KR101835659B1 - 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟 - Google Patents

동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟 Download PDF

Info

Publication number
KR101835659B1
KR101835659B1 KR1020127030152A KR20127030152A KR101835659B1 KR 101835659 B1 KR101835659 B1 KR 101835659B1 KR 1020127030152 A KR1020127030152 A KR 1020127030152A KR 20127030152 A KR20127030152 A KR 20127030152A KR 101835659 B1 KR101835659 B1 KR 101835659B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
isotope
density value
delete delete
targets
Prior art date
Application number
KR1020127030152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130052571A (ko
Inventor
토마스 에릭슨
요나스 오베 놀링
Original Assignee
제너럴 일렉트릭 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제너럴 일렉트릭 캄파니 filed Critical 제너럴 일렉트릭 캄파니
Publication of KR20130052571A publication Critical patent/KR20130052571A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101835659B1 publication Critical patent/KR101835659B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H6/00—Targets for producing nuclear reactions
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21G—CONVERSION OF CHEMICAL ELEMENTS; RADIOACTIVE SOURCES
    • G21G1/00—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes
    • G21G1/04—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes outside nuclear reactors or particle accelerators
    • G21G1/10—Arrangements for converting chemical elements by electromagnetic radiation, corpuscular radiation or particle bombardment, e.g. producing radioactive isotopes outside nuclear reactors or particle accelerators by bombardment with electrically charged particles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟이 제공된다. 타겟은 타겟 물질을 둘러싸도록 구성되고 하전 입자 빔을 위한 통로를 갖는 몸체, 및 몸체 내의 구성요소를 포함하며, 여기서 하전 입자 빔은 구성요소 내에 방사능을 유도한다. 부가적으로, 몸체의 적어도 하나의 부분은 구성요소를 차폐하기 위해 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성된다.

Description

동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟{SELF-SHIELDING TARGET FOR ISOTOPE PRODUCTION SYSTEMS}
본 명세서에 개시된 주제는 일반적으로 동위원소 생성 시스템에 관한 것이며, 더 구체적으로는 동위원소 생성 시스템의 타겟의 차폐에 관한 것이다.
방사성 동위원소(방사성 핵종으로도 불림)는 의학적 치료, 이미징, 및 연구에서의 몇몇 응용뿐만 아니라, 의학적으로 관련되지 않은 다른 응용을 갖는다. 방사성 동위원소를 생성하는 시스템은 전형적으로 가속 챔버를 둘러싸는 자석 요크를 갖는, 사이클로트론(cyclotron)과 같은, 입자 가속기를 포함한다. 가속 챔버는 서로 이격된 대향하는 폴(pole) 상부들을 포함할 수 있다. 전기장 및 자기장이 가속 챔버 내에서 발생되어 하전 입자를 가속하고 폴들 사이의 나선형 궤도를 따라 안내할 수 있다. 방사성 동위원소를 생성하기 위해, 사이클로트론은 하전 입자들의 빔을 형성하고 입자 빔을 가속 챔버의 밖으로 그리고 타겟 물질(출발 물질로도 지칭됨)을 갖는 타겟 시스템을 향해 지향시킨다. 입자 빔은 타겟 물질에 입사하고 이에 의해 방사성 동위원소를 발생시킨다.
동위원소 생성 시스템의 작동 동안에, 대량의 방사선(즉, 근처의 사람에 대해 건강에 해로운 수준의 방사선)이 전형적으로 타겟 시스템 내에서 그리고 개별적으로 사이클로트론 내에서 발생된다. 예를 들어, 타겟 시스템에 관하여, 빔이 타겟 물질에 입사할 때 중성자 및 감마선으로부터의 방사선이 발생될 수 있다. 사이클로트론에 관하여, 가속 챔버 내의 이온이 내부의 기체 입자와 충돌하여, 가속 챔버 내의 전기장 및 자기장에 의해 더 이상 영향을 받지 않는 중성 입자가 될 수 있다. 이들 중성 입자는 이어서 또한 가속 챔버의 벽과 충돌하여 이차 감마 방사선을 생성할 수 있다.
따라서, 방사성 동위원소의 생성 동안에, 예를 들어 양전자 방사 단층 촬영(Positron Emission Tomography, PET) 응용의 경우, 출발 물질(타겟 시스템 내에 밀폐되어 있음)은 전형적으로 고에너지 입자로 조사된다. 따라서, 타겟 시스템 및 타겟 시스템을 구성하는 데 사용된 재료가 또한 고에너지 입자에 노출되고 이에 따라 또한 고도로 방사성일 것이다. 타겟 시스템의 고방사능 활성화는 장비의 유지관리 및 취급을 일반적으로 매우 시간 및 비용 소비적인 것으로 만드는데, 이는 특히 허용가능한 방사선 수준이 감소하기를 기다려야 함(적어도 24시간이 걸릴 수 있음)에 대한 필요성 때문이다. 이러한 기간 후에도, 방사선 노출 수준이 법에 의해 엄격히 규제되기 때문에 시스템에 접근할 때 예방 조치가 필요하다. 따라서, 이러한 종류의 장비의 유지관리는 또한 파견 인원이 최대 연간 한도에 신속하게 도달할 수 있기 때문에 어렵다. 따라서, 사람당 선량 부하(dose load)를 감소시키기 위해, 비교적 많은 수의 사람이 선량을 합리적인 수준으로 분담하도록 요구될 수 있다.
방사선으로부터 근처의 사람(예를 들어, 고용인 또는 병원의 환자)을 보호하기 위해, 동위원소 생성 시스템은 방사선을 감쇠시키거나 차단하기 위해 차폐물(shield)을 사용할 수 있다. 종래의 동위원소 생성 시스템에서, 방사선(예를 들어, 방사선 누출)의 차폐는 사이클로트론과 타겟 시스템 둘 모두를 둘러싸는 대량의 차폐를 부가함으로써 대처되었다. 그러나, 대량의 차폐는 값비싸고 동위원소 생성 시스템이 위치될 방에 비해 너무 무거울 수 있다. 대안적으로 또는 대량의 차폐에 부가해, 동위원소 생성 시스템은 특수 설계된 방 또는 방들 내에 위치될 수 있다. 예를 들어, 사이클로트론 및 타겟 시스템은 별개의 방들 내에 있거나 이들 둘을 분리하는 큰 벽을 가질 수 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 종래 기술의 문제점을 해결한 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟을 제공하는 것을 목적으로 한다.
다양한 실시예에 따르면, 동위원소 생성 시스템용 타겟이 제공된다. 타겟은 타겟 물질을 둘러싸도록 구성되고 하전 입자 빔(charged particle beam)을 위한 통로를 갖는 몸체, 및 몸체 내의 구성요소를 포함하며, 여기서 하전 입자 빔은 구성요소 내에 방사능을 유도한다. 부가적으로, 몸체의 적어도 하나의 부분은 구성요소를 차폐하기 위해 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성된다.
다른 다양한 실시예에 따르면, 가속기를 포함하는 동위원소 생성 시스템이 제공된다. 가속기는 자석 요크(magnet yoke)를 포함하고 또한 가속 챔버를 갖는다. 동위원소 생성 시스템은 가속 챔버에 인접하게 또는 가속 챔버로부터 소정 거리에 위치된 타겟 시스템을 더 포함한다. 사이클로트론(cyclotron)은 가속 챔버로부터의 입자 빔을 타겟 시스템을 향해 지향시키도록 구성된다. 타겟 시스템은 타겟 물질을 보유하도록 구성되고 타겟 시스템 내의 하나 이상의 활성 부품(activated part)으로부터의 방사선을 감쇠시키도록 자체-차폐되며, 타겟 물질을 둘러싸는 하나 이상의 하우징 부분을 더 포함하며, 여기서 하우징 부분 중 적어도 하나는 활성 부품과 정렬되고 알루미늄보다 큰 밀도를 갖는 재료로 형성된다.
또 다른 실시예에 따르면, 동위원소 생성 시스템을 위한 차폐된 타겟을 제조하기 위한 방법은 5 g/㎤ 초과의 밀도값을 갖는 재료로 타겟 하우징의 하나 이상의 부분을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은 타겟 하우징의 부분 중 적어도 하나로 방사능 활성 구성요소(radioactive activated component)를 둘러싸는 단계를 더 포함한다.
도 1은 다양한 실시예에 따라 형성된 자체-차폐형 타겟 시스템을 갖는 동위원소 생성 시스템의 블록 다이어그램,
도 2는 다양한 실시예에 따라 형성된 타겟 시스템을 위한 타겟 몸체의 사시도,
도 3은 도 2의 타겟 몸체의 다른 사시도,
도 4는 내부의 구성요소를 보여주는 도 2의 타겟 몸체의 분해도,
도 5는 내부의 구성요소를 보여주는 도 2의 타겟 몸체의 다른 분해도,
도 6은 다양한 실시예에 따라 형성된 자체-차폐형 타겟 장치의 단순화된 블록 다이어그램,
도 7은 다양한 실시예에 따른 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟을 제공하기 위한 방법의 흐름도.
소정 실시예의 하기의 상세한 설명뿐만 아니라 상기의 요약은 첨부 도면과 함께 읽을 때 더 잘 이해될 것이다. 도면이 다양한 실시예의 블록들의 다이어그램을 도시하는 경우, 블록들은 반드시 하드웨어 사이의 분할을 나타내는 것은 아니다. 따라서, 예를 들어 블록들 중 하나 이상이 단일 피스의 하드웨어 또는 다수 피스의 하드웨어로 구현될 수 있으며, 다양한 실시예는 도면에 도시된 배열 및 수단으로 제한되지 않음을 이해하여야 한다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 단수형으로 언급되고 단수 형태로 기재된 요소 또는 단계는, 상기 요소 또는 단계의 복수형을 배제하는 것이 명시적으로 기술되지 않는 한, 그러한 배제를 의도하지 않는 것으로서 이해되어야 한다. 또한, "일 실시예"의 언급은 언급된 특징부를 또한 포함하는 추가 실시예의 존재를 배제하는 것으로서 해석되도록 의도되지 않는다. 더욱이, 명시적으로 반대로 기술되지 않는 한, 특정 특성을 갖는 요소 또는 복수의 요소를 "포함하는" 또는 "갖는" 실시예는 그 특성을 갖지 않는 추가의 그러한 요소를 포함할 수 있다.
다양한 실시예는 타겟 시스템의 부분, 특히 고 방사능 활성화에 민감한 구성요소를 둘러싸는 부분을 형성하기 위해 더 높은 밀도의 재료를 사용해 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟 시스템을 제공한다. 더 높은 밀도의 재료는 더 높은 감마 방사선 감쇠를 제공하여 예를 들어 인원에 대한 감마 방사선 노출의 수준을 감소시킨다. 다양한 실시예에서, 활성 부품(예를 들어, 고도로 활성화된 부품) 주위의 지지 구조물(예를 들어, 하우징의 일부분)은 타겟 시스템 외부의 방사선 수준/선량률(dose rate)이 감소되도록 고밀도/고감쇠 재료로 구성된다. 따라서, 동위원소 생성 시스템을 위한 타겟 시스템용의 능동적 차폐물이 제공된다. 타겟 시스템의 활성 부품은 작동 동안뿐만 아니라 타겟 시스템을 수송, 정비 및 보관하는 중에도 차폐된다.
다양한 실시예에 따라 형성된 자체-차폐형 타겟 시스템은 여러 유형 및 구성의 동위원소 생성 시스템에 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 1은 자체-차폐형 타겟 시스템이 제공될 수 있는 다양한 실시예에 따라 형성된 동위원소 생성 시스템(100)의 블록 다이어그램이다. 시스템(100)은 이온 소스 시스템(104), 전기장 시스템(106), 자기장 시스템(108), 및 진공 시스템(110)을 포함한 몇몇 하위-시스템을 갖는 사이클로트론(102)을 포함한다. 사이클로트론(102)의 사용 동안에, 하전 입자가 이온 소스 시스템(104)을 통해 사이클로트론(102) 내에 배치되거나 사이클로트론 내로 주입된다. 자기장 시스템(108) 및 전기장 시스템(106)은 하전 입자의 입자 빔(112)을 생성할 때 서로 협동하는 각자의 장(field)을 발생시킨다.
도 1에 또한 도시된 바와 같이, 시스템(100)은 추출 시스템(115), 및 타겟 물질(116)을 포함하는 타겟 시스템(114)을 갖는다. 타겟 시스템(114)은 사이클로트론(102)에 인접하게 위치될 수 있으며, 본 명세서에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 자체-차폐된다. 동위원소를 발생시키기 위해, 입자 빔(112)은 사이클로트론(102)에 의해 추출 시스템(115)을 통해 빔 전달 경로 또는 빔 통로(117)를 따라 그리고 타겟 시스템(114) 내로 지향되어, 입자 짐(112)은 대응하는 타겟 위치(120)에 위치된 타겟 물질(116)에 입사한다. 타겟 물질(116)이 입자 빔(112)으로 조사될 때, 중성자 및 감마선으로부터의 방사선이 발생될 수 있으며, 이는 타겟 시스템(114)의 부분, 예를 들어 타겟 시스템(114)의 포일(foil) 부분을 활성화시킬 수 있다.
일부 실시예에서 사이클로트론(102)과 타겟 시스템(114)이 공간 또는 간극에 의해 분리(예를 들어, 소정 거리만큼 분리)되지 않고/않거나 별개의 부품이 아님에 유의해야 한다. 따라서, 이들 실시예에서, 사이클로트론(102) 및 타겟 시스템(114)은 단일 구성요소 또는 부품을 형성할 수 있어, 구성요소 또는 부품들 사이의 빔 통로(117)가 제공되지 않는다.
시스템(100)은 개별적인 타겟 물질(116A 내지 116C)이 위치되는 다수의 타겟 위치(120A 내지 120C)를 가질 수 있다. 이동 장치 또는 시스템(도시되지 않음)은 입자 빔(112)이 상이한 타겟 물질(116)에 입사하도록 입자 빔(112)에 대해 타겟 위치(120A 내지 120C)를 이동시키는 데 사용될 수 있다. 이동 공정 동안에 또한 진공이 유지될 수 있다. 대안적으로, 사이클로트론(102) 및 추출 시스템(115)은 하나의 경로만을 따라 입자 빔(112)을 지향시키는 것이 아니라, 각각의 상이한 타겟 위치(120A 내지 120C)에 대해 고유의 경로를 따라 입자 빔(112)을 지향시킬 수 있다. 또한, 빔 통로(117)는 사이클로트론(102)으로부터 타겟 위치(120)까지 실질적으로 선형일 수 있거나, 대안적으로 빔 통로(117)는 그것을 따른 하나 이상의 지점에서 만곡되거나 방향이 바뀔 수 있다. 예를 들어, 빔 통로(117)와 나란히 위치된 자석은 상이한 경로를 따라 입자 빔(112)을 지향시키도록 구성될 수 있다.
동위원소 생성 시스템 및/또는 하나 이상의 하위-시스템을 갖는 사이클로트론의 예가 미국 특허 제 6,392,246 호; 제 6,417,634 호; 제 6,433,495 호; 및 제 7,122,966 호 그리고 미국 특허 출원 공개 제 2005/0283199 호에 기재되어 있다. 추가의 예가 또한 미국 특허 제 5,521,469 호; 제 6,057,655 호: 제 7,466,085 호; 및 제 7,476,883 호에 제공된다. 또한, 본 명세서에 기재된 실시예와 함께 사용될 수 있는 동위원소 생성 시스템 및/또는 사이클로트론이 또한 공계류 중인 미국 특허 출원 제 12/492,200 호; 제 12/435,903 호; 제 12/435,949 호; 및 제 12/435,931 호에 기재되어 있다.
시스템(100)은 의학적 이미징, 연구, 및 치료에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 과학적 연구 또는 분석과 같은 의학적으로 관련되지 않은 다른 응용을 위한 방사성 동위원소(방사성 핵종으로도 불림)를 생성하도록 구성된다. 의학적 목적을 위해, 예를 들어 핵의학(Nuclear Medicine, NM) 이미징 또는 양전자 방사 단층 촬영(Positron Emission Tomography, PET) 이미징에 사용될 때, 방사성 동위원소는 또한 트레이서(tracer)로 불릴 수 있다. 예로서, 시스템(100)은 여러 동위원소를 만드는 양자를 발생시킬 수 있다. 부가적으로, 시스템(100)은 또한 예를 들어 여러 기체 또는 표지수(labeled water)를 생성하기 위해 양자 또는 중양자를 발생시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 시스템(100)은 1H- 기술을 사용하고 대략 10 내지 30 ㎂의 빔 전류로 하전 입자가 저 에너지(예를 들어, 약 8 MeV)가 되게 한다. 그러한 실시예에서, 음의 수소 이온은 가속화되고 사이클로트론(102)을 통해 그리고 추출 시스템(115) 내로 안내된다. 음의 수소 이온은 이어서 추출 시스템(115)의 스트립핑 포일(stripping foil)(도 1에 도시되지 않음)과 충돌하고 이에 의해 전자 쌍을 제거하고 입자를 양이온 1H+로 만들 수 있다. 그러나, 대안적인 실시예에서, 하전 입자는 양이온, 예를 들어 1H+, 2H+, 및 3He+일 수 있다. 그러한 대안 실시예에서, 추출 시스템(115)은 타겟 물질(116)을 향해 입자 빔을 안내하는 전기장을 생성하는 정전 편향기(electrostatic deflector)를 포함할 수 있다. 다양한 실시예가 저에너지 시스템에서의 사용으로 제한되는 것이 아니라, 더 높은 에너지 시스템, 예를 들어 최대 25 MeV 및 더 높은 빔 전류에 사용될 수 있음에 유의해야 한다.
시스템(100)은 각각의 구성요소에 의해 발생되는 열을 흡수하기 위해 냉각 또는 작동 유체를 여러 시스템의 다양한 구성요소로 운반하는 냉각 시스템(122)을 포함할 수 있다. 시스템(100)은 또한 다양한 시스템 및 구성요소의 작동을 제어하기 위해 기술자에 의해 사용될 수 있는 제어 시스템(118)을 포함할 수 있다. 제어 시스템(118)은 사이클로트론(102) 및 타겟 시스템(114)에 근접하게 또는 이로부터 원격에 위치된 하나 이상의 사용자-인터페이스를 포함할 수 있다. 도 1에 도시되어 있지 않지만, 시스템(100)은 또한 하기에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 사이클로트론(102) 및 타겟 시스템(114)을 위한 하나 이상의 방사선 및/또는 자기 차폐물을 포함할 수 있다.
시스템(100)은 의학적 이미징 또는 치료에 사용하기 위한 개개의 선량과 같이 미리결정된 양 또는 배치(batch)로 동위원소를 생성할 수 있다. 따라서, 상이한 수준의 활량을 갖는 동위원소가 제공될 수 있다.
시스템(100)은 하전 입자를 미리결정된 에너지 수준까지 가속하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 기술된 일부 실시예는 하전 입자를 대략 18 MeV 이하의 에너지까지 가속한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 하전 입자를 대략 16.5 MeV 이하의 에너지까지 가속한다. 특정 실시예에서, 시스템(100)은 하전 입자를 대략 9,6 MeV 이하의 에너지까지 가속한다. 보다 특정한 실시예에서, 시스템(100)은 하전 입자를 대략 8 MeV 이하의 에너지까지 가속한다. 다른 실시예는 하전 입자를 대략 18 MeV 이상, 예를 들어 20 MeV 또는 25 MeV의 에너지까지 가속한다.
