이는 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 무게 중심이 상기 발광 다이오드 패키지(1000)의 형상적 중심에 비해 아래에 위치하는 저 무게 중심으로 구비됨으로써 이루어질 수 있다. 즉, 상기에서 상술한 바와 같이 상기 제1 리드 단자부(230), 제2 리드 단자부(330) 및 방열 접촉부(250)가 상기 지지면 상에 구비될 뿐만 아니라 상기 지지면에 상기 지지부(450)가 구비됨으로써 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 저 무게 중심으로 구비될 수 있다.
또한, 상기 하우징부(400)의 네 테두리 중 상기 지지면에 접하는 테두리의 폭이 적어도 상기 지지면의 반대면인 상부 측면에 접하는 테두리의 폭에 비해 넓게, 바람직하게는 상기 상부 측면과 상기 지지면의 이웃하는 양 측면과 접하는 테두리들의 폭에 비해 더 넓게 구비되므로써 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 저 무게 중심으로 구비될 수 있다.
한편, 상기 지지부(450)는 상기 지지면에 두 개가 구비될 수 있으며, 이 경우 도에서 도시하고 있는 바와 같이 상기 방열 접촉부(250)가 상기 지지면의 중앙에 위치하도록 하고, 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330)가 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 제1 리드 단자부(230)와 방열 접촉부(250) 사이 및 상기 방열 접촉부(250)와 제2 리드 단자부(330) 사이에 각각 하나씩의 지지부(450)가 위치하는 형태로 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 지지면은 상기 방열 접촉부(250)를 기준으로 하여 양측이 대칭되는 구조로 구비되므로써 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 앞면과 후면으로 기울어지는 것뿐만 아니라 양쪽 측면으로 기울어지는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이다.
도 9를 참조하여 설명하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(2000)는 상기 지지면에 하나의 지지부(450)를 구비하되, 상기 지지면의 중앙에 상기 지지부(450)를 구비하고, 상기 지지부(450)의 양측에 각각 적어도 하나의 방열 접촉부(250)가 구비되도록 하고, 상기 방열 접촉부(250)들의 외각, 즉, 상기 지지면의 양 가장자리에 위치에 각각 구비되는 형태로 구비될 수 있다. 그 외 구성은 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 패키지(1000)와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000) 및 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(2000)는 상기 지지부(450) 및 방열 접촉부(250)의 개수 및 그 위치가 상이할 뿐 그 이외의 구성은 동일하다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 10을 참조하여 설명하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(3000)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)와 비교하여 상기 지지면 상에 상기 리드 방열부(240, 250), 정확하게는 상기 리드 방열부(240, 250)의 방열 접촉부(250)를 구비하지 않고, 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330) 및 지지부(450)를 구비하는 것에 차이가 있을 뿐 다른 구성 요소는 동일하다.
즉, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(3000)는 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330)는 상기 지지면 상의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부(450)는 상기 지지면의 양 가장자리를 제외하고, 상기 지지면의 중앙을 포함하는 거의 모든 면 상에 구비될 수 있다. 이때, 상기 지지부(450)의 표면에는 상기 리드 방열부(240, 250)의 일부, 바람직하게는 상기 방열 연장부(240)의 일부가 노출되는 형태로 구비될 수 있다.
이때, 도 10에서는 상기 지지부(450)가 하나 구비된 것을 도시하고 있으나, 상기 지지부(450)가 둘 이상의 복수 개로 구비될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 분해도이다.
도 11을 참조하여 설명하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(4000)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)와 비교하여 상기 리드 프레임(200, 300) 및 하부 하우징부(420)에서 차이가 있을 뿐 따른 구성 요소는 동일하다.
즉, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(4000)는 상기 하부 하우징부(420)에 상기 지지부(450)를 구비하지 않고, 상기 하부 하우징부(420)의 뒷면의 일정 위치에 수지 주입구(460)를 구비할 수 있다. 상기 하부 하우징부(420)에 상기 지지부(450)를 구비하지 않으므로, 상기 하부 하우징부(420)는 대략 사각형의 형상으로 구비될 수 있다.
상기 수지 주입구(460)는 상기 하우징부(400)를 형성할 때, 수지 등에 주입되는 주입구일 수 있다. 한편, 상기 하부 하우징부(420)의 일정 영역 위치에 상기 수지 주입구(460)가 구비된다면, 상기 수지 주입구(460)에 대응되는 위치의 상기 제1 리드(200)와 제2 리드(300)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 수지 주입구(460)에서 주입되는 수지 등의 흐름에 방해되지 않도록 변형될 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 12를 참조하여 설명하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(5000)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)와 비교하여 상기 지지면 상에 상기 리드 방열부(240, 250), 정확하게는 상기 리드 방열부(240, 250)의 방열 접촉부(250)를 구비하지 않고, 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330) 및 지지부(450)를 구비하는 것에 차이가 있을 뿐 다른 구성 요소는 동일하다.
