KR101842888B1 - 칩 안테나 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR101842888B1
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Abstract

도전판을 벤딩하여 입체 형상의 안테나 패턴(10)을 형성하고 나서 이 벤딩된 입체 형상의 안테나 패턴(10)을 인서트 부품으로 하여 사출 성형 금형에 공급하여 기체(20)를 수지로 사출 성형한다. 이것에 의해 복수의 면에 인쇄 등으로 안테나 패턴을 형성하는 경우와 비교하여 입체 형상의 안테나 패턴(10)을 갖는 칩 안테나(1)를 용이하게 형성할 수 있다.

Description

칩 안테나 및 그 제조 방법{CHIP ANTENNA AND PRODUCTION METHOD THEREOF}
본 발명은 휴대전화 무선 LAN, 또는 Bluetooth(등록상표) 등의 무선 통신 기기에 내장되는 기판 실장형 안테나(칩 안테나)에 관한 것이다.
칩 안테나는 수지나 세라믹 등의 유전체로 이루어지는 기체에 도전체로 이루어지는 안테나 패턴을 형성하여 이루어진다. 기체 표면에 안테나 패턴을 형성하는 방법으로서는 예를 들면 인쇄, 증착, 첩합, 도금(특허문헌 1 참조), 또는 에칭(특허문헌 2 참조) 등에 의한 것이 있다.
일본 특허 공개 평 10-242734호 공보 일본 특허 공개 2005-80229호 공보
휴대전화 등의 소형화, 박형화에 따라 칩 안테나는 보다 한층 소형화가 요구되고 있다. 예를 들면 기체의 복수의 면에 안테나 패턴을 입체 형상으로 형성하면 도전체의 형성 면적이 커지기 때문에 예를 들면 동일한 안테나 패턴을 한 평면 상에 형성하는 경우와 비교해서 칩 안테나를 소형화할 수 있다.
그러나 기체의 복수의 면에 인쇄 등의 수단으로 안테나 패턴을 형성하는 작업은 용이하지 않다. 특히 휴대전화 등에 내장되는 칩 안테나는 장변이 10mm 이하, 경우에 따라서는 5mm 이하까지 소형화가 요구된다. 이러한 소형 칩 안테나의 복수의 면에 인쇄 등으로 안테나 패턴을 형성하는 것은 매우 곤란하기 때문에 제조 비용이 높고 생산성의 저하를 초래한다.
본 발명의 목적은 입체 형상의 안테나 패턴을 갖는 칩 안테나를 간이 또한 저비용으로 제조하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 이루어진 본 발명은 수지로 이루어지는 기체와 도전판으로 이루어지는 입체 형상의 안테나 패턴을 구비한 칩 안테나를 제조하기 위한 방법으로서 도전판을 벤딩해서 안테나 패턴을 형성하는 벤딩 프레스 공정과 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 기체를 수지로 사출 성형하는 사출 성형 공정을 갖는다.
이와 같이 본 발명에서는 도전판을 프레스 가공으로 벤딩해서 입체 형상의 안테나 패턴을 형성하고 나서 이 벤딩된 입체 형상의 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 기체를 수지로 사출 성형한다. 이것에 의해 복수의 면에 인쇄 등으로 안테나 패턴을 형성하는 경우와 비교하여 입체 형상의 안테나 패턴을 갖는 칩 안테나를 용이하게 형성할 수 있다.
도전판을 긴 띠 형상의 후프재로 하고, 이 후프재에 복수의 안테나 패턴을 형성하면 벤딩 프레스 공정에서 사용되는 금형(벤딩 프레스 금형) 및 사출 성형 공정에서 사용되는 금형(사출 성형 금형)에 도전판을 연속적으로 공급할 수 있다. 이것에 의해 예를 들면 사출 성형 1숏마다 도전판을 금형에 공급하는 경우와 비교해서 도전판의 금형에의 공급이 용이화된다.
