KR101751053B1 - Light emitting diode, backlgiht unit and liquid crystal display device the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 색 감차를 개선할 수 있는 발광 다이오드가 개시된다.
개시된 본 발명의 발광 다이오드는 리드 프레임과, 리드 프레임 상에 실장된 발광 칩 및 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 포함하고, 발광 칩의 가장자리를 따라 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a light emitting diode capable of improving color rejection.
The light emitting diode of the present invention includes a lead frame, a light emitting chip mounted on the lead frame, and a fluorescent material formed on the light emitting chip. The light emitting diode has a structure protruding along the edge of the light emitting chip toward the fluorescent material, And the distance of the surface is constant.

Description

발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치{LIGHT EMITTING DIODE, BACKLGIHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode (LED), a backlight unit, and a liquid crystal display

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 색 감차를 개선할 수 있는 발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode, a backlight unit and a liquid crystal display having the same.

일반적으로 널리 사용되고 있는 표시장치들 중의 하나인 CRT(cathode ray tube)는 TV를 비롯해서 계측기기, 정보 단말기기 등의 모니터에 주로 이용되고 있으나, CRT 자체의 무게와 크기로 인해 전자 제품의 소형화, 경량화의 대응에 적극적으로 대응할 수 없었다.A CRT (cathode ray tube), which is one of the widely used display devices, is mainly used for monitors such as a TV, a measurement device, and an information terminal device. However, due to the weight and size of the CRT itself, Could not respond positively to the response of

이러한 문제에 대한 해결책으로서, 액정표시장치는 경량화, 박형화, 저소비 전력 구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 사용자의 요구에 부응하여 대면적화, 박형화, 저소비전력화의 방향으로 진행되고 있다.As a solution to such a problem, the liquid crystal display device has been gradually widened due to its features such as lightness, thinness, and low power consumption driving. Accordingly, the liquid crystal display device is proceeding in the direction of large-sized, thin, and low power consumption in response to the demand of the user.

액정표시장치는 액정을 투과하는 광의 양을 조절하여 화상을 표시하는 디스플레이 장치로서 박형화 및 저소비전력등의 장점으로 많이 사용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] A liquid crystal display device is a display device that displays an image by adjusting the amount of light transmitted through a liquid crystal, and is widely used because of its advantages such as thinness and low power consumption.

상기 액정표시장치는 CRT와는 달리 스스로 빛을 내는 표시장치가 아니므로, 액정표시패널의 배면에는 화상을 시각적으로 표현하기 위해 광을 제공하는 별도의 광원을 포함한 백라이트 유닛(Backlight Unit)이 구비된다.Unlike a CRT, the liquid crystal display device is not a self-luminous display device. Therefore, a backlight unit including a separate light source for providing light for visually expressing an image is provided on a back surface of the liquid crystal display panel.

상기 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 직하(direct) 방식과 에지(edge) 방식의 두 종류가 있다.There are two types of the backlight unit, that is, a direct method and an edge method, depending on the position of a light source.

상기 에지 방식은 평판 측면에 광원을 배치한 것으로서, 광원으로부터 발광된 광을 도광판을 이용하여 액정표시패널 전체의 면으로 조사한다. 한편, 직하 방식은 액정표시패널의 배면에 다수의 광원을 배치하여 액정표시패널의 직하에서 광을 직접 조사하는 방식으로 에지 방식과 비교하여 다수의 광원에 의해 휘도를 높일 수 있고, 발광 면을 넓게 할 수 있는 장점이 있다.In the edge system, a light source is disposed on a side surface of a flat plate, and light emitted from a light source is irradiated to the entire surface of the liquid crystal display panel using a light guide plate. On the other hand, in the direct-type method, a plurality of light sources are arranged on the back surface of a liquid crystal display panel and light is directly irradiated right under the liquid crystal display panel. In comparison with the edge method, brightness can be increased by a plurality of light sources, There is an advantage to be able to do.