즉, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(5000)는 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330)는 상기 지지면 상의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부(450)는 상기 지지면의 양 가장자리를 제외하고, 상기 지지면의 중앙을 포함하는 거의 모든 면 상에 구비될 수 있다. 이때, 상기 지지부(450)의 표면에는 상기 리드 방열부(240, 250)의 일부, 바람직하게는 상기 방열 연장부(240)의 일부가 노출되는 형태로 구비되되, 상기 지지부(450)로부터 연장되어 노출될 수 있으며, 상기 방열 연장부(240)의 끝단은 상기 제1 리드 단자부(230)와 제2 리드 단자부(330)과 동일 평면상에 구비될 수 있다. 즉, 상기 방열 연장부(240)의 끝단, 상기 제1 리드 단자부(230)의 표면 및 제2 리드 단자부(330)의 표면은 일직선 상에 구비될 수 있다. 도 12에서는 상기 방열 연장부(240)가 노출된 형태를 도시하고 있으나, 상기 방열 연장부(240)가 상기 지지부(450)에서 노출된 후, 그 끝단이 절곡되어 상기 발광 다이오드 패키지(5000)의 앞면 또는 뒤면으로 절곡된 형태로 구비될 수도 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 백라이트의 광원으로 적용한 실시 예를 보여는 도들이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 백라이트의 광원으로 적용한 실시 예를 보여는 개념도이고, 도 14는 도 13의 C-C'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지(1000, 2000, 3000, 4000, 5000)는 백라이트의 공원으로 이용될 수 있다. 도 13 및 도 14에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지(1000)를 백라이트의 광원으로 적용한 예를 중심으로 설명한다.
상기 발광 다이오드 패키지(1000)는 백라이트의 기판(1100) 상에 실장될 수 있다. 이때, 상기 발광 다이오드 패키지(1000)는 그 지지면이 상기 기판(1100)의 가장자리 표면의 가장자리에 부착됨으로써 실장될 수 있다. 이때, 상기 지지면에 제1 리드 단자부(230), 제2 리드 단자부(330), 방열 접촉부(250) 및 지지부(450)를 구비함으로써 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 상기 기판(1100)에 대해 기울여지지 않고 수직하게 실장되고, 실장된 후에도 넘어지는 것을 방지할 수 있다. 도 13 및 도 14에서는 상기 발광 다이오드 패키지(1000)가 하나 구비된 것을 도시하고 있으나, 복 수개로 구비될 수 있다.
한편, 상기 기판(1100) 상에는 도광판(1200)을 구비할 수 있고, 상기 도광판(1200)은 상기 도광판(1200)과 기판(1100) 상에 구비된 접착층(1300)에 의해 접착되어 구비될 수 있다. 이때, 도에서 도시하지 않았지만, 상기 기판(1100)과 도광판(1200) 사이에는 다른 층들이 더 포함될 수 있다. 상기 도광판(1200)은 상기 발광 다이오드 패키지(1000)의 개구부(430)와 대응되도록 구비되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 도광판(1200)은, 상기에서 상술한 바와 같이, 상기 기판(1100)과 도광판(1200) 사이에 접착층(1300)을 포함하는 복수 층이 구비되어 상기 기판(1100)으로부터 일정 높이로 이격되어 구비될 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지(1000)는 상기에서 상술한 바와 같이 상기 지지면과 접하는 테두리가 다른 측면, 바람직하게는 상기 지지면의 반대면인 상부 측면의 테두리에 비해 두껍게 구비되고, 상기 지지부(450)를 구비하여 상기 지지면과 접하는 테두리의 두께 및 상기 지지부(450)의 높이의 합으로 상기 도광판(1200)의 상기 기판(1100)으로부터의 이격를 보상하여 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이 상기 도광판(1200)에 대응되는 위치에 상기 발광 다이오드 패키지(1000)의 발광 다이오드 칩(100)이 위치되도록 구비될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지(1000, 2000, 3000, 4000, 5000)는 그 두께가 얇기는 하나, 상기 지지면에 접하는 테두리의 두껍게 구비되고, 그 지지면에 지지부를 구비하여 쉽게 넘어지거나 기울어지는 것이 방지되는 발광 다이오드 패키지로 제공하여 백라이트의 광원으로 이용될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지(1000, 2000, 3000, 4000, 5000)는 그 두께가 얇기는 하나, 상기 지지면에 접하는 테두리가 두껍게 구비되고, 그 지지면에 지지부를 구비하여 공정 중의 이동 또는 취급할 때 케리어 테입 포켓에 안정되게 장착되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드 패키지(1000, 2000, 3000, 4000, 5000)는 그 두께가 얇기는 하나, 상기 지지면에 접하는 테두리가 두껍게 구비되고, 그 지지면에 지지부를 구비하여 공정 중의 이동 또는 취급할 때 발광 다이오드 패키지의 틀어짐이 개선되도록 할 수 있다.
