KR101808886B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판을 처리하는 처리액의 온도를 양호하게 관리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
기판(2)을 정해진 온도로 가열한 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 처리액을 저류하는 용기[저류조(8), 가열조(22)]와, 상기 용기에 형성된 가열벽(33)에 히터(34)를 마련하고, 상기 히터(34)로 상기 처리액을 상기 가열벽(33)을 통해 가열하는 처리액 가열 수단(6)과, 상기 가열벽(33)에 마련하며, 상기 가열벽(33)의 온도를 측정하는 제어용 온도 센서(36)와, 상기 제어용 온도 센서(36)로 측정한 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단(6)을 제어하는 제어 수단(7)을 갖고, 상기 제어 수단(7)은, 상기 제어용 온도 센서(36)로 측정한 상기 가열벽(33)의 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단(6)을 제어하도록 하였다.An object of the present invention is to make it possible to control the temperature of a processing solution for processing a substrate well.
A substrate processing apparatus (1) for processing a substrate (2) with a processing solution heated to a predetermined temperature, comprising a container (storage vessel (8), heating vessel (22) (6) provided with a heater (34) on a wall (33) and heating the treatment liquid through the heating wall (33) with the heater (34) And control means (7) for controlling the processing liquid heating means (6) based on the temperature measured by the control temperature sensor (36) The control means 7 controls the treatment liquid heating means 6 based on the temperature of the heating wall 33 measured by the control temperature sensor 36. [

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은, 정해진 온도로 가열한 처리액으로 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature.

종래부터, 반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등을 제조하는 경우에는, 기판 처리 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼나 액정용 기판 등의 기판을 에칭액 등의 처리액으로 각종 처리를 행하고 있다.Conventionally, in the case of manufacturing a semiconductor component or a flat panel display or the like, various treatments are performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate with a treatment liquid such as an etching liquid by using a substrate processing apparatus.

예컨대, 특허문헌 1에 개시된 기판 처리 장치(에칭 장치)에서는, 처리조에 저류한 처리액(에칭액)에 기판을 침지시켜, 기판의 표면에 형성된 질화막을 에칭하는 처리를 행하고 있다.For example, in the substrate processing apparatus (etching apparatus) disclosed in Patent Document 1, the substrate is immersed in the treatment liquid (etching liquid) stored in the treatment tank, and the nitriding film formed on the surface of the substrate is etched.

이 기판 처리 장치에서는, 에칭량 등의 처리의 진행 정도가 처리액의 온도에 강하게 의존하고 있기 때문에, 처리액의 온도 관리가 중요해진다. 한편, 에칭액 등의 처리액은, 침식성이 강하기 때문에, 온도 센서를 처리액에 직접 접촉시켜 처리액의 온도를 측정하는 것이 곤란하다.In this substrate processing apparatus, since the degree of progress of processing such as the amount of etching depends strongly on the temperature of the processing solution, temperature management of the processing solution becomes important. On the other hand, a treatment liquid such as an etching liquid has a strong erosion property, so it is difficult to directly contact the temperature sensor with the treatment liquid to measure the temperature of the treatment liquid.

그래서, 종래의 기판 처리 장치에서는, 도 4에 모식적으로 도시된 바와 같이, 처리조나 배관에 석영 등의 내식성 및 열전도성이 우수한 소재로 이루어진 가열벽(101)을 형성하고, 가열벽(101)의 외측에 고무 히터(102)를 점착하며, 고무 히터(102)에 온도 센서(103)를 부착하고 있다. 고무 히터(102)는, 금속제의 히터(104)를 실리콘제의 커버(105)로 피복하고 있고, 커버(105)에 온도 센서(103)를 접착 또는 매설하고 있다. 그리고, 종래의 기판 처리 장치에서는, 온도 센서(103)로 측정한 커버(105)의 온도에 기초하여 히터(104)를 제어하고, 히터(104)로 가열한 가열벽(101)을 통해 처리액을 정해진 온도로 가열하고 있다.4, a heating wall 101 made of a material excellent in corrosion resistance and thermal conductivity, such as quartz, is formed in the treatment tank and the pipe, and the heating wall 101 is formed in the heating tank 101, And a temperature sensor 103 is attached to the rubber heater 102. The rubber heater 102 is attached to the outside of the rubber heater 102, The rubber heater 102 is coated with a heater 104 made of a metal by a cover 105 made of silicon and the temperature sensor 103 is adhered or embedded in the cover 105. In the conventional substrate processing apparatus, the heater 104 is controlled on the basis of the temperature of the cover 105 measured by the temperature sensor 103, Is heated to a predetermined temperature.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2001-23952호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-23952

상기 종래의 기판 처리 장치는, 가열벽에 고무 히터가 밀착되어 있는 경우에는, 온도 센서로 측정한 온도에 기초하여 처리액의 온도를 안정적으로 관리할 수 있다.In the above-described conventional substrate processing apparatus, when the rubber heater is closely attached to the heating wall, the temperature of the processing liquid can be stably managed based on the temperature measured by the temperature sensor.

그러나, 가열벽으로부터 고무 히터가 부분적으로 박리되어 버린 경우에는, 히터로부터 가열벽으로의 열전달 효율이 저하되고, 히터 자체의 온도가 상승한다. 이에 따라, 히터를 피복하는 커버의 온도도 상승하고, 이 상승한 온도가 온도 센서로 측정된다. 그 때문에, 고무 히터는, 히터 자체의 온도를 강하시키도록 제어된다. 그 결과, 히터 자체의 온도 저하와 히터로부터 가열벽으로의 열전달 효율의 저하가 동시에 일어나서 가열벽의 온도가 급격히 저하되어 버려, 처리액의 온도를 관리하는 것이 곤란해질 우려가 있다.However, when the rubber heater is partially peeled off from the heating wall, the heat transfer efficiency from the heater to the heating wall is lowered, and the temperature of the heater itself increases. As a result, the temperature of the cover covering the heater also rises, and the temperature rise is measured by the temperature sensor. Therefore, the rubber heater is controlled so as to lower the temperature of the heater itself. As a result, the temperature of the heater itself lowers and the heat transfer efficiency from the heater to the heating wall decreases at the same time, and the temperature of the heating wall is rapidly lowered, making it difficult to manage the temperature of the processing solution.

그래서, 본 발명에서는, 기판을 정해진 온도로 가열한 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액을 저류하는 용기와, 상기 용기에 형성된 가열벽에 히터를 마련하고 상기 히터로 상기 처리액을 상기 가열벽을 통해 가열하는 처리액 가열 수단과, 상기 가열벽에 마련하며 상기 가열벽의 온도를 측정하는 제어용 온도 센서와, 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하고, 상기 제어 수단은, 상기 제어용 온도 센서로 측정한 상기 가열벽의 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하도록 하였다.Therefore, in the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature, comprising: a container for storing the processing solution; a heater provided on a heating wall formed on the vessel; A control temperature sensor provided on the heating wall for measuring a temperature of the heating wall, and a control liquid temperature sensor for detecting the temperature of the heating liquid on the basis of the temperature measured by the control temperature sensor, And the control means controls the treatment liquid heating means based on the temperature of the heating wall measured by the control temperature sensor.

또한, 상기 제어용 온도 센서는, 상기 가열벽에 있어서 상기 처리액과 접촉하는 면에 배치되고, 피복 수단으로 피복되어 상기 처리액에 직접 접촉하지 않도록 하였다.The control temperature sensor is disposed on a surface of the heating wall which is in contact with the treatment liquid, and is covered by the coating means so as not to directly contact the treatment liquid.

또한, 상기 피복 수단은, 상기 처리액과 상기 제어용 온도 센서 사이에 단열층을 마련하도록 하였다.Further, the coating means is provided with a heat insulating layer between the treatment liquid and the temperature sensor for control.

또한, 상기 제어 수단은, 상기 히터를 피복하는 커버의 온도를 측정하기 위해서 마련한 감시용 온도 센서와 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도의 온도차에 기초하여 상기 처리액 가열 수단의 이상을 검지하도록 하였다.The control means detects an abnormality of the treatment liquid heating means based on a temperature difference between the temperature measured by the monitoring temperature sensor and the temperature detected by the control temperature sensor provided for measuring the temperature of the cover covering the heater.

또한, 본 발명에서는, 정해진 온도로 가열한 처리액으로 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 처리액을 용기에 저류하고, 상기 용기의 가열벽에 마련한 히터로 상기 처리액을 상기 가열벽을 통해 가열하며, 상기 가열벽에 마련한 제어용 온도 센서로 측정한 상기 가열벽의 온도에 기초하여 상기 히터를 제어하도록 하였다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature, the processing solution being stored in a container, And the heater is controlled based on the temperature of the heating wall measured by the control temperature sensor provided on the heating wall.

또한, 상기 히터를 피복하는 커버의 온도를 측정하기 위해서 마련한 감시용 온도 센서와 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도의 온도차에 기초하여 상기 히터의 이상을 검지하도록 하였다.The abnormality of the heater is detected on the basis of the monitoring temperature sensor provided for measuring the temperature of the cover covering the heater and the temperature difference between the temperatures measured by the control temperature sensor.

본 발명에 따르면, 가열벽으로부터 히터가 부분적으로 박리된 경우라도 기판을 처리하는 처리액의 온도를 관리할 수 있어, 기판의 처리를 양호하게 행할 수 있다.According to the present invention, even when the heater is partially peeled off from the heating wall, the temperature of the processing liquid for processing the substrate can be controlled, and the processing of the substrate can be performed satisfactorily.

도 1은 기판 처리 장치를 도시하는 단면 설명도이다.
도 2는 처리액 가열 수단을 도시하는 단면도 (a), 확대 사시도 (b)이다.
도 3은 다른 처리액 가열 수단을 도시하는 단면도이다.
도 4는 종래의 처리액 가열 수단을 도시하는 단면도이다.1 is a sectional explanatory view showing a substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view (a) and an enlarged perspective view (b) showing the treatment liquid heating means.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing another treatment liquid heating means.
4 is a cross-sectional view showing a conventional treatment liquid heating means.

이하에, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 구체적인 구성에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, specific configurations of the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판(2)을 처리하는 처리조(3)에, 기판(2)을 반송하기 위한 기판 반송 수단(4)과, 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 수단(5)과, 처리액을 정해진 온도로 가열하기 위한 처리액 가열 수단(6)과, 기판 반송 수단(4)이나 처리액 공급 수단(5)이나 처리액 가열 수단(6) 등을 제어하기 위한 제어 수단(7)을 마련하고 있다. 한편, 여기서는, 처리액으로서 약액(예컨대, 인산)을 희석액(예컨대, 순수)으로 희석한 처리액(에칭액)을 이용하고 있다.1, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate processing unit 3 for processing a substrate 2, substrate transfer means 4 for transferring the substrate 2, A treatment liquid supply means 5 for heating the treatment liquid to a predetermined temperature and a treatment liquid supply means 5 for heating the treatment liquid to a predetermined temperature and the substrate transfer means 4 and the treatment liquid supply means 5 and the treatment liquid heating means 6 And a control means 7 for controlling the control means 7 and the like. On the other hand, here, a treatment liquid (etching liquid) obtained by diluting a chemical liquid (for example, phosphoric acid) with a diluting liquid (for example, pure water) is used as a treatment liquid.

처리조(3)는, 상단부를 개구한 저류조(8)의 상단 외주부에 상단부를 개구한 오버플로우조(9)를 형성하고 있다. 저류조(8)는, 바닥부에 처리액 유입/유출구(10)를 형성하고 있다. 오버플로우조(9)는, 바닥부에 처리액 유출구(11)를 형성하고 있다.The treatment tank 3 forms an overflow tank 9 having an upper end opened at the upper end peripheral portion of the storage tank 8 having an upper end opened. The storage tank 8 has a treatment liquid inflow / outflow opening 10 formed at the bottom thereof. The overflow tank 9 has a treatment liquid outlet 11 formed at the bottom thereof.

이 처리조(3)는, 저류조(8)에 저류한 처리액에 기판(2)을 침지시켜 기판(2)을 처리액으로 처리한다. 한편, 저류조(8)에 저류된 처리액은, 일부가 저류조(8)로부터 흘러넘쳐 오버플로우조(9)로 유출되고, 그 후, 다시 저류조(8)로 유입된다.The treatment tank 3 immerses the substrate 2 in the treatment liquid stored in the storage tank 8 and treats the substrate 2 as a treatment liquid. On the other hand, a portion of the treatment liquid stored in the storage tank 8 flows out from the storage tank 8 to flow to the overflow tank 9, and then flows into the storage tank 8 again.

기판 반송 수단(4)은, 승강이 가능한 반송 아암(12)의 하단부에 4개의 기판 유지체(13)를 수평으로 부착하고 있다. 각 기판 유지체(13)는, 상면에 복수 개(예컨대, 50개)의 기판 유지홈(14)을 전후로 정해진 간격을 두고 형성되어 있다. 반송 아암(12)은, 기판 유지홈(14)에 의해 복수 매의 기판(2)을 수직 상태로 전후로 정해진 간격을 두고 평행하게 유지한다. 반송 아암(12)에는 기판 승강 기구(15)가 접속되어 있다. 기판 승강 기구(15)는, 제어 수단(7)에 접속되어 있고, 제어 수단(7)에 의해 승강 제어된다.The substrate transfer means 4 horizontally attaches the four substrate holding bodies 13 to the lower end portion of the transfer arm 12 capable of elevation. Each of the substrate holders 13 is formed with a plurality of (for example, 50) substrate holding grooves 14 on the upper surface at predetermined intervals in the forward and backward directions. The transfer arm 12 holds a plurality of substrates 2 in a vertical state parallel to each other at predetermined intervals in the back-and-forth direction by the substrate holding grooves 14. A substrate lifting mechanism (15) is connected to the transfer arm (12). The substrate lifting mechanism 15 is connected to the control means 7 and controlled by the control means 7.

이 기판 반송 수단(4)은, 기판(2)을 기판 유지체(13)에 의해 유지한 상태로, 기판 승강 기구(15)에 의해 기판 유지체(13)를 강하시킴으로써 처리조(3)[저류조(8)]에 기판(2)을 반입하고, 처리조(3)에 저류한 처리액에 기판(2)을 침지시켜 기판(2)의 처리를 행하며, 처리 후에 기판 승강 기구(15)에 의해 기판 유지체(13)를 상승시킴으로써 처리조(3)로부터 기판(2)을 반출한다.The substrate conveying means 4 is configured such that the substrate holding body 13 is lowered by the substrate lifting mechanism 15 while the substrate 2 is held by the substrate holding body 13, The substrate 2 is brought into the storage tank 8 and the substrate 2 is immersed in the treatment liquid stored in the treatment tank 3 to perform the treatment of the substrate 2. After the treatment, The substrate holding body 13 is lifted by the lifting mechanism 10 to move the substrate 2 out of the processing tank 3.

처리액 공급 수단(5)은, 처리액 순환부(16)와 처리액 배출부(17)와 처리액 보충부(18)로 구성되어 있다.The treatment liquid supply unit 5 includes a treatment liquid circulation unit 16, a treatment liquid discharge unit 17, and a treatment liquid replenishment unit 18.

처리액 순환부(16)는, 오버플로우조(9)의 처리액 유출구(11)와 저류조(8)의 처리액 유입/유출구(10) 사이에 처리액 순환 유로(19)를 형성하고, 처리액 순환 유로(19)에 펌프(20)와 필터(21)와 가열조(22)를 마련하고 있다. 펌프(20)는 제어 수단(7)에 접속되어 있고, 제어 수단(7)에 의해 구동 제어된다.The treatment liquid circulation section 16 forms the treatment liquid circulation flow path 19 between the treatment liquid outlet 11 of the overflow tank 9 and the treatment liquid inlet / outlet port 10 of the storage tank 8, A pump 20, a filter 21, and a heating tank 22 are provided in the liquid circulating flow path 19. The pump 20 is connected to the control means 7 and is driven and controlled by the control means 7.

이 처리액 순환부(16)는, 펌프(20)에 의해 오버플로우조(9)의 처리액 유출구(11)로부터 처리액을 흡인하고, 필터(21)와 가열조(22)를 통해 저류조(8)의 처리액 유입/유출구(10)로 처리액을 공급한다. 이에 따라, 처리액 순환부(16)는, 처리조(3)에 저류한 처리액을 순환시키고, 약액(예컨대, 인산)과 희석액(예컨대, 순수)을 교반 혼합시켜, 약액을 희석액으로 희석한 처리액의 농도를 균일하게 유지하고 있다.The treatment liquid circulating unit 16 sucks the treatment liquid from the treatment liquid outlet 11 of the overflow tank 9 by the pump 20 and supplies the treatment liquid through the filter tank 21 and the heating tank 22 8 to the process liquid inlet / outlet 10. Accordingly, the treatment liquid circulating section 16 circulates the treatment liquid stored in the treatment tank 3, and mixes the chemical liquid (for example, phosphoric acid) with the diluting liquid (for example, pure water) by stirring and dilutes the chemical liquid with the diluting liquid And the concentration of the treatment liquid is kept uniform.

처리액 배출부(17)는, 저류조(8)의 처리액 유입/유출구(10)를 처리액 배출 유로(23)를 통해 드레인(24)에 접속하고, 처리액 배출 유로(23)의 중간부에 유량 조정기(25)를 접속하고 있다. 한편, 처리액 배출 유로(23)는, 상류 단부가 처리액 순환 유로(19)의 하류 단부를 겸용하고 있다. 유량 조정기(25)는, 제어 수단(7)에 접속되어 있고, 제어 수단(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.The treatment liquid discharging portion 17 connects the treatment liquid inflow / outflow opening 10 of the storage tank 8 to the drain 24 through the treatment liquid discharge flow path 23, And the flow rate regulator 25 is connected to the flow rate regulator. On the other hand, the treatment liquid discharge passage 23 has an upstream end which also serves as a downstream end of the treatment liquid circulation passage 19. The flow rate regulator 25 is connected to the control means 7 and controlled and flow rate controlled by the control means 7.

이 처리액 배출부(17)는, 처리조(3)에 저류한 처리액이 열화했을 경우 등에, 처리액 순환부(16)를 정지시킨 상태에서 유량 조정기(25)로 조정한 정해진 양의 처리액을 저류조(8)의 처리액 유입/유출구(10)로부터 드레인(24)으로 배출한다.The treatment liquid discharging portion 17 is provided with a predetermined amount of treatment adjusted by the flow rate regulator 25 in a state where the treatment liquid circulating portion 16 is stopped when the treatment liquid stored in the treatment tank 3 deteriorates And discharges the liquid from the processing liquid inlet / outlet 10 of the storage tank 8 to the drain 24.

처리액 보충부(18)는, 약액을 공급하는 약액 공급원(26)을 약액 보충 유로(27)를 통해 저류조(8)에 접속하고, 희석액을 공급하는 희석액 공급원(28)을 희석액 보충 유로(29)를 통해 오버플로우조(9)에 접속하고 있다. 약액 보충 유로(27) 및 희석액 보충 유로(29)의 중간부에는 각각 유량 조정기(30, 31)를 마련하고 있다. 유량 조정기(30, 31)는, 제어 수단(7)에 접속되어 있고, 제어 수단(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.The treatment liquid replenishing section 18 connects the chemical liquid supply source 26 for supplying the chemical liquid to the storage tank 8 through the chemical liquid replenishing flow path 27 and supplies the diluting liquid supply source 28 for supplying the diluting liquid to the diluent replenishing flow path 29 To the overflow tank 9 through the connection pipe (not shown). Flow regulators 30 and 31 are provided in the intermediate portion of the chemical solution replenishing passage 27 and the diluent replenishing passage 29, respectively. The flow rate regulators 30 and 31 are connected to the control means 7 and controlled and controlled by the control means 7.

이 처리액 보충부(18)는, 약액 공급원(26)으로부터 유량 조정기(30)로 조정한 유량의 약액을 저류조(8)에 공급하고, 희석액 공급원(28)으로부터 유량 조정기(31)로 조정한 유량의 희석액을 처리액 순환부(16)에 공급한다.The treatment liquid replenishing section 18 supplies the chemical liquid at a flow rate adjusted by the flow rate regulator 30 from the chemical liquid supply source 26 to the storage tank 8 and adjusts the flow rate of the chemical liquid supplied from the diluent supply source 28 to the flow rate regulator 31 And supplies the diluted liquid at the flow rate to the treatment liquid circulating unit 16. [

처리액 가열 수단(6)은, 처리조(3)[저류조(8)]나 가열조(22)에 고무 히터(32)를 부착하고 있다. 고무 히터(32)는, 제어 수단(7)에 접속되어 있고, 제어 수단(7)에 의해 구동 제어된다.The treatment liquid heating means 6 attaches a rubber heater 32 to the treatment tank 3 (storage tank 8) and the heating tank 22. The rubber heater 32 is connected to the control means 7 and is driven and controlled by the control means 7.

이 처리액 가열 수단(6)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 처리조(3)[저류조(8)]나 가열조(22)를 용기로서 이용하여, 용기의 벽에 석영 등의 내식성 및 열전도성이 우수한 소재로 이루어진 가열벽(33)을 형성하고, 가열벽(33)의 외측에 고무 히터(32)를 점착하고 있다. 고무 히터(32)는, 금속제의 히터(34)의 외측을 실리콘제의 커버(35)로 피복하고 있다. 그리고, 고무 히터(32)의 히터(34)에 의해 가열벽(33)을 가열함으로써, 가열벽(33)의 내측에서 접촉하는 처리액을 가열벽(33)을 통해 가열한다. 한편, 용기로서는, 가열하는 처리액을 일시적으로 저류할 수 있으면 좋고, 조 형상에 한정되지 않고 관 형상이어도 좋다.2, the treatment liquid heating means 6 uses the treatment tank 3 (the storage tank 8) or the heating tank 22 as a vessel to measure the corrosion resistance and the like of quartz and the like A heating wall 33 made of a material having excellent thermal conductivity is formed and a rubber heater 32 is adhered to the outside of the heating wall 33. The rubber heater 32 covers the outside of the heater 34 made of a metal with a cover 35 made of silicon. By heating the heating wall 33 by the heater 34 of the rubber heater 32, the processing liquid in contact with the inside of the heating wall 33 is heated through the heating wall 33. On the other hand, as the vessel, it is sufficient that the processing liquid to be heated is temporarily stored, and it is not limited to the vessel shape but may be a tube shape.

이 처리액 가열 수단(6)에는, 가열벽(33)의 온도를 측정하기 위한 제어용 온도 센서(36)와, 고무 히터(32)[커버(35)]의 온도를 측정하기 위한 감시용 온도 센서(37)가 마련되어 있다.The treatment liquid heating means 6 is provided with a control temperature sensor 36 for measuring the temperature of the heating wall 33 and a monitoring temperature sensor 36 for measuring the temperature of the rubber heater 32 (cover 35) (37).

제어용 온도 센서(36)는, 가열벽(33)의 내측면(처리액과 접촉하는 면)에서 고무 히터(32)와 대향하는 위치에 고정구(38)에 의해 부착되어 있다. 이 제어용 온도 센서(36)는, 제어 수단(7)에 리드선(39)을 통해 접속되어 있다. 리드선(39)은, 가열벽(33)의 내측면을 따라 고정구(40)에 의해 부착되어 있고, 가열벽(33)에 형성된 관통 구멍(41)으로부터 외부로 인출되어 있다.The control temperature sensor 36 is attached by a fixture 38 at a position facing the rubber heater 32 on the inner surface of the heating wall 33 (surface contacting the treatment liquid). The control temperature sensor 36 is connected to the control means 7 via a lead wire 39. [ The lead wire 39 is attached to the inner surface of the heating wall 33 by means of the fixture 40 and is drawn out from the through hole 41 formed in the heating wall 33.

제어용 온도 센서(36) 및 리드선(39)은, 피복 수단(42)으로 피복되어 있고, 처리액에 직접 접촉하지 않도록 하고 있다. 피복 수단(42)은 제어용 온도 센서(36) 및 리드선(39)을 반원관 형상의 유리제의 커버(43)로 덮고, 커버(43)의 내부를 수지제의 단열재로 충전함으로써 커버(43)의 내부에 단열층(44)을 마련하고 있다. 이에 따라, 제어용 온도 센서(36)나 리드선(39)이 처리액에 의해 침식되어 파손되는 것을 방지할 수 있고, 처리액 자체의 온도의 영향을 받지 않고 가열벽(33)의 온도를 정밀도 좋게 측정할 수 있다. 한편, 단열층(44)은, 단열재로 형성한 경우에 한정되지 않고, 공기층 등으로 형성하여도 좋다.The control temperature sensor 36 and the lead wire 39 are covered with the covering means 42 so as not to directly contact the process liquid. The covering means 42 is formed by covering the control temperature sensor 36 and the lead wire 39 with a semicircular glass cover 43 and filling the inside of the cover 43 with a heat insulating material made of resin, And a heat insulating layer 44 is provided inside. This can prevent the control temperature sensor 36 and the lead wire 39 from being eroded and damaged by the processing liquid and can accurately measure the temperature of the heating wall 33 without being affected by the temperature of the processing liquid itself can do. On the other hand, the heat insulating layer 44 is not limited to the case of being formed of a heat insulating material, but may be formed of an air layer or the like.

여기서, 제어용 온도 센서(36)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 커버(43)로 피복한 경우에 한정되지 않고, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 접착제(45)로 피복하여도 좋다. 또한, 제어용 온도 센서(36)는, 가열벽(33)의 내측면(처리액과 접촉하는 면)에 배치한 경우에 한정되지 않고, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가열벽(33)의 내부에 형성된 중공부(46)에 배치하여도 좋으며, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 가열벽(33)의 외측면[고무 히터(32)와 접촉하는 면]에 형성된 홈(47)에 배치하여도 좋다.2, the control temperature sensor 36 is not limited to the case where the temperature sensor 36 is covered with the cover 43, and the temperature sensor 36 may be coated with the adhesive 45 as shown in Fig. 3 (a) It is also good. The control temperature sensor 36 is not limited to the case where it is disposed on the inner surface of the heating wall 33 (the surface in contact with the treatment liquid), and as shown in FIG. 3 (b) 3 (c), the outer surface of the heating wall 33 (the surface contacting with the rubber heater 32) may be formed in the hollow portion 46 formed in the inside of the heating wall 33 It may be arranged in the groove 47.

감시용 온도 센서(37)는, 고무 히터(32)의 커버(35)에 접착되어 있다. 이 감시용 온도 센서(37)는, 제어 수단(7)에 리드선(48)을 통해 접속되어 있다.The monitoring temperature sensor 37 is bonded to the cover 35 of the rubber heater 32. The monitoring temperature sensor 37 is connected to the control means 7 via a lead wire 48. [

제어 수단(7)은, 컴퓨터로 구성되고, 컴퓨터가 판독 가능한 기록 매체(49)에 기록한 기판 처리 프로그램에 따라 기판 처리 장치(1)를 제어하여, 기판(2)의 처리를 행한다. 한편, 기록 매체(49)는, 기판 처리 프로그램 등의 각종 프로그램을 기록할 수 있는 매체이면 좋고, ROM이나 RAM 등의 반도체 메모리형의 기록 매체여도 좋으며, 하드 디스크나 CD-ROM 등의 디스크형의 기록 매체여도 좋다.The control means 7 controls the substrate processing apparatus 1 in accordance with a substrate processing program which is constituted by a computer and recorded on a computer-readable recording medium 49 to perform processing of the substrate 2. [ On the other hand, the recording medium 49 may be a medium capable of recording various programs such as a substrate processing program, a recording medium of a semiconductor memory type such as a ROM or a RAM, a hard disk, a CD- It may be a recording medium.

기판 처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 제어 수단(7)이 제어용 온도 센서(36)나 감시용 온도 센서(37)로 측정한 온도에 기초하여 처리액 가열 수단(6)의 고무 히터(32)[히터(34)]를 제어함으로써 처리액의 온도를 정해진 온도로 관리하고 있다.The substrate processing apparatus 1 is constructed as described above and the control means 7 controls the temperature of the processing liquid heating means 6 based on the temperature measured by the control temperature sensor 36 and the monitoring temperature sensor 37 And controls the rubber heater 32 (the heater 34) of the heater 32 to maintain the temperature of the processing solution at a predetermined temperature.

즉, 제어 수단(7)은, 제어용 온도 센서(36)로 측정한 가열벽(33)의 온도가 미리 설정한 온도보다도 낮은 경우에는, 처리액 가열 수단(6)의 고무 히터(32)[히터(34)]를 구동시켜, 가열벽(33)을 가열함으로써 가열벽(33)을 통해 처리액을 가열하고, 제어용 온도 센서(36)로 측정한 가열벽(33)의 온도가 미리 설정한 온도보다도 높은 경우에는, 고무 히터(32)의 구동을 정지시킨다. 한편, 제어 수단(7)에 의한 고무 히터(32)의 제어는, On-Off 제어에 한정되지 않고, 강약 제어여도 좋다.That is, when the temperature of the heating wall 33 measured by the control temperature sensor 36 is lower than a preset temperature, the control means 7 controls the rubber heater 32 (heater The heating wall 33 is heated to heat the treatment liquid through the heating wall 33 and the temperature of the heating wall 33 measured by the control temperature sensor 36 is lower than a preset temperature The driving of the rubber heater 32 is stopped. On the other hand, the control of the rubber heater 32 by the control means 7 is not limited to the On-Off control but may be the strength control.

그리고, 어떠한 원인으로 가열벽(33)으로부터 고무 히터(32)가 부분적으로 박리되어 버린 경우에는, 히터(34)로부터 가열벽(33)으로의 열전달 효율이 저하되어, 히터(34)의 온도가 상승한다. 종래라면, 온도 센서[본 실시형태에서는, 감시용 온도 센서(37)에 해당]로 측정되는 온도[커버(35)의 온도에 해당]가 상승하기 때문에, 제어 수단(7)은, 히터(34)의 온도를 저하시키도록 제어하고, 그 결과, 가열벽(33)의 온도가 저하되며, 처리액의 온도도 저하되고 있었다. 그러나, 본 실시형태에서는, 제어용 온도 센서(36)로 가열벽(33)의 온도를 측정하고 있기 때문에, 히터(34)로부터 가열벽(33)으로의 열전달 효율의 저하에 따라 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 온도가 저하되면, 제어 수단(7)은, 히터(34)의 온도를 상승시키도록 제어한다. 그 결과, 가열벽(33)의 온도 저하가 억제되고, 처리액의 온도 저하도 억제된다.When the rubber heater 32 is partly peeled off from the heating wall 33 for some reason, the heat transfer efficiency from the heater 34 to the heating wall 33 is lowered and the temperature of the heater 34 Rise. Conventionally, since the temperature (corresponding to the temperature of the cover 35) measured by the temperature sensor (corresponding to the monitoring temperature sensor 37 in this embodiment) rises, the control means 7 controls the heater 34 As a result, the temperature of the heating wall 33 is lowered, and the temperature of the treatment liquid is also lowered. However, in the present embodiment, since the temperature of the heating wall 33 is measured by the control temperature sensor 36, the control temperature sensor 36 ), The control means 7 controls the temperature of the heater 34 to be raised. As a result, the temperature drop of the heating wall 33 is suppressed, and the temperature decrease of the processing liquid is also suppressed.

고무 히터(32)의 박리가 진행되면, 히터(34)로부터 가열벽(33)으로의 열전달 효율이 더욱 저하하게 되고, 이에 따라, 제어 수단(7)은 히터(34)의 온도를 더욱 상승시키도록 제어한다. 그 결과, 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 가열벽(33)의 온도는 거의 일정하게 유지되지만, 감시용 온도 센서(37)로 측정되는 고무 히터(32)의 커버(35)의 온도는 상승한다. 그 때문에, 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 온도와 감시용 온도 센서(37)로 측정되는 온도 사이의 온도차가 증대한다.The heat transfer efficiency from the heater 34 to the heating wall 33 is further lowered when the rubber heater 32 is peeled off so that the control means 7 further raises the temperature of the heater 34 . As a result, the temperature of the heating wall 33 measured by the control temperature sensor 36 is kept substantially constant, but the temperature of the cover 35 of the rubber heater 32 measured by the monitoring temperature sensor 37 rises do. Therefore, the temperature difference between the temperature measured by the control temperature sensor 36 and the temperature measured by the monitoring temperature sensor 37 increases.

그래서, 제어 수단(7)은, 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 온도와 감시용 온도 센서(37)로 측정되는 온도 사이의 온도차에 기초하여 처리액 가열 수단(6)의 고무 히터(32)[히터(34)]의 이상을 검지하여, 오퍼레이터에게 알리도록 하고 있다. 예컨대, 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 온도와 감시용 온도 센서(37)로 측정되는 온도 사이의 온도차가 50℃ 이상이 된 것을 검지했을 때에, 고무 히터(32)의 박리에 대한 주의를 촉구하는 알림을 행하고, 또한 온도차가 70℃ 이상이 된 것을 검지했을 때에 고무 히터(32)의 교환을 촉구하는 알림을 행한다. 이와 같이, 제어용 온도 센서(36)로 측정되는 온도와 감시용 온도 센서(37)로 측정되는 온도 사이의 온도차를 이용함으로써, 고무 히터(32)의 박리를 정확히 검지할 수 있다.The control means 7 controls the rubber heater 32 of the treatment liquid heating means 6 based on the temperature difference between the temperature measured by the control temperature sensor 36 and the temperature measured by the monitoring temperature sensor 37, (Heater 34), and informs the operator of the abnormality. For example, when it is detected that the temperature difference between the temperature measured by the control temperature sensor 36 and the temperature measured by the monitoring temperature sensor 37 is 50 DEG C or higher, attention is paid to the separation of the rubber heater 32 And notifies that the rubber heater 32 should be replaced when it is detected that the temperature difference is 70 DEG C or more. Thus, by using the temperature difference between the temperature measured by the control temperature sensor 36 and the temperature measured by the monitoring temperature sensor 37, the peeling of the rubber heater 32 can be accurately detected.

이상으로 설명한 바와 같이, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 처리액을 저류하는 용기의 가열벽(33)에 마련한 제어용 온도 센서(36)로 측정한 가열벽(33)의 온도에 기초하여 처리액 가열 수단(6)의 고무 히터(32)[히터(34)]를 제어하고 있기 때문에, 가열벽(33)으로부터 고무 히터(32)[히터(34)]가 부분적으로 박리된 경우라도 기판(2)을 처리하는 처리액의 온도를 관리할 수 있어, 처리액의 온도 저하에 따른 열화를 방지하고 기판(2)의 처리를 양호하게 행할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1, based on the temperature of the heating wall 33 measured by the control temperature sensor 36 provided in the heating wall 33 of the container for storing the processing liquid, The rubber heater 32 (the heater 34) of the heating means 6 is controlled so that even if the rubber heater 32 (the heater 34) is partly peeled off from the heating wall 33, ) Can be controlled, deterioration due to the lowering of the temperature of the processing solution can be prevented, and the processing of the substrate 2 can be performed satisfactorily.

1 : 기판 처리 장치 2 : 기판
3 : 처리조 4 : 기판 반송 수단
5 : 처리액 공급 수단 6 : 처리액 가열 수단
7 : 제어 수단 22 : 가열조
32 : 고무 히터 33 : 가열벽
34 : 히터 35 : 커버
36 : 제어용 온도 센서 37 : 감시용 온도 센서1: substrate processing apparatus 2: substrate
3: Treatment tank 4: substrate conveying means
5: Treatment liquid supply means 6: Treatment liquid heating means
7: control means 22: heating tank
32: rubber heater 33: heating wall
34: heater 35: cover
36: Temperature sensor for control 37: Temperature sensor for monitoring

Claims (6)

기판을 정해진 온도로 가열한 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액을 저류하는 용기와,
상기 용기에 형성된 가열벽에 히터를 마련하고, 상기 히터로 상기 가열벽을 가열하는 것에 의해 상기 처리액을 상기 가열벽을 통해 가열하는 처리액 가열 수단과,
상기 가열벽에 마련되며, 상기 가열벽의 온도를 측정하는 제어용 온도 센서, 그리고
상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하는 제어 수단
을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 제어용 온도 센서로 측정한 상기 가열벽의 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하고,
상기 제어 수단은, 상기 히터를 피복하는 커버의 온도를 측정하기 위해서 마련된 감시용 온도 센서와 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도의 온도차에 기초하여 상기 처리액 가열 수단의 이상을 검지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature,
A container for storing the treatment liquid,
A processing liquid heating means for heating the processing liquid through the heating wall by heating the heating wall with the heater;
A control temperature sensor provided on the heating wall for measuring the temperature of the heating wall,
And control means for controlling the treatment liquid heating means based on the temperature measured by the control temperature sensor
/ RTI >
The control means controls the treatment liquid heating means based on the temperature of the heating wall measured by the control temperature sensor,
Wherein the control means detects an abnormality of the processing liquid heating means based on a monitoring temperature sensor provided for measuring the temperature of the cover covering the heater and a temperature difference between temperatures measured by the control temperature sensor / RTI > 제1항에 있어서, 상기 제어용 온도 센서는, 상기 가열벽에 있어서 상기 처리액과 접촉하는 면에 배치되고, 피복 수단으로 피복되어 상기 처리액에 직접 접촉하지 않도록 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control temperature sensor is disposed on a surface of the heating wall in contact with the treatment liquid, and is covered with the coating means so as not to directly contact the treatment liquid. 기판을 정해진 온도로 가열한 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액을 저류하는 용기와,
상기 용기에 형성된 가열벽에 히터를 마련하고, 상기 히터로 상기 가열벽을 가열하는 것에 의해 상기 처리액을 상기 가열벽을 통해 가열하는 처리액 가열 수단과,
상기 가열벽에 마련되며, 상기 가열벽의 온도를 측정하는 제어용 온도 센서, 그리고
상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하는 제어 수단
을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 제어용 온도 센서로 측정한 상기 가열벽의 온도에 기초하여 상기 처리액 가열 수단을 제어하고,
상기 제어용 온도 센서는, 상기 가열벽에 있어서 상기 처리액과 접촉하는 면에 배치되고, 피복 수단으로 피복되어 상기 처리액에 직접 접촉하지 않도록 하고,
상기 피복 수단은, 상기 처리액과 상기 제어용 온도 센서 사이에 단열층을 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature,
A container for storing the treatment liquid,
A processing liquid heating means for heating the processing liquid through the heating wall by heating the heating wall with the heater;
A control temperature sensor provided on the heating wall for measuring the temperature of the heating wall,
And control means for controlling the treatment liquid heating means based on the temperature measured by the control temperature sensor
/ RTI >
The control means controls the treatment liquid heating means based on the temperature of the heating wall measured by the control temperature sensor,
Wherein the control temperature sensor is disposed on a surface of the heating wall in contact with the treatment liquid and is covered with a coating means so as not to directly contact the treatment liquid,
Wherein the coating means is provided with a heat insulating layer between the treatment liquid and the temperature sensor for control. 제3항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 히터를 피복하는 커버의 온도를 측정하기 위해서 마련된 감시용 온도 센서와 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도의 온도차에 기초하여 상기 처리액 가열 수단의 이상을 검지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The control method according to claim 3, wherein the control means includes: a monitoring temperature sensor provided for measuring a temperature of a cover covering the heater; and an abnormality detecting means for detecting abnormality of the processing liquid heating means based on a temperature difference between temperatures measured by the control temperature sensor Wherein the substrate processing apparatus detects the substrate. 기판을 정해진 온도로 가열한 처리액으로 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 처리액을 용기에 저류하고, 상기 용기의 가열벽에 마련된 히터로 상기 가열벽을 가열하는 것에 의해 상기 처리액을 상기 가열벽을 통해 가열하며, 상기 가열벽에 마련된 제어용 온도 센서로 측정한 상기 가열벽의 온도에 기초하여 상기 히터를 제어하고,
상기 히터를 피복하는 커버의 온도를 측정하기 위해서 마련된 감시용 온도 센서와 상기 제어용 온도 센서로 측정한 온도의 온도차에 기초하여 상기 히터의 이상을 검지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate with a processing solution heated to a predetermined temperature,
Heating the treatment liquid through the heating wall by heating the heating wall with a heater provided on a heating wall of the vessel, storing the treatment liquid in a vessel, heating the treatment liquid through the heating wall, Controlling the heater based on the temperature of the heating wall,
Wherein the abnormality of the heater is detected on the basis of a monitoring temperature sensor provided for measuring the temperature of the cover covering the heater and a temperature difference between the temperatures measured by the control temperature sensor. 삭제delete
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