백라이트 유닛은 광원으로 램프 또는 발광 다이오드(LED)가 구비된다. 최근 들어 저소비전력, 슬림화에 유리한 발광 다이오드가 사용되고 있다.The backlight unit is provided with a lamp or a light emitting diode (LED) as a light source. 2. Description of the Related Art In recent years, light emitting diodes that are advantageous for low power consumption and slimness have been used.

발광 다이오드는 일반적으로 청색(Blue) 발광 칩으로부터 발생된 청색 광이 엘로우 형광물질을 투과하면서 백색 파장대의 광으로 변환되는 백색 발광 다이오드가 사용된다.As the light emitting diode, a white light emitting diode is generally used in which blue light generated from a blue light emitting chip is converted into light in a white wavelength range while passing a yellow fluorescent substance.

그러나, 일반적인 발광 다이오드는 출사면과 발광 칩 사이의 간격에 있어서, 발광 칩과 출사면의 간격이 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역에서 서로 상이하여 출사면의 중앙영역으로 백색 광이 출사되는 반면 상기 출사면의 중앙영역보다 발광 칩의 간격이 큰 출사면의 가장자리 영역으로 엘로우 광이 출사되어 색 감차가 발생하는 문제가 있었다.
However, in a general light emitting diode, the distance between the light emitting chip and the light emitting chip is different in the center region and the edge region of the light emitting chip in the interval between the light emitting chip and the light emitting chip, There has been a problem that yellow light is emitted to the edge area of the emission surface where the interval of the light emitting chips is larger than the center area of the emission surface, resulting in color discrepancy.

본 발명은 색 감차를 개선할 수 있는 발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode, a backlight unit, and a liquid crystal display device having the same, which can improve color reduction.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는,According to an embodiment of the present invention,

리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 실장된 발광 칩; 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질;을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.Lead frame; A light emitting chip mounted on the lead frame; And a fluorescent material formed on the light emitting chip, wherein the light emitting chip has a structure protruding along the edge of the light emitting chip toward the fluorescent material, so that the distance from the light emitting chip to the emitting surface is constant.

또한, 백라이트 유닛은,Further, in the backlight unit,

청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.A light emitting chip having a light emitting chip for emitting blue light and a fluorescent substance formed on the light emitting chip; And an optical sheet for diffusing and condensing white light emitted from the light emitting diode and protruding in the direction of the fluorescent material along an edge of the light emitting chip so that the distance from the light emitting chip to the emitting surface is constant do.

또한, 액정표시장치는,Further, in the liquid crystal display device,

청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 이용하여 영상이 디스플레이되는 액정표시패널을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.A light emitting chip having a light emitting chip for emitting blue light and a fluorescent substance formed on the light emitting chip; And a liquid crystal display panel on which an image is displayed by using white light emitted from the light emitting diode. The liquid crystal display panel has a structure in which the light emitting chip is protruded along the edge of the light emitting chip toward the fluorescent material, .

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 베이스 기판의 가장자리를 따라 P형 반도체층의 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부에 의한 활성층의 제2 돌출부 및 제2 돌출부에 의한 N형 반도체층의 제3 돌출부에 의해 발광 칩의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.The light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a first protrusion of the P-type semiconductor layer along the edge of the base substrate, a second protrusion of the active layer by the first protrusion, and a third protrusion of the N- The edge of the light emitting chip is protruded by the protruding portion so that the interval between the emitting surface and the light emitting chip is kept constant as a whole so that the color difference between the center region and the edge region of the emitting surface can be improved.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 칩은 베이스 기판의 가장자리를 따라 P형 반도체층의 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부에 의한 활성층의 제2 돌출부 및 제2 돌출부에 의한 N형 반도체층의 제3 돌출부에 의해 발광 칩의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.The light emitting chip according to another embodiment of the present invention includes a first protrusion of the P-type semiconductor layer along the edge of the base substrate, a second protrusion of the active layer by the first protrusion, and a third protrusion of the N- The edge of the light emitting chip is protruded by the protruding portion so that the interval between the emitting surface and the light emitting chip is kept constant as a whole so that the color difference between the center region and the edge region of the emitting surface can be improved.

