KR101798232B1 - Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system - Google Patents

Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system Download PDF

Info

Publication number
KR101798232B1
KR101798232B1 KR1020100065585A KR20100065585A KR101798232B1 KR 101798232 B1 KR101798232 B1 KR 101798232B1 KR 1020100065585 A KR1020100065585 A KR 1020100065585A KR 20100065585 A KR20100065585 A KR 20100065585A KR 101798232 B1 KR101798232 B1 KR 101798232B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
semiconductor layer
conductive semiconductor
light emitting
layer
Prior art date
Application number
KR1020100065585A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120004876A (en
Inventor
이건교
송윤수
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100065585A priority Critical patent/KR101798232B1/en
Publication of KR20120004876A publication Critical patent/KR20120004876A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101798232B1 publication Critical patent/KR101798232B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Abstract

실시예에 따른 발광소자는 제1도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층 아래에 형성된 활성층, 상기 활성층 아래에 형성된 제2도전성 반도체층, 상기 제1도전성 반도체층의 일부분부터 상기 제2도전성 반도체층까지 관통되는 제1연결전극, 상기 제2도전성 반도체층의 일부가 관통되는 제2연결전극, 상기 제2도전성 반도체층의 아래에 형성되며, 상기 제1연결전극과 접촉되는 제1전극, 상기 제2도전성 반도체층의 아래에 형성되며, 상기 제2연결전극에 접촉되는 제2전극 및 상기 제2도전성 반도체층의 아래에 형성되며, 상기 제1전극기판과 상기 제2전극기판을 절연시키는 양극산화막을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment may include a first conductive semiconductor layer, an active layer formed under the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer formed under the active layer, a second conductive semiconductor layer formed from a portion of the first conductive semiconductor layer, A second connection electrode through which a part of the second conductive semiconductor layer passes, a first electrode formed under the second conductive semiconductor layer and contacting the first connection electrode, 2 conductive semiconductor layer, a second electrode contacting the second connection electrode, and an anodic oxide film formed below the second conductive semiconductor layer and insulating the first electrode substrate and the second electrode substrate, .

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package,

실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a light emitting system.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가되고 있는 추세이다.Therefore, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and there is an increasing tendency to use a light emitting element as a light source for various lamps, liquid crystal display devices, electric sign boards, to be.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a light emitting system having a new structure.

실시예는 와이어의 연결이 불필요한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a light emitting system in which connection of wires is not required.

실시예에 따른 발광소자는 제1도전성 반도체층과 상기 제1도전성 반도체층 아래에 배치된 활성층과 상기 활성층 아래에 배치된 제2도전성 반도체층과 상기 제2도전성 반도체층 아래에 배치된 제2절연막과 상기 제2절연막 아래에 배치되는 제1전극 및 제2전극과 상기 제2절연막 아래에 배치되며 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는 양극산화막과 상기 제2절연막과 상기 제2도전성 반도체층과 상기 활성층을 관통하며 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되며 제1연결전극을 포함하는 제1비아홀과 상기 제1비아홀의 측면에 배치되어 상기 제1연결전극과 상기 활성층 및 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키는 제1절연막과 상기 제2절연막을 관통하며 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되며 제2연결전극을 포함하는 제2비아홀을 포함하고, 상기 제1연결전극은 상기 제1전극의 상면과 맞닿고 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제1전극과 상기 제1도전성 반도체층을 전기적으로 연결하고, 상기 제2연결전극은 상기 제2전극의 상면과 맞닿고 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제2전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 연결하며, 상기 제2절연막은 상기 제1전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키고 상기 제1연결전극과 상기 제2연결전극을 전기적으로 절연시키며 상기 양극산화막은 상기 제1전극과 상기 제2전극을 전기적으로 절연시킬 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer disposed under the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer disposed under the active layer, and a second insulating layer disposed under the second conductive semiconductor layer. A first electrode and a second electrode disposed under the second insulating film, an anodic oxide film disposed under the second insulating film and disposed between the first electrode and the second electrode, a second insulating film, A first via hole that penetrates the semiconductor layer and the active layer and is disposed in a partial region of the first conductive semiconductor layer and includes a first connection electrode and a second via hole that is disposed on a side surface of the first via hole, A first insulating layer electrically insulating the second conductive semiconductor layer, and a second connecting electrode disposed in a partial region of the second conductive semiconductor layer through the second insulating layer, Wherein the first connection electrode contacts the upper surface of the first electrode and protrudes to a portion of the first conductive semiconductor layer to electrically connect the first electrode and the first conductive semiconductor layer, The second connection electrode is in contact with the upper surface of the second electrode and protrudes to a part of the second conductive semiconductor layer to electrically connect the second electrode and the second conductive semiconductor layer, The first electrode and the second conductive semiconductor layer are electrically insulated from each other, and the first connection electrode and the second connection electrode are electrically insulated from each other. The anodic oxide layer electrically isolates the first electrode and the second electrode from each other. have.

삭제delete

삭제delete

실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 성장기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층, 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계와 상기 제2절연막, 상기 제 2 도전성 반도체층과 상기 활성층을 관통하며 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되는 제 1 비아홀과 상기 제2절연막을 관통하며 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되는 제 2 비아홀을 형성하는 단계와 상기 제 1 비아홀의 둘레에 제 1 절연막을 형성하는 단계와 상기 제 1 비아홀과 상기 제 2 비아홀에 전도성 금속을 채워 상기 제 1 비아홀에 제 1 연결전극과 상기 제 2 비아홀에 제 2 연결전극을 형성하는 단계와 상기 성장 기판을 제거하는 단계와 상기 제 2 도전성 반도체층 아래에 알루미늄 기판을 형성하는 단계와 상기 알루미늄 기판 하면에 상기 알루미늄 기판의 소정 영역을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 마스크 패턴에 의해 상기 알루미늄 기판을 선택적으로 양극산화시켜 양극산화막을 형성하는 단계와 상기 양극산화막에 의해 상기 알루미늄 기판이 제1전극과 제2전극으로 분리되는 단계를 포함하고, 상기 제1연결전극은 상기 제1전극의 상면과 맞닿고 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제1전극과 상기 제1도전성 반도체층을 전기적으로 연결하고, 상기 제2연결전극은 상기 제2전극의 상면과 맞닿고 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제2전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 연결하며, 상기 제2절연막은 상기 제1전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키고 상기 제1연결전극과 상기 제2연결전극을 전기적으로 절연시키며, 상기 양극산화막은 상기 제1전극과 상기 제2전극을 전기적으로 절연시킬 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes sequentially forming a first conductive semiconductor layer, an active layer, a second conductive semiconductor layer, and a second insulating layer on a growth substrate, and sequentially forming the second insulating layer, Forming a first via hole passing through the active layer and disposed in a partial region of the first conductive semiconductor layer and a second via hole passing through the second insulating film and disposed in a partial region of the second conductive semiconductor layer, Forming a first insulating film around the first via hole and filling the first via hole and the second via hole with a conductive metal to form a first connecting electrode on the first via hole and a second connecting electrode on the second via hole; Removing the growth substrate, forming an aluminum substrate below the second conductive semiconductor layer, forming an aluminum film on the aluminum substrate, Forming an anodic oxide film on the aluminum substrate by selectively anodizing the aluminum substrate by the mask pattern; and forming the anodic oxide film on the aluminum substrate by the anodic oxide film, Wherein the first connection electrode contacts the upper surface of the first electrode and protrudes to a part of the first conductive semiconductor layer to electrically connect the first electrode and the first conductive semiconductor layer The second connection electrode is in contact with the upper surface of the second electrode and protrudes to a part of the second conductive semiconductor layer to electrically connect the second electrode and the second conductive semiconductor layer, Wherein the first electrode and the second conductive semiconductor layer are electrically insulated from each other and the first connection electrode and the second connection electrode are electrically isolated from each other, It said, the anode oxide film can be electrically isolated from the first electrode and the second electrode.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템을 제공할 수 있다. Embodiments can provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a light emitting system having a new structure.

실시예는 와이어의 연결이 불필요한 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템을 제공할 수 있다. Embodiments can provide a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a light emitting system in which connection of wires is not required.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 설명하는 도면
도 2 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 11은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 측 단면도
도 12는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면
도 13은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명기기를 설명하는 도면1 is a view for explaining a light emitting device according to an embodiment;
FIGS. 2 to 10 are views for explaining a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment
11 is a side sectional view of the light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment
12 is a view for explaining a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment;
13 is a view for explaining a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment;

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 설명하는 도면이다. 1 is a view for explaining a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 제1도전성 반도체층(111), 상기 제1도전성 반도체층(111) 아래에 형성된 활성층(112), 상기 활성층(112) 아래에 형성된 제2도전성 반도체층(113), 상기 제2절연막(114)과 상기 제2도전성 반도체층(113), 상기 활성층(112)을 관통하며 상기 제1도전성 반도체층(111)의 일부 영역까지 돌출되어 배치되는 제1연결전극(132), 상기 제2절연막(114)을 관통하며 상기 제2도전성 반도체층(113)의 일부 영역까지 돌출되어 배치되는 제2연결전극(142), 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 형성되는 제2절연막(114), 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 형성되며, 상기 제1연결전극(132)과 접촉되는 제1전극(121), 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 형성되며, 상기 제2연결전극(142)에 접촉되는 제2전극(122) 및 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 형성되며, 상기 제1전극(121)과 상기 제2전극(122)을 절연시키는 양극산화막(123)을 포함한다. 1, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer 111, an active layer 112 formed under the first conductive semiconductor layer 111, The second conductive semiconductor layer 113 and the second conductive semiconductor layer 113 and the active layer 112 and protruding to a partial region of the first conductive semiconductor layer 111 A second connection electrode 142 protruding through a portion of the second conductive semiconductor layer 113 through the second insulation film 114 and a second connection electrode 142 protruding from the second conductive semiconductor layer 113, A second insulating layer 114 formed below the layer 113, a first electrode 121 formed under the second conductive semiconductor layer 113 and in contact with the first connecting electrode 132, A second electrode 122 formed below the second conductive semiconductor layer 113 and contacting the second connection electrode 142 and the second conductive semiconductor layer 113, And an anodic oxide film 123 formed under the first electrode 121 and insulating the second electrode 122 from each other.

상기 제1도전성 반도체층(111), 활성층(112), 제2도전성 반도체층(113)은 성장기판(미도시) 아래에 순차적으로 형성될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 111, the active layer 112, and the second conductive semiconductor layer 113 may be sequentially formed under a growth substrate (not shown).

상기 성장기판은 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 반도체층 성장 후 제거된다. The growth substrate may be selected from the group consisting of sapphire substrate (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP and GaAs.

상기 제1도전성 반도체층(111) 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전성 반도체층(111)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, and the like, which are compound semiconductors of Group III-V elements doped with the first conductive type dopant. , GaAsP, AlGaInP, and the like. When the first conductive semiconductor layer 110 is an N-type semiconductor layer, the first conductive dopant includes N-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 111 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

상기 활성층(112)은 상기 제1 도전성 반도체층(111) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(112)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.The active layer 112 is formed under the first conductive semiconductor layer 111 and may include any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum wire structure. The active layer 112 may be formed of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / a GaN barrier layer or an InGaN well layer / an AlGaN barrier layer, using a Group III-V compound semiconductor material.

상기 활성층(112)과 상기 제1 도전성 반도체층(111) 사이 또는 상기 활성층(112)과 상기 제2 도전성 반도체층(113) 사이에는 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. A clad layer may be formed between the active layer 112 and the first conductive semiconductor layer 111 or between the active layer 112 and the second conductive semiconductor layer 113. The clad layer may be formed of AlGaN- .

상기 제2 도전성 반도체층(113)은 상기 활성층(112) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전성 반도체층(113)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전성 반도체층(113)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive semiconductor layer 113 is formed below the active layer 112. The second conductive semiconductor layer 113 may be formed of a compound semiconductor of a group III-V element doped with a second conductive dopant such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. When the second conductive semiconductor layer 113 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant includes a P-type dopant such as Mg or Zn. The second conductive semiconductor layer 113 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

한편, 발광소자(100)는 제1연결전극(132) 및 제2연결전극(142)를 포함한다. 상기 제1연결전극(132)는 제1비아홀(131)에 형성되며, 상기 제1비아홀(131)은 상기 제2도전성 반도체층(113)의 하단부터 상기 제1도전성 반도체층(111)의 일부까지 형성될 수 있다. The light emitting device 100 includes a first connection electrode 132 and a second connection electrode 142. The first connection electrode 132 is formed in a first via hole 131. The first via hole 131 extends from a lower end of the second conductive semiconductor layer 113 to a portion of the first conductive semiconductor layer 111 As shown in FIG.

상기 제1비아홀(131)에는 제1절연막(133)이 형성되며, 상기 제1절연막(133)은 상기 제2도전성 반도체층(113)의 하단부터 상기 제1도전성 반도체층(111)의 일부까지 상기 제1연결전극(132)의 둘레에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1연결전극(132)은 상기 활성층(132)과 상기 제2도전성 반도체층(133)과 절연되고, 제1도전성 반도체층(113)에 연결된다. 상기 제1절연막(133)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 등의 절연물질 중에서 선택될 수 있다. A first insulating layer 133 is formed on the first via hole 131. The first insulating layer 133 extends from the lower end of the second conductive semiconductor layer 113 to a portion of the first conductive semiconductor layer 111 And may be formed around the first connection electrode 132. The first connection electrode 132 is isolated from the active layer 132 and the second conductive semiconductor layer 133 and is connected to the first conductive semiconductor layer 113. The first insulating layer 133 may be formed of an insulating material such as SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 .

상기 제2연결전극(142)는 제2비아홀(141)에 형성되며, 상기 제2비아홀(141)은 제2도전성 반도체층(113)의 일정부분까지 형성된다. 여기서, 상기 제1비아홀(131) 및 상기 제2비아홀(141)은 예를 들어, 레이저 드릴링(Laser Drilling) 또는 식각 공정에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second connection electrode 142 is formed in the second via hole 141 and the second via hole 141 is formed in a portion of the second conductive semiconductor layer 113. Here, the first via hole 131 and the second via hole 141 may be formed by, for example, laser drilling or etching, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 제1연결전극(132) 및 상기 제2연결전극(142)는 전도성 금속을 이용할 수 있으며, 예컨대, Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au 중에서 어느 하나 또는 2개 이상이 혼합된 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 연결전극(132, 142)의 전도성 금속의 구성원소가 서로 동일하지 않을 수도 있다. 또한, 제1연결전극(132) 또는 제2연결전극(142)는 반도체 발광소자에 하나 이상이 형성될 수 있다. The first connection electrode 132 and the second connection electrode 142 may be formed of a conductive metal such as Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Or a mixture of two or more of them. The constituent elements of the conductive metals of the first and second connection electrodes 132 and 142 may not be identical to each other. At least one of the first connection electrode 132 and the second connection electrode 142 may be formed in the semiconductor light emitting device.

상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에는 제1전극(121) 및 제2전극(122)이 형성된다. 또한, 상기 제1전극(121)과 상기 제2전극(122) 사이에 형성되어, 상기 제1전극(121)과 상기 제2전극(122)을 전기적으로 절연시켜주는 양극산화막(123)이 형성된다. 여기서, 상기 제1전극(121)과 상기 제2전극(122)은 알루미늄 또는 알루미늄 주성분으로 하는 금속재료로 형성될 수 있으며, 상기 양극 산화막(123)은 절연물질인 Al2O3일 수 있다. A first electrode 121 and a second electrode 122 are formed under the second conductive semiconductor layer 113. An anodic oxide film 123 is formed between the first electrode 121 and the second electrode 122 to electrically isolate the first electrode 121 from the second electrode 122 do. Here, the first electrode 121 and the second electrode 122 may be made of a metal material mainly composed of aluminum or aluminum, and the anodic oxide film 123 may be Al 2 O 3 , an insulating material.

상기 제1전극(121) 및 상기 제2전극(122)의 사이를 절연을 통해 분리시켜 주는 상기 양극 산화막(123)은 알루미늄기판에서 분리하고자 하는 영역을 선택적으로 양극산화함으로써 형성된다. 상기 양극 산화막(123)은 지그를 제작하여 직접 아노다이징 처리에 의해 형성될 수도 있고, 원하는 패턴 형태를 마스킹 한 후, 부분적으로 노출된 영역을 아노다이징 처리하여 형성될 수도 있다. The anodic oxide film 123 separating the first electrode 121 and the second electrode 122 from each other through insulation is formed by selectively anodizing an area to be separated from the aluminum substrate. The anodic oxide film 123 may be formed by direct anodizing by fabricating a jig, masking a desired pattern shape, and then anodizing the partially exposed region.

상기 제1전극(121) 및 상기 제2전극(122)은 상기 양극 산화막(123)에 의해 전기적으로 분리된다. 상기 제1전극(121) 및 상기 제2전극(122)의 상면 또는 하면은 동일 평면상에 형성될 수 있다. The first electrode 121 and the second electrode 122 are electrically separated by the anodic oxide film 123. The upper surface or the lower surface of the first electrode 121 and the second electrode 122 may be formed on the same plane.

한편, 상기 제2도전성 반도체층(113)과 제1전극(121), 제2전극(122) 및 양극 산화막(123) 사이에 제2절연막(114)이 형성되어, 상기 제2도전성 반도체층(113)이 제1전극(121) 및 제2전극(122)에 모두 연결되어 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. A second insulating layer 114 is formed between the second conductive semiconductor layer 113 and the first electrode 121, the second electrode 122 and the anodic oxide layer 123 to form the second conductive semiconductor layer 113 may be connected to both the first electrode 121 and the second electrode 122 to prevent a short circuit.

상기 제1도전성 반도체층(111) 상에는 형광체층(150)이 형성될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 스크린 프린팅 방식으로 코팅되거나 광 여기 필름(PLF: photo luminescent film)으로 형성할 수 있다. A phosphor layer 150 may be formed on the first conductive semiconductor layer 111. The phosphor layer 150 may be coated by a screen printing method or a photo luminescent film (PLF).

상기 형광체층(150)은 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 등과 같은 형광체 종류 중에서 적어도 한 컬러의 형광체가 첨가될 수 있다. The phosphor layer 150 may include phosphors of at least one of the phosphor types such as a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the embodiment will be described in detail. However, the contents overlapping with those described above will be omitted or briefly explained.

도 2 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다. FIGS. 2 to 10 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 성장기판(110)을 준비한다. 상기 성장기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 2, a growth substrate 110 is prepared. The growth substrate 110 may be formed of at least one of, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

도 3을 참조하면, 성장기판(110) 상에 상기 제1 도전성 반도체층(111), 활성층(112), 제2 도전성 반도체층(113) 및 제2절연막(114)가 순차적으로 적층된다. 상기 제1 도전성 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전성 반도체층(113)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 3, the first conductive semiconductor layer 111, the active layer 112, the second conductive semiconductor layer 113, and the second insulating layer 114 are sequentially stacked on the growth substrate 110. The first conductive semiconductor layer 111, the active layer 112 and the second conductive semiconductor layer 113 may be formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a chemical vapor deposition (CVD) ), A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a molecular beam epitaxy (MBE), a hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like. , But is not limited thereto.

한편, 상기 제1 도전성 반도체층(111 및 상기 성장 기판(110) 사이에는 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수도 있다.A buffer layer (not shown) and / or an undoped nitride layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 111 and the growth substrate 110 to mitigate the difference in lattice constant.

도 4를 참조하면, 상기 제2절연막(114)과 상기 제2도전성 반도체층(113)과 상기 활성층(112)을 관통하고 상기 제1도전성 반도체층(111)의 일부 영역에 배치되는 제1비아홀(131) 및 상기 제2절연막(114)을 관통하고 상기 제2도전성 반도체층(113)의 일부 영역에 배치되는 제2비아홀(141)을 형성할 수 있다. 상기 제1비아홀(131) 및 제2비아홀(141)은 예를 들어, 레이저 드릴링(Laser Drilling) 또는 식각 공정에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 4, a first via hole (not shown) is formed through the second insulating layer 114, the second conductive semiconductor layer 113, and the active layer 112 and is disposed in a partial region of the first conductive semiconductor layer 111, A second via hole 141 penetrating the second insulating layer 114 and disposed in a partial region of the second conductive semiconductor layer 113 may be formed. The first via hole 131 and the second via hole 141 may be formed by, for example, laser drilling or etching. However, the present invention is not limited thereto.

도 5를 참조하면, 상기 제2 도전성 반도체층(113)부터 상기 제1 도전성 반도체층(111)의 일부까지 상기 제1 비아홀(131)의 둘레에 제1 절연막(133)을 형성할 수 있다. 상기 제1절연막(133)은 예를 들어, 전자빔 증착, 스퍼터링 및 PECVD와 같은 증착 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 5, a first insulating layer 133 may be formed around the first via hole 131 from the second conductive semiconductor layer 113 to a portion of the first conductive semiconductor layer 111. The first insulating layer 133 may be formed by a deposition method such as electron beam deposition, sputtering, and PECVD, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 비아홀(131)의 둘레에 제1 절연막(133)을 상기와 같은 증착 방식으로 성장시킨 후 불필요한 절연막에 대해 부분적으로 제거할 수 있다. The first insulating layer 133 may be grown around the first via hole 131 by the deposition method as described above, and then the unnecessary insulating layer may be partially removed.

도 6을 참조하면, 상기 제1절연막(133)이 형성된 상기 제1비아홀(131)에 전도성 금속을 채워 제1연결전극(132)을 형성하게 되며, 상기 제2비아홀(141)의 하부에는 전도성 금속을 채워 제2연결전극(142)를 형성하게 된다. 6, a first connection electrode 132 is formed by filling a conductive metal into the first via hole 131 formed with the first insulating layer 133, and a conductive metal layer 132 is formed under the second via hole 141. [ And the second connection electrode 142 is formed by filling the metal.

상기 제1연결전극(132)은 제2도전성 반도체층(113)의 하부에서부터 제1도전성 반도체층(111)의 일부까지 제1비아홀(131)에 형성되어, 제1도전성 반도체층(111)에 전기적으로 연결된다. The first connection electrode 132 is formed in the first via hole 131 from the lower portion of the second conductive semiconductor layer 113 to a portion of the first conductive semiconductor layer 111, And is electrically connected.

상기 제2연결전극(142)은 제2도전성 반도체층(113)의 하부에서부터 제2도전성 반도체층(113)의 일부까지 제2비아홀(141)에 형성되어, 제2도전성 반도체층(113)에 전기적으로 연결된다. 상기 전도성 금속은 Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au 중에서 어느 하나 또는 2개 이상이 혼합된 물질로 형성될 수 있다.The second connection electrode 142 is formed in the second via hole 141 from the lower portion of the second conductive semiconductor layer 113 to a portion of the second conductive semiconductor layer 113 so that the second connection electrode 142 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 113 And is electrically connected. The conductive metal may be formed of a mixed material of any one or more of Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag and Au.

도 7을 참조하면, 상기 성장기판(110)을 제거한다. 상기 성장기판(110)은 예를 들어, 레이저 리프트 오프(LLO, Laser Lift Off), 화학적 식각 방법(CLO, Chemical Lift Off) 또는 물리적인 연마 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다음으로, 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 알루미늄기판(120)이 형성된다. 상기 알루미늄 기판(120)은 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 금속재료일 수 있다. Referring to FIG. 7, the growth substrate 110 is removed. The growth substrate 110 may be removed by, for example, at least one of a laser lift off (LLO), a chemical lift off (CLO) method, or a physical polishing method, The present invention is not limited thereto. Next, an aluminum substrate 120 is formed under the second conductive semiconductor layer 113. The aluminum substrate 120 may be a metal material containing aluminum or aluminum as its main component.

도 7에서는 상기 제2도전성 반도체층(113)의 아래에 알루미늄기판(120)이 형성되기 전에 상기 성장기판(110)이 제거되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 후술할 도 8 및 도 9의 제조과정이 수행된 이후에 상기 성장기판(110)이 제거될 수도 있다. 7, the growth substrate 110 is removed before the aluminum substrate 120 is formed under the second conductive semiconductor layer 113. However, the present invention is not limited thereto. The growth substrate 110 may be removed after the fabrication process of FIG.

도 8을 참조하면, 상기 알루미늄 기판(120)에 전극 분리용 마스크 패턴(155)를 형성한다. 구체적으로 설명하면, 알루미늄 기판(120) 하면에 소정 영역(A)을 노출시키는 마스크 패턴(155)을 형성한다. 상기 소정영역(A)은 알루미늄 기판(120)을 제1전극(121) 및 제2전극(122)으로 분리하는 양극산화막이 형성될 영역에 해당된다. 상기 전극 분리용 마스크 패턴(155)은 포토레지스트 또는 Ti, Au 등의 금속으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 8, an electrode separation mask pattern 155 is formed on the aluminum substrate 120. Specifically, a mask pattern 155 exposing a predetermined region A is formed on the lower surface of the aluminum substrate 120. The predetermined region A corresponds to a region where an anodic oxide film for separating the aluminum substrate 120 into the first electrode 121 and the second electrode 122 is to be formed. The electrode separation mask pattern 155 may be formed of a photoresist or a metal such as Ti or Au, but is not limited thereto.

도 9를 참조하면, 상기 전극 분리용 마스크 패턴(155)을 이용하여 알루미늄 기판(120)을 선택적으로 양극산화시킴으로써, 양극산화막(123)을 형성한다. 상기 양극산화막(123)은 절연체인 Al2O3로 되어 있기 때문에, 상기 알루미늄 기판(120)을 제1전극(121) 및 제2전극(122)으로 분리하는 역할을 한다. Referring to FIG. 9, the anodic oxidation film 123 is formed by selectively anodizing the aluminum substrate 120 using the electrode separation mask pattern 155. Since the anodic oxide film 123 is made of Al 2 O 3 which is an insulator, it functions to separate the aluminum substrate 120 into the first electrode 121 and the second electrode 122.

이후, 상기 전극 분리용 마스크 패턴(155)은 스트립(Strip) 공정 등에 의해 완전히 제거된다. Thereafter, the electrode separation mask pattern 155 is completely removed by a strip process or the like.

여기서, 상기 양극산화막(123)에 의해 분리된 상기 제1전극(121) 및 제2전극(122)은 각각 상기 제1연결전극(132) 및 제2연결전극(142)에 접촉되어 전기적으로 연결된다. The first electrode 121 and the second electrode 122 separated by the anodic oxide film 123 are in contact with the first connection electrode 132 and the second connection electrode 142, do.

도 10을 참조하면, 상기 제1도전성 반도체층(111) 상에는 형광체층(150)이 형성될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 예를 들어, 형광체가 혼합된 액상의 수지물을 스크린 프린팅 방식으로 형성하게 된다. 이러한 형광체층(150)은 상기 제1도전성 반도체층(111) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 10, a phosphor layer 150 may be formed on the first conductive semiconductor layer 111. For example, the phosphor layer 150 may be formed by a screen printing method. The phosphor layer 150 may be formed on the first conductive semiconductor layer 111 to have a uniform thickness.

상기 형광체층(150)은 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 등과 같은 형광체 종류 중에서 적어도 한 컬러의 형광체가 첨가될 수 있다.The phosphor layer 150 may include phosphors of at least one of the phosphor types such as a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

도 11은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 측 단면도이다. 11 is a side sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.

도 11을 참조하면, 몸체(200)와, 상기 몸체(200)에 설치된 제1 리드프레임(201) 및 제2 리드프레임(202)과, 상기 몸체(200)에 설치되어 상기 제1 리드프레임(201) 및 제2 리드프레임(202)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(300)를 포함한다.11, the body 200 includes a first lead frame 201 and a second lead frame 202 mounted on the body 200, and a second lead frame 201 mounted on the body 200, A light emitting device 100 electrically connected to the first lead frame 201 and the second lead frame 202 and a molding member 300 surrounding the light emitting device 100.

상기 몸체(200)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 측면이 경사면으로 형성된 캐비티를 가질 수 있다.The body 200 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and may have a cavity whose side surface is formed as an inclined surface.

상기 제1 리드프레임(201) 및 제2 리드프레임(202)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드프레임(201) 및 제2 리드프레임(202)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead frame 201 and the second lead frame 202 are electrically separated from each other and provide power to the light emitting device 100. The first lead frame 201 and the second lead frame 202 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, To the outside.

한편, 발광소자(100)의 제1전극(121)은 제1 리드프레임(201)과 연결되고, 발광소자(100)의 제2전극(122)은 제2 리드프레임(202)에 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 리드프레임(201)에 인가된 전압은 상기 제1 리드프레임(201)에 연결된 제1전극(121) 및 상기 제1전극(121)에 연결된 제1연결전극(132)을 통해 제1도전성 반도체층(111)에 인가된다. 또한, 상기 제2 리드프레임(202)에 인가된 전압은 상기 제2 리드프레임(202)에 연결된 제2전극(122) 및 상기 제2전극(122)에 연결된 제2연결전극(142)을 통해 제2도전성 반도체층(113)에 인가된다. 따라서, 본 실시예에서는 와이어의 연결이 불필요한 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. The first electrode 121 of the light emitting device 100 is connected to the first lead frame 201 and the second electrode 122 of the light emitting device 100 is connected to the second lead frame 202. The voltage applied to the first lead frame 201 is applied to the first electrode 121 connected to the first lead frame 201 and the first connection electrode 132 connected to the first electrode 121 To the first conductive semiconductor layer (111). The voltage applied to the second lead frame 202 is applied to the second lead frame 202 through the second electrode 122 connected to the second lead frame 202 and the second connection electrode 142 connected to the second electrode 122 And is then applied to the second conductive semiconductor layer 113. Accordingly, in this embodiment, it is possible to provide a light emitting device and a light emitting device package in which connection of wires is unnecessary.

도 12는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 12의 백라이트 유닛(1100)은 발광 시스템의 한 예이며, 이에 한정되지 않는다. 12 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device package according to the embodiment. However, the backlight unit 1100 of Fig. 12 is an example of the light emitting system, and is not limited thereto.

도 12를 참조하면, 백라이트 유닛(1100)은, 바텀 커버(1140), 이 바텀 커버(1140) 내에 배치된 광 가이드 부재(1120), 이 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 12, the backlight unit 1100 includes a bottom cover 1140, a light guide member 1120 disposed in the bottom cover 1140, a light guide member 1120 disposed on at least one side or bottom surface of the light guide member 1120 A light emitting module 1110 may be included. Further, a reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120.

바텀 커버(1140)는 광가이드 부재(1120), 발광 모듈(1100) 및 반사 시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. The bottom cover 1140 may be formed in a box shape having an opened upper surface to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1100 and the reflective sheet 1130, . However, the present invention is not limited thereto.

발광 모듈(1110)은, 기판(700)에 탑재된 복수의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지(600)는 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공한다. The light emitting module 1110 may include a plurality of light emitting device packages 600 mounted on the substrate 700. A plurality of light emitting device packages (600) provide light to the light guide member (1120).

도시된 것처럼, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 광가이드 부재(1120)의 적어도 한아ㅢ 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다. The light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom cover 1140 so as to provide light toward at least one side surface of the light guide member 1120 .

다만, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140) 내에서 광가이드 부재(1120)의 아래에 배치되어, 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있다. 이는 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하다. The light emitting module 1110 may be disposed under the light guide member 1120 in the bottom cover 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120. It can be variously modified according to the design of the backlight unit 1100.

광가이드 부재(1120)는 바텀 커버(1140) 내에 배치될 수 있다. 광가이드 부재(1120)는 발광 모듈(1110)으로부터 제공받은 빛을 면광원화하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom cover 1140. The light guide member 1120 can guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel (not shown) by converting the light into a surface light source.

이러한 광가이드 부재(1120)는, 예를 들어, 도광판(light guide panel, LGP) 일 수 있다. 이 도광판을 예를 들어, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl metaacrylate, PMMA)와 같은 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 고리형 올레핀 공중합체(COC), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. Such a light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guiding plate may be made of, for example, acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC) , And polyethylene naphthalate resin.

이 광가이드 부재(1120)의 상측에 광학 시트(1150)이 배치될 수 있다. The optical sheet 1150 can be disposed on the upper side of the light guide member 1120.

이 광학 시트(1150)는, 예를 들어, 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 시트(1150)이 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트, 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 확산 시트(1150)는 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 이 확산된 광이 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때, 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광이다. 휘도 상승 시트는 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 집광 시트는, 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 그리고 휘도 상승 시트는, 예를 들어, 조도 강화 필름(dual brightness enhancement film) 일 수 있다. 또한, 형광 시트는 형광체가 푸함된 투광성 플레이트 또는 필름일 수 있다. This optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by laminating a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 spreads the light emitted from the light emitting module 1110 evenly, and the diffused light can be condensed by the condensing sheet into a display panel (not shown). At this time, the light emitted from the light condensing sheet is randomly polarized light. The brightness increasing sheet can increase the degree of polarization of the light emitted from the light condensing sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and a vertical prism sheet. The brightness enhancement sheet may be, for example, a dual brightness enhancement film. Further, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film in which the phosphor is spun.

광가이드 부재(1120)의 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 반사 시트(1130)는 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. 이 반사 시트(1130)는 반사율이 좋은 수지, 예를 들어, PET, PC, 폴리비닐클로라이드(poly vinyl chloride), 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. A reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 can reflect light emitted through the lower surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may be formed of a resin having high reflectance, for example, PET, PC, poly vinyl chloride, resin, or the like, but is not limited thereto.

도 13은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명기기를 설명하는 도면이다. 다만, 도 5의 조명 기기(1200)는 발광 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.13 is a view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. However, the illuminating device 1200 of FIG. 5 is an example of the light emitting system, and the present invention is not limited thereto.

도 13을 참조하면, 발광 시스템(1200)은, 케이스 몸체(1210), 이 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230), 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.13, the light emitting system 1200 includes a case body 1210, a light emitting module 1230 installed in the case body 1210, a connection terminal 1210 installed in the case body 1210, (1220).

케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal or a resin.

발광 모듈(1230)은, 기판(700) 및 이 기판(700)에 탑재되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. The light emitting module 1230 may include a substrate 700 and at least one light emitting device package 600 mounted on the substrate 700.

상기 기판(700)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 700 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 700 may be a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . ≪ / RTI >

또한, 기판(700)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.Further, the substrate 700 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

기판(700) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)가 탑재될 수 있다.At least one light emitting device package 600 may be mounted on the substrate 700.

발광 소자 패키지(600)는 각각 적어도 하나의 발광 소자(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 소자는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 소자 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package 600 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting device may include a colored light emitting device that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting device that emits ultraviolet (UV) light.

발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 소자, 적색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have various combinations of light emitting elements to obtain color and brightness. For example, a white light emitting element, a red light emitting element, and a green light emitting element may be disposed in combination in order to secure a high color rendering index (CRI). Further, a fluorescent sheet may be further disposed on the path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of the light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 may be seen through the fluorescent sheet as white light do.

연결 단자(1220)는 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. The connection terminal 1220 is coupled to the external power source by being inserted into the socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source by wiring.

상술한 바와 같은 발광 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the light emitting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet is disposed on the path of light emitted from the light emitting module, thereby obtaining a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 발광 시스템은 광 효율이 향상되고 균일한 광을 방출하는 발광 소자 패키지를 포함함으로써, 우수한 광 효율 및 특성을 가질 수 있다.As described above, the light emitting system includes a light emitting device package that has improved light efficiency and emits uniform light, so that it can have excellent light efficiency and characteristics.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

111 : 제1도전성 반도체층 112: 활성층
113: 제2도전성 반도체층 121: 제1전극
122 : 제2전극 123 : 양극산화막
131, 141: 제1, 2 비아홀 132, 142: 제1, 2 연결전극
150: 형광체층111: first conductive semiconductor layer 112: active layer
113: second conductive semiconductor layer 121: first electrode
122: second electrode 123: anodic oxide film
131, 141: first and second via holes 132, 142: first and second connecting electrodes
150: phosphor layer

Claims (17)

제1도전성 반도체층;
상기 제1도전성 반도체층 아래에 배치된 활성층;
상기 활성층 아래에 배치된 제2도전성 반도체층;
상기 제2도전성 반도체층 아래에 배치된 제2절연막;
상기 제2절연막 아래에 배치되는 제1전극 및 제2전극;
상기 제2절연막 아래에 배치되며 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는 양극산화막;
상기 제2절연막과 상기 제2도전성 반도체층과 상기 활성층을 관통하고 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되며 제1연결전극을 포함하는 제1비아홀;
상기 제1비아홀의 측면에 배치되어 상기 제1연결전극과 상기 활성층 및 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키는 제1절연막; 및
상기 제2절연막을 관통하며 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되며 제2연결전극을 포함하는 제2비아홀을 포함하고,상기 제1연결전극은 상기 제1전극의 상면과 맞닿고 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제1전극과 상기 제1도전성 반도체층을 전기적으로 연결하고,
상기 제2연결전극은 상기 제2전극의 상면과 맞닿고 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제2전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 연결하며,
상기 제2절연막은 상기 제1전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키고 상기 제1연결전극과 상기 제2연결전극을 전기적으로 절연시키며,
상기 양극산화막은 상기 제1전극과 상기 제2전극을 전기적으로 절연시키는 발광 소자.A first conductive semiconductor layer;
An active layer disposed under the first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer disposed under the active layer;
A second insulating layer disposed under the second conductive semiconductor layer;
A first electrode and a second electrode disposed under the second insulating film;
An anodic oxide film disposed under the second insulating film and disposed between the first electrode and the second electrode;
A first via hole penetrating the second insulating layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer and disposed in a partial region of the first conductive semiconductor layer and including a first connecting electrode;
A first insulating layer disposed on a side surface of the first via hole to electrically isolate the first connection electrode from the active layer and the second conductive semiconductor layer; And
And a second via hole penetrating the second insulating layer and disposed in a partial region of the second conductive semiconductor layer and including a second connecting electrode, the first connecting electrode being in contact with the upper surface of the first electrode, 1 conductive semiconductor layer to electrically connect the first electrode and the first conductive semiconductor layer,
The second connection electrode is in contact with the upper surface of the second electrode and protrudes to a portion of the second conductive semiconductor layer to electrically connect the second electrode and the second conductive semiconductor layer,
Wherein the second insulating layer electrically isolates the first electrode from the second conductive semiconductor layer and electrically isolates the first connecting electrode from the second connecting electrode,
Wherein the anodic oxide layer electrically isolates the first electrode and the second electrode from each other. 제1항에 있어서,
상기 제1전극 및 상기 제2전극은 알루미늄을 포함하고,
상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상면 또는 하면은 동일 평면 상에 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode comprise aluminum,
Wherein the upper surface or the lower surface of the first electrode and the second electrode are disposed on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 제1절연막은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 어느 하나를 포함하고,
상기 제1절연막은 상기 제1연결전극의 둘레에 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first insulating film includes any one of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 ,
Wherein the first insulating film is disposed around the first connection electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1도전성 반도체층의 위에 형성되는 형광체층을 더 포함하는 발광소자. The method according to claim 1,
And a phosphor layer formed on the first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 양극산화막은 Al2O3이고,
상기 양극산화막은 상기 제2절연막의 하면과 맞닿는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the anodic oxide film is Al 2 O 3 ,
And the anodic oxide film is in contact with the lower surface of the second insulating film. 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 및 제2 리드 프레임에 연결된 발광소자; 및,
상기 제1리드 프레임과 연결되는 제1전극과 상기 제2리드 프레임과 연결되는 제2전극을 포함하고,상기 발광 소자는 제1항 내지 제5항 중 어느 하나인 발광소자 패키지. Body;
A first lead frame and a second lead frame provided on the body;
A light emitting element connected to the first lead frame and the second lead frame; And
A first electrode connected to the first lead frame and a second electrode connected to the second lead frame, wherein the light emitting element is any one of the first through fifth embodiments. 삭제delete 삭제delete 조명 시스템에 있어서,
상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
상기 발광 소자 패키지는 상기 제6항인 조명 시스템.In a lighting system,
Wherein the illumination system includes a substrate and a light emitting module including a light emitting device package mounted on the substrate,
Wherein the light emitting device package is the sixth lamp. 삭제delete 성장기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층, 제2절연막이 순차적으로 형성되는 단계;
상기 제2절연막, 상기 제 2 도전성 반도체층과 상기 활성층을 관통하며 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되는 제 1 비아홀과 상기 제2절연막을 관통하며 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역에 배치되는 제 2 비아홀을 형성하는 단계;
상기 제 1 비아홀의 둘레에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
상기 제 1 비아홀과 상기 제 2 비아홀에 전도성 금속을 채워 상기 제 1 비아홀에 제 1 연결전극과 상기 제 2 비아홀에 제 2 연결전극을 형성하는 단계;
상기 성장 기판을 제거하는 단계;
상기 제 2 도전성 반도체층 아래에 알루미늄 기판을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 기판 하면에 상기 알루미늄 기판의 소정 영역을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴에 의해 상기 알루미늄 기판을 선택적으로 양극산화시켜 양극산화막을 형성하는 단계; 및
상기 양극산화막에 의해 상기 알루미늄 기판이 제 1 전극과 제 2 전극으로 분리되는 단계를 포함하고,
상기 제1연결전극은 상기 제1전극의 상면과 맞닿고 상기 제1도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제1전극과 상기 제1도전성 반도체층을 전기적으로 연결하고,
상기 제2연결전극은 상기 제2전극의 상면과 맞닿고 상기 제2도전성 반도체층의 일부 영역까지 돌출되어 상기 제2전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 연결하며,
상기 제2절연막은 상기 제1전극과 상기 제2도전성 반도체층을 전기적으로 절연시키고 상기 제1연결전극과 상기 제2연결전극을 전기적으로 절연시키며,
상기 양극산화막은 상기 제1전극과 상기 제2전극을 전기적으로 절연시키는 발광 소자 제조방법.Sequentially forming a first conductive semiconductor layer, an active layer, a second conductive semiconductor layer, and a second insulating layer on a growth substrate;
A first via hole penetrating the second insulating layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer and disposed in a partial region of the first conductive semiconductor layer, and a second via hole penetrating the second insulating layer, Forming a second via hole to be disposed;
Forming a first insulating layer around the first via hole;
Filling the first via hole and the second via hole with a conductive metal to form a first connection electrode in the first via hole and a second connection electrode in the second via hole;
Removing the growth substrate;
Forming an aluminum substrate below the second conductive semiconductor layer;
Forming a mask pattern on a lower surface of the aluminum substrate to expose a predetermined region of the aluminum substrate;
Selectively anodizing the aluminum substrate by the mask pattern to form an anodic oxide film; And
And separating the aluminum substrate into a first electrode and a second electrode by the anodic oxide film,
Wherein the first connection electrode is in contact with an upper surface of the first electrode and protrudes to a portion of the first conductive semiconductor layer to electrically connect the first electrode and the first conductive semiconductor layer,
The second connection electrode is in contact with the upper surface of the second electrode and protrudes to a portion of the second conductive semiconductor layer to electrically connect the second electrode and the second conductive semiconductor layer,
Wherein the second insulating layer electrically isolates the first electrode from the second conductive semiconductor layer and electrically isolates the first connecting electrode from the second connecting electrode,
Wherein the anodic oxide layer electrically isolates the first electrode and the second electrode from each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020100065585A 2010-07-07 2010-07-07 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system KR101798232B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065585A KR101798232B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100065585A KR101798232B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120004876A KR20120004876A (en) 2012-01-13
KR101798232B1 true KR101798232B1 (en) 2017-11-15

Family

ID=45611268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100065585A KR101798232B1 (en) 2010-07-07 2010-07-07 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101798232B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101865942B1 (en) * 2012-04-16 2018-06-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR101977278B1 (en) * 2012-10-29 2019-09-10 엘지이노텍 주식회사 A light emitting device
KR102070096B1 (en) * 2013-06-27 2020-01-29 삼성전자주식회사 Light source module and lighting device having the same
KR102309670B1 (en) * 2014-12-24 2021-10-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device, light emitting package and lighting system
DE102019101544A1 (en) * 2018-01-24 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method
KR102484799B1 (en) * 2018-04-16 2023-01-05 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device
KR102023089B1 (en) * 2018-12-10 2019-11-04 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package, and light unit

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100593943B1 (en) * 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 Method for manufacturing light emitting diode package
JP2006324407A (en) * 2005-05-18 2006-11-30 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
KR100887072B1 (en) * 2007-10-19 2009-03-04 삼성전기주식회사 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using the same
JP4454689B1 (en) * 2009-09-10 2010-04-21 有限会社ナプラ Light emitting diode, light emitting device, lighting device, display and signal lamp

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100593943B1 (en) * 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 Method for manufacturing light emitting diode package
JP2006324407A (en) * 2005-05-18 2006-11-30 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
KR100887072B1 (en) * 2007-10-19 2009-03-04 삼성전기주식회사 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using the same
JP4454689B1 (en) * 2009-09-10 2010-04-21 有限会社ナプラ Light emitting diode, light emitting device, lighting device, display and signal lamp

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120004876A (en) 2012-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101683898B1 (en) A light emitting device
EP2402995B1 (en) Light emitting device and light unit
US8698176B2 (en) Light emitting device and lighting system
KR101798232B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101795053B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, light unit
US8878212B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
JP5276680B2 (en) Light emitting device package, lighting system
KR101798231B1 (en) Light emitting device
KR101081169B1 (en) Light emitting device and method for fabricating the same, light emitting device package, lighting system
KR101734550B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20170009242A (en) Light emitting device package, and light emitting apparatus including the package
KR20120014972A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120019750A (en) Light emitting device
KR101776302B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101744971B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR20120087036A (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101781217B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20120057670A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101714049B1 (en) Light emitting device package
KR101786081B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR102212730B1 (en) Light emitting device
KR102127440B1 (en) Light Emitting Device Package
KR101693869B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101724708B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20150068174A (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant