KR101755158B1 - 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법, 노광장치, 그 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법 및 제조장치 - Google Patents
듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법, 노광장치, 그 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법 및 제조장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법, 노광장치, 그레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법 및 제조장치에 대한 것이다. 보다 상세하게는 레이저 노광법에 있어서, 특정폭과, 특정광량을 갖는 레이저빔이 기판상에 코팅된 감광막으로 조사되는 단계; 상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되는 단계; 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되는 단계; 양측의 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성되는 단계; 및 상기 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법, 노광장치, 그레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법 및 제조장치에 대한 것이다.
종래 미세패턴을 제작하는 방법으로서 포토 리소그래피 방식, 이온식 방식, 레이저 노광방식 등이 존재한다. 여기서 이온빔 방식은 이온빔의 선폭이 좁기 때문에 더욱 미세한 선폭을 가진 미세패턴을 제조할 수 있어 첨단 제품이나, 고집적도의 반도체를 제조할 때 사용된다. 그리고, 레이저 노광방식은 레이저에 의해 물성이 변환되는 감광막을 기판에 코팅한 후 레이저 광을 주사시켜 식각, 에칙공정을 거쳐 미세패턴을 형성하게 된다.
도 1 내지 도 4는 종래 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 1은 감광막(2)이 코팅된 기판(1)의 단면도, 도 2는 감광막(2)에 레이저 노광장치(100)에 의해 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 3은 레이저 빔이 조사된 부분에 산화막(4)이 생성된 상태의 단면도, 도 4는 감광막(2)을 에칭한 상태의 단면도를 도시한 것이다.
도 5는 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔이 조사되기 전의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 6은 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔을 조사한 후, 에칭한 상태에서의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 노광장치를 이용하여 레이저 빔을 감광막(2)으로 조사하게 되고, 이때, 레이저 빔의 광량은 약 10 ~ 15mW정도가 되며, 코팅된 감광막의 두께는 약 70nm ~ 150nm정도가 된다. 이러한 광량의 레이저 빔이 감광막에 조사되면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 감광막의 특정깊이만큼과 조사된 위치에서 특정높이만큼 산화막(4)이 형성되게 된다.
레이저 빔을 조사하여 산화막(4)을 형성시킨 후 이러한 산화막(4)은 에칭액에 보호액이 되어, 에칭액으로 감광막을 제거하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부로 돌출된 패턴을 생성시킬 수 있게 된다. 레이저 노광장치를 이동수단을 통해 이동시키면서 레이저 빔을 조사한 후, 에칭하게 되는 경우 레이저 빔이 조사된 특정부분만이 돌출되어 다양한 형태의 미세패턴을 생성할 수 있게 된다.
그러나 이러한 종래 레이저 노광법의 경우 레이저 빔이 조사된 부분에 단일 라인만이 형성되어 서로 미세간격이 이격된 듀얼 라인을 생성하고자 하는 경우, 각각의 부분에 대해 레이저 빔을 조사하여야하기 때문에, 공정이 복잡하여 레이저 노광장치의 이동을 제어하기 어려우며 매우 비효율적이라는 단점이 존재한다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 일실시예에 따르면, 1회의 레이저 빔 조사로 듀얼라인을 갖는 미세패턴을 형성할 수 있는 레이저 노광법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 일실시예 따르면, 듀얼라인을 동시에 생성할 수 있게 됨으로써, 기존의 노광법과 대비하여 2배 이상의 속도(생산성)를 향상시킬 수 있으며, 노광장치 이동의 가감속까지 고려하면 실제로 3배 이상의 생산성이 향상될 수 있는, 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법, 노광장치, 그레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법 및 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
한편, 본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1목적은, 레이저 노광법에 있어서, 특정폭과, 특정광량을 갖는 레이저빔이 기판상에 코팅된 감광막으로 조사되는 단계; 상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되는 단계; 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되는 단계; 양측의 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성되는 단계; 및 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법으로서 달성될 수 있다.
그리고, 상기 특정광량은, 20 ~ 30mW인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 감광막은 크롬으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 조사되는 단계는, 레이저발생부에서 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 단계; 광량조절부에서 상기 레이저 빔이 상기 특정광량을 갖도록 조절하는 단계; 상기 레이저 빔이 노광렌즈에 투과되는 단계; 및 상기 노광렌즈의 초점 부분에 위치한 상기 감광막으로 상기 레이저 빔이 조사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 초점조절부가 상기 노광렌즈와 상기 기판 사이의 간격을 변화하여 상기 초점을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제2목적은. 기판 상에 코팅된 감광막에 레이저 빔을 조사하기 위한 노광장치에 있어서, 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 레이저발생부; 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저 빔이 특정광량이 되도록 조절하는 광량조절부; 및 상기 레이저 빔을 투과시켜, 상기 감광막으로 상기 레이저 빔을 조사하는 노광렌즈;를 포함하여, 상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되며, 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성된 후, 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성하게 되는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치로서 달성될 수 있다.
또한, 상기 광량조절부는 상기 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 광량을 조절 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 광량조절부는, 광음향변조기, 빔스플리터, 포토다이오드 및 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제3목적은, 레이저 노광장치를 이용하여 미세패턴을 생성하는 방법에 있어서, 특정폭과, 20 ~ 30mW의 광량을 갖는 레이저빔이 기판상에 코팅된 감광막으로 조사되는 단계; 상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되는 단계; 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되는 단계; 양측의 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성되는 단계; 및 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 조사되는 단계에서, 상기 레이저 노광장치를 이동시키면서 레이저 빔을 조사하고, 상기 에칭하는 단계에 의해 듀얼라인을 갖는 미세패턴이 생성되는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법으로서 달성될 수 있다.
그리고, 상기 조사되는 단계는, 이동수단이 상기 레이저 노광장치를 상기 기판의 평면방향과 평행한 특정방향으로 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하는 제1단계; 상기 레이저 빔의 조사를 중단하고, 상기 이동수단이 상기 레이저 노광장치를 특정 위치로 이동시키는 제2단계; 상기 특정방향을 전환하여, 전환된 방향으로 이동수단이 상기 레이저 노광장치를 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하는 제3단계; 및 상기 제1단계 내지 상기 제3단계를 반복하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 레이저발생부에서 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 단계; 광량조절부에서 상기 레이저 빔이 상기 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 조절하는 단계; 상기 레이저 빔이 노광렌즈에 투과되는 단계; 및 상기 노광렌즈의 초점 부분에 위치한 상기 감광막으로 상기 레이저 빔이 조사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제4목적은 앞서 언급한 제3목적에 따른 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 듀얼라인을 갖는 미세패턴이 형성된 광학소자로서 달성될 수 있다.
그리고, 상기 미세패턴은, 듀얼라인을 갖는 다수의 삼각패턴 또는 사각형 패턴인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제5목적은, 기판 상에 코팅된 감광막에 레이저 빔을 조사하여 미세패턴을 제조하기 위한 장치에 있어서, 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 레이저발생부와, 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 조절하는 광량조절부와, 상기 레이저 빔을 투과시켜, 상기 감광막으로 상기 레이저 빔을 조사하는 노광렌즈를 갖는 레이저 노광장치; 상기 레이저 노광장치를 상기 기판의 평면방향과 평행한 방향으로 이동시키는 이동수단; 및 상기 레이저 노광장치의 이동방향을 전환시키는 방향조절부;를 포함하여, 상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되며, 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성된 후, 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인을 갖는 미세패턴이 생성하게 되는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조장치로서 달성될 수 있다.
그리고, 상기 레이저 발생부, 상기 이동수단 및 상기 방향조절부의 구동을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제어부는 상기 이동수단을 제어하여, 상기 기판의 평면방향과 평행한 특정방향으로 설정된 거리만큼 상기 레이저 노광장치를 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하고, 설정된 거리만큼 이동 후 제어부는 상기 레이저 발생부를 제어하여 상기 레이저 빔의 조사를 중단시키고, 상기 이동수단을 제어하여 상기 레이저 노광장치를 특정 위치로 이동시키도록 하고, 상기 제어부는 방향조절부를 제어하여, 상기 특정방향을 전환하도록 하고, 다시 이동수단을 제어하여 전환된 특정방향으로 상기 레이저 노광장치를 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 1회의 레이저 빔 조사로 듀얼라인을 갖는 미세패턴을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 일실시예 따르면 듀얼라인을 동시에 생성할 수 있게 됨으로써, 기존의 노광법과 대비하여 2배 이상의 속도(생산성)를 향상시킬 수 있으며, 노광장치 이동의 가감속까지 고려하면 실제로 3배 이상의 생산성이 향상될 수 있는 효과를 갖는다.
한편, 본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1 내지 도 4는 종래 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 1은 감광막이 코팅된 기판의 단면도, 도 2는 감광막에 레이저 노광장치에 의해 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 3은 레이저 빔이 조사된 부분에 산화막이 생성된 상태의 단면도, 도 4는 감광막을 에칭한 상태의 단면도,
도 5는 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔이 조사되기 전의 단면을 측정한 그래프,
도 6은 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔을 조사한 후, 에칭한 상태에서의 단면을 측정한 그래프,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법의 흐름도,
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 8은 기판(1) 상에 코팅된 감광막으로 20 ~ 30mW 광량을 갖는 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 9는 레이저 빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 부분의 주변부로 돌출단이 생성된 상태의 단면도, 도 10은 돌출단의 상부로 산화막이 생성된 상태의 단면도, 도 11은 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성된 상태의 단면도,
도 12는 30mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 13은 도 12에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 14는 28mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 15는 도 14에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 16은 26mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 17은 도 16에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 18은 24mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 19는 도 18에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 20은 21mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 21은 도 20에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 22는 19mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 23은 도 22에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 24는 17mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 25는 도 24에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 26는 15mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 27은 도 26에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 28은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 노광법을 이용한 듀얼라인을 갖는 미세패턴 제조장치의 제어부의 신호흐름을 나타낸 블록도,
도 29는 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 30은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 31은 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 32는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 33 내지 도 35는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자,
도 36 내지 도 38은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 삼각 패턴을 갖는 광학소자,
도 39 내지 도 41은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 평행사변형 패턴을 갖는 광학소자,
도 42 내지 도 44는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자를 도시한 것이다.
도 1 내지 도 4는 종래 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 1은 감광막이 코팅된 기판의 단면도, 도 2는 감광막에 레이저 노광장치에 의해 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 3은 레이저 빔이 조사된 부분에 산화막이 생성된 상태의 단면도, 도 4는 감광막을 에칭한 상태의 단면도,
도 5는 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔이 조사되기 전의 단면을 측정한 그래프,
도 6은 종래 레이저 노광법으로 레이저 빔을 조사한 후, 에칭한 상태에서의 단면을 측정한 그래프,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법의 흐름도,
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 8은 기판(1) 상에 코팅된 감광막으로 20 ~ 30mW 광량을 갖는 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 9는 레이저 빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 부분의 주변부로 돌출단이 생성된 상태의 단면도, 도 10은 돌출단의 상부로 산화막이 생성된 상태의 단면도, 도 11은 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성된 상태의 단면도,
도 12는 30mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 13은 도 12에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 14는 28mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 15는 도 14에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 16은 26mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 17은 도 16에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 18은 24mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 19는 도 18에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 20은 21mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 21은 도 20에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 22는 19mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 23은 도 22에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 24는 17mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 25는 도 24에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 26는 15mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프,
도 27은 도 26에서 감광막을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프,
도 28은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 노광법을 이용한 듀얼라인을 갖는 미세패턴 제조장치의 제어부의 신호흐름을 나타낸 블록도,
도 29는 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 30은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 31은 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 32는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도,
도 33 내지 도 35는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자,
도 36 내지 도 38은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 삼각 패턴을 갖는 광학소자,
도 39 내지 도 41은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 평행사변형 패턴을 갖는 광학소자,
도 42 내지 도 44는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자를 도시한 것이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
아래의 특정 실시예들을 기술하는데 있어서, 여러 가지의 특정적인 내용들은 발명을 더 구체적으로 설명하고 이해를 돕기 위해 작성되었다. 하지만 본 발명을 이해할 수 있을 정도로 이 분야의 지식을 갖고 있는 독자는 이러한 여러 가지의 특정적인 내용들이 없어도 사용될 수 있다는 것을 인지할 수 있다. 어떤 경우에는, 발명을 기술하는 데 있어서 흔히 알려졌으면서 발명과 크게 관련 없는 부분들은 본 발명을 설명하는데 있어 별 이유 없이 혼돈이 오는 것을 막기 위해 기술하지 않음을 미리 언급해 둔다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치(100) 및 레이저 노광법에 대해 설명하도록 한다. 먼저, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 노광장치(100)는 종래의 레이저 노광장치(100)와 기본적으로 동일한 구성을 포함한다.
즉, 레이저발생부(10)는 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키게 되고, 광량조절부(11)는 레이저발생부(10)에서 발생된 레이저 빔이 특정광량이 되도록 조절하도록 구성된다. 그리고, 노광렌즈는 레이저 빔을 투과시켜, 감광막(2)으로 레이저 빔을 조사하도록 구성된다.
본 발명의 일실시예에서는, 레이저 빔이 조사된 부분의 감광막(2)이 제거되고, 제거된 감광막(2)의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단(3)이 형성되며, 돌출단(3) 상부면 각각에 산화막(4)이 생성되게 된다. 그리고, 산화막(4)이 생성된 후, 감광막(2)을 에칭하게 되면 듀얼라인이 패턴이 생성되게 된다.
본 발명의 일실시예에 따른 광량조절부(11)는 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 광량을 조절하게 된다. 후에 상세하게 설명되는 바와 같이, 20 ~ 30mW의 광량을 레이저 빔을 감광막(2)에 조사하게 되는 경우, 레이저 빔이 조사된 감광막(2)은 완전히 제거되게 된다. 이러한 광량조절부(11)는 통상적으로, 광음향변조기, 빔스플리터, 포토다이오드 및 컨트롤러를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 레이저 노광장치(100)는 초점조절부(20)를 포함하여, 노광렌즈와 기판(1) 사이의 간격을 변화하여 초점을 조절할 수 있도록 구성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법의 흐름도를 도시한 것이다. 그리고, 도 8 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 설명하기 위한 것으로, 도 8은 기판(1) 상에 코팅된 감광막(2)으로 20 ~ 30mW 광량을 갖는 레이저 빔이 조사되는 상태의 단면도, 도 9는 레이저 빔이 조사된 부분의 감광막(2)이 제거되고, 제거된 부분의 주변부로 돌출단(3)이 생성된 상태의 단면도, 도 10은 돌출단(3)의 상부로 산화막(4)이 생성된 상태의 단면도, 도 11은 감광막(2)을 에칭하여 듀얼라인이 생성된 상태의 단면도를 도시한 것이다.
먼저, 레이저발생부(10)에서 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키게 되고(S1), 광량조절부(11)에서 레이저 빔이 상기 특정광량을 갖도록 조절하게 된다(S2). 이러한 특정광량은 20 ~ 30mW에 해당한다. 이러한 수치한정의 이유와 기술적 특징에 대해서는 후에 상세히 설명하도록 한다. 그리고, 레이저 빔이 노광렌즈에 투과되게 된다(S3).
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 노광렌즈의 초점 부분에 위치한 기판(1) 상에 코팅된 감광막(2)으로 상기 레이저 빔이 조사되게 된다(S4). 이러한 감광막(2)은 본 발명에서 크롬으로 구성된다. 즉, 특정폭과, 20 ~ 30mW 광량을 갖는 레이저빔이 기판(1)상에 코팅된 감광막(2)으로 조사되게 된다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 레이저빔이 조사된 부분의 감광막(2)이 제거되며(S5), 제거된 감광막(2)의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단(3)(burr)이 형성되게 된다(S6).
