KR101828739B1

KR101828739B1 - 검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법

Info

Publication number: KR101828739B1
Application number: KR1020170015116A
Authority: KR
Inventors: 아키오 아카마츠
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2013-10-08
Filing date: 2017-02-02
Publication date: 2018-02-12
Also published as: TW201514634A; TWI557517B; KR101783514B1; CN104516214B; KR20170016421A; JP2015076491A; JP6228420B2; KR20150041579A; CN104516214A

Abstract

본 발명에 의하면, 기판에 형성된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치는, 상기 복수의 마크 중 제1 마크에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 상기 제1 마크를 검출하는 제1 스코프와, 상기 복수의 마크 중 상기 제1 마크와는 상이한 제2 마크에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 상기 제2 마크를 검출하는 제2 스코프와, 상기 제1 스코프로부터 사출된 광을 상기 기판에 입사하도록 투과시키는 투과부와, 상기 제2 스코프로부터 사출된 광을 상기 기판을 향하여 반사하는 면을 갖는 광학 부재를 포함하고, 상기 광학 부재에 입사하는 상기 제1 스코프로부터의 광의 입사 위치와 상기 광학 부재의 상기 면에서 반사되는 상기 제2 스코프로부터의 광의 반사 위치의 상대 위치를 변경함으로써, 상기 제1 스코프로부터 사출된 광이 상기 투과부를 투과하여 조사되는 상기 기판 상의 위치와 상기 제2 스코프로부터 사출된 광이 상기 면에서 반사되어 조사되는 상기 기판 상의 위치 사이의 거리가 변경된다.

Description

검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법{DETECTION APPARATUS, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}

본 발명은, 기판에 형성된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치, 그것을 갖는 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스 등의 제조에 사용되는 리소그래피 장치로서, 예를 들어 기판을 이동시킴으로써 슬릿 광을 기판 상에서 주사시키면서, 마스크의 패턴을 기판 상에 전사하는 노광 장치가 있다. 이러한 노광 장치에는, 기판에 형성된 복수의 샷 영역의 각각에 마스크의 패턴을 고정밀도로 전사할 것이 요구된다. 그 때문에, 각 샷 영역에 대하여 형성된 복수의 얼라인먼트 마크의 각각에 있어서의 위치를 검출하여, 각 샷 영역의 위치나 형상을 나타내는 정보를 취득할 필요가 있다.

일본 특허 공개 제2010-268005호 공보에는, 하나의 얼라인먼트 마크를 검출하는 OFF-AXIS 방식의 검출부를 복수 배열시킨 노광 장치가 제안되어 있다. 일본 특허 공개 제2010-268005호 공보에 기재된 노광 장치에서는, 복수의 검출부에 의하여 복수의 얼라인먼트 마크의 위치를 동시에 검출할 수 있다.

일본 특허 공개 제2010-268005호 공보에 기재된 노광 장치에서는, 얼라인먼트 마크의 간격이 검출부의 폭보다 좁아지면, 검출부끼리를 근접시킬 수 없다는 등의 문제가 있었다. 즉, 복수의 검출부가 간섭하기 때문에, 복수의 검출부에 의하여 검출할 수 있는 얼라인먼트 마크의 간격이 제한되어 있었다.

본 발명은, 예를 들어 기판에 형성된 복수의 마크를 검출하는 데 유리한 기술을 제공한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면으로서의 검출 장치는, 기판에 형성된 복수의 마크를 검출하는 검출 장치로서, 상기 복수의 마크 중 제1 마크에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 상기 제1 마크를 검출하는 제1 스코프와, 상기 복수의 마크 중 상기 제1 마크와는 상이한 제2 마크에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 상기 제2 마크를 검출하는 제2 스코프와, 상기 제1 스코프로부터 사출된 광을 상기 기판에 입사하도록 투과시키는 투과부와, 상기 제2 스코프로부터 사출된 광을 상기 기판을 향하여 반사하는 면을 갖는 광학 부재를 포함하고, 상기 광학 부재에 입사하는 상기 제1 스코프로부터의 광의 입사 위치와 상기 광학 부재의 상기 면에서 반사되는 상기 제2 스코프로부터의 광의 반사 위치의 상대 위치를 변경함으로써, 상기 제1 스코프로부터 사출된 광이 상기 투과부를 투과하여 조사되는 상기 기판 상의 위치와 상기 제2 스코프로부터 사출된 광이 상기 면에서 반사되어 조사되는 상기 기판 상의 위치와의 사이의 거리가 변경되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 목적 또는 그 외의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의하여 밝혀질 것이다.

도 1은 제1 실시 형태의 노광 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 종래의 검출계를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 3은 종래의 검출부의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 4는 복수의 검출부의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 X 방향으로 인접하는 2개의 마크를 검출할 시에 있어서의 2개의 종래의 검출부의 배치를 도시하는 도면이다.
도 6은 X 방향으로 인접하는 2개의 마크가 동시에 검출용으로 구성된 종래의 검출부를 도시하는 도면이다.
도 7은 제1 실시 형태의 검출부의 구성을 도시하는 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태의 검출계를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 9는 제1 실시 형태의 검출계에 있어서의 복수의 검출부의 배치예를 도시하는 도면이다.
도 10은 제1 실시 형태의 검출계에 있어서의 복수의 검출부의 배치예를 도시하는 도면이다.
도 11은 제1 실시 형태의 검출계를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 12는 제2 실시 형태의 검출부의 구성을 도시하는 도면이다.
도 13은 제2 실시 형태의 검출부의 구성을 도시하는 도면이다.
도 14는 제3 실시 형태의 검출부를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 15는 제3 실시 형태의 검출부를 Z 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 16은 제3 실시 형태의 검출부를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다.
도 17은 제3 실시 형태의 검출부를 Z 방향에서 보았을 때의 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙여, 중복되는 설명은 생략한다. 또한 이하의 실시 형태에서는, 리소그래피 장치로서 노광 장치를 사용한 예에 대하여 설명하지만, 리소그래피 장치로서는, 예를 들어 임프린트 장치나 묘화 장치 등도 포함할 수 있다.

<제1 실시 형태>

본 발명의 제1 실시 형태의 노광 장치(1)에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태의 노광 장치(1)를 도시하는 도면이다. 제1 실시 형태의 노광 장치(1)는, 슬릿 광에 의하여 기판(21)을 주사 노광하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 노광 장치이다. 그리고 노광 장치(1)는, 조명 광학계(40)와, 마스크 스테이지(10)와, 투영 광학계(30)와, 기판 스테이지(20)와, 제어부(50)를 포함할 수 있다. 또한 노광 장치(1)는, 기판(21)에 형성된 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 형성된 복수의 얼라인먼트 마크(이하, 마크)를 검출하는 오프액시스(OFF-AXIS) 방식의 검출계(100)를 포함할 수 있다. 여기서 제어부(50)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 갖고, 노광 처리를 제어한다(노광 장치(1)의 각 부를 제어함).

조명 광학계(40)는, 그에 포함되는 마스킹 블레이드 등의 차광 부재에 의하여, 광원(도시 생략)으로부터 사출된 광을, 예를 들어 X 방향으로 긴 띠형 또는 원호형 형상을 갖는 슬릿 광으로 정형하고, 그 슬릿 광으로 마스크(11)의 일부를 조명한다. 마스크(11) 및 기판(21)은, 마스크 스테이지(10) 및 기판 스테이지(20)에 의하여 각각 보유 지지되어 있으며, 투영 광학계(30)를 통하여 광학적으로 대략 공액인 위치(투영 광학계(30)의 물체면 및 상면)에 각각 배치된다. 투영 광학계(30)는 소정의 투영 배율(예를 들어 1/2배나 1/4배)을 갖고, 마스크(11)에 형성된 패턴을 슬릿 광에 의하여 기판 상에 투영한다. 마스크(11)의 패턴이 투영된 기판 상의 영역(슬릿 광이 조사하는 영역)을, 이하에서는 조사 영역이라고 칭한다. 그리고 마스크 스테이지(10) 및 기판 스테이지(20)는, 투영 광학계(30)의 광축 방향(Z 방향)에 직교하는 방향(제1 실시 형태에서는 Y 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있으며, 서로 동기하면서 투영 광학계(30)의 투영 배율에 따른 속도비로 상대적으로 주사된다. 이것에 의하여, 조사 영역을 기판 상에서 Y 방향으로 주사시키고, 마스크(11)에 형성된 패턴을 기판 상의 샷 영역에 전사할 수 있다. 그리고 이러한 주사 노광을, 기판 스테이지(20)를 이동시키면서 기판 상에 있어서의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 순차 반복함으로써, 1매의 기판(21)에 있어서의 노광 처리를 완료시킬 수 있다.

또한 노광 장치(1)는, TTL(Through The Lens) 방식의 얼라인먼트 스코프(도시 생략)나, 기판(21)의 표면의 Z 방향에 있어서의 위치를 검출하는 면 위치 검출부(도시 생략) 등을 포함하도록 구성되어도 된다. TTL 방식의 얼라인먼트 스코프는, 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크와 기판에 형성된 얼라인먼트 마크를 투영 광학계를 통하여 거듭 관찰함으로써, 마스크의 패턴과 각 샷 영역의 상대 위치를 계측할 수 있다.

여기서, 오프액시스 방식의 검출계(100)에 대하여, 종래의 검출계(110)와 비교하면서 설명한다. 먼저, 종래의 검출계(110)에 대하여 설명한다. 도 2는, 종래의 검출계(110)를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다. 종래의 검출계(110)는, 예를 들어 기판 상의 마크를 각각 검출하는 복수의 검출부(300)(검출 장치)와, 복수의 검출부(300)를 개별적으로 구동하는 구동부(200)를 포함할 수 있다. 복수의 검출부(300)는 X 방향을 따라 배치되어 있으며, 구동부(200)는 복수의 검출부(300)를 X 방향을 따라 개별적으로 구동할 수 있다. 그리고 종래의 검출계(110)는, 복수의 마크의 X 방향(제2 방향)에 있어서의 배치에 따라 복수의 검출부(300)를 배치함으로써, 기판(21)을 Y 방향(제1 방향)으로 이동시키면서, 각 샷 영역에 대하여 형성된 각 마크의 위치를 검출할 수 있다. 이하에, 종래의 검출부(300)의 구성예 및 종래에 있어서의 복수의 검출부(300)의 배치에 대하여 설명한다.

도 3은, 종래의 검출부(300)의 구성예를 도시하는 도면이다. 검출부(300)는 기판 상의 마크(22)에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 마크(22)를 검출할 수 있다. 종래의 검출부(300)는, 예를 들어 발광부(301)와, 광학계(302)와, 빔 스플리터(303)와, 개구 조리개(304)와, 대물 렌즈(305)와, 릴레이 렌즈(306)와, 촬상 소자(307)를 갖는 스코프(310)를 하나 포함할 수 있다. 발광부(301)는, 예를 들어 LED 등의 광원이나 광원으로부터 사출된 광을 도광하는 광파이버 등을 포함하며, 광을 사출한다. 발광부(301)로부터 사출된 광은, 광학계(302)를 통하여 빔 스플리터(303)에 입사하어, 빔 스플리터(303)에서 반사된다. 빔 스플리터(303)에서 반사된 광은, 대물 렌즈(305)를 통하여 기판 상의 마크(22)에 쾰러 조명을 행한다. 쾰러 조명된 기판 상의 마크(22)의 상은, 대물 렌즈(305)와 빔 스플리터(303)와 릴레이 렌즈(306)를 통하여 촬상 소자(307)(예를 들어 CCD 센서)에 결상된다. 이와 같이 촬상 소자(307)에 결상된 마크(22)의 상을 제어부(50)에 있어서 화상 처리함으로써, 당해 마크(22)의 위치를 검출할 수 있다.

도 4는, 복수의 검출부(300)의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 기판(21)에는 복수의 마크(22)가, 기판 상에 형성된 각 샷 영역(23)에 대하여 형성되어 있다. 도 4에 도시하는 예에서는, 각 샷 영역(23)에 대하여 6개의 마크(22)가 형성되어 있다. 이와 같이 복수의 마크(22)를 형성함으로써, 각 샷 영역(23)의 위치나 변형(배율 성분이나 시프트 성분, 통형 성분, 실패형 성분 등을 포함함)을 고정밀도로 계측할 수 있으며, 마스크(11)의 패턴을 각 샷 영역(23)에 고정밀도로 전사할 수 있다. 또한 복수의 검출부(300)는, 복수의 마크(22)의 X 방향에 있어서의 배열에 따라, X 방향을 따라 배치되어 있다. 이와 같이 복수의 검출부(300)를 배치함으로써, X 방향을 따라 배열한 복수의 마크(22)를 복수의 스코프에서 동시에 검출할 수 있다. 그리고 도 4에 도시한 바와 같이, X 방향을 따라 배열한 복수의 마크(22)의 열이 Y 방향으로 6열 있는 경우, 기판 스테이지(20)에 의하여 기판(21)을 Y 방향으로 6단계로 스텝 이동시킴으로써, 기판(21)에 형성된 복수의 마크(22)의 전부를 검출할 수 있다.

여기서, X 방향으로 인접하는 2개의 샷 영역(23) 사이에 배치된 2개의 마크(22)에 주목한다. 예를 들어, 샷 영역(23a)과 샷 영역(23b) 사이에 배치된 마크(22a)와 마크(22b)에 주목한다. 도 4에 있어서 마크(22a) 및 마크(22b)는, X 방향으로 간격(24a)으로 배치되어 있다. 이와 같이 배치된 2개의 마크(22)의 X 방향에 있어서의 간격은, 샷 영역(23)의 크기에 따라, 예를 들어 1㎜ 내지 40㎜의 범위에서 기판(21)마다 변경될 수 있다. 이때, X 방향으로 인접하는 2개의 샷 영역(23) 사이에 배치된 2개의 마크(22)의 X 방향에 있어서의 간격이, 검출부(300)의 X 방향에 있어서의 폭보다 좁아지면, 스코프끼리를 근접시킬 수 없다는 등의 문제가 발생할 수 있다. 즉, 당해 2개의 마크(22)를 2개의 검출부(300)를 사용하여 동시에 계측할 수 없게 되어 버릴 수 있다. 검출부(300)끼리의 간격은, 예를 들어 각 검출부(300)의 스코프(310)에 포함되는 대물 렌즈(305)의 직경에 의하여 구속될 수 있다.

도 5는, X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22)를 검출할 시에 있어서의 2개의 종래의 검출부(300a 및 300b)의 배치를 도시하는 도면이다. 도 5에 도시하는 각 검출부(300)의 스코프(310)에서는, 발광부와 광학계의 도시를 생략한다. 예를 들어 각 검출부(300)의 스코프(310)에 있어서, NA가 0.1, 초점 거리가 20㎜인 경우, 개구 조리개(304)의 사이즈는 4㎜로 된다. 그리고 이 경우, 대물 렌즈(305)의 직경은, 예를 들어 대물 렌즈(305)를 억제하는 부품에 기인하여 2㎜의 마진이 필요하다고 하면, 개구 조리개(304)의 사이즈에 2㎜의 마진을 가산한 6㎜로 된다. 즉, X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22)를 2개의 검출부(300)에 의하여 검출하는 경우, 2개의 마크(22)의 간격이 대물 렌즈(305)의 직경인 6㎜보다 좁으면, 2개의 검출부(300)를 근접시킬 수 없다. 따라서 2개의 마크(22)를, 2개의 검출부(300)를 사용하여 동시에 계측할 수 없게 되어 버릴 수 있다. 여기서 검출부(300)의 X 방향에 있어서의 폭은, 경통 등에 의하여 대물 렌즈(305)의 직경보다도 넓어지기 때문에, 실제로는 2개의 마크(22)의 간격이 대물 렌즈(305)의 직경보다 넓은 간격이어도, 2개의 스코프를 근접시키는 것이 곤란해지는 경우가 있다.

상술한 문제를 해결하기 위하여, 하나의 대물 렌즈(311)와 하나의 릴레이 렌즈(312)와 2개의 스코프(320a 및 320b)를 사용하여, 2개의 마크(22a 및 22b)를 동시에 검출할 수 있도록 구성된 검출부(400)가 있다. 도 6은, X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22a 및 22b)를 동시에 검출하도록 구성된 종래의 검출부(400)를 도시하는 도면이다. 검출부(400)에서는, 하나의 대물 렌즈(311)와 하나의 릴레이 렌즈(312)에 대하여, 미러(313)와 이렉터 렌즈(314 및 315)와 빔 스플리터(316)와 촬상 소자(317)를 포함하는 스코프(320)가 2개 구비되어 있다. 도 6에 도시하는 각 스코프(320a 및 320b)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 발광부와 광학계를 갖고, 발광부로부터 사출된 광이 광학계를 통하여 빔 스플리터(316)에 입사할 수 있지만, 도 6에서는 발광부와 광학계의 도시를 생략한다. 그리고 검출부(400)에서는, 각 스코프(320a 및 320b)를 대물 렌즈(311) 및 릴레이 렌즈(312)에 대하여 상대적으로, 또한 개별적으로 X 방향으로 이동시킨다. 이것에 의하여, 도 5에 도시하는 방법보다도 좁은 간격으로 배치된 2개의 마크(22a 및 22b)를 검출할 수 있다. 그러나 이와 같이 구성된 검출부(400)에서는, 넓은 간격(예를 들어 40㎜)으로 X 방향으로 배열된 2개의 마크(22)도 동시에 검출할 수 있도록 구성하는 경우, 대물 렌즈(311)의 직경을 크게 할 필요가 생길 수 있다. 즉, 도 6에 도시하는 검출부(400)는, 대물 렌즈(311)의 직경이 커짐에 따라 X 방향에 있어서의 치수가 커질 뿐만 아니라, Y 방향에 있어서의 치수도 커져 버릴 수 있다.

따라서 제1 실시 형태의 검출계(100)에서는, 그에 포함되는 검출부(500)는 마크(22)에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 당해 마크(22)의 위치를 검출하는 스코프(510a, 510b)를 2개 갖도록 구성되어 있다. 그리고 제1 실시 형태의 검출부(500)는, X 방향으로 인접하는 2개의 샷 영역(23) 사이에 배치된 2개의 마크(22)의 간격이, 스코프의 X 방향에 있어서의 폭보다도 좁은 경우에도, 당해 2개의 마크를 동시에 검출할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 제1 실시 형태의 검출부(500)는, X 방향에 있어서의 치수(후술하는 광학 부재(550)의 X 방향에 있어서의 치수)를 크게 함으로써, 넓은 간격(예를 들어 40㎜)으로 X 방향으로 배열된 2개의 마크(22)도 동시에 검출할 수 있도록 구성할 수 있다. 즉, 검출부(500)에서는, 넓은 간격으로 X 방향으로 배열된 2개의 마크(22)를 동시에 검출할 수 있도록 구성할 때, Y 방향에 있어서의 치수가 커지는 것을 저감시킬 수 있다. 이어서, 제1 실시 형태의 검출부(500)의 구성에 대하여 설명한다.

도 7은, 제1 실시 형태의 검출부(500)의 구성을 도시하는 도면이다. 제1 실시 형태의 검출부(500)는, 예를 들어 2개의 스코프(510)(제1 스코프(510a) 및 제2 스코프(510b))와 광학 부재(550)를 포함한다. 제1 스코프(510a) 및 제2 스코프(510b)는 각각, 도 3에 도시하는 스코프(310)와 마찬가지로, 예를 들어 발광부와, 광학계와, 빔 스플리터(503)와, 개구 조리개와, 대물 렌즈(505)와, 릴레이 렌즈(506)와, 촬상 소자(507)를 포함할 수 있다. 또한 광학 부재(550)는, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광을 기판(21)에 입사하도록 투과시키는 투과부(550d)와, 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광을 기판(21)을 향하여 반사하는 면(550a)을 갖는다. 여기서 도 7에서는, 제1 스코프(510a) 및 제2 스코프(510b)의 각각에 있어서의 발광부, 광학계 및 개구 조리개의 도시를 생략한다.

제1 스코프(510a)는 도 3에 도시하는 스코프(310)와 마찬가지로, 발광부로부터 사출된 광을, 광학계와 빔 스플리터(503)와 대물 렌즈(505)를 통하여 사출하여, 기판 상의 제1 마크(22a)를 쾰러 조명한다. 이때, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광은, 광학 부재(550)(면(550b) 및 면(550c))를 투과하여 기판(21)에 입사하여, 제1 마크(22a)를 쾰러 조명한다. 또한, 제2 스코프(510b)는 제1 스코프(510a)와 마찬가지로, 발광부로부터 사출된 광을 광학계와 빔 스플리터(503)와 대물 렌즈(505)를 통하여 사출하여, 기판 상의 제2 마크(22b)를 쾰러 조명한다. 이때, 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광은, 광학 부재의 면(550a)을 반사하여 기판(21)에 입사시켜, 제2 마크(22b)를 쾰러 조명한다. 여기서 제1 실시 형태의 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)는, 예를 들어 파장이나 편광 특성이 서로 동일해지도록, 서로 동일한 구성의 스코프가 채용될 수 있다. 또한, 제1 스코프(510a)는 그 광축이 기판(21)의 표면과 수직으로 되도록 배치되고, 제2 스코프(510b)는 그 광축과 제1 스코프(510a)의 광축 사이의 각도가 90° 미만으로 되도록 배치되면 된다.

광학 부재(550)(투과부(550d))는, 예를 들어 유리 등 광을 투과시키는 것이 가능한 재료로 제작되어 있으며, 기판(21)의 표면과 평행해지도록 각각 구성된 상측(Z 방향측)의 면(550b)과 하측(-Z 방향측)의 면(550c)(평행 평판)을 포함할 수 있다. 이와 같이 상측의 면(550b)과 하측의 면(550c)을 구성함으로써, 기판(21)의 표면에 수직으로 되도록 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 주 광선을, 광학 부재(550)를 투과한 후에 있어서도 기판(21)의 표면에 대하여 수직으로 할 수 있다. 또한 광학 부재(550)는, 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광을 기판(21)을 향하여 반사하는 면(550a)을 포함한다. 광학 부재(550)의 면(550a)은, 예를 들어 당해면(550a)에 의하여 반사된 광의 주 광선이, 기판(21)의 표면에 수직으로 되도록 구성된다. 여기서 광학 부재(550)의 면(550b 및 550c)에는, 광의 투과율을 향상시키기 위하여 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하면 되고, 광학 부재(550)의 면(550a)에는, 광의 반사율을 향상시키기 위하여 광을 반사하는 반사막을 형성하면 된다.

이와 같이 구성된 검출부(500)에서는, 제1 스코프(510a)는 광학 부재를 투과한 광의 초점 높이가 변경되지 않도록 광학 부재(550)에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 검출부(500)는 제1 스코프(510a)를 X 방향으로 구동하는 구동 기구를 포함하며, 당해 구동 기구는 제어부(50)에 의하여 제어될 수 있다. 이것에 의하여 검출부(500)는, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치 사이의 거리를, X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22a 및 22b)의 상대 위치에 따라 변경할 수 있다. 여기서 조사 위치란, 각 스코프(510a, 510b)로부터 사출된 광이 조사되는 기판 상의 위치를 말한다.

도 8은, 제1 실시 형태의 검출계(100)를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이다. 제1 실시 형태의 검출계(100)에는, 상술(도 7)한 바와 같이 구성된 복수의 검출부(500)가 X 방향을 따라 배치되어 있다. 또한 검출계(100)에는, X 방향(-X 방향)의 단부에 배치된 하나의 마크를 검출하기 위하여, 도 3과 같이 구성된 검출부(300)가 복수의 검출부(500)의 X 방향측(-X 방향측)에 배치되어 있다. 여기서, 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이, X 방향으로 인접하는 2개의 샷 영역(23a 및 23b) 사이에 배치된 제1 마크(22a) 및 제2 마크(22b)의 X 방향에 있어서의 간격이 간격(24a)인 경우를 상정한다. 이 경우, 제어부(50)는, 검출부(500a)의 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광이 제2 마크(22b)를 조사하도록 구동부(200)를 제어하고, 검출부(500a)를 X 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제어부(50)는 검출부(500a)의 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광이 제1 마크(22a)를 조명하도록 구동 기구를 제어하고, 제1 스코프(510a)를 광학 부재(550)(제2 스코프(510b))에 대하여 상대적으로 X 방향으로 이동시킨다. 이것에 의하여 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치 사이의 거리(X 방향)를, 제1 마크(22a)와 제2 마크(22b)의 X 방향에 있어서의 간격(24a)으로 할 수 있다. 또한 제어부(50)는, 검출부(500a) 이외의 검출부(500)를, 검출부(500a)와 마찬가지로 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)를 배치하고, 검출부(300)를, X 방향(-X 방향)의 단부에 배치된 하나의 마크(22)가 검출되도록 배치한다. 이것에 의하여 검출계(100)는, 기판 상에서 X 방향을 따라 배열한 복수의 마크(22)를 동시에 검출할 수 있다.

한편, 예를 들어 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 마크(22a) 및 제2 마크(22b)의 X 방향에 있어서의 간격이, 도 9에 도시하는 간격(24a)보다도 좁은 간격(24b)인 경우를 상정한다. 이 경우, 제어부(50)는, 검출부(500a)의 제2 스코프(510a)로부터 사출된 광이 제2 마크(22b)를 조명하도록 구동부(200)를 제어하고, 검출부(500a)를 X 방향으로 이동시킨다. 그리고 제어부(50)는, 검출부(500a)의 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광이 제1 마크(22a)를 조명하도록 구동 기구를 제어하고, 제1 스코프(510a)를 광학 부재(550)(제2 스코프(510b))에 대하여 상대적으로 X 방향으로 이동시킨다. 즉, 광학 부재(550)(투과부(550d))에 입사하는 제1 스코프(510a)로부터의 광의 입사 위치와 광학 부재(550)의 면(550a)에서 반사되는 제2 스코프(510b)로부터의 광의 반사 위치의 상대 위치를 변경한다. 이때, 제1 스코프(510a)를 도 7에 도시하는 위치보다도 제2 스코프(510b)에 근접한 위치에 배치한다. 이것에 의하여 도 11에 도시한 바와 같이, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격(X 방향)을, 간격(24a)보다도 좁은 간격(24b)으로 할 수 있다. 이와 같이, 제1 실시 형태의 검출부(500)는 제1 스코프(510a)를 X 방향으로 이동시킴으로써, 2개의 스코프(510a, 510b)에 있어서의 조사 위치의 간격을, X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22a 및 55b)의 간격에 대응시킬 수 있다.

여기서, 제1 실시 형태의 검출부(500)에서는, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광에 광학 부재(550)를 투과시킬 때 당해 광이 광학 부재(550)의 면(550c)으로부터 비어져 나오지 않도록 제1 스코프(510a)를 X 방향으로 이동시키면 된다. 즉, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치는, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광이 광학 부재(550)의 면(550c)의 X 방향에 있어서의 단부로부터 비어져 나오지 않을 정도로 근접할 수 있다. 한편, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치를 넓히는 경우에는, 광학 부재(550)(면(550b 및 550c))를 -X 방향으로 신장함으로써 대응할 수 있다. 또한 제1 실시 형태의 검출부(500)는, 제1 스코프(510a)가 광학 부재(550)에 대하여 이동하도록 구성되어 있지만, 그에 한정되는 것은 아니며, 광학 부재(550)가 제1 스코프(510a)에 대하여 이동하도록 구성되어도 된다. 이 경우에는, 제2 스코프(510b)는 광학 부재(550)와 함께 이동할 수 있다. 또한, 광학 부재(550)의 면(550a)이 Y 방향을 향하여, 제2 스코프(510b)가 Y 방향으로 신장되는 광축을 갖고, X 방향으로 이동 가능한 경우에는, 제2 스코프만을 이동시키도록 구성되어도 된다. 또한, 제1 스코프(510a)나 제2 스코프(510b)의 광로의 도중에 광로 절곡 미러를 설치하고, 광로 절곡 미러를 이동 가능하게 구성해도 된다.

상술한 바와 같이, 제1 실시 형태의 검출부(500)는 마크(22)에 광을 조사하고, 반사된 광에 의하여 당해 마크(22)의 위치를 검출하는 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)를 포함한다. 그리고 제1 실시 형태의 검출부(500)는, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광을 기판(21)에 입사하도록 투과시키는 투과부와, 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광을 기판(21)을 향하여 반사하는 면(550a)을 갖는 광학 부재(550)를 포함한다. 또한 검출부(500)는, 기판 상에 형성된 2개의 마크(22)의 X 방향에 있어서의 간격에 따라, 제1 스코프(510a)를 광학 부재(550)에 대하여 상대적으로 X 방향으로 이동시킬 수 있다. 이와 같이 검출부(500)를 구성함으로써, 검출부(500)는, 예를 들어 X 방향으로 인접하는 2개의 마크(22)의 간격이 서로 상이한 기판 간에 있어서도, 제1 스코프(510a)를 이동시킴으로써 당해 2개의 마크(22)를 동시에 검출할 수 있다.

<제2 실시 형태>

제2 실시 형태의 검출부(600)에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태의 검출부(600)는, 제1 실시 형태의 검출부(500)와 비교하여, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치를 더 근접시킬 수 있도록 구성되어 있다.

도 12는, 제2 실시 형태의 검출부(600)의 구성을 도시하는 도면이다. 제2 실시 형태의 검출부(600)에서는, 광학 부재(550)의 면(550a)에 프리즘(560)이 접합되어 있다. 프리즘(560)은, 예를 들어 유리 등, 광학 부재(550)의 재료와 동일한 재료로 제작되면 된다. 광학 부재(550)의 면(550a)에 접합된 프리즘(560)은, 예를 들어 광학 부재(550)의 면(550c)과 연속하고, 또한 기판(21)의 표면과 평행한 면(560a)과, 제2 스코프(510b)의 광축에 직교하는 면(560b)을 포함할 수 있다. 이것에 의하여 도 13에 도시한 바와 같이, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광을 광학 부재(550)의 면(550a)을 통하여 기판(21)에 조사시킬 수 있다. 그로 인하여 제2 실시 형태의 검출부(600)는, 제1 실시 형태의 검출부(500)와 비교하여, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치를 더 근접시킬 수 있다. 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치를 일치시키는 것도 가능해진다. 이것에 의하여, X 방향으로 인접하는 마크(22a)와 마크(22b)의 간격이, 도 12에 도시하는 간격(24c)보다 좁은 간격(24d)이어도, 검출부(600)는 마크(22a)와 마크(22b)를 동시에 검출할 수 있다.

이와 같이 구성된 검출부(600)에서는, 광학 부재(550)의 면(550a)에, 파장 대역에서 반사와 투과를 구분하는 다이크로익 막이나, 편광 특성으로 반사와 투과를 구분하는 편광 빔 스플리터 막을 형성하면 된다. 광학 부재(550)의 면(550a)에 다이크로익 막을 형성하는 경우에는, 제1 스코프(510a)로부터 사출되는 광과 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광이 서로 상이한 파장 대역을 갖도록 각 스코프(510a 및 510b)를 구성하면 된다. 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광의 파장 대역을 서로 상이하게 하는 방법으로서는, 예를 들어 서로 상이한 파장 대역의 광을 사출하는 광원을 사용하는 방법이나, 서로 상이한 파장 대역의 광을 투과시키는 파장 필터를 사용하는 방법 등이 있다. 또한, 광학 부재(550)의 면(550a)에 편광 빔 스플리터 막을 형성하는 경우에는, 제1 스코프(510a)로부터 사출되는 광과 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광이 서로 상이한 편광 특성을 갖도록 각 스코프(510a 및 510b)를 구성하면 된다. 예를 들어, 제1 스코프(510a)로부터 사출되는 광의 편광 특성을 S 편광 및 P 편광 중 한쪽으로 하고, 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광의 편광 특성을 S 편광 및 P 편광 중 다른 쪽으로 하면 된다. 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광의 편광 특성을 서로 상이하게 하는 방법으로서는, 예를 들어 각 스코프(510a, 510b)로부터 사출되는 광이 원하는 편광 특성으로 되도록 각 스코프(510a, 510b)에 편광판을 배치하는 방법이 있다.

상술한 바와 같이 제2 실시 형태의 검출부(600)는, 광학 부재(550)의 면(550a)에 프리즘(560)을 접합시켜, 제1 스코프(510a)와 제2 스코프(510b)로부터 사출되는 광의 특성(파장 대역 또는 편광 특성)을 서로 상이하게 한다. 이것에 의하여, 제2 실시 형태의 검출부(600)는 제1 실시 형태의 검출부(500)와 비교하여, 제1 스코프(510a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(510b)로부터 사출된 광의 조사 위치를 더 근접시킬 수 있다.

<제3 실시 형태>

제3 실시 형태의 검출부(700)에 대하여 설명한다. 제3 실시 형태의 검출부(700)는, 4개의 스코프(520a 내지 520d)와, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광을 각각 반사하는 4개의 면(580a 내지 580d)을 갖는 광학 부재(580)를 포함할 수 있다. 그리고 검출부(700)는, 광학 부재(580)를 기판(21)의 표면과 수직으로 되는 방향으로 이동시킴으로써, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격을 변경할 수 있다.

도 14는, 제3 실시 형태의 검출부(700)를 Y 방향에서 보았을 때의 도면이며, 4개의 스코프(520) 중 2개의 스코프(520)(제1 스코프(520a) 및 제2 스코프(520b))가 도시되어 있다. 또한 도 15는, 제3 실시 형태의 검출부(700)를 Z 방향에서 보았을 때의 도면이며, 4개의 스코프(520)(제1 스코프(520a), 제2 스코프(520b), 제3 스코프(520c) 및 제4 스코프(520d))가 도시되어 있다. 각 스코프(520)는 도 3에 도시하는 스코프(310)와 마찬가지로, 예를 들어 발광부와, 광학계와, 빔 스플리터(523)와, 개구 조리개와, 대물 렌즈(525)와, 릴레이 렌즈(526)와, 촬상 소자(527)를 각각 포함할 수 있다. 도 14 및 도 15에서는, 각 스코프에 있어서의 발광부와 광학계와 개구 조리개의 도시를 각각 생략한다.

광학 부재(580)는, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광을 기판(21)을 향하여 반사하는 4개의 면(580a 내지 580d)을 갖는 사각추의 형상으로 구성될 수 있다. 도 14에서는 광학 부재(580)에 있어서, 제1 스코프(520a)로부터 사출된 광을 반사하는 면(580a)(제1 면)과, 제2 스코프(520b)로부터 사출된 광을 반사하는 면(580b)(제2 면)이 도시되어 있다. 또한 도 14에서는, 제3 스코프(520c)로부터 사출된 광을 반사하는 면(580c)이 도시되어 있다. 이와 같이 구성된 검출부(700)는, 각 스코프(520a 내지 520d)에 의하여, 도 15에 도시한 바와 같이 기판 상에서 인접하는 마크(22e 내지 22h)를 동시에 검출할 수 있다.

이와 같이 구성된 제3 실시 형태의 검출부(700)에서는, 광학 부재(580)는 기판(21)의 표면과 직교하는 방향(Z 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 검출부(700)는 광학 부재(580)를 Z 방향으로 구동하는 구동 기구를 포함하고, 당해 구동 기구는 제어부(50)에 의하여 제어될 수 있다. 이것에 의하여 검출부(700)는, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격을, 인접하는 4개의 마크의 상대 위치에 따라 변경할 수 있다. 예를 들어, 도 16에 도시한 바와 같이 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시킨 경우를 상정한다. 이 경우, 제1 스코프(520a)로부터 사출된 광의 조사 위치와 제2 스코프(520b)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격을, 도 14에 도시하는 간격(24e)으로부터 도 16에 도시하는 간격(24g)으로 좁힐 수 있다. 또한, 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시켰을 시에 있어서의 검출부(700)를 Z 방향에서 보았을 때의 도 17에 도시한 바와 같이, 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시킴으로써, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격을 좁힐 수 있다. 따라서, 검출부(700)는 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시킴으로써, 도 15에 도시하는 4개 마크(22e 내지 22h)보다 좁은 간격으로 배치된 4개의 마크(22i 내지 22l)를 동시에 검출할 수 있다.

상술한 바와 같이 제3 실시 형태의 검출부(700)는, 4개의 스코프(520a 내지 520d)와, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광을 기판(21)을 향하여 반사하는 4개의 면(580a 내지 580d)을 갖는 광학 부재(580)를 포함할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여, 검출부(700)는 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시킴으로써, 각 스코프(520a 내지 520d)로부터 사출된 광의 조사 위치의 간격을 변경시킬 수 있다. 그로 인하여, 인접하는 4개의 마크의 간격이 서로 상이한 기판 간에 있어서도, 광학 부재(580)를 Z 방향으로 이동시킴으로써 당해 4개의 마크를 동시에 검출할 수 있다. 여기서 제3 실시 형태에서는, 검출부(700)에 4개의 스코프(520a 내지 520d)가 포함되는 경우에 대하여 설명했지만, 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 검출부(700)에 2개 또는 3개의 스코프(520)가 포함되는 경우, 또는 5개 이상의 스코프(520)가 포함되는 경우에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.

