KR101833762B1 - 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템 - Google Patents

플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템 Download PDF

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Abstract

플라즈마 공정에 사용되는 챔버의 내부를 관리하기 위한 시스템, 방법 및 챔버 내부를 측정하기 위한 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템은, 챔버의 벽면에 위치하여 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부 및 챔버 내부 상태 측정부의 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여, 제1 전극 및 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 연산부를 포함한다.

Description

플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템{Management System for Chamber for Plasma Processing}
본 발명은 플라즈마 공정용 챔버에 있어서, 공면전극에 생성되는 정전용량의 변화량을 측정하기 위한 시스템, 장치 및 방법에 관한 것이다.
보다 상세하게는, 플라즈마 공정용 챔버에 있어서, 공면전극에 생성되는 정전용량의 변화량을 측정하여 플라즈마 공정용 챔버의 내부를 관리하기 위한 시스템 및 장치에 관한 것이다.
플라즈마 공정에 이용되는 챔버는, 반도체, 디스플레이, 태양전지 등 산업분야에 널리 사용되고 있다. 플라즈마 공정에 있어서, 공정에 이용되는 챔버(chamber)의 세정은 매우 중요하다. 챔버의 표면에 증착된 오염물은 공정 결과물의 수율에 영향을 미칠 뿐 만 아니라, 적절한 시기에 챔버 세정을 수행하지 아니하면 시간과 비용의 큰 손실이 발생한다. 따라서, 챔버의 세정 주기를 정확히 진단하고 챔버의 최적의 상태를 유지하도록 하는 방안이 요구된다.
기존에 사용되고 있던 챔버의 세정 시기 결정 방법은, 공정 결과물의 박막 두께를 측정하여 챔버벽에 증착된 오염물의 두께를 추정하는 방법이 주로 이용되었으나, 이는 정확한 세정 시기를 예측하기 어렵고 세정의 종점 파악이 어렵다는 문제가 있었다. 따라서, 세정 시기를 놓쳐 고액의 유지 보수 비용이 발생할 위험이 있었고 세정 시기를 올바르게 판단했을지라도 세정의 종점을 파악할 수 없어 세정에 사용되는 가스를 다량 사용하여 낭비가 발생하는 문제가 있었다.
한편, 종래의 플라즈마 측정 방법으로서 직접 플라즈마에 탐침을 접촉하여 전기적 특성을 측정하는 방식이 이용되었으나, 이는 플라즈마에 영향을 미쳐 정밀한 측정이 어렵다는 단점이 있다. 이에, 플라즈마에 영향을 미치지 아니하고 내부 챔버의 측정이 가능한 방법이 요구되었다.
공개특허 10-2011-0118337
본 발명은 플라즈마 공정에 이용되는 챔버 내부를 측정하기 위한 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 공정에 이용되는 챔버 내부의 오염 정도를 측정하고, 챔버 내부의 적절한 세정 시기를 결정하는 시스템, 방법 및 장치를 제공하는 것으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템은, 챔버의 벽면에 위치하여 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부 및 챔버 내부 상태 측정부의 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여, 제1 전극 및 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 연산부를 포함한다.
이때, 챔버 내부 상태 측정부에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 케이블은 동축 케이블로 구현될 수 있으며, 챔버의 벽면과 인접하여, 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함할 수 있다. 케이스는 스테인리스 스틸 또는 세라믹으로 구현될 수 있다.
챔버 내부 상태 측정부에 있어서, 유전체는, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착될 수 있으며, 제1 전극 및 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용될 수 있다.
또한, 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 양을 계산하고, 챔버의 내부 세정 장치를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 제어부는, 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 오염 물질 계산부 및 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 챔버의 내부 세정 장치를 가동하는 세정 장치 제어부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템에은, 획득한 정전용량 정보 또는 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 출력부를 더 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법은, 챔버의 벽면에 위치하여 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부를 이용하여, 챔버 내부 상태를 측정하는 단계 및 챔버 내부 상태 측정부의 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여, 제1 전극 및 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 단계를 포함한다.
이때, 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 단계를 더 포함할 수 있다. 혹은, 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 챔버의 내부 세정 장치를 가동하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 획득한 정전용량 정보 또는 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다.
챔버 내부 상태를 측정하는 단계에 있어서 유전체는, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착될 수 있다. 또한 제1 전극 및 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용될 수 있다.
다른 실시예에 따른 챔버 내부 상태 측정부는, 챔버의 벽면과 인접하여, 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치는, 챔버의 벽면에 위치하여 일면이 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용되는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용되는 제2 전극을 포함한다.
이때, 전극 및 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 케이블은 동축 케이블인 것으로 구현될 수 있으며, 유전체는, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착될 수 있고, 유전체는 실리콘 웨이퍼 또는 유리로 이루어질 수 있으며, 챔버의 벽면과 동일한 재질로 구현될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템 등에 의하면, 플라즈마 공정에 직접적인 영향을 미치지 아니하고, 플라즈마 공정용 챔버의 내부를 측정할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템 등에 의하면, 플라즈마 공정용 챔버의 내부에 증착되는 오염물질의 정량적 측정을 통하여 플라즈마 내부의 세정 시기를 결정할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치의 실시 과정을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템의 개념도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치의 작동 원리 일부를 간략히 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치의 작동 원리 일부를 간략히 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치의 실험 결과를 도시한 것이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템의 실시에 따른 가상의 실험 결과를 도시한 것이다.
발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니다. 그리고, 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략되며, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 “...부”, “...기”, “모듈”, “블록” 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템을 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)은, 챔버 내부 상태 측정 장치(10), 연산부(20)를 구비할 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)은, 제어부(30) 또는 출력부(40)를 추가적으로 구비할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리(1) 시스템은, 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 분야에서 널리 활용되는 플라즈마 공정에서 이용되는 챔버(chamber)의 내부 관리를 목적으로 한다. 특히, 챔버 내부의 공정에 영향을 미치지 아니하고 챔버 내부 상태, 특히 챔버 내부의 오염상태를 파악할 수 있다. 본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리(1) 시스템은, 진공 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태를 측정하고, 전기용량 정보를 획득할 수 있다. 실시예에 따라, 전기용량 정보를 이용하여, 챔버 내부 벽면에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하거나, 전기용량 정보 또는 오염 물질의 두께를 출력할 수 있다. 또한, 오염 물질의 두께를 실시간으로 모니터링 하여, 세정의 시기와 종기를 결정하고, 챔버 내부 세정 장치를 제어할 수 있다.
챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 챔버의 벽면에 위치하여 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함할 수 있다. 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 플라즈마 공정용 챔버의 벽면에 일체로서 설치되어, 유전체와 유전체에 연결되는 전극을 통하여 전극들 간의 전기용량을 획득하기 위하여 필요한 정보를 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 내부 상태 측정 장치(10)의 유전체는, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되도록 구현될 수 있다. 또한 유전체는, 챔버의 벽면과 동일한 재질로 구현되어, 플라즈마 공정에 미치는 영향을 최소화 하도록 할 수 있으며, 유전체의 재질은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 또는 유리(glass)인 것으로 할 수 있다. 유전체는 제1 전극 및 제2 전극이 플라즈마 입자와 직접적으로 접촉하지 않도록 하여 공정에 영향을 미치지 아니하고 정확한 정보 획득이 가능하도록 하며, 유전체의 챔버 내부를 향하는 일면에는 플라즈마에 의하여 전하가 쌓이며, 오염 물질이 증착되어 제1 전극 및 제2 전극에 의하여 측정되는 정보가 변경될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 내부 상태 측정 장치(10)의 제1 전극 및 제2 전극은, 공면 전극(coplanar electrode)으로서 동일 평면상에 위치하고, 유전체의 챔버 외부를 향하는 일면과 연결되며 전기용량(capacitance)의 측정에 이용된다. 또한, 위치에 따라 각 전극 간의 거리가 변하지 않는 형태로 구현되는 것이 바람직하며, 쉽게 산화되지 않는 금속 재질을 이용함이 바람직하다.
본 발명의 제1 전극 및 제2 전극은, 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 케이블은 동축 케이블인 것으로 구현될 수 있다. 동축 케이블을 이용할 경우, 노이즈가 차폐되는 효과가 있으며, 보다 넒은 주파수 대역을 취할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 내부 상태 측정 장치(10)의 제1 전극 및 제2 전극은, 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용될 수 있다. 이러한 두 전극 간의 정전 용량의 측정은, 제1 전극 및 제2 전극을 프로브(probe)로 가지고, 별도로 구비되는 정전 용량 측정 장치에 의하여 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 챔버의 벽면과 인접하여, 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 포함하여 구현될 수 있다. 이때, 케이스는 스테인리스 스틸(stainless steel) 또는 세라믹(ceramic)으로 구현되어, 노이즈를 차폐하도록 구현함이 바람직하다.
연산부(20)는, 챔버 내부 상태 측정부의 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여, 제1 전극 및 제2 전극 사이에서의 정전 용량 정보를 획득할 수 있다. 연산부(20)는, 제1 전극 및 제2 전극에 소정의 전압을 인가하고, 제1 전극 및 제2 전극 사이으로부터 정전 용량 정보를 측정하여 정전 용량 정보의 시간에 따라 변화하는 추이를 계산할 수 있다. 연산부(20)는 제1 전극 및 제2 전극 사이의 정전 용량을 계산하여, 제어부(30)로 전달할 수 있다.
제어부(30)는, 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 양을 계산하고, 챔버의 내부 세정 장치를 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부(30)는, 챔버 내부에 정전용량 정보로부터 증착된 오염 물질의 정량적인 정보를 획득하고, 증착된 오염 물질이 소정의 기준양 이상인 경우에는 내부 세정 장치가 가동되도록 할 수 있다. 이때, 챔버의 내부 세정 장치는, 챔버에 결합되어 혹은 별도의 외부 장치로서 존재하여, 세정 가스를 분사하는 등의 방식으로 챔버 내부에 증착된 오염 물질을 세정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제어부(30)는, 오염 물질 계산부(31) 및 세정 장치 제어부(33)를 포함하여 구현될 수 있다. 제어부(30)는, 오염 물질의 정량적인 증착량을 계산하고, 계산된 오염 물질의 양이 일정 기준을 초과한 경우에 세정 장치를 제어할 수 있다.
오염 물질 계산부(31)는, 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산할 수 있다. 이는 챔버 내부에서 플라즈마 공정을 진행함에 따라 유전체의 챔버 내부를 향하는 일면에 오염물질이 증착되고, 오염물질의 증착으로 인하여 제1 전극 및 제2 전극에서 측정되는 전극들 간의 정전용량이 감소하는 것을 이용한 것으로서, 감소한 정전용량으로부터 증착된 오염 물질의 두께를 계산할 수 있다.
세정 장치 제어부(33)는, 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 챔버의 내부 세정 장치를 가동할 수 있다. 보다 상세하게는, 연산부(20)에 의하여 연속적으로 획득되는 전극들 간의 정전 용량 정보로부터 실시간으로 계산되는 오염 물질의 두께에 따라, 오염 물질의 두께가 미리 정해진 소정의 기준 두께 이상을 초과한 경우 세정 장치를 작동시키고, 오염 물질이 세정되어 두께가 초기 상태로 돌아간 경우 세정 장치의 작동을 중단시킬 수 있다.
출력부(40)는, 획득한 정전용량 정보 또는 계산된 오염 물질의 양을 출력할 수 있다. 본 발명의 출력부(40)는, 정전용량의 정보 또는 계산된 오염 물질의 정량적인 정보를 실시간으로 사용자에게 전달할 수 있고, 이를 이용하여 사용자가 챔버 내부의 세정 시기를 파악하도록 도울 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은 챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10) 및 정전용량 정보를 획득하는 단계(S20)를 포함한다.
발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은, 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 분야에서 널리 활용되는 플라즈마 공정에서 이용되는 챔버(chamber)의 내부 관리를 목적으로 한다. 특히, 탐침을 챔버에 투입하지 아니하고, 유전체를 이용하여 정전 용량을 측정하는 방식에 의하므로 챔버 내부의 공정에 영향을 미치지 아니하고 챔버 내부 상태, 특히 챔버 내부의 오염상태를 파악할 수 있다. 본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은, 진공 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태를 측정하고, 전기용량 정보를 획득할 수 있다. 실시예에 따라, 전기용량 정보를 이용하여, 챔버 내부 벽면에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하거나, 전기용량 정보 또는 오염 물질의 두께를 출력할 수 있다. 또한, 오염 물질의 두께를 실시간으로 모니터링 하여, 세정의 시기와 종기를 결정하고, 챔버 내부 세정 장치를 제어할 수 있다.
챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10)에서는, 챔버의 벽면에 위치하여 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있는 유전체, 유전체의 다른 일면에 위치하는 제1 전극 및 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부를 이용할 수 있다. 챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10)에서는, 플라즈마 공정용 챔버의 벽면에 일체로서 설치된 챔버 내부 상태 측정부를 이용하여, 유전체와 유전체에 연결되는 전극을 통하여 전극들 간의 전기용량을 획득하기 위하여 필요한 정보를 측정할 수 있다.
이때, 유전체는, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되도록 구현될 수 있다. 또한 유전체는, 챔버의 벽면과 동일한 재질로 구현되어, 플라즈마 공정에 미치는 영향을 최소화 하도록 할 수 있으며, 유전체의 재질은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 또는 유리(glass)인 것으로 할 수 있다. 유전체는 제1 전극 및 제2 전극이 플라즈마 입자와 직접적으로 접촉하지 않도록 하여 공정에 영향을 미치지 아니하고 정확한 정보 획득이 가능하도록 하며, 유전체의 챔버 내부를 향하는 일면에는 플라즈마에 의하여 전하가 쌓이며, 오염 물질이 증착되어 제1 전극 및 제2 전극에 의하여 측정되는 정보가 변경될 수 있다.
또한, 제1 전극 및 제2 전극은, 공면 전극(coplanar electrode)으로서 동일 평면상에 위치하고, 유전체의 챔버 외부를 향하는 일면과 연결되며 전기용량(capacitance)의 측정에 이용된다. 또한, 위치에 따라 각 전극 간의 거리가 변하지 않는 형태로 구현되는 것이 바람직하며, 쉽게 산화되지 않는 금속 재질을 이용함이 바람직하다. 본 발명의 제1 전극 및 제2 전극은, 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 케이블은 동축 케이블인 것으로 구현될 수 있다. 또한, 제1 전극 및 제2 전극 간에 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용될 수 있으며, 정전 용량의 측정은, 제1 전극 및 제2 전극을 프로브(probe)로 하고 별도로 구비되는 정전 용량 측정 장치에 의하여 수행될 수 있다.
또한, 챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10)에 있어서, 챔버 내부 상태 측정부는, 챔버의 벽면과 인접하여, 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함할 수 있으며, 케이스는 스테인리스 스틸 또는 세라믹으로 구현될 수 있다.