타겟 시스템(114)은 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같은 자체-차폐형 타겟 몸체(300)를 갖는 자체-차폐형 타겟을 포함한다. 도 2 및 도 3에 조립되어(그리고 도 4 및 도 5에 분해도로) 도시된 자체-차폐형 타겟 몸체(300)는 자체-차폐형 타겟 몸체(300)의 외부 구조물을 한정하는 3개의 구성요소로 형성된다. 특히, 자체-차폐형 타겟 몸체(300)의 외부 구조물은 하우징 부분(302)(예를 들어, 전방 하우징 부분 또는 플랜지), 하우징 부분(304)(예를 들어, 냉각 하우징 부분 또는 플랜지) 및 하우징 부분(306)(예를 들어, 후방 하우징 부분 또는 플랜지 조립체)으로 형성된다. 하우징 부분(302, 304, 306)은 예를 들어 대응하는 와셔(310)를 각각 갖는 복수의 나사(308)로서 도시된, 임의의 적합한 패스너(fastener)를 사용해 함께 고정된 하위-조립체일 수 있다. 하우징 부분(302, 306)은 하우징 부분(304)이 중간 하우징 부분인 상태로 단부 하우징 부분일 수 있다. 하우징 부분(302, 304, 306)은 하우징 부분(306)의 전방 표면 상의 복수의 포트(312)를 갖는 밀봉된 타겟 몸체(300)를 형성하며, 이는 도시된 실시예에서 헬륨 및 물 공급부(도시되지 않음)에 연결될 수 있는 헬륨 및 물 입구 및 출구로서 작동한다. 부가적으로, 추가의 포트 또는 개구(314)가 타겟 몸체(300)의 상부 부분 및 바닥 부분에 제공될 수 있다. 개구(314)는 포트의 피팅(fitting) 또는 다른 부분을 내부에 수용하기 위해 제공될 수 있다.
하기에 기술된 바와 같이, 하전 입자를 위한 통로, 예를 들어 도 4에 화살표(P)로 도시된 바와 같이 타겟 몸체에 진입할 수 있는 양자 빔을 위한 경로가 타겟 몸체(300) 내에 제공된다. 하전 입자는 입자 경로 입구로서 작용하는 관형 개구(319)로부터 하전 입자의 최종 목적지인 공동(cavity)(318)(도 6에 도시됨)으로 타겟 몸체(300)를 통해 이동한다. 공동(318)은 다양한 실시예에서 예를 들어 약 2.5 밀리리터(㎖)의 물로 물 충전되고, 이에 의해 조사수(irradiated water)(H2 180)를 위한 위치를 제공한다. 공동(318)은, 예를 들어 하나의 면 상에 개구를 갖는 공동(322)을 구비한 니오브 재료로 형성된 몸체(320) 내에 한정된다. 몸체(320)는 예를 들어 피팅을 내부에 수용하기 위한 상부 및 바닥 개구(314)를 포함한다.
공동(318)은 다양한 실시예에서 상이한 액체 또는 기체로 충전됨에 유의해야 한다. 또 다른 실시예에서, 공동(318)은 고체 타겟으로 충전될 수 있으며, 여기서 조사된 재료는 예를 들어 소정의 동위원소의 생성에 적합한 재료의 도금된 고체 몸체이다.
몸체(320)는 하우징 부분(306)과 하우징 부분(304) 사이에, 하우징 부분(306)에 인접한 밀봉 링(326)(예를 들어, O-링)과, 포일(foil) 부재(328), 예를 들어 금속 포일 부재, 예를 들어 하우징 부분(304)에 인접한, 하버(Havar)와 같은, 열처리가능한 코발트계 합금으로 형성된 합금 디스크 사이에 정렬된다. 하우징 부분(306)이 또한 밀봉 링(326) 및 몸체(320)의 일부분을 내부에 수용하도록 형상화되고 크기설정된 공동(330)을 포함함에 유의해야 한다. 부가적으로, 하우징 부분(304)은 포일 부재(328)의 일부분을 내부에 수용하도록 크기설정되고 형상화된 공동(332)을 포함한다. 포일 부재(328)는 몸체(320)의 공동(322) 내에 끼워맞춤되도록 구성된 밀봉 가장자리부(336)(예를 들어, 헬리코플렉스(Helicoflex) 가장자리부)를 포함할 수 있으며, 포일 부재(328)는 또한 하우징 부분(304)을 관통하는 개구(338)와 정렬된다.
다른 포일 부재(340)가 선택적으로 하우징 부분(304)과 하우징 부분(302) 사이에 제공될 수 있다. 포일 부재(340)는 유사하게 포일 부재(328)와 유사한 합금 디스크일 수 있다. 포일 부재(340)는 주위에 환형 림(rim)(342)을 갖는 하우징 부분(304)의 개구(338)와 정렬된다. 시일(seal)(344), 하우징 부분(302)의 개구(348)와 정렬된 밀봉 링(346), 및 하우징 부분(302)의 림(352) 상으로 끼워맞춤된 밀봉 링(350)이 포일 부재(340)와 하우징 부분(302) 사이에 제공된다. 더 많은 또는 더 적은 포일 부재, 예를 들어 포일 부재가 제공될 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 포일 부재(328)만이 포함되고 포일 부재(340)는 포함되지 않는다. 따라서, 단일 포일 부재 또는 다수 포일 부재 배열이 다양한 실시예에 의해 고려된다.
포일 부재(328, 340)는 디스크 또는 원형 형상으로 제한되지 않으며 여러 형상, 구성 및 배열로 제공될 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 포일 부재(328, 340) 중 하나 이상, 또는 추가의 포일 부재는 특히 정사각형 형상, 직사각형 형상, 또는 타원형 형상일 수 있다. 또한, 포일 부재(328, 340)는 특정 재료로 형성되는 것으로 제한되는 것이 아니라, 다양한 실시예에서 활성화 재료, 예를 들어 본 명세서에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 내부에 유도된 방사능을 가질 수 있는 중간 정도 또는 고도의 활성화 재료로 형성됨에 유의해야 한다. 일부 실시예에서, 포일 부재(328, 340)는 금속성이며 하나 이상의 금속으로부터 형성된다.
알 수 있는 바와 같이, 타겟 몸체(300)가 조립될 때 복수의 핀(354)이 하우징 부분(302, 304, 306) 각각의 개구(356) 내에 이들 구성요소와 정렬되도록 수용된다. 부가적으로, 하우징 부분(302)의 보어(362)(예를 들어, 나사산이 형성된 보어) 내에 고정되는 나사(308)를 하우징 부분(304)의 개구(360)를 통해 수용하기 위해 복수의 밀봉 링(358)이 하우징 부분(304)의 개구(360)와 정렬된다.
작동 동안에, 양자 빔이 타겟 몸체(300)를 통과해 하우징 부분(302)으로부터 공동(318) 내로 이동함에 따라, 포일 부재(328, 340)는 크게 활성화될 수 있다(예를 들어, 내부에 유도된 방사능). 특히, 예를 들어 얇은(예를 들어, 5 내지 50 마이크로미터 또는 미크론(micron)(㎛)) 포일 합금 디스크일 수 있는 포일 부재(328, 340)는 가속기, 그리고 특히 가속기 챔버 내부의 진공을 공동(322) 내의 물로부터 격리시킨다. 포일 부재(328, 340)는 또한 냉각 헬륨이 이들을 통과해 그리고/또는 포일 부재(328, 340) 사이를 지나가게 한다. 양자 빔이 통과하는 것을 허용하는 두께를 포일 부재(328, 340)가 갖는데, 이는 포일 부재(328, 340)가 고도로 조사되고 활성화된 채로 유지되게 하는 것에 유의해야 한다.
일부 실시예는 활성화된 포일 부재(328, 340)로부터의 방사선이 타겟 몸체(300)를 떠나는 것을 차폐 및/또는 방지하도록 타겟 몸체(300)를 능동적으로 차폐하는 타겟 몸체(300)의 자체-차폐를 제공한다. 따라서, 포일 분재(328, 340)는 능동적 방사선 차폐물에 의해 캡슐화된다. 구체적으로, 하우징 부분(302, 304, 306) 중 적어도 하나, 그리고 일부 실시예에서 이들 전부는 타겟 몸체(300) 내의 방사선을 감쇠시키는 재료로, 그리고 특히 포일 부재(328, 340)로 형성된다. 하우징 부분(302, 304, 306)은 동일한 재료, 상이한 재료, 또는 동일하거나 상이한 재료의 상이한 양 또는 조합으로 형성될 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 하우징 부분(302, 304)은 알루미늄과 같은 동일한 재료로 형성될 수 있고, 하우징 부분(306)은 알루미늄과 텅스텐의 조합으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에서, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306), 또는 이들의 부품 중 하나 이상이 알루미늄보다 높거나 큰 밀도를 갖는 재료로 형성된다. 일부 실시예에서, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306) 중 적어도 하나를 형성하는 재료는 2.70 g/㎤의 실온 부근에서의 밀도를 갖는 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는다. 예를 들어, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306) 중 하나 이상은 약 5 g/㎤의 밀도값과 같은, 알루미늄보다 큰 밀도를 갖는 금속 또는 합금과 같은 재료(들)로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306) 중 하나 이상은 5 g/㎤ 초과의 밀도값, 예를 들어 약 10 g/㎤의 밀도값을 갖는 금속 또는 합금과 같은 재료(들)로 형성될 수 있다. 이들 실시예에서, 예를 들어 재료는 일반적으로 강철(약 8 g/㎤의 실온 부근에서의 밀도를 가짐)의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는다. 다른 실시예에서, 밀도값은 예를 들어 10 g/㎤ 초과이다. 그러나, 더 큰 또는 더 작은 밀도값을 갖는 다른 재료 또는 합금, 예를 들어 텅스텐(19.25 g/㎤의 실온 부근에서의 밀도를 가짐) 또는 텅스텐 단독보다 낮은 밀도값을 갖는 텅스텐 합금이 사용될 수 있음에 유의해야 한다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 텅스텐 합금은 19.25 g/㎤ 미만의 밀도값을 가지며 다른 금속, 예를 들어 특히 니켈, 구리 또는 철을 포함한다. 다른 실시예에서, 예를 들어 납 합금이 사용될 수 있다. 본 명세서에서 특정 밀도값 또는 특정 밀도값보다 큰 것을 언급한 경우, 일부 실시예에서 밀도값은 또한 그 특정 밀도값과 같거나 약간 작을 수 있음에 또한 유의해야 한다.
따라서, 다양한 실시예에서, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306), 또는 이들의 부품 중 적어도 하나는, 알루미늄을 포함할 수 있고 알루미늄보다 높은 밀도값을 갖는 하나 이상의 재료로 형성된다. 예를 들어, 텅스텐을 함유하는 합금 및 마그네슘, 구리 및/또는 철 중 하나 이상의 조합이 일부 실시예에서 제공될 수 있다.
하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306)은 특히 포일 부재(328, 340)와 타겟 몸체(300)의 외부 사이의, 각각의 두께가 차폐를 제공하여 그로부터 방출되는 방사선을 감소시키도록 형성된다. 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306)이 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 임의의 재료로 형성될 수 있음에 유의해야 한다. 또한, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및/또는 하우징 부분(306) 각각은 본 명세서에 더 상세하게 설명된 바와 같이 상이한 재료 또는 재료의 조합으로 형성될 수 있다.
따라서, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및 하우징 부분(306) 또는 이들의 부분 중 적어도 하나는, 예를 들어 방사능이 포일 부재(328, 340) 내에 유도될 때, 포일 부재(328, 340)를 에워싸거나 둘러싸 차폐를 제공한다. 예를 들어, 하우징 부분(302), 하우징 부분(304) 및 하우징 부분(306) 중 임의의 하나 내의 리세스(recess)가 포일 부재(328, 340) 중 하나의 일부분을 내부에 수용할 수 있다.
타겟 몸체(300)가 여러 구성으로 제공될 수 있으며 도 2 내지 도 5에 도시된 구성요소 및 배열로 제한되지 않음에 유의해야 한다. 따라서, 방사선으로부터, 예를 들어 타겟 몸체 내의 활성화된 구성요소로부터 타겟의 외부를 차폐하도록 더 높은 밀도의 재료, 특히 알루미늄보다 높은 밀도의 재료로 하우징 부분 또는 구성요소 중 하나 이상을 형성함으로써 임의의 유형 또는 구성의 타겟과 관련해 다양한 실시예가 구현될 수 있다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 다양한 실시예가 타겟(400)과 관련해 구현될 수 있으며, 여기서 방사능 활성 구성요소(402)(예를 들어, 방사능으로 유도되는 것에 민감한 구성요소), 예를 들어 동위원소 생성 시스템의 작동 동안에 방사선에 의해 크게 활성화될 수 있는 구성요소가 더 높은 밀도값, 예를 들어 알루미늄보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성된 케이싱(404)(또는 그것의 일부분) 내에서 차폐된다. 케이싱(404)은 타겟 하우징의 일부분을 형성할 수 있다.
다양한 실시예는 또한 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟을 제공하기 위한 도 7에 도시된 바와 같은 방법(500)을 포함한다. 이러한 방법은 방사선 차폐물로서 작용하도록 단계 502에서 타겟 몸체의 하나 이상의 부분을 제공하는 단계를 포함한다. 타겟 몸체의 부분은 임의의 적합한 유형의 방사선 차폐 재료, 예를 들어 본 명세서에 더 상세하게 설명된 바와 같이 알루미늄보다 큰 밀도를 갖는 재료로 형성될 수 있다. 그 후에, 방사능 활성 구성요소, 예를 들어 동위원소 생성 시스템의 작동 동안에 활성화되는 포일 부재가 단계 504에서 차폐된 부분에 의해 둘러싸인다. 예를 들어, 방사능 활성 구성요소를 포함하는 타겟 몸체의 부분이 차폐된 부분과 정렬된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 방사능 활성 구성요소는 일반적으로 방사선에 의해 활성화될 수 있는 구성요소를 말하거나 방사능이 그 구성요소 내에 유도될 수 있음에 유의해야 한다.
이어서 능동적 자체-차폐형 타겟 시스템이 제공되도록 단계 506에서 타겟 몸체가 조립된다. 능동적 차폐는 타겟의 정비, 운반 및 보관 동안뿐만 아니라 동위원소 생성 시스템의 작동 동안에 감마 방사선 감쇠를 제공한다.
본 명세서에 설명된 실시예는 의학적 용도를 위한 방사성 동위원소를 발생시키는 것으로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 다른 동위원소를 발생시키고 다른 타겟 물질을 사용할 수도 있다. 또한, 다양한 실시예는 상이한 가속기, 예를 들어 나선형 가속기 대신에 선형 가속기 또는 레이저 유도 가속기뿐만 아니라, 상이한 배향을 갖는(예를 들어, 수직 또는 수평으로 배향됨) 상이한 종류의 사이클로트론과 관련해 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시예는 전술된 바와 같은 동위원소 생성 시스템, 타겟 시스템, 및 사이클로트론을 제조하는 방법을 포함한다.
상기의 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도됨을 이해하야여 한다. 예를 들어, 전술된 실시예(및/또는 그것의 태양)는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 특정 상황 또는 재료를 본 발명의 교시에 맞추기 위해 많은 변경이 이루어질 수 있다. 본 명세서에 설명된 재료의 치수 및 유형이 다양한 실시예의 파라미터를 한정하도록 의도되지만, 다양한 실시예는 결코 제한적이지 않으며 예시적인 실시예이다. 상기의 설명을 검토하면 많은 다른 실시예가 당업자에게 명백해질 것이다. 따라서, 다양한 실시예의 범주는 첨부된 특허청구범위를, 그러한 특허청구범위에 부여되는 등가물의 전체 범주와 함께 참조하여 결정되어야 한다. 첨부된 특허청구범위에서, 용어 "포함하는(including)" 및 "여기서(in which)"는 각자의 용어 "포함하는(comprising)" 및 "여기서(wherein)"의 평이한 영어의 등가물로서 사용된다. 더욱이, 하기의 특허청구범위에서, 용어 "제 1", "제 2", 및 "제 3" 등은 단지 라벨로서 사용되며, 그것의 대상에 숫자 요건을 부과하고자 하는 것은 아니다. 또한, 하기의 특허청구범위의 한정은, 그러한 특허청구범위 한정이 추가의 구조가 없는 기능의 진술이 뒤따르는 문구 "~하기 위한 수단"을 명시적으로 사용하지 않는 한, 수단-플러스-기능(means-plus-function) 형태로 기재되지 않으며 35 U.S.C. § 112, 제 6 절에 기초해 해석되도록 의도되지 않는다.
본 명세서는 최선의 형태를 비롯해 다양한 실시예를 개시하기 위해, 그리고 또한 임의의 장치 또는 시스템을 제조 및 사용하는 것 그리고 임의의 포함된 방법을 수행하는 것을 비롯해 당업자가 다양한 실시예를 실시하는 것을 가능하게 하기 위해 예를 사용한다. 다양한 실시예의 특허가능한 범주는 특허청구범위에 의해 한정되며, 당업자에게 떠오르는 다른 예를 포함할 수 있다. 그러한 다른 예는, 그 예가 특허청구범위의 문언과 상이하지 않은 구조적 요소를 갖는다면, 또는 그 예가 특허청구범위의 문언과 실질적으로 차이가 없는 등가의 구조적 요소를 포함한다면, 특허청구범위의 범주 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (28)

  1. 동위원소 생성 시스템용 타겟(target: 400)에 있어서,
    하전 입자 빔(charged particle beam)을 내부로 관통시키기 위한 통로를 갖는 하우징으로서, 상기 하우징은 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성된 차폐부(shielding portion)와, 상기 통로의 길이방향을 따라서 상기 차폐부에 밀봉되게 접합되는 추가부(additional portion)를 가지는, 상기 하우징과,
    상기 하우징의 상기 차폐부의 내부의 챔버로서, 상기 챔버는 상기 통로의 적어도 일부분이 그 내부로 연장되도록 배치된, 상기 챔버와,
    상기 챔버의 안으로 적재되고 상기 차폐부와 상기 추가부 사이에 끼어 있는 몸체로서, 상기 몸체는 타겟 물질을 유지하도록 구성된 공동을 포함하고, 상기 하전 입자 빔이 상기 통로를 통과할 때, 상기 하전 입자 빔으로부터 하전된 입자들을 수용하도록 상기 몸체는 상기 통로 내에 위치하는, 상기 몸체를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성되고, 상기 추가부는 알루미늄의 밀도값보다 큰 밀도값을 갖는 재료로 형성되지 않은
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체와, 상기 차폐부 또는 상기 추가부 중 적어도 하나와의 사이에 끼어 있는 적어도 하나의 포일 부재를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 포일 부재는 활성화 재료로 형성되고, 방사능이 상기 하전 입자 빔에 의해 내부에서 유도될 수 있는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 5 g/㎤ 초과의 밀도값을 갖는 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 10 g/㎤ 초과의 밀도값을 갖는 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 텅스텐 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 텅스텐 합금 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 납 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐부는 납 합금 재료를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징 내에 타겟 물질을 포함하며, 상기 하전 입자 빔은 상기 타겟 물질로부터 양전자 방사 단층 촬영(Positron Emission Tomography, PET) 방사성 동위원소를 형성하도록 구성되는
    동위원소 생성 시스템용 타겟.
  12. 동위원소 생성 시스템(100)에 있어서,
    자석 요크(magnet yoke)를 포함하고 가속 챔버를 갖는 사이클로트론(cyclotron); 및
    상기 가속 챔버에 인접하게 또는 상기 가속 챔버로부터 소정 거리에 위치된, 제 1 항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 타겟을 포함하고,
    상기 사이클로트론은 상기 가속 챔버로부터의 입자 빔을 타겟 물질로 지향시키도록 구성된
    동위원소 생성 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 타겟의 차폐부는 텅스텐으로 형성되는
    동위원소 생성 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 타겟의 차폐부는 텅스텐 합금으로 형성되는
    동위원소 생성 시스템.
  15. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 타겟을 제조하는 방법에 있어서,
    5 g/㎤ 초과의 밀도값을 갖는 재료로 타겟 하우징의 하나 이상의 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 타겟 하우징의 부분 중 적어도 하나로 방사능 활성 구성요소를 둘러싸는 단계를 포함하는
    동위원소 생성 시스템용 차폐된 타겟 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
KR1020127030152A 2010-04-19 2011-03-23 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟 KR101835659B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/763,049 2010-04-19
US12/763,049 US9693443B2 (en) 2010-04-19 2010-04-19 Self-shielding target for isotope production systems
PCT/US2011/029499 WO2011133281A1 (en) 2010-04-19 2011-03-23 Self-shielding target for isotope production systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130052571A KR20130052571A (ko) 2013-05-22
KR101835659B1 true KR101835659B1 (ko) 2018-03-08

Family

ID=44148606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127030152A KR101835659B1 (ko) 2010-04-19 2011-03-23 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9693443B2 (ko)
EP (1) EP2561727B1 (ko)
JP (2) JP6152341B2 (ko)
KR (1) KR101835659B1 (ko)
CN (2) CN108901116B (ko)
CA (1) CA2796935C (ko)
WO (1) WO2011133281A1 (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9894746B2 (en) 2012-03-30 2018-02-13 General Electric Company Target windows for isotope systems
CA2816453C (en) * 2013-05-23 2019-09-17 Canadian Light Source Inc. Production of molybdenum-99 using electron beams
CN103712558B (zh) * 2013-12-18 2016-05-04 中国原子能科学研究院 回旋加速器轴向注入线的对中测量方法和装置
US9961756B2 (en) * 2014-10-07 2018-05-01 General Electric Company Isotope production target chamber including a cavity formed from a single sheet of metal foil
US20160141062A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-19 General Electric Company Target body for an isotope production system and method of using the same
WO2016120120A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Areva Gmbh Irradiation target for radioisotope production, method for preparing and use of the irradiation target
US10249398B2 (en) 2015-06-30 2019-04-02 General Electric Company Target assembly and isotope production system having a vibrating device
US9991013B2 (en) * 2015-06-30 2018-06-05 General Electric Company Production assemblies and removable target assemblies for isotope production
KR101904401B1 (ko) * 2015-12-08 2018-10-05 한국원자력의학원 방사성 동위원소 생성용 타겟 장치
US10595392B2 (en) 2016-06-17 2020-03-17 General Electric Company Target assembly and isotope production system having a grid section
GB2552151A (en) * 2016-07-08 2018-01-17 Univ Oslo Cyclotron target
US10354771B2 (en) 2016-11-10 2019-07-16 General Electric Company Isotope production system having a target assembly with a graphene target sheet
FR3061403B1 (fr) * 2016-12-22 2023-02-17 P M B Systeme de ciblerie a gaz pour production de radio-isotopes
US20180322972A1 (en) * 2017-05-04 2018-11-08 General Electric Company System and method for making a solid target within a production chamber of a target assembly
CN107342114A (zh) * 2017-06-30 2017-11-10 中国科学院近代物理研究所 靶装置、同位素或中子产生装置和产生同位素或中子的方法
US10109383B1 (en) 2017-08-15 2018-10-23 General Electric Company Target assembly and nuclide production system
JP7344275B2 (ja) * 2018-08-27 2023-09-13 デイナ ファーバー キャンサー インスティチュート，インコーポレイテッド 液体取り出しを利用したコンパクトな多重同位体固体ターゲットシステム
CN111465165A (zh) * 2019-01-22 2020-07-28 住友重机械工业株式会社 自屏蔽回旋加速器系统
KR102044776B1 (ko) * 2019-01-25 2019-11-14 한국원자력의학원 윈도우 포일 용이 교체 구조를 포함하는 동위원소 생산용 타겟
JP7309268B2 (ja) * 2019-03-29 2023-07-18 住友重機械工業株式会社 Ｒｉ製造装置用の自己シールド
CN111683450B (zh) * 2020-03-26 2022-10-04 西安迈斯拓扑科技有限公司 一种气体冷却加速器生产放射性同位素的靶室装置
US11832374B1 (en) 2020-10-01 2023-11-28 Consolidated Nuclear Security, LLC Method of making an annular radioisotope target having a helical coil-shaped foil ribbon between cladding tubes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040100214A1 (en) * 2002-05-13 2004-05-27 Karl Erdman Particle accelerator assembly with high power gas target
US20070137847A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Plansee Se First-wall component with tube segment
JP2008547019A (ja) * 2005-06-24 2008-12-25 ヴァリアン メディカル システムズ テクノロジーズ インコーポレイテッド 放射線走査用の中性子放射の低いｘ線放射線源
US20090052628A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Governors Of The Universty Of Alberta Target foil for use in the production of [18f] using a particle accelerator

