KR101765348B1 - 패턴화된 층들에 대한 향상된 민감도를 위한 광학적 결함 증폭 - Google Patents

패턴화된 층들에 대한 향상된 민감도를 위한 광학적 결함 증폭 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 결함 검사 방법은, 비제한적인 예시로서, 검사 타겟을 제공하는 단계; 적어도 하나의 결함 검사 강화물을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계; 상기 검사 타겟의 하나 이상의 피처들(features)과 연관된 하나 이상의 검사 신호들을 생성하도록 상기 적어도 하나의 검사 강화물을 포함한 상기 검사 타겟을 조사(illuminating)하는 단계; 상기 검사 신호들을 검출하는 단계; 및 상기 검사 신호들로부터 하나 이상의 검사 파라미터들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 검사 타겟은, 비제한적인 예시로서, 적어도 하나의 검사층; 및 적어도 하나의 검사 강화층을 포함할 수 있다.

Description

패턴화된 층들에 대한 향상된 민감도를 위한 광학적 결함 증폭{OPTICAL DEFECT AMPLIFICATION FOR IMPROVED SENSITIVITY ON PATTERNED LAYERS}
관련 출원에 대한 상호-참조
본 출원은 2009년 7월 16일에 출원된 미국 가특허 출원 61/226,260으로부터의 우선권을 청구하며, 이 가특허 출원 내용 전체는 참조로서 본 명세서내에 병합된다.
본 발명은 패턴화된 구조물들이 의도한 바대로 제조되지 않은 패턴화된 표면들에 대한 결함 검사의 민감도를 향상시키는 것을 다룬다. 이러한 표면들의 검사는 이와 같은 표면들상에 광을 조사시키는 단계, 상기 표면으로부터의 광을 수집하는 단계, 및 수집된 광을 처리하여 결함이 존재하는지 여부를 결정하는 단계를 수반할 수 있다. 이러한 예시는 박막층들을 리소그래피 방식으로 처리하여 표면에서 패턴들을 생성하고 그 후 이것을 에칭하여 반도체 디바이스를 생성하도록 처리하는 반도체 웨이퍼 제조에서 존재할 수 있다. 리소그래피 공정에서, 포토레지스트층이 표면상에 퇴적되고, 반도체 디바이스층을 생성하도록 하기 위한 표면으로 에칭될 패턴을 형성하도록 현상되고 처리되는 패턴으로 이 포토레지스트는 조사(illuminated)된다. 결함들을 적당히 식별하기 위해 검출 신호들의 일부 증폭이 필요할 수 있는 저신호 발생 결함들의 예는 포토레지스트층들 내의 결함들이다. 마스크로부터의 인쇄 결함들을 검출하기 위한 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 리소그래피 요건들을 고려할 때 이러한 필요성은 높아질 수 있다. 저레벨 신호들을 확인하기 위한 종래방법들은 최적의 검사 처방을 식별하기 위해 광, 스펙트럼 대역, 어퍼처 모드 및 툴 속도/픽셀의 검사 파라미터들의 최적화를 포함하였다.
하지만, 이와 같은 최적화들은 EUV 마스크 검사 요건들로부터 형성된 미래의 설계 규칙(design rule; DR)들(예컨대, 라인폭의 1/10 또는 1.5nm의 허용된 이탈을 갖는 15nm DR)에서의 소형화된 결함들로부터 초래된 프린트 체크 웨이퍼(때때로 "플롭 다운 웨이퍼"라고 칭한다)들상의 신호 레벨들을 검출하는데 불충분할 수 있다.
웨이퍼 결함 검사 방법은, 비제한적인 예시로서, 검사 타겟을 제공하는 단계; 적어도 하나의 결함 검사 강화물을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계; 상기 검사 타겟의 하나 이상의 피처들(features)과 연관된 하나 이상의 검사 신호들을 생성하도록 상기 적어도 하나의 검사 강화물을 포함한 상기 검사 타겟을 조사(illuminating)하는 단계; 상기 검사 신호들을 검출하는 단계; 및 상기 검사 신호들로부터 하나 이상의 검사 파라미터들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 대략적인 설명과 후술하는 상세한 설명 모두는 일례일 뿐으로서 예시적인 것에 불과할 수 있으며, 청구된 본 발명을 반드시 제한시키지는 않을 수 있다는 것을 이해해야 한다. 본 명세서에서 병합될 수 있고 본 명세서의 일부를 구성할 수 있는 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들을 도시하며, 상기 개략적인 설명과 함께, 본 발명의 원리들을 설명하는 역할을 한다.
패턴화된 구조물들이 의도한 바대로 제조되지 않은 패턴화된 표면들에 대한 결함 검사의 민감도를 향상시킨다.
본 발명개시의 수많은 장점들은 첨부 도면들을 참조함으로써 본 발명분야의 당업자에 의해 보다 잘 이해될 수 있다:
도 1은 주기적 구조물과 결함을 갖는 웨이퍼 표면의 단면 프로파일을 도시한다.
도 2a는 다양한 결함 검사 강화층 물질들에 대한 파장의 함수로서 명시야(brightfield) 모드에서 동작하는 검사 시스템에 대한 신호 응답들을 도시한다.
도 2b는 다양한 검사 강화층 물질들에 대한 파장의 함수로서 암시야(darkfield) 모드에서 동작하는 검사 시스템에 대한 신호 응답들을 도시한다.
도 3은 다양한 검사 강화층들을 위한 최상의 검사 대역/모드 처방을 이용한 신호값들을 도시한다.
도 4a는 검사 파장의 함수로서의 검사 유전율(permittivity)을 도시한다.
도 4b는 검사 파장의 함수로서의 검사 유전율을 도시한다.
도 5는 주기적 구조물과 결함을 갖는 웨이퍼 표면의 단면 프로파일을 도시한다.
도 6은 다양한 검사 강화층 두께들에 대한 파장의 함수로서의 신호 응답들을 도시한다.
도 7은 313nm 및 365nm 검사 파장들에 대한 SiN 검사 강화층들의 깊이의 함수로서의 신호 응답을 도시한다.
도 8은 하나의 검사 타겟층의 또다른 검사 타겟 물질로의 패턴 전사를 위한 공정을 도시한다.
도 9는 다양한 패턴화된 검사 강화층 물질들에 대한 패턴화된 검사 강화층 두께의 함수로서의 신호 응답을 도시한다.
도 10은 다양한 검사 강화층 두께들에 대한 검사 파장의 함수로서의 신호 응답을 도시한다.
도 11은 반사성 및 흡수성 하위층들 모두에 대한 레지스트 굴절지수(refractive index) n 및 소광지수(extinction index) k의 함수로서의 신호 응답을 도시한다.
아래의 예시적인 실시예들의 상세한 설명에서는, 실시예의 일부를 형성하는 첨부 도면을 참조한다. 여러 개의 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 엘리먼트들을 식별해준다. 상세한 설명과 도면들은 예시적인 실시예들을 나타낸다. 본 명세서에 제공된 발명내용의 사상 또는 범위로부터 벗어남 없이, 다른 실시예들이 활용될 수 있고, 다른 변경들이 행해질 수 있다. 그러므로 아래의 상세한 설명은 제한적인 의미로 받아들여서는 안되며, 청구된 발명내용의 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정해진다.
명시야 현미경(예컨대, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템)이 웨이퍼의 표면을 이미징하는데 활용될 수 있다. 이와 같은 디바이스들은 다음과 같은 여러 모드들에서 동작할 수 있다: (1) 검사 타겟의 표면으로부터의 정반사 및 현미경 어퍼처로 되돌아오는 임의의 전파 회절 모드들이 캡쳐되고 이로써 현미경으로 되돌아오지 않은 검사 신호에 걸친 손실을 측정할 수 있는 명시야 모드; (2) 웨이퍼의 표면이 이미징되고 결함으로부터의 산란광 및 랜덤 노이즈 이벤트들로부터의 산란된 신호들이 캡쳐되는 미분해능 암시야(dark-field; DF) 모드; 및 (3) 웨이퍼의 표면의 이미지가 결함으로부터의 산란광뿐만 아니라 구조물로부터의 회절 차수들 모두를 포함할 수 있는 분해능 암시야(DF) 모드.
물질들은 작은 신호들을 생성할 수 있기 때문에 다수의 층들(예컨대, 포토레지스트가 불량한 광산란자인 리소그래피층들)을 이용하여 검사하는 것은 어려운 경우가 있을 수 있다. 추가적으로, 리소그래피 툴들이 자신들의 성능을 진보시킴으로써 보다 작은 패턴들이 생성될 수 있게 됨에 따라 결함들은 점점 더 작아지고 있으며, 그 결과로 보다 작은 결함들은 보다 큰 결함들보다 일반적으로 적은 신호를 생성하기 때문에 이러한 층들의 검사를 훨씬 더 어렵게 만들고 있다.
EUV 리소그래피에서의 최근의 개선들은 차세대 리소그래피에 대한 실행가능한 옵션일 수 있다는 것을 보여준다. EUV 파장에서 반사하는 기판을 제조하기 위해 필요했던 다층 코팅들 동안에 퇴적된 기판 또는 입자들에서의 구멍들 및/또는 범프들 중 어느 한 쪽에 의해 유발된 페이즈 결함들의 검출은 무결함 마스크의 현상에 있어서 중요하다. 마스크 결함이 포토레지스트내로 전파되지 않고 이에 따라 결함있는 반도체 디바이스를 초래시키지 않도록 하기 위해서는 무결함 마스크가 필요하다. 하지만, EUV 공정을 위한 마스크 및 마스크 기판은 UV 및 가시광 파장들에 대해 불투명하다. 이와 같은 경우들에서는, 이러한 결함들에 대해 민감해지도록 화학선(EUV 파장) 검사가 필요할 수 있다. 하지만, 마스크로부터 초래된 모든 결함들을 검사하기 위해 노광되거나 현상된 포토레지스트 웨이퍼를 충분한 민감도를 갖고 검사할 수 있다면, EUV 마스크 자체의 자격과 갱신 요건들을 충족시킬 수 있다.
차세대 리소그래피의 또다른 후보는 포토레지스트내에 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트내로 프레싱될 수 있는 다중사용 템플릿을 이용하는 나노 임프린트 리소그래피(nano-imprint lithography; NIL)일 수 있다. 다시, 결과적인 인쇄된 웨이퍼의 검사에 걸쳐 NIL 마스크가 자격을 갖추도록 하는데 충분한 민감도를 웨이퍼 검사 툴이 갖추도록 하는 것은 부모 및 자식 NIL 몰드들을 검사하기 위한 전용툴을 구축하는 것보다 더 매력적일 수 있다.
아래에 설명된 본 발명은 저신호 응답(예컨대, 포토레지스트층들)을 갖는 광학적 결함 검사를 받는 검사 타겟의 웨이퍼층들(즉, "검사층들")로부터 생성된 결과적인 신호들을 증대시키기 위한 방법을 제공한다. 예를 들어, 해당 검사 타겟의 다양한 검사층들에서의 결함들의 검출가능성을 증대시키기 위해 하나 이상의 검사 강화물들이 검사 타겟에 도포될 수 있다. 예를 들어, 후술하는 바와 같이, 검사 강화는, 검사층 위에서의 국부적인 검사 강화층의 도포, 검사층 아래에서의 검사 강화 하위층의 도포, 제2 검사 타겟의 검사 강화층으로의 검사 타겟의 패턴화된 층의 전사 및/또는 특별한 광학적 특성들을 나타내는 검사층 물질들의 선택 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
검사 타겟에 대한 검사 강화물의 도포 이후, 검사 타겟은 검사 툴에 의해 검사를 받을 수 있다. 예를 들어, 검사 타겟의 하나 이상의 물리적 피처들과 연관된 하나 이상의 검사 신호들(예컨대, 반사 신호, 산란 신호 등)을 발생시키기 위해 검사 강화처리된 검사 타겟을 다양한 스펙트럼 대역들에 걸쳐 전자기 방사선으로 조사(illuminate)시키는데 검사 툴(예컨대, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템)이 이용될 수 있다. 검사 타겟의 물리적 피처들을 나타내는 하나 이상의 검사 파라미터들을 생성할 수 있도록 이러한 검사 신호들은 검사 툴에 의해 검출되고 분석될 수 있다.
이제부터, 첨부된 도면들에서 도시되고 개시된 본 발명내용을 자세하게 설명할 것이다.
