KR101751269B1 - rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same - Google Patents
rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101751269B1 KR101751269B1 KR1020160059133A KR20160059133A KR101751269B1 KR 101751269 B1 KR101751269 B1 KR 101751269B1 KR 1020160059133 A KR1020160059133 A KR 1020160059133A KR 20160059133 A KR20160059133 A KR 20160059133A KR 101751269 B1 KR101751269 B1 KR 101751269B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- insulator
- thin film
- elastic
- semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2896—Testing of IC packages; Test features related to IC packages
Abstract
본 발명은 반도체 테스트용 러버 소켓을 낮은 비용으로 제작하며, 도전성 폴의 정렬을 정밀하고 간편하게 수행할 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 테스트용 러버 소켓의 도전성 폴에서 액상 절연체에 대한 도전성 파우더의 부피비 내지 비투자율을 상하부 상이하게 적용함에 따라 도전성 폴을 정렬시킬 때 종래기술에서 도전성 폴들 간의 척력 및 하판 자석의 자기력에 의해 도전성 폴의 상부가 휘는 현상을 방지할 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a rubber socket for semiconductor testing which manufactures a rubber socket for semiconductor testing at low cost and can precisely and easily carry out alignment of the conductive pole. Particularly, the present invention is applied to the case where the conductive pawls of the semiconductor test rubber sockets are applied with the volume ratio and the specific permeability of the conductive powder to the liquid insulator differently from top to bottom so as to align the conductive pawls in the prior art, To a rubber socket for semiconductor testing capable of preventing the upper portion of the conductive pole from bending.
Description
본 발명은 반도체 테스트용 러버 소켓을 낮은 비용으로 제작하고 도전성 폴의 정렬을 정밀하고 간편하게 수행할 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a rubber socket for semiconductor testing that can manufacture a rubber test socket for semiconductor testing at low cost and can precisely and easily carry out alignment of the conductive pole.
더욱 상세하게는, 본 발명은 반도체 테스트용 러버 소켓의 도전성 폴에서 액상 절연체에 대한 도전성 파우더의 부피비 내지 비투자율을 도전성 폴의 영역별로 상이하게 적용함에 따라 도전성 폴을 정렬시킬 때 종래기술에서 도전성 폴들 간의 척력 및 하판 자석의 자기력에 의해 도전성 폴의 상부가 휘는 현상을 방지할 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method of aligning conductive pores in a conductive pawl of a rubber test socket for semiconductor testing, in which the ratio of the volume of the conductive powder to the liquid insulator is different for each region of the conductive pole, To a rubber socket for semiconductor testing which can prevent the upper portion of the conductive pole from bending due to the repulsive force of the interlayer and the magnetic force of the lower plate magnet.
보통 가공이 완료된 반도체 패키지는 판매 전에 반도체 검사장비를 통해 전기적 특성을 테스트하게 된다. 이를 위해, 반도체 패키지의 전기적인 핀 배열에 대응하는 테스트 소켓을 제작하고 이렇게 제작된 테스트 소켓이 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 인터페이스한다.Semiconductor packages that have been processed normally will be tested for electrical characteristics through semiconductor inspection equipment before sale. To this end, a test socket corresponding to the electrical pin arrangement of the semiconductor package is fabricated, and the test socket thus fabricated interfaces the semiconductor package and semiconductor inspection equipment.
구체적으로는 반도체 테스트용 러버 소켓을 매개로 하여 반도체 검사장비와 반도체 패키지를 연결한 후에 반도체 검사장비로부터 반도체 패키지에 미리 설정된 패턴의 전기적인 신호를 보내어 반도체 패키지로부터 신호 응답이 양호한지 여부를 확인한다.Specifically, after connecting the semiconductor testing equipment and the semiconductor package through the rubber test socket for semiconductor testing, an electrical signal of a preset pattern is sent from the semiconductor testing equipment to the semiconductor package to check whether the signal response from the semiconductor package is good .
그리고, 반도체 테스트용 러버 소켓은 반도체 패키지의 통전 여부 검사 외에도 반도체 패키지의 제조 과정 중 고온의 가혹한 환경에서 반도체 패키지의 내구성을 테스트하는 번인(burn in) 소켓으로도 활용된다.The rubber socket for semiconductor testing is also used as a burn-in socket for testing the durability of a semiconductor package in a harsh environment at a high temperature during the manufacturing process of the semiconductor package, in addition to checking whether the semiconductor package is turned on.
이때, 반도체 테스트용 러버 소켓은 반도체 검사장비에 전기적으로 연결된 상태에서 다수의 반도체 패키지와 일시적으로 무수한 접촉을 하면서 검사를 수행하기 때문에 반도체 테스트용 러버 소켓의 접촉단자인 도전성 폴은 반도체 패키지와의 무수한 접촉으로부터 양호한 접촉 환경을 가질 수 있도록 내구성을 유지해야 한다.At this time, since the rubber test socket for semiconductor test is electrically connected to the semiconductor test equipment and performs inspection while making a number of temporary contact with a plurality of semiconductor packages, the conductive pole, which is a contact terminal of the rubber test socket for semiconductor test, Durability must be maintained to ensure a good contact environment from contact.
또한, BGA(Ball Grid Array) 타입과 LGA(Land Grid Array) 타입으로 진화함에 따라 반도체 패키지의 핀 피치(pin-pitch)가 감소하게 되었고, 그에 따라 반도체 테스트용 러버 소켓에서도 도전성 폴들을 상호 근접시켜 고밀도로 배치해야만 하는 과제가 발생하였다.In addition, as the BGA (Ball Grid Array) type and the LGA (Land Grid Array) type have evolved, the pin pitch of the semiconductor package has been reduced, There arises a problem that they must be arranged at a high density.
이처럼, 반도체 테스트용 러버 소켓은 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사하는 프로세스에서 사용되는데 도전성 폴의 내구성과 근접 배치가 매우 중요한 과제이다.As such, the rubber test socket for semiconductor testing is used in a process for examining the electrical characteristics of a semiconductor package.
한편, 반도체 테스트용 러버 소켓의 제작 과정에서 도전성 폴을 정렬하기 위해서는 보통 상부와 하부에 각각 상판 자석과 하판 자석을 배치할 수 있는데, 하나의 자석(예: 하판 자석)에 도전성 폴을 정렬하였을 때의 문제점을 [도 12]와 [도 13]을 참조하여 기술한다.On the other hand, in order to align the conductive pawls in the process of manufacturing the rubber test socket for semiconductor testing, the upper plate magnet and the lower plate magnet can be disposed on the upper and lower sides, respectively. When the conductive poles are aligned on one magnet Will be described with reference to [Figure 12] and [Figure 13].
먼저 [도 12]를 참조하면, 도전성 폴(100')의 하부에 하판 자석(미도시)을 배치하여 도전성 폴(100')을 일시적으로 자화시킴에 따라 다수의 도전성 폴(100')을 상하방향으로 나란히 정렬시킨다. 이때, 도전성 폴의 밀도가 높아짐에 따라 도전성 폴(100') 간의 이격 거리가 매우 짧아졌고, 그에 따라 도전성 폴(100') 상호 간에도 서로 밀어내는 척력이 발생한다.12, a lower plate magnet (not shown) is disposed below the conductive pole 100 'to temporally magnetize the conductive pole 100', thereby vertically moving the plurality of conductive poles 100 ' Direction. At this time, as the density of the conductive pawls increases, the distance between the conductive pawls 100 'becomes very short, and repulsive force is generated between the conductive pawls 100'.
이때 도전성 폴(100')의 상단부와 하단부에서 발생하는 척력(F)이 비슷하다고 가정한다. 도전성 폴(100')의 하단부는 하판 자석과의 인력이 강하게 작용하므로 도전성 폴들 상호간의 척력을 극복할 수 있다. 하지만, 도전성 폴(100')의 상단부는 하판 자석과의 인력이 약하므로 도전성 폴들 상호간의 척력을 극복하지 못하고 상호 벌어지게 된다. 그에 따라, [도 12]에 도시된 것과 같이 상호 인접하는 도전성 폴들(100') 간의 거리는 하단부(d1)보다 상단부(d3)가 커지게 되고, 결국 도전성 폴의 정렬이 불량해진다.Here, it is assumed that the repulsive force F generated at the upper end portion and the lower end portion of the conductive pole 100 'is similar. The lower end of the conductive pole 100 'can overcome the repulsive force between the conductive poles because the attractive force with the lower plate magnet is strong. However, since the upper end of the conductive pole 100 'is weak in attraction with the lower plate magnet, the repulsive force between the conductive poles can not be overcome, and they are spread apart. Accordingly, as shown in FIG. 12, the distance between the adjacent conductive pods 100 'becomes larger than the lower end d1, and consequently, the alignment of the conductive pores becomes poor.
다음으로 [도 13]을 참조하면, 다수의 도전성 폴이 상호 근접하여 일렬로 배치된 상태로 하판 자석 위에 세워졌을 때 자석의 자기력선에 의해 도전성 폴이 기울어지는 현상이 발생한다.Next, referring to FIG. 13, when the plurality of conductive pawls are arranged on a lower plate magnet in a state in which they are arranged close to each other, a phenomenon occurs in which the conductive pole tilts by the magnetic force lines of the magnets.
하판 자석은 [도 13]에서의 점선과 같이 자기력선을 형성한다. 하판 자석의 중앙 부분에서는 수직 방향으로 자기력선이 형성되겠지만 하판 자석의 가장자리에서는 사선 방향으로 자기력선이 왜곡된다. 그에 따라, 반도체 테스트용 러버 소켓에서 가장자리에 배치된 도전성 폴(100')은 자기력선의 왜곡 형태에 따라 영향을 받게 된다.The lower plate magnet forms a line of magnetic force as indicated by a dotted line in [Fig. 13]. The magnetic force lines will be formed in the vertical direction at the center portion of the lower plate magnet, but the magnetic force lines are distorted in the oblique direction at the edge of the lower plate magnet. Accordingly, the conductive pole 100 'disposed at the edge of the rubber test socket for semiconductor testing is affected by the distortion of the magnetic line of force.
도전성 폴(100')의 하단부는 하판 자석과의 인력이 강하게 작용하므로 자기력선의 왜곡을 극복할 수 있지만, 도전성 폴(100')의 상단부는 하판 자석과의 인력이 약하므로 자기력선의 왜곡을 극복하지 못하고 [도 13]에 도시된 바와 같이 사선 방향으로 틀어지게 된다.The lower end of the conductive pole 100 'can strongly overcome the distortion of the magnetic force lines due to strong attraction with the lower plate magnet. However, since the upper end of the conductive pole 100' has weak attraction with the lower plate magnet, And is turned in the oblique direction as shown in Fig. 13.
또한, 도전성 폴(100')의 위 아래에 2개의 자석이 위치함에 따라 도전성 폴들에 대한 자기력선이 복잡하게 형성되어 기술적 분석이 곤란해졌으며, 그에 따라 제품제조 과정에서 고밀도로 배치되어 있는 다수의 도전성 폴(100')을 정확하게 정렬하는 것이 매우 어렵게 되었다.Further, since two magnets are positioned above and below the conductive pole 100 ', the magnetic force lines for the conductive poles are complicatedly formed, making it difficult to perform technical analysis. Accordingly, a large number of conductive It has become very difficult to accurately align the pawls 100 '.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결할 수 있는 기술이 요망되어 왔다.Therefore, a technique capable of solving such a problem has been desired.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 도전성 폴의 테스트 신뢰성을 높일 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a rubber socket for semiconductor testing which can increase the test reliability of a conductive pole.
본 발명의 다른 목적은 러버 소켓의 제조시 도전성 폴 간의 척력이나 자석에 의한 자기력의 영향으로 도전성 폴의 상부가 기울어지는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a rubber socket for semiconductor testing which can prevent the upper portion of the conductive pole from being tilted by the influence of the repulsive force between the conductive poles or the magnetic force by the magnet when manufacturing the rubber socket.
본 발명의 다른 목적은 반도체 테스트용 러버 소켓을 낮은 비용으로 제작할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a technique for manufacturing a rubber socket for semiconductor testing at low cost.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓은 피검사 디바이스인 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, 바 형태의 약자성형 도전기둥부(110)와, 약자성형 도전기둥부의 상단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 상부 도전박막부(120)와, 강자성형 상부 도전박막부와 상호 대칭되도록 약자성형 도전기둥부의 하단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 하부 도전박막부(130)를 구비하는 다수의 도전성 폴(100); 외력에 소정 탄성을 갖는 전기적인 절연체로서 다수의 도전성 폴이 끼워질 수 있도록 상하방향으로 관통하는 다수의 관통공이 형성되며, 관통공의 내벽이 도전성 폴의 외벽을 감싸는 형태로 도전성 폴을 그립하도록 하는 절연 블록(300); 절연 블록의 하면에 부착되고 관통공과 연통하는 개구공이 형성되어 도전성 폴의 하면이 하방향으로 노출되게 도전성 폴의 하부가 개구공에 끼워지도록 하는 절연 시트(400); 절연 블록의 테두리 영역과 절연 시트 사이에 끼워지고 절연 블록의 외측벽으로 돌출되어 반도체 검사장비와의 연결을 인터페이스하는 조인트 프레임(500);을 포함하여 구성된다.In order to accomplish the above object, a rubber socket for semiconductor testing according to the present invention is for electrically connecting a semiconductor package to be inspected device to a semiconductor inspection equipment, and includes a bar-shaped
이때, 약자성형 도전기둥부(110)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111); 제 1 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 1 탄성절연체의 부피 5 이상 15 이하에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 1 도전성 파우더(112);를 포함하여 구성되고,At this time, the abbreviation-shaped
강자성형 상부 도전박막부(120)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121); 제 2 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 2 탄성절연체의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 2 도전성 파우더(122);를 포함하여 구성되고,The ferrule-shaped upper conductive
강자성형 하부 도전박막부(130)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131); 제 3 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 3 탄성절연체의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 3 도전성 파우더(132);를 포함하여 구성된다.The ferrule-shaped lower conductive
또한, 약자성형 도전기둥부(110)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111); 제 1 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni) 이하를 나타내는 제 1 도전성 파우더(112);를 포함하여 구성되고,In addition, the abbreviation-shaped
강자성형 상부 도전박막부(120)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121); 제 2 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 2 도전성 파우더(122);를 포함하여 구성되고,The ferrule-shaped upper conductive
강자성형 하부 도전박막부(130)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131); 제 3 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 3 도전성 파우더(132);를 포함하여 구성된다.The ferrule-shaped lower conductive
본 발명의 제 1 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법은 피검사 디바이스인 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, (a) 도전성 파우더의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 미리 설정된 제 1 부피비로 섞어 그 제 1 부피비에 대응하는 혼합물을 홀 블록의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀에 채우는 기둥 채움 단계: (b) 도전성 파우더의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 제 1 부피비보다 작은 값으로 미리 설정된 제 2 부피비로 섞어 그 제 2 부피비에 대응하는 혼합물을 관통홀의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계; (c) 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계; (d) 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 홀 블록으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 구성된다.A method of manufacturing a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor testing according to a first embodiment of the present invention is a method for electrically connecting a semiconductor package to be inspected device to a semiconductor inspection equipment, the method comprising the steps of: (a) A step of filling the mixture corresponding to the first volume ratio into a plurality of through holes formed in the upper and lower direction of the hole block by mixing the volume ratio of the liquid insulator at a predetermined first volume ratio and the volume ratio of the liquid insulator to the liquid insulator to the volume of the conductive powder A thin film layering step of mixing the mixture of the first volume ratio and the second volume ratio at a second volume ratio smaller than the first volume ratio and adding the mixture corresponding to the second volume ratio to the upper and lower portions of the through hole, (c) a final curing step of curing the liquid-phase insulator filled in the through-hole so as to be an elastic insulator; (d) separating the elastic insulator through the final curing step from the hole block.
이때, 단계 (a)와 단계 (b) 사이에, 기둥 채움 단계를 통해 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 예비 경화 단계;를 더 포함하여 구성될 수 있다.In this case, a preliminary curing step may be further included between step (a) and step (b), in which the liquid insulator filled in the through hole through the pillar filling step is cured to be an elastic insulator.
본 발명의 제 2 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법은 피검사 디바이스인 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, (a) 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈 이하인 제 1 도전성 파우더를 섞은 액상 절연체를 홀 블록의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀에 채우는 기둥 채움 단계; (b) 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈을 초과하는 제 2 도전성 파우더를 섞은 액상 절연체를 관통홀의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계; (c) 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계; (d) 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 홀 블록으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 구성된다.A method of manufacturing a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor testing according to a second embodiment of the present invention is a method for electrically connecting a semiconductor package to be inspected device to a semiconductor inspection equipment, comprising the steps of: (a) A pillar filling step of filling a liquid insulator mixed with a first conductive powder having a permeability of less than or equal to nickel into a plurality of through holes opened in a vertical direction of the hole block; (b) a thin film deposition step of adding a liquid insulator mixed with a second conductive powder having a relative permeability exceeding nickel at a Kelvin temperature of 300K to the upper and lower portions of the through holes, respectively; (c) a final curing step of curing the liquid-phase insulator filled in the through-hole so as to be an elastic insulator; (d) separating the elastic insulator through the final curing step from the hole block.
이때, 단계 (a)와 단계 (b) 사이에, 기둥 채움 단계를 통해 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 예비 경화 단계;를 더 포함하여 구성될 수 있다.In this case, a preliminary curing step may be further included between step (a) and step (b), in which the liquid insulator filled in the through hole through the pillar filling step is cured to be an elastic insulator.
본 발명은 반도체 테스트용 러버 소켓의 제조 과정에서 도전성 폴을 정렬할 때 도전성 폴의 상부가 상호 척력이나 자기력의 영향에 의해 벌어지거나 기울어지는 현상이 발생하지 않으므로 반도체 테스트용 러버 소켓의 도전성 폴을 고밀도로 배치할 수 있는 장점을 나타낸다.When the conductive pawls are aligned in the manufacturing process of the rubber test socket for semiconductor testing, there is no phenomenon that the upper portions of the conductive pawls are tilted or tilted by the influence of the repulsive force or the magnetic force. Therefore, As shown in FIG.
또한, 본 발명은 도전성 폴의 양단부를 상호 대칭되게 형성함으로써 방향 구분 없이 도전성 폴을 세워 정렬할 수 있으므로 작업성이 향상되는 장점을 나타낸다.Further, since the conductive pawls of the present invention are symmetrically formed at both ends thereof, the conductive pawls can be aligned and aligned without any distinction, thereby improving the workability.
[도 1]은 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓의 단면도.
[도 2]는 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 구성하기 위한 도전성 폴을 나타내는 도면.
[도 3]은 본 발명에 따른 도전성 폴을 제작하기 위한 홀 블록의 예시도.
[도 4]는 본 발명에서 도전성 폴을 제조하는 제 1 프로세스 실시예에서 홀 블록의 단면을 단계적으로 도시한 예시도.
[도 5]는 본 발명에서 도전성 폴을 제조하는 제 2 프로세스 실시예에서 홀 블록의 단면을 단계적으로 도시한 예시도.
[도 6]은 본 발명에 따라 생성된 도전성 폴을 임시로 어레이하는 팰릿의 예시도.
[도 7]은 본 발명에 따른 상판 자석이 도전성 폴을 그립하여 하판 자석으로 이동시키는 과정의 예시도,
[도 8]은 본 발명에 따른 상판 자석이 도전성 폴을 하판 자석의 자기력을 기초로 절연 시트에 정렬시키는 순간을 도시한 예시도,
[도 9]은 본 발명에 따른 상판 자석이 하판 자석에 정렬된 도전성 폴로부터 이탈하는 과정의 예시도,
[도 10]은 [도 9]의 상태에서 도전성 폴 사이 공간에 액상 절연체가 채워진 상태를 도시한 예시도,
[도 11]은 본 발명에서 상호 인접하는 도전성 폴이 정확하게 정렬되어 있는 상태를 도시한 예시도.
[도 12]는 종래기술에서 상호 인접한 도전성 폴 간의 자력에 의해 척력이 발생한 상태를 도시한 예시도.
[도 13]은 종래기술에서 도전성 폴들이 자석의 자기력선에 의해 기울어진 상태를 도시한 예시도.
[도 14]는 본 발명의 제 3 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 과정을 나타낸 순서도.
[도 15]는 본 발명의 제 4 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 과정을 나타낸 순서도.1 is a sectional view of a rubber socket for semiconductor testing according to the present invention;
2 is a view showing a conductive pole for constituting a rubber socket for semiconductor testing according to the present invention.
3 is an exemplary view of a hole block for manufacturing the conductive pole according to the present invention;
4 is an exemplary view showing a step of a cross section of a hole block in a first process example of manufacturing a conductive pole in the present invention.
5 is an exemplary view showing a step of a cross section of a hole block in a second process embodiment of manufacturing a conductive pole in the present invention.
Fig. 6 is an illustration of a pallet temporarily arraying conductive pores produced according to the present invention. Fig.
7 is a view illustrating an example of a process in which the top plate magnet according to the present invention grips the conductive pole and moves to the bottom plate magnet,
8 is an illustration showing a moment when the top plate magnet according to the present invention aligns the conductive pole with the insulating sheet based on the magnetic force of the bottom plate magnet,
9 is a view showing an example of a process in which a top plate magnet according to the present invention is detached from a conductive pole aligned with a bottom plate magnet,
10 is an illustration showing a state in which the space between the conductive pawls is filled with the liquid insulator in the state of Fig. 9, Fig.
11 is an illustration showing a state in which adjacent conductive pores are accurately aligned in the present invention.
12 is an exemplary view showing a state in which a repulsive force is generated by a magnetic force between adjacent conductive poles in the prior art.
13 is an exemplary view showing a state in which conductive pawls are inclined by a magnetic force line of a magnet in the prior art.
14 is a flowchart showing a manufacturing process of a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor testing according to a third process embodiment of the present invention.
15 is a flowchart showing a manufacturing process of a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor testing according to a fourth process embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[도 1]은 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓의 단면도이다. [도 1]을 참조하면, 본 발명의 반도체 테스트용 러버 소켓은 피검사 디바이스인 반도체 패키지(미도시)와 반도체 검사장비(미도시)를 전기적으로 연결하기 위한 장치로서 도전성 폴(100), 절연 블록(300), 절연 시트(400), 조인트 프레임(500)을 포함하여 구성된다. 본 발명에서는 도전성 폴(100)이 약자성형 도전기둥부(110), 강자성형 상부 도전박막부(120), 강자성형 하부 도전박막부(130)로 구성되는데, 이에 대해서는 [도 2]를 참조하여 후술한다.1 is a sectional view of a rubber socket for semiconductor testing according to the present invention. 1, the rubber socket for semiconductor testing according to the present invention is an apparatus for electrically connecting a semiconductor package (not shown) as a device to be inspected to semiconductor inspection equipment (not shown), and includes a
절연 블록(300)은 외력에 소정 탄성을 갖는 전기적인 절연체로서 다수의 도전성 폴(100)이 끼워질 수 있도록 상하방향으로 관통하는 다수의 관통공이 형성되며, 관통공의 내벽이 도전성 폴의 외벽을 감싸는 형태로 도전성 폴(100)을 그립하도록 구성된다.The insulating
절연 블록(300)은 바람직하게는 절연체인 액상 실리콘으로부터 경화되어 이루어진다. 다수의 도전성 폴(100)이 세워진 상태에서 도전성 폴(100) 사이의 공간을 채우도록 액상 실리콘을 주입한 후 이를 경화시키면 [도 1]에서와 같이 도전성 폴(100)을 그립한 상태로 도전성 폴(100)과 일체로 연결되는 절연 블록(300)이 형성된다.
절연 시트(400)는 절연 블록(300)의 하면에 부착되고 절연 블록(300)의 관통공과 연통하는 개구공이 형성되며, 이 개구공에 도전성 폴(100)의 하부가 끼워져 도전성 폴(100)의 하면이 하방향으로 노출되도록 구성된다.The insulating
조인트 프레임(500)은 절연 블록(300)의 테두리 영역과 절연 시트(400) 사이에 끼워지고 절연 블록(300)의 외측벽으로 돌출되어 반도체 검사장비(미도시)와의 연결을 인터페이스하도록 구성된다.The
조인트 프레임(500)은 반도체 테스트용 러버 소켓과 별도의 연결수단 없이 절연 블록(300)과 일체로 연결된다. 절연 블록(300)이 경화되기 전의 액상 실리콘 상태에서 조인트 프레임(500)을 [도 1]과 같이 액상 실리콘에 맞닿도록 배치하면 액상 실리콘이 절연 블록(300)으로 경화되면서 조인트 프레임(500)도 절연 블록(300)에 일체로 연결되는 것이다.The
[도 2]는 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 구성하기 위한 도전성 폴을 나타내는 도면이다. [도 2]의 도전성 폴(100) 일단부 방향으로는 반도체 검사장비가 장착되고 타단부 방향으로는 반도체 패키지가 접촉하게 된다.2 is a view showing a conductive pole for constituting a rubber socket for semiconductor testing according to the present invention. The semiconductor testing equipment is mounted in one end of the
[도 2]를 참조하면, 분말입자의 상태인 도전성 파우더와 액상 절연체(예: 실리콘)를 혼합하여 액상(liquid)의 절연체가 도전성 파우더(112,122,132)의 알갱이 표면에 코팅되도록 한다. 그런 후에 액상 절연체를 탄성절연체(111,121,131)로 경화시키면 액상 절연체 사이사이에 위치한 도전성 파우더(112,122,132)인 알갱이들이 상호 전기가 통하는 전기적 특성을 갖게 되어 전체적으로 하나의 도전성 탄성체 역할을 하는 도전성 폴(100)이 형성된다.2, conductive powder in the form of powder particles and a liquid insulator (for example, silicon) are mixed so that a liquid insulator is coated on the surfaces of the
여기서, 도전성 폴(100)은 액체 상태의 탄성 절연체에 대한 도전성 파우더의 '부피비' 내지 '비투자율'을 영역별로 상이하게 적용함에 따라 도전성 폴(100)을 정렬시킬 때, 도전성 폴(100)들 간의 척력 및 하판 자석(220)의 자기력으로부터 도전성 폴(100)의 상부가 휘지 않도록 하였다.Here, when the
이를 위해, 도전성 폴(100)은 바 형태의 약자성형 도전기둥부(110)와, 약자성형 도전기둥부의 상단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 상부 도전박막부(120)와, 강자성형 상부 도전박막부와 상호 대칭되도록 약자성형 도전기둥부의 하단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 하부 도전박막부(130)를 구비한다.For this purpose, the
이때, 강자성형 상,하부 도전박막부(120,130)는 박막 형태로 이루어지는데, 바람직하게는 50~150um 정도의 두께로 이루어진다.At this time, the ferromagnetic layered and lower conductive
한편, 액체 상태의 탄성 절연체(액상 절연체)에 대한 도전성 파우더의 '부피비'를 영역별로 상이하게 설정하는 제 1 구성 실시예에 따른 도전성 폴(100)을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Meanwhile, the
먼저, 약자성형 도전기둥부(110)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111)와, 이 제 1 탄성절연체(111)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 1 탄성절연체(111)의 부피 5 이상 15 이하에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 1 도전성 파우더(112)를 포함하여 구성된다.First, the abbreviation-forming
즉, 제 1 탄성절연체(111)의 부피를 5 이상 15 이하의 범위로 설정하였을 때, 제 1 도전성 파우더(112)의 부피를 10으로 설정한다.That is, when the volume of the first
그리고, 강자성형 상부 도전박막부(120)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121)와, 이 제 2 탄성절연체(121)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 2 탄성절연체(121)의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 2 도전성 파우더(122)를 포함하여 구성된다.In addition, the ferromagnetic-formed upper conductive
즉, 제 2 탄성절연체(121)의 부피를 1 이상 5 미만의 범위로 설정하였을 때, 제 2 도전성 파우더(122)의 부피를 10으로 설정한다.That is, when the volume of the second
또한, 강자성형 하부 도전박막부(130)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131)와, 이 제 3 탄성절연체(131)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 제 3 탄성절연체(131)의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 3 도전성 파우더(132)를 포함하여 구성된다.In addition, the ferromagnetic-formed lower conductive
즉, 제 3 탄성절연체(131)의 부피를 1 이상 5 미만의 범위로 설정하였을 때, 제 3 도전성 파우더(132)의 부피를 10으로 설정한다.That is, when the volume of the third
다른 한편, 액체 상태의 탄성 절연체(액상 절연체)에 대한 도전성 파우더의 '비투자율'을 영역별로 상이하게 설정하는 제 2 구성 실시예에 따른 도전성 폴(100)을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.On the other hand, the
먼저, 약자성형 도전기둥부(110)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111)와 이 제 1 탄성절연체(111)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni) 이하를 나타내는 제 1 도전성 파우더(112)를 포함하여 구성된다.First, the abbreviation-forming
그리고, 강자성형 상부 도전박막부(120)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121)와, 이 제 2 탄성절연체(121)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 2 도전성 파우더(122)를 포함하여 구성된다.In addition, the ferromagnetic-formed upper conductive
또한, 강자성형 하부 도전박막부(130)는 외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131)와, 이 제 3 탄성절연체(131)의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 3 도전성 파우더(132)를 포함하여 구성된다.In addition, the ferromagnetic-formed lower conductive
이때, 비투자율(Relative permeability)은 진공에서 자속이 투과하는 정도를 기준으로 특정 물체에 자속이 투과하는 정도를 나타내는 비율로서, 비투자율 값의 크기에 따라 자성체를 일반적으로 반자성체, 상자성체, 강자성체로 구분할 수 있다. 즉, 반자성체(예: Au, Ag, Cu, Zn, ...)는 비투자율이 1보다 작은 값을 나타내고, 상자성체(예: Al, Pt, ...)는 비투자율이 1보다 큰 값을 나타내며, 강자성체(예: Ni, Co, Fe, ...)는 비투자율이 1보다 충분히 큰 값을 나타낸다. 비투자율이 큰 금속은 자기장 내에서 자속이 통과하는 밀도가 비투자율이 작은 금속보다 상대적으로 높아지기 때문에 비투자율이 높은 금속일수록 자기력의 영향을 많이 받게 된다.At this time, the relative permeability is a ratio indicating the degree of magnetic flux passing through a specific object based on the degree of permeation of the magnetic flux in a vacuum, and the magnetic body is generally classified into a semi-magnetic body, a paramagnetic body, and a ferromagnetic body according to the magnitude of the non- . That is, the nonmagnetic permeability is a value smaller than 1, and the paramagnetic material (e.g., Al, Pt, ...) has a nonmagnetic permeability higher than 1 in the case of a diamagnetic material (e.g., Au, Ag, Cu, Zn, And the ferromagnetic material (e.g., Ni, Co, Fe, ...) shows a value whose relative magnetic permeability is sufficiently larger than 1. [ Since a metal having a high specific magnetic permeability has a relatively higher density of magnetic flux passing through the magnetic field than a metal having a relatively low specific magnetic permeability, a metal having a high specific magnetic permeability is more affected by the magnetic force.
여기서, 강자성체는 캘빈온도 300K에서 비투자율의 수치가 수천까지 큰 값을 나타내기도 하는데, 니켈(Ni)은 강자성체 중에서는 상대적으로 낮은 자성을 나타내는 금속이다.Here, the value of the specific magnetic permeability may be as large as several thousands at a Kelvin temperature of 300 K, and the nickel (Ni) is a metal exhibiting a relatively low magnetic property in the ferromagnetic substance.
본 발명에서 강자성형 상부 도전박막부(120)와 강자성형 하부 도전박막부(130)를 형성하는 제 2,3 도전성 파우더(122,132)는 강자성체 중에서 채택됨이 바람직하다.In the present invention, the second and third
[도 2]에서와 같이, 도전성 폴(100)의 양단부에 각각 박막 형태로 적층되는 강자성형 상부 도전박막부(120)와 강자성형 하부 도전박막부(130)는 자성이 높기 때문에 자기장에 의해 자화되는 성향이 강해서 자석(예: 상판 자석, 하판 자석)에 인접해 있는 경우 그 자석에 강한 인력으로 붙잡히게 된다.As shown in FIG. 2, the ferromagnetic-shaped upper conductive
그런데, 강자성형 상부 도전박막부(120)와, 강자성형 하부 도전박막부(130)는 50~150um 정도의 박막 형태로 구성되어 약자성형 도전기둥부(110)의 양단부에 연결되기 때문에 인접하는 도전성 폴(100) 간의 강자성형 상부 도전박막부(120)들 또는 인접하는 도전성 폴(100) 간의 강자성형 하부 도전박막부(130)들이 상호간의 척력이나 자기력선의 왜곡에 의해 [도 12]와 [도 13]에서 처럼 서로 벌어지거나 기울어지는 현상은 나타나지 않게 되고, 도전성 폴(100)은 의도한 대로 똑바로 정렬하게 된다.Since the ferromagnetically-formed upper conductive
예컨대, 복수 개의 도전성 폴(100)이 상호 인접하여 각각의 강자성형 하부 도전박막부(130)들이 하판 자석(220)에 강한 인력으로 붙잡히게 된 경우를 가정하면, 각각이 강자성형 하부 도전박막부(130)들이 강하게 자화된다.For example, assuming that a plurality of
이때, 강자성형 상부 도전박막부(120)는 강자성형 하부 도전박막부(130)와의 사이에 약자성형 도전기둥부(110)를 두고 있기 때문에 이미 강하게 자화된 강자성형 하부 도전박막부(130)의 인력이 강자성형 상부 도전박막부(120)에 그대로 미치지 않게 된다.At this time, since the ferromagnetically-formed upper conductive
이러한 현상은 하판 자석(220)에 의해 발생하는 자기력선의 왜곡도 강자성형 하부 도전박막부(130)에서 강하게 발생할 뿐, 약자성형 도전기둥부(110)를 거치는 과정에서 미약하게 되어 그 왜곡이 강자성형 상부 도전박막부(120)에는 거의 미치지 않게 된다.This phenomenon occurs when the distortion of the magnetic force lines generated by the
이때, 강자성형 상부 도전박막부(120)는 강자성형 하부 도전박막부(130)에 물리적으로 연결되어 있는 구성요소이므로 강자성형 하부 도전박막부(130)가 하판 자석(220)에 의해 강하게 자화가 되어도 강자성형 상부 도전박막부(120)는 벌어짐이나 기울어짐 없이 똑바로 정렬하게 된다.Since the ferromagnetic-formed upper conductive
[도 3]은 본 발명에 따른 도전성 폴을 제작하기 위한 홀 블록의 예시도이다. [도 3]을 참조하면, 본 발명에 따른 도전성 폴(100)을 만들기 위해 먼저 플레이트 형태의 홀 블록(10)을 구성한다.3 is an illustration of a hole block for manufacturing the conductive pole according to the present invention. Referring to FIG. 3, a plate-shaped
홀 블록(10)에는 다수의 관통홀(11)이 형성되는데, 이 관통홀(11)은 홀 블록(10)의 상하방향으로 관통 형성된다.A plurality of through
이 관통홀(11)에 제 1,2,3 도전성 파우더(112,122,132)가 섞인 액상 절연체를 주입한 후 경화시키면 탄성절연체(111,121,131)가 생성되고, 관통홀(11)로부터 그 경화된 탄성 절연체(111,121,131)를 분리하면 소정의 탄성력을 갖는 도전성 폴(100)을 얻을 수 있다. 그에 따라 도전성 폴(100)의 직경은 홀 블록(10)에 형성된 관통홀(11)의 내경에 대응된다.When a liquid insulator mixed with the first, second and third
[도 4]는 본 발명에서 도전성 폴을 제조하는 제 1 프로세스 실시예에서 홀 블록의 단면을 단계적으로 도시한 예시도이다. 이때, 제 1,2,3 도전성 파우더(112,122,132)의 소재 선택 및 액상 절연체와의 부피 비율은 전술하였던 제 1 및 제 2 구성 실시예에 따라 이루어진다.4 is an exemplary view showing a step of a cross-section of a hole block in a first process embodiment of manufacturing a conductive pole in the present invention. At this time, the material selection of the first, second, and third
먼저, [도 4]의 (a)에서와 같이 홀 블록(10)의 빈 공간인 관통홀(11)에 대해, 약자성형 도전기둥부(110)에 대응하여 제 1 도전성 파우더(112)와 액상 절연체를 섞어서 홀 블록(10)의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀(11)에 채우는 [도 4]의 (b)의 기둥 채움 단계를 거친다.First, as shown in FIG. 4 (a), the first
이어서, [도 4]의 (c)에서와 같이 제 2,3 도전성 파우더(122,132)와 액상 절연체 섞어서 관통홀(11)의 상부와 하부에 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계를 거친다.Next, as shown in FIG. 4 (c), the second and third
예컨대, 박막 적층은 [도 4]의 (b)의 기둥 채움 단계를 거친 상태에서 관통홀(11)의 상부에 제 2 도전성 파우더(122)가 섞인 액상 절연체를 10초 주입한 후 제 3 도전성 파우더(132)가 섞인 액상 절연체를 관통홀(11)의 하부에 5초 주입하여 형성할 수 있다.For example, in the thin film lamination, a liquid insulator in which the second
즉, 제 3 도전성 파우더(132)가 섞인 액상 절연체를 관통홀(11)의 하부에 5초 주입하는 과정에서 직전에 관통홀(11)의 상부에 제 2 도전성 파우더(122)가 섞인 액상 절연체를 10초 주입한 양에서 절반의 양이 상방향으로 밀려 나가기 때문에 그 밀려 나간 부분을 제거하면 결국, 강자성형 상부 도전박막부(120)와 강자성형 하부 도전박막부(130)는 상호 대칭되는 두께로 형성될 수 있다.That is, in the process of injecting the liquid insulator mixed with the third
그리고, 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계를 거친 후, [도 4]의 (d)에서와 같이 경화된 탄성 절연체를 홀 블록(10)으로부터 분리하면 도전성 폴(100)이 얻어진다.After the final curing step in which the liquid insulator filled in the through hole is cured so as to become the elastic insulator, the cured elastic insulator is separated from the
한편, [도 4]의 (b)의 기둥 채움 단계를 마친 후, 박막 적층 단계를 거치기 직전에 현재 관통홀(11)에 채워진 액상 절연체에 대해 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 예비 경화 단계를 거칠 수도 있다.On the other hand, a preliminary curing step may be carried out after completion of the pillar filling step of FIG. 4 (b), before the thin film laminating step is performed, a preliminary curing step of curing the liquid insulator filled in the through
[도 5]는 본 발명에서 도전성 폴을 제조하는 제 2 프로세스 실시예에서 홀 블록의 단면을 단계적으로 도시한 예시도이다. 여기서도, 제 1,2,3 도전성 파우더(112,122,132)의 소재 선택 및 액상 절연체와의 부피 비율은 전술하였던 제 1 및 제 2 구성 실시예에 따라 이루어진다.5 is an exemplary view showing a step of a cross-section of a hole block in a second process embodiment of manufacturing a conductive pole in the present invention. Here, the material selection of the first, second and third
먼저, [도 5]의 (a)에서와 같이 홀 블록(10)의 빈 공간인 관통홀(11)에 대해, 약자성형 도전기둥부(110)에 대응하여 제 1 도전성 파우더(112)와 액상 절연체를 섞어서 홀 블록(10)의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀(11)에 채우는 [도 5]의 (b)의 기둥 채움 단계를 거친다.First, as shown in FIG. 5 (a), the first
이어서, [도 5]의 (b)의 상태에서 액상 절연체가 탄성 절연체를 형성하도록 굳히는 경화 단계를 거친다.Next, in the state of FIG. 5 (b), a curing step is performed in which the liquid insulator is hardened so as to form an elastic insulator.
그리고, [도 5]의 (c)에서와 같이 경화된 탄성 절연체를 홀 블록(10)으로부터 분리한 후, [도 5]의 (d)에서와 같이 강자성형 상부 도전박막부(120) 및 강자성형 하부 도전박막부(130)에 대응하여 제 2,3 도전성 파우더(122,132)와 액상 절연체를 각각 섞어서 경화된 약자성형 도전기둥부(110)의 상하단부에 각각 코팅하는 단계를 거친다.5 (c), after the cured elastic insulator is separated from the
마지막으로 코팅 단계를 거친 액상 절연체를 경화시키면 도전성 폴(100)이 얻어진다.Finally, the
[도 6]은 본 발명에 따라 생성된 도전성 폴을 임시로 어레이하는 팰릿의 예시도이다. [도 6]을 참조하면, 앞서 얻은 도전성 폴(100)로 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 제조하기 위해 다수의 홀이 마련된 팰릿(20)에 도전성 폴(100)을 끼워 세운다.[Fig. 6] is an illustration of a pallet for provisionally arraying conductive pores produced according to the present invention. [Fig. 6, a
여기서, 반도체 테스트용 러버 소켓에 목적하는 패턴으로 도전성 폴(100)을 정렬할 수 있도록 팰릿(20)에 미리 정렬함으로써, 팰릿(20)에 정렬된 그 위치 그대로 상판 자석(210)이 도전성 폴(100)의 상단부를 자력으로 그립하여 목적하는 위치에 옮길 수 있도록 한다.By arranging the
[도 7]은 본 발명에 따른 상판 자석이 도전성 폴을 그립하여 하판 자석으로 이동시키는 과정의 예시도이고, [도 8]은 본 발명에 따른 상판 자석이 도전성 폴을 하판 자석의 자기력을 기초로 절연 시트에 정렬시키는 순간을 도시한 예시도이고, [도 9]은 본 발명에 따른 상판 자석이 하판 자석에 정렬된 도전성 폴로부터 이탈하는 과정의 예시도이다.7 is a view illustrating an example of a process in which a top plate magnet according to the present invention grips a conductive pole and moves the bottom plate magnet to the bottom plate magnet according to the present invention. FIG. 9 is an exemplary view showing a process in which the top plate magnet according to the present invention is separated from the conductive poles aligned with the bottom plate magnet. FIG.
먼저, [도 7]에서와 같이, 상판 자석(210)이 [도 6]의 팰릿(20)에 세워져 정렬된 도전성 폴(100)을 자력으로 그립하여 하판 자석(220)이 위치한 곳으로 이동시키는데 이를 위해, 상판 자석(210)의 자력을 온오프 동작시킬 수 있는 전자석으로 구성될 수 있다.7, the
즉, 상판 자석(210)이 도전성 폴(100)을 그립하는 시점에서는 턴온되며, 상판 자석(210)이 그립한 도전성 폴(100)을 목적하는 위치에 안착시킬 때는 턴오프되어 도전성 폴(100)의 상단부로부터 자연 이탈되도록 한다.That is, when the
그리고, 상판 자석(210)은 팰릿(20)에 정렬된 도전성 폴(100)의 상단부를 원활하게 그립할 수 있도록 자석 팔(211), 격리 블록(212), 절연 시트(213)를 구비할 수 있다.The
자석 팔(211)은 상판 자석(210)의 하면에 하방으로 복수 개 돌출 형성되고, 격리 블록(212)는 자석 팔(211) 간에 자기장의 간섭을 차단할 수 있도록 자석 팔(211) 사이에 채워진다.A plurality of
또한, 절연 시트(213)는 격리 블록(212)의 하면에 덧대어져 격리 블록(212)과 함께 자석 팔(211) 간의 자기장 간섭을 차단함과 아울러 도전성 폴(100)의 상단부가 자석 팔(211)의 하단면에 정확히 그립되도록 도전성 폴(100)의 상단면을 가이드한다.The insulating
한편, [도 7]에서와 같이, 상판 자석(210)의 하면에 복수 개의 도전성 폴(100)이 매달려 있는 동안에 도전성 폴(100)의 상단부에 대응하는 강자성형 상부 도전박막부(120)는 상판 자석(210)에 강하게 자화가 이루어지지만, 그 강하게 자화된 자력은 약자성형 도전기둥부(110)에서 미약하게 되어 결국 약자성형 도전기둥부(110)의 하단면에 대응하는 강자성형 하부 도전박막부(130)는 상판 자석(210)에 의한 자화가 거의 발생하지 않게 된다.7, while the plurality of
그 결과, 도전성 폴(100)들이 상판 자석(210)에 매달려 있는 동안에도 [도 12]에서와 같이 자석으로부터 먼 끝단부들 간에 상호 척력을 발생시키지 않게 되고, [도 13]에서와 같이 자석의 자기력선에 의한 왜곡의 영향을 받지도 않다기 때문에 도전성 폴(100)은 상판 자석(210)에 매달린 상태에서 [도 7]에서와 같이 연직 상하방향으로 위치하게 된다.As a result, even when the
그리고, [도 8]에서와 같이 상판 자석(210)에 의해 이동된 도전성 폴(100)이 하판 자석(220)의 상면에 안착되면 상판 자석(210)을 턴오프하여 [도 9]에서와 같이 상판 자석(210)은 도전성 폴(100)의 상단면으로부터 이탈한다.When the
여기서도, 하판 자석(220)의 상면에 복수 개의 도전성 폴(100)이 안착되어 있는 동안에 도전성 폴(100)의 하단부에 대응하는 강자성형 하부 도전박막부(130)는 하판 자석(2210)에 강하게 자화가 이루어지지만, 그 강하게 자화된 자력은 약자성형 도전기둥부(110)에서 미약하게 되어 결국 약자성형 도전기둥부(110)의 상단면에 대응하는 강자성형 상부 도전박막부(120)는 하판 자석(210)에 의한 자화가 거의 발생하지 않게 된다.The lower conductive
그 결과, 도전성 폴(100)들이 하판 자석(210)에 [도 9]와 같이 안착되어 있는 동안에도 [도 12]에서와 같이 자석으로부터 먼 끝단부들 간에 상호 척력을 발생시키지 않게 되고, [도 13]에서와 같이 자석의 자기력선에 의한 왜곡의 영향을 받지도 않기 때문에 도전성 폴(100)은 하판 자석(220)에 세워진 상태에서 [도 9]에서와 같이 연직 상하방향으로 세워진 상태를 유지한다.As a result, even when the
[도 10]은 [도 9]의 상태에서 도전성 폴 사이 공간에 액상 절연체가 채워진 상태를 도시한 예시도이다.[Fig. 10] is an illustration showing an example in which a liquid insulator is filled in a space between conductive pores in the state of Fig. 9;
먼저, [도 7]에서와 같이 도전성 폴(100)의 하단부가 끼워지도록 다수의 개구공이 형성된 절연 시트(400)를 다수의 도전성 폴(100)이 놓여질 지점에 배치한다. 여기서, 절연 시트(400)의 하면에는 하판 자석(220)을 미리 배치해 두는 것이 바람직하다. 또한, 절연 시트(400)와 하판 자석(220) 사이에는 부착층(600)을 형성하여 절연 시트(400)와 하판 자석(220)을 일체로 고정하는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 7, an insulating
이어서, 절연 시트(400)의 테두리에 대응하는 절연 시트(400)의 상면에는 조인트 프레임(500)이 적층되고 이 조인트 프레임(500)의 상면을 따라 가이드 프레임(700)이 적층됨에 따라 가이드 프레임(700)을 경계로 도전성 폴(100)에 세워진 부분은 움푹 파인 함몰된 구조를 이루게 된다.The
이 상태에서, [도 10]에서와 같이 가이드 프레임(700)을 넘지 않을 만큼의 높이로 절연 시트(400)의 상면에 액상 절연체(예: 실리콘)를 주입한 후 경화시켜 액상 절연체로부터 절연 블록(300)이 생성된다.In this state, a liquid insulator (for example, silicon) is injected into the upper surface of the insulating
이어서, 하판 자석(220)과 가이드 프레임(700)으로부터 상호 일체로 연결된 도전성 폴(100), 절연 블록(300), 절연 시트(400), 조인트 프레임(500)을 하판 자석(220)과 가이드 프레임(700)으로부터 분리하면 본 발명에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓이 완성된다.The
이때, 절연 블록(300)이 하판 자석(220)으로부터 분리될 때 절연 블록(300)의 하면에 위치한 절연 시트(400)는 절연 블록(300)의 하면에 붙은 상태로 분리되도록 함이 바람직하다. 절연 시트(400)는 절연 블록(300)의 하면으로부터 별도로 떼어낼 수 있다.When the insulating
또한, 하판 자석(220)이 절연 시트(400)의 하면으로부터 분리될 때 부착층(600)도 하판 자석(220)과 함께 동시에 분리되도록 할 수도 있고 절연 시트(400)로부터 하판 자석(220)을 분리한 후에 순차적으로 부착층(600)을 분리할 수도 있다.When the
[도 11]은 본 발명에서 상호 인접하는 도전성 폴이 정확하게 정렬되어 있는 상태를 도시한 예시도이다. 본 발명은 [도 12] 및 [도 13]를 참조하여 기술하였던 종래기술의 문제점을 해소하였다.11 is an exemplary view showing a state in which adjacent conductive pores are accurately aligned in the present invention. The present invention overcomes the problems of the prior art described with reference to FIG. 12 and FIG.
[도 11]을 참조하면, 하판 자석(220)은 도전성 폴(100)의 하부에 인접 배치됨으로써 도전성 폴(100)을 자화시킨다. 이에 따라 상호 인접하는 도전성 폴(100)들은 동일한 극성으로 자화되었기에 물리적으로 상호 밀어내는 척력을 발생시키게 된다.Referring to FIG. 11, the
즉, 도전성 폴(100)의 상부는 상부끼리 척력이 발생하고 도전성 폴(100)의 하부는 하부끼리 척력이 발생한다.That is, the upper portions of the
그러나, 도전성 폴(100)의 하부는 강자성형 하부 도전박막부(130)에 대응하는 부분으로서, 서로 인접하는 강자성형 하부 도전박막부(130) 간에 상호 척력이 작용하여도 하판 자석(220)의 강한 인력에 의해 당초 의도하였던 이격 거리(d1)를 그대로 유지하게 된다.However, the lower part of the
또한, 도전성 폴(100)의 상부는 강자성형 상부 도전박막부(120)에 대응하는 부분으로서, 두께가 50~150um 정도의 박막 형태로 형성되기 때문에 강자성형 상부 도전박막부(120)들 상호 간의 척력이 미약하여 도전성 폴(100)의 상부 이격 거리(d2)는 하부 이격거리(d1)과 동일 수준의 값을 유지하게 된다.Since the upper part of the
한편, 하판 자석(220)에 의해 도전성 폴(100)의 하단부에 대응하는 강자성형 하부 도전박막부(130)는 하판 자석(2210)에 강하게 자화가 이루어지지만, 그 강하게 자화된 자력은 약자성형 도전기둥부(110)에서 약화되어 결국 강자성형 상부 도전박막부(120)는 하판 자석(210)에 의한 자화가 거의 발생하지 않게 된다.The lower
그 결과, 하판 자석(220)에 의한 강자성형 하부 도전박막부(130)의 자화에도 불구하고 도전성 폴(100)의 상부 이격 거리(d2)는 하부 이격거리(d1)과 동일 수준의 값을 유지하게 된다.As a result, in spite of the magnetization of the lower conductive
이처럼, 본 발명에서는 도전성 폴(100)이 바 형태의 약자성형 도전기둥부(110)를 기준으로 상하단면에 각각 박막 형태의 강자성형 상부 도전박막부(120)와 강자성형 하부 도전박막부(130)를 갖도록 구성함으로써 반도체 테스트용 러버 소켓(1000)을 제조할 때 도전성 폴(100)의 정렬을 정밀하고 간편하게 수행할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the
[도 14]는 본 발명의 제 3 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 과정을 나타낸 순서도이다.14 is a flowchart showing a process of manufacturing a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor test according to a third process embodiment of the present invention.
단계 (S110) : 피검사 디바이스인 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 전기적으로 연결하기 위한 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴(100)을 제조하기 위해서 먼저, 제 1 도전성 파우더(112)의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 미리 설정된 제 1 부피비로 섞어 그 제 1 부피비에 대응하는 혼합물을 홀 블록(10)의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀(11)에 채우는 기둥 채움 단계를 거친다.Step S110: In order to manufacture the
여기서, 박막 적층 단계를 거치기 전에 기둥 채움 단계를 통해 관통홀(11)에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 먼저 경화시키는 예비 경화 단계를 거칠 수도 있다.Here, a preliminary curing step may be performed in which the liquid insulator filled in the through
단계 (S120) : 그리고, 제 2,3 도전성 파우더(122,132)의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 제 1 부피비보다 작은 값으로 미리 설정된 제 2 부피비로 섞어 그 제 2 부피비에 대응하는 혼합물을 관통홀(11)의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계를 거친다.Step S120: Then, the volume ratio of the liquid insulator to the volume of the second and third
여기서, 기둥 채움 단계를 거친 후 예비 경화 단계를 거치지 않고 관통홀(11)의 상부와 하부에 제 2 부피비에 대응하는 혼합물을 추가하는 경우에는 제 1 부피비에 대응하는 혼합물과 접촉하는 부분에서 일부 섞이는 레이어가 발생할 수 있다.Here, when the mixture corresponding to the second volume ratio is added to the upper and lower portions of the through-
그러므로, 제 2 부피비에 대응하는 혼합물을 추가한 후 최종 경화 단계를 시작하는 시점이 짧을수록 제 1 부피비에 대응하는 혼합물과 제 2 부피비에 대응하는 혼합물이 접촉하는 부분의 레이어는 얇게 구성된다.Therefore, the shorter the time to start the final curing step after the addition of the mixture corresponding to the second volume ratio, the thinner the layer of the portion where the mixture corresponding to the first volume ratio and the mixture corresponding to the second volume ratio come into contact with each other.
단계 (S130) : 이어서, 관통홀(11)에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계를 거친다.Step S130: Subsequently, a final curing step of curing the liquid insulator filled in the through
단계 (S140) : 그리고, 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 홀 블록(10)으로부터 분리하여 도전성 폴(100)을 얻는다.Step S140: Then, the elastic insulation body having undergone the final curing step is separated from the
[도 15]는 본 발명의 제 4 프로세스 실시예에 따른 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 과정을 나타낸 순서도이다.15 is a flowchart showing a process of manufacturing a conductive pole for a rubber test socket for semiconductor testing according to a fourth process embodiment of the present invention.
단계 (S210) : 피검사 디바이스인 반도체 패키지와 반도체 검사장비를 전기적으로 연결하기 위한 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴(100)을 제조하기 위해서 먼저, 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈 이하인 제 1 도전성 파우더(112)를 섞은 액상 절연체를 홀 블록(10)의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀(11)에 채우는 기둥 채움 단계를 거친다.Step S210: In order to manufacture a
여기서, 박막 적층 단계를 거치기 전에 기둥 채움 단계를 통해 관통홀(11)에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 먼저 경화시키는 예비 경화 단계를 거칠 수도 있다.Here, a preliminary curing step may be performed in which the liquid insulator filled in the through
단계 (S220) : 그리고, 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈을 초과하는 제 2 도전성 파우더(122)를 섞은 액상 절연체를 관통홀(11)의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계를 거친다.Step S220: A thin film stacking step of adding, to the upper and lower portions of the through
여기서도, 기둥 채움 단계를 거친 후 예비 경화 단계를 거치지 않고 관통홀(11)의 상부와 하부에 제 2 도전성 파우더(122)를 섞은 액상 절연체를 추가하는 경우에는 제 1 도전성 파우더(112)를 섞은 액상 절연체와 접촉하는 부분에서 일부 섞이는 레이어가 발생할 수 있다.Also in this case, when a liquid insulator in which the second
그러므로, 제 2 도전성 파우더(122)를 섞은 액상 절연체를 추가한 후 최종 경화 단계를 시작하는 시점이 짧을수록 제 1 도전성 파우더(112)를 섞은 액상 절연체와 제 2 도전성 파우더(122)를 섞은 액상 절연체가 접촉하는 부분의 레이어는 얇게 구성된다.Therefore, as the time to start the final curing step after the addition of the liquid insulator mixed with the second
단계 (S230) : 이어서, 관통홀(11)에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계를 거친다.Step S230: Subsequently, a final curing step of curing the liquid insulator filled in the through
단계 (S240) : 그리고, 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 홀 블록(10)으로부터 분리하여 도전성 폴(100)을 얻는다.Step S240: Then, the elastic insulation body that has undergone the final curing step is separated from the
본 발명은 또한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드의 형태로 구현하는 것이 가능하다. 이때, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록 장치를 포함한다.The present invention can also be embodied in the form of computer readable code on a computer readable recording medium. At this time, the computer-readable recording medium includes all kinds of recording apparatuses in which data that can be read by a computer system is stored.
컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있으며, 캐리어웨이브(예: 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산된 방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 그리고 본 발명을 구현하기 위한 기능적인 프로그램, 코드, 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술 분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있다.Examples of the computer-readable recording medium include a ROM, a RAM, a CD-ROM, a magnetic tape, a floppy disk, an optical data storage, and the like, and may be implemented in the form of a carrier wave . The computer-readable recording medium can also be stored and executed by a computer-readable code in a distributed manner on a networked computer system. And functional programs, codes, and code segments for implementing the present invention can be easily deduced by programmers skilled in the art to which the present invention belongs.
10 : 홀 블록
11 : 관통홀
20 : 팰릿
100, 100' : 도전성 폴
110 : 약자성형 도전기둥부
111 : 제 1 탄성절연체
112 : 제 1 도전성 파우더
120 : 강자성형 상부 도전박막부
121 : 제 2 탄성절연체
122 : 제 2 도전성 파우더
130 : 강자성형 하부 도전박막부
131 : 제 3 탄성절연체
132 : 제 3 도전성 파우더
210 : 상판 자석
211 : 자석 팔
212 : 격리 블록
213 : 절연 시트
220 : 하판 자석
300 : 절연 블록
400 : 절연 시트
500 : 조인트 프레임
600 : 부착층
700 : 가이드 프레임10: Hall block
11: Through hole
20: Pallet
100, 100 ': Conductive pole
110: Abbreviation forming conductive column portion
111: first elastic insulator
112: first conductive powder
120: Strongly-shaped upper conductive thin film portion
121: second elastic insulator
122: second conductive powder
130: Strongly-shaped lower conductive thin film portion
131: third elastic insulator
132: third conductive powder
210: top plate magnet
211: Magnetic arm
212: isolation block
213: Insulation sheet
220: Lower magnet
300: insulation block
400: insulating sheet
500: Joint frame
600: adhesion layer
700: guide frame
Claims (8)
바 형태의 약자성형 도전기둥부(110)와, 상기 약자성형 도전기둥부의 상단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 상부 도전박막부(120)와, 상기 강자성형 상부 도전박막부와 상호 대칭되도록 상기 약자성형 도전기둥부의 하단부에 연결되는 박막 형태의 강자성형 하부 도전박막부(130)를 구비하는 다수의 도전성 폴(100);
외력에 소정 탄성을 갖는 전기적인 절연체로서 다수의 상기 도전성 폴이 끼워질 수 있도록 상하방향으로 관통하는 다수의 관통공이 형성되며, 상기 관통공의 내벽이 상기 도전성 폴의 외벽을 감싸는 형태로 상기 도전성 폴을 그립하도록 하는 절연 블록(300);
상기 절연 블록의 하면에 부착되고 상기 관통공과 연통하는 개구공이 형성되어 상기 도전성 폴의 하면이 하방향으로 노출되게 상기 도전성 폴의 하부가 상기 개구공에 끼워지도록 하는 절연 시트(400);
상기 절연 블록의 테두리 영역과 상기 절연 시트 사이에 끼워지고 상기 절연 블록의 외측벽으로 돌출되어 상기 반도체 검사장비와의 연결을 인터페이스하는 조인트 프레임(500);
을 포함하여 구성되는 반도체 테스트용 러버 소켓.
A rubber socket for semiconductor testing for electrically connecting a semiconductor package to a semiconductor inspection device,
Shaped conductive pillar portion 110 connected to the upper end of the abbreviated conductive pillar portion, a thin-film shaped upper conductive thin film portion 120 connected to the upper end of the weakly shaped conductive pillar portion, A plurality of conductive pawls 100 having a thin film-shaped ferromagnetic-formed lower conductive thin film portion 130 connected to a lower end portion of the forming conductive pillar portion;
A plurality of through holes penetrating in a vertical direction are formed so that a plurality of the conductive pawls can be fitted as an electrical insulator having a predetermined elasticity to an external force and the inner walls of the through holes surround the outer walls of the conductive pawls, An insulation block 300 for gripping the electrode assembly 300;
An insulating sheet 400 attached to a lower surface of the insulating block and having an opening communicating with the through hole so that a lower portion of the conductive pole is inserted into the opening hole so that a lower surface of the conductive pole is exposed downward;
A joint frame (500) sandwiched between a rim region of the insulation block and the insulation sheet and protruding from an outer wall of the insulation block to interface with a connection with the semiconductor inspection equipment;
And a rubber socket for semiconductor testing.
상기 약자성형 도전기둥부(110)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111);
상기 제 1 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 상기 제 1 탄성절연체의 부피 5 이상 15 이하에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 1 도전성 파우더(112);
를 포함하여 구성되고,
상기 강자성형 상부 도전박막부(120)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121);
상기 제 2 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 상기 제 2 탄성절연체의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 2 도전성 파우더(122);
를 포함하여 구성되고,
상기 강자성형 하부 도전박막부(130)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131);
상기 제 3 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 상기 제 3 탄성절연체의 부피 1 이상 5 미만에 대해 부피 10의 비율을 갖는 제 3 도전성 파우더(132);
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 러버 소켓.
The method according to claim 1,
The abbreviated-shaped conductive pillar portion 110 is formed in a substantially U-
A first elastic insulator 111 in the form of a bar having elasticity with respect to external force and electrically insulated;
A first conductive powder 112 having a ratio of volume 10 to volume 15 of not less than 15 and less than 15 volume of the first elastic insulator, wherein the plurality of particles are embedded in the inside of the first elastic insulator to exhibit conductivity;
And,
The ferromagnetic-formed upper conductive thin film portion 120 may be formed of,
A second elastic insulator 121 in the form of a thin film which is elastically and electrically insulated from external force;
A second conductive powder 122 having a ratio of volume 10 to less than 5 and less than 5 volume of the second elastic insulator, wherein the plurality of particles are embedded in the inside of the second elastic insulator to exhibit conductivity;
And,
The ferromagnetic-formed lower conductive thin-film portion 130 may be formed by,
A third elastic insulator 131 in the form of a thin film that is elastically and electrically insulated from external force;
A third conductive powder 132 having a ratio of volume 10 to less than 5 but less than 5 volume of the third elastic insulator;
And a rubber socket for semiconductor testing.
상기 약자성형 도전기둥부(110)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 바 형태의 제 1 탄성절연체(111);
상기 제 1 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni) 이하를 나타내는 제 1 도전성 파우더(112);
를 포함하여 구성되고,
상기 강자성형 상부 도전박막부(120)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 2 탄성절연체(121);
상기 제 2 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 2 도전성 파우더(122);
를 포함하여 구성되고,
상기 강자성형 하부 도전박막부(130)는,
외력에 대해 탄성을 갖고 전기적으로 절연되는 박막 형태의 제 3 탄성절연체(131);
상기 제 3 탄성절연체의 내측에 다수의 알갱이가 형태로 박혀 도전성을 나타내며 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈(Ni)을 초과하는 제 3 도전성 파우더(132);
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 러버 소켓.
The method according to claim 1,
The abbreviated-shaped conductive pillar portion 110 is formed in a substantially U-
A first elastic insulator 111 in the form of a bar having elasticity with respect to external force and electrically insulated;
A first conductive powder 112 having a plurality of grains embedded in the first elastic insulator and exhibiting conductivity and exhibiting a specific magnetic permeability at a Kelvin temperature of 300K or less;
And,
The ferromagnetic-formed upper conductive thin film portion 120 may be formed of,
A second elastic insulator 121 in the form of a thin film which is elastically and electrically insulated from external force;
A second conductive powder 122 having a plurality of pellets embedded in the second elastic insulator and exhibiting conductivity and having a relative permeability exceeding nickel (Ni) at a Kelvin temperature of 300K;
And,
The ferromagnetic-formed lower conductive thin-film portion 130 may be formed by,
A third elastic insulator 131 in the form of a thin film that is elastically and electrically insulated from external force;
A third conductive powder 132 having a plurality of grains embedded in the third elastic insulator and exhibiting conductivity and having a relative magnetic permeability at a Kelvin temperature of 300K exceeding nickel (Ni);
And a rubber socket for semiconductor testing.
(a) 도전성 파우더의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 미리 설정된 제 1 부피비로 섞어 그 제 1 부피비에 대응하는 혼합물을 홀 블록의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀에 채우는 기둥 채움 단계:
(b) 도전성 파우더의 부피에 대한 액상 절연체의 부피 비율을 상기 제 1 부피비보다 작은 값으로 미리 설정된 제 2 부피비로 섞어 그 제 2 부피비에 대응하는 혼합물을 상기 관통홀의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계;
(c) 상기 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계;
(d) 상기 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 상기 홀 블록으로부터 분리하는 단계;
를 포함하여 구성되는 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법.
1. A method of manufacturing a conductive pole for a semiconductor test rubber socket for electrically connecting a semiconductor package to a semiconductor inspection device,
(a) mixing a volume ratio of the liquid insulator to a volume of the conductive powder at a predetermined first volume ratio, and filling the mixture corresponding to the first volume ratio in a plurality of through holes opened in the vertical direction of the hole block;
(b) mixing the volume ratio of the liquid-phase insulator to the volume of the conductive powder at a second volume ratio smaller than the first volume ratio, and forming a mixture corresponding to the second volume ratio in the form of a thin film A thin film laminating step to be added;
(c) a final curing step of curing the liquid insulator filled in the through-holes so as to become an elastic insulator;
(d) separating the elastic insulation after the final curing step from the hole block;
Wherein the conductive pawl is made of a conductive material.
상기 단계 (a)와 상기 단계 (b) 사이에,
상기 기둥 채움 단계를 통해 상기 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 예비 경화 단계;
를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법.
The method of claim 4,
Between the step (a) and the step (b)
A preliminary curing step of curing the liquid insulator filled in the through hole through the pillar filling step so as to become an elastic insulator;
Wherein the step of forming the conductive pawl includes the step of forming the conductive pawl.
(a) 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈 이하인 제 1 도전성 파우더를 섞은 액상 절연체를 홀 블록의 상하방향으로 뚫린 다수의 관통홀에 채우는 기둥 채움 단계;
(b) 캘빈온도 300K에서의 비투자율이 니켈을 초과하는 제 2 도전성 파우더를 섞은 액상 절연체를 상기 관통홀의 상부와 하부에 각각 박막 형태로 추가하는 박막 적층 단계;
(c) 상기 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 최종 경화 단계;
(d) 상기 최종 경화 단계를 거친 탄성 절연체를 상기 홀 블록으로부터 분리하는 단계;
를 포함하여 구성되는 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법.
1. A method of manufacturing a conductive pole for a semiconductor test rubber socket for electrically connecting a semiconductor package to a semiconductor inspection device,
(a) a pillar filling step of filling a liquid insulator mixed with a first conductive powder having a specific magnetic permeability at a Kelvin temperature of 300K or less into a plurality of through holes opened in a vertical direction of the hole block;
(b) a thin film laminating step of adding a liquid insulator mixed with a second conductive powder having a relative permeability exceeding nickel at a Kelvin temperature of 300K to the upper and lower portions of the through holes, respectively;
(c) a final curing step of curing the liquid insulator filled in the through-holes so as to become an elastic insulator;
(d) separating the elastic insulation after the final curing step from the hole block;
Wherein the conductive pawl is made of a conductive material.
상기 단계 (a)와 상기 단계 (b) 사이에,
상기 기둥 채움 단계를 통해 상기 관통홀에 채워진 액상 절연체가 탄성 절연체가 되도록 경화시키는 예비 경화 단계;
를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트용 러버 소켓을 위한 도전성 폴의 제조 방법.
The method of claim 6,
Between the step (a) and the step (b)
A preliminary curing step of curing the liquid insulator filled in the through hole through the pillar filling step so as to become an elastic insulator;
Wherein the step of forming the conductive pawl includes the step of forming the conductive pawl.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160059133A KR101751269B1 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160059133A KR101751269B1 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101751269B1 true KR101751269B1 (en) | 2017-06-27 |
Family
ID=59514430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160059133A KR101751269B1 (en) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101751269B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112213623A (en) * | 2020-09-25 | 2021-01-12 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | Semiconductor chip testing device and manufacturing method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101506131B1 (en) | 2014-04-11 | 2015-03-26 | 주식회사 아이에스시 | Fabrication method of test sheet and test sheet |
KR101573450B1 (en) | 2014-07-17 | 2015-12-11 | 주식회사 아이에스시 | Test socket |
-
2016
- 2016-05-13 KR KR1020160059133A patent/KR101751269B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101506131B1 (en) | 2014-04-11 | 2015-03-26 | 주식회사 아이에스시 | Fabrication method of test sheet and test sheet |
KR101573450B1 (en) | 2014-07-17 | 2015-12-11 | 주식회사 아이에스시 | Test socket |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112213623A (en) * | 2020-09-25 | 2021-01-12 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | Semiconductor chip testing device and manufacturing method thereof |
CN112213623B (en) * | 2020-09-25 | 2024-04-16 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | Semiconductor chip testing device and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100618017B1 (en) | Electric resistance measuring connector and measuring device and measuring method for circuit board electric resistance | |
KR101266124B1 (en) | Test socket with high density conduction section and fabrication method thereof | |
JP4930574B2 (en) | Anisotropic conductive connector device, manufacturing method thereof, and circuit device inspection device | |
TWI533002B (en) | Insert for test | |
CN109313953A (en) | Anisotropic conductive sheet comprising being mixed with the conductive particle of different types of particle | |
JP3753145B2 (en) | Anisotropic conductive sheet and method for manufacturing the same, adapter device and method for manufacturing the same, and electrical inspection device for circuit device | |
KR101591670B1 (en) | method of preparing rubber socket for semiconductor test, and computer-readable recording medium for the same | |
KR101751269B1 (en) | rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method of conductive pole for the same | |
KR101262012B1 (en) | Conductive contactor for testing semiconductor and manufacturing method thereof | |
KR101685023B1 (en) | rubber socket for semiconductor test, and manufacturing method for the same, and computer-readable recording medium for the same | |
KR101318351B1 (en) | Anisotropic conductive connector, production method and production device therefor | |
KR101506131B1 (en) | Fabrication method of test sheet and test sheet | |
KR101043352B1 (en) | method of manufacturing silicon contactor for testing semiconductor device | |
KR101673142B1 (en) | rubber socket for semiconductor test, method of manufacturing the same, and computer-readable recording medium for the same | |
KR101800952B1 (en) | Jig for micro contact pin array assembly and method for manufacturing micro contact pin array assembly | |
JP4507644B2 (en) | Anisotropic conductive connector device, manufacturing method thereof, and circuit device inspection device | |
WO2016195251A1 (en) | Rubber socket for semiconductor test and manufacturing method thereof | |
KR20190033856A (en) | Device for hybrid test socket having ferromagnetic core pin and metal powder, zig assembly and method for manufacturing thereof | |
US8779791B2 (en) | Method of manufacturing probe having boards connected by magnets | |
KR101841051B1 (en) | Anisotropic conductive sheet and manufacturing method thereof | |
KR101572139B1 (en) | Connector and fabrication method of connector | |
JP4380373B2 (en) | Electrical resistance measurement connector, electrical resistance measurement connector device and manufacturing method thereof, and circuit board electrical resistance measurement device and measurement method | |
JP2014526040A (en) | Method for manufacturing contact for testing semiconductor device | |
KR101042374B1 (en) | Manufacturing method of interfering sheet and interfering sheet | |
WO2018079655A1 (en) | Anisotropic conductive sheet and method for producing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |