KR101799584B1 - Tray Capable of Stacking of Substrate in Multiple Layers and Inline Heat Treatment Apparatus having the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 판상으로 형성되어 상부에 열처리되는 기판이 안착되며 상하 방향으로 서로 이격되는 적어도 2개의 지지판과, 상기 지지판의 상부에 위치하는 상부판 및 상기 지지판과 상부판의 양측부에 결합되어 상기 지지판과 상부판의 측면 공간을 차폐하는 차폐벽을 포함하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치를 개시한다. The present invention relates to a plasma display panel comprising at least two support plates which are formed in a plate shape and which are heat-treated on an upper surface thereof and spaced apart from each other in the vertical direction, an upper plate positioned on the upper side of the support plate, And a shielding wall that shields the side space of the top plate, and an inline heat treatment apparatus including the tray.

Description

기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치{Tray Capable of Stacking of Substrate in Multiple Layers and Inline Heat Treatment Apparatus having the Same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate and an inline heat treatment apparatus including the tray.

본 발명은 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate and an inline heat treatment apparatus including the same.

LCD, OLED와 같은 평판 표시 장치 또는 태양전지에 사용되는 유리 기판의 프리컴팩션을 위한 열처리, 유리 기판의 상면에 형성되는 실리콘 박막의 결정화, 활성화, 수소화 또는 탈수소화를 위한 열처리, 유리 기판의 상면에 형성되는 ITO, IGZO 투명 전극의 소성 열처리와 같은 열처리공정은 연속 공정 수행이 가능한 인라인 열처리 장치에서 진행된다. 상기 인라인 열처리 장치는 기판 처리 공정에 적합하도록 복수 개의 공정 챔버가 연결되어 형성되므로, 설치에 많은 공간을 필요로 한다. 따라서, 상기 인라인 열처리 장치는 라인 수를 증가시키는데 한계가 있게 된다. Heat treatment for precompaction of a glass substrate used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or an organic electroluminescence (OLED) or a solar cell, heat treatment for crystallization, activation, hydrogenation or dehydrogenation of a silicon thin film formed on an upper surface of the glass substrate, Such as the sintering heat treatment of ITO and IGZO transparent electrodes formed on the substrate, is performed in an inline heat treatment apparatus capable of performing a continuous process. Since the inline thermal processing apparatus is formed by connecting a plurality of process chambers suitable for a substrate processing process, a large space is required for installation. Therefore, the inline thermal processing apparatus has a limitation in increasing the number of lines.

한편, 상기 인라인 열처리 장치는 평판 형상의 캐리어에 한 장의 유리 기판을 안착시켜 이송하면서 열처리를 진행하게 되므로 한번에 이송되는 유리 기판의 수를 증가시키기 어려운 문제가 있다.On the other hand, the inline heat treatment apparatus has a problem that it is difficult to increase the number of glass substrates to be transferred at one time because the heat treatment proceeds while the one glass substrate is placed on the flat carrier.

본 발명의 목적은 한번에 이송되는 기판의 수를 증가시킬 수 있는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate capable of increasing the number of substrates transferred at one time and an inline heat treatment apparatus including the same.

본 발명의 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 판상으로 형성되어 상부에 열처리되는 기판이 안착되며 상하 방향으로 서로 이격되는 적어도 2개의 지지판을 포함하는 것을 특징으로 한다. The tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate of the present invention includes at least two support plates which are formed in a plate shape and on which a substrate to be heat treated is placed and which are spaced apart from each other in the vertical direction.

또한, 상기 지지판은 하부에 위치하는 하부 지지판 및 상기 하부 지지판의 상부에 위치하는 상부 지지판을 포함하며, 상기 하부 지지판과 상부 지지판은 상하로 관통되는 복수 개의 이젝터 홀을 구비할 수 있다.In addition, the support plate includes a lower support plate positioned at a lower portion and an upper support plate positioned at an upper portion of the lower support plate, and the lower support plate and the upper support plate may have a plurality of ejector holes penetrating vertically.

또한, 상기 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 상기 지지판의 상부에 위치하는 상부판을 더 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 상부판은 평판 형상 또는 곡면판 형상으로 형성되며, 평면을 기준으로 상기 지지판의 면적에 대응되는 면적을 가지도록 형성될 수 있다. The tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate may further include an upper plate positioned on the upper side of the support plate. At this time, the top plate may be formed in a flat plate shape or a curved plate shape, and may have an area corresponding to the area of the support plate with respect to a plane.

또한, 상기 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 상기 지지판과 상부판의 양측부에 결합되어 상기 지지판과 상부판의 측면 공간을 차폐하는 차폐벽을 더 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 차폐벽은 상기 지지판의 길이에 대응되는 길이와 상기 지지판과 상부판의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성되며, 상기 하부 지지판과 상부 지지판 사이의 측면 공간 및 상기 상부 지지판과 상부판 사이의 측면 공간을 차폐하도록 형성될 수 있다.The tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate may further include a shielding wall coupled to both sides of the support plate and the top plate to shield the side spaces of the support plate and the top plate. At this time, the shielding wall is formed to have a length corresponding to the length of the support plate and a height corresponding to a total height of the support plate and the upper plate, and a side space between the lower support plate and the upper support plate, As shown in Fig.

또한, 상기 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 상기 지지판의 폭에 대응되는 폭과 상기 지지판과 상부판의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성되며, 상기 하부 지지판과 상부 지지판 사이의 전면 및 후면 공간 및 상기 상부 지지판과 상부판 사이의 전면 및 후면 공간을 차폐하는 차폐문을 더 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 차폐문은 상기 차폐벽의 상부 또는 하부에 회동 가능하게 결합될 수 있다.In addition, the tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate is formed to have a width corresponding to the width of the support plate and a height corresponding to a total height of the support plate and the upper plate, and the front and rear spaces And a door closes the front and rear spaces between the upper support plate and the upper plate. At this time, the car closing door may be rotatably coupled to an upper portion or a lower portion of the shielding wall.

또한, 상기 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 바 형상으로 형성되며, 상기 상부 지지판의 하면과 상기 상부판의 하면에 상기 상부 지지판의 폭 방향을 기준으로 중간에서 길이 방향으로 연장되도록 결합되는 길이 지지바를 구비하는 지지바를 더 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 지지바는 바 형상으로 형성되며, 상기 상부 지지판의 하면과 상기 상부판의 하면에 상기 상부 지지판의 폭 방향으로 연장되고, 상기 상부 지지판의 길이 방향으로 소정 간격으로 이격되도록 결합되는 복수의 폭 지지바를 더 포함하여 형성될 수 있다.In addition, a tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate is formed in a bar shape, and a bottom surface of the upper support plate and a bottom surface of the upper plate are coupled to each other so as to extend in the longitudinal direction And a support bar having a bar. At this time, the support bars are formed in a bar shape and extend in the width direction of the upper support plate on the lower surface of the upper support plate and the lower surface of the upper plate, And a width support bar.

또한, 상기 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이는 상기 기판보다 큰 면적을 가지며, 상면에 안착되는 상기 기판을 지지하면서 상기 지지판의 상면에 안착되는 캐리어를 더 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate may further include a carrier having a larger area than the substrate and being seated on the upper surface of the support plate while supporting the substrate mounted on the upper surface.

또한, 상기 지지판과 상부판과 차폐벽 및 차폐문은 쿼쯔(quautz), 퓨즈드 실리카 또는 네오 세라믹으로 형성될 수 있다.In addition, the support plate, the top plate, the shielding wall, and the car door can be formed of quartz, fused silica or neoceramic.

또한, 본 발명의 인라인 열처리 장치는 적어도 2개의 공정 챔버가 인접하여 형성되어 각 공정 챔버는 기판의 열처리 조건에 따라 제어 온도가 설정되는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버의 내부로 이송되어 상기 기판을 열처리하며, 상기와 같은 트레이를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the inline thermal processing apparatus of the present invention is characterized in that at least two process chambers are formed adjacent to each other, and each process chamber has a process chamber in which a control temperature is set according to a heat treatment condition of the substrate, , And a tray as described above.

또한, 상기 공정 챔버는 외측 하우징과, 상기 외측 하우징의 내부에서 열처리 공간을 형성하는 내측 하우징과, 상기 외측 하우징과 내측 하우징 사이에 위치하는 가열 수단 및 상기 내측 하우징의 내부 하측에 형성되어 상기 트레이를 지지하여 이송하는 이송 수단을 포함하여 형성될 수 있다.The process chamber may include an outer housing, an inner housing forming a heat treatment space inside the outer housing, heating means located between the outer housing and the inner housing, and heating means formed between the outer housing and the inner housing, And conveying means for supporting and conveying the sheet.

본 발명의 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치는 기판을 복수 레이어로 적층하여 열처리를 진행하므로 한 번에 열처리되는 기판의 수를 증가시키는 효과가 있다. The tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate of the present invention and the inline heat treatment apparatus including the same can be advantageous in that the number of substrates to be heat treated at one time is increased because the substrate is laminated in a plurality of layers and heat treatment is performed.

또한, 본 발명의 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치는 트레이의 내부가 외부로부터 차폐된 상태에서 이송되면서 기판의 열처리를 진행하므로 열처리 과정에서 기판의 표면에 이물 입자가 부착되는 것을 최소화시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, the tray capable of stacking a plurality of layers of the substrate of the present invention and the inline heat treatment apparatus including the same can prevent the foreign matter from adhering to the surface of the substrate during the heat treatment process because the inside of the tray is transferred while being shielded from the outside, There is an effect that it is possible to minimize the occurrence of the problem.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 수직 단면도이다.
도 3은 도 2의 A에 대한 부분 확대도이다.
도 4는 도 2의 B-B에 대한 수평 단면도이다.
도 5는 도 3의 C-C에 대한 수직 단면도이다.
도 6은 도 3의 D-D에 대한 부분 수직단면도이다.
도 7은 도 2의 트레이에 기판을 로딩 또는 언로딩 하는데 사용되는 이젝터 핀의 일 실시예에 따른 수직 단면도이다.FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inline heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a vertical cross-sectional view of an inline thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a partially enlarged view of A in Fig.
4 is a horizontal cross-sectional view of BB of Fig.
5 is a vertical cross-sectional view of CC of Fig.
Figure 6 is a partial vertical section view of DD of Figure 3;
7 is a vertical cross-sectional view of one embodiment of an ejector pin used to load or unload a substrate into the tray of FIG. 2;

이하에서 실시예와 첨부된 도면을 통하여 본 발명의 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이 및 이를 포함하는 인라인 열처리 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate of the present invention and an inline heat treatment apparatus including the same will be described in more detail with reference to embodiments and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적인 구성도이다. 도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 수직 단면도이다. 도 3은 도 2의 A에 대한 부분 확대도이다. 도 4는 도 2의 B-B에 대한 수평 단면도이다. 도 5는 도 3의 C-C에 대한 수직 단면도이다. 도 6은 도 3의 D-D에 대한 부분 수직단면도이다. 도 7은 도 2의 트레이에 기판을 로딩 또는 언로딩 하는데 사용되는 이젝터 핀의 일 실시예에 따른 수직 단면도이다.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inline heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a vertical cross-sectional view of an inline thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a partially enlarged view of A in Fig. 4 is a horizontal cross-sectional view of BB of Fig. 5 is a vertical cross-sectional view of CC of Fig. Figure 6 is a partial vertical section view of DD of Figure 3; 7 is a vertical cross-sectional view of one embodiment of an ejector pin used to load or unload a substrate into the tray of FIG. 2;

상기 인라인 열처리 장치는, 도 1 내지 도 7을 참조하면, 공정 챔버(100) 및 트레이(200)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 인라인 열처리 장치는 이젝터 핀(300)을 더 포함하여 형성될 수 있다.1 to 7, the inline thermal processing apparatus includes a process chamber 100 and a tray 200. In addition, the inline thermal processing apparatus may further include an ejector pin 300.

상기 인라인 열처리 장치는 적어도 2개의 공정 챔버(100)가 인접하여 형성되며, 각 공정 챔버(100)는 유리 기판(10)의 열처리 조건에 따라 제어 온도가 설정된다. 상기 인라인 열처리 장치는 적어도 1 개의 트레이(200)가 적어도 2 장의 기판(10)을 안착시킨 상태에서 각 공정 챔버(100)를 순차적으로 통과한다. 즉, 상기 인라인 열처리 장치는 기판(10)을 복수 레이어로 적층하여 이송하면서 열처리하므로, 한 번에 열처리하는 기판(10)의 수량을 증가시킨다. 여기서, 상기 기판(10)은 평판디스플레이 장치에 사용되는 유리 기판이거나, 표면에 비정질 실리콘 박막이 형성된 유리 기판, 표면에 ITO, IGZO와 같은 투명 전극이 형성된 유리 기판일 수 있다. The inline thermal processing apparatus includes at least two process chambers 100 adjacent to each other, and each process chamber 100 has a control temperature set according to a heat treatment condition of the glass substrate 10. The inline thermal processing apparatus sequentially passes through each of the process chambers 100 with at least one tray 200 having at least two substrates 10 mounted thereon. That is, the inline thermal processing apparatus increases the number of substrates 10 to be heat-treated at one time because the substrate 10 is laminated and transported while being laminated. Here, the substrate 10 may be a glass substrate used for a flat panel display device, a glass substrate on which an amorphous silicon thin film is formed, and a glass substrate on which a transparent electrode such as ITO or IGZO is formed.

상기 인라인 열처리 장치는 유리 기판의 프리컴팩션(pre-compaction)을 위한 열처리, 유리 기판의 상면에 형성되는 실리콘 박막의 결정화, 활성화, 수소화 또는 탈수소화를 위한 열처리, 유리 기판의 상면에 형성되는 ITO, IGZO 투명 전극의 소성 열처리와 같은 열처리 공정을 진행하는데 사용될 수 있다.The inline thermal processing apparatus includes a heat treatment for pre-compaction of a glass substrate, a heat treatment for crystallization, activation, hydrogenation or dehydrogenation of a silicon thin film formed on the upper surface of the glass substrate, an ITO , IGZO transparent electrode, and the like.

상기 공정 챔버(100)는 하우징(110)과 단열재(120)와 가열 수단(130) 및 이송 롤러(140)를 포함하여 형성된다. The process chamber 100 includes a housing 110, a heat insulating material 120, a heating means 130, and a transfer roller 140.

상기 공정 챔버(100)는 일측에 트레이(200)가 장입되는 유입구(100a)와 타측에 트레이(200)가 배출되는 유출구(100b)가 소정 높이와 폭으로 형성된다. 또한, 상기 공정 챔버(100)는 내부에 트레이(200)가 이송되어 정지되는 위치를 감지하는 위치센서(도면에 표시하지 않음)를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버(100)는 내부에 질소 가스와 같은 불활성 가스를 일정하게 공급하는 가스 공급수단(도면에 표시하지 않음)을 구비할 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 공급되는 가스에 의하여 내부가 일정한 분위기의 양압으로 유지될 수 있으며, 외부의 공기가 유입되는 것이 방지되어 내부 온도가 보다 균일하게 유지될 수 있다. 상기 가스 공급수단은 바람직하게는 가스가 공정 챔버(100)의 상부에서 내부로 공급되고 공정 챔버(100)의 하부로 배출되도록 형성될 수 있다. The process chamber 100 has an inlet port 100a through which the tray 200 is loaded and an outlet port 100b through which the tray 200 is discharged. In addition, the process chamber 100 may include a position sensor (not shown) for detecting a position where the tray 200 is transported and stopped therein. In addition, the process chamber 100 may include gas supply means (not shown) for uniformly supplying an inert gas such as nitrogen gas. The inside of the process chamber 100 can be maintained at a positive pressure in a constant atmosphere by the supplied gas, and external air can be prevented from flowing into the process chamber 100, so that the internal temperature can be maintained more uniformly. The gas supply means is preferably configured such that gas is supplied internally from the top of the process chamber 100 and discharged to the bottom of the process chamber 100.

한편, 상기 공정 챔버(100)는 유리 기판의 열처리에 사용되는 일반적인 공정 챔버로 형성될 수 있다.
Meanwhile, the process chamber 100 may be a general process chamber used for heat treatment of a glass substrate.

상기 하우징(110)은 공정 챔버(100)의 외관을 이루게 되는 외측 하우징(112)과 공정 챔버(100)의 내부에서 열처리 공간을 형성하는 내측 하우징(114)을 포함하여 형성된다. The housing 110 is formed to include an outer housing 112 that forms an outer appearance of the process chamber 100 and an inner housing 114 that forms a heat treatment space in the process chamber 100.

상기 외측 하우징(112)은 열처리되는 트레이(200)의 크기와 단열재(120)와 내측 하우징(114)의 크기에 따라 적정한 체적을 가지도록 형성된다. 상기 외측 하우징(112)은 내구성을 위하여 스테인레스 스틸과 같은 내부식성 재질로 형성될 수 있다. The outer housing 112 is formed to have a proper volume according to the size of the tray 200 to be heat treated and the size of the heat insulating material 120 and the inner housing 114. The outer housing 112 may be made of a corrosion-resistant material such as stainless steel for durability.

상기 내측 하우징(114)은 열처리되는 트레이(200)의 크기에 따라 적정한 체적을 가지도록 형성된다. 상기 내측 하우징(114)은 바람직하게는 쿼쯔로 형성되어 내부의 열처리 공간이 오염되는 것을 방지한다. 상기 내측 하우징(114)은 상부의 위치하는 상부 내측 하우징(115)과 하부에 위치하는 하부 내측 하우징(116)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 상부 내측 하우징(115)은 상부로 돌출되는 상부 홈(115a)을 형성하여 트레이(200)가 정지하는 위치에서 상부에 공간을 형성함으로써 공정 챔버(100)의 내부 공간을 최소화하면서 복사열의 전달 효율을 증가시키게 된다. 또한, 상기 하부 내측 하우징(116)은 하부로 돌출되는 하부 홈(116a)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 하부 홈(116a)은 내부에 설치되는 이송 롤러(140)를 수용하여 공정 챔버(100)의 내부 공간의 체적이 최소화되도록 한다.The inner housing 114 is formed to have an appropriate volume depending on the size of the tray 200 to be heat-treated. The inner housing 114 is preferably formed of quartz to prevent the inner heat treatment space from being contaminated. The inner housing 114 may include an upper inner housing 115 positioned at an upper portion and a lower inner housing 116 positioned at a lower portion. The upper inner housing 115 is formed with an upper groove 115a protruding upward to form a space at an upper portion of the position where the tray 200 stops, thereby minimizing the internal space of the process chamber 100, Lt; / RTI > In addition, the lower inner housing 116 may include a lower groove 116a projecting downward. The lower groove 116a accommodates the transfer roller 140 installed therein to minimize the volume of the internal space of the process chamber 100. [

상기 단열재(120)은 외측 하우징(112)과 내측 하우징(114) 사이에 위치하며, 열전도성이 낮은 세라믹 단열재와 같은 재질로 형성될 수 있다.The heat insulating material 120 is disposed between the outer housing 112 and the inner housing 114 and may be formed of the same material as the ceramic thermal insulating material having low thermal conductivity.

상기 가열 수단(130)은 복수 개의 발열체(132)를 포함하여 형성되며,내측 하우징(114)의 외측면과 단열재(120)사이에 위치한다. 상기 발열체는 상부 내측 하우징(115)과 단열재(120) 사이 및 하부 내측 하우징(116)과 단열재(120) 사이에 각각 위치하도록 형성될 수 있다. 상기 가열 수단(130)은 공정 챔버(100)의 설정 온도에 따라 적정한 위치에 설치되도록 적정한 수량으로 형성될 수 있다. 상기 가열 수단(130)은 전체적으로 하나의 발열체(132)로 형성되기보다는 독립적으로 제어되는 소정 개수로 형성되며, 공정 챔버(100)의 수평면을 기준으로 구분되는 소정 영역에 각각 설치되어 제어되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 공정 챔버(100)를 9개의 영역으로 구분하여 각각의 영역에 독립적으로 제어되는 발열체(132)를 설치하여 공정 챔버(100)의 내부 온도를 제어할 수 있다. 상기 가열 수단(130)의 발열체는 바 형상, 와이어 형상 또는 스프링 형상의 저항히터 또는 램프히터가 사용될 수 있으며, 여기서 그 종류를 한정하는 것은 아니다.The heating means 130 includes a plurality of heating elements 132 and is positioned between the outer surface of the inner housing 114 and the heat insulating material 120. The heating element may be positioned between the upper inner housing 115 and the heat insulating material 120 and between the lower inner housing 116 and the heat insulating material 120, respectively. The heating means 130 may be formed in an appropriate amount so as to be installed at an appropriate position according to the set temperature of the process chamber 100. Preferably, the heating means 130 is formed in a predetermined number independently controlled rather than as a single heating element 132, and is installed and controlled in a predetermined region defined on the basis of the horizontal plane of the process chamber 100 Do. For example, the internal temperature of the process chamber 100 can be controlled by providing a heating body 132, which is divided into nine regions and independently controlled in each region, of the process chamber 100. The heat generating element of the heating means 130 may be a bar heater, a wire heater, a spring heater or a lamp heater.

상기 이송 롤러(140)는 대략 원기둥 형상으로 형성되며, 바람직하게는 내측 하우징(114)과 동일한 재질인 쿼쯔(quartz) 또는 퓨즈드 실리카(fused silica)로 형성되어 트레이(200)의 이송 과정에서 마찰에 따른 오염 물질의 발생이 최소화되도록 한다. 한편, 상기 이송 롤러(140)는 공정 챔버(100)의 구조와 트레이(200)의 형상에 따라 이송 체인, 이송 컨베이어 벨트, 이송 로봇과 같은 이송 수단으로 대체될 수 있다. The conveying roller 140 is formed in a substantially cylindrical shape and is preferably formed of quartz or fused silica which is the same material as the inner housing 114 so that friction So as to minimize the generation of pollutants. The conveying roller 140 may be replaced with conveying means such as a conveying chain, a conveying conveyor belt, and a transfer robot depending on the structure of the process chamber 100 and the shape of the tray 200.

상기 이송 롤러(140)는 공정 챔버(100)의 하부 내측 하우징(116)의 내측에 소정 간격으로 다수 개가 설치된다. 상기 이송 롤러(140)는 내측 하부하우징의 내측에서 소정 높이로 형성되며, 바람직하게는 공정 챔버(100)의 입구(100a)와 출구(100b)의 바닥면보다 높은 위치로 형성되어 이송되는 트레이(200)의 하면이 입구(100a)와 출구(100b)의 바닥면에 접촉되지 않도록 한다. 상기 이송 롤러(140)는 공정 챔버(100)의 크기와 이송되는 트레이(200)의 길이에 따라 소정 간격으로 형성된다. 상기 이송 롤러(140)는 트레이(200)의 이송방향, 즉, 입구(100a)와 출구(100b)의 방향에 수직한 방향으로 설치되며 외측 하우징(112)의 외부로 연장되어 별도의 회전수단(도면에 표시하지 않음)에 의하여 회전된다.
The transfer rollers 140 are installed at predetermined intervals on the inner side of the lower inner housing 116 of the process chamber 100. The conveying roller 140 is formed at a predetermined height from the inside of the inner lower housing and is preferably formed at a higher position than the bottom of the inlet 100a and the outlet 100b of the process chamber 100, Is not brought into contact with the bottom face of the inlet 100a and the outlet 100b. The transfer rollers 140 are formed at predetermined intervals according to the size of the process chamber 100 and the length of the tray 200 to be transferred. The conveying roller 140 is installed in a direction perpendicular to the conveying direction of the tray 200, that is, the direction of the inlet 100a and the outlet 100b, and extends to the outside of the outer housing 112, Not shown in the drawing).

상기 트레이(200)는 지지판(210)과 상부판(220) 및 차폐벽(230)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 트레이(200)는 차폐문(240) 및 지지바(250)를 더 포함하여 형성될 수 있다. The tray 200 includes a support plate 210, an upper plate 220, and a shielding wall 230. In addition, the tray 200 may further include a door closing door 240 and a support bar 250.

상기 트레이(200)는 적어도 2 개의 지지판(210)이 수직 방향으로 서로 이격되어 배치되며, 상면에 기판(10) 또는 캐리어(20)을 안착시켜 이송한다. 따라서, 상기 지지판(210)은 기존의 캐리어(20)만으로 기판(10)을 안착시켜 이송하는 방식에 비하여 적어도 2 배수의 기판(10)을 이송하여 열처리를 수행할 수 있다.  The tray 200 includes at least two support plates 210 spaced apart from each other in a vertical direction, and the substrate 10 or the carrier 20 is placed on the upper surface of the tray 200 and transported. Accordingly, the support plate 210 can transfer the substrate 10 by at least two times, compared with the conventional method in which the substrate 10 is placed and transported only by the conventional carrier 20, thereby performing the heat treatment.

또한, 상기 트레이(200)는 상부판(220)과 차폐벽(230) 및 차폐문(240)에 의하여 기판(10)이 안착되는 공간을 차폐함으로써 공정 챔버(100)의 내부에서 이송되는 과정에서 기판(10)이 안착되는 공간으로 이물 입자가 유입되어 기판(10)의 상면에 안착되는 것을 차단한다. The tray 200 may be moved in the process chamber 100 by shielding the space where the substrate 10 is seated by the top plate 220, the shielding wall 230, Foreign particles enter the space in which the substrate 10 is seated and are prevented from being seated on the upper surface of the substrate 10.

한편, 상기 트레이(200)는 별도의 캐리어(20)에 기판(10)을 안착시킨 상태에서 이송할 수 있다.
Meanwhile, the tray 200 can be transported while the substrate 10 is placed on a separate carrier 20.

상기 지지판(210)은 판상으로 형성되며, 기판(10)보다 큰 면적을 가지도록 형성된다. The support plate 210 is formed in a plate-like shape and has a larger area than the substrate 10.

상기 지지판(210)은 적어도 2 개로 형성되며, 상하 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 예를 들면, 상기 지지판(210)은 가장 하부에 위치하는 하부 지지판(212)과 상부에 위치하는 상부 지지판(214)를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 지지판은 3 개 이상으로 형성되는 경우에 하부 지지판(212)와 상부 지지판(214)의 사이에 다수의 중간 지지판(미도시)를 더 구비하여 형성될 수 있다. 한편, 이하에서 상기 지지판(210)의 설명과 관련하여 하부 지지판(212)과 상부 지지판(214)으로 구분할 필요가 없는 경우에 지지판(210)으로 칭하고 설명한다. The supporting plates 210 are formed of at least two, and are arranged to be spaced apart from each other in the vertical direction. For example, the support plate 210 may include a lower support plate 212 positioned at the lowest position and an upper support plate 214 positioned at the upper position. Further, when the support plate is formed of three or more pieces, the support plate may further include a plurality of intermediate support plates (not shown) between the lower support plate 212 and the upper support plate 214. In the following description, the lower support plate 212 and the upper support plate 214 will be referred to as a support plate 210 in the following description.

상기 지지판(210)은 상부에 안착되는 기판(10) 또는 캐리어(20)의 하면을 지지한다. 상기 지지판(210)은 기판(10)이 캐리어(20)에 안착되어 이송되는 경우에 캐리어(20)를 지지한다. The support plate 210 supports the lower surface of the substrate 10 or the carrier 20 which is seated on the upper side. The support plate 210 supports the carrier 20 when the substrate 10 is mounted on the carrier 20 and transported.

상기 지지판(210)은 이젝터 홀(210a)을 더 포함하여 형성된다. 상기 이젝터 홀(210a)은 상면에서 하면으로 관통되어 형성된다. 상기 이젝터 홀(210a)은 기판(10)을 지지판(210)에 로딩 또는 언로딩하는 과정에서 기판(10)을 상승 및 하강시키는 이젝터 핀(300)이 상하 이동하는 경로를 제공한다. 상기 이젝터 홀(210a)은 기판(10)의 크기에 따라 적정한 개수로 형성되며, 지지판(210)에 전체적으로 배치되어 형성된다. The support plate 210 further includes an ejector hole 210a. The ejector hole 210a is formed to penetrate from the upper surface to the lower surface. The ejector hole 210a provides a path for the ejector pin 300 to move up and down the substrate 10 in the process of loading or unloading the substrate 10 to or from the support plate 210. The ejector holes 210a are formed in an appropriate number according to the size of the substrate 10, and are formed as a whole on the support plate 210. [

상기 지지판(210)은 쿼쯔(quartz), 퓨즈드 실리카(fused silica) 또는 네오 세라믹(Neo Ceramic)과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상기 네오 세라믹은 SiO2-Al2O3 계 세라믹으로 열적 안정성이 좋은 세라믹 재질이다.
The support plate 210 may be formed of a ceramic material such as quartz, fused silica, or neo ceramics. The neoceramics are SiO 2 -Al 2 O 3 ceramics and are ceramic materials having good thermal stability.

상기 상부판(220)은 평판 형상 또는 곡면판 형상으로 형성되며, 바람직하게는 지지판(210)에 대응되는 형상으로 형성된다. 상기 상부판(220)은 평면을 기준으로 지지판(210)의 면적에 대응되는 면적을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 상부판(220)은 지지판(210)중에서 가장 상부에 위치하는 상부 지지판(214)의 상부에 이격되어 위치한다. 상기 상부판(220)은 상부 지지판(214)의 상면에 안착되는 기판(10)의 상부를 차폐하여, 기판(10)의 상면에 이물 입자가 부착되는 것을 차단한다. 상기 상부판(220)은 지지판(210)과 달리 이물 입자가 통과할 가능성이 있는 홀이 형성되지 않는다. The upper plate 220 is formed in a flat plate shape or a curved plate shape, and is preferably formed in a shape corresponding to the support plate 210. The upper plate 220 may have an area corresponding to an area of the support plate 210 with respect to a plane. The upper plate 220 is spaced apart from the upper portion of the upper support plate 214 located at the uppermost position of the support plate 210. The upper plate 220 shields the upper portion of the substrate 10 that is seated on the upper surface of the upper support plate 214 and blocks foreign particles from adhering to the upper surface of the substrate 10. Unlike the support plate 210, the upper plate 220 does not have a hole through which foreign particles may pass.

상기 상부판(220)은 지지판(210)과 같은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 상부판(220)은 쿼쯔(quartz), 퓨즈드 실리카(fused silica) 또는 네오 세라믹(Neo Ceramic)과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
The upper plate 220 may be formed of the same material as the support plate 210. For example, the top plate 220 may be formed of a ceramic material such as quartz, fused silica, or neo ceramics.

상기 차폐벽(230)은 평판 형상 또는 곡면판 형상으로 형성되며, 지지판(210)의 길이에 대응되는 길이와 지지판(210)과 상부판(220)의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성된다. 여기서, 상기 길이는 차폐벽(230) 사이의 방향에 수직인 방향의 거리를 의미하며, 폭은 동일 평면 상에서 길이에 수직인 방향의 거리를 의미하며, 높이는 길이와 폭에 수직인 방향의 거리를 의미한다.The shielding wall 230 is formed in a flat plate shape or a curved plate shape and is formed to have a length corresponding to the length of the support plate 210 and a height corresponding to the total spacing height of the support plate 210 and the top plate 220. Here, the length means the distance in the direction perpendicular to the direction between the shielding walls 230, the width means the distance in the direction perpendicular to the length on the same plane, and the height means the distance in the direction perpendicular to the length and width it means.

상기 차폐벽(230)은 지지판(210)과 상부판(220)의 양측부에 각각 결합되며, 하부 지지판(212)과 상부 지지판(214) 사이의 측면 공간 및 상부 지지판(214)과 상부판(220) 사이의 측면 공간을 차폐한다. 상기 차폐벽(230)은 트레이(200)의 양측부를 차폐하여 트레이(200)의 양측부로부터 기판(10)의 상부로 이물 입자가 유입되는 것을 차단한다. 여기서, 상기 양측부는 지지판(210)의 4면 중에서 차폐문(240)이 형성되지 않는 면에 대응되는 측을 의미한다. 또한, 전측부와 후측부는 차폐문(240)이 형성되는 면에 대응되는 측을 의미한다. The shielding wall 230 is coupled to both sides of the support plate 210 and the upper plate 220 and has a side space between the lower support plate 212 and the upper support plate 214 and a side space between the upper support plate 214 and the upper plate 220. [ 220, respectively. The shielding wall 230 shields both sides of the tray 200 to block foreign particles from entering the upper portion of the substrate 10 from both sides of the tray 200. Here, the opposite side portions refer to the side of the four sides of the support plate 210 corresponding to the side where the door closing door 240 is not formed. Further, the front portion and the rear portion refer to the side corresponding to the surface on which the curtain hatch 240 is formed.

상기 차폐벽(230)은 지지판(210)과 같은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 차폐벽(230)은 쿼쯔(quartz), 퓨즈드 실리카(fused silica) 또는 네오 세라믹(Neo Ceramic)과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
The shielding wall 230 may be formed of the same material as the support plate 210. For example, the shielding wall 230 may be formed of a ceramic material such as quartz, fused silica, or neo ceramics.

상기 차폐문(240)은 평판 형상 또는 곡면판 형상으로 형성되며, 지지판(210)의 폭에 대응되는 폭과 지지판(210)과 상부판(220)의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성된다. 상기 차폐문(240)은 차폐벽(230)의 상부 또는 하부에 회동 가능하게 결합되어 하측 또는 상측으로 열어질 수 있다. 예를 들면, 도 6에서 보는 바와 같이, 상기 차폐문(240)은 별도의 회전핀(242)에 의하여 차폐벽(230)의 상부에 회동 가능하게 결합되어 상부로 열어지도록 결합될 수 있다. The curtain door 240 is formed in a flat plate shape or a curved plate shape and has a width corresponding to the width of the support plate 210 and a height corresponding to the total spacing height of the support plate 210 and the top plate 220. The car closing door 240 may be pivotally coupled to the upper or lower portion of the shielding wall 230 so as to open toward the lower side or the upper side. For example, as shown in FIG. 6, the car closing door 240 may be pivotally coupled to an upper portion of the shielding wall 230 by a separate rotation pin 242 and coupled to open upwards.

상기 차폐문(240)은 하부 지지판(212)과 상부 지지판(214) 사이의 전면 및 후면 공간 및 상부 지지판(214)과 상부판(220) 사이의 전면 및 후면 공간을 차폐한다. 상기 차폐문(240)은 트레이(200)의 전후부를 차폐하여 트레이(200)의 전후 공간으로부터 기판(10)의 상부로 이물 입자가 유입되는 것을 차단한다.The door hatch 240 shields the front and rear spaces between the lower support plate 212 and the upper support plate 214 and the front and rear spaces between the upper support plate 214 and the upper plate 220. The door closes the front and rear portions of the tray 200 to block foreign particles from flowing into the upper portion of the substrate 10 from the front and rear spaces of the tray 200.

상기 차폐문(240)은 지지판(210)과 같은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 차폐문(240)은 쿼쯔(quartz), 퓨즈드 실리카(fused silica) 또는 네오 세라믹(Neo Ceramic)과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
The door hatch 240 may be formed of the same material as the support plate 210. For example, the door hatch 240 may be formed of a ceramic material such as quartz, fused silica, or neo ceramics.

상기 지지바(250)는 바 형상으로 형성되며, 폭 지지바(252)와 길이 지지바(254)를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 지지바(250)는 높이가 폭보다 큰 단면 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 지지바(250)는 단면 형상이 "Ｉ" 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 폭 지지바(252)는 지지판(210)의 폭에 대응되는 길이로 형성된다. 또한, 상기 길이 지지바(254)는 지지판(210)의 길이에 대응되는 길이로 형성된다.The support bar 250 may be formed in a bar shape and may include a width support bar 252 and a length support bar 254. The support bar 250 may have a cross-sectional shape having a height greater than the width. Further, the support bar 250 may be formed to have an I-shaped cross section. The width support bar 252 is formed to have a length corresponding to the width of the support plate 210. The length support bar 254 is formed to have a length corresponding to the length of the support plate 210.

상기 지지바(250)는 지지판(210)중에서 가장 하부에 위치하는 하부 지지판(212)을 제외한 상부 지지판(214)의 하면에 결합된다. 보다 구체적으로는, 상기 폭 지지바(252)는 복수 개가 상부 지지판(214)의 폭 방향으로 연장되도록 결합되며, 길이 방향으로 소정 간격으로 이격되도록 결합된다. 예를 들면, 상기 폭 지지바(252)는 상부 지지판(214)의 전단과 후단 및 중간에 각각 결합될 수 있다. 또한, 상기 길이 지지바(254)는 상부 지지판(214)의 길이 방향으로 연장되며 상부 지지판(214)의 폭 방향을 기준으로 중간에 위치하도록 결합될 수 있다. 또한, 상기 폭 지지바(252)와 길이 지지바(254)는 상부판(220)에 동일하게 결합될 수 있다. The support bar 250 is coupled to the lower surface of the upper support plate 214 except for the lower support plate 212 located at the lowermost end of the support plate 210. More specifically, the width support bars 252 are coupled so that a plurality of the width support bars 252 extend in the width direction of the upper support plate 214, and are spaced apart from each other by a predetermined distance in the longitudinal direction. For example, the width support bars 252 may be coupled to the front end, the rear end, and the middle of the upper support plate 214, respectively. The length support bar 254 may extend in the longitudinal direction of the upper support plate 214 and may be coupled to the intermediate support plate 214 in the middle of the width direction of the upper support plate 214. The width support bar 252 and the length support bar 254 may be coupled to the top plate 220 in the same manner.

상기 지지바(250)는 열처리 과정에서 자중 또는 기판(10)과 캐리어(20)의 무게에 의하여 상부 지지판(252)이 하부로 변형되는 것을 최소화시킨다. 또한, 상기 지지바(250)는 열처리 과정에서 자중에 의하여 상부판(220)이 하부로 변형되는 것을 최소화시킨다.The support bar 250 minimizes the downward deformation of the upper support plate 252 due to its own weight or the weight of the substrate 10 and the carrier 20 during the heat treatment process. In addition, the support bar 250 minimizes the downward deformation of the top plate 220 due to its own weight during the heat treatment process.

상기 지지바(250)는 지지판(210)과 같은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 지지바(250)는 쿼쯔(quartz), 퓨즈드 실리카(fused silica) 또는 네오 세라믹(Neo Ceramic)과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
The support bar 250 may be formed of the same material as the support plate 210. For example, the support bar 250 may be formed of a ceramic material such as quartz, fused silica, or neo ceramics.

상기 이젝터 핀(300)은 이젝터 바(310)와 회전축(320) 및 회전롤(330)을 포함하여 형성된다. 상기 이젝터 핀(300)은 기판(10) 또는 캐리어(20)를 트레이(200)에 로딩 또는 언로딩하는 별도의 로딩 챔버(미도시)에 장착된다. 상기 이젝터 핀(300)은 지지판(210)의 이젝터 홀(210a)을 통하여 지지판(210)의 상면에서 돌출되도록 위치하며, 기판(10) 또는 캐리어(20)가 지지판(210)의 상면에 안착되도록 한다.
The ejector pin 300 includes an ejector bar 310, a rotary shaft 320, and a rotary roll 330. The ejector pin 300 is mounted in a separate loading chamber (not shown) that loads or unloads the substrate 10 or the carrier 20 into the tray 200. The ejector pin 300 is positioned to protrude from the upper surface of the support plate 210 through the ejector hole 210a of the support plate 210 so that the substrate 10 or the carrier 20 is seated on the upper surface of the support plate 210. [ do.

상기 이젝터 바(310)는 수평 단면 형상이 이젝터 홀(210a)과 대응되며, 상대적으로 작은 면적을 가지도록 형성된다. 상기 이젝터 바(310)는 바람직하게는 하부에 단턱(312)을 구비하여 형성될 수 있다. 상기 단턱(312)은 이젝터 핀(300)의 상단으로부터 하부로 소정의 단턱 높이에 위치한다. 상기 단턱 높이는 상부판(220)의 하면과 하부 지지판(212)의 하면 사이의 높이보다 작은 높이로 형성된다. 따라서, 상기 단턱(312)은 이젝터 핀(300)이 상승할 때 회전 롤(330)이 상부판(220)의 하면과 접촉되지 않도록 한다. The ejector bar 310 has a horizontal sectional shape corresponding to the ejector hole 210a and has a relatively small area. The ejector bar 310 is preferably formed with a step 312 at a lower portion thereof. The step 312 is located at a predetermined height from the upper end of the ejector pin 300 to the lower end. The step height is formed to be smaller than a height between the lower surface of the upper plate 220 and the lower surface of the lower support plate 212. Accordingly, the step 312 prevents the rotary roll 330 from contacting the lower surface of the upper plate 220 when the ejector pin 300 is lifted.

상기 이젝터 바(310)은 상면에 상면 홈(310a)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 상면 홈(310a)은 상면에서 하부 방향으로 소정 깊이로 형성된다. 상기 상면 홈(310a)에는 회전축(320)과 회전롤(330)이 삽입되어 결합된다. The ejector bar 310 may further include an upper surface groove 310a on the upper surface thereof. The upper surface groove 310a is formed at a predetermined depth downward from the upper surface. The rotary shaft 320 and the rotary roll 330 are inserted and coupled to the upper surface groove 310a.

상기 회전축(320)은 원기둥 형상으로 형성되며, 상면 홈에 걸쳐지도록 수평 방향으로 결합된다. 상기 회전축(320)은 이젝터 바(310)에 회전 가능하도록 또는 고정되도록 결합된다. The rotation shaft 320 is formed in a columnar shape and coupled horizontally so as to cover the upper surface groove. The rotary shaft 320 is rotatably or fixedly coupled to the ejector bar 310.

상기 회전롤(330)은 원기둥 형상으로 형성되며, 이젝터 바(310)에 회전 가능하게 결합된다. 이때, 상기 회전축(320)이 회전 가능하게 결합되는 경우에, 회전롤(330)은 회전축(320)에 고정되도록 결합될 수 있다. 또한, 상기 회전축(320)이 고정되어 결합되는 경우에, 회전롤(330)은 회전축(320)에 회전 가능하도록 결합된다. 상기 회전롤(330)은 기판(10)이 트레이(200)에 로딩 또는 언로딩되는 과정에서 상부에 안착되는 기판(10) 또는 캐리어(20)가 원활하게 수평 방향으로 이송될 수 있도록 한다. The rotary roll 330 is formed in a cylindrical shape and is rotatably coupled to the ejector bar 310. At this time, when the rotation shaft 320 is rotatably coupled, the rotation roll 330 may be fixed to the rotation shaft 320. In addition, when the rotation shaft 320 is fixed and coupled, the rotation roll 330 is rotatably coupled to the rotation shaft 320. The rotating roll 330 smoothly transports the substrate 10 or the carrier 20, which is seated on the upper part, in the horizontal direction during the loading or unloading of the substrate 10 onto the tray 200.

한편, 상기 이젝터 핀은 상부에 안착되는 기판(10) 또는 캐리어(20)가 손상없이 이송되도록 하는 다양한 구조의 회전롤을 포함하여 형성될 수 있다.
The ejector pins may include a rotating roll having various structures for allowing the substrate 10 or the carrier 20, which is mounted on the upper portion, to be transported without damage.

다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이와 이를 포함하는 인라인 열처리 장치의 작용에 대하여 설명한다.Hereinafter, an operation of a tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate according to an embodiment of the present invention and an inline heat treatment apparatus including the same will be described.

이하에서는 기판(10)이 캐리어(20)에 안착되지 않은 상태로 트레이(200)에 로딩되어 열처리되는 경우를 중심으로 설명한다. Hereinafter, the case where the substrate 10 is loaded on the tray 200 without being seated in the carrier 20 and is heat-treated will be mainly described.

상기 트레이(200)는 공정 챔버(100)의 외부에서 내부에 기판(10)이 로딩된다. 먼저, 상기 트레이(200)는 별도의 로딩 챔버(미도시)에 위치하며, 로딩 챔버에 장착된 이젝터 핀(300)이 이젝터 홀(210a)을 통하여 상부 지지판(214)의 상면위로 돌출된다. 상기 트레이(200)는 기판(10)이 로딩되는 방향에 위치하는 차폐문(240)이 상부로 회동하여 개방된다. 상기 기판(10)은 별도의 이송 로봇(미도시)에 의하여 이송되며, 전측부가 이젝터 핀(300)의 회전롤(330)과 접촉되도록 이송된다. 상기 기판(10)은 별도의 이송 수단(미도시)에 의하여 후측부의 후측단이 밀어지면서 전측부 방향으로 이송되어 상부 지지판(214)의 상부에 로딩된다. 이때, 상기 이젝터 핀(300)은 회전롤(330)이 회전하므로 이송되는 기판(10)의 하면이 손상되지 않도록 한다. 또한, 상기 트레이(200)는 동일한 과정이 반복되어 하부 지지판(212)의 상부에 기판(10)이 추가로 로딩된다. 상기 차폐문(240)은 하부로 회동하여 트레이(200)의 전측부를 차폐한다. 상기 트레이(200)는 열처리가 진행되는 공정 챔버(100)로 장입되고 순차적으로 인접한 공정 챔버(100)로 이송되면서 내부의 기판(10)이 열처리되도록 한다. 상기 기판(10)에 대한 열처리가 종료되면, 트레이(200)는 다시 언로딩 챔버(미도시)로 이송된다. 상기 트레이(200)는 기판이 언로딩되는 방향의 차폐문(240)이 상부로 개방되며, 이젝터 핀(300)이 상승하여 하부 지지판(212)에 안착된 기판(10)이 외부로 이송되어 언로딩되도록 한다. 이때, 상기 트레이(200)는 언로딩되는 방향과 반대 방향에 위치하는 차폐문(240)이 개방되고 별도의 이송 수단(미도시)이 기판(10)의 후측단을 밀어서 트레이(200)의 외부로 이송되도록 할 수 있다. 또한, 상기 트레이(200)는 동일한 과정이 반복되어 상부 지지판(214)의 상부에 안착된 기판(10)이 외부로 언로딩되도록 한다.The tray 200 is loaded with the substrate 10 from the outside of the process chamber 100. First, the tray 200 is placed in a separate loading chamber (not shown), and the ejector pin 300 mounted on the loading chamber protrudes above the upper surface of the upper support plate 214 through the ejector hole 210a. The tray closing door 240 located in the loading direction of the substrate 10 is rotated upward to open the tray 200. The substrate 10 is conveyed by a separate conveying robot (not shown), and the front portion is conveyed to contact the rotary roll 330 of the ejector pin 300. The substrate 10 is transported toward the front side with the rear end of the rear portion being pushed by another transporting means (not shown) and loaded on the upper support plate 214. At this time, since the rotary roll 330 is rotated, the ejector pin 300 prevents the lower surface of the transferred substrate 10 from being damaged. In addition, the tray 200 is repeatedly loaded, and the substrate 10 is further loaded on the lower support plate 212. The door hatch 240 is pivoted downward to shield the front portion of the tray 200. The tray 200 is charged into the process chamber 100 where the heat treatment is performed and is sequentially transferred to the adjacent process chamber 100 so that the inner substrate 10 is heat-treated. When the heat treatment for the substrate 10 is completed, the tray 200 is again transported to an unloading chamber (not shown). The tray closing door 240 in the direction in which the substrate is unloaded is opened upward and the ejector pin 300 is lifted and the substrate 10 placed on the lower support plate 212 is transported to the outside, To be loaded. At this time, the tray 200 is opened in a direction opposite to the direction in which the tray 200 is unloaded, and another transporting means (not shown) pushes the rear end of the substrate 10, As shown in FIG. In addition, the tray 200 repeats the same process so that the substrate 10 mounted on the upper support plate 214 is unloaded to the outside.

따라서, 상기 인라인 열처리 장치는 트레이의 내부에 복수 개의 기판을 복수 레이어로 적층하여 열처리를 진행하므로 한 번에 이송되어 열처리되는 기판의 수를 증가시키는 효과가 있다. Accordingly, the inline thermal processing apparatus increases the number of substrates to be transferred at one time to be heat-treated because a plurality of substrates are stacked in a plurality of layers in the tray and heat treatment is performed.

또한, 상기 인라인 열처리 장치는 기판이 안착되는 트레이의 내부가 외부로부터 차폐된 상태에서 이송되면서 기판의 열처리를 진행하므로 열처리 과정에서 기판의 표면에 이물 입자가 부착되는 것을 최소화시킬 수 있다.In addition, since the inside of the tray on which the substrate is placed is shielded from the outside and the substrate is heated, the inline heat treatment apparatus minimizes adherence of foreign particles to the surface of the substrate during the heat treatment process.

100: 공정챔버
110: 하우징 120: 단열재
130: 가열수단 140: 이송롤러
200: 트레이
210: 지지판 220: 상부판
230: 차폐벽 240: 차폐문
250: 지지바100: Process chamber
110: housing 120: insulation
130: Heating means 140: Feed roller
200: Tray
210: support plate 220: upper plate
230: Shielding wall 240: Car door
250: Support bar

Claims (14)

판상으로 형성되어 상부에 열처리되는 기판이 안착되며 상하 방향으로 서로 이격되는 적어도 2개의 지지판을 포함하며,
상기 지지판은
하부에 위치하는 하부 지지판 및
상기 하부 지지판의 상부에 위치하는 상부 지지판을 포함하며,
상기 기판보다 큰 면적을 가지며, 상면에 안착되는 상기 기판을 지지하면서 상기 지지판의 상면에 안착되는 캐리어와
상기 지지판의 상부에 위치하는 상부판 및
바 형상으로 형성되며, 상기 상부 지지판의 하면과 상기 상부판의 하면에 상기 상부 지지판의 폭 방향을 기준으로 중간에서 길이 방향으로 연장되도록 결합되는 길이 지지바를 구비하는 지지바를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.And at least two support plates spaced apart from each other in the vertical direction,
The support plate
A lower support plate positioned at a lower portion thereof,
And an upper support plate positioned above the lower support plate,
A carrier having a larger area than the substrate and seated on the upper surface of the support plate while supporting the substrate mounted on the upper surface;
An upper plate positioned above the support plate,
And a support bar provided on the lower surface of the upper support plate and the lower surface of the upper plate so as to extend in the longitudinal direction at a middle point of the width direction of the upper support plate. A tray capable of stacking a plurality of layers of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 지지판과 상부 지지판은 상하로 관통되는 복수 개의 이젝터 홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the lower support plate and the upper support plate have a plurality of ejector holes vertically penetrating the substrate. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 상부판은 평판 형상 또는 곡면판 형상으로 형성되며, 평면을 기준으로 상기 지지판의 면적에 대응되는 면적을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the upper plate is formed in a flat plate shape or a curved plate shape and has an area corresponding to an area of the support plate with respect to a plane. 제 1 항에 있어서,
상기 지지판과 상부판의 양측부에 결합되어 상기 지지판과 상부판의 측면 공간을 차폐하는 차폐벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.The method according to claim 1,
Further comprising a shielding wall coupled to both sides of the support plate and the top plate to shield the side space of the support plate and the top plate. 제 5 항에 있어서,
상기 차폐벽은 상기 지지판의 길이에 대응되는 길이와 상기 지지판과 상부판의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성되며,
상기 하부 지지판과 상부 지지판 사이의 측면 공간 및 상기 상부 지지판과 상부판 사이의 측면 공간을 차폐하는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.6. The method of claim 5,
Wherein the shielding wall is formed to have a length corresponding to the length of the support plate and a height corresponding to a total height of the support plate and the top plate,
And a side space between the lower support plate and the upper support plate and a side space between the upper support plate and the upper plate. 제 5 항에 있어서,
상기 지지판의 폭에 대응되는 폭과 상기 지지판과 상부판의 전체 이격 높이에 대응되는 높이로 형성되며,
상기 하부 지지판과 상부 지지판 사이의 전면 및 후면 공간 및 상기 상부 지지판과 상부판 사이의 전면 및 후면 공간을 차폐하는 차폐문을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.6. The method of claim 5,
A width corresponding to the width of the support plate, and a height corresponding to a total spacing height of the support plate and the top plate,
Further comprising a front and rear space between the lower support plate and the upper support plate, and a front and rear space between the upper support plate and the upper plate. 제 7 항에 있어서,
상기 차폐문은 상기 차폐벽의 상부 또는 하부에 회동 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.8. The method of claim 7,
Wherein the shielding door is pivotally coupled to an upper portion or a lower portion of the shielding wall. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 지지바는 바 형상으로 형성되며, 상기 상부 지지판의 하면과 상기 상부판의 하면에 상기 상부 지지판의 폭 방향으로 연장되고, 상기 상부 지지판의 길이 방향으로 소정 간격으로 이격되도록 결합되는 복수의 폭 지지바를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.The method according to claim 1,
The support bar is formed in a bar shape and extends in the width direction of the upper support plate on the lower surface of the upper support plate and the lower surface of the upper plate and has a plurality of width supports And a plurality of layers of a plurality of layers of the substrate are stacked. 삭제delete 제 7 항에 있어서,
상기 지지판과 상부판과 차폐벽 및 차폐문은 쿼쯔(quautz), 퓨즈드 실리카 또는 네오 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 복수 레이어 적층이 가능한 트레이.8. The method of claim 7,
Wherein the support plate, the top plate, the shielding wall, and the shutoff door are formed of quartz, fused silica, or neoceramics. 적어도 2개의 공정 챔버가 인접하여 형성되어 각 공정 챔버는 기판의 열처리 조건에 따라 제어 온도가 설정되는 공정 챔버 및
상기 공정 챔버의 내부로 이송되어 상기 기판을 열처리하며, 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 8 항, 제 10 항 및 제 12 항 중 어느 하나의 항에 따라 형성되는 트레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.At least two process chambers are formed adjacent to each other, and each process chamber has a process chamber in which a control temperature is set according to a heat treatment condition of the substrate,
And a tray formed in accordance with any one of claims 1, 2, 4, 8, 10, and 12 to be transferred into the process chamber to heat treat the substrate Wherein the heat treatment apparatus comprises: 제 13항에 있어서
상기 공정 챔버는
외측 하우징과,
상기 외측 하우징의 내부에서 열처리 공간을 형성하는 내측 하우징과,
상기 외측 하우징과 내측 하우징 사이에 위치하는 가열 수단 및
상기 내측 하우징의 내부 하측에 형성되어 상기 트레이를 지지하여 이송하는 이송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 13, wherein
The process chamber
An outer housing,
An inner housing forming a heat treatment space inside the outer housing,
Heating means located between the outer housing and the inner housing,
And a conveying unit formed on an inner lower side of the inner housing to support and convey the tray.
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