KR20170026821A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber; a container positioned inside the process chamber and having a process space; a support unit disposed in the process space to support the substrate; a liquid supply unit for supplying a processing liquid onto the substrate placed on the support unit; and a temperature control unit for controlling the temperature of the processing liquid supplied onto the substrate, wherein the temperature control unit provides a fluid capable of heat exchange around the processing liquid to maintain the temperature of the processing liquid at a predetermined temperature and adjusts the temperature of the processing liquid by heating or cooling the processing liquid before the processing liquid is supplied onto the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for treating a substrate}[0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로 보다 구체적으로는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method of processing the substrate, and more particularly to an apparatus and a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, the photolithography process sequentially performs the application, exposure, and development steps. The application step is a step of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.

한편, 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 공정에서 기판에 공급되는 처리액은 공정마다 설정된 온도로 유지하여 공급한다. 하나의 기판 처리 장치에는 복수의 공정 챔버들이 제공되며, 다양한 기판 처리 공정을 수행한다. 이 때, 복수의 공정 챔버에 제공되는 처리액의 설정 온도는 모두 동일할 수도 있고, 각각 상이하게 제공될 수 있다. 공정의 종류나 공정의 과정에 따라, 공급되는 처리액의 설정 온도가 달라질 수 있기 때문이다. 각각의 공정 챔버에 상이하게 설정된 온도로 제공되는 처리액의 온도를 조절하는 것은 기판 처리 공정 수행에 있어서 중요한 영향을 미친다. 만약, 설정 온도를 벗어난 처리액을 기판에 공급하는 경우 기판 처리 공정에 효율을 떨어뜨리는 문제가 있다.On the other hand, in the step of supplying the treatment liquid to the substrate and treating the treatment liquid, the treatment liquid supplied to the substrate is maintained at the set temperature for each step. One substrate processing apparatus is provided with a plurality of process chambers and performs various substrate processing processes. At this time, the set temperatures of the processing liquids provided to the plurality of process chambers may be all the same or may be provided differently. This is because the set temperature of the process liquid to be supplied may vary depending on the type of process and the process. Adjusting the temperature of the process liquid provided at a different set temperature for each process chamber has an important influence on the performance of the substrate processing process. If the processing solution is supplied to the substrate beyond the set temperature, there is a problem that the efficiency of the substrate processing step is lowered.

본 발명은 기판에 공급되는 처리액의 온도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of adjusting the temperature of a processing liquid supplied to the substrate.

또한, 본 발명은 기판에 공급되는 처리액을 국부적으로 가열 또는 냉각시켜 기설정된 온도로 기판에 처리액을 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of locally heating or cooling a processing solution supplied to a substrate to supply the processing solution to the substrate at a predetermined temperature.

본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정 챔버와 상기 공정 챔버의 내부에 위치하며 처리 공간을 가지는 용기와 상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 지지 유닛에 놓인 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과 그리고 기판에 공급되는 상기 처리액의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛을 포함하되 상기 온도 조절 유닛은 상기 처리액의 주위에서 열교환 할 수 있는 유체를 제공하여 상기 처리액의 온도를 기설정된 온도로 유지하며, 상기 처리액이 기판에 공급되기 전에 가열 또는 냉각하여 상기 처리액의 온도를 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising a process chamber, a container positioned inside the process chamber and having a process space, a support unit disposed in the process space and supporting the substrate, And a temperature control unit for controlling the temperature of the processing liquid supplied to the substrate, wherein the temperature control unit provides a fluid capable of heat exchange around the processing liquid, The temperature of the liquid can be controlled by keeping the temperature of the liquid at a predetermined temperature and heating or cooling the liquid before the liquid is supplied to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 노즐과 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 공급관과 그리고 상기 공급관을 감싸며 제공되는 노즐암을 포함하고 상기 온도 조절 유닛은 상기 유체를 상기 노즐암 내부로 공급하는 유입관과 상기 유입관으로부터 공급된 상기 유체가 흐르는 유체관과 상기 유체가 외부로 유출되는 유출관과 그리고 상기 노즐암에 부착되어 상기 처리액을 가열 또는 냉각할 수 있는 온도 조절부를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the liquid supply unit includes a nozzle, a supply pipe for supplying the process liquid to the nozzle, and a nozzle arm provided to surround the supply pipe, and the temperature control unit supplies the fluid into the nozzle arm And a temperature control unit attached to the nozzle arm and capable of heating or cooling the process liquid. The fluid control apparatus according to any one of claims 1 to 3, have.

일 실시 에에 의하면, 상기 유체관은 상기 공급관을 감싸며 제공되고 상기 노즐암은 상기 유체관을 감싸며 제공될 수 있다.According to one embodiment, the fluid tube is provided so as to surround the supply tube, and the nozzle arm can be provided to surround the fluid tube.

일 실시 에에 의하면, 상기 온도 조절부는 상기 노즐암에 부착되는 제1온도 조절부와 상기 노즐암에 부착되는 제2온도 조절부를 포함하되 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나는 상기 처리액을 가열하며 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나는 상기 처리액을 냉각할 수 있다. According to one embodiment, the temperature controller includes a first temperature controller attached to the nozzle arm and a second temperature controller attached to the nozzle arm, wherein one of the first temperature controller and the second temperature controller May heat the treatment liquid, and the other of the first temperature regulation unit and the second temperature regulation unit may cool the treatment liquid.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부는 펠티어 소자로 제공될 수 있다. According to an embodiment, the first temperature regulator and the second temperature regulator may be provided as Peltier elements.

일 실시 예에 의하면, 상기 온도 조절 유닛은 상기 노즐암 내부에 위치하며, 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 측정부와 상기 온도 측정부에서 측정된 온도 정보를 받아 상기 온도 조절부를 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 온도 정보가 상기 기설정된 온도에서 벗어나는 경우 상기 처리액의 온도를 상기 온도 조절부를 통해서 제어할 수 있다. According to one embodiment, the temperature adjusting unit includes a temperature measuring unit positioned inside the nozzle arm and measuring the temperature of the processing solution, and a controller controlling the temperature adjusting unit by receiving temperature information measured by the temperature measuring unit The controller may control the temperature of the processing solution through the temperature controller when the temperature information measured by the temperature measuring unit deviates from the predetermined temperature.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 처리액의 온도가 상기 기설정된 온도보다 높은 경우 상기 제1온도 조절부 또는 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나에 전류를 흘려 보내 상기 처리액을 냉각하도록 상기 온도 조절부를 제어하며 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 처리액의 온도가 상기 기설정된 온도 보다 낮은 경우 상기 제1온도 조절부 또는 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나에 전류를 흘려 보내 상기 처리액을 가열하도록 상기 온도 조절부를 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, when the temperature of the processing solution measured by the temperature measuring unit is higher than the predetermined temperature, the controller causes a current to flow through the first temperature adjusting unit or the second temperature adjusting unit Wherein the control unit controls the temperature regulator to cool the process liquid, and when the temperature of the process liquid measured by the temperature measurement unit is lower than the predetermined temperature, the other of the first temperature regulator and the second temperature regulator To control the temperature regulating unit to heat the treatment liquid.

