KR101774395B1 - 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이는 마이크로웨이브에 의해 조리 대상물을 조리하는 전자레인지의 조리실 내에 장착되어 상기 조리 대상물을 담는 용기일 수 있다. 상기 트레이는 기판 플레이트 및 상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 조리실 내부로 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키는 금속 산화물 발열층을 포함할 수 있다.

Description

열 변환용 트레이 및 조리용 오븐{Tray for heat-conversion and oven for cooking}
본 발명은 조리 기기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐에 관한 것이다.
일반적으로 마이크로파(Microwave)를 발생하여 그 마이크로파를 이용하여 조리물을 조리하는 기기, 즉 마이크로파를 이용한 조리기기로는 전자레인지, 오븐 등이 있다. 상기 전자레인지는 조리물이 조리되는 조리실(Cavity)을 구비하고, 그 측부에 부품이 장착되는 전장실(또는 기계실)을 구비한다. 상기 조리실은 직육면체 형태의 공간을 갖도록 형성되며, 그 조리실의 저 면에 회전 접시(Turntable)가 장착될 수 있다. 전자레인지의 전장실 내부에는 마이크로파를 발생하는 마그네트론과 그 마그네트론에서 발생하는 마이크로웨이브가 조리실로 방출되도록 안내하는 도파관이 설치될 수 있다. 또한, 전자레인지는 전자레인지의 케이싱 일 측에 힌지 결합되어 조리실을 개폐하는 도어를 더 구비할 수 있다.
상기의 전자레인지의 동작을 간단히 설명하면, 먼저 사용자가 조리물을 조리실의 회전 접시 또는 바닥에 올려놓은 다음 전원을 인가시키게 되면, 마그네트론이 마이크로파를 발생하게 되고 그 마이크로파는 도파관과 도파관의 끝에 설치된 안테나를 통해 조리실로 방출된다. 조리실로 방출하는 마이크로파에 의해 조리물이 가열되고, 이와 동시에 회전 모터에 의해 회전 접시가 회전하면서 그 위에 놓인 조리물이 회전하게 되어 조리 성능을 높이게 된다.
일반적으로 전자레인지는 마이크로파가 조리실로 방출하는 과정에서 마이크로파의 일부가 조리실에 놓인 조리물을 직접 가열하나, 나머지 일부는 조리실 내벽에서 반사되고, 조리실 내에서 마이크로파의 분포가 균일하지 아니하여 조리물이 균일하게 가열되지 아니하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 가열 속도와 열 효율이 향상되고, 소비 전력이 감소된 열 변환용 트레이를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 가열 속도와 열 효율이 향상되고, 소비 전력이 감소된 조리용 오븐을 제공하고자 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 트레이는 마이크로웨이브에 의해 조리 대상물을 조리하는 전자레인지의 조리실 내에 장착되어 상기 조리 대상물을 담는 용기로 사용될 수 있다. 상기 트레이는 기판 플레이트 및 상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 조리실 내부로 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키는 금속 산화물 발열층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 트레이는 상기 조리실 내에서 모터의 구동에 의해 상기 기판 플레이트가 회전 가능하게 장착될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 안티몬을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide), 인듐을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide) 및 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 상기 기판 플레이트 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물 발열층은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 기판 플레이트 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 플레이트는 적외선이 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판 플레이트는 세라믹 재료 또는 유리 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 상기 용기를 지지하는 트레이의 일 주면과 반대되는 타 주면 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 마이크로웨이브는 10-7[m] 내지 10-1[m]의 파장을 가지며, 출력이 700W일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 100 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 트레이를 포함하는 마이크로웨이브 오븐이 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 마이크로웨이브 오븐은 마이크로웨이브 소스를 포함하고, 조리실 내부로 마이크로웨이브를 방출하여 음식물을 조리하는 오븐으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 조리실은 제 1 벽면, 상기 제 1 벽면과 수직인 제 2 벽면, 상기 제 1 벽면과 평행한 제 3 벽면 및 상기 제 2 벽면과 평행한 제 4 벽면을 갖는 벽면들에 의해 정의되며, 상기 벽면들의 적어도 일부는 기판 플레이트 및 상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 마이크로웨이브를 적외선으로 변환시켜 금속 산화물 발열층을 포함하는 히팅 벽을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 히팅 벽은 상기 벽면들 중 상기 마이크로웨이브 소스와 가장 인접하게 배치되는 벽면에 장착될 수 있다. 상기 히팅 벽은 상기 벽면들 중 상기 마이크로웨이브 소스와 인접하게 배치되는 벽면을 제외한 나머지 벽면들에 장착될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 안티몬을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide), 인듐을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide) 및 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 금속 산화물 발열층은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰 비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 상기 기판 플레이트 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물 발열층은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 기판 플레이트 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 플레이트는 적외선이 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판 플레이트는 세라믹 재료 또는 유리 재료를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 히팅 벽은 상기 벽면들에 각각 형성되고, 상기 금속 산화물 발열층은 상기 기판 플레이트보다 상기 벽면들 쪽으로 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 히팅 벽은 상기 벽면들에 각각 형성되고, 상기 제 1 벽면의 금속 산화물 발열층과 상기 제 3 벽면의 금속 산화물 발열층은 서로 마주보게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 마이크로웨이브는 10-7[m] 내지 10-1[m]의 파장을 가지며, 출력이 700W이고, 상기 금속 산화물 발열층은 100 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 오븐으로부터 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소한 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다.
도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는" 는 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 함께 참조하면, 오븐(OV1)은 본체(10), 본체(10) 내에 형성된 조리실(20), 조리실(20)을 개폐하기 위한 도어(DO) 및 조리실(20) 내에 장착된 트레이(T10)를 포함한다. 본체(10)는 입구 및 내부 공간을 형성하는 조리실(20)을 형성할 수 있다. 조리실(20)은 조리 대상물(FD)을 조리하기 위한 조리 공간일 수 있다. 본체(10) 내의 조리실(20)은 일반적으로 금속 벽으로 둘러싸인 직육면체 형태를 가지고, 조리 대상물(FD) 또는 음식물을 수납할 수 있다.
본체(10)의 내부에는 본체(10)의 일 면에 결합하며, 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론(16), 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 전송하는 도파관(14), 도파관(14)과 연결되고 조리실(20) 내부로 마이크로웨이브를 방출하는 안테나(12) 및 전원 공급부(18)를 포함한다. 일 실시예에서, 오븐(OV1)은 마그네트론(16)의 과열을 방지하도록 프로펠러 또는 통기구를 더 포함할 수 있다.
본체(10) 내에 배치된 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론(16)은 일반적으로 조리기기에 사용되는 마이크로웨이브는 915 MHz 또는 2450MHz 일 수 있다. 도파관(14)은 마그네트론(16)에서 발생하는 마이크로웨이브가 조리실(20)로 방출하도록 마그네트론(16) 및 안테나(12) 사이에 배치될 수 있다.
안테나(12)는 도파관(14)으로부터 전달된 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 오븐(OV1)의 조리실(20) 내로 방출시킬 수 있다. 안테나(12)는 일정한 형태를 갖거나 또는 슬롯 형태일 수 있다. 또한, 안테나(12)로부터 방출된 마이크로웨이브가 전달되기 위하여 본체(10)의 일면에 적어도 하나 이상의 개구들(H10)이 안테나(12)와 인접하게 형성될 수 있다.
전원 공급부(18)는 상용 교류 전원을 직류 전원으로 정류하고, 이를 저장하며, 마이컴(미도시)의 동작 명령에 따라 마그네트론에 필요한 전원 전압으로 변환하여 공급할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본체(10)의 일 면에 결합하고 본체(10)의 상부에 설치되는 안테나(12), 도파관(14) 및 마그네트론(16)을 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브는 안테나(12)와 마그네트론(16) 사이의 도파관(14)을 통해 전송하여 안테나(12)로부터 조리실(20)에 개구들(H10)을 통하여 방출될 수 있다. 일 실시예에서, 오븐(OV1)에서 방출된 상기 마이크로웨이브는 10-7[m] 내지 10-1[m]의 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 마이크로웨이브의 출력은 700W일 수 있다.
조리실(20)은 본체(10)의 전면부에 조리의 상태를 확인할 수 있는 조리창 즉, 도어(DO)가 더 결합될 수 있다. 도어(DO)는 본체(10)의 조리 대상물이 이동할 수 있는 출입구를 개폐할 수 있다. 또한, 도어(DO)는 조리실(20)이 보일 수 있는 투명한 재질로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 도어(DO)는 마이크로웨이브에 따른 전자기파가 도어(DO)를 통해 방출하는 것을 차단하기 위하여 내 측면에 전자기파 방지막(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 또한, 조리실(20)을 개폐하기 위하여 도어(DO)의 일 측에 손잡이 또는 홈이 더 설치될 수 있다.
오븐(OV1)은 조리실(20) 내에 다양한 기능을 수행할 수 있는 스위치 또는 타이머를 포함하는 조작 패널(22)이 설치될 수 있다. 조작 패널(22)은 오븐(OV1)의 입력 수단일 수 있다. 일 실시예에서, 조작 패널(22)은 본체(10)의 전면 측단부에 설치될 수 있다. 또한, 조작 패널(22)은 본체(10)의 설계에 따라 전면 상부에 설치될 수 있다. 또한, 조작 패널(22)의 내부에 마이컴(미도시)이 설치 되어 오븐(OV1)의 동작을 제어할 수 있다. 오븐(OV1)은 조리실(20) 내의 조리 대상물(FD)의 조리 상태, 조리 진행 시간 또는 잔여 조리 시간을 표시하는 표시부(24)가 더 설치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시부(24)는 오븐(OV1)의 출력 수단일 수 있다.
트레이(T10)는 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브에 의해 조리 대상물(FD)을 조리하는 조리실(20) 내에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T10)는 조리 대상물(FD)을 담는 용기일 수 있다. 또한, 오븐(OV1)의 입력 수단에 의한 조작에 의해 조리 대상물(FD)이 가열되는 세기 또는 가열되는 시간이 조절될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T10)는 조리 대상물(FD)과 직접 접촉할 수 있다. 이 경우, 트레이(T10)에 의해 직접 접촉된 조리 대상물(FD)은 마이크로웨이브에 의해 가열된 트레이(T10)의 열이 직접 전도되어 가열될 수 있다. 따라서 조리 대상물(FD)은 트레이(T10)로부터 마이크로웨이브로부터 변환된 적외선을 흡수하여 직접 가열될 수 있다. 이 때, 트레이(T10)는 10-7[m] 내지 10-1[m]의 파장 범위의 전자기파를 흡수할 수 있으며, 이를 변환시켜, 적외선의 파장에 해당하는 0.7-6[m] 내지 1,000-6[m]의 파장을 갖는 적외선으로 방출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T10)는 일반 전자레인지에 사용되는 턴 테이블(turn table) 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T10)는 사각 형상 또는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 트레이(T10)의 일 면은 본체(10)의 일 면과 결합될 수 있다. 도 1a 및 도 1b는 본체(10)의 조리실(20) 하부에 배치되는 트레이(T10)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
트레이(T10)는 기판 플레이트(PS1) 및 기판 플레이트(PS1)의 일 표면에 코팅된 금속 산화물 발열층(TH1)을 포함할 수 있다. 기판 플레이트(PS1)는 적외선 및/또는, 마이크로웨이브가 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 플레이트(PS1)는 마이크로웨이브의 투과 효율이 높은 유리 또는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 세라믹 재질은 일반 유리, 내열 유리, 강화유리 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 플레이트(PS1)는 조리 대상물(FD) 또는 조리 대상물(FD)을 담는 용기의 하중을 지탱할 수 있는 강도를 갖는 재질을 포함할 수 있다.
금속 산화물 발열층(TH1)은 기판 플레이트(PS1)의 일 주면 상에 코팅되고, 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH1)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide; ATO), 인듐(In)을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH1)은 불소가 도핑된 주석산화물(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 상기 불소가 도핑된 주석산화물은 다른 산화물에 비해 상대적으로 온도, 전압에 대한 안정성이 높고 낮은 저항을 가지며 높은 투과율을 가지므로, 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브가 적외선으로 변환되는 세기 또는 변환되는 양이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH1)은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나의 주석 전구체와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나의 불소 전구체를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 기판 플레이트(PS1) 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH1)은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판 플레이트(PS1)의 일 표면에 코팅될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH1)은 기판 플레이트(PS1)의 하부에 배치되도록 조리실(20) 내에 장착될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH1)의 표면이 하부에 설치될 경우, 금속 산화물 발열층(TH1)이 기판 플레이트(PS1)의 상부에 배치되어 조리실(20) 내에 장착되는 경우보다, 트레이(T10)의 가열 온도는 더 높아질 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T10)의 금속 산화물 발열층(TH1)은 50 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 높아진 가열 온도는 가열 효율과 비례할 수 있다. 따라서 기판 플레이트(PS1)의 표면과 조리 대상물(FD) 간의 거리는 금속 산화물 발열층(TH1)의 표면과 조리 대상물(FD) 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.
