KR101764851B1 - 이에프이엠 - Google Patents

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KR101764851B1
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우범제
윤석문
김상현
한명석
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피코앤테라(주)
우범제
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Abstract

본 발명은 이에프이엠에 관한 것으로서, 웨이퍼 반송실 내부에서 반송되는 웨이퍼의 퓸 제거 및 산화방지를 효율적으로 달성하기 위해, 상기 웨이퍼 반송실 내부의 가스의 흡인을 영역별로 제어함으로써 상기 웨이퍼 반송실 내부의 하강기류를 제어하는 이에프이엠에 관한 것이다.

Description

이에프이엠{EFEM, Equipment Front End Module}
본 발명은 로드포트와 공정장비 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 이에프이엠(EFEM)에 관한 것이다.
반도체의 제조 공정에 있어서 수율이나 품질의 향상을 위해 청정한 클린룸 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지고 있다. 그러나 소자의 고집적화나 회로의 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라 클린룸 내의 전체를 청정한 상태로 유지하는 것은 기술적 비용적으로 곤란하게 되었다.
따라서, 최근에는 웨이퍼 주위의 공간에 대해서만 청정도를 관리를 하게 되었으며, 이를 위해 풉(FOUP, Front-Opening Unified Pod)이라 불리는 밀폐식의 저장 포드의 내부에 웨이퍼를 저장하고, 웨이퍼의 가공을 행하는 공정장비와 풉 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위해, 이에프이엠(EFEM, Equipment Front End Module)이라 불리는 모듈을 이용하게 되었다.
이에프이엠은 웨이퍼 반송 장치가 구비된 웨이퍼 반송실을 구성하여, 웨이퍼 반송실의 일측면에 풉이 결합되는 로드 포트(Load Port)가 접속하고, 웨이퍼 반송실의 타측면에 공정장비가 접속된다. 따라서, 웨이퍼 반송장치가 풉 내부에 저장된 웨이퍼를 공정장비로 반송하거나 공정장비에서 가공 처리를 마친 웨이퍼를 풉 내부로 반송한다.
풉은 로드 포트와 결합하여 풉 내부에 질소를 충전함으로써, 풉 내부에 저장된 웨이퍼의 청정도를 관리하게 되며, 이에프이엠의 웨이퍼 반송실 또한, 질소를 주입하여 웨이퍼의 반송을 실행하는 과정에서도 웨이퍼의 청정도를 관리한다.
그러나, 이에프이엠의 웨이퍼 반송실의 경우, 풉 내부에 질소를 충전하는 것보다 많은 양의 질소를 필요로 하게 되어 비용적인 측면에서 문제가 발생하게 되었다. 따라서, 이를 해결하기 위해 반송실 내부에 질소를 순환시키는 이에프이엠이 개발되었으며, 이러한 순환식 이에프이엠으로는 한국공개특허 제2015-0069526호(이하, '특허문헌 1' 이라 한다)와, 일본공개특허 제2002-43391호(이하, '특허문헌 2' 라 한다)와, 일본등록특허 제4344593호(이하, '특허문헌 3' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.
특허문헌 1의 이에프이엠은 웨이퍼 반송실 내에 배치되어 로드 포트에 적재된 풉과 처리장치 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 웨이퍼 반송장치와, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내에 가스를 송출하는 가스 송출구와, 상기 웨이퍼 반송실 하부에 형성되어 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인구와, 상기 가스 흡인구로부터 흡인된 가스를 상기 가스 송출구로 귀환시키는 가스 귀환로와, 상기 가스 송출구로부터 상기 웨이퍼 반송실 내로 가스를 송출하는 제1송풍 수단과, 상기 가스 흡인구로부터 상기 웨이퍼 반송실 내의 가스를 흡인하는 제2송풍 수단과, 질소 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 포함하여 구성된다.
특허문헌 2의 반도체 제조장치는 질소 가스가 공급되는 웨이퍼 반송실과, 웨이퍼 반송실의 상부에 위치하는 팬 및 클린 유닛과, 웨이퍼 반송실 하부에 위치하는 웨이퍼 이재기와, 웨이퍼 반송실 내부의 질소 가스를 순환시키는 순환덕트를 포함하여 구성된다.
특허문헌 3의 소환경 장치는 밀폐된 미니 엔바이로먼트실과, 미니 엔바이로먼트실 상부에 설치되되, 질소 또는 아르곤이 주입되는 공급구가 구비된 팬 필터 유닛(FFU)과, 미니 엔바이로먼트실 내부에 설치되어 웨이퍼를 이송하는 이송기와, 이송기의 반송 암의 하방에 설치되어 복수의 개구부를 가지는 제1칸막이와, 제1칸막이 하부에 위치하는 제2칸막이와, 제1칸막이와 제2칸막이 사이에 형성된 공간과 연통되어 팬 필터 유닛으로 질소 또는 아르곤 가스를 순환시키는 순환로를 포함하여 구성된다.
그러나, 특허문헌 1의 경우, 가스 흡인구에 의해 웨이퍼 반송실 내부의 가스가 흡인되므로, 웨이퍼 반송실 내부의 영역별로 가스의 흡인이 달성될 수 없으며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실 내부에서 발생하는 하강기류를 원하는 영역에 집중적으로 형성시킬 수 없어, 웨이퍼의 퓸을 효율적으로 제거할 수 없다는 문제점이 있다.
또한, 풉이 복수 개의 로드포트 중 일부에만 적재되는 경우에도, 상기 풉이 위치하는 영역에만 하강기류가 집중적으로 발생되게 할 수 없으며, 이로 인해, 이에프이엠으로 주입되는 질소 가스의 낭비가 발생할 수 있다는 문제점이 있다.
특허문헌 2의 경우 팬에 의해 웨이퍼 반송실 하부로 송출되는 질소가스를 순환덕트로 흡인하여 유동시키는 별도의 부재가 없고, 특허문헌 3의 경우 또한, 팬 필터 유닛에 의해 미니 엔바이러먼트실로 공급된 질소 또는 아르곤을 제2칸막이로 흡인하여 순환로로 유동시키는 별도의 부재가 없으므로, 특허문헌 1의 문제점과 더불어 가스의 순환이 용이하게 이루어질 수 없다는 문제가 있다.
한국공개특허 제2015-0069526호. 일본공개특허 제2002-43391호. 일본등록특허 제4344593호.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼 반송실 내부의 가스의 흡인을 영역별로 제어하여, 웨이퍼의 퓸 제거 및 웨이퍼의 산화방지를 효율적으로 달성하는 이에프이엠을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따른 이에프이엠(EFEM)은 웨이퍼 반송실; 상기 웨이퍼 반송실 내부로 가스를 송출하는 가스 송출부; 상기 웨이퍼 반송실 내부의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및 상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부를 연결하여, 상기 가스 흡인부에서 흡인된 가스를 상기 가스 송출부로 귀환시키는 가스 귀환부;를 포함하되, 상기 가스 흡인부에는 복수 개의 배플박스가 구비되고, 상기 복수 개의 배플박스의 흡입력 제어는 개별 제어 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 배플박스 각각에는 압축 가스를 주입하여 상기 흡인되는 가스의 속도를 가속하는 순환가속기가 구비된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 배플박스 각각에는 흡인팬이 구비된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 배플박스는 제1 내지 제4배플박스로 이루어지고, 상기 제1, 2배플박스는 각각 상기 웨이퍼 반송실의 하부 전방 좌, 우측에 위치하고, 상기 제3, 4배플박스는 각각 상기 웨이퍼 반송실의 하부 후방 좌, 우측에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 배플박스 각각은, 상면이 개방된 배플박스 본체; 및
상기 배플박스 본체의 개방된 상면에 설치되되, 상기 웨이퍼 반송실과 연통되는 복수 개의 구멍이 형성된 타공판;을 포함하되, 상기 배플박스 본체의 하부는 상기 가스 귀환부와 연통되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 개의 배플박스 각각은, 상기 타공판의 복수 개의 구멍을 개폐하는 제1개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스 흡인부는, 상기 배플박스의 하부에 위치하는 공용박스; 상기 배플박스와 상기 공용박스를 연결하는 배플박스 흡인덕트; 및 상기 공용박스와 상기 가스 귀환부를 연결하는 공용박스 귀환덕트;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 공용박스는, 상기 배플박스 흡인덕트를 개폐하는 제2개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 공용박스의 하부에는 외부로 가스를 배기하는 배기구가 형성되는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 이에프이엠에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
웨이퍼 반송실 내부에서 흡인되는 가스의 흡인력을 제어함으로써, 상기 웨이퍼 반송실 내부의 하강기류를 조절할 수 있다.