정전용량 정보를 획득하는 단계(S20)에서는, 챔버 내부 상태 측정부의 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여, 제1 전극 및 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득할 수 있다. 또한, 제1 전극 및 제2 전극 사이의 정전 용량 정보 및 정전 용량 정보의 시간에 따른 추이를 계산할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은, 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은 챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10) 및 정전용량 정보를 획득하는 단계(S20)에 더하여, 오염 물질의 두께를 계산하는 단계(S30) 및 내부 세정 장치를 가동하는 단계(S40)를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은, 오염 물질의 두께를 계산하는 단계(S30) 및 내부 세정 장치를 가동하는 단계(S40)를 더 포함하여, 챔버 내부에 정전용량 정보로부터 증착된 오염 물질의 정량적인 정보를 획득하고, 증착된 오염 물질이 소정의 기준양 이상인 경우에는 내부 세정 장치가 가동되도록 할 수 있다. 이때, 챔버의 내부 세정 장치는, 챔버에 결합되어 혹은 별도의 외부 장치로서 존재하여, 세정 가스를 분사하는 등의 방식으로 챔버 내부에 증착된 오염 물질을 세정할 수 있다.
오염 물질의 두께를 계산하는 단계(S30)에서는, 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 오염 물질의 두께를 계산하는 단계(S30)에서는, 정전용량 정보를 획득하는 단계(S20)에서 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산할 수 있다. 이는 챔버 내부에서 플라즈마 공정을 진행함에 따라 유전체의 챔버 내부를 향하는 일면에 오염물질이 증착되고, 오염물질의 증착으로 인하여 제1 전극 및 제2 전극에서 측정되는 전극들 간의 정전용량이 감소하는 것을 이용한 것으로서, 감소한 정전용량으로부터 증착된 오염 물질의 두께를 계산할 수 있다.
내부 세정 장치를 가동하는 단계(S40)에서는, 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 챔버의 내부 세정 장치를 가동할 수 있다. 보다 상세하게는, 정전용량 정보를 획득하는 단계(S20)에서 연속적으로 획득되는 전극들 간의 정전 용량 정보로부터 실시간으로 계산되는 오염 물질의 두께에 따라, 오염 물질의 두께가 미리 정해진 소정의 기준 두께 이상을 초과한 경우 세정 장치를 작동시키고, 오염 물질이 세정되어 두께가 초기 상태로 돌아간 경우 세정 장치의 작동을 중단시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법을 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 방법은 챔버 내부 상태를 측정하는 단계(S10), 정전용량 정보를 획득하는 단계(S20) 및 오염 물질의 두께를 계산하는 단계(S30)에 있어서, 정전 용량 정보 또는 오염 물질의 양을 출력하는 단계(S50)를 더 포함할 수 있다.
정전 용량 정보 또는 오염 물질의 양을 출력하는 단계(S50)에서는, 획득한 정전용량 정보 또는 상기 계산된 오염 물질의 양을 출력할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량 정보 또는 오염 물질의 양을 출력하는 단계(S50)에서는, 정전용량의 정보 또는 계산된 오염 물질의 정량적인 정보를 실시간으로 사용자에게 전달할 수 있고, 이를 이용하여 사용자가 챔버 내부의 세정 시기를 파악하도록 도울 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 유전체(100), 제1 전극(210), 제2 전극(230)을 포함하여 구현된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 케이블(300)을 추가적으로 포함하여 구현될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 케이스(400)를 추가적으로 구비할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 플라즈마 공정용 챔버의 벽면(500)에 설치될 수 있다. 본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)는, 도 1에서 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)과 관련하여 상술한 바와 같이, 연산부(20) 등과 결합하여 실시될 수 있다.
유전체(100)는, 챔버의 벽면에 위치하여 일면이 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적될 수 있으며, 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착될 수 있다. 이때 오염 물질이 증착되는 일면은 플라즈마 공정용 챔버의 내부를 향하는 일면을 의미한다. 유전체(100)는, 실리콘 웨이퍼 또는 유리로 구현될 수 있으며, 챔버의 벽면과 동일한 재질로 이루어지도록 할 수 있다. 유전체는 제1 전극 및 제2 전극이 플라즈마 입자와 직접적으로 접촉하지 않도록 하여 공정에 영향을 미치지 아니하고 정확한 정보 획득이 가능하도록 할 수 있다. 또한, 유전체의 챔버 내부를 향하는 일면에는 플라즈마 공정을 수행함에 의하여 오염 물질이 증착되어 제1 전극 및 제2 전극에 의하여 측정되는 값이 변경될 수 있다.
제1 전극(210)은 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용되고, 제2 전극(230)은, 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용될 수 있다. 제1 전극 및 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용될 수 있다. 이때, 제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 유전체의 다른 일면은 플라즈마 공정용 챔버의 외부를 향하는 일면을 의미한다.
케이블(300)은, 제1 전극 및 제2 전극에 각각 연결되는 것으로서, 동축(coaxial) 케이블로 구현될 수 있다. 동축 케이블을 이용할 경우, 노이즈가 차폐되는 효과가 있으며, 보다 넒은 주파수 대역을 취할 수 있는 장점이 있다.
케이스(400)는, 챔버의 벽면과 인접하여, 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단할 수 있다. 케이스(400)는, 스테인리스 스틸(stainless steel) 또는 세라믹(ceramic)으로 구현되어, 노이즈를 차폐하도록 구현함이 바람직하다. 케이스(400)는, 챔버의 벽면과 밀착하여, 제1 전극 및 제2 전극이 실링(sealing) 되도록 구현될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치의 실시 과정을 도시한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔바 내부 상태 측정 장치(10)에 대하여 도 1 내지 5에서 설명한 내용을 참조하여 서술하면 다음과 같다.
도 6의 (a)는, 본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치가 설치된 플라즈마 공정 장치에 있어서, 플라즈마 공정을 수행하기 전의 상태를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치는, 공면 전극(A), 유전체(B), 케이블(C), 케이스(D)를 포함할 수 있다. 플라즈마 공정을 수행하기 전의 유전체(B) 및 진공 챔버의 내부 벽면에는, 오염 물질(F)이 증착 되지 아니하여, 공면 전극들(A) 간의 정전 용량 측정시 최대의 측정값을 가진다.
도 6의 (b)는, 본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치가 설치된 플라즈마 공정 장치에 있어서, 플라즈마 공정이 수행된 상태를 도시한 것이다. 플라즈마 공정이 진행됨에 따라, 진공(vacuum) 챔버(chamber)의 내부를 향하는 유전체(B)의 일면에는 오염 물질(F)이 증착된다. 이는, 공면 전극(A)들 간에 소정의 전위가 인가됨에 따라, 전극들 간의 캐패시턴스(E)가 형성되고, 이를 측정하여 유전체의 일면제 증착되는 오염 물질(F)의 정량적인 수치로서 두께를 계산하고, 챔버 내부의 세정 시기 결정에 이용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)의 개념도이다. 도 7에서 도시하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)은, 도 1에서 도시한 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)을 간략히 도시한 것으로서, 도 1 내지 6을 참고하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)은 플라즈마 공정용 챔버에 설치되는 챔버 내부 상태 측정 장치(A), 챔버 내부 상태 측정 장치(A)로부터 측정 정보를 전달받고, 전극들 간의 정전 용량을 계산하는 정전용량 측정 시스템(B) 및 모니터링 및 제어 시스템(C)을 포함할 수 있다. 챔버 내부 상태 측정 장치(A)는 도 1의 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)에 있어서 챔버 내부 상태 측정 장치(10)에 대응되고, 정전용량 측정 시스템(B)은 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)에 있어서 연산부(20)에 대응되고, 모니터링 및 제어 시스템(C)은 제어부(30)에 대응되는 것으로 해석될 수 있다. 본 발명에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템(1)은, 플라즈마 공정용 챔버에 설치된 챔버 내부 상태 측정 장치(A)로부터 측정 정보를 획득하고, 정전용량 측정 시스템(B)으로부터 전극들 간의 정전 용량을 계산하고, 모니터링 및 제어 시스템(C)으로부터 챔버 내부 벽면에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하고, 세정 시기를 결정하여 세정 장치를 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)의 작동 원리 일부를 간략히 도시한 것이다. 도 1 내지 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 8은 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)가 연산부(20)와 결합하여 전극들 사이의 정전 용량(capacitance)를 측정하는 것을 도시한 것으로, 두 개의 전극을 구비하고, 전극들은 유전체의 일면에 연결되고, 전극들 사이에 소정의 전압을 인가하였을 때 전극들 사이의 정전 용량을 측정할 수 있다. 이때 획득한 정전 용량을 이용하여, 유전체의 전극들이 위치하지 않은 일면에 형성되는 오염 물질 층의 두께를 계산할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치의 작동 원리 일부를 간략히 도시한 것이다. 특히 도 8에서 도시하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)의 작동을 보다 상세히 도시한 것이다. 도 1 내지 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 9의 (a)는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)에 있어서, 유전체(A)의 일면에 전하가 쌓이는 경우의 실시예를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 유전체(100)에 연결된 제1 전극(210) 및 제2 전극(230)은 전기적으로 절연되어 있으며 양극에 전위를 인가하여 정전 용량의 측정이 가능하다. 이때, 측정되는 정전 용량은 유전체에 전하가 축적됨에 따라 감소하게 된다.
