KR101809141B1 - Apparatus for heating substrate and heater block - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 236
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 99
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Furnace Details (AREA)
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
본 발명의 실시 형태인 히터 블록은 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 열을 전달하는 가열 램프들을 일측면에 구비한 히터블록에 있어서, 상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 한다.A heater block according to an embodiment of the present invention includes a plurality of heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths, The number of bulb lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the number of bulb lamps arranged parallel to the long side of the rectangular substrate are arranged to be equal to each other.
Description
본 발명은 히터 블록 및 기판 열처리 장치로서, 기판에 대하여 열처리를 수행하는 히터 블록 및 이를 적용한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a heater block and a substrate heat treatment apparatus, and more particularly, to a heater block that performs heat treatment on a substrate and a substrate heat treatment apparatus using the heater block.
반도체 공정에 있어서 열처리는 필수적인 과정이다. 오믹 접촉 합금(ohmic contact alloying), 이온 주입 손상 어닐링(ion-implantation damage annealing), 불순물 활성화(dopant activation), TiN, TiSi2, CoSi2 등의 박막 형성 등이 열처리를 요구하는 공정이다.Heat treatment in semiconductor processing is an essential process. Ion implantation damage annealing, dopant activation, and the formation of thin films such as TiN, TiSi2, and CoSi2 are processes that require heat treatment.
이러한 열처리를 수행하는 장비로는 퍼니스(furnace)와 급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP) 장치가 있다. 급속 열처리 장치는 기판 전체의 온도를 균일하게 유지하거나, 기판을 교체할 때마다 다른 기판들에 대해서도 같은 온도-시간 특성을 유지하거나, 기판의 온도를 정확하게 측정 및 제어하는데 어려움이 있어 크게 각광을 받지 못하다가, 최근 온도 측정 기술과 온도 제어 기술이 진보함에 따라 퍼니스를 대체하고 있다.Equipment that performs such a heat treatment includes a furnace and a rapid thermal process (RTP) device. The rapid thermal annealing system is difficult to maintain the same temperature-time characteristic for different substrates or to accurately measure and control the temperature of the substrate every time the temperature of the entire substrate is uniformly maintained or the substrate is replaced. Unfortunately, recent advances in temperature measurement and temperature control technology have replaced the furnace.
급속 열처리 장치는 텅스텐 할로겐 램프의 복사 광선을 이용하여 기판에 열을 전달한다. 따라서 급속 열처리 장치는 히터블록을 구비하고, 이 히터블록의 측면들 중 기판과 마주하는 측면에는 복수의 텅스텐 할로겐 램프가 마련되어 있다. The rapid thermal processing system transfers heat to the substrate using a radiation beam of a tungsten halogen lamp. Therefore, the rapid thermal annealing apparatus includes a heater block, and a plurality of tungsten halogen lamps are provided on a side surface of the heater block facing the substrate.
급속 열처리 장치가 이용되더라도 기판 전체의 온도를 균일하게 유지할 필요가 있는데, 이는 기판상의 온도 불균일이 열처리 이후 기판의 뒤틀림(warpage), 단층(dislocation), 박막의 미끄러짐(slip) 등과 같은 심각한 문제들을 야기하기 때문이다. 기판의 온도 불균일 문제가 해결되기 위해서는 기판 온도를 정확하게 측정하고 제어하는 기술, 기판 전제에 균일한 열을 전달하는 기술 등이 필요하다.Even if a rapid thermal processing apparatus is used, it is necessary to keep the temperature uniform throughout the substrate, which causes serious problems such as warpage, dislocation, and slip of the substrate after heat treatment on the substrate. . In order to solve the problem of temperature unevenness of the substrate, a technique for accurately measuring and controlling the substrate temperature and a technique for transferring uniform heat to the substrate precursor are required.
기판 전체에 균일한 열을 전달하는 기술은 텅스텐 할로겐 램프의 배열과 관계된다. 이에 텅스텐 할로겐 램프의 배열과 관련된 기술들이 다수 알려져 있다.Techniques for delivering uniform heat throughout the substrate relate to the arrangement of tungsten halogen lamps. A number of techniques related to the arrangement of tungsten halogen lamps are known.
웨이퍼와 같은 소형의 반도체용 기판을 열처리하기 위한 램프 배열의 경우 도 1에 도시한 바와 같이 램프 장착면에 벌브형 램프(bulb lamp)를 사용한 원형의 램프 배열로 이루어진다. 이는 반도체용 기판(웨이퍼)이 원형 형태를 가지고 있기 때문에 이에 맞추어서 소형의 벌브형 램프(bulb lamp)를 사용하여 원형 형태로 배열하여, 반도체용 기판의 모든 영역에 고른 열처리를 하기 위함이다. 반도체용 열처리 장치에서 집적화된 소형의 벌브형 램프를 반도체용 기판(웨이퍼)의 형태에 맞게 구성함으로써, 웨이퍼의 에지(가장자리) 영역의 열적 보상이 2차원 보상 방식으로 이루어질 수 있어, 열적 균일도 확보가 용이하다.In the case of a lamp arrangement for heat-treating a small semiconductor substrate such as a wafer, as shown in Fig. 1, the lamp arrangement includes a circular lamp arrangement using a bulb lamp. This is because the substrate for semiconductors (wafers) has a circular shape so that it is arranged in a circular shape using a small bulb lamp in accordance with the circular shape so as to perform uniform heat treatment on all regions of the semiconductor substrate. By configuring a compact bulb-type lamp integrated in the heat treatment apparatus for semiconductor according to the shape of the semiconductor substrate (wafer), the thermal compensation of the edge region of the wafer can be performed by the two-dimensional compensation method, It is easy.
반면에, 디스플레이 장치에 사용되는 대형의 글래스 기판을 열처리하는 램프 배열은, 도 2에 도시한 바와 같이 대형의 리니어 램프(linear lamp)를 사용한 선형(linear) 배열을 이룬다. 이는 글래스 기판이 직사각형 형태를 가지고 있기 때문에 이에 맞추어서 램프 배열 역시 선형으로 배열하여, 글래스 기판의 모든 영역에 고른 열처리를 하기 위함이다. 따라서 글래스 기판 열처리 장치의 램프 배열 형태는, 글래스의 크기를 고려하여 리니어 램프(linear lamp)의 길이와 배열 개수를 결정하고 있다. On the other hand, the lamp arrangement for heat treating the large glass substrate used in the display device has a linear arrangement using a large linear lamp as shown in Fig. This is because the glass substrate has a rectangular shape, so that the lamp arrays are arranged in a linear manner so as to perform uniform heat treatment on all regions of the glass substrate. Therefore, the length of the linear lamp and the number of arrays of the lamp are determined in consideration of the size of the glass in the lamp arrangement of the glass substrate heat treatment apparatus.
그런데, 이러한 리니어 램프는 단일 방향의 입력 자유도를 가지게 되며, 이로 인하여 글래스의 가장자리(edge) 영역의 열적 보상이 1차원 보상 방식으로 운영되어야 한다. 1차원 보상 방식으로 열적 보상이 이루어질 경우, 글래스 전체 면적의 열적 균일도를 높이는데 한계를 가지는 문제가 있다. 즉, 리니어 램프의 경우 한쪽 방향으로 배열되어야 하기 때문에, 한쪽 방향으로만 열적 보상을 하는 1차원 보상의 한계가 있다.However, such a linear lamp has an input freedom degree in a single direction, so that the thermal compensation of the edge region of the glass must be operated by a one-dimensional compensation method. There is a problem in that when the thermal compensation is performed by the one-dimensional compensation method, the thermal uniformity of the entire glass area is limited. That is, since linear lamps are required to be arranged in one direction, there is a limit of one-dimensional compensation for performing thermal compensation only in one direction.
또한, 만약, 글래스 기판 열처리 장치의 램프를 소형의 벌브형 밸프로 배열할 경우, 너무 많은 벌브형 램프를 필요로 하기 때문에 글래스 기판 열처리 장치의 제작 비용이 상승하는 문제가 있다.
In addition, if the lamp of the glass substrate heat treatment apparatus is arranged in a bulb-type bulb of a small size, there is a problem that the bulb-type lamp is required too much, and therefore the manufacturing cost of the glass substrate heat treatment apparatus rises.
본 발명의 기술적 과제는 사각형 기판의 열처리에 있어서 열적 균일도를 확보할 수 있는 히터 블록을 제공하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 사각형 기판의 열처리시에 열적 균일도를 위한 2차원 보상에 적합한 램프를 배열하는데 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a heater block capable of ensuring thermal uniformity in a heat treatment of a rectangular substrate. The present invention also provides a method of arranging a lamp suitable for two-dimensional compensation for thermal uniformity at the time of heat treatment of a rectangular substrate.
본 발명의 실시 형태인 히터 블록은 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 열을 전달하는 가열 램프들을 일측면에 구비한 히터블록에 있어서, 상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 한다.A heater block according to an embodiment of the present invention includes a plurality of heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths, The number of bulb lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the number of bulb lamps arranged parallel to the long side of the rectangular substrate are arranged to be equal to each other.
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격과 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격의 비율을 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율이라 할 때, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정한다.When the ratio of the interval between the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the interval between the bulb type lamps arranged in parallel to the long side of the rectangular substrate is the short side side long side arrangement ratio of the bulb type lamp , The ratio of the short side to the long side of the bulb type lamp is set so that the number of the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the number of the bulb type lamps arranged parallel to the long side of the rectangular substrate are arranged to be equal to each other .
상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 것은, 상기 사각형 기판의 단변의 길이와 상기 사각형 기판의 장변의 길이의 비율을 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율이라 할 때, 상기 벌브형 램프들은 리니어 형태로 배열되며, 상기 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율에 따라서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정한다.The ratio of the short side to the long side of the bulb-type lamp is determined when the ratio of the length of the short side of the rectangular substrate to the length of the long side of the rectangular substrate is a short side: And the short side: long side arrangement ratio of the bulb type lamp is determined according to the short side: long side substrate ratio of the rectangular substrate.
상기 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율과 동일한 값으로서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정한다.The short side to long side arrangement ratio of the bulb type ramp is determined to be the same as the short side to long side substrate ratio of the rectangular substrate.
열처리하고자 하는 복수의 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율이 서로 다른 경우, 복수의 사각형 기판의 단변:장변 배열 비율의 평균값으로서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정한다.The short side of the plurality of rectangular substrates to be heat treated and the long side side arrangement ratio of the bulb type ramp are determined as an average value of the short side lengths of the plurality of rectangular substrates when the long side side substrate ratios are different from each other.
상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율은, 1:1.14 ~ 1:1.35 범위 내의 어느 하나의 배열 비율을 가진다.The short-side to long-side array ratio of the bulb-type ramp has an arrangement ratio within a range of 1: 1.14 to 1: 1.35.
길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 열을 전달하는 가열 램프들을 일측면에 구비한 히터블록에 있어서, 상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열한다.A heater block having heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths, the heating lamps including a plurality of bulb type lamps, A plurality of bulb lamps are arranged in parallel and a bulb lamp disposed parallel to the short side of the rectangular substrate is arranged so as to be located at an extension line parallel to the short side at a center point between the bulb lamps arranged in parallel to the long side do.
상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1.5:1 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 한다.Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to a long side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the short side Wherein the bulb type lamps are arranged such that the bottom side: height ratio has a 1.5: 1 ratio when the distance between the bulb type lamps is set to be high.
길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 열을 전달하는 가열 램프들을 일측면에 구비한 히터블록에 있어서, 상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열한다.A heater block having heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths, the heating lamps including a plurality of bulb type lamps, A plurality of bulb lamps are arranged in parallel and a bulb lamp disposed parallel to the long side of the rectangular substrate is arranged so as to be located at an extension line parallel to the long side at a center point between the bulb lamps arranged in parallel to the short side do.
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1:1.2 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 한다.Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to the short side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the long side in parallel The bulb type lamps are arranged such that the side to side: height ratio has a 1: 1.2 ratio.
본 발명의 실시 형태인 기판 열처리 장치는, 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 대한 열처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격과 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격의 비율을 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율이라 할 때, 상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록; 상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;를 포함한다.A substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths; When the ratio of the interval between the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the interval between the bulb type lamps arranged in parallel to the long side of the rectangular substrate is the short side side long side arrangement ratio of the bulb type lamp Wherein the heating lamps include a plurality of bulb-type lamps, and the number of bulb-like lamps arranged in parallel with the short side of the rectangular substrate and the number of bulb-like lamps arranged in parallel with the long side of the rectangular substrate are equal to each other A heater block for determining the short side: long side arrangement ratio of the bulb type lamp to be arranged; A substrate support for supporting the rectangular substrate; And a heat treatment control unit for separately controlling the bulb type lamp so that the rectangular substrate is subjected to a uniform heat treatment.
본 발명의 실시 형태는, 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 대한 열처리 공간을 가지는 공정 챔버; 열에너지를 발생시키는 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하는 히터 블록; 상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;를 포함한다.An embodiment of the present invention relates to a process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having short sides and long sides having different lengths; A plurality of bulb-shaped lamps arranged in parallel with a short side and a long side of the rectangular substrate, and a bulb-shaped lamp disposed parallel to the short side of the rectangular substrate, A heater block arranged to be located at an extension line parallel to the short side at a center point between the bulb type lamps arranged in parallel with the short side; A substrate support for supporting the rectangular substrate; And a heat treatment control unit for separately controlling the bulb type lamp so that the rectangular substrate is subjected to a uniform heat treatment.
본 발명의 실시 형태는, 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 기판에 대한 열처리 공간을 가지는 공정 챔버; 열에너지를 발생시키는 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하는 히터 블록; 상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;를 포함한다.An embodiment of the present invention relates to a process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having short sides and long sides having different lengths; Wherein a plurality of bulb-like lamps are arranged parallel to a short side and a long side of the rectangular substrate, and a bulb-like lamp disposed parallel to the long side of the rectangular substrate, A heater block arranged so as to be located at an extension line parallel to the long side at a center point between the bulb type lamps arranged in parallel with the long side; A substrate support for supporting the rectangular substrate; And a heat treatment control unit for separately controlling the bulb type lamp so that the rectangular substrate is subjected to a uniform heat treatment.
상기 히터 블록의 가장자리에 위치한 벌브형 램프가 다른 벌브형 램프보다 더 많은 열에너지를 발생하도록 제어한다.
The bulb lamp located at the edge of the heater block generates more heat energy than the other bulb lamp.
본 발명의 실시 형태에 따르면 사각형 기판의 열처리를 수행하는 히터블록에 복수의 벌브형 램프를 배열함으로써, 각 벌브형 램프들에 대한 개별 제어를 용이하게 수행할 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 글래스 기판의 가로 및 세로 비율을 고려하여 벌브형 램프를 배열시킴으로써, 열적 균일도를 유지하면서 벌브형 램프의 개수를 최소로 할 수 있다. 따라서 벌브형 램프를 적용한 사각형 기판의 열처리 장치의 제작 비용을 절감할 수 있다.
According to the embodiment of the present invention, by arranging a plurality of bulb-type lamps in the heater block that performs the heat treatment of the rectangular substrate, individual control for each bulb type lamp can be easily performed. Further, according to the embodiment of the present invention, by arranging the bulb lamps in consideration of the horizontal and vertical ratios of the glass substrate, the number of bulb lamps can be minimized while maintaining the thermal uniformity. Accordingly, it is possible to reduce the manufacturing cost of a heat treatment apparatus for a rectangular substrate to which a bulb type lamp is applied.
도 1은 웨이퍼 열처리 장치의 벌브형 램프가 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 2는 글래스 기판 열처리 장치의 리니어 램프가 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터블록이 적용된 글래스 기판 열처리 장치의 단면도이다.
도 4는 직사각형의 글래스 기판을 열처리하는 벌브형 램프가 일정한 간격으로 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 직사각형의 글래스 기판을 열처리하는 벌브형 램프가 비율을 고려하여 리니어 형태로 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 직사각형의 글래스 기판을 열처리하는 벌브형 램프가 제1예시의 삼각형 형태로 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 직사각형의 글래스 기판을 열처리하는 벌브형 램프가 제2예시의 삼각형 형태로 장착된 램프 장착면을 도시한 그림이다.
도 9은 기존의 리니어 램프가 램프 장착면에 배치되었을 때의 글래스 기판에 전달되는 열분포를 나타낸 실험값이다.
도 8는 본 발명의 실시예에 따른 벌브형 램프가 램프 장착면에 배치되었을 때의 글래스 기판에 전달되는 열분포를 나타낸 실험값이다.1 is a view showing a lamp mounting surface on which a bulb type lamp of a wafer heat treatment apparatus is mounted.
2 is a view showing a lamp mounting surface on which a linear lamp of a glass substrate heat treatment apparatus is mounted.
3 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus for a glass substrate to which a heater block according to an embodiment of the present invention is applied.
4 is a view showing lamp mounting surfaces on which bulb lamps for heat-treating a rectangular glass substrate are mounted at regular intervals.
5 is a view showing a lamp mounting surface mounted in a linear form in consideration of a ratio of a bulb lamp for heat treating a rectangular glass substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing a lamp mounting surface on which a bulb lamp for heat-treating a rectangular glass substrate according to an embodiment of the present invention is mounted in a triangular shape as a first example.
7 is a view showing a lamp mounting surface on which a bulb lamp for heat-treating a rectangular glass substrate according to an embodiment of the present invention is mounted in a triangular shape as a second example.
FIG. 9 is an experimental value showing the thermal distribution to be transmitted to the glass substrate when the conventional linear lamp is disposed on the lamp mounting surface.
8 is an experimental value showing the thermal distribution to be transmitted to the glass substrate when the bulb type lamp according to the embodiment of the present invention is disposed on the lamp mounting surface.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.
이하, 설명에서 글래스 기판(glass substrate)이라 함은 LCD, OLED, 태양전지 등에 적용되는 대형 기판을 말한다. 대형 기판이라 함은 반도체용 웨이퍼가 아니라 디스플레이, 태양광 산업에서 사용되는 큰 면적을 가지는 유리 기판을 말한다. 디스플레이에 사용되는 글래스 기판의 경우 1세대의 270[mm] × 360[mm] 크기부터 최근에는 8세대의 2,200[mm] × 2,500[mm] 크기의 대면적을 가지며, 길이가 다른 단변 및 장변을 가지는 사각형 구조를 가진다.Hereinafter, the glass substrate refers to a large substrate to be applied to an LCD, an OLED, a solar cell, and the like. A large substrate refers to a glass substrate having a large area used in a display and photovoltaic industry, not a semiconductor wafer. In the case of the glass substrate used in the display, the first substrate has a size of 270 [mm] × 360 [mm], the second substrate has a large area of 2,200 [mm] × 2,500 [mm] The branches have a rectangular structure.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터블록이 적용된 글래스 기판 열처리 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus for a glass substrate to which a heater block according to an embodiment of the present invention is applied.
공정 챔버(200)는 글래스 기판(10)의 열처리 공간인 내부 공간을 가지는데, 열처리 공간 내부에 글래스 기판(10)이 안착된다. 글래스 기판(10)은 단변 및 장변의 길이가 다른 사각형(직사각형) 형태를 가진다. 여기서 단변은 글래스 기판(10)의 가로에 해당할 경우, 장변은 글래스 기판(10)의 세로에 해당한다. 공정 챔버(200)는 내부가 비어있는 밀폐된 사각형 통 형상으로 제작되나, 이에 한정되지 않고, 다양한 통 형상이 가능하다. 즉, 원통 및 다각형통 형상들이 가능할 수 있다. 그리고 공정 챔버(200)의 일 측면 및 타측면 각각에는 기판(10)의 출입을 위한 출입구가 마련되며, 어느 하나의 출입구는 이송 모듈(미도시)과 연결된다.The
공정 챔버(200)는 내측에 글래스 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(400)를 구비한다. 여기서 기판 지지대(400)는 내부에 수직방향으로 이동하는 복수개의 리프트 핀(410)이 구비될 수 있으며, 기판 지지대(400)는 승하강력을 제공하는 수단 예컨대, 실린더와 연결될 수 있다. 리프트 핀(410)으로 글래스 기판(10)을 지지할 수 있으며, 이에 한정되지 않고 글래스 기판(10)을 기판 지지대(400)에 지지시킬 수 있는 다양한 수단 예컨데, 정전기력(정전척) 또는 진공 흡착력을 이용하는 수단을 이용할 수도 있다.The
히터 블록(100)과 공정 챔버(200) 사이에는 쿼츠 윈도우(300)(quartz window)가 구비될 수 있다. 쿼츠 윈도우(300)는 하측에 위치한 글래스 기판(10)으로 열을 투과시키는 물질로 제작된다. 쿼츠 윈도우(300)는 히터 블록(100)과 공정 챔버(200) 사이에 공정 챔버(200)의 기밀을 유지시키는데, 히터 블록(100)과 공정 챔버(200) 사이를 실링 수단(301)을 이용하여 차단시켜 히터 블록(100)이 진공이 유지되도록 하며, 외부 환경(압력,가스,오염물질)으로부터 공정 챔버(200)를 보호한다. 또한 쿼츠 윈도우(300)는 히터 블록(100)내의 복수의 벌브형 램프(110)를 보호하고, 벌브형 램프(110)에서 발생하는 열로 인해서 생기는 부산물이 챔버 내부의 열처리 공간에 위치한 글래스 기판(10)으로 떨어지는 것을 막아준다.A
열처리 제어부(미도시)는 글래스 기판(10)에 균일한 열처리가 이루어지도록 히터 블록(100)내의 복수의 벌브형 램프(110)를 개별 제어한다. 직사각형 형태의 글래스 기판(10)에 대하여 균일한 열처리가 이루어져야 하는데, 이를 위하여 글래스 기판(10)의 중앙과 마주보며 대향하는 벌브형 램프(110)에서 조사되는 열에너지보다 글래스 기판(10)의 가장자리와 마주보며 대향하는 벌브형 램프(110)에서 조사되는 열에너지가 더 커야 한다. 따라서 열처리 제어부(미도시)는 글래스 기판(10)의 전체 면적에 고른 열에너지가 조사될 수 있도록, 글래스 기판(10)과 대향하는 벌브형 램프(110)들 각각에 대하여 조사되는 열에너지가 다르게 또는 동일하게 개별적인 제어를 수행할 수 있다.The heat treatment control unit (not shown) controls the plurality of
열처리 제어부는, 히터 블록(100)의 가장자리에 위치한 벌브형 램프가 다른 벌브형 램프보다 더 많은 열에너지를 발생하도록 개별 제어한다. 가장자리일수록 더 많은 열에너지가 전달되어야 글래스 기판에 전체적으로 고른 열전달이 가능하기 때문이다. 또한 열처리 제어부는 벌브형 램프가 리니어 형태로 배열된 경우, 히터 블록(100)의 모서리에 가장 인접한 벌브형 램프의 열에너지를 다른 가장자리의 벌브형 램프보다 작게 발생하도록 개별 제어한다. 히터 블록(100)의 모서리에는 제1변의 끝단에 위치하는 벌브형 램프와 제2변의 끝단에 위치하는 벌브형 램프가 모여 있기 때문에 다른 가장자리의 열에너지 발생량보다 많기 때문이다.The heat treatment control unit individually controls the bulb lamp located at the edge of the
히터 블록(100)은 열에너지를 발생시키는 가열 램프를 구비한다. 가열 램프는 복수의 벌브형 램프(110)가 리니어(linear) 형태 또는 삼각형의 형태로 배열될 수 있다. 벌브형 램프(110)(bulb's lamp)는 유리 혹은 석영으로 만들어진 전구로서, 히터 블록(100)의 램프 장착면(101)에 복수의 벌브형 램프(110)들을 배치시켜, 복수의 벌브형 램프(110)들이 글래스 기판(10)과 마주보며 대향하도록 한다. 복수의 벌브형 램프(110)들은 글래스 기판(10)을 향해 빛을 조사하여 열에너지를 전달한다.The
길이가 다른 단변과 장변으로 된 직사각 형태의 글래스 기판(10)에 대하여 고르게 열전달이 이루어지도록, 히터 블록(100)의 램프 장착면(101)에는 복수의 벌브형 램프(110)들이 고르게 배열되어야 하며, 동시에 제작비용 절감을 위하여 복수의 벌브형 램프(110)의 개수를 최소로 하는 조건을 만족하여야 한다. 즉, 글래스 기판(10)의 단위당 동일한 조도가 비추어져야 하며 램프 개수를 최소화하여야 한다. 이를 위하여 히터 블록(100)의 램프 장착면(101)에 설치되는 복수의 벌브형 램프(110)들을 리니어 형태 또는 삼각형 형태로 배열한다.
A plurality of
이하 리니어 형태 배열에 대하여 설명한 후, 삼각형 형태의 배열에 대하여 설명한다.Hereinafter, the linear type arrangement will be described, and then the triangular type arrangement will be described.
우선, 복수형 램프를 램프 장착면(101)에 리니어(linear) 형태로 배열시켜 설치하는 예를 설명한다. 글래스 기판(10)은 직사각형 형태를 가지기 때문에, 단변과 장변은 길이를 달리한다. 따라서 벌브형 램프(110)를 램프 장착면의 단변, 장변을 따라서 선형 배열로서 동일한 간격으로 배치할 경우, 단변을 따라 배치되는 벌브형 램프(110)의 개수와 장변을 따라 배치되는 벌브형 램프(110)의 개수가 달라지게 된다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이 히터 블록(100)의 정사각형의 램프 장착면(101)에 대향하여 직사각형의 글래스 기판(10)이 위치한 경우, 램프 장착면(101)의 단변(A;가로)과 장변(B세로)의 방향을 따라 동일한 간격으로 벌프형 램프를 배치할 경우, 글래스 기판(10)의 단변(A1) 및 장변(B1)의 방향을 따라 대향된 위치에 놓이는 벌브형 램프(110)의 개수는 다르게 된다. 도 4를 참조하면 글래스 기판(10)에 대향된 위치의 단변(A1)의 방향으로 배열(이하, '제1배열'이라 함)되는 벌브형 램프(110)는 3개가 배치되며, 글래스 기판(10)에 대향된 장변(B1)의 방향으로 배열(이하, '제2배열'이라 함)되는 벌브형 램프(110)는 4개가 배치됨을 알 수 있다. 이는 글래스 기판의 단변보다 장변이 더 길이가 길기 때문에 글래스 기판의 대향되어 배치되는 벌브형 램프(110)의 개수가 단변 또는 장변의 방향에 따라 달라지게 되는 것이다.First, an example of arranging the plural lamps in a linear form on the
이와 같이 글래스 기판 단변(A1)에 평행한 방향에 따라 대향되어 배열(제1배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수와 장변(B1)에 평행한 방향에 따라 대향되어 배열(제2배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수가 서로 다를 경우, 벌브형 램프(110)의 개수를 너무 많이 필요로 하기 때문에 히터 블록(100) 제작에 비용적인 측면에서 효율적이지 않다. 또한 벌브형 램프(110)를 많은 개수를 설치한다 하더라도 열에너지 균일도 측면에서 효율적이지 않다.The number of the bulb-
따라서 본 발명의 실시예는 열에너지를 발생시키는 복수의 벌브형 램프(110)를 리니어 형태로 히터 블록(100)의 램프 장착면(101)에 배열시킬 때, 글래스 기판(10)의 단변(A1)과 평행하게 배열(제1배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수와, 상기 글래스 기판(10)의 장변(B1)과 평행하게 배열(제2배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수가 서로 동일하도록 벌브형 램프(110)를 배열시킨다. 단변과 장변의 길이가 다른 직사각형의 글래스 기판(10)에 대향 배치될 때, 단변(A1)에 평행하게 배치되는 벌브형 램프(110)와 장변(B1)에 평행하게 배치되는 벌브형 램프(110)의 개수를 동일하게 함으로써, 벌브형 램프(110)의 사용을 최소로 할 수 있다. 또한 비록 도 4에 도시한 바와 같이 단변과 장변에 동일한 간격으로 배치되는 벌브형 램프(110)보다 균일한 열전달 효율은 떨어지지만, 열에너지를 단변 방향, 장변 방향을 따라 각각 고르게 전달할 수 있어 기판 열처리에 효율을 떨어뜨리지 않는다.The embodiment of the present invention is characterized in that a plurality of
단변(A1)에 평행하게 배치(제1배열)되는 벌브형 램프(110) 개수와 장변(B1)에 평행하게 배치(제2배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수가 서로 동일하게 하는 방식은, 도 5에 도시한 바와 같이, 글래스 기판(10)의 단변(A1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격(a´)과 글래스 기판(10)의 장변(B1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격(b´)의 비율을 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율이라 할 때, 글래스 기판(10)의 단변(A1)과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 글래스 기판(10)의 장변(B1)과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정한다. 참고로, 벌브형 램프(110)의 배열 비율이라 함은, 벌브형 램프(110)를 배치하는 간격을 말하는데, 각 벌브형 램프(110)의 중심점 사이의 간격을 말한다.A method in which the number of
글래스 기판(10)의 단변(A1)의 길이와 글래스 기판(10)의 장변(B1)의 길이의 비율을 글래스 기판의 단변:장변 기판 비율이라 할 때, 글래스 기판(10)의 단변:장변 기판 비율에 따라서 벌브형 램프(110)의 단변:장변 배열 비율을 결정할 수 있다. 즉, 사각형 형태의 글래스 기판(10)의 단변:장변의 배율인 단변:장변 기판 배율에 따라서 벌브형 램프(110)를 램프 장착면(101)에 장착할 때의 배열 비율인 단변:장변 배열 비율을 결정할 수 있다.The ratio of the length of the short side A1 of the
예를 들어, 벌브형 램프(110)의 단변:장변 배열 비율은, 열처리하고자 하는 글래스 기판(10)의 단변:장변 기판 비율과 동일한 단변:장변 배열 비율을 가지도록 구현할 수 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 글래스 기판(10)의 단변(A1):장변(B1) 기판 비율이 1:1.2인 경우, 글래스 기판(10)의 단변(A1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격(a´)과 글래스 기판(10)의 장변(B1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격(b´)의 비율인 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율 역시 1:1.2로 한다.
For example, the short side: long side arrangement ratio of the
한편, 각 글래스 기판(10)의 단변:장변 기판 비율에 맞추어서 각각 히터 블록(100)의 벌브형 램프(110)를 배열하여 제작할 경우, 열처리 장비의 범용성이 취약해질 수 있다. 이를 해결하기 위하여 글래스 기판(10)의 배열 비율의 평균값을 활용하는 방안이 있을 수 있다. 즉, 글래스 기판(10)의 단변(A1)에 평행하게 배치(제1배열)되는 벌브형 램프(110) 개수와 글래스 기판(10)의 장변(B1)에 평행하게 배치(제2배열)되는 벌브형 램프(110)의 개수가 서로 동일하게 하도록 하는 방식은, 벌브형 램프(110)의 단변:장변 배열 비율이, 서로 다른 단변:장변 기판 비율을 가지는 복수의 글래스 기판(10)의 단변:장변 배열 비율의 평균값을 가지도록 구현할 수 있다.On the other hand, when the
글래스 기판(10)(glass substrate)은, 디스플레이, 태양광 산업에서 사용되는 큰 면적을 가지는 유리 기판을 말한다. 하기의 [표 1]에 기재한 바와 같이 최초 1세대의 270[mm] × 360[mm] 크기부터 최근에는 8세대의 2,200[mm] × 2,500[mm] 크기의 대면적까지 다양한 크기를 가진다.The
평 균
Average
1.2
1.2
따라서 이러한 1세대부터 8세대 글래스 기판(10)의 기판 비율의 평균값을 벌브형 램프(110)의 단변:장변 배열 비율로서 결정할 수 있다. 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율은, 1:1.14 ~ 1:1.35 범위 내의 어느 하나의 배열 비율을 가지도록 한다. 바람직하게는, 현재 1세대부터 8세대까지의 글래스 기판(10)의 가로:세로 기판 비율이 1:1.2이기 때문에, 단변이 가로이고 장변이 세로인 경우, 벌브형 램프(110)의 단변:장변 배열 비율을 1:1.2 배열 비율을 가지도록 구현할 수 있다.
Therefore, the average value of the substrate ratios of the first- to eighth-
한편, 상기에서 설명한 내용은 벌브형 램프(110)를 리니어 형태로 배열하는 실시예를 설명하였다. 이하에서는 벌브형 램프(110)를 삼각형 형태로 배열하는 실시예를 설명한다. 벌브형 램프(110)를 램프 장착면(101)에 리니어 형태로 배치하지 않더라도 균일한 열에너지를 글래스 기판에 전달하며, 최소의 개수로 구현하기 위하여 삼각형 형태로 배열시킬 수 있다. 삼각형 형태로 배열하는 실시예를 설명한다.In the meantime, the above description has described an embodiment in which the
글래스 기판(10)은 직사각형 형태를 가지기 때문에, 글래스 기판의 단변과 장변은 길이를 달리한다. 따라서 벌브형 램프(110)를 글래스 기판(10)에 고르게 배치하며, 최소한의 벌브형 램프(110)를 배치하기 위하여 삼각형 형태로 벌브형 램프(110)를 배열한다. 벌브형 램프(110)의 배열 비율은 배열 비율은, 도 6에 도시한 바와 같이, 글래스 기판(10)의 단변(A1) 및 장변(B1)에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 글래스 기판의 단변(A1)에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 글래스 기판의 장변(B1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 단변(A1)에 평행한 연장선에 위치하도록 배열한다.Since the
글래스 기판의 장변(B1)에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프(61,62)의 중심점 사이의 간격을 바닥변(α1)으로 하며, 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 단변(A1)에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프(63)의 중심점까지의 거리를 높이(β1)로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1.5:1 비율을 가지도록 벌브형 램프들을 배열시키도록 한다. 글래스 기판(10)의 단변(A1)과 평행한 삼각형의 높이(β1)의 비율이 바닥변(α1)의 길이 1 기준으로 1.5보다 작거나 큰 경우 균일한 열에너지를 전달하기 어려워 열효율 최적화가 어렵기 때문이다.
The interval between the center points of the two
한편, 다른 실시예로서 마찬가지로, 도 7에 도시한 바와 같이, 글래스 기판(10)의 단변(A1) 및 장변(B1)에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 글래스 기판의 장변(B1)에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 글래스 기판의 단변(A1)에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 장변(B1)에 평행한 연장선에 위치하도록 배열한다. 즉, 글래스 기판의 단변(A1)에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프(71,72)의 중심점 사이의 간격을 바닥변(α2)으로 하며, 두 개의 벌브형 램프(71,72) 사이의 중심점에서 장변(B1)에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프(73)의 중심점까지의 거리를 높이(β2)로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1:1.2 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킨다. 글래스 기판(10)의 장변과 평행한 삼각형의 높이(β2)의 비율이 바닥변(α2) 길이 1 기준으로 1.2보다 작거나 큰 경우 균일한 열에너지를 전달하기 어려워 열효율 최적화가 어렵기 때문이다.7, a plurality of bulb-like lamps are arranged parallel to the short side A1 and the long side B1 of the
참고로, 이러한 삼각형의 배열 비율은, 글래스 기판의 2차원 열처리 수식에 따른 시뮬레이션 결과 최적의 열효율을 가지며 최소 개수를 가지는 배열 비율을 얻을 수 있었다. 알려진 바와 같이 열처리되는 글래스 기판에 분포되는 열 분포 에너지(S)는, 하기의 [식 1]의 글래스 기판의 측정 온도(T)를 알면 산출될 수 있다.For reference, the arrangement ratio of these triangles was obtained as a result of simulation according to the two-dimensional heat treatment formula of the glass substrate, and the array ratio having the minimum thermal efficiency and the optimum thermal efficiency was obtained. As known, the heat distribution energy S distributed on the glass substrate to be heat-treated can be calculated by knowing the measurement temperature T of the glass substrate of the following formula (1).
[식 1][Formula 1]
여기서, T는 측정 절대 온도, A는 열분포 형상, P는 램프 구동 전력, j는 램프 개수이다.
Where T is the measured absolute temperature, A is the thermal distribution shape, P is the lamp driving power, and j is the number of lamps.
[식 2][Formula 2]
여기서, S는 열 분포 에너지, A는 열분포 형상, P는 램프 구동 전력, m은 벌브형 램프의 단변 방향의 열 분포 위치, n은 벌브형 램프의 장변 방향의 열 분포 위치이다.Here, S is the thermal distribution energy, A is the thermal distribution shape, P is the lamp driving power, m is the heat distribution position in the short side direction of the bulb type lamp, and n is the heat distribution position in the long side direction of the bulb type lamp.
열 분포 에너지는 상기의 [식 2]에 도시한 바와 같이, 다수의 벌브형 램프(110)의 분포 위치에 따라서 달라질 수 있다. 이러한 분포 위치를 조절하여 시뮬레이션 및 실험한 결과, 열효율을 최적화하면 최소 개수의 벌브형 램프(110) 개수를 가지는 삼각형 배열 비율을 얻을 수 있었다.The heat distribution energy may be varied depending on the distribution positions of the plurality of
한편, 도 9은 기존의 리니어 램프가 램프 장착면(101)에 배치되었을 때의 글래스 기판(10)에 전달되는 열분포를 나타냈으며, 도 8는 본 발명의 실시예에 따른 벌브형 램프(110)가 램프 장착면(101)에 배치되었을 때의 글래스 기판(10)에 전달되는 열분포를 나타내었다. 도 9 및 도 8에서 x축 및 y축은 글래스 기판의 가로변과 세로변의 위치를 나타내며, 높이는 글래스 기판의 열분포를 나타낸 것이다. 도 9을 보면, 리니어 램프의 선형 배열로 인하여 개별 제어에 한계가 있어 열 분포의 균일한 면을 얻을 수 없다. 그러나, 도 8와 같이 복수의 벌브형 램프(110)를 삼각형 형태로 배열하고 개별 제어할 경우, 균일한 열 분포를 가지는 면을 얻을 수 있음을 알 수 있다. 삼각형으로 배열된 벌브형 램프(110)들에 대하여 개별 제어를 함으로써, 균일한 열 분포 면적을 넓힐 수 있다.
FIG. 9 shows thermal distribution to be transmitted to the
한편 상기 설명에서 길이가 서로 다른 단변과 장변을 가지는 사각형 형태의 글래스 기판을 적용 예시로 설명하였다. 그러나 기판의 종류는 이에 한정되지 않고 길이가 서로 다른 단변과 장변을 가지는 사각형 형태의 기판이라면 글래스 기판뿐만 아니라 다른 다양한 사각형 기판에도 본 발명이 적용될 수 있음은 자명할 것이다.In the above description, a rectangular glass substrate having a short side and a long side having different lengths has been described as an application example. However, the type of the substrate is not limited to this, and it will be obvious that the present invention can be applied to various other rectangular substrates as well as a glass substrate if the substrate has a rectangular shape having long sides and short sides having different lengths.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.
10:글래스 기판 100:히터 블록
110:벌브형 램프 120:램프 장착면
200:공정 챔버 300:쿼츠 윈도우
400:기판지지대10: glass substrate 100: heater block
110: bulb type lamp 120: lamp mounting face
200: Process chamber 300: Quartz window
400: substrate support
Claims (17)
상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 하고,
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격과 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격의 비율을 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율이라 할 때, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록.
A heater block having heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths,
Wherein the heating lamps include a plurality of bulb-type lamps, and the number of bulb-like lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the number of bulb-like lamps arranged in parallel to the long side of the rectangular substrate are arranged And,
When the ratio of the interval between the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the interval between the bulb type lamps arranged in parallel to the long side of the rectangular substrate is the short side side long side arrangement ratio of the bulb type lamp , The ratio of the short side to the long side of the bulb type lamp is set so that the number of the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the number of the bulb type lamps arranged parallel to the long side of the rectangular substrate are arranged to be equal to each other Determining heater block.
상기 사각형 기판의 단변의 길이와 상기 사각형 기판의 장변의 길이의 비율을 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율이라 할 때,
상기 벌브형 램프들은 리니어 형태로 배열되며, 상기 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율에 따라서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록.
The method of claim 1, wherein determining the short side: long side arrangement ratio of the bulb-
Wherein a ratio of a length of a short side of the rectangular substrate to a length of a long side of the rectangular substrate is a short side of a rectangular substrate,
Wherein the bulb type lamps are arranged in a linear shape, and determine the short side: long side arrangement ratio of the bulb type lamp according to the short side: long side substrate ratio of the rectangular substrate.
상기 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율과 동일한 값으로서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록.
The method of claim 3,
Wherein a ratio of a short side to a long side of the bulb-type lamp is determined as a value equal to a short side: long side substrate ratio of the rectangular substrate.
열처리하고자 하는 복수의 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율이 서로 다른 경우, 복수의 사각형 기판의 단변:장변 배열 비율의 평균값으로서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록.
The method of claim 3,
Wherein a short side of the plurality of rectangular substrates to be heat treated and a long side side ratio of the bulb type lamp are determined as an average value of the short side lengths of the plurality of rectangular substrates when the long side side substrate ratios are different from each other.
1:1.14 ~ 1:1.35 범위 내의 어느 하나의 배열 비율을 가지는 히터 블록.
The lamp according to claim 5, wherein the short side: long side arrangement ratio of the bulb-
1: 1.14 to 1: 1.35.
상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하고,
상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1.5:1 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 하는 히터 블록.
A heater block having heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths,
Wherein the heating lamps include a plurality of bulb-shaped lamps, a plurality of bulb-like lamps arranged in parallel to the short side and the long side of the rectangular substrate, and a bulb-shaped lamp disposed parallel to the short side of the rectangular substrate, Shaped lamps arranged in parallel with the short sides of the bulb-type lamps,
Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to a long side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the short side Wherein the bulb type lamps are arranged so that a bottom side: height ratio has a ratio of 1.5: 1 when the distance of the bulb type lamps is set to a height.
상기 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하고,
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1:1.2 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 하는 히터 블록.
A heater block having heating lamps on one side thereof for transmitting heat to a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths,
Wherein the heating lamps include a plurality of bulb-type lamps, a plurality of bulb-like lamps are arranged parallel to the short side and the long side of the rectangular substrate, and the bulb-type lamps disposed in parallel to the long side of the rectangular substrate, Shaped lamps arranged in parallel to the longitudinal direction of the bulb-shaped lamps,
Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to the short side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the long side in parallel Wherein the bulb type lamps are arranged so that a bottom side: height ratio has a ratio of 1: 1.2 when the distance of the bulb type lamps is a height.
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격과 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프들 사이의 간격의 비율을 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율이라 할 때, 가열 램프들은 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수와, 상기 사각형 기판의 장변과 평행하게 배치되는 벌브형 램프의 개수가 서로 동일하게 배열되도록 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 히터 블록;
상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;
를 포함하는 기판 열처리 장치.
A process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths;
When the ratio of the interval between the bulb type lamps arranged parallel to the short side of the rectangular substrate and the interval between the bulb type lamps arranged in parallel to the long side of the rectangular substrate is the short side side long side arrangement ratio of the bulb type lamp , The heating lamps include a plurality of bulb-type lamps, and the number of bulb-like lamps arranged in parallel with the short side of the rectangular substrate and the number of bulb-like lamps arranged in parallel with the long side of the rectangular substrate are arranged A heater block for determining the short side: long side arrangement ratio of the bulb type lamp;
A substrate support for supporting the rectangular substrate;
A thermal processing control unit for individually controlling the bulb type lamp so as to perform a uniform heat treatment on the rectangular substrate;
And the substrate is heated.
상기 사각형 기판의 단변의 길이와 상기 사각형 기판의 장변의 길이의 비율을 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율이라 할 때, 상기 벌브형 램프들은 리니어 형태로 배열되며, 상기 사각형 기판의 단변:장변 기판 비율에 따라서 상기 벌브형 램프의 단변:장변 배열 비율을 결정하는 기판 열처리 장치.
12. The method of claim 11, wherein determining the short side: long side arrangement ratio of the bulb-
Wherein the bulb type lamps are arranged in a linear shape when a ratio of a length of the short side of the rectangular substrate to a length of the long side of the rectangular substrate is a short side of the rectangular substrate and a length of the long side of the rectangular substrate is a long side side substrate ratio, Wherein the short side: long side arrangement ratio of the bulb type ramp is determined according to the following equation.
열에너지를 발생시키는 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 장변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하는 히터 블록;
상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;
를 포함하고,
상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 단변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1.5:1 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.
A process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths;
A plurality of bulb-shaped lamps arranged in parallel with a short side and a long side of the rectangular substrate, and a bulb-shaped lamp disposed parallel to the short side of the rectangular substrate, A heater block arranged to be located at an extension line parallel to the short side at a center point between the bulb type lamps arranged in parallel with the short side;
A substrate support for supporting the rectangular substrate;
A thermal processing control unit for individually controlling the bulb type lamp so as to perform a uniform heat treatment on the rectangular substrate;
Lt; / RTI >
Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to a long side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the short side Wherein the bulb type lamps are arranged so that a bottom side: height ratio has a 1.5: 1 ratio when the distance of the bulb type lamps is set to a height.
열에너지를 발생시키는 복수의 벌브형 램프들을 포함하고, 상기 사각형 기판의 단변 및 장변에 각각 평행하게 복수의 벌브형 램프들이 배열되고, 상기 사각형 기판의 장변에 평행하게 배치되는 벌브형 램프는, 상기 단변에 평행하게 배열되는 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행한 연장선에 위치하도록 배열하는 히터 블록;
상기 사각형 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 사각형 기판에 균일한 열처리가 이루어지도록 상기 벌브형 램프를 개별 제어하는 열처리 제어부;
를 포함하고,
상기 사각형 기판의 단변에 평행하게 배열된 두 개의 벌브형 램프의 중심점 사이의 간격을 바닥변으로 하며, 상기 두 개의 벌브형 램프 사이의 중심점에서 상기 장변에 평행하게 가장 가깝게 위치한 벌브형 램프의 중심점까지의 거리를 높이로 할 때, 바닥변:높이 비율이 1:1.2 비율을 가지도록 상기 벌브형 램프들을 배열시킴을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.
A process chamber having a heat treatment space for a rectangular substrate having a short side and a long side having different lengths;
Wherein a plurality of bulb-like lamps are arranged parallel to a short side and a long side of the rectangular substrate, and a bulb-like lamp disposed parallel to the long side of the rectangular substrate, A heater block arranged so as to be located at an extension line parallel to the long side at a center point between the bulb type lamps arranged in parallel with the long side;
A substrate support for supporting the rectangular substrate;
A thermal processing control unit for individually controlling the bulb type lamp so as to perform a uniform heat treatment on the rectangular substrate;
Lt; / RTI >
Wherein a distance between the center points of two bulb lamps arranged in parallel to the short side of the rectangular substrate is a bottom side and a distance from a center point between the two bulb lamps to a center point of a bulb lamp located closest to the long side in parallel Wherein the bulb type lamps are arranged so that a bottom side: height ratio has a 1: 1.2 ratio when the distance of the bulb type lamps is set to a height.
상기 히터 블록의 가장자리에 위치한 벌브형 램프가 다른 벌브형 램프보다 더 많은 열에너지를 발생하도록 제어하는 기판 열처리 장치.
The method of claim 11, claim 13 or claim 15,
Wherein the bulb lamp located at the edge of the heater block generates more heat energy than the other bulb lamp.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140065147A KR101809141B1 (en) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | Apparatus for heating substrate and heater block |
| TW104117449A TWI711104B (en) | 2014-05-29 | 2015-05-29 | Heater block and substrate heat treatment apparatus using same |
| CN201510289357.0A CN105140153B (en) | 2014-05-29 | 2015-05-29 | Heater block and the substrate heat processing apparatus for utilizing the heater block |
| JP2015109856A JP6545532B2 (en) | 2014-05-29 | 2015-05-29 | Heater block and substrate heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140065147A KR101809141B1 (en) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | Apparatus for heating substrate and heater block |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150138496A KR20150138496A (en) | 2015-12-10 |
| KR101809141B1 true KR101809141B1 (en) | 2018-01-19 |
Family
ID=54725455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140065147A KR101809141B1 (en) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | Apparatus for heating substrate and heater block |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6545532B2 (en) |
| KR (1) | KR101809141B1 (en) |
| CN (1) | CN105140153B (en) |
| TW (1) | TWI711104B (en) |
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- 2014-05-29 KR KR1020140065147A patent/KR101809141B1/en active IP Right Grant
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2015
- 2015-05-29 TW TW104117449A patent/TWI711104B/en not_active IP Right Cessation
- 2015-05-29 JP JP2015109856A patent/JP6545532B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105140153A (en) | 2015-12-09 |
| CN105140153B (en) | 2019-09-17 |
| KR20150138496A (en) | 2015-12-10 |
| JP2015226069A (en) | 2015-12-14 |
| JP6545532B2 (en) | 2019-07-17 |
| TWI711104B (en) | 2020-11-21 |
| TW201545260A (en) | 2015-12-01 |
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