KR101846831B1 - 실내 위치결정 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실내 위치결정 방법 및 장치를 개시한다. 상기 실내 위치 결정 방법은, 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계; 3D 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계를 포함한다. 이와 같이, 고 정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현될 수 있다.

Description

실내 위치결정 방법 및 장치

본 발명의 실시예는 통신 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 실내 위치결정 방법 및 장치에 관한 것이다.

통신 기술 및 그 애플리케이션의 급속한 발전과 더불어, 통신 기반 위치결정 기술이 점점 더 주목을 받고 있다. 사용자의 위치 정보는 많은 혁신적인 부가가치 서비스 및 애플리케이션에 기준이며, 예를 들어, 위치결정 기술은 무선 네트워크의 엄밀한 최적화(refined opimization) 및 문제 분석에 적용될 수 있거나, 또는 보안 보호(security protection), 타겟팅 광고 푸시(targeted advertisement push), 및 네비게이션에 적용될 수 있다. 일반적으로, 현재의 위치결정 기술은 실외 지상의 수평 차원(horizontal dimension)의 2차원(two-dimensional, 2D) 위치결정이다. 일반적으로 사용되는 방법은 무선 신호 특징에 기초한 특징 매칭 방법, 대기 시간(latency)에 기초한 쌍곡선 방법 등이다. 무선 통신 신호에 기초한 종래의 2D 위치결정 방법을 사용함으로써, 실내의 사용자는 실외의 사용자와 정확하게 구별될 수 없고, 실내의 사용자는 높이 차원으로 위치할 수도 없다. 그러나, 업계의 통계는, 음성 서비스의 80% 이상, 데이터 서비스의 70% 이상이 실내에 발생하고, 따라서, 사용자에 대한 실내 위치결정이 큰 의미가 있다는 것을 보여준다.

예컨대 범지구 위치결정 시스템(Global Positioning System, GPS)을 사용한 위치결정과 같은, 일반적으로 사용되는 위치결정 기술은 네비게이션 위성(navigation satellite)을 이용하여 단말기의 위치를 결정하는 것이다. 그러나, 실내 환경에 의한 GPS 신호의 차단 및 감쇠로 인해, 실내 위치결정을 수행할 수 없다. 예컨대 3D 와이파이(Wi-Fi) 실내 위치결정과 같은, 몇몇 일반적으로 사용되는 실내 위치결정 방법은, 실내에 배치된 다수의 Wi-Fi 액세스 포인트를 사용하여 사용자의 위치를 결정하는 것이다. 와이파이 실내 위치결정의 주요 결점은 나쁜 현장 적응성(poor scene adaptability)이다, 즉, 대응하는 위치결정이 오직 WiFi가 배치된 건물 또는 층에서만 수행될 수 있다는 것이다. 그러나, 실제로는, 대부분의 건물 또는 건물의 일부 층에는 WiFi가 배치되어 있지 않으므로, 이러한 현장에서는 3D 실내 위치결정을 수행할 수 없다.

따라서, 현재, 실내에 위치하는 위치결정될 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 정확하게 결정하기 위해 강한 현장 적응성으로 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 구현하는 것이 불가능하다,

본 발명의 실시예는, 실내에 위치하는 위치결정될 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있어, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 구현할 수 있는 실내 위치결정 방법 및 장치를 제공한다.

제1 측면에 따르면, 실내 위치결정 방법이 제공되며, 상기 실내 위치결정 방법은,

실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계;

3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드(indoor grid)의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및

상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 - 를 포함한다.

제1 측면을 참조하여, 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는,

상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드(outdoor grid)를 결정하는 단계 - n은 1 이상의 정수임 -;

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 획득하는 단계; 및

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계에 따라 결정된다.

제1 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득됨 - 를 포함하고;

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 n층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성(environmental relevance)은 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고;

상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 측면의 제4 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고;

상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

제1 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, n이 1보다 큰 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

상기 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된(emulated) 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, n이 1보다 큰 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

상기 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드와 상기 n층 상의 실외 그리드 모두의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서의 위치 정보는, 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; 상기 n층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 - ;

상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제8 가능한 구현 방식에서, n이 1인 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하는 단계 - 상기 테스트 데이터는 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;

상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 - 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -; 및

상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제8 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제9 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 위치결정 방법은, 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 이후에,

상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작은 상기 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리(smooth processing)를 수행하는 단계를 더 포함하고;

상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계는,

상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제10 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는,

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계;

상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계; 및

상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, 상기 p층의 높이는 지표 레벨(ground level)보다 높음 - 에 따라 결정된다.

상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 그리드를 결정하는 단계 - 상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - 를 포함하고;

상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 그리드 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 1층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, 상기 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제10 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제11 가능한 구현 방식에서,

상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 1층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;

상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

제1 측면의 제12 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제13 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 측면의 제13 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제14 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

제1 측면의 제10 내지 제14 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제15 가능한 구현 방식에서, m은 1이다.

제1 측면을 참조하여, 제1 측면의 제16 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는,

k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;

상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하는 단계;

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계에 따라 결정된다.

제2 측면에 따르면, 실내 위치결정 장치가 제공되며, 상기 실내 위치결정 장치는,

실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 획득 모듈;

3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 획득 모듈에 의해 획득된 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하도록 구성된 제1 결정 모듈 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및

상기 제1 결정 모듈에 의해 결정된, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하도록 구성된 제2 결정 모듈 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 - 을 포함한다.

제2 측면을 참조하여, 제2 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 위치결정 장치는, 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제3 결정 모듈을 더 포함하고, 상기 제3 결정 모듈은,

상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성된 제1 결정 유닛 - n은 1 이상의 정수임 -;

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛; 및

상기 제1 획득 유닛에 의해 획득되는, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제2 결정 유닛을 포함한다.

제2 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

상기 제1 결정 유닛은 구체적으로,

상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되며;

상기 제2 결정 유닛은 구체적으로,

상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

상기 제1 결정 유닛은 구체적으로,

상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 n층 상의 실외 그리드이고, 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고,

상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고, 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득되며;

상기 제2 결정 유닛은 구체적으로,

상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제2 측면의 제4 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

제2 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, n이 1보다 큰 경우, 상기 제1 획득 유닛은 구체적으로,

상기 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - 1층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - ;

상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제7 가능한 구현 방식에서,

n이 1보다 큰 경우, 상기 제1 획득 유닛은 구체적으로,

상기 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드와 상기 n층 상의 실외 그리드 모두의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서의 위치 정보는, 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; 상기 n층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 - ;

상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하고;

상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제1 내지 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제8 가능한 구현 방식에서, n이 1인 경우, 상기 제1 취득 유닛은 구체적으로,

상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하고 - 상기 테스트 데이터는 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;

상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하고 - 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -;

상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제8 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제9 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 획득 유닛이 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라, 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제한 이후에, 상기 제1 획득 유닛은,

상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작고 상기 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리를 수행하도록 더 구성되고;

상기 제1 획득 유닛이, 상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것은,

상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것을 포함한다.

제2 측면의 제8 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제9 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 위치결정 장치는, 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제4 결정 모듈을 더 포함하고; 상기 제4 결정 모듈은,

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성된 제3 결정 유닛;

상기 제3 결정 유닛에 의해 결정되는, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 상기 제3 결정 유닛에 의해 결정되는, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 제2 획득 유닛; 및

상기 제2 획득 유닛에 의해 획득되는, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제4 결정 유닛 - p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, 상기 p층의 높이는 지표 레벨보다 높음 - 을 포함한다.

제2 측면의 제10 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제11 가능한 구현 방식에서, 상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

상기 제3 결정 유닛은 구체적으로,

상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드를 결정하도록 구성되고, 상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치하며 ;

상기 제4 결정 유닛은 구체적으로,

상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, 상기 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제10 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제12 가능한 구현 방식에서, 상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

상기 제3 결정 유닛은 구체적으로,

상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 1층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득되며;

상기 제4 결정 유닛은 구체적으로,

상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제2 측면의 제12 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제13 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하는 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제2 측면의 제13 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제14 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하는 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하는 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

제2 측면의 제10 내지 제14 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제15 가능한 구현 방식에서, m은 1이다.

제2 측면을 참조하여, 제2 측면의 제16 가능한 구현 방식에서, 상기 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제5 결정 모듈을 더 포함하고;

상기 제5 결정 모듈은,

k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하도록 구성된 제5 결정 유닛 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;

상기 제5 결정 유닛에 의해 결정된, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 제3 획득 유닛;

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제6 결정 유닛; 및

상기 제6 결정 유닛에 의해 결정되는, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 제6 결정 유닛에 의해 결정되는, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제7 결정 유닛을 포함한다.

전술한 기술적 방안에 기초하여, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 방법 및 장치에 따르면, 실내에 위치하는 위치결정될 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보가 3차원 3D 실내 위치결정 매칭 정보와 매칭되어

대응하는 실내 그리드 및 실내 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보를 결정하므로, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 구현할 수 있다.

본 발명의 실시예에서의 기술적 방안을 더욱 명확하게 설명하기 위해, 이하에 본 발명의 실시예 또는 종래기술의 설명에 필요한 첨부도면을 간단하게 소개한다. 명백히, 이하의 설명에서의 첨부도면은 단지 본 발명의 일부 실시예를 보여줄 뿐이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자(이하, 당업자라고 함)라면 창의적인 노력 없이 이들 첨부도면으로부터 다른 도면을 도출할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 방법의 개략 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 방법의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 위 결정 방법의 효과의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 방법의 개략도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 방법의 개략도이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 장치의 개략 블록도이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 제3 결정 모듈의 개략적 블록도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 제4 결정 모듈의 개략적 블록도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 위치 결정 장치의 개략 블록도이다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 기지국의 개략 블록도이다.

이하에 본 발명의 실시예에서의 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 기술적 방안을 명확하고 완전하게 설명한다. 명백히, 설명하는 실시예는 본 발명의 실시예의 전부가 아니라 일부이다. 당업자가 본 발명의 실시예에 기초하여 창의적인 노력 없이 얻은 모든 다른 실시예는 본 발명의 보호 범위에 속한다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 실시예에서, 단말기는 또한 시스템, 가입자 유닛(subscriber unit), 가입자국(subscriber station), 이동국(mobile station), 모바일 플랫폼(mobile platform), 원격국(remote station), 원격 단말기(remote terminal), 모바일 기기, 사용자 단말기, 단말기, 무선 통신 기기, 사용자 에이전트(user agent), 사용자 장치, 또는 사용자 장비(User Equipment, UE)로도 지칭 될 수 있다는 것이다. 단말기는 셀룰러 전화, 무선 전화, SIP(Session Initiation Protocol, 세션 개시 프로토콜) 전화, WLL(Wireless Local Loop, 무선 로컬 루프)국, PDA(Personal Digital Assistant, 개인 휴대 정보 단말기), 무선 통신 기능을 구비한 핸드헬드형 기기(handheld device), 차량 장착형 기기(vehicle-mounted device), 컴퓨팅 기기, 또는 무선 모뎀에 연결된 다른 프로세싱 기기일 수 있다.

더 이해해야 할 것은, 본 발명의 실시예에서, 기지국은 모바일 기기와의 통신에 사용될 수 있고; 기지국은 BTS(Base Transceiver Station, 송수신 기지국) GSM(Global System of Mobile communication, 이동 통신용 글로벌 시스템) 또는 CDMA(Code Division Multiple Access, 코드 분할 다중 접속)일 수도 있고; WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access, 광대역 코드 분할 다중 접속)에서의 NB((NodeB, 노드B); 또는 LTE(Long Term Evolution, 롱텀 에볼루션)에서의 eNB 또 eNodeB(Evolutional Node B, 진화된 노드B), 중계국(relay station) 또는 액세스 포인트(access point), 또는 미래 5G 네트워크에서의 기지국 기기 등일 수도 있다.

본 발명의 실시예에서, 단말기에 대한 위치결정을 구현하기 위해, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보가 3D 실내 위치결정 매칭 정보와 매칭되는 구체적인 실시예를 먼저 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 방법(100)을 나타내며, 실내 위치결정 방법(100)은 실내 위치결정 장치에 의해 실행될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 실내 위치결정 방법(100)은,

S110. 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득한다.

S120. 3D 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하며, 여기서 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함한다.

S130. 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하며, 여기서 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 제1 방향과 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향이다.

S110에서, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 단말기에 의해 보고되는 측정 보고(Measurement Report, MR)를 사용하여 획득될 수 있거나, 또는 다른 수단에 의해 획득될 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 위치결정될 단말기의 MR 내의 현재 단말기의 신호를 수신할 수 있는 셀, 셀에 대응하는 신호 강도 등이 단말기에 대응하는 현재의 셀 신호 강도 정보로서 추출될 수 있으며, 현재의 셀 신호 강도 정보는 실내 위치결정 장치에 저장된 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와의 매칭에 사용된다. 물론, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에 더해, 단말기의 다른 정보를 더 참조할 수도 있다. 예를 들어, 위치결정될 단말기가 기압 측정 기능을 구비한 경우, 위치결정 장치는 위치결정될 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하기 위해, 기압 정보를 참조할 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

S120에서, 대응하는 실내 그리드와 그 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하기 위해, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보가 3D 실내 위치결정 매칭 정보와 매칭된다. 단말기는 실내 그리드의 중심에 위치하는 것으로 대략 생각될 수 있다. 구체적으로, 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함할 수 있고, 단말기의 MR 내의 기압 정보와의 매칭을 수행하여 위치결정 매칭의 정밀도를 향상시킬 수 있도록, 실내 그리드의 기압에 관한 정보와 같은, 매칭에 사용되는 일부 다른 정보를 더 포함할 수도 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한 정되는 것은 아니다.

유의해야 할 것은, 3D 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법은 이하의 방법 200 내지 600에서 상세하게 설명된다는 것이다. 3D 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보 및 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 하나의 셀과 그 셀에 대응하는 신호 강도일 수 있거나, 복수의 셀과 그 복수의 셀에 대응하는 신호 강도일 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

셀 신호 강도 정보의 매칭이 수행되는 경우, 3D 실내 위치결정 매칭 정보에서 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보와 완전히 매칭되는 그리드를 발견할 수는 없지만, 대신에 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에 근사한 다수의 그리드를 발견할 수는 있다. 이 경우에, 도 2에 도시된 바와 같이, 단말기가 위치할 가능성이 있는 다수의 그리드에는 1, 2, 3, 4....로 번호를 붙일 수 있으며; 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에서의 셀과 각각의 그리드에 대응하는 셀 사이의 관련성이 계산되고; 관련성이 가장 높은 그리드(예를 들어, 그리드 2)가 사용자의 위치로서 결정된다. 이해해야 할 것은, 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 위치결정 매칭 데이터베이스의 일부일 수 있고, 그 데이터베이스는 일부 2D/3D 실내 및 실외 테스트 데이터를 더 포함할 수도 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니라는 것이다.

S130에서, 단말기가 위치하는 곳의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이는 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라 결정될 수 있다. 실내 그리드의 분할은 3D 모델링에 따라 이루어지며, 동일한 수평면에서의 간단한 분할 및 가능한 한 완전한 영역 커버를 위해, 그리드의 형상은 정사각형일 수 있다. 예를 들어, 실내 그리드는 정사각형일 수 있으며, 실내 그리드의 한 변의 길이는 일반적으로 5미터 또는 10미터일 수 있지만, 본 발명의 실시예는 이에 한정되는 것은 아니다. 실내 그리드의 수평 위치는 수평 방향의 위치를 가리키고; 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함할 수 있고; 제1 방향과 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향이다, 예를 들어, 제1 방향과 제2 방향은 일반적으로 경도와 위도일 수 있지만, 본 발명의 실시예는 이에 한정되는 것은 아니다.

따라서, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 방법에 따르면, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있도록, 실내에 위치한 위치결정될 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보가 대응하는 실내 그리드 및 그 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하기 위해 3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭된다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현될 수 있다.

선택적으로, 실시예로서, S120 이전에, 실내 위치결정 방법(100)은, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에 따라, 2D 위치결정 매칭 정보, 및 실내에 위치하는 단말기의, 3D GIS(Three Dimensions Geographic Information System, 3차원 지리 정보 시스템)을 결정하는 단계를 더 포함하고, 2D 위치결정 매칭 정보는 수평 위치 정보와 셀 신호 강도 정보 사이의 대응관계를 포함한다.

구체적으로, 2D 위치결정 기술을 사용하여 단말기 상에서 2D 위치결정이 먼저 수행될 수 있다, 즉, 단말기에 의해 보고되는 MR에 포함된 정보에 따라, 수평면에서의 단말기의 대략적인 위치가 2D 위치결정 매칭 정보를 사용하여 결정되고; 그 위치를 참조하여, 3D GIS를 사용하여 단말기가 건물 안에 위치하는지를 결정한다. 단말기가 실내에 위치하는 것으로 결정되는 경우, 그 건물에 대응하는 3D 실내 위치결정 매칭 정보 및 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보에 따라, 단말기에 대한 정확한 위치결정이 수행된다. 다수의 실외 또는 실내의 단말기의 2D/3D 위치결정은 이 방법을 사용하여 구현될 수 있고, 위치결정의 효과는 도 3에 도시되어 있다. 예를 들어, 단말기가 실외의 단말기인 경우, 단말기가 위치하는 곳의 위도와 경도가 결정될 수 있고; 단말기가 실내의 단말기인 경우; 경도, 위도, 및 단말기가 위치하는 곳의 높이가 결정될 수 있다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 방법에 따르면, 먼저, 2D 위치결정 기술을 사용하여, 단말기가 위치하는 실내가 결정되고; 그 후, 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보가 3D 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭되어, 단말기가 위치하는 실내 그리드를 결정하여 단말기가 위치하는 곳의 수평 위치 및 높이를 결정할 수 있도록 한다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 구현할 수 있다.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 본 실시예에 따른 실내 위치결정 방법을 이하에 상세하게 설명한다. 도 4 내지 도 15를 참조하여, 전술한 실내위치 결정 방법에서 요구되는 3D 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법을 이하에 상세하게 설명한다.

실내 그리드와 그 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보는 별개로 결정될 수 있으며, 그 후, 각각의 그리드에 대응하는 셀 신호 강도 정보가, 3D 실내 위치결정 매칭 정보를 결정하기 위해 결정되며, 여기서 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 수평 위치 정보와 높이를 포함한다.

실내 그리드와 그 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이의 결정은 건물 상에서 그리드 분할을 수행함으로써 구현될 수 있다. 그리드 분할은 이하의 단계에 따라 건물에 대해 수행될 수 있다:

첫 번째, 건물에 관한 정보를 추출한다, 즉 3D GIS에 기초하여, 건물의 벡터 윤곽 정보, 높이 정보 등을 추출하며, 여기서 3D GIS는 3D 전자 지도라고도 하고 사용자의 무선 네트워크 계획의 에뮬레이션에 널리 적용되며, 건물 및 강과 같은, 클러터 정보(clutter information)가 지도에 포함되어 있다.

두 번째, 건물에 대해 3D 모델링을 수행한다, 즉, 3D GIS로부터 추출된 건물에 관한 정보를 사용하여 건물에 대해 3D 모델링을 수행한다, 즉, 앞의 단계에서 취득된 윤곽 정보, 높이 정보 등을 사용하여 지도 상에 건물을 표시한다.

세 번째, 건물에 대해 실내 층의 분류(indoor floor classification)를 수행한다, 즉 건물의 3D 모델에 대해 층의 분류를 수행한다.

네 번째, 건물에 대한 실내 그리드 분할을 수행한다, 즉, 3D GIS 해상도 또는 다수의 해상도에 따라 건물의 각 층에 대해 그리드 분할을 수행한다.

본 발명의 본 실시예의 핵심은 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 이용하여 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것이다. 따라서, 건물에 대한 실내 그리드 분할에 더해, 건물의 실외 1층과 각층에 대응하는 실외 공간에 대해 그리드 분할이 더 수행될 수 있다. 일반적인 부동산의 건물 사이의 간격은 약 50∼60m이며, 기본적으로 이 거리 범위 내에는 다른 건물의 장애물이 존재하지 않는다. 따라서 실외 그리드 분할을 수행하는 경우, 건물의 외벽으로부터의 거리가 50∼60m의 범위 내에 있는 실외 경역이 선택될 수 있다, 즉 1층 상의 실외 그리드와 1층 상의 실내 그리드 내의 대응하는 에지 그리드 사이의 가장 먼 거리가 50∼60m이다. 실내 그리드 분할을 수행한 후, 그리드는 두 유형: 에지(edge) 그리드와 비에지(non-edge) 그리드로 분류된다. 에지 그리드는 직접 벽에 연결되어 있는 실내 그리드를 가리키고; 비에지 그리드는 직접 벽에 연결되지 않은 실내 그리드를 가리킨다.

실내의 신호는 동일한 거리의 범위 내에서 실외의 신호보다 더 크게 변화하기 때문에, 일반적으로, 비교적 작은 실내 그리드가 선택될 수 있다. 동일한 수평면에서의 간단한 분할 및 가능한 한 완전한 영역 커버를 위해, 그리드의 형상은 정사각형일 수 있다. 예를 들어, 실내 그리드는 정사각형일 수 있으며, 실내 그리드의 한 변의 길이는 일반적으로 5미터 또는 10미터일 수 있으며; 실외 그리드도 또한 정사각형일 수 있고, 실외 그리드의 한 변의 길이는 일반적으로, 20미터, 30미터, 50미터 등일 수 있다. 전술한 단계들을 사용함으로써, 실내 영역 및 실외 영역에 대해 그리드 분할을 수행하는 경우, 그리드에 대응하는 수평 위치 정보 및 높이 정보가 결정된다. 여기서, 그리드의 수평 위치는 그리드의 중심의 수평 위치, 예를 들어 그리드의 중심의 경도 및 위도로 간주될 수 있다,

이해해야 할 것은, 전술한 그리드 분할은 건물의 각 실내 층 및 대응하는 각 실외 층을 전체로서 고려하여 설명되었으나, 그러한 설명이 본 발명의 실시예에 대한 한정사항을 구성하지는 않는다는 것이다, 즉, 그리드 분할은 실제 요건에 따라 단지 대응하는 층 또는 대응하는 영역에 대해서만 수행될 수도 있다는 것이다.

도 4는 본 발명의 실시에에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법(200)을 나타낸다. 상기 방법(200)은 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 장치에 의해 실행될 수 있거나, 실내 위치결정 장치의 대응하는 모듈에 의해 실행될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 방법(200)은 다음 단계들을 포함한다:

S210. n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하며, 여기서 n은 1 이상의 정수이다.

결정될 그리드(to-be-determined grid)는 n층 상의 실내 그리드에서 선택된다. n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보, 또는 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 주변 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터를 참조하여, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 하나 이상의 실외 그리드가 선택될 수 있다. n층 상의 실외 그리드가 그리드 유형에 따라 변화하는 것으로 결정되는 경우에 정보를 참조할 수 있다. 예를 들어, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우, n층 상의 대응하는 실외 그리드는 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치를 참조하여 결정될 수 있고; n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우, n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치에 더해, n층 상의 실내 비에지 그리드의 높이 정보, 주변 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 등을 더 참조할 수 있다. 또, n층 상의 대응하는 실외 그리드는 다른 정보를 참조하여 더 결정될 수 있다. 예를 들어, 안테나의 엔지니어링 파라미터 또는 다른 정보에 따라 n층 상의 실내 그리드 및 대응하는 n층 상의 실외 그리드에 대해 에뮬레이션 계산을 수행할 수 있고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보에서의 셀이, 대응하는 n층 상의 실외 그리드의, 계산을 통해 취득되는 셀 신호 강도 정보에서의 셀을 참조하여 결정된다. 구체적인 방법은 이하의 실시예에서 설명한다.

S220. n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 획득한다. n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 방법은 많이 있다. 예를 들어, 셀 신호 강도 정보는 드라이브 테스트 데이터(dirve test data) 및/또는 단말기 데이터와 같은 테스트 데이터에 의거할 수 있거나, 또는 계산을 통해 취득된 셀 신호 강도 정보일 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

S230. n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정한다. 건물으로부터의 거리가 특정 값(예를 들어, 50∼60 미터)보다 작고n층 상에 있는 실외 그리드의 신호 강도의 감쇄 규칙은 n층 상의 실내 그리드의 신호 강도의 감쇄 규칙과 비교적 유사하고, 수학의 통계 특성에 부합하는, 유사한 신호 특성을 종종 보이므로; n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 건물의 n층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 데 사용될 수 있다.

따라서, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드는 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로, 고정밀도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있어, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 또한 구현할 수 있다.

선택적으로, 실시예로서, 결정될 실내 그리드가 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계 - 여기서 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득됨 - 를 포함하고;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

구체적으로, n층 상의 임의의 실내 에지 그리드에 대해, 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값 범위 내인, n층 상에 있는 적어도 하나의 실외 그리드가 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득될 수 있다. 실외 그리드의 크기에 대응하는 20미터 또는 30미터 등의 값이 제1 임계값의 범위에 선택될 수 있다. 바람직하게는, n층 상의 실내 에지 그리드에 가장 가까운, n층 상에 있는 실외 그리드가 선택될 수 있다.

n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는 n층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계를 고려하여 결정될 수 있다. 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계는 실험식, 예를 들어, 벽의 두께와 높이, 및 신호의 주파수 대역과 같은 인자와 관련이 있는 실험식일 수 있거나; 또는 실험값, 예를 들어, 벽 투과 손실(Wall Penetrate Loss, Wall-PLoss)값일 수 있다. 벽 Ploss 값의 선택은 또한 주파수 대역으로 인자에 관련 될 수 있고, Wall-PLoss 값의 선택도 또한 주파수 대역 등의 인자와 관련이 있을 수 있으며, Wall-PLoss값의 범위는 3∼10dB일 수 있다. 더욱 바람직하게는, Wall-PLoss 값은 5dB일 수 있다.

구체적인 예로서, n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀이 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀로서 결정될 수 있으며; n층 상의 실외 그리드의 셀의 신호 강도에서 Wall-PLoss 값을 뺀 후에 취득된 결과가 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀의 신호 강도로서 사요된다.

바람직하게는, n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보가, 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따라, 광선 추적 방법(ray tracing method)과 같은, 에뮬레이션 계산을 통해 결정될 수 있다. 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보는 그리드에 의해 수용될 수 있는 하나 이상의 셀, 및 각 셀에 대응하는 신호 강도 같은 정보를 포함할 수 있다. 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 기초하여, n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보가 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 사용하여 결정될 수 있다. 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보는, 예를 들어, 안테나 방위각, 다운틸트(downtilt), 안테나 높이, 안테나의 위도 및 경도 정보와 같은, 무선 네트워크 계획에서의 안테나관련 엔지니어링 파라미터, 및 송신 전력을 포함한다.

n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀을 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀과 비교한 후, 동일한 셀을 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀로서 사용하며; n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내에만 존재하는 셀 또는 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내에만 존재하는 셀에 대해서는, 안테나의 엔지니어링 파라미터를 참조하여, n층 상의 실내 에지 그리드에 그 셀의 신호가 존재해야 하는지를 결정할 필요가 있으며, n층 상의 실내 에지 그리드에 그 셀의 신호가 존재해야 하면, 그 셀도 또한 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀로서 사용된다. 또, 제1 에지 그리드에 그 셀이 존재해야 하는지의 결정을 돕기 위해, 그 셀의 기지국과 가까운, 다른 셀의 것인 기지국의 전파 상황을 참조할 수 있다. 셀을 결정하는 방법은 많이 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되지 않는다.

n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 및 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 모두에 존재하는 셀에 대해서는, n층 상의 실내 에지 그리드의 신호 강도는 여전히 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 신호 강도에서 Wall-PLoss 값을 감산함으로써 결정될 수 있다.

n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에는 존재하지만 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에는 존재하지 않는 셀에 대해서는, n층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 대응하는 신호 강도가 n층 상의 실내 에지 그리드의 신호 강도로서 선택될 수 있다.

선택적으로, 다른 실시예로서, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드는 모두 n층 상의 실외 그리드이고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; n층 상의 실내 비에지 그리드와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

구체적으로, n층 상의 임의의 실내 비에지 그리드의 경우, 제1 방향, 제2 방향, 또는 수평 위치의 다른 방향으로 n층 상의 실내 비에지 그리드의 위치와 동일하거나 가까운 위치를 가지는, n층 상에 있는 다수의 실내 에지 그리드가 존재할 수 있다. 1층 상의 실내 에지 그리드가 예로서 사용되는 도 5를 참조하면, 4개의 실내 에지 그리드가 도면에 나타나 있다. 설명을 위해, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 선택한다. n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 중심에서 n층 상의 실내 비에지 그리드의 중심까지의 벡터를 결정할 수 있으며, 이 벡터의 크기는 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 중심과 n층 상의 실내 비에지 그리드의 중심 사이의 거리이며, 이 벡터의 방향은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 중심에서 n층 상의 실내 비에지 그리드의 중심을 향하는 것이다.

환경적 관련성이 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하는 제1 실외 그리드가 n층 상의 실외 그리드에서 선택된다. 선택적으로, 환경적 관련성은 3D GIS 및/또는 근처 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터와 같은 정보에 따라 결정될 수 있다. 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다. 즉, 환경적 관련성의 일관성은, 신호를 수신할 수 있는 다수의 기지국의 각각의 안테나로부터의 두 그리드의 거리, 방향 등이 최대한 일치한다는 것을 의미한다. 환경적 관련성의 일관성은, 두 그리드가 더 많은 동일한 셀을 가지거나 셀의 강도가 유사하다는 것을 더 포함할 수 있고; 기지국의 안테나 또는 셀의 거리, 또는 셀 신호 강도를 고려하는 가중 평가 방법일 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 언급한 셀 또는 셀의 강도는 에뮬레이션 계산을 통해 취득될 수 있다.

또한, 제1 실외 그리드를 시점으로 하여, 전술한 벡터와 동일한 벡터가 그 벡터의 종점을 결정하기 위해 만들어지고; 벡터의 종점이 위치하거나 벡터의 종점에 가까운 제2 실외 그리드가 획득된다. 더욱 바람직하게는, 벡터의 종점과 제2 실외 그리드 사이의 거리는 n층 상의 실내 그리드의 변의 길이보다 짧아야 한다. 이 조건을 충족하는 제2 실외 그리드가 발견되지 않으면, 제1 실외 그리드 및 대응하는 제2 실외 그리드는 다시 선택될 수 있다. 이와 같이, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 위치 관계와 일치하는 것을 보장할 수 있다. 확실히, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 위치 관계가 n층 상의 실내 비에지 그리드와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 위치 관계와 일치하는 것을 보장하기 위한, n층 상의 실외 그리드를 결정하는 다른 방법도 존재할 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

고정된 셀에 대해 대략, 제1 실외 그리드에 의해 수신된 셀의 신호의 강도와 제2 실외 그리드에 의해 수신된 셀의 신호의 강도 사이의 감쇄 규칙은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드에 의해 수신된 셀의 신호의 강도와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 의해 수신된 셀의 신호의 강도 사이의 감쇄 규칙과 동일한 것으로 간주될 수 있다. 따라서, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 동일한 셀에 대응하는 신호 강도 사이의 차는 제1 차분(difference)으로 설정된다. n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드와 n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 동일한 셀에 대응하는 신호 강도 사이의 차는 제2 차분으로 설정된다. 제1 차분이 제2 차분과 동일하다고 가정하면, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 대응하는 신호 강도를 결정할 수 있다. 확실히, 제1 차분이 제2 차분과 같지 않다고 가정할 수도 있지만, 그것들은 경험 값에 따라 다르므로, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 대응하는 셀에 대응하는 신호 강도가 결정된다.

이와 유사하게, n층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보가, 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 기초하여, 에뮬레이션 계산에 의해 결정될 수 있고, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보가 결정된다. 여기서는 주로, 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의, 그리드에 의해 수신될 수 있는, 셀을 참조한다.

이해해야 할 것은, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보가, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 대응하는 셀 신호 강도 정보 및 한 쌍의 대응하는 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드의 대응하는 셀 신호 강도 정보에 따라, 결정될 수 있다는 것이다.

바람직하게는, 다수 그룹의, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보도 또한, 제1 방향 또는 제2 방향으로 n층 상의 실내 비에지 그리드의 위치와 동일하거나 가까운 위치를 가지는, n층 상에 있는 다수의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 다수의 실내 에지 그리드에 대응하는 실외 그리드의 대응하는 셀 신호 강도 정보에 따라, 개별적으로 결정될 수 있고; 그 후, 셀 신호 강도 정보의 정밀도를 향상시키기 위해, 다수 그룹의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도에 대해 평균호가 수행된다.

이와 같이, 건물의 n층 상의 실내 에지 그리드와 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보가 취득될 수 있다, 즉, 임의의 실내 그리드의 위치결정 매칭 정보가 취득되고; 위치결정 매칭 정보를 모두 합쳐 매칭 특징 데이터베이스라고 할 수 있다. 상기 방법(200)은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것이다. n이 1이거나, n이 1보다 큰 경우, n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법은 많이 있다. 이하에 개별적으로 그 방법에 대해 상세히 설명한다.

선택사항으로, n이 1인 경우, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하는 단계 - 여기서 테스트 데이터는 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;

셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 - 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -; 및

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함한다.

구체적으로, 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 것은, 1층 상의 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하여 처리함으로써 구현될 수 있다. 테스트 데이터는 DT 데이터 및/또는 단말기 데이터를 포함할 수 있으며, 테스트 데이터의 내용은 1층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함한다. 구체적으로, DT 데이터는, 무선 인터페이스(wireless air interface)와 관련된 신호 또는 정보를 수집하기 위해, 단말기를 구비한 차량 장착형 기기를 사용하여 취득된 데이터를 가리키며, 상기 정보는 적어도 테스트 지점의 위도 및 경도 위치 정보, 위치에 대응하는 단말기에 의해 수신된 복수의 셀, 및 이들 셀에 대응하는 신호 강도와 같은 정보를 포함한다. 단말기 데이터는,

단말기 또는 단말기 내의 애플리케이션 소프트웨어에 의해 수집된 AGPS(Assisted Global Positioning System, AGPS)의 경도 및 위도 위치 정보, 및 MR을 사용하여 획득된, 수신된 신호의 것인 셀 강도 및 셀 식별정보와 같은 정보일 수 있다. 또, 테스트 데이터는, 예를들어, 단말기의 바로미터 기능(barometer function) 등을 사용하여 측정된 높이(고도) 정보와 같은, 다른 정보를 더 포함할 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보가 테스트 데이터에 따라 결정되는 경우, 수집된 DT 데이터만이 사용될 수 있거나, 또는 DT 데이터와 단말기 데이터를 결합하여 서로 보완할 수 있다. 또한, 선별(screening) 및 평활화(smoothing), 이산 제거(discrete elimination)와 같은 처리가 테스트 데이터에 대해 더 수행될 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 하나 이상의 테스트 데이터가 1층 상의 실외 그리드에 포함될 수 있다. 그리드가 복수의 테스트 데이터를 포함하는 경우, 이 복수의 테스트 데이터에 대응하는 복수의 셀의 강도 정보의 평균 값, 또는 평활 처리된 값이 거의 그리드에 대응하는 신호 강도로서 사용될 수 있다.

구체적인 예로서, 도 6에 도시 된 바와 같이, 건물의 1층 상의 실내 에지 그리드가 기준(reference)으로서 사용될 수 있고, 다수의 실외 테스트 지점이 실외 1층으로부터 50∼60m의 범위 내에서 선택된다. 실외 테스트 지점들의 셀 신호 강도 간의 차이가 계산된다. 아무런 방해가 없는 정상적인 경우, 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 특정한 변화 규칙이 있다. 그러나, 테스트 지점 사이에 건물 또는 다른 물체의 방해가 존재하는 경우에는, 변화 규칙에 부합하지 않는 신호 강도의 특이점(singular point)이 나타날 수 있다. 또한, 큰 신호 강도 에러를 가지는 몇몇 지점도 발견될 수 있다. 이것에 따르면, 3D 실내 위치결정 매칭 정보를 더욱 정확하게 만들기 위해, 큰 에러(great error)를 가지는 실외 테스트 지점 및 특이점이 삭제되고, 에러 데이터가 삭제된 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보로서 사용된다. 도 6에서, 특이점의 수, 큰 에러 지점의 수, 및 정상 지점의 수는 단지 예시일 뿐이며, 본 발명의 본 실시예에 대한 한정사항을 구성하지 않는다.

예를 들면, 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라, 비교될 기준 그리드의 신호 강도와 비교하면, 1층 상의 실외 그리드의 신호 강도는 5dB 감쇄되어야 하지만, 1층 상의 실외 그리드의 신호 강도는 비정상적으로 20dB 감쇄되고; 그러면 1층 상의 실외 그리드가 차단될 수 있고, 1층 상의 실외 그리드는 삭제되어야 하는, 특이점으로 생각될 수 있다. 다르게는, 1층 상의 다른 실외 그리드의 신호 강도는 5dB 감쇄되어야 하지만, 1층 상의 실외 기기의 신호 강도는 비정상적으로 5dB 증가하고; 그러면, 1층 상의 실외 그리드의 테스트 데이터가 삭제되어야 하는, 큰 에러를 가지는 것으로 생각될 수 있다.

또한, 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 이후에, 상기 방법(200)은,

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작고 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리(smooth processing)를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있고;

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계는,

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함한다.

구체적으로, 하나의 실외 테스트 포인트의 측정 값이 큰 랜덤 에러가 있을 수 있음을 고려하여, 평활 처리가 테스트 데이터의 셀 신호 강도에 대해 수행될 수있다. 구체적인 구현 방식은 다음과 같을 수 있다: 실외 테스트 지점에 대응하는 테스트 데이터를 선택하고; 테스트 지점으로부터의 거리가 제2 임계값인, 1층 상에 있는 다수의 실외 그리드를 결정하고; 테스트 지점으로부터의 거리가 제2 임계값인, 1층 상에 있는 다수의 실오 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 스트 지점에 대응하는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활화 처리를 수행한다. 예를 들어, 테스트 데이터 내의 동일한 셀에 대응하는 신호 강도에 대해 평균화를 수행하며, 평균 값은 선택된 테스트 지점의 대응하는 셀의 신호 강도로서 사용된다. 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활화 처리된(smooth-processed) 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보로서 사용된다.

바람직하게는, 제2 임계 값은 10미터일 수 있고, 실제 데이터 테스트에 따라, 10미터의 범위 내의 테스트 포인트에 대응하는 DT 데이터는 비교적 높은 관련성을 가진다. 제2 임계값은 또한, 예를 들어, 20미터, 30미터와 같은, 다른 상이한값일 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

선택적으로, n이 1보다 큰 경우, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - 1층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 -; 및

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.

구체적으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 및 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보는, 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따라 광선 추적과 같은 에뮬레이션 계산 방법을 사용하여 결정될 수 있으며, 여기서 n층 상의 실외 그리드 및 1층 상의 실외 그리드는 동일 또는 유사한 수평 위치 정보를 가진다, 즉, 제1 방향 및 제2 방향에서의 n층 상의 실외 그리드의 위치는 제1 방향 및 제2 방향에서 1층 상의 실외 그리드의 위치에 최대한 가깝고, n층 상의 실외 그리드의 높이는 건물의 n층에 대응한다.

n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀 신호 강도의 신호 강도와, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도 사이의 차이는, 제3 차분으로서 설정된다.

1층 상의 실외 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀의 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도와, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도 사이의 차이는 제4 차분으로서 설정된다. 제3 차분이 제4 차분과 동일하다고 가정하면, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도가 결정될 수 있다. 확실히, 제3 차분이 제4 차분과 같지 않다는 것도 가정할 수 있지만, 경험 값에 따라 다르므로, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도가 결정된다.

마찬가지로, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀을 보완하기 위해, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 관한 정보를 참조한다.

선택적으로, 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에서, n층 상의 그리드에 대응하는 셀과 1층 상의 그리드에 대응하는 셀 사이의 차이는 비교적 클 수 있다. 건물의 n층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보의 정밀도를 더 향상시키기 위해, 모든 층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 층마다 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 3층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 2층 및 3층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 및 2층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있다.

따라서, n이 1보다 큰 경우, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - 여기서 (n-1)층 상의 실외 그리드와 n층 상의 실외 그리드 모두의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보는, (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하고 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는(n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; n층 상의 실외 그리드의 높이는 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 - ;

(n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

(n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

[0125] 구체적으로, (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 알려져 있을 수 있다, 예를 들어, (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 측정에 의해 취득되었거나, 다른 층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보를 계산하는 과정에서 취득되었다.(n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보는 또한 알려있지 않을 수도 있으며, 이 경우에, (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보가 취득될 때까지 이하의 단계들이 반복 수행될 수 있으며, 여기서 i의 초기값은 1로 설정된다:

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, i층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 및(i+1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - 여기서 i층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보와(i+1)층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보 모두는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보와 일치하고; i층 상의 실외 그리드의 높이는 i층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; (i+1)층 상의 실외 그리드의 높이는(i+1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 -;

i층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계;

i층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, (i+1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 i층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, (i+1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

i를 i+1로 설정하는 단계.

구체적인 예로서, 3층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하기 위해, 2층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보가 먼저, 1층 및 2층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보와 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으며; 그 후, 3층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보가 2층 및 3층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보와 2층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정된다.

바람직하게는, 임의의 층(예를 들어, x층) 상의 실외 그리드의, 에뮬레이션 계산을 통해 결정되는, 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, x층 상의 실외 그리드에 대응하는 에물레이션 지점에 대해 평활 처리를 수행하기 위해, x층 상의 실외 그리드에 대응하는 에뮬레이션 지점에 가장 가까운 y개(예를 들어, p는 5이다) 에뮬레이션 지점이 x층의 수평면에서 선택될 수 있으며, y개 에뮬레이션 지점 중 하나와 평활 처리가 수행될 에뮬레이션 지점 사이의 최고 거리는 d이다. d의 범위는 분할에 의해 취득되는 실외 그리드의 크기에 따라 결정될 수 있다. 일반적으로, d는 15∼35미터일 수 있고, 더욱 바람직하게는, d는 25미터일 수 있다. y개 에뮬레이션 지점에 대응하는 동일한 셀의 신호 강도에 대해 평균화를 수행하고, 평균 값은, 평활 처리가 수행될 에뮬레이션 지점에 대응하는 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도로서 사용된다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 각 실시예에서, 실외 및 실내 각각의 셀 신호 강도 정보를 결정하기 위해, 에뮬레이션을 통해 취득된 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 참조할 수 있다. 즉, 셀 신호 강도 정보가 더욱 정확하고 완전하도록 하기 위해, 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에관한 정보를 참조한다. 구체적인 참조 방법에 대한 설명은 앞에서 하였으므로, 간결하도록, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드가, n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 n층 상의 대응하는 실외 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로, 또한 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 구현할 수 있다.

실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법(200)은 실외 공간의 셀 신호 강도 정보에 기초한다. 실외 조건은 실외 장면을 재현하기 위해 전적으로 고려려되므로, 상이한 실외 층들 상의 신호의 상대적인 변화는 실제 상황을 충족시키고; 건물의 각 층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보의 정밀도는 개선되며; 또한 고정밀도의 3D 실내 위치결정 매칭 정보가 취득될 수 있다. 이 방법은 더 높은 층에 적용 가능하다. 더 높은 층에서, 단말기에 의해 수신될 수 있는 셀 및 그 셀의 신호 강도는 더 낮은 층들의 그것과는 크게 다를 수 있다.

1층을 제외한 하층(lower floor), 예를 들어 2층 내지 5층의 경우, 하층의 셀 신호 강도 정보의 변화는 특정 규칙에 부합된다. 이들 층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보는 더 간단한 방법을 사용하여 결정될 수 있으며, 이에 대해서는 방법(300)에서 상세하게 설명한다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법(300)의 개략 흐름도이다. 상기 방법(300)은 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 장치에 의해 실행될 수 있거나, 또는 실내 위치결정 장치의 대응하는 모듈에 의해 실행될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이. 상기 방법(300)은 이하의 단계들을 포함한다:

S310. p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정한다.

S320: p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득한다.

S330: p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하AU, 여기서 p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, p층의 높이는 지표 레벨보다 높다.

일반적으로, 1층을 제외한 건물의 하부 p층, 예를 들어 2층 실내 내지 5층 실내에 대해, 건물의 차단으로 인해, p층 상의 실내그리드의 셀 신호 강도 정보의 특징은 m층 실내 상의 그것과 유사하며, 특히, 건물의 1층과 유사하다. 따라서, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 건물의 m층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드가 결정되고; p층 상의 실내그리드의 셀 신호 강도 정보는, m층 상의 대응하는 실외 그리드 또는 실내 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라, 결정될 수 있으므로, 고정밀도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있어, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 또한 구현할 수 있다.

이해해야 할 것은, 1층 상의 실내 그리드 또는 1층 상의 실외 그리드 및 1층을 제외한 m층 상의 실내 그리드 또는 실외 그리드의 대응하는 실내 또는 실외 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보일 수 있거나; 계산을 통해 취득되는 에뮬레이션된 데이터 내의 셀 신호 강도 정보일 수 있거나; 본 발명의 다른 실시예에서의 방법을 사용하여 결정되는 셀 신호 강도 정보일 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니라는 것이다.

이하에 방법(300)을, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보가 1층 상의 실내 그리드 또는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정되는 예를 사용하여 상세하게 설명한다. p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보가 m층 상의 실내 그리드 또는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정되는 프로세스는, 이와 유사하므로, 세부사항에 대해서는 여기서 다시 설명하지 않는다.

선택적으로, 실시예로서, p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 여기서 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - 를 포함하고;

p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, m층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하며, 여기서 m은 1이다.

구체적으로, 단말기의 수평 위치가 고정되어 있고, 즉 제1 방향 및 제2 방향에서 단말기의 위치가 고정되어 있고, 기지국의 안테나 높이가 비교적 높으면, 단말기의 위치가 높을수록 단말기에 의해 수신되는 신호 강도는 더 강하게 나타난다. 따라서, 기지국의 안테나 높이가 건물의 높이보다 훨씬 높은 경우에, 건물의 p층 상의 실내 에지 그리드에 의해 수신되는 셀의 신호 강도는 거의 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드에 의해 수신되는 셀의 신호 강도에 대한 강화(enhancement)로 간주될 수 있고, 여기서, 강화된 값은 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 관련이 있다. p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치한다. 여기서, 수평 위치 정보의 일관성은, 제1 방향 및 제2 방향에서의 p층 상의 실내 에지 그리드의 위치가 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의, 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치와 동일하거나 가까운 것을 의미한다.

예를 들어, 도 10에 도시된 바와 같이, 단말기가 위치하는 곳의 위치가 한층 상승될 때, 신호 강도는 qdB만큼 증가할 수 있다, 즉, 층 투과 손실(Floor Penetrate Loss, Floor-PLoss)을 고려하면, p층 상의 실내 에지 그리드의 신호 강도는 1층 상의 실내 에지 그리드의 그것보다(p-1)qdB 더 강하다. m 값의 선택은 주파수 대역과 같은 인자에 관련이 있다. q의 범위는 3∼10일 수 있으며, 더욱 바람직하게는, q의 값은 3일 수 있다. 따라서, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 1층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 취득될 수 있다. p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀을, p층 상의 실내 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀과 비교한 후, 동일한 셀을 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀로서 사용하고, 1층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보에만 존재하는 셀 또는 p층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에만 존재하는 셀에 대해서는, 안테나의 엔지니어링 파라미터를 참조하여, p층 상의 실내 에지 그리드에 그 셀의 신호가 존재해야 하는지를 결정할 필요가 있으며, p층 상의 실내 에지 그리드에 그 셀의 신호가 존재해야 하면, 그 셀도 또한 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀로서 사용된다.

p층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 및 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 모두에 존재하는 셀에 대해서는, p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도는 층 투과 손실이 고려되는 전술한 방법을 사용하여 계산될 수 있다. p층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에는 존재하지만 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에는 존재하지 않는 셀에 대해서는, p층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 대응하는 신호 강도가 p층 상의 실내 에지 그리드의 신호 강도로서 선택될 수 있다.

선택적으로, 다른 실시예로서, p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,

p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 여기서 제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드는 모두 m층 상의 실외 그리드이고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 p층 상의 실내 비에지 그리드와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; p층 상의 실내 비에지 그리드와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;

p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하며, 여기서 m은 1이다.

제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

P층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법은, 방법(200)에서, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 건물의 n층의 비에지 그리드의 위치결정 매칭 정보를 결정하는 방법과 유사하다. 간결함을 위해, 세부 사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드가 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 m층 상의 대응하는 실외 그리드 또는 실내 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로, 고정밀도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있어, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 더 구현할 수 있다.

이해해야 알 것은, p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계를 참조하여 다른 층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수도 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

이상에서는 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법, 및 m층 상의 실외 그리드 또는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 p층(n이 1인 경우, n층은 p층과 같을 수 있음) 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법을 개별적으로 상세하게 설명하였다. 전자의 방법을 사용하여 결정되는 셀 신호 강도 정보가 더 정확하며, 전자의 방법은 건물의 더 높은 층에 적용할 수 있고; 후자의 방법을 사용하여 셀 신호 강도 정보를 결정하는 프로세스는 비교적 간단하고, 전자의 방법은 건물의 하부 층에 적용 가능하다. 따라서, 이 두 방법을 결합할 수 있다, 예를 들어, 건물 내의 그리드의 셀 신호 강도 정보가 결정되는 경우, 먼저 층이 결정될 수 있고; 층 n이 N 이하인 경우, 후자의 방법이 이 층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 데 사용될 수 있으며; 건물의 층수 n이 N보다 큰 경우, 전자의 방법이 이 층 상의 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 데 사용된다. 건물 전체의 모든 층의 위치결정 매칭 정보는 두 가지 방법을 사용하여 개별적으로 결정되는 층의 위치결정 매칭 정보를 결합함으로써 취득될 수 있다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드 또는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드는 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 1층 상의 대응하는 실외 그리드 또는 실내 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로,고정밀도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있고, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 더 구현할 수 있다.

선택적으로, 또 다른 실시예로서, 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는,

k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;

k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하는 단계;

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라,k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계에 따라 결정된다.

구체적으로, k층 상의 실내 비에지 그리드와 같은 임의의 층 상의 실내 비에지 그리드에 대해, 그 셀 신호 강도 정보는 그 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보가 결정될 수 있다. 제3 임계 값은 20미터, 30미터 또는 50미터일 수 있다. 바람직하게는, k층 상의 실내 비에지 그리드에 가장 가까운, k층 상에 있는 실내 에지 그리드가 선택될 수 있다.

도 11에 도시된 바와 같이, k층 상의 실내 비에지 그리드에 가장 가까운, k층 상에 있는 실내 에지 그리드가 선택되고; k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드에 가장 가까운, k층 상에 있는 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보가, 기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따라, 광선 추적과 같은 에물레이션 계산 방법을 사용하여 결정될 수 있다.

k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도와, k층 상의 실내 비에지 그리드에 가장 가까운, k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도 사이의 차는 제5 차분으로 설정된다. k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도와, k층 상의 실내 비에지 그리드에 가장 가까운, k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도 사이의 차는 제6 차분으로 설정된다. 제5 차분이 제6 차분과 동일하다고 가정하면, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도가 결정될 수 있다. 확실히, 제5 차분이 제6 차분과 같지 않다는 것도 가정할 수 있지만, 경험 값에 따라 다르므로, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀의 신호 강도가 결정된다.

마찬가지로, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 내의 셀을 보완하기 위해, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 관한 정보를 참조할 수 있거나, k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보 내의 셀에 관한 정보를 참조할 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, k층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는 실내 테스트 데이터에 의거한 것일 수 있거나, 에뮬레이션 알고리즘에 따라 또는 본 발명의 다른 실시예에 따라 계산을 통해 취득될 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 방법에 따르면, k층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드는 k층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 취득될 수 있어, 고정밀도의 3D 실내 위치결정을 더 구현한다.

이상에서는 건물의 각 층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하는 방법을 상세하게 설명하였다. 그리드의 수평 위치 정보, 높이 정보, 및 셀 신호 강도 정보는 3D 실내 위치결정 매칭 정보를 형성하고, 다수의 위치결정 매칭 정보를 합쳐 매칭 특징 데이터베이스라고 할 수 있다. 이하에, 건물의 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 단계들을, 좀 더 체계적 관점(systematic perspective)에서 설명한다.

모든 건물의 벡터 윤곽 정보, 높이 정보 등이 3D GIS에 기초하여 추출된다. 3D 모델링이 3D GIS로부터 추출된 건물에 관한 정보를 사용하여 건물에 대해 수행된다. 층 분류는 건물의 3D 모델을 위해 수행된다. 그리드 분할은 3D GIS 해상도 또는 복수의 해상도에 따라 각 건물의 실내 각 층에 대해 수행된다. 실내 에뮬레이션은 에뮬레이션 도구를 사용하여 건물의 층에 대해 수행되고, 각 층에 대응하는 그리드의 셀 신호 강도 정보는 에뮬레이션에 의해 취득될 수 있다. 이와 같이, 건물의 층 상의 그리드의 에뮬레이션된 매칭 특징 데이터 베이스가 취득되고, 각 그리드의 에뮬레이션된 매칭 특징 정보는 그리드의 수평 위치 정보, 높이 정보, 및 에뮬레이션에 의해 취득되는 셀 신호 강도 정보와 같은 정보를 포함한다.

실시예로서, 건물의 하층에 대해, 도 12에 건물의 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 방법(400)이 도시되어 있다. 건물의 하층에 대해, 실내 신호 강도 값의 변화는 특정한 규칙에 부합하고, 본 방법을 사용함으로써 상대적으로 용이하고 편리하다. 상기 방법(400)은, 그 방법(400)의 주요 특징에 따라 "층 투과 손실 결정 방법"이라고도 할 수 있다. 상기 방법(400)은 다음 단계들을 포함한다:

S410. 1층 상의 실외 그리드가 선택되어야 하는 경우, 1층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 50∼60미터(이 거리 범위 내의 다른 건물에 의한 차단은 기본적으로 존재하지 않으며; DT 데이터 또는 단말기 테스트 데이터의 감쇄 규칙은 실내 그리드의 데이터의 그것과 비교적 유사하고, 유사한 신호 특징 및 충분한 지점을 가지며, 수학적으로 통계 특성에 부합한다)가 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 데 사용된다.

S420. 1층 상의 실외 그리드의 데이터에 대한 처리를 수행한다. 1층 상의 하나의 실외 그리드의 측정 값이 큰 랜덤 에러가 있을 수 있음을 감안하여, 평활 처리가 1층 상의 임의의 그리드를 둘러싸는, 제1 임계값(제1 임계값은 상이한 값일 수 있으며, 일반적으로 10미터가 바람직하다. 10미터 범위 내의 DT 지점 또는 단말기 테스트 데이터는 비교적 높은 특징 관련성을 가진다)의 범위 내에서 1층 상의 실외 그리드의 데이터에 대해 수행되므로, 비교적 안정하고 정확한 측정값을 얻을 수 있다.

S430. 1층 상의 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 매칭 특징 정보의 경우, 그 수평 위치 정보만 사용하고, 1층 상의 결정될 실내 에지 그리드에 가장 가까운, 1층 상에 있는 실외 그리드가 1층 상의 실외 그리드들로부터 결정된다. 그 둘의 동일한 셀의 신호 강도는 벽 투과 손실 교정이 수행된, 1층 상의 실외 그리드에 대응하는 신호 강도로 교체된다. 에뮬레이션된 매칭 특징 데이터베이스 또는 1층 상의 실외 그리드의 데이터에만 셀이 존재하는 경우, 앞서 취득된 동일한 셀의 세트의 실제 지리적 위치에 대한 셀의 근사도를 결정하기 위해, 안테나 엔지니어링 파라미터 데이터베이스를 질의한다.동일한 셀의 세트에 가까운 셀이 존재하면, 유사한 전파 환경에서, 그 셀은 실내 그리드에 의해 수신되어야 하고, 따라서, 그 셀은 실내 그리드의 매칭 특징 정보에 추가되고; 그렇지 않으면 그 셀은 폐기된다.

S440. 1층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보에 따라, 1층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보, 1층 상의 실외 그리드의 데이터, 및 1층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 매칭 특징 정보를 결정한다. 구체적인 방법은 도 5에 도시된 원리 및 대응하는 설명과일치하므로, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

S450. 전술한 단계들에 따라 1층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보 및 1층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보를 취득한 후, 1층 상의 모든 실내 그리드에 대응하는 매칭 특징 데이터베이스를 취득할 수 있다.

S460. n층 상에 있고 동일한 수평 위치에 위치하는 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보는 1층 상의 실내 에지 그리드의 셀의 신호 강도에 대해 층 투과 손실을 수행함으로써 결정된(층 투과 손실은 상이한 값일 수 있으며, 일반적으로, 3(n-1)dB가 바람직하다.

S470. n층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보와 1층 상의 실외 그리드의 데이터에 따라 n층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보를 결정한다. 구체적인 방법은 대응하는 설명과 일치하므로, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

S480. 전술한 단계들에 따라 n층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보 및 n층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보를 취득한 후, n층 상의 모든 실내 그리드에 대응하는 매칭 특징 정보를 취득할 수 있다.

S490. 모든 층 상의 실내 그리드의 매칭 특징 정보는 전술한 단계들에 따라 취득될 수 있다, 즉 실내 매칭 특징 데이터베이스를 취득할 수 있다.

다른 실시예로서, 건물의 상층(higher floor)에 대해, 건물의 실내 매칭 특징 데이터베이스를 결정하는 방법(500)이 도 13에 도시되어 있다. 건물의 상층의 경우, 실내 신호 강도 값의 변화 추세는 층 사이의 손실로 인해 더 이상 안정하지 않으며, 이 방법을 사용함으로 더욱 정확하다. 상기 방법(500)은, 방법(500)의 주요 특징에 따라 "가상 실외 테스트 지점 결정 방법"이라고도 할 수 있다. 상기 방법(500)은 다음 단계를 포함한다:

1층 상의 실외 그리드를 선택하고 1층 상의 실내 그리드의 매칭 특징 정보를 결정하기 위한 S501∼S505의 프로세스는 상기 방법(400)에서의 S410 to S450의 프로세스와 유사하므로, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

S506. 각 실내 층의 높이를 참조하여, 건물에 가까운, 건물의 외부에 있는 공간에 대해, 광선 추적 3D 에뮬레이션에 의해 에뮬레이션을 수행하여, 에뮬레이션된 매칭 특징 데이터베이스를 생성하며, 여기서 ncmd 상의 실내그리드로부터의 각 층 상의 실외 그리드의 수평 거리는 50∼60미터이다.

S507. 1층 상의 실외 그리드의 테스트 데이터 및 각 실외 층의 에뮬레이션된 매칭 측징 정보에 따라, 각 층 상의 실외 그리드의 매칭 특징 정보를 결정한다. 구체적이 방법은 전술한 도 7 또는 도 8에 도시된 원리 및 대응하는 설명과 일치하므로, 세부 사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

S508. n층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보를 결정할 수 있도록, 벽 투과 손실에 따라 n층 상의 실외 그리드의 매칭 특징 정보에 대한 교정을 수행한다. 구체적인 방법은 1층 상의 실외 그리드의 매칭 특징 정보에 따라 1층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보를 결정하는 S430의 원리 및 대응하는 설명과 일치하므로, 세부 사항정보는 여기서 다시 설명하지 않는다.

S509. n층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보, n층 상의 외부 그리드의 데이터, n층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 매칭 특징 벙보에 따라, n층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보를 결정한다. 구체적인 방법은 440에서의 원리 및 대응하는 설명과 일치하므로, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

S510. 전술한 단계들에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드의 매칭 특징 정보 및 n층 상의 실내 비에지 그리드의 매칭 특징 정보를 취득한 후, n층 상의 모든 실내 그리드에 대응하는 매칭 특징 데이터베이스르 취득할 수 있다.

S511. 모든 층 상의 실내 그리드의 매칭 특징 정보는 전술한 단계들에 따라 취득될 수 있다, 즉, 실내 매칭 특징 데이터메이스가 취득될 수 있다.

또 다른 실시예로서, 매칭 특징 데이터베이스의 정밀도를 더 향상시키기 위해, 도 14는 건물의 하층 및 상층에 대해 건물의 실내 매칭 특징 정보를 결정하는 데 상이한 방법이 별개로 사용되는 방법(600)을 나타낸다. 상기 방법(600)은 또한 그 방법(600)의 주요 특징에 따라 "혼합 결정 방법"이라고도 할 수 있다. 상기 방법(600)은 다음 단P들을 포함한다:,

S610. 하층과 상층을 분류한다. 분류 규칙을 설정함으로써 층들을 하층과 상층으로 분류한다, 예를 들어 n≤N이면, n층은 하층이고, n>N이면, n층은 상층이다(N은 다른 값일 수도 있으며, 일반적으로 4 또는 5이다).

S620. 하층에 대해, "층 투과 손실 결정 방법"을 사용하여 그 층의 매칭 특징 데이터베이스를 획득한다.

S630. 상층에 대해, "가상 실외 테스트 지점을 결정하는 방법"을 사용하여 그 층의 매칭 특징 데이베이스를 취득한다.

S640. 하층과 상층의, 전술한 두 가지 방법을 사용하여 개별적으로 교정되는, 매칭 특징 데이터베이스를 결합하여, 건물의 전체 실내 매칭특징 데이터 베이스를 형성한다.

전체 매칭 기능 데이터베이스의 구축 및 3D 특징 매칭 위치결정의 프로세스에 대한 포괄적이 설명을 구체적인 예를 사용하여 이하에서 한다. 도 15에 도시된 바와 같이, 건물에 관한 정보가 3D GIS로부터 추출되고; 3D 모델링이 그 건물에 대해 수행되며; 층 분류가 건물에 관한 정보에 따라 건물에 대해 수행되고 그리드 분할이 각 층에 대해 수행되며; 그 후, 3D 에뮬레이션이 안테나의 엔지니어링 파라미터를 참조하여 건물에 대해 수행된다. 여기에, 3D 에뮬레이션된 매칭 특징 데이터베이스가 구축될 수 있으며, 최종 3D 특징 매칭 위치결정을 위한 3D 매칭 특징 데이터베이스의 데이터로서 직접 사용될 수 있다.

실외 테스트 데이터를 취득하고; 실외 테스트 데이터에 대해 조합 처리가 수행되고; 그 후, 선별 및 대응 처리가 건물 주변의 테스트 데이터에 대해 수행된다. 테스트 데이터는 3D 에뮬레이션된 특징 데이터베이스 내의 정보에 대한 교정을 수행하는 데 사용되고, 실내 테스트 데이터는 또한 3D 매칭 특징 위치결정을 위한 3D 특징 데이터베이스를 형성하기 위해 3D 에뮬레이션된 특징 데이터베이스 내의 정보에 대한 교정을 수행하는 데 더 사용될 수 있다.

3D 위치결정이 수행되는 경우, 측정 보고는 위치결정될 단말기로부터 직접, 또는 측정 보고 내의 정보를 3D 매칭 특징 데이터와 매칭시킴으로써 획득될 수 있고, 단말기 수평 위치 및 높이가 결정된다; 또는 단말기의 측정 보고에 따른 것일 수도 있고, 2D 위치결정이 먼저 안테나의 엔지니어링 파라미터를 참조하여 단말기에 대해 수행되고, 위치결정의 결과에 따라, 실내 및 실외 사용자가 3D GIS 정보를 참조하여 구별되고, 단말기가 실내에 위치하는 것으로 결정된 후, 정확한 위치결정이 실내 3D 매칭 특징 데이터베이스에 따라 단말기에 대해 수행된다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 여러 실시예에서 프로세스의 시퀀스 번호가 실행 순서를 의미하는 것은 아니라는 것이다. 프로세스의 실행 순서는 프로세스의 기능 및 내부 로직에 따라 결정되어야 하고, 본 발명의 실시예의 구현 프로세스에 대한 어떠한 제한으로도 해석되어서는 안 된다.

도 1 내지 도 15를 참조하여, 이상에서는 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 방법을 상세하게 설명하였다. 도 16 내지 도 18을 참조하여, 이하에 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치 결정 장치(700)를 다음에 상세하게 설명한다.

도 16은 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 장치(700)의 개략 블록도이다. 도 16에 도시된 바와 같이, 실내 위치결정 장치(700)는 다음의 구성요소들을 포함한다:

실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 획득 모듈(710);

3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 획득 모듈(710)에 의해 획득된 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하도록 구성된 제1 결정 모듈(720) - 여기서 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및

제1 결정 모듈(720)에 의해 결정된, 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하도록 구성된 제2 결정 모듈(730)- 여기서 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 제1 방향과 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 - 을 포함한다.

따라서, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 장치에 따르면, 실내에 위치한 위치결정될 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭되어 실내 그리드의 대응하는 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하여, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현된다.

선택적으로, 실시예로서, 도 17에 도시된 바와 같이, 실내 위치결정 장치(700)는, 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제3 결정 모듈(740)을 더 포함하고, 제3 결정 모듈(740)은,

n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성된 제1 결정 유닛(741) - n은 1 이상의 정수임 -;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛(742); 및

제1 획득 유닛(742)에 의해 획득되는, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제2 결정 유닛(743)을 포함한다.

선택적으로, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

제1 결정 유닛(741)은 구체적으로,

n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 여기서 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되며;

제2 결정 유닛(743)은 구체적으로,

n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

선택적으로, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,

제1 결정 유닛(741)은 구체적으로,

n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드는 모두 n층 상의 실외 그리드이고, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고, 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, n층 상의 실내 비에지 그리드와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득되며;

제2 결정 유닛(743)은 구체적으로,

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

선택적으로, n이 1보다 큰 경우, 제1 획득 유닛(742)은 구체적으로,

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - 1층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - ;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

선택적으로 n이 1보다 큰 경우, 제1 획득 유닛(&42)은 구체적으로,

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - (n-1)층 상의 실외 그리드와 n층 상의 실외 그리드 모두의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보는, (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하고 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는(n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; n층 상의 실외 그리드의 높이는 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 -;

(n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하고;

(n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

선택적으로, n이 1인 경우, 제1 취득 유닛(742)은 구체적으로,

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하고 - 테스트 데이터는 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;

셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하고 - 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -;

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하도록 구성된다.

선택적으로, 제1 획득 유닛(742)이 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라, 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제한 이후에, 제1 획득 유닛(742)은

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작고 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리를 수행하도록 더 구성되고;

제1 획득 유닛(742)이, 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것은,

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것을 포함한다.

따라서, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 모듈에 따르면,

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드가 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 n층 상의 대응하는 실오 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로, 고정말도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있고 실내 위치결정장치는 고 정밀도의 3D 실내 위치결정을 더 구현한다.

선택적으로, 다른 실시예로서, 도 18에 도시된 바와 같이, 실내 위치결정 장치(700)는, 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제4 결정 모듈(750)을 더 포함하고; 제4 결정 모듈(750)은,

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하도록 구성된 제3 결정 유닛(751);

제3 결정 유닛(751)에 의해 결정되는, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 제3 결정 유닛(751)에 의해 결정되는, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 제2 획득 유닛(752); 및

제2 획득 유닛(752)에 의해 획득되는, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제4 결정 유닛(753) - p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, p층의 높이는 지표 레벨보다 높음 - 을 포함한다.

선택적으로, p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,

제3 결정 유닛(751)은 구체적으로,

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드를 결정하도록 구성되고, p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치하며 ;

제4 결정 유닛(753)은 구체적으로,

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

선택적으로, p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우

제3 결정 유닛(751)은 구체적으로,

p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하도록 구성되고, 제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드는 모두 1층 상의 실외 그리드이고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 p층 상의 실내 비에지 그리드와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; p층 상의 실내 비에지 그리드와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득되며;

제4 결정 유닛(753)은 구체적으로,

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다.

제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하는 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

바람직하게는, m은 1이다, 즉, 제4 결정 모듈(750)은 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정한다.

선택적으로, 또 다른 실시예에서, 실내 위치결정 장치(700)는, 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제5 결정 모듈을 더 포함할 수 있으며; 제5 결정 모듈은,

k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하도록 구성된 제5 결정 유닛 - 여기서 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;

제5 결정 유닛에 의해 결정된, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 제3 획득 유닛;

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제6 결정 유닛; 및

제6 결정 유닛에 의해 결정되는, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 제6 결정 유닛에 의해 결정되는, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된 제7 결정 유닛을 포함한다.

따라서, 본 발명의 실시예에서 제공되는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 모듈에 따르면, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드 또는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드는 n층 상의 실내그리드의 수평 위치 정보에 따라 결정되고; n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는 1층 상의 대응하는 실외 그리드 또는 실내 그리드의 획득된 셀 신호 강도 정보에 따라 결정될 수 있으므로, 고정밀도의 실내 셀 신호 강도 정보를 취득할 수 있고 실내 위치결정 장치는 정밀도의 3D 실내 위치결정을 더 구현한다.

본 발명의 본 실시예에서 이해해야 할 것은, 본 발명의 본 실시예에 따른 실내 위치결정 장치(700)는 본 발명의 실시예에 따른 방법의 실행자(executor)에 대응할 수 있으며, 실내 위치결정 장치(700) 내의 모듈의 전술한 및 다른 동작 및/또는 기능은 도 1 내지 도 15의 방법에 대한 대응하는 절차를 구현하는 데 사용된다. 간략함을 위해, 상세사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공된 실내 위치결정 장치에 따르면, 위치결정될 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭되어 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하여, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있도록 한다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현될 수 있다.

도 19에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예는 실내 위치결정 장치(800)를 더 제공하며, 실내 위치결정 장치(800)는 프로세서(810), 메모리(820), 송수신기(830), 및 버스 장치(840)를 포함하며; 프로세서(810), 메모리(820), 및 송수신기(830)는 버스 장치(840)를 사용하여 연결되고; 메모리(820)는 명령어를 저장하도록 구성되고; 프로세서(810)는 메모리(820)에 저장된 명령어를 실행하도록 구성되고; 송수신기(830)는, 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된다.

프로세서(810)는,

3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하고 - 여기서 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및

현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하도록 - 여기서 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 제1 방향과 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 - 구성된다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 장치에 따르면, 위치결정될 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭되어, 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하여, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있도록 한다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현될 수 있다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 본 실시예에서, 프로세서(810)는 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU)일 수 있거나, 또는 프로세서(810)는 다른 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(digital signal processor, DSP), 주문형 반도체(application-specific integrated circuit, ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(field programmable gate array, FPGA), 다른 프로그램 가능한 로직 디바이스, 이산 게이트(discrete gate) 또는 트랜지스터 논리 장치, 이산 하드웨어 구성요소, 등일 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있거나, 또는 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 등일 수도 있다.

메모리(820)는 읽기 전용 메모리(ROM, Read-Only Memory), 임의 접근 메모리(RAM, Random Access Memory)를 포함할 수 있으며, 프로세서(1010)에 명령어 및 데이터를 제공한다. 메모리(820)는 또한 비휘발성 임의 접근 메모리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리(820)는 장치의 유형에 관한 정보를 더 저장할 수있다.

데이터 버스에 더해, 시스템 버스(840)는 전력 버스, 제어 버스, 상태 신호 버스 등을 더 포함할 수 있다. 그러나 설명의 명확성을 위해, 다양한 버스들은 도에서 버스 시스템(840)으로 표시된다.

구현 과정에서, 전술한 방법의 단계들은 프로세서(810) 내의 하드웨어의 통합된 논리 회로 또는 소프트웨어의 형태의 명령어에 의해 완료될 수 있다. 본 발명의 실시예를 참조하여 개시된 방법의 단계들은 하드웨어 프로세서에 의해 직접 실행되어 달성될 수 있거나, 또는 프로세서 내의 하드웨어와 소프트웨어 모듈의 조합을 사용하여 실행되어 달성될 수 있다. 소프트웨어 모듈은, 임의 접근 메모리, 플래시 메모리, 읽기 전용 메모리, 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리, 전기적 소거 및 프로그램 가능한 메모리 또는 레지스터와 같은, 해당 분야에서 성숙한 저장 매체에 위치할 수 있다. 저장 매체는 메모리(820)에 위치한다. 프로세서(810)는 메모리(820)로부터 정보를 읽고, 하드웨어와 조합하여 상기 방법의 단계를 완료한다. 반복을 피하기 위해, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

선택적으로, 실시예로서, 프로세서(810)는, 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도로 더 구성되며, 구체적으로는,

n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계 - n은 1 이상의 정수임 -;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 획득하는 단계; 및

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계

를 실행하도록 더 구성된다.

선택적으로, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우, 프로세서(810)는, n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하며, 이는,

n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 것을 더 포함할 수 있고, 여기서 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되며;

프로세서(810)는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하며, 이는,

n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 더 포함할 수 있다.

선택적으로, n층 상의 실내 그리드가 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우, 프로세서(810)는,

n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하며, 이는

n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 것 - 제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드는 모두 상기 n층 상의 실외 그리드이고, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고, 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고, 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, n층 상의 실내 비에지 그리드와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 을 포함할 수 있고;

프로세서(810)는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하며, 이는,

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 더 포함한다.

선택적으로, 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

선택적으로, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

선택적으로, n이 1보다 큰 경우, 프로세서(810)는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하며, 이는

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - 1층 상의 실외 그리드의 수평 위치 정보는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - ;

n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로, n이 1보다 큰 경우, 프로세서(810)은 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하며, 이는,

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하고 - 여기서 (n-1)층 상의 실외 그리드와 n층 상의 실외 그리드 모두의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보는, (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하고 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는(n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; n층 상의 실외 그리드의 높이는 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 -;

(n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하고;

(n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로, n이 1인 경우, 프로세서(810)는 n층 상의 실내 그리드에 대응하고 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하며, 이는,

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하고 - 여기서 테스트 데이터는 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;

셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하고 - 여기서 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -;

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로, 프로세서(810)는, 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라, 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제한 이후에, 프로세서(810)는,

1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작고 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리를 수행하도록 더 구성될 수 있으며;

프로세서(810)는, 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하며, 이는

에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 1층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로, 다른 실시예에서, 프로세서(810)는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 더 구성되며, 구체적으로는

p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계;

p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계; 및

p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - 여기서 p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, p층의 높이는 지표 레벨보다 높음 - 를 수행하도록 구성된다.

선택적으로, p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우, 프로세서(810)는, p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실오 그리드를 결정하며, 이는

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 것을 할 수 있고 - p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 -;

프로세서(810)는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하며, 이는

p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로,p층 상의 실내 그리드가 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우, 프로세서(810)는, p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라,

p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드를 결정하며, 이는

p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;

제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하고 - 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 1층 상의 실외 그리드이고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 p층 상의 실내 비에지 그리드와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 제1 실외 그리드와 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; p층 상의 실내 비에지 그리드와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 -;

프로세서(810)는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보 또는 p층 상의 실내 그리드에 대응하고 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하며, 이는

제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다.

선택적으로, 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고; p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함한다.

선택적으로, 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 기지국의 안테나와, p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하고 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득된다.

선택적으로, 또 다른 실시예로서, 프로세서(810)는 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 구성된다. 구체적으로는,

k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 거리는 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;

k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계;

기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및

k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함한다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 본 실시예에서, 본 발명의 본 실시예에 따른 실내 위치결정 장치(800)는 본 발명의 실시예에 따른 방법의 실행자에 대응할 수 있으며, 또한 실내 위치결정 장치(700)에 대응할 수도 있고; 실내 위치결정 장치(800) 내의 모듈의 전술한 및 다른 동작 및/또는 기능은 도 1 내지 도 15의 방법에 대한 대응하는 절차를 구현하는 데 사용된다는 것이다. 간략함을 위해, 상세사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

따라서, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 실내 위치결정 장치에 따르면, 위치결정될 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보는 3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보 내의 셀 신호 강도 정보와 매칭되어, 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하여, 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정할 수 있도록 한다. 이와 같이, 고정밀도의 3D 실내 위치결정이 구현될 수 있다.

본 발명의 본 실시예에서 제공된 실내 위치결정 장치는, 기지국에, 기능 모듈의 형태로 배치될 수도 있거나, 독립형(standalone)의 위치결정 서버일 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

도 20은 본 발명의 실시예에 따른 실내 위치결정 기능을 갖는 기지국의 개략 구성도이다. 도 20에 도시된 바와 같이, 도 20은 기지국의 구체적인 실시예를 나타낸다. 이 실시예에서, 기지국(900)은 송신 회로(910), 수신 회로(920), 프로세서(930), 메모리(940), 인코딩 프로세서(950), 디코딩 프로세서(960), 안테나(970), 및 버스 시스템(980)을 포함한다. 프로세서(930)는 기지국(900)의 동작을 제어하고, 위치결정을 위한 하나 이상의 모듈을 포함할 수 있다. 메모리(940)는 읽기 전용 메모리, 임의 접근 메모리를 포함할 수 있고, 프로세서(930)에 명령어 및 데이터를 제공할 수 있다. 메모리(940)는 비휘발성의 임의 접근 메모리(nonvolatile random access memory, NVRAM)를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 본 실시예에서, 메모리(940)는 실내 위치결정 매칭 정보를 저장하도록 구성될 수 있다.

구체적인 애플리케이션에서, 기지국(900)은 기지국(900)과 원격 위치 사이에 데이터 전송을 할 수 있도록 송신 회로(910) 및 수신 회로(920)를 수용하는 캐리어를 포함할 수 있다. 송신 회로(910) 및 수신 회로(920)는 안테나(970)에 연결될 수 있다. 기지국(900)의 모든 구성 요소는 버스 시스템(980)을 사용하여 서로 연결된다. 데이터 버스에 더해, 버스 시스템(980)은 전력 버스, 제어 버스, 및 상태 신호 버스를 더 포함할 수 있다. 하지만, 설명의 명확성을 위해, 다양한 버스들은 도면에서 버스 시스템(980)으로 표시된다. 기지국(900)은 송신되거나 수신되는 신호에 대해 인코딩 또는 디코딩을 수행하도록 구성된 인코딩 프로세서(950) 및 디코딩 프로세서(960)를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 개시된 전술한 방법들은 프로세서(930)에 적용될 수 잇거나, 또는 프로세서(930)에 의해 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 전술 한 실내 위치결정 장치는 구체적으로 도 20에 도시된 전술한 기지국을 사용하여 구현될 수 있다. 프로세서(930)는 집적회로 칩일 수 있고, 명령어 및 데이터의 실행 능력 및 신호 처리 능력을 가진다. 구현 과정에서, 전술한 방법들에서의 단계들은, 프로세서(930) 내의 하드웨어의 집적 논리 회로 또는 소프트웨어 형태의 명령어에 의해 완성될 수 있다. 전술한 프로세서는 범용 프로세서(CPU), 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 반도체(ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 또는 다른 프로그래머블 로직 디바이스, 이산 게이트 또는 반도체 로직 디바이스, 또는 이산 하드웨어 구성요소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서 개시되는 방법, 단계, 및 논리 블록은 구현되거나 실행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있거나, 또는 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 등일 수 있다. 본 발명의 실시예를 참조하여 개시되는 방법의 단계들은 직접 실행 및 하드웨어 프로세서에 의해 수행될 수 있거나, 프로세서 내의 하드웨어와 소프트웨어 모듈의 조합을 사용하여 실행되고 달성될 수 있다. 소프트웨어 모듈은, 임의 접근 메모리, 플래시 메모리, 읽기 전용 메모리, 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리, 전기적 소거 및 프로그램 가능한 메모리 또는 레지스터와 같은, 해당 분야에서 성숙한 저장 매체에 위치할 수 있다. 저장 매체는 메모리(940)에 위치하며, 프로세서는 메모리(940)로부터 정보를 읽고, 하드웨어와 조합하여 전술한 방법의 단계들을 완료한다.

본 발명의 각 실시예의 개략도에 하나 또는 세 개의 기지국이 예시적으로 도시되어 있다는 것을 이해해야 한다. 건물의 경우, 건물을 커버하는 하나 이상의 기지국이 있을 수 있으며; 심지어는, 기지국이 커버할 수 없는 건물이 있을 수도 있으며, 본 발명의 실시에서는 이에 한정되는 것은 아니다.

이해해야 할 것은, 본 발명의 실시예들에서 전술한 프로세스의 시퀀스 번호가 실행 순서를 의미하는 것은 아니라는 것이다. 프로세스의 실행 순서는 프로세스의 기능 및 내부 로직에 따라 결정되어야 하며, 본 발명의 실시예의 구현 프로세스에 대한 어떠한 제한으로도 해석되어서는 안 된다.

또, 본 명세서에서 용어 "및/또는"은 연관된 대상을 설명하기 위한 연관 관계만을 기술하고 세 가지 관계가 존재할 수 있음을 나타낸다. 예를 들어, A 및/또는 B는 세 가지 경우: A만 존재, A와 B 모두 존재, B만 존재하는 경우를 나타낼 수 있다. 또, 본 명세서의 캐릭터 "/"는 일반적으로 연관된 대상들 사이에서 "논리합( or)" 관계를 나타낸다.

당업자라면, 본 명세서에 개시된 실시예에서 설명한 예와 조합하여, 유닛 및 알고리즘 단계는 전자적인 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이들의 조합에 의해 구현될 수 있음을 인식할 수 있을 것이다. 하드웨어와 소프트웨어 사이의 호환성을 명확하게 설명하기 위해, 전술한 것은 일반적 조성물 및 기능에 따른 각 예의 단계들을 설명하고 있다. 기능은 하드웨어 또는 소프트웨어에 의해 수행되는지는 기술적 방안의 구체적인 애플리케이션 및 설계 제약에 따라 달라진다. 당업자는 각각의 특정 애플리케이션에 대해 설명한 기능을 구현하기 위해 다른 방법을 사용할 수도 있지만, 그러한 구현이 본 발명의 범위를 넘어서는 것으로 생각해서는 안 된다.

당업자가 분명히 이해할 수 있는 것은, 설명의 편의와 간결성을 위해, 전술한 시스템, 장치 및 유닛의 상세한 작동 프로세스에 대해서는 전술한 방법 실시예에서의 대응하는 프로세스를 참조할 수 있으므로, 세부사항은 여기서 다시 설명하지 않는다.

본 명세서에 제공된 여러 실시예에서, 개시된 시스템, 장치 및 방법은 다른 방식으로도 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 기술된 장치 실시 예는 단지 예시일 뿐이다. 예를 들어, 유닛의 분할은 단지 논리적 기능 분할이며, 실제 구현에서는 다르게 분할할 수도 있다. 예를 들어, 다수의 유닛 또는 구성요소가 결합되거나 다른 시스템에 통합될 수 있거나, 또는 일부 특징(feature)은 무시되거나 수행되지 않을 수 있다. 또, 표시되거나 논의된 상호 연결 또는 직접 연결 또는 통신 연결은 일정한 인터페이슬 통해 구현될 수 있다. 장치들 또는 유닛들 사이의 간접 연결 또는 통신 연결은 전자적인 형태, 기계적인 형태, 또는 기타 형태로 구현될 수 있다.

별개의 부분(separate part)으로서 설명된 유닛은 물리적으로 분리될 수 있거나 분리될 수 없을 수도 있으며, 유닛으로 표시된 부분은 물리적인 유닛일 수 있거나 물리적인 유닛이 아닐 수 있으며, 한 장소에 위치할 수 있거나, 또는 복수의 네트워크 유닛 상에 분산될 수 있다. 유닛의 일부 또는 전부는 본 발명의 실시예의 방안의 목적을 달성하기 위해 실제 필요에 따라 선택될 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에서의 기능 유닛은 하나의 처리 유닛에 통합될 수 있거나, 또는 각각의 유닛은 물리적으로 단독으로 존재할 수 있거나, 둘 이상의 유닛이 하나의 유닛으로 통합된다. 통합 유닛(integrated unit)은 하드웨어의 형태로 구현될 수 있거나, 소프트웨어 기능 유닛의 형태로 구현될 수 있다.

통합 유닛이 소프트웨어 기능 유닛의 형태로 구현되고 독립된 제품으로 판매 또는 사용되는 경우, 통합 유닛은 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해를 바탕으로, 본질적으로 본 발명의 기술적 방안, 또는 종래기술에 기여하는 부분, 또는 기술적 방안의 일부 또는 전부는 소프트웨어 제품의 형태로 구현될 수 있다. 소프트웨어 제품은 저장 매체에 저장되고 컴퓨터 디바이스(개인용 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 디바이스일 수 있음)에 본 발명의 실시예에 기술된 방법의 단계들 중 일부 또는 전부를 수행하도록 명령하기 위한 여러 명령어를 포함한다. 전술한 기억 매체로는, USB 플래시 드라이브, 탈착 가능한 하드 디스크, 읽기 전용 메모리(Read-Only Memory, ROM), 임의 접근 메모리(Random Access Memory, RAM), 자기 디스크, 또는 광디스크와 같은, 프로그램 코드를 저장할 수 있는 임의의 매체를 포함한다.

이상의 설명은 본 발명의 구체적인 구현 방식일 뿐이며, 본 발명의 보호 범위를 한정하려는 것은 아니다. 본 발명의 개시된 기술적 범위 내에서 당업자가 쉽게 생각해낼 n 있는 임의 수정 또는 대체는 본 발명의 보호 범위에 속한다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위 보호 범위에 따른다.

Claims (34)

1. 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계;
   3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
   상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
   를 포함하고,
   상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는,
   n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계 - n은 1 이상의 정수임 -;
   상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계; 및
   상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계에 따라 결정되는, 실내 위치결정 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,
   상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,
   상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득됨 - 를 포함하고;
   상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,
   상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,
   상기 n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,
   상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한, 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및
   제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 n층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성(environmental relevance)은 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;
   상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,
   상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고;
   n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고;
   상기 기지국의 안테나와, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되는, 실내 위치결정 방법.
6. 제1항에 있어서,
   n이 1보다 큰 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,
   기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및
   상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 1층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 1층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
7. 제1항에 있어서,
   n이 1보다 큰 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,
   기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 -
   상기 (n-1)층 상의 실외 그리드와 상기 n층 상의 실외 그리드 모두의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서의 위치 정보는, 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 (n-1)층에 있는 실외 그리드의 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보와 일치하고; 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 (n-1)층 상의 실내 그리드의 높이와 같고; 상기 n층 상의 실외 그리드의 높이는 상기 n층 상의 실내 그리드의 높이와 같음 - ;
   상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및
   상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 n층 상의 실외 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 (n-1)층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
8. 제1항에 있어서,
   n이 1인 경우, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계는,
   1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 테스트 데이터를 획득하는 단계 - 상기 테스트 데이터는 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 수평 위치 정보 및 셀 신호 강도 정보를 포함함 -;
   상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 - 상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙은 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 상기 1층 상의 복수의 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 취득됨 -; 및
   상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
9. 제8항에 있어서,
   상기 셀 신호 강도가 거리에 따라 감쇄되는 변화 규칙에 따라 상기 테스트 데이터에서 에러 데이터를 삭제하는 단계 이후에,
   상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드로부터의 거리가 제2 임계값보다 작고 상기 1층 상에 있는 복수의 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보에 대해 평활 처리(smooth processing)를 수행하는 단계를 더 포함하고;
   상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계는,
   상기 에러 데이터가 삭제되는 테스트 데이터 내의 평활 처리된 셀 신호 강도 정보가, 상기 1층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보인 것으로 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
10. 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계;
    3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
    상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
    를 포함하고,
    상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보는,
    p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 m층 상에 있는 실내 그리드, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계; 및
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계 - p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, 상기 p층의 높이는 지표 레벨(ground level)보다 높음 -
    에 따라 결정되는, 실내 위치결정 방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,
    상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 1층 상에 있는 실내 그리드, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 1층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,
    상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 - 를 포함하고;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 그리드, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 1층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,
    상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, 상기 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
12. 제10항에 있어서,
    상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,
    상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 1층 상에 있는 실내 그리드, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 1층 상에 있는 실외 그리드를 결정하는 단계는,
    상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한, 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계; 및
    제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하는 단계 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 1층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 - 를 포함하고;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계는,
    상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은, 상기 제1 실외 그리드와, 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계를 포함하고;
    상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성은, 상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계를 포함하는, 실내 위치결정 방법.
14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 실외 그리드와, 상기 기지국의 안테나 사이의 상대 위치 관계는, 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되고;
    상기 기지국의 안테나와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 기지국의 안테나의 수평 위치 정보와 높이 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보와 높이 정보에 따라 계산을 통해 취득되는, 실내 위치결정 방법.
15. 제10항에 있어서,
    m은 1인, 실내 위치결정 방법.
16. 실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하는 단계;
    3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
    상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
    를 포함하고,
    상기 실내 그리드 내의 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보는,
    k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하는 단계 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;
    상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하는 단계;
    기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계; 및
    상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하는 단계에 따라 결정되는, 실내 위치결정 방법.
17. 명령어를 저장하도록 구성된 메모리;
    상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하도록 구성된 프로세서;
    실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 송수신기; 및
    상기 메모리, 상기 프로세서, 및 상기 송수신기를 연결하는 데 사용되는 버스
    를 포함하고,
    상기 프로세서는 상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하여,
    3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
    상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
    를 실행하도록 구성되고,
    상기 프로세서가,
    n층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하고 - n은 1 이상의 정수임 -;
    상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하고;
    상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
18. 제17항에 있어서,
    상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 에지 그리드인 경우,
    상기 프로세서는,
    상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드를 결정하고 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득됨 -;
    상기 n층 상의 실내 에지 그리드로부터의 거리가 제1 임계값보다 작고 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 실내의 신호 강도와 실외의 신호 강도 사이의 손실 관계에 따라, 상기 n층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
19. 제17항에 있어서,
    상기 n층 상의 실내 그리드가 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드인 경우,
    상기 프로세서는,
    상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한, 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;
    제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하고 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 상기 n층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 -;
    상기 n층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하고;
    상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 n층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 n층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
20. 명령어를 저장하도록 구성된 메모리;
    상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하도록 구성된 프로세서;
    실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 송수신기; 및
    상기 메모리, 상기 프로세서, 및 상기 송수신기를 연결하는 데 사용되는 버스
    를 포함하고,
    상기 프로세서는 상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하여,
    3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
    상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
    를 실행하도록 구성되고,
    상기 프로세서는,
    p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 m층 상에 있는 실내 그리드, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 m층 상에 있는 실외 그리드를 결정하고;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하고;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록 - p는 1보다 큰 정수이고, m은 p보다 작은, 양의 정수이고, 상기 p층의 높이는 지표 레벨보다 높음 -
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
21. 제20항에 있어서,
    상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 에지 그리드인 경우,
    상기 프로세서는,
    상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 1층 상에 있는 실내 그리드를 결정하고 - 상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보는, 상기 p층 상의 실내 그리드의 수평 위치 정보와 일치함 -;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하고;
    상기 p층 상의 실내 에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 1층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 층들 사이의 신호 강도의 손실 관계에 따라, 상기 p층 상의 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
22. 제20항에 있어서,
    상기 p층 상의 실내 그리드가 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드인 경우
    상기 프로세서는,
    상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한, 상기 수평 위치 정보의 임의의 방향에서 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고;
    제1 실외 그리드 및 제2 실외 그리드를 결정하고 - 상기 제1 실외 그리드 및 상기 제2 실외 그리드는 모두 1층 상의 실외 그리드이고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계와 일치하고; 상기 제1 실외 그리드의 환경적 관련성은 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 환경적 관련성과 일치하고; 상기 제1 실외 그리드와 상기 제2 실외 그리드 사이의 상대 위치 관계는 상기 제1 실외 그리드의 수평 위치 정보와 상기 제2 실외 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고; 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드와, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드 사이의 상대 위치 관계는, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보와 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라 계산에 의해 취득됨 -;
    상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보, 또는 상기 p층 상의 실내 그리드에 대응하면서 또한 상기 m층 상에 있는 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보를 취득하고;
    상기 제1 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 상기 제2 실외 그리드의 셀 신호 강도 정보, 및 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드에 대응하면서 또한 상기 p층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보에 따라, 상기 p층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
23. 명령어를 저장하도록 구성된 메모리;
    상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하도록 구성된 프로세서;
    실내에 위치한 단말기의 현재의 셀 신호 강도 정보를 획득하도록 구성된 송수신기; 및
    상기 메모리, 상기 프로세서, 및 상기 송수신기를 연결하는 데 사용되는 버스
    를 포함하고,
    상기 프로세서는 상기 메모리에 저장된 명령어를 실행하여,
    3차원(3D) 실내 위치결정 매칭 정보에 따라, 상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보를 결정하는 단계 - 상기 3D 실내 위치결정 매칭 정보는 상기 실내 그리드의 셀 신호 강도 정보와 상기 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보 사이의 대응관계를 포함함 -; 및
    상기 현재의 셀 신호 강도 정보에 대응하는 실내 그리드의 수평 위치 정보 및 높이 정보에 따라, 상기 실내에 위치하는 단말기의 수평 위치 및 상기 단말기가 위치하는 곳의 높이를 결정하는 단계 - 상기 수평 위치 정보는 제1 방향 및 제2 방향에서의 위치 정보를 포함하고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 수평면에서 상호 수직인 두 개의 방향임 -
    를 실행하도록 구성되고,
    상기 프로세서는,
    k층 상의 실내 비에지 그리드의 수평 위치 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드를 결정하고 - 상기 거리는 상기 그리드들의 수평 위치 정보에 따라 계산을 통해 취득되고, k는 1 이상의 정수임 -;
    상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작고 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 획득하고;
    기지국의 안테나의 엔지니어링 파라미터 정보에 따른 에뮬레이션 계산을 통해, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보에 따라 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하고;
    상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 에뮬레이션된 셀 신호 강도 정보, 및 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드로부터의 거리가 제3 임계값보다 작은, 상기 k층 상에 있는 실내 에지 그리드의 신호 강도 정보에 따라, 상기 k층 상의 실내 비에지 그리드의 셀 신호 강도 정보를 결정하도록
    더 구성되는, 실내 위치결정 장치.
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