KR101796527B1 - Touch panel and method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 단일층 터치패널 제조방법은 기재 상에 제 1방향을 따라 분리영역을 형성하여 배열되는 제1 패턴전극, 및 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되어 있으며, 상기 분리영역에 제 2방향을 따라 배열되는 제2 패턴전극을 형성하는 전극형성단계, 상기 분리영역에 형성되며, 상기 제1 패턴전극과 상기 제2 패턴전극을 절연하는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 패턴전극을 연결하는 브리지와 상기 분리영역 외의 영역에 형성되는 트레이스전극을 동시에 형성하는 브리지 및 트레이스전극 형성 단계를 포함하고,
상기 브리지 및 트레이스전극 형성 단계는, 상기 제1 패턴전극, 상기 제2 패턴전극 및 상기 절연층이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 브리지 및 트레이스전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 전도성물질을 증착하는 단계, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
A method of fabricating a single layer touch panel of the present invention is a method for manufacturing a single layer touch panel including a first patterned electrode formed by forming an isolation region along a first direction on a substrate and a second patterned electrode electrically insulated from the first patterned electrode, Forming an insulating layer, which is formed on the isolation region and which insulates the first pattern electrode and the second pattern electrode, and forming a second pattern electrode, which is connected to the second pattern electrode, And forming a trace electrode formed in a region outside the isolation region at the same time,
Wherein the step of forming the bridge and trace electrodes comprises the steps of: forming a photoresist layer on the first patterned electrode, the second patterned electrode and the layer on which the insulating layer is formed; forming a pattern on the photoresist layer , Depositing a conductive material on the pattern, and removing the photoresist.

Description

터치패널 및 그 제조방법{TOUCH PANEL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a touch panel,

본 발명은 터치패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a touch panel and a manufacturing method thereof.

터치패널은 디스플레이의 입력장치로 은행의 ATM기, 네비게이션, 휴대폰 등이 대표적이고, 스타일러스 펜이나 손가락이 눌려진 위치에 해당되는 전압 또는 전류 신호를 발생함으로써 사용자가 지정하는 명령 및 그래픽 정보를 입력하게 된다.A touch panel is an input device of a display, and typically includes a bank ATM, a navigation system, a mobile phone, etc., and inputs a command or graphic information designated by a user by generating a voltage or current signal corresponding to a position where a stylus pen or a finger is pressed .

터치패널은 그 감지센서의 기술력에 따라 저항막, 정전용량, 표면초음파전도 및 적외선광 방식 등으로 구분되며, 최근에는 평판표시장치 중 액정패널과 일체 된 아날로그 형태의 저항막 방식과 정전용량 방식의 터치패널이 주로 사용되고 있다.The touch panel is divided into resistance film, electrostatic capacitance, surface ultrasonic wave conduction and infrared light type according to the technology of the sensing sensor. In recent years, among the flat panel display devices, the analog type resistive film type integrated with the liquid crystal panel and the capacitive type Touch panel is mainly used.

한편, 터치패널에 형성된 전극은 접촉 입력의 유무를 판단하고 입력 좌표를 검출하여 터치센서 칩으로 신호를 전송하는 기능을 담당하는 바, 이는 제1 및 제2 패턴전극으로 입력된 신호가 트레이스전극을 통해 전달되는 메커니즘에 의한다. 브리지 전극을 포함한 제1 및 제2 패턴전극은 하부의 디스플레이 패널의 화상이 잘 보일 것이 특히 요구되고, 트레이스전극은 신호 전송 속도 및 반응속도 향상을 위해 저항이 낮을 것이 요구되는 등 서로 다른 물성이 요구된다. 이로 인해, 브리지 전극을 포함한 패턴전극 및 트레이스전극은 별도의 공정에 의해 형성되었고, 또한 제조원가의 증가하는 등의 문제점이 있었다.The electrodes formed on the touch panel are used to determine the presence or absence of contact input, detect input coordinates, and transmit signals to the touch sensor chip. This is because the signal input to the first and second pattern electrodes is a trace electrode It is based on the mechanism that is passed through. The first and second pattern electrodes including the bridge electrode are particularly required to display an image of the lower display panel. The trace electrode is required to have a low resistance in order to improve the signal transmission rate and the reaction rate. do. As a result, the pattern electrode including the bridge electrode and the trace electrode are formed by separate processes, and the manufacturing cost is increased.

이에, 공정의 단축으로 공정효율이 높고, 비용을 절감할 수 있는 터치패널 제조방법이 필요하다.Accordingly, there is a need for a touch panel manufacturing method capable of reducing the manufacturing process cost by reducing the manufacturing process.

본 발명의 목적은 공정을 단축하여 공정 효율을 높이고, 비용을 절감할 수 있는 터치패널 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a touch panel and a method of manufacturing the same that can shorten the process to increase the process efficiency and reduce the cost.

본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.

본 발명의 하나의 관점은 터치패널의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.One aspect of the present invention is to provide a manufacturing method of a touch panel.

하나의 구체예에 따르면, 상기 터치패널의 제조방법은 기재 상에 제 1방향을 따라 분리영역을 형성하여 배열되는 제1 패턴전극, 및 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되어 있으며, 상기 분리영역에 제 2방향을 따라 배열되는 제2 패턴전극을 형성하는 전극형성단계, 상기 분리영역에 형성되며, 상기 제1 패턴전극과 상기 제2 패턴전극을 절연하는 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 패턴전극을 연결하는 브리지와 상기 분리영역 외의 영역에 형성되는 트레이스전극을 동시에 형성하는 브리지 및 트레이스전극 형성 단계를 포함하고,According to one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a touch panel includes a first pattern electrode arranged on a substrate with a separation region formed along a first direction, and a second pattern electrode electrically insulated from the first pattern electrode, Forming an insulating layer which is formed in the isolation region and which insulates the first pattern electrode and the second pattern electrode from each other; And a bridge and a trace electrode forming step of simultaneously forming a bridge connecting a pattern electrode and a trace electrode formed in an area outside the isolation region,

상기 브리지 및 트레이스전극 형성 단계는, 상기 제1 패턴전극, 상기 제2 패턴전극 및 상기 절연층이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 브리지 및 트레이스전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 금속성 물질을 증착하는 단계, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.Wherein the step of forming the bridge and trace electrodes comprises the steps of: forming a photoresist layer on the first patterned electrode, the second patterned electrode and the layer on which the insulating layer is formed; forming a pattern on the photoresist layer , Depositing a metallic material on the pattern, and removing the photoresist.

상기 금속성 물질은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr) 중 둘 이상을 포함하는 합금일 수 있다.The metallic material may be an alloy containing at least two of silver (Ag), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni) and chromium (Cr).

상기 전극형성단계는, 기재 상에 금속산화물층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물층이 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층을 패터닝 하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물층을 제거하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the electrode forming step comprises the steps of: forming a metal oxide layer on a substrate; forming a photoresist layer on the metal oxide layer; forming a photoresist layer on the metal oxide layer to form the first pattern electrode and the second pattern electrode; Patterning the resist layer, removing the metal oxide layer in the region where the pattern is not formed, and removing the photoresist layer.

상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 제1 패턴전극 및 상기 제2 패턴전극이 형성된 레이어 상에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 상기 분리영역에서 상기 제1 패턴전극과 상기 제2 패턴전극이 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the step of forming the insulating layer comprises: coating a photosensitive insulating material on a layer on which the first pattern electrode and the second pattern electrode are formed; and forming a first insulating layer on the first pattern electrode and the second pattern electrode, And patterning the photosensitive insulating material so that the photosensitive insulating material is patterned.

상기 절연층을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성할 수 있다.The step of forming the insulating layer may include forming an insulating layer by film-type transfer, screen printing, or ink-jet printing.

상기 터치패널의 제조방법은 상기 제1 패턴전극 및 상기 제2 패턴전극이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method of the touch panel may further include forming a protective layer on the layer on which the first pattern electrode and the second pattern electrode are formed.

상기 기재는 유리 또는 가요성 필름일 수 있다.The substrate may be a glass or a flexible film.

상기 기재는 열처리 된 것일 수 있다.The substrate may be heat-treated.

상기 포토레지스트층을 형성하는 단계는, 포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성할 수 있다.The step of forming the photoresist layer may be formed by a method of coating a photoresist or a method of laminating a film-type photoresist.

상기 포토레지스트층은 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.The photoresist layer may comprise at least one selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylate), naphthoquinone di Naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolac resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, KrF excimer laser resist, ArF excimer laser resist, An ArF resist into which a lactone ring is introduced, or an ArF dip resist.

상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The metal oxide may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium gallium zinc oxide (IGZO), ZnO, and TiO.

상기 절연층은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 실리콘계 수지 중 하나 이상을 포함하는 감광성 절연물질일 수 있다.The insulating layer may be a photosensitive insulating material including at least one of an acrylic resin, a urethane resin, and a silicone resin.

본 발명의 다른 관점은 상기 터치패널의 제조방법에 의해 제조된 터치패널에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a touch panel manufactured by the manufacturing method of the touch panel.

본 발명은 공정을 단축하여 공정 효율을 높이고, 비용을 절감할 수 있는 터치패널 및 그 제조방법을 제공하는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of providing a touch panel and a method of manufacturing the same that can shorten the process to increase the process efficiency and reduce the cost.

도 1은 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법을 단면도로 간략히 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 다른 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 또 다른 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.
1 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of manufacturing a touch panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically showing one step of a manufacturing method of a touch panel according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically showing another step of a manufacturing method of a touch panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view schematically showing another step of the manufacturing method of a touch panel according to one embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.Embodiments of the present application will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the techniques disclosed in the present application are not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms.

단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly illustrate the components of each device. In addition, although only a part of the components is shown for convenience of explanation, those skilled in the art can easily grasp the rest of the components.

전체적으로 도면 설명 시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. It is to be understood that when an element is described above as being located above or below another element, it is to be understood that the element may be directly on or under another element, It means that it can be done. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. In the drawings, the same reference numerals denote substantially the same elements.

한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. '제1'또는 '제2' 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present application should be understood as follows. The terms " first " or " second " and the like are used to distinguish one element from another, and the scope of the right should not be limited by these terms.

예를 들어, 제1 패턴전극은 제2 패턴전극으로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 패턴전극도 제1 패턴전극으로 명명될 수도 있다.For example, the first pattern electrode may be referred to as a second pattern electrode, and similarly, the second pattern electrode may also be referred to as a first pattern electrode.

또한, 본 발명의 명세서 전반에 사용되는 상기 '제1 방향' 내지 '제2 향'은 다차원 구조에서 설정될 수 있는 임의의 방향을 설정한 것으로, 하나의 구체예에서는 상기 제1 패턴전극과 제2 패턴전극이 상호 수직으로 교차할 수 있는 2차원 구조에서의 X측 방향 또는 Y측 방향을 의미한다.In addition, the 'first direction' to 'second direction' used in the specification of the present invention sets an arbitrary direction that can be set in the multidimensional structure. In one embodiment, Means the X-direction or the Y-direction in the two-dimensional structure in which the two-pattern electrodes can vertically cross each other.

또한, '분리영역'은 제1 및 제2 패턴전극이 형성되는 영역으로, 트레이스 전극이 형성되는 영역과 구분되는 영역을 의미한다.The 'separation region' is a region where the first and second pattern electrodes are formed, and is a region separated from a region where the trace electrode is formed.

한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다'등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood, however, that the singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise, and the terms "comprise" That does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof, .

또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.Further, in carrying out the method or the manufacturing method, the respective steps of the method may take place differently from the stated order unless clearly specified in the context. That is, each process may occur in the same order as described, may be performed substantially concurrently, or may be performed in the opposite order.

이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 하나의 관점은 터치패널의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.One aspect of the present invention is to provide a manufacturing method of a touch panel.

도 1은 본 발명의 구체예에 따른 단일층 터치패널의 제조방법을 간략히 도시한 것이다. 상기 도 1은 도 4의 I-I' 부분의 단면을 기준으로 도시한 것이다.FIG. 1 schematically shows a method of manufacturing a single-layer touch panel according to an embodiment of the present invention. 1 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 1에 따르면, 상기 터치패널의 제조방법은 기재(10) 상에 제 1방향을 따라 분리영역을 형성하여 배열되는 제1 패턴전극(21), 및 제1 패턴전극(21)과 전기적으로 절연되어 있으며, 상기 분리영역에 제 2방향을 따라 배열되는 제2 패턴전극(22)을 형성하는 전극형성단계, 상기 분리영역에 형성되며, 제1 패턴전극(21)과 제2 패턴전극(22)을 절연하는 절연층(30)을 형성하는 단계 및 제2 패턴전극(22)을 연결하는 브리지(40)와 상기 분리영역 외의 영역에 형성되는 트레이스전극(41)을 동시에 형성하는 브리지 및 트레이스전극 형성 단계를 포함하고,1, the method of manufacturing the touch panel includes a first pattern electrode 21 formed by forming an isolation region along a first direction on a substrate 10, and a second pattern electrode 21 electrically insulated from the first pattern electrode 21 And a second pattern electrode (22) formed on the isolation region, the first pattern electrode (21) and the second pattern electrode (22) being formed in the isolation region, And forming a bridge and a trace electrode for simultaneously forming a bridge (40) connecting the second pattern electrode (22) and a trace electrode (41) formed in an area outside the isolation region ≪ / RTI >

상기 브리지 및 트레이스전극 형성 단계는, 제1 패턴전극(21), 제2 패턴전극(22) 및 상기 절연층(30)이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 브리지(40) 및 트레이스전극(41)을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 금속성 물질을 증착하는 단계, 상기 포토레지스트(80)를 제거하는 단계를 포함한다.The step of forming the bridge and trace electrodes includes the steps of forming a photoresist layer 80 on the layer on which the first pattern electrode 21, the second pattern electrode 22 and the insulating layer 30 are formed, Forming a pattern in the photoresist layer 80 to form a photoresist layer (not shown) and a trace electrode 41, depositing a metallic material on the pattern, and removing the photoresist 80.

이하, 각 단계에 대해서 자세히 설명한다.Each step will be described in detail below.

전극형성단계Electrode formation step

이하, 도 1(a) 및 도 2를 참고하여 전극형성단계를 설명한다. 도 1의 (a)는 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)을 형성하는 전극형성단계를 단면도로 간략히 도시한 것이고, 도 2는 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 형성된 평면도를 간략히 도시하였다.Hereinafter, the electrode forming step will be described with reference to Fig. 1 (a) and Fig. 1 (a) is a cross-sectional view schematically showing an electrode forming step of forming a first pattern electrode 21 and a second pattern electrode 22, and Fig. 2 is a cross- A plan view in which the electrode 22 is formed is shown briefly.

제1 패턴전극(21)은 분리영역에 제1 방향으로 형성되고, 제2 패턴전극(22)은 분리영역에 제2 방향으로 형성되면서 후술하는 브리지에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있고, 제1 패턴전극(21)과는 전기적으로 절연되도록 형성된다. 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)은 접촉 입력의 유무를 판단하고 입력 좌표를 검출하여 터치센서 칩으로 신호를 전송하는 기능을 갖는다.The first pattern electrode 21 is formed in the first direction in the isolation region and the second pattern electrode 22 is formed in the isolation region in the second direction and electrically connected to each other by a bridge to be described later, And is electrically insulated from the electrode 21. The first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 have a function of detecting presence or absence of contact input, detecting input coordinates, and transmitting a signal to the touch sensor chip.

제1 및 제2 패턴전극(21, 22)은 도2에 개시된 바와 같이 마름모 형태를 가질 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면 상기 제1 및 제2 패턴전극(21, 22)은 직사각형, 팔각형, 원형, 타원형 또는 요철부을 내재하는 다각형 등 여러 형상으로 형성할 수 있고, 또한 터치패널의 투명전극에 있어서 패턴전극의 특성을 구현할 수 있는 것이라면 그 형상이 반드시 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 및 제2 패턴전극(21, 22)을 이루는 세선의 단면은 사각형, 삼각형, 반원형 및 반타원형 등일 수 있다. The first and second pattern electrodes 21 and 22 may have a rhombic shape as illustrated in FIG. 2, but are not limited thereto. For example, the first and second pattern electrodes 21 and 22 may be formed in various shapes such as a rectangular shape, an octagonal shape, a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape having an uneven portion. Further, The shape is not necessarily limited thereto as long as the characteristic can be realized. In addition, the cross section of the fine lines constituting the first and second pattern electrodes 21 and 22 may be a square, a triangle, a semicircle, a semi-ellipse, or the like.

제1 및 제2 패턴전극(21, 22)은 기재(10) 상에 형성될 수 있다. 기재(10)는 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 형성될 공간을 제공하고 모바일 기기의 외곽을 구성하기 위한 것으로 곡면 혹은 평면 구조를 가질 수 있다. The first and second pattern electrodes 21 and 22 may be formed on the substrate 10. The substrate 10 may have a curved surface or a planar structure for providing a space for forming the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 and for forming the outer periphery of the mobile device.

상기 기재(10)는 유리 또는 가요성 필름일 수 있다.The substrate 10 may be a glass or a flexible film.

상기 유리는 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자용 기판, 컬러 필터 기판, 태양 전지 기판 등의 유리일 수 있다.The glass may be a glass for a liquid crystal display element, a substrate for an organic EL display element, a color filter substrate, a solar cell substrate, or the like.

상기 가요성 필름은 폴리머를 사용할 수 있다. 상기 폴리머의 구체적인 예로는 폴리카보네이트 (PC) 수지, (메타)아크릴계 수지 (Acrylic resin), 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰 (PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르 (Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐 (BCB) 수지 및 폴리염화비닐 (PVC) 수지 등의 플라스틱 필름을 예시할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The flexible film may use a polymer. Specific examples of the polymer include a polycarbonate (PC) resin, a (meth) acrylic resin, a polyester resin, a polyether sulfone (PES) resin, a cellulose ester resin, a benzocyclobutene BCB) resin, and a polyvinyl chloride (PVC) resin, but the present invention is not limited thereto.

상기 기재(10)는 내구성을 높이고, 열수축을 방지하기 위해 열처리한 폴리머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 120 ℃ 내지 140℃로 열처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 필름을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The substrate 10 may be a heat-treated polymer for enhancing durability and preventing heat shrinkage. For example, polyethylene terephthalate (PET) films heat treated at 120 ° C to 140 ° C may be used, but the present invention is not limited thereto.

구체예에서, 전극형성단계는 기재(10) 상에 금속산화물층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물층이 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층을 패터닝 하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물층을 제거하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 패턴전극(21, 22)는 기재(10) 상에 단일층으로 형성될 수 있다. In an embodiment, the electrode forming step comprises the steps of forming a metal oxide layer on the substrate 10, forming a photoresist layer on the metal oxide layer, forming the metal oxide layer on the first pattern electrode < Patterning the photoresist layer to form a patterned portion, removing the metal oxide layer in the region where the pattern is not formed, and removing the photoresist layer. At this time, the first and second pattern electrodes 21 and 22 may be formed as a single layer on the substrate 10.

기재(10) 상에 금속산화물층을 형성하는 단계는 스퍼터링, 이-빔 등의 방법으로 금속산화물층을 형성할 수 있고, 반드시 이에 제한되지 아니한다. The step of forming the metal oxide layer on the substrate 10 may form the metal oxide layer by a method such as sputtering, e-beam, and the like, but is not necessarily limited thereto.

상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함할 수 있다.The metal oxide may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium gallium zinc oxide (IGZO), ZnO, and TiO.

상기 금속산화물층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계는 포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성하는 것일 수 있다. The step of forming the photoresist layer on the metal oxide layer may be performed by a method of coating a photoresist or a method of laminating a film-type photoresist.

상기 포토레지스트를 코팅하는 방법은, 예를 들면 포토레지스트 조성물을 기재의 중앙에 증착시킨 다음 고속(약 3,000 rpm) 으로 기재를 회전시켜 코팅할 수 있다. 상기 포토레지스트를 코팅하는 단계는 형성하고자 하는 패턴의 두께를 조절하기 위하여 코팅 되는 포토레지스트의 두께를 제어할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트층(80)은 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성할 수도 있다.The photoresist may be coated by, for example, depositing a photoresist composition at the center of the substrate and rotating the substrate at a high speed (about 3,000 rpm). The step of coating the photoresist may control the thickness of the photoresist to be coated in order to control the thickness of the pattern to be formed. The photoresist layer 80 may be formed by a method of laminating a film-type photoresist.

제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층을 패터닝하는 단계는 통상의 포토레지스트 패턴 형성방법에 의해 형성된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 금속산화물층 상에 형성된 포토레지스트층을 포토 마스크를 사용하여 노광 및 현상(develop)함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로, 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법은 UV 광에 의해 경화 또는 분해되는 포토레지스트를 기재에 코팅하고 UV광원을 상기 포토레지스트에 조사하여 조사된 포토레지스트 부분을 경화 또는 분해하고, 상기 포토레지스트를 형성하고자 하는 패턴 이외의 부분을 남기고 선택적으로 현상하는 방법일 수 있다. The step of patterning the photoresist layer to form the first pattern electrode and the second pattern electrode may be formed by a conventional photoresist pattern forming method. For example, the photoresist layer formed on the metal oxide layer can be formed by exposure and development using a photomask. Specifically, a method of forming a photoresist pattern includes coating a substrate with a photoresist that is cured or decomposed by UV light, irradiating the photoresist with a UV light source to cure or decompose the irradiated photoresist portion, Or may be a method of selectively developing while leaving a portion other than the pattern to be formed.

상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.The photoresist may be selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylate), naphthoquinonediazides Naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolak resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, KrF excimer laser resists, ArF excimer laser resists, A ring-introduced ArF resist, or an ArF immersion resist. However, the present invention is not limited thereto.

상기 포토레지스트는 UV 광원에 반응하는 파지티브 타입(Positive Type) 및 네거티브 타입(Negative Type) 모두 적용 가능하며, 액상 과 필름으로 형성된 제품 모두를 포함한다.The photoresist is applicable to both a positive type and a negative type in response to a UV light source, and includes both a liquid and a film formed product.

상기 UV 광원은 Lamp 광원 및 UV 파장의 Laser 빔을 사용할 수 있으며, 레이져 빔은 g-line, i-line, KrF laser 또는 ArF laser일 수 있고, 극자외선 노광기술(Extreme Ultra Violet Lithography:EUVL)을 이용할 수도 있다.The laser beam may be a g-line, an i-line, a KrF laser, or an ArF laser. The laser beam may be an Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL) It can also be used.

상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 현상 단계는 대부분 수용성 알칼리 용액을 사용할 수 있고, 반드시 여기에 한정되지 않는다. 상기 수용성 알칼리 용액의 한 예로는, KOH와 TMAH(TetraMethyl-Ammonium-Hydroxide) 수용액을 사용할 수 있으나 여기에 한정되지 않는다. 일반적인 경우 현상 시간은 약 60초 정도이나 감광제의 두께가 낮아지면 현상 시간을 줄이는 것이 유리할 수 있다. Most of the developing step for selectively removing the photoresist may use a water-soluble alkali solution, but it is not necessarily limited thereto. As an example of the water-soluble alkali solution, an aqueous solution of KOH and TMAH (TetraMethyl-Ammonium-Hydroxide) may be used, but is not limited thereto. In general, the development time is about 60 seconds, but it may be advantageous to reduce development time if the thickness of the photosensitive agent is low.

또한 포토레지스트 패턴 형성 후에 남아있는 유기 용매 제거를 위하여 낮은 온도에서 소프트 베이킹(soft bake)를 실시할 수 있고, 노광 후 베이킹(PEB)를 실시할 수 있으며, 현상이 끝난 후 현상액을 제거하고 필요에 따라 마지막으로 하드 베이킹(hard bake)을 수행할 수 있다.In addition, soft baking can be performed at a low temperature to remove residual organic solvent after forming the photoresist pattern, and post-exposure baking (PEB) can be performed. After the development, Finally, a hard bake can be performed.

패턴이 형성되지 않은 영역의 금속산화물층을 제거하는 단계는 예를 들어 에칭(etching)에 의한 방법을 사용할 수 있다. 구체적으로 에칭(etching)을 위한 식각액으로 왕수계(HCl+HNO3)식각액, 및 염산, 약산 및 알코올 중 선택된 하나의 물질로 이루어진 식각액, 염화철계(FeCl3)식각액, 옥살산 및 그것의 염 또는 알루미늄 염화물로 이루어진 식각액 등이 사용될 수 있고, 반드시 이에 제한되지 아니한다. The step of removing the metal oxide layer in the region where the pattern is not formed may be, for example, an etching method. Specifically, an etchant for etching includes a waxy (HCl + HNO 3 ) etchant, an etchant consisting of one selected from hydrochloric acid, weak acid and alcohol, an iron chloride (FeCl 3 ) etchant, A chloride etchant, and the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

포토레지스트층을 제거하는 단계는 리프트 오프(lift-off) 방법에 의할 수 있다. 상기 리프트 오프(lift-off)하는 단계는 물리적, 화학적 방법일 수 있다. The step of removing the photoresist layer may be performed by a lift-off method. The lift-off step may be a physical or chemical method.

상기 리프트 오프(lift-off)의 화학적 방법으로는 아세톤 (acetone), 트리클로로에틸렌 (trichloroethylene, TCE), 페놀베이스스트리퍼(phenol-based strippers, Indus-Ri-Chem J-100), 메틸에텔케톤(methyl ethyl ketone, MEK), 메틸아이소부틸케톤(methyl isobutyl ketone, MIBK) 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.Chemical methods of lift-off include acetone, trichlorethylene (TCE), phenol-based strippers (Indus-Ri-Chem J-100), methyl ether ketone methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK), and the like.

상기 리프트 오프(lift-off)의 물리적 방법으로는 산소(O2)로 플라즈마 에칭하는 방법 또는 노말메틸-2-피롤리돈(n-methyl-2-pyrrolidone)이 함유된 쉬플리 1165 스트리퍼(Shipley 1165 stripper)를 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. Physical methods of the lift-off include plasma etching with oxygen (O 2) or stripping using Shipley 1165 stripper (n-methyl-2-pyrrolidone) a stripper may be used but is not limited thereto.

다른 구체예에서, 상기 전극형성단계는 기재 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계, 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 전도성물질을 충진하는 단계 및 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In another embodiment, the electrode forming step includes forming a photoresist layer on the substrate to form a photoresist layer, forming a pattern on the photoresist layer to form a first pattern electrode and a second pattern electrode, Filling the pattern with a conductive material, and removing the photoresist.

상기 포토레지스트층을 형성하는 단계, 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계 및 포토레지스트를 제거하는 단계는 금속산화물층이 없는 것을 제외하고는 상기 구체예에 기재한 전극형성단계와 실질적으로 동일하다. 이하 전도성물질을 충진하는 단계를 중심으로 설명한다.The step of forming the photoresist layer, the step of forming a pattern in the photoresist layer to form the first pattern electrode and the second pattern electrode, and the step of removing the photoresist, Is substantially the same as the electrode forming step described in the example. Hereinafter, the step of filling the conductive material will be mainly described.

상기의 전도성물질을 충진하는 방법으로는 스퀴저(squeezer), 습식 도금, 건식 증착, 인레이(inlay), 프린팅의 방법을 이용할 수 있으며, 그 외에 전도성물질 충진방법이 포함될 수 있다.As a method of filling the conductive material, a squeezer, a wet plating, a dry deposition, an inlay, and a printing method may be used. In addition, a conductive material filling method may be included.

상기의 스퀴저를 이용하는 방법은 상기의 포토레지스트 마스크가 형성된 기판에 전도성물질을 저속 충진 압입시킨 후 고압을 가하여 성형 응고시키는 방법을 이용할 수 있다. 전도성물질이 체적변화를 하는 응고과정에 고압력을 가하여 주조결함의 발생을 제어하고 내성 및 강도가 향상된 고품질을 구현할 수 있는 방법이다. 스퀴저를 이용할 경우 가스 기포의 대폭적 제거가 가능하고, 기계적 특성(강도) 등이 향상되며 다른 재질과의 밀착성이 좋은 장점이 있다.In the method using the above-described squeegee, a method in which a conductive material is injected into the substrate having the photoresist mask formed thereon at a low rate and then the substrate is solidified by applying a high voltage thereto may be used. It is a method to control the occurrence of casting defects by applying high pressure to the solidification process in which the conductive material changes volume and to realize high quality with improved resistance and strength. When a squeezer is used, gas bubbles can be largely removed, mechanical properties (strength) are improved, and adhesion with other materials is advantageous.

상기의 전도성물질은 통상 사용되는 전도성 페이스트일 수 있다. 구체적으로 상기 전도성물질은 전도성 입자 및 상기 전도성 입자를 고정하는 바인더를 포함하는 졸, 겔 또는 액상의 잉크일 수 있고 기타 가능한 전도성을 가지며 충진 가능한 물질을 이용할 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 전도성 고분자 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이 중 인?쳅玲?산화물(ITO, indium tin oxide)이 바람직하게 적용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide)의 경우에는 시인성 개선의 장점이 있다.The conductive material may be a conventionally used conductive paste. Specifically, the conductive material may be a sol, gel, or liquid ink including conductive particles and a binder for fixing the conductive particles, and other possible conductive and fillable materials may be used. For example, the conductive particles may include at least one of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), carbon nanotube (CNT) Silver paste, silver nano wire, silver compound, silver complex, copper compound, copper complex, gold, silver, copper, Aluminum, nickel, graphene, and a conductive polymer. Of these, indium tin oxide (ITO) is preferably used, but not always limited thereto. In the case of indium tin oxide (ITO), there is an advantage of improving the visibility.

상기 전도성 입자의 평균 입경은 1 nm 내지 5 ㎛, 예를 들면 10nm 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 구현하고자 하는 미세선폭(fine pitch) 및 요구되는 전도성에 따라 달리 할 수 있으며. 시인성 및 전도성 개선에 유리한 장점이 있다.The average particle diameter of the conductive particles may be 1 nm to 5 탆, for example, 10 nm to 5 탆. And may vary according to the fine pitch and desired conductivity to be implemented within the above range. Advantageous for improving visibility and conductivity.

상기 바인더는 알킬계, 아민계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계, 에틸렌계 수지 등을 1종 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 바인더는 유기용매에 용해된 형태일 수 있으며, 상기 전도성 페이스트는 바인더가 용해된 유기용매에 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 졸, 겔, 또는 액상의 잉크 형태일 수 있다.The binder may include at least one of alkyl, amine, acrylic, urethane, silicone, and ethylene resins. For example, the binder may be dissolved in an organic solvent, and the conductive paste may be in the form of a sol, gel, or liquid ink in which the conductive particles are dispersed in an organic solvent in which the binder is dissolved.

상기 전도성 페이스트에서, 상기 전도성 입자의 함량은 60 내지 80 중량%일 수 있고, 상기 바인더의 함량은 10 내지 20 중량%일 수 있으며 용매의 함유량은 10 내지 20 중량%일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In the conductive paste, the content of the conductive particles may be 60 to 80% by weight, the content of the binder may be 10 to 20% by weight, and the content of the solvent may be 10 to 20% by weight, .

상기 습식도금법은 전기 도금법 및 무전해 도금법을 사용할 수 있다.The wet plating method may be an electroplating method or an electroless plating method.

하나의 실시예에서, 금, 은, 구리 및 니켈 중 1 종 이상의 금속 이온을 포함하는 용액 내에 양극과 음극을 넣고 전기를 통해 산화-환원 반응을 수행함으로써 금속을 석출시키는 전기 도금법을 사용할 수 있다.In one embodiment, an electroplating method may be used in which a positive electrode and a negative electrode are placed in a solution containing at least one metal ion among gold, silver, copper, and nickel, and a metal is precipitated by performing oxidation-reduction reaction through electricity.

다른 실시예에서, 외부로부터 전기 에너지를 공급받지 않고 금속염 수용액 중의 금속 이온을 환원제에 의해 금속으로 석출하는 무전해 도금법을 사용할 수 있다. 상기 환원제는 포름알데히드 또는 히드라진을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.In another embodiment, an electroless plating method may be employed in which metal ions in a metal salt aqueous solution are precipitated into a metal by a reducing agent without being supplied with external electric energy. The reducing agent may be formaldehyde or hydrazine, but is not limited thereto.

상기의 건식 증착 방법으로 CVD(Chemical Vapor Deposition)와 PVD(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 플라즈마 CVD를 이용하는 경우 ITO막은 증착시 산소결핍으로 인한 비 다량결합(non-stochiometry)에 의해 인듐(In)이 석출되어 흑화현상이 일어나기 때문에, 전기전도도와 광투과율 향상을 위해 산소분위기에서 300℃로 4분간 열처리를 행할 수 있다. PVD(Physical Vapor Deposition)으로 진공증착법, 이온도금 등의 방법을 이용할 수 있다.CVD (Chemical Vapor Deposition) and PVD (Physical Vapor Deposition) may be used as the dry deposition method. In the case of using plasma CVD, since the indium (In) precipitates due to non-stochiometry due to oxygen deficiency during deposition, blackening phenomenon occurs. Therefore, in order to improve the electrical conductivity and light transmittance, Heat treatment can be performed for 4 minutes. PVD (Physical Vapor Deposition), vacuum deposition, ion plating, etc. can be used.

전도성 페이스트를 충진하는 단계 후 전도성 페이스트를 건조 및 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 경화는 열 경화, 자외선 경화 또는 촉매 경화일 수 있다. 예를 들어, 열 경화는 80℃ ~ 150℃ 에서 반응경화 하는 것으로 수산기나 카르복시기 등의 기능성 기를 갖는 수지에 경화제, 촉매를 배합하여 사용한다.The step of filling the conductive paste may further include drying and curing the conductive paste. Specifically, the curing may be thermosetting, ultraviolet curing or catalytic curing. For example, thermosetting is a reaction curing at 80 ° C to 150 ° C, and a curing agent and a catalyst are mixed with a resin having a functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group.

절연층Insulating layer 형성단계 Forming step

이하, 도 1(b) 및 도 3을 참고하여 절연층 형성단계를 설명한다. 도 1의 (b)는 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극이 형성된 기재(10) 상에 절연층(30)을 형성하는 단계를 단면도로 간략히 도시한 것이고, 도 3은 절연층(30)이 형성된 평면도를 간략히 도시하였다. 절연층(30)은 분리영역(15)에 형성되고, 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.Hereinafter, the insulating layer forming step will be described with reference to FIG. 1 (b) and FIG. 1B is a sectional view schematically showing a step of forming an insulating layer 30 on a substrate 10 on which a first pattern electrode 21 and a second pattern electrode are formed and FIG. 30 are schematically shown. The insulating layer 30 is formed in the isolation region 15 and functions to electrically isolate the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22. [

절연층(30) 형성단계는, 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 형성된 레이어 상에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 분리영역에서 제1 패턴전극과 제 2 패턴전극이 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.The step of forming the insulating layer 30 may include a step of coating a photosensitive insulating material on the layer on which the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 are formed and a step of patterning the first pattern electrode and the second pattern electrode And patterning the photosensitive insulating material so as to be insulated.

상기 절연층(30)에 사용되는 감광성 절연물질을 사용할 수 있고, 상기 절연층(30)은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 상기 절연층(30)은 제1 및 제2 패턴전극(21, 22)의 교차지점 상에 균일한 두께로 형성할 수 있다. 또한 상기 절연층(30)은 종래 기술과 같이 형성되거나 다른 구체예에서는 전착법으로 형성할 수 있다. A photosensitive insulating material used for the insulating layer 30 may be used. As the insulating layer 30, an acrylic resin, a urethane resin, a silicone resin, or the like may be used. These insulating materials may be used alone or in combination of two or more. The insulating layer 30 may be formed to have a uniform thickness on the intersection of the first and second pattern electrodes 21 and 22. The insulating layer 30 may be formed as in the prior art or may be formed by electrodeposition in another embodiment.

하나의 구체예에 따르면, 상기 절연층(30)을 형성하는 단계는 포토리소그래피법을 사용할 수 있다. 구체예에서, 포토리소그래피법은 감광성 절연물질을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 포토리소그래피법을 이용한 상기 절연층(30) 형성단계는 상기 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 형성된 레이어 상에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 분리영역에서 제1 패턴전극(21)과 제2 패턴전극(22)이 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 절연물질의 코팅 및 패터닝 하는 단계는 통상의 포토리소그래피법에 의할 수 있고, 또한 두께를 조절할 수도 있다.According to one embodiment, the step of forming the insulating layer 30 may use a photolithography method. In an embodiment, the photolithography method can use a photosensitive insulating material. Specifically, the step of forming the insulating layer 30 using the photolithography method includes a step of coating a photosensitive insulating material on the layer on which the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 are formed, And patterning the photosensitive insulating material so that the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 are insulated from each other. The step of coating and patterning the photosensitive insulating material can be performed by a conventional photolithography method and the thickness thereof can be adjusted.

다른 구체예에 따르면, 상기 절연층(30)을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성할 수 있다. 상기의 방법에 의하는 경우, 재료 절감의 효과가 있다.According to another embodiment, the step of forming the insulating layer 30 may include forming an insulating layer by a method of film type transfer, screen printing, or inkjet printing. According to the above method, there is an effect of reducing the material.

필름타임 전사는 예를 들어 열전사필름을 사용하여 절연층을 형성할 수 있다.The film-time transfer can use, for example, a thermal transfer film to form an insulating layer.

스크린 인쇄 방법은 소망형상에 다수의 가는 구멍이 형성된 스크린판을 통하여 피인쇄물 상에 무늬를 인쇄, 형성하는 방법으로, 배선 기판이나 디스플레이 등 전자 부품의 패터닝에 사용되고 있고 필요한 곳에 정량만큼 감광성 절연물질 등 재료를 도포할 수 있다. 구체적으로, 상기 절연층(40)은 상기 전술한 감광성 절연물질을 이용하여, 피인쇄물 상에 스크린판을 클리어런스를 비워 세트하고 스크린판과 피인쇄물이 접촉하도록 스퀴지로 스크린판을 눌러 변형시키면서 스퀴지를 이동시키고 이를 통해 패턴구동을 가능케 할 수 있다.The screen printing method is a method for printing and forming patterns on an object through a screen plate in which a plurality of thin holes are formed in a desired shape and is used for patterning electronic parts such as a wiring board and a display. The material can be applied. Specifically, the insulating layer 40 is formed by using the above-described photosensitive insulating material, setting the clearance of the screen plate on the object blank, pressing the screen plate with the squeegee so that the screen plate and the object come in contact with each other, Thereby enabling pattern driving.

잉크젯 인쇄방법은 피에조 방식, 가열방식, 버블젯 방식 등으로 할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. The inkjet printing method may be a piezo method, a heating method, a bubble jet method, or the like, but is not limited thereto.

구체예에 의하면, 상기 절연층(30)은 0.1㎛~5㎛의 두께를 가지도록 형성할 수 있고 이는 종래의 절연층보다 감소된 두께를 가지도록 구성할 수 있다. 상기 두께 범위에서 터치패널의 시인성 향상에 유리하게 작용할 수 있고 제2 패턴전극(22)의 구조적 신뢰성에 유리한 장점이 있다.According to a specific example, the insulating layer 30 may be formed to have a thickness of 0.1 탆 to 5 탆, which may be configured to have a reduced thickness than a conventional insulating layer. It is advantageous in improving the visibility of the touch panel in the thickness range and advantageously in terms of the structural reliability of the second pattern electrode 22.

브리지 및 Bridge and 트레이스전극Trace electrode 형성단계 Forming step

도 1(c), 1(d), 1(e), 1(f) 및 도 4는 본 발명의 구체예에 따른 브리지 및 트레이스전극을 형성하는 단계를 간략히 도시한 것이다. 구체적으로 도 1(c) 내지 1(f)는 브리지(40) 및 트레이스전극(41)을 형성하는 단계를 단면도로 나타낸 것이고, 도 4는 브리지(40) 및 트레이스전극(41)이 형성된 평면도를 간략히 나타낸 것이다.FIGS. 1 (c), 1 (d), 1 (e), 1 (f) and 4 schematically illustrate the steps of forming the bridge and trace electrodes according to embodiments of the present invention. 1 (c) to 1 (f) show cross-sectional views of the steps of forming the bridge 40 and the trace electrode 41, and FIG. 4 is a plan view showing the bridge 40 and the trace electrode 41 .

브리지(40)는 절연층(30)이 형성된 레이어 상에 형성되며, 제2 패턴전극(22)을 서로 전기적으로 연결한다. The bridge 40 is formed on the layer on which the insulating layer 30 is formed, and electrically connects the second pattern electrodes 22 to each other.

상기 브리지 (40)의 위치, 크기 또는 형상 중 적어도 하나는 한정되지 않을 수 있다.At least one of the position, size or shape of the bridge 40 may not be limited.

상기 브리지(40)는 막대 형상 또는 스트립 형상으로 제조할 수 있다. The bridge 40 can be manufactured in the shape of a rod or a strip.

또한, 본 발명의 도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이 브리지(40)는 전도성을 띌 수 있고, 그 형태는 직사각형 바(bar) 형태로 이루어질 수 있으나, 이는 하나의 구체예로서 반드시 이러한 형상에 한정되지 않는다. 다른 구체예에서, 상기 절연층(30)에 의해 노출되는 부분인 브리지 (40)의 양끝단부가 타 부분보다 넓은 폭으로 되는 형상(예를들어 피너츠형)으로 구현될 수 있다.Also, as shown in Figures 1 and 4 of the present invention, the bridge 40 can be made conductive and its shape can be in the form of a rectangular bar, It is not limited. In other embodiments, the end portions of the bridge 40 exposed by the insulating layer 30 may have a width that is wider than the other portions (for example, a pinnate shape).

트레이스전극(41)은 제1 및 제2 패턴전극(21,22)으로부터 전기신호를 전달받도록 상기한 제1 및 제2 패턴전극(21,22)의 테두리에 형성되는 복수의 선이다. 하나의 구체예로서 도 1 및 도 4와 같은 패턴으로 형성될 수 있고, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.The trace electrode 41 is a plurality of lines formed on the edges of the first and second pattern electrodes 21 and 22 to receive an electric signal from the first and second pattern electrodes 21 and 22. And may be formed in a pattern as shown in Figs. 1 and 4 as an embodiment, but it is not necessarily limited thereto.

본 발명은 브리지(40)와 트레이스전극(41)을 하나의 공정에 의해 동시에 형성함으로써, 공정을 단축시키는 효과가 있으며 이로 인한 비용절감의 효과가 있다.The present invention has the effect of shortening the process by simultaneously forming the bridge (40) and the trace electrode (41) by a single process, thereby reducing the cost.

구체적으로 브리지 및 트레이스전극 형성단계는 제1 패턴전극(21), 제2 패턴전극(22) 및 절연층(30)이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계(도 1(c) 참조), 브리지 및 트레이스전극을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계(도 1(d) 참조), 상기 패턴에 금속성 물질을 증착하는 단계(도 1(e) 참조), 상기 포토레지스트(80)를 제거하는 단계(도 1(f) 참조)를 포함한다.Specifically, the step of forming the bridge and trace electrodes includes the steps of forming a photoresist layer 80 on the layer on which the first pattern electrode 21, the second pattern electrode 22 and the insulating layer 30 are formed (See FIG. 1 (e)); forming a pattern on the photoresist layer 80 to form bridge and trace electrodes (see FIG. 1 (d)); depositing a metallic material on the pattern And removing the photoresist 80 (see FIG. 1 (f)).

제1 패턴전극(21), 제2 패턴전극(22) 및 절연층(30)이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계(도 1(c) 참조)는 기재(10) 상에 형성하는 대신 제1 패턴전극(21), 제2 패턴전극(22) 및 절연층(30)이 형성된 레이어 상에 형성하는 것을 제외하고는, 전극형성단계에서 포토레지스트층을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하다. The step of forming a photoresist layer 80 on the layer on which the first pattern electrode 21, the second pattern electrode 22 and the insulating layer 30 are formed (see FIG. 1 (c) Forming a photoresist layer in the electrode forming step, and forming a photoresist layer in the electrode forming step, except for forming the photoresist layer on the layer on which the first pattern electrode 21, the second pattern electrode 22 and the insulating layer 30 are formed, .

브리지 및 트레이스전극을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계(도 1(d) 참조)는 패턴을 브리지(40) 및 트레이스전극(41)을 형성하기 위한 패턴인 것을 제외하고는 전극형성단계에서 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하다.The step of forming a pattern in the photoresist layer 80 to form the bridge and trace electrodes (see FIG. 1 (d)) is similar to the step of forming the trace 40 except that the pattern is a pattern for forming the bridge 40 and the trace electrode 41 Is substantially the same as the step of forming the pattern in the photoresist layer 80 in the electrode forming step.

상기 패턴을 형성하는 경우, 터치패널의 시인성을 증가시키기 위하여, 브리지(40)의 두께 및/또는 폭을 제어할 수 있다. 구체적으로, 브리지(40)의 두께는 0.1㎛ 내지 50㎛, 구체적으로 0.5㎛ 내지 30㎛가 될 수 있다. 또한 브리지(40)의 폭은 0.1㎛ 내지 40㎛, 구체적으로 0.1㎛ 내지 30㎛가 될 수 있다. 상기의 범위에서 터치패널은 시인성과 전도성의 균형이 우수한 장점이 있다.When forming the pattern, the thickness and / or width of the bridge 40 can be controlled to increase the visibility of the touch panel. Specifically, the thickness of the bridge 40 may be 0.1 占 퐉 to 50 占 퐉, specifically, 0.5 占 퐉 to 30 占 퐉. Further, the width of the bridge 40 may be 0.1 占 퐉 to 40 占 퐉, specifically 0.1 占 퐉 to 30 占 퐉. In the above-mentioned range, the touch panel has a good balance of visibility and conductivity.

상기 패턴에 금속성 물질을 증착하는 단계(도 1(e) 참조)는 CVD(Chemical Vapor Deposition)와 PVD(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. PVD(Physical Vapor Deposition)으로 진공증착법, 음극 스퍼터링, 이온도금 등의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어 금속성 물질을 스퍼터링의 방법으로 증착 시킬 수 있다. 금속성 물질을 증착시키는 경우, 브리지(40) 및 트레이스전극(41)의 전도성을 증가시키기 위해, 금속성 물질이 증착되는 두께는 0.1㎛ 내지 50㎛, 구체적으로 0.5㎛ 내지 30㎛가 될 수 있다. 상기의 범위에서 브리지(40) 및 트레이스전극(41)의 전도성이 우수하여, 터치패널의 성능이 향상시킬 수 있다.(Chemical Vapor Deposition) and PVD (Physical Vapor Deposition) may be used for the step of depositing the metallic material on the pattern (see FIG. 1 (e)). PVD (Physical Vapor Deposition), vacuum deposition, cathode sputtering, ion plating, etc. can be used. For example, a metallic material can be deposited by the method of sputtering. In the case of depositing a metallic material, in order to increase the conductivity of the bridge 40 and the trace electrode 41, the thickness at which the metallic material is deposited may be 0.1 탆 to 50 탆, specifically 0.5 탆 to 30 탆. The conductivity of the bridge 40 and the trace electrode 41 is excellent in the above range, and the performance of the touch panel can be improved.

구체예에서, 상기 금속성 물질은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr) 중 둘 이상을 포함하는 합금일 수 있다. 예를 들어, 전도성 및 안정성 면에서 상기 금속성 물질은 은-팔라듐-구리 합금(APC)을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In an embodiment, the metallic material may be an alloy comprising two or more of silver (Ag), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni) and chromium (Cr). For example, in terms of conductivity and stability, the metallic material may be, but is not limited to, silver-palladium-copper alloy (APC).

포토레지스트(80)를 제거하는 단계(도 1(f) 참조)는 전극형성단계에서의 포토레지스트 제거 방법과 실질적으로 동일하다.The step of removing the photoresist 80 (see FIG. 1 (f)) is substantially the same as the method of removing the photoresist in the electrode formation step.

보호층 형성단계Step of forming protective layer

도시하지는 않았지만, 상기 터치패널의 제조방법은 제1 패턴전극(21) 및 제2 패턴전극(22)이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Although not shown, the manufacturing method of the touch panel may further include forming a protective layer on the layer on which the first pattern electrode 21 and the second pattern electrode 22 are formed.

구체적으로 브리지(40)과 제1 및 제2 패턴전극(21,22) 및/또는 트레이스전극(41) 표면에 보호층이 형성될 수 있고, 보호층은 터치패널(100) 형성 시 제1 및 제2 패턴전극(21,22)에 스크래치나 기타 손상이 발생하는 것을 방지하며 고온에 노출되지 않도록 내열성 재질이 바람직하게 적용될 수 있다. 보호층은 상기한 특징을 갖는 구체적인 일예로서, 투명하면서 절연성을 갖는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로 상기 보호층은 투명하면서 절연성을 갖는 액상 Type 또는 Film Type의 재질로 이루어질 수 있다. Specifically, a protective layer may be formed on the surface of the bridge 40 and the first and second pattern electrodes 21 and 22 and / or the trace electrode 41, A heat resistant material can be preferably applied to prevent scratches or other damage to the second pattern electrodes 21 and 22 and to prevent exposure to high temperatures. The protective layer may be made of a transparent and insulating ceramic material as a specific example having the above-described characteristics. More specifically, the protective layer may be made of a liquid type or a film type material having transparency and insulation.

상기 보호층은, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 보호층은 라미 공정을 통해 제1 및 제2 패턴전극(21, 22)을 덮도록 기재(10) 상에 형성될 수 있고, 예를 들어 브리지(40) 및 트레이스전극(41)이 형성 후, 상기 브리지(40) 및 트레이스전극(41)이 형성된 레이어 상에 레이어 상에 형성될 수 있다.As the protective layer, for example, an acrylic resin, a urethane resin, a silicone resin, or the like may be used, and these may be used alone or in combination of two or more. The protective layer may also be formed on the substrate 10 so as to cover the first and second pattern electrodes 21 and 22 through a laminating process such that the bridge 40 and the trace electrode 41 are formed And then formed on the layer on which the bridge 40 and the trace electrode 41 are formed.

터치패널Touch panel

본 발명의 다른 관점은 단일층 터치패널을 제공하기 위한 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a single layer touch panel.

상기 단일층 터치패널은 상기 단일층 터치패널 제조방법 중 하나에 의해 제조될 수 있다.The single layer touch panel may be manufactured by one of the single layer touch panel manufacturing methods.

구체예에서, 상기 터치패널의 브리지 및 트레이스전극의 두께는 0.1㎛ 내지 20㎛, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 19㎛, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 내지 18㎛일 수 있다. 또한, 상기의 방법으로 제조된 터치패널의 패턴 전극은 간격이 0.5㎛ 내지 150 ㎛, 바람직하게는 0.5㎛ 내지 140㎛, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 내지 130㎛일 수 있다. 상기의 범위에서 저항 감소, 시인성이 개선되는 장점이 있다.In an embodiment, the thickness of the bridge and trace electrodes of the touch panel may be 0.1 占 퐉 to 20 占 퐉, preferably 0.1 占 퐉 to 19 占 퐉, and more preferably 0.1 占 퐉 to 18 占 퐉. In addition, the pattern electrode of the touch panel manufactured by the above method may have a gap of 0.5 탆 to 150 탆, preferably 0.5 탆 to 140 탆, more preferably 0.5 탆 to 130 탆. There is an advantage that resistance reduction and visibility are improved in the above-mentioned range.

이상 본 발명의 구체예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 구체예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구체예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is to be understood, therefore, that the embodiments described above are intended to be illustrative in all respects and not restrictive.

100 : 터치패널 10 : 기재
15 : 분리영역 21 : 제1 패턴전극
22 : 제2 패턴전극 30 : 절연층
40 : 브리지 41 : 트레이스전극
50 : 보호층
100: touch panel 10: substrate
15: isolation region 21: first pattern electrode
22: second pattern electrode 30: insulating layer
40: bridge 41: trace electrode
50: Protective layer

Claims (13)

기재 상에 제 1방향을 따라 분리영역을 형성하여 배열되는 제1 패턴전극, 및 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되어 있으며, 상기 분리영역에 제 2방향을 따라 배열되는 제2 패턴전극을 형성하는 전극형성단계;
상기 분리영역에 형성되며, 상기 제1 패턴전극과 상기 제2 패턴전극을 절연하는 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 패턴전극을 연결하는 브리지와 상기 분리영역 외의 영역에 형성되는 트레이스전극을 동시에 형성하는 브리지 및 트레이스전극 형성 단계;
를 포함하고,
상기 브리지 및 트레이스전극 형성 단계는,
상기 제1 패턴전극, 상기 제2 패턴전극 및 상기 절연층이 형성된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
브리지 및 트레이스전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴에 금속성 물질을 증착하는 단계;
상기 포토레지스트를 제거하는 단계;
를 포함하는 터치패널의 제조방법이고,
상기 금속성 물질은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr) 중 둘 이상을 포함하는 합금인 터치패널의 제조방법.
A first pattern electrode formed on the base material with an isolation region formed along a first direction and a second pattern electrode electrically insulated from the first pattern electrode and arranged in the isolation region along a second direction ;
Forming an insulating layer on the isolation region, the insulating layer insulating the first pattern electrode and the second pattern electrode; And
A bridge and a trace electrode forming step of forming a bridge connecting the second pattern electrode and a trace electrode formed in an area outside the isolation region;
Lt; / RTI >
Wherein the forming of the bridge and trace electrodes comprises:
Forming a photoresist layer on the first patterned electrode, the second patterned electrode, and the layer on which the insulating layer is formed;
Forming a pattern in the photoresist layer to form bridge and trace electrodes;
Depositing a metallic material on the pattern;
Removing the photoresist;
The method of manufacturing a touch panel according to claim 1,
Wherein the metallic material is an alloy including at least two of silver (Ag), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni), and chromium (Cr).
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 전극형성단계는,
기재 상에 금속산화물층을 형성하는 단계;
상기 금속산화물층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 금속산화물층이 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층을 패터닝 하는 단계;
상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물층을 제거하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;
를 포함하는 터치패널의 제조방법.
The method according to claim 1,
Forming a metal oxide layer on the substrate;
Forming a photoresist layer on the metal oxide layer;
Patterning the photoresist layer such that the metal oxide layer forms a first pattern electrode and a second pattern electrode;
Removing the metal oxide layer in a region where the pattern is not formed; And
Removing the photoresist layer;
The method comprising the steps of:
제1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는,
상기 제1 패턴전극 및 상기 제2 패턴전극이 형성된 레이어 상에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계; 및
상기 분리영역에서 상기 제1 패턴전극과 상기 제2 패턴전극이 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계;
를 포함하는 터치패널의 제조방법.
The method of claim 1, wherein forming the insulating layer comprises:
Coating a photosensitive insulating material on a layer on which the first pattern electrode and the second pattern electrode are formed; And
Patterning the photosensitive insulating material so that the first pattern electrode and the second pattern electrode are insulated from each other in the isolation region;
The method comprising the steps of:
제1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성하는 터치패널의 제조방법.
The manufacturing method of a touch panel according to claim 1, wherein the insulating layer is formed by a film type transfer, a screen printing, or an inkjet printing method.
제1항에 있어서, 상기 터치패널의 제조방법은 상기 제1 패턴전극 및 상기 제2 패턴전극이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 터치패널의 제조방법.
The manufacturing method of a touch panel according to claim 1, further comprising forming a protective layer on a layer on which the first pattern electrode and the second pattern electrode are formed.
제1항에 있어서, 상기 기재는 유리 또는 가요성 필름인 터치패널의 제조방법.
The method of manufacturing a touch panel according to claim 1, wherein the substrate is glass or a flexible film.
제1항에 있어서, 상기 기재는 열처리 된 것인 터치패널의 제조방법.
The method of manufacturing a touch panel according to claim 1, wherein the substrate is heat-treated.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 형성하는 단계는,
포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성하는 터치패널의 제조방법.
4. The method of claim 1 or 3, wherein forming the photoresist layer comprises:
A method of coating a photoresist or a method of laminating a film-type photoresist.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 제조방법.
4. The method of claim 1 or 3, wherein the photoresist layer is selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylates) (methyl methacrylate), naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolak resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, A KrF excimer laser resist, an ArF excimer laser resist, an ArF resist into which a lactone ring is introduced, or an ArF dip resist.
제3항에 있어서, 상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함하는 터치패널의 제조방법.
The method of claim 3, wherein the metal oxide comprises at least one of indium tin oxide (ITO), indium gallium zinc oxide (IGZO), ZnO, and TiO.
제1항에 있어서, 상기 절연층은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 실리콘계 수지 중 하나 이상을 포함하는 감광성 절연물질인 터치패널의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the insulating layer is a photosensitive insulating material containing at least one of acrylic resin, urethane resin, and silicone resin.
제1항에 의한 방법에 의해 제조된 터치패널.

A touch panel manufactured by the method according to claim 1.

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