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3852610A (en) 1973-02-26 1974-12-03 Varian Associates Transmission ion chamber
JPS57142600A (en) * 1981-02-28 1982-09-03 Japan Steel Works Ltd Target device
JPS57151600U (ko) * 1981-03-18 1982-09-22
JPH032695A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Nisshin Steel Co Ltd 高除熱性の放射線しゃへい材
US5235239A (en) 1990-04-17 1993-08-10 Science Research Laboratory, Inc. Window construction for a particle accelerator
JPH0429100A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Mitsubishi Electric Corp 荷電粒子阻止装置
BE1005530A4 (fr) 1991-11-22 1993-09-28 Ion Beam Applic Sa Cyclotron isochrone
US5392319A (en) * 1992-12-22 1995-02-21 Eggers & Associates, Inc. Accelerator-based neutron irradiation
JPH06222150A (ja) 1993-01-28 1994-08-12 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 粒子加速器のスクリーンモニタ
JPH0757668A (ja) * 1993-08-10 1995-03-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Ｘ線ターゲット
BE1009669A3 (fr) 1995-10-06 1997-06-03 Ion Beam Applic Sa Methode d'extraction de particules chargees hors d'un cyclotron isochrone et dispositif appliquant cette methode.
US5917874A (en) 1998-01-20 1999-06-29 Brookhaven Science Associates Accelerator target
SE513192C2 (sv) 1998-09-29 2000-07-24 Gems Pet Systems Ab Förfarande och system för HF-styrning
SE513191C2 (sv) 1998-09-29 2000-07-24 Gems Pet Systems Ab Snabbkoppling
SE513193C2 (sv) 1998-09-29 2000-07-24 Gems Pet Systems Ab Integralt strålningsskydd
WO2002020434A1 (en) 2000-09-07 2002-03-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Synthesis of 17f labeled fluoroalkanes
US6917044B2 (en) 2000-11-28 2005-07-12 Behrouz Amini High power high yield target for production of all radioisotopes for positron emission tomography
JP4387679B2 (ja) 2003-03-27 2009-12-16 住友重機械工業株式会社 ターゲット装置
US6954515B2 (en) 2003-04-25 2005-10-11 Varian Medical Systems, Inc., Radiation sources and radiation scanning systems with improved uniformity of radiation intensity
JP4714884B2 (ja) 2004-03-29 2011-06-29 独立行政法人国立循環器病研究センター 粒子線加速器
US7888891B2 (en) 2004-03-29 2011-02-15 National Cerebral And Cardiovascular Center Particle beam accelerator
US7030399B2 (en) 2004-03-31 2006-04-18 Cti Molecular Imaging, Inc. Closure for shielding the targeting assembly of a particle accelerator
US7786442B2 (en) 2004-06-18 2010-08-31 General Electric Company Method and apparatus for ion source positioning and adjustment
JP4994589B2 (ja) 2004-11-08 2012-08-08 住友重機械工業株式会社 放射性同位元素製造用ターゲット
US7122966B2 (en) 2004-12-16 2006-10-17 General Electric Company Ion source apparatus and method
JP2007047096A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Hitachi Ltd 放射性同位元素製造装置、及びその据付方法
JP4537924B2 (ja) 2005-09-29 2010-09-08 株式会社日立製作所 加速器利用システム
JP4099187B2 (ja) * 2005-09-30 2008-06-11 株式会社日立製作所 放射性同位元素製造装置、及びターゲットのリサイクル方法
EP2389977A3 (en) 2005-11-18 2012-01-25 Still River Systems, Inc. Charged particle radiation therapy
US7466085B2 (en) 2007-04-17 2008-12-16 Advanced Biomarker Technologies, Llc Cyclotron having permanent magnets
US7476883B2 (en) 2006-05-26 2009-01-13 Advanced Biomarker Technologies, Llc Biomarker generator system
EP2027586A4 (en) 2006-06-13 2010-11-24 Semequip Inc ION EMBELLER AND METHOD FOR ION IMPLANTATION
US20090206275A1 (en) 2007-10-03 2009-08-20 Silcon Genesis Corporation Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing
EP2146555A1 (en) 2008-07-18 2010-01-20 Ion Beam Applications S.A. Target apparatus for production of radioisotopes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040100214A1 (en) * 2002-05-13 2004-05-27 Karl Erdman Particle accelerator assembly with high power gas target
JP2008547019A (ja) * 2005-06-24 2008-12-25 ヴァリアン メディカル システムズ テクノロジーズ インコーポレイテッド 放射線走査用の中性子放射の低いｘ線放射線源
US20070137847A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Plansee Se First-wall component with tube segment
US20090052628A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Governors Of The Universty Of Alberta Target foil for use in the production of [18f] using a particle accelerator

Also Published As

Publication number Publication date
CA2796935A1 (en) 2011-10-27
KR20130052571A (ko) 2013-05-22
US20110255646A1 (en) 2011-10-20
JP6276745B2 (ja) 2018-02-07
CN108901116A (zh) 2018-11-27
EP2561727B1 (en) 2019-09-25
CN102960074A (zh) 2013-03-06
WO2011133281A1 (en) 2011-10-27
JP2016035478A (ja) 2016-03-17
EP2561727A1 (en) 2013-02-27
CA2796935C (en) 2018-08-07
JP6152341B2 (ja) 2017-06-21
JP2013527922A (ja) 2013-07-04
US9693443B2 (en) 2017-06-27
CN108901116B (zh) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101835659B1 (ko) 동위원소 생성 시스템을 위한 자체-차폐형 타겟
EP2832191B1 (en) Target windows for isotope production systems
KR101689246B1 (ko) 분리된 차폐부를 가지는 동위원소 생성 시스템
US10249398B2 (en) Target assembly and isotope production system having a vibrating device
US10595392B2 (en) Target assembly and isotope production system having a grid section
US20170208676A1 (en) Radio-frequency electrode and cyclotron configured to reduce radiation exposure
US10354771B2 (en) Isotope production system having a target assembly with a graphene target sheet
JP2011007733A (ja) 放射線照射装置
Paul et al. A 50 kW liquid-lithium target for BNCT and material-science applications
Asova et al. Status of Simulations for the Cyclotron Laboratory at the Institute for Nuclear Research and Nuclear Energy
Mukherjee Principle of radiological shielding of medical cyclotrons

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20121116

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160128

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170119

Patent event code: PE09021S01D

PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20171130

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180228

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20180302

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210202

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220125

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230126

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240215

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250210

Start annual number: 8

End annual number: 8