KR101776021B1 - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛 및 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 액 공급 유닛은, 노즐, 노즐과 연결되는 액 공급라인 및 액 공급라인 상에 설치되는 액 공급 밸브를 포함하고, 액 공급 밸브는, 내부에 상기 액이 흐르는 유로를 가지는 바디, 바디 내부에 설치되며, 유로의 상태를 조절하는 다이어프램; 및 액 공급 라인으로 공급되는 액의 액 공급 신호 및 액 공급 중단 신호에 기초하여 상기 다이어프램의 이동을 조절하는 조절 부재를 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying a liquid to a substrate for processing. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber for providing a space for processing a substrate, a support unit for supporting the substrate in the chamber, and a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the support unit, The liquid supply unit includes a nozzle, a liquid supply line connected to the nozzle, and a liquid supply valve provided on the liquid supply line. The liquid supply valve is installed inside the body, the body having the liquid flow path therein, A diaphragm for adjusting the state of the oil passage; And an adjusting member for adjusting the movement of the diaphragm based on a liquid supply signal and a liquid supply stop signal of the liquid supplied to the liquid supply line.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for treating a substrate}[0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판에 액을 공급하여 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying a liquid to a substrate for processing.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.A photo-lithography process in a semiconductor manufacturing process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photolithography process is usually carried out at a spinner local facility where exposure equipment is connected and the application process, the exposure process, and the development process are successively processed. The spinner apparatus sequentially or selectively performs the HMDS (hexamethyl disilazane) process, the coating process, the baking process, and the developing process.

한편, 기판을 제조하는 공정 중에는 기판에 액을 공급하여 기판 처리 공정을 수행한다. 기판에 액 공급은 액 공급 라인을 통과해 노즐을 통해서 공급된다. 노즐을 통해 기판으로 공급되는 액의 공급 여부는 액 공급 라인에 설치된 개폐(Cut-Off) 밸브를 통해 유로를 개폐함으로써 조절된다. 또한, 기판에 액을 공급하고 난 후 노즐에 잔류하는 액이 기판으로 공급되지 않도록, 석백(Suck-Back) 밸브를 통해 노즐에 잔류하는 액을 다시 빨아들이는 석백을 실시한다.On the other hand, during the process of manufacturing the substrate, the substrate is processed by supplying the liquid to the substrate. The liquid supply to the substrate is supplied through the liquid supply line and through the nozzle. The supply of the liquid supplied to the substrate through the nozzle is controlled by opening and closing the flow path through a cut-off valve provided in the liquid supply line. Further, after the liquid is supplied to the substrate, the liquid remaining in the nozzle is sucked back through the suck-back valve so that the liquid remaining in the nozzle is not supplied to the substrate.

기존에는 개폐 밸브와 석백 밸브를 제어하기 위해 정/역회전에 의해 개폐 밸브와 석백 밸브로 공기의 공급 및 배기를 조절하는 스테핑 모터가 사용되었다.Previously, a stepping motor was used to regulate the supply and exhaust of air to and from the open / close valve and the quartz valve by forward / reverse rotation to control the opening and closing valves and the quartz valve.

그러나, 이러한 스테핑 모터는 회전 운동에 의해 다이어프램의 직선 운동을 유도해야하므로 오차가 발생하고, 제어가 복잡하여 탈조 현상이 빈번히 발생하였다.However, since such a stepping motor is required to induce a linear movement of the diaphragm by rotational motion, an error occurs, and control is complicated, so that a step-out phenomenon occurs frequently.

따라서, 보다 간단한 구조로 개폐 밸브와 석백 밸브를 정확하게 제어할 수 있는 조절 부재가 요구된다.Therefore, a regulating member capable of accurately controlling the opening / closing valve and the stoker valve with a simpler structure is required.

본 발명의 목적은 기판으로 액 공급시 개폐 밸브와 석백 밸브를 보다 안정적으로 정확하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of more stably and precisely controlling an open / close valve and a quartz valve when supplying a liquid to a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems. Other technical subjects not mentioned will be apparent to those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 액 공급 유닛은, 노즐; 상기 노즐과 연결되는 액 공급라인; 및 상기 액 공급라인 상에 설치되는 액 공급 밸브를 포함하고, 상기 액 공급 밸브는, 내부에 상기 액이 흐르는 유로를 가지는 바디; 상기 바디 내부에 설치되며, 상기 유로의 상태를 조절하는 다이어프램; 및 상기 액 공급 라인으로 공급되는 상기 액의 액 공급 신호 및 액 공급 중단 신호에 기초하여 상기 다이어프램의 이동을 조절하는 조절 부재를 포함할 수 있다.An apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a chamber for providing a space for processing a substrate; A support unit for supporting the substrate in the chamber; And a liquid supply unit for supplying liquid to the substrate supported by the support unit, wherein the liquid supply unit comprises: a nozzle; A liquid supply line connected to the nozzle; And a liquid supply valve provided on the liquid supply line, wherein the liquid supply valve includes: a body having a passage through which the liquid flows; A diaphragm installed inside the body, the diaphragm adjusting a state of the flow path; And an adjusting member for adjusting the movement of the diaphragm based on a liquid supply signal and a liquid supply stop signal of the liquid supplied to the liquid supply line.

일 실시 예에 있어서, 상기 액 공급 밸브는 상기 유로를 개폐하는 개폐 밸브이고, 상기 조절 부재는, 상기 다이어프램을 구동하는 실린더에 공기를 공급하는 제1 공급 라인; 상기 실린더에서 상기 공기를 배기하는 제1 배기 라인; 상기 제1 공급 라인에 설치되어 공기의 공급을 조절하는 제1 조절 밸브; 상기 제1 배기 라인에 설치되어 공기의 배기를 조절하는 제2 조절 밸브; 및 상기 제1 조절 밸브 및 상기 제2 조절 밸브로 공기의 공급 신호 및 배기 신호를 인가하는 제어기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply valve is an on-off valve that opens and closes the flow path, and the adjustment member includes: a first supply line for supplying air to a cylinder driving the diaphragm; A first exhaust line for exhausting the air from the cylinder; A first control valve installed in the first supply line to regulate the supply of air; A second regulating valve installed in the first exhaust line for regulating exhaust of air; And a controller for applying an air supply signal and an exhaust signal to the first control valve and the second control valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 액 공급 신호에 따라 상기 제1 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고, 상기 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제2 조절 밸브로 배기 신호를 인가할 수 있다.In one embodiment, the controller may apply a supply signal to the first control valve in accordance with the liquid supply signal, and apply an exhaust signal to the second control valve in accordance with the liquid supply stop signal.

일 실시 예에 있어서, 상기 액 공급 밸브는 상기 노즐에 잔류하는 상기 액을 석백하는 석백 밸브를 포함하고, 상기 조절 부재는, 상기 다이어프램을 구동하는 실린더에 공기를 공급하는 제2 공급 라인; 상기 실린더에서 상기 공기를 배기하는 제2 배기 라인; 및 상기 제2 공급 라인에 설치되어 공기의 공급을 조절하는 제3 조절 밸브; 상기 제2 배기 라인에 설치되어 공기의 배기를 조절하는 제4 조절 밸브; 및 상기 제3 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브로 공기의 공급 신호 및 배기 신호를 인가하는 제어기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply valve includes a quartz valve for churning the liquid remaining in the nozzle, the regulating member comprising: a second supply line for supplying air to the cylinder driving the diaphragm; A second exhaust line for exhausting the air from the cylinder; And a third regulating valve installed in the second supply line for regulating the supply of air; A fourth control valve installed in the second exhaust line for regulating exhaust of air; And a controller for applying an air supply signal and an exhaust signal to the third control valve and the fourth control valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 액 공급 신호에 따라 상기 제3 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고, 상기 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가할 수 있다.In one embodiment, the controller may apply a supply signal to the third control valve in accordance with the liquid supply signal, and apply an exhaust signal to the fourth control valve in accordance with the liquid supply stop signal.