구체적으로는 예를 들면 긴 띠 형상의 후프재를 펀칭하여 안테나 패턴의 평면 전개 형상을 복수 형성하고, 이 평면 전개 형상을 벤딩 프레스 공정에 공급하여 후프재에 부착한 채 벤딩 입체 형상의 안테나 패턴을 형성할 수 있다. 또한 이 입체 형상의 안테나 패턴을 후프재에 부착한 상태 그대로 사출 성형 금형 내에 배치하여 기체의 사출 성형을 행할 수 있다. 또한 사출 성형 공정 후 성형된 칩 안테나를 후프재와 함께 권취해도 좋고, 칩 안테나를 후프재로부터 분리해도 좋다.
안테나 패턴이 기체의 표면에 형성되는 경우 사출 성형 금형과 사출 성형 금형에 인서트 부품으로서 공급된 안테나 패턴 사이에 간극이 있으면 이 간극에 수지가 파고들 염려가 있다. 구체적으로는 예를 들면 도 10에 나타낸 바와 같이 안테나 패턴(101)의 벤딩부의 각도(θ1)가 사출 성형 금형(102)에 있어서의 상기 벤딩부에 상당하는 개소의 각도(θ2)보다 작으면(θ1<θ2) 안테나 패턴(101)과 사출 성형 금형(102) 사이에 간극(P)이 생길 우려가 있다. 그래서 도 11a, 도 11b에 나타낸 바와 같이 벤딩 프레스 공정에서 벤딩되는 안테나 패턴(101)의 벤딩부의 각도(θ1')를 사출 성형 금형(102)에 있어서의 상기 벤딩부에 상당하는 개소의 각도(θ2)보다도 크게 설정하면(θ1'>θ2) 안테나 패턴(101)의 벤딩부가 금형(102)의 몰드 클램핑에 의해 눌려 각도가 교정된다(θ1=θ2). 이것에 의해 안테나 패턴(101)과 금형(102)이 밀착되어 안테나 패턴과 사출 성형 금형 사이의 간극을 없앨 수 있다.
기체의 사출 성형 금형의 몰드 클램핑력을 이용해서 벤딩 프레스 공정을 행하면 도전판을 벤딩하기 위한 별도의 구동 장치가 불필요해지기 때문에 설비 비용을 저감할 수 있음과 아울러 설비 스페이스를 축소할 수 있다. 이 경우 기체의 사출 성형 금형의 몰드 클램핑과 벤딩 프레스 공정을 동시에 행할 수 있다.
예를 들면 2단계로 나눠 도전판을 벤딩하는 경우나 사출 성형 금형의 몰드 클램핑력을 이용해서 도전판을 벤딩한 후에 도전판을 더 벤딩하고 싶은 경우에는 사출 성형 금형의 몰드 클램핑력과는 별개로 설치된 액추에이터로 벤딩 프레스 공정을 행할 수도 있다. 이 액추에이터는 벤딩을 행하는 금형의 내부에 설치할 수도 있고, 외부에 설치할 수도 있다.
상기 제조 방법에 의하면 도전판을 입체 형상으로 벤딩하여 이루어지는 안테나 패턴과 입체 형상의 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 수지로 사출 성형된 기체를 구비한 칩 안테나를 얻을 수 있다.
이 경우 안테나 패턴을 기체에 유지해서 입체 형상을 유지함으로써 칩 안테나의 특성을 안정시킬 수 있다. 예를 들면 안테나 패턴이 기체의 표면에 형성되는 경우 안테나 패턴의 벤딩부의 각도가 탄성력에 의해 넓어지면 벤딩부의 양측의 평판부가 기체로부터 박리될 우려가 있다. 그래서 안테나 패턴의 벤딩부의 양측의 2개의 평판부를 모두 기체에 매립시켜 유지함으로써 벤딩부의 각도가 넓어지는 것을 방지하여 안테나 패턴의 입체 형상을 유지할 수 있다. 또한 안테나 패턴의 가장자리부에 기체의 내부에 매립되는 돌기부를 형성하면 돌기부가 앵커 효과를 발휘함으로써 안테나 패턴과 기체의 결합력을 높여 안테나 패턴의 입체 형상이 보다 확실하게 유지된다.
