KR101849095B1 - Electronic component - Google Patents

Electronic component Download PDF

Info

Publication number
KR101849095B1
KR101849095B1 KR1020160128840A KR20160128840A KR101849095B1 KR 101849095 B1 KR101849095 B1 KR 101849095B1 KR 1020160128840 A KR1020160128840 A KR 1020160128840A KR 20160128840 A KR20160128840 A KR 20160128840A KR 101849095 B1 KR101849095 B1 KR 101849095B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive material
layer
containing resin
electronic component
resin layer
Prior art date
Application number
KR1020160128840A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170042481A (en
Inventor
코타 젠자이
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20170042481A publication Critical patent/KR20170042481A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101849095B1 publication Critical patent/KR101849095B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

전자부품 소체의 표면에, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층을 포함한 외부전극이 배치된 전자부품으로서, 외부전극과 전자부품 소체의 접속 신뢰성이 뛰어나면서 저항치가 작은 전자부품을 제공한다.
전자부품 소체(10)는, 일부가 상기 전자부품 소체의 표면에 인출되어, 외부전극(5)과 접속되도록 배치되어 있는 내부전극(2)을 포함한다. 외부전극(5)이, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층(12)과, 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층(34)을 포함하고, 도전재료 함유 수지층이, 도전재료로 금속 입자를 포함하면서, 도금층은, 도전재료 함유 수지층의 표면으로부터 도전재료 함유 수지층의 내부로 금속 입자의 적어도 일부를 피복하는 바와 같은 양태로 연신되어 있는 구성으로 한다.An electronic part in which an external electrode including a conductive material and a conductive material-containing resin layer including a resin material is disposed on a surface of an electronic part element body is provided, and an electronic part having excellent resistance to connection between the external electrode and the electronic part element is provided do.
The electronic component body 10 includes an internal electrode 2 that is partly drawn out to the surface of the electronic component body and connected to the external electrode 5. Wherein the external electrode (5) comprises a conductive material-containing resin layer (12) including a conductive material and a resin material, and a plating layer (34) provided to cover the conductive material-containing resin layer, And the plating layer is stretched in such a manner as to cover at least a part of the metal particles from the surface of the conductive material-containing resin layer to the inside of the conductive material-containing resin layer.

Figure R1020160128840
Figure R1020160128840

Description

전자부품{ELECTRONIC COMPONENT}[0001] ELECTRONIC COMPONENT [

본 발명은 전자부품에 관한 것이며, 상세하게는 전자부품 소체의 표면에 외부전극이 배치된 구조를 가지는 전자부품에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component, and more particularly to an electronic component having a structure in which external electrodes are disposed on a surface of an electronic component body.

최근, 표면 실장형(칩형) 전자부품으로서, 전자부품 소체의 표면에 외부전극이 형성된 구조를 가지는 전자부품이 널리 이용되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, electronic components having a structure in which external electrodes are formed on the surface of an electronic component body are widely used as surface mount (chip) electronic components.

그리고 그와 같은 칩형 전자부품으로, 특허문헌 1에는 이하에 설명하는 바와 같은 칩형 전자부품이 제안되고 있다. With such a chip-type electronic component, a chip-type electronic component as described below is proposed in Patent Document 1.

즉, 이 특허문헌 1에는 외부전극이, 세라믹으로 이루어지는 칩 형상 소체의 표면에 접하는 제1 전극층과, 제1 전극층을 덮도록 형성된 도전성 수지로 이루어지는 제2 전극층을 가지고, 제1 및 제2 전극층은, 칩 형상 소체의 단면(端面)으로부터 상기 단면에 인접하는 측면으로 돌아 들어가 형성되어 있는 칩형 전자부품으로서, 제1 전극층의 돌아 들어간 길이가 제2 전극층의 돌아 들어간 길이의 0.7배 이하가 되도록 한 칩형 전자부품이 제안되고 있다. That is, in this patent document 1, the outer electrode has a first electrode layer in contact with the surface of a chip-like element made of ceramic, and a second electrode layer made of a conductive resin so as to cover the first electrode layer, Like chip-like body from the end face of the chip-shaped element to the side face adjacent to the end face, wherein the chip-shaped electronic component is a chip-type electronic component in which the length of the first electrode layer is 0.7 times or less the length of the second electrode layer, Electronic components have been proposed.

일본 공개특허공보 평10-284343호Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-284343

그러나 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래의 칩형 전자부품에서는, 전류가 도전성 수지로 이루어지는 제2 전극층에 포함되는 도전성 입자를 통해 내부전극에 전해지게 되어 도전성 수지층에 포함되는 복수의 도전성 입자 간의 접촉 저항이 생기기 때문에, 도전성 페이스트를 일체로 베이킹함으로써 형성된 베이킹 전극으로 이루어지는 외부전극을 포함한 칩형 전자부품에 비하면 저항치가 높아진다는 문제점이 있다. However, in the conventional chip-type electronic component disclosed in Patent Document 1, the electric current is transmitted to the internal electrode through the conductive particles included in the second electrode layer made of the conductive resin, and the contact resistance between the plural conductive particles contained in the conductive resin layer There is a problem that the resistance value is higher than that of a chip-type electronic component including an external electrode made of a baking electrode formed by integrally baking a conductive paste.

본 발명은, 상기 과제를 해결하는 것이며, 전자부품 소체의 표면에 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층을 포함한 외부전극이 배치된 전자부품으로서, 외부전극과 전자부품 소체의 접속 신뢰성이 뛰어나면서 저항치가 작은 전자부품을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention solves the above problems and is an electronic component in which an external electrode including a conductive material-containing resin layer containing a conductive material and a resin material is disposed on a surface of an electronic component main body, And an electronic component having a small resistance value.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 전자부품은, According to an aspect of the present invention,

전자부품 소체와, 전자부품 소체의 표면에 배치된 외부전극을 포함한 전자부품으로서, An electronic component including an electronic component body and an external electrode disposed on a surface of the electronic component body,

상기 전자부품 소체는, 일부가 상기 전자부품 소체의 표면에 인출되어 상기 외부전극과 접속되도록 배치되어 있는 내부전극을 포함하고, Wherein the electronic component body includes an internal electrode part of which is drawn out to the surface of the electronic component body and connected to the external electrode,

상기 외부전극은, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층과, 상기 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층을 포함하고, Wherein the external electrode comprises a conductive material-containing resin layer including a conductive material and a resin material, and a plating layer covering the conductive material-containing resin layer,

상기 도전재료함유 수지층은, 상기 도전재료로 금속 입자를 포함하면서, Wherein the conductive material-containing resin layer contains metal particles as the conductive material,

상기 도금층은, 상기 도전재료 함유 수지층의 표면으로부터 상기 도전재료 함유 수지층의 내부로 연신(延伸)되어, 상기 금속 입자의 적어도 일부를 피복하고 있는 것을 특징으로 하고 있다. And the plating layer is stretched (stretched) from the surface of the conductive material-containing resin layer into the conductive material-containing resin layer to cover at least a part of the metal particles.

또한, 본 발명의 전자부품에서는, 상기 도전재료함유 수지층의 두께의 60% 이상의 깊이까지, 상기 도금층이 상기 도전재료 함유 수지층의 내부로 연신되어 있는 것이 바람직하다. In the electronic component of the present invention, it is preferable that the plating layer is extended into the conductive material-containing resin layer to a depth of 60% or more of the thickness of the conductive material-containing resin layer.

또한, 상기 도전재료 함유 수지층을 구성하는 상기 금속 입자가, Cu 입자, Ag 입자, 또는 Ag를 피복한 Cu 입자인 것이 바람직하다. It is preferable that the metal particles constituting the conductive material-containing resin layer are Cu particles, Ag particles, or Cu particles coated with Ag.

상기 도금층이, 상기 도전재료 함유 수지층 상에 형성된 Ni 도금층과, Ni 도금층 상에 형성된 Sn 도금층으로 이루어지고, 상기 도전재료 함유 수지층 내의 상기 금속 입자의 적어도 일부를 피복하여 연신된 도금층이 상기 Ni 도금층인 것이 바람직하다. Wherein the plating layer comprises a Ni plating layer formed on the conductive material-containing resin layer and a Sn plating layer formed on the Ni plating layer, wherein the elongated plating layer covering at least a part of the metal particles in the conductive material- Plated layer.

또한, 상기 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층이, 상기 도전재료 함유 수지층을 거쳐 상기 전자부품 소체에 이를 때까지 연신되어, 상기 전자부품 소체의 표면에 인출된 상기 내부전극과 접속되어 있는 것이 바람직하다. A plating layer covering the conductive material-containing resin layer is stretched until reaching the electronic component body through the conductive material-containing resin layer and is connected to the internal electrode drawn out to the surface of the electronic component body .

또한, 상기 외부전극이, 상기 전자부품 소체 상에 형성된, 유리 성분과 금속성분을 포함하는 베이킹 전극으로 이루어지는 하지 전극층을 더 포함하고, 상기 도전재료 함유 수지층이 상기 하지 전극층 상에 형성되고, 상기 도전재료 함유 수지층을 덮은 도금층이, 상기 하지 전극층에 접속될 때까지 연신되어 있는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that the external electrode further comprises a base electrode layer formed on a baking electrode including a glass component and a metal component formed on the baked element of the electronic component, the resin layer containing the conductive material is formed on the base electrode layer, It is preferable that the plating layer covering the conductive material-containing resin layer is stretched until it is connected to the base electrode layer.

또한, 상기 하지 전극층이, 상기 금속 성분으로 Cu 또는 Ni를 포함하는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that the base electrode layer includes Cu or Ni as the metal component.

본 발명의 전자부품은, 전자부품 소체가, 일부가 상기 전자부품 소체의 표면에 인출되어 외부전극과 접속되도록 배치되어 있는 내부전극을 포함하고, 외부전극이, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층과, 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층을 포함하며, 상기 도전재료 함유 수지층이, 도전재료로 금속 입자를 포함하면서, 상기 도금층이, 도전재료 함유 수지층의 표면으로부터 도전재료 함유 수지층의 내부로, 금속 입자의 적어도 일부를 피복하는 바와 같은 같은 양태로 연신된 구성을 포함하고 있기 때문에, 단지 도전재료 함유 수지층의 표면에 도금층을 포함하고만 있는 전자부품에 비해 금속 입자 간의 접촉 저항을 억제하여 저항치를 작게 하는 것이 가능해진다. An electronic component according to the present invention includes an internal electrode in which an electronic component body is partly drawn out to the surface of the electronic component body to be connected to the external electrode and the external electrode is made of a conductive material Containing resin layer and a plating layer provided so as to cover the conductive material-containing resin layer, wherein the conductive material-containing resin layer contains metal particles as a conductive material, and the plating layer includes a conductive material- Containing resin layer in such a manner that at least part of the metal particles are covered with the inside of the material-containing resin layer. Therefore, compared with the electronic parts which only contain the plating layer on the surface of the conductive material- The contact resistance between the particles can be suppressed and the resistance value can be reduced.

도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 전자부품(적층 세라믹 콘덴서)의 구성을 나타내는 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 외관 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 측면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 주요부 구성을 나타내는 도면으로서, Ni 도금층의 연신의 상태 및 Ni 도금층의 연신량을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서 및 비교용 적층 세라믹 콘덴서에 대한 고온 분위기 중에서의 등가직렬저항(ESR)의 거동을 나타내는 도면이다.
도 6은, (a)는 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의, 도금층이 연신되어 있는 외부전극의 주요부를 나타내는 SEM상(像), (b)는 WDX상이다.
도 7은 도전재료 함유 수지층에 대한 Ni 도금층의 침입률과 ESR의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 다른 예를 나타내는 도면이다. 1 is a front sectional view showing the configuration of an electronic component (multilayer ceramic capacitor) according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the external structure of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention.
3 is a side sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view showing the configuration of the main part of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention, and is a view for explaining the drawing state of the Ni plating layer and the drawing amount of the Ni plating layer. Fig.
5 is a graph showing the behavior of an equivalent series resistance (ESR) in a high-temperature atmosphere for a multilayer ceramic capacitor and a multilayer ceramic capacitor for comparison according to an embodiment of the present invention.
6 (a) is a SEM image (image) showing a main part of an external electrode on which a plating layer is drawn, and Fig. 6 (b) is a WDX image of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the relationship between the penetration rate of the Ni plating layer and the ESR relative to the conductive material-containing resin layer.
8 is a view showing another example of the multilayer ceramic capacitor according to the embodiment of the present invention.

이하에 본 발명의 실시형태를 나타내어 본 발명의 특징으로 하는 바를 더 상세하게 설명한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.

또한, 이 실시형태에서는, 전자부품으로 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명한다. In this embodiment, a multilayer ceramic capacitor will be described as an example of an electronic component.

<전체 구성> <Overall configuration>

도 1은, 본 발명의 한 실시형태(실시형태 1)에 따른 적층 세라믹 콘덴서(전자부품)의 구성을 나타내는 정면 단면도, 도 2는 도 1의 적층 세라믹 콘덴서의 외관 구성을 나타내는 사시도, 도 3은 측면 단면도이다. Fig. 1 is a front sectional view showing the structure of a multilayer ceramic capacitor (electronic component) according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention, Fig. 2 is a perspective view showing the external structure of the multilayer ceramic capacitor of Fig. Fig.

이 적층 세라믹 콘덴서(50)는, 도 1~3에 나타내는 바와 같이, 유전체 세라믹으로 이루어지는 유전체층(1)과, 유전체층(1) 간의 복수의 계면에 배치된 복수의 내부전극(2(2a, 2b))을 포함한 적층체인 전자부품 소체(10)와, 전자부품 소체(10)의 외표면에, 내부전극(2(2a, 2b))과 외부전극(5(5a, 5b))이 배치되어 있다. 내부전극(2a)과 외부전극(5a)이 도통(導通)하고, 내부전극(2b)과 외부전극(5b)이 도통한다. 1 to 3, the multilayer ceramic capacitor 50 includes a dielectric layer 1 made of a dielectric ceramic and a plurality of internal electrodes 2 (2a, 2b) arranged at a plurality of interfaces between the dielectric layer 1, The internal electrode 2 (2a and 2b) and the external electrodes 5 (5a and 5b) are disposed on the outer surface of the electronic component element 10, The internal electrode 2a and the external electrode 5a are conducted and the internal electrode 2b and the external electrode 5b are electrically connected.

<전자부품 소체> <Electronic component body>

전자부품 소체(10)는, 도 1에 나타내는 바와 같이 직방체 형상을 가지고 있고, 적층 방향인 도 2의 T 방향으로 마주보는 제1 주면(主面)(11a) 및 제2 주면(11b)과, 적층 방향에 직교하는 폭 방향인 도 2의 W 방향으로 마주보는 제1 측면(21a) 및 제2 측면(21b)과, 적층 방향 및 폭 방향에 직교하는 길이 방향인 도 2의 L(길이) 방향으로 마주보는 제1 단면(31a) 및 제2 단면(31b)을 포함하고 있다. 또한, 전자부품 소체(10)는, 균열의 발생을 방지하기 위해 각(角)부 및 능선부에 둥그스름함이 형성되어 있는 것이 바람직하다. As shown in Fig. 1, the electronic component body 10 has a rectangular parallelepiped shape and includes a first major surface 11a and a second major surface 11b facing in the T direction in Fig. 2, The first side surface 21a and the second side surface 21b facing each other in the W direction of FIG. 2, which is a width direction orthogonal to the stacking direction, and the L (lengthwise) direction of FIG. 2 in the longitudinal direction orthogonal to the stacking direction and the width direction And includes a first end face 31a and a second end face 31b facing each other. It is preferable that the electronic component body 10 is formed with rounded corners and ridgelines to prevent cracks from occurring.

전자부품 소체(10)를 구성하는 유전체층(1)의 매수는, 상하의 최외층의 내부전극(2) 보다도 외측에 위치하는 외층도 포함하여, 100매 이상 600매 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the number of dielectric layers 1 constituting the electronic component body 10 is 100 sheets or more and 600 sheets or less including the outer layer located outside the uppermost inner electrode 2 of the upper and lower layers.

또한, 전자부품 소체의, 최외층의 내부전극(2)의 외측에 위치하는 유전체층(1)으로 이루어지는 외층부의 두께는, 10㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the thickness of the outer layer portion made of the dielectric layer 1 located on the outer side of the inner electrode 2 of the outermost layer of the elementary body of the electronic component is 10 μm or more and 30 μm or less.

유전체층(1)의 구성 재료로는, 예를 들면 BaTiO3, CaTiO3, SrTiO3, CaZrO3 등의 성분을 포함하는 유전체 세라믹을 사용할 수 있다. 또한, 이들 성분에 Mn 화합물, Fe 화합물, Cr 화합물, Co 화합물, Ni 화합물 등의 성분을 첨가한 것을 사용해도 된다. 유전체층(1)의 두께는 0.4㎛ 이상 2.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. As the material of the dielectric layer 1 is, for example, it may be a dielectric ceramic containing a component, such as BaTiO 3, CaTiO 3, SrTiO 3 , CaZrO 3. It is also possible to use those obtained by adding components such as a Mn compound, an Fe compound, a Cr compound, a Co compound, and a Ni compound to these components. The thickness of the dielectric layer 1 is preferably not less than 0.4 mu m and not more than 2.0 mu m.

또한, 전자부품 소체(적층체)(10)의 치수는, 외부전극(5(5a, 5b))을 포함하여, 양 단면 간을 잇는 방향을 L 방향, 양 주면 간을 잇는 방향을 T 방향, 양 측면을 잇는 방향을 W 방향으로 하면, The dimensions of the electronic component element (laminate) 10 include external electrodes 5 (5a and 5b), and the direction connecting the both ends is referred to as the L direction, the direction connecting the both main surfaces as the T direction, When the direction connecting the both side surfaces is the W direction,

L 방향의 치수는 0.2㎜ 이상 3.2㎜ 이하 The dimension in the L direction is 0.2 mm or more and 3.2 mm or less

T 방향의 치수는 0.1㎜ 이상 2.5㎜ 이하 The dimension in the T direction is 0.1 mm or more and 2.5 mm or less

W 방향의 치수는 0.1㎜ 이상 2.5㎜ 이하 The dimension in the W direction is 0.1 mm or more and 2.5 mm or less

인 것이 바람직하다. .

<내부전극> <Internal electrode>

이 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(50)를 구성하는 전자부품 소체(10)는, 복수의 내부전극(2)으로, 도 1에 나타내는 바와 같이 제1 내부전극(2a), 제2 내부전극(2b)을 포함하고 있다. The electronic component element 10 constituting the multilayer ceramic capacitor 50 according to this embodiment is constituted by a plurality of internal electrodes 2 and a first internal electrode 2a and a second internal electrode 2b.

제1 내부전극(2a)과 제2 내부전극(2b)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 양자(兩者)가 서로 대향하는 영역인 대향 전극부(2a1, 2b1)와, 대향 전극부(2a1, 2b1)로부터 전자부품 소체(10)의 제1 단면(31a) 및 제2 단면(31b)에 이를 때까지의 영역인 인출 전극부(2a2, 2b2)를 포함하고 있다. As shown in Fig. 1, the first internal electrode 2a and the second internal electrode 2b are constituted by the opposing electrode portions 2a1 and 2b1 which are regions where the two internal electrodes 2a and 2b face each other, And lead electrode portions 2a2 and 2b2 which are regions from the first and second end faces 2a and 2b1 to the first end face 31a and the second end face 31b of the electronic component body 10, respectively.

또한, 전자부품 소체(10)는, 도 1과 도 3에 나타내는 바와 같이, 내부전극(2)과의 관계로 설명하면, 상술한 제1 내부전극(2a), 제2 내부전극(2b)이 대향하는 대향부(10a)와, 대향 전극부(2a1, 2b1)와, 전자부품 소체(10)의 제1 및 제2 측면(21a, 21b) 사이에 위치하는 측부(10b)와, 대향부(10a)와 전자부품 소체(10)의 제1 및 제2 단면(31a, 31b) 사이에 위치하고, 제1 및 제2 내부전극(2a, 2b)의 어느 한쪽의 인출 전극부(2a2, 2b2)를 포함하는 단부(10c)를 포함하고 있다. As shown in Figs. 1 and 3, the electronic component body 10 will be described in relation to the internal electrode 2, and the first internal electrode 2a and the second internal electrode 2b described above A side portion 10b positioned between the first and second side surfaces 21a and 21b of the electronic component element 10 and a pair of opposed electrode portions 2a1 and 2b1, And the outgoing electrode portions 2a2 and 2b2 of one of the first and second internal electrodes 2a and 2b are located between the first and second end faces 31a and 31b of the electronic component body 10, As shown in Fig.

또한, 내부전극(2)을 구성하는 도전재료로는, 예를 들면 Ni, Cu, Ag, Pd, Ag-Pd 합금, Au 등이 사용된다. As the conductive material constituting the internal electrode 2, for example, Ni, Cu, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, Au or the like is used.

또한, 이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(50)를 구성하는 내부전극(2)은, 세라믹층과 실질적으로 동일한 조성의 유전체 입자를 공재(共材)로서 포함하고 있어도 된다. The internal electrodes 2 constituting the multilayer ceramic capacitor 50 of this embodiment may contain dielectric particles having substantially the same composition as the ceramic layers as a common material.

내부전극(2)의 적층 수는, 통상 제1 및 제2 내부전극(2a, 2b)을 합쳐, 20 이상 400 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the number of the internal electrodes 2 to be stacked is generally 20 or more and 400 or less, which is the sum of the first and second internal electrodes 2a and 2b.

또한, 내부전극(2)의 두께는, 통상 0.5㎛ 이상 1㎛ 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the thickness of the internal electrode 2 is usually 0.5 占 퐉 or more and 1 占 퐉 or less.

또한, 내부전극(2)이 세라믹층을 덮고 있는 비율은, 통상 70% 이상 95% 이하인 것이 바람직하다. The ratio of the internal electrode 2 covering the ceramic layer is preferably 70% or more and 95% or less.

<외부전극> <External Electrode>

이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(50)에서, 외부전극(5(5a, 5b))은, 전자부품 소체(적층체)(10)의 제1, 제2 단면(31a, 31b)에 형성되고, 또한 제1 및 제2 단면(31a, 31b)으로부터 제1, 제2 주면(11a, 11b), 및 제1, 제2 측면(21a, 21b)으로 돌아 들어가도록 형성되어 있다. In the multilayer ceramic capacitor 50 of this embodiment, the external electrodes 5 (5a and 5b) are formed on the first and second end faces 31a and 31b of the electronic component element (multilayer body) 10, And is formed to extend from the first and second end faces 31a and 31b to the first and second main faces 11a and 11b and the first and second side faces 21a and 21b.

이 외부전극(5(5a, 5b))은, 전자부품 소체(10) 상에 형성된, 유리 성분과 금속 성분을 포함하는 베이킹 전극으로 이루어지는 하지 전극층(13)과, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층(12)과, 도전재료 함유 수지층(12)을 덮도록 마련된 도금층(32)을 포함하고 있다. 하지 전극층(13a) 상에 도전재료 함유 수지층(12a)이 마련되고, 또한 도전재료 함유 수지층(12a) 상에 도금층(32a)이 마련되어 있다. 또한, 하지 전극층(13b) 상에 도전재료 함유 수지층(12b)이 마련되고, 또한 도전재료 함유 수지층(12b) 상에 도금층(32b)이 마련되어 있다. 이와 같이, 전자부품 소체가 내부전극을 포함하고, 내부전극과 도통하도록 하지 전극이 마련되어 있는 경우, 하지 전극과 내부전극이 확실하게 접속되기 때문에 저항치가 작은 전자부품을 얻을 수 있다. The external electrodes 5 (5a, 5b) include: a base electrode layer 13 formed on the electronic component element 10 and composed of a baking electrode containing a glass component and a metal component; A conductive material-containing resin layer 12, and a plating layer 32 provided so as to cover the conductive material-containing resin layer 12. A conductive material containing resin layer 12a is provided on the base electrode layer 13a and a plating layer 32a is provided on the conductive material containing resin layer 12a. In addition, a conductive material-containing resin layer 12b is provided on the base electrode layer 13b, and a plating layer 32b is provided on the conductive material-containing resin layer 12b. In this manner, when the electronic component body includes the internal electrode and the ground electrode is provided so as to be electrically connected to the internal electrode, since the ground electrode and the internal electrode are reliably connected, an electronic component having a small resistance value can be obtained.

또한, 하지 전극층(13)을 구성하는 금속 성분으로는, 예를 들면 Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd 합금, Au 등으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하다. It is preferable to use at least one selected from the group consisting of Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, Au and the like as the metal component constituting the base electrode layer 13. [

상기 하지 전극층이, 도전 성분으로 상기의 재료를 포함하는 것인 경우, 내부전극과의 접속 신뢰성이 높은 외부전극을 포함한 전자부품을 제공하는 것이 가능해져 바람직하다. In the case where the base electrode layer includes the above material as a conductive component, it is possible to provide an electronic component including an external electrode with high connection reliability with the internal electrode.

이 하지 전극층(13)은, 예를 들면 금속 분말과 유리 프릿(glass frit)을 포함하는 도전성 페이스트를 도포하여 베이킹함으로써 형성할 수 있다. The base electrode layer 13 can be formed by applying a conductive paste containing, for example, a metal powder and glass frit and baking it.

또한, 하지 전극층(13)은, 내부전극(2)과 동시 소성함으로써 형성해도 되고, 또한 내부전극 패턴을 포함하는 적층체를 소성하여 내부전극(2)을 형성한 후에, 하지 전극 형성용 도전성 페이스트를 도포하여 베이킹함으로써 형성하는 것도 가능하다. The base electrode layer 13 may be formed by co-firing the internal electrode 2, and the laminate including the internal electrode pattern is fired to form the internal electrode 2, and then a conductive paste for forming the base electrode And then baking it.

또한, 하지 전극층(13)의 가장 두꺼운 부분은 5㎛ 이상 70㎛ 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the thickest portion of the base electrode layer 13 is 5 占 퐉 or more and 70 占 퐉 or less.

또한, 상기 하지 전극층(13)은 단층 구조로 해도 되고, 또한 복수층 구조로 해도 된다. The base electrode layer 13 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

또한, 외부전극을 구성하는 도전재료 함유 수지층(12)은, 도전재료로 금속 입자(14)(도 4)를 포함하고, 수지재료로 열경화성 수지를 포함하고 있다. The conductive material-containing resin layer 12 constituting the external electrode contains metal particles 14 (Fig. 4) as a conductive material and includes a thermosetting resin as a resin material.

도전재료 함유 수지층(12)을 구성하는 금속 입자로는 Cu 또는 Ag를 사용하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것이 아니다. 또한, Cu는 저렴한 가격으로 경제성이 뛰어나지만, 산화되기 쉬운 경향이 있다. 한편, 그 때문에 도금막을 형성하기 위한 도금 공정에서, 도금액의 침입에 의한, 도전재료 함유 수지층 내에 대한 도금막의 연신에 의해 ESR을 저하시키기 쉽다는 특징을 가지고 있다. 즉, 도전재료 함유 수지층(12)의 금속 입자로 Cu 입자를 사용하여 적절하게 도금층을 연신시킴으로써, Cu 입자의 표면의 적어도 일부를 도금층에 의해 피복하여 ESR을 저하시키는 것이 가능해진다. 또한, 금속 입자로는 Ag 입자를 사용해도 되고, Ag를 피복한 Cu 입자를 사용해도 된다. As the metal particles constituting the conductive material-containing resin layer 12, it is preferable to use Cu or Ag, but the present invention is not limited thereto. In addition, Cu is excellent in economical efficiency at an inexpensive price, but tends to be easily oxidized. On the other hand, in the plating step for forming the plated film, ESR is easily lowered by drawing of the plated film in the resin material-containing resin layer due to penetration of the plating liquid. That is, by elongating the plating layer appropriately by using the Cu particles as the metal particles of the conductive material-containing resin layer 12, at least a part of the surface of the Cu particles can be covered with the plating layer, and the ESR can be lowered. As the metal particles, Ag particles may be used, or Cu particles coated with Ag may be used.

또한, 금속 입자의 크기는 1.0㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the size of the metal particles is 1.0 占 퐉 or more and 10 占 퐉 or less.

또한, 도전재료 함유 수지층(12)에 포함되는 금속 입자의 함유 비율은, 나중에 상세하게 설명하지만, 83중량% 이상 93중량% 이하인 것이 바람직하다. The content ratio of the metal particles contained in the conductive material-containing resin layer 12 will be described in detail later, but is preferably 83 wt% or more and 93 wt% or less.

또한, 도전재료 함유 수지층(12)에 포함되는 수지재료로는, 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 에폭시 수지에 경화제(페놀), 첨가제, 촉매를 혼합한 수지재료 등을 바람직한 예로 들 수 있다. Further, as the resin material contained in the conductive material-containing resin layer 12, it is preferable to use a thermosetting resin. For example, a resin material obtained by mixing a curing agent (phenol), an additive, and a catalyst in an epoxy resin can be mentioned as a preferable example.

또한, 도전재료 함유 수지층(12)의 두께(가장 두꺼운 부분의 두께)는 5㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하다. The thickness (thickness of the thickest portion) of the conductive material-containing resin layer 12 is preferably 5 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.

도전재료 함유 수지층(12)은 단층 구조로 해도 되고, 또한 복수층 구조로 해도 된다. The conductive material-containing resin layer 12 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

또한, 외부전극(5)을 구성하는 도금층(32)으로, 이 실시형태에서는 Ni 도금층(33)과 Sn 도금층(34)을 포함한 2층 구조의 도금층을 포함하고 있다. Ni 도금층(33a) 상에 Sn 도금층(34a)이 형성되어 도금층(32a)을 구성하고, Ni 도금층(33b) 상에 Sn 도금층(34b)이 형성되어 도금층(32b)을 구성하고 있다. 또한, 도금층(32)은, 통상 도전재료 함유 수지층(12)의 표면 전체를 덮도록 형성된다. The plating layer 32 constituting the external electrode 5 includes a plating layer of a two-layer structure including a Ni plating layer 33 and a Sn plating layer 34 in this embodiment. The Sn plating layer 34a is formed on the Ni plating layer 33a to form the plating layer 32a and the Sn plating layer 34b is formed on the Ni plating layer 33b to constitute the plating layer 32b. Further, the plating layer 32 is formed so as to cover the entire surface of the resin layer 12, which is usually a conductive material.

도금층은, 상술한 예에 한정되지 않고, Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd 합금, Au 등으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이면 된다. The plating layer is not limited to the above-described example, and may be one containing at least one selected from Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, Au and the like.

또한, 도금층(32)을 구성하는 금속이 Au인 경우에, 도전재료 함유 수지층(12)을 구성하는 금속 입자가 Cu 입자일 때에는, Au 도금층을 형성할 때에 사용되는 Au 도금액이 Cu 입자를 녹이는 일이 있지만, 그 경우에도 Au 도금층이 금속 입자의 일부를 구성하기 때문에 본 발명의 효과를 얻을 수 있다. When the metal constituting the plating layer 32 is Au and the metal particles constituting the conductive material-containing resin layer 12 are Cu particles, when the Au plating solution used for forming the Au plating layer melts the Cu particles In this case, however, the effect of the present invention can be obtained because the Au plating layer constitutes a part of the metal particles.

또한, 도금층(32)을 구성하는 금속이 Ni이고, 도전재료 함유 수지층(12)을 구성하는 금속 입자가 Cu 입자인 경우, Cu 입자의 일부가 Ni 도금층에 덮여 금속 입자의 솔더 리칭(solder leaching)을 방지하는 것이 가능해진다. When the metal constituting the plating layer 32 is Ni and the metal particles constituting the conductive material-containing resin layer 12 are Cu particles, a part of the Cu particles are covered with the Ni plating layer and solder leaching ) Can be prevented.

도금층(32)은, 상술한 바와 같이, Ni 도금(33), Sn 도금(34)을 포함한 2층 구조로 하는 것이 바람직하지만, 단층 구조로 해도 된다. 도금층이 Ni 도금층과, Ni 도금층 상에 형성된 Sn 도금층으로 이루어지는 도금층을 포함함으로써, Sn 도금층에 의해 외부전극의 납땜성(solderability)이 향상되고, 또한 Ni 도금층이, 도전재료 함유 수지층 내의 금속 입자의 적어도 일부를 피복하도록 연신된 구성을 포함함으로써, 도전재료 함유 수지층 내의 금속 입자의 솔더 리칭을 방지하는 것이 가능해짐과 함께, 도금층과 도전재료 함유 수지층의 접속 신뢰성이 향상된다. As described above, the plating layer 32 preferably has a two-layer structure including Ni plating 33 and Sn plating 34, but may have a single layer structure. Since the plating layer includes the Ni plating layer and the plating layer composed of the Sn plating layer formed on the Ni plating layer, the solderability of the external electrode is improved by the Sn plating layer, and the Ni plating layer is formed on the surface of the metal particles in the conductive material- By including the structure elongated so as to cover at least a part, solder refinement of the metal particles in the conductive material-containing resin layer can be prevented, and connection reliability of the plating layer and the conductive material-containing resin layer is improved.

또한, 도금층(32)을 구성하는 도금층의 1층당 두께는 1.0㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. The thickness of one layer of the plating layer constituting the plating layer 32 is preferably 1.0 占 퐉 or more and 10 占 퐉 or less.

또한, 이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(50)에서는, Ni 도금층(33)이, 도전재료 함유 수지층(12)의 내부까지 연신되고, 연신부(133)가 금속 입자의 표면의 일부를 덮으면서 하지 전극층(베이킹 전극층)(13)과 접속되어 있다. 또한, 금속 입자(14)의 전체가 Ni 도금층의 연신부(133)에 의해 덮여 있어도 된다. In the multilayer ceramic capacitor 50 of this embodiment, the Ni plating layer 33 is extended to the inside of the conductive material-containing resin layer 12, and the extending portion 133 covers a part of the surface of the metal particles (Baking electrode layer) 13. The base electrode layer (baking electrode layer) The whole of the metal particles 14 may be covered by the extending portion 133 of the Ni plating layer.

또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 하지 전극층을 포함하지 않는 구성으로, 연신부(133)가 세라믹 소체(10)의 내부전극(2)과 직접 접속되도록 구성하는 것도 가능하다. 하지 전극을 포함하지 않기 때문에 도전재료 함유 수지층을 포함하기만 하면 되어 생산성이 향상된다. 8, it is also possible that the extending portion 133 is directly connected to the internal electrode 2 of the ceramic body 10 in a configuration not including the base electrode layer. Since the base electrode is not included, productivity can be improved only by including the conductive material-containing resin layer.

또한, 도금층의 연신부가, 도전재료 함유 수지층을 거쳐 전자부품 소체에 이를 때까지 연신되고, 전자부품 소체의 표면에 인출된 내부전극과 접속되도록 구성한 경우, 외부전극과 내부전극이 보다 확실하게 접속되면서 저항치가 작은 전자부품을 얻을 수 있다. Further, in the case where the stretching portion of the plated layer is connected to the internal electrode extended to the surface of the electronic component body and extended until reaching the electronic component body via the conductive material-containing resin layer, the external electrode and the internal electrode are more reliably connected An electronic component having a small resistance value can be obtained.

하지 전극층(13)을 포함한 구성으로 한 경우, 하지 전극층(13)이 전자부품 소체(10)의 단면(31a, 31b)의 전체를 덮고 있기 때문에, 도전재료 함유 수지층(12)의 내부로 연신된 Ni 도금층(33)의 연신부(133)가 접속되기 쉬워져 저항치를 더 저감할 수 있다.The base electrode layer 13 covers the whole of the end faces 31a and 31b of the electronic component body 10 in the case of including the base electrode layer 13, The extending portion 133 of the Ni plating layer 33 is easily connected and the resistance value can be further reduced.

또한, 본 발명에서는, 반드시 연신된 도금층이 하지 전극층(13) 혹은 내부전극(2)까지 도달할 필요는 없다. In the present invention, the drawn plated layer does not necessarily have to reach the underlying electrode layer 13 or the internal electrode 2.

도 7은 도전재료 함유 수지층에 대한 Ni 도금층의 침입률과 ESR의 관계를 나타내는 도면이다. ESR은 1MHz의 측정 주파수에서 측정한 값이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 도전재료 함유 수지층(12)의 두께의 60% 이상의 깊이까지 Ni 도금층(33)이 연신되어 있으면, ESR은 30mΩ 이하가 되어 양호한 도통 신뢰성을 확보할 수 있다. 즉, 도전재료 함유 수지층의 두께의 60% 이상의 깊이까지 도금층이 연신되어 있는 경우, 금속 입자 간의 접촉 저항을 억제하여 저항치를 더 작게 하는 것이 가능해진다. 7 is a graph showing the relationship between the penetration rate of the Ni plating layer and the ESR relative to the conductive material-containing resin layer. ESR is a value measured at a measurement frequency of 1 MHz. As shown in Fig. 7, when the Ni plating layer 33 is stretched to a depth of 60% or more of the thickness of the conductive material-containing resin layer 12, the ESR becomes 30 m? Or less and good conduction reliability can be ensured. That is, when the plating layer is stretched to a depth of 60% or more of the thickness of the conductive material-containing resin layer, the contact resistance between the metal particles can be suppressed and the resistance value can be further reduced.

이 실시형태에서의, 도전재료 함유 수지층(12)의 두께와, 도금층의 도전재료 함유 수지층에 대한 연신량의 크기에 대해 설명한다. The thickness of the conductive material-containing resin layer 12 in this embodiment and the magnitude of the elongation amount with respect to the conductive material-containing resin layer of the plated layer will be described.

도 4에 나타내는 바와 같이, Ni 도금층(133)의 침입이 있는 부분에서, 도전재료 함유 수지층(12)과 Ni 도금층(33)의 계면에 제1 가상선(假想線)(L1)을 그음과 함께, 도전재료 함유 수지층(12)과 하지 전극층(13)의 계면에 제2 가상선(L2)을 긋는다. 그리고 제1과 제2 가상선(L1, L2) 간의 거리를 도전재료 함유 수지층(12)의 두께로 한다. 4, a first imaginary line (imaginary line) L1 is formed on the interface between the conductive material-containing resin layer 12 and the Ni plating layer 33 at the portion where the Ni plating layer 133 penetrates The second imaginary line L2 is drawn on the interface between the conductive material-containing resin layer 12 and the base electrode layer 13 together. The distance between the first and second imaginary lines L1 and L2 is defined as the thickness of the conductive material-containing resin layer 12.

또한, 도금층의 도전재료 함유 수지층에 대한 연신량은, 도금층의 연신 부분 중, 가장 깊은 곳까지 연신된 연신 부분의 선단 위치에, 하지 전극층 또는 전자부품 소체의 주면에 평행하게 가상선(L3)을 긋고, Ni 도금층과 수지층의 계면에 그은 가상선과의 간격을 도금층의 연신량으로 한다. 또한, 이 연신량은 연신부(133)가 하지 전극층(13)에 도달하고 있지 않은 경우의 연신량이며, Ni 도금층(33)의 연신부(133)가 하지 전극층(13)에 달할 때까지 연신되어 있는 경우에는, 연신량은 도전재료 함유 수지층(12)의 두께와 동일한 값이 된다. The elongation amount of the plated layer with respect to the conductive material-containing resin layer is set such that the virtual line L3 is formed parallel to the main surface of the base electrode layer or the main body of the electronic component body at the leading end position of the drawn portion extended to the deepest portion of the drawn portion of the plated layer, And the interval between the Ni plated layer and the imaginary line at the interface between the Ni plated layer and the resin layer is taken as the drawing amount of the plated layer. This elongation amount is an elongation amount in the case where the stretching portion 133 does not reach the base electrode layer 13 and the elongation amount is the elongation amount when the stretching portion 133 of the Ni plating layer 33 reaches the base electrode layer 13 The stretching amount becomes the same value as the thickness of the conductive material-containing resin layer 12.

또한, 도금층이 연신되어 있는 것은 이하의 방법으로 확인할 수 있다. Further, the fact that the plated layer is stretched can be confirmed by the following method.

우선, 전자부품 소체(10)를 길이(L) 방향, 두께(W) 방향으로 이루어지는 절단면이 노출되도록 연마하여 외부전극의 절단면을 노출시킨다. 그리고 노출된 외부전극의 절단면을 WDX 분석한다. 그리고 도 6(b)에 나타내는 바와 같이 WDX의 도금 금속 성분을 타깃으로 분석함으로써, 도금층의 연신을 확인할 수 있다. First, the electronic component element 10 is polished so that the cut surface in the direction of the length L and the direction of the thickness W is exposed to expose the cut surface of the external electrode. Then, the cut surface of the exposed external electrode is analyzed by WDX. Then, as shown in Fig. 6 (b), the plated layer can be confirmed by analyzing the plated metal component of WDX as a target.

또한, 도금층이 연신되어 있는 것은 광학 현미경으로 관찰함으로써도 확인할 수 있다. The stretching of the plating layer can also be confirmed by observing with an optical microscope.

또한, 도금층이나 금속 입자의 조성 등도 WDX 분석에 의해 판별하는 것이 가능하다. The composition of the plating layer and the metal particles can also be determined by WDX analysis.

<전자부품의 제조 방법> &Lt; Method of manufacturing electronic parts &

다음으로, 본 발명의 실시형태에 따른 전자부품의 제조 방법에 대해 설명한다. Next, a method of manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention will be described.

(a) 전자부품 소체의 제작 (a) Fabrication of electronic component bodies

예를 들면, BaTiO3계의 유전체 세라믹으로 이루어지는 유전체 분말과, 첨가 성분 분말과, 바인더 수지의 용해액을 분산 혼합함으로써 유전체 슬러리를 얻는다. For example, a dielectric slurry is obtained by dispersing and mixing a dielectric powder of a BaTiO 3 system dielectric ceramic, a powder of an additive component, and a solution of a binder resin.

유전체 슬러리는 용제계여도 되고, 수계여도 된다. 유전체 슬러리를 수계의 슬러리로 하는 경우에는, 수용성의 바인더나 분산제 등을, 물에 분산시킨 유전체 원료와 혼합하면 된다. The dielectric slurry may be solvent-based or water-based. When the dielectric slurry is to be used as an aqueous slurry, a water-soluble binder, a dispersant or the like may be mixed with a dielectric material dispersed in water.

유전체 슬러리를, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 지지(支持) 필름 상에 시트 형상으로 도포함으로써, 유전체 그린 시트를 형성한다. 이 유전체 그린 시트는 적층, 소성 등의 공정을 거쳐 유전체층이 되는 것이다. A dielectric green sheet is formed by applying a dielectric slurry on a support film such as a polyethylene terephthalate film in a sheet form. This dielectric green sheet becomes a dielectric layer through processes such as laminating and firing.

그리고 스크린 인쇄나 그라비어(gravure) 인쇄 등에 의해, 내부전극 형성용 재료를, 상술한 바와 같이 하여 형성된 유전체 그린 시트 상에 인쇄하여 내부전극 패턴을 형성한다. Then, the internal electrode forming material is printed on the dielectric green sheet formed as described above by screen printing, gravure printing, or the like to form an internal electrode pattern.

그리고 내부전극 패턴이 형성된 유전체 그린 시트와, 외층용 유전체 그린 시트로서 내부전극 패턴이 형성되어 있지 않은 유전체 그린 시트를, 소정 순서로 적층하여 유전체 블록을 형성한다. A dielectric green sheet on which an internal electrode pattern is formed and a dielectric green sheet on which an internal electrode pattern is not formed as an outer layer dielectric green sheet are laminated in a predetermined order to form a dielectric block.

유전체 블록을 금형에 넣고 프레스함으로써, 압착된 유전체 블록을 형성한다. The dielectric block is placed in a mold and pressed to form a compressed dielectric block.

이 유전체 블록을 커팅 테이블(cutting table) 상에 고정하고, 각각의 칩(미(未)소성의 전자부품 소체)으로 분할한다. 또한, 유전체 블록의 분할은, 절단 날에 의한 절단, 다이서(dicer)에 의한 절삭, 레이저 가공에 의한 분할 등의 다양한 방법으로 실시할 수 있다. The dielectric block is fixed on a cutting table, and is divided into individual chips (non-sintered electronic component bodies). Further, the dielectric block can be divided by various methods such as cutting by a cutting edge, cutting by a dicer, and division by laser machining.

분할된 각각의 전자부품 소체를 소형 포트에 연마 미디어와 함께 수용하고, 소형 포트를 회전시킴으로써, 전자부품 소체의 각부, 능선부를 둥글게 한다. 이로써, 전자부품 소체의 각부는 일정 곡률 반경을 가지게 되어 균열의 발생이 억제된다. Each of the divided electronic component bodies is accommodated in the small port together with the polishing medium and the small port is rotated to round the corner portions and ridge portions of the electronic component body. As a result, each part of the body of the electronic component has a certain radius of curvature, and the occurrence of cracks is suppressed.

