KR101764129B1 - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 면 측에서 결합층을 통해 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제2 면 측에서 제1 기판에 고정하는 단계;로서, 제1 전극 및 제2 전극 각각을 제1 홈의 도전부와 제2 홈의 도전부에 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법으로 제조된 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure has a first groove and a second groove, each having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the first groove and the second groove being directed from the first surface side to the second surface side, Preparing a first substrate on which a first groove and a second groove can restrict thermal expansion of the respective conductive portions when thermal expansion occurs; Bonding the second substrate to the first substrate through the bonding layer at the first surface side; The semiconductor light emitting device chip having the growth substrate, the plurality of semiconductor layers grown on the growth substrate, and the first electrode and the second electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, And fixing the first electrode and the second electrode to the conductive portion of the first groove and the conductive portion of the second groove, respectively, And a semiconductor light emitting device manufactured by such a method.

Description

반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자 칩의 크랙 또는 깨짐을 방지한 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device that prevents cracking or breakage of a semiconductor light emitting device chip and a method of manufacturing the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극(901,902,903), 그리고 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)을 포함한다. 전극(901)은 반사막으로 기능하며, 전극(902)은 베리어(barrier)로 기능하고, 전극(903)은 외부 전극과의 본딩을 원활히 하는 기능을 한다. 이러한 형태의 반도체 발광소자 칩은 전극(800) 및 전극(903)이 SMD 타입 패키지, PCB(Printed Circuit Board), COB(Chip-on Board), 서브마운트 등에 (와이어 본딩에 의하지 않고) 직접 연결되는 형태이며, 플립 칩(Flip Chip)이라 일컫는다.1, the semiconductor light emitting device chip includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, n (n) A p-type semiconductor layer 500 formed on the active layer 400 and a p-type semiconductor layer 500 formed on the p-type semiconductor layer 500 and being formed on the active layer 400, Layer electrodes 901, 902, and 903, and an electrode 800 functioning as a bonding pad on the first semiconductor layer 300 exposed and etched. The electrode 901 functions as a reflective film, the electrode 902 functions as a barrier, and the electrode 903 functions to facilitate bonding with the external electrode. In this type of semiconductor light emitting device chip, the electrode 800 and the electrode 903 are directly connected (not by wire bonding) to an SMD type package, a printed circuit board (PCB), a chip-on board (COB) And is called a flip chip.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)은 각각 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 바람직하지는 않지만 버퍼층(200)과 투광성 도전막(600)은 생략될 수 있고, n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-120913. The semiconductor light emitting device chip includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300; a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400; a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400; A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad 600 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. (800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. The n-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 500 may be formed of a plurality of layers, respectively. Although not preferred, the buffer layer 200 and the transparent conductive layer 600 may be omitted, The positions of the p-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 500 may be changed.

도 3은 국제 공개특허공보 WO2014/014298호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되며 활성층(400)에서 생성된 빛을 반사하도록 형성된 비도전성 반사막(900; 예: DBR), 비도전성 반사막(900) 위에 형성되는 전극(700)과 전극(800)을 포함한다. 전극(700)과 전극(800)은 각각 도통부(710)와 도통부(810)를 통해 n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)과 전기적으로 연통(electrical communication)한다.3 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device chip disclosed in International Patent Publication No. WO2014 / 014298. The semiconductor light emitting device chip includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200 An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A nonconductive reflective film 900 (e.g., DBR) formed on the transmissive conductive film 600 and configured to reflect light generated in the active layer 400, a nonconductive reflective film (not shown) 900 and an electrode 800 formed on the first and second electrodes 900 and 900, respectively. The electrode 700 and the electrode 800 are electrically communicated with the n-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 500 through the conductive portion 710 and the conductive portion 810, respectively.

도 4는 일본 공개특허공보 제2001-358371호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800)을 포함한다. 전극(700)과 전극(800) 사이에는 절연막(9)이 구비되어 있다. 반도체 발광소자는 반도체 발광소자 칩에 더하여, 몸체(1), 몸체(1)에 형성된 리드 프레임(2,3), 리드 프레임(2,3) 위에서 공동(4)을 형성하는 몰드부(5) 그리고 반도체 발광소자 칩을 둘러싸는 봉지제(1000)를 포함한다. 봉지제(1000)에는 형광체, 광산란제 등이 포함될 수 있다. 전극(700,800)은 접합층(7)을 통해 리드 프레임(2,3)에 고정된다. 전극(700,800)과 리드 프레임(2,3)의 전기적 연결에는 스터드 범프를 이용한 접합, 도전 접착제를 이용한 접합, 솔더링을 이용한 접합, 유테틱 본딩 등의 방법이 이용될 수 있으며, 특별한 제한이 있는 것은 아니다.FIG. 4 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device shown in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-358371. The semiconductor light emitting device chip includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, a p-side electrode 700 formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side electrode 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300. An insulating film 9 is provided between the electrode 700 and the electrode 800. The semiconductor light emitting element includes a body 1, a lead frame 2 and 3 formed on the body 1, a mold part 5 forming a cavity 4 on the lead frame 2 and 3, And an encapsulant 1000 surrounding the semiconductor light emitting device chip. The encapsulant 1000 may include a phosphor, a light scattering agent, and the like. The electrodes 700 and 800 are fixed to the lead frames 2 and 3 through the bonding layer 7. For electrical connection between the electrodes 700 and 800 and the lead frames 2 and 3, bonding using a stud bump, bonding using a conductive adhesive, bonding using soldering, and eutectic bonding may be used. no.

도 5는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩의 기판(100)이 리드 프레임(2)에 고정된 상태에서 와이어(8)를 이용하여, 리드 프레임(2,3)과 전기적으로 연결된 형태의 반도체 발광소자가 제시되어 있다. 와이어 본딩을 이용하는 경우에, 소자내에 열이 발생해도, 복수의 반도체층(300,400,500)과 리드 프레임(2,3) 사이에 기판(100)이 존재하므로 반도체로 된 복수의 반도체층(300,400,500)과 금속으로 된 리드 프레임(2,3) 사이에 열팽창의 차이도 있어도, 복수의 반도체층(300,400,500)의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있다. 일반적으로 이러한 형태의 칩을 래터럴 칩(Lateral Chip)이라 일컫는다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 발광소자의 경우에, 복수의 반도체층(300,400,500)의 전체 두께는 10㎛이하이며, 기판(100; 예: 사파이어)의 두께는 80~150㎛인 것이 일반적이다.5 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device in which the substrate 100 of the semiconductor light emitting device chip is fixed to the lead frame 2 and the lead frames 2, ) Are electrically connected to each other. Even if heat is generated in the device, the substrate 100 is present between the plurality of semiconductor layers 300, 400, and 500 and the lead frames 2 and 3, so that a plurality of semiconductor layers 300, 400, Cracks or breakage of the plurality of semiconductor layers 300, 400, and 500 can be prevented even when there is a difference in thermal expansion between the lead frames 2,3. Generally, this type of chip is referred to as a lateral chip. For example, in the case of a group III nitride semiconductor light emitting device, the total thickness of the plurality of semiconductor layers 300, 400 and 500 is 10 μm or less, and the thickness of the substrate 100 (eg, sapphire) is 80 to 150 μm.

도 4로 돌아가서, 반도체 발광소자 칩이 플립 칩 본딩된 경우에, 복수의 반도체층(300,400,500)이 리드 프레임(2,3)을 직접 마주하게 되며, 발열로 인해 금속으로 된 리드 프레임(2,3)이 팽창되면, 복수의 반도체층(300,400,500)에 크랙 또는 깨짐이 발생할 가능성이 높아지게 된다. 또한 최근에는 래터럴 칩에 비해 고전류로 구동이 가능한 플립 칩의 사용이 확대되고 있으며, 고전류 즉, 고전력(high power)을 사용하는 칩의 경우에, 소자내 발열량이 많아 복수의 반도체층(300,400,500)의 크랙 또는 깨짐이 문제가 될 가능성이 더욱 커지고 있다 하겠다.4, when the semiconductor light emitting device chip is flip-chip bonded, the plurality of semiconductor layers 300, 400, 500 directly face the lead frames 2, 3, and the lead frames 2,3 The probability of occurrence of cracks or cracks in the plurality of semiconductor layers 300, 400, and 500 increases. In recent years, the use of a flip chip which can be driven with a higher current compared to a lateral chip has been expanded. In the case of a chip using a high current, i.e., a high power, Cracks or cracks are becoming more of a problem.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 면 측에서 결합층을 통해 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제2 면 측에서 제1 기판에 고정하는 단계;로서, 제1 전극 및 제2 전극 각각을 제1 홈의 도전부와 제2 홈의 도전부에 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a first surface and a second surface opposite to the first surface, And a first groove and a second groove facing the second surface side, wherein a conductive portion is formed in each of the first groove and the second groove, so that the first groove and the second groove at the time of thermal expansion can restrict the thermal expansion of each conductive portion, Preparing a substrate; Bonding the second substrate to the first substrate through the bonding layer at the first surface side; As the plurality of semiconductor layers grown on the growth substrate and the growth substrate, the first semiconductor layer having the first conductivity, the second semiconductor layer having the second conductivity different from the first conductivity, the first semiconductor layer having the second conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer for generating light through recombination of electrons and holes and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And fixing the element chip to the first substrate at the second surface side, wherein each of the first electrode and the second electrode is fixed to the conductive portion of the first groove and the conductive portion of the second groove, respectively A light emitting layer, and a light emitting layer.

본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판;으로서, 투광성을 가지며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a plurality of semiconductor layers to be grown on a growth substrate and a growth substrate include a first semiconductor layer having a first conductivity, A second semiconductor layer having a first conductivity and a second conductivity different from the first conductivity, a plurality of semiconductor layers interposed between the first and second semiconductor layers and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode and a second electrode electrically connected to the semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively; The first and second grooves have a first surface and a second surface opposite to the first surface and have a first groove and a second groove from the first surface side to the second surface side, And a first substrate on which a first groove and a second groove can restrict thermal expansion of respective conductive parts, the first substrate having light transmittance, the first electrode being fixed to the conductive part of the first groove, And a first substrate fixed to the conductive part of the second groove.

본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지는 제1 기판;으로서, 측면에 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 면이 형성되어 있으며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising a plurality of semiconductor layers grown using a growth substrate, the semiconductor layers including a first semiconductor layer having a first conductivity, A second semiconductor layer having a first conductivity and a second conductivity different from the first conductivity, a plurality of semiconductor layers interposed between the first and second semiconductor layers and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode and a second electrode electrically connected to the semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively; A first surface having a first surface, a second surface opposed to the first surface, and a side surface connecting the first surface and the second surface and having a first groove and a second groove from the first surface side to the second surface side, A substrate having a rough surface spaced apart from the first surface and the second surface by cracks generated by laser irradiation, the first electrode being fixed to the conductive portion of the first groove, And a first substrate fixed to the conductive part of the second groove.

본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판 내부에 크랙을 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: coupling a second substrate to a first substrate; A step of fixing a semiconductor light emitting device chip having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes to a first substrate; Separating the second substrate from the first substrate; Forming a crack in the first substrate; And cutting the first substrate so as to include the semiconductor light emitting device chip.

본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제2 기판에 결합되어 있으며, 내부에 크랙이 형성되어 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판을 가압하여 크랙을 따라 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a first substrate, which is coupled to a second substrate and has a crack formed therein, Preparing; A step of fixing a semiconductor light emitting device chip having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes to a first substrate; Separating the second substrate from the first substrate; And pressing the first substrate to cut the first substrate along a crack. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention includes the steps of:

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 국제 공개특허공보 WO2014/014298호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 일본 공개특허공보 제2001-358371호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 내지 도 9는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11 및 도 12는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-120913,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device chip disclosed in International Patent Publication No. WO2014 / 014298,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-358371,
5 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device,
6 to 9 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 and 12 are views showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
15 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 6 내지 도 9는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10)을 준비한다. 제1 기판(10)은 제1 면(11), 제2 면(12) 및 제1 면(11)과 제2 면(12)을 이어주는 측면(13)을 구비한다. 다음으로, 제1 면(11) 측에서 홈(14)을 형성한다. 홈(14)의 형상에 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 원형, 다각형, 슬릿, 트렌치(trench) 등의 형태를 가질 수 있다. 다음으로, 홈(14)에 도전부(15)를 형성한다. 바람직하게는, 도전부(15)에 도전 패드(16)를 형성한다. 도전부(15)와 도전 패드(16)는 별도의 공정으로 형성되어도 좋고, 하나의 공정으로 형성되어도 좋다.6 to 9 are views showing an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein the first substrate 10 is prepared as shown in Fig. The first substrate 10 has a first side 11, a second side 12 and a side 13 connecting the first side 11 and the second side 12. Next, grooves 14 are formed on the first surface 11 side. The shape of the groove 14 is not particularly limited, and may have a shape of a circle, a polygon, a slit, a trench, or the like. Next, the conductive portion 15 is formed in the groove 14. Preferably, the conductive pad 16 is formed on the conductive portion 15. The conductive portions 15 and the conductive pads 16 may be formed by a separate process or may be formed by one process.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 기판(17)을 결합층(18)을 이용하여 제1 기판(10)에 결합한다. 다음으로, 제2 면(12) 측에서 연마 등을 통해 제1 기판(10)의 두께를 감소시킨다. 바람직하게는 도전부(15)에 도전 패드(19)를 형성한다. 제2 기판(17)이 제1 기판(10)에 직접 접착될 수 있는 물성을 가진다면, 결합층(18)은 생략될 수 있다. 필요에 따라, 도전 패드(19)를 형성하기 전 또는 후에, 제1 기판(10)에 반사층(12a)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the second substrate 17 is bonded to the first substrate 10 using the bonding layer 18. Next, as shown in FIG. Next, the thickness of the first substrate 10 is reduced through polishing or the like on the second surface 12 side. Preferably, the conductive pad 19 is formed on the conductive portion 15. If the second substrate 17 has physical properties that can be directly bonded to the first substrate 10, the bonding layer 18 may be omitted. If necessary, the reflective layer 12a may be formed on the first substrate 10 before or after the conductive pad 19 is formed.

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자 칩(20)을 제1 기판(10)에 고정한다. 반도체 발광소자 칩(20)은 성장 기판(21; 예: Al2O3), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(22; 예: n형 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(23; 예: p형 GaN), 제1 반도체층(22)과 제2 반도체층(23) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(24; 예: InGaN/(In)(Al)GaN 다중양자우물구조), 그리고 제1 반도체층(22)과 제2 반도체층(23) 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극(25) 및 제2 전극(26)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(20)은 도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 발광소자 칩 중의 하나일 수 있으며, 플립 칩의 형태라면, 특별한 제한을 가지는 것은 아니다. 제1 전극(25)과 제2 전극(25)은 대응하는 도전부(15)에 고정된다. 도전부(15)는 전기적 통로 및 열적 통로로서 기능한다. 바람직하게는, 반도체 발광소자 칩(20)을 덮도록 봉지제(27)를 형성한다. 봉지제(27)가 형광체 및/또는 광산란제를 포함할 수 있음은 물론이다. 바람직하게는, 봉지제(27)의 일부를 제거하여 봉지제(27)의 측면이 노출되도록 한다. 이는 후술할 절단 공정에 도움을 주거나, 봉지제(27)가 반도체 발광소자 칩(20)의 형상을 따르게 하는 등을 위함이다. 봉지제(27)의 제거에는 커팅, Sawing 등의 방법이 사용될 수 있다. 또한 봉지제(27)로 반도체 발광소자 칩(20)을 덮기 전에, 제거될 봉지제(27)의 형태를 따라 틀을 미리 제1 기판(10)에 놓은 후, 봉지제(27)를 형성하는 방법도 사용할 수 있다. 각각의 전극(25,26)에 하나씩의 도전부(15)가 대응될 수도 있지만, 하나의 전극이 복수의 도전부(15)와 결합될 수 있음은 물론이다.Next, the semiconductor light emitting device chip 20 is fixed to the first substrate 10, as shown in FIG. The semiconductor light-emitting device chip 20 includes a growth substrate 21 (e.g., Al 2 O 3 ), a first semiconductor layer 22 having a first conductivity (e.g., n-type GaN) A second semiconductor layer 23 (for example, p-type GaN), an active layer 24 (for example, a p-type GaN layer) interposed between the first semiconductor layer 22 and the second semiconductor layer 23 and generating light through recombination of electrons and holes, And a first electrode 25 and a second electrode 26 electrically connected to the first semiconductor layer 22 and the second semiconductor layer 23, respectively. The first electrode 25 and the second electrode 26 are electrically connected to the first semiconductor layer 22 and the second semiconductor layer 23, respectively. Respectively. The semiconductor light emitting device chip 20 may be one of the semiconductor light emitting device chips shown in FIGS. 1 to 3, and is not particularly limited as long as it is in the form of a flip chip. The first electrode 25 and the second electrode 25 are fixed to the corresponding conductive parts 15. The conductive portion 15 functions as an electrical path and a thermal path. Preferably, the encapsulant 27 is formed so as to cover the semiconductor light emitting device chip 20. It goes without saying that the sealing agent 27 may include a phosphor and / or a light scattering agent. Preferably, a part of the sealing agent 27 is removed so that the side surface of the sealing agent 27 is exposed. This is for the purpose of helping the cutting process to be described later, or to make the sealing agent 27 conform to the shape of the semiconductor light emitting device chip 20. [ For removing the sealing agent 27, a method such as cutting and sawing may be used. Before the semiconductor light emitting device chip 20 is covered with the sealing material 27, the mold is placed on the first substrate 10 in advance along the shape of the sealing material 27 to be removed, and then the sealing material 27 is formed The method can also be used. It is needless to say that one electrode may be combined with the plurality of conductive parts 15 although each conductive part 15 may correspond to each electrode 25,

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 기판(17)이 제1 기판(10)으로부터 분리되어 있다. 다음으로, 반도체 발광소자 칩(20)을 포함하도록 제1 기판(10)을 절단한다. 바람직하게는, 레이저(28)를 제1 기판(10) 내부로 조사하여 크랙(29)을 형성한 다음, 브레이킹 공정을 통해, 제1 기판(10)을 절단함으로써, 반도체 발광소자 칩(20) 및 봉지제(27)에 기계적, 화학적 및/또는 열적 손상을 줄여서, 제1 기판(10)을 절단할 수 있게 된다. 쏘잉과 같이 기계적인 절단 방법을 사용하는 경우에, 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하지 않고, 제1 기판(10)을 절단하는 것도 가능하다, 제2 기판(17)을 함께 절단하는 것도 가능하지만, 제1 기판(10)만 절단한 후 제2 기판(17)을 제거하는 것이 공정상 이점을 가진다. 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하는 과정에서, 결합층(18)을 에칭 등의 방법으로 제거함으로써, 양자를 분리하는 것도 가능하다. 도 9에 제시된 예에서, 제1 기판(10)의 제2 면(12)의 일부가 노출되어 있으며, 도전 패드(19)를 포함한 도전부(15)는 봉지제(27)에 의해 덮혀 있다.Next, as shown in FIG. 9, the second substrate 17 is separated from the first substrate 10. Next, the first substrate 10 is cut so as to include the semiconductor light emitting device chip 20. The cracks 29 are formed by irradiating the laser 28 to the inside of the first substrate 10 and then the first substrate 10 is cut through the braking process so that the semiconductor light- Mechanical and / or thermal damage to the sealing material 27 and the sealing material 27, thereby cutting the first substrate 10. It is also possible to cut the first substrate 10 without separating the second substrate 17 from the first substrate 10 when a mechanical cutting method such as sawing is used. However, it is advantageous in terms of the process to remove the second substrate 17 after cutting only the first substrate 10. In the process of separating the second substrate 17 from the first substrate 10, it is also possible to separate the bonding layer 18 by removing the bonding layer 18 by etching or the like. 9, a part of the second surface 12 of the first substrate 10 is exposed, and the conductive portion 15 including the conductive pad 19 is covered with the sealing agent 27. In the example shown in Fig.

도 10은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 결합하기 전에, 먼저 제1 기판(10)을 관통하도록 홈(14)을 형성하고, 다음으로 도전부(15)를 형성한 다음, 결합층(18)을 이용하여, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 결합한다. 이후의 과정은 동일하다. 바람직하게는 도전부(15)의 적어도 일측에 도전 패드(16,19)가 형성되어 있다.10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Before bonding the second substrate 17 to the first substrate 10, the first substrate 10 is first penetrated The second substrate 17 is bonded to the first substrate 10 by using the bonding layer 18 after forming the conductive portion 15 and then forming the groove 14 so as to form the conductive portion 15. Next, The subsequent process is the same. Preferably, conductive pads 16 and 19 are formed on at least one side of the conductive portion 15.

도 11 및 도 12는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10)에 반도체 발광소자 칩(20)을 고정하고, 다음으로, 봉지제(27)를 형성하기에 앞서, 반도체 발광소자 칩(20) 옆에 댐(30)을 먼저 형성한다. 다음으로, 봉지제(27)로 반도체 발광소자 칩(20)을 덮는다. 댐(30)은 반사막 등으로 기능한다.11 and 12 illustrate another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. As shown in FIG. 11, a semiconductor light emitting device chip 20 is mounted on a first substrate 10 The dam 30 is first formed next to the semiconductor light emitting device chip 20 before the sealing agent 27 is formed. Next, the semiconductor light emitting element chip 20 is covered with the sealing agent 27. Next, The dam 30 functions as a reflecting film or the like.

다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 댐(30)의 전부를 제거나 댐(30)의 일부를 제거한다. 댐(30)을 포토리지스터(PSR)와 같은 물질로 형성함으로써, 쉽게 패턴닝하는 한편, 쉽게 제거하는 것이 가능하다. 쏘잉 공정을 통해 댐(30)의 일부를 남기는 것이 가능하다.Next, as shown in Fig. 12, the entire dam 30 is removed or a part of the dam 30 is removed. By forming the dam 30 from a material such as a photoregister (PSR), it is possible to easily remove the damper 30 while easily patterning it. It is possible to leave a part of the dam 30 through the sawing process.

도 13은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 제2 기판(17)을 제1 기판(10)으로부터 분리하기에 앞서, 성장 기판(10)을 복수의 반도체층(22,23,24)으로부터 분리한다. 바람직하게는, 제1 전극(25)과 제2 전극(26) 사이의 공간이 절연체(31)로 메워져있다. 더욱 바람직하게는, 제2 반도체층과(23)과 제1 기판(10)이 마주하는 공간 전체가 메워져있다. 이 공간을 메우는 과정은 반도체 발광소자 칩(20)을 제조하는 과정에서 이루어지거나, 반도체 발광소자 칩(20)을 제1 전극(10)에 고정하기에 앞서서 행해질 수 있다.13 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Before separating the second substrate 17 from the first substrate 10, a plurality of The semiconductor layers 22, 23, and 24 are removed. Preferably, the space between the first electrode 25 and the second electrode 26 is filled with the insulator 31. [ More preferably, the entire space in which the second semiconductor layer 23 and the first substrate 10 face each other is filled. The process of filling the space may be performed in the process of manufacturing the semiconductor light emitting device chip 20 or may be performed prior to fixing the semiconductor light emitting device chip 20 to the first electrode 10.

도 14는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 8에서와 같이 제1 기판(10)에 낱개의 반도체 발광소자 칩(20)이 고정되는 것이 아니라, 제1 기판(10)에 복수의 반도체 발광소자 칩(20a,20b,20c,20d)이 하나의 성장 기판(21)을 통해 고정된다. 복수의 반도체 발광소자 칩(20a,20b,20c,20d)이 서로 배선을 통해 병렬, 직렬 또는 직병렬로 연결되어 있을 수 있음은 물론이다.14 is a view showing another example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. As shown in FIG. 8, a single semiconductor light emitting device chip 20 is not fixed to the first substrate 10 A plurality of semiconductor light emitting device chips 20a, 20b, 20c, and 20d are fixed to the first substrate 10 through a single growth substrate 21. [ It is needless to say that the plurality of semiconductor light emitting device chips 20a, 20b, 20c, and 20d may be connected in parallel, in series, or in series and in parallel through wiring.

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 15에 도시된 반도체 발광소자는 도 6 내지 도 9에 제시된 방법에 따라 만들어진 반도체 발광소자(A)에 더하여, 도전부(15,15)가 결합되는 리드 프레임(2,3)과 반도체 발광소자(A)를 둘러싸는 봉지제(1000) 그리고 봉지제(1000)를 수용하는 몰드부(5)를 선택적으로 더 포함한다. 15 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In addition to the semiconductor light emitting device A made according to the method shown in FIGS. 6 to 9, the semiconductor light emitting device shown in FIG. The sealing member 1000 surrounding the semiconductor light emitting device A and the mold unit 5 accommodating the sealing member 1000 are further included do.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 제1 면 측에서 결합층을 통해 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고, 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제2 면 측에서 제1 기판에 고정하는 단계;로서, 제1 전극 및 제2 전극 각각을 제1 홈의 도전부와 제2 홈의 도전부에 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising the steps of: forming a first groove and a second groove, which have a first surface and a second surface opposed to the first surface, Preparing a first substrate on which a conductive portion is formed in each of the first groove and the second groove so that the first groove and the second groove can restrict thermal expansion of each conductive portion when thermal expansion occurs; Bonding the second substrate to the first substrate through the bonding layer at the first surface side; As the plurality of semiconductor layers grown on the growth substrate and the growth substrate, the first semiconductor layer having the first conductivity, the second semiconductor layer having the second conductivity different from the first conductivity, the first semiconductor layer having the second conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer for generating light through recombination of electrons and holes and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And fixing the element chip to the first substrate at the second surface side, wherein each of the first electrode and the second electrode is fixed to the conductive portion of the first groove and the conductive portion of the second groove, respectively Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

제1 기판(10)은 세라믹 기판, Al2O3 결정 기판, AlN 결정 기판, HTCC, LTCC 등으로 이루어질 수 있다.The first substrate 10 may be a ceramic substrate, an Al 2 O 3 crystal substrate, an AlN crystal substrate, an HTCC, an LTCC, or the like.

도전부(15)를 홈(14)에 위치시킴으로써, 주로 금속 재질로 이루어지는 도전부(15)의 열팽창을 억제할 수 있다.By placing the conductive portion 15 in the groove 14, the thermal expansion of the conductive portion 15, which is mainly made of a metal, can be suppressed.

제1 기판(10)의 두께는 50㎛이상인 것이 좋다. 너무 얇으면 지지 기판으로 역할하기가 쉽지 않기 때문이다. 바람직하게는 50㎛에서 2000㎛의 두께를 가진다. 너무 두꺼우면 이후 연마 공정 등에서 불필요한 공정 시간을 초래한다.The thickness of the first substrate 10 is preferably 50 占 퐉 or more. If it is too thin, it is not easy to serve as a supporting substrate. Preferably from 50 [mu] m to 2000 [mu] m. If it is too thick, unnecessary processing time is caused in the subsequent polishing step or the like.

예를 들어, 홈(14)은 30㎛ 폭을 가질 수 있으며, 그 길이는 전극(25,26)의 길이에 따라 달라질 수 있다. 하나의 전극(25)이 복수의 홈(14)에 대응할 수 있음은 물론이다. 홀(hole) 형태를 가지는 경우에, 한변의 길이가 200㎛이하인 것이 적절하다. 지나치게 작으면 방열 특성이 나빠지고, 지나치게 커지면, 제1 기판(10)이 깨질 수 있다. 기본적으로 홈(14)의 크기를 전극(25,26)의 형상에 따라 달라질 수 있다.For example, the grooves 14 may have a width of 30 microns, and the length thereof may vary depending on the length of the electrodes 25 and 26. [ It goes without saying that one electrode 25 may correspond to the plurality of grooves 14. In the case of having a hole shape, it is appropriate that the length of one side is 200 mu m or less. If the thickness is excessively small, the heat dissipation property deteriorates, and if it is excessively large, the first substrate 10 may be broken. Basically, the size of the groove 14 may vary depending on the shape of the electrodes 25 and 26.

도전 패드(16)를 포함하는 도전부(15)는 예를 들어, E-Beam, Sputter를 이용하여 씨앗층(seed layer)을 형성한 다음, 도금을 통해 형성할 수 있다. 도금 물질로는 Cu, Ni, Au, Ag, In, Sn 등을 예로 들 수 있다. Ag, Cu계 전도성 paste를 이용하는 것도 가능하다.The conductive part 15 including the conductive pad 16 may be formed by forming a seed layer using, for example, E-beam or sputter and then plating. Examples of the plating material include Cu, Ni, Au, Ag, In, Sn and the like. Ag, Cu-based conductive paste may be used.

제2 기판(17)은 예를 들어, 유리, 사파이어, 실리콘, 산화물 세라믹 등을 이용할 수 있다. 제2 기판(17)을 결합층(18)을 통해 제1 기판(10)에 결합할 수도 있지만, 제1 기판(10)에 제2 기판(17)을 증착 등의 방법으로 형성하는 방법도 있다. 이렇게 형성된 제2 기판(17)은 에칭을 통해 제거될 수 있다.The second substrate 17 may be made of, for example, glass, sapphire, silicon, oxide ceramics, or the like. The second substrate 17 may be bonded to the first substrate 10 through the bonding layer 18 but the second substrate 17 may be formed on the first substrate 10 by vapor deposition or the like . The second substrate 17 thus formed can be removed by etching.

바람직하게는, 반도체 발광소자 칩(20)은 동일한 간격을 두고 고정된다.Preferably, the semiconductor light-emitting device chips 20 are fixed at equal intervals.

제1 전극(25)과 제2 전극(26) 사이에는 절연체가 구비될 수 있으며, thermo-set 또는 thermo-plastic 레진을 포함하고, phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA, Silicon resin 등으로 이루어질 수 있다.An insulating material may be provided between the first electrode 25 and the second electrode 26. The insulating material may include thermo-set or thermo-plastic resin and may be made of phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA, .

(2) 고정하는 단계에 앞서, 제1 기판이 제2 기판에 고정된 상태에서 제1 기판의 두께를 감소시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(2) reducing the thickness of the first substrate in a state where the first substrate is fixed to the second substrate, prior to the fixing step.

(3) 감소된 제1 기판의 두께는 10㎛이상 500㎛이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 너무 얇으며 지지 기능을 하기 쉽지 않고, 너무 두꺼우면 절단 공정 등에서 어려움을 야기하고, 또한 도 15에서와 같이 패키지에 수용하기가 어려워질 수 있다.(3) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the reduced thickness of the first substrate is 10 탆 or more and 500 탆 or less. It is too thin and difficult to support, and if it is too thick, it may cause difficulties in the cutting process or the like, and it may be difficult to accommodate the package in the manner as shown in Fig.

(4) 고정하는 단계에 앞서, 제2 면 측에서 도전부에 도전 패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (4) forming a conductive pad on the conductive portion on the second surface side prior to the step of fixing the conductive pad.

도전 패드(19)는 도금 또는 증착을 통해서 형성될 수 있다. 도전 패드(19) 사이의 제1 기판(10)에는 반사율이 높은 Ag, Al, Rh, Cr, Ti, TiW, Au, DBR, OBR 등을 으로 된 반사층(12a)을 구비하는 것도 가능하다.The conductive pads 19 may be formed by plating or vapor deposition. The first substrate 10 between the conductive pads 19 may be provided with a reflective layer 12a made of Ag, Al, Rh, Cr, Ti, TiW, Au, DBR or OBR having high reflectance.

(5) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(5) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, further comprising: forming an encapsulant on the second surface side so as to cover the semiconductor light emitting device chip.

봉지제는 형광체 및/또는 광산란제를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 구성될 수 있고, 각각의 층은 투명하거나, 종류를 달리하는 형광체 등을 함유할 수 있다.The encapsulant may include a fluorescent substance and / or a light scattering agent, and may be composed of a single layer or a multilayer, and each layer may contain a transparent or different type of fluorescent material.

(6) 봉지제를 형성하는 단계는 봉지제의 측면을 노출하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(6) The step of forming the encapsulant includes a step of exposing the side of the encapsulant.

예를 들어, 레이저, 다이싱, 커팅 공정 등을 통하여 봉지제(27)를 일부 제거할 수 있다.For example, a part of the encapsulating agent 27 can be removed through laser, dicing, cutting, or the like.

(7) 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(7) separating the second substrate from the first substrate. ≪ Desc / Clms Page number 13 >

폴리싱, 습식에칭 등을 이용하여 제2 기판(17)을 제거하는 것도 가능하며, 결합층(18) 또는 제2 기판(17)이 빛에 반응하는 물질로 이루어진 경우에, 광학적인 방법(빛)으로 제거하는 것도 가능하다.It is also possible to remove the second substrate 17 by polishing or wet etching or the like in the case where the bonding layer 18 or the second substrate 17 is made of a material which reacts with light, As shown in FIG.

(8) 분리하는 단계는 결합층을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(8) separating the semiconductor layer includes removing the bonding layer.

결합층(18)으로 테이프를 이용할 수 있다. 또한, 금속, 산화물, 질화물 등을 증착한 다음, 이를 에칭을 통해 제거하는 방식으로 결합층(18)을 구성할 수 있다. A tape can be used as the bonding layer 18. In addition, the bonding layer 18 may be formed by depositing a metal, an oxide, a nitride, or the like, and then removing it by etching.

(9) 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(9) cutting the first substrate so as to include the semiconductor light emitting device chip.

봉지제(27) 내에 반드시 하나의 반도체 발광소자 칩(20)이 놓일 필요는 없으며, 복수의 반도체 발광소자 칩(20)이 봉지제(27) 내에 구비될 수 있다. 복수의 반도체 발광소자 칩(20)이 반드시 동일한 색을 발광해야 하는 것은 아니며, 청색, 녹색, 자외선 등 다양한 색을 발광할 수 있다. 또한 ESD 보호소자를 함께 구비하는 것도 가능하다.A single semiconductor light emitting device chip 20 does not necessarily have to be placed in the sealing material 27 and a plurality of semiconductor light emitting device chips 20 may be provided in the sealing material 27. [ The plurality of semiconductor light emitting device chips 20 do not always have to emit the same color but can emit various colors such as blue, green, and ultraviolet rays. It is also possible to provide an ESD protection element together.

절단에는 Laser Ablation, Dicing Saw 등이 이용될 수 있다.Laser ablation and dicing saw can be used for cutting.

(10) 절단하는 단계에 앞서, 제1 기판 내부에 크랙을 발생시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.Further comprising the step of forming a crack in the first substrate prior to the step of cutting the semiconductor substrate (10).

소위 Stealth Laser를 이용하여 크랙을 형성할 수 있다.The so-called stealth laser can be used to form cracks.

(11) 도전부의 제1 면 측 및 도전부의 제2 면 측 중 적어도 하나에 도전 패드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(11) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a conductive pad is formed on at least one of a first surface side of the conductive portion and a second surface side of the conductive portion.

(12) 제1 전극 또는 제2 전극에 복수의 도전부가 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(12) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a plurality of conductive parts are fixed to the first electrode or the second electrode.

(13) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며, 절단 후 제1 기판의 제2 면의 일부가 봉지제 없이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(13) forming an encapsulant on the second surface side so as to cover the semiconductor light emitting device chip; And cutting the first substrate so as to include the semiconductor light emitting device chip, wherein a part of the second surface of the first substrate after the cutting is exposed without the sealing agent. Way.

노출될 영역의 길이는 100㎛를 넘지 않는 것이 적절하다. 지나치게 넓으면 재료의 손실이 많아지고, Stealth Laser를 이용하는 경우에, 칩 간 거리가 30㎛ 정도면 공정이 가능하다.It is appropriate that the length of the region to be exposed does not exceed 100 mu m. If the wafer is too wide, the loss of the material increases. In the case of using the stealth laser, the process is possible if the chip-to-chip distance is about 30 μm.

(14) 제1 기판을 준비하는 단계에서, 도전부의 제1 면 측 및 도전부의 제2 면 측 중 적어도 하나에 도전 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(14) In the step of preparing the first substrate, a conductive pad is formed on at least one of the first surface side of the conductive portion and the second surface side of the conductive portion.

(15) 제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계;를 더 포함하며, 봉지제를 형성하는 단계에 앞서, 제2 면 측에서 제1 기판에 반도체 발광소자 칩 옆에 댐을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(15) forming a sealing material on the second surface side so as to cover the semiconductor light emitting device chip, wherein before the step of forming the sealing material, the semiconductor light emitting device chip And forming a dam on a side of the semiconductor light emitting device.

댐(30)은 PR 및 Dry film을 활용할 수 있다. 반사막으로 기능하도록 할 수 있으며, EMC, White Silicone, TiO2가 포함된 Silicone 등을 활용할 수 있다.The dam 30 can utilize PR and dry films. It can function as a reflective film, and EMC, White Silicone, and Silicone containing TiO 2 can be utilized.

(16) 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며, 절단하는 단계에 앞서, 댐의 적어도 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(16) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: cutting a first substrate to include a semiconductor light emitting device chip; and removing at least a part of the dam prior to the cutting step Lt; / RTI >

(17) 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하며, 제2 기판을 분리하는 단계에 앞서, 성장 기판을 복수의 반도체층으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(17) separating the second substrate from the first substrate, and separating the growth substrate from the plurality of semiconductor layers prior to separating the second substrate A method of manufacturing a semiconductor light emitting device.

(18) 고정하는 단계는 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(18) comprises filling a space between the first electrode and the second electrode with an insulator.

(19) 고정하는 단계에 앞서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.Further comprising the step of filling the space between the first electrode and the second electrode with an insulator before the step of fixing the light emitting layer (19).

(20) 고정하는 단계에서, 상기 반도체 발광소자 칩을 포함하는 복수의 반도체 발광소자 칩이 제1 기판에 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(20), the plurality of semiconductor light emitting device chips including the semiconductor light emitting device chip are fixed to the first substrate.

(21) 제1 기판과 성장 기판이 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(21) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the first substrate and the growth substrate are made of the same material.

동일한 재질로 이루어지는 것이 가장 바람직하지만, 열팽창계수의 차이가 크지 않은 재질을 사용하는 것도 가능하다.(예: Al2O3과 AlN)It is most preferable to use the same material, but it is also possible to use a material having a small difference in thermal expansion coefficient (for example, Al 2 O 3 and AlN)

(22) 제1 기판은 투광성 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 이러한 경우에, Stealth Laser 가공이 가능하다.(22) A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, wherein the first substrate is made of a light-transmitting material. In this case, stealth laser machining is possible.

(23) 성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판;으로서, 투광성을 가지며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자.(23) A plurality of semiconductor layers grown on a growth substrate and a growth substrate, the semiconductor substrate including a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor light emitting device chip; The first and second grooves have a first surface and a second surface opposite to the first surface and have a first groove and a second groove from the first surface side to the second surface side, And a first substrate on which a first groove and a second groove can restrict thermal expansion of respective conductive parts, the first substrate having light transmittance, the first electrode being fixed to the conductive part of the first groove, And a first substrate fixed to the conductive part of the second groove.

(24) 제1 기판은 성장 기판과 동일한 물질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (24) The semiconductor light emitting device according to (24), wherein the first substrate is made of the same material as the growth substrate.

(25) 반도체 발광소자 칩은 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 측면에는 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(25) The semiconductor light-emitting device chip has a side surface connecting the first surface and the second surface, and a rough surface spaced apart from the first surface and the second surface and formed by cracking by laser irradiation is formed on the side surface .

(26) 반도체 발광소자에 있어서, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면 및 제1 면과 제2 면을 이어주는 측면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지는 제1 기판;으로서, 측면에 제1 면 및 제2 면과 이격되어 레이저 조사에 의한 크랙에 의해 형성된 거친 면이 형성되어 있으며, 제1 전극이 제1 홈의 도전부에 고정되고, 제2 전극이 제2 홈의 도전부에 고정되는 제1 기판;을 포함하는 것을 반도체 발광소자.(26) A semiconductor light emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers grown using a growth substrate, the semiconductor layers including a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to each of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor light emitting device chip having two electrodes; A first surface having a first surface, a second surface opposed to the first surface, and a side surface connecting the first surface and the second surface and having a first groove and a second groove from the first surface side to the second surface side, A substrate having a rough surface spaced apart from the first surface and the second surface by cracks generated by laser irradiation, the first electrode being fixed to the conductive portion of the first groove, And a first substrate fixed to the conductive part of the second groove.

(27) 제1 홈의 도전부가 고정되는 제1 리드 프레임; 제2 홈의 도전부가 고정되는 제2 리드 프레임; 그리고, 반도체 발광소자 칩 및 제1 기판을 둘러싸는 추가의 봉지제;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(27) a first lead frame to which a conductive portion of the first groove is fixed; A second lead frame to which a conductive portion of the second groove is fixed; And a further encapsulant surrounding the semiconductor light emitting device chip and the first substrate.

(28) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판 내부에 크랙을 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(28) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: coupling a second substrate to a first substrate; A step of fixing a semiconductor light emitting device chip having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes to a first substrate; Separating the second substrate from the first substrate; Forming a crack in the first substrate; And cutting the first substrate so as to include the semiconductor light emitting device chip.

(29) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제2 기판에 결합되어 있으며, 내부에 크랙이 형성되어 있는 제1 기판을 준비하는 단계; 전자와 정공을 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 제1 기판에 고정하는 단계; 제2 기판을 제1 기판으로부터 분리하는 단계; 제1 기판을 가압하여 크랙을 따라 제1 기판을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(29) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: preparing a first substrate coupled to a second substrate and having a crack formed therein; A step of fixing a semiconductor light emitting device chip having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes to a first substrate; Separating the second substrate from the first substrate; And pressing the first substrate to cut the first substrate along the cracks. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >

(30) 고정하는 단계에 앞서, 제1 기판의 제2 면 측에 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 반사층이 도전성 물질로 이루어지는 경우에, 도전부(15) 또는 도전 패드(19)와는 거리를 두고 형성된다. Further comprising the step of forming a reflective layer on the second surface side of the first substrate prior to the step of fixing the light emitting layer (30). When the reflective layer is made of a conductive material, it is formed at a distance from the conductive portion 15 or the conductive pad 19.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 의하면, 반도체 발광소자 칩의 크랙 또는 깨짐을 방지할 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same according to the present disclosure, cracking or breakage of the semiconductor light emitting device chip can be prevented.

또한 본 개시에 따른 반도체 발광소자 칩용 지지기판에 의하면, 반도체 발광소자 칩의 깨짐을 방지할 수 있게 된다.Further, according to the supporting substrate for a semiconductor light emitting device chip according to the present disclosure, breakage of the semiconductor light emitting device chip can be prevented.

제1 기판(10), 홈(14), 도전부(15), 도전 패드(16), 반도체 발광소자 칩(20)The first substrate 10, the groove 14, the conductive portion 15, the conductive pad 16, the semiconductor light emitting device chip 20,

Claims (19)

반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제1 면 측으로부터 제2 면 측으로 향하는 제1 홈 및 제2 홈을 가지고, 제1 홈 및 제2 홈 각각에 도전부가 형성되어 열팽창시 제1 홈 및 제2 홈이 각각의 도전부의 열팽창을 제한할 수 있는 제1 기판을 준비하는 단계;
제1 면 측에서 결합층을 통해 제1 기판에 제2 기판을 결합하는 단계; 그리고,
성장 기판, 성장 기판에 성장되는 복수의 반도체층으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 각각에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을, 제1 기판을 기준으로 제2 기판에 대향하는 측인, 제2 면 측에서 제1 기판에 고정하는 단계;로서, 제1 전극 및 제2 전극 각각을 제1 홈의 도전부와 제2 홈의 도전부에 고정하는 단계;를 포함하며,
반도체 발광소자 칩이 제1 기판에 고정되어 있고, 제1 기판은 결합층을 통해 제2 기판에 결합되어 있으며, 결합층은 제2 기판을 반도체 발광소자 칩에 결합시키는 것이 아니라 제2 기판을 제1 기판에 결합시킴으로써, 제2 기판이 결합층을 기준으로 반도체 발광소자 칩 및 제1 기판의 반대측에 위치하고,
제2 기판을, 반도체 발광소자 칩이 구비된 제1 기판으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
A first groove having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a first groove and a second groove from the first surface side to the second surface side and having a conductive portion formed in each of the first groove and the second groove, Preparing a first substrate on which a first groove and a second groove can restrict thermal expansion of each conductive portion;
Bonding the second substrate to the first substrate through the bonding layer at the first surface side; And,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from that of the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer for generating light through recombination of electrons and holes and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And fixing the first electrode and the second electrode to the conductive portion of the first groove and the second groove to the first substrate on the side of the second surface that is the side opposite to the second substrate with respect to the first substrate, To the conductive portion of the first electrode,
The semiconductor light emitting device chip is fixed to the first substrate, the first substrate is coupled to the second substrate through the bonding layer, and the bonding layer is formed not by bonding the second substrate to the semiconductor light emitting device chip, 1 substrate, the second substrate is positioned on the opposite side of the semiconductor light-emitting device chip and the first substrate with respect to the bonding layer,
And separating the second substrate from the first substrate provided with the semiconductor light emitting device chip. ≪ RTI ID = 0.0 > 31. < / RTI > 청구항 1에 있어서,
고정하는 단계에 앞서, 제1 기판이 제2 기판에 고정된 상태에서 제1 기판의 두께를 감소시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
And reducing the thickness of the first substrate in a state that the first substrate is fixed to the second substrate prior to the fixing step. 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며,
절단하는 단계에 앞서, 제1 기판 내부에 크랙을 발생시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1 or 2,
And cutting the first substrate to include the semiconductor light emitting device chip,
Further comprising the step of forming a crack in the first substrate prior to the step of cutting. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
제2 면 측에서, 반도체 발광소자 칩을 덮도록 봉지제를 형성하는 단계;를 더 포함하며,
봉지제를 형성하는 단계에 앞서, 제2 면 측에서 제1 기판에 반도체 발광소자 칩 옆에 댐을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
And forming an encapsulant on the second surface side so as to cover the semiconductor light emitting device chip,
Further comprising the step of forming a dam next to the semiconductor light emitting device chip on the first substrate on the side of the second surface prior to the step of forming the encapsulant. 청구항 6에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 포함하도록 제1 기판을 절단하는 단계;를 더 포함하며,
절단하는 단계에 앞서, 댐의 적어도 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 6,
And cutting the first substrate to include the semiconductor light emitting device chip,
Further comprising the step of removing at least a portion of the dam prior to the step of cutting. 청구항 1에 있어서,
제2 기판을 분리하는 단계에 앞서, 성장 기판을 복수의 반도체층으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of separating the growth substrate from the plurality of semiconductor layers prior to the step of separating the second substrate. 청구항 8에 있어서, 고정하는 단계는 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.9. The method of claim 8, wherein the step of fixing comprises filling a space between the first electrode and the second electrode with an insulator. 청구항 8에 있어서,
고정하는 단계에 앞서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 공간을 절연체로 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 8,
Further comprising the step of filling the space between the first electrode and the second electrode with an insulator before the step of fixing the semiconductor light emitting device. 청구항 1에 있어서,
제1 기판과 성장 기판이 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first substrate and the growth substrate are made of the same material. 청구항 4에 있어서,
제1 기판은 투광성 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 4,
Wherein the first substrate is made of a light-transmitting material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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