일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버는 복수개 제공되며 상기 온도 조절 유닛은 상기 유체가 저장되는 유체 저장부와 상기 유체 저장부의 상기 유체의 온도를 기설정된 온도로 유지하는 유체 조절부와 그리고 상기 유체 저장부와 연결되며 상기 유체를 복수의 상기 공정 챔버로 공급하는 공급 라인을 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, a plurality of process chambers are provided, and the temperature control unit includes a fluid reservoir for storing the fluid, a fluid regulator for maintaining the temperature of the fluid in the fluid reservoir at a predetermined temperature, And a supply line connected to the plurality of process chambers and supplying the fluid to the plurality of process chambers.

일 실시 예에 의하면, 상기 공급 라인은 상기 유체 저장부와 연결되는 메인 라인과 상기 메인 라인에서 분기되어 복수의 상기 공정 챔버에 상기 유체를 공급하는 복수의 분기 라인과 그리고 일단은 복수의 상기 분기 라인과 연결되며, 타단은 상기 유체 저장부와 연결되는 회수 라인을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the supply line includes a main line connected to the fluid reservoir, a plurality of branch lines branching from the main line to supply the fluid to the plurality of process chambers, and a plurality of branch lines, And the other end may include a recovery line connected to the fluid reservoir.

일 실시 예에 의하면, 상기 유체는 항온수로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the fluid may be provided as constant temperature water.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액은 포토레지스트로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the treatment liquid may be provided as a photoresist.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method of treating a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 기판에 기설정된 온도로 유지된 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하되 상기 처리액 주변에서 상기 처리액과 열교환할 수 있는 유체를 통해서 상기 처리액은 상기 기설정된 온도를 유지하며, 상기 처리액이 상기 기판에 공급되기 전에 상기 기설정된 온도를 벗어나는 경우 상기 처리액을 가열 또는 냉각하여 상기 기설정된 온도로 상기 기판에 공급할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method includes: supplying a processing solution maintained at a predetermined temperature to a substrate to process the substrate, wherein the processing is performed through a fluid capable of heat- The solution maintains the predetermined temperature and can supply the substrate with the predetermined temperature by heating or cooling the processing solution when the processing solution is out of the predetermined temperature before being supplied to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액의 가열 또는 냉각은 제1온도 조절부와 제2온도 조절부를 포함하는 온도 조절부를 통해서 이루어지며 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나는 상기 처리액을 가열하며, 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나는 상기 처리액을 냉각할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the heating or cooling of the treatment liquid is performed through a temperature control unit including a first temperature control unit and a second temperature control unit, and one of the first temperature control unit and the second temperature control unit And the other of the first temperature regulator and the second temperature regulator may cool the process liquid.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부는 펠티어 소자로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first temperature regulator and the second temperature regulator may be provided as Peltier elements.

일 실시 예에 의하면, 상기 유체는 항온수로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the fluid may be provided as constant temperature water.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액은 포토레지스트로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the treatment liquid may be provided as a photoresist.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 복수의 공정 챔버에 공급되는 처리액의 온도를 조절할 수 있어 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the temperature of the processing solution supplied to a plurality of process chambers can be controlled, thereby improving the efficiency of the substrate processing process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리액의 온도를 국부적으로 조절 할 수 있어 복수의 공정 챔버에서 처리액의 온도를 상이하게 조절할 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, the temperature of the processing liquid can be locally adjusted, and the temperature of the processing liquid can be controlled differently in a plurality of processing chambers.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 공정 챔버의 단면을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 온도 조절 유닛의 일부를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 노즐암의 일부를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 노즐암을 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the direction AA.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 viewed from the BB direction.
Figure 4 is a cross-sectional view of the process chamber of Figure 1;
Fig. 5 is a view showing a part of the temperature control unit of Fig. 1;
FIG. 6 is a perspective view showing a part of the nozzle arm of FIG. 4;
FIG. 7 is a cross-sectional view of the nozzle arm of FIG. 6 viewed from CC 'direction.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. Particularly, the substrate processing apparatus of this embodiment is used for performing a coating process and a developing process on a substrate.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 to 3 are schematic views of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 is a view showing the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 viewed from the direction AA, FIG. 3 is a view showing the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 as BB Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and developing module 400, an interface module 700, (800). The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction in one direction. The purge module 800 may be provided in the interface module 700. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure device at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)과 각각 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.Hereinafter, a direction in which the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are arranged is referred to as a first direction 12, A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16, Quot;

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공된다. 재치대들(120)은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나, 재치대(120)는 공정과 필요에 따라, 이와는 다른 개수로 제공될 수 있다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of placement tables 120 are provided. The mounts 120 are arranged in a line along the second direction 14. In Fig. 2, an example in which four placement tables 120 are provided is shown. However, the placement table 120 may be provided in a different number, depending on the process and needs.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 and the buffer module 300 placed on the table 120 of the load port 100.

인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1방향(12), 제2방향(14) 그리고 제3방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다.The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is provided so that the hand 221 directly handling the substrate W is movable and rotatable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16.

인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(310)은 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제2방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the form of a hollow rectangular parallelepiped. The frame 310 is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided at a height corresponding to the developing module 402 of the coating and developing module 400 described later. The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 includes a housing 331 and a first buffer robot 360. The housing 331 supports the index robot 220 and the first buffer robot 360 in a direction in which the index robot 220 is provided, 1 buffer robot 360 has an opening (not shown) in the direction in which it is provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다.The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14.

아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The first buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is driven only in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with the index robot 220 and the development module 402 so that the development robot can carry the substrate W to or from the cooling plate 352 in the direction in which the index robot 220 is provided, The robot has an opening in the direction provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors for opening and closing the above-described opening.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 공정 챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 공정 챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 공정 챔버(500)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 공정 챔버(500)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 공정 챔버(500)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a process chamber 500, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The process chamber 500, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Thus, the process chamber 500 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of process chambers 500 are provided, and a plurality of process chambers 500 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six process chambers 500 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 공정 챔버들(500), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 420, the process chambers 500 and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

공정 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 공정 챔버(500)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. The process chambers 500 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the process chambers 500 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist.

도 4는 도 1의 공정 챔버의 단면을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 1의 온도 조절 유닛의 일부를 보여주는 도면이다. 이하, 도 1 내지 도 5를 참고하면, 공정 챔버(500)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정을 수행할 수 있다. 공정 챔버(500)는 액 도포 공정이 수행된다. FIG. 4 is a cross-sectional view of the process chamber of FIG. 1, and FIG. 5 is a view illustrating a portion of the temperature control unit of FIG. Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 5, the process chamber 500 may perform a process of applying a photoresist on the substrate W. FIG. The process chamber 500 is subjected to a liquid coating process.

공정 챔버(500)는 하우징(510), 용기(520), 지지 유닛(530), 승강 유닛(570), 액 공급 유닛(550), 그리고 온도 조절 유닛(600)을 포함한다. The process chamber 500 includes a housing 510, a container 520, a support unit 530, a lift unit 570, a liquid supply unit 550, and a temperature control unit 600.

하우징(510)은 내부에 공간을 가진다. 하우징(510)은 상부에서 바라 볼 때, 직사각형의 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(510)의 일측에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 유입 또는 유출되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행 시 개구를 차단하여 하우징(510)의 내부 공간을 밀폐한다. The housing 510 has a space therein. The housing 510 is provided in a rectangular shape when viewed from above. The housing 510 is provided in a rectangular parallelepiped shape. An opening (not shown) may be formed at one side of the housing 510. The opening serves as an inlet through which the substrate W flows in or out. A door (not shown) may be provided in the opening. The door opens and closes the opening. The door seals the inner space of the housing 510 by cutting off the opening when the substrate processing process is in progress.

하우징(510)의 하부면에는 내측 배기구(515) 및 외측 배기구(517)가 형성된다. 하우징(510) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(515) 및 외측 배기구(517)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 용기(520) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(515)를 통해 배기되고, 용기(520)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(517)를 통해 배기될 수 있다.An inner exhaust port 515 and an outer exhaust port 517 are formed on the lower surface of the housing 510. The airflow formed in the housing 510 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 515 and the outer exhaust port 517. According to one example, the airflow provided in the container 520 is exhausted through the inner exhaust port 515, and the airflow provided outside the container 520 can be exhausted through the outer exhaust port 517.

용기(520)는 하우징(510)의 내부 공간에 위치된다. 용기(520)는 내부에 처리 공간(501)을 제공한다. 용기(520)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 용기(520)는 내측 컵(521) 및 외측 컵(522)을 포함한다. The container 520 is located in the inner space of the housing 510. The vessel 520 provides a processing space 501 therein. The container 520 has a cup shape with an open top. The container 520 includes an inner cup 521 and an outer cup 522.

내측 컵(521)은 지지 유닛(530)을 감싸는 형상으로 제공된다. 내측 컵(521)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(521)은 내측 배기구(515)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(521)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다.The inner cup 521 is provided in a shape that wraps around the support unit 530. The inner cup 521 is provided in a circular plate shape. The inner cup 521 is positioned to overlap with the inner exhaust port 515 when viewed from above. The top surface of the inner cup 521 is provided such that its outer and inner regions are inclined at different angles from each other.

일 예에 의하면, 내측 컵(521)의 외측 영역은 지지 유닛(530)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(521)의 내측 영역은 지지 유닛(530)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다.According to one example, the outer region of the inner cup 521 is provided so as to face downwardly inclined direction away from the support unit 530. The inner region of the inner cup 521 is provided so as to face upwardly oblique direction away from the support unit 530.

내측 컵(521)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(521)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.  The point where the outer region and the inner region of the inner cup 521 meet with each other is vertically provided in correspondence with the side end portion of the substrate W. [ The upper surface area of the inner cup 521 is provided to be rounded. The upper surface area of the inner cup 521 is provided concave downward. The upper surface area of the inner cup 521 can be provided in the region where the processing liquid flows.

외측 컵(522)은 지지 유닛(530) 및 내측 컵(521)을 감싸도록 제공된다. 외측 컵(852)은 컵 형상을 가진다. 외측 컵(522)은 바닥벽(524), 측벽(525) 그리고 경사벽(527)을 가진다.The outer cup 522 is provided to enclose the support unit 530 and the inner cup 521. The outer cup 852 has a cup shape. The outer cup 522 has a bottom wall 524, a side wall 525 and an inclined wall 527.

바닥벽(524)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가진다. 바닥벽(524)에는 회수 라인(683)(529)이 형성된다. 회수 라인(683)(529)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(683)(529)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(525)은 지지 유닛(530)을 감싸는 원형의 통 형상을 가진다. 측벽(525)은 바닥벽(524)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(525)은 바닥벽(524)으로부터 상부로 연장된다. The bottom wall 524 has a circular plate shape having a hollow. The bottom wall 524 is provided with a collection line 683 (529). The recovery lines (683) and (529) collect the treatment liquid supplied on the substrate (W). The treatment liquid recovered by the recovery lines 683 and 529 can be reused by an external liquid recovery system. The side wall 525 has a circular tubular shape surrounding the support unit 530. The side wall 525 extends in a direction perpendicular to the side wall of the bottom wall 524. The side wall 525 extends upward from the bottom wall 524.