따라서, 본 발명의 발광 다이오드가 구비된 백라이트 유닛 및 액정표시장치는 발광 다이오드로부터 색 감차가 개선됨으로써, 순수한 백색 광 구현 및 이에 따른 화질이 개선되는 장점을 가진다.Accordingly, the backlight unit and the liquid crystal display device having the light emitting diode of the present invention have an advantage of realizing pure white light and improving the image quality by improving the color defect from the light emitting diode.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. Sectional view showing the light emitting chip of the light emitting diode according to the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 영상이 디스플레이되는 액정표시패널(110)과, 상기 액정표시패널(110)의 하부에 배치되어 광을 제공하는 백라이트 유닛(120)을 포함한다.1 to 3, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a liquid crystal display panel 110 on which an image is displayed, a liquid crystal display panel 110 disposed below the liquid crystal display panel 110, The backlight unit 120 includes a backlight unit (not shown).

액정표시패널(110)은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(113) 및 박막 트랜지스터 기판(111)과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정 층을 포함한다.The liquid crystal display panel 110 includes a color filter substrate 113 and a thin film transistor substrate 111 bonded to each other so as to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 컬러필터 기판(113) 및 박막 트랜지스터 기판(111)을 상세히 설명하면, 상기 박막 트랜지스터 기판(111)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터 기판(113)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawing, the color filter substrate 113 and the thin film transistor substrate 111 will be described in detail. In the thin film transistor substrate 111, a plurality of gate lines and data lines intersect to define pixels, A thin film transistor (TFT) is provided for each intersecting region of the pixels and connected in one-to-one correspondence with the pixel electrodes mounted on the respective pixels. The color filter substrate 113 includes color filters of R, G and B colors corresponding to the respective pixels, a black matrix for covering the gate lines, the data lines, the thin film transistors, etc., .

액정표시패널(110)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(115)가 구비된다.A driving PCB 115 for supplying a driving signal to the gate line and the data line is provided at the edge of the liquid crystal display panel 110.

상기 구동 PCB(115)는 COF(Chip on film, 117)에 의해 액정표시패널(110)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(117)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 115 is electrically connected to the liquid crystal display panel 110 by a chip on film (COF) 117. Here, the COF 117 may be changed to a TCP (Tape Carrier Package).

액정표시패널(110)의 하부에 배치된 백라이트 유닛(120)은 상면이 개구된 사각 박스 형상의 바텀커버(190)와, 상기 바텀커버(190)의 측면에 구비된 광원 유닛(150)과, 상기 광원 유닛(150)과 나란하게 배치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(140)을 포함한다.A backlight unit 120 disposed at a lower portion of the liquid crystal display panel 110 includes a bottom cover 190 having a rectangular box shape with an opened upper surface, a light source unit 150 provided at a side surface of the bottom cover 190, And a light guide plate 140 disposed side by side with the light source unit 150 and converting the light into a plane light.

또한, 백라이트 유닛(120)은 상기 도광판(140) 하부에 배치되어 도광판(140) 하부로 진행하는 광을 액정표시패널(110) 방향으로 반사시키는 반사 시트(180)와, 상기 도광판(140) 상부에 배치되어 도광판(140)으로부터 조사되는 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(130)을 더 포함한다.The backlight unit 120 includes a reflective sheet 180 disposed below the light guide plate 140 and reflecting the light traveling toward the lower portion of the light guide plate 140 toward the liquid crystal display panel 110, And optical sheets 130 for diffusing and condensing the light emitted from the light guide plate 140. [

도면에는 도시되지 않았지만, 백라이트 유닛(120)은 상기 광원 유닛(150), 도광판(140), 광학 시트들(130) 및 반사시트(180)가 수납되며, 상기 바텀커버(190)와 결합되는 사각 테 형상의 몰드물로 이루어진 서포트 메인(미도시)을 더 포함한다.Although not shown in the figure, the backlight unit 120 houses the light source unit 150, the light guide plate 140, the optical sheets 130, and the reflection sheet 180, And a support main (not shown) made of a mold material of a tee shape.

본 발명의 광원 유닛(150)은 인쇄회로기판(151)과, 상기 인쇄회로기판(151) 상에 실장되는 복수의 발광 다이오드(160)를 포함한다.The light source unit 150 of the present invention includes a printed circuit board 151 and a plurality of light emitting diodes 160 mounted on the printed circuit board 151.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(160)는 리드 프레임(161)과, 사출 공정을 통해 상기 리드 프레임(161)에 형성되는 몰드 프레임(163)과, 상기 리드 프레임(161) 상에 실장되는 발광 칩(170)을 포함한다.The light emitting diode 160 according to an embodiment of the present invention includes a lead frame 161, a mold frame 163 formed on the lead frame 161 through an injection process, And a light emitting chip 170 which is made of a transparent material.

도면에는 도시되지 않았지만, 발광 다이오드(160)는 리드 프레임(161)의 구조에 있어서, 발광 칩(170)의 P형 반도체층(173)과, N형 반도체층(177)으로부터 각각 인출된 와이어(미도시)가 본딩되도록 극성에 따라 분할된 구조를 가진다.Although not shown in the drawing, the light emitting diode 160 has a structure in which the P-type semiconductor layer 173 of the light emitting chip 170 and the wires (not shown) drawn out from the N-type semiconductor layer 177 (Not shown) are bonded to each other.

또한, 발광 다이오드(160)는 상기 발광 칩(170) 상에 청색 광을 백색 광으로 변환하는 형광 물질(167)을 포함한다.The light emitting diode 160 includes a fluorescent material 167 that converts blue light into white light on the light emitting chip 170.

본 발명의 발광 칩(170)은 가장자리가 돌출된 구조로써, 발광 칩(170)의 중앙영역으로부터 형광물질(167)의 출사면까지 거리와, 발광 칩(170)의 가장자리 영역으로부터 형광물질 출사면까지 거리를 일정하게 유지할 수 있는 구조를 가진다.The light emitting chip 170 of the present invention has a structure in which the edge is protruded and the distance from the central region of the light emitting chip 170 to the exit surface of the fluorescent material 167 and the distance from the edge region of the light emitting chip 170 to the exit surface So that the distance can be kept constant.

상기 발광 칩(170)은 베이스 기판(171)과, 상기 베이스 기판(171) 상에 형성된 P형 반도체층(173)과, 상기 P형 반도체층(173) 상에 형성된 활성층(175)과, 상기 활성층(175) 상에 형성된 N형 반도체층(177)을 포함한다.The light emitting chip 170 includes a base substrate 171, a P-type semiconductor layer 173 formed on the base substrate 171, an active layer 175 formed on the P-type semiconductor layer 173, And an N-type semiconductor layer 177 formed on the active layer 175.

베이스 기판(171)은 사파이어, 실리콘카바이트(SiC), 아연산화물(ZnO), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 또는 일렉트로프레이팅(electroplating)/ 본딩 트랜스퍼(bonding transfer) 방법에 의해 형성되는 금속(Cu, Ni, Al 등) 또는 합금(alloy)등과 같은 물질 중 어느 하나로 이루어진다.The base substrate 171 may be formed of a metal such as sapphire, silicon carbide (SiC), zinc oxide (ZnO), silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), or an electroplating / bonding transfer (Cu, Ni, Al, or the like), an alloy, or the like.

상기 베이스 기판(171) 상에 형성되는 P형 반도체층(173)은 가장자리가 상부방향으로 돌출된 제1 돌출부(173a, 173b)를 가진다. 즉, P형 반도체층(173)은 가장자리를 따라 단차형태의 구조를 가진다.The P-type semiconductor layer 173 formed on the base substrate 171 has first protrusions 173a and 173b whose edges are protruded upward. That is, the P-type semiconductor layer 173 has a stepped structure along the edge.

P형 반도체층(173)은 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그라피 공정을 통해 양측으로 돌출된 제1 돌출부(173a, 173b)를 형성할 수 있다.The P-type semiconductor layer 173 may form first protrusions 173a and 173b protruding from both sides through a photolithography process using a halftone mask.

여기서, 발광 칩(173)은 베이스 기판(171) 상에 P형 반도체층(173)가 형성된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 베이스 기판상에 N형 반도체층이 형성되고, 활성층 상에 P형 반도체층이 형성된 구조로 변경될 수도 있다.The light emitting chip 173 has a structure in which the P-type semiconductor layer 173 is formed on the base substrate 171. However, the present invention is not limited to this, and an N-type semiconductor layer may be formed on the base substrate, A structure in which a P-type semiconductor layer is formed may be changed.

상기 활성층(175)은 상기 P형 반도체층(173) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, 활성층(175)의 가장자리는 P형 반도체층(173)의 제1 돌출부(173a, 173b)에 의해 돌출된 형태의 제2 돌출부(175a, 175b)가 형성된다.The active layer 175 is deposited on the P-type semiconductor layer 173 to a predetermined thickness. The edges of the active layer 175 are formed with second projections 175a and 175b protruding from the first projections 173a and 173b of the P-type semiconductor layer 173.

활성층(175)은 N형 반도체층(177)에서 제공된 전자와 P형 반도체층(173)에서 제공된 정공이 재결합되면서 일정 파장의 광이 출력되는 층으로 우물층(well layer)과 장벽층(barrier layer)을 교대로 적층하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조(multiple quantum well) 구조를 가지는 반도체 박막으로 형성될 수 있다.The active layer 175 is a layer in which electrons provided in the N-type semiconductor layer 177 and holes provided in the P-type semiconductor layer 173 are recombined to emit light of a certain wavelength, and a well layer and a barrier layer ) May be alternately stacked to form a semiconductor thin film having a single or multiple quantum well structure.

상기 N형 반도체층(177)은 상기 활성층(175) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, N형 반도체층(177)의 가장자리는 활성층(175)의 제2 돌출부(175a, 175b)에 의해 돌출된 형태의 제3 돌출부(177a, 177b)가 형성된다.The N-type semiconductor layer 177 is deposited on the active layer 175 to a predetermined thickness. The edge of the N-type semiconductor layer 177 is formed with third projections 177a and 177b which are protruded by the second projections 175a and 175b of the active layer 175. [

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩(170)은 제1 내지 제3 돌출부(173a, 173b, 175a, 175b, 177a, 177b)에 의해 N형 반도체층(177) 상의 중앙부에 홈(179) 구조가 형성된다.The light emitting chip 170 according to the embodiment of the present invention has a groove 179 structure in the central portion on the N-type semiconductor layer 177 by the first to third projections 173a, 173b, 175a, 175b, 177a, .

이상에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(170)는 베이스 기판(171)의 가장자리를 따라 P형 반도체층(173)의 제1 돌출부(173a, 173b), 상기 제1 돌출부(171a, 173b)에 의한 활성층(175)의 제2 돌출부(175a, 175b) 및 제2 돌출부(175a, 175b)에 의한 N형 반도체층(177)의 제3 돌출부(177a, 177b)에 의해 발광 칩(170)의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩(170) 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.As described above, the light emitting diode 170 according to an embodiment of the present invention includes the first protrusions 173a and 173b of the P-type semiconductor layer 173 along the edge of the base substrate 171, 17b of the N-type semiconductor layer 177 by the second projections 175a and 175b and the second projections 175a and 175b of the active layer 175 by the first projections 171a and 173b, And the edge of the light emitting chip 170 is protruded. By keeping the distance between the emitting surface and the light emitting chip 170 as a whole, the color difference between the center region and the edge region of the emitting surface can be improved.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩(270)은 베이스 기판(271)과, 상기 베이스 기판(271) 상에 형성된 P형 반도체층(273)과, 상기 P형 반도체층(273) 상에 형성된 활성층(275)과, 상기 활성층(275) 상에 형성된 N형 반도체층(277)을 포함한다. 또한, 다른 실시예에 따른 발광 칩(270)은 P형 반도체층(273)의 하부 가장자리와 베이스 기판(271) 상부 가장자리 사이에 몰딩층(272)을 더 포함한다.4, a light emitting chip 270 of a light emitting diode according to another embodiment includes a base substrate 271, a P-type semiconductor layer 273 formed on the base substrate 271, An active layer 275 formed on the semiconductor layer 273 and an N-type semiconductor layer 277 formed on the active layer 275. The light emitting chip 270 according to another embodiment further includes a molding layer 272 between the lower edge of the P-type semiconductor layer 273 and the upper edge of the base substrate 271.

P형 반도체층(273)은 가장자리 상부면이 상부방향으로 구부러진 제1 돌출부(273a, 273b)를 가진다.The P-type semiconductor layer 273 has first protrusions 273a and 273b whose top surfaces are curved upward.

여기서, 발광 칩(270)은 베이스 기판(271) 상에 P형 반도체층(273)가 형성된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 베이스 기판상에 N형 반도체층이 형성되고, 활성층 상에 P형 반도체층이 형성된 구조로 변경될 수도 있다.The light emitting chip 270 has a structure in which the P-type semiconductor layer 273 is formed on the base substrate 271. However, the present invention is not limited to this, and an N-type semiconductor layer may be formed on the base substrate, A structure in which a P-type semiconductor layer is formed may be changed.

상기 활성층(275)은 상기 P형 반도체층(273) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, 활성층(275)의 가장자리는 P형 반도체층(273)의 제1 돌출부(273a, 273b)에 의해 돌출된 형태의 제2 돌출부(275a, 275b)가 형성된다.The active layer 275 is deposited on the P-type semiconductor layer 273 to a predetermined thickness. The edges of the active layer 275 are formed with second projections 275a and 275b protruding from the first projections 273a and 273b of the P-type semiconductor layer 273. [

상기 N형 반도체층(277)은 상기 활성층(275) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, N형 반도체층(277)의 가장자리는 활성층(275)의 제2 돌출부(275a, 275b)에 의해 돌출된 형태의 제3 돌출부(277a, 277b)가 형성된다.The N-type semiconductor layer 277 is deposited on the active layer 275 to a predetermined thickness. The edge of the N-type semiconductor layer 277 is formed with third projections 277a and 277b protruded by the second projections 275a and 275b of the active layer 275.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩(270)은 제1 내지 제3 돌출부(273a, 273b, 275a, 275b, 277a, 277b)에 의해 N형 반도체층(277)의 중앙부에 홈(279) 구조가 형성된다.The light emitting chip 270 according to an embodiment of the present invention has a groove 279 structure in the central portion of the N-type semiconductor layer 277 by the first to third projections 273a, 273b, 275a, 275b, 277a, .

이상에서와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 칩(270)은 베이스 기판(271)의 가장자리를 따라 P형 반도체층(273)의 제1 돌출부(273a, 273b), 상기 제1 돌출부(273a, 273b)에 의한 활성층(275)의 제2 돌출부(275a, 275b) 및 제2 돌출부(275a, 275b)에 의한 N형 반도체층(277)의 제3 돌출부(277a, 277b)에 의해 발광 칩(270)의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩(270) 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.As described above, the light emitting chip 270 according to another embodiment of the present invention includes the first protrusions 273a and 273b of the P-type semiconductor layer 273 along the edge of the base substrate 271, The second projections 275a and 275b of the active layer 275 by the first projections 273a and 273b and the third projections 277a and 277b of the N-type semiconductor layer 277 by the second projections 275a and 275b, The edge of the light emitting chip 270 is protruded so that the interval between the emitting surface and the light emitting chip 270 is kept constant as a whole so that the color difference between the center area and the edge area of the emitting surface can be improved.

따라서, 본 발명의 발광 다이오드가 구비된 백라이트 유닛 및 액정표시장치는 발광 다이오드로부터 색 감차가 개선됨으로써, 순수한 백색 광 구현 및 이에 따른 화질이 개선되는 장점을 가진다.Accordingly, the backlight unit and the liquid crystal display device having the light emitting diode of the present invention have an advantage of realizing pure white light and improving the image quality by improving the color defect from the light emitting diode.

이상에서는 두 개의 실시예를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 발광 칩과 발광 다이오드의 출사면 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지할 수 있도록 발광 칩의 구조에 있어서, 가장자리로 돌출된 돌출부의 형상은 얼마든지 변경될 수 있고, 역피라미드 형태의 구조도 적용될 수 있다.In the structure of the light emitting chip so that the distance between the light emitting chip and the emitting surface of the light emitting diode can be kept constant as a whole, the shape of the protruding portion projecting to the edge is not limited thereto, Can be changed as much as possible, and a reverse pyramid type structure can be applied.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

170, 270: 발광칩 171, 271: 베이스 기판
173, 273: P형 반도체층 175, 275: 활성층
177, 277: N형 반도체층 179, 279: 홈170, 270: light emitting chip 171, 271: base substrate
173, 273: P-type semiconductor layer 175, 275:
177, 277: N-type semiconductor layer 179, 279:

Claims (21)

리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 실장된 발광 칩; 및
상기 발광 칩 상에 구비된 형광물질;을 포함하고,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 배치되고 가장자리가 돌출된 활성층;
상기 활성층 상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층; 및
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에 배치된 몰딩층; 을 포함하며,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어진, 발광 다이오드.
Lead frame;
A light emitting chip mounted on the lead frame; And
And a fluorescent material provided on the light emitting chip,
The light-
A base substrate;
A first semiconductor layer disposed on the base substrate and having an edge projected;
An active layer disposed on the first semiconductor layer and having a protruding edge;
A second semiconductor layer disposed on the active layer and having a protruding edge; And
A molding layer disposed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate; / RTI >
And protruding toward the fluorescent material along an edge of the light emitting chip.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 구비된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함하고,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 배치되고 가장자리가 돌출된 활성층;
상기 활성층 상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층; 및
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에 배치된 몰딩층; 을 포함하며,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어진, 백라이트 유닛.
A light emitting chip having a light emitting chip for emitting blue light and a fluorescent substance provided on the light emitting chip; And
And optical sheets for diffusing and condensing the white light emitted from the light emitting diode,
The light-
A base substrate;
A first semiconductor layer disposed on the base substrate and having an edge projected;
An active layer disposed on the first semiconductor layer and having a protruding edge;
A second semiconductor layer disposed on the active layer and having a protruding edge; And
A molding layer disposed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate; / RTI >
And protruding toward the fluorescent material along an edge of the light emitting chip.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 구비된 형광물질을 가지는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 이용하여 영상이 디스플레이되는 액정표시패널을 포함하고,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 배치되고 가장자리가 돌출된 활성층;
상기 활성층 상에 배치되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층; 및
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에 배치된 몰딩층; 을 포함하며,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어진, 액정표시장치.A light emitting chip having a light emitting chip for emitting blue light and a fluorescent substance provided on the light emitting chip;
And a liquid crystal display panel in which an image is displayed using white light emitted from the light emitting diode,
The light-
A base substrate;
A first semiconductor layer disposed on the base substrate and having an edge projected;
An active layer disposed on the first semiconductor layer and having a protruding edge;
A second semiconductor layer disposed on the active layer and having a protruding edge; And
A molding layer disposed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate; / RTI >
And protruding toward the fluorescent material along an edge of the light emitting chip. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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