도 9의 (b)는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치(10)에 있어서, 유전체(A)의 일면에 오염 물질(B)이 증착되는 경우의 실시예를 도시한 것이다. . 이때, 측정되는 정전 용량은 유전체에 오염 물질이 축적됨에 따라 감소하게 된다. 이때 측정되는 정전 용량으로부터 오염 물질의 두께를 계산할 수 있으며, 이를 이용하여 챔버 내부 벽면의 세정 시기와 종기를 결정할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치(10)의 실험 결과를 도시한 것이다. 도 10은 본 발명의 플라즈마 공정용 챔버 내부 측정 장치(10) 및 연산부(20)에 있어서, 플라즈마 공정의 수행시 측정되는 정전 용량(단위: pF)의 변화(▲) 및 플라즈마를 켜지 않았을 경우의 측정되는 정전 용량(단위: pF)의 변화(●)를 시간(단위: 분)에 따라 도시한 것이다. 도 10의 그래프에 따르면, 플라즈마를 켠 경우(▲)에 정전 용량이 감소하는 경향을 확인할 수 있고, 이를 근거로 플라즈마 내의 하전입자와 유전체에 증착되는 오염물질이 정전용량의 변화에 영향을 미치는 것으로 가정할 수 있다. 이러한 가정으로부터 측정되는 정전 용량에 근거하여 플라즈마 공정용 챔버 내부의 오염물질을 관리하고, 세정 시기와 종기를 결정하는 시스템을 도 1에서 도시한 바와 같이 구현할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템의 실시에 따른 가상의 실험 결과로서, 시간에 따라 측정되는 정전용량의 변화를 도시한 것이다. 도 10에서 도시한 바와 같이 플라즈마 공정시 챔버 내부에 증착되는 오염물질에 의하여 측정되는 정전 용량이 변화하고 이를 이용하여 챔버 내부의 세정 시기 및 종기를 결정하고, 나아가 세정 장치를 제어할 수 있다. 도 11은 플라즈마 방전 여부, 챔버 내부 세정 여부에 따라 변화하고 시간에 따라 측정되는 정전용량을 도시한 것이다. 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 11의 A는, 챔버 내부에 플라즈마를 켜지 않은 상태이며, 도 11의 B는, 챔버 내부에 플라즈마를 켠 상태이고, 도 11의 C는, 챔버 내부 벽면에 오염물질이 증착되어 측정되는 정전용량이 변화하는 구간을 의미하며, 도 11의 D는 챔버 내부 세정 시기 결정의 기준이 되는 소정의 기준 수치를 나타낸 것이다. 도 11에 따르면, 플라즈마를 켜지 않은 경우(A)의 측정되는 정전 용량은 변화가 없으나, 플라즈마를 켰을 경우(B), 처음에는 낮은 값의 정전 용량이 측정되나, 점차 챔버 내부 벽면에 오염물질이 증착되어(C) 측정되는 정전 용량의 값이 높아진다. 플라즈마를 켠 상태에서 측정되는 정전 용량의 값이 소정의 기준값(D)을 초과한 경우, 본 발명의 일 실시예에 따르면 챔버 내부를 세정(Chamber cleaning)하도록 할 수 있고, 챔버 내부가 세정됨에 따라 다시 플라즈마를 켠 상태(B)에서 측정되는 정전 용량이 초기값으로 돌아가도록 할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (21)

  1. 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템에 있어서,
    상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 상기 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적되며 상기 챔버의 벽면과 동일한 재질을 포함하는 유전체, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되어 상기 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부; 및
    상기 챔버 내부 상태 측정부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 이용하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 연산부; 를 포함하고,
    상기 챔버 내부 상태 측정부는 상기 챔버의 벽면에 밀착되어 상기 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  2. 제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 상기 케이블은 동축 케이블인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  3. 삭제
  4. 제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,
    상기 케이스는 스테인리스 스틸 또는 세라믹 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  5. 제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,
    상기 유전체는, 상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  6. 제1항의 상기 챔버 내부 상태 측정부에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 양을 계산하고, 상기 챔버의 내부 세정 장치를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 오염 물질 계산부; 및
    상기 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 상기 챔버의 상기 내부 세정 장치를 가동하는 세정 장치 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 획득한 정전용량 정보 또는 상기 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 출력부;를 더 포함하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 관리 시스템.
  10. 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법에 있어서,
    상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 상기 챔버 내부와 인접하고, 일면에 전하가 축적되며 상기 챔버와 동일한 재질을 포함하는 유전체, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하고 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되어 상기 유전체의 다른 일면에 위치하는 제2 전극을 포함하는 챔버 내부 상태 측정부를 이용하여, 상기 챔버 내부 상태를 측정하는 단계; 및
    상기 챔버 내부 상태 측정부의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 이용하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서의 정전용량 정보를 획득하는 단계; 를 포함하고,
    상기 챔버 내부 상태 측정부는 상기 챔버의 벽면에 밀착되어 상기 제1 전극 및 제2 전극을 둘러싸고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대한 외부 영향을 차단하는 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 획득한 정전용량 정보를 이용하여, 상기 챔버의 벽면 내부에 증착된 오염 물질의 두께를 계산하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 계산된 오염 물질의 두께가 소정 기준 두께 이상인 경우 상기 챔버의 상기 내부 세정 장치를 가동하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 획득한 정전용량 정보 또는 상기 계산된 오염 물질의 양을 출력하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 유전체는,
    상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 유전체는,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 소정의 전위차가 가해지고, 정전 용량의 측정에 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버의 내부 관리 방법.
  16. 삭제
  17. 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치에 있어서,
    상기 챔버의 벽면에 일체로 평행하게 결합되어 일면이 상기 챔버 내부와 인접하고, 상기 일면에 전하가 축적되며, 상기 챔버의 벽면과 동일한 재질을 포함하는 유전체;
    상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되고, 정전 용량의 측정에 이용되는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극과 동일 평면상에 위치하여 상기 챔버와 공간적으로 구분되고, 상기 제1 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 전극으로부터 거리가 고정되고, 상기 유전체의 다른 일면에 위치하여 정전 용량의 측정에 이용되는 제2 전극; 을 포함하고,
    상기 제1 전극 및 제2 전극은 외부 영향을 차단하기 위하여, 상기 챔버의 벽면에 수직으로 밀착되는 케이스로 차폐되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 연결되는 케이블을 더 포함하고, 상기 케이블은 동축 케이블인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 유전체는,
    상기 챔버의 내부에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 일면에 오염 물질이 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 유전체는 실리콘 웨이퍼 또는 유리인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 챔버 내부 상태 측정 장치.
  21. 삭제
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KR102043884B1 (ko) 2019-04-11 2019-12-02 주식회사 에프엔에스 플라즈마 공정챔버 모니터링 장치 및 이를 이용한 플라즈마 공정챔버 모니터링 방법
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