일 실시예에서, 오븐(OV1)은 조리실(20) 내에서 조리 대상물(FD)을 수평면에서 일 방향으로 회전시키는 회전 롤러 또는 회전 모터가 더 설치될 수 있다. 트레이(T10)는 상기 회전 롤러 또는 상기 회전 모터에 의해 회전될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 조리실(20), 오븐(OV1)의 본체(10) 또는 오븐(OV1)의 벽체로 방출하여 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물(FD)에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소된 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 오븐(OV2)은 트레이(T20)를 제외하고는 도 1a 및 도 1b에 도시된 오븐(OV1)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 2a 및 도 2b를 함께 참조하면, 오븐(OV2)은 본체(10), 본체(10) 내에 형성된 조리실(20), 조리실(20)을 개폐하기 위한 도어(DO) 및 조리실(20) 내에 장착된 트레이(T10) 및 트레이(T20)를 포함한다. 본체(10)는 입구 및 내부 공간을 형성하는 조리실(20)을 형성할 수 있다.
트레이(T20)는 본체(10)의 조리실(20)의 상부에 장착될 수 있다. 트레이(T20)는 조리실(20)과 인접한 본체(10)의 일 주면에 장착될 수 있다. 또한, 트레이(T20)는 오븐(OV2)의 입력 수단에 의한 조작에 의해 조리 대상물(FD)이 가열되는 세기 또는 가열되는 시간이 조절될 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T20)는 본체(10)의 안테나(12), 도파관(14) 및 마그네트론(16)의 하부에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T20)는 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시켜 조리실(20) 내의 조리 대상물(FD)로 전달시킬 수 있다. 이 경우, 조리 대상물(FD)에 직접 조사되는 마이크로웨이브의 효율 및 세기를 보강하여 조리 대상물(FD)의 조리를 도울 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T20)는 트레이(T10)와 마주보도록 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T20)는 10-7[m] 내지 10-1[m]의 파장 범위의 전자기파를 흡수시킬 수 있으며, 이를 변환시켜, 적외선의 파장에 해당하는 0.7-6[m] 내지 1,000-6[m]의 파장을 갖는 적외선으로 방출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T20)는 사각 형상 또는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 트레이(T20)의 일 면은 본체(10)의 일 면과 결합될 수 있다. 도 2a 및 도 2b는 본체(10)의 조리실(20) 상부에 배치되는 트레이(T20)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
트레이(T20)는 기판 플레이트(PS2) 및 기판 플레이트(PS2)의 일 표면에 코팅된 금속 산화물 발열층(TH2)을 포함할 수 있다. 기판 플레이트(PS2)는 적외선 및/또는, 마이크로웨이브가 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 플레이트(PS2)는 마이크로웨이브의 투과 효율이 높은 유리 또는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 세라믹 재질은 일반 유리, 내열 유리, 강화유리 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.
금속 산화물 발열층(TH2)은 기판 플레이트(PS2)의 일 주면 상에 코팅되고, 마그네트론(16)에 의해 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH2)은 마이크로웨이브를 적외선으로 변환시켜 조리 대상물의 가열 시간을 단축할 수 있다. 예를 들어, 일반 전자레인지를 사용하여 마이크로웨이브에 의해 물 분자를 가열시켜 조리 대상물을 데우는 종래 기술과는 달리, 일반적인 가열 기기에 의해 조리된 상태처럼 열에 의한 조리 시 얻을 수 있는 음식의 맛, 예를 들면 굽거나 끓인 맛을 제공할 수 있다. 또한, 일반적인 전자레인지의 마이크로웨이브에 의해 물 분자가 대기 중으로 날아가 조리 대상물의 수분이 빠지는 현상도 방지하는 효과를 나타낼 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH2)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide; ATO), 인듐(In)을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH2)은 불소가 도핑된 주석산화물(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 상기 불소가 도핑된 주석산화물은 다른 산화물에 비해 상대적으로 온도, 전압에 대한 안정성이 높고 낮은 저항을 가지며 높은 투과율을 갖는 특성이 있어 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브가 적외선으로 변환되는 세기 또는 변환되는 양이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH2)은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 기판 플레이트(PS2) 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH2)은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판 플레이트(PS2)의 일 표면에 코팅될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH2)이 기판 플레이트(PS2)의 상부에 배치되도록 조리실(20)의 상부에 장착될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH2)이 기판 플레이트(PS2)의 상부에 배치되어 본체(10)의 조리실(20) 외부 또는 상부에 설치될 경우, 금속 산화물 발열층(TH2)이 기판 플레이트(PS2)의 하부에 배치되어 본체(10)의 조리실(20)의 외부 또는 상부에 장착되는 경우보다, 가열 온도는 더 높아질 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH2)은 50 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 높아진 가열 온도는 가열 효율과 비례할 수 있다. 따라서 기판 플레이트(PS2)의 표면과 조리 대상물(FD) 간의 거리는 금속 산화물 발열층(TH2)과 조리 대상물(FD) 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이의 가열 온도가 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시킴으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소된 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다. 도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 오븐(OV3)은 본체(10), 본체(10) 내에 형성된 조리실(20), 조리실(20)을 개폐하기 위한 도어(DO) 및 조리실 내에 장착된 트레이(T30)를 포함한다.
본체(10)는 입구 및 내부 공간을 형성하는 조리실(20)을 형성할 수 있다. 조리실(20)은 조리 대상물(FD)을 조리하기 위한 조리 공간일 수 있다. 일 실시예에서, 조리실(20)은 일반적으로 금속 벽으로 둘러싸인 직육면체 형태를 가지고, 조리 대상물(FD) 또는 음식물을 조리하는 공간일 수 있다.
본체(10)의 내부에는 본체(10)의 일 면에 결합하며, 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론(16), 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 전송하는 도파관(14), 도파관(14)과 연결되고 조리실(20) 내부로 마이크로웨이브를 방출하는 안테나(12) 및 전원 공급부(18)를 포함한다. 일 실시예에서, 오븐(OV3)은 마그네트론(16)의 과열을 방지하도록 프로펠러 또는 통기구를 더 포함할 수 있다.
본체(10) 내에 배치된 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론(16)은 일반적으로 조리기기에 사용되는 마이크로웨이브는 915 MHz 또는 2450MHz 일 수 있다. 도파관(14)은 마그네트론(16)에서 발생하는 마이크로웨이브가 조리실(20)로 방출하도록 마그네트론(16) 및 안테나(12) 사이에 배치될 수 있다.
안테나(12)는 도파관(14)으로부터 전달된 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 오븐(OV3)의 조리실(20) 내로 방출시킬 수 있다. 안테나(12)는 일정한 형태를 갖거나 또는 슬롯 형태일 수 있다. 또한, 안테나(12)로부터 방출된 마이크로웨이브가 전달되기 위하여 본체(10)의 일면에 적어도 하나 이상의 개구들(H10)이 안테나(12)와 인접하게 형성될 수 있다.
전원 공급부(18)는 상용 교류 전원을 직류 전원으로 정류하고, 이를 저장할 수도 있다. 또한, 전원 공급부(18)는 마이컴(미도시)의 동작 명령에 따라 마그네트론에 필요한 전원 전압으로 변환하여 공급할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본체(10)의 일 면에 결합하고 본체(10)의 측부에 설치되는 안테나(12), 도파관(14) 및 마그네트론(16)을 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브는 안테나(12)와 마그네트론(16) 사이의 도파관(14)을 통해 전송하여 안테나(12)로부터 조리실(20)에 개구들(H10)을 통하여 방출될 수 있다. 오븐(OV3)에서 방출된 상기 마이크로웨이브는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 마이크로웨이브의 출력은 700W 일 수 있다.
일 실시예에서, 본체(10)의 내부는 제 1 벽면(S1), 제 1 벽면(S1)과 수직하게 배치된 제 2 벽면(S2), 제 1 벽면(S1)과 평행하게 배치된 제 3 벽면(S3) 및 제 2 벽면과 평행하게 배치된 제 4 벽면(S4)을 포함할 수 있다. 본체(10) 내부의 벽면들은 조리실(20)을 정의할 수 있다.
조리실(20)은 본체(10)의 전면부에 조리의 상태를 확인할 수 있는 조리창, 즉, 도어(DO)가 더 결합될 수 있다. 도어(DO)는 본체(10)의 조리 대상물이 이동할 수 있는 출입구를 개폐할 수 있다. 또한, 도어(DO)는 조리실(20)이 보일 수 있는 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 도어(DO)는 마이크로웨이브에 따른 전자기파가 도어(DO)를 통해 방출하는 것을 차단하기 위하여 내 측면에 전자기파 방지막(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 또한, 조리실(20)을 개폐하기 위하여 도어(DO)의 일 측에 손잡이 또는 홈이 더 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 오븐(OV3)은 조리실(20) 내에 다양한 기능을 수행할 수 있는 스위치 또는 타이머를 포함하는 조작 패널(22)이 설치될 수 있다. 조작 패널(22)은 오븐(OV3)의 입력 수단일 수 있다. 일 실시예에서, 조작 패널(22)은 본체(10)의 전면 측단부에 설치될 수 있다. 또한, 조작 패널(22)은 본체(10)의 설계에 따라 전면 상부에 설치될 수도 있다. 또한, 조작 패널(22)의 내부에 마이컴(미도시)이 설치 되어 오븐(OV3)의 동작을 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 오븐(OV3)은 조리실(20) 내의 조리 대상물(FD)의 조리 상태, 조리 진행 시간 또는 잔여 조리 시간을 표시하는 표시부(24)가 설치될 수 있다. 예를 들어, 표시부(24)는 오븐(OV3)의 출력 수단일 수 있다. 일 실시예에서, 오븐(OV3)의 입력 수단에 의한 조작에 의해 조리 대상물(FD)이 가열되는 세기 또는 가열되는 시간이 조절될 수 있다.
트레이(T30)는 본체(10)의 제 2 벽면(S2)과 인접하게 설치될 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T30)는 마그네트론(16), 도파관(14) 및 안테나(12)가 형성된 제 2 벽면(S2)과 인접하게 장착될 수 있다. 도 3a 및 도 3b는 본체(10)의 조리실(20)을 정의하는 제 2 벽면(S2)과 인접하게 배치된 트레이(T30)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 트레이(T30)는 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브에 의해 조리 대상물(FD)을 조리하는 조리실(20) 내의 측벽과 인접하게 장착되어 조리 대상물(FD)을 가열하는 벽체일 수 있다. 트레이(T30)는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장 범위의 전자기파를 흡수시킬 수 있으며, 이를 변환시켜, 적외선의 파장에 해당하는 0.7-6[m]내지 1,000-6[m]의 파장을 갖는 적외선으로 방출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T30)는 사각 형상 또는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 트레이(T30)의 일 면은 본체(10)의 일 면과 결합될 수 있다. 도 3a 및 도 3b는 본체(10)의 조리실(20) 측부와 제 2 벽면(S2)에 인접하게 배치되는 트레이(T30)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 트레이(T30)는 기판 플레이트(PS3) 및 기판 플레이트(PS3)의 일 표면에 코팅된 금속 산화물 발열층(TH3)을 포함할 수 있다.
기판 플레이트(PS3)는 적외선 및 마이크로웨이브가 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 플레이트(PS3)는 마이크로웨이브의 투과 효율이 높은 유리 또는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 세라믹 재질은 일반 유리, 내열 유리, 강화유리 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.
금속 산화물 발열층(TH3)은 기판 플레이트(PS3)의 일 주면 상에 코팅되고, 마그네트론(16)에 의해 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시킬 수 있다. 금속 산화물 발열층(TH3)은 마이크로웨이브를 적외선으로 변환시켜 조리 대상물의 가열 시간을 단축시킬 수 있다.
예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH3)은 일반 전자레인지를 사용하여 마이크로웨이브에 의해 물 분자를 가열시켜 조리 대상물을 데우는 종래 기술과는 달리, 일반적인 가열 기기에 의해 조리된 상태처럼 열에 의한 조리 시 얻을 수 있는 음식의 맛, 예를 들면 굽거나 끓인 맛을 제공할 수 있다. 또한, 일반적인 전자레인지의 마이크로웨이브에 의해 물 분자가 대기 중으로 날아가 조리 대상물의 수분이 빠지는 현상도 방지하는 효과를 나타낼 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH3)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide; ATO), 인듐(In)을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH3)은 불소가 도핑된 주석산화물(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 상기 불소가 도핑된 주석산화물은 다른 산화물에 비해 상대적으로 온도, 전압에 대한 안정성이 높고 낮은 저항을 가지며 높은 투과율을 가지므로, 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브가 적외선으로 변환되는 세기 또는 변환되는 양이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH3)은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 기판 플레이트(PS3) 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH3)은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판 플레이트(PS3)의 일 표면에 코팅될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH3)이 기판 플레이트(PS2)의 우측에 배치되도록 조리실(20)의 측부와 인접하게 장착될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH3)이 기판 플레이트(PS2)의 우측에 배치되어 본체(10)의 조리실(20) 외부 또는 측부와 인접하게 설치될 경우, 금속 산화물 발열층(TH3)이 기판 플레이트(PS3)의 좌측에 배치되어 본체(10)의 조리실(20)의 외부 또는 상부에 장착되는 경우보다, 가열 온도는 더 높아질 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T30)의 금속 산화물 발열층(TH3)은 50 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 높아진 가열 온도는 가열 효율과 비례할 수 있다. 따라서 기판 플레이트(PS3)의 표면과 조리 대상물(FD) 간의 거리는 금속 산화물 발열층(TH3)과 조리 대상물(FD) 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 오븐으로부터 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소한 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 사시도이다. 도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 오븐(OV4)은 트레이(T40)를 제외하고는 도 2a 및 도 2b에 도시된 오븐(OV2)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 4a 및 도 4b를 함께 참조하면, 오븐(OV4)은 본체(10), 본체(10) 내에 형성된 조리실(20), 조리실(20)을 개폐하기 위한 도어(DO) 및 조리실(20) 내에 장착된 트레이(T10) 및 트레이(T40)를 포함한다. 본체(10)는 입구 및 내부 공간을 형성하는 조리실(20)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 본체(10)의 내부는 제 1 벽면(S1), 제 1 벽면(S1)과 수직하게 배치된 제 2 벽면(S2), 제 1 벽면(S1)과 평행하게 배치된 제 3 벽면(S3) 및 제 2 벽면과 평행하게 배치된 제 4 벽면(S4)을 포함할 수 있다. 본체(10) 내부의 벽면들은 조리실(20)을 정의할 수 있다.
트레이(T40)는 본체(10)의 조리실(20)의 내부에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 오븐(OV4)의 입력 수단에 의한 조작에 의해 조리 대상물(FD)이 가열되는 세기 또는 가열되는 시간이 조절될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T40)는 본체(10)의 안테나(12), 도파관(14) 및 마그네트론(16)의 하부에 설치될 수 있다. 트레이(T40)는 마그네트론(16)으로부터 발생한 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시켜 조리실(20) 내의 조리 대상물(FD)을 조리할 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T40)는 트레이(T10) 상에 장착될 수 있다. 또한, 트레이(T40)는 트레이(T10)를 제외하고 독립적으로 오븐(OV4)의 조리실(20) 내에 장착될 수도 있다. 트레이(T40)는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장 범위의 전자기파를 흡수할 수 있으며, 이를 변환시켜, 적외선의 파장에 해당하는 0.7-6[m]내지 1,000-6[m]의 파장을 갖는 적외선으로 방출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T40)의 일 단면은 사각 형상 또는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 도 4a 및 도 4b는 본체(10)의 조리실(20) 내에 배치되는 트레이(T40)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 트레이(T40)는 기판 플레이트(PS4) 및 기판 플레이트(PS4)의 일 표면에 코팅된 금속 산화물 발열층(TH4)을 포함하는 히팅벽들을 포함할 수 있다. 트레이(T40)는 상기 히팅벽들을 본체(S1)의 제 3 벽면(S3)을 제외한 제 1 벽면(S2), 제 2 벽면(S2) 및 제 4 벽면(S4)에 배치하여 서로 결합한 것일 수 있다.
기판 플레이트(PS4)는 적외선 및 마이크로웨이브가 투과되는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 플레이트(PS4)는 마이크로웨이브의 투과 효율이 높은 유리 또는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 세라믹 재질은 일반 유리, 내열 유리, 강화유리 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.
금속 산화물 발열층(TH4)은 기판 플레이트(PS4)의 일 주면 상에 코팅되고, 마그네트론(16)에 의해 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시킬 수 있다. 금속 산화물 발열층(TH4)은 일반 전자레인지를 사용하여 마이크로웨이브에 의해 물 분자를 가열시켜 조리 대상물을 데우는 종래 기술과는 달리, 일반적인 가열 기기에 의해 조리된 상태처럼 열에 의한 조리 시 얻을 수 있는 음식의 맛, 예를 들면 굽거나 끓인 맛을 제공할 수 있다. 또한, 일반적인 전자레인지의 마이크로웨이브에 의해 물 분자가 대기 중으로 날아가 조리 대상물의 수분이 빠지는 현상도 방지하는 효과를 나타낼 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH4)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide; ATO), 인듐(In)을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH4)은 불소가 도핑된 주석산화물(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 상기 불소가 도핑된 주석산화물은 다른 산화물에 비해 상대적으로 온도, 전압에 대한 안정성이 높고 낮은 저항을 가지며 높은 투과율을 갖는 특성이 있어 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브를 적외선 에너지로 변환하는 효율이 더 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH4)은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 기판 플레이트(PS2) 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH4)은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판 플레이트(PS4)의 일 표면에 코팅될 수 있다.
일 실시예에서, 조리실(20) 내의 금속 산화물 발열층(TH4)은 기판 플레이트(PS4) 보다 외 측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH4)이 기판 플레이트(PS2) 보다 외 측에 배치되어, 조리실(20)의 조리 대상물(FD)과 기판 플레이트(PS4)의 거리보다 더 멀게 배치될 경우, 금속 산화물 발열층(TH4)이 기판 플레이트(PS4)의 내측에 배치되어 조리실(20)의 조리 대상물(FD)과 기판 플레이트(PS4)의 거리보다 더 가깝게 배치될 경우보다, 가열 온도는 더 높아질 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T40)의 금속 산화물 발열층(TH4)은 50 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 높아진 가열 온도는 가열 효율과 비례할 수 있다. 따라서 기판 플레이트(PS4)의 표면과 조리 대상물(FD) 간의 거리는 금속 산화물 발열층(TH4)과 조리 대상물(FD) 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 오븐으로부터 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소한 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐을 나타내는 단면도이다. 오븐(OV5)은 본체(50), 가스를 공급하는 가스관이 연결되는 가스관 설치공(52), 트레이(T50) 및 연기를 배출하기 위한 연통공(54)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 본체(50)는 트레이(T50)와 트레이(T50) 상의 조리 대상물이 출입하는 입구(56)를 포함할 수 있다.
본체(50)는 전기히터 또는 가스와 각종 목재를 열원으로 사용하여 가열될 수 있다. 또한, 본체(50)는 황토층이 내면에 위치하는 화덕일 수 있다. 가스관 설치공(52)은 본체(50)의 외면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통 홀일 수 있다. 또한, 가스관 설치공(52)에는 별도의 가스를 공급하는 가스관이 연결될 수 있다.
트레이(T50)는 본체(50)의 입구(56)로부터 본체(50)에 출입될 수 있다. 일 실시예에서, 오븐(OV4)의 작동에 의해 본체(50) 내에 형성된 열에너지는 트레이(T50)로부터 이동되어 조리 대상물이 조리될 수 있다.
일 실시예에서, 트레이(T50)는 사각 형상 또는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 도 5는 본체(50)의 입구(56)에 삽입되는 원형 플레이트 및 상기 원형 플레이트로부터 연장된 막대를 갖는 트레이(T50)를 예시한다. 이는 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 트레이(T50)는 다양한 형상을 갖는 플레이트와 별도의 금속 또는 플라스틱 손잡이가 결합되어 설치될 수도 있다.
일 실시예에서, 트레이(T50)는 조리 대상물과 직접 접촉할 수 있다. 이 경우, 트레이(T50)에 의해 직접 접촉된 조리 대상물은 열에너지에 의해 가열된 트레이(T50)의 열에너지가 직접 전도되어 조리 대상물은 트레이(T50)로부터 투과되는 열에너지를 흡수할 수 있다. 트레이(T50)는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장 범위의 전자기파를 흡수할 수 있으며, 이를 변환시켜, 적외선의 파장에 해당하는 0.7- 6[m]내지 1,000-6[m]의 파장을 갖는 적외선으로 방출시킬 수 있다.
트레이(T50)는 기판 플레이트(PS5) 및 기판 플레이트(PS5)의 일 표면에 코팅된 금속 산화물 발열층(TH5)을 포함할 수 있다. 기판 플레이트(PS5)는 마이크로파의 투과 효율이 높은 유리 또는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 세라믹 재질은 일반 유리, 내열 유리, 강화유리 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 플레이트(PS5)는 조리 대상물 또는 조리 대상물을 담는 용기의 하중을 지탱할 수 있는 강도의 재질을 포함할 수 있다.
금속 산화물 발열층(TH5)은 기판 플레이트(PS5)의 일 주면 상에 코팅되고, 본체(50)의 적외선을 흡수하여 열에너지를 전달할 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH5)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 안티몬(Sb)을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide; ATO), 인듐(In)을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide; 이하 'ITO'라 함) 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH5)은 불소가 도핑된 주석산화물(Fluorine doped Tin Oxide; FTO)을 포함할 수 있다. 상기 불소가 도핑된 주석산화물은 다른 산화물에 비해 상대적으로 온도, 전압에 대한 안정성이 높고 낮은 저항을 가지며 높은 투과율을 가지므로, 조리실(20) 내부로 방출된 마이크로웨이브가 적외선으로 변환되는 세기 또는 변환되는 양이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH5)은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 기판 플레이트(PS5) 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH5)은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 기판 플레이트(PS5)의 일 표면에 코팅될 수 있다.
일 실시예에서, 금속 산화물 발열층(TH5)이 기판 플레이트(PS5)의 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 발열층(TH5)이 기판 플레이트(PS5)의 하부에 배치될 경우, 금속 산화물 발열층(TH5)이 기판 플레이트(PS5)의 상부에 배치되는 경우보다 트레이(T50)의 가열 온도가 더 높아질 수 있다. 일 실시예에서, 트레이(T50)의 금속 산화물 발열층(TH5)은 50 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열될 수 있다. 높아진 가열 온도는 가열 효율과 비례할 수 있다. 따라서 기판 플레이트(PS5)와 조리 대상물 간의 거리는 금속 산화물 발열층(TH5) 간의 거리보다 더 짧을 수 있다.
일 실시예에서, 오븐(OV5)의 연통공(54)은 본체(50)에서 발생한 연기를 배출하기 위한 통풍구일 수 있다. 또한, 상기 통풍구에는 연기를 배출하는 파이프가 더 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 오븐으로부터 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소한 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
이하에서는, 전술한 실시예들 중 전술한 물질들과 이에 관하여 개시된 조성비 범위에서 선택된 구체적 실시예들을 들어, 본 발명의 특징 및 이점들에 관하여 설명할 것이다. 하기의 개시 사항은 단지 설명을 목적으로 하는 것일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
발열층 특성 실험 1
실험예 1은 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트의 일 면에 금속 산화물 발열층(불소가 도핑된 산화주석, Fluorine Tin Oxide)이 코팅된 플레이트를 준비하였다. 비교예 1은 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트를 준비하였다. 상기 실험예 1의 플레이트는 본 발명의 실시예에 따른 트레이에 대응될 수 있다. 또한, 상기 실험예 1의 금속 산화물 발열층은 본 발명의 실시예에 따른 히팅 벽과 대응될 수 있다. 실험예 1과 비교예 1에 따른 플레이트들을 고주파 출력이 700W인 전자레인지 내에 넣어 1 분(1 min) 동안 가열하였다.
표 1은 가열 후, 실험예 1의 플레이트와 비교예 1의 플레이트의 전면의 온도 및 후면의 온도를 측정한 값을 나타낸 표이다. 실험예 1 및 비교예 1의 온도는 비접촉식 적외선 온도계로 측정되었다. 실험예 1의 전면은 금속 산화물 발열층이 코팅된 표면에 대응되었다. 실험예 1의 후면은 금속 산화물 발열층이 코팅되지 않은 유리 플레이트의 표면에 대응되었다. 비교예 1의 전면과 후면은 유리 플레이트의 일 표면에 대응되었다. 비교예 1의 측정 시간 및 측정 방향은 실험예 1과 동일하게 측정되었다.
대상
표면온도		 실험예 1 비교예 1
플레이트 전면 (℃) 69 ℃ 47.8 ℃
플레이트 후면 (℃) 75 ℃ 48 ℃
표 1을 참조하면, 전자레인지에서 가열된 실험예 1의 플레이트와 비교예 1의 플레이트는 측정한 방향에 상관없이 모두 실험예 1의 플레이트의 가열 온도가 높은 값을 나타내었다. 따라서 불소가 도핑된 산화주석을 포함하는 발열층이 코팅됨으로써 마이크로웨이브를 적외선으로 변환하여, 조리 대상물의 가열 온도를 향상시킬 수 있다. 또한, 전자레인지에서 가열된 실험예 1의 전면으로부터 후면으로 조리 대상물을 가열하는 경우의 플레이트의 가열 온도보다 실험예 1의 후면으로부터 전면으로 조리 대상물을 가열하는 플레이트의 가열 온도가 더 높은 값을 나타내었다. 따라서 실험예 1의 플레이트의 표면 중에서 불소가 도핑된 산화주석이 코팅된 발열층으로부터 적외선이 방출될 때 가열 효율이 더 향상될 수 있다는 결과를 얻을 수 있다.
발열층 특성 실험 2
실험예 2는 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트에 일 면에 금속 산화물 발열층(불소가 도핑된 산화주석, Fluorine Tin Oxide)이 코팅된 플레이트를 준비하였다. 비교예 2는 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트를 준비하였다. 실험예 2와 비교예 2에 따른 플레이트들을 전자레인지의 조리실의 저면(또는 조리실의 바닥)으로부터 5㎝ 간격의 높이에 배치하고, 고주파 출력이 700W인 전자레인지 내에 넣어 1 분(1 min) 동안 가열하였다.
표 2는 가열 후, 실험예 2의 플레이트와 비교예 2의 플레이트의 전면의 온도 및 후면의 온도를 측정한 값을 나타낸 표이다. 실험예 2 및 비교예 2의 온도는 비접촉식 적외선 온도계로 측정되었다. 실험예 2의 전면은 금속 산화물 발열층이 코팅된 표면에 대응되었다. 비교예 2의 전면과 후면은 유리 플레이트의 일 표면에 대응되었다. 비교예 2의 측정 시간 및 측정 방향은 실험예 2와 동일하게 측정되었다.
대상
표면온도		 실험예 2 비교예 2
플레이트 전면 (℃) 109 ℃ 53 ℃
플레이트 후면 (℃) 115 ℃ 47 ℃
표 2를 참조하면, 전자레인지에서 가열된 실험예 2와 비교예 2의 플레이트는 측정한 방향 상관없이 모두 실험예 2의 플레이트의 가열 온도가 높은 값을 나타내었다. 따라서 불소가 도핑된 산화주석을 포함하는 발열층이 코팅됨으로써 마이크로웨이브를 적외선으로 변환하여, 조리 대상물의 가열 온도를 향상시킬 수 있다. 또한, 전자레인지에서 가열된 실험예 2의 전면으로부터 후면으로 조리 대상물을 가열하는 경우의 플레이트의 가열 온도보다 실험예 2의 후면에서 전면으로 조리 대상물을 가열하는 경우의 플레이트의 가열 온도가 더 높은 값을 나타내었다. 따라서 실험예 2의 플레이트의 표면 중에서 불소가 도핑된 산화주석이 코팅된 발열층으로부터 적외선이 방출될 때 가열 효율이 더 향상될 수 있다는 결과를 얻을 수 있다.
또한, 발열층 특성 실험 2는 발열층 특성 실험 1에 비해 전자레인지의 저 면을 기점으로 전자레인지의 조리실 내 플레이트까지의 간격이 다른 것을 제외하고 동일한 조건의 실험이므로, 조리실 내의 플레이트가 배치된 높이 또는 위치에 따라 금속 산화물 발열층의 특성에는 영향을 주지 않는다는 것을 알 수 있다.
발열층 특성 실험 3
실험예 3은 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트에 일 면에 금속 산화물 발열층(불소가 도핑된 산화주석 Fluorine Tin Oxide)이 코팅된 플레이트를 준비하였다. 비교예 3은 두께가 5㎜이고, 가로와 세로가 각각 10㎝인 사각 형상의 유리 플레이트를 준비하였다. 실험예 3과 비교예 3에 따른 플레이트들을 전자레인지의 저 면으로부터 15㎝ 간격의 높이에 배치하고, 고주파 출력이 700W인 전자레인지 내에 넣어 1 분(1 min) 동안 가열하였다.
표 3은 가열 후, 실험예 3의 플레이트와 비교예 3의 유리 플레이트의 전면의 온도 및 후면의 온도를 측정한 값을 나타낸 표이다. 실험예 3 및 비교예 3의 온도는 비접촉식 적외선 온도계로 측정되었다. 실험예 3의 전면은 금속 산화물 발열층이 코팅된 표면에 대응되었다. 비교예 3의 전면과 후면은 유리 플레이트의 일 표면에 대응되었다. 비교예 3의 측정 시간 및 측정 방향은 실험예 3과 동일하게 측정되었다.
대상
표면온도		 실험예 3 비교예 3
플레이트 전면 (℃) 91 ℃ 42 ℃
플레이트 후면 (℃) 97 ℃ 40 ℃
표 3을 참조하면, 전자레인지에서 가열된 실험예 3과 비교예 3의 플레이트는 측정한 방향 상관없이 모두 실험예 3의 플레이트의 가열 온도가 높은 값을 나타내었다. 따라서 불소가 도핑된 산화주석을 포함하는 발열층이 코팅됨으로써 마이크로웨이브를 적외선으로 변환하여, 조리 대상물의 가열 온도를 향상시킬 수 있다. 또한, 전자레인지에서 가열된 실험예 3의 전면에서 후면으로 조리 대상물을 가열하는 경우의 플레이트의 가열 온도보다 실험예 3의 후면에서 전면으로 조리 대상물을 가열하는 경우의 플레이트의 가열 온도가 더 높은 값을 나타내었다. 따라서 실험예 3의 플레이트의 표면 중에서 불소가 도핑된 산화주석이 코팅된 발열층으로부터 적외선이 방출될 때 가열 효율이 더 향상될 수 있다는 결과를 얻을 수 있다.
또한, 발열층 특성 실험 3은 발열층 특성 실험 1에 비해 전자레인지의 저 면으로부터 전자레인지의 조리실 내 플레이트까지의 간격이 다른 것을 제외하고 동일한 조건의 실험이므로, 조리실 내의 플레이트가 배치된 높이 또는 위치에 따라 금속 산화물 발열층의 특성에는 영향을 주지 않는다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이가 오븐으로부터 낭비될 수 있는 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키고, 변환된 열을 다시 조리 대상물에 제공함으로써, 열 효율이 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 가열 속도가 향상된 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 변환용 트레이 및 조리용 오븐이 제공됨으로써, 기존의 오븐의 구조를 변경시키지 않고도, 소비 전력이 감소한 조리용 오븐이 제공될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
OV1, OV2, OV3, OV4, OV5; 오븐
10, 50; 본체
20; 조리실
DO; 도어
FD; 조리 대상물
T10, T20, T30, T40, T50; 트레이
PS1, PS2, PS3, PS4, PS5; 기판 플레이트
TH1, TH2, TH3, TH4, TH5; 박막

Claims (21)

  1. 마이크로웨이브에 의해 조리 대상물을 조리하는 전자레인지의 조리실 내에 장착되어 상기 조리 대상물을 담는 용기로 사용되는 트레이로서,
    상기 트레이는,
    기판 플레이트; 및
    상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 조리실 내부로 방출된 마이크로웨이브를 흡수하여 적외선으로 변환시키는 금속 산화물 발열층을 포함하며,
    상기 금속 산화물 발열층은 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide)를 포함하고,
    상기 금속 산화물 발열층은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 상기 기판 플레이트 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성되는 트레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 트레이는 상기 조리실 내에서 모터의 구동에 의해 상기 기판 플레이트가 회전 가능하게 장착되는 트레이.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 발열층은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 기판 플레이트 상에 형성되는 트레이.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 플레이트는 적외선이 투과되는 재료를 포함하는 트레이.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 플레이트는 세라믹 재료 또는 유리 재료를 포함하는 트레이.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 발열층은 상기 용기를 지지하는 트레이의 일 주면과 반대되는 타 주면 상에 형성되는 트레이.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장을 가지며, 출력이 700W이고,
    상기 금속 산화물 발열층은 100 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열되는 트레이.
  10. 오븐의 조리실 내부에서 배치되고, 상기 조리실 내부보다 작은 조리 공간을 형성하고 상기 조리 공간 내에 조리될 음식물이 수용되는 보조 조리 기구로서,
    상기 보조 조리 기구는 복수의 히팅벽들을 포함하며,
    상기 복수의 히팅벽들 중 적어도 하나가,
    기판 플레이트; 및
    상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 오븐으로부터 방출된 마이크로웨이브를 적외선으로 변환시키는 금속 산화물 발열층을 포함하며,
    상기 조리 공간의 외부는 상기 오븐으로부터 방출된 마이크로웨이브가 상기 복수의 히팅벽들로 전달되는 공간으로 이용되며, 상기 조리 공간의 내부는 상기 음식물이 조리되는 공간으로 이용되고,
    상기 금속 산화물 발열층은 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide)를 포함하며,
    상기 금속 산화물 발열층은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 상기 기판 플레이트 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성되는 보조 조리 기구.
  11. 마이크로웨이브 소스를 포함하고, 조리실 내부로 마이크로웨이브를 방출하여 음식물을 조리하는 오븐으로서,
    상기 조리실은 제 1 벽면, 상기 제 1 벽면과 수직인 제 2 벽면, 상기 제 1 벽면과 평행한 제 3 벽면 및 상기 제 2 벽면과 평행한 제 4 벽면을 갖는 벽면들에 의해 정의되며,
    상기 조리실 내부에서 배치되어 상기 조리실 내부보다 작은 조리 공간을 형성하고 상기 조리 공간 내에 조리될 음식물이 수용되는 복수의 히팅벽들 중 적어도 하나가,
    기판 플레이트; 및
    상기 기판 플레이트의 일 주면 상에 코팅되고 상기 마이크로웨이브를 적외선으로 변환시키는 금속 산화물 발열층을 포함하며,
    상기 조리 공간의 외부는 상기 벽면들의 적어도 일부로부터 방출된 마이크로웨이브가 상기 복수의 히팅벽들로 전달되는 공간으로 이용되며, 상기 조리 공간의 내부는 상기 음식물이 조리되는 공간으로 이용되는 마이크로웨이브 오븐.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 히팅 벽은 상기 벽면들 중 상기 마이크로웨이브 소스와 가장 인접하게 배치되는 벽면에 장착되는 마이크로웨이브 오븐.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 히팅 벽은 상기 벽면들 중 상기 마이크로웨이브 소스와 인접하게 배치되는 벽면을 제외한 나머지 벽면들에 장착되는 마이크로웨이브 오븐.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 발열층은 안티몬을 함유하는 산화주석 (Antimony Tin Oxide), 인듐을 함유하는 산화주석(Indium Tin Oxide) 및 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하는 마이크로웨이브 오븐.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 발열층은 SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2 및 SnCl2·2H2O 중 어느 하나와 NH4F, HF 및 acetyl fluoride 중 어느 하나를 용매에 혼합하여 F/Sn의 몰비가 0.4~1.4인 전구체(precursor) 용액을 제조하고, 상기 기판 플레이트 상에 상기 전구체 용액을 분사하여 형성되는 마이크로웨이브 오븐.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 발열층은 스프레이 파이로졸 코팅 방법, 초음파 분무 코팅 방법 및 초음파 스프레이 분무 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 기판 플레이트 상에 형성되는 마이크로웨이브 오븐.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 플레이트는 적외선이 투과되는 재료를 포함하는 마이크로웨이브 오븐.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판 플레이트는 세라믹 재료 또는 유리 재료를 포함하는 마이크로웨이브 오븐.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 히팅 벽은 상기 벽면들에 각각 형성되고, 상기 금속 산화물 발열층은 상기 기판 플레이트보다 상기 벽면들 쪽으로 더 인접하게 배치되는 마이크로웨이브 오븐.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 히팅 벽은 상기 벽면들에 각각 형성되고, 상기 제 1 벽면의 금속 산화물 발열층과 상기 제 3 벽면의 금속 산화물 발열층은 서로 마주보는 마이크로웨이브 오븐.
  21. 제 11 항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브는 10- 7[m]내지 10-1[m]의 파장을 가지며, 출력이 700W이고,
    상기 금속 산화물 발열층은 100 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 범위 내로 가열되는 마이크로웨이브 오븐.
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