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 양측의 상기 돌출단(3) 상부면 각각에 산화막(4)(Cr2O3)이 생성되게 된다(S7). 그리고, 도 11에 도시된 바와 같이, 에칭액을 이용하여 감광막(2)을 에칭하여(S8) 듀얼라인이 생성되게 된다(S9)
즉, 20 ~ 30mW인 광량으로 감광막(2)인 크롬층에 레이저 빔을 조사하게 되는 경우 산화막(4)이 형성되기 전에 조사된 부분의 크롬층이 날아가면서 그 주변부에 그롬이 burr처럼 형성되고, 그 크롬 퇴적물 위에 산화막(4)이 생성되게 되며, 이러한 현상을 이용하면 한 번의 레이저 노광으로 2개의 선을 동시에 패터닝할 수 있게 된다.
이하에서는 광량을 변화하면서, 듀얼라인 생성이 가능한 범위를 결정한 실험결과를 설명하도록 한다.
도 12는 30mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다. 그리고, 도 13은 도 12에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 30mW의 광량으로 조사하게 되는 경우 조사된 부분의 감광막(2)이 기판(1)이 노출될 때까지 완전히 제거됨을 알 수 있고, 감광막(2)을 에칭한 후, 도 13에 도시된 바와 같이, 2개의 라인이 동시에 생성되게 됨을 알 수 있다.
도 14는 28mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 15는 도 14에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 28mW의 광량으로 조사하게 되는 경우 조사된 부분의 감광막(2)이 기판(1)이 노출될 때까지 완전히 제거됨을 알 수 있고, 감광막(2)을 에칭한 후, 도 15에 도시된 바와 같이, 2개의 라인이 동시에 생성되게 됨을 알 수 있다.
도 16은 26mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 17은 도 16에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 26mW의 광량으로 조사하게 되는 경우 조사된 부분의 감광막(2)이 기판(1)이 노출될 때까지 완전히 제거됨을 알 수 있고, 감광막(2)을 에칭한 후, 도 17에 도시된 바와 같이, 2개의 라인이 동시에 생성되게 됨을 알 수 있다.
도 18은 24mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 19는 도 18에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 24mW의 광량으로 조사하게 되는 경우 조사된 부분의 감광막(2)이 기판(1)이 노출될 때까지 완전히 제거됨을 알 수 있고, 감광막(2)을 에칭한 후, 도 19에 도시된 바와 같이, 2개의 라인이 동시에 생성되게 됨을 알 수 있다.
그리고, 도 20은 21mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 21은 도 20에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 21mW의 광량으로 조사하게 되는 경우 조사된 부분의 감광막(2)이 기판(1)이 노출될 때까지 완전히 제거됨을 알 수 있고, 감광막(2)을 에칭한 후, 도 21에 도시된 바와 같이, 2개의 라인이 동시에 생성되게 됨을 알 수 있다.
도 22는 19mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다. 그리고, 도 23은 도 22에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다.
도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 19mW 광량의 레이저 빔 조사에 의해 2개의 선이 형성되기는 하나 완벽하게 이중선이 생성되지는 않음을 알 수 있다.
도 24는 17mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 25는 도 24에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다. 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 17mW 광량의 레이저 빔 조사에 의해 2개의 선이 형성되기는 하나 완벽하게 이중선이 생성되지는 않음을 알 수 있다.
도 26은 15mW의 광량을 갖는 레이저 빔을 조사한 상태에서 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이고, 도 27은 도 26에서 감광막(2)을 에칭한 후의 단면을 측정한 그래프를 도시한 것이다. 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 19mW 광량의 레이저 빔 조사에 의해 2개의 선이 형성되기는 하나 완벽하게 이중선이 생성되지는 않음을 알 수 있다.
이하의 표 1은 측정결과를 정리한 것이다.
| 노광 광량 | 실험결과 |
| 10mW 미만 | 노광이 되지 않음 |
| 10 ~ 15mW | 선 1개 노광(종래 노광법) |
| 16 ~ 19mW | 선이 2개는 생기나 완벽하게 듀얼라인이 나오지 않고 뭉개짐 |
| 20 ~ 30mW | 듀얼라인 형성(본 발명의 범위) |
| 30mW초과 | 광량이 너무 강해서 듀얼라인 사이 간격이 제대로 컨트롤 되지 않음 |
앞서 언급한 바와 같이, 레이저 빔의 광량이 20 ~ 30mW의 범위에 해당하는 경우에만, 레이저 빔의 조사에 의해 레이저 폭에 기반하여 감광막(2)이 완전히 제거되면서 주변부에 돌출부가 생성되고 그 상부에 산화막(4)이 생성되어, 에칭에 의해 완벽한 듀얼라인이 생성될 수 있음을 알 수 있다.
이하에서는 앞서 언급한 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용하여 다양한 듀얼라인을 갖는 미세패턴을 제조하기 위한 방법 및 장치에 대해 설명하도록 한다. 미세패턴을 제조하기 위한 장치는 종래의 장치와 기본적으로 동일한 구성을 갖는다.
즉, 노광장치(100)는 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 레이저발생부(10)와, 레이저발생부(10)에서 발생된 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 조절하는 광량조절부(11)와, 레이저 빔을 투과시켜, 상기 감광막(2)으로 상기 레이저 빔을 조사하는 노광렌즈를 포함하여 구성된다.
그리고, 이동수단(20)은 레이저 노광장치(100)를 기판(1)의 평면방향과 평행한 방향으로 이동시키게 된다. 또한, 방향조절부(31)는 레이저 노광장치(100)의 이동방향을 전환시키도록 구성된다.
또한, 제어부(40)는, 레이저 발생부(10), 이동수단(20) 및 방향조절부(31)의 구동을 제어하도록 구성된다. 도 28은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 노광법을 이용한 듀얼라인을 갖는 미세패턴 제조장치의 제어부(40)의 신호흐름을 나타낸 블록도를 도시한 것이다.
제어부(40)는 이동수단(20)을 제어하여, 기판(1)의 평면방향과 평행한 특정방향으로 설정된 거리만큼 레이저 노광장치(100)를 이송시키면서 상기 감광막(2)으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하게 된다. 또한, 설정된 거리만큼 이동 후 제어부(40)는 레이저 발생부(10)를 제어하여 상기 레이저 빔의 조사를 중단시키고, 상기 이동수단(20)을 제어하여 상기 레이저 노광장치(100)를 특정 위치로 이동시키도록 한다.
또한, 제어부(40)는 방향조절부(31)를 제어하여, 특정방향을 전환하도록 하고, 다시 이동수단(20)을 제어하여 전환된 특정방향으로 레이저 노광장치(100)를 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막(2)으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하게 된다.
이하에서는 레이저 조사로 1개의 라인만을 생성할 수 있는 레이저 노광법을 이용한 미세패턴 생성방법과 듀얼라인 동시 생성이 가능한 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 노광법을 이용한 미세패턴 생성방법에 대해 비교 설명하도록 한다. 도 29는 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도를 도시한 것이다. 그리고, 도 30은 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도를 도시한 것이다.
그리고, 도 31은 종래 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도를 도시한 것이고, 도 32는 본 발명의 일실시예에 따른 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법을 이용한 다수의 사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 제조하는 방법을 설명하기 위한 모식도를 도시한 것이다.
종래 노광법을 이용하게 되면, 도 29에 도시된 바와 같이, 16개의 사각형 패턴을 생성하기 위해서는 하나하나의 사각형의 모서리를 따라 레이저 빔을 조사하여야 함을 알 수 있다. 즉, 사각형 하나의 변의 길이를 a라고 할 때, 이동수단(20)에 의해 레이저노광장치(100)를 a 거리만큼 이동시키고, 방향조절부(31)로 방향을 조절한 후, 다시 a만큼을 이동시키는 작업을 4번하여 하나의 사각형 패턴이 되도록 조사한 후, 레이저 조사를 중단한 후, 다음 위치로 α 거리만큼 이동시킨 후, 다시 동일한 방식으로 레이저 빔을 조사해야한다.
따라서 도 29의 패턴을 만들기 위해 레이저 노광장치(100)의 이동거리는 4a × 16 + α 정도가 된다. 또한, a 거리마다 방향을 전환하여야 하기 때문에 레이저 노광장치(100)의 이동속도 조절역시 제어하기 힘든 문제점이 있다.
반면, 도 30에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따르면 동시에 듀얼라인 생성이 가능하므로, 4a 거리만큼 한번에 레이저 빔을 조사하면서 이동하고, 레이저 빔의 조사를 중단한 후, β거리만큼 이동시킨 후 다시 4a 거리만큼을 이동시키면서 레이저 빔을 조사하는 방식으로 동일한 패턴을 생성할 수 있게 된다.
따라서 레이저 노광장치(100)의 이동거리는 4a × 6 + β이고, β의 거리는 α거리보다 짧게 됨을 알 수 있다. 따라서 이러한 본 발명의 일실시예에 따른 노광법을 이용하면 노광 거시 상으로 종래방법에 비해 2배 이상의 속도(생산성)을 향상시킬 수 있고, 이동수단(20)의 가감속까지 고려하면 실제로 3배이상의 효율이 향상될 수 있음을 알 수 있다.
이러한 방법을 이용하여 듀얼라인을 갖는 다수의 삼각패턴 또는 사각형 패턴등을 갖는 광학소자(5)를 신속하고 효율적으로 제조할 수 있게 된다.
도 33 내지 도 35는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 도시한 것이다. 그리고, 도 36 내지 도 38은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 삼각 패턴을 갖는 광학소자(5)를 도시한 것이다. 또한, 도 39 내지 도 41은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 평행사변형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 도시한 것이다. 그리고, 도 42 내지 도 44는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 듀얼라인을 갖는 다수의 정사각형 패턴을 갖는 광학소자(5)를 도시한 것이다.
또한, 상기와 같이 설명된 장치 및 방법은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
1:기판
2:감광막
3:돌출단
4:산화막
5:광학소자
10:레이저발생부
11:광량조절부
20:초점조절부
30:이동수단
31:방향조절부
40:제어부
50:종래 레이저 노광장치
100:듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치
2:감광막
3:돌출단
4:산화막
5:광학소자
10:레이저발생부
11:광량조절부
20:초점조절부
30:이동수단
31:방향조절부
40:제어부
50:종래 레이저 노광장치
100:듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치
Claims (16)
- 레이저 노광법에 있어서,
특정폭과, 특정광량을 갖는 레이저빔이 기판상에 코팅된 감광막으로 조사되는 단계;
상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되는 단계;
제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되는 단계;
양측의 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성되는 단계; 및
상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법.
- 제 1항에 있어서,
상기 특정광량은, 20 ~ 30mW인 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법.
- 제 2항에 있어서,
상기 감광막은 크롬으로 구성되는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법.
- 제 3항에 있어서,
상기 조사되는 단계는,
레이저발생부에서 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 단계;
광량조절부에서 상기 레이저 빔이 상기 특정광량을 갖도록 조절하는 단계;
상기 레이저 빔이 노광렌즈에 투과되는 단계; 및
상기 노광렌즈의 초점 부분에 위치한 상기 감광막으로 상기 레이저 빔이 조사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법.
- 제 4항에 있어서,
초점조절부가 상기 노광렌즈와 상기 기판 사이의 간격을 변화하여 상기 초점을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광법.
- 기판 상에 코팅된 감광막에 레이저 빔을 조사하기 위한 노광장치에 있어서,
특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 레이저발생부;
상기 레이저발생부에서 발생된 레이저 빔이 특정광량이 되도록 조절하는 광량조절부; 및
상기 레이저 빔을 투과시켜, 상기 감광막으로 상기 레이저 빔을 조사하는 노광렌즈;를 포함하여,
상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되며, 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성된 후, 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인이 생성하게 되는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치.
- 제 6항에 있어서,
상기 광량조절부는 상기 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 광량을 조절 하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치.
- 제 7항에 있어서,
상기 광량조절부는, 광음향변조기, 빔스플리터, 포토다이오드 및 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼라인 생성이 가능한 레이저 노광장치.
- 레이저 노광장치를 이용하여 미세패턴을 생성하는 방법에 있어서,
특정폭과, 20 ~ 30mW의 광량을 갖는 레이저빔이 기판상에 코팅된 감광막으로 조사되는 단계;
상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되는 단계;
제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되는 단계;
양측의 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성되는 단계; 및
상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하는 단계를 포함하고,
상기 조사되는 단계에서,
상기 레이저 노광장치를 이동시키면서 레이저 빔을 조사하고,
상기 에칭하는 단계에 의해 듀얼라인을 갖는 미세패턴이 생성되는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 조사되는 단계는,
이동수단이 상기 레이저 노광장치를 상기 기판의 평면방향과 평행한 특정방향으로 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하는 제1단계;
상기 레이저 빔의 조사를 중단하고, 상기 이동수단이 상기 레이저 노광장치를 특정 위치로 이동시키는 제2단계;
상기 특정방향을 전환하여, 전환된 방향으로 이동수단이 상기 레이저 노광장치를 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하는 제3단계; 및
상기 제1단계 내지 상기 제3단계를 반복하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법.
- 제 10항에 있어서,
레이저발생부에서 특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 단계;
광량조절부에서 상기 레이저 빔이 상기 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 조절하는 단계;
상기 레이저 빔이 노광렌즈에 투과되는 단계; 및
상기 노광렌즈의 초점 부분에 위치한 상기 감광막으로 상기 레이저 빔이 조사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 기판 상에 코팅된 감광막에 레이저 빔을 조사하여 미세패턴을 제조하기 위한 장치에 있어서,
특정폭을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 레이저발생부와, 상기 레이저발생부에서 발생된 레이저 빔이 20 ~ 30mW의 광량을 갖도록 조절하는 광량조절부와, 상기 레이저 빔을 투과시켜, 상기 감광막으로 상기 레이저 빔을 조사하는 노광렌즈를 갖는 레이저 노광장치;
상기 레이저 노광장치를 상기 기판의 평면방향과 평행한 방향으로 이동시키는 이동수단; 및
상기 레이저 노광장치의 이동방향을 전환시키는 방향조절부;를 포함하여,
상기 레이저빔이 조사된 부분의 감광막이 제거되고, 제거된 감광막의 주변 양단부에 상부로 돌출된 돌출단이 형성되며, 상기 돌출단 상부면 각각에 산화막이 생성된 후, 상부에 상기 산화막이 형성된 감광막을 제외한 나머지 감광막을 에칭하여 듀얼라인을 갖는 미세패턴이 생성하게 되는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조장치.
- 제 14항에 있어서,
상기 레이저 발생부, 상기 이동수단 및 상기 방향조절부의 구동을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조장치.
- 제 15항에 있어서,
상기 제어부는 상기 이동수단을 제어하여, 상기 기판의 평면방향과 평행한 특정방향으로 설정된 거리만큼 상기 레이저 노광장치를 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하고,
설정된 거리만큼 이동 후 제어부는 상기 레이저 발생부를 제어하여 상기 레이저 빔의 조사를 중단시키고, 상기 이동수단을 제어하여 상기 레이저 노광장치를 특정 위치로 이동시키도록 하고,
상기 제어부는 방향조절부를 제어하여, 상기 특정방향을 전환하도록 하고, 다시 이동수단을 제어하여 전환된 특정방향으로 상기 레이저 노광장치를 설정된 거리만큼 이송시키면서 상기 감광막으로 레이저 빔을 조사하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 노광법을 이용한 듀얼 라인을 갖는 미세패턴 제조장치.
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