KR101813531B1 - 투명전극과 이것의 제조방법 - Google Patents

투명전극과 이것의 제조방법 Download PDF

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윤승재
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Abstract

본 발명은 금속나노와이어와 금속의 소결을 통해 투명전극을 형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를 대체하면서도 투과도를 향상시키고, 면저항을 감소시키며, 제조 비용을 절감할 수 있는 투명전극과 이것의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해 투명전극은 투명한 재질의 베이스기판 및 베이스기판에 적층 고정된 전극층을 포함한다. 여기서, 베이스기판에는 활성층이 형성된다. 또한, 전극층은 금속나노와이어의 상호 융착에 의해 형성되고 활성층이 형성된 베이스기판에 적층 고정되는 접속전극 및 금속의 소결에 의해 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 접속전극에 일체로 적층 고정되는 개선전극을 포함한다.

Description

투명전극과 이것의 제조방법{TRANSPARENT ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD OF THIS}
본 발명은 투명전극과 이것의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 금속나노와이어와 금속의 소결을 통해 투명전극을 형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를 대체하면서도 투과도를 향상시키고, 면저항을 감소시키며, 제조 비용을 절감할 수 있는 투명전극과 이것의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전극은 각 전기소자로 전하를 전달함으로써 각 전기소자를 구동하는 에너지 전달을 수행하는 것으로, 여러 분야에 널리 사용되고 있다.
특히, 투명전극은 통상 80% 이상의 고투명도와 면저항 500 Ω/sqm 이하의 전도도를 갖는 전자 부품으로 LCD 전면전극, OLED 디스플레이, OLED 조명, 터치스크린, 태양전지, 광전자 소자 등 전자분야에 광범위하게 사용되고 있으며, ITO 전극을 주로 이용되고 있다.
디스플레이 산업이 급성장함에 따라 ITO 전극의 수요가 급증하면서 인듐 고갈의 문제가 세계적으로 중요한 이슈로 대두되었고, 이를 대체하기 위한 노력들이 이루어지고 있다.
또한, 종래 기술에서는 투명전극으로 ITO가 사용되기 때문에, 기판에 ITO를 형성하기 위한 진공박막공정으로 인한 고가의 공정비용이 소요되고, ITO의 전도도 및 ITO가 형성된 기판의 투과도 등을 만족시키기 위한 열처리 공정으로 인한 적용 기판의 제약이 불가피하다.
또한, 종래 기술에서는 ITO의 딱딱함으로 인해 플렉시블한 기판의 제조에서는 적용이 어렵다.
대한민국 공개특허공보 제2016-0059531호(발명의 명칭 : 은나노와이어 투명전극 제조방법, 2016. 05. 27. 공개)
본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 금속나노와이어와 금속의 소결을 통해 투명전극을 형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를 대체하면서도 투과도를 향상시키고, 면저항을 감소시키며, 제조 비용을 절감할 수 있는 투명전극과 이것의 제조방법을 제공함에 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예에 따르면, 본 발명의 투명전극은 투명한 재질의 베이스기판; 및 상기 베이스기판에 적층 고정된 전극층;을 포함하고, 상기 베이스기판에는 활성층이 형성되고, 상기 전극층은, 금속나노와이어의 상호 융착에 의해 형성되고, 상기 활성층이 형성된 상기 베이스기판에 적층 고정되는 접속전극; 및 금속의 소결에 의해 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 상기 접속전극에 일체로 적층 고정되는 개선전극;을 포함한다.
본 발명의 투명전극은 투명한 재질로 이루어지고, 광경화에 의해 상기 전극층에 적층 고정되는 레진층;을 더 포함한다.
본 발명의 투명전극의 형성방법은 투명한 재질로 이루어진 베이스기판을 준비하는 기판준비단계; 베이스기판의 표면에 활성층을 형성하는 표면처리단계; 베이스기판의 표면에 금속나노와이어를 도포하는 제1도포단계; 상기 금속나노와이어가 상호 융착되도록 상기 베이스기판 상에서 상기 금속나노와이어를 소결하는 제1소결단계; 상기 금속나노와이어가 소결된 상기 베이스기판의 표면에 페이스트 또는 잉크 상태의 금속을 도포하는 제2도포단계; 상기 금속이 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 상기 금속나노와이어에 일체로 적층 고정되도록 상기 베이스기판 상에서 상기 금속을 소결하는 제2소결단계;를 포함한다.
본 발명의 투명전극의 형성방법은 상기 제2소결단계를 거친 다음, 상기 금속이 소결된 상기 베이스기판의 표면에 레진을 도포하는 레진도포단계; 및 상기 레진에 소결된 상기 금속나노와이어와, 소결된 상기 금속이 고정되도록 상기 레진을 경화시키는 큐어링단계;를 더 포함한다.
본 발명의 투명전극의 형성방법은 상기 제2소결단계를 거친 다음, 소결되지 않은 상기 금속을 상기 베이스기판으로부터 분리시키거나, 상기 금속의 소결에 따라 완성된 전극층 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 표면세정단계;를 더 포함한다.
본 발명에 따른 투명전극과 이것의 제조방법에 따르면, 금속나노와이어와 금속의 소결을 통해 투명전극을 형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를 대체하면서도 투과도를 향상시키고, 면저항을 감소시키며, 제조 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명은 플렉시블한 소자에서 베이스기판의 구부러짐에 대응하여 투명전극의 연결 상태를 안정화시키고, 투명전극이 끊어지는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 전극층에서 전기전도도를 안정화시키고, 개선전극의 선폭을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 전극층에서 개선전극과 접속전극의 순도를 유지시키고, 레진층과 전극층 사이에 이물질이 혼입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 투명전극의 표면 거칠기를 향상시키고, 레진층에서 전극층의 고정 상태를 안정화시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 베이스기판에서 전극층의 형성이 자유로우며, 전극층의 단락을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법에서 단계별 공정 상태를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 투명전극과 이것의 제조방법의 일 실시예를 설명한다. 이때, 본 발명은 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명확하게 하기 위해 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 베이스기판(10)과, 베이스기판(10)에 적층 고정되는 전극층(30)을 포함하고, 전극층(30)에 적층 고정되는 레진층(40)을 더 포함할 수 있다.
상기 베이스기판(10)은 투명전극의 형성을 위해 베이스기판(10)은 투명한 재질로 이루어진다. 베이스기판(10)은 외력에 의해 자유롭게 구부러지는 재질(플렉시블한 재질)로 이루어질 수 있다. 일예로, 베이스기판(10)은 PET(PolyEthylene phthalate) 필름, PI(PolyImide) 필름으로 형성될 수 있다. 여기서, 베이스기판(10)에는 활성층(20)이 형성됨으로써, 전극층(30)을 베이스기판(10)에 안정되게 적층 고정할 수 있다.
상기 전극층(30)은 은, 구리 등과 같이 통전되는 재질로 이루어지고, 베이스기판(10), 레진층(40)과 함께 외력에 의해 자유롭게 구부러질 수 있다.
전극층(30)은 접속전극(32)과, 개선전극(34)을 포함할 수 있다.
접속전극(32)은 베이스기판(10)에 적층 고정된다. 접속전극(32)은 금속나노와이어(31)의 상호 융착에 의해 형성된다. 금속나노와이어(31)는 은나노와이어로 이루어질 수 있다. 접속전극(32)의 베이스기판(10)의 표면에 형성될 수 있다. 접속전극(32)은 금속나노와이어(31)의 소결에 따라 금속나노와이어(31)가 상호 융착된 상태로 베이스기판(10)에 적층 고정될 수 있다.
개선전극(34)은 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 접속전극(32)에 적층 고정된다. 개선전극(34)은 구리 또는 은 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 개선전극(34)은 금속을 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 소결함으로서, 접속전극(32)에 적층 고정될 수 있다.
일예로, 개선전극(34)을 격자 무늬로 형성하는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 유기발광다이오드를 이용한 조명에 적용할 수 있다.
다른 예로, 개선전극(34)을 기설정된 패턴으로 형성하는 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극은 유기발광다이오드를 이용한 조명뿐 아니라, 유기발광다이오드를 이용한 디스플레이에 적용할 수 있다.
상기 레진층(40)은 광경화에 의해 전극층(30)에 적층 고정된다. 일예로, 레진층(40)은 전극층(30)에 도포된 상태에서 자외선에 의해 경화됨으로써, 전극층(30)에 고정될 수 있다. 레진층(40)은 베이스기판(10)과 함께 외력에 의해 자유롭게 구부러질 수 있다. 투명전극의 형성을 위해 레진층(40)은 투명한 재질로 이루어진다.
지금부터는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법을 도시한 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법에서 단계별 공정 상태를 도시한 도면이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법은 기판준비단계(S1)와, 표면처리단계(S2)와, 제1도포단계(S3)와, 제1소결단계(S4)와, 제2도포단계(S5)와, 제2소결단계(S6)를 포함하고, 레진도포단계(S8)와, 큐어링단계(S9)를 더 포함하며, 표면세정단계(S7)를 더 포함할 수 있다.
상기 기판준비단계(S1)는 투명전극에 대응하여 베이스기판(10)을 준비한다. 기판준비단계(S1)에서는 베이스기판(10)의 표면을 세정하여 베이스기판(10)의 표면에서 이물질을 제거할 수 있다.
상기 표면처리단계(S2)는 베이스기판(10)의 표면에 활성층(20)을 형성한다. 표면처리단계(S2)는 기판준비단계(S1)를 거친 다음, 제1도포단계(S3)에 앞서, 실시될 수 있다. 표면처리단계(S2)는 베이스기판(10)의 표면에 활성층(20)을 형성함으로써, 이후 공정에서 형성되는 전극층(30)에서 금속나노와이어(31)가 소결과 함께 베이스기판(10)에 안정되게 적층 고정되도록 도와주는 역할을 수행하게 된다. 일예로, 표면처리단계(S2)는 SAMs(Self-Assembled Monolayers) 코팅을 통해 베이스기판(10)의 표면에 활성층(20)을 형성할 수 있다.
상기 제1도포단계(S3)는 베이스기판(10)의 표면에 금속나노와이어(31)를 도포한다. 일예로, 금속나노와이어(31)는 은나노와이어로 구성될 수 있다. 제1도포단계(S3)는 잉크젯 방식, 스핀 코팅 방식 등 다양한 형태를 통해 베이스기판(10)의 표면에 실질적으로 균일하게 금속나노와이어(31)를 도포할 수 있다.
상기 제1소결단계(S4)는 금속나노와이어(31)가 상호 융착되도록 베이스기판(10) 상에서 금속나노와이어(31)를 소결한다. 제1소결단계(S4)는 베이스기판(10)의 표면에 도포된 금속나노와이어(31)로부터 솔벤트를 증발시키는 제1드라이공정과, 금속나노와이어(31) 간의 상호 융착을 위한 제1광소결공정을 포함하게 된다. 일예로, 제1소결단계(S4)는 베이스기판(10)에 광을 조사하여 금속나노와이어(31)를 소결할 수 있다. 제1소결단계(S4)를 거쳐 소결된 금속나노와이어(31)는 전극층(30)의 접속전극(32)을 형성하게 된다.
상기 제2도포단계(S5)는 금속나노와이어(31)가 소결된 베이스기판(10)의 표면에 페이스트 또는 잉크 상태의 금속(33)을 도포한다. 제2도포단계(S5)는 잉크젯 방식, 스핀 코팅 방식 등 다양한 형태를 통해 베이스기판(10)의 표면에 금속(33)을 도포할 수 있다. 금속(33)은 은 또는 구리로 구성될 수 있다.
상기 제2소결단계(S6)는 금속(33)이 금속나노와이어(31)와 접속되도록 베이스기판(10) 상에서 금속(33)을 소결한다. 제2소결단계(S6)는 금속(33)이 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 금속나노와이어(31)에 일체로 적층 고정되도록 한다. 제2소결단계(S6)는 베이스기판(10)의 표면에 도포된 금속(33)으로부터 솔벤트를 증발시키는 제2드라이공정과, 금속(33)의 융착을 위한 제2광소결공정을 포함하게 된다. 제2소결단계(S6)는 레이저를 이용하여 베이스기판(10)에 도포된 금속(33)을 소결할 수 있다. 제2소결단계(S6)를 거침에 따라 소결된 금속(33)은 소결된 금속나노와이어(31)와 일체로 접속된다. 제2소결단계(S6)를 거친 금속(33)은 전극층(30)의 개선전극(34)을 형성하게 된다.
결국, 제1도포단계(S3)부터 제2소결단계(S6)를 거침에 따라 전극층(30)의 접속전극(32)과 개선전극(34)을 구현할 수 있다.
일예로, 제2도포단계(S5)는 도면에 도시된 바와 같이 베이스기판(10)의 표면 전체에 금속(33)을 도포할 수 있다. 이때, 제2도포단계(S5)는 잉크젯 방식 또는 스핀 코팅 방식으로 금속(33)을 베이스기판(10)의 표면 전체에 도포할 수 있다. 그리고 제2소결단계(S6)는 베이스기판(10)의 표면 전체에 도포된 금속(33)을 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 소결한다. 이때, 제2소결단계(S6)는 레이저를 이용하여 금속(33)을 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 소결시킬 수 있다.
그러면, 제2도포단계(S5)와 제2소결단계(S6)의 세부 공정을 한정함에 따라 격자 무늬 또는 기설정된 패턴에서 폭을 조절할 수 있고, 이에 따라 투과도를 향상시킬 수 있다.
이 경우, 소결되지 않은 금속(33)을 베이스기판(10)으로부터 분리시키기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법은 표면세정단계(S7)를 거치게 된다. 상기 표면세정단계(S7)는 베이스기판(10) 상에서 소결되지 않은 금속(33)을 제거한다. 또한, 표면세정단계(S7)는 전극층(30)이 형성된 베이스기판(10)을 세정함으로써, 전극층(30) 상에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있다.
다른 예로, 제2도포단계(S5)는 도시되지 않았지만, 베이스기판(10)에 금속(33)으로 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 제2도포단계(S5)는 잉크젯 방식 또는 스크린프린팅 방식으로 금속(33)을 베이스기판(10)에 공급하여 베이스기판(10) 상에 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성할 수 있다. 그리고 제2소결단계(S6)는 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 베이스기판(10)에 형성된 금속(33)을 소결한다. 이때, 제2소결단계(S6)는 레이저를 이용하여 격자 무늬 또는 기설정된 패턴으로 형성된 금속(33)을 소결할 수 있다. 레이저를 이용하는 경우, 레이저는 베이스기판(10)의 표면에 조사되기도 하고, 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 따라 금속(33)만 조사될 수 있다.
그러면, 제2도포단계(S5)와 제2소결단계(S6)의 세부 공정을 한정함에 따라 격자 무늬 또는 기설정된 패턴에서 폭을 조절할 수 있고, 이에 따라 투과도를 향상시킬 수 있다.
이 경우, 금속(33)의 소결에 따라 완성된 전극층(30) 상에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극의 제조방법은 표면세정단계(S7)를 거치게 된다. 상기 표면세정단계(S7)는 전극층(30)이 형성된 베이스기판(10)을 세정함으로써, 전극층(30) 상에 잔류하는 이물질을 제거한다. 또한, 표면세정단계(S7)는 베이스기판(10) 상에서 소결되지 않은 금속(33)을 제거할 수 있다.
상술한 방법에 따라 형성되는 개선전극(34)은 3 마이크로미터 이하 또는 5 마이크로미터 이하의 선폭으로 형성할 수 있다. 이에 따라 종래에 비해 선폭이 작은 개선전극(34)을 통해 투명전극의 전기전도도를 안정화시키고, 투명전극의 투과도를 향상시킬 수 있다.
상기 레진도포단계(S8)는 금속(33)이 소결된 베이스기판(10)의 표면에 레진을 도포한다. 레진도포단계(S8)는 표면세정단계(S7)를 거친 다음 실시될 수 있다. 레진도포단계(S8)는 잉크젯 방식, 스핀 코팅 방식 등 다양한 형태를 통해 베이스기판(10)의 표면에 실질적으로 균일하게 레진을 도포할 수 있다. 베이스기판(10)의 표면에 도포되는 레진은 소결된 금속나노와이어(31)인 접속전극(32)과 소결된 금속(33)인 개선전극(34)을 감싸게 된다. 이때, 레진과 전극층(30) 사이에는 기포가 발생되지 않도록 한다.
상기 큐어링단계(S10)는 레진에 소결된 금속나노와이어(31)와 소결된 구리(33)가 고정되도록 레진을 경화시킨다. 큐어링단계(S10)는 광경화에 의해 레진에 소결된 금속나노와이어(31)와 소결된 금속(33)을 베이스기판(10)에 안정되게 고착화시고, 외부로부터 전극층을 보호할 수 있다. 일예로, 레진은 자외선에 의해 경화될 수 있다. 큐어링단계(S10)를 거쳐 경화된 레진은 레진층(40)을 형성하게 된다.
상술한 투명전극과 이것의 제조방법에 따르면, 금속나노와이어(31)와 금속(33)의 소결을 통해 투명전극을 형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를 대체하면서도 투과도를 향상시키고, 면저항을 감소시키며, 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 플렉시블한 소자에서 베이스기판(10)의 구부러짐에 대응하여 투명전극의 연결 상태를 안정화시키고, 투명전극이 끊어지는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 전극층(30)에서 전기전도도를 안정화시키고, 개선전극(34)의 선폭을 줄일 수 있다. 또한, 전극층(30)에서 개선전극(34)과 접속전극(32)의 순도를 유지시키고, 레진층(40)과 전극층(30) 사이에 이물질이 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투명전극의 표면 거칠기를 향상시키고, 레진층(40)에서 전극층(30)의 고정 상태를 안정화시킬 수 있다. 또한, 베이스기판(10)에서 전극층(30)의 형성이 자유로우며, 전극층(30)의 단락을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면, 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변경시킬 수 있다.
10: 베이스기판 20: 활성층 30: 전극층
31: 금속나노와이어 32: 접속전극 33: 금속
34: 개선전극 40: 레진층
S1: 기판준비단계 S2: 표면처리단계 S3: 제1도포단계
S4: 제1소결단계 S5: 제2도포단계 S6: 제2소결단계
S7: 표면세정단계 S8: 레진도포단계 S9: 큐어링단계

Claims (5)

  1. 투명한 재질의 베이스기판; 및
    상기 베이스기판에 적층 고정된 전극층;을 포함하고,
    상기 베이스기판에는 활성층이 형성되고,
    상기 전극층은,
    금속나노와이어의 상호 융착에 의해 형성되고, 상기 활성층이 형성된 상기 베이스기판에 적층 고정되는 접속전극; 및
    금속의 소결에 의해 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 상기 접속전극에 일체로 적층 고정되는 개선전극;을 포함하며,
    상기 개선전극의 금속은 구리 또는 은이 사용된 것을 특징으로 하는 투명전극.
  2. 제1항에 있어서,
    투명한 재질로 이루어지고, 광경화에 의해 상기 전극층에 적층 고정되는 레진층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극.
  3. 투명한 재질로 이루어진 베이스기판을 준비하는 기판준비단계;
    베이스기판의 표면에 활성층을 형성하는 표면처리단계;
    베이스기판의 표면에 금속나노와이어를 도포하는 제1도포단계;
    상기 금속나노와이어가 상호 융착되도록 상기 베이스기판 상에서 상기 금속나노와이어를 소결하는 제1소결단계;
    상기 금속나노와이어가 소결된 상기 베이스기판의 표면에 페이스트 또는 잉크 상태의 금속을 도포하는 제2도포단계;
    상기 금속이 격자 무늬 또는 기설정된 패턴을 형성함과 동시에 상기 금속나노와이어에 일체로 적층 고정되도록 상기 베이스기판 상에서 상기 금속을 소결하는 제2소결단계;를 포함하고,
    상기 제1소결단계는 상기 베이스기판의 표면에 도포된 상기 금속나노와이어로부터 솔벤트를 증발시키는 제1드라이공정을 포함하며,
    상기 제2소결단계는 상기 베이스기판의 표면에 도포된 상기 금속으로부터 솔벤트를 증발시키는 제2드라이공정을 포함하고,
    상기 제2소결단계의 금속은 구리 또는 은이 사용된 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2소결단계를 거친 다음, 상기 금속이 소결된 상기 베이스기판의 표면에 레진을 도포하는 레진도포단계; 및
    상기 레진에 소결된 상기 금속나노와이어와, 소결된 상기 금속이 고정되도록 상기 레진을 경화시키는 큐어링단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제2소결단계를 거친 다음, 소결되지 않은 상기 금속을 상기 베이스기판으로부터 분리시키거나, 상기 금속의 소결에 따라 완성된 전극층 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 표면세정단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012023380A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Korea Advanced Inst Of Sci Technol パターンの製造方法
KR101336321B1 (ko) * 2011-11-02 2013-12-03 한국과학기술원 고분자 보호막 및 은 나노 와이어 네트워크를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법
JP2014013820A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電パターン形成基板

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