이상 본 발명을 상기 실시 예들을 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 당업자라면, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정, 변경을 할 수 있으며 이러한 수정과 변경 또한 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
100 : 발광 다이오드 칩 200 : 제1 리드
210 : 제1 리드 몸체 220 : 제1 리드 연장부
230 : 제1 리드 단자부 240 : 방열 연장부(240)
250 : 방열 접촉부 300 : 제2 리드
310 : 제2 리드 몸체 320 : 제2 리드 연장부
330 : 제2 리드 단자부 400 : 하우징부
410 : 상부 하우징부 420 : 하부 하우징부
430 : 개구부 440 : 노출부

Claims (19)

  1. 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 리드, 상기 제1 리드와 이격된 제2 리드를 포함하는 리드 프레임;
    상기 리드 프레임의 일부를 감싸고, 상기 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 포함하며, 상기 제1 리드 및 상기 제2 리드가 접하는 지지면에 대응하는 제1 측면과, 상기 제1측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 하우징부; 및
    상기 제1 리드로부터 연장되어 상기 하우징부의 제1 측면에 일부 노출된 리드 방열부를 포함하고,
    상기 제1 리드는 상기 발광 다이오드 칩이 실장되게 상기 제1 리드 몸체의 일부가 오목하게 형성된 안착부를 구비하며,
    상기 안착부의 바닥 상면은 상기 제1 리드의 상면과 단차를 가지고,
    상기 하우징부의 제1 측면은 상기 제2 측면의 두께보다 두꺼우며,
    상기 하우징부는 상부 하우징부 및 하부 하우징부를 포함하고,
    상기 안착부는 바닥부 및 상기 바닥부로부터 연장되어 상기 제1 리드 몸체의 다른 부분과 상기 바닥부를 연결하되, 경사지도록 구비된 측면부를 구비하며,
    상기 하부 하우징부는 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 바닥부의 후면을 노출시키는 노출부를 구비한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 리드는 상기 지지면 상에 연장되어 구비된 제1 리드 단자부 및 적어도 하나의 방열 접촉부를 포함하며,
    상기 제2 리드는 상기 지지면 상에 연장되어 구비된 제2 리드 단자부를 포함하며,
    상기 하우징부는 상기 지지면 상에 지지부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 리드는 적어도 일부가 상기 하우징부에 의해 감싸지는 제1 리드 몸체, 상기 제1 리드 몸체와 상기 제1 리드 단자부를 연결하는 제1 리드 연장부 및 상기 제1 리드 몸체와 상기 방열 접촉부를 연결하는 방열 연장부를 구비하며,
    상기 제2 리드는 제2 리드 몸체 및 상기 제2 리드 몸체와 상기 제2 리드 단자부를 연결하는 제2 리드 연장부를 구비한 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부의 너비는 각각 상기 제1 리드 연장부 및 제2 리드 연장부의 너비에 비해 넓은 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 리드 연장부, 방열 연장부 및 제2 리드 연장부는 각각 적어도 한 번 이상 절곡되어 상기 제1 리드 단자부, 방열 접촉부 및 제2 리드 단자부가 상기 지지면 상에 구비되도록 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 리드 단자부, 방열 접촉부 및 제2 리드 단자부의 표면들과 상기 지지부의 표면은 동일 평면 상에 위치하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 리드 몸체는 상기 안착부를 구비하며, 상기 안착부는 상기 개구부를 통해 노출된 발광 다이오드 패키지.
  8. 삭제
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 측면부는 상기 바닥부를 둘러싸도록 배치되고, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 바닥부 상에 실장되되, 상기 바닥부의 중심부에서 상기 제2 리드 측으로 치우쳐 구비된 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 개구부는 상기 안착부를 노출시키고, 상기 제1 리드 몸체의 일부 및 상기 제2 리드 몸체의 일부를 노출시킨 발광 다이오드 패키지.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 청구항 3에 있어서, 상기 하우징부는 네 개의 측면 및 상기 네 개의 측면과 각각 접하는 네 개의 테두리(상기 테두리는 상기 개구부를 둘러싸는 상기 하우징의 상면임)를 포함하고, 상기 네 개의 테두리 중, 상기 지지면에 인접한의 테두리의 폭은 상기 지지면의 반대면인 상부 측면과 접하는 테두리의 폭보다 넓은 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 방열 연장부는 상기 지지면을 관통하여 상기 제1 리드 몸체에 연결되며, 상기 제1 리드 연장부는 상기 지지면과 이웃하는 두 측면 중 어느 하나의 측면을 관통하여 상기 제1 리드 몸체에 연결되며, 상기 제2 리드 연장부는 상기 지지면과 이웃하는 두 측면 중 다른 하나의 측면을 관통하여 상기 제2 리드 몸체에 연결되는 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 14항에 있어서, 상기 방열 연장부는 1회 절곡되고, 상기 제1 리드 연장부 및 제2 리드 연장부는 각각 2회 절곡되는 발광 다이오드 패키지.
  16. 청구항 2에 있어서, 상기 방열 접촉부는 상기 지지면의 중앙에 위치하고, 상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부는 두 개를 구비하되, 각각 상기 방열 접촉부와 제1 리드 단자부 사이 및 상기 방열 접촉부와 제2 리드 단자부 사이에 구비되는 발광 다이오드 패키지.
  17. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부는 상기 지지면의 중앙에 위치하고, 상기 방열 접촉부는 두 개를 구비하되, 각각 상기 지지부와 제1 리드 단자부 사이 및 상기 지지부와 제2 리드 단자부 사이에 구비되는 발광 다이오드 패키지.
  18. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 리드 단자부 및 제2 리드 단자부는 상기 지지면의 양 가장자리에 위치하고, 상기 지지부는 상기 제1 리드 단자부와 제2 리드 단자부 사이의 상기 지지면 상에 위치하고, 상기 리드 방열부는 상기 지지부의 표면에 노출된 방열 연장부의 일부인 발광 다이오드 패키지.
  19. 청구항 1에 있어서, 상기 개구부는 그 측면이 경사지도록 구비된 발광 다이오드 패키지.
KR1020110055333A 2011-06-08 2011-06-08 발광 다이오드 패키지 KR101850980B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110055333A KR101850980B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 발광 다이오드 패키지
JP2014514782A JP5993943B2 (ja) 2011-06-08 2012-02-02 発光ダイオードパッケージ
PCT/KR2012/000800 WO2012169717A1 (en) 2011-06-08 2012-02-02 Light emitting diode package
US14/124,974 US9287477B2 (en) 2011-06-08 2012-02-02 Light emitting diode package
CN201280038958.9A CN103988323B (zh) 2011-06-08 2012-02-02 发光二极管封装件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110055333A KR101850980B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 발광 다이오드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120136241A KR20120136241A (ko) 2012-12-18
KR101850980B1 true KR101850980B1 (ko) 2018-05-31

Family

ID=47903759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110055333A KR101850980B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 발광 다이오드 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101850980B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107731999A (zh) * 2017-10-30 2018-02-23 深圳市立彩光电科技有限公司 侧发光的led

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080173883A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Hussell Christopher P High Performance LED Package
US20080283861A1 (en) * 2004-06-04 2008-11-20 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP2011035306A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080283861A1 (en) * 2004-06-04 2008-11-20 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US20080173883A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Hussell Christopher P High Performance LED Package
JP2011035306A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120136241A (ko) 2012-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5993943B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ
US7763905B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US8502253B2 (en) Light emitting device package
US9812628B2 (en) Light emitting device package
TWI232598B (en) Linear light source apparatus, its manufacturing method and surface light-emitting apparatus
US9304248B1 (en) Light emitting module and illumination system including the same
KR100732267B1 (ko) 선형 광원장치 및 그 제조방법, 그리고 면 발광장치
US9223076B2 (en) Semiconductor light emitting device package
US20110220927A1 (en) Light emitting device package
JP2010093226A (ja) 側面放出型発光装置及びこれを備えた光学装置
JP2007123777A (ja) 半導体発光装置
JP2011114341A (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
TWI603506B (zh) 發光二極體封裝結構
US9910203B2 (en) Light source module and backlight unit having the same
US20170255058A1 (en) Light emitting device and display device including the same
JP2009177112A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR100969142B1 (ko) 측면 발광 다이오드 패키지
US9847462B2 (en) Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
JP4725583B2 (ja) 線状光源装置
KR101850980B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
EP2341284A2 (en) Illumination device
KR20140070045A (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101861230B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6087098B2 (ja) 光源装置、ｌｅｄランプ、および液晶表示装置
TWI478395B (zh) 發光二極體封裝模組

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant