KR101786230B1 - 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 및 그 제조방법 - Google Patents

내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 두께가 5 내지 50㎛인 금속 박판 및 상기 금속 박판의 적어도 일면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 금속 박판 및 금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 코팅 조성물은 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하는, 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 제조방법을 제공함으로 인하여, 기존의 크로메이트 처리 기술을 대체할 수 있는 금속 박판의 표면처리 방법을 제공하여 크롬으로 인한 환경오염 문제를 방지하고 금속 박판의 내식성 및 에칭성을 크게 향상시키는 효과가 있다.

Description

내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 및 그 제조방법{Metal thin plate with excellent corrosion resistance and etching ability and method for manufacturing the same}
본 발명은 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
금속 박판은 OLED 조명, 디스플레이 등에 주로 적용되고 있으며, 열팽창을 고려하여 철(Fe) 및 니켈(Ni) 합금을 주로 사용하고 있다. 또한, 상기 금속 박판은 전해주조 기술로 제조되는 것이 통상적이나, 전해주조로 제조된 금속 박판은 압연소재에 비하여 극도로 부식 발생이 쉬우며, 대기 중에 수일만 방치해도 녹이 발생한다.
종래에는, 상기 금속 박판에 내식성을 부여하기 위해, 금속 박판 표면에 크롬을 주성분으로 하는 크로메이트 피막을 코팅하는 표면처리법이 일반적으로 실시되었다. 주요 크로메이트 처리로서는, 전해형 크로메이트와 도포형 크로메이트가 있으며, 이 중에서 전해형 크로메이트 처리는 6가 크롬을 주성분으로 하고, 그 외에 황산, 인산, 붕산 및 할로겐 등의 각종 음이온을 첨가한 처리액을 이용하여 금속 박판을 처리하는 방법이다. 한편, 도포형 크로메이트 처리는 미리 6가 크롬의 일부를 3가로 환원한 용액에 무기 콜로이드, 무기 이온을 첨가한 후 혼합하여 처리액을 제조하고, 금속 박판을 상기 처리액 안에 침적하거나, 처리액을 금속 박판에 스프레이하는 방법이다.
그러나, 상기 크로메이트 피막 코팅 표면처리법은 크로메이트 처리액에 함유된 6가 크롬의 유독성으로 인해 작업환경 및 배수처리 등에서 여러 가지 대책이 필요하며, 상기 표면처리금속을 사용한 가전, 건재 제품 등의 리사이클 및 폐기처리에 있어서도 인체 유해성과 환경오염 문제가 야기된다. 또한, 3가 크롬을 적용하는 경우에는 온도나 미생물 등의 주변환경에 의하여 3가 크롬의 일부가 6가 크롬으로 전환되는 문제점이 있다.
더욱이, 크로메이트 피막 코팅 표면처리법은 도금층의 두께를 마이크로미터(㎛) 수준으로 두껍게 형성하므로, 크로메이트 처리된 금속 박판을 가공할 때 에칭성이 불리해지는 한계가 있다.
본 발명은 기존의 크로메이트 처리 기술을 대체할 수 있는 금속 박판의 표면처리 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 두께가 5 내지 50㎛인 금속 박판 및 상기 금속 박판의 적어도 일면에 형성된 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 코팅층을 포함하는 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판을 제공한다.
상기 아민기를 갖는 규소계 화합물은 아민기를 갖는 실록산, 아민기를 갖는 실록산 전구체 및 아민기를 갖는 산화규소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 코팅층은 산화규소 및 아민으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 두께가 10 내지 500nm일 수 있다.
상기 금속 박판은 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 스테인리스 스틸로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 코팅 조성물은 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하는, 내식성 및 에칭성이 우수한 금속 박판 제조방법을 제공한다.
상기 대기압 플라즈마는 온도가 100℃ 이하일 수 있다.
상기 대기압 플라즈마는 플라즈마 장치의 출력이 200 내지 300W일 수 있다.
상기 아민기를 갖는 실록산 전구체는 아미노프로필 트리에톡시실레인(aminopropyl triethoxysilane), 트리메톡시실릴프로필 에틸렌다이아민(trimethoxysilylpropyl ethylenediamine), 트리메톡시실릴프로필 알릴아민(trimethoxysilylpropyl allylamine) 및 트리메톡시실릴프로필 부틸아민(trimethoxysilylpropyl butylamine)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 금속 박판을 대기압 플라즈마로 전처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 코팅층을 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 경화는 근적외광(NIR), 적외광(IR) 및 열풍으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 경화는 100 내지 200℃의 온도 범위에서 이루어질 수 있다.
상기 금속 박판은 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 스테인리스 스틸로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금일 수 있다.
본 발명은 기존의 크로메이트 처리 기술을 대체할 수 있는 금속 박판의 표면처리 방법을 제공하여 크롬으로 인한 환경오염 문제를 방지하고 금속 박판의 내식성 및 에칭성을 크게 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 실시예 1 및 2의 내식성 평가 후 결과를 촬영한 사진이다.
도 2는 비교예 3 내지 5의 내식성 평가 후 결과를 촬영한 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
종래에는 금속 박판에 내식성을 부여하기 위해 크롬을 주성분으로 하는 크로메이트 피막을 코팅하는 표면처리법을 주로 사용하였으나, 6가 크롬의 유독성으로 인하여 인체 유해성과 환경오염이 발생하는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명자들은 기존의 크로메이트 처리 기술을 대체할 수 있는 금속박판의 표면처리 기술을 확보하기 위하여 연구를 거듭한 결과, 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하는 조성물을 대기압 플라즈마로 금속 박판 표면에 코팅하는 경우 금속 박판의 내식성 및 에칭성이 우수하다는 것을 인지하고, 본 발명에 이르게 되었다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 두께가 5 내지 50㎛인 금속 박판 및 상기 금속 박판의 적어도 일면에 형성된 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층은 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 금속 박판을 제공할 수 있다.
금속 박판은 주로 전해주조법으로 제조되어 극도로 부식 발생이 쉬운 문제점이 있으나, 상기 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 코팅층은 금속 박판의 표면에 형성되어 내식성을 부여할 수 있다. 기존의 크로메이트 처리 방법으로 금속 박판의 내식성을 부여하는 경우 100nm 이상의 도금층 두께를 형성하여야 내식성의 효과를 부여할 수 있었으나, 본원발명의 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 코팅층은 100nm 미만의 두께로 형성되더라도 우수한 내식성을 부여할 수 있다.
또한, 크로메이트 처리 방법으로 금속 박판을 표면 처리하는 경우 크로메이트 도금층의 내식성을 부여하기 위하여 도금층의 두께를 100nm 이상으로 제어하는 경우 소재 변형 및 에칭성이 불량한 문제점이 있다. 그러나, 본원발명은 코팅층은 코팅층의 두께가 100nm 미만으로 제어하더라도 우수한 내식성을 제공할 수 있으며, 또한, 코팅층의 얇은 두께로 인하여 금속 박판의 소재 변형 및 에칭성이 우수하다.
더욱이, 상기 아민기를 갖는 규소계 화합물에 포함된 아민기는 산 에칭에 사용되는 산과 중화반응이 일어날 수 있다. 종래에는 코팅층이 산성인 에칭 용액에 녹아나지 않을 경우 에칭이 되지 않는 문제점이 있었으나, 본원발명은 금속 박판 위에 알칼리성의 코팅층이 형성되면서 알칼리성의 코팅층과 산성인 에칭 용액의 중화 반응이 이루어짐으로 인해, 알칼리성 코팅층이 녹아나오게 되어 에칭이 더욱 용이해질 수 있다. 즉, 본원발명의 금속 박판은 에칭성이 우수한 효과가 있다.
상기 아민기를 갖는 규소계 화합물은 아민기를 갖는 실록산, 아민기를 갖는 실록산 전구체 및 아민기를 갖는 산화규소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다. 또한, 상기 코팅층은 아민기를 갖는 규소계 화합물 외에도, 산화규소 및 아민으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 박판은 두께가 5 내지 50㎛인 것이 바람직하며, 상기 금속 박판을 5㎛ 미만의 두께로 제조하는 경우 강도가 매우 약하기 때문에 롤 방식으로 제조하는 과정 중에 파단이 일어나기 쉽고, 50㎛ 초과하면 유연성이 저하되어 유연 금속 박판 용도로 부적합하다.
상기 코팅층은 두께가 10 내지 500nm인 것이 바람직하며, 50 내지 300nm인 것이 더욱 바람직하다. 상기 코팅층의 두께가 10nm 미만이면 충분한 내식성을 제공할 수 없으며, 500nm 초과하면 에칭성이 열위해질 수 있다.
상기 금속 박판의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 은 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 스테인리스 스틸로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성하는 금속 박판 제조방법을 제공할 수 있으며, 상기 코팅 조성물은 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하는 것이 바람직하다.
금속 박판의 표면에 코팅층을 형성하기 전, 상기 금속 박판을 대기압 플라즈마로 전처리하여 금속 박판의 표면에 활성을 부여하는 단계를 수행할 수 있다.
대기압 플라즈마는 대기압 상태에서 형성되므로 저압(또는 진공) 플라즈마 플라즈마를 형성할 때처럼 고비용의 진공 시스템이 필요하지 않으므로 설비비가 저렴하여 경제적이고, 대기압 분위기를 진공 분위기로 조절하는데 소요되는 시간이 없어 생산 속도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 대기압하에서 마이크로웨이브를 이용하여 플라즈마를 생성시킨 후 금속 박판을 전처리할 수 있다.
상기 전처리는 대기분위기에서 이루어질 수 있다. 플라즈마 전처리가 대기분위기에서 이루어짐으로 인하여, 금속 박판 표면의 유기물을 제거하는 데 있어 매우 효율적이며, 표면에 생길 수 있는 화학적 오염 물질을 제거할 수 있다. 또한, 박판 표면에 활성을 부여하여 이후 단계에서 형성될 코팅층과 금속 박판의 밀착력이 우수해질 수 있다.
상기 전처리 단계에서 대기압 플라즈마는 플라즈마 장치의 출력이 200 내지 300W인 것이 바람직하며, 플라즈마 장치의 출력이 200W 미만이면 플라즈마 생성이 어려울 수 있고, 300W 초과하면 플라즈마 산화를 초래하는 문제점이 발생할 수 있다.
대기압 플라즈마로 전처리하여 활성이 부여된 금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성할 수 있다.
상기 코팅 조성물은 아민기를 갖는 실록산 전구체 및 용매를 포함한 것일 수 있다. 상기 용매의 종류는 휘발성의 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 알코올, 메탄올 및 증류수로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
대기압 플라즈마를 이용한 코팅층 형성 방법은 일정한 간격을 두고 서로 대항하는 한 쌍의 전극에 전류를 인가하여 상기 전극간에 직류 또는 교류의 대기압 플라즈마를 발생시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 대기압 플라즈마가 발생된 두 전극 사이에 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하는 조성물과 함께 금속 박판을 통과시키면 금속 박판의 표면에 코팅층이 형성될 수 있다.
대기압 플라즈마가 발생된 전극 사이를 통과하는 상기 아민기를 갖는 실록산 전구체는 대기압 플라즈마의 에너지로 인하여 라디칼 중합 반응이 진행될 수 있다. 따라서, 상기 아민기를 갖는 실록산 전구체는 라디칼 중합 반응이 일어남으로 인하여 아민기를 갖는 규소계 화합물이 생성될 수 있으며, 상기 아민기를 갖는 규소계 화합물이 금속 박판의 표면에 충돌하면서 코팅층을 형성할 수 있다.
대기압 플라즈마로 인한 라디칼 중합 반응으로 인해 생성된 아민기를 갖는 규소계 화합물은 아민기를 갖는 실록산, 아민기를 갖는 실록산 전구체 및 아민기를 갖는 산화규소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다. 상기 아민기를 갖는 규소계 화합물이 생성되는 것 외에도, 상기 라디칼 중합 반응으로 인하여 산화규소 및 아민으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 포함될 수 있다.
상기 대기압 플라즈마는 온도가 100℃ 이하인 것이 바람직하며, 온도가 100℃ 초과하면 금속 박판에 열 변형이 가하게 되어, 구조적 변형 또는 전기 화학적 특성 등으로 인해 문제가 될 수 있다. 단, 상기 플라즈마 온도의 하한은 특별히 한정하지는 않으나, 작업의 용이성을 위하여 상온 이상 100℃ 이하의 온도하에서 수행하는 것이 바람직하다.
상기 대기압 플라즈마는 플라즈마 장치의 출력이 200 내지 300W인 것이 바람직하며, 플라즈마 장치의 출력이 200W 미만이면 플라즈마 생성이 어려울 수 있고, 300W 초과하면 플라즈마 산화를 초래하는 문제점이 발생할 수 있다.
상기 아민기를 갖는 실록산 전구체의 종류는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 아미노프로필 트리에톡시실레인(aminoproyl triethoxysilane), 트리메톡시실릴프로필 에틸렌디아민(trimethoxysilylpropyl ethylenediamine), 트리메톡시실릴프로필 알릴아민(trimethoxysilylpropyl allylamine) 및 트리메톡시실릴프로필 부틸아민(trimethoxysilylpropyl butylamine)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성한 후에는, 상기 코팅층을 경화하여 안정화시킬 수 있다.
상기 경화는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어, 근적외광(NIR), 적외광(NIR) 및 열풍으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 방법으로 이루어질 수 있으며, 근적외광 가열 방식으로 가열 단계를 진행하는 것이 가장 바람직하다.
상기 경화는 100 내지 200℃의 온도 범위에서 이루어지는 것이 바람직하며, 온도가 100℃ 미만이면 코팅층이 미경화되어 내식성이 미흡할 수 있으며, 200℃ 초과하는 경우 금속 박판이 산화되거나 열 변형되어 휘어질 수 있다.
상기 금속 박판은 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 스테인리스 스틸로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금인 것이 바람직하다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
[실시예 1]
두께가 20㎛인 철 및 니켈 합금 박판을 준비한 후 대기 분위기에서 상기 합금 박판을 대기압 플라즈마로 전처리하여 활성화시켰다. 아미노프로필 트리에톡시실레인을 20중량% 및 메탄올 80중량%를 혼합하여 코팅 조성물을 제조하고, 활성화된 합금 박판을 상기 코팅 조성물과 함께 대기압 플라즈마 설비에 통과시켜 박판 표면에 두께가 30nm인 코팅층을 형성시켰다. 상기 대기압 플라즈마는 100℃의 온도 및 출력이 200W인 장치에 의해서 형성되었다. 근적외광을 이용하여 100℃의 온도에서 상기 코팅층을 경화시켜 안정화된 코팅층을 제조하였다.
[실시예 2]
두께가 100nm인 코팅층을 형성했다는 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층이 형성된 합금 박판을 제조하였다.
[비교예 1]
아민기를 포함하지 않는 실록산 전구체를 이용하여 코팅층을 형성했다는 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층이 형성된 합금 박판을 제조하였다.
[비교예 2]
진공 플라즈마를 이용하여 코팅층을 형성했다는 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층을 형성하였다
[비교예 3]
무수 크롬산을 이온 교환수에 용해해 크롬 농도 0.6g/L의 크롬산 용액을 제조하고, 가성소다를 이용해 pH를 5.7로 한 크로메이트 처리 용액을 제조했다. 두께가 20㎛인 철 및 니켈 합금 박판을 준비한 후 상기 합금 박판을 크로메이트 처리 용액에 3초간 침지한 후 용액을 제거하여 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층이 형성된 합금 박판을 온도 70℃의 가열 공기에서 3초간 건조하였다.
[비교예 4]
크로메이트 처리 용액의 pH를 4.5로 제어한 것을 제외하고, 비교예 3과 동일한 방법으로 코팅층을 형성하였다.
[비교예 5]
크로메이트 처리 용액의 pH를 3.0으로 제어한 것을 제외하고, 비교예 3과 동일한 방법으로 코팅층을 형성하였다.
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 5의 코팅층에 포함된 성분을 ICP 질량 분석법을 이용하여 조사하고, 하기에 기재된 평가 방법으로 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 5의 내식성 및 에칭성을 평가하여, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
<내식성 평가>
내식성 평가는 염수농도 5%, 35에서 1kg/cm2의 분무압 조건에서 코팅 처리된 금속 박판이 48시간이 지난 후 표면에 발생한 적녹(Red Rust)의 발생 면적으로 평가하였다.
◎ : 부식되지 않음
○ : 부식면적이 0% 초과 5% 이하
△ : 부식면적이 5% 초과 30%이하
× : 부식면적이 30% 초과
<에칭성 평가>
내식성 평가는 코팅 처리된 금속 박판을 30℃의 에칭액(ADEKA 사 제조의 제품명: 택 CL-8의 20질량％ 용액) 에 1분간 침지시켜 에칭하고, 에칭면을 절단하고, 그 단면을 광학 현미경으로 관찰하였다. 절단된 단면의 너비 및 깊이를 측정한 후 에칭계수(etching factor(f))를 구하여 에칭성을 평가하였다.
◎ : etching factor가 1.0 이상
○ : etching factor가 0.6~1.0
△ : etching factor가 0.3~0.6
× : etching factor가 0.3 이하
구분 코팅층 성분 내식성 에칭성
실시예 1 NH2-SiO2 ◎ ◎
실시예 2 NH2-SiO2 ◎ ◎
비교예 1 SiO2 ◎ △
비교예 2 SiO2 ○ △
비교예 3 Cr(III) × △
비교예 4 Cr(VI) × △
비교예 5 Cr(VI) × ×
상기 표 1에 나타난 바에 따르면, 실시예 1 및 2는 내식성 및 에칭성 모두 매우 우수한 효과를 나타내고 있다. 도 1 (a)는 실시예 1의 내식성 평가 후 결과를 촬영한 사진이고, 도 1 (b)는 실시예 2의 내식성 평가 후 결과를 촬영한 사진이다. 도 1에 나타난 바에 따르면, 실시예 1 및 2의 금속 박판은 부식이 일어나지 않음을 확인했다.
반면, 비교예 1의 코팅층은 아민기를 포함하지 않으므로 에칭성에서 열위한 효과를 나타내며, 비교예 2는 진공 플라즈마에서 코팅 공정이 진행되고 코팅층은 아민기를 포함하지 않으므로 내식성 및 에칭성에서, 실시예 1 및 2 보다, 열위한 효과를 나타냈다.
또한, 비교예 3 내지 5는 크로메이트 처리된 금속 박판으로 내식성 및 에칭성이 열위한 효과를 나타냄을 확인했다. 도 2의 (a)는 비교예 3의 내식성 평가 후 결과, (b)는 비교예 4의 내식성 평가 후 결과, (c)는 비교예 5의 내식성 평가 후 결과를 촬영한 사진이다. 도 2에 나타난 바에 따르면, 비교예 3 내지 5의 금속 박판은 내식성이 열위함을 확인했다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

Claims (14)

  1. 두께가 5 내지 50㎛인 금속 박판; 및
    상기 금속 박판의 적어도 일면에 형성되며 아민기를 갖는 규소계 화합물을 포함하는 코팅층을 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe)-니켈(Ni) 합금이고,
    상기 코팅층은 두께가 10 내지 500nm인,
    내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아민기를 갖는 규소계 화합물은 아민기를 갖는 실록산, 아민기를 갖는 실록산 전구체 및 아민기를 갖는 산화규소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은 산화규소 및 아민으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 금속 박판의 적어도 일면에 코팅 조성물을 대기압 플라즈마로 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계 및
    상기 코팅층을 경화하는 단계를 더 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe)-니켈(Ni) 합금이고,
    상기 코팅 조성물은 아민기를 갖는 실록산 전구체를 포함하고,
    상기 경화는 근적외광(NIR), 적외광(IR) 및 열풍으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 이루어지고,
    상기 경화는 100 내지 200℃의 온도 범위에서 이루어지는 것인, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마는 온도가 100℃ 이하인, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마는 플라즈마 장치의 출력이 200 내지 300W인, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 아민기를 갖는 실록산 전구체는 아미노프로필 트리에톡시실레인(aminopropyl triethoxysilane), 트리메톡시실릴프로필 에틸렌다이아민(trimethoxysilylpropyl ethylenediamine), 트리메톡시실릴프로필 알릴아민(trimethoxysilylpropyl allylamine) 및 트리메톡시실릴프로필 부틸아민(trimethoxysilylpropyl butylamine)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 금속 박판을 대기압 플라즈마로 전처리하는 단계를 더 포함하는, 내식성 및 에칭성이 우수한 크롬 프리 금속 박판 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
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