경사벽(527)은 측벽(525)의 상단으로부터 외측 컵(522)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(527)은 위로 갈수록 지지 유닛(530)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(527)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(527)의 상단은 지지 유닛(530)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The slanted wall 527 extends from the top of the sidewall 525 to the inside of the outer cup 522. The inclined wall 527 is provided so as to approach the supporting unit 530 as it goes up. The inclined wall 527 is provided so as to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 527 is positioned higher than the substrate W supported on the support unit 530. [

지지 유닛(530)은 하우징(510)의 내부 공간에 위치한다. 지지 유닛(530)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(530)은 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 지지 유닛(530)은 스핀척(531), 회전축(533), 그리고 구동기(535)를 포함한다.The support unit 530 is located in the inner space of the housing 510. The support unit 530 supports the substrate W. [ The support unit 530 can rotate the substrate W. [ The support unit 530 includes a spin chuck 531, a rotation shaft 533, and a driver 535. [

스핀척(531)은 을 지지하는 기판 지지 부재로 제공된다. 스핀척(531)은 원형의 판 형상을 가진다. 스핀척(531)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(531)은 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 스핀척(531)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(531)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(531)은 기판(W)을 하부에 제공되는 척핀을 통해서 척킹 또는 언척킹 할 수 있다. The spin chuck 531 is provided with a substrate supporting member for supporting the spin chuck 531. The spin chuck 531 has a circular plate shape. The substrate W contacts the upper surface of the spin chuck 531. The spin chuck 531 may have a smaller diameter than the substrate W. [ According to one example, the spin chuck 531 can vacuum-suck the substrate W and chuck the substrate W. [ Alternatively, the spin chuck 531 may be provided with an electrostatic chuck for supporting the substrate W using static electricity. The spin chuck 531 may chuck or unchuck the substrate W through a chuck pin provided below.

회전축(533) 및 구동기(535)는 스핀척(531)을 회전시킨다. 회전축(533)은 스핀척(531)의 아래에서 스핀척(531)을 지지한다. 회전축(533)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(533)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(535)는 회전축(533)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(535)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotary shaft 533 and the driver 535 rotate the spin chuck 531. The rotating shaft 533 supports the spin chuck 531 below the spin chuck 531. The rotary shaft 533 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The rotary shaft 533 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driver 535 provides a driving force so that the rotating shaft 533 is rotated. For example, the driver 535 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotating shaft.

승강 유닛(570)은 내측 컵(521) 및 외측 컵(522)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(570)은 내측 이동 부재(571) 및 외측 이동 부재(573)를 포함한다. 내측 이동 부재(571)는 내측 컵(521)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(573)는 외측 컵(522)을 승강 이동시킨다. The elevating unit 570 lifts and moves the inner cup 521 and the outer cup 522, respectively. The elevating unit 570 includes an inside moving member 571 and an outside moving member 573. [ The inner moving member 571 moves the inner cup 521 up and down and the outer moving member 573 moves the outer cup 522 up and down.

액 공급 유닛(550)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(550)은 가이드 부재(551), 노즐암(553), 공급관(557) 그리고 노즐(555)을 포함한다.The liquid supply unit 550 supplies the treatment liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 550 includes a guide member 551, a nozzle arm 553, a supply pipe 557, and a nozzle 555.

가이드 부재(551)는 노즐암(553)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(552)을 포함한다. 가이드 레일(552)은 용기(520)의 외측에 위치된다. 가이드 레일(552)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향한다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(552)의 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. The guide member 551 includes a guide rail 552 for moving the nozzle arm 553 in the horizontal direction. The guide rail 552 is located outside the container 520. The longitudinal direction of the guide rail 552 faces the horizontal direction. According to one example, the longitudinal direction of the guide rail 552 may be provided so as to be directed in a direction parallel to the first direction 12.

가이드 레일(552)에는 노즐암(553)이 설치된다. 노즐암(553)은 가이드 레일(552)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 노즐암(553)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(552)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 노즐암(553)의 일단은 가이드 레일(552)에 장착된다. 노즐암(553)의 타단 저면에는 노즐(555)이 설치된다. 상부에서 바라볼 때 노즐(555)은 가이드 레일(552)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 선택적으로 노즐암(553)은 복수 개로 제공되며, 노즐암(553)들(553) 각각에는 노즐(555)이 설치될 수 있다. 또한, 노즐암(553)은 길이 방향이 제3방향(16)을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.The guide rail 552 is provided with a nozzle arm 553. The nozzle arm 553 can be moved by a linear motor provided inside the guide rail 552. The nozzle arm 553 is provided so as to face the longitudinal direction perpendicular to the guide rail 552 when viewed from above. One end of the nozzle arm 553 is mounted on the guide rail 552. A nozzle 555 is provided on the bottom surface of the other end of the nozzle arm 553. The nozzles 555 are arranged in a direction parallel to the longitudinal direction of the guide rails 552 when viewed from above. Optionally, a plurality of nozzle arms 553 may be provided, and a nozzle 555 may be installed in each of the nozzle arms 553. Further, the nozzle arm 553 may be coupled to a rotation axis whose longitudinal direction faces the third direction 16 and may be rotated.

공급관(557)은 노즐암(553)의 내부에 제공된다. 공급관(557)은 외부에 처리액 공급 라인(680)으로부터 처리액을 공급받는다. 노즐암(553)은 공급관(557)을 감싸며 제공된다. 공급관(557)은 내부에 처리액이 흐르며, 처리액을 노즐(555)로 공급한다. The supply pipe 557 is provided inside the nozzle arm 553. The supply pipe 557 receives the treatment liquid from the treatment liquid supply line 680 to the outside. The nozzle arm 553 is provided so as to surround the supply pipe 557. The treatment liquid flows in the supply pipe 557 and supplies the treatment liquid to the nozzle 555.

노즐(555)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 노즐(555)은 노즐암(553) 내부에 제공되는 공급관(557)과 연결된다. 노즐(555)는 공급관(557)으로부터 처리액을 공급받아 에 처리액을 공급한다.The nozzle 555 supplies the treatment liquid onto the substrate W. For example, the treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a photoresist. The nozzle 555 is connected to a supply pipe 557 provided inside the nozzle arm 553. [ The nozzle 555 receives the process liquid from the supply pipe 557 and supplies the process liquid.

노즐(555)은 기판(W)의 중앙 위치에 처리액을 공급한다. 노즐(555)은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 여기서 중앙 위치는 처리액의 공급 위치가 기판(W)의 중심에 대응되는 위치이다. The nozzle 555 supplies the processing liquid to the central position of the substrate W. [ The nozzle 555 is provided such that its discharge port is directed downward in a vertical direction. Here, the central position is a position where the supply position of the processing liquid corresponds to the center of the substrate W.

도 6은 도 4의 노즐암의 일부를 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 6의 노즐암을 C-C' 방향에서 바라본 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 7을 참고하면 온도 조절 유닛(600)은 처리액의 주위에서 열교환 할 수 있는 유체를 제공하여 처리액의 온도를 기설정된 온도로 유지시킨다. 온도 조절 유닛(600)은 처리액이 에 공급되 전에 처리액을 가열 또는 냉각하여 처리액의 온도롤 조절할 수 있다. 온도 조절 유닛(600)은 에 공급되기 전에 처리액의 온도를 체크하여 처리액을 가열 또는 냉각 시켜 처리액을 기설정된 온도로 상에 공급할 수 있다. FIG. 6 is a perspective view showing a part of the nozzle arm of FIG. 4, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the nozzle arm of FIG. 6 taken along the line C-C '. Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 7, the temperature control unit 600 provides a heat-exchangeable fluid around the treatment liquid to maintain the temperature of the treatment liquid at a predetermined temperature. The temperature control unit 600 can control the temperature roll of the treatment liquid by heating or cooling the treatment liquid before the treatment liquid is supplied to the treatment liquid. The temperature control unit 600 can check the temperature of the process liquid before it is supplied to the process, and heat or cool the process liquid to supply the process liquid to a predetermined temperature.

온도 조절 유닛(600)은 유입관(610), 유체관(620), 유출관(630), 온도 조절부(640), 온도 측정부(650), 유체 저장부(660), 유체 조절부(670) 그리고 제어기(690)를 포함한다. The temperature control unit 600 includes an inlet pipe 610, a fluid pipe 620, an outlet pipe 630, a temperature control unit 640, a temperature measurement unit 650, a fluid storage unit 660, 670) and a controller (690).

유입관(610)은 유체 저장부(660)에서 공급 라인(680)을 통해서 공급된 유체를 유체관(620)으로 유입시킨다. 유체는 기설정된 온도로 유체 저장부(660)를 통해서 유입된다. 일 예로 유체는 항온수로 제공된다. 이와는 달리, 기설정된 온도로 유지된 다른 액체로 제공될 수 있다. 유입관(610)은 노즐암(553)을 관통하여 노즐암(553) 내부에 유체관(620)과 연결된다. 유입관(610)은 그 일측은 분기 라인(682)과 연결되며, 타측은 유체관(620)과 연결된다.The inlet pipe 610 introduces the fluid supplied from the fluid reservoir 660 through the supply line 680 to the fluid pipe 620. The fluid flows into the fluid reservoir 660 at a predetermined temperature. In one example, the fluid is provided in constant temperature water. Alternatively, it may be provided with another liquid maintained at a predetermined temperature. The inlet pipe 610 passes through the nozzle arm 553 and is connected to the fluid pipe 620 inside the nozzle arm 553. [ The inlet pipe 610 is connected to the branch line 682 at one side and the fluid pipe 620 at the other side.

유체관(620)은 내부에 유체가 흐르는 유로를 제공한다. 유체관(620)은 공급관(557)을 감싸며 제공된다. 노즐암(553)은 유체관(620)을 감싸며 제공된다. 유체관(620)은 그 일측은 유입관(610)과 연결되며, 타측은 유출관(630)과 연결된다. 유체관(620)에 유체는 공급관(557)에 처리액과 열교환하여 처리액을 기설정된 온도로 유지시킨다. 유체관(620)은 열전도율이 좋은 재질로 제공될 수 있다. The fluid tube 620 provides a flow path for the fluid to flow therein. Fluid tube 620 is provided wrapped around supply tube 557. The nozzle arm 553 is provided so as to surround the fluid tube 620. One side of the fluid pipe 620 is connected to the inflow pipe 610, and the other side is connected to the outflow pipe 630. The fluid in the fluid pipe 620 exchanges heat with the treatment liquid in the supply pipe 557 to maintain the treatment liquid at a predetermined temperature. The fluid pipe 620 may be provided with a material having a good thermal conductivity.

유출관(630)은 유체관(620)과 연결된다. 유출관(630)은 유체관(620)에 유체를 외부로 유출한다. 유출관(630)은 그 일측은 유체관(620)과 연결되며, 타측은 회수라인과 연결되어 제공된다. 유출관(630)은 노즐암(553)을 관통하여 제공된다. The outlet pipe 630 is connected to the fluid pipe 620. The outflow pipe 630 discharges the fluid to the fluid pipe 620 to the outside. The outlet pipe 630 has one side connected to the fluid pipe 620 and the other side connected to the collecting line. The outflow pipe 630 is provided through the nozzle arm 553.

온도 조절부(640)는 처리액을 가열 또는 냉각할 수 있다. 온도 조절부(640)는 노즐암(553)에 부착된다. 온도 조절부(640)는 제1온도 조절부(641)와 제2온도 조절부(642)를 포함한다. The temperature regulating unit 640 can heat or cool the process liquid. The temperature regulating portion 640 is attached to the nozzle arm 553. The temperature controller 640 includes a first temperature controller 641 and a second temperature controller 642.

제1온도 조절부(641)는 노즐암(553)의 일면에 부착된다. 제1온도 조절부(641)는 처리액을 가열 또는 냉각시킬 수 있다. 제2온도 조절부(642)는 노즐암(553)에 일면에 부착된다. 제2온도 조절부(642)는 제1온도 조절부(641)와 부착된 면과 다른면에 부착된다. The first temperature regulating portion 641 is attached to one surface of the nozzle arm 553. The first temperature regulator 641 can heat or cool the process liquid. The second temperature regulating portion 642 is attached to one side of the nozzle arm 553. The second temperature regulating portion 642 is attached to the other surface of the first temperature regulating portion 641 and the attached surface.

제1온도 조절부(641)와 제2온도 조절부(642) 중 어느 하나는 처리액을 가열할 수 있으며, 다른 하나는 처리액을 냉각 시킬 수 있다. 일 예로 제1온도 조절부(641)는 처리액을 가열 할 수 있으며, 제2온도 조절부(642)는 처리액을 냉각 시킬 수 있다. Either one of the first temperature regulator 641 and the second temperature regulator 642 can heat the process liquid and the other can cool the process liquid. For example, the first temperature regulator 641 may heat the process liquid, and the second temperature regulator 642 may cool the process liquid.

일 예로, 제1온도 조절부(641)와 제2온도 조절부(642)는 펠티어 소자로 제공될 수 있다. 펠티어 소자는 전류를 흘려주면 전도성 물질 여러 층의 양끝에 온도차이가 지속되는 현상을 이용한 것으로 한쪽면은 냉각 시 다른 측면은 가열되는 효과를 얻을 수 있다. For example, the first temperature regulator 641 and the second temperature regulator 642 may be provided as Peltier elements. The Peltier device uses a phenomenon in which the temperature difference is maintained at both ends of conductive material layers when current is applied, and one side is heated while the other side is heated.

온도 측정부(650)는 처리액의 온도를 측정한다. 온도 측정부(650)는 노즐암(553)의 내부에 설치 될 수 있다. 일 예로 온도 측정부(650)는 온도 센서로 제공될 수 있다. 온도 측정부(650)에서 측정된 온도 정보는 후술하는 제어기(690)로 전달되며, 처리액의 온도를 조절하는 기능을 한다. The temperature measuring unit 650 measures the temperature of the process liquid. The temperature measuring unit 650 may be installed inside the nozzle arm 553. For example, the temperature measuring unit 650 may be provided as a temperature sensor. The temperature information measured by the temperature measuring unit 650 is transmitted to a controller 690, which will be described later, and controls the temperature of the processing liquid.

유체 저장부(660)는 유체를 저장한다. 유체 저장부(660)는 도포 및 현상 모듈(400)의 맨 아래쪽 단에 위치한다. 유체 저장부(660)는 복수개 제공될 수 있다. 유체 저장부(660)는 내부에 공간을 가지며, 유체를 저장한다. 유체 저장부(660)는 공급 라인(680)과 연결되며, 공급 라인(680)을 통해서 복수의 공정 챔버(500)에 유체를 공급한다. 유체 저장부(660)는 원형의 탱크 형상으로 제공될 수 있다. Fluid reservoir 660 stores fluid. The fluid storage portion 660 is located at the bottom end of the application and development module 400. A plurality of fluid storage portions 660 may be provided. Fluid reservoir 660 has a space therein and stores fluid. Fluid reservoir 660 is connected to supply line 680 and supplies fluid to a plurality of process chambers 500 via supply line 680. The fluid storage portion 660 may be provided in a circular tank shape.

유체 조절부(670)는 유체 저장부(660)의 저장된 온도를 조절한다. 유체 조절부(670)는 유체를 가열 또는 냉각 할 수 있다. 유체 조절부(670)는 유체 저장부(660)에 설치된다. 일 예로 유체 조절부(670)는 유체를 가열하는 히터(671)와 유체를 냉각할 수 있는 냉각 부재(673)로 제공될 수 있다. 히터(671)와 냉각 부재(673)는 유체 저장부(660)의 측벽에 삽입되어 제공될 수 있다. Fluid regulator 670 regulates the stored temperature of fluid reservoir 660. Fluid regulator 670 can heat or cool the fluid. The fluid regulating portion 670 is installed in the fluid reservoir 660. For example, the fluid regulating portion 670 may be provided with a heater 671 for heating the fluid and a cooling member 673 for cooling the fluid. The heater 671 and the cooling member 673 may be inserted into the sidewall of the fluid reservoir 660.

공급 라인(680)은 유체가 흐르는 라인이다. 공급 라인(680)은 유체 저장부(660)에서 공급받은 유체를 복수의 공정 챔버(500)로 공급한다. 공급 라인(680)은 메인 라인(681), 분기 라인(682) 그리고 회수 라인(683)을 포함한다. The supply line 680 is a line through which the fluid flows. The supply line 680 supplies the fluid supplied from the fluid reservoir 660 to the plurality of process chambers 500. The supply line 680 includes a main line 681, a branch line 682, and a return line 683.

메인 라인(681)은 유체 저장부(660)와 연결된다. 메인 라인(681)에는 펌프(685)와 밸브(687)가 설치된다. 펌프(685)는 유체를 분기 라인(682)을 통해서 복수의 공정 챔버(500)로 유체를 보낸다. 밸브(687)는 메인 라인(681)에 설치되어, 공급되는 유체를 유량 및 공급 여부를 조절한다. The main line 681 is connected to the fluid reservoir 660. The main line 681 is provided with a pump 685 and a valve 687. The pump 685 sends fluid to the plurality of process chambers 500 via the branch line 682. A valve 687 is provided in the main line 681 to regulate the flow rate and supply of the supplied fluid.

분기 라인(682)은 그 일단은 메인 라인(681)과 연결되며, 타단은 복수의 공정 챔버(500)로 연결된다. 분기 라인(682)은 복수개 제공된다. One end of the branch line 682 is connected to the main line 681 and the other end is connected to the plurality of process chambers 500. A plurality of branch lines 682 are provided.

회수 라인(683)은 그 일단은 분기 라인(682)과 연결되며, 타단은 유체 저장부(660)와 연결된다. 회수 라인(683)은 공정 챔버(500)로 공급되고 난 유체가 회수되며, 다시 유체 저장부(660)로 이동되도록 제공된다. One end of the recovery line 683 is connected to the branch line 682, and the other end is connected to the fluid storage unit 660. The recovery line 683 is supplied to the process chamber 500, is recovered, and is again provided to be transferred to the fluid reservoir 660.

제어기(690)는 온도 측정부(650)에서 측정된 처리액의 온도 정보를 받아 온도 조절부(640)를 제어한다. 일 예로 제어기(690)는 처리액의 온도가 기설정된 온도를 벗어나는 경우 온도 조절부(640)를 제어하여 처리액의 가열 또는 냉각할 수 있다. The controller 690 receives the temperature information of the process liquid measured by the temperature measuring unit 650 and controls the temperature controller 640. For example, the controller 690 may control the temperature regulating unit 640 to heat or cool the process liquid when the temperature of the process liquid is out of a predetermined temperature.

구체적으로 제어기(690)는 온도 측정부(650)에서 측정된 처리액의 온도가 기설정된 온도보다 높은 경우 제1온도 조절부(641) 또는 제2온도 조절부(642) 중 어느 하나을 제어하여 처리액을 냉각 할 수 있다. 일 예로 펠티어 소자로 제공되는 제1온도 조절부(641)와 제2온도 조절부(642) 중에 어느 하나에 전류를 흘려 보내 처리액을 냉각하여 기설정된 온도로 처리액 온도를 유지한다. More specifically, the controller 690 controls one of the first temperature regulator 641 and the second temperature regulator 642 when the temperature of the process liquid measured by the temperature measuring unit 650 is higher than a preset temperature The liquid can be cooled. For example, a current is supplied to any one of the first temperature regulator 641 and the second temperature regulator 642 provided as a Peltier element to cool the process liquid to maintain the process liquid temperature at a predetermined temperature.

이와 반대로 제어기(690)는 온도 측정부(650)에서 측정된 처리액의 온도가 기설정된 온도보다 낮은 경우 제1온도 조절부(641) 또는 제2온도 조절부(642) 중 다른 하나를 제어하여 처리액을 가열 할 수 있다. 일 예로 펠티어 소자로 제공되는 제1온도 조절부(641)와 제2온도 조절부(642) 중에 다른 하나에 전류를 흘려 보재 처리액을 냉각하여 기설정된 온도로 처리액을 유지한다. On the contrary, the controller 690 controls the other one of the first temperature regulator 641 and the second temperature regulator 642 when the temperature of the process solution measured by the temperature measuring unit 650 is lower than a preset temperature The treatment liquid can be heated. For example, a current is supplied to the other one of the first temperature regulating unit 641 and the second temperature regulating unit 642 provided as a Peltier element to cool the priming processing liquid, and the processing liquid is maintained at a predetermined temperature.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 유체 저장부(660)에서 항온수로 제공되는 유체를 제공하여 복수의 공정 챔버(500)에 제공되는 처리액을 기설정된 온도로 제어 할 수 있다. 또한, 각각의 공정 챔버(500)에서 처리액을 공급하는 노즐(555)에 부착된 온도 조절부(640)를 통해서 에 공급되는 처리액을 가열 또는 냉각 할 수 있어 복수의 공정 챔버(500) 각각에 처리액의 온도를 상이하게 조절 할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)에서 처리액을 국부적으로 가열 할 수 있어, 복수의 공정 챔버(500)에 공급되는 처리액을 개별적으로 제어 할 수 있다. 즉, 처리액의 온도를 효율적으로 제어하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the embodiment of the present invention, the fluid supplied from the fluid reservoir 660 to the constant temperature water can be supplied to control the process fluid supplied to the plurality of process chambers 500 to a predetermined temperature . In addition, the processing liquid supplied through the temperature regulating unit 640 attached to the nozzle 555 for supplying the processing liquid in each of the processing chambers 500 can be heated or cooled, and the plurality of processing chambers 500 The temperature of the treatment liquid can be adjusted differently. That is, the processing liquid can be locally heated in the substrate processing apparatus 1, and the processing liquids supplied to the plurality of processing chambers 500 can be individually controlled. That is, the efficiency of the substrate processing step can be improved by efficiently controlling the temperature of the processing solution.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상 모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 포함한다. The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 includes a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480.

현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 transfers the substrate W between the bake chambers 470, the developing chambers 460 and the second buffer 330 of the first buffer module 300 and the cooling chamber 350 . The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the light irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned within the housing 461 and supports the support plate 462. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the nozzle. Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the nozzle 463, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface to which the developer is supplied.

베이크 챔버(470)는 을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. The bake chamber 470 is heat treated. For example, the bake chambers 470 may include a post bake process for heating the wafer before the development process, a hard bake process for heating the wafer after the development process is performed, and a cooling process for cooling the heated wafer after each bake process . The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. Some of the bake chambers 470 may include only the cooling plate 471 and the other portion may include only the heating plate 472. [ Alternatively, the cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in a single bake chamber 470, respectively.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The interface module 700 transports. The interface module 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 을 운반한다. The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900.

제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the processed substrates before they are transferred to the exposure apparatus 900. And the second buffer 730 temporarily stores them before the process completed in the exposure apparatus 900 is moved. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One is placed on each support 722. The housing 721 is provided with the interface robot 740 in the direction in which the interface robot 740 is provided so that the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 can carry in or out the support 722 into the housing 721, Direction. The second buffer 730 has a structure similar to that of the first buffer 720. The interface module may be provided with only buffers and robots as described above without providing a chamber to perform a predetermined process on the wafer.

퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제 1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.The purge module 800 may be disposed within the interface module 700. Specifically, the fuzzy module 800 may be disposed at a position facing the first buffer 720 around the interface robot 740. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [ The purge module 800 performs a gas purging process and a rinsing process on the wafer to which the protective film for protecting the photoresist is applied in the pre- and post-exposure processing module 600.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

1: 기판 처리 장치 500: 공정 챔버
520: 용기 530: 지지 유닛
550: 액 공급 유닛 553: 노즐암
555: 노즐 557: 공급관
600: 온도 조절 유닛 610; 유입관
620: 유체관 630: 유출관
640: 온도 조절부 650: 온도 측정부
660: 유체 저장부 670: 유체 조절부
680: 공급 라인 690: 제어기1: substrate processing apparatus 500: process chamber
520: container 530: support unit
550: liquid supply unit 553: nozzle arm
555: nozzle 557: feed pipe
600: a temperature control unit 610; Inlet pipe
620: fluid tube 630: outlet tube
640: Temperature control unit 650: Temperature measurement unit
660: Fluid storage part 670: Fluid control part
680: Supply line 690: Controller