일 실시 예에 있어서, 상기 액 공급 밸브는, 제1 다이어프램을 포함하는 개폐 밸브; 및 제2 다이어프램을 포함하는 석백 밸브를 포함하고, 상기 조절 부재는, 상기 제1 다이어프램을 구동하는 제1 실린더에 공기를 공급하는 제1 공급 라인과 상기 제1 실린더에서 공기를 배기하는 제1 배기 라인; 상기 제2 다이어프램을 구동하는 제2 실린더에 공기를 공급하는 제2 공급라인과 상기 제2 다이어프램을 구동하는 제2 실린더에서 공기를 배기하는 제2 배기 라인; 상기 제1 공급 라인 및 상기 제2 공급 라인에 각각 설치되어 공기의 공급을 조절하는 제1 조절 밸브 및 제3 조절 밸브; 상기 제1 배기 라인 및 상기 제2 배기 라인에 각각 설치되어 공기의 배기를 조절하는 제2 조절 밸브 및 제4 조절 밸브; 및 상기 제1 조절 밸브 및 상기 제3 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고, 상기 제2 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브로 공기 배기 신호를 인가하는 제어기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply valve includes: an on-off valve including a first diaphragm; And a choke valve including a second diaphragm, wherein the adjustment member includes a first supply line for supplying air to a first cylinder driving the first diaphragm, and a second exhaust line for exhausting air from the first cylinder, line; A second supply line for supplying air to a second cylinder for driving the second diaphragm, and a second exhaust line for exhausting air from a second cylinder for driving the second diaphragm; A first regulating valve and a third regulating valve respectively installed in the first supply line and the second supply line to regulate supply of air; A second regulating valve and a fourth regulating valve respectively installed in the first exhaust line and the second exhaust line to regulate exhaust of air; And a controller for applying a supply signal to the first control valve and the third control valve, and applying an air exhaust signal to the second control valve and the fourth control valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 액 공급 라인의 액 공급 신호에 따라 상기 제1 조절 밸브와 상기 제3 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고, 상기 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제2 조절 밸브와 상기 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가할 수 있다.In one embodiment, the controller applies a supply signal to the first control valve and the third control valve in accordance with a liquid supply signal of the liquid supply line, And an exhaust signal can be applied to the second control valve and the fourth control valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 제2 조절 밸브의 배기 중단 신호에 따라 상기 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가할 수 있다.In one embodiment, the controller may apply an exhaust signal to the fourth control valve in accordance with an exhaust stop signal of the second control valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 노즐의 토출구에 설치되어 상기 노즐의 토출구로의 물질의 유입을 감지하는 센서부를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 센서부에서 감지된 신호에 기초하여 제2 배기 신호를 인가할 수 있다.The controller may further include a sensor unit installed at a discharge port of the nozzle to sense the inflow of a substance into the discharge port of the nozzle, and the controller may control the second exhaust signal based on a signal sensed by the sensor unit. .

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 조절 밸브, 상기 제2 조절 밸브, 상기 제3 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브는 솔레노이드 밸브로 제공될 수 있다.In one embodiment, the first regulating valve, the second regulating valve, the third regulating valve, and the fourth regulating valve may be provided as a solenoid valve.

일 실시 예에 있어서, 상기 공급 신호 및 상기 배기 신호는 상기 제1 조절 밸브, 상기 제2 조절 밸브, 상기 제3 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브로 인가되는 전류 신호일 수 있다.In one embodiment, the supply signal and the exhaust signal may be a current signal applied to the first regulating valve, the second regulating valve, the third regulating valve, and the fourth regulating valve.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리 공정 진행시, 상기 액 공급 라인으로 공급되는 액 공급 여부에 기초하여 상기 액의 토출을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to an embodiment of the present invention is a method for processing a substrate by using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, And the like.

일 실시 예에 있어서, 상기 액의 토출을 조절하는 단계는, 상기 액 공급 라인의 액 공급 신호에 따라 상기 제1 조절 밸브와 상기 제3 조절 밸브로 공기를 공급하는 공급 신호를 인가하는 단계; 및 상기 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제2 조절 밸브와 상기 제4 조절 밸브로 공기를 배기하는 배기 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, the step of regulating the discharge of the liquid includes the steps of: applying a supply signal for supplying air to the first regulating valve and the third regulating valve in accordance with the liquid supply signal of the liquid supply line; And applying an exhaust signal for exhausting air to the second control valve and the fourth control valve in accordance with a liquid supply stop signal of the liquid supply line.

일 실시 예에 있어서, 상기 배기 신호를 인가하는 단계는, 상기 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 제2 조절 밸브로 배기 신호를 인가하는 단계; 및 상기 제2 조절 밸브의 배기 중단 신호에 따라 상기 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, the step of applying the exhaust signal includes the steps of: applying an exhaust signal to the second control valve in accordance with a liquid supply stop signal of the liquid supply line; And applying an exhaust signal to the fourth control valve according to an exhaust stop signal of the second control valve.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판으로 액 공급시 개폐 밸브와 석백 밸브를 보다 안정적으로 정확하게 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to control the open / close valve and the starboard valve more stably and accurately when supplying the liquid to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 밸브를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따라 각 조절 밸브로 인가되는 신호를 시간의 흐름에 따라 나타낸 그래프이다.
도 7 내지 도 9는 도 6에 도시된 신호에 따라 조절되는 개폐 밸브 및 석백 밸브의 동작을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 11은 도 10의 센서부(554), 휘발성 액체 공급부(556) 및 구동부(558)의 작용을 설명하기 위한 확대도이다.
도 12는 도 10에 도시된 기판 처리 장치의 각 조절 밸브로 인가되는 신호를 시간의 흐름에 따라 나타낸 그래프이다.
도 13은 도 10에 도시된 기판 처리 장치의 조절 부재로 도 12에 도시된 신호가 인가된 경우, 노즐에 석백된 액을 나타낸 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the direction AA.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the BB direction.
4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
5 is a cross-sectional view showing a liquid supply valve according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph illustrating a signal applied to each control valve according to an exemplary embodiment of the present invention with time.
FIGS. 7 to 9 are views schematically showing the operation of the on-off valve and the stoneware valve adjusted according to the signal shown in FIG.
10 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
11 is an enlarged view for explaining the action of the sensor unit 554, the volatile liquid supply unit 556 and the drive unit 558 in Fig.
12 is a graph showing a signal applied to each control valve of the substrate processing apparatus shown in FIG. 10 according to the passage of time.
Fig. 13 is a diagram showing the liquid that has been clinked in the nozzle when the signal shown in Fig. 12 is applied to the adjustment member of the substrate processing apparatus shown in Fig.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. Although not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not. The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한 '구비한다', '갖는다' 등도 이와 동일하게 해석되어야 한다.In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. Also, 'equipped' and 'possessed' should be interpreted in the same way.

본 발명은 기판으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판으로 액 공급시 액 공급 밸브를 안정적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛 및 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 액 공급 유닛은, 노즐, 노즐과 연결되는 액 공급라인 및 액 공급라인 상에 설치되는 액 공급 밸브를 포함하고, 액 공급 밸브는, 내부에 상기 액이 흐르는 유로를 가지는 바디, 바디 내부에 설치되며, 유로의 상태를 조절하는 다이어프램; 및 액 공급 라인으로 공급되는 액의 액 공급 신호 및 액 공급 중단 신호에 기초하여 상기 다이어프램의 이동을 조절하는 조절 부재를 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to a substrate, and a substrate processing apparatus capable of stably controlling the liquid supply valve when supplying a liquid to the substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber for providing a space for processing a substrate, a support unit for supporting the substrate in the chamber, Wherein the liquid supply unit includes a nozzle, a liquid supply line connected to the nozzle, and a liquid supply valve provided on the liquid supply line, wherein the liquid supply valve includes: A body having a flow path through which the liquid flows, a diaphragm installed inside the body, the diaphragm adjusting the state of the flow path, And an adjusting member for adjusting the movement of the diaphragm based on a liquid supply signal and a liquid supply stop signal of the liquid supplied to the liquid supply line.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, can be used to perform a coating process, a developing process, and the like on a substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view of the substrate processing facility of FIG. 1 viewed from the direction AA, FIG. 3 is a cross- FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 모듈(900)이 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and developing module 400, and a purge module 800 do. The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction in one direction. The purge module 800 may be provided in the interface module 700. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure module 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16, Quot;

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, the interface module 700, and the fuzzy module 800 will be described in detail.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 accommodating wafers W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 120 are arranged in a line along the second direction 14. In Fig. 1, an example in which four placement tables 120 are provided is shown.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 and the buffer module 300 placed on the table 120 of the load port 100. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is provided so that the hand 221 directly handling the substrate W is movable and rotatable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 includes a housing 331 and a first buffer robot 360. The housing 331 supports the index robot 220 and the first buffer robot 360 in a direction in which the index robot 220 is provided, 1 buffer robot 360 has an opening (not shown) in the direction in which it is provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The first buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is driven only in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)가 놓이는 상면 및 기판(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with the index robot 220 and the development module 402 so that the development robot can carry the substrate W to or from the cooling plate 352 in the direction in which the index robot 220 is provided, The robot has an opening in the direction provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors for opening and closing the above-described opening.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 포토레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 공정 챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 공정 챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 공정 챔버(500)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a step of applying a sensitizing liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment step such as heating and cooling for the substrate W before and after the photoresist application step. The application module 401 has a process chamber 500, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The process chamber 500, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. A plurality of process chambers 500 are provided, and a plurality of process chambers 500 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 공정 챔버들(500), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 420, the process chambers 500 and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

공정 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 공정 챔버(500)에서는 도포 공정을 수행하는 기판 처리 장치(500)가 제공될 수 있다. 이하 공정 챔버(500)에서 도포 공정을 수행하는 기판 처리 장치(500)가 제공된 예를 들어 설명한다. The process chambers 500 all have the same structure. In the process chamber 500, a substrate processing apparatus 500 for performing a coating process may be provided. Hereinafter, an example in which the substrate processing apparatus 500 for performing the coating process in the process chamber 500 is provided will be described.

도 4는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(500)는 처리액을 공급하여 기판에 도포 공정을 수행한다. 일 예로 처리액은 감광액일 수 있다. 이하에서는 감광액은 포토레지스트로 제공되는 것으로 설명한다. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. Hereinafter, referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 500 performs a coating process on a substrate by supplying a process liquid. For example, the treatment liquid may be a sensitizing solution. Hereinafter, it is described that the photosensitive liquid is provided as a photoresist.

다만, 각각의 기판 처리 장치(500)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. However, the kinds of the photoresist used in each of the substrate processing apparatuses 500 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist.

기판 처리 장치(500)는 챔버(510), 하우징(520), 지지 유닛(530), 액 공급 유닛(550) 그리고 가스 공급 유닛(570)을 포함한다.The substrate processing apparatus 500 includes a chamber 510, a housing 520, a support unit 530, a liquid supply unit 550, and a gas supply unit 570.

챔버(510)는 내부에 처리 공간을 제공한다. The chamber 510 provides a processing space therein.

하우징(520)은 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 하우징(520)은 컵의 형상으로 제공된다. 하우징(520)은 지지 유닛(530)을 감싸며 제공된다. 하우징(530)의 내부에는 처리 공간을 제공한다. The housing 520 is provided in an open top shape. The housing 520 is provided in the form of a cup. The housing 520 is provided wrapping around the support unit 530. The inside of the housing 530 provides a processing space.

지지 유닛(530)은 처리 공간에 위치한다. 지지 유닛(530)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(530)은 지지판(531), 지지 핀(533), 척 핀(535), 지지축(537) 그리고 회전 구동기(539)을 포함한다.The support unit 530 is located in the processing space. The support unit 530 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 530 includes a support plate 531, a support pin 533, a chuck pin 535, a support shaft 537, and a rotation driver 539.

지지판(531)은 기판을 지지한다. 지지판(531)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(531)의 저면에는 회전 구동기(539)에 의해 회전가능한 지지축(537)이 고정결합된다. 지지 핀(533)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(533)은 지지판(531)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(531)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(533)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(533)은 지지판(531)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. The support plate 531 supports the substrate. The support plate 531 has an upper surface which is generally provided in a circular shape when viewed from above. A support shaft 537 rotatable by a rotation driver 539 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 531. A plurality of support pins 533 are provided. The support pins 533 are spaced apart from the edge of the upper surface of the support plate 531 by a predetermined distance and project upward from the support plate 531. The support pins 533 are arranged so as to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 533 supports the rear edge of the substrate such that the substrate is spaced apart from the upper surface of the support plate 531 by a predetermined distance.

척 핀(535)은 복수 개 제공된다. 척 핀(535)은 지지판(531)의 중심에서 지지 핀(533)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(535)은 지지판(531)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(535)은 지지판(531)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(535)은 지지판(531)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(531)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지 유닛(530)이 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(535)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(535)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(535)은 기판의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 535 are provided. The chuck pin 535 is disposed farther from the center of the support plate 531 than the support pin 533. The chuck pin 535 is provided so as to protrude upward from the support plate 531. The chuck pin 535 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the support plate 531 is rotated. The chuck pin 535 is provided so as to be movable linearly between the standby position and the support position along the radial direction of the support plate 531. The standby position is a position far from the center of the support plate 531 as compared with the support position. When the substrate is loaded or unloaded by the supporting unit 530, the chuck pin 535 is placed in the standby position and the chuck pin 535 is placed in the supporting position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 535 contacts the side of the substrate.

가스 공급 유닛(570)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 기체를 공급한다. 일 예로 기체는 불활성 가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스 또는 아르곤 가스로 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(570)은 노즐 지지대(571), 가스 노즐(573), 지지축(575), 그리고 가스 구동기(577)를 가진다. 지지축(575)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(575)의 하단에는 가스 구동기(577)가 결합된다. 가스 구동기(577)는 지지축(575)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(571)는 가스 구동기(577)와 결합된 지지축(575)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 가스 노즐(573)은 노즐 지지대(571)의 끝단 저면에 설치된다. 가스 노즐(573)은 가스 구동기(577)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 가스 노즐(573)이 하우징(520)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 가스 노즐(573)이 하우징(520)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 가스 노즐(573)에서 공급되는 기체는 기판의 중심부에 공급된다. 가스 노즐은 가스 구동기(577)에 의해서 기체를 기판의 중심영역 내에서 이동하면서 공급 할 수 있다. The gas supply unit 570 supplies gas to the substrate W during a substrate processing process. As an example, the gas may be provided as an inert gas. As an example, the inert gas may be provided as nitrogen gas or argon gas. The gas supply unit 570 has a nozzle support 571, a gas nozzle 573, a support shaft 575, and a gas driver 577. The support shaft 575 is provided along its longitudinal direction in the third direction 16 and a gas driver 577 is coupled to the lower end of the support shaft 575. The gas driver 577 rotates and lifts the support shaft 575. The nozzle support 571 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 575 coupled with the gas driver 577. The gas nozzle 573 is installed at the bottom end of the nozzle support 571. The gas nozzle 573 is moved to the process position and the standby position by the gas driver 577. The process position is the position where the gas nozzle 573 is disposed at the vertical upper portion of the housing 520 and the standby position is the position at which the gas nozzle 573 deviates from the vertical upper portion of the housing 520. The gas supplied from the gas nozzle 573 is supplied to the central portion of the substrate. The gas nozzle can supply gas while moving within the central region of the substrate by the gas driver 577.

액 공급 유닛(550)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 액을 공급한다. 액은 제1 처리액 또는 제2 처리액을 포함할 수 있다. 일 예로 액은 감광액으로 제공될 수 있다. 일 예로 감광액은 포토레지스트일 수 있다.The liquid supply unit 550 supplies the liquid to the substrate W during the substrate processing process. The liquid may include a first treatment liquid or a second treatment liquid. For example, the liquid may be provided as a sensitizing solution. For example, the photosensitive liquid may be a photoresist.

액 공급 유닛(550)은 액 노즐 지지대(551), 노즐(533), 지지축(555), 액 구동기(557), 액 공급라인(559) 그리고 액 공급 밸브(600)을 가진다.The liquid supply unit 550 has a liquid nozzle support 551, a nozzle 533, a support shaft 555, a liquid driver 557, a liquid supply line 559 and a liquid supply valve 600.

지지축(555)은 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(555)의 하단에는 액 구동기(557)가 결합된다. 액 구동기(557)는 지지축(555)을 회전 및 승강 운동한다. 액 노즐 지지대(551)는 액 구동기(557)와 결합된 지지축(555)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(533)은 액 노즐 지지대(551)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(533)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(533)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가질 수 있다. 노즐(533)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 노즐(533)은 액 구동기(557)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(533)이 하우징(520)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(533)이 하우징(520)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(533)은 처리액을 기판의 중앙 영역에 공급한다. The support shaft 555 is provided along its length direction in the third direction 16 and the liquid driver 557 is coupled to the lower end of the support shaft 555. The liquid driver 557 rotates and lifts the support shaft 555. The liquid nozzle support 551 is vertically coupled to the opposite end of the support shaft 555 coupled with the liquid driver 557. The nozzle 533 is installed at the bottom end of the liquid nozzle support 551. The nozzle 533 has a circular tube shape and can supply the liquid to the center of the substrate W. [ Optionally, the nozzle 533 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W. [ The discharge port of the nozzle 533 may be provided as a slit. The nozzle 533 is moved to the process position and the standby position by the liquid driver 557. The process position is a position in which the nozzle 533 is disposed at a vertically upper portion of the housing 520 and a standby position is a position at which the nozzle 533 is deviated from the vertical upper portion of the housing 520. The nozzle 533 supplies the process liquid to the central region of the substrate.

기판 처리 장치는(500)에는 포토레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(미도시)이 더 제공될 수 있다.The substrate processing apparatus 500 may further include a nozzle (not shown) for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W coated with the photoresist.

액 공급라인(559)은 노즐(553)과 연결된다. 액 공급라인(559)에는 외부로부터 공급받은 액을 노즐(553)로 공급한다. The liquid supply line 559 is connected to the nozzle 553. The liquid supplied to the liquid supply line 559 from the outside is supplied to the nozzle 553.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 밸브를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 5를 참고하면, 액 공급 밸브(600)는 액 공급라인(559) 상에 연결된다. 액 공급 밸브(600)는 내부에 액이 흐르는 유로(611)를 가진다. 액 공급 밸브(600)는 유로(611)를 개폐하여 노즐(553)에 액을 공급하는 개폐 밸브(630)로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 액 공급 밸브(600)는 노즐(553)에 잔류하는 액을 석백하는 석백 밸브(650)로 제공될 수 있다. 선택적으로 액 공급 밸브(600)는 유로(611)를 개폐하는 개폐 밸브(630)와 노즐(553)에 잔류하는 액을 석백하는 석백 밸브(650)를 포함하도록 제공될 수 있다. 본 실시 예에서는 액 공급 밸브(600)가 개폐 밸브(630)와 석백 밸브(650)를 포함하는 것을 예로 들어 설명한다. 5 is a cross-sectional view showing a liquid supply valve according to an embodiment of the present invention. 5, the liquid supply valve 600 is connected on the liquid supply line 559. [ The liquid supply valve 600 has a flow path 611 through which liquid flows. The liquid supply valve 600 may be provided as an open / close valve 630 for opening and closing the flow path 611 and supplying the liquid to the nozzle 553. Alternatively, the liquid supply valve 600 may be provided with a quartz valve 650 for churning the liquid remaining in the nozzle 553. Optionally, the liquid supply valve 600 may be provided to include an open / close valve 630 for opening and closing the flow path 611 and a quartz valve 650 for churning the liquid remaining in the nozzle 553. In the present embodiment, the liquid supply valve 600 includes an open / close valve 630 and a starboard valve 650. [

액 공급 밸브(600)는 바디(610), 개폐 밸브(630), 석백 밸브(650) 그리고 조절 부재(670)를 포함한다.The liquid supply valve 600 includes a body 610, an on-off valve 630, a quartz valve 650, and an adjusting member 670.

바디(610)는 내부에 액이 흐르는 유로(611)를 가진다. 바디(610)는 내부에는 개폐 밸브(630)와 석백 밸브(650)가 위치한다. 유로(611)는 외부로부터 공급받은 액이 흐른다. 유로(611)는 바디(610)의 하부 공간에 형성한다. 유로(611)는 개폐 밸브(630)에서 석백 밸브(650)까지 연장되어 제공된다. The body 610 has a flow path 611 through which liquid flows. Inside the body 610, an on-off valve 630 and a quartz valve 650 are located. The flow channel 611 flows from the outside. The flow path 611 is formed in the lower space of the body 610. The oil line 611 is provided extending from the on-off valve 630 to the starch valve 650.

개폐 밸브(630)는 바디(610) 내부에 설치되어, 유로(611)를 개폐한다. 개폐 밸브(630)는 제1스프링(635)을 가진다. The opening / closing valve 630 is installed inside the body 610 to open / close the flow path 611. The opening / closing valve 630 has a first spring 635.

제1다이어프램(631)은 제1실린더(633)의 구동에 따라 상하로 움직일 수 있다. 제1다이어프램(631)은 제1실린더(633)의 구동에 의해 유로(611)를 개폐할 수 있다. 제1다이어프램(631)은 후술하는 조절 부재(670)의 조절에 따라 이동이 조절된다. The first diaphragm 631 can move up and down according to the driving of the first cylinder 633. The first diaphragm 631 can open and close the oil passage 611 by driving the first cylinder 633. The movement of the first diaphragm 631 is adjusted by adjusting the adjusting member 670, which will be described later.

제1실린더(633)는 제1유입구(637)를 통해서 유입되는 공기의 양에 따라 상하로 움직인다. 제1실린더(633)의 상부에는 제1스프링(635)이 설치된다. 제1스프링(635)의 하단은 제1실린더(633)의 상면과 접촉하고, 제1스프링(635)의 상단은 바디(610)의 상부벽 내면에 접촉한다. The first cylinder 633 moves up and down according to the amount of air flowing through the first inlet 637. A first spring 635 is installed on the upper portion of the first cylinder 633. The lower end of the first spring 635 is in contact with the upper surface of the first cylinder 633 and the upper end of the first spring 635 is in contact with the inner surface of the upper wall of the body 610.

제1유입구(637)는 공기가 유입 또는 유출되는 입구이다. 제1유입구(637)는 바디(610)의 측벽에 형성된다. 제1유입구(637)에서 유입된 공기가 제1실린더(633)의 하부로 유입되고, 제1실린더(633)는 상부로 이동된다. 이와는 달리, 제1유입구(637)를 통해 공기가 배기되면, 제1실린더(633) 상부에 설치된 제1스프링(635)의 복원력에 의해 제1실린더(633)는 하부로 이동한다. 제1유입구(637)에서 유입되는 공기 또는 제1유입구(637)를 통해서 배기되는 공기에 의해 제1실린더(633)는 상하로 움직인다. 제1실린더(633)의 상하 움직임으로 이와 결합된 제1다이어프램(631)도 상하로 움직인다. 제1다이어프램(631)의 상하 움직임에 의해 유로(611)는 개폐된다. 후술하는 조절 부재(670)의 조절에 의해 제1다이어프램의 이동을 조절하여 유로(611)에 유입되는 액의 유량을 조절 가능하다. The first inlet 637 is an inlet through which air flows in or out. The first inlet 637 is formed in the side wall of the body 610. The air introduced from the first inlet 637 flows into the lower portion of the first cylinder 633, and the first cylinder 633 moves upward. When the air is exhausted through the first inlet 637, the first cylinder 633 moves down due to the restoring force of the first spring 635 installed on the first cylinder 633. The first cylinder 633 moves up and down by air introduced from the first inlet 637 or air exhausted through the first inlet 637. [ The first diaphragm 631 coupled with the upward movement of the first cylinder 633 also moves up and down. The flow path 611 is opened and closed by the upward and downward movement of the first diaphragm 631. The flow rate of the liquid flowing into the flow path 611 can be adjusted by controlling the movement of the first diaphragm by adjusting the adjusting member 670 to be described later.

석백 밸브(650)는 노즐(553)에 잔류하는 액을 석백한다. 석백 밸브(650)는 개폐 밸브(630)의 후단에 위치한다. 석백 밸브(650)는 바디(610)의 내부에 위치한다. 석백 밸브(650)는 제2다이어프램(651), 제2실린더(653) 그리고 제2스프링(655)을 가진다. The quartz valve 650 rotates the liquid remaining on the nozzle 553. The quartz valve 650 is located at the rear end of the opening / closing valve 630. The quartz valve 650 is located inside the body 610. The quartz valve 650 has a second diaphragm 651, a second cylinder 653, and a second spring 655.

제2다이어프램(651)은 유로(611)와 인접하여 위치된다. 제2다이어프램(651)은 제2실린더(653)와 연결된다. 제2다이어프램(651)은 제2실린더(653)의 구동에 따라 상하로 움직일 수 있다. 제2다이어프램(651)은 제2실린더(653)의 구동에 의해 유로(611)에 감압을 제공할 수 있다. 제2다이어프램(651)은 후술하는 조절 부재(670)의 제어에 따라 이동한다.The second diaphragm 651 is positioned adjacent to the flow path 611. The second diaphragm 651 is connected to the second cylinder 653. The second diaphragm 651 can be moved up and down according to the driving of the second cylinder 653. The second diaphragm 651 can provide reduced pressure to the flow path 611 by driving the second cylinder 653. [ The second diaphragm 651 moves under the control of a control member 670 described later.

제2실린더(653)는 제2유입구(657)를 통해서 유입되는 공기의 양에 따라 상하로 움직인다. The second cylinder 653 moves up and down according to the amount of air flowing through the second inlet 657.

제2실린더(653)의 하부에는 제2스프링(655)이 설치된다. 제2스프링(655)의 상단은 제2실린더(653)의 하면과 접촉하고, 제2스프링(655)의 하단은 바디(610)의 하부벽 내면에 접촉한다. A second spring 655 is provided below the second cylinder 653. The upper end of the second spring 655 is in contact with the lower surface of the second cylinder 653 and the lower end of the second spring 655 is in contact with the inner surface of the lower wall of the body 610.

제2유입구(657)는 공기가 유입 또는 유출되는 입구이다. 제2유입구(657)는 바디(610)의 측벽에 형성된다. 제2유입구(657)에서 유입된 공기가 제2실린더(653)의 상부로 유입되고, 제2실린더(653)는 하부로 이동된다. 이와는 달리, 제2유입구(657)를 통해 공기가 배기되면, 제2실린더(653) 하부에 설치된 제2스프링(655)의 복원력에 의해 제2실린더(653)는 상부로 이동한다. 제2유입구(657)에서 유입되는 공기 또는 제2유입구(657)를 통해서 배기되는 공기에 이해 제2실린더(653)는 상하로 움직인다. 제2실린더(653)의 상하 움직임으로 이와 결합된 제2다이어프램(651)도 상하로 움직인다. 제2다이어프램(651)의 상하 움직임에 의해 유로(611)에 감압을 제공한다. 후술하는 조절 부재(670)의 조절에 의해 제2다이어프램(651)의 이동 조절함으로써, 노즐(553)에 잔류하는 액의 석백이 실시될 수 있다. The second inlet 657 is an inlet through which air flows in or out. A second inlet 657 is formed in the side wall of the body 610. The air introduced from the second inlet 657 flows into the upper portion of the second cylinder 653, and the second cylinder 653 is moved downward. When the air is exhausted through the second inlet 657, the second cylinder 653 moves upward due to the restoring force of the second spring 655 installed under the second cylinder 653. The second cylinder 653 moves up and down to the air introduced from the second inlet 657 or the air exhausted through the second inlet 657. [ The second diaphragm 651 coupled with the upward and downward movement of the second cylinder 653 also moves up and down. The second diaphragm 651 moves up and down to provide a reduced pressure to the oil passage 611. [ By controlling the movement of the second diaphragm 651 by adjusting the adjusting member 670 to be described later, the liquid remaining in the nozzle 553 can be pushed back.

조절 부재(670)는 제1공급라인(675), 제1배기라인(676), 제2공급라인(677), 제2배기라인(678), 제1조절밸브(671), 제2조절밸브(672), 제3조절밸브(673), 제4조절밸브(674) 및 제어기(679)를 포함할 수 있다.The regulating member 670 includes a first supply line 675, a first exhaust line 676, a second supply line 677, a second exhaust line 678, a first regulating valve 671, A second control valve 672, a third control valve 673, a fourth control valve 674, and a controller 679.

제1공급라인(675)은 제1실린더(633)에 공기를 공급하여 제1실린더(633)를 상부로 이동시킬 수 있게 한다. 제1공급라인(675)은 개폐 밸브(630)와 인접하게 위치한다. 제1공급라인(675)은 석백 밸브(650)보다 개폐 밸브(630)에 더 가깝게 위치한다. 제1공급라인(675)은 제1유입구(637)와 연결된다. 제1공급라인(675)은 제1실린더(633)에 공기를 공급한다. The first supply line 675 supplies air to the first cylinder 633 to move the first cylinder 633 upward. The first supply line 675 is located adjacent to the on-off valve 630. The first supply line 675 is located closer to the opening / closing valve 630 than the quartz valve 650. The first supply line 675 is connected to the first inlet 637. The first supply line 675 supplies air to the first cylinder 633.

제1배기라인(676)은 제1실린더(633)에서 공기를 배기하여 제1실린더(633)는 하부로 이동시킬 수 있다. 제1배기라인(676)은 개폐 밸브(630)와 인접하게 위치한다. 제1배기라인(676)은 석백 밸브(650)보다 개폐 밸브(630)에 더 가깝게 위치한다. 제1배기라인(676)은 제1유입구(637)와 연결된다. 제2배기라인(678)은 제1실린더(633)에서 공기를 배기한다. The first exhaust line 676 can exhaust air from the first cylinder 633 and move the first cylinder 633 downward. The first exhaust line 676 is located adjacent to the on-off valve 630. The first exhaust line 676 is positioned closer to the opening / closing valve 630 than the quartz valve 650. The first exhaust line 676 is connected to the first inlet 637. The second exhaust line 678 exhausts air from the first cylinder 633.

제2공급라인(677)은 제2실린더(653)에 공기를 공급하여 제2실린더(653)를 하부로 이동시킬 수 있게 한다. 제2공급라인(677)은 석백 밸브(650)와 인접하게 위치한다. 제2공급라인(677)은 개폐 밸브(630)보다 석백 밸브(650)에 더 가깝게 위치한다. 제2공급라인(677)은 제2유입구(657)와 연결된다. 제2공급라인(677)은 제2실린더(653)에 공기를 공급한다. The second supply line 677 supplies air to the second cylinder 653 to move the second cylinder 653 downward. The second supply line 677 is located adjacent to the starboard valve 650. The second supply line 677 is located closer to the starboard valve 650 than the opening / closing valve 630. The second supply line 677 is connected to the second inlet 657. The second supply line 677 supplies air to the second cylinder 653.

제2배기라인(678)은 제2실린더(653)에서 공기를 배기하여 제2실린더(653)는 상부로 이동시킬 수 있다. 제2배기라인(678)은 석백 밸브(650)와 인접하게 위치한다. 제1배기라인(676)은 개폐 밸브(630)보다 석백 밸브(650)에 더 가깝게 위치한다. 제2배기라인(678)은 제2유입구(657)와 연결된다. 제2배기라인(678)은 제2실린더(653)에서 공기를 배기한다. The second exhaust line 678 can exhaust air in the second cylinder 653 and move the second cylinder 653 upward. The second exhaust line 678 is located adjacent to the starboard valve 650. The first exhaust line 676 is located closer to the chalk valve 650 than the opening / closing valve 630. The second exhaust line 678 is connected to the second inlet 657. The second exhaust line 678 evacuates air in the second cylinder 653.

제1조절밸브(671)는 제1공급라인(675)에 설치된다. 제1조절밸브(671)는 제1공급라인(675)을 개폐한다. 제2조절밸브(672)는 제1배기라인(676)에 설치된다. 제2조절밸브(672)는 제1배기라인(676)을 개폐한다. 제3조절밸브(673)는 제2공급라인(677)에 설치된다. 제3조절밸브(673)는 제2공급라인(677)을 개폐한다. 제4조절밸브(674)는 제2배기라인(678)에 설치된다. 제4조절밸브(674)는 제2배기라인(678)을 개폐한다. The first control valve 671 is installed in the first supply line 675. The first control valve 671 opens and closes the first supply line 675. The second regulating valve 672 is installed in the first exhaust line 676. The second control valve 672 opens and closes the first exhaust line 676. The third control valve 673 is installed in the second supply line 677. The third control valve 673 opens and closes the second supply line 677. The fourth control valve 674 is installed in the second exhaust line 678. The fourth control valve 674 opens and closes the second exhaust line 678.

제1조절밸브(671), 제2조절밸브(672), 제3조절밸브(673) 그리고 제4조절밸브(674)는 제어기(679)에 의해 인가되는 공급 신호 및 배기 신호에 따라 개폐된다. 일 실시 예로, 제1조절밸브(671), 제2조절밸브(672), 제3조절밸브(673) 그리고 제4조절밸브(674)는 전류 인가 여부에 따라 개폐를 조절할 수 있는 솔레노이드 밸브로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1조절밸브(671), 제2조절밸브(672), 제3조절밸브(673) 그리고 제4조절밸브(674)로 인가되는 신호를 전류 신호일 수 있다.The first regulating valve 671, the second regulating valve 672, the third regulating valve 673 and the fourth regulating valve 674 are opened and closed in accordance with the supply signal and the exhaust signal applied by the controller 679. The first control valve 671, the second control valve 672, the third control valve 673 and the fourth control valve 674 are provided as a solenoid valve capable of opening and closing depending on whether current is applied or not . In this case, the signals applied to the first control valve 671, the second control valve 672, the third control valve 673, and the fourth control valve 674 may be current signals.

제어기(679)는 액 공급라인(559)으로 공급되는 액의 액 공급 신호 및 액 공급 중단 신호에 기초하여 제1조절밸브(671), 제2조절밸브(672), 제3조절밸브(673) 및 제4조절밸브(674)로 공기의 공급 신호 또는 배기 신호를 인가한여 각 조절밸브를 제어한다.The controller 679 controls the first control valve 671, the second control valve 672 and the third control valve 673 based on the liquid supply signal and the liquid supply stop signal of the liquid supplied to the liquid supply line 559, And the fourth control valve 674 to control the air control valve.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따라 각 조절 밸브로 인가되는 신호를 시간의 흐름에 따라 나타낸 그래프이다.FIG. 6 is a graph illustrating a signal applied to each control valve according to an exemplary embodiment of the present invention with time.

도 6에 도시된 바와 같이, 제어기는 액 공급 라인의 액 공급 신호(LP) 및 액 공급 중단 신호(LP)에 기초하여 각 조절밸브로 각 밸브의 개폐를 조절하기 위한 공급 신호와 배기 신호를 인가할 수 있다. 예로서, 상기 제어기는 액 공급 신호(LP)가 입력되면 제1 조절밸브와 제3 조절밸브로 공기의 공급 신호를 인가할 수 있다. 또한, 액 공급 중단 신호(LS)가 입력되는 경우, 제2 조절밸브와 제4 조절밸브로 공기의 배기 신호를 인가할 수 있다. 일 실시 예로서, 제4 조절 밸브로 인가되는 배기 신호는 제2 조절 밸브로 인가되는 배기 신호가 중단된 후에 배기될 수 있다. 즉, 제2 조절 밸브의 배기 중단 신호에 따라 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가할 수 있다. 일 실시 예로서, 도 6에 도시된 T1 내지 T3 및 T5는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 조절될 수 있다. 일 실시 예로서, T4는 제2 조절밸브로 인가되는 배기 신호의 시간보다 긴 시간일 수 있다.As shown in Fig. 6, the controller applies a supply signal and an exhaust signal for controlling the opening and closing of each valve to each control valve based on the liquid supply signal LP and the liquid supply stop signal LP of the liquid supply line can do. For example, the controller may apply a supply signal of air to the first control valve and the third control valve when the liquid supply signal LP is inputted. In addition, when the liquid supply stop signal LS is inputted, exhaust signals of air can be applied to the second control valve and the fourth control valve. In one embodiment, the exhaust signal applied to the fourth control valve may be exhausted after the exhaust signal applied to the second control valve is stopped. That is, the exhaust signal can be applied to the fourth control valve in accordance with the exhaust stop signal of the second control valve. In one embodiment, T1 through T3 and T5 shown in FIG. 6 may be zero, but are not limited thereto and can be adjusted as needed. In one embodiment, T4 may be longer than the time of the exhaust signal applied to the second regulating valve.

도 7 내지 도 9는 도 6에 도시된 신호에 따라 조절되는 개폐 밸브 및 석백 밸브의 동작을 개략적으로 나타낸 도면이다.FIGS. 7 to 9 are views schematically showing the operation of the on-off valve and the stoneware valve adjusted according to the signal shown in FIG.

도 7은 도 6에서 제1 조절밸브 및 제3 조절밸브로 신호가 인가된 시점의 개폐 밸브(630) 및 석백 밸브(650)를 나타낸다. 즉, 제1 조절 밸브(671) 및 제3 조절밸브(673)가 열리고, 제1 공급라인(675) 및 제2 공급라인(673)으로 공기가 공급되어 제1 실린더(633)에 의해 제1 다이어프램(631)이 상부로 이동하고, 석백 밸브(650)에는 후에 유로에 감압을 제공하여 석백이 실시될 수 있도록 제2 실린더(653) 내에 공기가 채워진다. 이에 따라 기판으로 공급되는 액이 원활하게 유로(611)를 통과하여 흐를 수 있다.FIG. 7 shows an open / close valve 630 and a chalk valve 650 when a signal is applied to the first control valve and the third control valve in FIG. That is, the first control valve 671 and the third control valve 673 are opened and air is supplied to the first supply line 675 and the second supply line 673, The diaphragm 631 moves upward and the quartz valve 650 is then filled with air in the second cylinder 653 so as to provide a reduced pressure to the passage so that the piston can be pumped. Accordingly, the liquid supplied to the substrate can flow smoothly through the flow path 611.

도 8은 도 6에서 제2 조절밸브로 신호가 인가된 시점의 개폐 밸브(630) 및 석백 밸브(650)를 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 조절 밸브(672)가 열리고, 제1 배기라인(676)으로 제1 실린더(633) 내의 공기가 배기된다. 이에 따라, 제1 다이어프램(631)이 하부로 이동하여 액 공급이 중단되기 전 이미 공급된 액이 유로를 통과하지 못하도록 막을 수 있다.FIG. 8 shows an open / close valve 630 and a chalk valve 650 when a signal is applied to the second control valve in FIG. The second control valve 672 is opened and the air in the first cylinder 633 is exhausted to the first exhaust line 676 as shown in Fig. Accordingly, it is possible to prevent the already supplied liquid from passing through the flow path before the first diaphragm 631 moves down and stops supplying the liquid.

도 9는 도 6에서 제4 조절밸브로 신호가 인가된 시점의 개폐 밸브(630) 및 석백 밸브(650)를 나타낸다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제4 조절 밸브(674)가 열리고, 제2 배기라인(678)으로 제2 실린더(653) 내의 공기가 배기되어 제2 다이어프램(651)이 상부로 이동하며, 유로(611)에 감압이 제공된다. 이에 따라, 노즐에 잔류하는 액의 석백이 실시된다.FIG. 9 shows an open / close valve 630 and a chalk valve 650 at the time when a signal is applied to the fourth control valve in FIG. The fourth control valve 674 is opened and the air in the second cylinder 653 is exhausted to the second exhaust line 678 to move the second diaphragm 651 upward, (611) is provided with a reduced pressure. Thus, the liquid remaining in the nozzle is pushed back.

도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.10 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 센서부(554), 휘발성 액체 공급부(556) 및 구동부(558)를 더 포함할 수 있다.10, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may further include a sensor unit 554, a volatile liquid supply unit 556, and a driver 558.

도 11은 도 10의 센서부(554), 휘발성 액체 공급부(556) 및 구동부(558)의 작용을 설명하기 위한 확대도이다.11 is an enlarged view for explaining the action of the sensor unit 554, the volatile liquid supply unit 556 and the drive unit 558 in Fig.

센서부(554)는 노즐(553)의 토출구에 설치되어 외부에서 노즐의 토출구로의 물질의 유입을 감지할 수 있다. 휘발성 액체 공급부(556)는 휘발성을 갖는 액체를 노즐의 토출구에 제공한다. 구동부(558)는 액 노즐 지지대(551)에 설치되고, 휘발성 액체 공급부(556)에 연결되어 휘발성 액체 공급부(556)을 회전시킬 수 있다.The sensor unit 554 may be installed at the discharge port of the nozzle 553 to sense the inflow of the substance from the outside into the discharge port of the nozzle. The volatile liquid supply portion 556 supplies liquid having volatility to the discharge port of the nozzle. The driving unit 558 is installed in the liquid nozzle support 551 and is connected to the volatile liquid supply unit 556 to rotate the volatile liquid supply unit 556. [

도 12는 도 10에 도시된 기판 처리 장치의 각 조절 밸브로 인가되는 신호를 시간의 흐름에 따라 나타낸 그래프이다.12 is a graph showing a signal applied to each control valve of the substrate processing apparatus shown in FIG. 10 according to the passage of time.

도 12에 도시된 바와 같이, 제어기는 제4 조절 부재로 복수의 신호를 인가할 수 있다. 예로서, 제4 조절 부재로 인가되는 복수의 신호는 제1 배기 신호, 제2 배기 신호, 제3 배기 신호를 포함할 수 있다. As shown in Fig. 12, the controller can apply a plurality of signals to the fourth adjustment member. For example, the plurality of signals applied to the fourth adjustment member may include a first exhaust signal, a second exhaust signal, and a third exhaust signal.

일 실시 예로서, 제2 배기 신호는 센서부(554)에서 감지된 신호에 기초하여 인가될 수 있다. 즉, 제1 배기 신호에 의해 1차 석백이 실시된 후, 휘발성 액체 공급부(556)가 노즐(553)의 토출구에 제공되어 물질의 유입이 감지되는 경우, 제어기는 제2 조절 밸브로 제2 배기 신호를 인가하여 2차 석백을 실시할 수 있다. 이에 따라, 휘발성 액체 공급부(556)에 제공된 액체가 노즐(553)로 석백된다. 또한, 센서부에 의해 물질의 유입이 감지되지 않는 경우, 제어기는 제2 조절 밸브로 제3 배기 신호를 인가하여 3차 석백을 실시할 수 있다. 이에 따라, 노즐의 끝단에 공기층이 형성될 수 있다.In one embodiment, the second exhaust signal may be applied based on the signal sensed at the sensor portion 554. [ That is, after the primary pumping is performed by the first exhaust signal, when the volatile liquid supply portion 556 is provided at the discharge port of the nozzle 553 to detect the inflow of the substance, the controller controls the second exhaust valve A second quartz stone can be applied by applying a signal. Thus, the liquid provided to the volatile liquid supply portion 556 is coagulated with the nozzle 553. [ In addition, when no sensor is detected by the sensor unit, the controller can apply the third exhaust signal to the second control valve to perform the third quartz crystal. Accordingly, an air layer can be formed at the end of the nozzle.

도 13은 도 10에 도시된 기판 처리 장치의 조절 부재로 도 12에 도시된 신호가 인가된 경우, 노즐에 석백된 액을 나타낸 도면이다.Fig. 13 is a diagram showing the liquid that has been clinked in the nozzle when the signal shown in Fig. 12 is applied to the adjustment member of the substrate processing apparatus shown in Fig.

도 13에 도시된 바와 같이, 1차 석백된 액층(PR)의 하부에 휘발성 액체층(VL)이 형성되고, 휘발성 액체층(VL)의 하부에 공기층(AL)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 휘발성 있는 액체층이 기판으로 공급되는 액, 즉 1차 석백된 액을 보호하는 보호층으로서 작용할 수 있다.As shown in FIG. 13, a volatile liquid layer VL may be formed below the primary molten liquid layer PR, and an air layer AL may be formed below the volatile liquid layer VL. Accordingly, the volatile liquid layer can act as a protective layer for protecting the liquid supplied to the substrate, that is, the primary molten liquid.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여, 액 공급 라인으로 공급되는 액 공급 여부에 기초하여 액의 토출을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include the step of adjusting the discharge of the liquid based on whether or not the liquid supplied to the liquid supply line is supplied using the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention have.

일 실시 예에 있어서, 액의 토출을 조절하는 단계는 액 공급 라인의 액 공급 신호에 따라 상기 제1 조절 밸브와 상기 제3 조절 밸브로 공기를 공급하는 공급 신호를 인가하는 단계 및 상기 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제2 조절 밸브와 상기 제4 조절 밸브로 공기를 배기하는 배기 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 예로서, 배기 신호를 인가하는 단계는 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 제2 조절 밸브로 배기 신호를 인가하는 단계 및 상기 제2 조절 밸브의 배기 중단 신호에 따라 상기 제4 조절 밸브로 배기 신호를 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 배기 신호를 인가하는 단계는 복수 회로 반복될 수 있다.In one embodiment, adjusting the ejection of the liquid comprises applying a supply signal to supply air to the first and third control valves in accordance with the liquid supply signal of the liquid supply line, And supplying an exhaust signal for exhausting air to the second control valve and the fourth control valve in accordance with a liquid supply stop signal of the first control valve. For example, the step of applying the exhaust signal may include the steps of applying an exhaust signal to the second control valve in accordance with the liquid supply stop signal of the liquid supply line, and supplying the exhaust signal to the fourth control valve in accordance with the exhaust stop signal of the second control valve. And applying a signal. In one embodiment, the step of applying an exhaust signal may be repeated a plurality of times.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It is to be understood that the above-described embodiments are provided to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it is to be understood that various modifications are possible within the scope of the present invention. It is to be understood that the technical scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims and the technical scope of protection of the present invention is not limited to the literary description of the claims, To the invention of the invention.

600: 액 공급 밸브
630: 개폐 밸브
650: 석백 밸브
670: 조절 부재600: Liquid supply valve
630: opening / closing valve
650: Stoneware valve
670: Adjustable member

Claims (14)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
노즐;
상기 노즐과 연결되는 액 공급라인; 및
상기 액 공급라인 상에 설치되는 액 공급 밸브를 포함하고,
상기 액 공급 밸브는,
내부에 상기 액이 흐르는 유로를 가지는 바디;
상기 바디 내부에 설치되며, 상기 유로의 상태를 조절하는 다이어프램; 및
상기 액 공급 라인으로 공급되는 상기 액의 액 공급 신호 및 액 공급 중단 신호에 기초하여 상기 다이어프램의 이동을 조절하는 조절 부재를 포함하고,
상기 액 공급 밸브는,
제1 다이어프램을 포함하는 개폐 밸브; 및
제2 다이어프램을 포함하는 석백 밸브를 포함하고,
상기 조절 부재는,
상기 제1 다이어프램을 구동하는 제1 실린더에 공기를 공급하는 제1 공급 라인과 상기 제1 실린더에서 공기를 배기하는 제1 배기 라인;
상기 제2 다이어프램을 구동하는 제2 실린더에 공기를 공급하는 제2 공급라인과 상기 제2 다이어프램을 구동하는 제2 실린더에서 공기를 배기하는 제2 배기 라인;
상기 제1 공급 라인 및 상기 제2 공급 라인에 각각 설치되어 공기의 공급을 조절하는 제1 조절 밸브 및 제3 조절 밸브;
상기 제1 배기 라인 및 상기 제2 배기 라인에 각각 설치되어 공기의 배기를 조절하는 제2 조절 밸브 및 제4 조절 밸브; 및
상기 제1 조절 밸브 및 상기 제3 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고, 상기 제2 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브로 공기 배기 신호를 인가하는 제어기를 포함하며,
상기 제어기는,
상기 액 공급 라인의 액 공급 신호에 따라 상기 제1 조절 밸브와 상기 제3 조절 밸브로 공급 신호를 인가하고,
상기 액 공급 라인의 액 공급 중단 신호에 따라 상기 제2 조절 밸브로 배기 신호를 인가하며,
상기 제2 조절 밸브의 배기 중단 신호에 따라 상기 제4 조절 밸브로 제1 배기 신호를 인가하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A chamber for providing a space for processing the substrate;
A support unit for supporting the substrate in the chamber; And
And a liquid supply unit for supplying the liquid to the substrate supported by the support unit,
The liquid supply unit includes:
Nozzle;
A liquid supply line connected to the nozzle; And
And a liquid supply valve provided on the liquid supply line,
The liquid supply valve includes:
A body having a flow path through which the liquid flows;
A diaphragm installed inside the body, the diaphragm adjusting a state of the flow path; And
And an adjusting member for adjusting the movement of the diaphragm based on a liquid supply signal and a liquid supply stop signal of the liquid supplied to the liquid supply line,
The liquid supply valve includes:
An open / close valve including a first diaphragm; And
A quartz valve comprising a second diaphragm,
Wherein the adjustment member comprises:
A first supply line for supplying air to a first cylinder driving the first diaphragm; a first exhaust line for exhausting air from the first cylinder;
A second supply line for supplying air to a second cylinder for driving the second diaphragm, and a second exhaust line for exhausting air from a second cylinder for driving the second diaphragm;
A first regulating valve and a third regulating valve respectively installed in the first supply line and the second supply line to regulate supply of air;
A second regulating valve and a fourth regulating valve respectively installed in the first exhaust line and the second exhaust line to regulate exhaust of air; And
And a controller for applying a supply signal to the first control valve and the third control valve and applying an air exhaust signal to the second control valve and the fourth control valve,
The controller comprising:
Supplying a supply signal to the first control valve and the third control valve in accordance with a liquid supply signal of the liquid supply line,
An exhaust signal is applied to the second control valve in accordance with a liquid supply stop signal of the liquid supply line,
And applies a first exhaust signal to the fourth control valve in accordance with an exhaust stop signal of the second control valve. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 노즐의 토출구에 설치되어 상기 노즐의 토출구로의 물질의 유입을 감지하는 센서부를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 센서부에서 감지된 신호에 기초하여 제2 배기 신호를 인가하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a sensor unit installed at a discharge port of the nozzle for sensing the inflow of a substance into the discharge port of the nozzle,
The controller comprising:
And applies a second exhaust signal based on a signal sensed by the sensor unit. 제1 항에 있어서,
상기 제1 조절 밸브, 상기 제2 조절 밸브, 상기 제3 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브는 솔레노이드 밸브로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first control valve, the second control valve, the third control valve, and the fourth control valve are provided as solenoid valves. 제10 항에 있어서,
상기 공급 신호 및 상기 배기 신호는 상기 제1 조절 밸브, 상기 제2 조절 밸브, 상기 제3 조절 밸브 및 상기 제4 조절 밸브로 인가되는 전류 신호인 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the supply signal and the exhaust signal are current signals applied to the first control valve, the second control valve, the third control valve, and the fourth control valve. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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