또는 입체 형상의 안테나 패턴을 기체의 내부에 매립함으로써 안테나 패턴의 형상을 유지할 수 있다.
기체의 수지는 유전율 4 이상의 고유전율재를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 도전판과 기체의 접합력을 확보하기 위해서 도전판 중 적어도 기체와의 접합면에 있어서의 면조도는 Ra 1.6 이상인 것이 바람직하다.
(발명의 효과)
이상과 같이 본 발명에 의하면 입체 형상으로 벤딩된 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 기체를 사출 성형함으로써 입체 형상의 안테나 패턴을 갖는 칩 안테나를 간이 또한 저비용으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 의한 칩 안테나의 사시도이다.
도 2는 도 1의 칩 안테나를 A방향에서 본 평면도이다.
도 3은 도 1의 칩 안테나를 B방향에서 본 측면도이다.
도 4는 도 1의 칩 안테나를 C방향에서 본 평면도이다.
도 5는 도 1의 칩 안테나를 D방향에서 본 측면도이다.
도 6은 도 2의 칩 안테나의 E-E선에 있어서의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시형태에 의한 칩 안테나의 제조 방법을 나타내는 평면도이다.
도 8a는 후프재에 형성된 안테나 패턴의 평면 전개 형상을 도 7a의 F방향에서 본 정면도이다.
도 8b는 입체 형상으로 벤딩된 안테나 패턴을 도 7b의 G방향에서 본 정면도이다.
도 8c는 후프재에 설치된 칩 안테나를 도 7c의 H방향에서 본 정면도이다.
도 9는 다른 실시형태에 의한 칩 안테나의 단면도이다.
도 10은 안테나 패턴과 사출 성형 금형 사이에 간극이 생기는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 11a는 안테나 패턴의 벤딩부의 단면도이다.
도 11b는 도 11a의 안테나 패턴을 사출 성형 금형 내에 배치한 상태의 단면도이다.
이하 본 발명의 실시형태를 도면에 의거해서 설명한다.
본 발명의 일실시형태에 의한 칩 안테나(1)는 도 1에 나타낸 바와 같이 도전판으로 이루어지는 입체 형상의 안테나 패턴(10)과 수지로 이루어지는 기체(20)를 갖고, 전체적으로 대략 직육면체를 이룬다. 안테나 패턴(10)을 인서트 부품으로 하여 기체(20)를 수지로 사출 성형함으로써 안테나 패턴(10) 및 기체(20)가 일체로 성형된다. 칩 안테나(1)의 장변방향의 길이는 예를 들면 3~10mm 정도이며, 도 1의 상면이 기판에 부착되는 면이 된다. 또한 도 1~도 5에서는 수지로 이루어지는 기체(20)에 산점(散点)을 부여하여 나타내고 있다.
안테나 패턴(10)은 도전판, 예를 들면 금속판, 구체적으로는 동판이나 강판, SUS판, 놋쇠 등으로 형성된다. 또한 이들 금속판에 필요에 따라 도금(예를 들면 금 도금)을 시행해도 좋다. 도전판은 입체 형상으로 벤딩된 상태로 유지될 수 있는 정도의 두께로 설정되고, 예를 들면 0.2~0.8mm 정도가 된다. 안테나 패턴(10)은 기체(20)의 표면에 형성되고, 도시예에서는 기체(20) 표면의 복수 개소에 분리되어 설치된 복수의 도전판(11)으로 구성된다. 기체(20)와의 밀착력을 유지하기 위해서 안테나 패턴(10) 중 적어도 기체(20)와의 접합면은 어느 정도 거친 쪽이 바람직하고, 예를 들면 면조도가 Ra 1.6 이상, 바람직하게는 3.2 이상으로 설정된다.
안테나 패턴(10)은 도전판(11)을 벤딩시켜 입체 형상으로 형성되고, 기체(20)의 복수의 측면에 걸쳐 형성된다(도 1~5 참조). 안테나 패턴(10)은 기체(20)에 유지되고, 이것에 의해 안테나 패턴(10)의 입체 형상이 유지된다. 구체적으로는 도 6에 나타낸 바와 같이 벤딩부(14)의 양측의 평판부(12, 13)가 모두 기체(20)의 표면에 매립되어 있다. 도시예에서는 안테나 패턴(10) 전체가 기체(20)의 표면에 매립되어 있다. 또한 안테나 패턴(10)의 가장자리부에는 돌기부(15)가 형성되고(도 2 및 도 3 참조), 이 돌기부(15)가 기체(20)의 내부에 매립되어 있다(도 6 참조). 이상에 의해 벤딩 형상의 안테나 패턴(10)이 기체(20)에 확실하게 유지되기 때문에 평판부(12, 13)가 기체(20)로부터 들뜨는 일은 없어 안테나 패턴(10)의 입체 형상(벤딩부(14)의 각도)을 확실하게 유지할 수 있다. 또한 돌기부(15)는 반드시 형성할 필요는 없고, 안테나 패턴(10)과 기체(20)의 밀착력이 충분히 확보될 수 있는 경우에는 돌기부(15)를 생략할 수 있다.
안테나 패턴(10)의 일부는 급전 단자부로서 기능한다. 급전 단자부에는 도시 되지 않은 급전선이 접속되어 안테나 패턴(10)에 급전하기 위한 단자가 된다. 또한 안테나 패턴(10)의 일부는 고정부로서 기능하여 고정부와 기판(도시 생략)을 예를 들면 납땜에 의해 접합함으로써 칩 안테나(1)가 기판 상에 고정된다.
기체(20)는 안테나 패턴(10)을 인서트 부품으로 한 수지의 사출 성형품이다.도시예에서는 기체(20)의 표면과 안테나 패턴(10)의 표면이 면일하게 되어 있다. 기체(20)는 예를 들면 유전율 4 이상의 수지로 형성된다. 구체적으로는 베이스 수지로서 예를 들면 폴리페닐렌술파이드(PPS)나 액정 폴리머(LCP) 등을 사용할 수 있다. 또한 수지에 배합하는 충전재는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 세라믹 등을 배합할 수 있다. 또한 유전율 4 이상의 수지란 반드시 베이스 수지의 유전율이 4 이상인 것에 한정되는 것은 아니고, 충전재의 배합에 의해 수지 전체로서 유전율이 4 이상이 되는 것을 포함한다.
이어서 상기 칩 안테나(1)의 제조 방법을 설명한다. 칩 안테나(1)는 (a) 펀칭 프레스 공정, (b) 벤딩 프레스 공정, (c) 사출 성형 공정, (d) 분리 공정을 차례로 거쳐 제조된다.
우선 펀칭 프레스 공정에서는 도시하지 않은 펀칭 프레스 금형으로 도전판을 펀칭하여 소정 형상으로 형성한다. 구체적으로는 도 7a 및 도 8 a에 나타낸 바와 같이 입체 형상의 안테나 패턴(10)을 평면 상에 전개한 평면 전개 형상(10')을 형성한다. 본 실시형태에서는 긴 띠 형상의 도전판(후프재(30))에 복수의 평면 전개 형상(10')이 나란히 펀칭된다. 또한 도시예의 평면 전개 형상(10')은 분리된 복수의 도전판으로 구성되고, 각 도전판은 브릿지(32)를 통해 후프재(30)의 프레임(31)에 연결되어 있다.
이어서 후프재(30)가 도 7의 화살표로 나타내는 방향으로 이동되어 평면 전개 형상(10')이 벤딩 프레스 공정에 공급된다. 벤딩 프레스 공정에서는 도시하지 않은 벤딩 프레스 금형으로 후프재(30)의 평면 전개 형상(10')을 벤딩하여 소정의 입체 형상을 이룬 안테나 패턴(10)을 형성한다(도 7b 및 도 8b 참조). 이 벤딩 프레스 공정은 후프재(30)의 프레임(31)에 브릿지(32)를 통해 평면 전개 형상(10')이 부착된 상태 그대로 행해진다. 평면 전개 형상(10')을 벤딩할 때 평면 전개 형상(10')과 브릿지(32) 사이가 일부 절단되지만 분리된 각 도전판은 적어도 1개소의 브릿지(32)를 통해 프레임(31)에 연결된다. 이것에 의해 안테나 패턴(10)이 분리된 복수의 도전판으로 구성되는 경우이어도 이들을 일체로서 입체적으로 벤딩할 수 있다. 또한 벤딩 프레스 공정은 1회의 프레스로 행해도 좋고, 복수회로 나누어 행해도 좋다.
그리고 후프재(30)가 더 이동되어 안테나 패턴(10)이 사출 성형 공정에 공급된다. 사출 성형 공정에서는 우선 도시하지 않는 사출 성형 금형의 캐비티 내에 안테나 패턴(10)이 인서트 부품으로서 배치된 상태에서 사출 성형 금형이 몰드 클램핑된다. 이 때 사출 성형 금형에 공급되는 안테나 패턴(10)의 벤딩부의 각도는 사출 성형 금형에 있어서의 상기 벤딩부에 상당하는 부분의 각도보다 약간 크게 설정된다. 이 안테나 패턴(10)을 사출 성형 금형에 공급해서 몰드 클램핑함으로써 안테나 패턴(10)의 벤딩부가 사출 성형 금형에 눌려 벤딩부의 각도가 교정되기 때문에 안테나 패턴(10)과 금형을 밀착시킬 수 있다(도 11b 참조).
안테나 패턴(10)이 배치된 캐비티에 수지를 사출함으로써 기체(20)가 성형된다(도 7c 및 도 8c 참조). 이것에 의해 안테나 패턴(10) 및 기체(20)(산점으로 나타냄)를 일체로 갖는 칩 안테나(1)가 성형된다. 수지의 고화 후 사출 성형 금형의 몰드 오프닝을 행하면 안테나 패턴(10)의 벤딩부를 누르고 있던 힘이 풀리기 때문에 안테나 패턴(10)은 원래의 각도(도 11a 참조)로 넓어지려고 하지만 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이 안테나 패턴(10)의 벤딩부(14) 양측의 평판부(12, 13)가 기체(20)에 매립되고, 또한 안테나 패턴(10)의 가장자리부에 형성된 돌기부(15)가 기체(20)의 내부에 매립되어 있기 때문에 안테나 패턴(10)의 벤딩부의 각도가 넓어지는 것을 방지하여 안테나 패턴(10)의 입체 형상을 유지할 수 있다.
최후에 후프재(30)의 프레임으로부터 성형품(칩 안테나(1))이 분리된다 (도 7d 참조). 칩 안테나(1)는 사출 성형 공정 후 곧바로 후프재(30)로부터 분리되어도 좋고, 일단 후프재(30)와 함께 성형품을 권취해도 좋다. 칩 안테나(1)를 후프재(30)와 함께 권취해 두면 보관이나 운반이 용이함과 아울러 칩 안테나(1)의 정렬 상태를 유지하여 칩 안테나(1)끼리의 간섭을 방지할 수 있다.
상기 제조 공정에 있어서 벤딩 프레스 금형의 프레스와 사출 성형 금형의 몰드 클램핑을 공통의 구동부에서 행하면 각 금형에 별개의 구동부를 설치할 필요가 없어 장치를 간략화할 수 있다. 또한 벤딩 프레스 금형의 벤딩 프레스 가공과 사출 성형 금형의 몰드 클램핑을 동시에 행함으로써 사이클 타임을 단축할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들면 상기 벤딩 프레스 공정에 있어서 벤딩 동작이 2단계가 되는 경우나 벤딩 프레스 금형으로 도전판을 벤딩한 후 도전판을 더 벤딩하고 싶은 경우에는 사출 성형 금형의 몰드 클램핑력과는 별개로 설치된 액추에이터(도시 생략)로 도전판을 벤딩할 수도 있다. 이 액추에이터는 벤딩 프레스 금형의 내부에 설치될 수도 있고, 외부에 설치될 수도 있다. 액추에이터로서는 예를 들면 에어 실린더나 유압 실린더, 또는 모터 등을 사용할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는 기체(20)의 표면에 안테나 패턴(10)이 형성되어 있지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 도 9에 나타낸 바와 같이 안테나 패턴(10)의 적어도 일부를 기체(20)의 내부에 매립해도 좋다.
또한 칩 안테나(1)의 구성은 상기에 한정되지 않고, 입체 형상의 안테나 패턴(10)을 갖는 한 임의의 구성을 채용할 수 있다. 예를 들면 안테나 패턴(10)은 상기에 한정되지 않고, 여러가지 구성을 채용할 수 있다.
1 칩 안테나 10 안테나 패턴
10' 평면전개 형상 11 도전판
12, 13 평판부 14 벤딩부
15 돌기부 20 기체
30 후프재 31 프레임
32 브릿지

Claims (20)

  1. 수지로 이루어지는 기체와 도전판으로 이루어지는 입체 형상의 안테나 패턴을 구비한 칩 안테나를 제조하기 위한 방법으로서:
    상기 도전판을 벤딩하여 상기 안테나 패턴을 형성하는 벤딩 프레스 공정과, 상기 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 상기 기체를 수지로 사출 성형하는 사출 성형 공정을 갖고,
    상기 안테나 패턴이 상기 기체의 표면에 매립되고,
    상기 안테나 패턴 중, 가장자리부를 제외한 모든 영역이 상기 기체의 표면에 노출되는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전판을 긴 띠 형상의 후프재로 하고, 이 후프재에 상기 안테나 패턴을 복수 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 후프재를 펀칭하여 상기 안테나 패턴의 평면 전개 형상을 형성하고, 이 평면 전개 형상을 상기 후프재에 부착한 채로 상기 벤딩 프레스 공정으로 벤딩하여 상기 안테나 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴을 상기 후프재에 부착한 채로 상기 사출 성형 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 사출 성형 공정 후 상기 칩 안테나를 상기 후프재와 함께 권취하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 사출 성형 공정 후 상기 칩 안테나를 상기 후프재로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴의 벤딩부의 각도를 상기 사출 성형 공정의 금형의 몰드 클램핑으로 교정함으로써 상기 안테나 패턴의 벤딩부와 상기 사출 성형 공정의 금형을 밀착시키는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 사출 성형 공정의 금형의 몰드 클램핑력을 이용하여 상기 벤딩 프레스 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 사출 성형 공정의 금형의 몰드 클램핑과 상기 벤딩 프레스 공정을 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  10. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 사출 성형 공정의 금형의 몰드 클램핑력과는 별개로 설치한 액추에이터로 상기 벤딩 프레스 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 상기 벤딩 프레스 공정의 금형의 내부에 설치된 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 상기 벤딩 프레스 공정의 금형의 외부에 설치된 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  13. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 도전판을 복수회로 나누어 벤딩하여 상기 안테나 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 안테나의 제조 방법.
  14. 도전판을 입체 형상으로 벤딩하여 이루어지는 안테나 패턴과 상기 안테나 패턴을 인서트 부품으로 하여 수지로 사출 성형된 기체를 구비하고,
    상기 안테나 패턴이 상기 기체의 표면에 매립되고,
    상기 안테나 패턴 중, 가장자리부를 제외한 모든 영역이 상기 기체의 표면에 노출되는 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴을 상기 기체로 유지해서 입체 형상을 유지하도록 한 것을 특징으로 하는 칩 안테나
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴은 상기 기체 표면에 형성되고, 상기 안테나 패턴의 벤딩부 양측의 2개의 평판부는 모두 상기 기체에 매립된 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴의 가장자리부에 상기 기체의 내부에 매립되는 돌기부를 형성한 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴은 상기 기체의 내부에 매립된 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
  19. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기체의 수지는 유전율 4 이상의 고유전율재인 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
  20. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안테나 패턴 중 적어도 상기 기체와의 접합면에 있어서의 면조도가 Ra 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 칩 안테나.
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