Claims (16)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
공정 챔버와;
상기 공정 챔버의 내부에 위치하며 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 놓인 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 그리고
기판에 공급되는 상기 처리액의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛을; 포함하되,
상기 온도 조절 유닛은 상기 처리액의 주위에서 열교환 할 수 있는 유체를 제공하여 상기 처리액의 온도를 기설정된 온도로 유지하며, 상기 처리액이 기판에 공급되기 전에 가열 또는 냉각하여 상기 처리액의 온도를 조절하는 기판 처리 장치. An apparatus for processing a substrate,
A process chamber;
A vessel positioned inside the process chamber and having a process space;
A support unit located in the processing space and supporting the substrate;
A liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate placed on the supporting unit; And
A temperature adjusting unit for adjusting a temperature of the processing liquid supplied to the substrate; Including,
Wherein the temperature adjusting unit maintains the temperature of the processing solution at a predetermined temperature by providing a fluid capable of heat exchange around the processing solution, heating or cooling the processing solution before the processing solution is supplied to the substrate, Is adjusted. 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
노즐과;
상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 공급관과; 그리고
상기 공급관을 감싸며 제공되는 노즐암을; 포함하고,
상기 온도 조절 유닛은,
상기 유체를 상기 노즐암 내부로 공급하는 유입관과;
상기 유입관으로부터 공급된 상기 유체가 흐르는 유체관과;
상기 유체가 외부로 유출되는 유출관과; 그리고
상기 노즐암에 부착되어 상기 처리액을 가열 또는 냉각할 수 있는 온도 조절부를; 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A nozzle;
A supply pipe for supplying the treatment liquid to the nozzle; And
A nozzle arm provided to surround the supply pipe; Including,
The temperature control unit includes:
An inlet pipe for supplying the fluid into the nozzle arm;
A fluid pipe through which the fluid supplied from the inflow pipe flows;
An outlet pipe through which the fluid flows out; And
A temperature regulator attached to the nozzle arm to heat or cool the process liquid; And the substrate processing apparatus. 제2항에 있어서,
상기 유체관은 상기 공급관을 감싸며 제공되고 상기 노즐암은 상기 유체관을 감싸며 제공되는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the fluid tube is provided so as to surround the supply tube and the nozzle arm is provided so as to surround the fluid tube. 제2항에 있어서,
상기 온도 조절부는,
상기 노즐암에 부착되는 제1온도 조절부와;
상기 노즐암에 부착되는 제2온도 조절부를; 포함하되,
상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나는 상기 처리액을 가열하며, 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나는 상기 처리액을 냉각하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
The temperature controller may include:
A first temperature controller attached to the nozzle arm;
A second temperature regulator attached to the nozzle arm; Including,
Wherein one of the first temperature regulator and the second temperature regulator heats the process liquid and the other of the first temperature regulator and the second temperature regulator is a substrate processing device for cooling the process liquid, . 제4항에 있어서,
상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부는 펠티어 소자로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first temperature controller and the second temperature controller are provided as Peltier elements. 제5항에 있어서,
상기 온도 조절 유닛은 상기 노즐암 내부에 위치하며, 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 측정부와;
상기 온도 측정부에서 측정된 온도 정보를 받아 상기 온도 조절부를 제어하는 제어기를; 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 온도 정보가 상기 기설정된 온도에서 벗어나는 경우 상기 처리액의 온도를 상기 온도 조절부를 통해서 제어하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The temperature control unit includes: a temperature measuring unit positioned inside the nozzle arm and measuring a temperature of the process liquid;
A controller for receiving the temperature information measured by the temperature measuring unit and controlling the temperature controller; Further included,
Wherein the controller controls the temperature of the processing solution through the temperature adjustment unit when the temperature information measured by the temperature measurement unit deviates from the predetermined temperature. 제6항에 있어서,
상기 제어기는 상기 온도 측정부에서 측정된 상기 처리액의 온도가 상기 기설정된 온도보다 높은 경우 상기 제1온도 조절부 또는 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나에 전류를 흘려 보내 상기 처리액을 냉각하도록 상기 온도 조절부를 제어하며,
상기 온도 측정부에서 측정된 상기 처리액의 온도가 상기 기설정된 온도 보다 낮은 경우 상기 제1온도 조절부 또는 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나에 전류를 흘려 보내 상기 처리액을 가열하도록 상기 온도 조절부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the controller is configured to cause a current to flow through either the first temperature regulating unit or the second temperature regulating unit to cool the process liquid when the temperature of the process liquid measured by the temperature measuring unit is higher than the preset temperature Controls the temperature controller,
And a controller for controlling the temperature of the processing solution to flow the current to the other one of the first temperature controller and the second temperature controller when the temperature of the processing solution measured by the temperature measuring part is lower than the predetermined temperature, The substrate processing apparatus comprising: 제5항에 있어서,
상기 공정 챔버는 복수개 제공되며,
상기 온도 조절 유닛은,
상기 유체가 저장되는 유체 저장부와;
상기 유체 저장부의 상기 유체의 온도를 기설정된 온도로 유지하는 유체 조절부와; 그리고
상기 유체 저장부와 연결되며, 상기 유체를 복수의 상기 공정 챔버로 공급하는 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A plurality of process chambers are provided,
The temperature control unit includes:
A fluid storage portion in which the fluid is stored;
A fluid regulator for maintaining the temperature of the fluid in the fluid reservoir at a predetermined temperature; And
And a supply line connected to the fluid reservoir and supplying the fluid to the plurality of process chambers. 제8항에 있어서,
상기 공급 라인은,
상기 유체 저장부와 연결되는 메인 라인과;
상기 메인 라인에서 분기되어 복수의 상기 공정 챔버에 상기 유체를 공급하는 복수의 분기 라인과; 그리고
일단은 복수의 상기 분기 라인과 연결되며, 타단은 상기 유체 저장부와 연결되는 회수 라인을; 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the supply line includes:
A main line connected to the fluid reservoir;
A plurality of branch lines branched from the main line to supply the fluid to the plurality of process chambers; And
One end connected to the plurality of branch lines and the other end connected to the fluid reservoir; And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 항온수로 제공되는 기판 처리 장치. 10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the fluid is supplied as constant temperature water. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 포토레지스트로 제공되는 기판 처리 장치. 10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the treatment liquid is provided as a photoresist. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판에 기설정된 온도로 유지된 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하되,
상기 처리액 주변에서 상기 처리액과 열교환할 수 있는 유체를 통해서 상기 처리액은 상기 기설정된 온도를 유지하며, 상기 처리액이 상기 기판에 공급되기 전에 상기 기설정된 온도를 벗어나는 경우 상기 처리액을 가열 또는 냉각하여 상기 기설정된 온도로 상기 기판에 공급하는 기판 처리 방법. A method of processing a substrate,
There is provided a method for processing a substrate by supplying a processing solution maintained at a predetermined temperature to the substrate,
The processing solution maintains the predetermined temperature through a fluid capable of exchanging heat with the processing solution in the vicinity of the processing solution, and when the processing solution is out of the predetermined temperature before being supplied to the substrate, Or cooling the substrate and supplying the substrate to the substrate at the predetermined temperature. 제12항에 있어서,
상기 처리액의 가열 또는 냉각은 제1온도 조절부와 제2온도 조절부를 포함하는 온도 조절부를 통해서 이루어지며,
상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 어느 하나는 상기 처리액을 가열하며, 상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부 중 다른 하나는 상기 처리액을 냉각하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The heating or cooling of the treatment liquid is performed through a temperature control unit including a first temperature control unit and a second temperature control unit,
Wherein one of the first temperature regulator and the second temperature regulator heats the process liquid and the other of the first temperature regulator and the second temperature regulator cools the process liquid . 제13항에 있어서,
상기 제1온도 조절부와 상기 제2온도 조절부는 펠티어 소자로 제공되는 기판 처리 방법. 14. The method of claim 13,
Wherein the first temperature controller and the second temperature controller are provided as Peltier elements. 제12항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 항온수로 제공되는 기판 처리 방법. 15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein the fluid is provided as constant temperature water. 제12항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 포토레지스트로 제공되는 기판 처리 방법.
15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein the treatment liquid is provided as a photoresist.
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