소성 전의 전자부품 소체를 소성용 세터(setter)에 놓고 가열함으로써, 전자부품 소체로부터, 소성 전의 유전체 세라믹층 및 내부전극(내부전극 패턴)에 포함되는 유기 바인더를 제거한다. 탈(脫)바인더 공정은 통상 공기 분위기에서 실시되지만, N2, H2, H2O 등을 사용하여 분위기를 조정해도 된다. The pre-fired electronic component body is placed on a firing setter and heated to remove the organic binder contained in the dielectric ceramic layer and the internal electrode (internal electrode pattern) before firing from the electronic component body. The binder removal process is usually carried out in an air atmosphere, but the atmosphere may be adjusted by using N 2 , H 2 , H 2 O, or the like.

그리고 본 소성을 실시하여, 전자부품 소체를 소결시킨다. 또한, 이 때의 분위기는 N2, H2, H2O 등을 적절히 공급함으로써 조정된다. 소성 후에, 소결을 마친 전자부품 소체가 얻어진다. Then, the main firing is performed to sinter the electronic component body. The atmosphere at this time is adjusted by appropriately supplying N 2 , H 2 , H 2 O, and the like. After sintering, the sintered electronic component body is obtained.

(b) 외부전극의 형성 (b) Formation of external electrode

소결을 마친 전자부품 소체에, 예를 들면 이하에 설명하는 방법에 의해, 외부전극을 형성한다. An external electrode is formed on the sintered electronic component body, for example, by the method described below.

(b-1) 하지 전극층의 형성 (b-1) Formation of base electrode layer

우선, 도전성 입자와 수지와 용제를 포함하는, 외부전극의 하지 전극층을 형성하기 위한 도전성 페이스트를 준비한다. First, a conductive paste for forming a ground electrode layer of an external electrode, which includes conductive particles, a resin and a solvent, is prepared.

다음으로, 테이블에 도전성 페이스트를 도포하여 소정 두께의 도전성 페이스트층을 형성한다. Next, a conductive paste is applied to the table to form a conductive paste layer having a predetermined thickness.

내부전극이 노출된 전자부품 소체의 한쪽 단면을, 상기 테이블 상에 형성된, 하지전극층 형성용 도전성 페이스트층에 침지하여, 전자부품 소체의 한쪽 단면에 도전성 페이스트를 부여한다. One end face of the electronic component element body in which the internal electrode is exposed is dipped in the conductive paste layer for forming the base electrode layer formed on the table to impart the conductive paste to one end face of the electronic component element.

또한, 도전성 페이스트로 덮인 단면을, 도전성 페이스트층이 형성되어 있지 않은 평판에 프레스함으로써, 한쪽 단면을 덮은 잉여의 도전성 페이스트를 제거하도록 해도 된다. 또한, 전자부품 소체의 한쪽 단면을 도전성 페이스트층에 복수 회 침지하도록 해도 된다. In addition, a surplus conductive paste covering one end surface may be removed by pressing a cross section covered with the conductive paste on a flat plate on which no conductive paste layer is formed. Further, one end face of the electronic component body may be immersed in the conductive paste layer plural times.

또한, 도전성 페이스트가 과잉으로 젖어 오르는 경우에는, 전자부품 소체에 미리 도전성 페이스트를 겉돌게 하는 바와 같은 처리를 해 두어 과잉 젖어 오름을 방지하도록 해도 된다. When the conductive paste becomes excessively wet, the conductive paste may be pretreated in advance to prevent the excessive wetting of the electronic component body.

전자부품 소체의 한쪽 단면에 부여된 도전성 페이스트를 건조 후, 다른 쪽 단면에도 동일하게 하여 도전성 페이스트를 부여하고, 건조한다. 그 후, 도전성 페이스트를 베이킹하여 소결시킴으로써 전자부품 소체의 양 단면에 하지 전극층을 형성한다. The conductive paste imparted to one end face of the electronic component body is dried, and the conductive paste is applied to the other end face in the same manner, followed by drying. Thereafter, the conductive paste is baked and sintered to form a base electrode layer on both end faces of the electronic component body.

단, 도전성 페이스트의 베이킹을, 전자부품 소체의 소성과 동시에 실시하도록 해도 된다. However, the baking of the conductive paste may be performed simultaneously with the firing of the electronic component body.

하지 전극층의 형성 방법은 상기의 예에 한정되는 것이 아니며, 다른 방법을 이용하는 것도 가능하다. The method of forming the underlying electrode layer is not limited to the above example, and other methods may be used.

(b-2) 도전재료 함유 수지층의 형성 (b-2) Formation of a conductive material-containing resin layer

도전재료 함유 수지층을 형성하기 위해서는, 우선, 도전재료인 금속 입자와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지 페이스트를 준비한다. In order to form a resin material layer containing a conductive material, first, a conductive material-containing resin paste containing metal particles as a conductive material and a resin material is prepared.

그리고 상술한 하지 전극층의 경우와 동일한 방법으로, 하지 전극층을 덮도록 도전재료 함유 수지 페이스트를 부여한다. Then, a conductive material-containing resin paste is applied so as to cover the base electrode layer in the same manner as in the case of the above-described base electrode layer.

구체적으로는, 도전재료인 Cu 입자 또는 Ag 입자와, 에폭시 수지, 경화제, 첨가제, 및 촉매를 혼합한 수지재료와, 용제를 포함하는 도전재료 함유 수지 페이스트를 준비하고, 전자부품 소체에 상기 하지 전극 형성용 도전성 페이스트를 부여하는 방법에 준하는 방법으로, 하지 전극층을 덮도록 도전재료 함유 수지 페이스트를 부여한다. Specifically, a resin material containing a conductive material and a conductive material-containing resin paste containing a solvent and a resin material in which Cu particles or Ag particles as a conductive material are mixed with an epoxy resin, a curing agent, an additive, and a catalyst are prepared, Containing resin paste is applied so as to cover the base electrode layer by a method similar to a method of applying a conductive paste for forming a conductive paste.

그리고 부여한 도전재료 함유 수지 페이스트에 포함되는 열경화성 수지인 에폭시 수지를 열경화시킴으로써, 도전재료 함유 수지층을 형성한다. Then, the conductive resin-containing resin layer is formed by thermosetting an epoxy resin as a thermosetting resin contained in the conductive material-containing resin paste.

도전재료 함유 수지 페이스트를 열경화시킬 때의 온도는, 150~230℃이다. The temperature at which the conductive material-containing resin paste is thermally cured is 150 to 230 ° C.

도전재료 함유 수지층에 포함되는 금속 입자의 비율은, 83중량%~93중량%인 것이 바람직하다. The ratio of the metal particles contained in the conductive material-containing resin layer is preferably 83 wt% to 93 wt%.

도전재료 함유 수지층에 포함되는 금속 입자의 비율이 83중량%을 하회하면, 수지의 양이 지나치게 많아져, 후술하는 도금액이 도전재료 함유 수지층 내에 스며들지 않아 도전재료 함유 수지층 내의 금속 입자를 도금으로 덮을 수 없어져, ESR이 높아지기 때문에 바람직하지 않다. If the ratio of the metal particles contained in the conductive material-containing resin layer is less than 83 wt%, the amount of the resin becomes excessively large, and the plating liquid, which will be described later, does not penetrate into the conductive material- It can not be covered with the plating, and the ESR is increased, which is not preferable.

또한, 도전재료 함유 수지층에 포함되는 금속 입자의 비율이 93중량%를 초과하면 수지의 비율이 지나치게 적어져, 전자부품 소체와 도전재료 함유 수지층의 밀착 강도가 저하되어 신뢰성이 손상되기 때문에 바람직하지 않다. When the proportion of the metal particles contained in the conductive material-containing resin layer exceeds 93% by weight, the proportion of the resin becomes too small, and the adhesion strength between the electronic component element and the conductive material-containing resin layer lowers, I do not.

또한, 도전재료 함유 수지층의 체적에 대한 금속 입자의 체적의 비율은 40체적% 이상 63체적% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 도전재료 함유 수지층의 체적에 대한 금속 입자의 체적의 비율은, 외부 전극을 일부 절단면 연마하여 금속 입자와 수지층의 면적비율로부터 구할 수 있다. The ratio of the volume of the metal particles to the volume of the conductive material-containing resin layer is preferably 40 vol% or more and 63 vol% or less. The ratio of the volume of the metal particles to the volume of the conductive material-containing resin layer can be obtained from the area ratio between the metal particles and the resin layer by partially cutting the external electrode.

또한, 금속 입자는, 통상 구상(球狀)의 것을 압궤(壓潰; crush)한 바와 같은 편평 형상의 편평분(粉)과 구상의 금속분이 섞여 있지만, 편평분의 비율이 증가하면 도전재료 함유 수지층 내에 공동(空洞)이 생기기 쉽고, 이 공동으로 도금액이 수지층 내에 침입하므로 연신부가 형성되기 쉬워진다. 단, 편평분이 지나치게 많아지면 도전재료 함유 수지층 내의 공동의 비율이 커져, 바람직하지 않은 상황을 초래할 우려가 있다. 따라서, 금속 분말의 종류나 도금액의 조성 등을 고려하여 금속 입자에 차지하는 편평분의 비율을 정하는 것이 바람직하다. In addition, although the metal particles are mixed with a spherical metal powder and a flattened flat powder (usually crushed into a spherical shape), when the proportion of the flat powder is increased, A cavity is likely to be formed in the resin layer, and the plating liquid easily penetrates into the resin layer, so that the stretching portion is likely to be formed. However, if the amount of the flattened portion is excessively large, the ratio of the void in the conductive material-containing resin layer becomes large, which may lead to an undesirable situation. Therefore, it is preferable to determine the ratio of the flat particles to the metal particles in consideration of the kind of the metal powder, the composition of the plating solution, and the like.

(b-3) 도금층의 형성 (b-3) Formation of plating layer

다음으로, 상술한 바와 같이 하여, 전자부품 소체에 형성된 도전재료 함유 수지층의 표면에 도금층을 형성한다. Next, as described above, a plating layer is formed on the surface of the conductive material-containing resin layer formed on the electronic component main body.

도금층을 형성하기 위해서는, Ni 도금액을 넣은 도금조에 도전재료 함유 수지층이 형성된 전자부품 소체와 도전 미디어를 넣고, 전자부품 소체에 형성된 도전재료 함유 수지층의 표면에 도전 미디어를 통해 통전(通電)하고, 도전재료 함유 수지층의 표면에 Ni 도금층을 석출시킨다. In order to form a plating layer, an electronic component element body having a conductive material-containing resin layer formed in a plating bath containing a Ni plating solution and a conductive medium are placed, and the surface of the conductive material-containing resin layer formed on the electronic component element is energized , The Ni plating layer is deposited on the surface of the conductive material-containing resin layer.

이 때, Ni 도금액이 도전재료 함유 수지층 내의 금속 입자 사이를 관통하고 하지 전극층 근방까지 침입하여, 금속 입자의 표면에 Ni 도금층이 석출된다. 이 Ni 도금층에 의해, 도전재료 함유 수지층, 하지 전극을 통해 외부전극과 내부전극이 확실하게 접속되어 도통성이 향상되고, ESR이 저하된다. At this time, the Ni plating solution penetrates between the metal particles in the conductive material-containing resin layer and penetrates to the vicinity of the base electrode layer, and the Ni plating layer is deposited on the surface of the metal particles. By the Ni plating layer, the external electrode and the internal electrode are reliably connected to each other through the conductive material-containing resin layer and the underlying electrode, so that the conductivity is improved and the ESR is lowered.

그리고 도전재료 함유 수지층의 표면에 형성된 Ni 도금층 상에, Sn 도금층을 더 형성한다. Sn 도금층을 형성하기 위해서는, Sn 도금액을 넣은 도금조에 Ni 도금층이 형성된 전자부품 소체와 도전 미디어를 넣고, Ni 도금층의 표면에 도전 미디어를 통해 통전하여, Ni 도금층의 표면에 Sn 도금층을 석출시킨다. Then, a Sn plating layer is further formed on the Ni plating layer formed on the surface of the conductive material-containing resin layer. In order to form the Sn plating layer, an electronic component element having a Ni plating layer formed in a plating bath containing a Sn plating solution and a conductive medium are placed and a surface of the Ni plating layer is energized through a conductive medium to deposit a Sn plating layer on the surface of the Ni plating layer.

이로써, 도 1에 나타내는 바와 같은 구조를 가지는 적층 세라믹 콘덴서가 얻어진다. Thereby, a multilayer ceramic capacitor having the structure shown in Fig. 1 is obtained.

<특성 평가> <Characteristic evaluation>

도전재료 함유 수지층에 Ni 도금층이 연신되어 있지 않은 적층 세라믹 콘덴서(비교용 시료)와, 상술 한 바와 같이 도전재료 함유 수지층 내에 Ni 도금층이 연신된 본 발명의 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(50)(도 1)를 준비하고, 175℃의 고온 분위기 중에서 500시간 방치한 후, 등가직렬저항(ESR)을 측정했다. 그 결과를 도 5에 나타낸다.A multilayer ceramic capacitor (comparative sample) in which the Ni plating layer is not drawn on the conductive material-containing resin layer and the multilayer ceramic capacitor 50 (in the embodiment of the present invention in which the Ni plating layer is drawn in the conductive material- ) (FIG. 1) were prepared and allowed to stand for 500 hours in a high temperature atmosphere at 175 DEG C, and then the equivalent series resistance (ESR) was measured. The results are shown in Fig.

도 6 (a)는, 적층 세라믹 콘덴서(시료)의, 도금층이 연신되어 있는 외부전극의 주요부를 나타내는 SEM상이며, (b)는 WDX상이다. 6 (a) is an SEM image showing a main part of a laminated ceramic capacitor (sample) in which a plating layer is stretched, and Fig. 6 (b) is a WDX image.

도 5에 나타내는 바와 같이, 도전재료 함유 수지층에 Ni 도금층이 연신된 연신부가 형성되어 있지 않은 비교용 적층 세라믹 콘덴서의 경우, 경시적으로 ESR이 상승하는 경향이 인정되었지만, 본 발명의 실시형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(도 6 참조)의 경우, ESR의 상승은 전혀 인정되지 않았다. 이 결과로부터, 도전재료 함유 수지층 내에 Ni 도금층을 연신시킴으로써, 고온 분위기에 노출시킨 경우에도 금속 분말의 산화/염화/황화나, 수지의 팽창 등에 기인하는 등가직렬저항(ESR)의 상승이 억제되는 것이 확인됐다. As shown in Fig. 5, in the case of the comparative multilayer ceramic capacitor in which the stretching portion in which the Ni plating layer is stretched in the conductive material-containing resin layer is not formed, the ESR tends to increase with time. In the case of the multilayer ceramic capacitor (see Fig. 6), no increase in ESR was observed at all. From these results, it was found that, even when exposed to a high-temperature atmosphere, the rise of the equivalent series resistance (ESR) caused by the oxidation / chlorination / sulfuration of the metal powder, the expansion of the resin, and the like is suppressed by stretching the Ni plating layer in the resin material- It was confirmed.

한편, 상기 실시형태에서는, 하지 전극층을 포함한 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명했지만, 본 발명의 전자부품에서는 하지 전극층을 포함하고 있지 않은 구성으로 하는 것도 가능하다. 하지 전극층을 포함하고 있지 않은 구성의 경우, 도금층의 연신부가 충분히 연신됨으로써, 연신부가 내부전극과 직접적으로 접속된 상태의 적층 세라믹 콘덴서를 얻는 것이 가능해진다. On the other hand, in the above embodiment, a multilayer ceramic capacitor including a base electrode layer is described as an example. However, in the electronic component of the present invention, the base electrode layer may not be included. In the case of a configuration not including the base electrode layer, the stretching portion of the plated layer is sufficiently stretched, so that it is possible to obtain a multilayer ceramic capacitor in a state in which the stretching portion is directly connected to the inner electrode.

또한, 상기 실시형태에서는, 전자부품으로 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서에 한정하지 않고, 적층 코일, 적층 배리스터, 적층 LC 복합 부품 등의 적층형 전자부품이나, 적층형이 아닌 칩 저항이나, 칩 서미스터 등, 세라믹 소체의 표면에 외부전극을 포함한 다양한 전자부품에 적용하는 것이 가능하다. Although the multilayer ceramic capacitor is described as an example of electronic components in the above embodiments, the present invention is not limited to multilayer ceramic capacitors, but may be applied to multilayer electronic components such as multilayer coils, multilayer varistors and multilayer LC composite components, The present invention can be applied to various electronic components including external electrodes on the surface of a ceramic body such as a chip resistor or a chip thermistor.

또한, 본 발명은, 적층 세라믹 콘덴서와 같이, 전자부품 소체가 내부전극을 포함하고 있는 경우는 물론, 내부전극을 포함하고 있지 않은 구성의 것(예를 들면 칩 저항이나 칩 서미스터 등)인 경우에도 적용하는 것이 가능하다. In addition, the present invention can be applied not only to a case where an electronic component body includes an internal electrode, such as a multilayer ceramic capacitor, but also to a structure that does not include an internal electrode (for example, a chip resistor or a chip thermistor) It is possible to apply.

본 발명은 또한 그 밖의 점에서도 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다. The present invention is not limited to the above-described embodiments in other respects, and it is possible to apply various applications and modifications within the scope of the invention.

1: 유전체층
2(2a, 2b): 내부전극
2a1, 2b1: 내부전극의 대향 전극부
2a2, 2b2: 내부전극의 인출 전극부
5(5a, 5b): 외부전극
10: 전자부품 소체
10a: 전자부품 소체의 대향부
10b: 전자부품 소체의 측부
10c: 전자부품 소체의 단부
11a: 전자부품 소체의 제1 주면
11b: 전자부품 소체의 제2 주면
12(12a, 12b): 도전재료 함유 수지층
13(13a, 13b): 하지 전극층(베이킹 전극층)
21a: 전자부품 소체의 제1 측면
21b: 전자부품 소체의 제2 측면
31a: 전자부품 소체의 제1 단면
31b: 전자부품 소체의 제2 단면
32(32a, 32b): 도금층
33(33a, 33b): Ni 도금층
34(34a, 34b): Sn 도금층
50: 적층 세라믹 콘덴서
L: 적층 세라믹 콘덴서의 길이
T: 적층 세라믹 콘덴서의 높이
W: 적층 세라믹 콘덴서의 폭
133: 도금층의 연신부 1: dielectric layer
2 (2a, 2b): internal electrode
2a1, 2b1: an opposing electrode portion of the internal electrode
2a2, 2b2: the outgoing electrode portion of the internal electrode
5 (5a, 5b): external electrode
10: Electronic component body
10a: opposing portion of the electronic component body
10b: Side of the electronic component body
10c: end of the electronic component body
11a: a first main surface of the electronic component body
11b: a second main surface of the electronic component main body
12 (12a, 12b): a conductive material-containing resin layer
13 (13a, 13b): base electrode layer (baking electrode layer)
21a: first side of the electronic component body
21b: second side of the electronic component body
31a: First section of the electronic component body
31b: second section of the electronic component body
32 (32a, 32b): Plating layer
33 (33a, 33b): Ni plating layer
34 (34a, 34b): Sn plating layer
50: Multilayer Ceramic Capacitor
L: length of multilayer ceramic capacitor
T: height of multilayer ceramic capacitor
W: width of multilayer ceramic capacitor
133: elongation of the plating layer

Claims (7)

전자부품 소체와, 전자부품 소체의 표면에 배치된 외부전극을 포함한 전자부품으로서,
상기 전자부품 소체는, 일부가 상기 전자부품 소체의 표면에 인출되어, 상기 외부전극과 접속되도록 배치되어 있는 내부전극을 포함하고,
상기 외부전극은, 도전재료와 수지재료를 포함하는 도전재료 함유 수지층과, 상기 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층을 포함하고,
상기 도전재료 함유 수지층은, 상기 도전재료로 금속 입자를 포함하면서,
상기 도금층은, 상기 도전재료 함유 수지층의 표면으로부터 상기 도전재료 함유 수지층의 내부로 연신(延伸)되어, 상기 금속 입자의 적어도 일부를 피복하고 있고,
상기 도전재료 함유 수지층의 두께의 60% 이상의 깊이까지, 상기 도금층이 상기 도전재료 함유 수지층의 내부로 연신되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품. An electronic component including an electronic component body and an external electrode disposed on a surface of the electronic component body,
Wherein the electronic component body includes an internal electrode part of which is drawn out to the surface of the electronic component body and connected to the external electrode,
Wherein the external electrode comprises a conductive material-containing resin layer including a conductive material and a resin material, and a plating layer covering the conductive material-containing resin layer,
Wherein the conductive material-containing resin layer contains metal particles as the conductive material,
The plating layer is stretched (stretched) from the surface of the conductive material-containing resin layer into the conductive material-containing resin layer to cover at least a part of the metal particles,
Wherein the plating layer is extended into the conductive material-containing resin layer to a depth of 60% or more of the thickness of the conductive material-containing resin layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도전재료 함유 수지층을 구성하는 상기 금속 입자가, Cu 입자, Ag 입자, 또는 Ag를 피복한 Cu 입자인 것을 특징으로 하는 전자부품. The method according to claim 1,
Wherein the metal particles constituting the conductive material-containing resin layer are Cu particles, Ag particles, or Cu particles coated with Ag. 제1항에 있어서,
상기 도금층이, 상기 도전재료 함유 수지층 상에 형성된 Ni 도금층과, Ni 도금층 상에 형성된 Sn 도금층으로 이루어지고, 상기 도전재료 함유 수지층 내의 상기 금속 입자의 적어도 일부를 피복하여 연신된 도금층이 상기 Ni 도금층인 것을 특징으로 하는 전자부품. The method according to claim 1,
Wherein the plating layer comprises a Ni plating layer formed on the conductive material-containing resin layer and a Sn plating layer formed on the Ni plating layer, wherein the elongated plating layer covering at least a part of the metal particles in the conductive material- And a plating layer. 제1항에 있어서,
상기 도전재료 함유 수지층을 덮도록 마련된 도금층이, 상기 도전재료 함유 수지층을 거쳐 상기 전자부품 소체에 이를 때까지 연신되어, 상기 전자부품 소체의 표면에 인출된 상기 내부전극과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품. The method according to claim 1,
And a plating layer provided so as to cover the conductive material-containing resin layer is connected to the internal electrode extended to the surface of the electronic component body until it reaches the electronic component body via the conductive material-containing resin layer . 제1항에 있어서,
상기 외부전극이, 상기 전자부품 소체 상에 형성된, 유리 성분과 금속 성분을 포함하는 베이킹 전극으로 이루어지는 하지 전극층을 더 포함하고, 상기 도전재료 함유 수지층이 상기 하지 전극층 상에 형성되고, 상기 도전재료 함유 수지층을 덮은 도금층이, 상기 하지 전극층에 접속될 때까지 연신되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품. The method according to claim 1,
Wherein the outer electrode further comprises a base electrode layer formed on the elementary body of the electronic component and comprising a baking electrode containing a glass component and a metal component, the conductive material-containing resin layer is formed on the base electrode layer, Containing resin layer is stretched until it is connected to the base electrode layer. 제6항에 있어서,
상기 하지 전극층이, 상기 금속 성분으로 Cu 또는 Ni을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품. The method according to claim 6,
Wherein the base electrode layer comprises Cu or Ni as the metal component.
KR1020160128840A 2015-10-09 2016-10-06 Electronic component KR101849095B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015200893 2015-10-09
JPJP-P-2015-200893 2015-10-09
JPJP-P-2016-149469 2016-07-29
JP2016149469A JP2017073539A (en) 2015-10-09 2016-07-29 Electronic component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170042481A KR20170042481A (en) 2017-04-19
KR101849095B1 true KR101849095B1 (en) 2018-04-16

Family

ID=58538431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160128840A KR101849095B1 (en) 2015-10-09 2016-10-06 Electronic component

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2017073539A (en)
KR (1) KR101849095B1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102449365B1 (en) * 2018-09-18 2022-09-30 삼성전기주식회사 Ceramic electronic component
KR102137783B1 (en) * 2018-09-18 2020-07-24 삼성전기주식회사 Ceramic electronic component
KR102427210B1 (en) 2018-12-27 2022-07-29 티디케이가부시기가이샤 Electronic component
JP7081550B2 (en) * 2019-03-27 2022-06-07 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic components
KR20190116162A (en) 2019-08-28 2019-10-14 삼성전기주식회사 Mutilayered electronic component
JP7243666B2 (en) * 2020-03-13 2023-03-22 株式会社村田製作所 inductor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110132637A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Conductive resin composition and chip-type electronic component

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06267784A (en) * 1992-11-04 1994-09-22 Du Pont Kk Conductive resin paste and laminated ceramic chip capacitor with terminal electrode consisting of same
JPH10284343A (en) * 1997-04-11 1998-10-23 Mitsubishi Materials Corp Chip type electronic component
JP4844311B2 (en) * 2006-09-14 2011-12-28 株式会社村田製作所 Ceramic electronic components
JP5246207B2 (en) * 2010-06-04 2013-07-24 株式会社村田製作所 Chip-type electronic components

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110132637A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Conductive resin composition and chip-type electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017073539A (en) 2017-04-13
KR20170042481A (en) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101849095B1 (en) Electronic component
US10242802B2 (en) Electronic component with an external electrode including a conductive material-containing resin layer
KR102435634B1 (en) Multilayer ceramic capacitor
KR101699388B1 (en) Multilayer ceramic capacitor
KR101648392B1 (en) Ceramic electronic component and glass paste
KR101266343B1 (en) Ceramic electronic component
KR101729295B1 (en) Ceramic electronic component and taped electronic component series
KR102139753B1 (en) Ceramic electronic component and method of manufacturing the same
KR101496814B1 (en) Multilayered ceramic capacitor, the method of the same and board for mounting the same
KR102004773B1 (en) Multilayered ceramic electronic component and board for mounting the same
US9190213B2 (en) Method of manufacturing multilayer ceramic capacitor and multilayer ceramic capacitor
KR102112107B1 (en) Electronic component and method of producing electronic component
US11062848B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
KR101678103B1 (en) Ceramic electronic component
JP2007036003A (en) Laminated capacitor
JP7338665B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
KR101718307B1 (en) Ceramic electric device and a method of manufacturing the same
CN114334442A (en) Multilayer ceramic capacitor
CN111755247B (en) Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor
JP2012009556A (en) Ceramic electronic component and method of manufacturing the same
JP2015084360A (en) Multilayer ceramic capacitor
KR20140046301A (en) Multi-layered ceramic electronic parts and method of manufacturing the same
JP4380145B2 (en) Method for manufacturing conductive paste and ceramic electronic component
JP2015043424A (en) Multilayer ceramic capacitor
JP2019179820A (en) Multilayer ceramic capacitor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant