KR101850809B1 - 도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기 - Google Patents

도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 프레스 가공이라는 간단한 방법을 이용하여 전자 부품을 피복해도 전기 저항의 증가에 의한 차폐 성능의 저하라는 문제점의 발생이 쉽게 일어나지 않게 할 수 있는 도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기를 제공한다. 프린트 배선판의 절단용 오목부에 대응하는 부위를 필름면 방향으로 신전시켜 전자 부품(5)을 피복하는 것에 의해 전자파 차폐하는 도전성 접착 필름(1)이다. 도전성 입자(10a)를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층(10)과, 프레스 가공 시에 도전성 접착제층(10)보다 전자 부품(2) 측에 위치되고, 도전성 입자(11a)를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층(11)을 가진다.

Description

도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기{ELECTROCONDUCTIVE ADHESIVE FILM, PRINTED CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기에 관한 것이다.
종래, 프린트 회로 기판 상에 설치된 전자 부품을, 외부로부터 침입하는 전자파로부터 차폐하고, 또한 전자 회로로부터 방사되는 전자파를 외부로 방출하는 것을 방지하기 위한 실드 캡이 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 이와 같은 실드 캡은, SUS 등의 금속층에 의해 커버형으로 형성되어, 보호 대상이 되는 전자 부품을 피복하도록 배치된다. 또한, 실드 캡은, 금속층이 프린트 회로 기판에서의 그라운드용 배선 패턴에 접속되어 차폐 효과를 높이는 것이 행해지고 있다.
그런데, 실드 캡은, 내벽면이 프린트 회로 기판 상의 전자 부품에 접촉하지 않도록 전자 부품과 내벽면의 공극을 형성할 필요가 있어, 프린트 회로 기판의 박형화가 곤란했다. 그래서, 특허 문헌 2 및 특허 문헌 3과 같이, 도전성 페이스트를 프린트 회로 기판에 인쇄하는 것이 있다. 또한, 특허 문헌 4에는, 기판 형상에 맞춘 열연화성의 전자 차폐 소재에 의해 실장품(實裝品)을 포함하여 기판 전체를 피복하고, 적어도 상기 차폐 소재를 가열한 후 냉각하여 기판에 밀착시키는 것이 개시되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본공개특허 제2001-345592호 공보 특허 문헌 2 : 일본공개특허 제2009-016715호 공보 특허 문헌 3 : 일본공개특허 제2010-245139호 공보 특허 문헌 4 : 일본공개특허 평5-327270호 공보
그러나, 특허 문헌 2∼4에서는, 제조 공정이 복잡하거나 또는 부하가 걸리는 것이었다. 따라서, 최근에도 특허 문헌 1과 같은 실드 캡이 주류가 되고 있다. 또한, 특허 문헌 4와 같이, 전자 차폐 소재를 전자 부품의 형상에 추종시키는 경우, 전자 차폐 소재가 변형되는 것에 의한 저항의 상승이, 차폐 효과를 저하시켜 버리는 것이 문제였다.
그래서, 본 발명은, 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 프레스 가공이라는 간단한 방법을 이용하여 전자 부품을 피복해도 전기 저항의 증가에 의한 차폐 성능의 저하라는 문제점의 발생이 쉽게 일어나지 않게 할 수 있는 도전성 접착 필름, 프린트 회로 기판, 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 프레스 가공에 의해 프린트 배선판의 절단용 오목부에 대응하는 부위를 필름면 방향으로 신전(伸展)시켜 전자 부품을 피복하는 것에 의해 전자파를 차폐하는 도전성 접착 필름으로서, 제1 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층과, 상기 프레스 가공 시에 상기 도전성 접착제층보다 상기 전자 부품 측에 위치되고, 제2 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층을 포함한다.
프레스 가공에 의해 도전성 접착 필름으로 전자 부품을 피복할 때, 도전성 접착 필름은 프린트 배선판의 절단용 오목부 형상에 따라 신전된다. 이 때, 도전성 접착 필름은 전자 부품으로부터 외측 방향으로 이격되어 감에 따라 크게 신전되게 된다. 상기 구성에 의하면, 전자 부품으로부터 가장 외측에 위치하는 도전성 접착제층이 제1 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되고, 전자 부품 측에 위치하는 베이스 접착제층이 제2 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되어 있다. 등방성 도전 재료는, 이방성 도전 재료보다 도전성 입자를 포함하는 비율이 크기 때문에, 도전성 접착제층이 베이스 접착제층보다 크게 신전되었다고 해도, 제1 도전성 입자끼리 이격되는 것에 의한 도전성 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 이 결과, 전기 저항의 증가에 의한 차폐 성능의 저하라는 문제점의 발생이 쉽게 일어나지 않게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 제1 도전성 입자는, 신전 후의 상기 도전성 접착제층에서 적어도 일부가 서로 접촉하는 밀도로 분산되어 있어도 된다.
상기 구성에 의하면, 도전성 입자끼리 가장 이격되기 쉬운 부위인 도전성 접착제층에서의 최대로 신전된 부위의 도전성의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 도전성 접착제층에 포함되는 상기 제1 도전성 입자는, 상기 도전성 접착제층의 신전하기 전 층 두께의 15%∼25%인 평균 장축을 가진 플레이크형 입자이며, 상기 도전성 접착제층의 총 중량에 대하여 40 중량%∼80 중량% 함유되어 있어도 된다.
상기 구성에 따르면, 도전성 입자끼리 가장 이격되기 쉬운 부위인 도전성 접착제층에 있어서, 제1 도전성 입자의 장축 방향이 도전성 접착제층의 필름면 방향으로 정렬되므로, 프레스 가공을 행했을 때 제1 도전성 입자끼리 접촉하기 쉬워져, 최대로 신전된 부위의 도전성의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 제2 도전성 입자는, 상기 베이스 접착제층의 신전하기 전 층 두께의 10%∼50% 범위인 평균 입경을 가지고 있고, 상기 베이스 접착제층의 총 중량에 대하여 40 중량%∼80 중량% 함유되어 있어도 된다.
상기 구성에 의하면, 제2 도전성 입자끼리의 이격에 의한 베이스 접착제층 전체에서의 도전성의 저하를 방지하고, 전기 저항의 증가에 의한 차폐 성능의 저하를 보다 발생하기 어렵게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 제2 도전성 입자는, 덴드라이트형 입자이어도 된다.
상기 구성에 의하면, 제2 도전성 입자가 덴드라이트형 입자이므로, 덴드라이트형과는 상이한 형상의 입자를 동일한 중량% 사용한 경우와 비교하여, 제2 도전성 입자간의 접촉률을 높일 수 있다. 이로써, 베이스 접착제층의 접착제의 양을 감소시키는 것을 방지할 수 있고, 도전성 접착제층과 베이스 접착제층의 접착성을 저하시키지 않고 도전성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 도전성 접착제층의 신전하기 전 층 두께는, 상기 오목부의 홈 깊이로 대하여 1%∼3%이며, 상기 베이스 접착제층의 신전하기 전 층 두께는, 상기 오목부의 홈 깊이로 대하여, 4%∼8%이며, 양쪽의 신전 전의 총 두께는, 상기 오목부의 홈 깊이로 대하여, 5%∼11%이어도 된다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에서, 상기 도전성 접착제층은, 10㎛∼30㎛의 층 두께를 가지고, 상기 베이스 접착제층은, 40㎛∼80㎛의 층 두께를 가져도 된다.
또한, 본 발명의 도전성 접착 필름에 있어서, 상기 도전성 접착제층에 대하여, 베이스 접착제층과는 반대의 면에 전사 필름이 적층되어 있고, 상기 전사 필름은, 150℃ 이상의 온도 조건 하에서의 저장 탄성률이 20MPa 이하여도 된다.
상기 구성에 의하면, 전사 필름이 열프레스 가공 시에 연신되기 쉽고, 전자 부품 및 프린트 배선판의 절단용 오목부에 대한 도전성 접착 필름의 매립성(embeddability)을 양호하게 할 수 있다.
본 발명의 차폐 프린트 배선판은, 상기 기재된 도전성 접착 필름을 포함한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 기기는, 상기 기재된 차폐 프린트 배선판을 포함한 것을 특징으로 한다.
프레스 가공이라는 간단한 방법을 이용하여 전자 부품을 도전성 접착 필름으로 피복하여 전기 저항의 증가에 의한 차폐 성능의 저하라는 문제점의 발생이 쉽게 일어나지 않게 할 수 있다.
도 1은, 도전성 접착 필름의 단면도이다.
도 2는, 도전성 접착 필름의 상세를 나타낸 설명도이다.
도 3은, 도전성 접착 필름의 프레스 가공을 나타내는 설명도이다.
도 4는, 실시예에서의 유리 에폭시 기판 상에 적층된 도전성 접착 필름의 태양을 나타낸 설명도이다.
도 5는, 실시예에서의 도전성 접착 필름의 표면 저항값의 측정 방법을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태의 도전성 접착 필름(1)은, 차폐 프린트 배선판(100)에 설치되고, 프레스 가공에 의해 오목부에 대응하는 부위를 필름면 방향으로 신전시켜 전자 부품(2)을 피복하는 것에 의해 전자파를 차폐하는 것이다.
구체적으로, 프린트 배선판(100)에는, 기판(4) 상에 신호 패턴이나 그라운드 패턴 등의 배선을 포함하는 회로 패턴, 컨덴서나 인덕턴스 등의 수동 부품, 및 집적 회로 칩 등의 전자 부품(2)이 설치되어 있다. 이들 전자 부품(2)이 수지 몰드 등의 봉지재(封止材)(3)에 의해 일체로 봉지(封止)되어 있다. 기판(4) 상에는, 일체로 봉지된 전자 부품(2)으로 이루어지는 단위 모듈이 다수 형성되고, 각각이 오목형의 홈(오목부)에 의해 구획되어 있다. 기판(4)은 단위 모듈마다 오목부로 절단되고, 프린트 배선판(100)으로서 노트북 및 태블릿 단말기 등의 각종 전자 기기(300)에 설치된다. 그리고, 본 발명에서의 프린트 배선판의 절단용 오목부란, 상기 오목부를 말한다.
[도전성 접착 필름(1)]
도전성 접착 필름(1)은, 기판(4) 상에 설치되는 다수의 단위 모듈을 피복하도록 배치되고, 프레스 가공된다. 이로써, 도전성 접착 필름(1)은, 오목부 상에 위치하는 부위가, 오목부의 홈으로 들어가도록 필름면 방향으로 신전되게 된다.
이와 같은 도전성 접착 필름(1)은, 도전성 접착제층(10)과 도전성 접착제층(10)보다 전자 부품(2) 측에 위치하는 베이스 접착제층(11)을 가진다. 즉, 도전성 접착 필름(1)은, 도전성 접착제층(10)과 베이스 접착제층(11)이 적층되어 형성되어 있다.
도전성 접착제층(10) 및 베이스 접착제층(11)은, 도전성 입자와 바인더의 혼합체인 도전성 접착제에 의해 형성되어 있다. 도전성 접착제의 전기적인 접속은, 바인더 내의 도전성 입자가 연속하여 기계적으로 접촉함으로써 실현되고, 바인더의 접착력에 의해 유지된다.
도전성 접착제층(10), 및 베이스 접착제층(11)의 바인더로서는, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 열가소성 엘라스토머(elastomer)계 수지, 고무계 수지, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지 등을 예로 들 수 있다. 그리고, 접착제는, 상기 수지의 단체(單體)이어도 되고 혼합체이어도 된다. 또한, 바인더는, 점착성 부여제를 더 포함해도 된다. 점착성 부여제로서는, 지방산 탄화수소 수지, C5/C9혼합 수지, 로진, 로진 유도체, 테르펜 수지, 방향족계 탄화수소 수지, 열 반응성 수지 등을 예로 들 수 있다.
도전성 접착제층(10), 및 베이스 접착제층(11)의 도전성 입자로서는, 카본, 은, 구리, 니켈, 납땜, 알루미늄, 주석, 비스무트, 및 구리가루에 은 도금을 행한 은 코팅 구리 등의 금속 필러(filler), 또한 수지 볼이나 유리 비즈 등에 금속 도금을 행한 필러 또는 이들 필러의 혼합체가 사용된다.
도전성 입자(10a·11a)의 형상은, 구형(球形), 침형, 섬유형, 플레이크형, 덴드라이트형 중 어느 것이어도 된다. 그리고, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 도전성 접착제층(10)의 도전성 입자(10a)(제1 도전성 입자)에는 플레이크형의 도전성 입자를 사용하고, 베이스 접착제층(11)의 도전성 입자(11a)(제2 도전성 입자)에는 덴드라이트형의 도전성 입자를 사용하고 있다.
[도전성 접착 필름(1) : 도전성 접착제층(10)]
도전성 접착제층(10)은, 도전성 입자(10a)를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성된다. 그리고, 도전성 접착제층(10)은, 2층 이상의 복층 구조이어도 된다. 도전성 접착제층(10)의 신전 전의 층 두께의 하한은, 오목부의 홈 깊이로 대하여 1.0%가 바람직하고, 1.5%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 접착제층(10)의 신전 전의 층 두께의 상한은, 3.0%가 바람직하고, 2.0%인 것이 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 도전성 접착제층(10)의 층 두께의 하한은, 10㎛가 바람직하고, 15㎛인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 접착제층(10)의 층 두께의 상한은, 30㎛가 바람직하고, 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 접착제층의 하한이 상기의 값 미만이면, 도전성 접착 필름(1)이 신전되었을 때, 도전성 입자끼리 접촉하기 어려워져, 최대로 신전된 부위의 도전성이 손상되게 된다. 또한, 도전성 접착제층의 상한이 상기의 값을 초과하면, 미세한 오목부에 대한 매립성이 악화되고, 또한 경제 합리성이 결여된다.
도전성 접착제층(10)은 등방성 도전 재료로 형성되므로, 도전성 접착제층(10)은, 두께 방향, 폭 방향, 및 길이 방향으로 이루어지는 3차원의 모든 방향으로 전기적인 통전 상태를 확보할 수 있게 된다.
도전성 입자(10a)는, 신전 후의 도전성 접착제층(10)에서 적어도 일부가 서로 접촉하는 밀도로 분산되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 「적어도 일부가 서로 접촉함」이란, 신전 후의 도전성 접착제층(10)에서, 포함되는 모든 도전성 입자(10a)가 연속되도록(전기적으로 접속되도록) 접촉하는 것에 한정되지 않고, 적어도 두께 방향, 폭 방향, 및 길이 방향이 전기적으로 접속되도록 접촉하는 도전성 입자(10a)가 존재하고 있으면 된다.
구체적으로, 도전성 입자(10a)의 함유 비율의 하한은, 도전성 접착제층(10)의 총 중량에 대하여 40 중량%가 바람직하고, 50 중량%가 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 입자(10a)의 함유 비율의 상한은, 도전성 접착제층(10)의 총 중량에 대하여 80 중량%가 바람직하고, 60 중량%가 더욱 바람직하다. 도전성 입자의 함유 비율의 하한이 상기의 값 미만이면, 도전성 접착 필름(1)이 신전되었을 때, 도전성 입자끼리 접촉하기 어려워져, 최대로 신전된 부위의 도전성이 손상되게 된다. 또한, 도전성 입자의 함유 비율의 상한이 상기의 값을 초과하면, 접착성이 저하되고, 또한 경제 합리성이 결여된다.
본 실시 형태의 도전성 입자(10a)와 같이, 도전성 접착제층(10)에 포함되는 제1 도전성 입자로서는 플레이크형 입자가 바람직하다. 그리고, 도전성 입자(10a)의 평균 장축의 하한은, 도전성 접착제층(10)의 신전 전의 층 두께의 15%인 것이 바람직하고, 18%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 입자(10a)의 평균 장축의 상한은, 도전성 접착제층(10)의 신전 전의 층 두께의 25%인 것이 바람직하고, 22%인 것이 더욱 바람직하다. 제1 도전성 입자(10a)의 형상이 장축을 가지는 플레이크형인 것에 의해, 후술하는 도전성 접착 필름(1)의 제조 방법에서의 도전성 접착제층(10)의 적층 공정에 있어서, 포함되는 도전성 입자(10a)의 장축 방향이 도전성 접착제층의 필름면 방향으로 정렬된다. 이로써, 절단용 오목부를 가지는 프린트 배선판에 대하여 프레스 가공을 행했을 때, 도전성 입자(10a)끼리 접촉하고 쉬워져, 최대로 신전된 부위의 도전성의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다. 그리고, 도전성 입자의 평균 장축 및 평균 입경은, 레이저 회절 산란법에 의해 측정할 수 있다. 또한, 도전성 입자(10a)의 평균 장축의 하한이 신전 전의 층 두께의 15%보다 작아지면, 도전성 접착제층(10)이 신전되었을 때, 도전성 입자끼리 접촉하기 어려워져, 최대로 신전된 부위의 도전성이 손상되게 된다.
그리고, 「등방성 도전 재료에 의해 도전성 접착제층(10)이 형성됨」이란, 도전성 접착제층(10)이, 두께 방향, 폭 방향, 길이 방향이 전기적으로 접속된 상태인 것을 나타낸다. 즉, 도전성 접착제층(10)의 도전성 입자의 형상, 바인더의 종류, 바인더에 대한 도전성 입자의 혼합 비율, 가압 프레스 시의 압력, 온도 등을 적절히 조정함으로써 등방성 도전 재료로 된다.
[도전성 접착 필름(1): 베이스 접착제층(11)]
베이스 접착제층(11)은, 도전성 입자(11a)를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성된다. 그리고, 베이스 접착제층(11)은, 2층 이상의 복층 구조이어도 된다. 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 층 두께의 하한은, 오목부의 홈 깊이에 대하여 4%가 바람직하고, 5%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 층 두께의 상한은, 8%가 바람직하고, 6%인 것이 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 층 두께의 하한은, 40㎛가 바람직하고, 50㎛인 것이 더욱 바람직하다. 베이스 접착제층(11)의 층 두께의 상한은, 80㎛가 바람직하고, 60㎛인 것이 더욱 바람직하다. 베이스 접착제층의 하한이 상기의 값 미만이면, 도전성 접착 필름(1)이 신전되었을 때, 도전성 입자끼리 접촉하기 어려워져, 최대로 신전된 부위의 도전성이 손상되게 된다. 또한, 도전성 접착제층의 상한이 상기의 값을 초과하면, 미세한 오목부에 대한 매립성이 악화되고, 또한 경제 합리성이 결여된다.
베이스 접착제층(11)을 형성하는 이방성 도전 재료는, 가압 방향으로만 통전하는 성질을 가지고 있다. 따라서, 이방 도전성 접착제로 형성되는 베이스 접착제층(11)은, 두께 방향으로만 전기적인 통전 상태를 확보할 수 있게 된다.
도전성 입자(11a)의 함유 비율의 하한은, 베이스 접착제층(11)의 총 중량에 대하여 40 중량%가 바람직하고, 50 중량%가 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 입자(11a)의 함유 비율의 상한은, 베이스 접착제층(11)의 총 중량에 대하여 80 중량%가 바람직하고, 60 중량%가 더욱 바람직하다. 도전성 입자의 함유 비율의 하한이 상기의 값 미만이면, 도전성 접착 필름(1)이 신전되었을 때, 도전성 입자끼리 접촉하기 어려워져, 최대로 신전된 부위의 도전성이 손상되게 된다. 또한, 도전성 입자의 함유 비율의 상한이 상기의 값을 초과하면, 접착성이 저하되고, 또한 경제 합리성이 결여된다.
본 실시 형태의 도전성 입자(11a)와 같이, 베이스 접착제층(11)에 포함되는 제1 도전성 입자로서는 덴드라이트형 입자가 바람직하다. 그리고, 도전성 입자(11a)의 평균 입경의 하한은, 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 층 두께의 10%인 것이 바람직하고, 20%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 입자(11a)의 평균 입경의 상한은, 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 층 두께의 50%인 것이 바람직하고, 40%인 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 「이방성 도전 재료로 베이스 접착제층(11)이 형성됨」이란, 베이스 접착제층(11)이 일방향(두께 방향)으로만 통전이 확보된 상태인 것을 나타낸다. 즉, 베이스 접착제층(11)의 도전성 입자의 형상, 바인더의 종류, 바인더에 대한 도전성 입자의 혼합 비율, 가압 프레스 시의 압력, 온도 등을 적절히 조정함으로써 이방성 도전 재료로 된다.
그리고, 도전성 접착 필름(1) 자체의 신전 전의 층 두께, 즉 도전성 접착제층(10) 및 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 총 두께[도전성 접착제층(10)의 두께와 베이스 접착제층(11)의 두께의 합계]의 하한은, 오목부의 홈 깊이에 대하여 5%인 것이 바람직하고, 7%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 도전성 접착 필름(1) 자체의 신전 전의 층 두께, 즉 도전성 접착제층(10) 및 베이스 접착제층(11)의 신전 전의 총 두께의 상한은, 11%인 것이 바람직하고, 9%인 것이 더욱 바람직하다.
[도전성 접착 필름(1)의 제조 방법]
도 3에 나타낸 바와 같이, 도전성 접착 필름(1)을, 전사 필름(12)이 적층된 상태로 전자 부품(2) 상에 탑재하고, 쿠션 필름(13)을 더 탑재한 상태에서 위로부터 가압된다. 도전성 접착 필름(1)의 제조 방법으로서는, 먼저, 상기 전사 필름(12)이, T-다이(die)법 등에 의해 압출(押出) 성형되어 필름형으로 형성된다. 그리고, 전사 필름(12)은, 도전성 접착제층(10)에 대하여 박리성(剝離性)을 가지는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 실리콘이나 비실리콘계의 멜라민 이형제(離型劑)나 아크릴 이형제가 코팅된 PET 필름 등을 사용할 수 있다. 그리고, 전사 필름(12)은, 150℃ 이상의 온도 조건 하에서의 저장 탄성률이 20MPa 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 프레스 가공 시에서의 도전성 접착 필름(1)의 프린트 배선판의 절단용 오목부에 대한 매립성이 양호한 것으로 된다.
상기 전사 필름(12)에 도전성 입자(10a)를 함유하는 등방성 도전 재료가 도포되는 것에 의하여, 전사 필름(12) 상에 도전성 접착제층(10)이 적층된다. 한편, 이와는 별도로, 압출 성형에 의해 형성된 도시하지 않은 박리 필름에 도전성 입자(11a)를 함유하는 이방성 도전 재료가 도포되는 것에 의해, 베이스 접착제층(11)이 형성된다. 그 후, 이들 2개의 적층체를 라미네이트함으로써, 전사 필름(12), 도전성 접착제층(10), 베이스 접착제층(11), 및 도시하지 않은 박리 필름이 순서대로 적층된 적층 구조체가 형성된다.
이와 같이, 도전성 접착 필름(1)은, 전사 필름(12)과 박리 필름에 협지된(sandwich) 상태로 형성되어 있다. 그리고, 이 적층 구조체는, 상기 4층 구조인 채로 감겨 보관·이송 등이 행해져도 된다. 또한, 박리 필름만 박리한 3층 구조로 감겨 보관·이송 등이 행해져도 된다. 3층 구조로 감는 경우, 전사 필름(12)의 도전성 접착제층(10)이 적층되는 반대 측의 면에는 이형 처리가 행해지는 것이 바람직하다.
또한, 전술한 바와 같이 라미네이트에 의해 형성하는 것에 한정되지 않고, 전사 필름(12) 상에 도전성 접착제층(10)이 적층된 적층체에 대하여, 도전성 입자(11a)를 함유하는 이방성 도전 재료를 더 도포함으로써 베이스 접착제층(11)을 형성해도 된다. 이로써, 전사 필름(12) 상에 도전성 접착 필름(1)이 적층되게 된다.
(프레스 가공)
도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(4) 상의 봉지재(3)에 의해 일체로 봉지된 전자 부품(2)에 대하여, 전사 필름(12)에 적층된 도전성 접착 필름(1)으로 피복하고, 전사 필름(12) 측에 쿠션 필름(13)을 탑재한 상태에서 프레스 가공이 행해진다. 본 실시 형태에서는, 평판을 사용하여 프레스 가공을 행하고 있지만, 이에 한정되지 않고 오목부에 압입하기 위한 금형을 사용해도 된다. 이 경우, 쿠션 필름(13)을 사용하지 않아도 된다.
이상의 상세한 설명에서는, 본 발명를 보다 용이하게 이해할 수 있도록, 특징적 부분을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이상의 상세한 설명에 기재하는 실시 형태에 한정되지 않고, 그 외의 실시 형태에도 적용할 수 있고, 그 적용 범위는 가능한 한 넓게 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용한 용어 및 어법은, 본 발명을 정확하게 설명하기 위해 사용한 것이며, 본 발명의 해석을 제한하기 위해 사용한 것은 아니다. 또한, 당업자이면, 본 명세서에 기재된 발명의 개념으로부터, 본 발명의 개념에 포함되는 다른 구성, 시스템, 방법 등을 추고(推考)하는 것은 용이하다고 생각된다. 따라서, 청구의 범위의 기재는, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 균등한 구성을 포함하는 것이라고 간주되어야 한다. 또한, 본 발명의 목적 및 본 발명의 효과를 충분히 이해하기 위하여, 이미 개시되어 있는 문헌 등을 충분히 참조하는 것이 요망된다.
<실시예>
(실시예 1∼4, 비교예 1∼3)
실시예로서는, 플레이크형의 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층과, 덴드라이트형의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층을 적층한 도전성 접착 필름을 사용하였다. 실시예 1∼4의 도전성 접착제층의 프레스에 의한 신전 전의 두께는, 각각 20㎛, 20㎛, 15㎛, 10㎛로 하였다. 또한, 실시예 1∼4의 베이스 접착제층의 프레스에 의한 신전 전의 두께는, 각각 40㎛, 60㎛, 60㎛, 80㎛로 하였다.
비교예 1, 2로서는, 덴드라이트형의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층과, 플레이크형의 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층을 적층한 도전성 접착 필름을 사용하였다. 또한, 비교예 3으로서는, 덴드라이트형의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층과, 덴드라이트형의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층을 적층한 도전성 접착 필름을 사용하였다. 비교예 1∼3의 도전성 접착제층의 프레스에 의한 신전 전의 두께는, 60㎛, 80㎛, 60㎛로 하였다. 또한, 비교예 1∼3의 베이스 접착제층의 프레스에 의한 신전 전의 두께는, 20㎛, 20㎛, 60㎛로 하였다.
그리고, 실시예 1∼4, 및 비교예 1∼3의 각각의 도전성 접착제층 및 베이스 접착제층에서의 도전성 입자의 배합 비율은, 모두 도전성 접착제층 및 베이스 접착제층의 각각의 총량에 대하여 60 wt%이다. 또한, 실시예 1∼4의 도전성 접착제층, 및 비교예 1∼2의 베이스 접착제층에 사용한 플레이크형 도전성 입자의 평균 장축과 평균 단축은, 각각 5㎛, 1㎛이며, 실시예 1∼4 및 비교예 3의 베이스 접착제층과 비교예 1∼3의 도전성 접착제층에 사용한 덴트라이트형 도전성 입자의 평균 입경은 13㎛이다. 이들 도전성 접착 필름 상에 전사 필름을 적층하고, 쿠션 필름을 더 탑재하여 프레스 대상에 프레스 가공을 행하였다.
그리고, 전사 필름으로서는, 150℃의 저장 탄성률이 10MPa인 폴리올레핀 수지(두께 50㎛)인 것을 사용하였다. 또한, 쿠션 필름으로서는, 미쓰이 가가쿠 토셀로 가부시키가이샤(Mitsui Chemicals Tohcello.Inc.) 제조의 CR1012MT4(두께 150㎛)를 사용하였다. 또한, 프레스 가공은, 가열 온도 170℃, 프레스 시간 30분, 압력 3MPa로 행하였다.
또한, 프레스의 대상으로서는, 전자 부품 탑재 기판을 모의(模擬)하고, 유리 에폭시 기판에 홈 폭 0.6㎜, 홈 깊이 1㎜의 격자형(8×8 구획)의 오목부를 형성한 것을 사용하였다.
상기와 같이, 프레스 가공에 의해 도전성 접착 필름을 프레스 대상에 접착하였다. 이어서, 쿠션 필름 및 전사 필름을 박리한 실시예 1∼4, 및 비교예 1∼3의 도전성 접착 필름에 대하여, 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이 하여, 모든 인접하는 구획간의 표면 저항값을 측정하였다(합계 112회). 구체적으로, 도 4에 나타낸 바와 같이, 유리 에폭시 기판(20)은, 전술한 바와 같은 홈형의 오목부(20b)에 의해 8×8으로 구획된 구획(20a)을 가진다. 각각의 오목부(20b)는, 유리 에폭시 기판(20) 상에, 10㎜ 간격으로 격자형으로 설치되어 있다. 유리 에폭시 기판(20)은, 모든 구획(20a) 중 적어도 일부가 피복되도록 도전성 접착 필름(1)이 프레스 가공된다. 즉, 유리 에폭시 기판(20) 상의 중앙부의 6×6의 구획(20a)은, 전체면이 도전성 접착 필름(1)에 의해 피복되어 있고, 유리 에폭시 기판(20) 상의 가장자리 부분에 위치하는 구획(20a)은, 일부가 도전성 접착 필름(1)에 의해 피복되어 있다. 이와 같은 태양으로 프레스 가공됨으로써, 유리 에폭시 기판(20)의 오목부(20b)에 도전성 접착 필름(1)이 매립된다. 이로써, 도전성 접착 필름(1)에 오목부(1b)가 형성되게 된다. 즉, 도전성 접착 필름(1)에는, 오목부(1b)에 의해 구획되는 구획(1a)이 형성된다. 그리고, 도 5에 나타낸 바와 같이, 도전성 접착 필름(1)의 오목부(1b)를 협지하는 인접하는 구획(1a) 사이의 표면 저항값 R을 측정하였다. 이와 같은 표면 저항값 R의 측정을, 실시예 1∼4, 및 비교예 1∼3에서의 모든 구획(1a) 사이(112패턴을 각 1회)에 대하여 행하였다. 실시예 1∼4, 및 비교예 1∼3에서의 표면 저항값 R의 최대값, 최소값, 평균값, 및 그 평가를 표 1에 나타낸다.
그리고, 평가는 다음과 같이 행했다. 구체적으로, 표면 저항값의 평균값, 최대값, 및 최소값 모두에서 1Ω 미만이었을 경우를 "○"로 하였다. 또한, 표면 저항값의 평균값이 1Ω 미만이나 최대값이 1Ω 이상이었을 경우를 "△"로 하였다. 또한, 표면 저항값의 평균값 및 최대값이 1Ω 이상이었을 경우를 "×"로 하였다.
[표 1]
Figure 112016094226576-pct00001
표 1에 의하면, 도전성 접착제층이 플레이크형의 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되고, 베이스 접착제층이 덴드라이트형의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성된 실시예의 도전성 필름인 경우에, 양호한 결과가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 예를 들면, 실시예 2와 비교예 1은, 적층 순서를 교체한 태양으로 되어 있으나, 실시예 2의 표면 저항값의 평균은, 비교예 1의 표면 저항값의 평균의 10분의 1 미만으로 되어 있고, 상기 구성에 의해 양호한 결과가 얻어지는 것을 나타내고 있다.
1 : 도전성 접착 필름
1a : 구획
1b : 오목부
2 : 전자 부품
3 : 봉지재
4 : 기판
10 : 도전성 접착제층
10a : 도전성 입자
11 : 베이스 접착제층
11a : 도전성 입자
12 : 전사 필름
13 : 쿠션 필름
20 : 유리 에폭시 기판
20a : 구획
20b : 오목부
100 : 프린트 배선판
300 : 전자 기기

Claims (10)

  1. 프린트 배선판의 절단용 오목부에 대응하는 부위를, 프레스 가공에 의해 필름면 방향으로 신전(伸展)시켜 전자 부품을 피복하는 것에 의해 전자파를 차폐하는 도전성 접착 필름으로서,
    제1 도전성 입자를 포함하는 등방성 도전 재료로 형성되는 도전성 접착제층, 및
    상기 프레스 가공 시에 상기 도전성 접착제층보다 상기 전자 부품 측에 위치되고, 제2 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료로 형성되는 베이스 접착제층
    을 포함하고,
    제1 도전성 입자는,
    상기 도전성 접착제층의 신전하기 전 층 두께의 15%∼25%인 평균 장축을 가진 플레이크형 입자이며,
    상기 도전성 접착제층의 총 중량에 대하여 40 중량%∼80 중량% 함유되어 있는,
    도전성 접착 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자는,
    상기 베이스 접착제층의 신전하기 전 층 두께의 10%∼50% 범위인 평균 입경을 가지고 있고,
    상기 베이스 접착제층의 총 중량에 대하여 40 중량%∼80 중량% 함유되어 있는, 도전성 접착 필름.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자는 덴드라이트형 입자인, 도전성 접착 필름
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 접착제층은, 10㎛∼30㎛의 층 두께를 가지고,
    상기 베이스 접착제층은, 40㎛∼80㎛의 층 두께를 가지는, 도전성 접착 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 접착제층에 대하여, 베이스 접착제층과는 반대의 면에 전사 필름이 적층되어 있고,
    상기 전사 필름은, 150℃ 이상의 온도 조건 하에서의 저장 탄성률이 20MPa 이하인, 도전성 접착 필름.
  6. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 접착 필름을 포함하는, 차폐 프린트 배선판.
  7. 제6항에 기재된 차폐 프린트 배선판을 포함하는, 전자 기기.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11435789B2 (en) 2018-10-02 2022-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device having structure for connecting display and conductive support member through conductive adhesive member

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017143210A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 住友ベークライト株式会社 電子部品封止体の製造方法、電子装置の製造方法
US9953929B2 (en) * 2016-03-18 2018-04-24 Intel Corporation Systems and methods for electromagnetic interference shielding
TWI613943B (zh) * 2016-07-12 2018-02-01 晶片固定結構的製造方法
JP7107231B2 (ja) * 2017-02-17 2022-07-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤フィルム
JP2019029549A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 住友ベークライト株式会社 フィルムセット
WO2019044512A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム
KR20190076250A (ko) 2017-12-22 2019-07-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 모듈
JP6504302B1 (ja) 2018-06-12 2019-04-24 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、部品搭載基板、および電子機器
CN108601241B (zh) 2018-06-14 2021-12-24 环旭电子股份有限公司 一种SiP模组及其制造方法
JP6497477B1 (ja) 2018-10-03 2019-04-10 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電子部品搭載基板
JP7385596B2 (ja) 2018-11-21 2023-11-22 タツタ電線株式会社 シールドパッケージ
JP2021086912A (ja) * 2019-11-27 2021-06-03 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電子部品搭載基板および電子機器
KR102248813B1 (ko) * 2019-12-02 2021-05-11 엘티메탈 주식회사 다공성 열전재료의 제조방법 및 상기 다공성 열전재료를 포함하는 열전 소자
JP7231124B1 (ja) * 2022-03-30 2023-03-01 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 金属板用接合剤、プリント配線板用補強部材及びその製造方法、並びに、配線板及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106121A (ja) 2006-10-25 2008-05-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd 導電性インキ、導電回路および非接触型メディア
JP2014502221A (ja) 2010-10-26 2014-01-30 ヘンケル コーポレイション 基板レベルのｅｍｉ遮蔽のための複合フィルム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05327270A (ja) 1992-05-22 1993-12-10 Sharp Corp 回路基板の電磁シールド方法
JP2001339016A (ja) * 2000-05-30 2001-12-07 Alps Electric Co Ltd 面実装型電子回路ユニット
JP2001345592A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Kyocera Corp 電子部品及びその製造方法
JP4575189B2 (ja) * 2005-02-21 2010-11-04 タツタ電線株式会社 シールドフレキシブルプリント配線板のシールドフィルム及びそれを用いたシールドフレキシブルプリント配線板
JP4914262B2 (ja) * 2006-03-29 2012-04-11 タツタ電線株式会社 シールドフィルム及びシールドプリント配線板
JP2009016715A (ja) 2007-07-09 2009-01-22 Tatsuta System Electronics Kk シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法
JP4974803B2 (ja) * 2007-08-03 2012-07-11 タツタ電線株式会社 プリント配線板用シールドフィルム及びプリント配線板
JP5139156B2 (ja) * 2008-05-30 2013-02-06 タツタ電線株式会社 電磁波シールド材及びプリント配線板
JP5416458B2 (ja) 2009-04-02 2014-02-12 タツタ電線株式会社 シールドおよび放熱性を有する高周波モジュールの製造方法
JP5528857B2 (ja) * 2010-03-11 2014-06-25 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム、これを用いたフレキシブル基板及びその製造方法
JP6225436B2 (ja) * 2012-08-16 2017-11-08 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法
JP2014112576A (ja) * 2012-11-28 2014-06-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd シールドフィルム
JP6025532B2 (ja) * 2012-11-30 2016-11-16 三井金属鉱業株式会社 導電性フィルム及び電子部品パッケージ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106121A (ja) 2006-10-25 2008-05-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd 導電性インキ、導電回路および非接触型メディア
JP2014502221A (ja) 2010-10-26 2014-01-30 ヘンケル コーポレイション 基板レベルのｅｍｉ遮蔽のための複合フィルム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11435789B2 (en) 2018-10-02 2022-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device having structure for connecting display and conductive support member through conductive adhesive member

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