<물품의 제조 방법의 실시 형태>

본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는 데 적합하다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 상술한 리소그래피 장치(노광 장치나 임프린트 장치, 묘화 장치 등)를 사용하여 기판에 원판의 패턴을 전사하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 전사된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론이며, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

Claims

기판에 형성된 제1 마크 및 상기 제1 마크와는 상이한 제2 마크를 검출하는 검출 장치이며,
반사면을 갖는 광학 부재와,
제1 대물 렌즈를 갖는 제1 광학계와, 상기 광학 부재를 통해 상기 기판에 조사한 광 중에서 상기 기판에서 반사되어 다시 상기 광학 부재를 통과한 제1 광을 이용해서 상기 제1 광학계가 형성하는 마크의 상을 검출하는 제1 촬상 소자를 갖는 제1 스코프와,
제2 대물 렌즈를 갖는 제2 광학계와, 상기 반사면에서 반사시켜서 상기 기판에 조사한 광 중에서 상기 기판에서 반사되어 다시 상기 반사면에서 반사된 제2 광을 이용해서 상기 제2 광학계가 형성하는 마크의 상을 검출하는 제2 촬상 소자를 갖는 제2 스코프와,
상기 제1 스코프를 이용하여 상기 제1 마크를 검출함과 함께 상기 제2 스코프를 이용하여 상기 제2 마크를 검출하기 위해, 상기 기판에 따른 방향으로 상기 광학 부재와 상기 제1 스코프의 위치 관계를 변경하는 변경 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 광학 부재는, 상기 반사면을 단부에 갖고, 상기 기판의 표면을 따라 상기 기판측의 면에 대면하도록 형성된 투명한 부재인 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 반사면은, 상기 기판측으로 기울어져 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 변경 수단이 상기 광학 부재와 상기 제1 스코프의 위치 관계를 변경하는 것에 의해서, 상기 방향에서 상기 제1 광이 상기 광학 부재에 입사하는 위치와 상기 반사면과의 위치가 변경되는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 광학 부재는, 상기 광학 부재를 투과한 상기 제1 광의 주광선과, 상기 반사면에서 반사된 상기 제2 광의 주광선이 평행이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 광학 부재는, 상기 광학 부재를 투과한 상기 제1 광의 주광선과, 상기 반사면에서 반사된 상기 제2 광의 주광선이 상기 기판의 표면에 대해서 각각 수직이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 반사면은, 상기 제1 광을 투과하고, 또한 상기 제2 광을 반사하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 광 및 상기 제2 광은, 상이한 편광 특성을 갖고,
상기 반사면에는, 입사한 광의 편광 특성에 따라 해당 광을 반사 또는 투과시키는 편광 빔 스플리터 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 광은 제1 파장 대역의 광이며, 상기 제2 광은 상기 제1 파장 대역과는 상이한 파장 대역의 광이며,
상기 반사면에는, 입사한 광의 파장 대역에 따라 해당 광을 반사 또는 투과시키는 다이크로익 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 반사면에는, 상기 제2 광을 반사시키는 반사막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 변경 수단은, 상기 제1 스코프를, 상기 광학 부재를 투과한 상기 제1 광의 초점의 높이가 변경되지 않도록, 상기 광학 부재에 대해서 상기 방향으로 이동시키는 수단인 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 변경 수단은, 상기 광학 부재를 상기 방향으로 이동시키는 수단인 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 스코프는, 그 광축이 상기 기판의 표면에 수직으로 되도록 배치되고,
상기 제2 스코프는, 상기 제1 스코프의 광축과 상기 제2 스코프의 광축 사이의 각도가 90° 미만으로 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 광학 부재에 있는 상기 반사면에, 상기 제1 광 및 상기 제2 광이 투과 가능한 프리즘이 접합되어 있는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
제1항에 있어서,
상기 변경 수단은, 상기 방향 중 상기 제1 마크와 상기 제2 마크가 늘어서 있는 방향에서 상기 위치 관계를 변경하는 것을 특징으로 하는, 검출 장치.
기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
상기 기판에 형성된 제1 마크와 제2 마크를 검출하는, 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 검출 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피 장치.
물품의 제조 방법이며,
리소그래피 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 형성 공정과,
상기 형성 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 가공 공정을 포함하고,
상기 물품은, 상기 가공 공정에서 가공된 상기 기판의 적어도 일부를 포함하며,
상기 리소그래피 장치는, 상기 기판에 형성된 제1 마크 및 상기 제1 마크와는 상이한 제2 마크를 검출하는 검출 장치를 포함하며,
상기 검출 장치는,
반사면을 갖는 광학 부재와,
제1 대물 렌즈를 갖는 제1 광학계와, 상기 광학 부재를 통해 상기 기판에 조사한 광 중에서 상기 기판에서 반사되어 다시 상기 광학 부재를 통과한 제1 광을 이용해서 상기 제1 광학계가 형성하는 마크의 상을 검출하는 제1 촬상 소자를 갖는 제1 스코프와,
제2 대물 렌즈를 갖는 제2 광학계와, 상기 반사면에서 반사시켜서 상기 기판에 조사한 광 중에서 상기 기판에서 반사되어 다시 상기 반사면에서 반사된 제2 광을 이용해서 상기 제2 광학계가 형성하는 마크의 상을 검출하는 제2 촬상 소자를 갖는 제2 스코프와,
상기 제1 스코프를 이용하여 상기 제1 마크를 검출함과 함께 상기 제2 스코프를 이용하여 상기 제2 마크를 검출하기 위해, 상기 기판에 따른 방향으로 상기 광학 부재와 상기 제1 스코프의 위치 관계를 변경하는 변경 수단을 포함하고,
상기 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 마크 및 상기 제2 마크를 검출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
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