상기 웨이퍼 반송실 내부의 하강기류의 강약을 영역별로 제어함으로써, 상기 웨이퍼 반송실 내부에서 원하는 영역에 위치하게 되는 웨이퍼의 퓸을 집중적으로 제거할 수 있으며, 이에프이엠 내부로 주입되는 불활성 기체의 양을 절약할 수 있다.
공정장비의 공정유닛의 종류에 따라, 웨이퍼의 퓸 제거와 웨이퍼의 산화방지를 선택적으로 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠에 공정장비가 접속한 것을 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 배면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 내부를 도시한 사시도.
도 5a는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 내부를 도시한 배면도.
도 5b는 도 5a의 가스 유동을 도시한 배면도.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 가스 순환시스템을 도시한 개략도.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠에 설치되는 순환가속기의 단면도.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 충진실의 내부를 도시한 평면 단면도.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제1배플박스를 도시한 사시도.
도 10는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제2배플박스를 도시한 사시도.
도 11는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제3배플박스를 도시한 사시도.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제4배플박스를 도시한 사시도.
도 13은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 가스 흡인실 내부의 단면을 도시한 평면 단면도.
도 14a는 도 13의 A부분에 설치되는 제1공용박스를 도시한 사시도.
도 14b는 도 13의 B부분에 설치되는 제2공용박스를 도시한 사시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠에 공정장비가 접속한 것을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 배면도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 내부를 도시한 사시도이고, 도 5a는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 내부를 도시한 배면도이고, 도 5b는 도 5a의 가스 유동을 도시한 배면도이고, 도 6은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 가스 순환시스템을 도시한 개략도이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠에 설치되는 순환가속기의 단면도이고, 도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 충진실의 내부를 도시한 평면 단면도이고, 도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제1배플박스를 도시한 사시도이고, 도 10는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제2배플박스를 도시한 사시도이고, 도 11는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제3배플박스를 도시한 사시도이고, 도 12는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 제4배플박스를 도시한 사시도이고, 도 13은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠의 가스 흡인실 내부의 단면을 도시한 평면 단면도이고, 도 14a는 도 13의 A부분에 설치되는 제1공용박스를 도시한 사시도이고, 도 14b는 도 13의 B부분에 설치되는 제2공용박스를 도시한 사시도이다.
도 1 내지 도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(EFEM, 10)은 본체(100)와, 본체(100)의 전방면 측에 접속되는 복수 개의 로드포트(180)와, 본체(100)에 형성되는 웨이퍼 반송실(140)과, 본체(100)에 구비되는 가스 순환시스템을 포함하여 구성되며, 가스 순환시스템은 웨이퍼 반송실(140) 내부로 가스를 송출하는 가스 송출부와, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스를 흡인하는 가스 흡인부와, 가스 흡인부에서 흡인된 가스를 가스 송출부로 귀환시키는 가스 귀환부를 포함하여 구성된다.
또한, 이에프이엠(10)의 후방면 측에는 웨이퍼(W)를 가공하는 공정장비(20)가 접속되며, 이 경우, 공정장비(20)의 로드 로크실(21)이 본체(100)의 배면벽(102)에 형성된 배면벽 개구부와 연통됨으로써, 공정장비(20)가 이에프이엠(10)의 후방면 측에 접속된다.
공정장비(20)는 다양한 구성을 갖을 수 있으나, 일반적으로, 로드 로크실(21)과 인접하여 반송실(22)이 설치되고, 반송실(22)과 인접하여 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 복수 개의 공정유닛(23)이 설치되는 구성을 갖는다.
로드 로크실(21)과 본체(100)의 배면벽(102) 사이에는 로드 로크실 도어(21a)가 설치될 수 있으며, 로드 로크실 도어(21a)를 개폐함으로써, 웨이퍼 반송실(140)과 로드 로크실(21)이 연통되거나 차단될 수 있다.
반송실(22)과 복수 개의 공정유닛(23) 사이에는 각각 반송실 도어(24a)가 설치될 수 있으며, 반송실 도어(24a)를 개폐함으로써, 반송실(22)과 복수 개의 공정유닛(23) 사이를 연통하거나 차단할 수 있다.
또한, 반송실(22)에는 반송장치(24)를 사용하여, 로드 로크실(21)과 복수 개의 공정유닛(23) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있다.
이에프이엠(10)의 좌, 우측면측 각각에는 웨이퍼(W)의 퓸을 제거하는 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)가 설치될 수 있다.
제1웨이퍼 처리장치(30a)는 본체(100)의 좌측면벽(103)에 설치되며, 제1웨이퍼 수납부(31a)와, 제1웨이퍼 수납부(31a) 내부로 불활성 가스를 공급하는 제1공급부(미도시)와, 제1웨이퍼 수납부(31a) 내부에 공급된 불활성 가스를 배기하는 제1배기부(32a)를 포함하여 구성된다.
제1웨이퍼 수납부(31a) 내부에는 복수 개의 웨이퍼(W)가 수납될 수 있으며, 제1웨이퍼 처리장치(30a)가 본체(100)의 좌측면벽(103)에 설치시, 제1웨이퍼 수납부(31a)는 웨이퍼 반송실(140) 내부 좌측에 위치하게 된다.
제1공급부는 제1웨이퍼 수납부(31a) 내부로 불활성 가스를 공급한다.
제1배기부(32a)는 후술할 이에프이엠(10)의 가스 흡인부의 제1공용박스(430a)와 연통되어 제1웨이퍼 수납부(31a) 내부의 불활성 가스와 웨이퍼(W)의 퓸을 제1공용박스(430a)로 배기한다.
제1웨이퍼 처리장치(30a)에는 제1커버(미도시)가 설치될 수 있다.
제1커버는 제1웨이퍼 수납부(31a)와, 제1배기부(32a) 및 본체(100)의 좌측면벽(103)에 형성된 좌측면벽 개구부를 덮게 되며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실(140)의 좌측면을 폐쇄시킨다.
제2웨이퍼 처리장치(30b)는 본체(100)의 우측면벽(104)에 설치되며, 제2웨이퍼 수납부(31b)와, 제2웨이퍼 수납부(31b) 내부로 불활성 가스를 공급하는 제2공급부(미도시)와, 제2웨이퍼 수납부(31b) 내부에 공급된 불활성 가스를 배기하는 제2배기부(32b)를 포함하여 구성된다.
제2웨이퍼 수납부(31b) 내부에는 복수 개의 웨이퍼(W)가 수납될 수 있으며, 제2웨이퍼 처리장치(30b)가 본체(100)의 우측면벽(104)에 설치시, 제2웨이퍼 수납부(31b)는 웨이퍼 반송실(140) 내부 우측에 위치하게 된다.
제2공급부는 제2웨이퍼 수납부(31b) 내부로 불활성 가스를 공급한다.
제2배기부(32b)는 후술할 이에프이엠(10)의 가스 흡인부의 제2공용박스(430b)와 연통되어 제2웨이퍼 수납부(31b) 내부의 불활성 가스와 웨이퍼(W)의 퓸을 제2공용박스(430b)로 배기한다.
제2웨이퍼 처리장치(30b)에는 제2커버(미도시)가 설치될 수 있다.
제2커버는 제2웨이퍼 수납부(31b)와, 제2배기부(32b) 및 본체(100)의 우측면벽(104)에 형성된 우측면벽 개구부를 덮게 되며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실(140)의 우측면을 폐쇄시킨다.
이러한 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)는 공정장비(20)에서 가공 공정을 마친 웨이퍼(W)의 퓸을 제거하는 역할을 한다. 예컨데, 웨이퍼(W)가 공정장비(20)에서 가공 공정을 마친 후, 로드포트(180)의 풉(190)에 적재되기 전에 웨이퍼 반송장치(170)에 의해 제1웨이퍼 처리장치(30a)의 제1웨이퍼 수납부(31a) 또는 제2웨이퍼 처리장치(30b)의 제2웨이퍼 수납부(31b)에 수납될 수 있다.
제1, 2웨이퍼 수납부(31a, 31b)에 각각 수납된 웨이퍼(W)는 제1, 2공급부에서 공급되는 불활성 가스에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 퓸이 웨이퍼(W)의 표면으로부터 떨어지게 되고, 상기 불활성 가스와 상기 퓸이 제1, 2배기부(32a, 32b)를 통해 각각 제1, 2공용박스(430a, 430b)로 배기됨으로써, 제1, 2웨이퍼 수납부(31a, 31b)에 수납된 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 퓸이 제거된다. 이렇게 표면에 잔존하는 퓸이 제거된 웨이퍼(W)는 다시 웨이퍼 반송장치(170)에 의해 제1, 2웨이퍼 수납부(31a, 31b)에서 로드포트(180)의 풉(190)으로 반송되어 적재되게 된다.
전술한 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)는 공정장비(20)의 공정유닛(23)의 공정의 종류에 따라 가공 공정을 마친 웨이퍼(W)의 표면에 많은 양의 퓸이 잔존하게 되는 경우, 상기 퓸을 제거하여 웨이퍼(W)의 불량율을 효과적으로 낮출 수 있다.
물론, 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)는 이에프이엠(10)의 크기 및 공정장비(20)의 종류에 따라 이에프이엠(10)에 설치가 되지 않을 수도 있으며, 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b) 중 하나의 웨이퍼 처리장치만 이에프이엠(10)에 설치될 수도 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 본체(100)에 대해 설명한다.
도 1 내지 도 5a에 도시된 바와 같이, 본체(100)는 본체(100)의 외면을 이루는 전면벽(101), 배면벽(102), 좌, 우측면벽(103, 104)과, 본체(100)의 상면과 하면을 각각 이루는 천장벽(105) 및 바닥벽(106)과, 천장벽(105)의 하부에 위치하는 상부 분리벽(107)과, 상부 분리벽(107)의 하부에 위치하는 하부 분리벽(108)을 포함한다.
전면벽(101)에는 복수 개의 전면벽 개구부(미도시)가 형성되어 복수 개의 로드포트(180)에 적재된 풉(190)이 각각 연통되고, 배면벽(102)에는 배면벽 개구부(미도시)가 형성되어, 공정장비(20)의 로드 로크실(21)이 연통된다.
이 경우, 전면벽 개구부 및 배면벽 개구부의 위치는 하부 분리벽(108)과 후술할 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d) 사이에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 다시 말해, 전면벽 개구부 및 배면벽 개구부는 각각 웨이퍼 반송실(140)의 전방과 후방에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다.
좌측면벽(103)에는 좌측면벽 개구부(미도시)가 형성되고, 우측면벽(104)에는 우측면벽 개구부(미도시)가 형성될 수 있으며, 이러한 좌, 우측면벽 개구부 각각은 전술한 바와 같이, 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)의 제1, 2커버에 의해 폐쇄된다.
하부 분리벽(108)에는 가스 송출부에서 송출되는 가스가 유동하는 가스 송출구(미도시)가 형성된다.
로드포트(180)와 이에프이엠(10)이 접속되는 전면벽(101)에는 로드포트(180)의 로드포트 도어(181)가 수납되는 도어실(160)이 형성된다.
도어실(160)의 후방 좌측에는 제1도어실 배플박스(161a)가 형성되어 도어실(160)과 연통되고, 도어실(160)의 후방 우측에는 제2도어실 배플박스(161b)가 형성되어 도어실(160)과 연통된다.
제1도어실 배플박스(161a)에는 후술할 제1도어실 흡인덕트(620a)가 연결되어 제1도어실 배플박스(161a)와 제1공용박스(430a)가 연통된다.
제2도어실 배플박스(161b)에는 후술할 제2도어실 흡인덕트(620b)가 연결되어 제2도어실 배플박스(161b)와 제2공용박스(430b)가 연통된다.
천장벽(105)과 상부 분리벽(107) 사이의 공간에는 제어부(미도시)가 설치되는 제어실(120)이 형성되고, 하부 분리벽(108)과 바닥벽(106) 사이의 공간에는 가스 송출부가 설치되는 가스 송출실(130)이 형성된다.
또한, 하부 분리벽(108)과 바닥벽(106) 사이에는 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)와 웨이퍼 반송장치(170)가 설치된다.
제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)와 하부 분리벽(108) 사이의 공간에는 웨이퍼 반송실(140)이 형성되며, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)와 바닥벽(106) 사이의 공간에는 가스 흡인부가 설치되는 가스 흡인실(150)이 형성된다.
이처럼, 본체(100)는 그 내부에 제어실(120), 가스 송출실(130), 웨이퍼 반송실(140), 가스 흡인실(150)이 상부에서 하부방향으로 순차적으로 형성되는 4층 구조를 갖는다.
이하, 본체(100)의 전방에 설치되는 로드포트(180)에 대해 설명한다.
로드포트(180)는 본체(100)의 전방에 복수 개로 배열되어 설치되고, 복수 개의 로드포트(180)의 상부에는 각각 풉(190)이 적재되어 있다.
풉(190)은 일측면이 개방되어 있으며, 상기 개방된 일측면을 통해 풉(190)의 내부에 복수 개의 웨이퍼(W)가 상, 하로 수납된다.
로드포트(180)가 본체(100)의 전방에 설치될 때, 풉(190)의 개방된 일측면은 본체(100)의 전면벽(101)에 형성된 전면벽 개구부와 연통되게 되며, 이로 인해, 풉(190)과 웨이퍼 반송실(140)은 연통된다.
복수 개의 로드포트(180) 각각에는 상, 하로 슬라이드 가능하게 설치되는 로드포트 도어(181)가 설치될 수 있으며, 로드포트 도어(181)가 하부로 슬라이드 하면 본체(100)의 도어실(160) 내부로 수납되게 된다.
이러한, 로드포트 도어(181)는 전면벽 개구부를 개폐하는 역할을 한다. 따라서, 로드포트 도어(181)가 하부로 슬라이드 하여 전면벽 개구부를 개방하면, 웨이퍼 반송장치(170)가 풉(190)에 수납된 웨이퍼(W)를 꺼낼 수 있다.
또한, 복수 개의 로드포트(180) 각각은 로드포트 공급부(미도시)에서 질소, 아르곤과 같은 불활성 가스를 풉(190)에 공급할 수 있다.
이 경우, 풉(190)에 공급된 상기 불활성 가스는 로드포트 배기덕트(640)에 의해 배기되어 제1공용박스(430a) 또는 제2공용박스(430b)로 배기되게 된다.
따라서, 위와 같은 불활성 가스의 공급에 의해, 로드포트(180)는 풉(190)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 퓸을 제거할 수 있다.
이하, 본체(100)에 형성되는 웨이퍼 반송실(140)에 대해 설명한다.
웨이퍼 반송실(140)은 전술한 바와 같이 본체(100)에 형성되며, 로드포트(180)의 풉(190), 공정장비(20)의 반송실(22), 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)의 웨이퍼 수납부(31a, 31b)로 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 공간이다. 또한, 웨이퍼 반송실(140) 내부에서 행해지는 웨이퍼(W)의 반송은 웨이퍼 반송장치(170)에 의해 달성되며, 웨이퍼 반송장치(170)에 대한 자세한 설명은 후술한다.
웨이퍼 반송실(140)은 가스 송출실(130)과 가스 흡인실(150) 사이에 위치하도록 본체(100)에 형성된다.
웨이퍼 반송실(140)의 상부에는 가스 송출부가 위치하며, 가스 송출부와 웨이퍼 반송실(140)은 하부 분리벽(108)에 형성된 가스 송출구에 의해 연통되어 있다.
웨이퍼 반송실(140)의 하부에는 가스 순환시스템의 가스 흡인부가 위치하며, 가스 흡인부와 웨이퍼 반송실(140)은 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 4100d)의 제1 내지 제4타공판(412a ~ 412d)에 각각 형성된 복수 개의 구멍(413a ~ 413d)에 의해 연통되어 있다.
웨이퍼 반송실(140)의 전면은 전면벽(101) 및 로드포트(180)에 의해 폐쇄되고, 웨이퍼 반송실(140)의 배면은 배면벽(102) 및 공정장비(20)에 의해 폐쇄된다. 또한, 웨이퍼 반송실(140)의 좌, 우측면은 각각 좌, 우측면벽(103, 104)과 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)의 제1, 2커버에 의해 폐쇄된다. 따라서, 웨이퍼 반송실(140)은 대략 폐쇄된 영역을 형성한다.
웨이퍼 반송실(140)의 전면 즉, 전면벽(101)의 전면벽 개구부에는 전술한 로드포트(180)의 풉(190)이 위치하여 풉(190)의 개방된 일측과 전면벽 개구부가 연통되며, 로드포트 도어(181)의 개폐에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 풉(190)이 연통되거나 차단될 수 있다.
웨이퍼 반송실(140)의 배면 즉, 배면벽(102)의 배면벽 개구부에는 전술한 공정장비(20)의 로드 로크실(21)이 위치하여 로드 로크실(21)과 배면벽 개구부가 연통되며, 로드 로크실 도어(21a)의 개폐에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 로드 로크실(21)이 연통되거나 차단될 수 있다.
전술한 바와 같이, 웨이퍼 반송실(140)은 대략 폐쇄된 영역을 형성하고 있으며, 웨이퍼 반송장치(170)가 로드포트(180)의 풉(190)과 공정장비(20)의 로드 로크실(21)로 웨이퍼(W)의 반송을 행할 때, 가스 송출부에서 가스가 송출되어 웨이퍼(W)의 산화를 방지하거나 웨이퍼(W)의 퓸을 제거할 수 있다.
이하, 웨이퍼 반송실(140)에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 웨이퍼 반송장치(170)에 대해 설명한다.
웨이퍼 반송장치(170)는 본체(100)의 중앙에 위치하고, 그 하부가 본체(100)의 바닥벽(106)에 설치됨으로써, 본체(100)에 설치된다.
웨이퍼 반송장치(170)의 상부에는 웨이퍼(W)를 파지하는 암(Arm, 171)이 구비된다. 따라서, 암(171)이 웨이퍼(W)를 파지함으로써, 복수 개의 로드포트(180)에 각각 적재된 풉(190)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 공정장비(20)의 로드 로크실(21)로 반송하거나, 공정장비(20)의 각 공정유닛(23)에서 처리가 행해진 후에 웨이퍼(W)를 풉(190)내로 다시 반송하여 수납할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 웨이퍼 반송장치(170)는 공정장비(20)의 로드 로크실(21), 웨이퍼 공정장비(20), 제1, 2웨이퍼 수납부(31a, 31b) 및 로드포트(180)의 풉(190) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송도 달성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 가스 순환시스템에 대해 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 가스 순환시스템은 웨이퍼 반송실(140) 내부로 가스를 송출하는 가스 송출부와, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스를 흡인하는 가스 흡인부와, 가스 흡인부에서 흡인된 가스를 가스 송출부로 귀환시키는 가스 귀환부를 포함하여 구성된다.
가스 송출부는 가스가 충진되는 충진실(310)과, 상부가 충진실(310)과 연통되고, 하부가 하부 분리벽(108)의 가스 송출부와 연통되는 필터부(320)를 포함하여 구성된다.
가스 흡인부는 배플박스와, 배플박스와 가스 귀환부를 연통시키는 공용박스와, 배플박스와 공용박스를 연결하는 배플박스 흡인덕트와, 도어실 배플박스와 공용박스를 연결하는 도어실 배플박스 흡인덕트와, 웨이퍼 처리장치와 공용박스를 연결하는 웨이퍼 처리장치 흡인덕트를 포함하여 구성된다.
가스 귀환부는 가스 흡인부에서 가스 송출부로 귀환하는 가스가 유동하는 가스 귀환로와, 가스 귀환로와 가스 충진실(310)을 연결하는 충진실 귀환덕트와, 가스 귀환로와 공용박스를 연결하는 공용박스 귀환덕트를 포함하여 구성된다.
배플박스는 이에프이엠(10)의 웨이퍼 반송실(140)의 크기에 따라 복수 개로 이루어질 수 있으나, 흡입력 제어에 따른 웨이퍼 반송실(140)의 하강기류의 조절을 용이하게 하기 위해선 웨이퍼 반송장치(170)를 기준으로 전방 양측 및 후방 양측, 즉, 적어도 4개 이상의 배플박스로 이루어지는 것이 바람직하다.
공용박스의 경우에도 배플박스와 같이 복수 개로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 배플박스와 같이 4개의 공용박스로 이루어질 수도 있으나, 웨이퍼 처리장치가 본체(100)의 좌측면벽(103) 또는 우측면벽(104)에 접속되는 제1, 2웨이퍼 처리장치(30a, 30b)러 이루어진다는 점에서, 가스 흡인실(150)의 좌측과 우측에 각각 1개씩 총 2개의 공용박스로 이루어지는 것이 바람직하다.
가스 귀환로 또한, 이에프이엠(10)의 크기에 따라 복수 개로 이루어질 수 있으나, 전술한 바와 같이 공용박스가 가스 흡인실(150)의 좌측과 우측 각각에 설치되는 2개의 공용박스로 이루어지는 것이 바람직하다는 점에서 2개의 공용박스와 각각 연통되는 2개의 가스 귀환로로 이루어지는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 가스 순환 시스템의 하나의 실시 예로서, 배플박스가 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)로 이루어지고, 공용박스가 제1, 2공용박스(430a, 430b)로 이루어지고, 가스 귀환로가 제1, 2가스 귀환로(510a, 510b)로 이루어진 것을 기준으로 설명한다.
이에 따라, 가스 흡인부의 배플박스 흡인덕트는 제1, 3배플박스(410a, 410c)와 제1공용박스(430a)를 각각 연결하는 제1, 3배플박스 흡인덕트(610a, 610c) 및 제2, 4배플박스(410b, 410d)와 제2공용박스(430b)를 각각 연결하는 제2, 4배플박스 흡인덕트(610b, 610d)로 이루어진다.
가스 흡인부의 도어실 배플박스 흡인덕트는 제1도어실 배플박스(161a)와 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1도어실 배플박스 흡인덕트(620a)와, 제2도어실 배플박스(161b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2도어실 배플박스 흡인덕트(620b)로 이루어진다.
가스 흡인부의 웨이퍼 처리장치 흡인덕트는 본체(100)의 좌측면에 접속하는 제1웨이퍼 처리장치(30a)와, 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630a)와, 본체(100)의 우측면에 접속하는 제2웨이퍼 처리장치(30b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630b)로 이루어진다.
또한, 가스 귀환부의 충진실 귀환덕트는 제1가스 귀환로(510a)와 제1충진실(310)의 좌측면을 연결하는 제1충진실 귀환덕트(511a)와, 제2가스 귀환로(510b)와 제1충진실(310)의 우측면을 연결하는 제2충진실 귀환덕트(511b)로 이루어진다.
가스 귀환부의 공용박스 귀환덕트는 제1가스 귀환로(510a)와 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1공용박스 귀환덕트(512a)와, 제2가스 귀환로(510b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2공용박스 귀환덕트(512b)로 이루어진다.
이하, 가스 순환시스템의 가스 송출부의 가스 충진실(310)과 가스 흡인부의 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)에 각각 설치되는 순환가속기(700)에 대해 설명한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 순환가속기(700)는 원통형상의 몸체(710)를 구비하며, 몸체(710)는 제1몸체(710a)와 제2몸체(710b)의 결합으로 이루어진다.
제1몸체(710a)의 상부에는 가스가 유입되는 유입구(711a)가 형성되고, 제2몸체(710b)에는 가스가 배출되는 배출구(711b)가 형성된다. 또한, 제1몸체(710a)의 측면에는 체류공간(740)과 연통되는 압축가스 주입구(720)가 형성되며, 압축가스 주입구(720)는 외부 압축기(미도시)에서 공급된 압축가스를 체류공간(740) 내부 즉, 순환가속기(700) 내부로 주입시키는 통로 역할을 한다.
몸체(710) 내부에는 가스유동부(730)가 형성되며, 가스유동부(730)는 제1몸체(710a)와 제2몸체(710b) 내부를 연통함으로써, 유입구(711a)와 배출구(711b)를 연결한다. 따라서, 가스유동부(730)는 몸체(710) 내부로 가스가 유동되는 통로 역할을 한다.
가스유동부(730)에는 하부로 갈수록 그 지름이 커지게 형성되는 확관부(731)가 형성되어 있다.
몸체(710) 내부에서 가스유동부(730)의 둘레를 따라 체류공간(740)이 형성되며, 체류공간(740)은 그 외측이 제1몸체(710a)에 의해 이루어지고, 그 내측이 제2몸체(710b)에 의해 이루어져 있다.
체류공간(740)에는 체류공간(740)과 가스유동부(730)를 연통하는 공급구(741)가 형성되며, 공급구(741)는 체류공간(740)에서 내측을 이루는 제2몸체(710b)와, 체류공간(740)에서 외측을 이루는 제1몸체(710a) 사이에서 이격된 틈새로 이루어져 있다.
따라서, 공급구(741)를 통해 체류공간(740)에서 체류하는 압축가스가 가스유동부(730)로 공급되게 된다.
위와 같은 순환가속기(700)의 구성으로 인해, 압축가스 주입구(720)로 압축 가스가 주입되면, 상기 압축 가스는 체류공간(740)으로 유동하여 체류하며 공급구(741)를 통해 가스유동부(730)로 공급된다.
이 경우, 공급구(741)를 통해 가스유동부(730)로 공급된 상기 압축 가스는 코안다 효과에 의해 배출구(711b)의 확관부(731)의 내면을 따라 흐르게 되고, 이로 인해, 공급구(741)를 통해 압축 가스가 공급되는 영역은 순간적으로 저압 상태가 된다. 따라서, 유입구(711a)로 유입되는 가스는 상기 저압 상태의 영역으로 빠르게 유입되게 되며, 확관부(731)의 내면을 따라 흐르는 상기 압축가스와 혼합되어, 배출구(711b)로 빠르게 배출되게 된다.