예를 들어, 도 1은 평행선들의 라인 간격 어레이를 포함하도록 패턴화된 검사 타겟(100)의 단면도를 도시한다. 검사 타겟(100)은 하나 이상의 결함 구조물들(102)을 포함한 검사층(101)(예컨대, 검사받게되는 포토레지스트층)을 포함할 수 있으며, 이 검사층(101)에는 국부적인 검사 강화층(103A)이 도포될 수 있다. 국부적인 검사 강화층(103A)은 검사층(101)에 대한 검사 특성들을 증가시킬 수 있다(예컨대, 증대된 반사도, 산란도, 굴절지수 등). 도포는 화학적 기상 증착 공정과 같은 증착 툴을 이용하여 행해질 수 있다. 국부적인 검사 강화층(103A)의 증가된 산란 능력들은 강화층의 물질 특성들로 인해 산란 신호를 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 금속성 결함은 유전성 결함보다 훨씬 많이 빛을 산란시킬 것이다. 이와 같은 국부적인 검사 강화층(103A)은 또한 특정한 결함의 부피를 증가시키는 역할을 함으로써 해당 결함과 관련된 산란을 더욱 더 증가시킬 수 있다.
국부적인 검사 강화층(103A)을 제공하기 위해 다양한 물질들이 이용되어 웨이퍼를 코팅할 수 있다. 도 2a와 도 2b를 참조하면, 다양한 국부적인 검사 강화층(103A) 물질들을 이용한 대표적인 산란 신호들이 도시된다. 예를 들어, 국부적인 검사 강화층(103A) 내에 병합된 물질들은, 비제한적인 예시로서, 티타늄 질화물, 알루미늄, 은, 금, 탄탈륨 질화물 및/또는 크롬을 포함할 수 있다. 몇몇의 국부적인 검사 강화층(103A) 물질들은 다른 목적들(예컨대, 접착층)을 위한 웨이퍼 제조 공정들에서 통상적으로 이용되는 것들을 포함할 수 있다는 것을 유념해야 한다. 도 2a와 도 2b는 (예컨대, 도 1에서 도시된) 40nm 깊이 포토레지스트를 갖는 30nm DR NIL 구조물 위에 검사 강화 물질의 5nm의 코팅을 갖는 검사 타겟에 대한, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템상에서의 암시야(DF)를 이용한 완전 높이 브릿지형 결함 모드(HPEC) 및 명시야(BF) 모드로부터 생성된 각각의 신호들을 (예컨대 잠재적인 255개 중의 그레이 레벨들(gray level; GL)로) 검사 파장의 함수로서 도시한다. 도시된 바와 같이, 알루미늄은 코팅이 없는 경우보다 많이 관련 결함 신호들을 증가시키는 DF와 BF 모두에서의 신호 증대를 제공한다.
시뮬레이팅된 파장 데이터를 이용하여, 어떻게 웨이퍼 검사 툴의 신호가 향상될 수 있는지를 결정하기 위해 웨이퍼 검사 툴 파라미터들이 분석될 수 있다. 도 3은 최대 신호 응답들을 초래하도록 최적화된 다양한 국부적인 검사 강화층(103A) 물질들에 대한 검사 처방을 이용한, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템에 대한 BF 및 DF에서의 신호들을 도시한다.
특정한 국부적인 검사 강화층(103A) 물질은 공명 표면 플라즈몬(resonant surface plasmon)이 발생할 수 있도록 하는 특성들을 가질 수 있다. 이와 같은 발생 가능성은 국부적인 검사 강화층(103A)의 유전율(permittivity)의 함수이다. 몇몇 물질들에 대한 표면 플라즈몬 모드들의 발생 및 이것의 국부적인 검사 강화층(103A)의 컴포넌트로서의 이용이 바람직할 수 있다. 도 4a 및 도 4b는 파장의 함수로서의 산란 교차 섹션들을 도시하며, 여기서 값이 1보다 큰 것은 국부적인 검사 강화층(103A)으로 인한 잠재적인 신호 향상을 나타낸다. 도 4b는 표면 플라즈몬 공명 모드들을 지원하기 위한 필요 조건인, 주변 물질 유전율에 비해 네거티브 유전율을 갖는 국부적인 검사 강화층(103A) 물질로서 일반적인 귀금속을 이용한 커다란 잠재적 신호 증대를 도시한다. 이와는 대조적으로, 도 4a는 표면 플라즈몬 공명 모드들을 쉽게 지원할 수 없는 일반적인 유전체 물질로부터의 보통의 잠재적 신호 증대를 도시한다.
도 5를 참조하면, 검사 타겟(100)이 도시되어 있다. 검사 타겟(100)은 검사층(101) 아래에 배치된 투명한 하위층으로서 구성된 적어도 하나의 검사 강화 하위층(103B)을 포함할 수 있다. 이와 같은 구성은 결함 구조물들(102)의 위치에서 간섭 최대를 갖는 박막 간섭 효과를 불러일으킬 수 있다. 박막 간섭은 기판(104)으로부터 반사되어 나오는 광에 의해 야기될 수 있으며, 또한 입사광 및 다른 반사광과의 간섭을 일으키는 스택내의 투명 또는 반투명 물질들간의 층간 경계들(예컨대, 검사층(101)과 검사 강화 하위층(103B)간의 경계)로부터 반사될 수 있고, 이로써 최대 및 최소의 전기장 세기들의 정상파들을 생성한다. 검사 강화 하위층(103B)의 광학적 특성들(예컨대, 굴절지수 n; 소광계수 k)과 두께를 변화시킴으로써, 검사층(101) 또는 다른 투명 물질에서의 깊이 내의 최대 및 최소 전기장의 위치는 후술하는 검사 파장에 따르도록 변경되고 최적화될 수 있다. 검사 타겟(100)은 또한 검사층(101) 아래에 배치된 불투명한 하위층으로서 구성된 적어도 하나의 검사 강화 하위층(103B)을 포함할 수 있다. 결함 신호를 증대시키는 것에 더하여, 이 하위층은 기본 공정 변동 및 이전의 층 결함들로부터의 웨이퍼 검사 노이즈를 감소시키는 추가된 장점을 가질 수 있다.
