KR101827213B1 - 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 검출기 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단파장적외선 대역 광 검출기에 사용되는 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, Zn SOG(Solar-grade) 확산 공정에서 사용되는 확산 방지막의 박막 스트레스를 최소화하여, 종래에 비해 낮은 암전류 특성을 가지는 감광성 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법{Photo-sensitive semiconductor having small dark current and Method for manufacturing the same}
본 발명은 광 검출기 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단파장적외선 대역 광 검출기에 사용되는 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
단파장 적외선 대역 광검출기로 사용되는 InGaAs 감광성 반도체 소자는 0.9~1.7㎛ 파장에 가장 적합하며 높은 양자효율 특성과 낮은 암전류 특성으로 인해 활발히 연구되고 있다. 하지만, 최근 화소 수가 증가하여 소자의 집적도가 높아짐에 따라 소자의 크기가 작아지게 되어 암전류를 감소시킬 필요가 있다.
부연하면, InGaAs 감광성 반도체 소자의 암전류는 InP 덮개층에서의 표면누설전류 성분과 InGaAs 활성층에서의 벌크전류 성분의 합이며, 소자의 크기가 작아질수록 InP 덮개층에서의 표면누설전류 성분의 영향이 커지게 된다.
1. 한국공개특허번호 제10-1998-0012624호(1998.04.30)
1. 이인준, "가이거모드 InGaAs 아발란치 포토다이오드의 암전류 분석"학위논문(석사) 아주대학교 2015년 전자공학과
본 발명은 위 배경기술에 따른 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로서, 기존 InGaAs 감광성 반도체 소자보다 개선된 암전류 특성을 갖는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명은 위에서 제시된 과제를 달성하기 위해, 기존 InGaAs 감광성 반도체 소자보다 개선된 암전류 특성을 갖는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자를 제공한다.
상기 감광성 반도체 소자는,
기판(110);
상기 기판(110)의 상단면에 형성되는 하부 전극층(130);
상기 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되며 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140);
상기 활성층(140)의 상단면에 형성되며 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150); 및
상기 활성화 영역(160)의 상단면에 형성되는 상부 전극층(180);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 활성화 영역(160)은 상기 덮개층(150)의 표면에서부터 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 감광성 반도체 소자는, 상기 하부 전극층(130)과 기판(110)사이에 식각을 멈추기 위한 식각 멈춤층(120);을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 기판(110), 식각 멈춤층(120), 및 덮개층(150)의 재질은 InP이고, 상기 기판(110)은 격자 정합을 위해 일정 조성비의 InGaAs를 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 상부 전극층(180)의 일부는 습식 식각을 통해 노출되는 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 활성층(140)의 재질은 InGaAs인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 감광성 반도체 소자는, 상기 덮개층(150)을 보호하기 위해 상기 덮개층(150)과 상기 상부 전극층(180) 사이에 형성되며 절연 물질을 증착하여 형성되는 표면 보호막(170);을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 암전류는 상기 덮개층(150)에서의 표면 누설 전류 성분과 상기 활성층(140)에서의 벌크전류 성분의 합인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 활성화 영역(160)은 박막 스트레스가 최소화하기 위해 다중층의 확산 방지층을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 다중층의 확산방지층은 SiO2 및 SiNX으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명의 다른 일실시예는, (a) 기판(110)을 준비하는 단계; (b) 상기 기판(110)의 상단면에 하부 전극층(130)을 형성하는 단계; (c) 상기 하부 전극층(130)의 상단면에 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140)을 형성하는 단계; (e) 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150)을 상기 활성층(140)의 상단면에 형성하는 단계; 및 (f) 상기 활성화 영역(160)의 상단면에 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 (e) 단계는, (e-1) 상기 덮개층(150)의 상단 표면에 확산 방지층(151,152)을 형성하는 단계; (e-2) 상기 확산 방지층(152)에 감광액을 도포하여 감광층(153)을 형성하는 단계; (e-3) 상기 감광층(153)의 상단면에 마스크(154)를 설치하고 자외선 노광을 실시하는 단계; (e-4) 상기 노광후에는 마스크(154)를 제거하고, 사진 현상을 통해 사진 식각 공정을 수행하여 개구 부분(531)을 형성하는 단계; 및 (e-5) 상기 감광층(153)을 박리하고, 상기 개구 부분(531)에 Zn SOG 도포하고 확산 공정을 수행하여 활성화 영역(160)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 (f) 단계는, 습식 식각을 통해 하부 전극층(130)의 일부 상단면을 노출하는 단계; 및 상기 하부 전극층(130)의 일부 상단면에 상기 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, Zn SOG(Solar-grade) 확산 공정에서 사용되는 확산 방지막의 박막 스트레스를 최소화하여, 종래에 비해 낮은 암전류 특성을 가지는 감광성 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자의 구조를 보인 단면도이다.
도 2는 일반적으로 SiO2 단일층을 확산 방지층으로 형성하였을 때, Zn SOG(Solar-grade) 확산 공정 후 형성된 활성화 영역을 보인 화면예이다.
도 3은 일반적으로 SiNx 단일층을 확산 방지층으로 형성하였을 때, 박막 스트레스로 인해 Zn SOG 확산 공정 후 InP 덮개층에 균열이 발생된 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자를 제작하는 과정을 보여주는 공정도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 덮개층 활성 영역 형성 단계(S440)의 세부 과정을 보여주는 공정도이다.
도 5a 내지 도 5k는 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자를 제작하는 공정을 보여주는 단면도이다.
도 6은 Zn SOG 확산공정에서 사용되는 확산방지층의 박막스트레스를 나타낸 도면이다.
도 7은 일반적으로 SiNx단일층으로 형성된 확산 방지층과 본 발명의 일실시 예에 따른 SiNx와 SiO2다층막으로 형성된 확산 방지층을 형성하여 제작된 감광성 반도체 소자의 암전류를 측정한 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것 뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법을 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자를 설명하기에 앞서, 암전류에 대해 설명하면 암전류는 반도체에 빛을 조사하여 일어나는 광전효과 등을 조사할 때, 암소의 특성을 조사할 필요가 있는데, 암소에서도 흐르는 전류를 암전류라 한다. 광전효과(光電效果)에 의해 광전류를 발생하는 물체 또는 장치에서 열적(熱的) 원인, 절연성 불량 등이 원인이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자의 구조를 보인 단면도이다. 특히, 감광성 반도체 소자는 InGaAs 감광성 반도체 소자가 될 수 있다. 도 1을 참조하면, 감광성 반도체 소자는, 적층 순서대로 기판(110), 식각 멈춤층(120), 하부 전극층(130), 활성층(140), 덮개층(150), 표면 보호막(170), 상부 전극층(180) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 InP으로 이루어지나, 이에 한정되는 것은 아니고 다른 물질도 가능하다. InP 기판(110)을 사용하는 경우 격자 정합을 위해 일정 조성비의 InGaAs를 성장시킬 수 있다.
이 기판(110)의 상단면에 식각 멈춤층(120)이 적층된다. 식각 멈춤층(120)은 식각을 멈추기 위한 층으로서 InGaAs로 이루어지나 이에 한정되는 것은 아니고 다른 물질 등으로 구성될 수 있다.
이 식각 멈춤층(120)의 상단면에 하부 전극층(130)이 형성된다. 하부 전극층(130)은 InP으로 이루어지나, 이에 한정되는 것은 아니고 다른 물질 등으로 구성될 수 있다. 이 하부 전극층(130)은 n형 금속 전극 또는 p형 금속 전극이 된다.
하부 전극층(130)의 상단면에 활성층(140)이 형성된다. 활성층(140)은 InGaAs로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 다른 물질 등으로 구성될 수 있다. 이 활성층(140)은 전자와 홀이 발생하는 층이다.
활성층(140)의 상단면에 덮개층(150)이 형성된다. 덮개층(150)은 활성층(140)이 산화되는 것을 방지하기 위해 형성되는 층이다. 덮개층(150)은 InP로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 다른 물질 등으로 구성될 수 있다.
또한, 덮개층(150)에는 활성화 영역(160)이 형성된다. 활성화 영역(160)은 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어가 이동하여 전류를 발생시키는 영역이다.
덮개층(150)과 활성화 영역(160)의 상단면에 표면 보호막(170)이 형성된다. 표면 보호막(170)은 외부로부터 덮개층(150)을 보호하기 위해 형성되는 층이다.
활성화 영역(160)은 SiO2 또는 SiNx등으로 형성한 확산 방지층을 이용하여 Zn SOG(Spin-on-glass) 확산공정을 통해 형성한다.
또한, InGaAs 감광성 반도체 소자의 암전류는 덮개층(150)에서의 표면 누설 전류 성분과 활성층(140)에서의 벌크전류 성분의 합이며, 소자의 크기가 작아질수록 덮개층(150)에서의 표면 누설 전류 성분의 영향이 커진다.
표면 보호막(170)의 상단면에는 상부 전극층(180)이 형성된다. 표면보호막(170)은 절연층의 역할을 한다. 표면보호막(170)은 절연물질을 증착하여 형성된다.
상부 전극층(180)은 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질로 형성된다. 따라서, 상부 전극층(180)은, 금, 백금, 티타늄, 아연, 팔라듐, 크롬 등의 전기전도성 물질, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물 등으로 형성될 수 있다.
도 2는 일반적으로 SiO2 단일층을 확산 방지층으로 형성하였을 때, Zn SOG(Solar-grade) 확산 공정 후 형성된 활성화 영역을 보인 화면예이다. 도 2를 참조하면, 확산 방지층(152)으로 SiO2 단일층을 사용할 경우 확산 방지층의 역할을 제대로 수행하지 못하여 주변 소자(즉, 덮개층(150))까지 활성화 영역(160)이 형성되는 문제가 발생한다.
도 3은 일반적으로 SiNx 단일층을 확산 방지층으로 형성하였을 때, 박막 스트레스로 인해 Zn SOG 확산 공정 후 덮개층(150)에 균열이 발생된 도면이다. 도 3을 참조하면, 확산 방지층(152)으로 SiNx 단일층을 사용할 경우 높은 박막 스트레스가 발생하기 쉽다. 이로 인해 후속 공정인 Zn SOG 확산공정 후 덮개층(150)에 균열이 발생되거나 잔류응력이 남아있어 표면 누설 전류가 증가하여, 암전류 특성이 좋지 않게 된다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 반도체 소자를 제작하는 과정을 보여주는 공정도이다. 도 4a를 참조하면, 먼저 기판(110)을 준비한다(단계 S410). 이후, 기판(110)의 상단면에 식각 멈춤층(120)을 형성하고, 이 하부 전극층(130)의 상단면에 하부 전극층(130)을 형성한다(단계 S420). 물론, 식각 멈춤층(120)을 형성하지 않고 하부 전극층(130)을 형성하는 것도 가능하다. 식각 멈춤층(120)은 하부 전극층(130)을 형성할때 습식 식각을 사용하는 경우, 식각이 기판(110)에 미치지 않도록 하기 위한 것이다. 따라서 다른 식각 방식을 사용하는 경우, 식각 멈춤층(120)을 필요로 하지 않을 수 있다.
이후, 상기 하부 전극층(130)의 상단면에 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140)을 형성하고, 이 활성층(140)을 보호하기 위해 덮개층(150)이 형성된다(단계 S430). 즉, 덮개층(150)은 활성층(140)의 산화를 방지한다.
이후, 덮개층(150)의 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 형성한다(단계 S440).
이후, 상기 덮개층(150)의 상단면에 표면 보호막(170)을 형성한다(단계 S460). 물론 이러한 표면 보호막(170)을 생략하고, 덮개층(150) 및/또는 활성영역(160)의 상단면에 상부 전극층(180)을 바로 형성하는 것도 가능하고, 표면 보호막(170)의 상단면에 형성하는 것도 가능하다(단계 S470).
물론, 하부 전극층(130)을 노출시켜 이 하부 전극층(130)의 상단면에 상부 전극층(180)을 형성할 수 있다. 이를 위해, 습식 식각 용액을 이용하여 덮개층(150)을 식각하는 단계, 습식 식각 용액을 이용하여 활성층(140)을 식각하는 단계가 수행될 수 있다. 이후, 표면 보호막(170)이 형성되고, 상부 전극층(180)이 형성된다.
도 4b는 도 4a에 도시된 덮개층 활성 영역 형성 단계(S440)의 세부 과정을 보여주는 공정도이다. 도 4b를 참조하면, 형성된 덮개층(150)의 상단 표면에 이중 확산 방지층(151,152)을 형성한다(단계 S441). 이를 보여주는 도면이 도 5a 및 도 5b이다. 이때, 제 1 확산 방지층(151)과 제 2 확산 방지층(152)은 적층 높이가 다를 수 있으며, 재질이 다를 수도 있다. 부연하면, SiO2 및/또는 SiNX으로 서로 재질이 다르게 이루어질 수 있다. 박막 스트레스가 최소화하기 위해 이중 확산 방지층을 이용한다.
이후, 제 2 확산 방지층(152)에 감광액을 도포하여 감광층(153)을 형성한다(단계 S442).
이후, 감광층(153)의 상단면에 마스크(154)를 설치하고 자외선 노광을 실시한다(단계 S443,S444). 이를 보여주는 도면이 도 5d 및 도 5e이다. 마스크(154)는 활성화 영역(160)이 형성될 부분과 대응되는 위치(501)가 노출된 구조로 형성되어 있는 구조이다.
이후, 노광후에는 마스크(154)를 제거하고, 사진 현상을 통해 사진 식각 공정을 수행한다(단계 S446,S447). 이를 보여주는 도면이 도 5g 및 도 5h에 도시된다.
이후, 사진 식각 공정후, 이중 확산 방지층(151,152)에 개구 부분(531)이 형성되며, 감광층(153)을 박리하고, 이 개구 부분(531)에 Zn SOG 도포하고 확산 공정을 수행하여 중간 활성화 영역(560)을 생성한다(단계 S448,S449). 이를 보여주는 도면이 도 5i 및 도 5j에 도시된다.
이후, 습식 시각을 통해 이중 확산 방지층(151,152)을 제거한다(단계 S450). 최종적으로 덮개층(150)의 일부분에 활성화 영역(160)이 형성된다. 이를 보여주는 도면이 도 5k에 도시된다.
도 6은 Zn SOG 확산공정에서 사용되는 확산 방지층의 박막 스트레스를 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, 종래의 SiNx단일층으로 형성된 확산 방지층(151)과 본 발명의 일실시예에 따른 SiNx와 SiO2 다층막으로 형성된 확산 방지층(151, 152)을 형성 후 측정된 박막 스트레스를 나타내는 도면이다.
도 6에서 보여지는 바와 같이 측정된 박막 스트레스가 크게 감소하였으며, 이는 일정 정도 이하의 박막 스트레스를 가짐으로써 덮개층(150)의 균열 현상이나, 잔류응력을 크게 감소시켜 표면 누설 전류를 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 암전류 특성이 좋은 감광성 반도체 소자를 제조할 수 있다.
도 7은 일반적으로 SiNx단일층으로 형성된 확산 방지층과 본 발명의 일실시 예에 따른 SiNx와 SiO2다층막으로 형성된 확산 방지층을 형성하여 제작된 감광성 반도체 소자의 암전류를 측정한 그래프이다.
도 7을 참조하면, 종래의 SiNx 단일층을 확산 방지층(151)으로 형성하여 제작된 감광성 반도체 소자와 본 발명의 일실시예에 따른 SiNx와 SiO2 다층막을 확산방지층(151, 152)으로 형성하여 제작된 감광성 반도체 소자의 암전류 특성을 나타내는 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 박막 스트레스가 감소함에 따라 암전류가 감소함을 볼 수 있으며, 이는 감광성 반도체 소자의 성능이 향상되었음을 의미한다.
110: 기판
120: 식각 멈춤층
130: 하부 전극층
140: 활성층
150: 덮개층
160: 활성화 영역
170: 표면 보호막
180: 상부 전극층

Claims (14)

  1. 암전류가 작은 감광성 반도체 소자에 있어서,
    기판(110);
    상기 기판(110)의 상단면에 형성되는 하부 전극층(130);
    상기 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되며 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140);
    상기 활성층(140)의 상단면에 형성되며 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150); 및
    상기 활성화 영역(160)의 상단면에 형성되는 상부 전극층(180);을 포함하며,
    상기 상부 전극층(180)의 일부는 습식 식각을 통해 노출되는 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성화 영역(160)은 상기 덮개층(150)의 표면에서부터 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극층(130)과 기판(110)사이에 식각을 멈추기 위한 식각 멈춤층(120);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판(110), 식각 멈춤층(120), 및 덮개층(150)의 재질은 InP이고, 상기 기판(110)은 격자 정합을 위해 일정 조성비의 InGaAs를 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성층(140)의 재질은 InGaAs인 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 덮개층(150)을 보호하기 위해 상기 덮개층(150)과 상기 상부 전극층(180) 사이에 형성되며 절연 물질을 증착하여 형성되는 표면 보호막(170);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 암전류는 상기 덮개층(150)에서의 표면 누설 전류 성분과 상기 활성층(140)에서의 벌크전류 성분의 합인 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성화 영역(160)은 박막 스트레스가 최소화하기 위해 다중층의 확산 방지층을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다중층의 확산방지층은 SiO2 및 SiNX으로 구성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자.
  11. 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법에 있어서,
    (a) 기판(110)을 준비하는 단계;
    (b) 상기 기판(110)의 상단면에 하부 전극층(130)을 형성하는 단계;
    (c) 상기 하부 전극층(130)의 상단면에 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140)을 형성하는 단계;
    (e) 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150)을 상기 활성층(140)의 상단면에 형성하는 단계; 및
    (f) 상기 활성화 영역(160)의 상단면에 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 (f) 단계는,
    습식 식각을 통해 하부 전극층(130)의 일부 상단면을 노출하는 단계; 및
    상기 하부 전극층(130)의 일부 상단면에 상기 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 (e) 단계는,
    (e-1) 상기 덮개층(150)의 상단 표면에 확산 방지층(151,152)을 형성하는 단계;
    (e-2) 상기 확산 방지층(152)에 감광액을 도포하여 감광층(153)을 형성하는 단계;
    (e-3) 상기 감광층(153)의 상단면에 마스크(154)를 설치하고 자외선 노광을 실시하는 단계;
    (e-4) 상기 노광후에는 마스크(154)를 제거하고, 사진 현상을 통해 사진 식각 공정을 수행하여 개구 부분(531)을 형성하는 단계; 및
    (e-5) 상기 감광층(153)을 박리하고, 상기 개구 부분(531)에 Zn SOG 도포하고 확산 공정을 수행하여 활성화 영역(160)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은 박막 스트레스가 최소화하기 위해 다중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광성 반도체 소자 제조방법.
  14. 삭제
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