이러한 순환가속기(700)는 가스 충진실(310)에 설치되는 제1, 2순환가속기(700a, 700b)와 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)에 각각 설치되는 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f)로 이루어질 수 있으며, 제1 내지 제6순환가속기(700a ~ 700f)의 구성은 전술한 순환가속기(700)의 구성과 동일하다.
또한, 제1, 2순환가속기(700a, 700b)의 압축가스 주입구(720)로 주입되는 압축가스는 질소, 아르곤 등 불활성 압축가스인 것이 바람직하며, 이로 인해, 별도의 불활성 가스 주입구가 형성되지 않더라도 이에프이엠(10) 내부로 불활성 가스를 주입할 수 있다. 물론, 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f)의 압축가스 주입구(720)로 주입되는 압축가스 또한 불활성 압축가스일 수 있다.
이하, 가스 순환시스템의 가스 송출부에 대해 설명한다.
도 4 내지 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 송출부는 가스 송출실(130)에 설치되며, 가스가 충진되는 충진실(310)과, 상부가 충진실(310)과 연통되고, 하부가 하부 분리벽(108)의 가스 송출부와 연통되는 필터부(320)를 포함하여 구성되며, 필터부(320)는 충진실(310)의 하부에 설치되는 제2필터(322)와, 제2필터(322)의 하부에 설치되되, 송풍팬(323a)이 구비된 팬 유닛(323)과, 팬 유닛(323) 하부에 설치되는 제1필터(321)를 포함한다.
충진실(310) 외부의 전방 좌측면에는 가스 귀환부의 제1충진실 귀환덕트(511a)가 연결되며, 이로 인해, 제1가스 귀환로(510a)로 유동된 가스가 제1충진실 귀환덕트(511a)를 통해 충진실(310)의 내부로 귀환된다.
충진실(310) 외부의 후방 우측면에는 가스 귀환부의 제2충진실 귀환덕트(511b)가 연결되며, 이로 인해, 제2가스 귀환로(510b)로 유동된 가스가 제2충진실 귀환덕트(511b)를 통해 충진실(310)의 내부로 귀환된다.
충진실(310) 내부의 전방 좌측면에는 제1충진실 귀환덕트(511a)와 연통되는 제1순환가속기(700a)가 설치되고, 충진실(310) 내부의 후방 우측면에는 제2충진실 귀환덕트(511b)와 연통되는 제2순환가속기(700b)가 설치된다. 이 경우, 제1순환가속기(700a)의 유입구(711a)가 제1충진실 귀환덕트(511a)와 연결되고, 제2순환가속기(700b)의 유입구(711a)는 제2충진실 귀환덕트(511b)와 연결된다.
따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1순환가속기(700a)는 충진실(310) 내부의 상부 전방 좌측에 위치하며, 제2순환가속기(700b)는 충진실(310) 내부의 상부 후방 우측에 위치하게 된다. 다시 말해, 제1순환가속기(700a)와 제2순환가속기(700b)는 충진실(310) 내부의 상부에서 서로 대각선 방향에 위치하게 된다.
제2필터(322)는 충진실(310)의 하부에 위치하며, 제2필터(322)의 상부는 충진실(310)과 연통되고, 제2필터(322)의 하부는 팬 유닛(323)과 연통된다.
제2필터(322)는 충진실(310)에서 충진된 가스가 팬 유닛(323)으로 유동할 때, 상기 가스를 필터링하는 역할을 한다. 이 경우, 제2필터(322)는 가스에 포함되는 유해 화학물질(예컨데, 암모니아(NH3), 염소(Cl2) 또는 브롬(Br2) 등)을 필터링 하는 케미컬 필터(Chemical Filter)인 것이 바람직하다.
팬 유닛(323)은 제2필터(322) 하부에 위치하고, 팬 유닛(323)의 상부는 제2필터(322)와 연통되고, 팬 유닛(323)의 하부는 제1필터(321)와 연통된다.
팬 유닛(323)의 내부에는 복수 개의 송풍팬(323a)이 구비되며, 복수 개의 송풍팬(323a)에 의해 제2필터(322)를 통과하여 필터링된 가스를 제1필터(321)로 송출시킨다.
제1필터(321)는 팬 유닛(323)의 하부에 위치하고, 제1필터(321)의 상부는 팬 유닛(323)과 연통되고, 제1필터(321)의 하부는 하부 분리벽(108)의 가스 송출구와 연통된다.
제1필터(321)는 송풍팬(323a)에 의해 송출된 가스가 웨이퍼 반송실(140)로 송출되기 전에 상기 가스를 필터링하는 역할을 한다. 이 경우, 제1필터(321)는 가스에 포함되는 이물질을 필터링하는 헤파 필터(HEPA Filter)인 것이 바람직하다.
위와 같은 충진실(310)의 구성과 필터부(320)의 구성에 의해, 가스에 포함된 유해 화학물질 및 이물질이 더욱 효율적으로 필터링될 수 있다.
상세하게 설명하자면, 제1, 2충진실 귀환덕트(511a, 511b)로 각각 유입된 가스가 각각 제1, 2순환가속기(700a, 700b)를 통해 가속되어 충진실(310) 내부로 유입될 때, 충진실(310) 내부의 상부에서 제1, 2순환가속기(700a, 700b)가 서로 대각선 방향에 위치함에 따라, 제1순환가속기(700a)의 배출구(711b)로 배출되는 가스와, 제2순환가속기(700b)의 배출구(711b)로 배출되는 가스가 충진실(310)의 상부에서 시계방향으로 회전하면서 서로 혼합되게 된다.
이렇게, 시계방향으로 회전하는 상기 가스는 충진실(310)의 상부에서 하부 방향으로 충진되게 되며, 충진실(310)과 연통된 필터부(320) 즉, 제2필터(322), 팬 유닛(323) 및 제1필터(321) 순으로 차례대로 유동하게 된다.
다시 말해, 서로 대각선 방향으로 위치하는 제1, 2순환가속기(700a, 700b)에 의해 충진실(310) 내부에 시계방향으로 회전하는 가스의 흐름이 발생하게 되고, 이러한 가스의 흐름에 의해 충진실 내부로 상기 가스가 용이하게 충진되어 필터부(320)로 균일하게 유동하게 된다. 따라서, 가스에 포함된 유해 화학물질과 이물질이 제1, 2필터(321, 322)에 의해 용이하게 필터링되어, 웨이퍼 반송실(140)로 청정한 가스가 송출될 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 균일한 청정도가 보장된다.
이하, 가스 순환시스템의 가스 흡인부에 대해 설명한다.
도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 가스 흡인부는 웨이퍼 반송실(140)실의 하부에 위치하는 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)와, 제1, 3배플박스(410a, 410c)와 가스 귀환부의 제1가스 귀환로(510a)를 연통시키는 제1공용박스(430a)와, 제2, 4배플박스(410b, 410d)와 가스 귀환부의 제2가스 귀환로(510b)를 연통시키는 제2공용박스(430b)와, 제1, 3배플박스(410a, 410c)와 제1공용박스(430a)를 각각 연결하는 제1, 3배플박스 흡인덕트(610a, 610c)와, 제2, 4배플박스(410b, 410d)와 제2공용박스(430b)를 각각 연결하는 제2, 4배플박스 흡인덕트(610b, 610d)와, 도어실(160)의 좌측과 연통되는 제1도어실 배플박스(161a)와 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1도어실 배플박스 흡인덕트(620a)와, 도어실(160)의 우측과 연통되는 제2도어실 배플박스(161b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2도어실 배플박스 흡인덕트(620b)와, 본체(100)의 좌측면에 접속하는 제1웨이퍼 처리장치(30a)와 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630a)와, 본체(100)의 우측면에 접속하는 제2웨이퍼 처리장치(30b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630b)를 포함하여 구성된다.
제1배플박스(410a)는 웨이퍼 반송장치(170)를 기준으로 웨이퍼 반송실(140) 하부의 전방 좌측에 위치하며, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1배플박스 본체(411a)와, 제1배플박스 본체(411a)의 상부에 설치되는 제1타공판(412a)과, 제1배플박스 본체(411a)의 하부에 설치되는 제3순환가속기(700c)를 포함하여 구성된다.
제1배플박스 본체(411a)의 상부는 개방되어 있으며, 제1배플박스 본체(411a)의 양측면이 하향으로 경사지게 형성됨으로써, 제1배플박스 본체(411a)의 상부 단면적이 하부 단면적보다 크게 형성된다.
제1타공판(412a)은 제1배플박스 본체(411a)의 개방된 상부에 설치되고, 제1타공판(412a)에는 복수 개의 구멍(413a)이 형성되어 있다. 따라서, 제1배플박스 본체(411a)는 복수 개의 구멍(413a)에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 연통된다.
제3순환가속기(700c)는 제1배플박스 본체(411a)의 하부에 설치되며, 이 경우, 제3순환가속기(700c)의 유입구(711a)는 제1배플박스 본체(411a)의 하면과 연통되고, 제3순환가속기(700c)의 배출구(711b)는 제1배플박스 흡인덕트(610a)와 연통된다. 따라서, 제1배플박스 본체(411a)는 제3순환가속기(700c)와 제1배플박스 흡인덕트(610a)에 의해 제1공용박스(430a)와 연통된다.
제2배플박스(410b)는 웨이퍼 반송장치(170)를 기준으로 웨이퍼 반송실(140) 하부의 전방 우측에 위치하며, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2배플박스 본체(411b)와, 제2배플박스 본체(411b)의 상부에 설치되는 제2타공판(412b)과, 제2배플박스 본체(411b)의 하부에 설치되는 제4순환가속기(700d)를 포함하여 구성된다.
제2배플박스 본체(411b)의 상부는 개방되어 있으며, 제2배플박스 본체(411b)의 양측면이 하향으로 경사지게 형성됨으로써, 제2배플박스 본체(411b)의 상부 단면적이 하부 단면적보다 크게 형성된다.
제2타공판(412b)은 제2배플박스 본체(411b)의 개방된 상부에 설치되고, 제2타공판(412b)에는 복수 개의 구멍(413b)이 형성되어 있다. 따라서, 제2배플박스 본체(411b)는 복수 개의 구멍(413b)에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 연통된다.
제4순환가속기(700d)는 제2배플박스 본체(411b)의 하부에 설치되며, 이 경우, 제4순환가속기(700d)의 유입구(711a)는 제2배플박스 본체(411b)의 하면과 연통되고, 제4순환가속기(700d)의 배출구(711b)는 제2배플박스 흡인덕트(610b)와 연통된다. 따라서, 제2배플박스 본체(411b)는 제4순환가속기(700d)와 제2배플박스 흡인덕트(610b)에 의해 제2공용박스(430b)와 연통된다.
제3배플박스(410c)는 웨이퍼 반송장치(170)를 기준으로 웨이퍼 반송실(140) 하부의 후방 좌측에 위치하며, 도 11에 도시된 바와 같이, 제3배플박스 본체(411c)와, 제3배플박스 본체(411c)의 상부에 설치되는 제3타공판(412c)과, 제3배플박스 본체(411c)의 하부에 설치되는 제5순환가속기(700e)를 포함하여 구성된다.
제3배플박스 본체(411c)의 상부는 개방되어 있으며, 제3배플박스 본체(411c)의 양측면이 하향으로 경사지게 형성됨으로써, 제3배플박스 본체(411c)의 상부 단면적이 하부 단면적보다 크게 형성된다.
제3타공판(412c)은 제3배플박스 본체(411c)의 개방된 상부에 설치되고, 제3타공판(412c)에는 복수 개의 구멍(413c)이 형성되어 있다. 따라서, 제3배플박스 본체(411c)는 복수 개의 구멍(413c)에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 연통된다.
제5순환가속기(700e)는 제3배플박스 본체(411c)의 하부에 설치되며, 이 경우, 제5순환가속기(700e)의 유입구(711a)는 제3배플박스 본체(411c)의 하면과 연통되고, 제5순환가속기(700e)의 배출구(711b)는 제3배플박스 흡인덕트(610c)와 연통된다. 따라서, 제3배플박스 본체(411c)는 제5순환가속기(700e)와 제3배플박스 흡인덕트(610c)에 의해 제1공용박스(430a)와 연통된다.
제4배플박스(410d)는 웨이퍼 반송장치(170)를 기준으로 웨이퍼 반송실(140) 하부의 후방 우측에 위치하며, 도 12에 도시된 바와 같이, 제4배플박스 본체(411d)와, 제4배플박스 본체(411d)의 상부에 설치되는 제4타공판(412d)과, 제4배플박스 본체(411d)의 하부에 설치되는 제6순환가속기(700f)를 포함하여 구성된다.
제4배플박스 본체(411d)의 상부는 개방되어 있으며, 제4배플박스 본체(411d)의 양측면이 하향으로 경사지게 형성됨으로써, 제4배플박스 본체(411d)의 상부 단면적이 하부 단면적보다 크게 형성된다.
제4타공판(412d)은 제4배플박스 본체(411d)의 개방된 상부에 설치되고, 제4타공판(412d)에는 복수 개의 구멍(413d)이 형성되어 있다. 따라서, 제4배플박스 본체(411d)는 복수 개의 구멍(413d)에 의해 웨이퍼 반송실(140)과 연통된다.
제6순환가속기(700f)는 제4배플박스 본체(411d)의 하부에 설치되며, 이 경우, 제6순환가속기(700f)의 유입구(711a)는 제4배플박스 본체(411d)의 하면과 연통되고, 제6순환가속기(700f)의 배출구(711b)는 제4배플박스 흡인덕트(610d)와 연통된다. 따라서, 제4배플박스 본체(411d)는 제6순환가속기(700f)와 제4배플박스 흡인덕트(610d)에 의해 제2공용박스(430b)와 연통된다.
제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d) 각각은 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f)의 압축가스 주입구(720)로 주입되는 압축가스의 주입 압력을 조절함으로써, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스를 흡인하는 흡인력을 제어할 수 있다.
또한, 위에서 설명한 것과 달리, 제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d) 각각의 하부에는 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f) 대신에 흡인팬(미도시)이 설치될 수도 있으며, 이 경우, 흡인팬의 회전속도를 조절함으로써, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스를 흡인하는 흡인력을 제어할 수 있다.
도 9 내지 12에 도시된 바와 같이, 제1배플박스(410a)와 제2배플박스(410b)는 그 외형이 대칭되게 형성될 수 있으며, 제3배플박스(410c)와 제4배플박스(410d) 또한 그 외형이 대칭되게 형성될 수 있다.
제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d) 각각의 상부 단면적이 하부 단면적보다 크도록 형성됨으로써, 제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d) 내부 각각으로 흡인된 가스가 제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d) 각각의 외측 모서리 영역에서 잔존하는 것을 방지할 수 있다.
제1 내지 제4타공판(412a ~ 412d)에 각각 형성된 복수 개의 구멍(413a ~ 413d)은 장공홀의 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이 경우, 상기 가스를 흡인하는 면적이 커지게 되어 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스가 제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d)의 내부로 용이하게 흡인될 수 있다.
제1 내지 제4타공판(412a ~ 412d)의 상면 또는 하면에는 각각 복수 개의 구멍(413a ~ 413d)을 개폐하는 제1개폐수단(미도시)이 설치될 수 있으며, 이로 인해, 제1 내지 제4배플박스 본체(411a ~ 411d) 내부로 흡인되는 가스를 선택적으로 차단할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)는 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f)에 의해 그 흡인력이 제어될 수 있다. 이러한 흡인력 제어를 통해, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 하강 기류를 다양하게 형성할 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실(140) 내부에서 반송되는 웨이퍼(W)의 퓸 제거 및 웨이퍼(W)의 산화방지를 더욱 효과적으로 달성할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 퓸 제거와 웨이퍼(W)의 산화방지를 선택적으로 달성할 수 있다.
예컨데, 공정장비(20)에서 가공공정을 마친 웨이퍼(W)의 경우 그 표면에 퓸이 많이 잔존하게 된다. 따라서, 공정장비(20)에서 가공 공정을 마친 웨이퍼(W)를 로드 로크실(21)에서 풉(190)으로 반송할 때, 웨이퍼 반송실(140)의 하부 후방에 위치하는 제3, 4배플박스(410c, 410d)의 흡인력을 제1, 2배플박스(410a, 410b)의 흡인력 보다 상대적으로 강하게 제어함으로써, 웨이퍼 반송장치(170)에 의해 로드 로크실(21)에서 웨이퍼 반송실(140)로 반송되는 웨이퍼(W)의 퓸을 효과적으로 제거할 수 있다. 이 경우, 제5, 6순환가속기(700)에 주입되는 압축 가스의 주입압력을 제3, 4순환가속기(700)에 주입되는 압축가스의 주입압력보다 더 높게 조절함으로써, 제3, 4배플박스(410c, 410d)의 흡인력을 제1, 2배플박스(410a, 410b)의 흡인력보다 강하게 할 수 있다.
다시 말해, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)의 흡인력을 제어함으로써, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 하강기류의 강약을 영역별로 제어할 수 있으며, 이를 통해 웨이퍼 반송실(140) 내부에서 원하는 영역의 하강기류를 강하게 형성시킴으로써, 상기 영역에 위치하는 웨이퍼(W)의 퓸을 집중적으로 제거할 수 있는 것이다.
또한, 복수 개의 로드포트(180)에 일부에만 풉(190)이 적재되는 경우 풉(190)이 위치하는 영역에만 하강기류를 강하게 형성함으로써, 이에프이엠(10) 내부로 주입되는 불활성 기체의 양을 절약할 수 있다. 예컨데, 로드포트(180)의 풉(190)이 이에프이엠(10)의 본체(100)이 전방 좌측에만 적재되는 경우, 제1, 3배플박스(410a, 410c)의 흡인력을 높여, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 좌측에만 하강기류가 강하게 형성시킴으로써, 풉(190)이 위치하는 좌측 영역의 퓸 제거를 달성할 수 있다.
또한, 공정장비(20)의 공정유닛(23)이 CDV 공정유닛인 경우, 열이 많이 발생하게 되어, 웨이퍼(W)의 산화가 잘 발생한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 산화를 방지하기 위해, 제1, 2순환가속기(700a, 700b)로 불활성 압축가스를 주입함과 동시에, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)의 흡인력을 제어하여 하강기류를 약하게 함으로써, 웨이퍼 반송실(140) 내부를 불활성 가스를 포함한 가스로 충진시킬 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 불활성 가스의 농도가 높아지게 되어, 웨이퍼(W)의 산화방지를 효율적으로 달성할 수 있다. 물론 이 경우에도, 웨이퍼 반송장치(170)의 반송 단계나, 산화를 방지할 웨이퍼(W)의 위치에 따라, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d) 중 어느 하나의 배플박스의 흡인력을 제어함으로써, 영역별로 웨이퍼(W)의 산화 방지를 달성할 수 있다.
위와 같은 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)의 흡인력 제어는 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)에 제3 내지 제6순환가속기(700c ~ 700f)가 아닌 흡인팬이 설치되는 경우에도 달성될 수 있으며, 이 경우, 흡인팬의 회전력을 제어함으로써, 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)의 흡인력을 독립적으로 제어할 수 있다.
이하, 가스 흡인부의 제1공용박스(430a) 및 제2공용박스(430b)에 대해 설명한다.
도 5, 도 6, 도 13 및 도 14a에 도시된 바와 같이, 제1공용박스(430a)는 육면체의 형상을 갖으며, 가스 흡인실(150)에서 좌측에 위치하도록 본체(100)의 바닥벽(106)에 설치된다.
제1공용박스(430a)의 상면에는 제1배플박스(410a)와 연결되는 제1배플박스 흡인덕트(610a)와, 제3배플박스(410c)와 연결되는 제3배플박스 흡인덕트(610c)와, 도어실(160)의 좌측과 연통되는 제1도어실 배플박스(161a)와 연결되는 제1도어실 배플박스 흡인덕트(620a)와, 제1웨이퍼 처리장치(30a)와 연결되는 제1웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630a)가 설치된다.
제1배플박스 흡인덕트(610a)는 제1공용박스(430a)의 상면 전방 좌측에 위치하고, 제1도어실 배플박스 흡인덕트(620a)는 제1공용박스(430a)의 상면 전방 우측에 위치하고, 제1웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630a)는 제1공용박스(430a)의 상면 후방 좌측에 위치하고, 제3배플박스 흡인덕트(610c)는 제1공용박스(430a)의 상면 후방 우측에 위치한다.
제1공용박스(430a)의 배면에는 제1가스 귀환로(510a)와 연결되는 제1공용박스 귀환덕트(512a)가 설치되며, 제1공용박스(430a)의 하면에는 제1배기구(431a)가 형성된다.
제1배기구(431a)는 제1공용박스(430a)와 본체(100)의 바닥벽(106)을 연통하여 형성되며, 외부 배기덕트(미도시)에 연결되어 제1공용박스(430a)로 유입된 가스를 이에프이엠(10) 외부로 배기시킨다. 또한, 제1배기구(431a)는 복수 개로 형성될 수 있다.
제1공용박스(430a)의 전면에는 복수 개의 로드포트(180) 중 좌측에 위치하는 로드포트(180)와 연통되는 로드포트 배기덕트(640)가 설치된다.
도 5, 도 6, 도 13 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 제2공용박스(430b)는 육면체의 형상을 갖으며, 가스 흡인실(150)에서 우측에 위치하도록 본체(100)의 바닥벽(106)에 설치된다.
제2공용박스(430b)의 상면에는 제2배플박스(410b)와 연결되는 제2배플박스 흡인덕트(610b)와, 제4배플박스(410d)와 연결되는 제4배플박스 흡인덕트(610d)와, 도어실(160)의 좌측과 연통되는 제2도어실 배플박스(161b)와 연결되는 제2도어실 배플박스 흡인덕트(620b)와, 제2웨이퍼 처리장치(30b)와 연결되는 제2웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630b)가 설치되어 있다.
제2도어실 배플박스 흡인덕트(620b)는 제2공용박스(430b)의 상면 전방 좌측에 위치하고, 제2배플박스 흡인덕트(610b)는 제1공용박스(430a)의 상면 전방 우측에 위치하고, 제4배플박스 흡인덕트(610d)는 제2공용박스(430b)의 상면 후방 좌측에 위치하고, 제2웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630b)는 제2공용박스(430b)의 상면 후방 우측에 위치한다.
제2공용박스(430b)의 배면에는 제2가스 귀환로(510b)와 연결되는 제2공용박스 귀환덕트(512b)가 설치되며, 제2공용박스(430b)의 하면에는 제2배기구(431b)가 형성된다.
제2배기구(431b)는 제2공용박스(430b)와 본체(100)의 바닥벽(106)을 연통하여 형성되며, 외부 배기덕트(미도시)에 연결되어 제2공용박스(430b)로 유입된 가스를 이에프이엠(10) 외부로 배기시킨다. 또한, 제2배기구(431a)는 복수 개로 형성될 수 있다.
제2공용박스(430b)의 전면에는 복수 개의 로드포트(180) 중 우측에 위치하는 로드포트(180)와 연통되는 로드포트 배기덕트(640)가 설치된다.
제2공용박스(430b)의 좌측면에는 복수 개의 로드포트(180) 중 중앙에 위치하는 로드포트(180)와 연통되는 로드포트 배기덕트(640)가 설치된다.
제1공용박스(430a) 및 제2공용박스(430b) 각각에는 전술한 제1 내지 제4배플박스 흡인덕트(610d), 제1, 2도어실 배플박스 흡인덕트(620a, 620b), 제1, 2웨이퍼 처리장치 흡인덕트(630a, 630b), 제1, 2공용박스 귀환덕트(512a, 512b), 제1, 2배기구(431a, 431b) 및 로드포트 배기덕트(640)를 각각 독립적으로 개폐할 수 있는 제2개폐수단(미도시)이 설치될 수 있으며, 제2개폐수단은 전술한 각 덕트 또는 배기구를 독립적으로 개방/폐쇄함으로써, 각 덕트들 또는 배기구들 통해 유동되는 가스의 유동을 선택적으로 개방/차단할 수 있다. 따라서, 제2개폐수단의 개폐에 의해 이에프이엠(10)의 가스 순환 시스템 상으로 순환하는 가스의 양의 조절이 가능하며, 불활성 가스의 농도 조절 또한 가능하게 된다.
이하, 가스순환 시스템의 가스 귀환부에 대해 설명한다.
도 2, 도4, 도5a, 도 6, 도 8 및 도 13에 도시된 바와 같이, 가스 귀환부는 제1가스 귀환로(510a)와, 제1가스 귀환로(510a)와 제1충진실(310)의 좌측면을 연결하는 제1충진실 귀환덕트(511a)와, 제1가스 귀환로(510a)와 제1공용박스(430a)를 연결하는 제1공용박스 귀환덕트(512a)와, 제2가스 귀환로(510b)와, 제2가스 귀환로(510b)와 제1충진실(310)의 우측면을 연결하는 제2충진실 귀환덕트(511b)와, 제2가스 귀환로(510b)와 제2공용박스(430b)를 연결하는 제2공용박스 귀환덕트(512b)를 포함하여 구성된다.
제1가스 귀환로(510a)는 본체(100)의 후방 좌측에 설치되며, 제1가스 귀환로(510a) 상부는 제1충진실 귀환덕트(511a)와 연결되고, 제1가스 귀환로(510a)의 하부는 제1공용박스 귀환덕트(512a)와 연결되어 있다.
제1가스 귀환로(510a)는 본체(100)의 후방 좌측에 설치된다.
제1가스 귀환로(510a)의 상부는 제1충진실 귀환덕트(511a)에 의해 가스 충진실(310)의 좌측면과 연통되고, 제1가스 귀환로(510a)의 하부는 제1공용박스 귀환덕트(512a)에 의해 제1공용박스(430a)와 연통되어 있다.
따라서, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스가 제1, 3배플박스(410a, 410c)를 통해 흡인되어 제1공용박스(430a)로 유입된 후, 제1공용박스 귀환덕트(512a), 제1가스 귀환로(510a), 제1충진실 귀환덕트(511a)를 차례대로 거쳐 다시 충진실(310)로 귀환되게 된다.
제2가스 귀환로(510b)는 본체(100)의 후방 우측에 설치된다.
제2가스 귀환로(510b)의 상부는 제2충진실 귀환덕트(511b)에 의해 가스 충진실(310)의 우측면과 연통되고, 제2가스 귀환로(510b)의 하부는 제2공용박스 귀환덕트(512b)에 의해 제2공용박스(430b)와 연통되어 있다.
따라서, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 가스가 제2, 4배플박스(410b, 410d)를 통해 흡인되어 제2공용박스(430b)로 유입된 후, 제2공용박스 귀환덕트(512b), 제2가스 귀환로(510b), 제2충진실 귀환덕트(511b)를 차례대로 거쳐 다시 충진실(310)로 귀환되게 된다.
이하, 도 5b 및 도 6을 참조하여, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이에프이엠(10)의 가스 순환에 대해 설명한다.
외부 압축기(미도시)와 각각 연결된 제1, 2순환가속기(700a, 700b)의 압축가스 주입구(720)로 압축 가스가 주입되면, 충진실(310) 내부에 압축 가스가 충진된다. 이 경우, 웨이퍼 반송실(140) 내부에서 반송되는 웨이퍼(W)의 산화 방지와, 퓸 제거를 위해, 압축 가스는 질소, 아르곤 등의 불활성 가스를 압축한 불활성 압축가스가 이용될 수 있다.
따라서, 충진실(310)에는 불활성 가스를 포함한 가스가 충진되어 팬 유닛(323)의 송풍팬(323a)에 의해 하강기류를 형성하며 웨이퍼 반송실(140)로 송출되게 된다.
웨이퍼 반송실(140)로 송출된 가스는 제1 내지 제4배플박스(410a ~ 410d)에 의해 흡인되게 되며, 제1, 3배플박스(410a, 410c)로 흡인된 가스는 제1공용박스(430a)와, 제1가스 귀환로(510a)를 통해 다시 충진실(310)로 귀환하게 되고, 제2, 4배플박스(410b, 410d)로 흡인된 가스는 제2공용박스(430b)와, 제2가스 귀환로(510b)를 통해 다시 충진실(310)로 귀환되게 된다.
이렇게 불활성 가스를 포함한 가스가 웨이퍼 반송실(140) 내부를 거쳐 순환하게 됨으로써, 웨이퍼 반송실(140) 내부에서 반송되는 웨이퍼(W)의 산화 방지 또는 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 선택적으로 달성할 수 있다.
또한, 제1, 2순환가속기(700a, 700b)로 주입되는 불활성 압축 가스의 양에 따라, 웨이퍼 반송실(140) 내부의 불활성 가스 농도를 조절할 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 산화방지를 더욱 효과적으로 할 수 있다.
또한, 불활성 가스를 포함한 가스가 필터부(320)의 제1, 2필터부(320)에 의해 필터링되며 이에프이엠(10) 내부로 순환하게 되므로, 상기 가스의 청정도가 유지될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
10: 이에프이엠
20: 공정장비 21: 로드 로크실
21a: 로드 로크실 도어 22: 반송실
23: 공정유닛 24: 반송장치
24a: 반송실 도어
30a: 제1웨이퍼 처리장치 30b: 제2웨이퍼 처리장치
31a: 제1웨이퍼 수납부 31b: 제2웨이퍼 수납부
32a: 제1배기부 32b: 제배기부
100: 본체 101: 전면벽
102: 배면벽 103: 좌측면벽
104: 우측면벽 105: 청장벽
106: 바닥벽 107: 상부 분리벽
108: 하부 분리벽 120: 제어실
130: 가스 송출실 140: 웨이퍼 반송실
150: 가스 흡인실 160: 도어실
161a: 제1도어실 배플박스 161b: 제2도어실 배플박스
170: 웨이퍼 반송장치 171: 암
180: 로드포트 181: 로드포트 도어
190: 풉
310: 충진실 320: 필터부
321: 제1필터 322: 제2필터
323: 팬 유닛 323a: 송풍팬
410a: 제1배플박스 410b: 제2배플박스
410c: 제3배플박스 410d: 제4배플박스
411a: 제1배플박스 본체 411b: 제2배플박스 본체
411c: 제3배플박스 본체 411d: 제4배플박스 본체
412a: 제1타공판 412b: 제2타공판
412c: 제3타공판 412d: 제4타공판
413a, 413b, 413c, 413d: 구멍 430a: 제1공용박스
430b: 제2공용박스 431a: 제1배기구
431b: 제2배기구 510a: 제1가스 귀환로
510b: 제가스귀환로 511a: 제1충진실 귀환덕트
511b: 제충진실 귀환덕트 512a: 제1공용박스 귀환덕트
512b: 제2공용박스 귀환덕트
610a: 제1배플박스 흡인덕트 610b: 제2배플박스 흡인덕트
610c: 제3배플박스 흡인덕트 610d: 제4배플박스 흡인덕트
620a: 제1도어실 배플박스 흡인덕트
620b: 제2도어실 배플박스 흡인덕트
630a: 제1웨이퍼 처리장치 흡인덕트
630b: 제2웨이퍼 처리장치 흡인덕트
640: 로드포트 배기덕트
700: 순환가속기 700a: 제1순환가속기
700b: 제2순환가속기 700c: 제3순환가속기
700d: 제4순환가속기 700e: 제5순환가속기
700f: 제6순환가속기 710: 몸체
710a: 제1몸체 710b: 제2몸체
711a: 유입구 711b: 배출구
720: 압축가스 주입구 730: 가스유동부
740: 체류공간 741: 공급구
W: 웨이퍼

Claims (9)

  1. 웨이퍼 반송실;
    상기 웨이퍼 반송실 내부로 가스를 송출하는 가스 송출부;
    상기 웨이퍼 반송실 내부의 가스를 흡인하는 가스 흡인부; 및
    상기 가스 송출부와 상기 가스 흡인부를 연결하여, 상기 가스 흡인부에서 흡인된 가스를 상기 가스 송출부로 귀환시키는 가스 귀환부;를 포함하되,
    상기 가스 흡인부에는 복수 개의 배플박스가 구비되고, 상기 복수 개의 배플박스의 흡입력 제어는 개별 제어 가능하며,
    상기 복수 개의 배플박스 각각은,
    상면이 개방된 배플박스 본체; 및
    상기 배플박스 본체의 개방된 상면에 설치되되, 상기 웨이퍼 반송실과 연통되는 복수 개의 구멍이 형성된 타공판;을 포함하고
    상기 배플박스 본체의 하부는 상기 가스 귀환부와 연통되는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 배플박스 각각에는 압축 가스를 주입하여 상기 흡인되는 가스의 속도를 가속하는 순환가속기가 구비된 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 배플박스 각각에는 흡인팬이 구비된 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 배플박스는 제1 내지 제4배플박스로 이루어지고,
    상기 제1, 2배플박스는 각각 상기 웨이퍼 반송실의 하부 전방 좌, 우측에 위치하고,
    상기 제3, 4배플박스는 각각 상기 웨이퍼 반송실의 하부 후방 좌, 우측에 위치하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 배플박스 각각은,
    상기 타공판의 복수 개의 구멍을 개폐하는 제1개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가스 흡인부는,
    상기 배플박스의 하부에 위치하는 공용박스;
    상기 배플박스와 상기 공용박스를 연결하는 배플박스 흡인덕트; 및
    상기 공용박스와 상기 가스 귀환부를 연결하는 공용박스 귀환덕트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 공용박스는,
    상기 배플박스 흡인덕트를 개폐하는 제2개폐수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 공용박스의 하부에는 외부로 가스를 배기하는 배기구가 형성되는 것을 특징으로 하는 이에프이엠(EFEM).
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