검사층(101)은 일반적으로 Si 블랭크 웨이퍼 기판(104) 위에서 40~100nm 두께의 얇은 층으로 도포될 수 있고, 그 후 스텝퍼 툴의 촛점 및 노광을 테스트할 목적으로 개발될 수 있거나 또는 마스크 결함을 위해 프린트 체크 웨이퍼를 검사함으로써 마스크에게 자격을 부여할 수 있다. 이와 같은 샘플들을 검사하기 위한 최적의 파장은 현재의 웨이퍼 검사 툴이 이용하는 것보다 짧을 수 있는 경우가 있을 수 있다. 보다 짧은 파장들에서 동작하는 웨이퍼 검사 툴을 개발하는 것은 몇가지 단점들을 예를 들면, 제한적이고 매우 고가인 상용가능한 광원들, 고가의 광학장치들 및 불량한 광학적 코팅 성능, 포토 오염의 증가된 위험, 고에너지 포톤으로부터의 웨이퍼 손상으로 인해 비용이 많이 들 수 있다. 검사 강화 하위층(103B)의 물질 및 두께를 선택함으로써, 최대 검사 파장들이 검사 툴의 동작 파장 범위내로 이동하도록 샘플의 신호 생성 특성들은 조정될 수 있다. 정상파의 최대값을 결함의 위치로 이동시킴으로써 간섭 효과가 또한 신호를 최대화하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 결과적인 신호는 결함 위치에서의 전기장의 함수일 수 있으며, 이에 따라, 파장은 정상파 간섭의 최대 및 최소가 발생할 곳을 결정하므로 결과적인 신호는 입사광의 파장에 따라 변할 수 있다. 하부층의 두께 또는 물질을 변경시키는 것은 스택의 간섭 특성들을 변경시켜서 결함에서의 전기장을 최대화할 수 있다. 이것은 특정한 파장에 대해 행해질 수 있거나, 또는 만약 파장이 알려진 경우, 결함이 위치하는 구조물 내의 특정한 위치에서 행해질 수 있다. 이와 같은 기술들은 신호를 증가시키기 위한 다른 방법들(예컨대, 후술될 패턴 전사 기술)과도 함께 이용될 수 있다는 것을 유념해야 한다.
특히, 최적의 검사 파장은 검사층(101)의 화학적 성질을 변경시키는 검사 포톤들로부터의 잠재적인 손상이 최소화되는 파장 범위로 이동될 수 있다. 이러한 효과를 설명하기 위해, 가변 두께를 갖는 SiN 검사 강화 하위층(103B)은 검사층(101) 아래에 위치되어 시뮬레이팅되었고, 완전 높이 브릿지 결함으로부터의 명시야 로우 시그마 모드(VIB)에서의 결함 신호는 SiN 검사 강화 하위층(103B)의 두께 및 검사 파장의 함수로서 계산되었다. 도 6은 다양한 파장들에 걸친 다양한 검사 강화 하위층(103B) 두께에 대한 다양한 신호 응답들을 도시한다. 도 6에서 도시된 바와 같이, 코팅없는 검사층(101)은 대략 230nm에서 최대 파장 민감도를 가질 수 있다. 이와 같은 민감도는 260nm와 450nm사이에서 동작하는 광대역 웨이퍼 검사 툴들에 대한 검사 임계값 아래에 있을 수 있다. 도시된 바와 같이, SiN 검사 강화 하위층(103B)에 대해 25nm의 깊이를 선택함으로써, 광대역 스펙트럼내에 있으며 코팅없는 검사층(101) 신호보다 훨씬 위인, 대략 300nm로 최대값이 이동할 수 있다. 노이즈를 최소화하거나(이것은 또한 파장의 함수일 수 있음) 또는 광화학적 공정들에 의한 웨이퍼 손상을 최소화하는데 유리할 수 있는 다른 스펙트럼 부분들쪽으로 신호 응답들을 이동시키기 위해 다른 두께들이 활용될 수 있다.
만약 검사기가 특정한 파장에서 특정한 광 버짓 최대값을 가지면, 결함 신호의 최대값은 검사 강화 하위층(103B)의 깊이 및/또는 물질 특성들(예컨대, n, k)을 변화시킴으로써 해당 파장으로 튜닝될 수 있다. 도 7은 313nm 및 365nm 경우에 대한 SiN 검사 강화 하위층(103B)의 깊이의 함수로서 신호를 도시하는 것에 의해 이러한 효과를 설명해준다. 도시된 바와 같이, 365nm의 검사 파장에서 최대의 신호 응답을 획득하기 위해, 다른 웨이퍼 공정 단계들의 요건들에 보다 잘 들어맞을 수 있는 두께에 의존하여 대략 40nm 또는 140nm 중 어느 한쪽의 SiN 검사 강화 하위층(103B) 깊이가 선택될 수 있다. SiN 이외의 다른 투명 물질들(예컨대, SiO2)이 박막 간섭 효과를 일으키기 위해 이용될 수 있다는 것을 인지할 것이다.
또한 추가적으로, 검사 타겟(100A)의 패턴화된 검사층(101)을 제2 검사 타겟(100B)의 검사 강화 하위층(103B)상으로 전사시킴으로써 신호 응답은 향상될 수 있다. 보다 강한 산란 특성들을 갖는 검사 강화 하위층(103B)을 선택함으로써, 검사층(101)의 대응하는 결함들은 보다 손쉽게 캡쳐될 수 있다. 이와 같은 공정들은 에칭 후 검사 기술들과 유사하지만, 대신에 처리된 완전 루프 웨이퍼(예컨대, 생산 라인에 있는 웨이퍼)보다는 최적의 검사 특성들을 갖는 하나 이상의 하위층 물질들을 갖는 짧은 루프 웨이퍼(예컨대, 제조 공정에서의 특정한 단계를 테스트하기 위해 이용되는 웨이퍼들)에 적용된다. 이러한 방식으로 결함(돌출, 교합, 브릿지 등)의 이미지 및 이미지 패턴은 선택된 깊이, 물질 및 조성을 갖는 물질 스택내로 전사될 수 있다. 결함 민감도는 (도 8a에서 도시된) 현상 후 검사(after-develop inspection; ADI) 층들보다는 (예컨대, 도 8c에서 도시된) 세정 후 검사(after-clean inspection; ACI) 층들에서 보다 클 수 있다. 스택은 상술한 바와 같이, 파장, 물질의 산란력(즉, 보다 높은 굴절지수), 및 간섭 효과 대비 물질 콘트라스트를 활용하도록 설계될 수 있다. 만약 선택된 검사 대역에서의 파장들이 스택을 관통할 수 있다면, 결함 산란 중심의 총체적인 부피는 결함 높이를 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 뿐만 아니라, (포토 쇼트 루프 연구들에서 흔한) 라인 간격 구조물들은 물질, 치수, 파장 및 입사각이 정확하게 튜닝될 때 광학적 도파관처럼 행동한다는 것이 관측되어왔다. 이러한 도파관 효과는 관심대상의 결함의 바로 근처의 전기장을 증폭시키는데 활용될 수 있다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 검사 타겟(100)에 대한 패턴 전사 기술이 도시된다. (도 8a에서 도시된) 검사 타겟(100A)의 실리콘 기판(104)상의 검사층(101)의 원래 패턴은 제2 검사 타겟(100B)의 스택(예컨대, 도 8b 및 도 8c에서 도시된 하부 SiO2 접착층(105)을 갖는 보다 두꺼운 SiN 검사 강화 하위층(103B))상에서 패턴화될 수 있다. 검사 타겟(100A)의 검사층(101) 패턴은 제2 검사 타겟(100B)의 SiN 검사 강화 하위층(103B) 내로 에칭될 수 있고, 그런 후 검사 전 세정(예컨대, ACI)되어 도 8c에서 도시된 바와 같이 패턴화된 검사 강화 하위층(103B)을 남겨두도록 SiN 국부적 검사 강화층(103A)의 에칭된 부분들을 제거할 수 있다. 그런 후 패턴화된 검사 강화 하위층(103B)은 검사를 받게될 수 있다.
패턴화된 검사 강화 하위층(103B) 물질은 검사 타겟(100A)의 검사층(101)보다 더 높은 산란 물질을 포함하도록 선택될 수 있으며, 상술한 웨이퍼 검사 툴의 범위내로 최상의 신호 파장들이 이동될 수 있도록 하기 위해 이 검사 강화 하위층(103B)의 두께 및 하부층(예컨대, 접착층(105))의 두께가 이용될 수 있다. 추가적으로, 접착층(105)의 깊이는 추가적인 최적화도를 제공하도록 이와 유사하게 조정될 수 있다.
도 9를 참조하면, 다양한 패턴 전사 물질들에 대한, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템에 의한 시뮬레이션 성능이 각 물질들의 두께의 함수로서 도시된다. BF 및 DF 모두의 경우에서의 ADI에 대한 (도 8c에서 도시된) ACI 구성으로부터 획득된 시뮬레이팅된 플롯 신호들과 함께 (도 8a에서 도시된) ADI 구성의 분석으로부터 획득된 시뮬레이팅된 신호들이 표준화 인자로서 이용되었다. 도 9에서 도시된 바와 같이, 상대적으로 두꺼운 SiN은 30x보다 큰 신호 증가들이 가능한 DF에서 특히 최상의 성능을 가질 수 있다. 하위층에 대한 물질 선택들에는 SiN, SiO2, 폴리 Si, Si, Al, TaN, TiN 등이 포함될 수 있다.
도 10을 참조하면, 검사 강화 하위층(103B)이 없는 ADI 구성에 대한 파장 응답과 비교하여 SiN 검사 강화 하위층(103B)의 다양한 두께를 갖는 ACI 구성에 대한 파장 응답은, SiN 검사 강화 하위층(103B)의 두께를 구성함으로써 증대된 민감도를 위한 파장이 선호하는 영역들에 대응하도록 최적화될 수 있다는 것을 보여준다. 하나 이상의 하부 물질들(예컨대, 접착층(105))의 두께를 변경시켜서 최상의 신호가 희망하는 파장으로 이동되게 함으로써 이와 유사한 효과가 발생할 수 있다.
또 추가적으로, 검사층(101) 물질들(예컨대, 포토레지스트층)을 선택하거나 및/또는 (예컨대, 흡수도를 증가시키기 위해) 검사층(101)에 염료들을 추가하여 검사 파장들에서의 검사층(101)의 광학적 특성들을 증대시키도록 함으로써 신호 응답은 향상될 수 있다. 1.9의 굴절지수를 갖는 검사층(101)을 선택함으로써, 산란 증대는 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템의 스펙트럼 범위를 넘어, 1.58의 굴절지수를 갖는 검사층(101)에 비해 3.7만큼 증가될 수 있다.
도 11a는 반사성 및 흡수성 하위층들 모두에 대한, 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 KLA 텐코 코포레이션에 의해 생산된 2830 명시야 패턴화 웨이퍼 결함 검사 시스템상에서의 명시야 로우 시그마 모드(VIB) 명시야 모드 및 암시야(DF) 모드(HPEC)를 이용한 검사 파장들에서의 굴절지수 n의 함수로서의 시뮬레이팅된 결함 신호 증가를 도시한다. 도 11b는 반사성 하위층에 대한, 검사 파장에서의 소광계수 k의 함수로서의 로우 시그마 모드(VIB) 명시야 모드에서의 시뮬레이팅된 결함 신호 증가를 도시한다. k를 0에서 1.0까지 증가시킴으로써, 시뮬레이팅된 결함 신호는 1.9x만큼 증가한다. 검사 파장에서 소광계수 k는 검사 평균 파장에서 흡수 피크들이 집중되어 있는 염료를 추가함으로써 증가될 수 있다. 검사 파장에서 굴절지수는 검사층(101) 물질들의 선택에 의하거나 또는 검사 파장들보다 짧은 파장들에서 흡수 피크들을 갖는 흡수기들을 추가함으로써 증가될 수 있다. 흡수 피크보다 긴 파장들에 대한 흡수 피크 근처에서는 굴절지수는 자연적으로 증가한다(정상분산).
앞의 상세한 설명은 블록도, 흐름도, 및/또는 예시의 이용을 통해 디바이스 및/또는 프로세스의 다양한 실시형태를 설명하였다. 이러한 블록도, 흐름도, 및/또는 예시가 하나 이상의 기능들 및/또는 동작들을 포함하는 한, 이러한 블록도, 흐름도, 또는 예시에서의 각각의 기능 및/또는 동작은 광범위한 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 가상적인 임의의 조합에 의해 개별적으로 및/또는 집합적으로 구현될 수 있다는 것을 당업자들은 이해할 것이다. 일 실시형태에서, 본 명세서에 기재된 내용의 여러 부분들은 주문형 반도체 (Application Specific Integrated Circuit; ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이 (Field programmable Gate Array; FPGA), 디지털 신호 처리기 (digital signal processor; DSP), 또는 다른 집적 포맷을 통해 구현될 수 있다. 하지만, 본 명세서에 개시된 실시형태들의 일부 양태들은, 전체적으로 또는 부분적으로, 하나 이상의 컴퓨터 상에서 실행되는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램으로서 (예를 들어, 하나 이상의 컴퓨터 시스템 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램으로서), 하나 이상의 프로세서 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램으로서 (예를 들어, 하나 이상의 마이크로프로세서 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램으로서), 펌웨어로서, 또는 이들의 가상적인 임의의 조합으로서, 집적회로에서 등가적으로 구현될 수 있다는 것과, 소프트웨어 및/또는 펌웨어를 위한 회로를 설계하고 및/또는 이것을 위한 코드를 작성하는 것은 본 발명개시에 비추어 당업자의 지식 내에 있다는 것을 당업자들은 이해할 것이다. 또한, 본 명세서에 기재된 내용의 메카니즘은 프로그램 제품으로서 다양한 형태로 배포될 수 있다는 것과, 본 명세서에 기재된 내용의 예시적인 실시형태는 이러한 배포를 사실상 수행하기 위해 사용되는 신호 운반 매체의 특정 유형에 상관없이 적용된다는 것을 당업자는 알 것이다. 신호 운반 매체의 예는, 비제한적인 예시로서, 플로피 디스크, 하드 디스크 드라이브, 컴팩 디스크 (CD), 디지털 비디오 디스크 (DVD), 디지털 테이프, 컴퓨터 메모리 등과 같은 기록가능형 매체; 및 디지털 및/또는 아날로그 통신 매체와 같은 전송형 매체 (예를 들어, 광섬유 케이블, 도파관, 유선 통신 링크, 무선 통신 링크(예컨대, 송신기, 수신기, 송신 로직, 수신 로직 등) 등) 를 포함한다.
일반적인 의미에서, 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합의 폭넓은 범위에 의해 개별적으로 및/또는 집합적으로 구현될 수 있는 여기서 설명된 다양한 양태들은 "전기 회로"로 구성되는 것으로서 바라볼 수 있다는 것을 본 발명분야의 당업자는 인식할 것이다. 결과적으로, 여기서 이용된 "전기 회로"는, 비제한적인 예시로서, 적어도 하나의 개별적인 전기 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 집적 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 응용 특정 집적 회로를 갖는 전기 회로, 컴퓨터 프로그램에 의해 구성된 범용 컴퓨팅 디바이스(예컨대, 적어도 부분적으로 여기서 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성된 범용 컴퓨터, 또는 여기서 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 적어도 부분적으로 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성된 마이크로프로세서)를 형성하는 전기 회로, 메모리 디바이스(예컨대, 랜덤 액세스 메모리의 형태들)를 형성하는 전기 회로, 및/또는 통신 디바이스(예컨대, 모뎀, 통신 스위치, 또는 광학 전기적 장비)를 형성하는 전기 회로를 포함한다. 본 발명분야의 당업자는 여기서 설명된 발명내용이 아날로그 또는 디지털 형식 또는 이들의 몇몇의 조합으로 구현될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
본 명세서에 기재된 내용은 때때로 상이한 다른 컴포넌트들 내에 포함되거나 또는 상이한 다른 컴포넌트들과 연결된 상이한 컴포넌트들을 나타낸다. 이러한 도시된 아키텍처는 단지 예시일 뿐이며, 동일한 기능을 달성하는 사실상 많은 다른 아키텍처들이 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 개념적인 의미에서, 원하는 기능이 달성되도록, 동일한 기능을 달성하기 위한 컴포넌트들의 임의의 배열은 효과적으로 "연관"된다. 그러므로, 아키텍처 또는 중간 컴포넌트에 관계없이, 원하는 기능이 달성되도록, 특정 기능을 달성하기 위해 조합된 본 명세서에서의 임의의 2 개의 컴포넌트들은 서로 "연관"된 것으로 보여질 수도 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 컴포넌트들은 또한 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "동작가능하게 접속되거나" 또는 "동작가능하게 결합되는" 것으로서 보여질 수도 있고, 그렇게 연관될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트들은 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "동작가능하게 결합되는" 것으로서 보여질 수도 있다. 동작가능하게 결합되는 구체적인 예는, 물리적으로 짝이 될 수 있고/있거나 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 무선으로 상호작용할 수 있고/있거나 무선으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 논리적으로 상호작용하고/하거나 논리적으로 상호작용할 수 있는 컴포넌트들을 포함하지만 이것으로 한정되지 않는다.
몇몇 경우들에서, 하나 이상의 컴포넌트들은 여기서 "구성하도록", "구성가능하도록", "동작가능하도록/동작하도록", "적응하도록/적응가능하도록", "할 수 있도록", "컨포멀가능하도록/컨포멀하도록" 등으로서 칭해질 수 있다. 본 발명분야의 당업자는, "구성가능하도록"은 문맥에서 이와 다른 것을 요구하지 않는 한, 일반적으로 활성 상태 컴포넌트들 및/또는 비활성 상태 컴포넌트들 및/또는 대기 상태 컴포넌트들을 망라할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 여기서 설명된 본 발명내용의 특별한 양태들이 도시되고 설명되어 왔지만, 여기서의 가르침들에 기초하여, 변경들 및 변형들이 여기서 설명된 발명내용과 보다 넓은 양태들로부터 벗어나지 않고서 행해질 수 있다는 것과, 이에 따라 첨부된 청구항들은 여기서 설명된 발명내용의 진정한 사상과 범위내에 있는 이와 같은 모든 변경들 및 변형들을 각자의 범위내에서 포함할 것이라는 것은 본 발명분야의 당업자에게는 자명할 것이다. 일반적으로, 본 명세서에서 그리고 특히 첨부된 청구항들 (예를 들어, 첨부된 청구항들의 본문) 에서 사용되는 용어는 일반적으로 "개방적인" 용어들 (예를 들어, "포함하는" 이라는 용어는 "포함하지만 한정되지 않는" 으로 해석되어야 하고, "갖는" 이라는 용어는 "적어도 갖는" 으로 해석되어야 하고, "포함한다" 라는 용어는 "포함하지만 한정되지 않는다" 로 해석되어야 한다) 로서 의도된다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 또한, 도입된 청구항 기재의 구체적 숫자가 의도되는 경우, 이러한 의도는 청구항에 명시적으로 기재될 것이며, 이러한 기재의 부재 시에는 그러한 의도가 없다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위하여, 다음의 첨부된 청구항들은 청구항 기재를 도입하기 위해 "적어도 하나" 및 "하나 이상" 의 서두 어구의 사용을 포함할 수도 있다. 그러나, 이러한 어구의 사용은, 동일 청구항이 서두 어구 "하나 이상" 또는 "적어도 하나" 및 "a" 또는 "an" 과 같은 부정관사 (예를 들어, "a" 및/또는 "an" 은 "적어도 하나" 또는 "하나 이상" 을 의미하도록 해석되어야 한다) 를 포함할 때에도, 부정관사 "a" 또는 "an" 에 의한 청구항 기재의 도입이 이렇게 도입된 청구항 기재를 포함하는 임의의 특정 청구항을 하나의 이러한 기재만을 포함하는 청구항들로 한정한다는 것을 내포하는 것으로 해석되어서는 안되며; 청구항 기재를 도입하는 데 사용되는 정관사의 사용에 대해서도 동일하게 유효하다. 또한, 도입되는 청구항 기재의 구체적 수가 명시적으로 기재되는 경우에도, 당업자는 이러한 기재가 통상적으로 적어도 기재된 수 (예를 들어, 다른 수식어 없이, "2 개의 기재" 에 대한 그대로의 기재는, 적어도 2 개의 기재들 또는 2 개 이상의 기재들을 의미한다) 를 의미하는 것으로 해석되어야 한다는 것을 인식할 것이다. 또한, "A, B 및 C 중 적어도 하나 등" 과 유사한 관례가 사용되는 경우에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 그 관례를 이해할 것이라는 의미로 의도된다 (예를 들어, "A, B 및 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템" 은 A 만을, B 만을, C 만을, A 와 B 를 함께, A 와 C 를 함께, B 와 C 를 함께, 및/또는 A, B 및 C 를 함께 등을 갖는 시스템을 포함하지만 이에 한정되지 않을 것이다). "A, B 또는 C 등 중 적어도 하나" 와 유사한 관례가 사용되는 경우에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 그 관례를 이해할 것이라는 의미로 의도된다 (예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템" 은 A 만을, B 만을, C 만을, A 및 B 를 함께, A 및 C 를 함께, B 및 C 를 함께, 및/또는 A, B 및 C 를 함께 갖는 시스템 등을 포함하지만 이에 한정되지 않을 것이다). 또한, 상세한 설명, 청구항들 또는 도면들에서, 2 개 이상의 택일적 용어를 제시하는 이접 단어 및/또는 어구는 일반적으로 용어들 중 하나, 용어들 중 어느 한쪽 또는 양 용어 모두를 포함할 가능성들을 고려하도록 이해되어야 한다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 예를 들어, 어구 "A 또는 B" 는 일반적으로 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B" 의 가능성을 포함하도록 이해될 것이다.
첨부된 청구항들과 관련하여, 본 발명분야의 당업자는 청구항에서 인용된 동작들은 일반적으로 임의의 순서로 수행될 수 있다는 것을 알 것이다. 또한, 다양한 동작 흐름들이 시퀀스(들)에서 제시될 수 있지만, 다양한 동작들은 도시된 것과 다른 순서들로 수행될 수 있거나, 또는 동시적으로 수행될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 이와 같은 대안적인 순서화들의 예시들은 문맥에서 이와 달리 지시하지 않는 한, 중첩, 인터리빙, 인터럽트, 재배열, 증분, 준비적, 보충적, 동시적, 반전, 또는 이와 다른 변종적 순서화를 포함할 수 있다. 문맥에 대해서, 심지어 "에 응답하는", "에 관한"과 같은 용어들은, 또는 다른 과거시제 형용사들은 일반적으로 문맥에서 이와 달리 지시되지 않는 한, 이와 같은 변형들을 배제하는 것으로 의도되지는 않는다.
청구항들에서는 특정한 청구항 번호 인용들이 확인되어왔지만, 청구항의 특징들의 모든 가능한 조합들이 본 출원명세서에서 구상되며, 이에 따라 청구항들은 모든 가능한 다중 청구항 번호 인용들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다는 것을 유념해 두어야 한다. 본 발명개시 및 본 발명개시의 수 많은 부수적인 장점들이 전술한 설명에 의해 이해될 것으로 믿어지며, 다양한 변경들이 개시된 발명내용으로부터 벗어나지 않거나 또는 발명내용의 모든 물질 장점들을 희생시키지 않는 컴포넌트들의 형태, 구성, 및 배열로 행해질 수 있다는 것은 자명할 것이다. 설명된 형태는 단지 예시에 불과하며, 아래의 청구항들은 이와 같은 변경들을 망라하고 포함하는 것으로 의도되었다.

Claims (25)

  1. 웨이퍼 결함 검사 방법에 있어서,
    검사 타겟을 제공하는 단계;
    적어도 하나의 국부적인(topical) 검사 강화층을 상기 검사 타겟의 적어도 일부분에 도포하는 단계를 포함하고, 상기 국부적인 검사 강화층은 조사(illumination) 시 공명 표면 플라즈몬(resonant surface plasmon)을 나타내는 성분을 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    패터닝된 상기 검사 타겟의 하나 이상의 피처들(features)과 연관된 하나 이상의 검사 신호들을 생성하도록 상기 검사 타겟을 조사(illuminating)하는 단계;
    상기 검사 신호들을 검출하는 단계; 및
    상기 검사 신호들로부터 하나 이상의 검사 파라미터들을 생성하는 단계
    를 더 포함하는, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 국부적인 검사 강화층은 티타늄 질화물, 알루미늄, 은, 금, 탄탈 질화물 및 크롬 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 검사 파장들에서 하나 이상의 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 물질들을 상기 하나 이상의 검사층들내에 병합시키는 단계를 더 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 검사 파장들에서 하나 이상의 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 물질들을 상기 하나 이상의 검사층들내에 병합시키는 단계는,
    상기 하나 이상의 검사 파장들에서 하나 이상의 포토레지스트 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 물질들을 상기 하나 이상의 포토레지스트 검사층들내에 병합시키는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하나 이상의 검사 파장들에서 하나 이상의 포토레지스트 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 물질들을 상기 하나 이상의 포토레지스트 검사층들내에 병합시키는 단계는,
    상기 하나 이상의 검사 파장들에서 상기 하나 이상의 포토레지스트 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 염료들을 상기 하나 이상의 포토레지스트 검사층들에 추가하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 국부적인 검사 강화층은, 적어도 하나의 포토레지스트층을 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 국부적인 검사 강화층은,
    하나 이상의 물질들이 결여된 검사층의 굴절지수와 소광계수 중 적어도 하나에 대해 검사 파장에서의 굴절지수와 소광계수 중 적어도 하나를 수정시키는 상기 하나 이상의 물질들을 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 검사 타겟은, 상기 국부적인 검사 강화층 아래에 배치된 적어도 하나의 패터닝된 검사 강화 하위층을 더 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  10. 웨이퍼 결함 검사 방법에 있어서,
    검사 타겟을 제공하는 단계; 및
    적어도 하나의 결함 검사 강화물을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 결함 검사 강화물을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계는,
    상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들 중 적어도 일부분 아래에 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계를 포함하고, 상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들 중 적어도 일부분 아래에 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계는,
    노광 파장에서 흡수하고 검사 파장에서 투과시키는 제1 검사 강화 하위층 및 검사 파장에서 상기 검사 타겟의 적어도 일부분쪽으로 반사시키는 제2 검사 강화층을 포함한 두 개 이상의 검사 강화 하위층들을 상기 검사 타겟의 검사층 아래에 배치하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들의 적어도 일부분 아래에, 박막 간섭 효과를 일으키는 상기 하나 이상의 검사 강화 하위층들의 배치하는 단계는,
    상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들의 적어도 일부분 아래에, 결함 구조물의 위치에서 최대 세기를 갖는 박막 간섭 효과를 일으키는 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 검사 타겟의 결과적인 검사 신호들이 검사 디바이스의 동작 범위에 대응하도록 수정하기 위해 상기 검사 강화 하위층의 굴절지수(refractive index), 상기 검사 강화 하위층의 소광계수(coefficient of extinction), 및 상기 검사 강화 하위층의 두께 중 적어도 하나를 구성하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들 중 적어도 일부분 아래에 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계는,
    상기 검사 타겟의 검사층의 적어도 일부분 아래에 상기 검사 타겟의 적어도 일부분 아래에 실리콘 질화물 및 실리콘 이산화물 중 적어도 하나를 포함하는 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  14. 웨이퍼 결함 검사 방법에 있어서,
    검사 타겟을 제공하는 단계;
    적어도 하나의 결함 검사 강화층을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계;
    상기 검사 타겟에 연관된 패터닝된 검사층을 제2 검사 타겟에 전사하는 단계;
    상기 제2 검사 타겟의 적어도 일부분에 적어도 하나의 검사 강화층을 도포하는 단계;
    상기 검사 타겟의 패터닝된 검사층에 대응하는 패터닝된 포토레지스트층을 상기 적어도 하나의 검사 강화층 위의 상기 제2 검사 타겟에 도포하는 단계;
    상기 제2 검사 타겟의 패터닝된 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 및
    상기 제2 검사 타겟 포토레지스트의 패터닝된 포토레지스트층을 상기 제2 검사 타겟의 적어도 하나의 검사 강화층으로 에칭하는 단계를 포함하는 웨이퍼 결함 검사 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 검사 타겟의 적어도 일부분에 상기 적어도 하나의 검사 강화층을 도포하는 단계는,
    실리콘 질화물과 폴리실리콘 중 적어도 하나를 포함한 적어도 하나의 검사 강화층을 도포하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    검사 신호들을 최적화하도록 상기 검사 강화층의 하나 이상의 두께들을 구성하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 결함 검사 강화물을 상기 검사 타겟에 도포하는 단계는,
    상기 검사 타겟의 적어도 일부분에 국부적인 검사 강화층을 도포하는 단계;
    상기 검사 타겟의 하나 이상의 층들의 적어도 일부분 아래에 하나 이상의 검사 강화 하위층들을 배치하는 단계;
    상기 검사 타겟과 연관된 패터닝된 검사층을 제2 검사 타겟으로 전사시키는 단계; 및
    하나 이상의 검사 파장들에서 하나 이상의 검사층들의 소광계수와 굴절지수 중 적어도 하나를 수정하도록 하나 이상의 물질들을 상기 하나 이상의 검사층들내에 병합시키는 단계
    중 적어도 두 개의 단계들을 포함하는 것인, 웨이퍼 결함 검사 방법.
  18. 검사 타겟에 있어서,
    적어도 하나의 검사층; 및
    상기 적어도 하나의 검사층의 적어도 일부분에 도포된 적어도 하나의 국부적인 검사 강화층을 포함하고, 상기 국부적인 검사 강화층은 조사(illumination) 시 공명 표면 플라즈몬(resonant surface plasmon)을 나타내는 성분을 포함하는 것인, 검사 타겟.
  19. 제18항에 있어서, 상기 적어도 하나의 검사층내에,
    적어도 하나의 포토레지스트층을 포함하는, 검사 타겟.
  20. 제19항에 있어서, 상기 적어도 하나의 국부적인 검사 강화층은 상기 검사층 위에 배치되는 것인, 검사 타겟.
  21. 제20항에 있어서, 상기 적어도 하나의 국부적인 검사 강화층은,
    상기 검사층 아래에 배치된 적어도 하나의 패터닝된 검사 강화 하위층을 포함하는 것인, 검사 타겟.
  22. 제21항에 있어서, 상기 적어도 하나의 패터닝된 검사 강화층은,
    상기 검사층 아래에 배치된 적어도 하나의 패터닝된 검사 강화 하위층을 포함하며, 상기 패터닝된 검사 강화 하위층은 제2 검사 타겟의 패턴층에 대응하는 것인, 검사 타겟.
  23. 제19항에 있어서, 상기 적어도 하나의 검사층내에,
    하나 이상의 물질들이 결여된 검사층의 굴절지수와 소광계수 중 적어도 하나에 대해 검사 파장에서의 굴절지수와 소광계수 중 적어도 하나를 수정시키는 상기 하나 이상의 물질들을 포함하는, 검사 타겟.
  24. 삭제
  25. 삭제
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